JP2004197182A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板を処理する反応室と、該反応室から排気ガスを排気する排気管と、該排気管に設けられ、排気ガスを冷却して排気ガス中の原料を相変化させ回収する回収手段40を具備し、該回収手段は回収手段内部で排気ガス流を分流する複数の細管52を具備している。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明はシリコンウェーハ、ガラス基板等の基板に薄膜の生成等を行う基板処理装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
先ず、図4に於いて基板処理装置の概要について説明する。図4は基板処理装置の、特に基板を一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置を示している。
【0003】
図中、1は上端が開放された気密容器本体であり、該気密容器本体1の上端には該気密容器本体1を気密に閉塞する上蓋2が設けられている。
【0004】
前記気密容器本体1の底部を中空の支柱3が貫通し、該支柱3は図示しない昇降機構により昇降可能になっており、前記支柱3の底部貫通部はベローズ5により気密にシールされている。
【0005】
前記支柱3の上端に基板載置台を兼ねるヒータユニット4が設けられ、該ヒータユニット4は前記支柱3を介して昇降し、上昇状態では前記上蓋2と対向して設けられたカバープレート6に当接する様になっている。該カバープレート6は中央に孔7が穿設され、前記ヒータユニット4が前記カバープレート6に当接した状態で、前記孔7を通し、前記ヒータユニット4に載置された基板8が露出する様になっている。
【0006】
前記気密容器本体1の一側壁には基板投入口9が穿設され、該基板投入口9はゲート弁11により開閉される様になっている。前記基板投入口9は前記ヒータユニット4が降下した状態で、該ヒータユニット4の上方に位置する様になっている。
【0007】
又、前記気密容器本体1の他側壁には排気口12が穿設され、該排気口12には排気管13が接続され、該排気管13は真空ポンプ(図示せず)に接続されている。又、前記排気管13の途中(真空ポンプの真空側)にトラップ14が設けられ、更に該トラップ14に捕集器15が設けられている。尚、前記トラップ14は真空ポンプの吐出側(大気側)に設けられる場合もある。
【0008】
前記上蓋2は前記カバープレート6に対向する多数の分散孔19が設けられたシャワープレート16を有し、該シャワープレート16と平行で複数の孔が穿設された中間プレート17、前記シャワープレート16、中間プレート17を気密に覆う上蓋カバー18を有している。該上蓋カバー18と前記中間プレート17間にはガス溜め21が形成され、前記中間プレート17と前記シャワープレート16間には間隙22が形成される。
【0009】
前記ガス溜め21にはガス導入管23を介して原料ガス供給源24が接続されている。
【0010】
上記基板処理装置に於ける基板処理について説明する。
【0011】
前記ヒータユニット4の降下状態で、前記ゲート弁11が開かれ、前記基板投入口9より前記基板8が図示しない基板搬入ロボットにより前記ヒータユニット4上に搬入、載置される。搬入後前記基板投入口9が前記ゲート弁11に閉じられ、前記ヒータユニット4が上昇して前記カバープレート6に当接する。前記上蓋2と前記カバープレート6、前記ヒータユニット4間に反応室25が形成される。前記排気口12、排気管13を介して排気され、前記ガス導入管23を介して原料ガスが前記原料ガス供給源24より供給される。
【0012】
上記基板処理装置に於いて、MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法による基板処理(成膜処理)では、前記原料ガス供給源24は常温常圧下で液体又は固体の状態の有機金属化合物原料を気化し、希釈ガスと共に前記ガス導入管23を介して供給する。
【0013】
原料ガスは基板処理の種類に応じて選択され、例えばRu膜を生成するMOCVDではRu(EtCp)2 等が原料として使用される。又、処理条件としては温度250℃〜350℃、処理圧力0.1〜50Torr(13.3〜6650Pa)、原料流量0.03〜0.2g/min 、キャリア流量0.1〜2slm である。
【0014】
前記ガス溜め21に導入された原料ガスは前記中間プレート17、間隙22を経て均圧化され、前記分散孔19より均等に分散されて前記反応室25に導入される。原料ガスは前記ヒータユニット4により加熱され気相反応(熱分解反応)により、反応種が生成し前記基板8上に結晶し、Ru膜が生成される。
【0015】
反応後のガスは前記排気口12、排気管13、トラップ14を介して排気される。
【0016】
成膜処理後、前記ヒータユニット4が降下し、前記ゲート弁11が開かれ、図示しない基板搬入ロボットにより前記ヒータユニット4から前記基板8が搬出される。
【0017】
上記処理工程に於いて、原料ガスは前記基板8のみに堆積するわけではなく、前記反応室25の壁面、或は前記排気管13内面に付着し、更に排気ガスと共に装置外に排出される。
【0018】
上記したRu原料は高価であるので、前記基板8への成膜に寄与しない分については、回収、再利用されることが好ましい。前記トラップ14、前記捕集器15は排気ガス中から原料ガスを液化、固化して回収する為に設けられている。
【0019】
図5、図6を参照して従来設けられている前記トラップ14、捕集器15について説明する。
【0020】
上流側フランジ27と下流側フランジ28との間は円筒間隙29が形成される2重管構造のウォータジャケット31となっている。該ウォータジャケット31の中間部を貫通して排気フランジ32が設けられている。
【0021】
前記上流側フランジ27は前記排気管13を介して前記排気口12に接続され、前記下流側フランジ28には前記捕集器15が接続され、前記排気フランジ32には前記排気管13を介して排気ポンプ(図示せず)が接続される。
【0022】
前記ウォータジャケット31の下流側端部に前記円筒間隙29に連通する冷媒流入管33が設けられ、前記ウォータジャケット31の上流側端部には前記円筒間隙29に連通する冷媒出側管34が設けられ、該冷媒出側管34、前記冷媒流入管33には冷媒循環器35が接続されている。
【0023】
該冷媒循環器35は冷媒、例えば冷却水を前記冷媒流入管33から前記円筒間隙29に流入させる。冷却水は、前記円筒間隙29を上昇して前記冷媒出側管34を経て前記冷媒循環器35に戻り、該冷媒循環器35で冷却水が冷却され、再び前記冷媒流入管33より前記円筒間隙29へ流入される。冷却水により前記ウォータジャケット31が冷却されることで、前記トラップ14を流通する排気ガスが冷却される。排気ガスが冷却されることで排気ガス中に含まれる原料ガスが、相変化、即ち液化、固化し、排気ガス中から分離され、前記捕集器15に溜り、捕集される。
【0024】
【発明が解決しようとする課題】
然し乍ら、上記したトラップ14ではRu膜を成膜することを目的とした場合、原料回収率は0%と言える程全く捕集されなかった。ここで、原料回収率とは、(トラップ14に捕集される原料重量)/(トラップ14へ流入する原料重量)×100%で求める。
【0025】
本発明者は、原料が回収されなかった原因を調べる為、窒素ガスを流した場合を想定したシミュレーションを行った。シミュレーションは前記トラップ14の設置場所を真空ポンプの真空側に設置した場合、真空ポンプの大気側に設置した場合の2つの場合に以下の条件で計算を行った。
(A)トラップ14を真空側に設置した場合 流入N2 流量2slm 、温度100℃
(B)トラップ14を大気側に設置した場合 流入N2 流量50slm 、温度100℃
尚、前記トラップ14壁面は水冷により10℃と仮定した。大気側に設置した場合のN2 流量が真空側より多いのは、前記ポンプ内への原料ガスの付着を防止する為に前記真空ポンプ内へ導入されるN2 量を加算した為である。
【0026】
図7は従来のトラップ14内の温度分布を、図8は従来のトラップ14内のガス流速分布を示す。尚(A)(B)は各々、トラップを真空側(50Pa)に設置した場合、大気側に設置した場合の結果を示す。
【0027】
図7中で示される温度の等高線は流路の中央に行く程温度が高くなっている。又、図8中で示される流速の等高線は流路の中央に行く程速くなっている。
【0028】
先ず図7より、大気側より真空側に前記トラップ14を設置した方がガスの冷却は早く、真空側ではガスは液化するには十分に低温度に冷却されていることが分る。又、図9はRu(EtCp)2 の蒸気圧線図であるが、50Pa(0.38Torr)での凝縮点は87℃であり大気圧ではそれ以上であることが分る。従って、前記トラップ14内では十分に凝縮点以下になっていると考えられる。にも拘らず実際に前記トラップ14を装置排気ラインの真空側に設置して原料の回収を試みたところ回収率が0%であった事実から、単に前記トラップ14内で排気ガスを凝縮点以下に冷却するのみでは不十分であることが推測される。
【0029】
排気ガスが十分冷却されていても前記トラップ14で液化原料が捕集されない理由として、凝縮段階にあるガスが気化熱を奪われる間もなくトラップ14外へ流し去られることが考えられる。
【0030】
そこで、図8の該トラップ14内のガス流速から該トラップ14内での滞在時間を計算すると、大気側では約2.5秒(平均流速0.12m/s)、真空側では約0.03秒(平均流速8.6m/s)であった。而して、真空側でのトラップ14内のガス滞在時間は極めて短く、原料が回収されない事実の裏付けとなるものと考えられる。又、この滞在時間を長くするという観点では、前記トラップ14は、大気側(より高圧力側)に設置した方が好ましいと言える。然し、大気側ではガスの冷却効果が低いのも事実である。
【0031】
本発明は斯かる実情に鑑み、トラップ内での冷却排気ガスの滞在時間を長くし、而も冷却効率を向上して効果的に原料の回収が行える様にするものである。
【0032】
【課題を解決するための手段】
本発明は、基板を処理する反応室と、該反応室から排気ガスを排気する排気管と、該排気管に設けられ、排気ガスを冷却して排気ガス中の原料を相変化させ回収する回収手段を具備し、該回収手段は回収手段内部で排気ガス流を分流する複数の細管を具備している基板処理装置に係るものである。
【0033】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態を説明する。
【0034】
図1、図2は本発明に係る基板処理装置に用いられる回収手段(トラップ)40を示している。
【0035】
尚、基板処理装置については図4で示したものと同等であるので、説明を省略し、前記回収手段40が設けられる場所も排気管13の途中で真空ポンプの真空側である。尚、前記回収手段40を真空ポンプの大気側の排気管に設ける場合もある。
【0036】
以下、前記回収手段40であるトラップについて説明する。又、図1、図2中、図5、図6中で示したものと同等のものには同符号を付してある。
【0037】
トラップ外容器41は円筒の外胴部42、上流側端板43、下流側端板44により構成され、前記上流側端板43には上流側フランジ27が貫通して固着され、前記下流側端板44の下面には下流側フランジ28が固着され、該下流側フランジ28と前記トラップ外容器41の内部とは前記下流側フランジ28の内径より小径の捕集口45により連通している。又、前記下流側端板44の下面には前記捕集口45と同心に切頭円錐環状の液切りリング50が設けられている。
【0038】
前記トラップ外容器41の内部にトラップ内容器46が前記トラップ外容器41と同心に設けられている。前記トラップ内容器46は円筒の内胴部47、上流側端板48、下流側端板49により構成され、前記上流側端板48は前記内胴部47より大径となっており、前記外胴部42に気密に固着され、前記上流側端板48は前記外胴部42内の上部にガス溜め51を形成する仕切板となっている。該ガス溜め51より下側に排気フランジ32が前記トラップ外容器41に連通する様気密に設けられている。
【0039】
前記上流側端板48を貫通すると共に前記下流側端板49を貫通する細管52が、複数本前記上流側端板48と前記下流側端板49とに掛渡って気密に設けられている。
【0040】
前記トラップ外容器41を気密に貫通し、前記内胴部47の下端部に冷媒流入管33が連通され、前記トラップ外容器41を気密に貫通し、前記内胴部47の上端部に冷媒出側管34が連通され、該冷媒出側管34、前記冷媒流入管33には冷媒循環器35が接続されている。尚、前記冷媒流入管33は前記内胴部47の上端部に、又前記冷媒出側管34は前記内胴部47の下端部に連通されてもよい。
【0041】
而して、前記内胴部47の内部には前記細管52の周囲を流れる冷媒流路53が形成され、該冷媒流路53は前記冷媒流入管33、冷媒出側管34を介して冷媒循環器35に連通している。又、前記内胴部47の下方から周囲に掛渡って排気ガス流路54が形成され、該排気ガス流路54は前記細管52を介して前記ガス溜め51に連通し、前記排気フランジ32を介して真空ポンプ(図示せず)に接続されている。
【0042】
前記冷媒循環器35は冷媒、例えば冷却水を前記冷媒流入管33から前記冷媒流路53に流入する。冷却水は、該冷媒流路53を上昇して前記細管52及び前記内胴部47を冷却し、前記冷媒出側管34を経て前記冷媒循環器35に戻り、該冷媒循環器35で冷却水が冷却され、再び前記冷媒流入管33より前記冷媒流路53へ流入される。
【0043】
前記排気管13より排気ガスが前記トラップ40に流入すると、前記上流側フランジ27より前記ガス溜め51に排気ガスが流入し、排気ガスは該ガス溜め51で一旦滞留した後、前記細管52により分流され、該細管52を通って下端より流出し、更に前記下流側端板49の下方で反転して上昇し、排気ガス流路54を上昇して前記排気フランジ32より排出される。
【0044】
排気ガスは前記細管52を流下する過程で、更に前記排気ガス流路54を上昇する過程でそれぞれ冷却され、総合的な冷却面積が増大する。更に、排気ガスは前記トラップ外容器41内部で反転して前記排気フランジ32から流出するので、流路長が長くなり、排気ガスの前記トラップ40内での滞在時間が長くなる。従って、従来例に比べ冷却効率が著しく増大する。
【0045】
又、排気ガスが前記排気ガス流路54の下端で反転することから、冷却により液化、固化した原料ガスが前記下流側端板44に衝突して捕集が効果的に行われる。更に、前記液切りリング50により前記捕集口45に付着した液状の原料は滴状に溜ることなく、迅速に前記捕集器15に落下して捕集される。
【0046】
次に、本実施の形態に於いて、従来と同様に窒素ガスのみを流した場合のシミュレーションを行った。シミュレーションはトラップ40の設置場所を真空ポンプの真空側に設置した場合、真空ポンプの大気側に設置した場合の2つの場合に以下の条件で計算を行った。
(A)本発明のトラップ40を真空側に設置した場合 流入N2 流量2slm 、温度100℃
(B)本発明のトラップ40を大気側に設置した場合 流入N2 流量50slm 、温度100℃
尚、水冷によりトラップ40内壁面は20℃、又、複数本の細管52は10℃であると仮定した。
【0047】
図3(A)は前記トラップ40が真空ポンプの真空側に設けられた場合、図3(B)は前記トラップ40が真空ポンプの大気側に設けられた場合の温度分布を示しており、細管の上流側から下流側に向って温度が低下している。図3(A)(B)に示される様に、排気ガスは細管52に入ったところで急激に冷却されている。図7の従来のトラップ14は壁面から遠く離れた中央部ほどガス温度が高いことから分るように、管が太いと、即ち流路断面が大きいと熱伝達の効率が低い。従って、本発明のトラップ40の様に管径が小さい細管52を排気ガスが通れば冷却の効果が大きい。
【0048】
又、前記トラップ40でのガス滞在時間は計算より、真空側では約0.04秒(平均流速21m/s)、大気側では約2.8秒(平均流速0.27m/s)である。細管52を用いることで流路は小さくなり流速が大きくなってトラップ40内のガス滞在時間が短くなる点については、管長を大きく取る、折返し構造によってストロークを稼ぐ等の方法で補われる。
【0049】
従って、本発明のトラップ構造を採用すれば、冷却効果を大きくすることとガス滞在時間を長くすることが両立できるので、更に大気側(高圧力側)での運用も可能となる。
【0050】
尚、前記外胴部42を図5で示した様に2重管構造としてウォータジャケットとし、該ウォータジャケットに前記冷媒循環器35より冷却水を循環させ、前記トラップ外容器41により、更に排気ガスを冷却してもよい。又、該トラップ外容器41をウォータジャケット構造にした場合は、前記冷媒流路53への冷却水の流通を省略してもよい。この場合も、前記トラップ40での排気ガス流路長が長くなり、排気ガスの滞在時間が長くなるので原料ガスの捕集効果が上がる。更に構造を簡略化する為、前記トラップ内容器46の内胴部47を省略し、前記上流側端板48と下流側端板49のみで前記細管52を支持してもよい。
【0051】
尚、上記実施の形態では、原料ガスがRuの場合について説明したが、常温で固体又は液体を原料とする基板処理に対して実施可能であり、例えば、SiN成膜プロセスでのNH4 Cl回収であり、Ta2O5成膜処理も対象となる。
【0052】
【発明の効果】
以上述べた如く本発明によれば、基板を処理する反応室と、該反応室から排気ガスを排気する排気管と、該排気管に設けられ、排気ガスを冷却して排気ガス中の原料を相変化させ回収する回収手段を具備し、該回収手段は回収手段内部で排気ガス流を分流する複数の細管を具備しているので、熱交換面積が増大し、冷却効率が向上して効果的に原料の回収が行えるという優れた効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に用いられるトラップの断面図である。
【図2】本発明の実施の形態に用いられるトラップの側面図である。
【図3】(A)は前記トラップが真空ポンプの真空側に設けられた場合の排気ガスの温度分布を示し、(B)は前記トラップが真空ポンプの大気側に設けられた場合の排気ガスの温度分布を示す。
【図4】基板処理装置の概略断面図である。
【図5】従来のトラップの断面図である。
【図6】該従来のトラップの側面図である。
【図7】(A)は従来のトラップが真空ポンプの真空側に設けられた場合の排気ガスの温度分布を示し、(B)は従来のトラップが真空ポンプの大気側に設けられた場合の排気ガスの温度分布を示す。
【図8】(A)は従来のトラップが真空ポンプの真空側に設けられた場合の排気ガスの流速分布を示し、(B)は従来のトラップが真空ポンプの大気側に設けられた場合の排気ガスの速度分布を示す。
【図9】基板処理に使用されるRu(EtCp)2 の蒸気圧線図である。
【符号の説明】
8 基板
13 排気管
14 トラップ
15 捕集器
25 反応室
24 原料ガス供給源
41 トラップ外容器
46 トラップ内容器
47 内胴部
50 液切りリング
52 細管
53 冷媒流路
54 排気ガス流路
Claims (1)
- 基板を処理する反応室と、該反応室から排気ガスを排気する排気管と、該排気管に設けられ、排気ガスを冷却して排気ガス中の原料を相変化させ回収する回収手段を具備し、該回収手段は回収手段内部で排気ガス流を分流する複数の細管を具備していることを特徴とする基板処理装置。
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Cited By (2)
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JP2008298300A (ja) * | 2007-05-29 | 2008-12-11 | Espec Corp | 熱処理装置 |
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2002
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