WO2010103953A1 - 基板処理装置、トラップ装置、基板処理装置の制御方法及びトラップ装置の制御方法 - Google Patents

基板処理装置、トラップ装置、基板処理装置の制御方法及びトラップ装置の制御方法 Download PDF

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弘司 福森
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東京エレクトロン株式会社
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/60—Deposition of organic layers from vapour phase

Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing apparatus, a trap apparatus, a substrate processing apparatus control method, and a trap apparatus control method.
  • Polyimide is used for an interlayer insulating film, a passivation film, and the like because it has high adhesion and low leakage current.
  • PMDA and ODA which are highly reactive monomers, are vaporized, vapor-deposited on the surface of the substrate installed in the chamber, and polymerized / dehydrated on the surface of the substrate to obtain polyimide as a polymer.
  • an ordinary vacuum film forming apparatus that does not use a polymer vaporized material as a raw material has a removal device between the chamber and the vacuum pump to prevent unreacted components in the exhaust from entering the vacuum pump as foreign matter.
  • a removing device there is known a device for removing unreacted components by reacting them in the removing device and attaching them to the inner wall (for example, Patent Document 2).
  • the present invention provides a substrate processing apparatus, a trap apparatus, a substrate processing apparatus control method, and a trap apparatus control method suitable for removing monomers having low adhesion such as PMDA and ODA.
  • the present invention includes a chamber for processing a substrate, a gas supply unit for introducing a gas into the chamber, an exhaust unit for exhausting the gas in the chamber, and between the chamber and the exhaust unit.
  • a gas supply unit for introducing a gas into the chamber
  • an exhaust unit for exhausting the gas in the chamber
  • the substrate processing apparatus comprising: a first trap connected to the chamber; and a second trap provided between the first trap and the exhaust unit.
  • the first temperature at which unreacted components contained in the gas react to form a polymer is set, and the second trap is set at a second temperature at which unreacted components contained in the gas precipitate as monomers.
  • the temperature control part for performing is provided.
  • a connection valve is provided between the first trap and the second trap, and the temperature control unit causes the connection valve to be higher than the first temperature.
  • the temperature is set to 3.
  • the first temperature is set to 140 to 200 ° C.
  • the second temperature is set to 120 ° C. or less
  • the third temperature is set to 200 ° C. or more.
  • the present invention is characterized in that the gas contains at least either PMDA or ODA.
  • the present invention is characterized in that the second trap has a mirror-finished surface in contact with the gas.
  • the present invention is characterized in that the surface of the second trap contacting the gas is coated with a fluororesin.
  • the present invention is characterized in that the second trap has a surface coated with the gas coated with glass.
  • the present invention is a trap device provided between a chamber for processing a substrate having a gas supply unit for introducing a gas and an exhaust unit for exhausting the gas in the chamber.
  • a first trap connected to the chamber, and a second trap provided between the first trap and the exhaust part, wherein the first trap is included in the gas
  • the first trap is set to a first temperature at which unreacted components react to form a polymer
  • the second trap is set to a second temperature at which the unreacted components contained in the gas precipitate as monomers.
  • a control unit is provided.
  • the present invention provides a method for controlling a trap device provided between a chamber for processing a substrate having a gas supply unit for introducing gas and an exhaust unit for exhausting the gas in the chamber.
  • the first trap connected to the chamber is set to a first temperature at which unreacted components contained in the gas react to form a polymer, and the first trap and the exhaust section
  • the second trap provided therebetween is set to a second temperature at which an unreacted component contained in the gas is deposited as a monomer.
  • the present invention provides a method for controlling a trap device provided between a chamber for processing a substrate having a gas supply unit for introducing gas and an exhaust unit for exhausting the gas in the chamber.
  • the first trap connected to the chamber is set to a first temperature at which unreacted components contained in the gas react to form a polymer, and the first trap and the exhaust section
  • the second trap provided therebetween is set to a second temperature at which an unreacted component contained in the gas is deposited as a monomer.
  • raw material monomers can be effectively removed in a substrate processing apparatus and trap using vaporized PMDA, ODA, or the like.
  • Configuration diagram of a film forming apparatus in this embodiment Configuration diagram of trap device in the present embodiment Structure of the first trap Correlation diagram between surface area in first trap and deposition rate Structure of second trap Perspective view of the second trap Perspective view of cooling mechanism of second trap Connection valve structure
  • This embodiment is a film forming apparatus for obtaining polyimide by vapor deposition polymerization using PMDA and ODA as raw material monomers.
  • FIG. 1 shows a film forming apparatus in the present embodiment
  • FIG. 2 shows a trap apparatus in the present embodiment.
  • the film forming apparatus in the present embodiment has a wafer boat 12 in which a plurality of wafers W on which a polyimide film is formed can be placed in a chamber 11 that can be evacuated by a vacuum pump 50.
  • the chamber 11 has injectors 13 and 14 for supplying vaporized PMDA and ODA. Openings are provided in the side surfaces of the injectors 13 and 14, and PMDA and ODA vaporized from the injectors 13 and 14 are supplied from the horizontal direction to the wafer W as indicated by arrows in the drawing.
  • the supplied vaporized PMDA and ODA cause a vapor deposition polymerization reaction on the wafer W and precipitate as polyimide.
  • vaporized PMDA, ODA, and the like that did not contribute to the formation of the polyimide film flow as they are and are discharged out of the chamber 11 through the exhaust port 15.
  • the wafer boat 12 is configured to be rotated by the rotating unit 16 so that the polyimide film is uniformly formed on the wafer W.
  • a heater 17 for heating the wafer W in the chamber 11 to a constant temperature is provided outside the chamber 11.
  • the injectors 13 and 14 are connected to the PMDA vaporizer 21 and the ODA vaporizer 22 via valves 23 and 24, respectively.
  • the injectors 13 and 14 are connected to the PMDA vaporizer 21 and the ODA vaporizer 22, and the injectors.
  • An introduction portion 25 is provided between 13 and 14. Thereby, PMDA and ODA vaporized from the PMDA vaporizer 21 and the ODA vaporizer 22 are supplied from the injectors 13 and 14.
  • the high temperature nitrogen gas is supplied to the PMDA vaporizer 21 as a carrier gas, and the PMDA vaporizer 21 is supplied in a vaporized state by sublimating PMDA. For this reason, the PMDA vaporizer 21 is maintained at a temperature of 260 ° C.
  • high temperature nitrogen gas is supplied as a carrier gas, and the ODA heated to a high temperature and in a liquid state is bubbled with the supplied nitrogen gas, whereby ODA vapor contained in the nitrogen gas is obtained. Supply in a vaporized state. For this reason, the ODA vaporizer 22 is maintained at a temperature of 220 ° C.
  • the vaporized PMDA and ODA are supplied into the injectors 13 and 14 through the valves 23 and 24, and become polyimide on the surface of the wafer W installed in the chamber 11. Note that when the polyimide film is formed, the temperature in the chamber 11 is maintained at 200 ° C.
  • vaporized PMDA and vaporized ODA are ejected laterally from the injectors 13 and 14, vapor deposited on the wafer W, and a polyimide film is formed by a polymerization reaction. .
  • the exhaust from the exhaust port 15 is exhausted by the vacuum pump 50 through the first trap 60 and the second trap 30.
  • a connection valve 70 is provided between the first trap 60 and the second trap 30.
  • Each of the first trap 60, the second trap 30, and the connection valve 70 is provided with a temperature controller (not shown) such as a heater, and the first trap 60, the second trap 30, and the connection.
  • the temperature is controlled by the controller 80 so that each of the valves 70 has a predetermined temperature.
  • the trap apparatus in this Embodiment has the 1st trap 60 and the 2nd trap 30, The structure which provided the connection valve 70 between the 1st trap 60 and the 2nd trap 30 It may be. Furthermore, as shown in FIG. 2, the valve 90 may be provided between the second trap 30 and the vacuum pump 50.
  • FIG. 3 shows the first trap 60.
  • the first trap 60 has a structure in which a plurality of disc-shaped fins 62 are arranged inside a cylindrical casing portion 61.
  • the suction part 63 of the first trap 60 is connected to the exhaust port 15 in the chamber 11, and the exhausted gas (gas) is sucked by exhausting by the vacuum pump 50 through the second trap 30 and the like.
  • the part 63 enters the inside of the first trap 60.
  • the first trap 60 is maintained at 140 to 200 ° C. by the controller 80. Therefore, the plurality of fins 62 installed in the first trap 60 are also maintained at this temperature.
  • the vaporized PMDA and ODA react to form polyimide, so that PMDA and ODA that have flowed into the first trap 60 from the chamber 11 react to form a polyimide film on the surface of the fin 62.
  • PMDA and ODA which are present as gases in the exhaust gas, can be reacted to be excluded from the gas in the exhaust gas as much as possible, and then exhausted from the exhaust port 64.
  • the first trap 60 in the present embodiment is arranged in multiple stages in the casing 61 so that the fins 62 are substantially perpendicular to the exhaust passage.
  • an exhaust passage is formed by the openings of the fins 62 arranged in multiple stages.
  • FIG. 4 shows the surface area of the flow path to be exhausted in the first trap 60, that is, the surface area through which the exhaust gas passes through the first trap 60 and the film formation speed by the gas in the exhaust gas after passing through the flow path. It shows the relationship. As the surface area of the flow path increases, the film formation rate by the gas in the exhaust gas that has passed through the flow path decreases. Therefore, PMDA and ODA in the exhaust gas are further excluded as the surface area of the flow path increases.
  • the casing 61 has a height of 1000 mm and an inner diameter of 310 mm
  • the fin 62 has an outer diameter of 300 mm and an inner diameter of 110 mm.
  • the pitch is 24 mm, and 30 fins 62 are provided.
  • the outer side of the second trap 30 is constituted by a side surface portion 33, an upper surface portion 34, and a bottom surface portion 35.
  • the side surface portion 33 and the upper surface portion 34 are connected via an O-ring (not shown) provided in the groove 36 in the side surface portion 33.
  • the side surface portion 33 and the bottom surface portion 35 are connected via an O-ring (not shown) provided in the groove 37 in the side surface portion 33.
  • the second trap 30 is provided with a suction port 31 on the side surface portion 33 and a discharge port 32 on the bottom surface portion 35.
  • the suction port 31 of the second trap 30 is connected to the discharge port 64 of the first trap 60 via the connection valve 70, and the PMDA in a vaporized state discharged from the discharge port 64 of the first trap 60.
  • the ODA flows into the second trap 30 through the exhaust port 15 and the suction port 31.
  • the discharge port 32 of the second trap 30 is connected to the vacuum pump 50, and an air flow is generated in the second trap 30 by the exhaust by the vacuum pump 50.
  • partition walls 40, 41, and 42 are provided inside the second trap 30, the partition wall 40 is connected to the bottom surface portion 35 of the outer wall of the second trap 30, and the partition wall 41 is connected to the second trap 30.
  • the upper wall 34 of the outer wall of the trap 30 is connected, and the partition wall 42 is connected to the lower wall 35 and the outlet 32 of the outer wall of the second trap 30.
  • the partition wall 41 and the partition wall 42 form a channel 45 serving as a third channel, and the channel 46 serving as a fourth channel is formed inside the partition wall 42.
  • the first flow path 43, the second flow path 44, the third flow path 45, and the fourth flow path 46 are formed concentrically. It is formed so that it goes to the center direction in order. Therefore, the suction port 31 connected to the flow channel 43 flows along the tangential direction of the cylindrical side surface portion 33 so that the airflow easily flows into the flow channel 43 without resistance at the side surface portion 33 of the outer wall of the trap 40. It is formed toward the path 43. Further, the discharge port 32 connected to the flow path 46 is provided in the center portion of the bottom surface portion 35 of the outer wall of the second trap 30.
  • a water cooling pipe 47 is provided as a cooling mechanism in the flow path 44 that is the second flow path, and this water cooling pipe 47 has a function of lowering the temperature of the inflowing airflow.
  • the airflow flows downward in the drawing through the flow path 44 formed by the partition wall 40 and the partition wall 41.
  • the partition wall 41 is connected to the upper surface portion 34 of the outer wall of the second trap 30, and a gap is formed between the partition wall 41 and the inside of the bottom surface portion 35 of the outer wall of the second trap 30.
  • a water-cooled pipe 47 is provided in the flow path 44, and the inflowed PMDA and ODA in an inflow state are cooled and solidified on the surface of the water-cooled pipe 47 and the like.
  • the water cooling pipe 47 has a large surface area for cooling, and can rapidly cool the airflow.
  • the shape of the water-cooled pipe 47 is cylindrical, it is difficult for PMDA and ODA to be solidified by solidification. Therefore, the PMDA and ODA solidified by solidification on the surface of the water-cooled pipe 47 and the like are separated from the surface of the water-cooled pipe 47 and the bottom surface of the outer wall of the second trap 30 is caused by the downward airflow flowing in the flow path 44. It falls and deposits inside the bottom portion 35 between the portions 35, that is, between the partition walls 40 and 42.
  • the airflow flows upward in the drawing in the flow path 45 formed by the partition walls 41 and 42.
  • the partition wall 42 is connected to the bottom surface portion 35 of the outer wall of the second trap 30, and a gap is formed between the partition wall 42 and the inside of the upper surface portion 34 of the outer wall of the second trap 30. This is because the airflow that flows is directed toward this gap.
  • the second trap 30 in the present embodiment is installed so that the downward direction is the same as the direction in which gravity works, and the upward direction is opposite to the downward direction, that is, This is the direction rotated approximately 180 °. Note that the directions may be slightly different as long as the same effects as in the present embodiment can be obtained.
  • the water cooling pipe 47 is installed in the flow path 44, that is, the flow path in which the airflow flows downward.
  • PMDA and ODA solidified on the surface of the water-cooled pipe 47 and the like are easily dropped and deposited inside the bottom surface portion 35 of the outer wall of the second trap 30 by a downward air flow.
  • the solidified PMDA and ODA are deposited inside the bottom surface portion 35 due to the influence of gravity.
  • the deposition on the inside of the bottom surface portion 35 can be promoted.
  • the solidified PMDA and ODA do not adhere to and accumulate on the surface of the water-cooled pipe 47, the same cooling state is always maintained.
  • the velocity of the airflow flowing in the second trap 30 is such that the solidified PMDA and ODA accumulated inside the bottom surface portion are evacuated by the vacuum pump 50 so that the airflow rising in the flow path 45 is not wound up.
  • Speed is set.
  • the arrangement of the partition walls 40, 41, and 42 in the second trap 30 is also designed in consideration of the speed of the airflow. For example, if the interval between the partition wall 41 and the bottom surface portion 35 is narrowed, it is not preferable because the flow of airflow easily lifts PMDA and ODA deposited inside the bottom surface portion.
  • a foreign substance extraction unit (not shown) is provided in a region between the partition wall 40 and the partition wall 42, and the deposited PMDA and ODA It is possible to take out more, and maintenance etc. can be performed easily.
  • water whose temperature and flow rate are adjusted is supplied to the water cooling pipe 47 from the water supply port 48 and drained from the drain port 49.
  • the water-cooled pipe 47 is mirror-finished to prevent adhesion of solidified PMDA and ODA on the surface of the water-cooled pipe 47 and the like. Examples of methods for performing such mirror finishing include electrolytic polishing, chemical polishing, composite polishing, and mechanical polishing.
  • the cooling mechanism has a large surface area for cooling and the solidified PMDA and ODA are easily peeled off. If it is. For this reason, it is preferable that the surface of the cooling mechanism like the water-cooled pipe 47 is convex rather than concave or flat.
  • the second trap 30 is for solidifying and removing PMDA and ODA present in the exhausted gas. Therefore, the entire second trap 30 is controlled by the controller 80 so as to be 120 ° C. or lower.
  • the temperature of the water-cooled pipe 47 and the flow rate of flowing water in the second trap 30 in the present embodiment can be controlled by a control program operating on a computer (not shown).
  • the control program can also be stored in a storage medium that can be read by a computer.
  • connection valve 70 provided between the first trap 60 and the second trap 30
  • the connection valve 70 is for opening and closing between the first trap 60 and the second trap 30, and an opening / closing part 72 is provided in the opening 71. As the part 72 moves, opening and closing through the opening 71 is performed. It is also possible to perform a gas purge 73.
  • the connection valve 70 is preferably set to a temperature as high as 200 ° C. or higher so that PMDA and ODA present in the exhaust gas react to generate polyimide and the generated polyimide does not adhere. However, the temperature is set to 200 to 260 ° C. in consideration of the heat resistance of the connection valve 70 and the like.
  • the heat resistance performance of the connecting valve permits, for example, if the temperature is set to more than 450 ° C., the polyimide is decomposed, so that it is possible to prevent adhesion.
  • a valve having a wide opening 71 is preferable so as not to reduce the conductance.
  • FIG. 9 shows an exhaust path from the chamber 11 to the vacuum pump 50. Specifically, from the chamber 11, the first trap 60, the connection valve 70, and the second trap 30 are connected in this order, and finally connected to the vacuum pump 50.
  • the temperature of the chamber 11 is set to about 200 ° C.
  • the first trap 60 is set to 140 to 200 ° C.
  • the second trap is set to 120 ° C. or less
  • the connection valve 70 is set to 200 to 260 ° C.
  • the temperature setting in the trap device is controlled by the controller 80 so that each temperature is set.
  • the first trap 60 is set to a temperature lower than the temperature of the chamber 11.
  • the connection valve 70 is set to a temperature higher than that of the chamber 11 and the first trap 60.
  • the second trap 30 is set to a temperature at which PMDA and ODA solidify and is lower than the first trap 60.
  • the connection valve 70 exhausts the polyimide while preventing the polyimide from adhering as much as possible. Is allowed to flow through the second trap 30, and PMDA and ODA can be solidified and removed in the second trap 30.
  • polyimide adheres to and is removed from the fins 62 of the first trap 60, and PMDA and ODA solidify on the mirror-finished surface in the second trap 30 and move downward without adhering. Since it falls, it is possible to remove PMDA and ODA in the exhaust gas without affecting the conductance. Further, since each of the first trap 60 and the second trap 30 can be replaced independently, the maintenance cost and the like can be reduced. In particular, since most of PMDA and ODA in the exhaust gas are removed by the first trap 60, the replacement frequency of the second trap 30 can be extremely low.
  • the vacuum pump 50 a roots pump, a screw pump, or the like, which is a dry pump, a rotary pump, a scroll pump, or the like is used. This is because these vacuum pumps have a large displacement and are suitable for film formation while flowing gas. However, these vacuum pumps are particularly prone to failure when polyimide or the like is deposited in the vacuum pump. Therefore, by connecting the trap device in the present embodiment between the chamber 11 and the vacuum pump 50, the vacuum pump can be prevented from malfunctioning even when the above-described vacuum pump is used. Similarly, a vacuum pump failure can be prevented for a film forming apparatus having a structure including this trap apparatus.
  • the present invention relates to a substrate processing apparatus for laminating a material on a substrate such as a wafer.

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Abstract

　基板を処理するためのチャンバーと、前記チャンバー内にガスを導入するためのガス供給部と、前記チャンバー内のガスを排気するための排気部と、前記チャンバーと排気部との間において、前記チャンバーに接続された第１のトラップと、前記第１のトラップと前記排気部との間に設けられた第２のトラップと、を有する基板処理装置において、前記第１のトラップは、前記ガスに含まれる未反応成分が反応してポリマーを形成する第１の温度に設定し、前記第２のトラップは、前記ガスに含まれる未反応成分がモノマーとして析出する第２の温度に設定するための温度制御部が設けられていることを特徴とする基板処理装置を提供することにより上記課題を解決する。

Description

基板処理装置、トラップ装置、基板処理装置の制御方法及びトラップ装置の制御方法
　本発明は、基板処理装置、トラップ装置、基板処理装置の制御方法及びトラップ装置の制御方法に関する。
　半導体デバイスに用いられる絶縁材料の１つとして、ポリイミドが挙げられる。ポリイミドは密着性が高く、リーク電流も低いことから、層間絶縁膜やパッシベーション膜などに用いられている。
　このようなポリイミド膜を成膜する方法の一つとして、原料モノマーとして、ＰＭＤＡ（無水ピロメリト酸）とＯＤＡ（４，４'－オキシジアニリン）を用いた蒸着重合（Vapor Deposition Polymerization）による成膜方法が知られている。
　この蒸着重合は、反応性の高いモノマーであるＰＭＤＡ及びＯＤＡを気化させて、チャンバー内に設置した基板表面に蒸着し、基板表面で重合・脱水させてポリマーとしてのポリイミドを得る方式である。
　蒸着重合方式による成膜処理を行う基板処理装置においては、基板上での蒸着重合に寄与することのなかった原料モノマーが、処理装置のチャンバー内を排気するための真空ポンプ内に析出することによって悪影響を与えることが知られており、水冷コイルを備えたモノマートラップを有する真空重合装置が提案されている（例えば、特許文献１）。
　一方、原料にポリマーの気化物質を使用しない、通常の真空成膜装置では、排気中の未反応成分が真空ポンプに異物として混入しないように、チャンバーと真空ポンプの間に除去装置を有しており、このような除去装置の一種として、除去装置内で未反応成分を反応させて、内壁に付着させる事で除去するものが知られている（例えば、特許文献２）。
特開平５－１３２７５９号公報 特開２０００－０７０６６４号公報
　本発明は、ＰＭＤＡやＯＤＡ等の付着力の低いモノマーの除去に適した基板処理装置、トラップ装置、基板処理装置の制御方法及びトラップ装置の制御方法を提供するものである。
　本発明は、基板を処理するためのチャンバーと、前記チャンバー内にガスを導入するためのガス供給部と、前記チャンバー内のガスを排気するための排気部と、前記チャンバーと排気部との間において、前記チャンバーに接続された第１のトラップと、前記第１のトラップと前記排気部との間に設けられた第２のトラップと、を有する基板処理装置において、前記第１のトラップは、前記ガスに含まれる未反応成分が反応してポリマーを形成する第１の温度に設定し、前記第２のトラップは、前記ガスに含まれる未反応成分がモノマーとして析出する第２の温度に設定するための温度制御部が設けられていることを特徴とする。
　また、本発明は、前記第１のトラップと前記第２のトラップとの間には接続バルブが設けられており、前記温度制御部により、前記接続バルブは、前記第１の温度よりも高い第３の温度に設定されているものであることを特徴とする。
　また、本発明は、前記第１の温度は１４０～２００℃に設定され、前記第２の温度は１２０℃以下に設定され、前記第３の温度は２００℃以上に設定されていることを特徴とする。
　また、本発明は、前記ガスは、少なくともＰＭＤＡまたはＯＤＡのいずれかを含むことを特徴とする。
　また、本発明は、前記第２のトラップは、前記ガスが接触する表面が鏡面加工されていることを特徴とする。
　また、本発明は、前記第２のトラップは、前記ガスが接触する表面がフッ素樹脂によってコーティングされていることを特徴とする。
　また、本発明は、前記第２のトラップは、前記ガスが接触する表面がガラスによってコーティングされていることを特徴とする。
　また、本発明は、ガスを導入するためのガス供給部を有する基板を処理するためのチャンバーと、前記チャンバー内のガスを排気するための排気部との間に設けられたトラップ装置であって、前記チャンバーに接続された第１のトラップと、前記第１のトラップと前記排気部との間に設けられた第２のトラップと、を有し、前記第１のトラップは、前記ガスに含まれる未反応成分が反応してポリマーを形成する第１の温度に設定し、前記第２のトラップは、前記ガスに含まれる未反応成分がモノマーとして析出する第２の温度に設定するための温度制御部が設けられていることを特徴とする。
　また、本発明は、ガスを導入するためのガス供給部を有する基板を処理するためのチャンバーと、前記チャンバー内のガスを排気するための排気部との間に設けられたトラップ装置の制御方法であって、前記チャンバーに接続された第１のトラップを前記ガスに含まれる未反応成分が反応してポリマーを形成する第１の温度に設定し、前記第１のトラップと前記排気部との間に設けられた第２のトラップを前記ガスに含まれる未反応成分がモノマーとして析出する第２の温度に設定することを特徴とする。
　また、本発明は、ガスを導入するためのガス供給部を有する基板を処理するためのチャンバーと、前記チャンバー内のガスを排気するための排気部との間に設けられたトラップ装置の制御方法であって、前記チャンバーに接続された第１のトラップを前記ガスに含まれる未反応成分が反応してポリマーを形成する第１の温度に設定し、前記第１のトラップと前記排気部との間に設けられた第２のトラップを前記ガスに含まれる未反応成分がモノマーとして析出する第２の温度に設定することを特徴とする。
　本発明によれば、気化したＰＭＤＡやＯＤＡ等を用いる基板処理装置及びトラップにおいて、原料モノマーを効果的に除去することができる。
本実施の形態における成膜装置の構成図 本実施の形態におけるトラップ装置の構成図 第１のトラップの構造図 第１のトラップ内の表面積と成膜速度との相関図 第２のトラップの構造図 第２のトラップの斜視図 第２のトラップの冷却機構の斜視図 接続バルブの構造図 チャンバーから真空ポンプまでの装置配置の概念図
　以下、本発明の一実施の形態について、詳細に説明する。
　本実施の形態は、原料モノマーとしてＰＭＤＡとＯＤＡを用いて、蒸着重合によりポリイミドを得る成膜装置である。
　（成膜装置）
　図１及び図２に基づき、本実施の形態におけるトラップ装置及び成膜装置について説明する。尚、図１は、本実施の形態における成膜装置を示すものであり、図２は、本実施の形態におけるトラップ装置を示すものである。
　本実施の形態における成膜装置は、真空ポンプ５０により排気が可能なチャンバー１１内にポリイミド膜が成膜されるウエハＷを複数設置することが可能なウエハボート１２を有している。また、チャンバー１１内には、気化したＰＭＤＡ及びＯＤＡを供給するためのインジェクター１３及び１４を有している。このインジェクター１３及び１４の側面には開口部が設けられており、インジェクター１３及び１４より気化したＰＭＤＡ及びＯＤＡが図面において矢印で示すようにウエハＷに対して水平方向から供給される。供給された気化したＰＭＤＡ及びＯＤＡは、ウエハＷ上で蒸着重合反応を起こし、ポリイミドとなって析出する。尚、ポリイミド膜の成膜に寄与しなかった気化したＰＭＤＡ及びＯＤＡ等は、そのまま流れ、排気口１５よりチャンバー１１の外に排出される。また、ウエハＷ上に均一にポリイミド膜が成膜されるようにウエハボート１２は、回転部１６により回転するように構成されている。更に、チャンバー１１の外部には、チャンバー１１内のウエハＷを一定の温度に加熱するためのヒーター１７が設けられている。
　また、インジェクター１３及び１４は、ＰＭＤＡ気化器２１及びＯＤＡ気化器２２がバルブ２３及び２４を介しそれぞれ接続されており、ＰＭＤＡ気化器２１及びＯＤＡ気化器２２と接続されているバルブ２３及び２４とインジェクター１３及び１４との間には導入部２５が設けられている。これにより、ＰＭＤＡ気化器２１及びＯＤＡ気化器２２より気化したＰＭＤＡ及びＯＤＡがインジェクター１３及び１４より供給される。
　ＰＭＤＡ気化器２１には高温の窒素ガスをキャリアガスとして供給し、ＰＭＤＡ気化器２１においてＰＭＤＡを昇華させることにより気化した状態で供給する。このため、ＰＭＤＡ気化器２１は、２６０℃の温度に保たれている。また、ＯＤＡ気化器２２では、高温の窒素ガスをキャリアガスとして供給し、高温に加熱され液体状態となったＯＤＡを供給された窒素ガスによりバブリングすることにより、窒素ガスに含まれるＯＤＡの蒸気とし、気化した状態で供給する。このため、ＯＤＡ気化器２２は２２０℃の温度に保たれている。この後、気化したＰＭＤＡ及びＯＤＡは、バルブ２３及び２４を介してインジェクター１３及び１４内に供給され、チャンバー１１内に設置されたウエハＷの表面上で、ポリイミドとなる。尚、ポリイミドを成膜する際には、チャンバー１１内の温度は２００℃に保たれている。
　従って、本実施の形態における成膜装置では、インジェクター１３及び１４より横方向に、気化したＰＭＤＡと気化したＯＤＡとが噴出し、ウエハＷ上に蒸着し、重合反応によりポリイミド膜が成膜される。
　また、排気口１５からの排気は、第１のトラップ６０及び第２のトラップ３０を介し、真空ポンプ５０により排気される。尚、第１のトラップ６０と第２のトラップ３０との間には接続バルブ７０が設けられている。
　また、第１のトラップ６０、第２のトラップ３０及び接続バルブ７０の各々には、ヒーター等の不図示の温度調節機が設けられており、第１のトラップ６０、第２のトラップ３０及び接続バルブ７０の各々が所定の温度となるように、コントローラ８０により温度が制御される。
　尚、本実施の形態におけるトラップ装置は、第１のトラップ６０、第２のトラップ３０を有するものであり、第１のトラップ６０と第２のトラップ３０との間に接続バルブ７０を設けた構成であってもよい。更には、図２に記載されているように、第２のトラップ３０と真空ポンプ５０との間にバルブ９０を設けた構成であってもよい。
　（第１のトラップ）
　次に、第１のトラップ６０について説明する。図３に第１のトラップ６０を示す。第１のトラップ６０は、円筒状の筐体部６１の内部に複数の円盤状のフィン６２を配置した構造のものである。第１のトラップ６０の吸入部６３は、チャンバー１１における排気口１５と接続されており、第２のトラップ３０等を介し、真空ポンプ５０により排気することにより、排気される気体（ガス）が吸入部６３より第１のトラップ６０の内部に入り込む。第１のトラップ６０は、コントローラ８０により、１４０～２００℃に保たれており、よって、第１のトラップ６０の内部に設置された複数のフィン６２も、この温度に保たれている。この温度では気化したＰＭＤＡとＯＤＡが反応しポリイミドが形成されるため、チャンバー１１から第１のトラップ６０の内部に流れ込んだＰＭＤＡとＯＤＡとが反応し、フィン６２の表面にポリイミド膜を形成する。このようにして、排気中の気体として存在するＰＭＤＡとＯＤＡとを反応させて、できるだけ排気中の気体より排除することができ、この後、排出口６４より排気される。
　尚、本実施の形態における第１のトラップ６０は、筐体部６１内において、フィン６２は排気流路に対して略垂直となるよう多段に配置されている。言い換えれば、多段に配置されたフィン６２の開口部により排気流路が形成される。このようなフィン６２を多段に配置することにより。効率的に排気中のＰＭＤＡとＯＤＡとを反応させフィン６２にポリイミド膜として成膜し除去することができ、排気中の気体として存在するＰＭＤＡとＯＤＡとを効率的に排除することができる。
　図４は、第１のトラップ６０における排気される流路の表面積、即ち、第１のトラップ６０において排気が通過する表面積と、流路を通過した後の排気中の気体による成膜速度との関係を示すものである。流路の表面積が増えるほど、流路を通過した排気中の気体による成膜速度は低くなる。よって、流路の表面積が増えるほど、排気中のＰＭＤＡとＯＤＡはより一層排除される。
　例えば、本実施の形態における第１のトラップ６０は、筐体部６１の高さが１０００ｍｍ、内径が３１０ｍｍであって、フィン６２は、外径が３００ｍｍ、内径が１１０ｍｍであり、フィン６２の設置されるピッチは２４ｍｍで、フィン６２を３０段設けた構成のものである。
　（第２のトラップ）
　次に、図５、図６及び図７に基づき本実施の形態における第２のトラップ３０について説明する。本実施の形態における第２のトラップ３０の外側は、側面部３３、上面部３４、底面部３５により外壁が構成されている。側面部３３と上面部３４とは、側面部３３における溝３６に設けられた不図示のＯリングを介し接続されている。また、側面部３３と底面部３５とは、側面部３３における溝３７に設けられた不図示のＯリングを介し接続されている。また、第２のトラップ３０には、側面部３３に吸入口３１と、底面部３５に排出口３２とが設けられている。第２のトラップ３０の吸入口３１は、接続バルブ７０を介して第１のトラップ６０の排出口６４と接続されており、第１のトラップ６０の排出口６４より排出された気化した状態のＰＭＤＡ及びＯＤＡは、排気口１５及び吸入口３１を介し第２のトラップ３０に流れこむ。また、第２のトラップ３０の排出口３２は真空ポンプ５０に接続されており、真空ポンプ５０による排気により第２のトラップ３０内に気流が生じる。
　また、第２のトラップ３０の内側には、隔壁４０、４１及び４２が設けられており、隔壁４０は第２のトラップ３０の外壁の底面部３５と接続されており、隔壁４１は第２のトラップ３０の外壁の上面部３４と接続されており、隔壁４２は第２のトラップ３０の外壁の底面部３５及び排出口３２に接続されている。これにより、トラップの外壁の側面部３３の内側と隔壁４０により第１の流路となる流路４３が形成され、隔壁４０と隔壁４１により第２の流路となる流路４４が形成され、隔壁４１と隔壁４２により第３の流路となる流路４５が形成され、隔壁４２の内部に第４の流路となる流路４６が形成されている。尚、第１の流路である流路４３、第２の流路である流路４４、第３の流路である流路４５、第４の流路である流路４６は同心円状に形成されており、順に中心方向に向かうように形成されている。よって、流路４３に接続されている吸入口３１は、トラップ４０の外壁の側面部３３において気流が流路４３に抵抗なく流れ込みやすいように、筒状の側面部３３の接線方向に沿うよう流路４３に向けて形成されている。また、流路４６と接続されている排出口３２は、第２のトラップ３０の外壁の底面部３５の中央部分に設けられている。
　更に、第２の流路である流路４４には、冷却機構として水冷パイプ４７が設けられており、この水冷パイプ４７は、流入した気流の温度を低下させる機能を有している。
　吸入口３１より第２のトラップ３０に流入した気化した状態のＰＭＤＡ及びＯＤＡを含む気流は、第２のトラップ３０の外壁の側面部３３の内側と隔壁４０により形成される流路４３では、図面上において上方向に流れる。これは隔壁４０が第２のトラップ３０の外壁の底面部３５と接続されており、隔壁４０と第２のトラップ３０の外壁の上面部３４の内側との間に隙間が形成されるため、流入した気流がこの隙間に向かって流れるためである。
　この後、気流は隔壁４０と隔壁４１により形成された流路４４を図面上において下方向に流れる。これは隔壁４１が第２のトラップ３０の外壁の上面部３４と接続されており、隔壁４１と第２のトラップ３０の外壁の底面部３５の内側との間に隙間が形成されるため、流入した気流がこの隙間に向かって流れるためである。また、流路４４には水冷パイプ４７が設けられており、流入した気化した状態のＰＭＤＡ及びＯＤＡは冷却され、水冷パイプ４７の表面等において凝固する。本実施の形態では、水冷パイプ４７は、冷却するための表面積が大きく形成されており、急速に気流を冷却することが可能である。また、水冷パイプ４７の形状は筒状であることから、ＰＭＤＡ及びＯＤＡが凝固し固体状態となったものが付着しにくい。よって、水冷パイプ４７の表面等において凝固し固体状態となったＰＭＤＡ及びＯＤＡは、水冷パイプ４７の表面より剥離し、流路４４に流れる下方向の気流により、第２のトラップ３０の外壁の底面部３５、即ち、隔壁４０と隔壁４２との間における底面部３５の内側に落下し堆積する。
　この後、気流は隔壁４１と隔壁４２により形成された流路４５では、図面上において上方向に向けて流れる。これは隔壁４２が第２のトラップ３０の外壁の底面部３５と接続されており、隔壁４２と第２のトラップ３０の外壁の上面部３４の内側との間に隙間が形成されるため、流入した気流がこの隙間に向かって流れるためである。
　この後、気流は隔壁４２の内部に形成された流路４６において、図面上において下方向に向けて流れる。流路４６は排出口３２を介し真空ポンプ５０と接続されており、気流は排出口３２に向かって流れる。尚、本実施の形態における第２のトラップ３０は、下方向が重力の働く方向と同じ方向となるよう設置されており、また、上方向とは、下方向に対して、反対方向、即ち、略１８０°回転した方向である。尚、本実施の形態と同様の効果を得ることができるのであれば、方向は若干異なっていてもよい。
　本実施の形態における第２のトラップ３０では、水冷パイプ４７は流路４４、即ち、気流が下方向に流れる流路に設置される。これは、水冷パイプ４７の表面等において凝固したＰＭＤＡ及びＯＤＡを下方向の気流により、第２のトラップ３０の外壁の底面部３５の内側に落下させ堆積させやすくするためである。上述のとおり重力の影響により、凝固したＰＭＤＡ及びＯＤＡは、底面部３５の内側に堆積するが、流路４４において、下方向に流れる気流により、水冷パイプ４７の表面で凝固したＰＭＤＡ及びＯＤＡの剥離を促進させ、更には、底面部３５の内側への堆積を促進させることができる。このように水冷パイプ４７の表面には凝固したＰＭＤＡ及びＯＤＡが付着し堆積することはないため、常に同一の冷却状態が保たれる。
　尚、第２のトラップ３０内を流れる気流の速度は、底面部の内側に堆積している凝固したＰＭＤＡ及びＯＤＡが、流路４５において上昇する気流に巻き上げられないように、真空ポンプ５０の排気速度が設定される。また、第２のトラップ３０内の隔壁４０、４１及び４２の配置も気流の速度を考慮して設計されている。例えば、隔壁４１と底面部３５との間隔を狭くすると、気流の流れが底面部の内側に堆積しているＰＭＤＡ及びＯＤＡを巻き上げやすくなるので、好ましくない。
　また、第２のトラップ３０の外壁の底面部３５において、隔壁４０と隔壁４２の間の領域には、不図示の異物取り出し部が設けられており、堆積したＰＭＤＡ及びＯＤＡは、この異物取り出し部より取り出すことが可能であり、メンテナンス等を容易に行うことができる。
　また、水冷パイプ４７には温度及び流量の調節された水が給水口４８より供給され排水口４９より排水される。この水冷パイプ４７は、水冷パイプ４７の表面等において凝固したＰＭＤＡ及びＯＤＡの付着をより防ぐため、鏡面加工がなされている。このような鏡面加工を行う方法としては、電解研磨、化学研磨、複合研磨、機械研磨等が挙げられる。
　更に、水冷パイプ４７の表面にできるだけＰＭＤＡ及びＯＤＡが付着しないようなコーティングを行うことも可能である。例えば、水冷パイプ４７の表面にフッ素樹脂やガラス等をコーティングする方法が挙げられる。また、ＰＭＤＡ及びＯＤＡが付着しにくいような材料によるメッキ等を行ってもよい。
　また、水冷パイプ４７を振動させる不図示の振動機構を設け、振動させることにより凝固したＰＭＤＡ及びＯＤＡの剥離を促すことも可能である。
　本実施の形態における説明では、冷却機構として水冷パイプ４７を用いた場合について、詳細に説明したが、この冷却機構としては、冷却するための表面積が大きく、凝固したＰＭＤＡ及びＯＤＡが剥離しやすい構成であればよい。このため、水冷パイプ４７のように冷却機構の表面は、凹状や平面上であるよりも凸状になっていることが好ましい。
　本実施の形態では、第２のトラップ３０は、排気される気体中に存在するＰＭＤＡ及びＯＤＡを凝固させて排除するためのものである。よって、第２のトラップ３０の全体は、１２０℃以下となるようにコントローラ８０により制御されている。
　尚、本実施の形態における第２のトラップ３０における水冷パイプ４７の温度や流れる水の流量等については、不図示のコンピュータで動作する制御プログラムにより制御することも可能である。また、この制御プログラムは、コンピュータにより読み取ることが可能な記憶媒体に記憶させておくことも可能である。
　（バルブ）
　次に、第１のトラップ６０と第２のトラップ３０との間に設けられる接続バルブ７０について説明する。図８に示すように、接続バルブ７０は、第１のトラップ６０と第２のトラップ３０との間の開閉を行うためのものであり、開口部７１に開閉部７２が設けられており、開閉部７２が移動することにより、開口部７１を介した開閉が行われる。また、ガスパージ７３を行うことも可能である。
 
　尚、接続バルブ７０には、排気中に存在するＰＭＤＡとＯＤＡとが反応しポリイミドが生成され、生成されたポリイミドが付着しないように、２００℃以上のできるだけ高い温度に設定されていることが好ましいが、接続バルブ７０の耐熱性等を考慮して２００～２６０℃の温度に設定されている。接続バルブの耐熱性能が許容するのであれば、例えば４５０℃を超える温度に設定すると、ポリイミドは分解するので、付着を防ぐことが可能になる。また、コンダクタンスを低下させないよう開口部７１が広い形状のバルブが好ましい。
　（温度設定）
　次に、第１のトラップ６０、第２のトラップ３０、接続バルブ７０、チャンバー１１の温度の関係について説明する。図９は、チャンバー１１から真空ポンプ５０までの排気経路を示すものである。具体的には、チャンバー１１から、第１のトラップ６０、接続バルブ７０、第２のトラップ３０の順に接続され、最後に真空ポンプ５０に接続されている。本実施の形態では、前述したように、チャンバー１１の温度は約２００℃、第１のトラップ６０は１４０～２００℃、第２のトラップは１２０℃以下、接続バルブ７０は２００～２６０℃に設定されている。尚、トラップ装置における温度設定は、コントローラ８０により制御することにより、各々の温度設定が行われる。
　具体的には、第１のトラップ６０は、チャンバー１１の温度よりも低い温度に設定されている。また、接続バルブ７０は、チャンバー１１及び第１のトラップ６０よりも高い温度に設定されている。また、第２のトラップ３０は、ＰＭＤＡ及びＯＤＡが凝固する温度であって、第１のトラップ６０よりも低い温度に設定されている。
　このような温度設定を行うことにより、第１のトラップ６０においては、ＰＭＤＡとＯＤＡとが反応して生成されるポリイミドが除去され、接続バルブ７０では、ポリイミドの付着をできるだけ防いだ状態で、排気を第２のトラップ３０に流し、第２のトラップ３０において、ＰＭＤＡ及びＯＤＡを凝固させて除去することができる。
　よって、本実施の形態では、ポリイミドは第１のトラップ６０のフィン６２に付着し除去され、ＰＭＤＡ及びＯＤＡは第２のトラップ３０において鏡面処理されている表面において凝固し、付着することなく下方に落下するため、コンダクタンスに影響を与えることなく、排気中におけるＰＭＤＡ及びＯＤＡを除去することが可能である。また、第１のトラップ６０及び第２のトラップ３０の各々を独立して交換することが可能であるためメンテナンスコスト等を低くすることができる。特に、第１のトラップ６０により排気中のＰＭＤＡ及びＯＤＡの大部分が除去されるため、第２のトラップ３０の交換頻度は、極めて低くすることができる。
　尚、本実施の形態における成膜装置では、真空ポンプ５０としては、ドライポンプであるルーツポンプ、スクリューポンプ等、また、ロータリーポンプ、スクロールポンプ等が用いられている。これらの真空ポンプは、排気量が大きくガスを流しながらの成膜に適しているからである。しかしながら、これらの真空ポンプは、真空ポンプ内に、ポリイミド等が析出した場合には、特に故障の原因となりやすい。よって、本実施の形態におけるトラップ装置をチャンバー１１と真空ポンプ５０との間に接続することにより、上述した真空ポンプを用いた場合においても真空ポンプの故障を防ぐことができる。同様に、このトラップ装置を含んだ構造の成膜装置についても真空ポンプの故障を防ぐことができる。
　以上、本発明の実施に係る形態について説明したが、上記内容は、発明の内容を限定するものではない。
　また、本国際出願は、２００９年３月１３日に出願した日本国特許出願第２００９－０６１５８８号に基づく優先権を主張するものであり、日本国特許出願第２００９－０６１５８８号の全内容を本国際出願に援用する。
本発明は、ウエハなどの基板上に材料を積層する基板処理装置に関する。
１１　　チャンバー
１２　　ウエハボート
１３　　インジェクター
１４　　インジェクター
１５　　排気口
１６　　回転部
１７　　ヒーター
２１　　ＰＭＤＡ気化器
２２　　ＯＤＡ気化器
２３　　バルブ
２４　　バルブ
２５　　導入部
３０　　第２のトラップ
３１　　吸入口
３２　　排出口
３３　　側面部
３４　　上面部
３５　　底面部
３６、３７　　溝
４０、４１、４２　　隔壁
４３、４４、４５、４６　　流路
４７　　水冷パイプ
４８　　給水口
４９　　排水口
５０　　真空ポンプ
６０　　第１のトラップ
７０　　接続バルブ
８０　　コントローラ
Ｗ　　　ウエハ
 

Claims (18)

  1. 　基板を処理するためのチャンバーと、
    　前記チャンバー内にガスを導入するためのガス供給部と、
    　前記チャンバー内のガスを排気するための排気部と、
    　前記チャンバーと排気部との間において、前記チャンバーに接続された第１のトラップと、
    　前記第１のトラップと前記排気部との間に設けられた第２のトラップと、
    　を有する基板処理装置において、
    　前記第１のトラップは、前記ガスに含まれる未反応成分が反応してポリマーを形成する第１の温度に設定し、前記第２のトラップは、前記ガスに含まれる未反応成分がモノマーとして析出する第２の温度に設定するための温度制御部が設けられていることを特徴とする基板処理装置。
  2. 　前記第１のトラップと前記第２のトラップとの間には接続バルブが設けられており、
    　前記温度制御部により、前記接続バルブは、前記第１の温度よりも高い第３の温度に設定されているものであることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 　前記第１の温度は１４０～２００℃に設定され、前記第２の温度は１２０℃以下に設定され、前記第３の温度は２００℃以上に設定されていることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 　前記ガスは、少なくともＰＭＤＡまたはＯＤＡのいずれかを含むことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置。
  5. 　前記第２のトラップは、前記ガスが接触する表面が鏡面加工されていることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の基板処理装置。
  6. 　前記第２のトラップは、前記ガスが接触する表面がフッ素樹脂によってコーティングされていることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の基板処理装置。
  7. 　前記第２のトラップは、前記ガスが接触する表面がガラスによってコーティングされていることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の基板処理装置。
  8. 　ガスを導入するためのガス供給部を有する基板を処理するためのチャンバーと、前記チャンバー内のガスを排気するための排気部との間に設けられたトラップ装置であって、
    　前記チャンバーに接続された第１のトラップと、
    　前記第１のトラップと前記排気部との間に設けられた第２のトラップと、
    　を有し、前記第１のトラップは、前記ガスに含まれる未反応成分が反応してポリマーを形成する第１の温度に設定し、前記第２のトラップは、前記ガスに含まれる未反応成分がモノマーとして析出する第２の温度に設定するための温度制御部が設けられていることを特徴とするトラップ装置。
  9. 　前記第１のトラップと前記第２のトラップとの間には接続バルブが設けられており、
    　前記温度制御部により、前記接続バルブは、前記第１の温度よりも高い第３の温度に設定されているものであることを特徴とする請求項８に記載のトラップ装置。
  10. 　前記第１の温度は１４０～２００℃に設定され、前記第２の温度は１２０℃以下に設定され、前記第３の温度は２００℃以上に設定されていることを特徴とする請求項９に記載のトラップ装置。
  11. 　前記ガスは、少なくともＰＭＤＡまたはＯＤＡのいずれかを含むことを特徴とする請求項８から１０のいずれかに記載のトラップ装置。
  12. 　前記第２のトラップは、前記ガスが接触する表面が鏡面加工されていることを特徴とする請求項８から１１のいずれかに記載のトラップ装置。
  13. 　前記第２のトラップは、前記ガスが接触する表面がフッ素樹脂によってコーティングされていることを特徴とする請求項８から１１のいずれかに記載のトラップ装置。
  14. 　前記第２のトラップは、前記ガスが接触する表面がガラスによってコーティングされていることを特徴とする請求項８から１１のいずれかに記載のトラップ装置。
  15. 　ガスを導入するためのガス供給部を有する基板を処理するためのチャンバーと、前記チャンバー内のガスを排気するための排気部との間に設けられたトラップ装置の制御方法であって、
    　前記チャンバーに接続された第１のトラップを前記ガスに含まれる未反応成分が反応してポリマーを形成する第１の温度に設定し、
    　前記第１のトラップと前記排気部との間に設けられた第２のトラップを前記ガスに含まれる未反応成分がモノマーとして析出する第２の温度に設定することを特徴とする基板処理装置の制御方法。
  16. 　前記第１のトラップと前記第２のトラップとの間には接続バルブが設けられており、
    　前記接続バルブは、前記第１の温度よりも高い第３の温度に設定されていることを特徴とする請求項１５に記載の基板処理装置の制御方法。
  17. 　ガスを導入するためのガス供給部を有する基板を処理するためのチャンバーと、前記チャンバー内のガスを排気するための排気部との間に設けられたトラップ装置の制御方法であって、
    　前記チャンバーに接続された第１のトラップを前記ガスに含まれる未反応成分が反応してポリマーを形成する第１の温度に設定し、
    　前記第１のトラップと前記排気部との間に設けられた第２のトラップを前記ガスに含まれる未反応成分がモノマーとして析出する第２の温度に設定することを特徴とするトラップ装置の制御方法。
  18. 　前記第１のトラップと前記第２のトラップとの間には接続バルブが設けられており、
    　前記接続バルブは、前記第１の温度よりも高い第３の温度に設定されていることを特徴とする請求項１７に記載のトラップ装置の制御方法。
     
     
     
     
     
     
     
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KR1020107016797A KR101132605B1 (ko) 2009-03-13 2010-03-01 기판 처리 장치, 트랩 장치, 기판 처리 장치의 제어 방법 및 트랩 장치의 제어 방법

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012160614A (ja) * 2011-02-01 2012-08-23 Tokyo Electron Ltd 成膜装置
JP2020038947A (ja) * 2018-09-06 2020-03-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5874469B2 (ja) * 2012-03-19 2016-03-02 東京エレクトロン株式会社 トラップ装置及び成膜装置
JP6111171B2 (ja) * 2013-09-02 2017-04-05 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
WO2015188354A1 (zh) * 2014-06-12 2015-12-17 深圳市大富精工有限公司 一种真空镀膜设备以及真空镀膜的方法
CN106661725B (zh) * 2014-06-12 2019-05-21 深圳市大富精工有限公司 一种真空镀膜设备

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05158053A (ja) * 1991-12-05 1993-06-25 Sharp Corp 液晶表示装置の製造方法
JP2000070664A (ja) * 1998-06-18 2000-03-07 Kokusai Electric Co Ltd 加熱型トラップ装置および成膜装置
JP2000100803A (ja) * 1998-09-21 2000-04-07 Nec Corp 高分子膜の製造装置とこの装置を用いた成膜方法
JP2002270595A (ja) * 2001-03-09 2002-09-20 Toshiba Corp 減圧化学気相成長装置
JP2007217468A (ja) * 2006-02-14 2007-08-30 Sharp Corp 重合体膜製造装置およびポリパラキシリレン膜の製造方法

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6332925B1 (en) * 1996-05-23 2001-12-25 Ebara Corporation Evacuation system
JP3651140B2 (ja) * 1996-09-18 2005-05-25 ソニー株式会社 トラップシステム及びこれを用いた半導体成長装置
US6156107A (en) * 1996-11-13 2000-12-05 Tokyo Electron Limited Trap apparatus
US6149729A (en) * 1997-05-22 2000-11-21 Tokyo Electron Limited Film forming apparatus and method
JP3567070B2 (ja) * 1997-12-27 2004-09-15 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
US20030101938A1 (en) * 1998-10-27 2003-06-05 Applied Materials, Inc. Apparatus for the deposition of high dielectric constant films
US6383300B1 (en) * 1998-11-27 2002-05-07 Tokyo Electron Ltd. Heat treatment apparatus and cleaning method of the same
JP2000174007A (ja) * 1998-12-07 2000-06-23 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置
US6238514B1 (en) * 1999-02-18 2001-05-29 Mks Instruments, Inc. Apparatus and method for removing condensable aluminum vapor from aluminum etch effluent
JP2000256856A (ja) * 1999-03-11 2000-09-19 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び処理装置用真空排気システム及び減圧ｃｖｄ装置及び減圧ｃｖｄ装置用真空排気システム及びトラップ装置
US6206971B1 (en) * 1999-03-29 2001-03-27 Applied Materials, Inc. Integrated temperature controlled exhaust and cold trap assembly
JP2001015498A (ja) * 1999-06-28 2001-01-19 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置
US6773687B1 (en) * 1999-11-24 2004-08-10 Tokyo Electron Limited Exhaust apparatus for process apparatus and method of removing impurity gas
US6998097B1 (en) * 2000-06-07 2006-02-14 Tegal Corporation High pressure chemical vapor trapping system
US6844273B2 (en) * 2001-02-07 2005-01-18 Tokyo Electron Limited Precleaning method of precleaning a silicon nitride film forming system
SG138468A1 (en) * 2001-02-28 2008-01-28 Semiconductor Energy Lab A method of manufacturing a semiconductor device
JP4906018B2 (ja) * 2001-03-12 2012-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法、発光装置の作製方法及び成膜装置
US6844523B2 (en) * 2001-09-07 2005-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser apparatus, laser irradiation method, manufacturing method for a semiconductor device, semiconductor device and electronic equipment
US6916398B2 (en) * 2001-10-26 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition
US7780785B2 (en) * 2001-10-26 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus for atomic layer deposition
TW200508413A (en) * 2003-08-06 2005-03-01 Ulvac Inc Device and method for manufacturing thin films
US20050109276A1 (en) * 2003-11-25 2005-05-26 Applied Materials, Inc. Thermal chemical vapor deposition of silicon nitride using BTBAS bis(tertiary-butylamino silane) in a single wafer chamber
JP4642379B2 (ja) * 2004-05-12 2011-03-02 東京エレクトロン株式会社 排気捕集装置
CN101115860B (zh) * 2005-03-24 2011-08-24 株式会社爱发科 真空部件的制造方法、树脂被膜形成装置及真空成膜系统
JP5036354B2 (ja) * 2006-04-04 2012-09-26 東京エレクトロン株式会社 成膜装置の排気系構造、成膜装置、および排ガスの処理方法
US7638106B2 (en) * 2006-04-21 2009-12-29 Edwards Limited Method of treating a gas stream
JP5254279B2 (ja) * 2010-06-29 2013-08-07 東京エレクトロン株式会社 トラップ装置及び基板処理装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05158053A (ja) * 1991-12-05 1993-06-25 Sharp Corp 液晶表示装置の製造方法
JP2000070664A (ja) * 1998-06-18 2000-03-07 Kokusai Electric Co Ltd 加熱型トラップ装置および成膜装置
JP2000100803A (ja) * 1998-09-21 2000-04-07 Nec Corp 高分子膜の製造装置とこの装置を用いた成膜方法
JP2002270595A (ja) * 2001-03-09 2002-09-20 Toshiba Corp 減圧化学気相成長装置
JP2007217468A (ja) * 2006-02-14 2007-08-30 Sharp Corp 重合体膜製造装置およびポリパラキシリレン膜の製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012160614A (ja) * 2011-02-01 2012-08-23 Tokyo Electron Ltd 成膜装置
JP2020038947A (ja) * 2018-09-06 2020-03-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR20200028306A (ko) 2018-09-06 2020-03-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치
US11081321B2 (en) 2018-09-06 2021-08-03 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
JP7080140B2 (ja) 2018-09-06 2022-06-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

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TW201104007A (en) 2011-02-01
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