JP2000256856A - 処理装置及び処理装置用真空排気システム及び減圧ｃｖｄ装置及び減圧ｃｖｄ装置用真空排気システム及びトラップ装置 - Google Patents

処理装置及び処理装置用真空排気システム及び減圧ｃｖｄ装置及び減圧ｃｖｄ装置用真空排気システム及びトラップ装置

Info

Publication number
JP2000256856A
JP2000256856A JP11064633A JP6463399A JP2000256856A JP 2000256856 A JP2000256856 A JP 2000256856A JP 11064633 A JP11064633 A JP 11064633A JP 6463399 A JP6463399 A JP 6463399A JP 2000256856 A JP2000256856 A JP 2000256856A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
trap
gas
reaction
chemical solution
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11064633A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideaki Yamazaki
英亮 山崎
Yumiko Kouno
有美子 河野
Kenichi Kubo
謙一 久保
Susumu Arima
進 有馬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP11064633A priority Critical patent/JP2000256856A/ja
Priority to KR1020000011449A priority patent/KR100589924B1/ko
Priority to TW089104381A priority patent/TW460975B/zh
Publication of JP2000256856A publication Critical patent/JP2000256856A/ja
Priority to US10/277,914 priority patent/US6966936B2/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4408—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber by purging residual gases from the reaction chamber or gas lines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45593—Recirculation of reactive gases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System
    • H01L21/28556—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System by chemical means, e.g. CVD, LPCVD, PECVD, laser CVD
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02C—CAPTURE, STORAGE, SEQUESTRATION OR DISPOSAL OF GREENHOUSE GASES [GHG]
    • Y02C20/00—Capture or disposal of greenhouse gases
    • Y02C20/30—Capture or disposal of greenhouse gases of perfluorocarbons [PFC], hydrofluorocarbons [HFC] or sulfur hexafluoride [SF6]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S55/00—Gas separation
    • Y10S55/15—Cold traps

Abstract

(57)【要約】 【課題】 減圧処理室から未反応の原料ガスや反応副生
成物ガスを排気するための真空ポンプの安定稼動を保証
するとともに、反応副生成物を効率良く回収して資源の
有効利用およびランニングコストの低減をはかること。 【解決手段】 この減圧ＣＶＤ装置は、減圧ＣＶＤ法に
よって銅の成膜を行うための処理室１０と、この処理室
１０に原料ガスとして有機銅化合物たとえばＣｕ（I）
ｈｆａｃＴＭＶＳを供給するための原料ガス供給部１２
と、処理室１０を真空引きして排気するための真空排気
部１４とで構成されている。真空排気部１４は、真空ポ
ンプ２６と、その前段および後段にそれぞれ設けられた
高温トラップ装置２８および低温トラップ装置３０とで
構成されている。高温トラップ装置２８では処理室１０
からの排気ガスに含まれている未反応のＣｕ（I）ｈｆ
ａｃＴＭＶＳが分解して金属銅がトラップされ、低温ト
ラップ装置３０では反応副生成物のＣｕ（II）（ｈｆａ
ｃ）2がトラップされる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイス製
造等の微細加工でガスを扱う装置に係り、より詳細には
減圧ＣＶＤ装置で代表される化学反応方式の処理装置な
らびにこの種処理装置に使用可能な真空排気システムお
よびトラップ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】今日の半導体デバイスでは多層配線構造
が一般化しているが、高密度化に伴い異なる金属配線層
間のコンタクト孔もより微小化を求められ、そのアスペ
クト比（＝孔の深さ／開口幅）が増大している。また、
チップ内の個々の半導体素子およびデバイス全体の高速
化に伴い、コンタクト孔への埋め込み分を含めて配線層
には抵抗のより低い材料が要求されている。
【０００３】このような微小化および低抵抗化の要求に
応えるものとして、金属配線に従来一般のアルミニウム
に代えて銅を金属配線材料とし、ＣＶＤ（Chemical Vap
or Deposition：化学気相成長）法によって銅膜を作成
する技術が検討されている。
【０００４】ＣＶＤ法によって銅膜を形成するための原
料は、一般に有機銅化合物であり、中でもＣｕ（I）ｈ
ｆａｃＴＭＶＳが注目されている。
【０００５】Ｃｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳは、常温で低
粘度の液体であり、蒸気圧も６０゜Ｃで１Torrと適当で
あるため、液体供給系＋気化器の構成を用いて気化し、
原料ガスとして反応室または処理室へ供給することが比
較的容易である。また、少なくとも７０゜Ｃ以上で分解
が進行するので、処理室内では１９０゜Ｃ近辺の比較的
低温でも製造上問題のない成膜速度で被処理基板上に銅
膜を形成することができる。
【０００６】有機銅化合物としては、他にも、βジケド
ナト化合物たとえばＣｕ（II）（ｈｆａｃ）2 やシク
ロペンタジエニル化合物たとえばＣｐＣｕＴＥＰ等が知
られている。しかし、これらのいずれも常温で固体であ
るため、ガスの状態で処理室へ供給するのが難しい。さ
らに、Ｃｕ（II）（ｈｆａｃ）2は分解に３５０゜Ｃ以
上の高い温度を必要とし、ＣｐＣｕＴＥＰは蒸気圧が８
０゜Ｃで0．01 Torrと非常に低く成膜時に十分な分圧を
得にくいという難点がある。
【０００７】これらの他の有機銅化合物と比較して、Ｃ
ｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳは、上記したように液体供給
系＋気化器の構成を用いて気化し、処理室へ容易に供給
できる点と、低温成膜が可能である点で、有利である。
【０００８】通常、銅膜を形成するためのＣＶＤとし
て、減圧ＣＶＤが採用される。真空ポンプによって、Ｃ
ＶＤ処理室は所定の圧力に減圧されるとともに、未反応
の原料ガスや反応副生成物ガス等は処理室から排気され
る。この種の真空ポンプとしては、油回転ポンプ等のウ
エット系は油を被排気室（処理室）へ逆拡散させて汚染
ないし歩留まり低下を来すおそれがあることから、その
ような問題のないドライポンプが主流になってきてい
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、気化された
Ｃｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳは凝結の温度と分解の温度
が近いという特性を有しているが、この特性が減圧ＣＶ
Ｄ用の真空排気システムでは問題となっている。
【００１０】真空ポンプ内の温度が低いと、処理室から
送られてきた未反応のＣｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳがポ
ンプ内で凝結して各部、特に回転系に対して障害物とな
り、著しい場合は回転系を破損することがある。
【００１１】そのような凝結を避けるために、通常採ら
れる方法はポンプ内を加温することである。しかし、真
空ポンプのように複雑な構造体では、各部を均一な温度
に保持することは殆ど不可能で、温度分布にばらつきが
生じるのは必然であり、相対的に温度が高い部位ではＣ
ｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳの分解が進行し、金属銅が析
出してしまうおそれがある。これを避けようとして、温
度を低めに設定すると、今度は相対的に温度の低い部位
で上記のような凝結が生じてしまう。
【００１２】つまり、原料ガスにＣｕ（I）ｈｆａｃＴ
ＭＶＳを用いる減圧ＣＶＤにおいては、真空ポンプ内に
引き込まれた未反応Ｃｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳの凝結
および分解を同時に抑制することは極めて困難である。
【００１３】また、このＣＶＤでは、Ｃｕ（I）ｈｆａ
ｃＴＭＶＳがＣｕ（0）とＣｕ（II）（ｈｆａｃ）2とに
分解し、反応生成物のＣｕ（0）は銅膜形成に用いられ
るものの、原料に含まれるＣｕ原子の５０％を含む反応
副生成物Ｃｕ（II）（ｈｆａｃ）2は廃棄処分されてお
り、資源の利用効率が低かった。
【００１４】本発明は、上記のような問題点に鑑みてな
されたものであり、減圧処理室から未反応の原料ガスや
反応副生成物ガスを排気するための真空ポンプの安定稼
動を保証するとともに、反応副生成物を効率良く回収し
て資源の有効利用およびランニングコストの低減をはか
るようにした処理装置および真空排気システムを提供す
ることを目的とする。
【００１５】本発明の別の目的は、原料ガスとしてＣｕ
（I）ｈｆａｃＴＭＶＳを用いる減圧ＣＶＤにおいて、
未反応のＣｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳが真空ポンプに入
るのを効率的かつ確実に阻止して、真空ポンプの安全性
を保証し、さらには反応副生成物であるＣｕ（II）（ｈ
ｆａｃ）2を効率良く回収して資源の有効利用およびラ
ンニングコストの低減をはかるようにしたＣＶＤ装置用
の真空排気システムを提供することにある。
【００１６】本発明の他の目的は、処理室より排気され
た気体の中から未反応の原料ガスのみを選択的に、かつ
確実に阻止できるようにしたトラップ装置を提供するこ
とにある。
【００１７】本発明の他の目的は、トラップした有機化
合物を効率良く回収できるようにしたトラップ装置を提
供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の処理装置は、減圧された室内で原料ガス
を反応させて、反応生成物を所定の処理に用いる処理室
と、前記処理室から未反応の原料ガスおよび１種類また
は複数種類の反応副生成物ガスを含む気体を排気して、
室内を所定の圧力に真空引きするための真空ポンプと、
前記処理室と前記真空ポンプとの間の排気路に設けら
れ、実質的に前記処理室からの未反応の原料ガスのみ
を、かつその殆どを反応させて、反応生成物をトラップ
するための第１のトラップ装置と、前記真空ポンプの出
側の排気路に設けられ、前記真空ポンプからの所定の反
応副生成物ガスを凝縮させて、その反応副生成物をトラ
ップするための第２のトラップ装置とを有する構成とし
た。
【００１９】本発明の処理装置は、典型的には、有機銅
化合物を含む原料ガスを反応させて、反応生成物である
金属銅を被処理基板上に堆積させる減圧ＣＶＤ処理装置
として好適なものである。
【００２０】本発明の減圧ＣＶＤ装置用真空排気システ
ムは、減圧された室内で原料ガスであるＣｕ（I）ｈｆ
ａｃＴＭＶＳが下記の化学式（２）のように反応して反
応生成物であるＣｕ（0）が被処理基板上に堆積するよ
うになされたＣＶＤ処理室から未反応のＣｕ（I）ｈｆ
ａｃＴＭＶＳおよび反応副生成物ガスである気体状態の
Ｃｕ（II）（ｈｆａｃ）2を含む気体を排気して、室内
を所定の圧力に真空引きするためのドライポンプと、 ２Ｃｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳ→Ｃｕ（0）＋Ｃｕ（II）（ｈｆａｃ）2 ＋２ＴＭＶＳ ‥‥‥‥（２） 前記処理室と前記ドライポンプとの間の排気路に設けら
れ、実質的に前記処理室からの未反応のＣｕ（I）ｈｆ
ａｃＴＭＶＳのみを、かつその殆どを反応させて、反応
生成物であるＣｕ（0）をトラップするための第１のト
ラップ装置と、前記ドライポンプの出側の排気路に設け
られ、前記ドライポンプからの気体状態のＣｕ（II）
（ｈｆａｃ）2 を凝縮させて、Ｃｕ（II）（ｈｆａ
ｃ）2 をトラップするための第２のトラップ装置とを
有する構成とした。
【００２１】本発明のＣＶＤ装置用真空排気システムに
おいて、前記第１のトラップ装置内の反応温度は、未反
応のＣｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳのみを、かつその殆ど
を反応させるうえで、１８０〜３００゜Ｃの範囲内であ
るのが好ましい。
【００２２】また、前記第１のトラップ装置は、Ｃｕ
（I）ｈｆａｃＴＭＶＳを速やかに分解させ、かつ安定
確実に堆積させるうえで、銅からなるトラップ部材また
は銅鍍金されたトラップ部材を有することが望ましい。
【００２３】真空ポンプの前段で使用可能な本発明のト
ラップ装置は、所定のガス状物質を加熱して反応させ、
反応生成物をトラップするためのトラップ装置であっ
て、両端に開口部を有する筒状のハウジングと、両端に
ガス導入部およびガス排出部をそれぞれ有し、前記ハウ
ジングの一方の開口部に前記ガス導入部を位置させると
ともに他方の開口部に前記ガス排出部を位置させるよう
に前記ハウジング内にいずれかの前記開口部を介して着
脱可能に装着される筒状のトラップ本体と、前記トラッ
プ本体のガス導入部とガス排出部との間のガス流路に配
置され、前記ガス導入部より導入された前記ガス状物質
と接触して、前記反応生成物を堆積させるためのトラッ
プ部材と、前記トラップ部材を所定の温度に加熱するた
めの加熱手段とを具備する構成とした。
【００２４】このトラップ装置では、反応生成物を堆積
させるためのトラップ部材を含むトラップ本体がハウジ
ングに着脱可能に装着される構成になっている。前記加
熱手段は、好ましくは前記トラップ本体の外周面と前記
ハウジングの内周面との間に配設され、トラップ本体な
いしトラップ本体を回りから加熱してよい。
【００２５】真空ポンプの後段で使用可能な本発明のト
ラップ装置は、所定の有機ガスを凝結させて、凝結した
有機化合物をトラップするためのトラップ装置であっ
て、ガス導入口とガス排出口とを有し、前記ガス導入口
と前記ガス排出口との間にガス通路を設けてなるハウジ
ングと、前記ハウジング内で前記ガス通路に沿って配設
され、前記ガス導入口より導入された前記有機ガスを凝
着させるための凝着面を有するトラップ部材と、前記ト
ラップ部材の凝着面の一部または全部に前記有機化合物
を溶解させる薬液を供給するための薬液供給手段と、前
記有機化合物を溶解させた薬液を回収するための薬液回
収手段とを具備する構成とした。
【００２６】このトラップ装置において、薬液による有
機化合物の溶解を効率良く行うための好ましい形態は、
前記トラップ部材が垂直方向に各々傾斜した凝着面を交
互に反対側に向けるようにしてジグザク状に配置された
複数のトラップ板を含み、前記薬液供給手段が最上部の
前記トラップ板に前記薬液を与えるための薬液供給路を
有し、前記薬液供給手段の薬液供給路より最上部のトラ
ップ板に供給された前記薬液が高い方から低い方に順次
各トラップ板を伝わって流れ落ちるような構成である。
薬液の供給中に超音波振動子によって前記トラップ部材
を振動させるのも効果的である。
【００２７】また、薬液の使用効率を上げるために、前
記薬液回収手段に、回収した前記薬液を前記薬液供給手
段の薬液供給路に回送するための薬液回送手段を設けて
もよい。
【００２８】また、別の形態として、前記トラップ部材
が垂直方向に所定の間隔を置いて配置される複数のトラ
ップ板を含み、前記ハウジング内に前記複数のトラップ
板をそれぞれの位置で着脱可能に支持するための支持部
材が設けられ、前記ハウジング内に前記支持部材より外
されて落下した前記複数のトラップ板を収容する液体貯
留可能なトラップ板収集部が設けられ、前記薬液供給手
段が前記トラップ板収集部に前記薬液を導くための薬液
供給路を有し、前記トラップ板収集部で前記複数のトラ
ップ板が前記薬液に浸されるような構成も好適である。
【００２９】このトラップ装置では、有機化合物の凝着
と溶解が順次行なわれる。トラップ部材は、凝着時には
冷却を必要とし、溶解時には加温を必要とする。この冷
却と加温を簡単かつ効率的に行うための好ましい形態
は、前記トラップ部材に熱的に結合された媒体通路を設
け、前記トラップ部材に前記有機ガスを凝着させる時は
冷却用の媒体を前記媒体通路に流し、前記トラップ部材
に凝着した前記有機化合物を前記薬液で溶解させる時は
加温用の媒体を前記媒体通路に流す構成である。
【００３０】
【発明の実施の形態】以下、添付図を参照して本発明の
実施例を説明する。
【００３１】図１に、本発明の一実施例による減圧ＣＶ
Ｄ装置の全体構成を模式的に示す。この減圧ＣＶＤ装置
は、減圧ＣＶＤ法によって銅の成膜を行うための処理室
１０と、この処理室１０に原料ガスとして有機銅化合物
たとえばＣｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳを供給するための
原料ガス供給部１２と、処理室１０を真空引きして排気
するための真空排気部１４とで構成されている。
【００３２】処理室１０は、減圧可能な真空チャンバか
らなり、底部の中央に被処理基板たとえば半導体ウエハ
Ｗを保持するための載置台１６を設けている。この載置
台１６は、たとえば抵抗発熱体からなるヒータを内蔵し
ており、処理中は半導体ウエハＷを所定の処理温度に加
熱するようになっている。
【００３３】処理室１０の上部には、多数の通気孔１８
ａを有する多孔板１８が取付され、その上部にバッファ
部２０が設けられている。処理室１０の壁の中または外
側もしくは内側には温調用の媒体通路（図示せず）が設
けられている。外部の温調装置（図示せず）より配管２
２を介して温調用の媒体たとえば水が循環供給され、処
理室１０の壁面が所定の温度に調節されるようになって
いる。
【００３４】原料ガス供給部１２は、原料のＣｕ（I）
ｈｆａｃＴＭＶＳを液体状態で貯留する容器と、Ｃｕ
（I）ｈｆａｃＴＭＶＳを所定の温度（たとえは６０゜
Ｃ）および圧力（たとえば１Torr）で気化させる気化器
とを有しており、気化したＣｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳ
を水素あるいはＡｒ，Ｈｅ等の非酸化性ガスからなるキ
ャリアガスと一緒にガス供給管２４を介して処理室１０
のバッファ部２０に供給する。
【００３５】なお、Ｃｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳの分解
不安定性を抑制するために、さらにＨｈｆａｃやＴＭＶ
Ｓを余分に加えた混合材料たとえばＣｕ（I）ｈｆａｃ
ＴＭＶＳ０．４％Ｈｈｆａｃ２．５％ＴＭＶＳ「Ｃｕｐ
ｒａＳｅｌｅｃｔ」（商品名）を原料ガスとしてもよ
い。
【００３６】真空排気部１４は、真空ポンプ２６と、そ
の前段および後段にそれぞれ設けられた高温トラップ装
置２８および低温トラップ装置３０とで構成されてい
る。処理室１０の底面に形成された排気口３２が、排気
管３４を介して高温トラップ装置２８のガス導入口に接
続されている。高温トラップ装置２８のガス排出口が排
気管３６を介して真空ポンプ２６のガス吸入口に接続さ
れ、真空ポンプ２６のガス排出口が排気管３８を介して
低温トラップ装置３０のガス導入口に接続されている。
低温トラップ装置３０のガス排出口は、排気管４０を介
して排気ダクトまたは除害装置等に接続されてよい。
【００３７】真空ポンプ２６は、ドライポンプからな
り、処理室１０の室内を所定の圧力に減圧し、処理室１
０から未反応の原料ガスおよび反応副生成物ガス等の気
体を排気する。排気能力を高めるために、ドライポンプ
の前段に１段または複数段のメカニカルブースタポンプ
を設けることもできる。
【００３８】高温トラップ装置２８は、処理室１０から
の未反応のＣｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳのみを、かつそ
の殆どを反応させて、反応生成物である金属銅Ｃｕ
（0）をトラップするように構成されている。したがっ
て、真空ポンプ２６には、反応副生成物ガスであるＣｕ
（II）（ｈｆａｃ）2やＣｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳから
一部分離したＨｈｆａｃ、ＴＭＶＳ等のガスだけが引き
込まれ、Ｃｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳは実質的に流入し
ないようになっている。
【００３９】低温トラップ装置３０は、真空ポンプ２６
からの気体状態のＣｕ（II）（ｈｆａｃ）2 を凝縮さ
せて、Ｃｕ（II）（ｈｆａｃ）2 をトラップするよう
に構成されている。これにより、原料に含まれるＣｕ原
子の５０％を含む反応副生成物のＣｕ（II）（ｈｆａ
ｃ）2が低温トラップ装置３０で収集または回収され、
リサイクリングに供されるようになっている。
【００４０】次に、この減圧ＣＶＤ装置の作用を説明す
る。
【００４１】処理室１０のバッファ部２０には、原料ガ
ス供給部１２よりガス供給管２４を介してキャリアガス
と一緒に原料ガスのＣｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳが導入
される。導入されたガスは、多孔板１８の通気孔１８を
通って、均一な濃度および均一な流れで載置台１６上の
半導体ウエハＷに吹き付けられる。
【００４２】処理中、処理室１０の室内は真空ポンプ２
６によって所定の圧力たとえば１Torrに減圧される。載
置台１６上で半導体ウエハＷは、載置台に内蔵されてい
る上記ヒータによって所定の反応温度たとえば１９０゜
Ｃ近辺に加熱される。半導体ウエハＷの表面に吹き付け
られた原料ガスのＣｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳは、ウエ
ハ表面上で上記の温度および圧力の下で上記化学式
（２）のように反応（分解）し、反応生成物であるＣｕ
（0）がウエハ表面に堆積する。処理室１０の壁面は、
上記の温調機構によりＣｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳの凝
着を防ぐ温度たとえば５５゜Ｃ付近に保たれる。
【００４３】処理室１０内の上記反応で生成した気体ま
たは反応せずに残った気体は全て排気口３２より真空排
気部１４側に排気される。特に、反応副生成物であるＣ
ｕ（II）（ｈｆａｃ）2、原料ガスのＣｕ（I）ｈｆａｃ
ＴＭＶＳから一部分離したＨｈｆａｃやＴＭＶＳ、およ
び未反応のＣｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳが気体状態のま
ま排気口３２から排気管３４を通って高温トラップ装置
２８に導かれる。なお、必要に応じて排気管３４も処理
室１０の壁面と同様に適当な温度たとえば５５゜Ｃ付近
に温調してよい。
【００４４】高温トラップ装置２８は、導入したガスと
接触して、ガス中のＣｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳのみを
選択的に、かつその殆どを反応または分解させ、反応生
成物のＣｕ（0）を堆積または付着させるトラップ部材
と、このトラップ部材を所定の反応温度に加熱するため
のヒータとを備えている。
【００４５】高温トラップ装置２８において、この反応
温度またはトラップ温度は１８０〜３００゜Ｃの範囲内
にあるのが望ましい。１８０゜Ｃ未満だと、流入したガ
スがトラップ部材を通過する際に上記化学式（２）の反
応を完全に行なわせるのが難しくなり、Ｃｕ（I）ｈｆ
ａｃＴＭＶＳがわずかながら後段の真空ポンプ２６側に
抜けるおそれがある。また、３００゜Ｃを超えると、反
応の速度としては小さいもののＣｕ（II）（ｈｆａｃ）
2の分解が進行してしまい、後段の低温トラップ装置３
０で収集または回収できるＣｕ（II）（ｈｆａｃ）2の
量が減少するおそれがある。
【００４６】この高温トラップ装置２８では、トラップ
部材を銅で構成するか、さもなければ銅鍍金を施した構
成とするのが望ましい。その理由は、トラップ部材のト
ラップ面に銅以外の材質たとえば絶縁物が表出している
と、上記化学式（２）の反応に潜伏（incubation）時間
が生じ、トラップを使用し始めてしばらくの間はこの反
応が進行せず、未反応のＣｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳが
トラップ部材を素通りして後段の真空ポンプ２６に流入
するおそれがあるためである。また、十分時間が経っ
て、この反応が進行し、トラップ面に金属銅Ｃｕ（0）
が析出したとしても、密着性よく堆積または付着するこ
とができず、いったん堆積した金属銅がトラップ面から
剥がれて後段の真空ポンプ２６に入り込み、ポンプ２６
にダメージを与えるおそれがある。このような金属銅の
剥がれは、特に昇温、降温などの熱サイクル時に起こり
やすく、トラップ面を構成する材料と、析出した金属銅
との間で熱膨張の差が大きい場合に著しい。
【００４７】高温トラップ装置２８において、トラップ
部材のトラップ面を最初から銅で構成しておくことで、
上記化学式（２）の反応の潜伏時間をなくし、さらには
トラップ面の材質と析出した金属銅との熱膨張係数が一
致しているために析出銅の剥がれを抑え、上記のような
真空ポンプ２６へのダメージ等の問題をなくすことがで
きる。
【００４８】高温トラップ装置２８でＣｕ（I）ｈｆａ
ｃＴＭＶＳの全部または殆どを除去された排気ガスは、
排気管３６を通って真空ポンプ２６に吸入される。この
吸入される排気ガスの主たる成分はＣｕ（II）（ｈｆａ
ｃ）2であり、その中の大部分は処理室１０内で、残り
は高温トラップ装置２８内でそれぞれ発生したものであ
る。
【００４９】上記したように真空ポンプ２６はドライポ
ンプからなり、ポンプ内の各部間で温度分布および圧力
分布にある程度のばらつきがある。ドライポンプは、吸
入した気体を排出口側へ押しやるようにして排気するた
め、その気体圧縮によりポンプ出側の方が入側よりも高
温度、高圧力になる傾向がある。しかし、通常のドライ
ポンプおよびメカニカルブースターポンプは、入側から
出側までＣｕ（II）（ｈｆａｃ）2を気体状態に維持で
きるような温度・圧力分布を有している。
【００５０】図２に、Ｃｕ（II）（ｈｆａｃ）2の蒸気
圧曲線を示す。本実施例では、真空ポンプ２６内の温度
・圧力分布をたとえば６０゜Ｃ（０．１Torr）〜１５０
゜Ｃ（５Torr）の範囲内に収めている。したがって、真
空ポンプ２６内でＣｕ（II）（ｈｆａｃ）2が凝縮する
ことはない。また、Ｃｕ（II）（ｈｆａｃ）2の分解温
度が３５０゜Ｃ以上であるのに対し、ドライポンプやメ
カニカルブースターポンプの内部温度は通常３００゜Ｃ
以上になることは無いため、真空ポンプ２６内でＣｕ
（II）（ｈｆａｃ）2が分解するおそれはない。
【００５１】また、ＨｈｆａｃやＴＭＶＳは、蒸気圧が
さらに高いうえ、分解や他に可能な反応の温度もかなり
高いため、これらの排気物質もポンプ入側から出側まで
（正確には真空排気部１４を通じて）気体状態を維持で
きる。
【００５２】以上のようにして、真空ポンプ２６に導入
された排気ガスの殆どが、そのままの状態（気体状態）
でポンプ内のガス流路を通り抜けてポンプ排気口から排
出される。
【００５３】真空ポンプ２６より排出された排気ガス
は、排気管３８を通って低温トラップ装置３０に導入さ
れる。図２に示すように、Ｃｕ（II）（ｈｆａｃ）2
は、温度が６０゜Ｃでは、約１Torr以上で（１０Torr以
上では確実に）固体状態になる。真空ポンプ２６の排気
側の圧力は少なくとも１０Torr以上（通常は１００Torr
以上）はあるから、低温トラップ装置３０ではトラップ
部材の温度を６０゜Ｃ以下にすることで、Ｃｕ（II）
（ｈｆａｃ）2を凝縮させてトラップすることが可能で
ある。
【００５４】低温トラップ装置３０における凝縮温度ま
たはトラップ温度は、１５〜６０゜Ｃの範囲内にあるこ
とが望ましい。図２の蒸気圧曲線から明らかなように、
Ｃｕ（II）（ｈｆａｃ）2は低温、高圧になるほど固体
になりやすく、前段のポンプ出側の圧力範囲で効率の良
いＣｕ（II）（ｈｆａｃ）2の収集を行うには、トラッ
プ温度が６０゜Ｃ以下であることが要求される。しか
し、１５゜Ｃを超えて冷却した場合は、たとえばトラッ
プ交換等のメンテナンスで冷却を止めると、室温まで昇
温したときに気化が進んで、トラップ内部が加圧状態に
なり、著しい場合には内容物が噴出するおそれがある。
したがって、冷却の下限温度を室温程度（１５゜Ｃ）と
するのが好ましい。
【００５５】低温トラップ装置３０において、トラップ
部材の材質（たとえばステンレス）がトラップ面に表出
していると、そこにＣｕ（II）（ｈｆａｃ）2を凝着さ
せて保存する際、あるいは回収のため溶媒または薬液を
供給した際に、トラップ表面が反応、劣化して、コンタ
ミネーションを起こすおそれがある。この問題は、トラ
ップ部材のトラップ面をフッ素樹脂で被覆することで解
決できる。
【００５６】上記したように、本実施例の減圧ＣＶＤ装
置では、処理室１０内で原料ガスのＣｕ（I）ｈｆａｃ
ＴＭＶＳが半導体ウエハＷ上で上記化学式（２）のよう
に反応（分解）し、反応生成物であるＣｕ（0）がウエ
ハ表面に堆積し、銅膜が形成される。反応副生成物であ
るＣｕ（II）（ｈｆａｃ）2や未反応のＣｕ（I）ｈｆａ
ｃＴＭＶＳは、真空排気部１４へ排気される。
【００５７】真空排気部１４において、処理室１０から
の排気ガスは、先ず高温トラップ装置２８に導入され
る。高温トラップ装置２８では、所定の温度でＣｕ
（I）ｈｆａｃＴＭＶＳだけが、かつその殆どが反応
し、析出した金属銅Ｃｕ（0）はトラップされる。高温
トラップ装置２８内のトラップ部材が銅で構成され、ま
たは予め銅鍍金を施されることで、Ｃｕ（I）ｈｆａｃ
ＴＭＶＳの熱分解および金属銅の堆積はトラップの使用
開始時より速やかに行なわれ、また、析出した金属銅の
密着性も良好であり、剥がれ等の問題は生じない。
【００５８】高温トラップ装置２８からの排気ガスは、
ドライポンプからなる真空ポンプ２６に吸入される。こ
の吸入される排気ガスは、Ｃｕ（II）（ｈｆａｃ）2や
Ｈｈｆａｃ、ＴＭＶＳ等の混合ガスであり、Ｃｕ（I）
ｈｆａｃＴＭＶＳを実質的に含んでいない。したがっ
て、真空ポンプ２６内にＣｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳが
流入することがないので、Ｃｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳ
の熱分解または凝縮によるポンプのダメージを十全に回
避することができる。
【００５９】真空ポンプ２６に導入されたＣｕ（II）
（ｈｆａｃ）2やＨｈｆａｃ、ＴＭＶＳ等のガスは、ポ
ンプ内部で熱分解することもなければ凝縮することもな
く気体状態のまま排気される。
【００６０】真空ポンプ２６からの排気ガスは低温トラ
ップ装置３０に導入される。低温トラップ装置３０で
は、所定の温度および圧力の下で、Ｃｕ（II）（ｈｆａ
ｃ）2が凝縮してトラップ部材にトラップされる。トラ
ップ部材のトラップ面にフッ素樹脂をコーティングする
ことで、トラップ側からのコンタミネーションを防止
し、純度の高い状態でＣｕ（II）（ｈｆａｃ）2を回収
できる。回収したＣｕ（II）（ｈｆａｃ）2からＣｕ
（I）ｈｆａｃＴＭＶＳを再生することは比較的容易で
あり、原料ガスのランニングコストを低減することがで
きる。
【００６１】なお、図３に示すように、真空排気部１４
の排気路１４ａに対して、複数台たとえば各２台の高温
トラップ装置２８または低温トラップ装置３０をバルブ
４２〜４８を介して並列に接続し、片側のトラップ装置
を選択的に使用する構成としてもよい。かかる並列トラ
ップ構成によれば、成膜作業を止めることなく、トラッ
プ交換を行える。
【００６２】次に、図４〜図１３につき、上記実施例の
減圧ＣＶＤ装置における高温トラップ装置２８または低
温トラップ３０として使用可能な本発明のトラップ装置
の実施例を説明する。
【００６３】図４に、高温トラップ装置２８として好適
な第１の実施例によるトラップ装置の構成を示す。
【００６４】このトラップ装置において、ハウジング５
０は、たとえばシリコンゴム等の断熱材からなり、筒体
たとえば四角筒体に形成されている。ハウジング５０の
一端部（図の右端部）は径方向内側または中心側に折曲
して側壁部５０ａを形成し、この側壁部５０ａにガス吸
入口用の開口が設けられている。ハウジング５０の他端
部５０ｂは、側壁部を持たず、後述するようにガス排出
口だけでなくトラップ本体装入／取出し口をも与えるよ
うに大きな径で開口している。
【００６５】ハウジング５０内には、それより一回り小
さい同様の四角筒体に形成された熱伝導体たとえばステ
ンレス鋼からなるヒータ本体５２が収容されている。ヒ
ータ本体５２の一端部（右端部）５２ａは、ハウジング
５０の側壁部５０ａの開口より軸方向外側に円筒状に突
出し、ガス導入口および配管コネクタ部を構成してい
る。ヒータ本体５２の他端部５２ｂは、ハウジング５０
の他端部５０ｂと同様に、側壁部を持たず大きな径で開
口している。
【００６６】ヒータ本体５２の胴部には、たとえばタン
グステン線からなる電熱コイル５４が埋め込まれてい
る。この電熱コイル５４は、電気コード５５を介してヒ
ータ電源回路（図示せず）に接続されている。
【００６７】ヒータ本体５２の内側には、それより一回
り小さい同様の四角筒体に形成された銅板からなるトラ
ップ本体５６がハウジング５０およびヒータ本体５２の
他端部の開口を介して着脱可能に収容または装着され
る。トラップ本体５６の一端部（右端部）５６ａは、円
筒状に突出してガス導入部を形成し、ヒータ本体５２の
突出部５２ａ内にＯリングからなるシール部材５８を介
して挿入される。トラップ本体５６の他端部５６ｂは、
ガス排出部を形成し、外側からトラップ内部（後述する
銅の堆積状況）がよく見えるように大きな径で開口して
いる。
【００６８】トラップ本体５６の内側には、相対向する
一対の内壁面からそれぞれ軸方向に適当な間隔を空けて
交互に他方の内壁面に向かってその手前まで延在するフ
ィン状の銅板からなるトラップ板６０が着脱可能に取り
付けられている。
【００６９】各トラップ板６０の両側縁部はトラップ本
体５６の内壁に隙間無く密着または接続している。した
がって、ガス導入部５６ａよりトラップ本体５６内に導
入されたガスは、入側から出側に向かって順次各トラッ
プ板６０に接触しながら各トラップ板６０と対向するト
ラップ本体５６の内壁面との間、および相隣接するトラ
ップ板６０，６０の間に形成されているラビリンス構造
のガス流路６２を通ってガス排出部５６ｂ側に抜ける。
その際、後述するように、各トラップ板６０の表面およ
びトラップ本体５６の内壁面（トラップ面）に接触した
ガス中の所定の物質（本実施例ではＣｕ（I）ｈｆａｃ
ＴＭＶＳ）が反応または分解して、反応生成物（金属
銅）がトラップ面上に堆積するようになっている。
【００７０】トラップ本体５６には、温度センサたとえ
ば熱電対６４が着脱可能に取り付けられる。この熱電対
６４の出力端子は、センス線または電気ケーブル６６を
介して上記ヒータ電源回路の制御部に接続されている。
ヒータ電源回路より供給される電力によってヒータ本体
５２内蔵の電熱コイル５４が発熱し、その熱がヒータ本
体５２からトラップ本体５６に伝わり、トラップ本体５
６ないし各トラップ板６０が加熱される。該ヒータ制御
部は、熱電対６４で検出されるトラップ本体５６ないし
各トラップ板６０の温度が所定の反応温度またはトラッ
プ温度に一致するように、抵抗発熱体５４に対する供給
電力を制御するようになっている。
【００７１】トラップ本体５６の他端部５６ｂには、た
とえばステンレス鋼からなり円筒状の突出部を有するフ
ランジ６８がたとえばＯリングからなるシール部材７０
を介してボルト（図示せず）等により着脱可能に取り付
けられる。フランジ６８の円筒部はガス排出口を構成す
る。さらに、フランジ６８の外側には、断熱材たとえば
シリコンゴムからなる側壁板７２が着脱可能に取り付け
られる。
【００７２】このトラップ装置を上記実施例の減圧ＣＶ
Ｄ装置における高温トラップ装置２８として用いる場
合、トラップ本体５６ないし各トラップ板６０は上記し
たように１８０〜３００゜Ｃの範囲内たとえば２００゜
Ｃの温度に加熱される。これにより、処理室１０より送
られてきた排気ガスがトラップ本体５６内のガス流路６
２を通過する際に、排気ガスに含まれているＣｕ（I）
ｈｆａｃＴＭＶＳがトラップ板６０の表面およびトラッ
プ本体５６の内壁面（トラップ面）に接触して上記化学
式（２）のように反応（分解）し、反応生成物の金属銅
Ｃｕ（0）が該トラップ面上に堆積または凝着する。ト
ラップ本体５６内のガス流路６２はラビリンス構造であ
るため、Ｃｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳとトラップ面との
接触面積または接触時間は十分大きく、ガス排出口に到
達するまでにＣｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳは殆ど残らず
反応する。
【００７３】また、トラップ面が銅で構成されているた
め、このトラップ装置の使用開始時からＣｕ（I）ｈｆ
ａｃＴＭＶＳの反応および金属銅の堆積が潜伏時間なし
に速やかに行なわれるとともに、析出した金属銅はトラ
ップ面に良好に密着し、剥がれ難くなっている。
【００７４】また、トラップ本体５６およびトラップ板
６０がすべて銅で構成されているので、熱伝導性にもす
ぐれており、電熱コイル５４ないしヒータ本体５２から
の熱が上記反応に効率良く使用されるようになってい
る。
【００７５】そして、側壁板７２およびフランジ６８を
取り外すことで、ハウジング５０およびヒータ本体５２
の片側の開口部を介してトラップ本体５６およびトラッ
プ板６０を簡単に抜き出せるだけでなく、金属銅の堆積
または付着状況を目視で監視ないし確認できるため、ト
ラップ本体５６またはトラップ板６０の交換時機を適確
に判断することができ、メンテナンス性にすぐれてい
る。
【００７６】ガス導入口および排出口をシールするＯリ
ング５８、７０は、取り外しや組立てに便利である。特
に、ガス導入口のＯリング５８によって、ガス導入口に
導入されたガス、特にトラップ対象のＣｕ（I）ｈｆａ
ｃＴＭＶＳがトラップ本体５６とヒータ部材５２との隙
間７２に入り込まない、したがってトラップ本体５６の
外周面にトラップ対象のＣｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳが
接触ないし堆積しないようになっている。一方、ガス排
出部側では、ガス中にもはやＣｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶ
Ｓが含まれてはいないため、隙間７２をガス流路６２と
連通させる構成とし、トラップ本体５６の挿脱を容易に
行えるようにしている。
【００７７】トラップ本体５６またはトラップ板６０を
銅以外の材質たとえばステンレス鋼で構成し、そのトラ
ップ面に銅鍍金を施す構成も可能である。その場合、一
度使い尽くされたトラップ本体５６またはトラップ板６
０において、トラップ面に付着した堆積銅とともに鍍金
銅も除去し、表出したステンレス鋼に再度鍍金銅を施す
ことで、トラップ部材の再使用が可能である。なお、上
記のような銅製のトラップ部材の場合は、付着可能な最
大限まで銅を堆積させ、使用後は銅廃材として再加工に
供することができる。
【００７８】図５に、第２の実施例によるトラップ装置
の構成を示す。このトラップ装置は上記第１実施例のト
ラップ装置においてトラップ本体５６内の構成を変形し
たものである。他の各部は上記第１実施例のものと同様
の構成および機能を有している。
【００７９】この第２の実施例では、トラップ本体５６
の四方の内壁面にそれぞれ四辺の端部を密着または接続
するようにして複数のトラップ板７４が軸方向に所定の
間隔を置いて配置される。トラップ板間隔は、入口側で
最も大きく、出口側に向かって次第に小さくなるように
構成されている。
【００８０】図６に示すように、各トラップ板７４には
全面に亘って多数の通気孔７４ａが設けられており、通
気孔７４ａの穴径は入口側で最も大きく、出口側にいく
ほど次第に小さくなるように形成されている。なお、通
気孔７４ａの位置および個数が各トラップ板７４で異な
っていてもよい。
【００８１】トラップ本体５６内でガス導入部に最も近
いトラップ板７４’は、図示のように断面形状がほぼ菱
形に形成されている。このトラップ板７４’において
は、内側の一対の斜面部７４ｂ’にのみ通気孔７４ａが
形成され、外側の一対の斜面部７４ｃ’には通気孔７４
ａが形成されていない。
【００８２】ガス導入口より導入されたガスは、最初に
このトラップ板７４’で区画されたバッファ室に入り、
斜面部７４ｂ’の通気孔７４ａを通って斜め外方向に抜
けてから後段の平行トラップ板７４を順次通り抜け、最
後にガス排出口側に出るようになっている。その際、各
トラップ板７４の表面およびトラップ本体５６の内壁面
（トラップ面）に接触したガス中の所定の物質（本実施
例ではＣｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳ）が反応または分解
して、反応生成物（金属銅）がトラップ面上に堆積する
ようになっている。
【００８３】この実施例では、トラップ板７４’による
バッファ効果と斜め拡散効果により、ガスのガス導入口
側への跳ね返りや乱流を抑制し、トラップ本体５６外側
のヒータ本体５４や配管（図示せず）等に金属銅が堆積
付着しないようにしている。
【００８４】また、ガス導入口に近いほどトラップ板７
４の通気孔７４ａの穴径を大きくするとともにトラップ
板間隔を大きくし、ガス排出口に近くなるほど通気孔７
４ａの穴径とトラップ板間隔をそれぞれ小さくしてい
る。これにより、未反応ガスが最も多い入口側ではガス
がスムースに内奥へ送られ、出口側にいくほど（未反応
ガスが少なくなるほど）ガスがトラップ面に接触する度
合いが増大する。したがって、それぞれのトラップ板７
４における銅の付着に偏りがなく、出口付近の銅堆積量
が少ない段階で入口側のトラップ板７４の通気穴７４ａ
が堆積物（金属銅）で閉塞するようなこともない。
【００８５】その他、上記第１実施例における種種の作
用効果または利点がこの第２の実施例でも同様に得られ
る。
【００８６】図７〜図９に、低温トラップ装置３０とし
て好適な第３の実施例によるトラップ装置の構成を示
す。図７は縦断面図、図８は上面図、図９は横断面図で
ある。
【００８７】このトラップ装置のハウジング８０は、熱
伝導性の材質たとえばステンレス鋼からなり、有底四角
筒状に形成されている。ハウジング８０の上璧または蓋
部８１の中央部にガス導入口８２が設けられ、底部の側
壁にガス排出口８４と薬液排出口８６とが設けられてい
る。
【００８８】ハウジング８０の四辺の側壁８０ａ，８０
ｂ，８０ｃ，８０ｄのうち、相対向する一対の側璧８０
ａ，８０ｃの内部には温調水通路８８，９０がそれぞれ
形成されている（図９）。ハウジング８０の蓋部８１に
は、一方の側璧８０ａ内の温調水通路８８に接続する温
調水導入口９２と他方の側璧８０ｃ内の温調水通路９０
に接続する温調水排出口９４とが設けられている（図
８）。両側の温調水通路８８，９０は、ハウジング８０
の上面に架設されたバイパス管９６を介してつながって
いる（図８）。
【００８９】温調水供給部（図示せず）より所定の温度
に水温を調整された水ＷＱが配管（図示せず）を介して
温調水導入口９２に導入される。導入された温調水ＷＱ
は、側璧８０ａ内の温調水通路８８→バイパス管９６→
側璧８０ｃ内の温調水通路９０の流路を流れたのち、温
調水排出口９４より排出され、そこから配管（図示せ
ず）を介して温調水供給部に戻る。このような温調水Ｗ
Ｑの循環供給により、ハウジング８０およびその内部の
後述するトラップ部材が温調水ＷＱの水温に近い温度に
冷却または加温されるようになっている。
【００９０】図７に示すように、ハウジング８０の中に
は、ガス導入口８２とガス排出口８４との間にジグザグ
状のガス流路９８が設けられている。この流路９８は、
垂直方向にジグザク状に配置された２列のトラップ板
［１００（1），１００（2），‥‥，１００（ｍ）］、
［１０２（1），１０２（2），‥‥，１０２（ｎ）］に
よって形成されている。
【００９１】一方（図では左側）の列においては、トラ
ップ板１００（1）１００（2），‥‥，１００（ｍ）が
垂直方向に各々傾斜したトラップ面を交互に反対側に向
けるようにしてジグザグ状に配置されている。
【００９２】より詳細には、最上部のトラップ板１００
（1）は、ハウジング８０の側壁８０ｂの内壁面から斜
め下向きにハウジング中心部を幾らか越える位置まで延
在する。２番目のトラップ板１００（2）は、最上部の
トラップ板１００（1）の下端と少し隙間１０４を空け
て反対側の側壁８０ｄに寄った位置から斜め下向きに側
壁８０ｂの内壁面の少し手前まで延在する。トラップ板
１００（2）と側壁８０ｂとの間には隙間１０６が形成
される。３番目のトラップ板１００（3）は、２番目の
トラップ板１００（2）の下端と少し隙間１０８を空け
てハウジング８０の側壁８０ｂの内壁面から最上部のト
ラップ板１００（1）と同様に斜め下向きにハウジング
中心部を幾らか越える位置まで延在する。以下、下段の
トラップ板１００（4），１００（5），‥‥においても
同様の配置パターンが繰り返される。
【００９３】他方（右側）の列においては、左側の列と
高さ位置をずらして上記と同様のパターンで、トラップ
板［１０２（1），１０２（2），‥‥，１０２（ｎ）が
垂直方向に各々傾斜したトラップ面を交互に反対側に向
けるようにしてジグザグ状に配置されている。これによ
り、両側トラップ板列の間にジグザグ状のガス流路９８
が形成されている。なお、各トラップ板１００，１０２
は、ハウジング８０の側壁８０ａ、８０ｃとは密着また
は接続している（図９）。
【００９４】ハウジング８０の底部には、両側トラップ
板列に沿って降りてきたガスを全て排出口まで案内する
ためのトラップ板１１０が設けられている。この底部ト
ラップ板１１０は、ハウジング８０の全ての側壁８０
ａ、８０ｂ、８０ｃ、８０ｄに密着または接続してい
る。
【００９５】各トラップ板１００，１０２、１１０は、
熱伝導率の高い材質たとえばアルミニウムからなり、そ
の表面がフッ素樹脂加工されている。
【００９６】このトラップ装置では、トラップ板１０
０，１０２、１１０に凝着した析出物（本実施例ではＣ
ｕ（II）（ｈｆａｃ）2）を次のような機構によってハ
ウジング８０内で回収できるようになっている。
【００９７】ハウジング８０の上蓋部８１には、凝着物
（Ｃｕ（II）（ｈｆａｃ）2）を溶解させる薬液（たと
えばアセトン）ＭＱを導入するための薬液導入口１１２
が取り付けられており、さらに、その上方に薬液投入口
１１１が設けられている。そして、上蓋部８１の内部に
は薬液導入口１１２とハウジング８０の両側璧８０ｂ，
８０ｄの内壁面の上端にそれぞれ形成されたスリット状
の薬液吐出口１１４，１１６とをむすぶ薬液通路１１
８，１２０，１２２が設けられている。薬液通路１１８
は，薬液導入口１１２から斜め下向きに扇状に広がって
薬液吐出口１１６に至る。薬液通路１２２は，ガス導入
口８２を挟んで薬液導入口１１２と反対側の位置から斜
め下向きに扇状に広がって薬液吐出口１１４に達する。
薬液通路１２０は、ガス導入口８２を迂回するようにし
て薬液導入口１１２と薬液通路１２２とを連絡する。
【００９８】薬液ＭＱは、薬液投入口１１１より注入さ
れる。薬液投入口１１１は、通常は蓋で密閉されてい
る。
【００９９】薬液導入口１１２に薬液ＭＱが投入される
と、導入された薬液の一部は薬液通路１１８側に分配さ
れ、残りは薬液通路１２０を通って薬液通路１２２側に
分配される。
【０１００】右側の薬液通路１１８に分配された薬液Ｍ
Ｑは、右側の薬液吐出口１１６より側壁８０ｄの壁伝い
に落ちて、右側最上段のトラップ板１０２（1）の上端
部に供給される。
【０１０１】図７で点線の矢印で示すように、トラップ
板１０２（1）の上端部に供給された薬液ＭＱは、トラ
ップ板１０２（1）の上面を伝って流れ落ち、トラップ
板１０２（1）の下端に達すると、そこから隙間１０４
を介して２番目のトラップ板１０２（2）の上端部に落
下し、やはりトラップ板１０２（2）の上面を伝って流
れ落ち、トラップ板１０２（2）の下端に達すると、そ
こから隙間１０６，１０８を介して３番目のトラップ板
１０２（3）の上端部に落下し、以下上記と同様の流れ
方で下段のトラップ板１０２（４），トラップ板１０２
（5），‥‥を順次通過する。そして、薬液ＭＱは、最
後に底部トラップ板１１０に落下し、このトラップ板１
１０から薬液排出口８６を通って薬液タンク１２４に回
収される。
【０１０２】このように、最上部のトラップ板１０２
（1）に供給された薬液ＭＱが、高い方から低い方に順
次各トラップ板１０２（1），１０２（2），‥‥，１０
２（ｎ），１１０を伝わって流れ落ち、薬液排出口８６
を通って薬液タンク１２４に回収されるようになってい
る。
【０１０３】左側の薬液通路１２２に分配された薬液Ｍ
Ｑは、左側の薬液吐出口１１４より側壁８０ｂの壁伝い
に落ちて、左側最上段のトラップ板１００（1）の上端
部に供給される。図７で点線の矢印で示すように、左側
のトラップ板列においても、薬液ＭＱは上記と同様の流
れ方で高い方から低い方に順次各トラップ板１００
（1），１００（2），‥‥，１００（ｍ），１１０を伝
わって流れ落ち、薬液排出口８６を通って薬液タンク１
２４に回収されるようになっている。
【０１０４】なお、図９に示すように、各トラップ板１
００，１０２には適当な部位に超音波振動子１２６が取
り付けられている。上記のように薬液ＭＱを供給する時
に、各超音波振動子１２６が作動して各トラップ板１０
０，１０２を振動させるようになっている。なお、底部
トラップ板１１０にも同様の超音波振動子を取り付ける
ことができる。
【０１０５】このトラップ装置では、薬液タンク１２４
にポンプ（図示せず）を設け、このポンプの出口を配管
１２８を介して薬液導入口１１２に接続している。薬液
タンク１２４に貯蔵または回収された薬液ＭＱをポンプ
で配管１２８を介して薬液導入口１１２に送り込み、薬
液ＭＱを循環させるようにしている。
【０１０６】次に、このトラップ装置を図１の減圧ＣＶ
Ｄ装置における低温トラップ装置３０として用いる場合
の作用を説明する。
【０１０７】トラップとして運転する間は、温調水供給
部より所定の冷却温度たとえば２５゜Ｃで温調水ＣＷが
温調水導入口９２に供給される。この温調された冷却水
ＣＷがハウジング８０の両側璧８０ａ，８０ｃ内の温調
水通路８８、９０を流れることで、ハウジング８０の両
側璧８０ａ，８０ｃに密着または接続している各トラッ
プ板１００，１０２は約２５゜Ｃの温度に冷やされ、か
つこの温度に維持される。
【０１０８】ガス導入口８２には、真空ポンプ２６から
の排気ガスが導入される。上記したように、この排気ガ
スは、トラップ対象である反応副生物のＣｕ（II）（ｈ
ｆａｃ）2）を含んでいる。導入されたガスの大部分
は、両側のトラップ板［１００（1），１００（2），‥
‥，１００（ｍ）］、［１０２（1），１０２（2），‥
‥，１０２（ｎ）］の内側に形成されているジグザグ状
のガス流路９８を通ってハウジング底部の排気口８４側
に抜ける。ここで、各トラップ板において、トラップ本
体の中央部に向いていてガス流路９８に面している面を
おもて面（主トラップ面）、その裏側の面を裏面（副ト
ラップ面）とする。
【０１０９】上記のようにしてガス流路９８を流れる際
に、ガスは、コンダクタンスの低いガス流路９８内で圧
縮されながら各トラップ板１００，１０２，１１０のお
もて面（主トラップ面）に接触する。これにより、ガス
中のＣｕ（II）（ｈｆａｃ）2が上記冷却温度（約２５
゜Ｃ）で冷やされて凝縮し、析出した固体のＣｕ（II）
（ｈｆａｃ）2はトラップ面上に凝着または付着する。
【０１１０】ここで、トラップ板１００，１０２，１１
０の中では、ガス導入口８２に近いほどＣｕ（II）（ｈ
ｆａｃ）2の凝着量は多くなる傾向があり、近接した高
さ位置では奇数番目のトラップ板（たとえば１０２
(3)）の方が偶数番目のトラップ板（たとえば１００
(2)）よりも凝着量は多くなる傾向がある。つまり、奇
数番目のトラップ板（１０２(3)）のおもて面（主トラ
ップ面）は上向きになっているため、上方の入口から流
れてくるガスと衝突または接触する度合いが大きく、そ
れだけＣｕ（II）（ｈｆａｃ）2が凝着しやすい。これ
に対して、奇数番目のトラップ板（１００(2)）のおも
て面（主トラップ面）は下向きになっているため、上方
から流れてくるガスと衝突または接触する度合いが小さ
く、Ｃｕ（II）（ｈｆａｃ）2が凝着しにくい。
【０１１１】なお、一部のガスは、隙間１０４，１０
６，１０８を通って両側トラップ板１００，１０２の裏
側を回りながら、排気口８４側に抜ける。その際、比較
的少ない量ではあるが、ガス中のＣｕ（II）（ｈｆａ
ｃ）2が各トラップ板１００，１０２の裏面（副トラッ
プ面）に接触して凝着する。
【０１１２】このトラップ装置では、各トラップ板１０
０，１０２，１１０のトラップ面がフッ素樹脂で被覆さ
れているので、析出したＣｕ（II）（ｈｆａｃ）2はト
ラップ面上で安全かつ安定に保持される。
【０１１３】上記のようなトラップ運転によりＣｕ（I
I）（ｈｆａｃ）2の凝着量が相当レベルに達した頃を見
計らって、Ｃｕ（II）（ｈｆａｃ）2の回収作業を行っ
てよい。
【０１１４】回収作業時には、温調水供給部より所定の
加熱温度たとえば５０゜Ｃで温調水ＣＷを温調水導入口
９２に供給する。この温調された加熱水ＷＱがハウジン
グ８０の両側璧８０ａ，８０ｃ内の温調水通路８８、９
０を流れることで、ハウジング８０の両側璧８０ａ，８
０ｃに密着または接続している各トラップ板１００，１
０２は約５０゜Ｃの温度に暖められる。
【０１１５】そして、薬液タンク１２４のポンプを稼動
させ、上記したような薬液供給機構を働かせる。これに
より、薬液ＭＱが、所定回数循環して高い方から低い方
に順次各段のトラップ板［１００（1），１００（2），
‥‥，１００（ｍ）］、［１０２（1），１０２（2），
‥‥，１０２（ｎ）］、１１０を伝わって流れ落ち、各
トラップ板１００，１０２，１１０のトラップ面に付着
しているＣｕ（II）（ｈｆａｃ）2を溶解しながら洗い
落とす。
【０１１６】本実施例では、上記のように各トラップ板
１００，１０２を所定温度（約５０゜Ｃ）に加温すると
ともに、超音波振動子１２６によって各トラップ板１０
０，１０２，１１０を振動させることにより、Ｃｕ（I
I）（ｈｆａｃ）2の溶解を効率良く行うことができる。
【０１１７】また、薬液ＭＱを循環させることにより、
比較的少量の薬液ＭＱでＣｕ（II）（ｈｆａｃ）2の溶
解または回収を行うことができる。
【０１１８】また、各トラップ板１００，１０２，１１
０のトラップ面をフッ素樹脂加工しているので、回収処
理中にトラップ面が反応・劣化するおそれがなく、コン
タミネーションの問題が生じない。
【０１１９】なお、上記の薬液供給において、薬液ＭＱ
は、より詳細には、奇数番目の各トラップ板については
内側または表側の主トラップ面を流れ落ち、偶数番目の
各トラップ板については裏側の副トラップ面を流れ落ち
る。つまり、奇数番目の各トラップ板の裏側の副トラッ
プ面と偶数番目の各トラップ板の内側の主トラップ面と
には薬液ＭＱは行き渡らない。しかし、奇数番目の各ト
ラップ板の裏側の副トラップ面における凝着量は非常に
少ない。また、偶数番目の各トラップ板の内側の主トラ
ップ面においても、上記したようにガスとの接触度合い
が比較的小さいので、凝着量は比較的少ない。
【０１２０】最も多く凝着する部分は奇数番目のトラッ
プ板１００（1），１００（3），‥‥、１０２（1），
１０２（3），‥‥のおもて面（主トラップ面）であ
る。これらのトラップ面には薬液ＭＱが十分行き渡って
供給されるので、凝着したＣｕ（II）（ｈｆａｃ）2の
大部分を回収することができる。
【０１２１】タンク１２４のポンプを止めて薬液循環供
給を終了させると、トラップ板１００，１０２，１１０
より洗い落とされたＣｕ（II）（ｈｆａｃ）2が薬液Ｍ
Ｑとともにタンク１２４内に収集され貯留される。この
タンク１２４に収集した溶液を処理することにより、Ｃ
ｕ（II）（ｈｆａｃ）2をＣｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳに
リサイクルすることができる。
【０１２２】図１０〜図１３に、低温トラップ装置３０
として好適な第４の実施例によるトラップ装置の構成を
示す。図１０および図１３は装置の縦断面図、図１１は
トラップ板と支持部材の平面図、図１２は装置の上面図
である。
【０１２３】このトラップ装置のハウジング１３０は、
熱伝導性の材質たとえばアルミニウムからなり、有底四
角筒状に形成されている。ハウジング１３０の上蓋１３
２にガス導入口１３４および排出口１３６が設けられて
いる。
【０１２４】ハウジング１３０内の空間は中心部に垂設
されたたとえばアルミニウムからなる隔壁１３８により
一対（左右）の室１４０，１４２に分割され、これらの
室１４０，１４２は隔壁１４０の下端とハウジング底面
との間に形成された開口１４４を介して連通している。
【０１２５】右側の室１４０内には、熱伝導性の材質た
とえばアルミニウムからなる複数のトラップ板１４６が
垂直方向に所定の間隔を置いて配置される。トラップ板
間隔は、入口側（最上部）で最も大きく、下流の底側に
向かって次第に小さくなるように構成されている。
【０１２６】左側の室１４２内には、熱伝導性の材質た
とえばアルミニウムからなる複数のトラップ板１４８が
垂直方向に所定の間隔を置いて配置される。トラップ板
間隔は、上流の底部側で最も大きく、下流の出口側に向
かって次第に小さくなるように構成されている。もっと
も、左側底部のトラップ板間隔は、それよりも上流側の
右側最下位のトラップ板間隔と同程度か、それよりも小
さい値に設定されている。
【０１２７】各トラップ板１４６，１４８には、図１１
に示すように、多数の通気孔１５０が形成されている。
図５のトラップ装置におけるトラップ板７４と同様に、
通気孔１５０の孔径を入口側で最も大きくし、下流（出
口側）にいくほど次第に小さくなるようにしてもよい。
また、それぞれのトラップ板１４６，１４８における通
気孔１５０の個数および位置を異ならせてもよい。
【０１２８】各トラップ板１４６，１４８の表面（トラ
ップ面）にはフッ素樹脂加工が施されている。また、こ
のトラップ装置では、ハウジング１３０の内壁面および
隔壁１３８の表面もトラップ手段を構成するので、これ
らの璧面にもフッ素樹脂加工が施される。
【０１２９】ハウジング１３０内で、各トラップ板１４
６（１４８）は一対の垂直支持棒１５２（１５４）に着
脱可能に支持されている。図１１に示すように、各トラ
ップ板１４６（１４８）の相対向する一対の角隅部に垂
直支持棒１５２（１５４）を遊挿させる大きさで楕円形
の開口１５６（１５８）が形成されている。垂直支持棒
１５２（１５４）には、各トラップ板１４６（１４８）
の下面に対応する高さ位置に突起状の水平支持部１６０
（１６２）が設けられている。図１０の組立てた状態で
は、各水平支持部１６０（１６２）が楕円開口１５６
（１５８）の短軸方向に向いて、各トラップ板１４６
（１４８）を担持している。
【０１３０】各垂直支持棒１５２（１５４）は上蓋１３
２を貫通してハウジング１３０の上面に突出しており、
その突出部には操作つまみまたはレバー１６０（１６
２）が取り付けられている。
【０１３１】各トラップ板１４６（１４８）に付着した
Ｃｕ（II）（ｈｆａｃ）2を回収するときは、この操作
つまみまたはレバー１６０（１６２）を図１２の矢印の
方向に直角に回す。そうすると、ハウジング１３０内で
は各垂直支持棒１５２（１５４）の各水平支持部１６０
（１６２）が楕円開口１５６（１５８）の長軸方向に向
くことになり、各トラップ板１４６（１４８）が外れて
脱落する。
【０１３２】図１３に示すように、垂直支持棒１５２
（１５４）から外れて脱落したトラップ板１４６（１４
８）は、それぞれの室１４０，１４２の底部に積み重な
る。
【０１３３】このトラップ装置では、ハウジング１３０
内の隔壁１３８に沿って薬液が供給されるように上蓋１
３２に薬液供給路１６４が設けられている。上蓋１３２
には、さらに、この薬液供給路１６４に連通する薬液導
入口１６６が設けられている。この薬液導入口１６６よ
り薬液ＭＱを供給すると、薬液ＭＱは隔壁１３８上端の
吐出口１６８より隔壁１３８に沿ってハウジング１３０
の底部に導かれるようになっている。
【０１３４】ハウジング１３０の一側璧の下端部には溶
液取出口１７０が設けられている。通常はこの溶液取出
口１７０が閉められているので、上記のように薬液供給
路１６４を介して供給された薬液ＭＱはハウジング１３
０の底部に溜まり、積層状態で収集されているトラップ
板１４６（１４８）は薬液ＭＱに浸される。
【０１３５】ハウジング１３０の底面には複数の箇所に
凹所１７２が形成され、各凹所１７２の中に超音波振動
子１７４が取り付けられている。上記のようにしてハウ
ジング１３０の底でトラップ板１４６（１４８）を薬液
ＭＱに浸している間、それらの超音波振動子１７４が作
動して積層状態のトラップ板１４６（１４８）に振動を
与え、凝着物（Ｃｕ（II）（ｈｆａｃ）2）の溶解を促
進するようにしている。
【０１３６】所定時間の浸漬によって凝着物（Ｃｕ（I
I）（ｈｆａｃ）2）が薬液ＭＱに溶け込んだなら、溶液
取出口１７０より溶液を外に取り出して処理することに
より、Ｃｕ（II）（ｈｆａｃ）2をＣｕ（I）ｈｆａｃＴ
ＭＶＳにリサイクルすることができる。
【０１３７】このトラップ装置でも、冷却および加温兼
用の温調水循環機構が設けられている。ハウジング１３
０の一側面に温調水導入口１７６および排出口１７８が
取り付けられている。これらの温調水導入口１７６およ
び排出口１７８は、ハウジング１３０の一部または全部
の側璧の中に行き渡るようにして設けられている１系統
または複数系統の温調水通路の始端および終端にそれぞ
れ接続されている。
【０１３８】トラップ運転時には所定の冷却温度に温調
された水ＷＱが循環供給され、凝着物（Ｃｕ（II）（ｈ
ｆａｃ）2）の回収時には所定の加熱温度に温調された
水ＷＱが循環供給される。
【０１３９】このトラップ装置では、ハウジング１３０
の底部に形成した薬液ＭＱの溜まりの中にトラップ板１
４６（１４８）を漬けて凝着物（Ｃｕ（II）（ｈｆａ
ｃ）2）を溶解させるため、凝着物をほぼ完全に回収す
ることができる。
【０１４０】また、上記した第３の実施例の低温トラッ
プ装置と同様に、この実施例でも、各トラップ面をフッ
素樹脂加工しているので、トラップ運転中は析出物が安
定に保持され、回収処理中にはトラップ面が反応・劣化
するおそれがなく、コンタミネーションの問題が生じな
い。
【０１４１】なお、回収作業のため脱落させた各トラッ
プ板１４６（１４８）を再セットするには、上蓋１３２
を外して支持棒１５２（１５４）と一緒にハウジング１
３０の外に取り出し、支持棒１５２（１５４）に各トラ
ップ板１４６（１４８）を組みつけてから、ハウジング
１３０の中に戻す。
【０１４２】以上、好適な実施例について説明したが、
本発明の技術思想の範囲内で種種の変形、変更が可能で
ある。特に、上記した実施例では原料ガスをＣｕ（I）
ｈｆａｃＴＭＶＳとしたが、他の有機銅化合物を原料ガ
スに用いて上記の減圧ＣＶＤ装置により銅膜を形成する
ことが可能である。また、本発明の処理装置、真空排気
システムおよびトラップ装置は、銅の成膜処理以外にも
種種の減圧ＣＶＤその他の微細加工にも適用可能であ
る。
【０１４３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の処理装置
および真空排気システムによれば、減圧処理室から未反
応の原料ガスや反応副生成物ガスを排気するための真空
ポンプの安定稼動を保証するとともに、反応副生成物を
効率良く回収して資源の有効利用およびランニングコス
トの低減をはかることができる。
【０１４４】また、本発明のトラップ装置によれば、処
理室より排気された気体の中から未反応の原料ガスのみ
を選択的に、かつ確実にトラップすることができる。ま
た、本発明のトラップ装置によれば、トラップした有機
化合物を効率良く回収することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例による減圧ＣＶＤ装置の全体
構成を示す図である。
【図２】Ｃｕ（II）（ｈｆａｃ）2の蒸気圧曲線を示す
図である。
【図３】実施例においてトラップ装置を並列接続する構
成例を示す図である。
【図４】第１の実施例によるトラップ装置の構成を示す
縦断面図である。
【図５】第２の実施例によるトラップ装置の構成を示す
縦断面図である。
【図６】第２の実施例のトラップ装置におけるトラップ
板の構成を示す平面図である。
【図７】第３の実施例によるトラップ装置の構成を示す
縦断面図である。
【図８】第３の実施例によるトラップ装置の構成を示す
上面図である。
【図９】第３の実施例のトラップ装置におけるトラップ
板の配置構成を示す横断面図である。
【図１０】第４の実施例によるトラップ装置の構成を示
す縦断面図である。
【図１１】第４の実施例のトラップ装置におけるトラッ
プ板および支持部材の構成を示す平面図である。
【図１２】第４の実施例によるトラップ装置の構成を示
す上面図である。
【図１３】第４の実施例によるトラップ装置内の回収作
業時の構成を示す縦断面図である。
【符号の説明】
１０ 処理室 １２ 原料ガス供給部 １４ 真空排気部 １６ 載置台 ２４ ガス供給管 ２６ 真空ポンプ ２８ 高温トラップ装置 ３０ 低温トラップ装置 ３４，３６，３８ 排気管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 久保 謙一 山梨県韮崎市藤井町北下条2381番地の１ 東京エレクトロン山梨株式会社内 (72)発明者 有馬 進 山梨県韮崎市藤井町北下条2381番地の１ 東京エレクトロン山梨株式会社内 Ｆターム(参考） 4D002 AA28 AC10 BA05 BA12 BA13 CA20 EA05 FA10 GA01 GA03 GB03 HA03 4K030 AA11 BA01 EA12 EA13 FA10 JA10 KA22 KA26 KA28 KA49 LA15 4M104 BB04 DD44 DD45 5F033 HH11 PP02 PP11 WW03 XX34

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 減圧された室内で原料ガスを反応させ
    て、反応生成物を所定の処理に用いる処理室と、 前記処理室から未反応の原料ガスおよび１種類または複
    数種類の反応副生成物ガスを含む気体を排気して、室内
    を所定の圧力に真空引きするための真空ポンプと、 前記処理室と前記真空ポンプとの間の排気路に設けら
    れ、実質的に前記処理室からの未反応の原料ガスのみ
    を、かつその殆どを反応させて、反応生成物をトラップ
    するための第１のトラップ装置と、 前記真空ポンプの出側の排気路に設けられ、前記真空ポ
    ンプからの所定の反応副生成物ガスを凝縮させて、その
    反応副生成物をトラップするための第２のトラップ装置
    とを有する処理装置。
  2. 【請求項２】 減圧された室内で原料ガスが反応するよ
    うになされた処理室から未反応の原料ガスおよび１種類
    または複数種類の反応副生成物ガスを含む気体を排気し
    て、室内を所定の圧力に真空引きするための真空ポンプ
    と、 前記処理室と前記真空ポンプとの間の排気路に設けら
    れ、実質的に前記処理室からの未反応の原料ガスのみ
    を、かつその殆どを反応させて、反応生成物をトラップ
    するための第１のトラップ装置と、 前記真空ポンプの出側の排気路に設けられ、前記真空ポ
    ンプからの所定の反応副生成物ガスを凝縮させて、その
    反応副生成物をトラップするための第２のトラップ装置
    とを有する処理装置用真空排気システム。
  3. 【請求項３】 減圧された室内で有機銅化合物を含む原
    料ガスを反応させて、反応生成物である金属銅を被処理
    基板上に堆積させるＣＶＤ処理室と、 前記処理室から未反応の原料ガスおよび１種類または複
    数種類の反応副生成物ガスを含む気体を排気して、室内
    を所定の圧力に真空引きするための真空ポンプと、 前記処理室と前記真空ポンプとの間の排気路に設けら
    れ、実質的に前記処理室からの未反応の原料ガスのみ
    を、かつその殆どを反応させて、反応生成物である金属
    銅をトラップするための第１のトラップ装置と、 前記真空ポンプの出側の排気路に設けられ、前記真空ポ
    ンプからの所定の反応副生成物ガスを凝縮させて、その
    反応副生成物をトラップするための第２のトラップ装置
    とを有する減圧ＣＶＤ装置。
  4. 【請求項４】 減圧された室内で原料ガスであるＣｕ
    （I）ｈｆａｃＴＭＶＳが下記の化学式（１）のように
    反応して反応生成物であるＣｕ（0）が被処理基板上に
    堆積するようになされたＣＶＤ処理室から未反応のＣｕ
    （I）ｈｆａｃＴＭＶＳおよび反応副生成物ガスである
    気体状態のＣｕ（II）（ｈｆａｃ）2を含む気体を排気
    して、室内を所定の圧力に真空引きするためのドライポ
    ンプと、 ２Ｃｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳ→Ｃｕ（0）＋Ｃｕ（II）（ｈｆａｃ）2 ＋２ＴＭＶＳ ‥‥‥‥（１） 前記処理室と前記ドライポンプとの間の排気路に設けら
    れ、実質的に前記処理室からの未反応のＣｕ（I）ｈｆ
    ａｃＴＭＶＳのみを、かつその殆どを反応させて、反応
    生成物であるＣｕ（0）をトラップするための第１のト
    ラップ装置と、 前記ドライポンプの出側の排気路に設けられ、前記ドラ
    イポンプからの気体状態のＣｕ（II）（ｈｆａｃ）2
    を凝縮させて、Ｃｕ（II）（ｈｆａｃ）2 をトラップ
    するための第２のトラップ装置とを有する減圧ＣＶＤ装
    置用真空排気システム。
  5. 【請求項５】 前記第１のトラップ装置における反応温
    度が１８０〜３００゜Ｃの範囲内であることを特徴とす
    る請求項４に記載の減圧ＣＶＤ装置用真空排気システ
    ム。
  6. 【請求項６】 前記第１のトラップ装置が、前記Ｃｕ
    （I）ｈｆａｃＴＭＶＳと接触してＣｕ（0）を堆積させ
    るための銅からなるトラップ部材を有することを特徴と
    する請求項４または５に記載の減圧ＣＶＤ装置用真空排
    気システム。
  7. 【請求項７】 前記第１のトラップ装置が、２Ｃｕ
    （I）ｈｆａｃＴＭＶＳと接触してＣｕ（0）を堆積させ
    るための銅鍍金されたトラップ部材を有することを特徴
    とする請求項４または５に記載の減圧ＣＶＤ装置用真空
    排気システム。
  8. 【請求項８】 前記第２のトラップ装置においてＣｕ
    （II）（ｈｆａｃ）2を凝結させる温度が１５〜６０゜
    Ｃの範囲内であることを特徴とする請求項４に記載の減
    圧ＣＶＤ装置用真空排気システム。
  9. 【請求項９】 前記第２のトラップ装置が、Ｃｕ（II）
    （ｈｆａｃ）2 を凝着させるためのフッ素樹脂で被覆
    されたトラップ部を有することを特徴とする請求項４ま
    たは８に記載の減圧ＣＶＤ装置用真空排気システム。
  10. 【請求項１０】 所定のガス状物質を加熱して反応さ
    せ、反応生成物をトラップするためのトラップ装置であ
    って、 両端に開口部を有する筒状のハウジングと、 両端にガス導入部およびガス排出部をそれぞれ有し、前
    記ハウジングの一方の開口部に前記ガス導入部を位置さ
    せるとともに他方の開口部に前記ガス排出部を位置させ
    るように前記ハウジング内にいずれかの前記開口部を介
    して着脱可能に装着される筒状のトラップ本体と、 前記トラップ本体のガス導入部とガス排出部との間のガ
    ス流路に配置され、前記ガス導入部より導入された前記
    ガス状物質と接触して、前記反応生成物を堆積させるた
    めのトラップ部材と、 前記トラップ部材を所定の温度に加熱するための加熱手
    段とを具備することを特徴とするトラップ装置。
  11. 【請求項１１】 前記加熱手段が、前記トラップ本体の
    外周面と前記ハウジングの内璧面との間に配設されるこ
    とを特徴とする請求項１０に記載のトラップ装置。
  12. 【請求項１２】 所定の有機ガスを凝結させて、凝結し
    た有機化合物をトラップするためのトラップ装置であっ
    て、 ガス導入口とガス排出口とを有し、前記ガス導入口と前
    記ガス排出口との間にガス通路を設けてなるハウジング
    と、 前記ハウジング内で前記ガス通路に沿って配設され、前
    記ガス導入口より導入された前記有機ガスを凝着させる
    ための凝着面を有するトラップ部材と、 前記トラップ部材の凝着面の一部または全部に前記有機
    化合物を溶解させる薬液を供給するための薬液供給手段
    と、 前記有機化合物を溶解させた薬液を回収するための薬液
    回収手段とを具備することを特徴とするトラップ装置。
  13. 【請求項１３】 前記トラップ部材が、垂直方向に各々
    傾斜した凝着面を交互に反対側に向けるようにしてジグ
    ザク状に配置された複数のトラップ板を含み、 前記薬液供給手段が、最上部の前記トラップ板に前記薬
    液を与えるための薬液供給路を有し、 前記薬液供給手段の薬液供給路より最上部のトラップ板
    に供給された前記薬液が高い方から低い方に順次各トラ
    ップ板を伝わって流れ落ちるように構成されていること
    を特徴とする請求項１２に記載のトラップ装置。
  14. 【請求項１４】 前記薬液回収手段が、回収した前記薬
    液を前記薬液供給手段の薬液供給路に回送するための薬
    液回送手段を有することを特徴とする請求項１２に記載
    のトラップ装置。
  15. 【請求項１５】 前記トラップ部材が垂直方向に所定の
    間隔を置いて配置される複数のトラップ板を含み、 前記ハウジング内に前記複数のトラップ板をそれぞれの
    位置で着脱可能に支持するための支持部材が設けられ、 前記ハウジング内に前記支持部材より外されて落下した
    前記複数のトラップ板を収容する液体貯留可能なトラッ
    プ板収集部が設けられ、 前記薬液供給手段が前記ハウジングの内壁を伝わって前
    記トラップ板収集部に前記薬液を導くための薬液供給路
    を有し、 前記トラップ板収集部で前記複数のトラップ板が前記薬
    液に浸されるように構成されていることを特徴とする請
    求項１２に記載のトラップ装置。
  16. 【請求項１６】 前記薬液の供給中に前記トラップ部材
    を振動させるための超音波振動子を具備することを特徴
    とする請求項１１〜１５のいずれかに記載のトラップ装
    置。
  17. 【請求項１７】 前記トラップ部材に熱的に結合された
    媒体通路を設け、前記トラップ部材に前記有機ガスを凝
    着させる時は冷却用の媒体を前記媒体通路に流し、前記
    トラップ部材に凝着した前記有機化合物を前記薬液で溶
    解させる時は加温用の媒体を前記媒体通路に流すことを
    特徴とする請求項１１〜１６のいずれかに記載のトラッ
    プ装置。
JP11064633A 1999-03-11 1999-03-11 処理装置及び処理装置用真空排気システム及び減圧ｃｖｄ装置及び減圧ｃｖｄ装置用真空排気システム及びトラップ装置 Pending JP2000256856A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11064633A JP2000256856A (ja) 1999-03-11 1999-03-11 処理装置及び処理装置用真空排気システム及び減圧ｃｖｄ装置及び減圧ｃｖｄ装置用真空排気システム及びトラップ装置
KR1020000011449A KR100589924B1 (ko) 1999-03-11 2000-03-08 처리 장치, 처리 장치용 진공 배기 시스템, 감압 ｃｖｄ장치, 감압 ｃｖｄ 장치용 진공 배기 시스템 및 트랩 장치
TW089104381A TW460975B (en) 1999-03-11 2000-03-10 Treating device, vacuum exhaust system for treating device, evacuating CVD device, vacuum exhaust system for evacuating CVD device, and trapping device
US10/277,914 US6966936B2 (en) 1999-03-11 2002-10-23 Processing system, evacuating system for processing system, low-pressure CVD system, and evacuating system and trapping device for low-pressure CVD system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11064633A JP2000256856A (ja) 1999-03-11 1999-03-11 処理装置及び処理装置用真空排気システム及び減圧ｃｖｄ装置及び減圧ｃｖｄ装置用真空排気システム及びトラップ装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009059459A Division JP5133923B2 (ja) 2009-03-12 2009-03-12 トラップ装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000256856A true JP2000256856A (ja) 2000-09-19

Family

ID=13263879

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11064633A Pending JP2000256856A (ja) 1999-03-11 1999-03-11 処理装置及び処理装置用真空排気システム及び減圧ｃｖｄ装置及び減圧ｃｖｄ装置用真空排気システム及びトラップ装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6966936B2 (ja)
JP (1) JP2000256856A (ja)
KR (1) KR100589924B1 (ja)
TW (1) TW460975B (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005107922A1 (ja) * 2004-05-12 2005-11-17 Tokyo Electron Limited 排気捕集装置
JP2005324075A (ja) * 2004-05-12 2005-11-24 Tokyo Electron Ltd 排気捕集装置及びガス反応装置
WO2007088940A1 (ja) * 2006-02-02 2007-08-09 Tokyo Electron Limited 減圧処理装置
JP2013062362A (ja) * 2011-09-13 2013-04-04 Tokyo Electron Ltd 排気トラップ
JP2015080738A (ja) * 2013-10-21 2015-04-27 東京エレクトロン株式会社 トラップ装置及び基板処理装置
CN106637131A (zh) * 2015-11-04 2017-05-10 株式会社神户制钢所 使用硅原料的成膜装置
WO2019159634A1 (ja) * 2018-02-16 2019-08-22 株式会社日立製作所 付加製造装置
JP7457674B2 (ja) 2021-08-13 2024-03-28 日本電子株式会社 三次元積層造形装置

Families Citing this family (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030207021A1 (en) * 2000-04-28 2003-11-06 Hiroshi Izawa Deposited-film formation apparatus, deposited-film formation process, vacuum system, leak judgment method, and computer-readable recording medium with recorded leak-judgment- executable program
US6770145B2 (en) * 2000-12-11 2004-08-03 Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. Low-pressure CVD apparatus and method of manufacturing a thin film
KR100465821B1 (ko) * 2001-06-14 2005-01-13 김태곤 반도체 및 액정디스플레이 제조시 반응 부산물의 제거방법 및 이 방법을 수행하기 위한 장치
JP4166005B2 (ja) * 2001-08-10 2008-10-15 株式会社荏原製作所 トラップ装置および方法
JP4056829B2 (ja) * 2002-08-30 2008-03-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US6936086B2 (en) * 2002-09-11 2005-08-30 Planar Systems, Inc. High conductivity particle filter
US7335396B2 (en) * 2003-04-24 2008-02-26 Micron Technology, Inc. Methods for controlling mass flow rates and pressures in passageways coupled to reaction chambers and systems for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers
US7344755B2 (en) * 2003-08-21 2008-03-18 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for processing microfeature workpieces; methods for conditioning ALD reaction chambers
US7235138B2 (en) * 2003-08-21 2007-06-26 Micron Technology, Inc. Microfeature workpiece processing apparatus and methods for batch deposition of materials on microfeature workpieces
US7056806B2 (en) * 2003-09-17 2006-06-06 Micron Technology, Inc. Microfeature workpiece processing apparatus and methods for controlling deposition of materials on microfeature workpieces
US7044997B2 (en) * 2003-09-24 2006-05-16 Micron Technology, Inc. Process byproduct trap, methods of use, and system including same
US7647886B2 (en) * 2003-10-15 2010-01-19 Micron Technology, Inc. Systems for depositing material onto workpieces in reaction chambers and methods for removing byproducts from reaction chambers
US7258892B2 (en) * 2003-12-10 2007-08-21 Micron Technology, Inc. Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, e.g., CVD deposition
GB2413293A (en) * 2004-04-20 2005-10-26 Boc Group Plc Method of treating an effluent stream
US8133554B2 (en) 2004-05-06 2012-03-13 Micron Technology, Inc. Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces
US7699932B2 (en) 2004-06-02 2010-04-20 Micron Technology, Inc. Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces
KR101158866B1 (ko) * 2004-06-30 2012-06-25 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치의 제조 장치
DE202004019361U1 (de) * 2004-12-15 2005-04-07 Berbel Ablufttechnik Gmbh Vorrichtung zur Abscheidung von dampfförmigen Stoffen oder Aerosolen
GB0504312D0 (en) * 2005-03-02 2005-04-06 Boc Group Plc Trap device
GB0505674D0 (en) * 2005-03-22 2005-04-27 Boc Group Plc Trap device
US20070109912A1 (en) * 2005-04-15 2007-05-17 Urquhart Karl J Liquid ring pumping and reclamation systems in a processing environment
US20070051242A1 (en) * 2005-09-08 2007-03-08 Petrik Viktor I Configurations and methods for assisted condensation
CN100445203C (zh) 2005-09-15 2008-12-24 清华大学 碳纳米管制备装置及方法
US20080206445A1 (en) * 2007-02-22 2008-08-28 John Peck Selective separation processes
JP5128168B2 (ja) * 2006-04-24 2013-01-23 三菱電線工業株式会社 排気装置
US20080072929A1 (en) * 2006-09-22 2008-03-27 White John M Dilution gas recirculation
US20080072822A1 (en) * 2006-09-22 2008-03-27 White John M System and method including a particle trap/filter for recirculating a dilution gas
JP2008082285A (ja) * 2006-09-28 2008-04-10 Techno Takatsuki Co Ltd エアポンプの集塵機構
JP5023646B2 (ja) * 2006-10-10 2012-09-12 東京エレクトロン株式会社 排気系、捕集ユニット及びこれを用いた処理装置
US20080124670A1 (en) * 2006-11-29 2008-05-29 Frank Jansen Inductively heated trap
KR100806113B1 (ko) * 2006-12-26 2008-02-21 주식회사 코윈디에스티 박막증착 장치의 원료가스 공급장치 및 잔류가스 처리장치및 그 방법
JP5133013B2 (ja) * 2007-09-10 2013-01-30 東京エレクトロン株式会社 成膜装置の排気系構造、成膜装置、および排ガスの処理方法
KR100928182B1 (ko) * 2007-10-22 2009-11-25 정치영 방전판 및 초음파진동자를 이용하여 파우더를 포집할 수있는 300㎜ 디퓨젼 플랜지
US8114194B2 (en) * 2008-06-24 2012-02-14 On Site Gas Systems, Inc. Gas separation vessel with internal partition
US8512452B2 (en) 2008-08-19 2013-08-20 Tel Solar Ag Hot-trap assembly for trapping unreacted gas by-products
JP2010189693A (ja) * 2009-02-17 2010-09-02 Tokyo Electron Ltd Ｃｕ膜の成膜方法および記憶媒体
CN102341902A (zh) 2009-03-03 2012-02-01 东京毅力科创株式会社 载置台结构、成膜装置和原料回收方法
KR101132605B1 (ko) * 2009-03-13 2012-04-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 트랩 장치, 기판 처리 장치의 제어 방법 및 트랩 장치의 제어 방법
DE102009055638A1 (de) * 2009-11-25 2011-05-26 Oerlikon Leybold Vacuum Gmbh Heißfallenanordnung
JP5254279B2 (ja) * 2010-06-29 2013-08-07 東京エレクトロン株式会社 トラップ装置及び基板処理装置
KR101597008B1 (ko) 2010-08-05 2016-02-23 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 배기 시스템
US8500884B2 (en) * 2010-09-27 2013-08-06 Uop Llc Vessel and process pertaining to an impermeable impingement plate
US9617087B2 (en) 2010-10-28 2017-04-11 General Electric Technology Gmbh Control valve and control valve system for controlling solids flow, methods of manufacture thereof and articles comprising the same
US9557115B2 (en) * 2010-10-28 2017-01-31 General Electric Technology Gmbh Orifice plate for controlling solids flow, methods of use thereof and articles comprising the same
US8404028B2 (en) * 2011-01-18 2013-03-26 International Business Machines Corporation Vacuum trap labyrinth
US8597429B2 (en) * 2011-01-18 2013-12-03 Nuflare Technology, Inc. Manufacturing apparatus and method for semiconductor device
JP5921168B2 (ja) * 2011-11-29 2016-05-24 株式会社日立国際電気 基板処理装置
US9057388B2 (en) * 2012-03-21 2015-06-16 International Business Machines Corporation Vacuum trap
EP2968705B1 (en) 2013-03-14 2022-06-29 3M Innovative Properties Company A fluid collection canister with integrated moisture trap
JP6468884B2 (ja) * 2014-04-21 2019-02-13 東京エレクトロン株式会社 排気システム
KR102477302B1 (ko) * 2015-10-05 2022-12-13 주성엔지니어링(주) 배기가스 분해기를 가지는 기판처리장치 및 그 배기가스 처리방법
US11255606B2 (en) * 2015-12-30 2022-02-22 Mattson Technology, Inc. Gas flow control for millisecond anneal system
JP2019514222A (ja) * 2016-04-13 2019-05-30 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 排気冷却用装置
JP6479080B2 (ja) * 2017-03-30 2019-03-06 本田技研工業株式会社 ブリーザ装置
JP6918146B2 (ja) * 2017-05-19 2021-08-11 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 液体および固体の排出物を収集して後に反応させて気体の排出物にする装置
WO2019116082A1 (en) * 2017-12-14 2019-06-20 Arcelormittal Vacuum deposition facility and method for coating a substrate
US10675581B2 (en) * 2018-08-06 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Gas abatement apparatus
KR20210116703A (ko) * 2019-02-13 2021-09-27 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 단일 및 다중 프로세스 챔버 유동 스트림 공유를 위한 진공 펌프들
KR102209205B1 (ko) * 2019-08-21 2021-02-01 주식회사 미래보 반도체 공정용 유로방향 전환식 반응부산물 포집장치
CN110453199B (zh) * 2019-09-11 2024-04-23 光驰科技(上海)有限公司 一种原子层沉积设备用工艺残余气体的过滤装置
US11583793B2 (en) 2019-10-08 2023-02-21 Utica Leaseco, Llc Gas trap system having a conical inlet condensation region
TW202203344A (zh) * 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20220063799A (ko) 2020-11-09 2022-05-18 삼성전자주식회사 부산물 포집 장치 및 부산물 포집 방법
KR102228180B1 (ko) * 2021-01-21 2021-03-16 주식회사 미래보 유기막 증착 공정 시 발생하는 반응 부산물 포집 장치
CN115410941A (zh) * 2021-05-28 2022-11-29 中微半导体设备(上海)股份有限公司 控温部件、控温装置及反应腔温控方法
CN115083871B (zh) * 2022-07-26 2022-12-02 江苏邑文微电子科技有限公司 蚀刻设备和蚀刻方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2396581A2 (fr) 1977-07-05 1979-02-02 Renault Cabine de peinture comportant un dispositif de recuperation
US4372759A (en) 1981-08-28 1983-02-08 United Technologies Corporation Electrolyte vapor condenser
JPS62257732A (ja) * 1986-05-02 1987-11-10 Hitachi Ltd 表面処理方法
US4940213A (en) * 1987-08-24 1990-07-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Exhaust processing apparatus
FR2623728B1 (ja) * 1987-11-30 1990-04-06 Air Liquide
US5422081A (en) * 1992-11-25 1995-06-06 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Trap device for vapor phase reaction apparatus
KR960000138Y1 (ko) * 1993-05-13 1996-01-04 금성일렉트론 주식회사 저압화학기상증착 시스템의 부산물 제거장치
KR0114991Y1 (ko) * 1994-07-15 1998-04-15 김주용 엘피씨브디(lpcvd) 공정튜브
US5567215A (en) 1994-09-12 1996-10-22 The Babcock & Wilcox Company Enhanced heat exchanger flue gas treatment using steam injection
JP3246708B2 (ja) * 1995-05-02 2002-01-15 東京エレクトロン株式会社 トラップ装置及びこれを用いた未反応処理ガス排気機構
JPH09202973A (ja) * 1996-01-24 1997-08-05 Tokyo Electron Ltd 成膜処理装置の排気システム構造
US6332925B1 (en) * 1996-05-23 2001-12-25 Ebara Corporation Evacuation system
US5928426A (en) * 1996-08-08 1999-07-27 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for treating exhaust gases from CVD, PECVD or plasma etch reactors
US6156107A (en) * 1996-11-13 2000-12-05 Tokyo Electron Limited Trap apparatus
JP3991375B2 (ja) * 1996-11-13 2007-10-17 東京エレクトロン株式会社 トラップ装置
US6051053A (en) * 1996-12-16 2000-04-18 Ebara Corporation Trapping device and method of operation therefor
US6099649A (en) 1997-12-23 2000-08-08 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition hot-trap for unreacted precursor conversion and effluent removal
JP2000070664A (ja) * 1998-06-18 2000-03-07 Kokusai Electric Co Ltd 加熱型トラップ装置および成膜装置
US6554879B1 (en) * 1999-08-03 2003-04-29 Ebara Corporation Trap apparatus

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8057564B2 (en) 2004-05-12 2011-11-15 Tokyo Electron Limited Exhaust trap device
JP2005324075A (ja) * 2004-05-12 2005-11-24 Tokyo Electron Ltd 排気捕集装置及びガス反応装置
JP2005327761A (ja) * 2004-05-12 2005-11-24 Tokyo Electron Ltd 排気捕集装置
WO2005107922A1 (ja) * 2004-05-12 2005-11-17 Tokyo Electron Limited 排気捕集装置
US7537628B2 (en) 2004-05-12 2009-05-26 Tokyo Electron Limited Exhaust trap device
JP4642379B2 (ja) * 2004-05-12 2011-03-02 東京エレクトロン株式会社 排気捕集装置
WO2007088940A1 (ja) * 2006-02-02 2007-08-09 Tokyo Electron Limited 減圧処理装置
JP2013062362A (ja) * 2011-09-13 2013-04-04 Tokyo Electron Ltd 排気トラップ
JP2015080738A (ja) * 2013-10-21 2015-04-27 東京エレクトロン株式会社 トラップ装置及び基板処理装置
KR20150045906A (ko) * 2013-10-21 2015-04-29 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 트랩 장치 및 기판 처리 장치
KR102301024B1 (ko) * 2013-10-21 2021-09-09 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 트랩 장치 및 기판 처리 장치
CN106637131A (zh) * 2015-11-04 2017-05-10 株式会社神户制钢所 使用硅原料的成膜装置
KR101907753B1 (ko) * 2015-11-04 2018-12-07 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 실리콘 원료를 사용하는 성막 장치
WO2019159634A1 (ja) * 2018-02-16 2019-08-22 株式会社日立製作所 付加製造装置
JP7457674B2 (ja) 2021-08-13 2024-03-28 日本電子株式会社 三次元積層造形装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20000062779A (ko) 2000-10-25
US20030037730A1 (en) 2003-02-27
TW460975B (en) 2001-10-21
US6966936B2 (en) 2005-11-22
KR100589924B1 (ko) 2006-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2000256856A (ja) 処理装置及び処理装置用真空排気システム及び減圧ｃｖｄ装置及び減圧ｃｖｄ装置用真空排気システム及びトラップ装置
US6099649A (en) Chemical vapor deposition hot-trap for unreacted precursor conversion and effluent removal
TWI415188B (zh) 半導體製程用之捕集單元
US7387968B2 (en) Batch photoresist dry strip and ash system and process
KR101684755B1 (ko) 트랩 기구, 배기계 및 성막 장치
US6488745B2 (en) Trap apparatus and method for condensable by-products of deposition reactions
KR970018008A (ko) Cvd 시스템 진공 라인의 세척 방법 및 장치
KR20010034942A (ko) 화학기상증착(ｃｖｄ) 장치
JP5133923B2 (ja) トラップ装置
US11306971B2 (en) Heat exchanger with multistaged cooling
JP3171593B2 (ja) トラップ装置
JP2001131748A (ja) トラップ装置及びトラップ方法
US11221182B2 (en) Apparatus with multistaged cooling
JP4357821B2 (ja) 基板処理装置
JP3275044B2 (ja) 乾燥処理装置
JP2943794B1 (ja) ガス処理装置
JP4772294B2 (ja) 排気捕集装置及びガス反応装置
TWI777373B (zh) 鈷-碳氣體捕集裝置及其方法
JPH08298234A (ja) 真空処理装置及びその運転方法
US20240145265A1 (en) Process fluid treatment apparatus, and wafer cleaning apparatus and semiconductor manufacturing equipment including same
JP2001167998A (ja) レジスト剥離装置
WO2012117943A1 (ja) 被処理基板処理用ハロゲン除去装置、被処理基板処理装置、および被処理基板処理方法
JP4452345B2 (ja) 金属・有機ガススクラバー
JP2003260301A (ja) 化学処理液の濃縮方法およびこれに使用する装置
JP2001007030A (ja) 半導体装置の製造方法および半導体製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060310

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20081202

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090120

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090616