JP3275044B2 - 乾燥処理装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、乾燥処理装置に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の乾燥処理装置として、水
を気化潜熱の少ない有機溶剤（イソプロピル アルコー
ル；Ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ Ａｌｃｏｈｏｌ：以下にＩＰ
Ａという）と置換した後、ＩＰＡの蒸気で加熱して乾燥
する乾燥処理装置が知られている。

【０００３】この乾燥処理装置は、図８に示すように、
処理液例えばＩＰＡの蒸気を発生する蒸気発生部１０
と、この蒸気発生部１０から発生される蒸気と被処理体
例えば半導体ウエハＷ（以下にウエハという）とを接触
させる処理室２０と、処理室２０を通過するＩＰＡの蒸
気を凝縮する冷却部３０とで主に構成されている。この
場合、上記蒸気発生部１０は、ＩＰＡを貯留する液溜１
１の下部にヒータ１２を配置してなる。また、上記処理
室２０に、ウエハＷを適宜間隔をおいて保持する複数の
保持棒２１を横架し、保持されたウエハＷの下方に、処
理に供されたＩＰＡの液滴を受止める受皿２２が配置さ
れている。また、冷却部３０は、処理室２０の上方の内
壁に沿って配管される冷却蛇管にて形成されており、こ
の冷却蛇管中に供給される冷媒と処理室２０を通過する
蒸気とを熱交換させて凝縮し、凝縮されたＩＰＡを樋部
３１で受止めるように構成されている。

【０００４】上記のように構成される乾燥処理装置にお
いて、蒸気発生部１０のヒータ１２により液溜１１中の
ＩＰＡを加熱することによってＩＰＡの蒸気を発生さ
せ、その蒸気を処理室２０内に保持されたウエハＷに接
触させると、ウエハＷ表面に付着する水分などは、ウエ
ハＷ表面に接触したＩＰＡ蒸気が凝縮して形成されるＩ
ＰＡの液滴に溶解されて受皿２２上に落下して除去され
る。この現象がウエハＷが蒸気雰囲気とほぼ等しい温度
になるまで繰り返されることによってウエハＷに付着さ
れた水滴などの水分が除去され、清浄な乾燥状態とな
る。

【０００５】また、別の乾燥処理装置として、蒸気発生
部と処理室とを管体を介して連通し、蒸気発生部で発生
された蒸気を管体を介して処理室の上方から供給する構
造のものも知られている（特開昭６２−９３９４４号、
特開平４−１５５９２３号公報参照）。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、この種の乾
燥処理装置の乾燥性能は、構造や蒸気発生量に大きく影
響されるため、乾燥性能を高めるためには、加熱温度が
限られるためにヒータ面積を大きくすると共に、処理空
間を大きくする必要がある。しかし、処理空間を大きく
すると、ウエハＷ間への蒸気の流れが悪くなる上、ＩＰ
Ａの消費量が多くなり、乾燥能率が低下するばかりか、
コストが嵩むという問題があった。また、ウエハＷ表面
にパーティクルが付着したり、ウォターマークが発生し
て製品歩留まりの低下をきたすというという問題があっ
た。

【０００７】また、前者すなわち図８に示す乾燥処理装
置においては、処理済みの蒸気が凝固して蒸気発生部に
落下し、ＩＰＡに混入された水分が水蒸気となってウエ
ハＷ表面に付着する虞れがあり、製品歩留まりの低下を
きたすという問題があった。これに対して、後者すなわ
ち蒸気発生部と処理室とを別個に設けた構造のものにお
いては、処理済みのＩＰＡが凝固して蒸気発生部に落下
するという問題はないが、蒸気発生部で発生したＩＰＡ
蒸気を処理室の上方から供給する方式であるため、ウエ
ハＷ間に蒸気を流してウエハＷ表面に十分に蒸気を接触
させるためには多くの蒸気量が必要となり、ＩＰＡの使
用量の削減を図ることができないという問題がある。

【０００８】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、少ない処理液の蒸気を有効に利用して被処理体と処
理液の蒸気とを接触させて、被処理体を乾燥する乾燥処
理装置を提供することを目的とするものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第１の乾燥処理装置は、処理液の蒸気を
発生させる蒸気発生部と、この蒸気発生部から発生され
る蒸気と被処理体とを接触させる処理室とを有する乾燥
処理装置を前提とし、前記処理室を蒸気発生部よりも狭
く形成し、前記蒸気発生部と処理室との間に、蒸気発生
部から発生される蒸気を前記被処理体側に案内する案内
壁を設け、前記案内壁の先端部に垂下片を設けてなるこ
とを特徴とするものである（請求項１）。

【００１０】また、この発明の第２の乾燥処理装置は、
前記第１の乾燥処理装置と同様に、処理液の蒸気を発生
させる蒸気発生部と、この蒸気発生部から発生される蒸
気と被処理体とを接触させる処理室とを有する乾燥処理
装置を前提とし、前記処理室内に、この処理室内に供給
される蒸気を前記被処理体側に圧送するガスの噴射手段
を設けたことを特徴とするものである（請求項２）。

【００１１】この発明の乾燥処理装置において、前記処
理室内に蒸気の凝縮処理液を回収する未処理液回収部を
設けると共に、この未処理液回収部と蒸気発生部とを、
濾過手段を介設する回収管にて接続する方が好ましい
（請求項３）。また、処理に供された蒸気の凝縮処理液
の回収部を設け、前記回収部と前記蒸気発生部とを接続
する回収管路中に、凝縮液の気液分離手段及び分離され
た気体中の不純物を除去する不純物除去手段を介設して
なる方が好ましい（請求項４）。

【００１２】また、この発明の第３の乾燥処理装置は、
前記第１及び第２の乾燥処理装置と同様に、処理液の蒸
気を発生させる蒸気発生部と、この蒸気発生部から発生
される蒸気と被処理体とを接触させる処理室とを有する
乾燥処理装置を前提とし、前記蒸気発生部と処理室の側
部とを管体を介して連通すると共に、処理室の側部と対
向する側部に排気手段を接続し、前記処理室内に蒸気の
凝縮処理液を回収する未処理液回収部を設けると共に、
この未処理液回収部と蒸気発生部とを、濾過手段を介設
する回収管にて接続し、処理に供された蒸気の凝縮処理
液の回収部を設け、前記回収部と前記蒸気発生部とを接
続する回収管路中に、凝縮液の気液分離手段及び分離さ
れた気体中の不純物を除去する不純物除去手段を介設し
てなることを特徴とするものである（請求項５）。

【００１３】

【作用】上記のように構成されるこの発明の乾燥処理装
置によれば、処理室を蒸気発生部よりも狭く形成し、蒸
気発生部と処理室との間に、蒸気発生部から発生される
蒸気を被処理体側に案内する案内壁を設けることによ
り、蒸気発生部で発生された蒸気を、蒸気発生部よりも
狭く形成された処理室内に配設された被処理体側に積極
的に流すことができ、被処理体と蒸気とを十分に接触さ
せることができる。また、案内壁の先端部に垂下片を設
けることにより、案内壁に沿って流れる蒸気の衝突を防
止することができると共に、蒸気の流れに被処理体側へ
の方向性をもたせることができる（請求項１）。

【００１４】また、処理室内に、この処理室内に供給さ
れる蒸気を被処理体側に圧送するガスの噴射手段を設け
ることにより、蒸気発生部で発生された蒸気をガス噴射
手段から噴射されたガスによって積極的に被処理体側に
流すことができ、被処理体と蒸気とを十分に接触させる
ことができる（請求項２）。

【００１５】また、前記処理室内に蒸気の凝縮処理液を
回収する未処理液回収部を設けると共に、この未処理液
回収部と蒸気発生部とを、濾過手段を介設する回収管に
て接続することにより、処理室を通過する未処理の蒸気
の凝縮処理液を未処理液回収部で回収した後、その未処
理液中の異物を除去して蒸気発生部に戻すことができる
（請求項３）。

【００１６】また、処理に供された蒸気の凝縮処理液の
回収部を設け、この回収部と蒸気発生部とを接続する回
収管路中に、凝縮液の気液分離手段及び分離された気体
中の不純物を除去する不純物除去手段を介設することに
より、処理に供された水分を含む凝縮処理液から水分を
除去した後の気体中から金属成分等の不純物を除去する
ことができる。したがって、処理液を再利用することが
でき、処理液の有効利用を図ることができる（請求項
４）。

【００１７】また、蒸気発生部と処理室の側部とを管体
を介して連通すると共に、処理室の側部と対向する側部
に排気手段を接続することにより、蒸気発生部で発生し
た蒸気を被処理体に接触させた後に排気することがで
き、処理に供した処理液が蒸気発生部に戻るのを防止す
ることができる。また、処理室内に蒸気の凝縮処理液を
回収する未処理液回収部を設けると共に、この未処理液
回収部と蒸気発生部とを、濾過手段を介設する回収管に
て接続することにより、処理に供されない蒸気中の処理
液を再利用に供することができる。また、処理に供され
た蒸気の凝縮処理液の回収部を設け、この回収部と蒸気
発生部とを接続する回収管路中に、凝縮液の気液分離手
段及び分離された気体中の不純物を除去する不純物除去
手段を介設することにより、処理に供された水分を含む
凝縮処理液から水分を除去した後の気体中から金属成分
等の不純物を除去することができる。したがって、処理
液を再利用することができ、処理液の有効利用を図るこ
とができる（請求項５）。

【００１８】

【実施例】以下に、この発明の実施例を図面を用いて詳
細に説明する。この実施例では半導体ウエハの乾燥処理
装置に適用した場合について説明する。なお、図８に示
した従来の乾燥処理装置と同じ部分には同一符号を付し
て説明する。

【００１９】◎第一実施例 図１はこの発明の第一実施例の乾燥処理装置の断面図、
図２はその一部断面斜視図が示されている。

【００２０】この発明の乾燥処理装置は、処理液例えば
ＩＰＡの蒸気を発生する蒸気発生部１０と、この蒸気発
生部１０から発生される蒸気と被処理体例えば半導体ウ
エハＷ（以下にウエハという）とを接触させる処理室２
０と、処理室２０を通過するＩＰＡの蒸気を凝縮する冷
却部３０とで主に構成されており、蒸気発生部１０と処
理室２０との間に、蒸気発生部１０で発生した蒸気を処
理室２０内に配置されるウエハＷ側に向けて案内する案
内壁４０を具備してなる。

【００２１】この場合、蒸気発生部１０は、ＩＰＡ等の
処理液を貯留する液溜１１の下部にヒータ１２を配置し
た構造となっており、この蒸気発生部１０の上部開口側
が狭くなって開口しており、この開口端から起立するよ
うに処理室２０の側壁２３が連なっている。また、上記
処理室２０には、適宜間隔をおいて保持溝（図示せず）
を有する互いに平行な複数の保持棒２１が横架されてお
り、これら保持棒２１にて例えば５０枚のウエハＷが適
宜間隔をおいて保持されるようになっている。保持棒２
１の下方には、液溜１１から起立する支柱２４によって
支持される樋状の受皿２２が配置されており、この受皿
２２によって処理に供されたＩＰＡの液滴を受止めるこ
とができるようになっている。この受皿２２の底部には
ドレン孔２５を介してドレン管２６が配設されて、受皿
２２に溜った処理済みの凝縮処理液を外部に排出し得る
ように構成されている。

【００２２】また、蒸気発生部１０の両側の開口端から
処理室２０内に向って傾斜状に一対の案内壁４０が設け
られており、この案内壁４０によって蒸気発生部１０で
発生されたＩＰＡの蒸気が保持棒２１で保持されたウエ
ハＷ側に向って積極的に案内されるようになっいてる。
この場合、案内壁４０の先端には垂下片４１が設けられ
ており、この垂下片４１によって両案内壁４０に沿って
流れる蒸気の衝突を避けることができると共に、蒸気の
流れにウエハＷ側への方向性をもたせることができる。
また、案内壁４０の先端部及び垂下片４１を受皿２２の
上方側に位置させることによって、処理済みの凝縮処理
液が案内壁４０を伝わって液溜１１内に落下するのを防
止することができる。一方、案内壁４０は処理室２０の
側壁２３と共働して樋部４２を構成しており、この樋部
４２によって処理済みの凝縮処理液を受止めることがで
きるようになっている。なお、樋部４２に設けられたド
レン孔４３にドレン管４４が接続されている。

【００２３】一方、冷却部３０は、処理室２０の上方の
内壁に沿って配管される冷却蛇管にて形成されており、
この冷却蛇管中に供給される冷媒と処理室２０を通過す
る蒸気とを熱交換させて凝縮して、処理室２０内にＩＰ
Ａの蒸気を充満させるようにしている。また、冷却蛇管
の下方の側壁３２には、処理室２０を通過する未処理の
蒸気の凝縮されたＩＰＡを回収する未処理液回収用樋部
３３（未処理液回収部）が全周に渡って設けられてい
る。この樋部３３の適宜位置には排液口３４が設けられ
ており、この排液口３４と蒸気発生部１０の液溜１１と
が濾過手段としてのフィルタ３５を介設する回収管３６
にて接続されている。したがって、処理室２０を通過す
る未処理の蒸気が冷却部３０で冷却され、凝縮されて液
滴となって樋部３３に受止められた後、その未処理液は
フィルタ３５によって例えばパーティクル（異物）が除
去されて液溜１１に戻されて、再利用に供することがで
きる。

【００２４】次に、上記のように構成されるこの発明の
乾燥処理装置を用いてウエハＷを乾燥する手順について
説明する。まず、図示しないウエハ搬送手段によって例
えば５０枚のウエハＷを処理室２０の保持棒２１上に保
持する。次に、ヒータ１２を通電して液溜１１中のＩＰ
Ａを加熱して蒸発させると、蒸発したＩＰＡの蒸気は上
昇し、中央部の蒸気はそのまま上昇してウエハＷ側に流
れ、両側の蒸気は案内壁４０に沿って流れると共に垂下
片４１によってウエハＷ側に向きを変えて流れ、ウエハ
Ｗ間に流れ込んだ蒸気はウエハＷに接触する。ウエハＷ
表面に接触した蒸気は凝縮して液滴となり、ウエハＷ表
面に付着する水分などを液滴に溶解して除去した後、受
皿２２上に落下する。受皿２２上に落下した凝縮処理液
はドレン管２６を介して外部へ排出される。この現象が
ウエハＷが蒸気雰囲気とほぼ等しい温度になるまで繰り
返されることによってウエハＷに付着された水滴などの
水分が除去され、清浄な乾燥状態となる。一方、処理室
２０を通過する蒸気は、冷却部３０の冷却蛇管内を流れ
る冷媒と熱交換して凝縮されることにより、処理室２０
内の蒸気の上昇を鈍らせて処理室２０内に蒸気雰囲気を
作る。そして、凝縮された未処理の凝縮処理液は、未処
理液回収用樋部３３に受け止められた後、回収管３６を
介して液溜１１に戻される際、フィルタ３５によって凝
縮処理液中の金属成分等の不純物が除去され、再利用に
供される。

【００２５】◎第二実施例 図３はこの発明の乾燥処理装置の第二実施例の断面図が
示されている。第二実施例の乾燥処理装置は処理室２０
内に流れ込んだ蒸気を案内壁４０以外の案内手段によっ
てウエハＷ側に積極的に案内させるようにした場合であ
る。

【００２６】すなわち、処理室２０における両側壁２３
側に例えばチューブに適宜間隔をおいて複数のノズル孔
を穿設したガスの噴射手段例えばガス噴射ノズル５０を
配設し、このガス噴射ノズル５０に例えば窒素（Ｎ2 ）
ガス等の不活性ガスあるいはクリーンな空気等を供給し
て、ノズル孔からウエハＷ側に向けて噴射することによ
り、処理室２０内に流れた蒸気を積極的にウエハＷ側に
流してウエハＷと接触させるようにした場合である。

【００２７】このようにガス噴射ノズル５０を配設する
ことによって、上記第一実施例の案内壁４０を設ける必
要はないが、側壁２３を伝わって落下する処理済の処理
液を受け止めるための樋部４２を設ける必要があるの
で、上記第一実施例と同様に案内壁４０を設けておけ
ば、更に確実に蒸気をウエハＷ側に流すことができる点
で好ましい。なお、第二実施例において、その他の部分
は上記第一実施例と同じであるので、同一部分には同一
符号を付して、その説明は省略する。

【００２８】◎第三実施例 図４はこの発明の乾燥処理装置の第三実施例の断面図が
示されている。第三実施例の乾燥処理装置は、処理済み
の凝縮処理液を回収して再利用に供せるようにした場合
である。

【００２９】すなわち、処理済みの凝縮処理液を回収す
る受皿２２及び樋部４２のドレン管２６，４４（回収
管）を気液分離器６１（気液分離手段）と不純物除去器
６２（不純物除去手段）とからなるリサイクル装置６０
に接続し、リサイクル装置６０と蒸気発生部１０の液溜
１１とを回収管６３を介して接続して、凝縮処理液中の
水分の分離及び不純物の除去を行った後、生成されたＩ
ＰＡを液溜１１に回収するように構成した場合である。

【００３０】この場合、リサイクル装置６０の気液分離
器６１は、図５に示すように、処理済みの凝縮処理液を
供給する供給口６４を上部に有し、左右両側に分離され
た水分を排出する排水口６５と分離されたＩＰＡ排出口
６６を有するケース６７内に、気液分離用の中空糸膜６
８を配設した構造となっている。この気液分離器６１に
おいて、処理済みの凝縮処理液を加熱（例えば１３０
℃）すると共に加圧（例えば約２Ｋｇｆ／ｃｍ² ）し、
排水口６５に接続する図示しない真空装置によって真空
引き（例えば１０ｔｏｒｒ）することによって、処理済
みの凝縮処理液を水分とＩＰＡとに分離することができ
る。

【００３１】また、不純物除去器６２は、図５に示すよ
うに、上記気液分離器６１の排出口６６に接続する管路
６９を介してＩＰＡを収容するパン７０と、このパン７
０の下部からパン７０内のＩＰＡを加熱するヒータ７１
とからなる蒸発部７２と、蒸発部７２で蒸発されたＩＰ
Ａ蒸気を冷却する冷却管７３と、凝縮されたＩＰＡを受
け止める受樋７４とからなる凝縮部７５と、受樋７４と
乾燥処理装置の蒸気発生部１０の液溜１１とを接続する
回収管６３に介設される金属成分等の不純物除去用フィ
ルタ７６とで構成されている。

【００３２】なお、第三実施例において、その他の部分
は上記第一実施例及び第二実施例と同じであるので、同
一部分には同一符号を付して、その説明は省略する。

【００３３】上記のように構成される乾燥処理装置を用
いてウエハＷの乾燥を行うことにより、処理済みの凝縮
処理液をリサイクル装置６０で気液分離すると共に、不
純物を除去して再生することができ、ＩＰＡを再利用に
供することができる。また、処理に供されない未処理の
凝縮処理液は、冷却部３０で凝縮されて未処理液回収用
樋部３３に受け止められた後、回収管６３を介して液溜
１１に戻される際、フィルタ７６によって凝縮処理液中
の金属成分等の不純物が除去され、再利用に供される。
したがって、第三実施例の乾燥処理装置を用いることに
より、ＩＰＡを有効に使用することができると共に、資
源の有効利用を図ることができる。

【００３４】◎第四実施例 図６はこの発明の乾燥処理装置の第四実施例の断面図が
示されている。第四実施例の乾燥処理装置は、蒸気発生
部１０と処理室２０とを分離して配置して、ウエハＷの
乾燥処理を行えるようにした場合である。

【００３５】すなわち、蒸気発生部１０と処理室２０の
側壁２３ａに設けられた供給口８１とを管体８０を介し
て連通すると共に、側壁２３ａと対向する側壁２３ｂに
設けられた排気口８２に接続する排気管８３に排気手段
例えばを真空ポンプ８４を介設して、真空ポンプ８４の
駆動により、蒸気発生部１０で発生された蒸気を処理室
２０内に供給してウエハＷ間に接触させるようにした場
合である。

【００３６】また、第四実施例の乾燥処理装置におい
て、処理室２０の上部開口は蓋体８５によって閉塞され
ており、蓋体８５の下部側壁に周設された未処理液回収
用樋部３３と蒸気発生部１０の液溜１１とがフィルタ３
５を介設する第１の回収管３６ａを介して接続されてい
る。更に、排気管８３には処理済みのＩＰＡを回収する
トラップタンク８６が介設されており、このトラップタ
ンク８６と蒸気発生部１０の液溜１１とがリサイクル装
置６０を介設する第２の回収管８７を介して接続されて
いる。また、処理室２０の底部に接続するドレン管８８
（回収管）はリサイクル装置６０の供給部に接続されて
いる。したがって、トラップタンク８６に回収された処
理済みの凝縮処理液と、処理室２０の底部に溜った処理
済みの凝縮処理液をそれぞれ回収して再利用に供するこ
とができる。

【００３７】なお、第四実施例において、その他の部分
は上記第一実施例ないし第三実施例と同じであるので、
同一部分には同一符号を付して、その説明は省略する。

【００３８】上記のように構成されるこの発明の乾燥処
理装置は単独の装置として使用できることは勿論である
が、半導体ウエハ表面のパーティクル、有機汚染物、金
属不純物等のコンタミネーションを除去するための洗浄
処理システムに組込んで使用することができる。

【００３９】半導体ウエハの洗浄処理システムは、図７
に示すように、未処理のウエハＷを収容する搬入部１
と、ウエハＷの洗浄処理を行う洗浄処理部２と洗浄後の
ウエハＷを収容する搬出部３とで主要部が構成されてい
る。

【００４０】搬入部１は、洗浄処理前の所定枚数例えば
２５枚のウエハＷを収容するキャリア４ａを待機させる
待機部４と、キャリア４ａからのウエハＷの取り出し、
オリフラ合わせ及びウエハＷの枚数検出等を行うローダ
部５と、外部から搬送ロボットなどによって搬入される
キャリア４ａの待機部４への移送及びこの待機部４とロ
ーダ部５との間でキャリア４ａの移送を行うためのキャ
リア搬送アーム６とを具備してなる。

【００４１】洗浄処理部２には、搬入部１から搬出部３
に向かって直線状に順に、ウエハチャック８ｃを洗浄・
乾燥する第１のチャック洗浄・乾燥処理室７ａ、ウエハ
Ｗ表面の有機汚染物、金属不純物、パーティクル等の不
純物質を薬液によって洗浄処理する第１の薬液処理室７
ｂ、第１の薬液処理室７ｂで洗浄されたウエハＷを例え
ば純水によって洗浄する２つの水洗処理室７ｃ，７ｄ、
第１の薬液処理室７ｂの薬液とは異なる薬液で洗浄する
第２の薬液処理室７ｅ、第２の薬液処理室７ｅで洗浄さ
れたウエハＷを例えば純水によって洗浄する２つの水洗
処理室７ｆ，７ｇ、ウエハチャック８ｃを洗浄・乾燥す
る第２のチャック洗浄・乾燥処理室７ｈ及び上記不純物
質が除去されたウエハＷを蒸気乾燥させるこの発明の乾
燥処理装置を具備する乾燥処理室７ｉが配設されてい
る。

【００４２】また、洗浄処理部２の側方には、各処理室
７ａ〜７ｉに沿って配設された案内部８ａと、この案内
部８ａに装着されて水平（Ｘ方向）及び垂直（Ｚ方向）
に移動自在な３基のウエハ搬送ブロック８ｂとで構成さ
れるウエハ搬送装置８が設けられており、ウエハブロッ
ク１１に設けられたウエハチャック８ｃにて保持される
ウエハＷが各処理室７ａ〜７ｈに搬送された後、乾燥処
理室７ｉに搬送されて、上述のＩＰＡ蒸気によって乾燥
処理されるようになっている。

【００４３】なお、洗浄処理部２の上方には空キャリア
及び満杯キャリアを搬送するキャリア搬送部９ａが設け
られている。また、洗浄処理部２の背面側には薬液等の
処理液を収容するタンクや配管群を含む処理液・配管収
容室９ｂが設けられている。

【００４４】なお、上記実施例では、この発明の乾燥処
理装置を半導体ウエハの乾燥処理装置に適用した場合に
ついて説明したが、半導体ウエハ以外のガラス基板ある
いはＬＣＤ基板等の被処理体の乾燥処理装置にも適用で
きることは勿論である。

【００４５】

【発明の効果】以上に説明したようにこの発明の乾燥処
理装置によれば、上記のように構成されているので、以
下のような効果が得られる。

【００４６】１）請求項１記載の乾燥処理装置によれ
ば、蒸気発生部で発生された蒸気を、蒸気発生部よりも
狭く形成された処理室内に配設された被処理体側に積極
的に流すことができ、被処理体と蒸気とを十分に接触さ
せることができるので、製品歩留まりの向上及びスルー
プットの向上が図れる。また、案内壁の先端部に垂下片
を設けることにより、案内壁に沿って流れる蒸気の衝突
を防止することができると共に、蒸気の流れに被処理体
側への方向性をもたせることができるので、更に乾燥効
率の向上を図ることができる。

【００４７】２）請求項２記載の乾燥処理装置によれ
ば、蒸気発生部で発生された蒸気をガス噴射手段から噴
射されたガスによって積極的に被処理体側に流すことが
できるので、被処理体と蒸気とを十分に接触させること
ができ、製品歩留まりの向上及びスループットの向上が
図れる。

【００４８】３）請求項３記載の乾燥処理装置によれ
ば、処理室を通過する未処理の蒸気の凝縮処理液を未処
理液回収部で回収した後、その未処理液中の異物を除去
して蒸気発生部に戻すことができるので、前記１）及び
２）に加えて更に処理液を再利用することができると共
に、処理液の有効利用を図ることができる。

【００４９】４）請求項４記載の乾燥処理装置によれ
ば、処理に供された水分を含む凝縮処理液から水分を除
去した後の気体中から金属成分等の不純物を除去するこ
とができるので、処理液を再利用することができ、処理
液の有効利用を図ることができる。

【００５０】５）請求項５記載の乾燥処理装置によれ
ば、蒸気発生部で発生した蒸気を被処理体に接触させた
後に排気するので、処理に供した処理液が蒸気発生部に
戻るのを防止することができ、被処理体表面の乾燥処理
の不良を防止することができる。また、処理に供されな
い蒸気中の処理液を再利用に供することができるので、
処理液の有効利用が図れる。更に処理に供された水分を
含む凝縮処理液から水分を除去した後の気体中から金属
成分等の不純物を除去することができるので、処理液を
再利用することができ、処理液の有効利用を図ることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の乾燥処理装置の第一実施例を示す断
面斜視図である。

【図２】第一実施例の乾燥処理装置を示す断面図であ
る。

【図３】第二実施例の乾燥処理装置を示す断面図であ
る。

【図４】第三実施例の乾燥処理装置を示す断面図であ
る。

【図５】この発明におけるリサイクル装置の概略断面図
である。

【図６】第四実施例の乾燥装置を示す断面図である。

【図７】この発明の乾燥装置を具備する半導体ウエハの
洗浄処理システムを示す斜視図である。

【図８】従来の乾燥処理装置を示す断面図である。

【符号の説明】

Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） １０ 蒸気発生部 １１ 液溜 ２０ 処理室 ３３ 未処理液回収用樋部（未処理液回収部） ３５ フィルタ（濾過手段） ３６ 回収管 ３６ａ 第１の回収管 ４０ 案内壁 ４１ 垂下片 ４２ 樋部 ４４ ドレン管（回収管） ５０ ガス噴射ノズル（ガスの噴射手段） ６０ リサイクル装置 ６１ 気液分離器（気液分離手段） ６２ 不純物除去器（不純物除去手段） ６３ 回収管 ７６ フィルタ ８０ 管体 ８３ 排気管 ８４ 真空ポンプ（排気手段） ８７ 第２の回収管 ８８ ドレン管（回収管）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−62042（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−115724（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−95530（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−106630（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−346433（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−161623（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−105329（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/304

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理液の蒸気を発生させる蒸気発生部
   と、この蒸気発生部から発生される蒸気と被処理体とを
   接触させる処理室とを有する乾燥処理装置において、 前記処理室を蒸気発生部よりも狭く形成し、 前記蒸気発生部と処理室との間に、蒸気発生部から発生
   される蒸気を前記被処理体側に案内する案内壁を設け、 前記案内壁の先端部に垂下片を設けてなることを特徴と
   する乾燥処理装置。
2. 【請求項２】 処理液の蒸気を発生させる蒸気発生部
   と、この蒸気発生部から発生される蒸気と被処理体とを
   接触させる処理室とを有する乾燥処理装置において、 前記処理室内に、この処理室内に供給される蒸気を前記
   被処理体側に圧送するガスの噴射手段を設けたことを特
   徴とする乾燥処理装置。
3. 【請求項３】 請求項１又は２記載の乾燥処理装置にお
   いて、 前記処理室内に蒸気の凝縮処理液を回収する未処理液回
   収部を設けると共に、この未処理液回収部と蒸気発生部
   とを、濾過手段を介設する回収管にて接続してなること
   を特徴とする乾燥処理装置。
4. 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかに記載の乾
   燥処理装置において、 処理に供された蒸気の凝縮処理液の回収部を設け、 前記回収部と前記蒸気発生部とを接続する回収管路中
   に、凝縮液の気液分離手段及び分離された気体中の不純
   物を除去する不純物除去手段を介設してなることを特徴
   とする乾燥処理装置。
5. 【請求項５】 処理液の蒸気を発生させる蒸気発生部
   と、この蒸気発生部から発生される蒸気と被処理体とを
   接触させる処理室とを有する乾燥処理装置において、 前記蒸気発生部と処理室の側部とを管体を介して連通す
   ると共に、処理室の側部と対向する側部に排気手段を接
   続し、 前記処理室内に蒸気の凝縮処理液を回収する未処理液回
   収部を設けると共に、この未処理液回収部と蒸気発生部
   とを、濾過手段を介設する回収管にて接続し、 処理に供された蒸気の凝縮処理液の回収部を設け、 前記回収部と前記蒸気発生部とを接続する回収管路中
   に、凝縮液の気液分離手段及び分離された気体中の不純
   物を除去する不純物除去手段を介設してなることを特徴
   とする乾燥処理装置。