KR102081709B1 - 기판처리장치 및 약액냉각방법 - Google Patents

기판처리장치 및 약액냉각방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102081709B1
KR102081709B1 KR1020120110144A KR20120110144A KR102081709B1 KR 102081709 B1 KR102081709 B1 KR 102081709B1 KR 1020120110144 A KR1020120110144 A KR 1020120110144A KR 20120110144 A KR20120110144 A KR 20120110144A KR 102081709 B1 KR102081709 B1 KR 102081709B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cooling
chemical liquid
substrate processing
dissolved gas
substrate
Prior art date
Application number
KR1020120110144A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140044135A (ko
Inventor
이정환
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020120110144A priority Critical patent/KR102081709B1/ko
Publication of KR20140044135A publication Critical patent/KR20140044135A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102081709B1 publication Critical patent/KR102081709B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 약액을 사용하여 기판을 처리하고 그 사용된 약액을 냉각하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판처리장치는 약액을 이용하여 기판을 처리하는 기판처리부 및 상기 기판처리부에서 사용된 약액을 드레인시키는 드레인부를 포함하되, 상기 드레인부는 상기 기판처리부에 연결되는 회수라인 및 상기 회수라인에 설치되어 약액을 냉각하는 냉각부재를 포함하되, 상기 냉각부재는 내부에 약액이 유입되는 유입버퍼, 냉각공간, 그리고 약액이 유출되는 유출버퍼가 순차적으로 제공되는 탱크, 상기 냉각공간에 위치되며 약액이 흐르는, 그리고 상기 유입버퍼 및 상기 유출버퍼를 연결하는 복수 개의 냉각관, 그리고 상기 냉각공간으로 용해가스를 공급하는 가스공급유닛을 포함한다. 이로 인해 고온의 약액에 저온의 용해가스를 공급하여 약액을 신속하게 냉각할 수 있다.

Description

기판처리장치 및 약액냉각방법{Apparatus for treating substrate and Method for cooling solution}
본 발명은 약액을 사용하여 기판을 처리하고 그 사용된 약액을 냉각하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 그리고 박막 증착 등의 다양한 공정들이 수행된다. 각각의 공정이 진행되기 전 또는 후에는 각각의 공정에서 생성된 오염물 및 파티클을 제거하기 위해 기판을 세정하는 세정공정이 실시된다.
도1은 세정공정을 수행하는 일반적인 기판처리장치를 보여주는 단면도로서, 기판처리부(2)에서 사용된 약액은 드레인부(4)로 회수된다. 기판처리부(2)에서 사용되는 약액으로는 일반적으로 황산(H2SO4), 질산(HNO3), 암모니아(NH3), 불산(HF) 등이 사용된다. 특히 황산(H2SO4)은 공정 진행 시 발열반응으로 인해 높은 온도를 가진다. 이 같은 고온의 황산(H2SO4)은 드레인되는 중에 다른 장치를 손상시킬 우려가 있다. 이로 인해 드레인되는 약액의 온도를 낮추기 위해 약액이 드레인되는 경로에는 냉각부재가 설치된다. 냉각부재는 약액이 담겨지는 냉각탱크(5)와 케미칼을 냉각시키는 냉각유로(6)로 구성된다.
그러나 냉각유로(6)는 냉각유체가 흐르는 통로로서, 냉각탱크(6)에 담겨진 대량의 약액을 냉각시키기 위해 매우 많은 시간이 걸린다. 또한 약액을 냉각시키는 소요시간이 늘어나므로, 약액을 임시 저장하기 위한 냉각탱크(6)는 그 크기가 커질 수 밖에 없다.
한국 특허 공개번호 제10-1989-16979호
본 발명은 고온의 약액을 신속하게 냉각할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 고온의 약액을 냉각시키는 냉각부재의 크기를 최소화하고자 한다.
본 발명의 실시예는 약액을 사용하여 기판을 처리하고 그 사용된 약액을 냉각하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판처리장치는 약액을 이용하여 기판을 처리하는 기판처리부 및 상기 기판처리부에서 사용된 약액을 드레인시키는 드레인부를 포함하되, 상기 드레인부는 상기 기판처리부에 연결되는 회수라인 및 상기 회수라인에 설치되어 약액을 냉각하는 냉각부재를 포함하되, 상기 냉각부재는 내부에 약액이 유입되는 유입버퍼, 냉각공간, 그리고 약액이 유출되는 유출버퍼가 순차적으로 제공되는 탱크, 상기 냉각공간에 위치되며 약액이 흐르는, 그리고 상기 유입버퍼 및 상기 유출버퍼를 연결하는 복수 개의 냉각관, 그리고 상기 냉각공간으로 용해가스를 공급하는 가스공급유닛을 포함한다.
상기 냉각관은 중공사막으로 제공될 수 있다. 상기 냉각관들은 서로 병렬로 연결될 수 있다. 상기 가스공급유닛은 상기 용해가스가 저장되는 용해가스저장부, 상기 용해가스저장부 및 상기 냉각공간을 각각 연결하는 가스공급라인, 그리고 상기 용해가스가 상기 용해가스저장부에서 상기 냉각공간에 공급되도록 상기 가스공급라인을 가압하는 가압부재를 포함할 수 있다. 상기 탱크는 복수 개로 제공되고, 상기 탱크들은 서로 직렬로 연결될 수 있다. 상기 탱크는 복수 개로 제공되고, 상기 탱크들은 상기 회수라인에 대해 병렬로 연결될 수 있다.
기판처리부에서 사용된 약액을 냉각하여 드레인하는 방법은 드레인되는 상기 약액을 탱크의 냉각공간에 제공된 복수 개의 냉각관들로 공급하고, 상기 냉각공간에 용해가스를 공급하며, 상기 냉각관에 제공된 미공을 통해 상기 용해가스를 상기 냉각관의 내부에 유입하여 상기 약액을 냉각한다.
상기 용해가스는 드레인되는 상기 약액에 비해 낮은 온도로 제공될 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 고온의 약액에 저온의 용해가스를 공급하여 약액을 신속하게 냉각할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 냉각관은 복수 개로 제공되어 약액이 용해가스에 노출되는 단면적을 최대화할 수 있다
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 냉각관은 중공사막으로 제공되어 약액에 용해가스를 용이하게 제공할 수 있다.
도1은 일반적인 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도2는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리설비를 보여주는 평면도이다.
도3은 도2의 기판처리장치의 기판처리부를 보여주는 단면도이다.
도4는 도2의 기판처리장치의 드레인부를 보여주는 단면도이다.
도5는 도4의 냉각부재의 탱크를 선 a - a' 방향으로 절단한 단면도이다.
도6은 도4의 다른 실시예에 따른 드레인부를 보여주는 단면도이다.
도7은 도4의 또 다른 실시예에 따른 드레인부를 보여주는 단면도이다.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
이하, 도2 내지 도7을 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다.
도2는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리설비를 보여주는 평면도이다. 도2를 참조하면, 기판처리설비(1)는 인덱스모듈(10)과 공정처리모듈(20)을 가진다. 인덱스모듈(10)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 가진다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다.
로드포트(140)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착된다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드포트(120)의 개수는 공정처리모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판(W)들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(130)로는 전면개방일체형포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.
공정처리모듈(20)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 공정처리부(260)를 가진다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송챔버(240)의 양측에는 각각 기판처리부(300a)(260)들이 배치된다. 이송챔버(240)의 일측 및 타측에서 기판처리부(300a)(260)들은 이송챔버(240)를 기준으로 대칭되도록 제공된다. 이송챔버(240)의 일측에는 복수 개의 기판처리부(300a)(260)들이 제공된다. 공정처리부(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정처리부(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 공정처리부(260)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정처리부(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정처리부(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 공정처리부(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정처리부(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정처리부(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정처리부(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 공정처리부(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.
버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 마주보는 면 및 이송챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다.
이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정처리모듈(20)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정처리모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 공정처리부(260) 간에, 그리고 공정처리부(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다.
공정처리부(260)는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판처리장치(300)가 제공된다. 기판처리장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정처리부(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정처리부(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정처리부(260) 내에 기판처리장치(300)들은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 공정처리부(260) 내에 기판처리장치(300)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다.
도3은 도2의 기판처리장치의 기판처리부(300a)를 보여주는 단면도이다. 도3을 참조하면, 기판처리장치(300)는 기판처리부(300a) 및 드레인부(300b)를 포함한다. 기판처리부(300a)는 챔버(310), 하우징(320), 스핀헤드(340), 승강유닛(360), 그리고 분사유닛(380)를 포함한다. 챔버(310)는 내부에 기판처리공정이 수행되는 공간을 제공한다. 챔버(310)는 사각의 통 형상으로 제공된다. 챔버(310)는 이송챔버(240)와 마주보는 일 면에 개구(312)가 형성된다. 개구(312)는 도어(314)에 의해 개폐된다. 개구(312)는 기판(W)이 반입 가능한 입구로서 기능한다.
하우징(320)은 챔버(310) 내에서 위치된다. 하우징(320)은 상부가 개방된 통 형상을 가진다. 하우징(320)은 내부회수통(322) 및 외부회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,326)은 공정에 사용된 약액들 중 서로 상이한 약액을 회수한다. 내부회수통(322)은 스핀헤드(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부회수통(326)은 내부회수통(326)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a) 및 내부회수통(322)과 외부회수통(326)의 사이공간(326a)은 각각 내부회수통(322) 및 외부회수통(326)으로 약액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 일 예에 의하면, 각각의 유입구는 서로 상이한 높이에 위치될 수 있다.
스핀헤드(340)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 스핀헤드(340)는 몸체(342), 지지핀(344), 척핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 구동부(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정결합된다.
지지핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(344)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다.
척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 스핀헤드(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기위치와 지지위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 대기위치는 지지위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 스핀헤드(340)에 로딩 또는 언로딩 시 척핀(346)은 대기위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척 핀(346)은 지지위치에 위치된다. 지지위치에서 척핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.
승강유닛(360)은 하우징(320)을 상하 방향으로 직선이동시킨다. 하우징(320)이 상하로 이동됨에 따라 스핀헤드(340)에 대한 하우징(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 하우징(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 놓이거나, 스핀헤드(340)로부터 들어올려 질 때 스핀헤드(340)가 하우징(320)의 상부로 돌출되도록 하우징(320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 약액의 종류에 따라 약액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 하우징(320)의 높이가 조절한다. 선택적으로, 승강유닛(360)은 스핀헤드(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
분사유닛(380)은 기판 상으로 복수의 약액들을 분사한다. 분사유닛(380)은 복수 개로 제공될 수 있다. 각각의 분사유닛(380)은 지지축(386), 지지대(382), 그리고 노즐(384)을 포함한다. 지지축(386)은 하우징(320)의 일측에 배치된다. 지지축(386)은 그 길이방향이 상하방향으로 제공되는 로드 형상을 가진다. 지지축(386)은 구동부재(388)에 의해 회전 및 승강운동이 가능하다. 이와 달리 지지축(386)은 구동부재(388)에 의해 수평방향으로 직선이동 및 승강운동할 수 있다. 지지대(382)는 노즐(384)을 지지한다. 지지대(382)는 지지축(386)에 결합되고, 끝단 저면에는 노즐(384)이 고정 결합된다. 노즐(384)은 지지축(386)의 회전에 의해 스윙이동될 수 있다. 일 예에 의하면, 약액은 케미칼, 린스액, 그리고 유기용제일 수 있다. 케미칼은 황산(H2SO4), 질산(HNO3), 그리고 암모니아(NH3) 등 강산의 액일 수 있다. 린스액은 탈이온수일 수 있다. 그리고 유기용제는 린스액에 비해 표면장력이 낮은 이소프로필 알코올(IPA)액일 수 있다.
드레인부(300b)는 챔버 내에서 사용된 약액을 챔버의 외부로 드레인시킨다. 도4는 도2의 기판처리장치의 드레인부(300b)를 보여주는 단면도이다. 도4를 참조하면, 드레인부(300b)는 제1회수라인(322b), 제2회수라인(326b), 약액재생시스템(미도시), 그리고 냉각부재(400)를 포함한다. 제1회수라인(322b)과 제2회수라인(326b)은 서로 상이한 회수통(322,326)에 각각 연결된다. 제1회수라인(322b)은 내부회수통(322)에 연결된다. 제1회수라인(322b)은 내부회수통(322)의 저면 아래 방향으로 내부회수통과 수직하게 연장되도록 제공된다. 내부회수통(322)으로 회수된 약액은 제1회수라인(322b)을 통해 챔버(310)의 외부로 드레인된다. 제2회수라인(326b)은 외부회수통(326)에 연결된다. 제2회수라인(326b)은 외부회수통(326)의 저면 아래 방향으로 외부회수통(326)과 수직하게 연장되도록 제공된다. 외부회수통(326)으로 회수된 약액은 제2회수라인(326b)을 통해 챔버(310)의 외부로 드레인된다.
약액재생시스템(미도시)은 제1회수라인(322b) 및 제2회수라인(326b)에 각각 설치된다. 각각의 회수라인을 통해 배출된 약액은 약액재생시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다. 선택적으로 약액재생시스템(미도시)은 제1회수라인(322b) 및 제2회수라인(326b) 중 어느 하나에만 설치될 수 있다.
냉각부재(400)는 챔버(310)의 외부로 드레인되는 약액을 냉각한다. 냉각부재(400)는 제1회수라인(322b) 및 제2회수라인(326b) 각각에 설치된다. 냉각부재(400)는 제1회수라인(322b) 및 제2회수라인(326b)를 통해 배출되는 약액을 냉각한다. 냉각부재(400)는 회수라인에서 하우징(320)과 약액재생시스템(미도시) 사이에 설치된다. 일 예에 의하면, 냉각부재(400)는 기판처리부(300a)와 인접하게 위치될 수 있다. 이는 기판처리부(300a)와 냉각부재(400)를 연결하는 회수라인(322b,326b)이 고온의 약액에 의해 손상될 수 있기 때문이다.
선택적으로 냉각부재(400)는 케미칼, 린스액, 그리고 유기용제 중 케미칼이 배출되는 회수라인에만 설치될 수 있다.
냉각부재(400)는 탱크(410), 냉각관(430), 그리고 가스공급유닛(450)을 포함한다. 도5는 도4의 냉각부재의 탱크를 선 a - a' 방향으로 절단한 단면도이다. 도5를 참조하면, 탱크(410)는 통 형상으로 제공된다. 탱크(410)의 내부에는 공간에 제공된다. 탱크(410)의 일단에는 회수라인(322b,326b)으로 약액이 유입되는 유입버퍼(412)가 형성되고, 그 타단에는 약액이 회수라인(322b,326b)으로 유출되는 유출버퍼(416)가 형성된다. 유입버퍼(412)와 유출버퍼(416) 사이에는 약액을 냉각시키는 냉각공간(414)이 제공된다.
냉각관(430)은 탱크(410)의 냉각공간(414)에 복수 개로 제공된다. 각각의 냉각관(430)은 유입버퍼(412)와 유출버퍼(416)를 연결한다. 일 예에 의하면, 복수 개의 냉각관(430)들은 탱크(410)의 냉각공간(414)을 조밀하게 채우도록 제공될 수 있다. 복수 개의 냉각관(430)들은 유입버퍼(412)와 유출버퍼(416)에 대해 병렬로 연결된다. 복수 개의 냉각관(430)들은 그 길이방향이 서로 평행하도록 제공된다. 이로 인해 서로 인접한 냉각관(430)들 사이에는 소정의 공간이 형성된다. 냉각관(430)은 미공이 형성된 막 재질로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 각각의 냉각관(430)은 중공사막으로 제공될 수 있다.
가스공급유닛(450)은 탱크(410)의 냉각공간(414)으로 용해가스를 공급한다. 가스공급유닛(450)은 용해가스저장부(452), 가스공급라인(454), 그리고 가압부재(456)를 포함한다. 용해가스저장부(452)는 내부에 용해가스를 저장한다. 용해가스의 온도는 약액에 비해 낮은 온도로 제공될 수 있다. 가스공급라인(454)은 용해가스저장부(452)와 탱크(410)를 각각 연결한다. 용해가스저장부(452)에 저장된 용해가스는 가스공급라인(454)을 통해 탱크(410)의 냉각공간(414)으로 공급될 수 있다. 가압부재(456)는 가스공급라인(454)에서 용해가스저장부(452)와 탱크(410) 사이에 설치된다. 가압부재(456)는 탱크(410)로 공급되는 용해가스의 유량이 일정하도록 가압력을 제공한다. 탱크(410)의 냉각공간(414)으로 가압된 용해가스는 냉각관(430)의 내부로 주입되고, 주입된 용해가스를 약액에 용해될 수 있다. 일 예에 의하면, 용해가스는 케미칼에 용해되어 발열반응을 일으키지 않는 가스일 수 있다. 용해가스는 이산화탄소(CO2)일 수 있다.
상술한 실시예에 의하면, 탱크(410)의 내부공간에는 복수 개의 냉각관(430)들이 제공된다. 이로 인해 냉각관(430)의 외주면은 모두 용해가스가 약액에 용해 또는 접촉될 수 있는 면적으로 제공되고, 약액에 용해가스가 접촉되는 단면적은 크게 증가될 수 있다.
상술한 실시예와 달리, 도6의 탱크(410)는 하나의 회수라인(322b,326b)에 복수 개로 제공될 수 있다. 예컨대, 탱크(410)는 제1탱크(410a), 제2탱크(410b), 그리고 제3탱크(410c)로 제공될 수 있다. 제1탱크(410a), 제2탱크(410b), 그리고 제3탱크(410c)는 회수라인을 따라 순차적으로 배치될 수 있다. 각각의 탱크(410)는 서로 직렬로 연결될 수 있다. 이로 인해 제1탱크(410a)에서 약액의 온도가 기설정 온도까지 낮추지 못할지라도, 제2탱크(410b) 및 제3탱크(410c)에서 약액의 온도를 기설정 온도까지 낮출 수 있다.
또한 도7과 같이 제1탱크(410a), 제2탱크(410b), 그리고 제3탱크(410c)는 회수라인에 대해 병렬로 연결될 수 있다. 이로 인해 드레인되는 약액의 양이 제1탱크(410a)가 수용 용량을 초과할 경우, 약액은 제2탱크(410b) 및 제3탱크(410c) 각각으로 분배될 수 있다.
300a: 기판처리부 300b: 드레인부
322b,326b: 회수라인 400: 냉각부재
410: 탱크 414: 냉각공간
430: 냉각관 450: 가스공급유닛

Claims (8)

  1. 약액을 이용하여 기판을 처리하는 기판처리부와;
    상기 기판처리부에서 사용된 약액을 드레인시키는 드레인부를 포함하되,
    상기 드레인부는,
    상기 기판처리부에 연결되는 회수라인과;
    상기 회수라인에 설치되어 약액을 냉각하는 냉각부재를 포함하되,
    상기 냉각부재는,
    내부에 약액이 유입되는 유입버퍼, 냉각공간, 그리고 약액이 유출되는 유출버퍼가 순차적으로 제공되는 탱크와;
    상기 냉각공간에 위치되며 약액이 흐르는, 그리고 상기 유입버퍼 및 상기 유출버퍼를 연결하는 복수 개의 냉각관과;
    상기 냉각공간으로 용해가스를 공급하는 가스공급유닛을 포함하되,
    상기 냉각관은 미공이 형성된 막 재질로 제공되며,
    용해 가스는 상기 미공을 통과하여 상기 냉각관 내에 주입이 가능하고,
    용해 가스는 약액보다 낮은 온도로 제공되는 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 냉각관은 중공사막으로 제공되는 기판처리장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 냉각관들은 서로 병렬로 연결되는 기판처리장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 가스공급유닛은,
    상기 용해가스가 저장되는 용해가스저장부와;
    상기 용해가스저장부 및 상기 냉각공간을 각각 연결하는 가스공급라인과;
    상기 용해가스가 상기 용해가스저장부에서 상기 냉각공간에 공급되도록 상기 가스공급라인을 가압하는 가압부재를 포함하는 기판처리장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 탱크는 복수 개로 제공되고, 상기 탱크들은 서로 직렬로 연결되는 기판처리장치.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 탱크는 복수 개로 제공되고, 상기 탱크들은 상기 회수라인에 대해 병렬로 연결되는 기판처리장치.
  7. 제1항의 기판 처리 장치를 이용하여 상기 기판처리부에서 사용된 상기 약액을 냉각하여 드레인하는 방법에 있어서,
    드레인되는 상기 약액을 상기 탱크의 상기 냉각공간에 제공된 복수 개의 상기 냉각관들로 공급하고, 상기 냉각공간에 상기 약액보다 낮은 온도의 상기 용해가스를 공급하며, 상기 냉각관에 제공된 상기 미공을 통해 상기 용해가스를 상기 냉각관의 내부에 유입하여 상기 약액을 냉각하는 약액냉각방법.

  8. 삭제
KR1020120110144A 2012-10-04 2012-10-04 기판처리장치 및 약액냉각방법 KR102081709B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120110144A KR102081709B1 (ko) 2012-10-04 2012-10-04 기판처리장치 및 약액냉각방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120110144A KR102081709B1 (ko) 2012-10-04 2012-10-04 기판처리장치 및 약액냉각방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140044135A KR20140044135A (ko) 2014-04-14
KR102081709B1 true KR102081709B1 (ko) 2020-02-27

Family

ID=50652261

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120110144A KR102081709B1 (ko) 2012-10-04 2012-10-04 기판처리장치 및 약액냉각방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102081709B1 (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100338534B1 (ko) 1993-10-29 2002-09-27 도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤 기판건조장치및기판건조방법
KR100760329B1 (ko) 2000-07-03 2007-09-20 동경 엘렉트론 주식회사 실링기구가 있는 처리장치
KR100900127B1 (ko) 2006-11-24 2009-06-01 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4966699A (en) 1988-05-25 1990-10-30 Terumo Kabushiki Kaisha Hollow fiber membrane fluid processor
JP3275044B2 (ja) * 1994-03-16 2002-04-15 東京エレクトロン株式会社 乾燥処理装置
KR101098987B1 (ko) * 2010-04-19 2011-12-28 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100338534B1 (ko) 1993-10-29 2002-09-27 도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤 기판건조장치및기판건조방법
KR100760329B1 (ko) 2000-07-03 2007-09-20 동경 엘렉트론 주식회사 실링기구가 있는 처리장치
KR100900127B1 (ko) 2006-11-24 2009-06-01 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140044135A (ko) 2014-04-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102319966B1 (ko) 액 공급 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법
KR101329319B1 (ko) 노즐 및 이를 갖는 기판처리장치
KR20140112299A (ko) 기판처리장치
KR102585284B1 (ko) 액 공급 유닛 및 액 공급 방법
KR102098599B1 (ko) 약액공급유닛
KR102117353B1 (ko) 약액공급유닛 및 이를 가지는 기판처리장치
KR101870664B1 (ko) 기판처리장치
KR20130052997A (ko) 버퍼
KR101955590B1 (ko) 액 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102081709B1 (ko) 기판처리장치 및 약액냉각방법
KR20130015610A (ko) 기판 처리 장치
KR102075674B1 (ko) 액 공급장치, 이를 가지는 기판처리장치 및 방법
KR102121239B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
KR102096944B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
KR101966804B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102232835B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102347973B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101910798B1 (ko) 배출 어셈블리 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR101910799B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102331356B1 (ko) 기판 처리 장치, 그리고 노즐 세정 방법
KR102188347B1 (ko) 기판처리장치
KR20170137242A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102008305B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20180039499A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치 세정 방법
KR20160029902A (ko) 처리액 노즐 및 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)