KR20180039499A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치 세정 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 장치 세정 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20180039499A
KR20180039499A KR1020160130868A KR20160130868A KR20180039499A KR 20180039499 A KR20180039499 A KR 20180039499A KR 1020160130868 A KR1020160130868 A KR 1020160130868A KR 20160130868 A KR20160130868 A KR 20160130868A KR 20180039499 A KR20180039499 A KR 20180039499A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
spin chuck
substrate
organic solvent
cup
chemical liquid
Prior art date
Application number
KR1020160130868A
Other languages
English (en)
Inventor
박정영
이강석
박소영
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020160130868A priority Critical patent/KR20180039499A/ko
Publication of KR20180039499A publication Critical patent/KR20180039499A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치 세정 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 기판을 지지하는 스핀척; 상기 스핀척을 회전 가능하게 지지하는 지지축; 상기 스핀척의 둘레에 위치되는 컵; 및 상기 스핀척으로 상기 스핀척 세정을 위한 유기 용제를 공급하는 약액 공급 유닛을 포함한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 장치 세정 방법{Substrate treating apparatus and cleaning method for substrate treating apparatus}
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치 세정 방법에 관한 것이다.
반도체 공정은 웨이퍼 상에 박막, 이물질, 파티클 등을 식각하거나 세정하는 공정을 포함한다. 이와 같은 공정은 패턴 면이 위 또는 아래를 향하도록 웨이퍼를 스핀 헤드 상에 놓고, 스핀 헤드를 고속으로 회전시켜 웨이퍼 상에 처리액을 공급함으로써 이루어진다. 기판의 처리에 사용된 처리액은 기판의 처리가 완료된 후에도 스핀 헤드 등의 구성에 잔류할 수 있다. 또한, 상이한 처리액의 화학적 반응으로 인한 부산물이 스핀 헤드 등에 부착될 수 있다. 이와 같은 잔류 처리액 및 부산물은 이후 처리될 기판의 불량을 야기한다.
본 발명은 기판을 효율적으로 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치 세정 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명은 지지부재 및 컵을 세정할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치 세정 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 기판을 지지하는 스핀척; 상기 스핀척을 회전 가능하게 지지하는 지지축; 상기 스핀척의 둘레에 위치되는 컵; 및 상기 컵의 세정을 위한 유기 용제를 공급하는 약액 공급 유닛을 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.
또한, 상기 유기 용제는 이소프로필알코올일 수 있다.
또한, 상기 약액 공급 유닛은 상기 유기 용제 공급 후 상기 스핀척 건조를 위한 불활성 가스를 공급할 수 있다.
또한, 상기 약액 공급 유닛은 상기 유기 용제 공급에 앞서 중화액을 공급할 수 있다.
또한, 상기 중화액은 알카리성일 수 있다.
또한, 상기 약액 공급 유닛은 상기 중화액 공급 후, 상기 유기 용제 개시 전 순수를 공급할 수 있다.
또한, 상기 유기 용제는 회전되는 상태의 상기 스핀척으로 공급될 수 있다.
또한, 상기 약액 공급 유닛은, 상기 스핀척에 상기 기판이 지지된 상태에서 상기 기판을 무수 공정으로 처리하기 위한 약액을 공급할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 기판이 지지되지 않은 스핀척으로 유기 용제를 공급하는 단계; 상기 스핀척을 회전 시켜 건조하는 단계를 포함하는 기판 처리 장치 세정 방법이 제공될 수 있다.
또한, 상기 스핀척의 건조 시 상기 스핀척으로 불활성 가스가 공급될 수 있다.
또한, 상기 유기 용제의 공급에 앞서 상기 스핀척으로 중화액을 공급하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 중화액 공급 후, 상기 유기 용제의 공급에 앞서 순수를 공급하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 유기 용제는 이소프로필알코올일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치 세정 방법이 제공될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 지지부재 및 컵을 세정할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치 세정 방법이 제공될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 2는 공정 챔버의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 3은 지지 부재 및 컵이 세정되는 상태를 나타내는 도면이다.
도 4는 지지 부재 및 컵이 세정되는 단계를 나타내는 흐름도이다.
도 5는 다른 실시 예에 따라 지지 부재 및 컵이 세정되는 단계를 나타내는 흐름도이다.
도 6은 또 다른 실시 예에 따라 지지 부재 및 컵이 세정되는 단계를 나타내는 흐름도이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
본 실시 예에는 기판 상을 고온의 케미칼로 세정 처리하는 장치에 대해 설명한다. 그러나 본 실시예는 이에 한정되지 않으며, 고온의 케미칼을 사용하는 식각공정 등 다양하게 적용 가능하다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스모듈(10)과 공정처리모듈(20)을 가진다. 인덱스모듈(10)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 가진다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 위쪽에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다.
로드포트(140)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 위치된다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드포트(120)의 개수는 공정처리모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 변경될 수 있다. 캐리어(130)에는 기판(W)들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(130)로는 전면개방일체형포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.
공정처리모듈(20)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 공정 챔버(260)를 가진다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송챔버(240)의 양측에는 각각 공정 챔버(260)들이 배치된다. 이송챔버(240)의 일측 및 타측에서 공정 챔버(260)들은 이송챔버(240)를 기준으로 대칭되도록 제공된다. 이송챔버(240)의 일측에는 복수 개의 공정 챔버(260)들이 제공된다. 공정 챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정 챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 공정 챔버(260)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정 챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정 챔버(260)의 개수는 변경될 수 있다. 상술한 바와 달리, 공정 챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 공정 챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.
버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 마주보는 면 및 이송챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다.
이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정처리모듈(20)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정처리모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 공정 챔버(260) 간에, 그리고 공정 챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다.
공정 챔버(260)는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행한다. 공정 챔버(260)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정 챔버(260)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정 챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정 챔버(260)는 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 공정 챔버(260)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다.
도 2는 공정 챔버의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 2를 참조하면, 공정 챔버(260)는 컵(320), 지지 부재(340), 승강유닛(360), 그리고 약액 공급 유닛(380)를 포함한다. 공정 챔버(260)는 제어기(도 5의 600)에 의해 제어될 수 있다.
컵(320)은 내부에 기판이 처리되는 처리공간을 제공한다. 컵(320)은 상부가 개방된 통 형상을 가진다. 컵(320)은 내부회수통(322), 중간회수통, 그리고 외부회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,324,326)은 공정에 사용된 약액들 중 서로 상이한 약액을 회수한다. 내부회수통(322)은 지지 부재(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 중간회수통(324)은 내부회수통(322)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 외부회수통(326)은 중간회수통(324)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a), 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이공간(342a), 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이공간(326a)은 각각 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)으로 약액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 일 예에 의하면, 각각의 유입구는 서로 상이한 높이에 위치될 수 있다. 각각의 회수통(322,324,326)의 저면 아래에는 회수라인(322b,324b,326b)이 연결된다. 각각의 회수통(322,324,326)에 유입된 약액들은 회수라인(322b,324b,326b)을 통해 외부의 약액재생시스템(미도시)으로 제공되어 재사용될 수 있다.
지지 부재(340)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 지지 부재(340)는 스핀척(342), 지지핀(344), 척핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 스핀척(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 스핀척(342)의 외측면은 단차지도록 제공된다. 스핀척(342)는 그 저면이 상부면에 비해 작은 직경을 가지도록 제공된다. 스핀척(342)의 외측면은 제1경사면(341), 수평면(343), 그리고 제2경사면(345)을 가진다. 제1경사면(341)은 스핀척(342)의 상부면으로부터 아래로 연장된다. 수평면(343)은 제1경사면(341)의 하단으로부터 내측방향으로 연장된다. 제2경사면(345)은 수평면(343)의 내측단으로부터 아래로 연장된다. 제1경사면(341) 및 제2경사면(345) 각각은 몸체의 중심축과 가까워질수록 하향경사진 방향을 향하도록 제공된다.
지지핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지핀(344)은 스핀척(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 스핀척(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(344)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(344)은 스핀척(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다.
척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 스핀척(342)의 중심축에서 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 스핀척(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 지지 부재(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 스핀척(342)의 반경 방향을 따라 대기위치와 지지위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 대기위치는 지지위치에 비해 스핀척(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 지지 부재(340)에 로딩 또는 언로딩 시 척핀(346)은 대기위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척 핀(346)은 지지위치에 위치된다. 지지위치에서 척핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.
지지축(348)은 스핀척(342)을 회전 가능하게 지지한다. 지지축(348)은 스핀척(342)의 아래에 위치된다. 지지축(348)은 회전축(347) 및 고정축(349)을 포함한다. 회전축(347)은 내축으로 제공되고, 고정축(349)은 외축으로 제공된다. 회전축(347)은 그 길이방향이 제3방향을 향하도록 제공된다. 회전축(347)은 스핀척(342)의 저면에 고정결합된다. 회전축(347)은 구동부재(349)에 의해 회전 가능하도록 제공된다. 스핀척(342)는 회전축(347)과 함께 회전되도록 제공된다. 고정축(349)은 회전축(347)을 감싸는 중공의 원통 형상을 가진다. 고정축(349)은 회전축(347)에 비해 큰 직경을 가지도록 제공된다. 고정축(349)의 내측면은 회전축(347)과 이격되게 위치된다. 고정축(349)은 회전축이 회전되는 중에 고정된 상태를 유지한다.
승강유닛(360)은 컵(320)을 상하 방향으로 이동시킨다. 컵(320)이 상하로 이동됨에 따라 지지 부재(340)에 대한 컵(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 컵(320)의 외벽에 설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 놓이거나, 지지 부재(340)로부터 들어올려 질 때 지지 부재(340)가 컵(320)의 상부로 돌출되도록 컵(320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 약액의 종류에 따라 약액이 기 설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 컵(320)의 높이가 조절한다. 선택적으로, 승강유닛(360)은 지지 부재(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
약액 공급 유닛(380)은 기판(W) 상으로 약액을 분사한다. 약액 공급 유닛(380)는 복수 개로 제공될 수 있다. 각각의 약액 공급 유닛은 서로 상이한 종류의 액을 공급할 수 있다. 약액 공급 유닛은 지지축(386), 아암(382), 그리고 약액 노즐(390)을 포함한다. 지지축(386)은 컵(320)의 일측에 배치된다. 지지축(386)은 그 길이방향이 상하방향으로 제공되는 로드 형상을 가진다. 지지축(386)은 구동부재(388)에 의해 회전 및 승강운동이 가능하다. 이와 달리 지지축(386)은 구동부재(388)에 의해 수평방향으로 직선이동 및 승강운동할 수 있다. 아암(382)은 약액 노즐(390)을 지지한다. 아암(382)은 지지축(386)에 결합되고, 끝단 저면에는 약액 노즐(390)이 고정 결합된다. 약액 노즐(390)은 지지축(386)의 회전에 의해 스윙이동될 수 있다. 약액 노즐(390)은 지지축(386)의 회전에 의해 공정위치와 대기위치로 이동 가능하다. 여기서 공정위치는 약액 노즐(390)이 지지 부재(340)와 대향되는 위치이고, 대기위치는 약액 노즐(390)이 공정위치를 벗어난 위치이다. 일 예에 의하면, 약액은 케미칼, 린스액, 그리고 유기용제일 수 있다. 케미칼은 황산(H2SO3) 또는 인산(H3PO4)을 포함할 수 있다. 린스액은 순수일 수 있다. 유기용제는 이소프로필알코올(IPA)액일 수 있다. 또한, 순수를 이용한 기판 처리는 생략되고, 공정 챔버(260)에서의 기판 처리는 무수(anhydrous) 공정으로 진행 될 수 있다. 또한, 약액 공급 유닛(380) 지지 부재(340)의 세정에 사용될 유체를 공급할 수 있다. 기판의 처리에 사용될 약액과 지지 부재(340)의 세정에 사용될 유체가 동일할 때, 이들을 약액 공급 유닛(380)은 동일하거나 상이할 수 있다.
도 3은 지지 부재 및 컵이 세정되는 상태를 나타내는 도면이고, 도 4는 지지 부재 및 컵이 세정되는 단계를 나타내는 흐름도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 공정 챔버(260)는 지지 부재(340) 및 컵(320)에 대한 세정이 수행될 수 있다. 지지 부재(340) 및 컵(320)에 대한 세정 시 지지 부재(340)는 기판을 지지하지 않은 상태일 수 있다. 세정이 개시되면 스핀척(342)으로 유기 용제가 공급된다(S100). 그리고 스핀척(342)에 공급된 유기 용제는 컵(320)으로 이동될 수 있다. 일 예로, 유기 용제가 스핀척(342)으로 공급될 때, 또는 유기 용제가 공급되는 시간 가운데 설정 시간 동안 회전될 수 있다. 또한, 스핀척(342)은 유기 용제가 공급된 후 회전 될 수도 있다. 이에 따라 유기 용제는 컵(320)으로 비산될 수 있다. 스핀척(342)이 회전 될 때, 승강유닛(360)이 구동되어 컵(320)은 스핀척(342)에 대한 높이가 변경될 수 있다. 따라서, 유기 용제는 컵(320)에 상하 방향에 걸쳐 공급될 수 있다. 유기 용제는 이소프로필알코올일 수 있다. 지지 부재(340), 컵(320)은 기판을 처리하는 과정에서 발생된 파티클 등에 의해 오염될 수 있다. 이 같은 오염원은 유기 용제에 의해 세정되어, 이후, 공정에서 기판이 오염되는 것이 방지될 수 있다.
유기 용제에 의한 세정이 수행된 후, 건조가 이루어 진다(S200). 건조는 스핀척(342)이 회전되어, 스핀척(342)에 잔류하는 유기 용제가 제거되는 방식으로 이루어 질 수 있다. 이 때, 건조 효율 향상을 위해 불활성 가스가 공급될 수 있다. 불활성 가스는 질소 일 수 있다.
도 5는 다른 실시 예에 따라 지지 부재 및 컵이 세정되는 단계를 나타내는 흐름도이다.
도 5를 참조하면, 세정이 개시되면, 스핀척(342)으로 중화액이 공급된다(S110). 중화액이 스핀척(342)으로 공급될 때, 또는 중화액이 공급되는 시간 가운데 설정 시간 동안 회전될 수 있다. 또한, 스핀척(342)은 중화액이 공급된 후 회전 될 수도 있다. 스핀척(342)이 회전 될 때, 승강유닛(360)이 구동되어 컵(320)은 스핀척(342)에 대한 높이가 변경될 수 있다.
세정이 개시될 때, 지지 부재(340), 컵(320) 등에는 기판 처리시 사용된 케미칼이 잔류할 수 있다. 또한, 파티클은 기판 처리에 사용된 케미칼에 따라 PH값을 가질 수 있다. 이 같은 PH값은 중화액에 의해 중화되어, PH값이 중성 방향으로 이동 될 수 있다. 중화액은 기판의 처리에 사용된 케미칼과 중성을 기준의 반대의 액성을 가진다. 예를 들어, 기판 처리시 사용된 케미칼이 산성인 경우, 중화액은 알카리성이 공급된다.
이 후, 도 4의 실시 예와 유사한 방식으로 유기 용제가 공급되고(S210), 건조가 이루어 진다(S310).
도 6은 또 다른 실시 예에 따라 지지 부재 및 컵이 세정되는 단계를 나타내는 흐름도이다.
도 6을 참조하면, 세정이 개시되면, 도 5의 실시 예와 유사하게 스핀척(342)으로 중화액이 공급된다(S120). 그리고, 이후 스핀척(342)으로 순수가 공급된다(S220).
순수가 스핀척(342)으로 공급될 때, 또는 순수가 공급되는 시간 가운데 설정 시간 동안 회전될 수 있다. 또한, 스핀척(342)은 순수가 공급된 후 회전 될 수도 있다. 스핀척(342)이 회전 될 때, 승강유닛(360)이 구동되어 컵(320)은 스핀척(342)에 대한 높이가 변경될 수 있다.
중화액이 공급되면, 중화 과정에서 염(salt)이 발생될 수 있다. 이 같은 염은 순수의 공급에 의해 효과적으로 제거될 수 있다. 이후, 도 4의 실시 예 또는 도 5의 실시 예와 유사한 방식으로 유기 용제가 공급되고(S320), 건조가 이루어 진다(S420).
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시 예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
10: 인덱스모듈 20: 공정처리모듈
120: 로드포트 140: 이송프레임
220: 버퍼유닛 240: 이송챔버
260: 공정챔버 320: 컵
340: 지지부재 342: 스핀척
348: 지지축 380: 약액공급유닛

Claims (13)

  1. 기판을 지지하는 스핀척;
    상기 스핀척을 회전 가능하게 지지하는 지지축;
    상기 스핀척의 둘레에 위치되는 컵; 및
    상기 컵의 세정을 위한 유기 용제를 공급하는 약액 공급 유닛을 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 유기 용제는 이소프로필알코올인 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 약액 공급 유닛은 상기 유기 용제 공급 후 상기 스핀척 건조를 위한 불활성 가스를 공급하는 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 약액 공급 유닛은 상기 유기 용제 공급에 앞서 중화액을 공급하는 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 중화액은 알카리성인 기판 처리 장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 약액 공급 유닛은 상기 중화액 공급 후, 상기 유기 용제 개시 전 순수를 공급하는 기판 처리 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 유기 용제는 회전되는 상태의 상기 스핀척으로 공급되는 기판 처리 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 약액 공급 유닛은, 상기 스핀척에 상기 기판이 지지된 상태에서 상기 기판을 무수 공정으로 처리하기 위한 약액을 공급하는 기판 처리 장치.
  9. 기판이 지지되지 않은 스핀척으로 유기 용제를 공급하는 단계;
    상기 스핀척을 회전 시켜 건조하는 단계를 포함하는 기판 처리 장치 세정 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 스핀척의 건조 시 상기 스핀척으로 불활성 가스가 공급되는 기판 처리 장치 세정 방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 유기 용제의 공급에 앞서 상기 스핀척으로 중화액을 공급하는 단계를 더 포함하는 기판 처리 장치 세정 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 중화액 공급 후, 상기 유기 용제의 공급에 앞서 순수를 공급하는 단계를 더 포함하는 기판 처리 장치 세정 방법.
  13. 제9항에 있어서,
    상기 유기 용제는 이소프로필알코올인 기판 처리 장치 세정 방법.
KR1020160130868A 2016-10-10 2016-10-10 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치 세정 방법 KR20180039499A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160130868A KR20180039499A (ko) 2016-10-10 2016-10-10 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치 세정 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160130868A KR20180039499A (ko) 2016-10-10 2016-10-10 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치 세정 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20180039499A true KR20180039499A (ko) 2018-04-18

Family

ID=62082869

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160130868A KR20180039499A (ko) 2016-10-10 2016-10-10 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치 세정 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20180039499A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220048334A (ko) * 2020-10-12 2022-04-19 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220048334A (ko) * 2020-10-12 2022-04-19 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101621482B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
CN106816399B (zh) 基板处理装置及方法
KR101329319B1 (ko) 노즐 및 이를 갖는 기판처리장치
US11145520B2 (en) Method for treating substrate involving supplying treatment liquid to peripheral area of substrate by second nozzle
CN107564837B (zh) 用于处理基板的装置和方法
KR20180002101A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20180039499A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치 세정 방법
KR20160147163A (ko) 기판 처리 장치 및 세정 방법
KR101736853B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102096944B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
KR20170046490A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102121239B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
KR20130015610A (ko) 기판 처리 장치
KR20130015637A (ko) 기판처리장치
KR20170024213A (ko) 기판 처리 방법 및 장치
KR101910799B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20160065226A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20150068761A (ko) 기판처리장치
KR101979602B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20160083422A (ko) 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법
KR102347973B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101994420B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20130019543A (ko) 기판처리장치
KR20190037689A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102331356B1 (ko) 기판 처리 장치, 그리고 노즐 세정 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment