CN107564837B - 用于处理基板的装置和方法 - Google Patents

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Abstract

公开了用于以液体处理基板的装置和方法。该用于以液体处理基板的方法包括：第一处理液体供给操作，其将第一处理液体供给至所述基板的处理位置；以及润湿操作，其在所述第一处理液体供给操作后将润湿液体供给至所述基板上，其中，所述润湿操作包括：同时供给操作，其在供给第一处理液体的同时将润湿液体供给至第一位置，其中所述第一位置是偏离所述处理位置的位置。因此，可以在将处理液体转换为润湿液体的同时防止基板的表面变干。

Description

用于处理基板的装置和方法
技术领域
本文所描述的发明构思的实施方式涉及用于处理基板的装置和方法，更具体地涉及用于以液体处理基板的装置和方法。
背景技术
为了制造半导体器件或液晶显示器，对基板进行各种处理，诸如光刻、灰化、蚀刻、离子注入、薄膜沉积和清洁。其中，清洁工艺是除去存在于基板上的颗粒的工艺且在上述工艺之前和之后进行。
根据基板的表面特性，可采用不同的清洁工艺。尤其是，当基板的表面是疏水性的或对疏水性表面进行清洁时，执行化学处理操作和润湿操作。在基板旋转期间将化学品供给至基板，然后供给润湿液体。
然而，将化学处理操作转换为润湿操作的过程需要几秒钟。在转换操作的过程中会停止将液体供给至基板。因此，基板的周边区域不能保持润湿状态而是干燥的。这导致颗粒附着到基板的周边区域或导致清洁缺陷，例如水印。
发明内容
本发明构思的实施方式提供用于改善疏水性基板表面的清洁效率的装置和方法。
本发明构思提供用于以液体处理基板的装置和方法。根据本发明构思的一方面，提供一种用于以液体处理基板的装置，所述装置包括：处理容器，在所述处理容器内部具有处理空间；基板支撑单元，所述基板支撑单元在所述处理空间中支撑所述基板；固定喷嘴单元，所述固定喷嘴单元被固定地安装在所述处理容器中；以及可移动喷嘴单元，所述可移动喷嘴单元能够移动至朝向所述处理空间的位置且包括第一可移动喷嘴，所述第一可移动喷嘴被配置成将第一处理液体供给至由所述基板支撑单元所支撑的所述基板上，其中，所述固定喷嘴单元包括：第一固定喷嘴，所述第一固定喷嘴被配置成将润湿液体供给至由所述基板支撑单元所支撑的所述基板的第一位置；以及第二固定喷嘴，所述第二固定喷嘴被配置成将润湿液体供给至由所述基板支撑单元所支撑的所述基板的第二位置，并且其中，所述第一位置是比所述第二位置更远离所述基板的中心的位置。
所述第一可移动喷嘴可以将所述第一处理液体供给至由所述基板支撑单元所支撑的所述基板的处理位置，且所述第一位置可以是不同于所述处理位置的位置。所述处理位置和所述第二位置可以对应于由所述基板支撑单元所支撑的所述基板的中心区域，且所述第一位置可以对应于由所述基板支撑单元所支撑的所述基板的周边区域。所述第一处理液体可以是用于对所述基板的表面进行疏水化处理的液体，且所述润湿液体可以是纯水。所述装置还可以包括：控制器，所述控制器被配置成控制所述固定喷嘴单元和所述可移动喷嘴单元，并且所述控制器控制所述固定喷嘴单元和所述可移动喷嘴单元使得依次执行第一处理液体供给操作和同时供给操作，在所述第一处理液体供给操作中将第一处理液体供给至所述基板上，且在所述同时供给操作中在供给第一处理液体的同时将润湿液体供给至所述第一位置。
所述控制器可以控制所述固定喷嘴单元和所述可移动喷嘴单元使得，在所述同时供给操作后，执行第一润湿操作，在所述第一润湿操作中停止供给第一处理液体且持续将润湿液体供给至所述第一位置。所述控制器可以控制所述固定喷嘴单元和所述可移动喷嘴单元使得，在所述第一润湿操作后，执行第二润湿操作，在所述第二润湿操作中将润湿液体供给至所述第一位置和所述第二位置。所述可移动喷嘴单元还可以包括：第二可移动喷嘴，所述第二可移动喷嘴能够移动至朝向所述处理空间的位置且被配置成将第二处理液体供给至由所述基板支撑单元所支撑的所述基板上，并且其中，所述控制器控制所述可移动喷嘴单元使得，在所述第二润湿操作后，执行第二处理液体供给操作，在所述第二处理液体供给操作中将第二处理液体供给至所述基板上。
所述第二处理液体可以是用于对所述基板的表面进行亲水化处理的液体。
根据本发明构思的另一方面，提供一种用于以液体处理基板的方法，包括：第一处理液体供给操作，其将第一处理液体供给至所述基板的处理位置；以及润湿操作，其在所述第一处理液体供给操作后将润湿液体供给至所述基板上，其中，所述润湿操作包括：同时供给操作，其在供给第一处理液体的同时将润湿液体供给至第一位置，并且其中，所述第一位置是偏离所述处理位置的位置。
所述处理位置可以对应于所述基板的中心区域，且所述第一位置可以对应于所述基板的周边区域。所述润湿操作还可以包括：第一润湿操作，其在所述同时供给操作后将润湿液体供给至所述基板的所述第一位置，且在所述第一润湿操作中可以停止供给第一处理液体。所述润湿操作还可以包括：第二润湿操作，其在所述第一润湿操作后将润湿液体供给至所述第一位置和第二位置，并且所述第二位置对应于所述基板的中心区域。所述方法还可包括：第二处理液体供给操作，其在所述第二润湿步骤后，将第二处理液体供给至所述基板上，其中，所述第二处理液体不同于所述第一处理液体。
所述第一处理液体可以是用于对所述基板的表面进行疏水化处理的液体，且所述润湿液体可以是纯水。所述第一处理液体可以是包括氢氟酸的化学品。
附图说明
根据参照附图的下列描述，上述和其他目的和特征将变得明显，其中除非另有说明，在各附图中相似的附图标记指代相似的部件，在附图中：
图1是示出根据本发明构思的第一实施方式的基板处理系统的平面图；
图2是示出图1的基板处理装置的平面图；
图3是示出图2的基板处理装置的剖视图；
图4是示出处理基板的过程的流程图；
图5至图9是示出通过使用图2的液体供给单元处理基板的过程的剖视图；以及
图10是示出图6的同时供给操作的另一实施方式的剖视图。
具体实施方式
可以以各种形式修改本发明构思的实施方式，本发明构思的范围不应解释为受限于在下文描述的本发明构思的实施方式。提供本发明构思的实施方式以向本领域技术人员更完整地描述本发明构思。因此，附图中的部件的形状等被夸大以着重更清晰的说明。
在实施方式中，将作为示例描述对基板表面进行疏水化处理并清洁基板的工艺。下文，将参照图1至图10描述本发明构思的示例性实施方式。
图1是示出根据本发明构思的实施方式的基板处理系统的平面图。参照图1，基板处理系统1包括转位模块10和工艺处理模块20。转位模块10包括多个装载端口120和进给框架140。装载端口120、进给框架140和工艺处理模块20可以被依次布置成一行。下文，布置装载端口120、进给框架140和工艺处理模块20的方向将被称为第一方向12，当俯视时垂直于第一方向12的方向将被称为第二方向14，垂直于包含第一方向12和第二方向14的平面的方向将被称为第三方向16。
容纳基板W的载具18被安置在装载端口120上。多个装载端口120被设置且被沿着第二方向14成行布置。然而，装载端口120的数量可以根据条件(诸如工艺处理模块20的工艺效率或占空)来增大或减小。在载具18中形成用于在平行于地表面布置基板W的同时容纳基板W的多个槽(未示出)。正面开口标准箱(FOUP)可以用作载具18。
工艺处理模块20包括缓冲单元220、进给室240和多个处理室260。进给室240被布置成使得其长度方向平行于第一方向12。处理室260被布置在进给室240的相对两侧。处理室260被设置在进给室240的相对两侧，以相对于进给室240彼此对称。一些处理室260沿进给室240的长度方向布置。此外，一些处理室260被布置成彼此堆叠。也就是说，具有A×B阵列的处理室260可以被布置在进给室240的一侧。在此，A是沿第一方向12成行设置的处理室260的数量，且B是沿第三方向16成行设置的处理室260的数量。当4个或6个处理室260被设置在进给室240的一侧时，处理室260可以以2×2阵列或3×2阵列布置。处理室260的数量可以增大或减小。
选择性地，处理室260可以仅设置在进给室240的一侧。此外，处理室260可以设置在进给室240的一侧或相对的两侧以形成单层。
缓冲单元220布置在进给框架140和进给室240之间。缓冲单元220提供在基板W被在进给室240和进给框架140之间输送前停留的空间。在缓冲单元220的内部设置有多个槽(未示出)，基板W位于该多个槽中。多个槽(未示出)可以被设置成沿第三方向16彼此间隔开。缓冲单元220的面对进给框架140的面和缓冲单元220的面对进给室240的面是敞开的。
进给框架140在置于装载端口120上的载具18和缓冲单元220之间输送基板W。转位轨道142和转位机械手144被设置在进给框架140中。转位轨道142被布置成使得其长度方向平行于第二方向14。转位机械手144被安装在转位轨道142上，且在第二方向14上沿转位轨道142线性移动。转位机械手144具有基座144a、主体144b和多个转位臂144c。基座144a被安装成沿转位轨道142移动。主体144b联接至基座144a。主体144b被设置成在基座144a上沿第三方向16移动。主体144b被设置成在基座144a上旋转。转位臂144c联接至主体144b且被设置成相对于主体144b前后移动。多个转位臂144c设置成被独立地驱动。转位臂144c被布置成以沿第三方向16彼此间隔开的方式堆叠。在基板W被输送到转位模块10中的载具18时使用一些转位臂144c，且在基板W被从载具18输送到工艺处理模块20时使用一些转位臂144c。在通过转位机械手144将基板W送入和送出的过程中，该结构可以防止在工艺处理前由基板W产生的颗粒附着到工艺处理后的基板W上。
进给室240在缓冲单元220和处理室260之间以及在处理室260之间输送基板W。导轨242和主机械手244设置在进给室240中。导轨242被布置成使得其长度方向平行于第一方向12。主机械手244被安装在导轨242上，且在第一方向12上沿导轨242线性移动。主机械手244具有基座244a、主体244b和多个主臂144c。基座244a被安装成沿导轨242移动。主体244b联接至基座244a。主体244b被设置成在基座244a上沿第三方向16移动。主体244b被设置成在基座244a上旋转。主臂244c联接至主体244b且被设置成相对于主体244b前后移动。多个主臂244c设置成被独立地驱动。主臂244c被布置成以沿第三方向16彼此间隔开的方式堆叠。
在处理室260中设置对基板W执行清洁工艺的基板处理装置300。根据清洁工艺的类型，基板处理装置300可以具有不同的结构。可替选地，处理室260中的基板处理装置300可以具有相同的结构。选择性地，处理室260可以被分类为多个组，使得属于相同组的处理室260中的基板处理装置300的结构相同，且属于不同组的处理室260中的基板处理装置300的结构不同。
基板处理装置300执行对基板表面进行疏水化处理和清洁基板的工艺。图2是示出图1的基板处理装置的剖视图。参照图2，基板处理装置300包括处理容器320、旋转头340、升降单元360和液体供给单元380。
处理容器320具有顶部开口的容器形状。处理容器320包括内回收容器322和外回收容器326。回收容器322和回收容器326回收在工艺中使用的不同处理液体。内回收容器322被设置成具有围绕旋转头340的环状，并且外回收容器326被设置成具有围绕内回收容器322的环状。内回收容器322的内部空间322a充当第一入口322a，通过该第一入口322a将处理液体引入内回收容器322。内回收容器322和外回收容器326之间的空间326a充当第二入口326a，通过该第二入口326a将处理液体引入外回收容器326。根据一实施方式，入口322a和入口326a可以位于不同的高度。回收线路322b和回收线路326b可以在回收容器322和回收容器326的下方连接到回收容器322和回收容器326的底表面。引入到回收容器322和回收容器326中的处理液体可以通过回收线路322b和回收线路326b提供至外部处理液体回收系统(未示出)以被再利用。
旋转头340被设置为在工艺期间支撑基板W并使其旋转的基板支撑单元340。旋转头340具有主体342、多个支撑销344、多个卡盘销346和支撑轴348。当俯视时，主体342具有基本上圆形的上表面。可被驱动器349旋转的支撑轴348被固定地连接至主体342的底部。
设置有多个支撑销344。支撑销344可以以彼此间隔开的方式布置在主体342的上表面的周边且从主体342向上突出。支撑销344被布置成通过其组合而具有大体环状。支撑销344支撑基板W的后表面的周边使得基板W与主体342的上表面以预定距离间隔开。
设置有多个卡盘销346。卡盘销346被布置成相比支撑销344更远离主体342的中心，卡盘销346被设置成从主体342向上突出。卡盘销346支撑基板W的一侧使得当旋转头340旋转时基板W不会从适当位置侧向离开。卡盘销346被设置成沿主体的径向方向在备用位置和支撑位置之间线性移动。备用位置是相比支撑位置更远离主体342的中心的位置。当基板W被装载在旋转头340上或从旋转头340卸下时，卡盘销346位于备用位置，而当对基板W进行处理时，卡盘销346位于支撑位置。在支撑位置，卡盘销346与基板W的所述一侧接触。
升降单元360将处理容器320上下线性移动。当处理容器320被上下移动时，处理容器320相对于旋转头340的高度改变。升降单元360具有支架362、可移动轴364和驱动器366。支架362固定地安装在处理容器320的外壁上，通过驱动器366被上下移动的可移动轴364固定地联接至支架362。降低处理容器320使得，当基板W位于旋转头340上或被从旋转头340提起时，旋转头340突出至处理容器320的上侧。当进行处理时，根据供给至基板W的处理液体的种类调节处理容器320的高度使得处理液体被引入预设回收容器中。选择性地，升降单元360可以上下移动旋转头340。
液体供给单元将各种液体供给到基板W上。根据一实施方式，液体供给单元可以供给化学品、冲洗液和有机溶剂。液体供给单元包括可移动喷嘴单元380、固定喷嘴单元420和控制器500。
可移动喷嘴单元380包括第一可移动喷嘴389、第二可移动喷嘴399、替换喷嘴409和多个喷嘴移动构件381。第一可移动喷嘴389排出第一处理液体，第二可移动喷嘴399排出第二处理液体，以及替换喷嘴409排出有机溶剂。第一可移动喷嘴389、第二可移动喷嘴399和替换喷嘴409将液体供给至由基板支撑单元340支撑的基板W的处理位置。在此，处理位置可以是包括基板W的中心的位置。第一可移动喷嘴389、第二可移动喷嘴399和替换喷嘴409可以分别由喷嘴移动构件381移动至处理位置和备用位置。在此，处理位置分别是喷嘴朝向由基板支撑单元340所支撑的基板W的位置，且备用位置为喷嘴389、喷嘴399和喷嘴409分别从处理位置偏离的位置。根据一实施方式，处理位置可以是喷嘴389、喷嘴399和喷嘴409分别可以将液体供给至基板W的中心的位置。第一处理液体和第二处理液体可以是具有不同化学性质的化学品。第一处理液体是包含稀释的氢氟酸(HF)的化学品，第二处理液体可以是包含氨(NH3)的化学品。有机溶剂可以是包含异丙醇(IPA)的液体。
喷嘴移动构件381包括支撑轴386、支撑臂382和驱动构件388。支撑轴386位于处理容器320的一侧。支撑轴386具有杆状，其长度方向朝向第三方向16。支撑轴386可以被驱动构件388旋转。支撑臂382联接至支撑轴386的上端。支撑臂382垂直于支撑轴386从支撑轴386延伸。喷嘴固定地联接至支撑臂382的端部。在支撑轴386旋转时，喷嘴389、喷嘴399和喷嘴409与支撑臂382一起摆动。喷嘴389、喷嘴399和喷嘴409可以摆动并移动至处理位置和备用位置。当俯视时，喷嘴389、喷嘴399和喷嘴409可以被定位成使得喷嘴389、喷嘴399和喷嘴409的排出孔与基板W的中心重合。
选择性地，支撑轴386可以被升降。此外，支撑臂382可以沿其长度方向前后移动。
固定喷嘴单元420将润湿液体供给至基板W。固定喷嘴单元420包括第一固定喷嘴构件430和第二固定喷嘴构件440。第一固定喷嘴构件430和第二固定喷嘴构件440将润湿液体供给至由基板支撑单元340所支撑的基板W。第一固定喷嘴构件430将润湿液体供给至基板W的第一位置，且第二固定喷嘴构件440将润湿液体供给至第二位置。在此，基板W的第一位置是从处理位置偏离的位置，第二位置是包括基板W的中心的位置。例如，第一位置可以是相比基板W的中心更靠近基板W的侧端的位置，第二位置是可以是基板W的中心或相比于基板W的侧端更靠近中心的位置。设置有固定喷嘴432和支架434。固定喷嘴432和处理容器320之间的相对位置被固定。固定喷嘴432位于处理容器320的外部。固定喷嘴432通过支架434而被固定地联接至处理容器320。支架434固定地联接至处理容器320的外部，且支撑固定喷嘴432。固定喷嘴432可以位于与处理容器320的上表面对应的高度或高于处理容器320的上表面。润湿液体可以从固定喷嘴432沿双曲线路径或沿向下倾斜的方向排出。例如，润湿液体可以是将基板W的表面保持在润湿状态的润湿液体。润湿液体可以是纯水。
控制器500控制可移动喷嘴单元380和固定喷嘴单元420。控制器500控制喷嘴单元380和喷嘴单元420，使得依次执行第一处理液体供给操作S20、主润湿操作S30至S50、第二处理液体供给操作S60、辅助润湿操作S70至S90和替换操作S100。在第一处理液体供给操作S20中第一处理液体被供给至基板W，在第二处理液体供给操作S60中第二处理液体被供给至基板W，且在替换操作S100中有机溶剂被供给至基板W。
主润湿操作S30到S50和辅助润湿操作S70至S90分别包括同时供给操作S30和S70、第一润湿操作S40和S80、和第二润湿操作S50和S90。依次执行同时供给操作S30和S70、第一润湿操作S40和S80、以及第二润湿操作S50和S90。在同时供给操作S30和S70中，在供给第一处理液体或第二处理液体的同时从第一固定喷嘴432供给润湿液体。在第一润湿操作S40和S80中，停止对第一处理液体或第二处理液体的供给，且保持由第一固定喷嘴432供给润湿液体。在第二润湿操作S50和S90中，在保持由第一固定喷嘴432供给润湿液体的同时从第二固定喷嘴442供给润湿液体。
接下来，将描述通过使用上述基板处理装置处理基板W的方法。将描述用于对基板W的表面进行疏水化处理和清洁基板W的方法，作为根据该实施方式的基板处理方法的示例。图4是示出处理基板的过程的流程图。图5至图9是通过使用图3的液体供给单元处理基板的过程的剖视图。在基板处理过程中，依次执行预润湿操作S10、第一处理液体供给操作S20、同时供给操作S30、第一润湿操作S40、第二润湿操作S50、第二处理液体供给操作S60、同时供给操作S70，第一润湿操作S80、第二润湿操作S90、和替换操作S100。
如果执行预润湿操作S10，则基板W被旋转且第二固定喷嘴将润湿液体供给至基板W。供给至基板W的第二位置的润湿液体扩散到基板W的整个区域并将基板W的表面转换为润湿状态。如果完成预润湿操作S10，则停止供给润湿液体且执行第一处理液体供给操作S20。
如图5所示，在第一处理液体供给操作S20中第一处理液体被供给至基板W。第一可移动喷嘴389被移动至处理位置。第一可移动喷嘴389将第一液体供给至基板W的处理位置。可以利用第一处理液体对基板W的表面进行疏水化处理。如果完成第一处理液体供给操作S20，则在保持供给第一处理液体的同时执行同时供给操作S30。
如图6所示，在同时供给操作S30中，同时供给第一处理液体和润湿液体。第一处理液体被供给至基板W的处理位置，从第一固定喷嘴432将润湿液体供给至基板W的第一位置。如果完成同时供给操作S30，则停止供给第一处理液体并将第一固定喷嘴389移动至备用位置。在保持供给润湿液体的同时执行第一润湿操作S40。
如图7所示，在第一润湿操作S40中，润湿液体被供给至基板W。在同时供给操作S30和第一润湿操作S40中，第一固定喷嘴连续供给润湿液体。然后，第二固定喷嘴442不供给润湿液体。如果完成第一润湿操作S40，则执行第二润湿操作S50。
如图8所示，在第二润湿操作S50中，第一固定喷嘴432和第二固定喷嘴442供给润湿液体。因此，润湿液体被供给至基板W的第一位置和第二位置。也就是说，第一固定喷嘴432在同时供给操作、第一润湿操作和第二润湿操作中连续供给润湿液体，而第一固定喷嘴442在第二润湿操作中供给润湿液体。如果完成第二润湿操作S50，则执行第二处理液体供给操作S60。
如图9所示，在第二处理液体供给操作S60中，第二处理液体被供给至基板W上。第二可移动喷嘴399被移动至处理位置。第二可移动喷嘴399将第二液体供给至基板W的处理位置。可以利用第二处理液体对基板W的表面进行亲水化处理。如果完成第二处理液体供给操作S60，则在保持供给第二处理液体的同时执行同时供给操作S70。
以下的同时供给操作S70、第一润湿操作S80和第二润湿操作S90与先前执行的操作S30至S50相同。因此，将省略对其的重复描述。
如果完成第二润湿操作S90，则执行替换操作S100。在替换操作S100中，将替换喷嘴409移动至处理位置以供给有机溶剂。基板W上的润湿液体被替换为有机溶剂。此后，通过热处理或通过气体对经有机溶剂替换的基板W的表面进行干燥。
根据上述实施方式，在停止供给第一处理液体之前将润湿液体供给至第一位置。此外，由于将润湿液体供给至偏离处理位置的位置，因此可以防止处理液体和润湿液体溅射。
在上述实施方式中已经描述了在同时供给操作S30和S70中润湿液体被供给至基板W的第一位置。然而，如图10所示，润湿液体可以被供给至第二位置。在该情况下，第二固定喷嘴442在同时供给操作S30和S70中可以将润湿液体供给至第二位置，且第一固定喷嘴432和第二固定喷嘴442可以在第二润湿操作中供给润湿液体。
根据本发明构思的实施方式，在将处理液体供给至基板上的同时供给润湿液体。因此，可以在将处理液体转换为润湿液体的同时防止基板的表面变干。
此外，根据本发明构思的实施方式，润湿液体被供给至相比基板的中心更靠近基板的侧端的位置。因此，可以防止基板的周边区域变干。
此外，根据本发明构思的实施方式，润湿液体被供给至偏离处理位置的位置。因此，可以防止润湿液体溅射。
虽然已经参照实施方式描述了本发明构思，但对于本领域技术人员而言显而易见的是，在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下，可以进行各种改变和修改。因此，应当理解，上述实施方式是示例性的而不是限制性的。

Claims (15)

1.一种用于以液体处理基板的装置，所述装置包括：
处理容器，所述处理容器在其内部具有处理空间；
基板支撑单元，所述基板支撑单元在所述处理空间中支撑所述基板；
固定喷嘴单元，所述固定喷嘴单元被固定地安装在所述处理容器中；
可移动喷嘴单元，所述可移动喷嘴单元能够移动至朝向所述处理空间的位置且包括第一可移动喷嘴，所述第一可移动喷嘴被配置成将第一处理液体供给至由所述基板支撑单元所支撑的所述基板上，
控制器，所述控制器被配置为控制所述固定喷嘴单元和所述可移动喷嘴单元，
其中，所述固定喷嘴单元包括：
第一固定喷嘴，所述第一固定喷嘴被配置成将润湿液体供给至由所述基板支撑单元所支撑的所述基板的第一位置；以及
第二固定喷嘴，所述第二固定喷嘴被配置成将润湿液体供给至由所述基板支撑单元所支撑的所述基板的第二位置，以及
其中，所述第一位置是比所述第二位置更远离所述基板的中心的位置，
其中，所述润湿液体与所述第一处理液体具有不同的化学性质，
其中，所述控制器控制所述固定喷嘴单元和所述可移动喷嘴单元使得依次执行第一处理液体供给操作和同时供给操作，其中所述第一处理液体供给操作将所述第一处理液体供给至所述基板上，且在供给所述第一处理液体的同时所述同时供给操作将润湿液体供给至所述第一位置。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一可移动喷嘴将所述第一处理液体供给至由所述基板支撑单元所支撑的所述基板的处理位置，以及
其中，所述第一位置是不同于所述处理位置的位置。
3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述处理位置和所述第二位置对应于由所述基板支撑单元所支撑的所述基板的中心区域，并且
其中，所述第一位置对应于由所述基板支撑单元所支撑的所述基板的周边区域。
4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述第一处理液体是用于对所述基板的表面进行疏水化处理的液体，并且
其中，所述润湿液体是纯水。
5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述控制器控制所述固定喷嘴单元和所述可移动喷嘴单元，使得在所述同时供给操作后执行第一润湿操作，其中所述第一润湿操作停止供给所述第一处理液体且持续将所述润湿液体供给至所述第一位置。
6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述控制器控制所述固定喷嘴单元和所述可移动喷嘴单元，使得在所述第一润湿操作后执行第二润湿操作，其中所述第二润湿操作将所述润湿液体供给至所述第一位置和所述第二位置。
7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述可移动喷嘴单元还包括：
第二可移动喷嘴，所述第二可移动喷嘴能够移动至朝向所述处理空间的位置且被配置成将第二处理液体供给至由所述基板支撑单元所支撑的所述基板上，以及
其中，所述控制器控制所述可移动喷嘴单元，使得在所述第二润湿操作后执行第二处理液体供给操作，其中所述第二处理液体供给操作将所述第二液体供给至所述基板上。
8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述第二处理液体是用于对所述基板的表面进行亲水化处理的液体。
9.一种用于通过使用根据权利要求1所述的以液体处理基板的装置而以液体处理基板的方法，包括：
第一处理液体供给操作，其将第一处理液体供给至所述基板的处理位置；以及
润湿操作，其在所述第一处理液体供给操作后将润湿液体供给至所述基板上，
其中，所述润湿操作包括：
同时供给操作，在供给所述第一处理液体的同时，所述同时供给操作将所述润湿液体供给至第一位置，并且
其中，所述第一位置是偏离所述处理位置的位置，
其中，所述润湿液体与所述第一处理液体具有不同的化学性质。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述处理位置对应于所述基板的中心区域，并且
其中，所述第一位置对应于所述基板的周边区域。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述润湿操作还包括：
第一润湿操作，其在所述同时供给操作后将润湿液体供给至所述基板的所述第一位置，并且
其中，在所述第一润湿操作中停止供给所述第一处理液体。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述润湿操作还包括：
第二润湿操作，其在所述第一润湿操作后将润湿液体供给至所述第一位置和第二位置，以及
其中，所述第二位置对应于所述基板的中心区域。
13.根据权利要求12所述的方法，还包括：
第二处理液体供给操作，其在所述第二润湿步骤后，将第二处理液体供给至所述基板上，所述第二处理液体不同于所述第一处理液体。
14.根据权利要求9至13中任一项所述的方法，其中，所述第一处理液体是用于对所述基板的表面进行疏水化处理的液体，以及
其中，所述润湿液体是纯水。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第一处理液体是包括氢氟酸的化学品。
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