TW201523720A - 基板處理方法及基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之基板處理方法包含如下步驟：藥液步驟，其係對藉由基板保持單元保持為水平姿勢之基板上表面供給藥液；及覆液淋洗步驟，其係一面將上述基板之旋轉速度保持為零或低速，一面於上述基板上表面保持覆液狀之淋洗液之液膜，藉此沖洗附著於上述基板上表面之藥液；上述藥液步驟包含藥液覆液步驟，該藥液覆液步驟係一面將上述基板之旋轉速度保持為零或低速，一面於上述基板上表面保持覆液狀之藥液之液膜，於上述藥液覆液步驟結束後，接著執行上述覆液淋洗步驟，上述覆液淋洗步驟包含如下步驟：對上述基板上表面供給淋洗液，而以淋洗液置換保持於上述基板上表面之藥液之液膜。

Description

基板處理方法及基板處理裝置
本發明係關於一種基板處理方法及基板處理裝置。成為處理對象之基板中例如包括半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、場發射顯示器(FED，Field Emission Display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。
於半導體裝置或液晶顯示裝置之製造步驟中例如逐片地處理基板之單片式之基板處理裝置具備：旋轉夾頭，其一面大致水平地保持基板，一面使該基板旋轉；及噴嘴，其用以向藉由該旋轉夾頭而旋轉之基板表面之中央部吐出處理液。
於使用此種基板處理裝置之基板處理中，例如，執行對旋轉狀態之基板之表面供給藥液之藥液處理。供給至基板表面之藥液係受到因基板之旋轉所產生之離心力，於基板表面上朝向周緣流動而遍及基板表面之整個區域。藉此，對基板之表面之整個區域實施藉由藥液進行之處理。
於藥液處理後，進行利用純水沖洗附著於基板表面之藥液之淋洗處理。於淋洗處理中，例如，對旋轉狀態之基板表面供給淋洗液。供給至基板表面之淋洗液係受到因基板之旋轉所產生之離心力，於基板表面上朝向周緣流動而遍及基板表面之整個區域。 藉此，於基板表面之整個區域，沖洗附著於基板之表面之藥液。
於淋洗處理後，對基板表面供給異丙醇(isopropyl alcohol：IPA)液。IPA液之供給係於基板之旋轉速度為零或低速之狀態下進行，從而僅為零或較小之離心力作用於IPA液，因此，於基板表面維持液體藉由表面張力滯留而形成液膜之狀態(以下將該狀態稱作「覆液」)。基板表面之淋洗液被置換為IPA液之後，藉由使基板之旋轉加速而將IPA液之液膜自基板表面甩出而使基板乾燥。
於如上所述之一連串處理中，於例如專利文獻1中提出有如下方法：執行淋洗處理後，於IPA液之液膜之保持之前，於基板表面覆液狀地保持淋洗液之液膜(覆液淋洗)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2009-54985號公報
專利文獻1之方法中，一面使基板以既定之液處理旋轉速度旋轉，一面執行淋洗處理，其後，一面繼續自噴嘴吐出淋洗液，一面使基板之旋轉速度自液處理旋轉速度降低至零或低速。此時，僅為零或較小之離心力作用於供給至基板之淋洗液，因此，淋洗液滯留於基板表面，而於基板表面之整個區域覆液狀地保持淋洗液之液膜。繼而，以IPA液置換該淋洗液之液膜中所含之淋洗液，藉此於基板表面之整個區域覆液狀保持IPA液之液膜。藉此，可在 不使基板表面露出而使淋洗液之液膜及IPA液之液膜依次保持於基板之表面之整個區域。
然而，專利文獻１之方法中，於自藥液處理結束至淋洗處理開始之期間，基板表面未被液膜覆蓋而露出。此時，有於基板表面之周邊懸浮之微粒附著於基板表面之虞。有藥液處理後附著於基板表面之微粒無法於淋洗處理中去除而於一連串處理後殘留於基板表面之虞。
因此，本發明之目的在於提供一種可不經歷基板上表面(正面)露出之過程，而對基板上表面實施使用藥液之處理及淋洗處理的基板處理方法及基板處理裝置。
本發明提供一種基板處理方法，其包含如下步驟：藥液步驟，其係對藉由基板保持單元而保持為水平姿勢之基板上表面供給藥液；及覆液淋洗步驟，其係一面將上述基板之旋轉速度保持為零或低速，一面於上述基板上表面保持覆液狀之淋洗液之液膜，藉此沖洗附著於上述基板上表面之藥液；上述藥液步驟包含藥液覆液步驟，該藥液覆液步驟係一面將上述基板之旋轉速度保持為零或低速，一面於上述基板上表面保持覆液狀之藥液之液膜，於上述藥液覆液步驟結束後，接著執行上述覆液淋洗步驟，上述覆液淋洗步驟包含如下步驟：對上述基板上表面供給淋洗液而以淋洗液置換保持於上述基板上表面之藥液之液膜。
根據該方法，於藥液步驟所包含之藥液覆液步驟中，於基板上表面保持覆蓋該上表面之藥液之液膜。於藥液覆液步驟結束後，接著以淋洗液置換保持於基板上表面之藥液之液膜。藉由該 淋洗液置換，於基板上表面保持覆蓋該上表面之淋洗液之液膜，藉由該淋洗液之液膜沖洗附著於基板上表面之藥液(覆液淋洗步驟)。由於以淋洗液置換基板所保持之藥液之液膜而於基板上表面形成淋洗液之液膜，故而於自藥液處理向淋洗處理移行時，基板上表面未露出。藉此，可不經歷基板上表面露出之過程而對基板上表面實施藥液處理及淋洗處理。
上述藥液亦可為蝕刻液。
又，上述覆液淋洗步驟前之基板上表面亦可表現出疏水性。
又，於本發明之一實施形態中，上述藥液覆液步驟係於上述藥液步驟之整個期間內持續執行。
根據該方法，於藥液步驟之整個期間內持續將基板之旋轉速度保持為零或低速。因此，可抑制或防止自基板排出之藥液衝撞周邊構件而彈回至基板側。因此，可抑制或防止彈回之藥液中所含之微粒附著於基板。藉此，可提高基板之潔淨度。
上述方法亦可包含預供給步驟，該預供給步驟係於執行上述藥液覆液步驟之前，對上述基板上表面供給水，而於該上表面保持水之液膜，上述藥液覆液步驟亦可包含如下步驟：對上述基板上表面供給藥液，以藥液置換保持於上述基板上表面之水之液膜。
根據該方法，於執行藥液覆液步驟之前執行預供給步驟而於基板表面形成水之液膜。於藥液覆液步驟中，由於自水之液膜之中央部朝向周緣部依次將水置換為藥液，故而自水向藥液之置換速度係隨著自基板之中央部朝向周緣部而逐漸降低。其結果，藥 液覆液步驟中之藥液處理之速率係隨著自基板之旋轉中心朝向周緣部而逐漸降低。
另一方面，於覆液淋洗步驟中，由於自藥液之液膜之中央部朝向周緣部依次將藥液置換為水，故而自藥液向水之置換速度係隨著自基板之中央部朝向周緣部而逐漸降低。其結果，覆液淋洗步驟中之藥液處理之速率與藥液覆液步驟時相反，係隨著自基板之旋轉中心朝向周緣部而逐漸變高。
藉由如此般組合藥液處理之特性不同之2個步驟，而使兩步驟間之藥液處理之特性抵消。其結果，基板之中央與周緣部之藥液處理之速率之差減少。因此，包含藥液覆液步驟及覆液淋洗步驟兩者作為藥液處理整體，可保持藥液處理之速率之面內均一性，而可均勻地對基板上表面進行藥液處理。
又，上述方法亦可進而包含低表面張力液置換步驟，該低表面張力液置換步驟係於上述覆液淋洗步驟之後，對上述基板上表面供給表面張力低於上述淋洗液之低表面張力液，而以低表面張力液置換保持於上述基板上表面之覆液狀之淋洗液之液膜。
又，上述方法亦可進而包含藥液供給位置移動步驟，該藥液供給位置移動步驟係與上述藥液覆液步驟同時進行，使上述基板上表面之藥液之供給位置移動。
根據該方法，於藥液覆液步驟中，掃描基板之藥液之供給位置，因此，基板上表面之藥液之液膜被攪拌，新鮮之藥液接液於基板上表面。其結果，可於藥液覆液步驟中提高藥液之處理效率(藥液為蝕刻液之情形下為蝕刻效率)。
又，上述方法亦可進而包含淋洗液供給位置移動步驟， 該淋洗液供給位置移動步驟係與上述覆液淋洗步驟同時進行，使上述基板上表面之淋洗液之供給位置移動。
根據該方法，於覆液淋洗步驟中，掃描基板之淋洗液之供給位置，因此，基板上表面之液膜(藥液與淋洗液之混合液膜)被攪拌，而可提高自藥液向淋洗液之置換效率。其結果，可於覆液淋洗步驟中提高淋洗效率。
本發明提供一種基板處理方法，其包含：基板保持單元，其將基板保持為水平姿勢；基板旋轉單元，其用以使上述基板繞鉛直之旋轉軸線旋轉；藥液供給單元，其用以對上述基板表面供給藥液；淋洗液供給單元，其用以對上述基板表面供給淋洗液；及控制單元，其控制上述基板旋轉單元、上述藥液供給單元及上述淋洗液供給單元而執行如下步驟：藥液覆液步驟，其係一面將上述基板之旋轉速度保持為零或低速，一面對上述基板上表面供給藥液，而於該基板上表面保持覆液狀之藥液之液膜；及覆液淋洗步驟，其係於上述藥液覆液步驟結束後接著執行，藉由一面將上述基板之旋轉速度保持為零或低速，一面於上述基板上表面保持覆液狀之淋洗液之液膜，而沖洗附著於上述基板上表面之藥液；且於上述覆液淋洗步驟中，執行對上述基板上表面供給淋洗液，並以淋洗液置換保持於上述基板上表面之藥液之液膜的步驟。
根據該構成，於藥液步驟所包含之藥液覆液步驟中，於基板上表面保持覆蓋該上表面之藥液之液膜。於藥液覆液步驟結束後，接著以淋洗液置換保持於基板上表面之藥液之液膜。藉由該淋洗液置換，於基板上表面保持覆蓋該上表面之淋洗液之液膜，藉由該淋洗液之液膜沖洗附著於基板上表面之藥液(覆液淋洗步驟)。 由於以淋洗液置換基板所保持之藥液之液膜而於基板上表面形成淋洗液之液膜，故而於自藥液處理向淋洗處理移行時，基板上表面未露出。藉此，可不經歷基板上表面露出之過程而對基板上表面實施藥液處理及淋洗處理。
本發明之上述或進而其他之目的、特徵及效果當根據參照隨附圖式於下文敍述之實施形態之說明而變得明確。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理室
3‧‧‧旋轉夾頭
4‧‧‧藥液噴嘴
5‧‧‧淋洗液噴嘴
6‧‧‧有機溶劑噴嘴
7‧‧‧旋轉馬達
8‧‧‧旋轉底座
9‧‧‧夾持構件
10‧‧‧第2臂
11‧‧‧第2臂支持軸
12‧‧‧第2臂搖動機構
13‧‧‧藥液供給管
14‧‧‧藥液閥
15‧‧‧淋洗液供給管
16‧‧‧淋洗液閥
18‧‧‧有機溶劑供給管
19‧‧‧有機溶劑閥
20‧‧‧控制裝置
25‧‧‧DIW之液膜
30‧‧‧藥液之液膜
40‧‧‧第1臂
41‧‧‧第1臂支持軸
42‧‧‧第1臂搖動機構
101‧‧‧頂板噴嘴
71、82‧‧‧噴嘴
81、91‧‧‧淋洗液噴嘴
92、93‧‧‧吐出口
A1‧‧‧旋轉軸線
W‧‧‧基板
圖1係示意性地表示本發明之一實施形態之基板處理裝置構成的圖。
圖2係表示圖1所示之基板處理裝置之電性構成之方塊圖。
圖3係表示藉由圖1所示之基板處理裝置執行之清洗處理之第1處理例的步驟圖。
圖4係表示圖3之處理例中所包含之各步驟中之基板之旋轉速度之變化的圖。
圖5係表示藉由圖1所示之基板處理裝置執行之清洗處理之第2處理例的步驟圖。
圖6A係表示圖5之第2處理例之圖。
圖6B係表示繼圖6A後執行之處理之圖。
圖6C係表示繼圖6B後執行之處理之圖。
圖6D係表示繼圖6C後執行之處理之圖。
圖6E係表示繼圖6D後執行之處理之圖。
圖7A係表示藥液覆液步驟中蝕刻速率之面內分佈之圖。
圖7B係表示覆液淋洗步驟中蝕刻速率之面內分佈之圖。
圖8係表示藉由圖1所示之基板處理裝置執行之清洗處理之第3處理例的步驟圖。
圖9係表示藉由圖1所示之基板處理裝置執行之清洗處理之第4處理例的步驟圖。
圖10A係表示本發明之第1變形例之圖。
圖10B係表示本發明之第2變形例之圖。
圖10C係表示本發明之第3變形例之圖。
圖11係表示本發明之第4變形例之圖。
圖1係示意性地表示本發明之一實施形態之基板處理裝置1構成之圖。
該基板處理裝置1係用以對半導體晶圓等基板W表面(處理對象面)實施清洗處理之單片型裝置。
基板處理裝置1包含：旋轉夾頭3，其於藉由間隔壁(未圖示)劃分之處理室2內保持基板W並使其旋轉；藥液噴嘴4，其用以對保持於旋轉夾頭3之基板W表面(上表面)供給藥液；淋洗液噴嘴(淋洗液供給單元)5，其用以對保持於旋轉夾頭3之基板W上表面供給作為淋洗液之一例之去離子水(DIW，Deionized Water)；及有機溶劑噴嘴(有機溶劑供給單元)6，其用以供給作為具有低表面張力之有機溶劑之一例之異丙醇(isopropyl alcohol：IPA)液。
作為旋轉夾頭3，例如採用夾持式者。具體而言，旋轉夾頭3具備：旋轉馬達(基板旋轉單元)7；旋轉軸(未圖示)，其與該旋轉馬達7之驅動軸一體化；圓板狀之旋轉底座8，其大致水平地安裝於旋轉軸之上端；及複數個夾持構件9，其等以大致相等之 角度間隔設置於旋轉底座8之周緣部之複數個部位。複數個夾持構件9係以大致水平之姿勢夾持基板W。若於該狀態下驅動旋轉馬達7，則藉由其驅動力，旋轉底座8繞既定之旋轉軸線(鉛直軸線)A1旋轉，基板W與該旋轉底座8一同以保持大致水平之姿勢之狀態繞旋轉軸線A1旋轉。
再者，作為旋轉夾頭3，並不限於夾持式者，例如亦可採用真空吸附式者，其係藉由真空吸附基板W背面(下表面)而以水平之姿勢保持基板W，進而以該狀態繞旋轉軸線A1旋轉，藉此使上述所保持之基板W旋轉。
藥液噴嘴4係例如以連續流之狀態吐出藥液之直線型噴嘴，使其吐出口朝向基板W上表面之旋轉中心附近而固定地配置於旋轉夾頭3上方。於藥液噴嘴4，連接有供給來自藥液供給源之藥液之藥液供給管13。於藥液供給管13之中途部，介裝有用以切換來自藥液噴嘴4之藥液之供給/供給停止之藥液閥(藥液供給單元)14。作為藥液，例如使用稀氫氟酸(DHF，diluted hydrofluoric acid)、濃氫氟酸(concHF)、硝氟酸(氫氟酸與硝酸(HNO3)之混合液)、或氟化銨等。
藥液噴嘴4係例如以連續流之狀態吐出藥液之直線型噴嘴，具有可變更基板W上表面之藥液之供給位置作為掃描噴嘴之基本形態。
藥液噴嘴4支持於在旋轉夾頭3上方大致水平地延伸之第1臂40之前端部。第1臂40之基端部固定於在旋轉夾頭3之側方大致鉛直地延伸之第1臂支持軸41之上端。於該第1臂支持軸41，結合有包含馬達等之第1臂搖動機構42。藉由利用第1臂 搖動機構42之第1臂40之搖動，可使藥液噴嘴4於保持於旋轉夾頭3之基板W之旋轉中心上方(旋轉軸線A1上)、與設置於旋轉夾頭3之側方位置之初始位置之間移動。
於藥液噴嘴4，連接有供給來自藥液供給源之藥液之藥液供給管13。於藥液供給管13之中途部，介裝有用以切換來自藥液噴嘴4之藥液之供給/供給停止之藥液閥14。作為藥液，例如使用稀氫氟酸(DHF)、濃氫氟酸(concHF)、硝氟酸(氫氟酸與硝酸(HNO3)之混合液)、或氟化銨等。
淋洗液噴嘴5係例如以連續流之狀態吐出DIW之直線型噴嘴，具有可變更基板W上表面之DIW之供給位置作為掃描噴嘴之基本形態。
淋洗液噴嘴5支持於在旋轉夾頭3上方大致水平地延伸之第2臂10之前端部。第2臂10之基端部固定於在旋轉夾頭3之側方大致鉛直地延伸之第2臂支持軸11之上端。於該第2臂支持軸11，結合有包含馬達等之第2臂搖動機構12。藉由利用第2臂搖動機構12之第2臂10之搖動，可使淋洗液噴嘴5於保持於旋轉夾頭3之基板W之旋轉中心上方(旋轉軸線A1上)、與設置於旋轉夾頭3之側方位置之初始位置之間移動。
於淋洗液噴嘴5，連接有供給來自DIW供給源之DIW之淋洗液供給管15。於淋洗液供給管15之中途部，介裝有用以切換來自淋洗液噴嘴5之DIW之供給/供給停止之淋洗液閥(淋洗液供給單元)16。
有機溶劑噴嘴6係例如以連續流之狀態吐出IPA液之直線型噴嘴，使其吐出口朝向基板W上表面之旋轉中心附近而固 定地配置於旋轉夾頭3上方。於有機溶劑噴嘴6，連接有供給來自IPA液供給源之IPA液之有機溶劑供給管18。於有機溶劑供給管18之中途部，介裝有用以切換來自有機溶劑噴嘴6之IPA液之供給/供給停止之有機溶劑閥19。
再者，有機溶劑噴嘴6無需分別相對於旋轉夾頭3固定地配置，例如亦可採用所謂掃描噴嘴之形態，該掃描噴嘴之形態係於旋轉夾頭3上方安裝於可於水平面內搖動之臂，藉由該臂之搖動而掃描基板W上表面之有機溶劑之著液位置。
圖2係表示基板處理裝置1之電性構成之方塊圖。
基板處理裝置1具備包含微電腦之構成之控制裝置(控制單元)20。控制裝置20依照預先規定之程式，控制旋轉馬達7或第1及第2臂搖動機構42、12等之動作。進而，控制裝置20控制藥液閥14、淋洗液閥16、有機溶劑閥19等之開閉動作。
圖3係表示藉由基板處理裝置1執行之清洗處理之第1處理例的步驟圖。圖4係表示清洗處理中所包含之各步驟中基板W之旋轉速度之變化的圖。
參照圖1~圖4，對清洗處理之第1處理例進行說明。
作為清洗處理之第1處理例，列舉將形成於基板W表面(應形成元件之面)之氧化膜去除之氧化膜蝕刻進行說明。於清洗處理時，控制搬送機器人(未圖示)，將未處理之基板W搬入至處理室2(參照圖1)內(步驟S1)。作為該基板W之一例，可列舉於表面形成有氧化膜之矽晶圓。基板W亦可為大型基板(例如，外徑450mm之圓形基板)。基板W係以其表面朝向上方之狀態交接至旋轉夾頭3。此時，為了不妨礙基板W之搬入，藥液噴嘴4及淋洗液噴 嘴5分別配置於初始位置。
將基板W保持於旋轉夾頭3後，控制裝置20開始藥液被覆步驟(步驟S2)。
具體而言，控制裝置20控制旋轉馬達7而使基板W開始旋轉，並使基板W之旋轉速度增加至相對較高之旋轉(例如，600~1200rpm)。與此同時，控制裝置20控制第1臂搖動機構42，使藥液噴嘴4移動至基板W上方，並使藥液噴嘴4配置於基板W之旋轉中心(旋轉軸線A1)上。當使藥液噴嘴4配置於基板W之旋轉中心上，則控制裝置20打開藥液閥14，自藥液噴嘴4朝向基板W上表面之中央部吐出藥液。此時來自藥液噴嘴4之藥液吐出流量例如設定為2.0(公升/分鐘)。自藥液噴嘴4供給至基板W之中央部之藥液藉由離心力而擴散，基板W表面之整面由藥液之液膜被覆。然後，於基板W表面之整個區域開始藥液處理。
當經過既定之時間而由藥液之液膜覆蓋基板W表面之整個區域，則控制裝置20開始進行於基板W上表面形成並保持覆液狀之藥液之液膜之藥液覆液步驟(步驟S3)。具體而言，控制裝置20控制旋轉馬達7，使基板W之旋轉速度於短時間內減速至低於藥液被覆步驟(步驟S2)時之旋轉速度(例如約10rpm)。使來自藥液噴嘴4之藥液吐出流量維持為2.0(公升/分鐘)。藉由基板W之旋轉速度之降低，自藥液噴嘴4供給之藥液不於基板W表面飛散，而停留於基板W表面並形成覆液狀之藥液之液膜。
再者，關於覆液狀之液膜形成中基板W之旋轉速度，並不限定於上述數值，亦可設定為可使藥液覆液狀地溢液之任意之旋轉速度，或者使基板W之旋轉速度為零，即，使基板W靜止。 即，基板W之旋轉速度係設定為作用於基板W表面之藥液之液膜之離心力，小於在藥液與基板W表面之間作用之表面張力，或者，上述離心力與上述表面張力大體上相抗衡之速度(覆液速度)。
利用該藥液之液膜，對基板W上表面之整個區域進行藥液處理。又，由於將基板W之旋轉速度保持為覆液速度，故而可抑制或防止自基板W排出之藥液衝撞周邊構件而彈回至基板W。
自開始吐出藥液起經過預先規定之藥液處理時間時，控制裝置20關閉藥液閥14而停止自藥液噴嘴4吐出藥液，並且控制第1臂搖動機構42，使藥液吐出停止後之藥液噴嘴4返回至其初始位置。於使用稀氫氟酸、濃氫氟酸、硝氟酸、氟化銨等蝕刻液作為藥液之情形下，藥液處理後之基板W表面呈現疏水性。
繼而，控制裝置20開始將基板W表面之藥液置換為淋洗液(DIW)之覆液淋洗步驟(步驟S4)。控制裝置20於開始覆液淋洗步驟(步驟S4)之時間點維持藥液覆液步驟(S3)中之基板旋轉速度。又，控制裝置20控制第2臂搖動機構12，使淋洗液噴嘴5移動至基板W上方，並使淋洗液噴嘴5配置於基板W之旋轉中心上。當使淋洗液噴嘴5配置於基板W之旋轉中心上，則控制裝置20打開淋洗液閥16，自淋洗液噴嘴5朝向基板W上表面之中央部吐出DIW。此時來自淋洗液噴嘴5之DIW之吐出流量例如設定為2.0(公升/分鐘)。由於在自藥液覆液步驟(步驟S3)移行至覆液淋洗步驟(步驟S4)之期間，將基板W之旋轉速度維持為覆液速度，故而於該整個期間內基板W上表面之整面持續被覆液狀之藥液之液膜覆蓋，而可避免基板W上表面露出。
若進一步自淋洗液噴嘴5朝向液膜之中央部供給DIW，則基板W上之藥液之液膜自基板W之中央部起依次朝向基板W之外側被擠出，而自基板W之周緣部被排出至外部，從而被置換為DIW。
經過既定時間時，基板W上之藥液之液膜全部被DIW置換，而於基板W上表面之整個區域覆液狀地形成DIW之液膜。利用該DIW之液膜，於基板W上表面之整個區域沖洗附著於該上表面之藥液。
覆液淋洗步驟(步驟S4)中基板旋轉速度係設定為覆液速度(例如10rpm)。由於作用於基板W上之藥液或DIW之離心力較小，故而可抑制藥液或DIW自基板W之周緣向外部飛散之量。由於如此般使基板W以覆液速度旋轉，故而於整個覆液淋洗步驟(步驟S4)中，於基板W上表面持續保持覆液狀之DIW之液膜。因此，可確實地避免覆液淋洗步驟(步驟S4)中基板W表面之露出。
當自開始吐出DIW起經過預先規定之淋洗處理時間，則控制裝置20關閉淋洗液閥16而停止自淋洗液噴嘴5吐出DIW，並且控制第2臂搖動機構12，使DIW吐出停止後之淋洗液噴嘴5返回至其初始位置。
繼而，控制裝置20開始執行IPA液置換步驟(低表面張力液置換步驟，步驟S5)。具體而言，控制裝置20一面將基板W之旋轉速度維持為覆液速度(例如10rpm)，一面打開有機溶劑閥19，自有機溶劑噴嘴6朝向基板W之旋轉中心附近吐出IPA液。此時來自有機溶劑噴嘴6之IPA液之吐出流量例如設定為0.1(公升/分鐘)。對基板W上表面供給IPA液，藉此將基板W上表面之DIW 之液膜中所含之DIW依次置換為IPA液。其結果，於基板W上表面覆液狀地形成覆蓋基板W上表面整個區域之IPA液之液膜。
當自開始吐出IPA液起經過預先規定之IPA覆液時間，則控制裝置20一面使IPA液之吐出繼續，一面控制旋轉馬達7而使基板W自覆液速度逐步加速至高旋轉速度。於基板W達到高旋轉速度後，控制裝置20以自開始吐出IPA液起經過IPA處理時間為條件，關閉有機溶劑閥19而停止自有機溶劑噴嘴6吐出IPA液。
IPA液之吐出停止後，控制裝置20執行乾燥步驟(步驟S6)。即，控制裝置20將基板W之旋轉速度維持為高旋轉(例如600~1200rpm)。藉此，將附著於基板W之IPA液甩出而使基板W乾燥。
當於預先規定之乾燥時間內持續進行乾燥步驟(S6)，則控制裝置20驅動旋轉馬達7，使旋轉夾頭3之旋轉(基板W之旋轉)停止(步驟S7)。藉此，對1片基板W之清洗處理結束，藉由搬送機器人將處理完畢之基板W自處理室2搬出(步驟S8)。
如此，於第1處理例中，於自藥液覆液步驟(步驟S3)至IPA置換步驟(步驟S5)之初期為止之整個期間內，基板W上表面持續由覆液狀之液膜被覆，而基板W上表面不會露出。因此，可保護基板W上表面不受微粒之污染。
圖5係表示藉由基板處理裝置1執行之清洗處理之第2處理例的步驟圖。圖6A~圖6E係表示藉由基板處理裝置1執行之清洗處理之第2處理例的圖。
圖5所示之清洗處理之第2處理例與圖3所示之清洗處理之第1處理例之不同之處在於：於執行藥液覆液步驟(步驟S14) 之前，執行預濕步驟(預供給步驟，步驟S13)。以下，一面參照圖1、圖2、圖5~圖6E，一面以與第1處理例不同之方面為中心，對清洗處理之第2處理例進行說明。再者，該第2處理例中，與第1處理例之情形同樣地，列舉將形成於包含矽晶圓之基板W(外徑450mm之大型圓形基板)表面之氧化膜去除之氧化膜蝕刻為例進行說明。
於清洗處理時，控制搬送機器人，將未處理之基板W搬入至處理室2(參照圖1)內，將基板W以其表面朝向上方之狀態交接至旋轉夾頭3(步驟S11)。
於將基板W保持於旋轉夾頭3後，控制旋轉馬達7使基板W開始旋轉(步驟S12)。
繼而，藉由控制裝置20，執行預濕步驟(步驟S13)。預濕步驟(S13)係於基板W上表面覆液狀地形成並保持覆蓋該上表面之DIW液膜之步驟。
基板W之旋轉速度達到覆液速度時，控制裝置20控制臂搖動機構12，使淋洗液噴嘴5移動至基板W上方，並使淋洗液噴嘴5配置於基板W之旋轉中心(旋轉軸線A1)上。又，當使淋洗液噴嘴5配置於基板W之旋轉中心上，則打開淋洗液閥16，自淋洗液噴嘴5朝向基板W上表面之中央部吐出DIW。此時來自淋洗液噴嘴5之DIW之吐出流量例如設定為2.0(公升/分鐘)。供給至基板W上表面之中央部之DIW係著液於基板W上表面中央部並被後續之DIW推擠而於基板W上向外側擴散。又，由於基板W之旋轉速度為覆液速度，作用於基板W上之DIW之離心力係小於在DIW與基板W表面之間作用之表面張力，故而供給至基板W之 DIW未向基板W之周圍飛散而於基板W上溢液。因此，如圖6A所示，於基板W上表面之整個區域覆液狀地形成DIW之液膜25。
當自開始吐出DIW起經過預先規定之預濕時間，則控制裝置20關閉淋洗液閥16而停止自淋洗液噴嘴5吐出DIW，並且控制第2臂搖動機構12，使DIW吐出停止後之淋洗液噴嘴5返回至其初始位置。
繼而，控制裝置20開始執行藥液覆液步驟(步驟S14)。具體而言，控制裝置20控制第1臂搖動機構42，使藥液噴嘴4移動至基板W上方，並使藥液噴嘴4配置於基板W之旋轉中心上。又，當使藥液噴嘴4配置於基板W之旋轉中心上，則控制裝置20打開藥液閥14，自藥液噴嘴4朝向基板W上表面之中央部吐出藥液。此時來自藥液噴嘴4之藥液吐出流量例如設定為2.0(公升/分鐘)。於開始執行藥液覆液步驟(S14)時，如圖6A所示，於基板W上表面覆液狀地保持有DIW之液膜25。如圖6B所示，自藥液噴嘴4對該DIW之液膜25之中央部供給藥液。藉此，基板W上之DIW之液膜25自基板W之中央部起依次被藥液置換。其後，基板W上之淋洗液之液膜25全部被藥液置換，如圖6C所示，於基板W上表面之整個區域覆液狀地形成藥液之液膜30。由於將基板W之旋轉速度保持為覆液速度(例如10rpm)，故而可抑制或防止自基板W排出之藥液衝撞周邊構件而彈回至基板W。
當自開始吐出藥液起經過預先規定之藥液處理時間，則控制裝置20關閉藥液閥14而停止自藥液噴嘴4吐出藥液，並且控制第1臂搖動機構42，使藥液吐出停止後之藥液噴嘴4返回至其初始位置。於使用稀氫氟酸、濃氫氟酸、硝氟酸、氟化銨等作為藥 液之情形下，藥液處理後之基板W之表面呈現疏水性。
繼而，控制裝置20開始執行將保持於基板W上表面之覆液狀藥液之液膜30置換為DIW之覆液淋洗步驟(步驟S15)。控制裝置20於開始覆液淋洗步驟(步驟S15)之時間點維持藥液覆液步驟(步驟S14)中之基板旋轉速度。控制裝置20控制第2臂搖動機構12，使淋洗液噴嘴5移動至基板W上方，並使淋洗液噴嘴5配置於基板W之旋轉中心上。當使淋洗液噴嘴5配置於基板W之旋轉中心上，則控制裝置20再次打開淋洗液閥16而自淋洗液噴嘴5朝向基板W上表面之中央部吐出DIW。此時來自淋洗液噴嘴5之DIW之吐出流量例如設定為2.0(公升/分鐘)。由於在自藥液覆液步驟(步驟S14)移行至覆液淋洗步驟(步驟S15)之期間將基板W之旋轉速度維持為覆液速度，故而於該整個期間內基板W上表面之整面持續被覆液狀藥液之液膜30覆蓋，而可避免基板W上表面露出。
如圖6D所示，若進一步自淋洗液噴嘴5朝向液膜之中央部供給DIW，則基板W上之藥液液膜30自基板W之中央部起依次朝向基板W之外側被擠出而自基板W之周緣部被排出至外部，從而被置換為DIW。
經過既定時間時，基板W上之藥液之液膜30全部被DIW置換，而如圖6E所示，於基板W上表面之整個區域覆液狀地形成DIW之液膜25。利用該DIW之液膜25，於基板W上表面之整個區域沖洗附著於該上表面之藥液。
覆液淋洗步驟(步驟S15)中之基板旋轉速度係設定為覆液速度(例如10rpm)。由於作用於基板W上之藥液或DIW之離 心力較小，故而可抑制藥液或DIW自基板W之周緣向外部飛散之量。由於如此般使基板W以覆液速度旋轉，故而於整個覆液淋洗步驟(步驟S15)中，於基板W上表面持續保持覆液狀之DIW之液膜25。因此，可確實地避免覆液淋洗步驟(步驟S15)中之基板W表面之露出。
當自開始吐出DIW起經過預先規定之淋洗處理時間(例如約30秒鐘)，則控制裝置20關閉淋洗液閥16而停止自淋洗液噴嘴5吐出DIW，並且控制第2臂搖動機構12，使DIW吐出停止後之淋洗液噴嘴5返回至其初始位置。其後，控制裝置20依次執行IPA液置換步驟(低表面張力液置換步驟，步驟S16)及乾燥步驟(步驟S17)，之後控制裝置20使旋轉夾頭3之旋轉(基板W之旋轉)停止(步驟S18)。步驟S16、S17之各步驟為與圖3所示之第1處理例之步驟S5、S6之各步驟同等之步驟。藉此，對1片基板W之清洗處理結束，藉由搬送機器人將處理完畢之基板W自處理室2搬出(步驟19)。
圖7A係表示藥液覆液步驟(S14)中蝕刻速率之面內分佈之圖。圖7B係表示覆液淋洗步驟(S15)中蝕刻速率之面內分佈之圖。
如上所述，於第2處理例中，於執行藥液覆液步驟(S14)之前一步驟，執行預濕步驟(S13)而於基板W之表面形成DIW之液膜25。於藥液覆液步驟(S14)中，如圖6B所示，自該DIW之液膜25之中央部朝向周緣部依次將DIW置換為藥液，因此，自DIW向藥液之置換速度係隨著自基板W之中央部朝向周緣部而逐漸降低。其結果，如圖7A所示，藥液覆液步驟(S14)中之蝕刻速率係隨著自 基板W之旋轉中心(中心)朝向周緣部(邊緣)而逐漸降低。
另一方面，於覆液淋洗步驟(S15)中，如圖6D所示，自藥液之液膜30之中央部朝向周緣部依次將藥液置換為DIW，因此，自藥液向DIW之置換速度係隨著自基板W之中央部朝向周緣部而逐漸降低。其結果，覆液淋洗步驟(S15)中之蝕刻速率與藥液覆液步驟(S14)時相反，而如圖7B所示，係隨著自基板W之旋轉中心(中心)朝向周緣部(邊緣)而逐漸變高。
藉由如此般組合蝕刻特性不同之2個步驟(S14、S15)，而使兩步驟間之蝕刻特性抵消。其結果，基板W之中央與周緣部之蝕刻速率之差減少。包含藥液覆液步驟(S14)及覆液淋洗步驟(S15)兩者作為清洗處理(蝕刻處理)整體，可保持蝕刻速率之面內均一性，而可均勻地蝕刻基板W上表面(表面)。
圖8係表示藉由基板處理裝置1執行之清洗處理之第3處理例的步驟圖。圖8所示之第3處理例與圖3所示之第1處理例及第2處理例之不同之處在於：於執行覆液淋洗步驟(S4、S15)之期間，掃描基板W上來自淋洗液噴嘴5之DIW之供給位置。具體而言，於覆液淋洗步驟(S4、S15)開始執行至結束之期間，控制裝置20控制第2臂搖動機構12，使淋洗液噴嘴5沿基板W上表面移動。此情形下，例如採用半掃描(往復)方式，即，基板W之來自淋洗液噴嘴5之DIW之供給位置，係於基板W之旋轉中心與基板W之周緣部之間往復掃描。
於覆液淋洗步驟(S4、S15)中，由於掃描基板W之DIW之供給位置，故而基板W上表面之液膜(藥液與DIW之混合液膜)被攪拌，而可提高自藥液向DIW之置換效率。其結果，可於覆液 淋洗步驟(S4、S15)中提高淋洗效率。
又，如圖8中括號所示，亦可於執行藥液覆液步驟(S3、S14)之期間，掃描基板W之來自藥液噴嘴4之藥液之供給位置。具體而言，於藥液覆液步驟(S3、S14)開始執行至結束之期間，控制裝置20控制第1臂搖動機構42，使藥液噴嘴4沿基板W上表面移動。此情形下，例如採用半掃描(往復)方式，即，基板W之來自藥液噴嘴4之藥液之供給位置係於基板W之旋轉中心與基板W之周緣部之間往復掃描。
於藥液覆液步驟(S3、S14)中，由於掃描基板W之藥液之供給位置，故而基板W上表面之藥液之液膜被攪拌，剛自藥液噴嘴4吐出之新鮮之藥液接液於基板W上表面，其結果，可於藥液覆液步驟(S3、S14)中提高藥液之處理效率(藥液為如上所述之蝕刻液之情形為蝕刻效率)。
圖9係表示藉由基板處理裝置1執行之清洗處理之第4處理例的步驟圖。
於該第4處理例中，於覆液淋洗步驟(S4、S15)之執行期間中某一固定期間，使基板W之來自淋洗液噴嘴5之DIW之供給位置以靜止狀態配置於基板W之旋轉中心，經過該固定之期間，則使基板W之DIW之供給位置與第3處理例同樣地於基板W之旋轉中心與基板W之周緣部之間往復掃描。
於該第4處理例之情形下，亦發揮與第3處理例之情形同等之作用效果。
又，如圖9中括號所示，亦可於藥液淋洗步驟(S3、S14)之執行期間中某一固定期間，使基板W之來自藥液噴嘴4之藥 液之供給位置以靜止狀態配置於基板W之旋轉中心，經過該固定之期間，則使基板W之藥液之供給位置與第3處理例同樣地於基板W之旋轉中心與基板W之周緣部之間往復掃描。
再者，於第4處理例中，亦可先執行DIW或藥液之供給位置之掃描，其後，使DIW或藥液之供給位置靜止配置於基板W之旋轉中心上。
據上文所述，根據本實施形態，於藥液覆液步驟(S3、S14)中，於基板W上表面保持覆蓋該上表面之藥液之液膜。於藥液覆液步驟(S3、S14)結束後，接著以DIW置換保持於基板W上表面之藥液之液膜。藉由該淋洗液置換，而於基板W上表面保持覆蓋該上表面之DIW之液膜，藉由該淋洗液之液膜沖洗附著於基板W上表面之藥液(S4、S15之覆液淋洗步驟)。由於以DIW置換保持於基板W之藥液之液膜而於基板W上表面形成DIW之液膜，故而於自藥液處理向淋洗處理移行時，基板W上表面未露出。藉此，可不經歷基板W上表面露出之過程，而對基板W上表面實施藥液處理及淋洗處理。
又，於藥液處理之整個期間，將基板W之旋轉速度保持為覆液速度(例如10rpm)。因此，可抑制或防止自基板W排出之藥液衝撞周邊構件而彈回至基板W。因此，可抑制或防止彈回之藥液中所含之微粒附著於基板W。藉此，可提高基板W之潔淨度。
以上，對本發明之一實施形態進行說明，但本發明亦能夠以其他形態實施。
例如，於上述實施形態中，列舉僅使用淋洗液噴嘴5進行覆液淋洗步驟(S4、S15)中之淋洗液(DIW)之供給之情形為例， 但對於淋洗液(DIW)之供給，亦可採用圖10A~10C及圖11所示之供給方法。
於圖10A之變形例中，除淋洗液噴嘴5外，另外設置有用以對基板W之中心部供給DIW之噴嘴71。噴嘴71係例如以連續流之狀態吐出作為淋洗液之DIW之直線型噴嘴，使其吐出口朝向基板W之周緣部而固定地配置於旋轉夾頭3(參照圖1)之上方。對噴嘴71供給來自DIW供給源之DIW。於執行覆液淋洗步驟(S4、S15)之期間，不僅將來自淋洗液噴嘴5之DIW供給至基板W之中央部，而且將來自噴嘴71之DIW供給至基板W之周緣部。因此，於執行覆液淋洗步驟(S4、S15)之期間可實現朝向基板W之DIW之供給流量之增大。
圖10B之變形例與圖10A之變形例之不同之處在於：設置有具有上述掃描形態且吐出DIW之噴嘴82代替噴嘴71。分別對噴嘴82供給來自DIW供給源之DIW。
於執行覆液淋洗步驟(S4、S15)之前，將噴嘴82配置於其吐出口朝向基板W之周緣部之位置。於執行覆液淋洗步驟(S4、S15)之期間，與圖10A之情形同樣地，不僅將來自淋洗液噴嘴5之DIW供給至基板W之中央部，而且將來自噴嘴82之DIW供給至基板W之周緣部。
圖10C之變形例與圖10A之變形例之不同之處在於：設置有具有上述掃描噴嘴之形態且具有2個吐出口92、93之淋洗液噴嘴91代替淋洗液噴嘴5。吐出口92、93分別以朝向下方之狀態設置。分別經由閥(未圖示)對淋洗液噴嘴91供給來自DIW供給源之DIW，於閥呈打開之狀態下，分別自吐出口92、93向下吐出 DIW。
圖11之變形例中，使用配置於處理室2(參照圖1)之頂板壁面之頂板噴嘴101，於執行覆液淋洗步驟(S4、S15)時對基板W之表面供給DIW。該頂板噴嘴101係對支持噴嘴使之可搖動之臂、或用以將基板W表面上之空間自其周圍遮斷之遮斷構件吐出作為清洗水之DIW者。頂板噴嘴101係例如以連續流之狀態吐出DIW之直線型噴嘴，使其吐出口朝向基板W之旋轉中心附近而固定地配置於旋轉夾頭3(參照圖1)之上方。對頂板噴嘴101供給來自DIW供給源之DIW。
當開始執行覆液淋洗步驟(S4、S15)，則一面將來自淋洗液噴嘴5之DIW之吐出量維持為與之前相同之流量，一面開始自頂板噴嘴101吐出DIW。藉此，於執行覆液淋洗步驟(S4、S15)之期間，不僅將來自淋洗液噴嘴5之DIW供給至基板W之中央部，而且將來自頂板噴嘴101之DIW供給至基板W之中央部。因此，於執行覆液淋洗步驟(S4、S15)之期間可實現朝向基板W之DIW之供給流量之增大。
再者，圖10A~10C及圖11中，示出關於覆液淋洗步驟(S4、S15)中淋洗液(DIW)之供給方法之變形例，關於藥液覆液步驟(S4、S15)中藥液之供給，亦可採用圖10A~10C及圖11所示之變形例。
又，第1實施形態之第1處理例及第2處理例中，自藥液覆液步驟(S3、S14)移行至覆液淋洗步驟(S4、S15)之作業，首先使藥液噴嘴4返回至初始位置，其後使淋洗液噴嘴5自其初始位置移動至基板W之對向位置。因此，朝向基板W表面之液體之供 給暫時停止。但是，於在同一個臂(例如第2臂10)安裝有淋洗液噴嘴5與藥液噴嘴4之情形下，可於藥液噴嘴4剛停止接著供給藥液後開始自淋洗液噴嘴5供給淋洗液。此情形下，對基板W上表面之藥液之液膜持續供給液體，因此，可更確實地避免自藥液覆液步驟(步驟S3、S14)向覆液淋洗步驟(步驟S4、S15)移行時基板W上表面之露出。
又，第3實施形態及第4實施形態中，作為基板W之DIW或藥液之供給位置之掃描形態，列舉採用半掃描之情形為例進行說明，但作為該掃描形態，亦可採用全掃描(Variable Scan，可變掃描)，該全掃描係指使噴嘴於基板W一周緣部、及與該一周緣部隔著基板W之旋轉中心之另一周緣部之間移動。又，掃描形態亦可為僅於單向移動中供給來自藥液噴嘴4之DIW或藥液之所謂單向掃描，而非一面使噴嘴往復移動一面供給DIW或藥液之往復掃描。
又，於上述各實施形態中，說明對藥液噴嘴4及淋洗液噴嘴5之兩者採用掃描噴嘴之形態，但亦可使藥液噴嘴4或淋洗液噴嘴5相對於旋轉夾頭3固定地配置。
又，設為使藥液覆液步驟(S3、S14)中基板W之覆液速度、與覆液淋洗步驟(S4、S15)中基板W之覆液速度相互相等而進行說明，但亦可使該等覆液速度互不相同。
又，上述各處理例中，列舉以對於基板W之藥液處理之整個期間內持續執行藥液覆液步驟(S3、S14)之情形為例進行說明，但只要至少於藥液處理結束時執行藥液覆液步驟(S3、S14)即可，並非必須於藥液處理之整個期間內持續執行。
又，設為預濕步驟(S13)藉由使基板W以覆液速度旋轉，而於基板W上表面之整個區域覆液狀地保持DIW之液膜而進行說明，但只要於預濕步驟(S13)中於基板W之表面保持有液膜即可，例如亦可對基板W上表面供給高流量之DIW，並且使基板W以相對較高之旋轉速度(高於覆液速度之旋轉速度)旋轉。
又，作為淋洗液，列舉使用DIW之情形為例進行說明。但是，淋洗液不限定於DIW，亦可採用碳酸水、電解離子水、臭氧水、稀釋濃度(例如10~100ppm左右)之鹽酸水、還原水(氫水)等作為淋洗液。
又，作為具有低表面張力之有機溶劑，除IPA液以外，例如可採用甲醇、乙醇、丙酮、及氫氟醚(HFE，hydrofluoroether)等。
又，本發明之基板處理裝置1並不限於用於自基板W表面去除氧化矽膜之清洗處理中之淋洗後之處理，可廣泛地用於淋洗後之處理。但是，於基板W之表面呈現疏水性之情形，尤為顯著地發揮本發明之效果。作為對於表面呈現疏水性之基板W處理，除了去除氧化矽膜之處理以外，可例示去除抗蝕劑之處理。
此外，可於申請專利範圍所記載之事項之範圍內實施各種設計變更。

Claims (9)

  1. 一種基板處理方法，其包含如下步驟：藥液步驟，其係對藉由基板保持單元保持為水平姿勢之基板上表面供給藥液；及覆液淋洗步驟，其係一面將上述基板之旋轉速度保持為零或低速，一面於上述基板上表面保持覆液狀之淋洗液之液膜，藉此沖洗附著於上述基板上表面之藥液；上述藥液步驟包含藥液覆液步驟，該藥液覆液步驟係一面將上述基板之旋轉速度保持為零或低速，一面於上述基板上表面保持覆液狀之藥液之液膜，於上述藥液覆液步驟結束後，接著執行上述覆液淋洗步驟，上述覆液淋洗步驟包含如下步驟：對上述基板上表面供給淋洗液，而以淋洗液置換保持於上述基板上表面之藥液之液膜。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中，上述藥液為蝕刻液。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理方法，其中，上述覆液淋洗步驟前基板上表面呈現疏水性。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理方法，其中，上述藥液覆液步驟於上述藥液步驟之整個期間內持續執行。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理方法，其包含預供給步驟，該預供給步驟係於執行上述藥液覆液步驟之前，對上述基板上表面供給水，而於該上表面保持水之液膜；且上述藥液覆液步驟包含如下步驟：對上述基板上表面供給藥液，而以藥液置換保持於上述基板上表面之水之液膜。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理方法，其中，進而包含低表面張力液置換步驟，該低表面張力液置換步驟係於上述覆液淋洗步驟後，對上述基板上表面供給表面張力低於上述淋洗液之低表面張力液，而以低表面張力液置換保持於上述基板上表面之覆液狀之淋洗液之液膜。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理方法，其中，進而包含藥液供給位置移動步驟，該藥液供給位置移動步驟係與上述藥液覆液步驟同時進行，使上述基板上表面之藥液之供給位置移動。
  8. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理方法，其中，進而包含淋洗液供給位置移動步驟，該淋洗液供給位置移動步驟係與上述覆液淋洗步驟同時進行，使上述基板上表面之淋洗液之供給位置移動。
  9. 一種基板處理方法，其包含：基板保持單元，其將基板保持為水平姿勢；基板旋轉單元，其用以使上述基板繞鉛直之旋轉軸線旋轉；藥液供給單元，其用以對上述基板表面供給藥液；淋洗液供給單元，其用以對上述基板表面供給淋洗液；及控制單元，其控制上述基板旋轉單元、上述藥液供給單元及上述淋洗液供給單元而執行如下步驟：藥液覆液步驟，其係一面將上述基板之旋轉速度保持為零或低速，一面對上述基板上表面供給藥液，而於該基板上表面保持覆液狀之藥液之液膜；及覆液淋洗步驟，其係於上述藥液覆液步驟結束後接著執行，藉由一面將上述基板之旋轉速度保持為零或低速，一面於上述基板上表面保持覆液狀之淋洗液之液膜，而沖洗附著於上述基板上表面之藥液；且於上述覆液 淋洗步驟中，執行對上述基板上表面供給淋洗液，並以淋洗液置換保持於上述基板上表面之藥液之液膜的步驟。
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