CN104992897B - 处理杯清洗方法、基板处理方法以及基板处理装置 - Google Patents

处理杯清洗方法、基板处理方法以及基板处理装置 Download PDF

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Abstract

本发明的目的在于，提供一种能够在宽范围且良好地对处理杯的内壁进行清洗的处理杯清洗方法，并且提供一种能够防止或抑制颗粒的发生并能够使用处理液良好地对基板实施处理的基板处理装置以及基板处理方法。处理杯清洗方法包括：旋转工作步骤，在基板旋转单元上保持有基板的状态下，使基板旋转单元进行旋转动作；清洗液供给步骤，与所述旋转工作步骤并行地执行，向所述基板的上表面以及下表面都供给清洗液，使从所述基板的周缘部飞散的清洗液着落在所述处理杯的所述内壁，以向所述处理杯的所述内壁供给清洗液；飞散方向变更步骤，与所述旋转工作步骤以及所述清洗液供给步骤并行地执行，对从所述基板的周缘部飞散的清洗液的方向进行变更。

Description

处理杯清洗方法、基板处理方法以及基板处理装置
技术领域
本发明涉及处理杯清洗方法、基板处理方法以及基板处理装置。成为基板处理方法以及基板处理装置的处理对象的基板包括例如半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子体显示器用基板、FED(Field Emission Display：场致发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳电池用基板等。
背景技术
在半导体装置和液晶表示装置的制造工序中，使用处理液对半导体晶片和液晶显示装置用基板等基板进行处理。例如，对基板一张一张进行处理的单张式的基板处理装置具有：旋转卡盘，将基板保持为水平并使该基板旋转；喷嘴，向被旋转卡盘保持的基板的表面供给处理液；有底筒状的处理杯，容纳旋转卡盘。
处理杯具有：挡板，具有用于挡住从基板的周边飞散的处理液的内壁；杯，用于接受沿着挡板的内壁移动到下方的处理液。沿着挡板移动的处理液在挡板的下端被杯回收。
在作为处理液使用药液的情况下，存在如下问题，即，当药液在挡板的内壁干燥而结晶化时，其会变成颗粒而成为基板污染的原因，因此，希望利用清洗液对挡板的内壁进行清洗，来除去在其内壁附着的附着物。
在美国专利申请2012/0273011 A1中记载有如下技术，即，一边使旋转卡盘的旋转基座以规定的转速旋转，一边向旋转基座的上表面供给清洗液，由此利用从旋转基座的上表面飞散的清洗液对处理杯的挡板的内壁进行清洗。另外，挡板一体地具有圆筒状的圆筒部和倾斜部，该倾斜部以从该圆筒部的上端起越接近圆筒部的中心轴线变得越高的方式倾斜。
但是，在从上方向旋转基座的上表面供给清洗液的情况下，在旋转基座上流动的清洗液在旋转基座的夹持构件处发生液体飞溅，结果，清洗液有可能从旋转基座的周缘部向多个方向飞散。因此，难以向处理杯的内壁中的要清洗的部位可靠地供给清洗液，从而有可能对处理杯的内壁的清洗不充分。在该情况下，还有可能在基板处理后发生颗粒汚染。
发明内容
因此，本发明的目的在于，提供一种能够在宽范围且良好地对处理杯的内壁进行清洗的处理杯清洗方法。
另外，本发明的其他目的在于，提供一种能够防止或抑制颗粒的发生并能够使用处理液良好地对基板实施处理的基板处理装置以及基板处理方法。
本发明的第一局面提供一种处理杯清洗方法，对处理杯进行清洗，该处理杯具有以包围基板旋转单元的周围的方式配置的内壁，用于捕获从通过所述基板旋转单元旋转的所述基板飞散的处理液，所述基板旋转单元用于将所述基板保持为水平姿势，并使该基板围绕规定的旋转轴线旋转，包括：
旋转工作步骤，在所述基板旋转单元上保持有基板的状态下，使所述基板旋转单元进行旋转动作；
清洗液供给步骤，与所述旋转工作步骤并行地执行，向所述基板的上表面以及下表面都供给清洗液，使从所述基板的周缘部飞散的清洗液着落在所述处理杯的所述内壁，以向所述处理杯的所述内壁供给清洗液；
飞散方向变更步骤，与所述旋转工作步骤以及所述清洗液供给步骤并行地执行，对从所述基板的周缘部飞散的清洗液的方向进行变更。
根据该方法，通过向基板的上表面以及下表面都供给清洗液，从基板的周缘部飞散的清洗液着落在处理杯的内壁，以向该内壁供给清洗液。使用所供给的清洗液，对处理杯的内壁进行清洗。由于向基板的上下表面都供给清洗液，所以在基板的周缘部，供给到基板的下表面的清洗液和供给到上表面的清洗液发生干涉，清洗液从基板的周缘部向规定的飞散方向飞散。
当使来自基板的周缘部的清洗液的飞散方向改变时，清洗液在处理杯的内壁上的着落位置上下移动。因此，与向处于旋转状态的基板的上下表面供给清洗液并行，使来自周缘部的清洗液的飞散方向在规定的范围内变更，从而能够使清洗液在处理杯的内壁上的着落位置上下移动。由此，在宽范围且良好地对处理杯的内壁进行清洗。其结果，能够确实防止药液在处理杯的内壁干燥而结晶化。
在本发明的一实施方式中，所述飞散方向变更步骤包括对向所述基板的上表面以及下表面供给的清洗液的流量比(以下称为“上表面/下表面供给流量比”)进行变更的流量比变更步骤。
根据该方法，在向基板的上下表面都供给清洗液的情况下，对上表面/下表面供给流量比进行变更，来变更来自周缘部的清洗液的飞散方向。清洗液的飞散方向取决于上表面/下表面供给流量比。因此，通过变更上表面/下表面供给流量比，能够容易变更清洗液在处理杯的内壁上的着落位置。
所述飞散方向变更步骤可以包括对所述基板旋转单元的旋转动作的工作速度进行变更的工作速度变更步骤。
根据该方法，通过变更基板的旋转速度，能够变更来自周缘部的清洗液的飞散方向。清洗液的飞散方向取决于基板的旋转速度。因此，通过变更基板的旋转速度，能够容易变更清洗液在处理杯的内壁上的着落位置。
此外，所述飞散方向变更步骤可以包括对所述基板的上表面以及下表面供给的清洗液的流量比(上表面/下表面供给流量比)进行变更的流量比变更步骤和对所述基板旋转单元的旋转动作的工作速度进行变更的工作速度变更步骤这两者。
在所述清洗液供给步骤中被供给清洗液的所述基板可以是处理对象的基板。
在所述清洗液供给步骤中被供给清洗液的所述基板可以是仿真基板。
本发明的第二局面提供一种基板处理方法，
包括：
基板旋转步骤，使被基板旋转单元保持为水平姿势的基板旋转，
处理液供给步骤，与所述基板旋转步骤并行地执行，向所述基板的上表面以及下表面都供给处理液；
通过执行所述处理液供给步骤，从所述基板的周缘部飞散的处理液被处理杯的以包围所述基板旋转单元的周围的方式配置的内壁捕获，而被供给到该内壁，通过向所述内壁供给处理液来对该内壁进行清洗，
该基板处理方法还包括飞散方向变更步骤，该飞散方向变更步骤与所述基板旋转步骤以及所述处理液供给步骤并行地执行，对从所述基板的周缘部飞散的处理液的方向进行变更。
根据该方法，通过向基板的上表面以及下表面都供给处理液，从基板的周缘部飞散的处理液着落在处理杯的内壁，以向该内壁供给处理液。使用所供给的处理液对处理杯的内壁进行清洗。由于向基板的上下表面都供给处理液，所以在基板的周缘部，供给到基板的下表面的处理液和供给到上表面的处理液发生干涉，处理液从基板的周缘部向规定的飞散方向飞散。
当来自基板的周缘部的处理液的飞散方向改变时，处理液在处理杯的内壁上的着落位置上下移动。因此，与向处于旋转状态的基板的上下表面供给处理液并行，使来自周缘部的处理液的飞散方向在规定的范围内变更，从而能使处理液在处理杯的内壁上的着落位置上下移动。由此，能够在宽范围且良好对处理杯的内壁进行清洗。其结果，能够可靠防止药液在处理杯的内壁干燥而结晶化，由此，能够提供一种能够抑制或防止颗粒的发生并使用处理液良好地对基板实施处理的基板处理方法。
另外，由于将为了基板处理而供给到基板上的处理液从基板的周缘部向处理杯的内壁供给，利用该处理液对处理杯的内壁进行清洗，因此，能够与使用该处理液对基板进行处理并行地进行处理杯的清洗。由此，与在一系列的处理工艺的间歇执行杯清洗的情况相比，能够提高基板处理的生产性(提高处理效率)。
另外，所述处理液可以包括冲洗液。在该情况下，上述的处理液供给步骤执行对药液处理后的基板实施的冲洗处理。考虑到在药液处理后在处理杯的内壁会附着有药液。但是，由于与紧接着药液处理执行的冲洗处理并行地清洗处理杯，所以在处理杯的内壁上附着的药液结晶化之前，由冲洗液冲洗掉该药液，因此，能够更良好地对处理杯的内壁进行清洗。
本发明的第三局面提供一种基板处理装置，
具有：
基板旋转单元，用于将基板保持为水平姿势，并使该基板围绕规定的旋转轴线旋转；
处理液供给单元，向通过所述基板旋转单元旋转的所述基板供给处理液；
处理杯，具有以包围所述基板旋转单元的周围的方式配置的内壁，用于捕获从被所述基板旋转单元保持的所述基板飞散的处理液；
清洗液上表面供给单元，用于向通过所述基板旋转单元旋转的基板的上表面供给清洗液；
清洗液下表面供给单元，用于向通过所述基板旋转单元旋转的所述基板的下表面供给清洗液；
清洗液流量比调整单元，用于对从所述清洗液上表面供给单元以及所述清洗液下表面供给单元供给的所述清洗液的流量比进行调整；
清洗液供给控制单元，对所述基板旋转单元、所述清洗液上表面供给单元以及所述清洗液下表面供给单元进行控制，使被所述基板旋转单元保持的所述基板旋转，并且向所述基板的上表面以及下表面都供给清洗液，使从所述基板的周缘部飞散的清洗液着落在所述处理杯的所述内壁，以向所述处理杯的所述内壁供给清洗液；
飞散方向变更控制单元，对所述基板旋转单元的旋转速度以及所述清洗液流量比调整单元中的至少一个进行控制，来对从所述基板的周缘部飞散的清洗液的方向进行变更。
根据该结构，通过向基板的上表面以及下表面都供给清洗液，从基板的周缘部飞散的清洗液着落在处理杯的内壁，以向该内壁供给清洗液。使用所供给的清洗液对处理杯的内壁进行清洗。由于向基板的上下表面都供给清洗液，所以在基板的周缘部，供给到基板的下表面的清洗液和供给到上表面的清洗液发生干涉，清洗液从基板的周缘部向规定的飞散方向飞散。
当来自基板的周缘部的清洗液的飞散方向改变时，清洗液在处理杯的内壁上的着落位置上下移动。因此，与向处于旋转状态的基板的上下表面供给清洗液并行，使来自周缘部的清洗液的飞散方向在规定的范围内变更，从而能够使清洗液在处理杯的内壁上的着落位置上下移动。由此，能够在宽范围且良好对处理杯的内壁进行清洗。其结果，能够可靠防止药液在处理杯的内壁干燥而结晶化，由此，能够提供一种能够抑制或防止颗粒的发生并使用处理液良好地对基板实施处理的基板处理装置。
在本发明的一实施方式中，所述基板旋转单元具有：
旋转基座，能够围绕所述旋转轴线旋转；
多个基板保持构件，设置在所述旋转基座的周缘部，与所述基板的周端面抵接来保持所述基板。
根据该结构，供给到基板的上表面上的清洗液在该上表面上移动到周缘部后，碰撞旋转的基板保持构件而飞散。另外，供给到基板的下表面的清洗液沿着该下表面移动到周缘部后，碰撞旋转的基板保持构件而飞散。并且，在基板的周缘部，分别要飞散的供给到上表面的清洗液和供给到下表面的清洗液发生干涉。由此，清洗液从基板的周缘部向规定的飞散方向飞散。
所述基板保持构件可以具有由第一抵接面和第二抵接面划分出来的夹持部，该第一抵接面用于与所述基板的下表面周缘抵接，该第二抵接面用于与所述基板的上表面周缘抵接，
所述第一抵接面相对于水平面以越到所述基板的旋转半径方向外侧越靠上的方式倾斜，
所述第二抵接面相对于水平面以越到所述基板的旋转半径方向外侧越靠下的方式倾斜。
根据该结构，从基板的下表面碰撞基板保持构件而飞散的清洗液的飞散方向大致沿着基板保持构件的第一抵接面的延长面。即，从基板的下表面周缘部飞散的清洗液的飞散方向相对于水平面以越到径向外侧越靠上的方式倾斜。另一方面，从基板的上表面碰撞基板保持构件而飞散的清洗液的飞散方向大致沿着基板保持构件的第二抵接面的延长面。即，从基板的上表面周缘部飞散的清洗液的飞散方向相对于水平面以越到径向外侧越靠下的方式倾斜。
在基板的周缘部，从基板的下表面周缘部飞散的清洗液的液流和从基板的上表面周缘部飞散的清洗液的液流在上下方向交叉。因此，从基板的下表面周缘部飞散的清洗液和从基板的上表面周缘部飞散的清洗液在基板的周缘部发生干涉，在基板的周缘部，清洗液向清洗液整体的飞散方向飞散，该清洗液整体的飞散方向为从基板的下表面周缘部飞散的清洗液的飞散方向和从基板的上表面周缘部飞散的清洗液的飞散方向合成的方向。
并且，通过飞散方向变更控制单元使清洗液的整体的飞散方向变化。
所述处理液供给单元可以具有：处理液上表面供给单元，用于向通过所述基板旋转单元旋转的所述基板的上表面供给处理液，处理液下表面供给单元，用于向通过所述基板旋转单元旋转的所述基板的下表面供给处理液。在该情况下，所述处理液上表面供给单元可以兼用作所述清洗液上表面供给单元，所述处理液下表面供给单元兼用作所述清洗液下表面供给单元。
被从所述清洗液上表面供给单元以及所述清洗液下表面供给单元供给所述清洗液的所述基板可以是处理对象的基板。
被从所述清洗液上表面供给单元以及所述清洗液下表面供给单元供给所述清洗液的所述基板是仿真基板。
本发明中的前述或其他目的、特征以及效果通过参照附图进行的下述的实施方式的说明就更加清楚。
附图说明
图1是示意性地表示本发明的一实施方式的基板处理装置的结构的图。
图2是图1所示的夹持构件的侧视图。
图3A是表示图1所示的基板处理装置的电气结构的框图。
图3B是表示图3A所示的流量变更范围存储部的存储内容的一例的图。
图4是表示通过图1所示的基板处理装置执行的基板处理的第一处理例的工序图。
图5是表示冲洗工序中的基板的样子的图。
图6是表示冲洗工序中的夹持构件的附近的状态的图。
图7A、图7B是用于说明在使向基板的上下表面供给的供给流量比不同的情况下的来自基板的周缘部的水的飞散方向的变化的图。
图8A、图8B是用于说明在使基板的旋转速度不同的情况下的来自基板的周缘部的水的飞散方向的变化的图。
图9是表示基板的旋转速度和在处理杯上的上下方向的清洗角度的关系的曲线图。
图10A～图10C是表示冲洗工序中的水的飞散的图。
图11是表示通过图1所示的基板处理装置执行的基板处理的第二处理例的工序图。
图12是表示在本发明的其他实施方式的基板处理装置中执行的杯清洗工序的样子的图。
图13是表示杯清洗工序中的水的飞散的图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。
图1是示意性地表示本发明的一实施方式的基板处理装置1的结构的图。
基板处理装置1是用于利用药液对圆形的半导体晶片等的基板W中的器件形成区域侧的表面实施处理的单张型的装置。
基板处理装置1在处理室2内具有：旋转卡盘(基板旋转单元)3，保持基板W并使基板W旋转；药液喷嘴4，用于向被旋转卡盘3保持的基板W的表面(上表面)供给药液；水供给单元(处理液上表面供给单元、清洗液上表面供给单元)5，用于向被旋转卡盘3保持的基板W的表面(上表面)供给作为冲洗液(处理液)或清洗液的水；下表面处理液供给单元(处理液下表面供给单元、清洗液下表面供给单元)6，用于向被旋转卡盘3保持的基板W的背面(下表面)供给处理液(药液或水)；筒状的处理杯7，包围旋转卡盘3；控制装置(清洗液供给控制单元、飞散方向变更控制单元)8，对基板处理装置1所具有的装置的动作和阀的开闭进行控制。
处理室2具有：箱状的隔壁9；作为送风单元的FFU(风机过滤单元)10，从隔壁9的上部向隔壁9内(相当于处理室2内)输送清洁空气；排气装置11，从隔壁9的下部排出处理室2内的气体。旋转卡盘3、药液喷嘴4、以及水供给单元5的水喷嘴18容纳配置在隔壁9内。
FFU10配置在隔壁9的上方，并安装在隔壁9的顶棚上。FFU10从隔壁9的顶棚向处理室2内输送清洁空气。排气装置11与处理杯7的底部连接，从处理杯7的底部对处理杯7的内部进行吸引。通过FFU10以及排气装置11在处理室2内形成下降流。
作为旋转卡盘3，采用在水平方向上夹持基板W并将基板W保持为水平的夹持式的卡盘。具体地说，旋转卡盘3具有：旋转马达12；旋转轴13，与该旋转马达12的驱动轴一体化；圆板状的旋转基座14，大致水平地安装旋转轴13的上端；多个(3个以上。例如6个)夹持构件(基板保持构件)15，配置在旋转基座14上。多个夹持构件15在旋转基座14的上表面周缘部并在与基板W的外周形状对应的圆周上隔着适当的间隔配置。
多个夹持构件15相互协动在水平方向上夹持基板W。在该状态下，当驱动旋转马达12时，旋转基座14借助马达的驱动力围绕规定的旋转轴线(铅垂轴线)A1旋转，基板W以保持大致水平的姿势的状态与旋转基座14一起围绕旋转轴线A1旋转。
药液喷嘴4是例如以连续流的状态喷出液体的直线型喷嘴，在旋转卡盘3的上方以其喷出口朝向基板W的上表面的旋转中心附近的方式被固定配置。药液喷嘴4与供给来自药液供给源的药液的药液供给配管16连接。在药液供给配管16的途中部安装有用于对从药液喷嘴4供给药液和停止供给药液进行切换的第一药液阀17。作为向药液喷嘴4供给的药液，能够例示出包含硫酸、醋酸、硝酸、盐酸、氢氟酸、BHF(Buffered Hydrogen Fluoride：缓冲药液)、氨水、双氧水、有机酸(例如柠檬酸、草酸等)、有机碱(例如TMAH：四甲基氢氧化铵等)、表面活性剂、防腐剂中的至少一种的液体。
水供给单元5包含水喷嘴18。水喷嘴18是例如以连续流的状态喷出液体的直线型喷嘴，在旋转卡盘3的上方以其喷出口朝向基板W的上表面的旋转中心附近的方式被固定配置。水喷嘴18与供给来自水供给源的水的水供给配管19连接。在水供给配管19的途中部安装有：第一水阀20，用于对从水喷嘴18供给水和停止供给水进行切换；第一流量调整阀21，用于对水供给配管19的开度进行调节，以调整从水喷嘴18喷出的水的流量。作为向水喷嘴18供给的水，能够例示出DIW(去离子水)、碳酸水、电解离子水、臭氧水、稀释浓度(例如10～100ppm左右)的盐酸水溶液、还原水(含氢水)、脱气水等。
下表面处理液供给单元6具有：下表面喷嘴22，向被旋转卡盘3保持的基板W的下表面(背面)喷出处理液(药液和水)；第一处理液供给配管23，在旋转轴13内上下延伸；第二处理液供给配管24，与第一处理液供给配管23连接。经由第二药液阀25向第二处理液供给配管24供给药液。另外，经由第二水阀26以及第二流量调整阀27向第二处理液供给配管24供给水。
当在第二水阀26关闭的状态下打开第二药液阀25时，经由第二处理液供给配管24从第一处理液供给配管23向下表面喷嘴22供给药液。供给到下表面喷嘴22的药液从其喷出口向上方喷出。由此，向被旋转卡盘3保持的基板W的下表面中央部供给药液。
同样，当在第二药液阀25关闭的状态下打开第二水阀26时，经由第二处理液供给配管24从第一处理液供给配管23向下表面喷嘴22供给水。供给到下表面喷嘴22的水从其喷出口向上方喷出。由此，向被旋转卡盘3保持的基板W的下表面中央部供给水。从下表面喷嘴22喷出的水的流量由第二流量调整阀27调节。
此外，药液喷嘴4以及水喷嘴18各自无需相对于旋转卡盘3固定配置，例如，也可以采用扫描喷嘴的形式，即，例如安装于在旋转卡盘3的上方并在水平面内能够摆动的臂部上，通过该臂部的摆动扫描基板W的上表面上的药液(水)的着落位置。
处理杯7比被旋转卡盘3保持的基板W更靠外侧(从旋转轴线A1离开的方向)。处理杯7具有：筒状构件30，包围旋转卡盘3；多个杯31～33(第一～第三杯31～33)，配置在旋转卡盘3和筒状构件30之间；多个挡板34～37(第一～第四挡板34～37)，挡住向基板W的周围飞散的处理液；挡板升降单元38，使多个挡板34～37分别独立升降。处理杯7比被旋转卡盘3保持的基板W的外周更靠外侧(从旋转轴线A1离开的方向)。在图1中示出处理杯7在旋转轴线A1的右侧和左侧不同的状态。
各杯31～33呈圆筒状，在旋转卡盘3和筒状构件30之间包围旋转卡盘3。从内侧起为第二个的第二杯32比第一杯31更靠外侧，第三杯33比第二杯32更靠外侧。第三杯33例如与第二挡板35形成一体，与第二挡板35一起升降。各杯31～33形成向上开放的环状的槽。
第一杯31的槽与第一回收/废液配管41连接。在第一回收/废液配管41上经由例如由三通阀构成的第一切换阀42分别分支连接有第一回收配管43以及第一废液配管44。第一回收配管43的顶端延伸到回收单元(未图示)，另外，第一废液配管44的顶端延伸到废液单元(未图示)。通过第一切换阀42的切换，在第一回收/废液配管41流通的液体能够选择地被导入第一回收配管43和第一废液配管44。导入到第一杯31的底部的处理液通过第一回收/废液配管41被输送至回收单元或废液单元。由此，从基板W排出的处理液被回收或废弃。
第二杯32的槽与第二回收/废液配管46连接。在第二回收/废液配管46上经由例如由三通阀构成的第二切换阀47分别分支连接有第二回收配管48以及第二废液配管49。第二回收配管48的顶端延伸到回收单元(未图示)，另外，第二废液配管49的顶端延伸到废液单元(未图示)。通过第二切换阀47的切换，在第二回收/废液配管46流通的液体能够选择地被导入第二回收配管48和第二废液配管49。导入到第二杯32的底部的处理液通过第二回收/废液配管46被输送至回收单元或废液单元。由此，从基板W排出的处理液被回收或废弃。
第三杯33的槽与第三回收/废液配管51连接。在第三回收/废液配管51上经由例如由三通阀构成的第三切换阀52分别分支连接有第三回收配管53以及第三废液配管54。第三回收配管53的顶端延伸至回收单元(未图示)，另外，第三废液配管54的顶端延伸至废液单元(未图示)。通过第三切换阀52的切换，在第三回收/废液配管51流通的液体能够选择地被导入第三回收配管53和第三废液配管54。导入到第三杯33的底部的处理液通过第三回收/废液配管51被输送至回收单元或废液单元。由此，从基板W排出的处理液被回收或废弃。
各挡板34～37呈圆筒状，在旋转卡盘3和筒状构件30之间包围旋转卡盘3。各挡板34～37具有：圆筒状的引导部40，包围旋转卡盘3的周围；圆筒状的倾斜部39，从引导部40的上端向中心侧(接近基板W的旋转轴线A1的方向)并向斜上方延伸。各倾斜部39的上端部构成挡板34～37的内周部，具有比基板W以及旋转基座14大的直径。4个倾斜部39上下重叠，4个引导部40同轴配置。除了最外侧的第四挡板37的引导部40之外的3个引导部40(挡板34～36的引导部40)分别能够在多个杯31～33内出入。即，处理杯7能够折叠，挡板升降单元38使4个挡板34～37中的至少一个升降，来进行处理杯7的展开以及折叠。此外，倾斜部39的剖面形状既可以如图1所示那样描绘平滑的向上凸的圆弧延伸，也可以例如为直线状。
向基板W供给处理液和使基板W干燥都是在某个挡板34～37与基板W的周端面相向的状态进行的。例如在使从内侧起为第三个的第三挡板36与基板W的周端面相向的情况下，第一挡板34以及第二挡板35配置在下方位置(图1的左侧的位置)，第三挡板36以及第四挡板37配置在上方位置(图1的左侧的位置)。另外，在使最外侧的第四挡板37与基板W的周端面相向的情况下，第四挡板37配置在上方位置(图1的右侧的位置)，其他3个挡板34～36配置在下方位置(图1的右侧的位置)。
后述的药液工序(图4的S3)和冲洗工序(图4的S4、S5)都是在例如除了最外侧的第四挡板37之外的3个挡板34～36中的某个与基板W的周端面相向的状态下进行的。因此，在向基板W供给处理液时，飞散到基板W的周围的处理液被第一挡板34、第二挡板35、以及第三挡板36中的某个挡板引导至某个杯31～33内。另外，基板W的干燥是例如在最外侧的第四挡板37与基板W的周端面相向的状态下进行的。另外，后述的干燥工序(图4的S6)例如在最外侧的第四挡板37与基板W的周端面相向的状态下进行。在使最外侧的第四挡板37与基板W的周端面相向的情况下，第四挡板37配置在上方位置(图1的右侧的位置)，其他的3个挡板34～36配置在下方位置(图1的右侧的位置)。
图2是夹持构件15的侧视图。夹持构件15具有：台座61，配置在旋转基座14的周缘部，圆柱状的夹持部62，固定在台座61的上表面上。在夹持部62的外周面形成有夹持槽65，夹持槽65在水平方向上呈V字状开放，用于夹持基板的周端面。夹持槽65是向内侧(旋转轴线A1侧)开放的V字槽。夹持槽65由下侧抵接面(第一抵接面)63和上侧抵接面(第二抵接面)64划分出来，所述下侧抵接面(第一抵接面)63相对于水平面以越到基板W的旋转半径方向外侧越靠上的方式倾斜；所述上侧抵接面(第二抵接面)64相对于水平面以越到基板W的旋转半径方向外侧越靠下的方式倾斜。下侧抵接面63相对于水平面倾斜了角度θ1(参照图6)，上侧抵接面64相对于水平面倾斜了角度θ2(参照图6)。在基板W的周端面被夹持槽65夹持的状态下，基板W的周端面的下端缘与下侧抵接面63抵接，并且基板W的周端面的上端缘与上侧抵接面64抵接。
图3A是表示基板处理装置1的电气结构的框图。
控制装置8是包含例如微型计算机的结构。控制装置8根据预先设定的程序对旋转马达12、挡板升降单元38等的动作进行控制。进而，控制装置8对第一药液阀17、第一水阀20、第二药液阀25、第二水阀26、第一～第三切换阀42、47、52等的开闭动作进行控制，并且，对第一以及第二流量调整阀21、27的开度进行控制。
在控制装置8设置有流量变更范围存储部81，该流量变更范围存储部81存储有在接下来的冲洗工序中向基板W的上表面供给水的供给流量以及向基板W的下表面供给水的供给流量的变更范围。
图3B是表示流量变更范围存储部81的存储内容的一例的图。
在后述的冲洗工序(图4的S4、S5)中，向基板W的上表面供给的水的供给流量(来自水喷嘴18(参照图1)的水的喷出流量。以下有时称为“上表面侧供给流量”。)和向基板W的下表面供给的水的流量(来自下表面喷嘴22的水的喷出流量。以下有时称为“下表面侧供给流量”。)的流量比(以下有时将该流量比称为“上表面/下表面供给流量比”。)在预先设定的范围内变更(步骤S5。流量比变更步骤)。在流量变更范围存储部81中规定上表面/下表面供给流量比的变更范围。具体地说，在流量变更范围存储部81中分别规定在变更上表面/下表面供给流量比时的向基板W上表面供给的供给流量和向基板W下表面供给的供给流量。在流量变更范围存储部81中规定的上表面/下表面供给流量比被设定为，水在处理杯7的内壁上的着落位置在上下方向上能够覆盖倾斜部39的整个区域(顶端侧区域AU(参照图10A)、中间区域AM(参照图10B)以及基端侧区域AD(参照图10C))。此外，在图3B的例子中，上表面侧供给流量以及下表面侧供给流量分别被规定为，水向基板W的上下表面的供给流量的合计正好为4.0升(L)/min。
在流量变更范围存储部81中，上表面/下表面供给流量比的变更范围被设定在例如1：1～3：1的范围。在上表面/下表面供给流量比为1：1的第一供给流量组合中，上表面侧供给流量以及下表面侧供给流量都为2.0(L/min)。在上表面/下表面供给流量比为1.7：1的第二供给流量组合中，上表面侧供给流量为2.5(L/min)，下表面侧供给流量为1.5(L/min)。另外，在上表面/下表面供给流量比为3：1的第三供给流量组合中，上表面侧供给流量为3.0(L/min)，下表面侧供给流量为1.0(L/min)。
图4是表示通过基板处理装置1执行的基板处理的第一处理例的工序图。以下，参照图1～图4对该第一处理例进行说明。
在图4的第一处理例中，以向基板W供给药液以及向基板W供给用于冲洗的水在使最内侧的第一挡板34与基板W的周端面相向的状态下进行的情况为例进行说明。
在处理基板W时，控制搬送机械手(未图示)，向处理室2内搬入未处理的基板W(步骤S1)。基板W以其表面朝向上方的状态被交接给旋转卡盘3。此外，在搬入该基板W前，为了不妨碍基板W的搬入，第一～第四挡板34～37下降至下方位置(最下方位置)，第一～第四挡板34～37的上端相比旋转卡盘3对基板W的保持位置都配置在下方。
当在旋转卡盘3上保持有基板W时，控制装置8控制旋转马达12，使旋转基座14开始旋转，以使基板W旋转(步骤S2。旋转工作步骤)。基板W的旋转速度上升至预先设定的液体处理速度(在300～1200rpm的范围内，例如1200rpm)，并维持在该液体处理速度。
另外，控制装置8控制挡板升降单元38，使第一～第四挡板34～37都上升至上方位置(最上方的位置)，使最内侧的第一挡板34与基板W的周端面相向。在该状态下，所有的挡板34～37配置在上方位置。
当基板W的旋转速度到达液体处理速度时，控制装置8打开第一药液阀17，并打开第二药液阀25。由此，从药液喷嘴4向基板W的上表面中央部喷出药液，并且，从下表面喷嘴22的喷出口向基板W的下表面中央部以朝向上方的方式喷出药液。
供给到基板W的上表面的中央部的药液受到由基板W的旋转产生的离心力的作用，在基板W的上表面上向基板W的周缘部流动。另一方面，供给到基板W的下表面的中央部的药液受到由基板W的旋转产生的离心力的作用，在基板W的下表面向基板W的周缘部流动。由此，向基板W的整个上表面以及整个下表面供给药液，使用药液对基板W的上下表面实施药液处理(S3：药液工序)。供给到基板W的上下表面的药液从基板W的周缘部向基板W的侧方飞散。
从基板W的周缘部飞散的药液被第一挡板34的内壁挡住。并且，沿着第一挡板34的引导部40的内壁流下的药液集中到第一杯31的底部，并被导向第一回收/排液配管41。此时，通过第一切换阀42将第一回收/废液配管41的流通目的地设定为第一回收配管43，因此，导入第一回收/排液配管41的药液通过第一回收配管43被导向回收单元(未图示)。
当从开始喷出药液起经过了预先设定的期间时，控制装置8关闭第一药液阀17以及第二药液阀25，停止从药液喷嘴4以及下表面喷嘴22喷出药液。
然后，控制装置8一边将基板W的旋转速度维持在上述的液体处理速度，一边打开第一水阀20并且打开第二水阀26。由此，来自水喷嘴18的水被供给到基板W的上表面中央部，并且来自下表面喷嘴22的水被供给到基板W的下表面中央部(S4：水供给。清洗液供给步骤)。在图5示出此时的基板W的样子。
供给到基板W的上表面的中央部的水受到由基板W的旋转产生的离心力的作用，如图5所示，在基板W的上表面上向基板W的周缘部流动。另一方面，供给到基板W的下表面的中央部的水受到由基板W的旋转产生的离心力的作用，如图5所示，沿着基板W的下表面向基板W的周缘部流动。由此，冲洗掉在基板W的上表面以及下表面上附着的药液，对基板W的上下表面实施冲洗处理(冲洗工序)。供给到基板W的上下表面的水从基板W的周缘部向基板W的侧方飞散。
从基板W的周缘部飞散的水被第一挡板34的内壁挡住。并且，沿着第一挡板34的内壁流下的水集中到第一杯31的底部，并被导入第一回收/排液配管41。此时，通过第一切换阀42将第一回收/废液配管41的流通目的地设定为第一废液配管44，因此，导入第一回收/排液配管41的水通过第一废液配管44被导向废液单元(未图示)。
在该冲洗工序中，与对基板W进行冲洗处理并行，对处理杯7的内壁进行清洗(步骤S5)。即，将在冲洗处理时从基板W的周缘部飞散的水用作清洗液，对第一挡板34的内壁进行清洗。
并且，在冲洗工序中，控制装置8与向基板W的上下表面供给水并行地变更上表面/下表面供给流量比。具体地说，控制装置8控制第一以及第二流量调整阀21、27的开度，对来自水喷嘴18以及下表面喷嘴22的水的流量进行调整。由此，上表面/下表面供给流量比被变更。
控制装置8一边参照流量变更范围存储部81的内容，一边控制第一以及第二流量调整阀21、27的开度。即，向基板W的上下表面供给的供给流量的组合以第一供给流量组合(参照图3B)、第二供给流量组合(参照图3B)以及第三供给流量组合(参照图3B)的顺序连续地变更。此外，也可以在第三供给流量组合之后再反复进行第一供给流量组合、第二供给流量组合以及第三供给流量组合，也可以在第三供给流量组合之后以第二供给流量组合执行。在该情况下，上表面/下表面供给流量比的变更范围在1：1～5：1的范围内，另外，不管上表面/下表面供给流量比如何变更，上表面侧供给流量以及下表面侧供给流量的合计流量为6.0升(L)/min。
图6是表示在步骤S4的水供给时的夹持构件15的附近的状态的图。参照图6，对来自基板W的周缘部的水的飞散进行说明。
在基板W的上表面上向周缘部流动的水在基板W的周缘部碰撞到与旋转基座14一体旋转的夹持构件15，而向基板W的侧方飞散。同样地，沿着基板W的下表面向周缘部流动的水在基板W的周缘部碰撞到与旋转基座14一体旋转的夹持构件15，而向基板W的侧方飞散。这样，从基板W的周缘部飞散的水以大部分与夹持构件15抵接的态势飞散。
从基板W的下表面碰撞夹持构件15而飞散的水(以下仅称为“来自下表面的水”。)的飞散方向大致沿着夹持构件15的下侧抵接面63的延长面。即，来自下表面的水的飞散方向DD与水平面呈角度θ1并以越到径向外侧越靠上的方式倾斜。另一方面，从基板W的上表面碰撞夹持构件15而飞散的水(以下仅称为“来自上表面的水”。)的飞散方向大致沿着夹持构件15的上侧抵接面64的延长面。即，来自上表面的水的飞散方向DU与水平面呈角度θ2并以越到径向外侧越靠下的方式倾斜。
在步骤S4的水供给时，向基板W的上下表面供给水，所以在基板W的周缘部，从基板W的下表面周缘部飞散的水流和从基板W的上表面周缘部飞散的水流在上下方向上交叉，因此，供给到基板W的下表面的水和供给到基板W的上表面的水在基板W的周缘部发生干涉。并且，在基板W的周缘部，水朝向水整体的飞散方向D1飞散，水整体的飞散方向D1是从基板W的下表面周缘部飞散的水的飞散方向DD和从基板W的上表面周缘部飞散的水的飞散方向DU合成而得的飞散方向。
图7A、图7B是用于说明在使上表面/下表面供给流量比不同的情况下的来自基板W的周缘部的水的飞散方向D1的变化的图。
在图7A中示出上表面/下表面供给流量比(上表面：下表面)为1：1的情况下的水的飞散。在该情况下，来自下表面的水如前述那样向斜上方飞散，来自该下表面的水与来自上表面的水发生干涉，但是，由于来自上表面的水的流量不那么大，所以无法充分抑制来自下表面的水向斜上方飞散。因此，水的飞散方向D1如图7A所示那样相对于水平面以越到朝向径向外侧越靠上的方式倾斜得大。
另一方面，在图7B中示出上表面/下表面供给流量比(上表面：下表面)为3：1的情况下的水的飞散。在该情况下，来自上表面的水的流量大，所以能够抑制来自下表面的水向斜上方飞散。因此，水的飞散方向D1如图7B所示那样相对于水平面沿着大致水平方向，或者相对于水平面以越到径向外侧越靠下的方式倾斜。
另外，来自基板W的周缘部的水的飞散方向D1不仅取决于上表面/下表面供给流量比，还显著取决于基板W的旋转速度。
图8A、图8B是用于说明在使基板W的旋转速度不同的情况下的来自基板W的周缘部的水的飞散方向D1的变化的图。
在图8A中示出基板W的旋转速度为低旋转速度(例如300rpm)时的水的飞散。在图8B中示出基板W的旋转速度为高旋转速度(例如1200rpm)时的水的飞散。此时，在基板W的旋转速度为高旋转速度的情况下，在基板W的周缘部的水上作用的离心力大，因此，与基板W为低旋转速度的情况相比，水的飞散方向D1随着朝向径向外侧而向上。此外，在该情况下，向基板W供给的水的供给流量以及向上下表面供给的水的供给流量比在图8A以及图8B的情况都相同。
图9是表示基板W的旋转速度和在处理杯7上的上下方向的清洗角度θ的关系的曲线图。在图9中示出水的上表面侧供给流量以及下表面侧供给流量都为2.0(L/min)的情况(条件1)、以及水的上表面侧供给流量以及下表面侧供给流量分别为2.5(L/min)以及1.5(L/min)的情况(条件2)。
从图9可知，旋转速度越大，水的飞散方向D1(参照图6等)相对于规定的基准面(例如水平面)的角度(清洗角度θ)越大。另外，上表面/下表面供给流量比(上表面：下表面)越大(上表面侧供给流量越大)，水的飞散方向D1相对于基准面(例如水平面)的角度(清洗角度θ)越大。
图10A～图10C是表示在冲洗工序(图4的S4、S5)中的水的飞散的图。
如上所述，在冲洗工序中，基板W以液体处理速度(例如1200rpm)旋转，并且向基板W的上下表面供给水。在冲洗工序中，与向基板W的上下表面供给水并行，控制装置8基于在流量变更范围存储部81存储的数据，对第一以及第二流量调整阀21、27进行控制，将上表面/下表面供给流量比在1：1～5：1的范围内变更(图4的S5)。
向基板W的上下表面供给的供给流量的组合为上述的第一供给流量组合(上表面/下表面供给流量比(上表面：下表面)＝1：1)的情况下，从基板W的周缘部飞散的水如图10A所示那样，着落在第一挡板34的倾斜部39的内壁的顶端侧区域AU。
在向基板W的上下表面供给的供给流量的组合为上述第二供给流量组合(上表面/下表面供给流量比(上表面：下表面)＝1.7：1)的情况下，从基板W的周缘部飞散的水如图10B所示那样，着落在第一挡板34的倾斜部39的内壁的中间区域AM。
在向基板W的上下表面供给的供给流量的组合为上述的第三供给流量组合(上表面/下表面供给流量比(上表面：下表面)＝3：1)的情况下，从基板W的周缘部飞散的水如图10C所示那样，着落在第一挡板34的倾斜部39的内壁的基端侧区域AD或第一挡板34的引导部40的上端部。
因此，在冲洗工序中，能够使水着落在第一挡板34的倾斜部39的大致整个区域，由此能够良好地清洗第一挡板34的倾斜部39的大致整个区域。
如图4所示，当从开始喷出水起经过了预先设定的期间时，控制装置8关闭第一水阀20以及第二水阀26，并且控制挡板升降单元38，在维持将第四挡板37保持在上方位置的状态下，使第一～第三挡板34～36下降到下方位置，使最外侧的第四挡板37与基板W的周端面相向。在该状态下，第一～第三挡板34～36配置在下方位置，仅第四挡板37配置在上方位置。因基板W的高速旋转而向基板W的周围飞散的水被第四挡板37挡住后，引导至筒状构件30的底部，并从筒状构件30的底输送到废液单元(未图示)。
另外，控制装置8将基板W的旋转速度加速至甩干速度(例如2500rpm)。由此，在基板W上附着的水被离心力甩到基板W的周围，基板W得以干燥(步骤S6)。
当干燥工序(S6)进行了预先设定的期间时，控制装置8控制旋转马达12，停止旋转卡盘3的旋转(基板W的旋转)(步骤S7)。由此，对1张基板W的清洗处理结束。控制装置8控制挡板升降单元38，使第一～第四挡板34～37下降至下方位置(最下方位置)。然后，利用搬送机械手将处理完的基板W从处理室2搬出(步骤S8)。
如以上说明那样，若采用实施方式，则通过向基板W的上表面以及下表面都供给水，从基板W的周缘部飞散的水着落在处理杯7的内壁，向该内壁供给水。利用所供给的水，对处理杯7的内壁进行清洗。由于向基板W的上下表面都供给水，所以在基板W的周缘部，供给到基板W的下表面的水和供给到基板W的上表面的水发生干涉，在基板W的周缘部，水向水整体的飞散方向D1飞散，水整体的飞散方向D1是从基板W的下表面周缘部飞散的水的飞散方向DD和从基板W的上表面周缘部飞散的水的飞散方向DU合成的方向。
与向处于旋转状态的基板W的上下表面供给水并行，变更上表面/下表面供给流量比，从而能够变更水的飞散方向D1，由此，能够使水在处理杯7的内壁上的着落位置上下移动。因此，能够在宽范围且良好地清洗处理杯7的内壁。其结果，能够确实防止药液在处理杯7的内壁干燥而结晶化，由此能够防止或抑制颗粒的发生，并良好地对基板W实施一系列的处理。
另外，将为了冲洗而供给到基板W的水从基板W的周缘部向处理杯7的内壁供给，利用该水对处理杯7的内壁进行清洗，因此，能够与冲洗工序(图4的S4、S5)并行地进行处理杯7的清洗。由此，与在一系列的处理工艺的间歇对处理杯7进行清洗的情况相比，能够提高基板处理的生产性(提高处理效率)。
另外，在药液处理后，在处理杯的内壁会附着有药液。但是，由于与紧接着药液工序(图4的S3)执行的冲洗工序(图4的S4、S5)并行地对处理杯7进行清洗，能够在处理杯7的内壁附着的药液结晶化之前，用水冲洗掉该药液，更良好地对处理杯7的内壁进行清洗。
图11是表示通过基板处理装置1执行的基板处理的第二处理例的工序图。
第二处理例与图4所示的第一处理例不同之处在于，在冲洗工序(步骤S14、S15、S16)中，不仅与向基板W的上下表面供给水并行地变更上表面/下表面供给流量比(步骤S15)，而且还变更旋转基座14的旋转速度(即基板W的旋转速度)(步骤S16)。
图11所示的步骤S11～S13的工序分别是与图4所示的步骤S1～S3相同的工序，另外，图11所示的步骤S17～S19的工序分别是与图4所示的步骤S6～S8相同的工序，故省略说明。
具体地说，在控制装置8设置有速度变更范围存储部82(在图3A中用虚线表示)，速度变更范围存储部82存储有在冲洗工序中的旋转基座14的旋转速度(即基板W的旋转速度)的变更范围。在速度变更范围存储部82中存储有旋转基座14的旋转速度变更时的旋转速度。
在该情况下，分别在流量变更范围存储部81以及速度变更范围存储部82中规定的上表面/下表面供给流量比以及旋转基座14的旋转速度被设定为，水在处理杯7的内壁上的着落位置在上下方向能够覆盖倾斜部39的整个区域(顶端侧区域AU(参照图10A)、中间区域AM(参照图10B)以及基端侧区域AD(参照图10C))。
具体地说，在流量变更范围存储部81设定的上表面/下表面供给流量比的变更范围在1：1～1.7：1的范围内，在速度变更范围存储部82设定的旋转基座14的旋转速度的变更范围在800～1200rpm的范围内。在向基板W的上下表面供给的供给流量和旋转基座14的旋转速度的多个组合中的第一组合中，上表面侧供给流量以及下表面侧供给流量分别为2.0(L/min)，并且旋转基座14的旋转速度为1200rpm。在第二组合中，上表面侧供给流量以及下表面侧供给流量分别为2.25(L/min)以及1.75(L/min)，并且旋转基座14的旋转速度为1000rpm。在第三组合中，上表面侧供给流量以及下表面侧供给流量分别为2.5(L/min)以及1.5(L/min)，并且旋转基座14的旋转速度为800rpm。
控制装置8一边参照流量变更范围存储部81以及速度变更范围存储部82的内容，一边对第一以及第二流量调整阀21、27的开度以及旋转马达12分别进行控制。即，向基板W的上下表面供给的供给流量和旋转基座14的旋转速度的组合分别以第一组合、第二组合以及第三组合依次连续地变更。
在向基板W的上下表面供给的供给流量和旋转基座14的旋转速度的组合为上述的第一组合的情况下，从基板W的周缘部飞散的水与图10A的情况同样，着落在第一挡板34的倾斜部39的内壁的顶端侧区域AU。
在向基板W的上下表面供给的供给流量和旋转基座14的旋转速度的组合为上述的第二组合的情况下，从基板W的周缘部飞散的水与图10B的情况同样，着落在第一挡板34的倾斜部39的内壁的中间区域AM。
向基板W的上下表面供给的供给流量和旋转基座14的旋转速度的组合为上述的第三组合的情况下，从基板W的周缘部飞散的水与图10C的情况同样，着落在第一挡板34的倾斜部39的内壁的基端侧区域AD或第一挡板34的引导部40的上端部。
因此，在冲洗工序(S14～S16)中，能够使水着落在第一挡板34的倾斜部39的大致整个区域，由此，能够良好地对第一挡板34的倾斜部39的大致整个区域进行清洗。
在该第二处理例中，与向基板W的上下表面供给水并行，不仅变更上表面/下表面供给流量比，而且还变更旋转基座14的旋转速度(即基板W的旋转速度)，来变更水的飞散方向D1，由此，使水在处理杯7的内壁上的着落位置上下移动。
图12是表示在本发明的其他实施方式的基板处理装置执行的杯清洗工序的样子的图。图13是表示杯清洗工序中的水的飞散的图。
其他实施方式的基板处理装置具有与基板处理装置1相同的结构。在其他实施方式的基板处理装置中，在未使用处理液进行一系列的基板处理时，对处理杯7(参照图1)进行清洗。具体地说，每当一批次的基板W的处理结束，执行下述的杯清洗工序。以下，参照图1～图3以及图4对杯清洗工序进行说明。
在该杯清洗工序中，将例如SiC制的圆形的仿真基板DW保持在旋转卡盘3上。并且，控制装置8控制挡板升降单元38，使成为清洗对象的挡板(如果是上述的实施方式的例子，则为在药液工序时与基板W的周端面相向的最内侧的第一挡板34)与仿真基板DW的周端面相向。另外，如图12所示，控制装置8使仿真基板DW以规定的旋转速度(例如1200rpm)旋转，并且从水喷嘴18以及下表面喷嘴22喷出水，向仿真基板DW的上下表面的中央部供给水。
供给到仿真基板DW的上下表面的水受到由仿真基板DW的旋转产生的离心力的作用向仿真基板DW的周缘部流动，在仿真基板DW的周缘部，从仿真基板DW的下表面周缘部飞散的水流和从仿真基板DW的上表面周缘部飞散的水流在上下方向上交叉，因此，供给到仿真基板DW的下表面上的水和供给到仿真基板DW的上表面上的水发生干涉，水从仿真基板DW的周缘部向飞散方向D2(参照图13)飞散。从仿真基板DW的周缘部飞散的水着落在第一挡板34的内壁，被该内壁挡住。使用供给到第一挡板34的内壁上的水对处理杯7的内壁进行清洗。
在该杯清洗工序中，与向仿真基板DW的上下表面供给水并行，变更向仿真基板DW的上下表面供给水的供给流量比(上表面/下表面供给流量比)。具体地说，控制装置8控制第一以及第二流量调整阀21、27的开度，对来自水喷嘴18以及下表面喷嘴22的水的流量进行调整。由此，变更向仿真基板DW的上下表面供给水的供给流量比。用于变更向仿真基板DW的上下表面供给的供给流量比的具体的方法与上述的第一实施方式的情况下的冲洗工序(图4的S4、S5)的情况相同。
与向处于旋转状态的仿真基板DW的上下表面供给水(清洗液)并行，变更上表面/下表面供给流量比，从而变更水的飞散方向D2，由此，能够使水在处理杯7的内壁上的着落位置上下移动。因此，与前述的图1～图11的实施方式的情况同样，能够在宽范围且良好地对处理杯7的内壁进行清洗。其结果，能够确实防止药液处理杯7的内壁干燥而结晶化。
当开始向仿真基板DW供给水后经过了预先设定的期间时，控制装置8关闭第一水阀20以及第二水阀26，并控制旋转马达12使仿真基板DW停止旋转。控制装置8控制挡板升降单元38控制来使第一～第四挡板34～37下降到下方位置(最下方位置)。使用完的仿真基板DW之后被搬送机械手搬出到处理室2外，并被仿真基板保持部(未图示)容纳。
此外，就该图12以及图13的实施方式而言，在杯清洗工序中，也可以与前述的第二处理例的情况相同，与向基板W的上下表面供给水并行，不仅变更上表面/下表面供给流量比，而且还变更旋转基座14的旋转速度(即仿真基板DW的旋转速度)，以变更水的飞散方向D2。
以上，对本发明的两个实施方式进行了说明，但本发明也能够以其他方式来实施。
例如，在前述的各实施方式的冲洗工序(图4的S4、S5以及图11的S14～S16)以及杯清洗工序中，也可以仅变更旋转基座14的旋转速度(即，基板W或仿真基板DW的旋转速度)，来变更水的飞散方向D1、D2。
另外，在前述的各实施方式的冲洗工序(图4的S4、S5以及图11的S14～S16)以及杯清洗工序中，以上表面侧供给流量以及下表面侧供给流量的合计流量恒定为例进行了说明，但是在这些冲洗工序以及杯清洗工序中，水的合计供给流量也可以变化。
另外，在前述的各实施方式中，以在药液工序时和冲洗工序时共用的挡板(第一挡板34)与基板W的周端面相向的处理例为例进行了说明。但是，在图12以及图13的实施方式中，也可以向在药液工序时专门使用的挡板34～37供给从仿真基板DW飞散的水(清洗液)。例如，在执行冲洗工序(与图4的S4同等的工序)中使第一挡板34与基板W的周端面相向，并且在执行药液工序(图4的S3)中使第二挡板35与基板W的周端面相向的情况下，在杯清洗工序中，使仿真基板DW的周端面与第二挡板35相向配置，使用从仿真基板DW飞散的水，对第二挡板35(在药液工序时专门使用的挡板)的内壁进行清洗。
另外，在前述的各实施方式中，以使用从基板W或仿真基板DW飞散的水对第一挡板34的内壁清洗的情况为例进行了说明，但是前述的杯清洗方法也能够适用于清洗第二～第四挡板35～37的内壁的情况。
另外，在图12以及图13的实施方式中，作为清洗液，不仅能够使用水，而且还能够使用包含清洗用药液(例如SC1(包含NH4OH和H2O2的混合液))。
此外，能够在权利要求的范围内实施各种设计变更。
对本发明的实施方式进行了详细说明的，但这些只不过是用于使本发明的技术内容明确的具体例，应该理解，本发明并不限于这些具体例，本发明的范围由仅由权利要求书来限定。
本申请对应于在2013年9月27日向日本国特许厅提出的特愿2013-202140号，这些申请的全部内容通过引用编入本申请。

Claims (11)

1.一种处理杯清洗方法，对处理杯进行清洗，该处理杯具有以包围基板旋转单元的周围的方式配置的内壁，用于捕获从通过所述基板旋转单元旋转的所述基板飞散的处理液，所述基板旋转单元用于将所述基板保持为水平姿势，并使该基板围绕规定的旋转轴线旋转，其特征在于，包括：
旋转工作步骤，在所述基板旋转单元上保持有基板的状态下，使所述基板旋转单元进行旋转动作；
清洗液供给步骤，与所述旋转工作步骤并行地执行，向所述基板的上表面以及下表面都供给清洗液，使从所述基板的周缘部飞散的清洗液着落在所述处理杯的所述内壁，以向所述处理杯的所述内壁供给清洗液；
飞散方向变更步骤，与所述旋转工作步骤以及所述清洗液供给步骤并行地执行，对从所述基板的周缘部飞散的清洗液的方向进行变更，
所述飞散方向变更步骤包括对向所述基板的上表面以及下表面供给的清洗液的流量比进行变更的流量比变更步骤。
2.如权利要求1所述的处理杯清洗方法，其特征在于，所述飞散方向变更步骤包括对所述基板旋转单元的旋转动作的工作速度进行变更的工作速度变更步骤。
3.如权利要求1或2所述的处理杯清洗方法，其特征在于，在所述清洗液供给步骤中被供给清洗液的所述基板是处理对象的基板。
4.如权利要求1或2所述的处理杯清洗方法，其特征在于，在所述清洗液供给步骤中被供给清洗液的所述基板是仿真基板。
5.一种基板处理方法，
包括：
基板旋转步骤，使被基板旋转单元保持为水平姿势的基板旋转，
处理液供给步骤，与所述基板旋转步骤并行地执行，向所述基板的上表面以及下表面都供给处理液；
通过执行所述处理液供给步骤，从所述基板的周缘部飞散的处理液被处理杯的以包围所述基板旋转单元的周围的方式配置的内壁捕获，而被供给到该内壁，通过向所述内壁供给处理液来对该内壁进行清洗，
该基板处理方法还包括飞散方向变更步骤，该飞散方向变更步骤与所述基板旋转步骤以及所述处理液供给步骤并行地执行，对从所述基板的周缘部飞散的处理液的方向进行变更，
所述飞散方向变更步骤包括对向所述基板的上表面以及下表面供给的清洗液的流量比进行变更的流量比变更步骤。
6.一种基板处理装置，
具有：
基板旋转单元，用于将基板保持为水平姿势，并使该基板围绕规定的旋转轴线旋转；
处理液供给单元，向通过所述基板旋转单元旋转的所述基板供给处理液；
处理杯，具有以包围所述基板旋转单元的周围的方式配置的内壁，用于捕获从被所述基板旋转单元保持的所述基板飞散的处理液；
清洗液上表面供给单元，用于向通过所述基板旋转单元旋转的基板的上表面供给清洗液；
清洗液下表面供给单元，用于向通过所述基板旋转单元旋转的所述基板的下表面供给清洗液；
清洗液流量比调整单元，用于对从所述清洗液上表面供给单元以及所述清洗液下表面供给单元供给的所述清洗液的流量比进行调整；
清洗液供给控制单元，对所述基板旋转单元、所述清洗液上表面供给单元以及所述清洗液下表面供给单元进行控制，使被所述基板旋转单元保持的所述基板旋转，并且向所述基板的上表面以及下表面都供给清洗液，使从所述基板的周缘部飞散的清洗液着落在所述处理杯的所述内壁，以向所述处理杯的所述内壁供给清洗液；
飞散方向变更控制单元，对所述基板旋转单元的旋转速度以及所述清洗液流量比调整单元中的至少一个进行控制，来对从所述基板的周缘部飞散的清洗液的方向进行变更，
所述飞散方向变更控制单元对所述清洗液流量比调整单元进行控制，执行对向所述基板的上表面以及下表面供给的清洗液的流量比进行变更的流量比变更步骤。
7.如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板旋转单元具有：
旋转基座，能够围绕所述旋转轴线旋转；
多个基板保持构件，设置在所述旋转基座的周缘部，与所述基板的周端面抵接来保持所述基板。
8.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板保持构件具有由第一抵接面和第二抵接面划分出来的夹持部，该第一抵接面用于与所述基板的下表面周缘抵接，该第二抵接面用于与所述基板的上表面周缘抵接，
所述第一抵接面相对于水平面以越到所述基板的旋转半径方向外侧越靠上的方式倾斜，
所述第二抵接面相对于水平面以越到所述基板的旋转半径方向外侧越靠下的方式倾斜。
9.如权利要求6～8中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理液供给单元具有：
处理液上表面供给单元，用于向通过所述基板旋转单元旋转的所述基板的上表面供给处理液，
处理液下表面供给单元，用于向通过所述基板旋转单元旋转的所述基板的下表面供给处理液；
所述处理液上表面供给单元兼用作所述清洗液上表面供给单元，
所述处理液下表面供给单元兼用作所述清洗液下表面供给单元。
10.如权利要求6～8中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
被从所述清洗液上表面供给单元以及所述清洗液下表面供给单元供给所述清洗液的所述基板是处理对象的基板。
11.如权利要求6～8中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，被从所述清洗液上表面供给单元以及所述清洗液下表面供给单元供给所述清洗液的所述基板是仿真基板。
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Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5375871B2 (ja) * 2011-04-18 2013-12-25 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法、コンピュータプログラムを格納した記憶媒体
JP6140439B2 (ja) * 2012-12-27 2017-05-31 株式会社荏原製作所 研磨装置、及び研磨方法
JP6148475B2 (ja) * 2013-01-25 2017-06-14 株式会社東芝 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
US10707099B2 (en) 2013-08-12 2020-07-07 Veeco Instruments Inc. Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle
US9768041B2 (en) 2013-08-12 2017-09-19 Veeco Precision Surface Processing Llc Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle
US10037902B2 (en) * 2015-03-27 2018-07-31 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing device and substrate processing method
JP6512445B2 (ja) * 2015-08-18 2019-05-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP2017077528A (ja) * 2015-10-20 2017-04-27 信越化学工業株式会社 フォトマスク関連基板に用いる基板洗浄装置及び基板洗浄方法
US10203604B2 (en) 2015-11-30 2019-02-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for post exposure processing of photoresist wafers
JP6753762B2 (ja) * 2015-12-28 2020-09-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US9958782B2 (en) * 2016-06-29 2018-05-01 Applied Materials, Inc. Apparatus for post exposure bake
JP6708508B2 (ja) * 2016-07-26 2020-06-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6725384B2 (ja) 2016-09-26 2020-07-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
JP6818484B2 (ja) * 2016-09-26 2021-01-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板洗浄方法、基板洗浄レシピ作成方法、および基板洗浄レシピ作成装置
WO2018161205A1 (en) * 2017-03-06 2018-09-13 Acm Research (Shanghai) Inc. Apparatus for cleaning semiconductor substrates
US11342215B2 (en) 2017-04-25 2022-05-24 Veeco Instruments Inc. Semiconductor wafer processing chamber
EP3514266A4 (en) * 2017-05-26 2022-05-11 Sumitomo Electric Industries, Ltd. GROUP III-V COMPOSITE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND GROUP III-V COMPOSITE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH EPITAXIAL LAYER
CN107497807B (zh) * 2017-08-30 2020-01-07 宁波景珍堂生物科技有限公司 一种火罐清洗方法
JP7149087B2 (ja) 2018-03-26 2022-10-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
KR102119685B1 (ko) * 2018-08-21 2020-06-09 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102139605B1 (ko) * 2018-11-06 2020-08-12 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
CN111326440B (zh) * 2018-12-17 2022-09-16 辛耘企业股份有限公司 基板处理装置
JP7202229B2 (ja) * 2019-03-20 2023-01-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
CN111906102B (zh) * 2019-05-08 2023-02-14 北京北方华创微电子装备有限公司 清洗腔室及清洗设备
CN115485812A (zh) * 2020-05-01 2022-12-16 东京毅力科创株式会社 基片处理装置的杯状体的清洗方法和基片处理装置
CN112090890B (zh) * 2020-07-30 2022-07-19 中国科学院微电子研究所 光刻胶收集杯清理方法及光刻胶收集杯清理设备
CN114433533B (zh) * 2020-11-04 2023-09-19 中国科学院微电子研究所 光刻胶收集杯清洗设备及光刻胶收集杯清洗方法
JP2022148186A (ja) * 2021-03-24 2022-10-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および配管着脱パーツ洗浄方法
CN115706044A (zh) * 2021-08-06 2023-02-17 北京北方华创微电子装备有限公司 晶圆清洗设备及其晶圆卡盘、晶圆清洗方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5312487A (en) 1991-09-20 1994-05-17 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Coating apparatus
JP2886382B2 (ja) * 1992-03-16 1999-04-26 東京エレクトロン株式会社 塗布装置
JP3414916B2 (ja) 1996-02-27 2003-06-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および方法
JPH10289892A (ja) 1997-04-16 1998-10-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板保持装置およびそれを用いた基板処理装置
JPH11283949A (ja) 1998-03-31 1999-10-15 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP3587723B2 (ja) * 1999-04-30 2004-11-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP3640837B2 (ja) * 1999-06-28 2005-04-20 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
KR100897431B1 (ko) * 2001-11-27 2009-05-14 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액처리장치 및 액처리방법
JP4255702B2 (ja) * 2003-01-28 2009-04-15 株式会社荏原製作所 基板処理装置及び方法
US20080110861A1 (en) * 2004-02-24 2008-05-15 Shinji Kajita Substrate Processing Apparatus and Method
JP4488506B2 (ja) * 2004-08-30 2010-06-23 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP4890067B2 (ja) * 2006-03-28 2012-03-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板搬送方法
KR101019445B1 (ko) * 2006-04-18 2011-03-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액 처리 장치
WO2008041741A1 (fr) 2006-10-05 2008-04-10 Tokyo Electron Limited appareil et procédé de traitement de substrat, et procédé de rinçage pour coupe de drainage
JP2008153521A (ja) * 2006-12-19 2008-07-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回収カップ洗浄方法および基板処理装置
JP2008198836A (ja) * 2007-02-14 2008-08-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP4825178B2 (ja) 2007-07-31 2011-11-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5309118B2 (ja) * 2010-12-17 2013-10-09 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
JP5743853B2 (ja) * 2010-12-28 2015-07-01 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP5864232B2 (ja) * 2011-02-01 2016-02-17 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP5890108B2 (ja) * 2011-04-27 2016-03-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 洗浄処理方法
JP5932330B2 (ja) * 2011-12-28 2016-06-08 株式会社荏原製作所 液飛散防止カップ及び該カップを備えた基板処理装置

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Publication number Publication date
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