JP4890067B2 - 基板処理装置および基板搬送方法 - Google Patents

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Description

この発明は、基板保持回転機構に基板を保持して処理する基板処理装置、およびこのような基板処理装置における基板搬送方法に関する。処理または搬送の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。
半導体ウエハ等の基板を処理する基板処理装置は、基板を保持して回転するスピンチャックと、このスピンチャックに保持された基板に対して処理液を供給する処理液ノズルとを備えている。スピンチャックは、円盤状のベース部材と、このベース部材の周縁部に立設された複数本の挟持ピンとを含み、この複数本の挟持ピンを基板の周端面に当接させて基板を挟持する。
しかし、このような構成では、基板周端面において挟持ピンが当接する部位に処理残りが生じる。とくに、基板表面に銅膜を形成した後に、基板周縁部および周端面の不要な銅膜および銅イオンを除去しようとするベベルエッチング処理やベベル洗浄処理においては、前述のような処理残りが問題となる。このような処理残りは、その後に基板搬送ロボットによって基板を搬送するときに、基板保持ハンドの金属汚染を引き起こし、これがさらに他の基板へと転移し、基板処理装置の各部に金属汚染を拡散させる原因となるおそれがある。
この問題を解決するために、下記特許文献１に示す先行技術では、回転ベース部材に植設した基板支持部材によって基板を下面から支持する一方で、基板の上面から気体を供給して基板支持部材に基板を押し付け、基板支持部材と基板との摩擦によって基板を保持しつつ回転させる構成が提案されている。
特開２００６−３２８９１号公報 特開２００４−１１１９０３号公報
ところが、この構成では、基板を正確に位置合わせして基板支持部材上に支持させることが重要である。もしも、回転ベース部材の回転軸線と基板の重心とにずれがあると、回転に伴う遠心力によって、基板は水平方向へと移動しようとするから、基板の保持が不安定になるおそれがある。
そこで、基板搬送ロボットによって基板を搬送する過程で、基板保持ハンドに対する基板の位置合わせを行ったり、処理前の基板を一旦位置合わせステージ（アライメントステージ）に搬入して位置合わせを行ったりすることが考えられる。さらには、高精度な基板搬送ロボットを用いて必要な位置精度を確保することが考えられる。
しかし、これらは、いずれもコストの嵩む解決策であり、好ましくない。しかも、部品の公差や組み立て時のばらつきのために、必要な位置精度を達成するのは実際には至難である。
そこで、この発明の目的は、コストを抑制しながらも、基板保持回転機構に精密に位置決めされた状態で基板を保持させることができ、これにより、安定な基板処理を実現できる基板処理装置および基板搬送方法を提供することである。
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）を保持して回転するための基板保持回転機構（４）と、この基板保持回転機構に設けられ、所定の基板保持位置に基板を位置決めするための位置決め部材（５５，５７）と、前記基板保持回転機構に基板を渡す基板搬送機構（５２）と、この基板搬送機構に設けられ、基板を前記位置決め部材に向けて押し付ける押し付け手段（５３，６０，７０，７５，７７）とを含み、前記基板保持回転機構が、回転軸線（Ｊ）回りに回転するスピンベース（５）を含み、前記位置決め部材が前記スピンベースに備えられており、前記押し付け手段が、基板の端面に当接する基板当接部（７５，７７）と、この基板当接部を位置決め部材に向けて移動させる基板当接部移動機構（５３，７０）とを含み、前記基板搬送機構が、基板を保持する基板保持ハンド（６０）を含み、前記基板当接部が、前記基板保持ハンドに設けられており、前記基板当接部移動機構が、前記基板保持ハンドを前記位置決め部材に向けて移動させるハンド駆動機構（５３）を含む、基板処理装置である。なお、括弧内の英数字は後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この構成によれば、基板保持回転機構に備えられたスピンベースに設けられた位置決め部材に対して、基板搬送機構に設けた押し付け手段によって、基板が押し付けられる。これにより、基板搬送機構から基板保持回転機構に基板を受け渡す際に、基板保持回転機構のスピンベースに対して正確に基板を位置決めすることができる。
位置決め部材が基板保持回転機構のスピンベースに設けられているので、基板保持ハンド上や位置決めステージで位置合わせをする場合に比較して、精密に基板を位置決めすることができ、コストも削減できる。
また、この発明では、前記押し付け手段が、基板の端面に当接する基板当接部（７５，７７）と、この基板当接部を位置決め部材に向けて移動させる基板当接部移動機構（５３，７０）とを含む。この構成により、基板当接部移動機構によって、基板当接部を位置決め部材に向けて移動させることにより、基板が位置決め部材に向けて移動させられ、その位置決めが行われる。
さらに、この発明では、前記基板搬送機構が、基板を保持する基板保持ハンド（６０）を含み、前記基板当接部が、前記基板保持ハンドに設けられており、前記基板当接部移動機構が、前記基板保持ハンドを前記位置決め部材に向けて移動させるハンド駆動機構（５３）を含む。この構成により、ハンド駆動機構によって基板保持ハンドを位置決め部材に向けて移動させることによって、基板当接部を移動させることができ、基板保持回転機構に対して基板を正確に位置決めできる。
基板搬送機構から基板保持回転機構への基板の受け渡しの際（より具体的には受け渡しの直後または直前）に、前述のように基板当接部移動機構を制御する制御手段（２０）がさらに備えられていることが好ましい。
また、基板当接部が基板当接部移動機構によって移動させられることにより、基板を前記位置決め部材に向けて弾発的に押し付ける付勢手段（７４）をさらに含むことが好ましい。この付勢手段は、たとえば、ばねその他の弾性部材であってもよい。
請求項２記載の発明は、前記基板当接部移動機構が、前記基板当接部を前記基板保持ハンドに対して相対的に移動させる相対移動機構（７０）をさらに含む、請求項１記載の基板処理装置である。
この構成によれば、ハンド駆動機構による基板保持ハンドの移動および相対移動機構による基板当接部の相対移動によって、基板を位置決め部材に向けて移動させることができる。これにより、ハンド駆動機構による基板保持ハンドの移動精度が不十分であっても、相対移動機構によって、さらに精密に基板当接部を移動させることができる。その結果、高価な高精度ハンド駆動機構を必要としないので、コストの削減に寄与することができる。
請求項３記載の発明は、基板（Ｗ）を保持して回転するための基板保持回転機構（４）と、この基板保持回転機構に設けられ、所定の基板保持位置に基板を位置決めするための位置決め部材（５５，５７）と、前記基板保持回転機構に基板を渡す基板搬送機構（５２）と、この基板搬送機構に設けられ、基板を前記位置決め部材に向けて押し付ける押し付け手段（５３，６０，７０，７５，７７）とを含み、前記基板保持回転機構が、回転軸線（Ｊ）回りに回転するスピンベース（５）を含み、前記位置決め部材が前記スピンベースに備えられており、前記押し付け手段が、基板の端面に当接する基板当接部（７５，７７）と、この基板当接部を位置決め部材に向けて移動させる基板当接部移動機構（５３，７０）とを含み、前記基板搬送機構が、基板を保持する基板保持ハンド（６０）を含み、前記基板当接部が、前記基板保持ハンドに設けられており、前記基板当接部移動機構が、前記基板当接部を前記基板保持ハンドに対して相対的に移動させる相対移動機構（７０）を含む、基板処理装置である。
この構成によれば、相対移動機構による基板当接部の相対移動によって、基板を位置決め部材に向けて移動させることができる。これにより、ハンド駆動機構による基板保持ハンドの移動精度が不十分であっても、相対移動機構によって、さらに精密に基板当接部を移動させることができる。その結果、請求項２の発明の場合と同様に、高価な高精度ハンド駆動機構を必要としないので、コストの削減に寄与することができる。
請求項４記載の発明は、前記位置決め部材に基板の端面が対向する位置で、前記位置決め部材に向けて基板が移動可能であるように当該基板を支持する位置決め用基板支持部（５６，５９；６６，７９）をさらに含む、請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置である。この構成によれば、位置決め用支持部で基板を安定に支持させた状態で、基板を位置決めすることができる。
請求項５記載の発明は、前記位置決め用基板支持部（５６，５９）が、前記基板保持回転機構に設けられている、請求項４記載の基板処理装置である。この構成によれば、基板搬送機構から基板保持回転機構に基板を受け渡した後に、基板の位置決めを行うことができる。
請求項６記載の発明は、前記位置決め用基板支持部（６６，７９）が、前記基板搬送機構に設けられている、請求項４記載の基板処理装置である。この構成によれば、基板搬送機構から基板保持回転機構へと基板を受け渡す前に、基板の位置決めを行うことができる。この場合、前記位置決め用基板支持部は、基板を保持する基板保持ハンドに備えられていてもよい。
請求項７記載の発明は、前記基板保持回転機構が、基板の処理時に当該基板の一方表面に当接して当該基板を支持する処理用基板支持部（７）を含む、請求項１ないし６のいずれかに記載の基板処理装置である。とくに、基板保持回転機構は、基板の端面に当接することなく、前記処理用基板支持部によって基板を一方表面側から支持することによって当該基板を保持するものであることが好ましい。
この構成によれば、基板の端面に処理残りが生じることを抑制または防止できる。また、基板保持回転機構に対して基板が正確に位置決めされるので、回転時においても基板を安定に保持できる。
請求項８記載の発明は、前記処理用基板支持部に支持された基板の他方表面に向けて、基板を前記処理用基板支持部に押し付けるための流体（気体または液体）を供給する流体供給手段（２１，９ｂ）をさらに含む、請求項７記載の基板処理装置である。
この構成により、流体によって処理用基板支持部に基板が押し付けられ、かつ、基板保持回転機構に対して基板が正確に位置合わせされるので、基板保持回転機構が処理用基板支持部以外に基板に対する接触部を有していない場合でも、基板を安定に保持することができる。
前記基板保持回転機構は、ベース（５）と、このベースに対して前記処理用基板支持部を動かす支持部駆動機構（２８，２９，３０：より具体的には、ベースの表面と支持位置との距離が変化するように処理用基板支持部を動かすもの）とをさらに含むものであってもよい。これにより、前述の位置決め用基板支持部から処理用基板支持部へと基板を受け渡すことができる。
むろん、処理用基板支持部が位置決め用基板支持部としての役割を兼ねる構成とすることもできる。
請求項９記載の発明は、所定の基板保持位置に基板（Ｗ）を位置決めするための位置決め部材（５５）を、基板を保持して回転するための基板保持回転機構（４）に備えられ回転軸線（Ｊ）回りに回転するスピンベース（５）に設けるステップと、この基板保持回転機構に基板を渡すための基板搬送機構（５２）に設けた押し付け手段（５３，６０，７０，７５，７７）によって、当該基板を前記位置決め部材に向けて押し付けるステップと、前記基板搬送機構から前記基板保持回転機構に基板を受け渡すステップとを含む、基板搬送方法である。この構成により、請求項１の発明に関連して説明したのと同様な効果を奏することができる。この方法の発明に関しても、前述の基板処理装置の発明に関連して述べたような変形を施すことができる。
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な断面図である。この基板処理装置は、半導体ウエハ等の基板Ｗの表面に薬液やリンス液（たとえば純水（脱イオン化された純水））等の処理液を供給して基板Ｗに対して液処理を行った後、遠心力によって基板表面の液を振り切るスピン乾燥を行う装置である。この基板処理装置は、基板Ｗの下面に対して処理液を供給して、その下面の処理を行うことができ、また基板Ｗの下面に対して処理液を供給することにより、基板Ｗの下面から基板Ｗの周端面を伝ってその上面（デバイス形成面）に処理液を回り込ませ、基板Ｗの上面周縁部の処理（ベベル処理）を行うことができる。さらに、基板Ｗの上面に対して処理液を供給して、その上面の処理を行うことができる。
この基板処理装置は、中空の回転軸１が、モータ３の回転軸に連結されており、このモータ３を駆動することにより、鉛直方向に沿う回転軸線Ｊ回りに回転可能となっている。回転軸１の上端部には、スピンベース５が一体的に連結されている。したがって、モータ３の駆動によりスピンベース５が回転軸線Ｊ回りに回転可能となっている。また、スピンベース５の周縁部付近には、基板Ｗの下面周縁部に当接しつつ基板Ｗを支持する支持部７が複数個、スピンベース５から上方に向けて突出して設けられている。そして、複数個の支持部７によってスピンベース５から所定の間隔離間させた状態で基板Ｗが水平に支持されている。これらの支持部７およびスピンベース５などにより、基板Ｗを保持して回転する基板保持回転機構としてのスピンチャック４が構成されている。
図２はスピンチャック４を上方から見た平面図であり、基板搬送ロボット５２の基板保持ハンド６０によって基板Ｗが搬入されるときの様子が示されている。スピンベース５には、その中心部に開口が設けられるとともに、その周縁部付近には支持部７（処理用基板支持部）が複数個（この実施形態では１２個）設けられている。そして、１２個の支持部７が回転軸線Ｊを中心として３０度ずつの等角度間隔で放射状に配置されている。
基板Ｗを水平支持するためには、支持部７の個数は少なくとも３個以上であればよいが、支持部７が基板Ｗの下面に当接する部分を処理するためには、支持部７を基板Ｗの下面に対して接触／離間自在に構成するとともに、処理中に少なくとも１回以上、各支持部７を基板Ｗの下面から離間させるのが望ましい。そのため、支持部７が基板Ｗの下面に当接する部分をも含めて基板Ｗの下面全域を処理するためには少なくとも４個以上の支持部７が必要とされる。
この実施形態では、たとえば、１２個の支持部７を１つおきの６個ずつの２グループに分け、基板Ｗを処理液で処理するときには、当該２つのグループの支持部７で交互に基板Ｗを支持するように動作する。
また、この基板処理装置は、図１に示すようにスピンベース５に対向して配置され、基板Ｗの上面側の雰囲気を遮断するための雰囲気遮断板９と、この雰囲気遮断板９と基板Ｗの上面との間に形成される空間ＳＰに窒素ガス等の不活性ガスを供給するガス供給部２１（流体供給手段）を備えている。そして、ガス供給部２１から基板Ｗの上面に向けて空間ＳＰに不活性ガスを供給することによって、基板Ｗを支持部７に押圧させて、基板Ｗをスピンチャック４に保持させることが可能となっている。これにより、支持部７と基板Ｗ下面との間の摩擦力により、スピンチャック４の回転力が支持部７を介して基板Ｗに伝えられる。
雰囲気遮断板９は、中空筒状の支持軸１１の下端部に一体回転可能に取り付けられている。支持軸１１には、図示を省略する遮断駆動機構が連結されており、遮断駆動機構のモータを駆動することにより支持軸１１とともに雰囲気遮断板９がスピンチャック４の回転軸１と同軸の回転軸線Ｊ回りに回転されるように構成されている。制御部２０は、遮断駆動機構のモータをモータ３と同期するように制御することで、スピンチャック４と同じ回転方向および同じ回転速度で雰囲気遮断板９を回転駆動させることができる。また、遮断駆動機構の昇降駆動用アクチュエータ（例えばエアシリンダーなど）を作動させることで雰囲気遮断板９をスピンベース５に近接させたり、逆に離間させたりすることが可能となっている。
雰囲気遮断板９は基板Ｗの径より若干大きく、その中心部に開口を有している。雰囲気遮断板９はスピンチャック４の上方に配置されて、その下面（底面）が基板Ｗの上面と対向する対向面９ａとなっている。この対向面９ａには、複数のガス噴出口９ｂが開口している。複数のガス噴出口９ｂは、スピンベース５に設けられた支持部７に対応する位置に、より具体的には支持部７の回転軌跡上に、回転軸線Ｊを中心とする円周に沿って等間隔に配列されている。これらのガス噴出口９ｂは、雰囲気遮断板９の内部のガス流通空間９ｃに連通している。なお、ガス噴出口は複数の開口に限らず、単一の開口、例えば、回転軸線Ｊを中心として同心円状に全周にわたってリング状に開口したものであってもよい。ただし、複数のガス噴出口９ｂとした方が、ガス噴出圧の均一性を得る点で有利である。
雰囲気遮断板９の内部に形成されたガス流通空間９ｃにガスを供給するために、ガス流通空間９ｃは配管２５を介してガス供給部２１に連通接続されている。この配管２５には制御部２０により開閉制御される開閉弁２３が介装されている。このため、制御部２０が開閉弁２３を開にすることでガス供給部２１からガス流通空間９ｃに窒素ガス等の不活性ガスが供給されて、複数のガス噴出口９ｂから基板Ｗの上面に向けて不活性ガスが噴出される。また、複数のガス噴出口９ｂは支持部７の回転軌跡上に配置されるように雰囲気遮断板９の対向面９ａに設けられて、略鉛直方向に不活性ガスを噴出するように形成されている。なお、複数のガス噴出口９ｂからの不活性ガスは支持部７の回転軌跡上に供給する場合に限らず、支持部７の回転軌跡よりも径方向内側あるいは外側に供給するようにしてもよい。
複数のガス噴出口９ｂの各々から均一に不活性ガスが噴出されることで、基板Ｗはスピンベース５に上方に向けて突出して設けられた各支持部７に均等に押圧される。これにより、基板Ｗはスピンチャック４に水平に保持される。
雰囲気遮断板９の中心の開口および支持軸１１の中空部には、上部洗浄ノズル１２が同軸に設けられ、その下端部のノズル口１２ａからスピンベース５に押圧保持された基板Ｗの上面の回転中心付近に薬液、リンス液等の処理液を供給できるように構成されている。この上部洗浄ノズル１２は、配管１３に連通接続されている。この配管１３は、基端部において分岐しており、一方の分岐配管１３ａには薬液供給源３１が接続され、他方の分岐配管１３ｂにはリンス液供給源３３が接続されている。各分岐配管１３ａ、１３ｂには開閉弁１５、１７が介装されており、装置全体を制御する制御部２０による開閉弁１５、１７の開閉制御によって上部洗浄ノズル１２から基板Ｗの上面に薬液とリンス液とを選択的に切換えて供給することができる。
また、支持軸１１の中空部の内壁面と、上部洗浄ノズル１２の外壁面との間の隙間は、気体供給路１８となっている。この気体供給路１８は、開閉弁１９を介装した配管２７を介して気体供給源３５に連続接続されている。そして、上部洗浄ノズル１２による薬液処理およびリンス処理を行った後、制御部２０による開閉弁１９の開閉制御によって気体供給路１８を介して基板Ｗの上面と雰囲気遮断板９の対向面９ａとの間の空間ＳＰに清浄な空気や不活性ガス等の気体を供給することによって、基板Ｗの乾燥処理を行うことが可能となっている。
回転軸１の中空部には、下部洗浄ノズル４１が同軸に設けられ、その上端部のノズル口４１ａから基板Ｗの下面の回転中心付近に処理液を供給できるように構成されている。この下部洗浄ノズル４１は、配管４３に連通接続されている。この配管４３は、基端部において分岐しており、一方の分岐配管４３ａには薬液供給源３１が接続され、他方の分岐配管４３ｂにはリンス液供給源３３が接続されている。各分岐配管４３ａ、４３ｂには開閉弁４５、４７が介装されており、装置全体を制御する制御部２０による開閉弁４５、４７の開閉制御によって下部洗浄ノズル４１から基板Ｗの下面に薬液とリンス液とを選択的に切換えて供給することができる。
また、回転軸１の内壁面と下部洗浄ノズル４１の外壁面との間の隙間は、円筒状の気体供給路４８を形成している。この気体供給路４８は、開閉弁４９を介装した配管５０を介して気体供給源３５に連続接続されていて、制御部２０による開閉弁４９の開閉制御によって気体供給路４８を介して基板Ｗの下面とスピンベース５の対向面との間の空間に清浄な空気や不活性ガス等の気体を供給することができる。
図３は支持部７の構成を示す部分断面図である。上記複数の支持部７はいずれも同一構成を有しているため、ここでは一つの支持部７の構成についてのみ図面を参照しつつ説明する。
支持部７は、スピンベース５の一部が上方に向けて凸状に延出した延出部５ａの内部に設けられている。この支持部７は、基板Ｗの下面周縁部に当接／離間可能にスピンベース５の延出部５ａの上面に埋設されたフィルム２８と、上下方向に移動可能に支持されてフィルム２８の下面側に当接／離間してフィルム２８の上面中央部を押上可能となっている可動ロッド２９と、この可動ロッド２９を上下動させるモータ等の駆動部３０とを備えている。なお、駆動部３０にはモータに限らず、エアシリンダ等のアクチュエータ全般を用いてもよい。前記可動ロッド２９および駆動部３０などにより、支持部駆動機構が構成されている。
駆動部３０が制御部２０からの駆動信号によって図示省略する駆動連結部を介して可動ロッド２９を上昇駆動させると、可動ロッド２９の先端部がフィルム２８の円筒状凹部の上底面に当接してそのままフィルム２８の上面中央部を押し上げる。これにより、スピンベース５の上面側に埋設されているフィルム２８の上面がスピンベース５の延出部５ａの上面から突出する。このため、複数の支持部７のフィルム２８（少なくとも３個以上）を突出させることで、フィルム２８を基板Ｗの下面と当接させつつ基板Ｗをスピンベース５の延出部５ａの上面から離間（例えば、１ｍｍ程度）させて水平支持することが可能となる。
一方、駆動部３０が可動ロッド２９を下降駆動させると、可動ロッド２９の先端部はフィルム２８の円筒状凹部の上底面から離間されて、フィルム２８の上面をスピンベース５の延出部５ａの上面と同一平面内に収容する。このため、突出させた複数の支持部７のフィルム２８のうち少なくとも３個を残して、その一部を下降させることで、下降させたフィルム２８を基板Ｗの下面から離間させることが可能となる。フィルム２８は、可撓性を有するとともに処理液に対する耐腐食性を有する樹脂により成形される。好ましくは、ＰＣＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）等のフッ素樹脂が用いられる。
ここで、基板Ｗの下面に処理液を供給して基板Ｗの周端面を伝ってその上面に処理液を回り込ませて基板Ｗの上面周縁部を処理（ベベル処理）する場合について説明する。ガス噴出口９ｂから基板Ｗの上面に向けて略鉛直方向に噴出される不活性ガスは、処理液が上面周縁部に回り込んで処理される上面処理領域ＴＲより内側の非処理領域ＮＴＲに供給される。一方で、支持部７は不活性ガスが供給される非処理領域ＮＴＲに対応する基板Ｗの下面側に当接して支持するようにスピンベース５の周縁部に設けられている。このように構成することで、処理液の非処理領域ＮＴＲへの侵入を防止するとともに、基板Ｗの径方向における周端面からの処理液の回り込み幅を均一にすることができる。ここで、雰囲気遮断板９の対向面９ａの周縁は、処理液の回り込みを阻害させることのないよう上面処理領域ＴＲに対応して対向面が段差状に上方に後退している。
基板Ｗをその下面に当接する支持部７に押圧支持させる方式では、基板Ｗの上面と雰囲気遮断板９の対向面９ａとの間に形成される空間ＳＰに不活性ガスを供給することで空間ＳＰの内部圧力を高めて基板Ｗを支持部７に押圧させている。つまり、基板Ｗの外周端部に当接して保持するチャックピン等の保持部材がなく、基板Ｗに働く遠心力が基板Ｗと支持部７との間の摩擦力を上回れば、基板Ｗが径方向外側に飛び出してしまうおそれがある。
これを防ぐためには、事前に、スピンチャック４の回転軸線Ｊに対して、基板Ｗの中心を高精度に位置合わせ（芯出し）しておく必要がある。
この位置合わせのために、この実施形態では、図２に示すように、スピンベース５の上面には、一対の位置決めガイド５５が備えられている。これらの一対の位置決めガイド５５は、図４に拡大斜視図を示すように、基板Ｗの周縁部の下面を点接触で支持する円錐台状の基板支持部５６と、この基板支持部５６よりも基板Ｗの半径方向外方側に位置し、基板Ｗの周端面に対向する位置決め面（ガイド面）５７とを備えている。位置決め面５７は、スピンチャック４にアクセスする基板保持ハンド６０に対向する位置に配置されており、それらの位置決め面５７に基板Ｗの周端面が当接したときに当該基板Ｗの中心（重心）とスピンベース５の回転軸線Ｊとが一致するように、スピンベース５の上面に位置決めガイド５５が立設されている。なお、位置決め面５７は、基板Ｗの上昇および下降時の擦れを軽減するため、鉛直から５度程度傾斜した傾斜面となっている。ただし、擦れが特に問題とならない場合は鉛直面であってもよい。
さらに、この実施形態では、スピンベース５の回転軸線Ｊに関して、一対の位置決めガイド５５と対称な位置に、一対の位置決め時用基板支持ピン５８がそれぞれ立設されている。これらの位置決め時用基板支持ピン５８は、基板Ｗの下面周縁部を点接触で支持する半球状の基板支持部５９をそれぞれ有している。
位置決めガイド５５および位置決め時用基板支持ピン５８の基板支持部５６，５９は、基板Ｗの位置決め時に基板Ｗの下面周縁部に接触して当該基板Ｗを支持する位置決め用基板支持部であり、スピンベース５の上面に対して一定の基板支持高さで基板Ｗの下面に当接するようになっている。基板Ｗの処理時に当該基板Ｗを支持する前述の支持部７は、位置決めガイド５５および位置決め時用基板支持ピン５８による基板支持高さよりも高い処理位置と、当該基板支持高さよりも低い退避位置との間で、基板支持高さ（フィルム２８の上面の高さ）を変更することができるようになっている。支持部７の基板支持高さは、基板Ｗを処理するときには処理位置に制御され、基板Ｗの位置合わせ時には退避位置に制御されるようになっている。
基板搬送ロボット５２は、基板Ｗを保持して搬送する基板保持ハンド６０と、この基板保持ハンド６０を、上下左右に移動させるハンド駆動機構５３とを備えており、ハンド駆動機構５３は制御部２０によって制御されるようになっている。基板保持ハンド６０は、基板Ｗを位置決めガイド５５の位置決め面５７に押し付ける役割を担う。基板保持ハンド６０は、互いにほぼ平行な水平方向に延びた一対の片持ち梁６１と、この一対の片持ち梁６１の基端部間に掛け渡された横断梁６２とを備えている。
片持ち梁６１の先端には、図５に拡大して示すように、基板Ｗを落とし込んで保持するための落とし込みガイド６３がボルト６３Ａによって固定されている。落とし込みガイド６３は、基板Ｗの周端面に対向する規制面６４を有する本体部６５と、この本体部６５の下縁付近から基板Ｗの中心に向かって突出した支持爪６６とを備えている。規制面６４は、たとえば、基板Ｗの周端面の接線方向に沿う鉛直面とされている。支持爪６６の上面は、基板Ｗの中心に向かうに従って下降する稜線を有し、この稜線の両側に下り勾配をなす山形テーパー形状に形成されていて、基板Ｗの下縁を点接触で支持できるようになっている。
図２に示されているように、横断梁６２の中間部付近には、基板保持ハンド６０の先端側に向けて基板Ｗを押し出すためのシリンダ７０が固定されており、このシリンダ７０の動作は制御部２０によって制御されるようになっている。シリンダ７０は、図６(a)の拡大平面図および図６(b)の拡大側面図に示すように、基板Ｗの半径方向にほぼ沿ってロッド７１を伸張／収縮させる。ロッド７１の途中部には、フランジ７２が設けられている。さらに、ロッド７１の先端部には、側面視Ｌ字形のブラケット７３が取り付けられている。このブラケット７３は、ロッド７１に対し、その軸方向にスライド可能に取り付けられている。このブラケット７３とフランジ７２との間では、コイルばね７４がロッド７１に巻装されている。
ブラケット７３には、基板Ｗを支持する落とし込みガイド７５（基板当接部）がボルト７６によって固定されている。落とし込みガイド７５は、基板Ｗの周端面に対向する規制面７７を有する本体部７８と、この本体部７８の下縁付近から基板Ｗの中心に向かって突出した支持爪７９とを備えている。規制面７７は、たとえば、基板Ｗの周端面の接線方向に沿う鉛直面とされている。支持爪７９の上面は、基板Ｗの中心に向かうに従って下降する稜線７９ａの両側に下り勾配をなす山形テーパー形状に形成されていて、基板Ｗの下縁を稜線７９ａにて点接触で支持できるようになっている。
シリンダ７０に関連して、ロッド７１の位置を検出するセンサ８１，８２と、落とし込みガイド７５の位置を検出するセンサ８３とが設けられている。センサ８１は、ロッド７１が前進端にあることを検出する前進端センサであり、センサ８２は、ロッド７１が後退端にあることを検出する後退端センサである。センサ８３は、ロッド７１に対する落とし込みガイド７５（またはブラケット７３）の相対位置を検出するセンサであり、具体的には、３つの落とし込みガイド６３，６３，７５によって、基板保持ハンド６０上で基板Ｗがクランプされているときの落とし込みガイド７５の相対位置を検出するクランプ確認センサである。すなわち、クランプ確認センサ８３は、コイルばね７４が圧縮されていることを検出する。
図７(a)〜図７(h)は、基板保持ハンド６０からスピンチャック４へと基板Ｗを受け渡すときの動作を順に示す図解図である。
基板保持ハンド６０が基板Ｗを搬送しているとき、制御部２０は、シリンダ７０のロッド７１を前進位置に制御している。これにより、基板Ｗは、基板保持ハンド６０上で、落とし込みガイド６３，７５によってクランプされ、コイルばね７４の働きにより弾性的に挟持されている。この状態では、前進端センサ８１およびクランプ確認センサ８３がオン状態であり、後退端センサ８２はオフ状態である。なお、図７では、これらのセンサのうち、オン状態のものを塗りつぶした四角形「■」で表し、オフ状態のものを白抜きの四角形「□」で表してある。
制御部２０は、ハンド駆動機構５３を制御して、基板保持ハンド６０をスピンチャック４上の受け渡し位置に導く。この状態が図７(a)に示されている。このとき、基板保持ハンド６０は、基板Ｗを位置決めガイド５５の上端よりも高い位置に保持している。また、制御部２０は、支持部７の高さを、位置決めガイド５５および位置決め時用基板支持ピン５８の基板支持部５６，５９の基板支持高さよりも低い退避位置に制御している。
次に、制御部２０は、図７(b)に示すように、シリンダ７０のロッド７１を後退位置に制御する。これにより、前進端センサ８１およびクランプ確認センサ８３はオフし、代わって、後退端センサ８２がオンする。落とし込みガイド７５の規制面７７は、このとき、基板Ｗの周端面から離れた位置まで後退していて、コイルばね７４は非圧縮状態となる。
続いて、制御部２０は、ハンド駆動機構５３を制御して、図７(c)に示すように、基板保持ハンド６０を下降させる。これにより、基板Ｗは、落とし込みガイド６３，７５から、位置決めガイド５５および位置決め時用基板支持ピン５８の基板支持部５６，５９に受け渡される。基板保持ハンド６０の高さは、前方の位置決めガイド６３の上面が基板Ｗの下面よりも下方に位置するように制御される。このとき、後方の落とし込みガイド７５の規制面７７は、基板Ｗの周端面に対向している。すなわち、この規制面７７は、基板保持ハンド６０が下降した後にも、基板Ｗの周端面に対して水平方向に対向できるだけの高さを有している。
この状態から、制御部２０は、図７(d)に示すように、シリンダ７０のロッド７１を前進位置に制御する。これにより、基板Ｗは、後方の落とし込みガイド７５の規制面７７によって前方に押され、位置決めガイド５５および位置決め時用基板支持ピン５８の基板支持部５６，５９上でスライドし、位置決めガイド５５の位置決め面５７に向けて移動する。この状態でのロッド７１の前進位置は、コイルばね７４の伸長状態（非圧縮状態）で標準寸法の基板Ｗの周端面が位置決め面５７に達するように設計されている。よって、前進端センサ８１はオン状態となるが、クランプ確認センサ８３はオフ状態に保持される。
次に、制御部２０は、ハンド駆動機構５３を制御して、図７(e)に示すように、基板保持ハンド６０を微小距離（たとえば２ｍｍ）だけ、位置決めガイド５５に向けて前進さ
せる。これにより、基板Ｗに公差範囲での寸法誤差が生じていても、落とし込みガイド７５の規制面７７は、基板Ｗの周端面に確実に当接する。さらに、基板保持ハンド６０の前進に伴って圧縮されるコイルばね７４によって、基板Ｗは、位置決めガイド５５に向けて弾性的に付勢される。こうして、基板Ｗが位置決めガイド５５に確実に当接して、基板Ｗの位置決めが完了する。このとき、クランプ確認センサ８３がオン状態となる。
次いで、制御部２０は、図７(f)に示すように、シリンダ７０のロッド７１を後退させ、落とし込みガイド７５の規制面７７を基板Ｗの周端面から離れた位置まで後退させる。これにより、前進端センサ８１およびクランプ確認センサ８３はオフ状態となり、後退端センサ８２がオン状態となる。
さらに、制御部２０は、ハンド駆動機構５３を制御して、基板保持ハンド６０をさらに下降させた後に後退させて、スピンチャック４から退避させる（図７(g)）。
そして、制御部２０は、駆動部３０（図３参照）を制御して、図７(h)に示すように、支持部７の基板支持高さを上昇させる。これにより、位置決めガイド５５および位置決め時用基板支持ピン５８から支持部７へと基板Ｗが受け渡される。
こうして、位置決めガイド５５の位置決め面５７に基板Ｗの周端面を押し当ててから、基板Ｗが支持部７に渡されることにより、スピンベース５の回転軸線Ｊに中心が整合した状態で基板Ｗが支持されることになる。
この後は、スピンチャック４がゆっくりと一回転され、この間に、基板傾きセンサ８６によって、基板Ｗに傾きがないかどうかが検査される。基板傾きセンサ８６は、たとえば、支持部７による基板支持高さよりも微小距離だけ高い位置で基板Ｗの上方を通る水平な光路に沿って光ビームを発生する発光素子と、この発光素子からの光ビームを受光する受光素子との対で構成される。スピンベース５が一回転される間に、基板Ｗが光ビームを遮光すれば、基板Ｗに傾きがあるものと判断されて処理が中止される。さもなければ、基板Ｗが水平姿勢で適正に保持されているものと判断される。
基板Ｗが傾きなく適正に保持されていれば、スピンベース５をより高速に回転しながら、処理液による処理が行われ、さらに、高速回転による振り切り乾燥処理が行われる。
図８は、この発明の第２の実施形態に係る基板処理装置において、基板保持ハンドからスピンチャック４へと基板Ｗを受け渡すときの動作を順に示す図解図である。この実施形態の説明では、前述の図１〜図６を再び参照することとし、これらの図面に示された各部と対応する部分については、図８中に同一符号を付して示す。
この実施形態では、位置決めガイド５５を用いた位置決めの際に、基板Ｗを基板保持ハンド６０に備えられた落とし込みガイド６３，７５の支持爪６６，７９上でスライドさせるようになっている。すなわち、支持爪６６，６９が、位置決め用基板支持部として用いられる。したがって、この実施形態では、位置決めガイド５５は、基板支持部５６を有している必要がない。また、位置決め時用基板支持ピン５８は不要である。ただし、回転軸線Ｊに対して重量バランスを対称にする方が好ましいので、実際には、ピン５８を設けておく方が好ましい。
さらにこの実施形態では、図６(a)に二点鎖線で示すように、シリンダ７０に関連して、センサ８１〜８３に加えて、位置決め確認センサ８４が設けられている。位置決め確認センサ８４は、シリンダ７０のロッド７１に対する落とし込みガイド７５の相対位置を検出するセンサである。より具体的には、この位置決め確認センサ８４は、３つの落とし込みガイド６３，６３，７５によって、基板保持ハンド６０上で基板Ｗがクランプされている状態（クランプ確認センサ８３がオンの状態）よりもさらに落とし込みガイド７５がシリンダ７０の本体部側に後退した位置を検出する。換言すれば、位置決め確認センサ８４は、基板クランプ時よりもさらにコイルばね７４が圧縮した状態を検出する。
前述の第１の実施形態の場合と同様に、基板保持ハンド６０が基板Ｗを搬送しているとき、制御部２０は、シリンダ７０のロッド７１を前進位置に制御している。これにより、基板Ｗは、基板保持ハンド６０上で、落とし込みガイド６３，７５によってクランプされている。したがって、コイルばね７４は若干圧縮された状態である。この状態では、前進端センサ８１およびクランプ確認センサ８３がオン状態であり、位置決め確認センサ８４および後退端センサ８２はオフ状態である。
図８(a)に示されているように、制御部２０は、ハンド駆動機構５３を制御して、基板保持ハンド６０をスピンチャック４上の受け渡し位置に導く。このとき、基板保持ハンド６０は、基板Ｗを位置決めガイド５５の上端よりも高い位置に保持している。また、制御部２０は、支持部７の基板支持高さを、位置決めガイド５５および位置決め時用基板支持ピン５８の基板支持部５６，５９の基板支持高さよりも低い退避位置に制御している。
次に、制御部２０は、ハンド駆動機構５３を制御して、図８(b)に示すように、基板保持ハンド６０を位置決め高さまで下降させる。位置決め高さとは、基板Ｗの周端面が位置決めガイド５５の位置決め面５７に対して水平方向に対向し、かつ、基板Ｗが落とし込みガイド６３，７５の支持爪６６，７９に支持されている状態に保持される高さである。この高さは、支持部７の基板支持高さ、ならびに位置決めガイド５５および位置決め時用基板支持ピン５８の基板支持部５６，５９の基板支持高さのいずれよりも高い。
この状態から、制御部２０は、ハンド駆動機構５３を制御して、図８(c)に示すように、基板保持ハンド６０を微小距離（たとえば４ｍｍ）だけ前進させる。この過程で、基
板Ｗの周端面が位置決めガイド５５の位置決め面５７に当接し、その後は、基板保持ハンド６０はコイルばね７４を圧縮させながら前進し、これに伴って、基板Ｗの前方の周端面が落とし込みガイド６３の規制面６４から離れる。こうして、基板Ｗの前方の周端面が位置決め面５７に当接させられることで、基板Ｗの位置決めが完了する。この状態では、前進端センサ８１はオン、クランプ確認センサ８３はオフ、位置決め確認センサ８４はオン、後退端センサ８２はオフとなる。
次いで、制御部２０は、図８(d)に示すように、シリンダ７０のロッド７１を後退位置に制御する。これにより、前進端センサ８１、クランプ確認センサ８３および位置決め確認センサ８４はオフし、代わって、後退端センサ８２がオンする。落とし込みガイド７５の規制面７７は、基板Ｗの周端面から離れた位置まで後退し、コイルばね７４は非圧縮状態となる。
さらに、制御部２０は、駆動部３０（図３参照）を制御して、支持部７の支持高さを上昇させる。これにより、落とし込みガイド６３，７５から支持部７へと基板Ｗが受け渡される（図８(e)）。
その後、さらに、制御部２０は、ハンド駆動機構５３を制御して、基板保持ハンド６０をさらに下降させた後に後退させて、スピンチャック４から退避させる（図８(f)）。
こうして、位置決めガイド５５の位置決め面５７に基板Ｗの周端面を押し当ててから、基板Ｗが支持部７に渡されることにより、スピンベース５の回転軸線Ｊに中心が整合した状態で基板Ｗが支持されることになる。
この後の動作は、前述の第１の実施形態の場合と同様である。
前述の第１の実施形態では、基板Ｗの位置決め時に位置決めガイド５５および位置決め時用基板支持ピン５８の基板支持部５６，５９上で基板Ｗがスライドさせられているのに対して、この実施形態では、基板保持ハンド６０に備えられた落とし込みガイド６３，７５の支持爪６６，７９上で基板Ｗをスライドさせて、その位置決めを行うようになっている。この相違点に起因して、第２の実施形態の場合の方が、以下の点で有利である。
第１に、基板Ｗの下面に対する接触が少なくなる。とくに、周端面に切り欠き（たとえば半導体の結晶方位を示すノッチ）が形成されている場合に、基板Ｗの方向に関係なく位置決めを確実に行うためには、第１の実施形態の場合、基板支持部５６，５９は、基板Ｗ下面の比較的内方の領域を支持する必要がある。これに対して、第２の実施形態では、基板保持ハンド６０に備えられた支持爪６６，７９を基板Ｗの下縁に点接触させた状態で基板Ｗをスライドさせることができるので、基板Ｗ下面の内方の領域への接触を回避できる。たとえば、処理中に基板Ｗを支持する支持部７は、基板Ｗの周端面から所定幅（たとえば２mm）の周縁領域内において基板Ｗの下面に接触する。この場合、基板支持部５６，５９で基板Ｗを支持するには、支持部７よりも内方の領域で基板Ｗ下面を支持せざるを得ないが、基板保持ハンド６０上で基板Ｗをスライドさせて位置決めを行う第２の実施形態では、このような問題はない。
第２に、位置決め精度の経時変化を抑制できる。位置決めガイド５５および位置決め時用基板支持ピン５８は、基板Ｗの処理中には、薬液にさらされることになるから、耐薬品性の材料（たとえばフッ素樹脂）で構成する必要があるが、このような材料は必ずしも耐摩耗性が十分ではない。そのため、繰り返し使用による摩耗によって、位置決め精度が劣化するおそれがある。これに対して、基板保持ハンド６０の支持爪６６，７９は、薬品に直接接触するわけではないので、耐薬品性よりも耐摩耗性を優先して、その素材を選択できる。したがって、位置決め精度を長期間にわたって維持することができる。
以上、この発明の２つの実施形態について説明したが、この発明はさらに他の形態で実施することもできる。たとえば、前述の実施形態では、基板保持回転機構として、基板Ｗの下面の周縁部のみに当接して基板Ｗを支持する構成のスピンチャック４を例にとったが、この発明は、基板Ｗの周端面を複数本の挟持部材で挟持するメカニカルチャックや、基板Ｗの下面を真空吸着するバキュームチャック等の他の形態のスピンチャックを備えた基板処理装置にも適用できる。
また、前述の第１の実施形態では、基板保持ハンド６０の前進およびシリンダ７０のロッド７１の前進の両方によって、基板Ｗを位置決めガイド５５の位置決め面５７に押し付けるようにしているが、いずれか一方の前進によって基板Ｗを位置決め面５７に押し付けるようにしてもよい。
さらに、前述の第１の実施形態では、位置決めガイド５５および位置決め時用基板支持ピン５８の基板支持部５６，５９上で基板Ｗをスライドさせて当該基板Ｗの位置決めを行うようにしているが、位置決め時の基板Ｗのスライドを支持部７に支持させた状態で行ってもよい。この場合、位置決め時用基板支持ピン５８は不要であり、位置決めガイド５５は基板支持部５６を有している必要がない。
さらに、前述の第１および第２の実施形態では、後方側の落とし込みガイド７５は、基板Ｗの下縁を支持する支持爪７９と規制面７７とを有し、基板Ｗを支持する機能と、基板Ｗを位置決めガイド５５に向けて押し付ける際に基板Ｗに当接する基板当接部としての機能との両方を有している。しかし、これらの機能を個別の構成によって行うようにしてもよい。たとえば、シリンダ７０のロッド７１には、基板支持機能のない基板当接部をブラケット７３を介して結合しておき、たとえば、シリンダ７０の両側において、横断梁６２（図２参照）に一対の落とし込みガイドを固定しておけばよい。この場合の基板当接部は、たとえば、落とし込みガイド７５から支持爪７９を省いた構成のものであってもよい。
また、前述の実施形態では、基板当接部としての落とし込みガイド７５をシリンダ７０によって進退させているが、たとえば、モータなどのように、シリンダ以外の駆動手段を用いることとしてもよい。
さらに、前述の実施形態では、支持部７の基板支持高さを変更するために、モータ等の駆動部３０がスピンベース５に組み込まれた構成を示したが、スピンベース５外に設けた駆動機構からの駆動力をスピンベース５内に設けたリンク機構等によって支持部７に伝達することにより、この支持部７の基板支持高さを変更する構成としてもよい。より具体的には、たとえば、特許文献２に開示された構造を利用することにより、スピンベース５外に設けた駆動機構からの駆動力をスピンベース５内のリンク機構に伝達できる。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な断面図である。 基板処理装置に備えられたスピンチャックの平面図であり、基板保持ハンドによって基板が搬入されるときの様子を示す。 スピンチャックに備えられた支持部の構成を示す部分断面図である。 位置決めガイドの拡大斜視図である。 基板保持ハンドに備えられた前方側の落とし込みガイドの構成を示す平面図である。 基板保持ハンドに備えられた後方側の落とし込みガイドに関連する構成を拡大して示す図である。 基板保持ハンドからスピンチャックへと基板を受け渡すときの動作（第１の実施形態）を順に示す図解図である。 基板保持ハンドからスピンチャックへと基板を受け渡すときの他の動作（第２の実施形態）を順に示す図解図である。
符号の説明
１ 回転軸
３ モータ
４ スピンチャック
５ スピンベース
５ａ 延出部
７ 支持部
９ 雰囲気遮断板
９ａ 対向面
９ｂ ガス噴出口
９ｃ ガス流通空間
１１ 支持軸
１２ 上部洗浄ノズル
１２ａ ノズル口
１３ 配管
１３ａ，１３ｂ 分岐配管
１５，１７ 開閉弁
１８ 気体供給路
１９ 開閉弁
２０ 制御部
２１ ガス供給部
２３ 開閉弁
２５，２７ 配管
２８ フィルム
２９ 可動ロッド
３０ 駆動部
３１ 薬液供給源
３３ リンス液供給源
３５ 気体供給源
４１ 下部洗浄ノズル
４１ａ ノズル口
４３ 配管
４３ａ，４３ｂ 分岐配管
４５，４７ 開閉弁
４８ 気体供給路
４９ 開閉弁
５０ 配管
５２ 基板搬送ロボット
５３ ハンド駆動機構
５５ 位置決めガイド
５６ 基板支持部
５７ 位置決め面
５８ 位置決め時用基板支持ピン
５９ 基板支持部
６０ 基板保持ハンド
６１ 片持ち梁
６２ 横断梁
６３ 落とし込みガイド
６３Ａ ボルト
６４ 規制面
６５ 本体部
６６ 支持爪
７０ シリンダ
７１ ロッド
７２ フランジ
７３ ブラケット
７４ コイルばね
７５ 落とし込みガイド
７６ ボルト
７７ 規制面
７８ 本体部
７９ 支持爪
８１ 前進端センサ
８２ 後退端センサ
８３ クランプ確認センサ
８４ 位置決め確認センサ
Ｊ 回転軸線
ＮＴＲ 非処理領域
ＴＲ 上面処理領域
ＳＰ 空間
Ｗ 基板

Claims (9)

  1. 基板を保持して回転するための基板保持回転機構と、
    この基板保持回転機構に設けられ、所定の基板保持位置に基板を位置決めするための位置決め部材と、
    前記基板保持回転機構に基板を渡す基板搬送機構と、
    この基板搬送機構に設けられ、基板を前記位置決め部材に向けて押し付ける押し付け手段とを含み、
    前記基板保持回転機構が、回転軸線回りに回転するスピンベースを含み、前記位置決め部材が前記スピンベースに備えられており、
    前記押し付け手段が、基板の端面に当接する基板当接部と、この基板当接部を位置決め部材に向けて移動させる基板当接部移動機構とを含み、
    前記基板搬送機構が、基板を保持する基板保持ハンドを含み、
    前記基板当接部が、前記基板保持ハンドに設けられており、
    前記基板当接部移動機構が、前記基板保持ハンドを前記位置決め部材に向けて移動させるハンド駆動機構を含む、基板処理装置。
  2. 前記基板当接部移動機構が、前記基板当接部を前記基板保持ハンドに対して相対的に移動させる相対移動機構をさらに含む、請求項１記載の基板処理装置。
  3. 基板を保持して回転するための基板保持回転機構と、
    この基板保持回転機構に設けられ、所定の基板保持位置に基板を位置決めするための位置決め部材と、
    前記基板保持回転機構に基板を渡す基板搬送機構と、
    この基板搬送機構に設けられ、基板を前記位置決め部材に向けて押し付ける押し付け手段とを含み、
    前記基板保持回転機構が、回転軸線回りに回転するスピンベースを含み、前記位置決め部材が前記スピンベースに備えられており、
    前記押し付け手段が、基板の端面に当接する基板当接部と、この基板当接部を位置決め部材に向けて移動させる基板当接部移動機構とを含み、
    前記基板搬送機構が、基板を保持する基板保持ハンドを含み、
    前記基板当接部が、前記基板保持ハンドに設けられており、
    前記基板当接部移動機構が、前記基板当接部を前記基板保持ハンドに対して相対的に移動させる相対移動機構を含む、基板処理装置。
  4. 前記位置決め部材に基板の端面が対向する位置で、前記位置決め部材に向けて基板が移動可能であるように当該基板を支持する位置決め用基板支持部をさらに含む、請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置。
  5. 前記位置決め用基板支持部が、前記基板保持回転機構に設けられている、請求項４記載の基板処理装置。
  6. 前記位置決め用基板支持部が、前記基板搬送機構に設けられている、請求項４記載の基板処理装置。
  7. 前記基板保持回転機構が、基板の処理時に当該基板の一方表面に当接して当該基板を支持する処理用基板支持部を含む、請求項１ないし６のいずれかに記載の基板処理装置。
  8. 前記処理用基板支持部に支持された基板の他方表面に向けて、基板を前記処理用基板支持部に押し付けるための流体を供給する流体供給手段をさらに含む、請求項７記載の基板処理装置。
  9. 所定の基板保持位置に基板を位置決めするための位置決め部材を、基板を保持して回転するための基板保持回転機構に備えられ回転軸線回りに回転するスピンベースに設けるステップと、
    この基板保持回転機構に基板を渡すための基板搬送機構に設けた押し付け手段によって、当該基板を前記位置決め部材に向けて押し付けるステップと、
    前記基板搬送機構から前記基板保持回転機構に基板を受け渡すステップとを含む、基板搬送方法。
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