JP7254163B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/1851—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
    • C23C18/1872—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment
    • C23C18/1886—Multistep pretreatment
    • C23C18/1893—Multistep pretreatment with use of organic or inorganic compounds other than metals, first
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
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Description

本開示は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
半導体装置の配線層を形成するために無電解メッキ処理が行われる。特許文献１には、無電解メッキ処理を行うための枚葉式の基板処理装置が開示されている。特許文献１の基板処理装置では、無電解メッキ処理は、基板保持部により保持された基板を低速回転させるか基板の回転を停止して基板の表面にメッキ液を液盛りし、この状態でメッキ液を加熱することにより行われる。メッキ液の加熱は、ヒーターが内蔵された昇降自在な蓋体で基板を覆った状態で、ヒーターを発熱させることにより行われる。特許文献１の基板処理装置では、無電解メッキ処理の前に、上述した基板保持部により保持された基板を回転させながら基板の洗浄およびリンスが行われ、無電解メッキ処理の後に、上述した基板保持部により保持された基板を回転させながら基板のリンスおよび乾燥が行われる。
特開２０１８－００３０９７号公報
本開示は、メッキ処理と、メッキ処理の前処理および後処理の少なくとも一方とを含む一連の液処理を効率良く実行することができる技術を提供するものである。
一実施形態に係る基板処理装置は、基板の搬出入口を有し、第１液処理部と、前記第１液処理部よりも前記搬出入口から遠い位置に設けられた第２液処理部と、が内装された液処理モジュールと、前記液処理モジュールに対して基板を搬出入するモジュール外搬送装置と、前記第１液処理部と前記第２液処理部との間で基板を搬送するモジュール内搬送装置と、を備え、前記第１液処理部は、基板を保持する第１保持部を有し、前記第２液処理部は、基板を保持する第２保持部を有し、前記第２液処理部は、前記第２保持部により保持された基板にメッキ処理を施すように構成され、前記第１液処理部は、前記第１保持部により保持された基板に少なくとも前記メッキ処理後の後洗浄処理を施すように構成されている。
本開示によれば、メッキ処理と、メッキ処理の前処理および後処理の少なくとも一方とを含む一連の液処理を効率良く実行することができる。
基板処理装置の一実施形態に係る基板処理システムの全体構成を示す概略平面図である。 別の一つの実施形態に係る基板処理システムの全体構成を示す概略側面図である。 図１の基板処理装置に用いることができる液処理モジュール構成の一例を示す概略縦断面図である。 図３に示した液処理モジュールの概略平面図である。 図３に示した液処理モジュールの第１液処理部の構成の一例を示す概略縦断面図である。 図３に示した液処理モジュールの第２液処理部の構成の一例を示す概略縦断面図である。 第２液処理部に設けられたホットプレートのヒーターの配置の一例を説明するための概略平面図である。 上記ホットプレートの上面を示す概略平面図である。 第２液処理部に設けられた吸着プレートの下面の構成の一例を示す概略平面図である。 上記吸着プレートの上面の構成の一例を示す概略平面図である。 第２液処理部に設けられた第１電極部の構成の一例を示す概略平面図である。 上記吸着プレートの概略断面図である。 上記吸着プレートの図１２とは別の切断面に沿った概略断面図である。 第２液処理部に設けられた補助ヒーターへの給電に用いられる電力伝送機構の第１構成例の原理を説明するための概略図である。 第２液処理部に設けられた補助ヒーターへの給電に用いられる電力伝送機構の第１構成例の概略軸方向断面図である。 第２液処理部に設けられた補助ヒーターへの給電に用いられる電力伝送機構の第２構成例の概略軸方向断面図である。 上記液処理モジュールの動作シーケンスについて説明する概略図である。 上記液処理モジュールの動作シーケンスについて説明する概略図である。 上記液処理モジュールの動作シーケンスについて説明する概略図である。 上記液処理モジュールの動作シーケンスについて説明する概略図である。 上記液処理モジュールの動作シーケンスについて説明する概略図である。 上記液処理モジュールの動作シーケンスについて説明する概略図である。 上記液処理モジュールの動作シーケンスについて説明する概略図である。 上記液処理モジュールの動作シーケンスについて説明する概略図である。 上記液処理モジュールの動作シーケンスについて説明する概略図である。 上記液処理モジュールの動作シーケンスについて説明する概略図である。 上記液処理モジュールの動作シーケンスについて説明する概略図である。 上記液処理モジュールの動作シーケンスについて説明する概略図である。 上記液処理モジュールの動作シーケンスについて説明する概略図である。 上記液処理モジュールの動作シーケンスについて説明する概略図である。 上記液処理モジュールの動作シーケンスについて説明する概略図である。 上記液処理モジュールの動作シーケンスについて説明する概略図である。 上記液処理モジュールの動作シーケンスについて説明する概略図である。 上記液処理モジュールの動作シーケンスについて説明する概略図である。 上記液処理モジュールの動作シーケンスについて説明する概略図である。 上記液処理モジュールの動作シーケンスについて説明する概略図である。 上記液処理モジュールに設置される第１アームおよび第２アームの変形例である。 上記液処理モジュールに設置される第１アームおよび第２アームの変形例である。
基板処理装置の一実施形態としての基板処理システムについて、添付図面を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウエハ（以下ウエハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウエハＷを保持するウエハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、Ｙ方向（第１水平方向）およびＺ方向（鉛直方向）への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウエハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウエハＷの搬送を行う。
処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の液処理モジュール１６とを備える。複数の液処理モジュール１６は、搬送部１５の両側にＸ方向（第２水平方向）に配列されている。
搬送部１５は、内部にＸ方向（第２水平方向）に延びる搬送路１５Ａと、搬送路１５Ａ内に設けられた基板搬送装置（モジュール外搬送装置）１７を備える。基板搬送装置１７は、ウエハＷを保持するウエハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、第２水平方向（Ｘ方向）および鉛直方向（Ｚ方向）への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能である。基板搬送装置１７はウエハＷを保持する搬送アーム１７Ａを有しており、この搬送アーム１７Ａを用いて、受渡部１４と任意の液処理モジュール１６との間でウエハＷの搬送を行う。
液処理モジュール１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウエハＷに対して所定の液処理を行う（詳細後述）。
また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウエハＷを取り出し、取り出したウエハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウエハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、液処理モジュール１６へ搬入される。
液処理モジュール１６へ搬入されたウエハＷは、液処理モジュール１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって液処理モジュール１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウエハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。
一実施形態において、図２に示すように、処理ステーション３を複数の単位ブロックＢ１，Ｂ２，Ｂ３を積層することにより構成することができる。個々の単位ブロック（Ｂ１～Ｂ３）の構成は、図１に示した処理ステーション３の構成と同一である。なお、この場合、複数の受渡部１４が設けられ、各受渡部１４が１つの単位ブロックに割り当てられる。搬入出ステーション２の基板搬送装置１３は、キャリアＣと任意の受渡部１４との間でウエハＷの搬送を行うことができる。
次に、主に図３および図４を参照して、液処理モジュール１６の構成について説明する。液処理モジュール１６は、当該液処理モジュール１６の全体を覆うハウジング１６０１を有している。ハウジング１６０１に、Ｙ方向に直線的に並べられた第１液処理部１０００および第２液処理部２０００が内装されている。第１液処理部１０００はウエハＷに対して少なくともメッキ処理の後処理を施し、第２液処理部２０００はウエハＷに対してメッキ処理を施す。第１液処理部１０００はウエハＷに対してさらにメッキ処理の前処理を施してもよい。上記のメッキ処理、前処理および後処理の各々は、少なくとも１つ以上の工程からなる。
ハウジング１６０１は、第１液処理部１０００の側に、処理前のウエハＷを液処理モジュール１６に搬入し、かつ処理後のウエハを液処理モジュール１６から搬出するための唯一の搬出入口１６０２を有している。搬出入口１６０２には、搬出入口１６０２を開閉するためのシャッタ１６０３が付設されている。搬出入口１６０２を通って、ウエハＷを保持した基板搬送装置（モジュール外搬送装置）１７の搬送アーム（基板保持部）１７Ａが、Ｙ方向に移動して第１液処理部１０００内に進入することができる。
第１液処理部１０００には第１回転式液処理ユニット１００１が設けられている。第１回転式液処理ユニット１００１は、ウエハＷを保持するための第１スピンチャック１００２（第１保持部）を有している。第１スピンチャック１００２は、ウエハＷを水平姿勢で保持し、保持したウエハＷを鉛直軸線１００３回りに回転することができる。
第１スピンチャック１００２は、メカニカルチャックとして構成されている。メカニカルチャックは、半導体製造装置の分野で周知のように、少なくとも１つの可動把持爪を含む複数の把持爪により、ウエハＷの周縁を把持することによりウエハＷを保持するように構成されている。
第１スピンチャック１００２には、複数例えば３本のリフトピン（第１支持ピン）１００４が付設されている。リフトピン１００４は、その上端でウエハＷの裏面（下面）を支持した状態で昇降することができる。
第２液処理部２０００には第２回転式液処理ユニット２００１が設けられている。第２回転式液処理ユニット２００１は、ウエハＷを保持するための第２スピンチャック２００２（第２保持部）を有している。第２スピンチャック２００２は、ウエハＷを水平姿勢で保持し、保持したウエハＷを鉛直軸線２００３回りに回転することができるように構成されている。
第２スピンチャック２００２は、バキュームチャックとして構成されている。バキュームチャックは、ウエハＷの裏面を真空吸着することによりウエハＷを水平姿勢で保持する。図３に示した第２スピンチャック２００２は、図６に示した回転テーブル１００に相当する（詳細後述）。
第２スピンチャック２００２には、複数例えば３本のリフトピン（第２支持ピン）２００４が付設されている。リフトピン２００４は、その上端でウエハＷの裏面（下面）を支持した状態で昇降することができる。図３に示したリフトピン２００４は、図６に示したリフトピン２１１に相当する。
液処理モジュール１６内には、第１液処理部１０００と第２液処理部２０００との間で基板の入れ替えを行う入替装置（モジュール内搬送装置）３０００が設けられている。図示された実施形態では、入替装置３０００は、第１液処理部１０００と第２液処理部２０００との間に設けられた第１アーム３１００および第２アーム３２００を有する。
第１アーム３１００は、図示しないロータリーアクチュエータが内蔵されたベース３１０１に取り付けられており、鉛直方向（Ｚ方向に延びる）回転軸線３１０２を中心として水平面内を旋回することができる。第１アーム３１００の先端にはバキュームチャック３１０３が設けられている。第１アーム３１００を旋回させることにより、バキュームチャック３１０３の中心すなわちバキュームチャック３１０３に保持されたウエハＷの中心が、第１スピンチャック１００２の鉛直軸線１００３と一致する第１受け渡し位置と、第２スピンチャック２００２の鉛直軸線２００３と一致する第２受け渡し位置に位置させることができる。
第２アーム３２００も、図示しないロータリーアクチュエータが内蔵されたベース３２０１に取り付けられており、鉛直方向（Ｚ方向に延びる）回転軸線３２０２を中心として水平面内を旋回することができる。第２アーム３２００の先端にはバキュームチャック３２０３が設けられている。第２アーム３２００を旋回させることにより、バキュームチャック３２０３の中心すなわちバキュームチャック３２０３に保持されたウエハＷの中心が、第１スピンチャック１００２の鉛直軸線１００３と一致する第１受け渡し位置と、第２スピンチャック２００２の鉛直軸線２００３と一致する第２受け渡し位置に位置させることができる。
第１アーム３１００および第２アーム３２００は、異なる高さ位置に配置されており、第１アーム３１００および第２アーム３２００を同時にどのように動かしても互いに干渉しないようになっている。図示された実施形態では、第１アーム３１００は、第２アーム３２００よりも低い高さ位置に配置されている。
図４より理解できるように、第１スピンチャック１００２に付設されたリフトピン１００４は、リフトピン１００４がどのような高さ位置にあっても、第１アーム３１００および第２アーム３２００の旋回軌跡と干渉しないような位置に設けられている。同様に、第２スピンチャック２００２に付設されたリフトピン２００４は、リフトピン２００４がどのような高さ位置にあっても、第１アーム３１００および第２アーム３２００の旋回軌跡と干渉しないような位置に設けられている。さらに、第１スピンチャック１００２に付設されたリフトピン１００４は、ウエハＷを第１液処理部１０００に対して搬出入するために第１液処理部１０００内に進入した搬送アーム１７Ａ（これは馬蹄形状または二股フォーク形状を有している）の移動軌跡とも干渉しないような位置に設けられている。
第１液処理部１０００と第２液処理部２０００との間に、少なくとも１つの隔壁、図示例では２つの隔壁４１００，４２００が設けられている。隔壁４１００，４２００は、第１液処理部１０００内の雰囲気と第２液処理部２０００内の雰囲気とを隔離することができる。
隔壁４１００には開口４１０１が設けられ、開口４１０１には、開口４１０１を開閉するためのシャッタ４１０２が付設されている。同様に、隔壁４２００には開口４２０１が設けられ、開口４２０１には、開口４２０１を開閉するためのシャッタ４２０２が付設されている。シャッタ４１０２，４２０２を開くことにより、ウエハＷを保持した第１アーム３１００および第２アーム３２００の各々を、開口４１０１、４２０１を通して、前記第１受け渡し位置と前記第２受け渡し位置との間で移動させることができる。
隔壁４１００と隔壁４２００との間には、アーム待機空間４０００が形成されている。アーム待機空間４０００内のＸ方向両端部には、第１アーム３１００のベース３１０１と第２アーム３２００のベース３２０１とが配置されている。
第１アーム３１００および第２アーム３２００の長手方向をＸ方向に一致させた状態でシャッタ４１０２，４２０２を閉じることにより、第１アーム３１００および第２アーム３２００の全体をアーム待機空間４０００に格納することができる。このとき、第１アーム３１００および第２アーム３２００は、第１液処理部１０００内の雰囲気からも第２液処理部２０００内の雰囲気からも隔離される。
第１液処理部１０００内には、第１液処理部１０００で実行される処理（メッキ処理の前処理、メッキ処理の後処理）に必要な処理流体（処理液および処理ガス）をウエハＷに供給するための１つ以上のノズルを担持したノズルアーム２１００が設けられている。同様に、第２液処理部２０００内には、第２液処理部２０００で実行されるメッキ処理に必要な処理流体（処理液および処理ガス）をウエハＷに供給するための１つ以上のノズルを担持したノズルアーム２２００が設けられている。図３のノズルアーム２２００は、図６のノズルアーム７０４に対応する。
次に、第１液処理部１０００の第１回転式液処理ユニット１００１の構成について説明する。第１回転式液処理ユニット１００１の構成自体は公知のため、図５の概略図を参照して簡単に説明することとする。
第１回転式液処理ユニット１００１は、前述したように第１スピンチャック１００２（第１保持部）を有している。第１スピンチャック１００２は、円板形状のベースプレート１０１０と、ベースプレート１０１０の周縁部に円周方向に間隔を空けて設けられた複数の可動の把持爪１０１２とを有している。把持爪１０１２は、図示しない把持爪開閉機構により、ウエハＷの周縁に対して接離する方向に変位可能である。第１スピンチャック１００２は、複数の把持爪１０１２によりウエハＷの周縁を把持することにより、ウエハＷを水平姿勢で保持することができる。
ベースプレート１０１０の下面中心部から鉛直方向下方に中空の回転軸１０１４が延びている。回転軸１０１４はモータ１０１６により回転駆動され、これにより、第１スピンチャック１００２により保持されたウエハＷを鉛直軸線回りに回転させることができる。
ベースプレート１０１０には、リフトピン１００４が通される貫通孔が設けられている。リフトピン１００４は、バネ１０１８により、下向きに付勢されている。リフトピン１００４は、図５には図示されていない係止突起により、図５に示す位置よりも下方に変位することができないようになっている。
リフトピン１００４の下方には、リフトピン１００４と同数のプッシュロッド１０２０が設けられている。ベースプレート１０１０を特定の角度位置で停止させた場合に、リフトピン１００４とプッシュロッド１０２０とが上下方向に整列する。プッシュロッド１０２０の下端はリング部材１０２２に固定されている。ボールねじ、エアシリンダ等のリニアアクチュエータ１０２４がリング部材１０２２を上昇させることにより、プッシュロッド１０２０によりリフトピン１００４を突き上げて、リフトピン１００４を所望の高さ位置に位置させることができる。
中空の回転軸１０１４の内部には、棒状の処理流体供給部材１０２５が設けられている。処理流体供給部材１０２５は、回転軸１０１４が回転しても非回転状態を維持できるように設置されている。処理流体供給部材１０２５の内部には、鉛直方向に延びる１つ以上の処理液供給路１０２６（図面の簡略化のため、図５にはそのうちの１つだけが表示されている）と、１つのガス供給路１０２８が形成されている。処理液供給路１０２６およびガス供給路１０２８の上端は、ウエハＷの裏面（下面）の中心部の下方の空間に開口している。
ウエハＷの裏面（下面）の処理に必要な処理液の種類の数に応じた数の処理液供給路１０２６が設けられる。処理液（ＰＬ，Process Liquid）としては、リンス液としての純水（ＤＩＷ）、中間洗浄液、ポストクリーン液などが例示され、この場合、３つの独立した処理液供給路１０２６を設けることができる。１つの処理液供給路１０２６を、相互に混合しても支障の無い複数種類の処理液で共用してもよい。各処理液供給路１０２６には、処理液の供給源１０３０から図示しない流れ制御機器を介して処理液が供給される。ガス供給路１０２８には、ガス供給源１０３２から乾燥用ガスとしての窒素ガス（Ｎ２ガス）が供給される。乾燥用ガスとして、窒素ガス以外の不活性ガスを用いることもできる。上記の処理液およびガスは、処理流体供給路１０２６，１０２８の上端の開口からウエハＷの裏面（下面）に向けて吐出される。つまり、処理流体供給部材１０２５の上端部は、ウエハＷの裏面に向けて処理流体を吐出する下ノズルとしての役割を果たす。
第１液処理部１０００には、第１スピンチャック１００２に保持されたウエハＷの表面（上面）に処理液（ＰＬ）を供給する１つ以上の処理液ノズル１０３４（図面の簡略化のため、図５にはそのうちの１つだけが表示されている）と、１つの乾燥用液体ノズル１０３６と、１つのガスノズル１０３８が設けられている。処理液ノズル１０３４と乾燥用液体ノズル１０３６は、第１ノズルアーム１０４０の先端部に担持されている。ガスノズル１０３８は第２ノズルアーム１０４２の先端部に担持されている。
ウエハＷの表面（上面）の処理に必要な処理液の種類の数に応じた数の処理液ノズル１０３４が設けられる。処理液（ＰＬ，Process Liquid）としては、前処理用の洗浄液、後処理用の洗浄液、中間洗浄処理用の洗浄液、触媒液、リンス液（例えば純水）、触媒除去液などが例示され、この場合、５つの処理液ノズル１０３４が設けられる。１つの処理液ノズル１０３４を、相互に混合しても支障の無い複数種類の処理液で共用してもよい。
メッキの前処理用の洗浄液としては、例えば、ギ酸、リンゴ酸、コハク酸、クエン酸、マロン酸等の有機酸、基板の被めっき面を腐食させない程度の濃度に希釈されたフッ化水素酸（ＤＨＦ）（フッ化水素の水溶液）、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）等を使用することができる。上記の洗浄液の一部はメッキの後処理や中間洗浄処理用にも用いることができる。低濃度アルカリ液をウエハＷの表面の後処理に用いることができ、リンゴ酸と過酸化水素水の混合液をウエハＷの裏面の後処理に用いることもできる。
触媒液は、例えば、粒子状、特にナノ粒子状の金属触媒を含む。具体的には、触媒液は、ナノ粒子状の金属触媒と、分散剤と、分散媒としての水とを含む。このようなナノ粒子状の金属触媒としては、例えばナノ粒子状Ｐｄ（パラジウム）が挙げられる。分散剤は、ナノ粒子状の金属触媒を触媒液中に分散させやすくする役割を果たす。このような分散剤としては、例えばポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）が挙げられる。金属触媒は、めっき液中の還元剤の酸化反応に対して十分な触媒活性を有するものであればよい。このような触媒としては、上記Ｐｄの他に、例えば、鉄族元素（Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ）、白金属元素（Ｒｕ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ）、Ｃｕ、Ａｇ又はＡｕを含むものが挙げられる。触媒液には、触媒が付与される材料の表面に対する触媒の吸着を促進する吸着促進剤が含まれていてもよい。
触媒除去液としては、還元剤、好ましくは、めっき液Ｍ１中に含まれる還元剤と同じ還元剤を用いることができる。このような還元剤としては上述したジメチルアミンボラン（ＤＭＡＢ）が例示される。ＤＭＡＢは、例えばＤＩＷ（純水）により１００倍～１０００倍程度に希釈された状態で、触媒除去液として用いることができる。
乾燥用液体ノズル１０３６からは、リンス液（例えば純水）を容易に置換することができ（好ましくは純水と相溶性があり）、リンス液よりも揮発性が高く、かつ、リンス液よりも表面張力が低い有機溶剤が用いられる。そのような有機溶剤としてＩＰＡ（イソプロピルアルコール）が例示される。
ガスノズル１０３８からは、乾燥用ガスとして窒素ガス等の不活性ガスが供給される。
上記のノズル１０３４，１０３６，１０３８にはそれぞれ（詳細な図示は省略するが）、上述した処理流体（処理液、乾燥用液体、乾燥用ガス）の供給機構が接続されている。供給機構の各々は、処理流体供給源と、処理流体供給源にされた流体ライン（管路）と、流体ラインに介設された流れ制御機器とから構成することができる。処理流体供給源は、例えば基板処理システム１が設置される半導体装置製造工場に設けられた工場用力である。処理流体供給源は、基板処理システム１に付設された液体貯留タンク、ガスボンベであってもよい。流れ制御機器としては、例えば、開閉弁、流量計、流量制御弁等が例示される。流れ制御機器により、各処理流体を制御された流量でウエハＷに供給することができる。
第１および第２ノズルアーム１０４０，１０４２は、それぞれ鉛直軸線１０４１，１０４３回りに旋回することができ、これにより、第１スピンチャック１００２に保持されたウエハＷの表面の任意の半径方向位置にノズル１０３４，１０３６，１０３８を介して処理流体を供給することができる。なお、図５に示した第１ノズルアーム１０４０，１０４２の一方が図４のノズルアーム２１００に相当し、他方の第１ノズルアームに相当するものは図４には表示されていない。
第１スピンチャック１００２の周囲には、回転するウエハＷに供給された後にウエハから飛散する処理流体（特に液体）を回収する液受けカップ１０６０が設けられている。液受けカップ１０６０の底部には、排気管路１０６２および排液管路１０６６が接続されている。排気管路１０６２は、負圧に維持された工場排気系（ＥＸＨ１）に接続されており、液受けカップ１０６０内の空間は常時吸引されている。排気管路１０６２には、排気ダンパまたはバタフライ弁等の流量制御デバイス１０６４が介設されており、排気管路１０６２の排気流量を制御することができる。排気管路１０６２にはエゼクタが設けられていてもよい。排液管路１０６６は工場排液通路（ＤＲ１）に接続されている。
なお、排気管路１０６２および排液管路１０６６は、図３にも概略的に示されている。排気管路１０６２および排液管路１０６６と同様の排気管路２０６２（図３および図６に示した）および排液管路２０６６（図３のみに示した）が、第２液処理部２０００にも設けられている。図６に示すように、排気管路２０６２にも、排気ダンパまたはバタフライ弁等の流量制御デバイス１０６４が介設されている。排気管路２０６２および排液管路２０６６も、工場排気系（ＥＸＨ２）および工場排液通路（ＤＲ２）にそれぞれ接続されている。
排気管路１０６２は、液受けカップ１０６０からだけでなく、第１液処理部１０００内であってかつ液受けカップ１０６０の外側の空間から直接ガスを吸引できるように設けられていてもよい。同様に排気管路２０６２も、液受けカップ８００（図３および図６を参照）だけでなく、第２液処理部２０００内であってかつ液受けカップ８００の外側の空間から直接ガスを吸引できるように設けられていてもよい。
図３に示すように、ハウジング１６０１の天井部には、第１液処理部１０００に対応する位置に第１気体供給部としての第１ファンフィルタユニット（ＦＦＵ１）が、第２液処理部２０００に対応する位置に第２気体供給部としての第２ファンフィルタユニット（ＦＦＵ２）がそれぞれ設けられている。これらのファンフィルタユニットＦＦＵ１，ＦＦＵ２は、清浄ガス（クリーンエア、クリーンドライエア、窒素ガスあるいはこれらの混合ガス）を第１、第２液処理部１０００,２０００内にそれぞれ供給することができる。第１ファンフィルタユニット（ＦＦＵ１）および第２ファンフィルタユニット（ＦＦＵ２）から供給される清浄ガスの流量は独立して制御することができることが好ましい。
特に、第２液処理部２０００の第２ファンフィルタユニット（ＦＦＵ２）は、清浄空気だけではく、低酸素含有ガスとしての窒素ガス（あるいは清浄空気と窒素ガスとの混合ガス）を供給する機能を有していることが好ましい。これにより、第２液処理部２０００の内部空間（これは後述する図６のハウジング１６０１の内部空間に相当する）の酸素濃度を低下させることができる。
第１液処理部１０００内の圧力（以下「圧力Ｐ１」と呼ぶ）は、ファンフィルタユニットＦＦＵ１からの給気流量と排気管路１０６２を介した排気流量とのバランスにより決定される。同様に、第２液処理部２０００内の圧力（以下「圧力Ｐ２」と呼ぶ）は、ファンフィルタユニットＦＦＵ２からの給気流量と排気管路２０６２を介した排気流量とのバランスにより決定される。従って、第１液処理部１０００および第２液処理部２０００の各々において、給気流量および排気流量のうちの少なくとも一方を適宜調節することにより、圧力Ｐ１と圧力Ｐ２を所望の関係とすることができる。
ここで、搬送路１５Ａ内の圧力をＰＴ（ＰＴは、通常、概ね大気圧である）としたとき、ＰＴ＞Ｐ１＞Ｐ２とすることが好ましい。特に後述するように、第２液処理部２０００内で高温の薬液処理（本実施形態では無電解メッキ処理）が行われる場合には、最も汚染性が高い第２液処理部２０００内の雰囲気が、第１液処理部１０００および搬送路１５Ａ内に流入することを防止することができる。
次に、第２液処理部２０００に設けられた第２回転式液処理ユニット２００１の一実施形態の構成について、図６を参照して説明する。第２回転式液処理ユニット２００１は、枚葉式のディップ液処理ユニットとして構成されており、ウエハＷ上にメッキ液を液盛りした状態でメッキ処理を施すことができるように構成されている。
図６に示すように、第２回転式液処理ユニット２００１は、回転テーブル１００（第２スピンチャック）と、ウエハＷに処理液を供給する処理液供給部７００と、回転した基板から飛散した処理液を回収する液受けカップ（処理カップ）８００と、を備えている。回転テーブル１００は、ウエハＷ等の円形の基板を水平姿勢で保持して回転させることができる。回転テーブル１００、処理液供給部７００、液受けカップ８００等の第２回転式液処理ユニット２００１の構成部品は、ハウジング１６０１内に収容されている。液受けカップ８００内の構成部品は概ね回転対称な形状を有しており、図６では第２回転式液処理ユニット２００１の左半部のみを示している。
回転テーブル１００は、真空吸着式のスピンチャック（バキュームチャック）として構成されている。回転テーブル１００は、吸着プレート１２０と、ホットプレート１４０と、支持プレート１７０と、周縁カバー体１８０と、中空の回転軸２００と、を有している。吸着プレート１２０は、その上に載置されたウエハＷを水平姿勢で吸着する。ホットプレート１４０は、吸着プレート１２０を支持するとともに加熱する、吸着プレート１２０にとってのベースプレートである。支持プレート１７０は、吸着プレート１２０及びホットプレート１４０を支持する。回転軸２００は、支持プレート１７０から下方に延びている。回転テーブル１００は、回転軸２００の周囲に配設された電動駆動部１０２により、鉛直方向に延びる回転軸線Ａｘ周りに回転させられ、これにより、保持したウエハＷを回転軸線Ａｘ周りに回転させることができる。電動駆動部１０２（詳細は図示せず）は、電動モータで発生した動力を動力伝達機構（例えばベルト及びプーリー）を介して回転軸２００に伝達して回転軸２００を回転駆動するものとすることができる。電動駆動部１０２は、電動モータにより回転軸２００を直接回転駆動するものであってもよい。
吸着プレート１２０は、ウエハＷの直径よりやや大きい直径（構成次第では、同じ直径であってもよい）、つまりウエハＷの面積より大きいかあるいは等しい面積、を有する円板状の部材である。吸着プレート１２０は、ウエハＷの下面（処理対象ではない面）を吸着する上面（表面）１２０Ａと、ホットプレート１４０の上面に接触する下面（裏面）１２０Ｂとを有している。吸着プレート１２０は、熱伝導性セラミックス等の高熱伝導率材料、例えばＳｉＣにより形成することができる。吸着プレート１２０を構成する材料の熱伝導率は、１５０Ｗ／ｍ・ｋ以上であることが好ましい。
ホットプレート１４０は、吸着プレート１２０の直径と概ね等しい直径を有する円板状の部材である。ホットプレート１４０は、プレート本体１４１と、プレート本体１４１に設けられた電気式のヒーター（電気ヒーター）１４２（加熱部）とを有している。プレート本体１４１は、熱伝導性セラミックス等の高熱伝導率材料、例えばＳｉＣにより形成されている。プレート本体１４１を構成する材料の熱伝導率は、１５０Ｗ／ｍ・ｋ以上であることが好ましい。
ヒーター１４２は、プレート本体１４１の下面（裏面）に設けられた面状ヒーター、例えば、ポリイミドヒーターにより構成することができる。好ましくは、ホットプレート１４０には、図７に示すような複数（例えば１０個）の加熱ゾーン１４３－１～１４３－１０が設定される。ヒーター１４２は、各加熱ゾーン１４３－１～１４３－１０にそれぞれ割り当てられた複数のヒーター要素１４２Ｅから構成されている。各ヒーター要素１４２Ｅは、各加熱ゾーン１４３－１～１４３－７内を蛇行して延びる導電体から形成されている。図７では、加熱ゾーン１４３－１内にあるヒーター要素１４２Ｅのみを示した。
これらの複数のヒーター要素１４２Ｅに、後述する給電部３００により、互いに独立して給電することができる。従って、ウエハＷの異なる加熱ゾーンを異なる条件で加熱することができ、ウエハＷの温度分布を制御することができる。
ヒーター１４２の下面にはさらに、ヒーター１４２と概ね同じ平面形状を有する補助ヒーター９００が設けられている。ヒーター１４２と同様に、補助ヒーター９００も、面状ヒーター、例えば、ポリイミドヒーターにより構成することができる。ともにポリイミドヒーターにより構成することができるヒーター１４２と補助ヒーター９００との間には、ポリイミド膜からなる絶縁膜を介設させることが好ましい。補助ヒーター９００は、後の説明より理解できるように、回転テーブル１００の回転中等のヒーター１４２への通電が不可能な期間に、ホットプレート１４０を加熱（保温）することを可能とするために設けられている。
ヒーター１４２と同様に、補助ヒーター９００にも複数の加熱ゾーンを設定して、各加熱ゾーンを個別に制御してもよい。ヒーター１４２に単一の加熱ゾーンを設定して、ヒーター１４２の全体を均等に発熱させてもよい。
図８に示すように、プレート本体１４１の上面（表面）には、１つ以上（図示例では２つ）のプレート用吸引口１４４Ｐと、１つ以上の（図示例では中心部の１つ）基板用吸引口１４４Ｗと、１つ以上（図示例では外側の２つ）のパージガス供給口１４４Ｇと、を有している。プレート用吸引口１４４Ｐは、吸着プレート１２０をホットプレート１４０に吸着させるための吸引力を伝達するために用いられる。基板用吸引口１４４Ｗは、ウエハＷを吸着プレート１２０に吸着させるための吸引力を伝達するために用いられる。
さらにプレート本体１４１には、後述するリフトピン２１１が通過する複数（図示例では３つ）のリフトピン穴１４５Ｌと、回転テーブル１００の組み立て用のネジにアクセスするための複数（図示例では６つ）のサービスホール１４５Ｓが形成されている。通常運転時には、サービスホール１４５Ｓは、図６に示すようにキャップ１４５Ｃで塞がれている。
上述したヒーター要素１４２Ｅは、上記のプレート用吸引口１４４Ｐ、基板用吸引口１４４Ｗ、パージガス供給口１４４Ｇ、リフトピン穴１４５Ｌ及びサービスホール１４５Ｓを避けて配置されている。また、回転軸２００との連結を電磁石により行うことでサービスホールを無くすこともできる。
図９に示すように、吸着プレート１２０の下面１２０Ｂには、プレート用の下面吸引流路溝１２１Ｐと、基板用の下面吸引流路溝１２１Ｗと、下面パージ流路溝１２１Ｇとが形成されている。吸着プレート１２０がホットプレート１４０上に適切な位置関係で載置されているときに、プレート用の下面吸引流路溝１２１Ｐの少なくとも一部がプレート用吸引口１４４Ｐに連通する。同様に、基板用の下面吸引流路溝１２１Ｗの少なくとも一部が基板用吸引口１４４Ｗに連通し、下面パージ流路溝１２１Ｇの少なくとも一部がパージガス供給口１４４Ｇに連通する。プレート用の下面吸引流路溝１２１Ｐと、基板用の下面吸引流路溝１２２Ｗと、下面パージ流路溝１２１Ｇとは互いに分離されている（連通していない）。
図１３には、ホットプレート１４０のプレート用吸引口１４４Ｐ（あるいは１４４Ｗ，１４４Ｇ）と吸着プレート１２０の流路溝１２１Ｐ（あるいは１２１Ｗ，１２１Ｇ）とが重なりあい、互いに連通している状態が概略的に示されている。
図１０及び図１２に示すように、吸着プレート１２０の上面１２０Ａには、複数の（図示例では５個の）太い環状の仕切壁１２４が形成されている。太い仕切壁１２４は、上面１２０Ａに、互いに分離した複数の凹領域１２５Ｗ、１２５Ｇ（外側の４つの円環状領域と最も内側の円形領域）を画定する。
基板用の下面吸引流路溝１２１Ｗの複数の箇所に、吸着プレート１２０を厚さ方向に貫通する複数の貫通穴１２９Ｗ（図１２を参照）が形成されており、各貫通穴は、基板用の下面吸引流路溝１２１Ｗと複数（図示例では４つ）の凹領域１２５Ｗのいずれか１つとを連通させている。
また、下面パージ流路溝１２１Ｇの複数の箇所に、吸着プレート１２０を厚さ方向に貫通する貫通穴１２９Ｇ（図１２を参照）が形成されており、各貫通穴は、下面パージ流路溝１２１Ｇと最も外側の凹領域１２５Ｇとを連通させている。最も外側の凹領域１２５Ｇは、単一の円環状の上面パージ流路溝となる。
内側の４つの凹領域１２５Ｗ内の各々には、複数の細い概ね環状の分離壁１２７が同心円状に設けられている。細い分離壁１２７は、各凹領域１２５Ｗ内に、当該凹領域内を蛇行して延びる少なくとも１つの上面吸引流路溝１２５ＷＧを形成する。つまり、細い分離壁１２７は、各凹領域１２５Ｗ内に吸引力を均等に分散させる。
図６に示すように、回転軸線Ａｘの付近には、吸引／パージ部１５０が設けられている。吸引／パージ部１５０は、中空の回転軸２００の内部に設けられたロータリージョイント１５１を有する。ロータリージョイント１５１の上ピース１５１Ａには、ホットプレート１４０のプレート用吸引口１４４Ｐ及び基板用吸引口１４４Ｗに連通する吸引配管１５２Ｗと、パージガス供給口１４４Ｇに連通するパージガス供給配管１５２Ｇが接続されている。
ロータリージョイント１５１の下ピース１５１Ｂには、吸引配管１５２Ｗに連通する吸引配管１５３Ｗと、パージガス供給配管１５１Ｇに連通するパージガス供給配管１５３Ｇが接続されている。ロータリージョイント１５１は、吸引配管１５２Ｗ，１５３Ｗ同士の連通、並びにパージガス供給配管１５２Ｇ，１５３Ｇ同士の連通を維持したまま、上ピース１５１Ａ及び下ピース１５１Ｂが相対回転可能であるように構成されている。２つの相対回転可能なピース間で流体を漏洩させずに流すことができるロータリージョイント自体は、流体配管技術の分野において公知である。
吸引配管１５３Ｗは、真空ポンプ等の吸引装置１５４に接続されている。パージガス供給配管１５３Ｇは、パージガス供給装置１５５に接続されている。吸引配管１５３Ｗは、パージガス供給装置１５５にも接続されている。また、吸引配管１５３Ｗの接続先を吸引装置１５４とパージガス供給装置１５５との間で切り替える切替装置１５６（例えば三方弁）が設けられている。
ホットプレート１４０には、ホットプレート１４０のプレート本体１４１の温度を検出するための複数の温度センサ１４６が埋設されている。温度センサ１４６は、例えば、１０個の加熱ゾーン１４３－１～１４３－１０に一つずつ設けることができる。また、ホットプレート１４０のヒーター１４２に近接した位置に、ヒーター１４２の過熱を検出するための少なくとも１つのサーモスイッチ１４７が設けられている。
ホットプレート１４０と支持プレート１７０との間の空間Ｓには、上記温度センサ１４６及びサーモスイッチ１４７に加えて、温度センサ１４６及びサーモスイッチ１４７の検出信号を送信するための制御信号配線１４８Ａ，１４８Ｂと、ヒーター１４２の各ヒーター要素１４２Ｅに給電するための給電配線１４９と、が設けられている。
図６に示すように、ロータリージョイント１５１の周囲には、スイッチ機構１６０が設けられている。スイッチ機構１６０は、回転軸線Ａｘの方向に関して固定された第１電極部１６１Ａと、回転軸線Ａｘの方向に可動の第２電極部１６１Ｂと、第２電極部１６１Ｂを回転軸線Ａｘの方向に移動（昇降）させる電極移動機構１６２（昇降機構）と、を有している。
図１１に示すように、第１電極部１６１Ａは、第１電極担持体１６３Ａと、第１電極担持体１６３Ａに担持された複数の第１電極１６４Ａとを有している。複数の第１電極１６４Ａには、制御信号配線１４８Ａ，１４８Ｂに接続された制御信号通信用の第１電極１６４ＡＣ（図１１では小さな「○」で示す。）と、給電配線１４９に接続されたヒーター給電用の第１電極１６４ＡＰ（図１１では大きな「○」で示す。）と、が含まれる。大電流（ヒータ電流）が流れる第１電極１６４ＡＰは、小電流（制御信号電流）が流れる第１電極１６４ＡＣよりも大面積の電極とすることが好ましい。
第１電極担持体１６３Ａは、全体として円板状の部材である。第１電極担持体１６３Ａの中心部には、ロータリージョイント１５１の上ピース１５１Ａが挿入される円形の穴１６７が形成されている。ロータリージョイント１５１の上ピース１５１Ａは、第１電極担持体１６３Ａに固定されていてもよい。第１電極担持体１６３Ａの周縁部は、ネジ穴１７１を用いて支持プレート１７０にねじ止めすることができる。
図６に概略的に示されるように、第２電極部１６１Ｂは、第２電極担持体１６３Ｂと、第２電極担持体１６３Ｂに担持された複数の第２電極１６４Ｂとを有している。第２電極担持体１６３Ｂは、図１１に示した第１電極担持体１６３Ａと概ね同じ直径の全体として円板状の部材である。第２電極担持体１６３Ｂの中心部には、ロータリージョイント１５１の下ピース１５１Ｂが通過しうるサイズの円形の穴が形成されている。
第１電極１６４Ａに対して昇降することにより第１電極１６４Ａに対して接離する第２電極１６４Ｂは、第１電極１６４Ａと同じ平面的配置を有している。なお、以下、ヒーター給電用の第１電極１６４ＡＰ（受電電極）と接触する第２電極１６４Ｂ（給電電極）を「第２電極１６４ＢＰ」とも呼ぶ。また、制御信号通信用の第１電極１６４ＡＣと接触する第２電極１６４Ｂを「第２電極１６４ＢＣ」とも呼ぶ。第２電極１６４ＢＰは、給電装置（給電部）３００の電力出力端子に接続されている。第２電極１６４ＢＣは給電部３００の制御用入出力端子に接続されている。
各第２電極１６４Ｂと給電部３００の電力出力端子及び制御用入出力端子とを接続する導電路１６８Ａ，１６８Ｂ，１６９（図６を参照）は、少なくとも部分的にフレキシブルな電線により形成されている。フレキシブルな電線により、第２電極１６４Ｂと給電部３００との導通が維持されたまま、第２電極部１６１Ｂ全体が回転軸線Ａｘ周りに中立位置から正転方向及び逆転方向にそれぞれ所定角度だけ回転することが可能となる。所定角度は例えば１８０度であるが、この角度に限定されるものではない。このことは、第１電極１６４Ａと第２電極１６４Ｂとの接続を維持したまま、回転テーブル１００を概ね±１８０度回転させることができることを意味する。
対を成す第１電極１６４Ａ及び第２電極１６４Ｂの一方をポゴピンとして構成してもよい。図６では、第２電極１６４Ｂの全てがポゴピンとして形成されている。なお、「ポゴピン」は、バネが内蔵された伸縮可能な棒状電極を意味する用語として広く用いられている。電極として、ポゴピンに代えて、コンセント、マグネット電極、誘導電極等を用いることもできる。
対を成す第１電極１６４Ａ及び第２電極１６４Ｂ同士が適切に接触しているときに第１電極担持体１６３Ａと第２電極担持体１６３Ｂとを相対回転不能にロックするロック機構１６５を設けることが好ましい。ロック機構１６５は、例えば図６に示すように、第１電極担持体１６３Ａに設けられた孔１６５Ａと、第２電極担持体に設けられるとともに孔に嵌合するピン１６５Ｂとから構成することができる。
対を成す第１電極１６４Ａ及び第２電極１６４Ｂ同士が適切に接触していることを検出するデバイス１７２（図６に概略的に示した）を設けることも好ましい。このようなデバイスとして、第１電極担持体１６３Ａと第２電極担持体１６３Ｂとの角度位置関係が適切な状態にあることを検出する角度位置センサ（図示せず）を設けてもよい。また、このようなデバイスとして、第１電極担持体１６３Ａと第２電極担持体１６３Ｂとの回転軸線Ａｘ方向の距離が適切な状態にあることを検出する距離センサ（図示せず）を設けてもよい。さらには上記ロック機構１６５の孔１６５Ａにピン１６５Ｂが適切に嵌合していることを検出する接触式のセンサ（図示せず）を設けてもよい。
図６において概略的に示された電極移動機構１６２は、図示はしないが、第２電極担持体１６３Ｂを押し上げるプッシュロッドと、プッシュロッドを昇降させる昇降機構（エアシリンダ、ボールねじ等）を備えて構成することができる（構成例１）。この構成を採用する場合には、例えば、永久磁石を第１電極担持体１６３Ａに設けるとともに電磁石を第２電極担持体１６３Ｂに設けることができる。これにより、必要に応じて、第１電極部１６１Ａと第２電極部１６１Ｂとを上下方向に相対移動不能に結合すること、並びに、第１電極部１６１Ａと第２電極部１６１Ｂとを分離することができる。
第１構成例を採用した場合、第１電極部１６１Ａと第２電極部１６１Ｂとの結合及び切り離しが、回転テーブル１００の同じ角度位置で行われるのならば、第２電極部１６１Ｂが回転軸線Ａｘ周りに回転可能に支持されていなくてもよい。すなわち、第１電極部１６１Ａと第２電極部１６１Ｂとが分離されたときに、第２電極部１６１Ｂを支持する部材（例えば上記のプッシュロッド、あるいは別の支持テーブル）があればよい。
上記の第１構成例に代えて、他の構成例２を採用することもできる。詳細に図示はしないが、電極移動機構１６２の第２構成例は、回転軸線Ａｘを中心とする円環の形状を有する第１リング状部材と、第１リング状部材を支持する第２リング状部材と、第１リング状部材と第２リング状部材の間に介設されて両者の相対回転を可能とするベアリングと、第２リング状部材を昇降させる昇降機構（エアシリンダ、ボールねじ等）と、を備える。
上記構成例１、２のいずれを採用した場合も、対を成す第１電極１６４Ａ及び第２電極１６４Ｂを適切に接触させたまま、第１電極部１６１Ａと第２電極部１６１Ｂとをある限られた角度範囲内で連動して回転させることが可能である。
回転テーブル１００の電動駆動部１０２は、回転テーブル１００を任意の回転角度位置で停止させる位置決め機能を有している。位置決め機能は、回転テーブル１００（または回転テーブル１００により回転させられる部材）に付設されたロータリーエンコーダーの検出値に基づいて電動駆動部１０２のモータを回転させることにより実現することができる。回転テーブル１００を予め定められた回転角度位置に停止させた状態で、第２電極部１６１Ｂを電極移動機構１６２により上昇させることにより、第１及び第２電極部１６１Ａ，１６１Ｂの対応する電極同士を適切に接触させることができる。第２電極部１６１Ｂを第１電極部１６１Ａから分離するときも、回転テーブル１００を上記の予め定められた回転角度位置に停止させた状態で分離を行うことが好ましい。
上述したように、吸着プレート１２０と支持プレート１７０との間の空間Ｓ内及び空間Ｓに面する位置に、複数の電装部品（ヒーター、配線、センサ類）が配置されている。周縁カバー体１８０は、ウエハＷに供給される処理液、特に腐食性の薬液が空間Ｓ内に進入することを防止し、電装部品を保護する。空間Ｓに、パージガス供給配管１５２Ｇから分岐させた配管（図示せず）を介してパージガス（Ｎ２ガス）を供給してもよい。そうすることにより、空間Ｓの外部から空間Ｓ内に薬液由来の腐食性のガスが進入することが防止され、空間Ｓ内を非腐食性の雰囲気に維持することができる。
次に、補助ヒーター９００への給電装置について説明する。給電装置は、接触式の電力伝送機構を有する。電力伝送機構は、回転テーブル１００が一方向に連続的に回転しているとき（このときスイッチ機構１６０を介したヒーター１４２への給電は不可能である）にも補助ヒーター９００への通電が可能となるように構成されている。電力伝送機構は、ロータリージョイント１５１（図６を参照）と同軸に設けられ、好ましくはロータリージョイント１５１に組み込まれるかあるいは一体化されている。
第１構成例に係る電力伝送機構９１０について、図１４Ａの動作原理図と、図１４Ｂの軸方向断面図を参照して説明する。図１４Ａに示すように、電力伝送機構９１０は、転動軸受け（ボールまたはローラーベアリング）に類似した構成を有しており、アウターレース９１１と、インナーレース９１２と、複数の転動体（例えばボール）９１３とを有する。アウターレース９１１、インナーレース９１２および転動体９１３は、導電性材料から形成される。好ましくは電力伝送機構９１０の構成要素（９１１，９１２，９１３）間に適度な予圧が印加される。そうすることにより、転動体９１３を介してアウターレース９１１とインナーレース９１２との間により安定した導通を確保することができる。
上記動作原理による電力伝送機構９１０が組み込まれたロータリージョイント１５１の具体例が図１４Ｂに示されている。ロータリージョイント１５１は、ハウジング１６０１（図６を参照）内に設けられたフレームまたはこれに固定されたブラケット（いずれも図示せず）に固定された下ピース１５１Ｂと、回転テーブル１００またはこれと連動して回転する部材（図示せず）に固定された上ピース１５１Ａとを有する。
図１４Ｂに示されたロータリージョイント１５１の構成自体は公知であるが、簡単に説明しておく。すなわち、上ピース１５１Ａの円筒形の中心孔１５２Ａに、下ピース１５１Ｂの円柱形の中心突起１５２Ｂが挿入されている。中心突起１５２Ｂは一対のベアリング１５３を介して上ピース１５１Ａに支承されている。中心孔１５２Ａの内周面に扱うガスの種類に応じた数（図１４ＢではＧＡＳ１およびＧＡＳ２の２つであるがこれには限定されない）の円周溝１５４Ａが形成されている。各円周溝１５４Ａの両脇にガスのリークを防止するためのシールリング１５５Ｓが設けられている。上ピース１５１Ａ内には、複数の円周溝１５４Ａにそれぞれ連通するガス通路１５６Ａが形成されている。各ガス通路１５６Ａの端部がガス出口ポート１５７Ａとなっている。中心突起１５２Ｂの外周面には、複数の円周溝１５４Ａにそれぞれ対応する軸方向位置に複数の円周溝１５４Ｂが設けられている。下ピース１５１Ｂ内には、複数の円周溝１５４Ｂにそれぞれ連通するガス通路１５６Ｂが形成されている。各ガス通路１５６Ｂの端部がガス入口ポート１５７Ｂとなっている。
図１４Ｂに示した構成によれば、上ピース１５１Ａと下ピース１５１Ｂとが回転しているときにも、実質的にガスリーク無しに、ガス入口ポート１５７Ｂおよびガス出口ポート１５７Ａとの間でガスを流すことができる。勿論、ガス入口ポート１５７Ｂおよびガス出口ポート１５７Ａとの間で吸引力を伝達することもできる。
ロータリージョイント１５１の上ピース１５１Ａと下ピース１５１Ｂとの間に、電力伝送機構９１０が組み込まれている。図１４Ｂの例では、アウターレース９１１が下ピース１５１Ｂの円筒形の凹所に嵌め込まれ（例えば圧入され）、上ピース１５１Ａの円柱形の外周面がインナーレース９１２に嵌め込まれている（例えば圧入され）。アウターレース９１１と下ピース１５１Ｂとの間、並びに上ピース１５１Ａとインナーレース９１２との間には、適当な電気的絶縁処理が施されている。アウターレース９１１は電線９１６を介して電源（あるいは給電制御部）９１５に電気的に接続され、インナーレース９１２は電線９１４を介して補助ヒーター９００に電気的に接続されている。なお、図１４Ｂの例では、インナーレース９１２が回転テーブル１００と一体的に回転する回転部であり、アウターレース９１１は回転しない固定部である。
なお、図１４Ｂに示した構成において、電力伝送機構９１０の転動軸受けを軸方向に多段に設けることにより、多チャンネルの給電を行うことも可能である。この場合、補助ヒーター９００に複数の加熱ゾーンを設けて、各加熱ゾーンに独立した給電を行うことも可能である。
第２構成例に係る電力伝送機構９２０について図１４Ｃを参照して説明する。図１４Ｃに示す電力伝送機構９２０は、それ自体公知のスリップリングからなり、多チャンネルの給電が可能なように構成されている。スリップリングは固定部９２１および回転部９２２から構成される。固定部９２１は、ハウジング１６０１内に設けられたフレームまたはこれに固定されたブラケット（いずれも図示せず）に固定されている。回転部９２２は、回転テーブル１００またはこれと連動して回転する部材（図示せず）に固定されている。固定部９２１の側周面には、電源あるいは給電制御部（図示せず）に電気的に接続された複数の電線９２３が接続される複数の端子が設けられている。回転部９２２の軸方向端面から、前記複数の端子とそれぞれ導通している複数の電線９２４が延出し、補助ヒーター９００（図６を参照）に電気的に接続されている。
図１４Ｃの構成例では、ロータリージョイント１５１の下ピース１５１Ｂが、その中心に貫通孔１５８を有する中空部材として構成されている。貫通孔の内部にスリップリングとして構成された電力伝送機構９２０が格納されている。図１４Ｂの構成例と同様に、ロータリージョイント１５１の下ピース１５１Ｂは、ハウジング１６０１（図６を参照）内に設けられたフレームまたはこれに固定されたブラケット（いずれも図示せず）に固定されている。また、ロータリージョイント１５１の上ピース１５１Ａは、回転テーブル１００またはこれと連動して回転する部材（図示せず）に固定されている。
給電装置を、磁界結合を利用した電磁誘導方式または磁界共鳴方式のワイヤレス式の（非接触式の）電力伝送機構（このような電力伝送機構それ自体は公知である）を利用した構成としてもよい。この場合、ワイヤレス電力伝送機構は、図６に概略的に示すように、ギャップを開けて対面した円周方向に延びる送電コイル９０３および受電コイル９０２から構成される。送電コイル９０３および受電コイル９０２の周囲には、磁束を集めるためおよび磁界漏洩を防止するためのフェライトシート（図示せず）が取り付けられている。送電コイル９０３は非回転部材例えば固定外側カップ要素８０１に取り付けることができ、受電コイル９０２は回転部材例えば支持プレート１７０に取り付けることができる。受電コイル９０２は電線９０４を介して補助ヒーター９００に電気的に接続されている。送電コイル９０３は電線９０５を介して電源（あるいは給電制御部）９０６に電気的に接続されている。
図６に概略的に示した非接触式の電力伝送機構（９０２，９０３）を用いる場合にも、例えば、送電コイル９０３および受電コイル９０２を複数組設けることにより、多チャンネル給電を行うことができる。
なお、ホットプレート１４０と支持プレート１７０との間の空間Ｓ内の適当な部位に、電力伝送機構を介して送られてきた電力を多チャンネルに分配する分配器および個々の加熱ゾーンへの給電を制御する制御モジュール（いずれも図示せず）を設置してもよい。そうすることにより、電力伝送機構が単チャンネルに対応するものであったとしても、補助ヒーター９００に複数の加熱ゾーンを設けて、各加熱ゾーンに独立した給電を行うことが可能となる。
補助ヒーター９００に給電する給電装置は上記のものには限定されず、所望のレベルの電力の伝送を行いつつ相対回転が許容される送電部（固定部）と受電部（回転部）とを有する任意の公知の電力伝送機構を用いたものを採用することができる。
電力伝送機構が多チャンネルの電力伝送が可能であるように構成されている場合には、１つまたは複数のチャンネルを制御信号または検出信号を伝送するために用いてもよい。
なお、図６および図１４Ａ～１４Ｃに示した電力伝送機構が、先に図６および図１１を参照して説明したスイッチ機構１６０を介した主ヒーター１４２への給電機能および制御／検出信号の伝送機能の全部または一部を受け持ってもよい。この場合、スイッチ機構１６０を完全に廃止してもよいし、スイッチ機構１６０の構成を一部省略することもできる。
図６に示すように、周縁カバー体１８０は、上部１８１、側周部１８２及び下部１８３を有する。上部１８１は、吸着プレート１２０の上方に張り出し、吸着プレート１２０に接続されている。周縁カバー体１８０の下部１８３は、支持プレート１７０に連結されている。
周縁カバー体１８０の上部１８１の内周縁は、吸着プレート１２０の外周縁よりも半径方向内側に位置している。上部１８１は、吸着プレート１２０の上面に接する円環状の下面１８４と、下面１８４の内周縁から立ち上がる傾斜した円環状の内周面１８５と、内周面１８５の外周縁から半径方向外側に概ね水平に延びる円環状の外周面１８６とを有している。内周面１８５は吸着プレート１２０の中心部に近づくに従って低くなるように傾斜している。
図１２に示すように、吸着プレート１２０の上面１２０Ａと周縁カバー体１８０の上部１８１の下面１８４との間には、液の浸入を防止するためにシールが施されていることが好ましい。シールは、上面１２０Ａと下面１８４との間に配置されたＯリング１９２とすることができる。
図９に示すように、プレート用の下面吸引流路溝１２１Ｐの一部が、吸着プレート１２０の最外周部分において円周方向に延びている。また、図１０に示すように、吸着プレート１２０の上面１２０Ａの最外周部分に、凹溝１９３が円周方向に連続的に延びている。図１２に示すように、最外周の下面吸引流路溝１２１Ｐと凹溝１９３とは、吸着プレート１２０を厚さ方向に貫通する円周方向に間隔を空けて設けられた複数の貫通穴１２９Ｐを介して連通している。凹溝１９３の上には、周縁カバー体１８０の上部１８１の下面１８４が載置される。従って、プレート用の下面吸引流路溝１２１Ｐに作用する負圧により、周縁カバー体１８０の上部１８１の下面１８４は、吸着プレート１２０の上面１２０Ａに吸着される。この吸着により、Ｏリング１９２が潰れるため、確実なシールが実現される。
図６および図１２に示すように、外周面１８６すなわち周縁カバー体１８０の頂部の高さは、吸着プレート１２０に保持されたウエハＷの上面の高さより高い。従って、ウエハＷが吸着プレート１２０に保持された状態で、ウエハＷの上面に処理液を供給すると、ウエハＷの上面が液面ＬＳよりも下に位置するようにウエハＷを浸漬しうる液溜まり（パドル）を形成することができる。すなわち、周縁カバー体１８０の上部１８１は、吸着プレート１２０に保持されたウエハＷの周囲を囲む堰を形成する。この堰及び吸着プレート１２０により処理液を貯留することができる凹所が画定される。
周縁カバー体１８０の上部１８１の内周面１８５の傾斜は、回転テーブル１００を高速回転させたときに、上記の槽内にある処理液を、外方にスムースに飛散させることを容易とする。つまりこの傾斜があることにより、回転テーブル１００を高速回転させたときに、周縁カバー体１８０の上部１８１の内周面に液が留まることを防止することができる。
周縁カバー体１８０の半径方向外側には、周縁カバー体１８０と一緒に回転する回転カップ１８８（回転液受け部材）が設けられている。回転カップ１８８は、円周方向に間隔を空けて設けられた複数の連結部材１８９を介して、回転テーブル１００の構成部品、図示例では周縁カバー体１８０に連結されている。回転カップ１８８の上端は、ウエハＷから飛散する処理液を受け止め得る高さに位置している。周縁カバー体１８０の側周部１８２の外周面と回転カップ１８８の内周面との間に、ウエハＷから飛散する処理液が流下する通路１９０が形成されている。
液受けカップ８００は、回転テーブル１００の周囲を囲み、ウエハＷから飛散した処理液を回収する。図示された実施形態においては、液受けカップ８００は、固定外側カップ要素８０１と、固定内側カップ要素８０４と、昇降可能な第１可動カップ要素８０２及び第２可動カップ要素８０３と、固定内側カップ要素８０４とを有している。互いに隣接する２つのカップ要素の間（８０１と８０２の間、８０２と８０３の間、８０３と８０４の間）にそれぞれ第１排出通路８０６、第２排出通路８０７、第３排出通路８０８が形成される。第１及び第２可動カップ要素８０２、８０３の位置を変更することにより、３つの排出通路８０６、８０７，８０８のうちのいずれか選択された１つに、周縁カバー体１８０と回転カップ１８８との間の通路１９０から流出する処理液を導くことができる。第１排出通路８０６、第２排出通路８０７及び第３排出通路８０８は、それぞれ、半導体製造工場に設置された酸系排液通路、アルカリ系排液通路及び有機系排液通路（いずれも図示せず）のいずれか一つに接続される。第１排出通路８０６、第２排出通路８０７及び第３排出通路８０８内には、図示しない気液分離構造が設けられている。第１排出通路８０６、第２排出通路８０７及び第３排出通路８０８は、エゼクタ等の排気装置（図示せず）を介して工場排気系に接続され、吸引されている。このような液受けカップ８００は、本件出願人による特許出願に関連する公開公報、特開２０１２－１２９４６２号、特開２０１４－１２３７１３号等により公知であり、詳細についてはこれらの公開公報を参照されたい。前述した第１液処理部１０００の液受けカップ１０６０も上記のように構成されていてもよい。
回転軸線Ａｘの方向に関してホットプレート１４０の３つのリフトピン穴１４５Ｌと整列するように、吸着プレート１２０及び支持プレート１７０にもそれぞれ３つのリフトピン穴１２８Ｌ、１７１Ｌが形成されている。
図６に示すように、回転テーブル１００には、リフトピン穴１４５Ｌ，１２８Ｌ，１７１Ｌを貫通して、複数（図示例では３つ）のリフトピン２１１が設けられている。各リフトピン２１１は、リフトピン２１１の上端が吸着プレート１２０の上面１２０Ａから上方に突出する受け渡し位置（上昇位置）と、リフトピン２１１の上端が吸着プレート１２０の上面１２０Ａの下方に位置する処理位置（下降位置）との間で、移動可能である。
各リフトピン２１１の下方にはプッシュロッド２１２が設けられている。プッシュロッド２１２は、昇降機構２１３例えばエアシリンダにより昇降させることができる。プッシュロッド２１２によりリフトピン２１１の下端を押し上げることにより、リフトピン２１１を受け渡し位置に上昇させることができる。複数のプッシュロッド２１２を回転軸線Ａｘを中心とするリング状支持体（図示せず）に設け、共通の昇降機構によりリング状支持体を昇降させることにより複数のプッシュロッド２１２を昇降させてもよい。
受け渡し位置にあるリフトピン２１１の上に載っているウエハＷは、固定外側カップ要素８０１の上端８０９よりも高い高さ位置に位置し、第２回転式液処理ユニット２００１の内部に進入してきた基板搬送装置（モジュール外搬送装置）１７のアーム（図１参照）との間でウエハＷの受け渡しを行うことができる。
リフトピン２１１がプッシュロッド２１２から離れると、リターンスプリング２１４の弾性力により、リフトピン２１１は処理位置に下降し、当該処理位置に保持される。図６において、符号２１５はリフトピン２１１の昇降をガイドするガイド部材、符号２１６はリターンスプリング２１４を受けるスプリング受けである。なお、固定内側カップ要素８０４には、回転軸線Ａｘ周りのスプリング受け２１６の回転を可能とするための円環状の凹所８１０が形成されている。
図６に示すように、処理液供給部７００は、処理液をウエハＷに供給する複数のノズルを備える。複数のノズルには、少なくとも、メッキ液をウエハＷに供給するメッキ液ノズル７０１が含まれる。上記複数のノズルにはさらに、ウエハＷに洗浄液、プリウエット液などを供給するノズル７０２、回転テーブル１００およびカップ８００を洗浄するための洗浄液を供給するノズル７０３などを含んでいてもよい。
メッキ液ノズル７０１に、メッキ液供給源７０１Ａから、メッキ液供給ライン（配管）７０１Ｃに介設された開閉弁、流量制御弁等の流れ制御機器（図示せず）を含む薬液供給機構７０１Ｂを介して薬液が供給される。メッキ液供給ライン７０１Ｃに、メッキ液を温調するための温調機構としてヒーター７０１Ｄを設けることができる。さらに、メッキ液供給ライン７０１Ｃを構成する配管に、メッキ液を温調するためのテープヒーター（図示せず）を設けてもよい。
他のノズル７０２，７０３にも、処理液供給源７０２Ａ，７０３Ａから、処理液供給ライン（配管）７０２Ｃ，７０３Ｃに介設された開閉弁、流量制御弁等の流れ制御機器（図示せず）を含む処理液供給機構７０２Ｂ，７０３Ｂを介して所望の処理液がそれぞれ供給される。
メッキ液ノズル７０１および他のノズル７０２，７０３は、ノズルアーム７０４の先端により支持されている。ノズルアーム７０４の基端は、ノズルアーム７０４を昇降及び旋回させるノズルアーム駆動機構７０５により支持されている。ノズルアーム駆動機構７０５により、メッキ液ノズル７０１および他のノズル７０２，７０３をウエハＷの上方の任意の半径方向位置（ウエハＷの半径方向に関する位置）に位置させることが可能である。
ハウジング１６０１の天井部に、回転テーブル１００上にウエハＷが存在しているか否かを検出するウエハセンサ８６０と、ウエハＷの温度（あるいはウエハＷ上にある処理液の温度）を検出する１つまたは複数の赤外線温度計８７０（１つだけ図示した）が設けられている。複数の赤外線温度計８７０が設けられる場合、各赤外線温度計８７０は、各加熱ゾーン１４３－１～１４３－１０にそれぞれ対応するウエハＷの領域の温度を検出することが好ましい。
図３および図４に示すように、第２液処理部２０００内にはさらに、ウエハＷと概ね同じ直径を有する円板形状のトッププレート９５０が設けられている。トッププレート９５０にはヒーター９５２が内蔵されている。トッププレート９５０は、プレート移動機構９６０により、カバー位置と待機位置との間を移動することができる。
トッププレート９５０のカバー位置は、後に説明する作用図である図１５Ｅおよび図１５Ｍに示すように、トッププレート９５０が回転テーブル１００に保持されたウエハに近接する位置である。
トッププレート９５０の待機位置は、ノズルアーム７０４の旋回運動を妨げない程度に、かつ、回転テーブル１００に対するウエハＷの搬出入操作を妨げない程度に回転テーブル１００から十分に離れた位置である。
待機位置は、図３および図４に示すように平面視で液受けカップ８００の外側の位置にあってもよいし、後述する作用図である図１５～図１５に示すように、液受けカップ８００の真上の位置にあってもよい。
待機位置が液受けカップ８００の外側の位置にある場合には、ＦＦＵを一般的な配置とすることができる（つまり第２液処理部２０００の天井部に設けることができる）。この場合、プレート移動機構９６０は、トッププレート９５０を昇降させる機能および水平方向に移動させる機能を有する。第２液処理部２０００が後に詳述するメッキ処理だけを行う場合には第２液処理部２０００内にダウンフローを形成する必要性は低いため、ＦＦＵをハウジング１６０１の側壁に設けても差し支えない。従って、トッププレート９５０の待機位置を液受けカップ８００の真上の位置とする方が、プレート移動機構９６０の構造の簡素化および第２液処理部２０００のフットプリントの低減の観点から有利である。
なお、描画スペースの都合により、図６にはトッププレート９５０は描かれていない。トッププレート９５０の待機位置が液受けカップ８００の外側の位置にある場合には、トッププレート９５０は、図６において、ノズルアーム７０４の背後に位置することになる。また、トッププレート９５０の待機位置が液受けカップ８００の外側の位置にある場合には、トッププレート９５０は、図６において、ノズルアーム７０４とハウジング１６０１の天井の間に位置することになる。
図３に概略的に示すようにトッププレート９５０に不活性ガスノズル９８０を設けることができる。不活性ガスノズル９８０は、トッププレート９５０の下方の空間（ウエハＷ上のメッキ液の表面とトッププレート９５０の下面との間の空間）に向けて不活性ガス例えば窒素ガス（Ｎ２ガス）を供給する。不活性ガスノズル９８０から供給される不活性ガスは温調（加熱）されていてもよい。
トッププレート９５０に不活性ガスノズル９８０を設けることに代えて、あるいはトッププレート９５０に不活性ガスノズル９８０を設けることに加えて、回転テーブル１００の周縁部に不活性ガス供給部を設けてもよい。具体的には例えば、図１２に破線で概略的に示すように、吸着プレート１２０の上面１２０Ａの凹領域１２５Ｇ、あるいは貫通穴１２９Ｇに連通するガス通路から構成することができる。このガス通路は、例えば、吸着プレート１２０および周縁カバー体１８０の内部を延び、周縁カバー体１８０の上部１８１の内周面１８５に開口する。これによっても、ウエハＷ上のメッキ液の表面とトッププレート９５０の下面との間の空間に不活性ガス（例えば窒素ガス）を供給することができる。ガス通路が通過する吸着プレート１２０および周縁カバー体１８０の近傍に適当なシール（Ｏリング１９２のようなシール）が施されていてもよい。この場合、前述したパージガスとして不活性ガスが用いられる。
なお、図３に概略的に示すように、トッププレート９５０は、その下面周縁から下方に突出する環状の包囲部材９５４を有していることが好ましい。包囲部材９５４は、トッププレート９５０が上記カバー位置にあるときに、トッププレートの下面と、ウエハＷ上のメッキ液の液面との間の空間を側方から囲む。これにより、不活性ガスノズル９８０から供給された不活性ガスによりメッキ液の液面の近傍の空間を確実に非酸化性雰囲気とすることができ、メッキ液の酸化を防止することができる。また、ウエハＷおよびウエハＷ上のメッキ液の保温がより容易となり、また、メッキ液の組成維持がより容易となる。好ましくは、包囲部材９５４の下端は、トッププレート９５０が上記カバー位置にあるときに、周縁カバー体１８０の上部の外周面の近傍に位置する。
次に、液処理モジュール１６で１枚のウエハＷに対して実行される一連の処理の手順について、図１５Ａ～図１５Ｔを参照して説明する。以下に説明する動作は、図１に示した制御装置４（制御部１８）により、基板搬送装置１７および液処理モジュール１６の各種構成部品の動作を制御することにより行うことができる。
まず、図１５Ａに示すように、シャッタ１６０３が開かれ、基板搬送装置（モジュール外搬送装置）１７の搬送アーム１７Ａが、搬出入口１６０２を通って、未処理のウエハＷ（１枚目のウエハという意味で、以後、参照符号Ｗ１を付ける）を第１液処理部１０００内に搬入する。搬送アーム１７Ａは、第１スピンチャック１００２の真上にウエハＷ１を位置させる。このとき、リフトピン１００４の先端は、ウエハＷ１のやや下方に位置して待機している。
次に、リフトピン１００４が、ウエハＷ１のクランプを解除した搬送アーム１７ＡからウエハＷ１を受け取る。その後、搬送アーム１７Ａは第１液処理部１０００から退出する。そして、シャッタ１６０３が閉じられる。
ウエハＷ１を受け取ったリフトピン１００４は、第１スピンチャック１００２の把持爪１０１２がウエハＷ１を把持できる高さ位置まで下降する。次いで、第１スピンチャック１００２の把持爪１０１２によりウエハＷ１を保持する。次いで、リフトピン１００４は、当該リフトピン１００４の上端がベースプレート１０１０の上面と面一となるかそれよりも下方に位置するように、下降する。このときの状態が図１５Ｂに示されている。
次に、第１液処理部１０００においてウエハＷ１の前処理（メッキ処理の前処理）が行われる。一実施形態において、前処理は、前洗浄工程、第１リンス工程、パラジウム付与工程、第２リンス工程および乾燥工程を含む。以下、各工程について説明する。
＜前洗浄工程＞
ウエハＷ１を水平姿勢で保持する第１液処理部１０００の第１スピンチャック１００２は、ウエハＷ１を鉛直軸線回りに回転させる。複数の処理液ノズル１０３４のうちの前処理用の洗浄液を供給するための処理液ノズル１０３４が、回転しているウエハＷ１の中心部の真上に位置し、前述した前処理用の洗浄液をウエハＷ１に供給する。供給された薬液は遠心力によりウエハＷ１の表面（上面）の周縁部に向けて流れ、ウエハＷ１の外方に飛散する。このとき、ウエハＷ１の表面の全体が薬液の液膜に覆われる。この状態が予め定められた時間（例えば１分間）だけ継続する。
＜第１リンス工程＞
次に、前処理用の洗浄液の供給を停止し、リンス液供給用の処理液ノズル１０３４から、回転するウエハＷ１の中心部にリンス液（ＤＩＷ）を供給する。供給されたリンス液によりウエハＷ１上に残留する薬液および反応生成物が洗い流される。この状態が予め定められた時間（例えば３０秒間）だけ継続する。
＜触媒付与工程＞
次に、リンス液の供給を停止し、触媒液供給用の処理液ノズル１０３４から、回転するウエハＷ１の中心部に触媒液（例えばパラジウムナノ粒子含有液）を供給する。ウエハＷ１上に残留するリンス液が供給された触媒液により置換され、ウエハＷ１の表面の全体が触媒液の液膜に覆われる。この状態を予め定められた時間（例えば３０秒間）だけ継続する。
＜第２リンス工程＞
次に、触媒液の供給を停止し、第１リンス工程で用いたリンス液供給用の処理液ノズル１０３４から、回転するウエハＷ１の中心部にリンス液（ＤＩＷ）を供給する。供給されたリンス液によりウエハＷ１上に残留する余剰の触媒粒子が洗い流される。この状態が予め定められた時間（例えば３０秒間）だけ継続する。
なお、前洗浄工程から第２リンス工程が実施されている様子は、図１５Ｃに示されている。
＜乾燥工程＞
次に、処理液ノズル１０３４からのリンス液の吐出を停止する。リンス液の吐出を停止するやや前の時点から、ノズル１０３６からウエハＷ１の表面の中心部に向けてＩＰＡ（乾燥用液体）の吐出を開始する。処理液ノズル１０３４からの吐出を停止された後、乾燥用液体ノズル１０３６からウエハＷ１の表面の中心部に向けてＩＰＡの吐出を継続する。これにより、ウエハＷ１の表面に残留しているリンス液（ＤＩＷ）がＩＰＡに置換される。ＩＰＡへの置換が十分に進行したら、乾燥用液体ノズル１０３６を移動させて、ウエハＷ１の表面上へのＩＰＡの着液位置を、ウエハＷ１の周縁まで移動させてゆく。このときウエハＷ１の表面上の中心部に円形の乾燥領域（乾燥コア）が形成され、その後、乾燥用液体ノズル１０３６の移動に伴い乾燥コアがウエハＷ１の周縁まで広がり、これにより、ウエハＷ１の表面の全体が乾燥する。
乾燥用液体ノズル１０３６を動かし始めたら、ガスノズル１０３８をウエハＷ１の中心部の真上に位置させ、ウエハＷ１の中心部に向けて窒素ガス（乾燥用ガス）の吐出を開始する。その後、図１５Ｄに示すように、ガスノズル１０３８を移動させて、ウエハＷ１の表面上への窒素ガスの吹き付け位置（これはガスノズル１０３８の吐出口の軸線とウエハＷ１との交点に相当する）をウエハＷ１の周縁まで移動させてゆく。ＩＰＡの着液位置のウエハＷ１の回転中心からの距離が、窒素ガスの吹き付け位置のウエハＷ１の回転中心からの距離よりも大きいという関係を維持しつつ、ノズル１０３６，１０３８を移動させてゆく。このようにすることにより、ＩＰＡの乾燥が促進され、また、パーティクルの発生も低減される。乾燥工程の所要時間は例えば１分間である。以上により、ウエハＷ１の前処理（メッキ処理の前処理）が完了する。
次に、リフトピン１００４が上昇して、リフトピン１００４の先端がウエハＷ１の下面の僅かに下方に位置する。次いで、第１スピンチャック１００２の把持爪１０１２がウエハＷ１を解放し、次いで、リフトピン１００４が上昇してウエハＷ１を上昇させる。リフトピン１００４は、リフトピン１００４と第１アーム３１００との間でのウエハＷ１の受け渡しに適した高さにウエハＷ１を位置させる。
次に、シャッタ４１０２，４２０２が開かれ、第１アーム３１００が、開口４１０１を通って第１液処理部２０００内に進入し、リフトピン１００４に支持されているウエハＷの下方に位置する（図１５Ｅを参照）。次いで、第１アーム３１００のバキュームチャック３１０３が、リフトピン１００４からウエハＷ１を受け取る。バキュームチャック３１０３はウエハＷ１を真空吸着する。
なお、リフトピン１００４と搬送アーム１７Ａとの間でのウエハＷの受け渡しは、リフトピン１００４と搬送アーム１７Ａとの間の相対昇降運動により行うことができ、相対昇降運動は、リフトピン１００４および搬送アーム１７Ａのどちらを動かしてもよい。つまり、ウエハＷの受け渡しに必要な相対昇降運動を実現するための昇降機能は、リフトピン１００４および搬送アーム１７Ａの少なくともいずれか一方が有していればよい。また、搬送アーム１７Ａがリフトピン１００４にウエハＷを渡す前に搬送アーム１７ＡはウエハＷのクランプを解除する。搬送アーム１７Ａがリフトピン１００４からウエハＷを受け取った後には搬送アーム１７ＡはウエハＷをクランプする。この段落に記載されたことは、以下の動作の説明では省略する。
同様に、リフトピン（１００４，２００４）とバキュームチャック（３１０３，３２０３）との間でのウエハＷの受け渡しは、リフトピンとバキュームチャックとの間の相対昇降運動により行うことができ、相対昇降運動は、リフトピンおよびバキュームチャック（すなわち第１または第２アーム）のどちらを動かしてもよい。つまり、ウエハＷの受け渡しに必要な相対昇降運動を実現するための昇降機能は、リフトピンおよびバキュームチャックの少なくともいずれか一方が有していればよい。また、バキュームチャック（３１０３，３２０３）がリフトピン（１００４，２００４）にウエハＷを渡す前にバキュームチャックはウエハＷの真空吸着を解除し、バキュームチャック（３１０３，３２０３）がリフトピン（１００４，２００４）ウエハＷを渡した後にはバキュームチャックはウエハＷを真空吸着する。この段落に記載されたことは、以下の動作の説明では省略する。
次に、第１アーム３１００が開口４１０１，４２０１を通って第２液処理部２０００内に進入し、ウエハＷ１を第２スピンチャック２００２（これは図６の回転テーブル１００に相当する）の真上に位置させる。このとき、リフトピン２００４（これは図６のリフトピン２１１に相当する）の先端は、ウエハＷ１のやや下方に位置して待機している（図１５Ｆを参照）。次いで、リフトピン２００４がバキュームチャック３１０３からウエハＷ１を受け取る。その後、搬送アーム１７Ａは第１液処理部１０００から退出して、アーム待機空間４０００内に退避する。その後、シャッタ４１０２，４２０２が閉じられる。ウエハＷ１を支持していたリフトピン２００４は下降し、これにより、ウエハＷ１が第２スピンチャック２００２上に載置される。バキュームチャックとして構成された第２スピンチャック２００２はウエハＷ１を吸着する（図１５Ｇを参照）。
その後、第２液処理部２０００によりウエハＷ１の無電解メッキ処理が行われる。この処理についてここでは簡単に説明しておき、後ほど詳細に説明する。図１５Ｈに示すように、第２スピンチャック２００２により保持されて回転するウエハＷ１にメッキ液ノズル７０１からメッキ液が供給され、ウエハＷの表面にメッキ液の膜（これには参照符号Ｍが付けられている）が形成される。その後、ウエハＷ１の回転を停止し、さらにその後ノズル７０１からのメッキ液の供給を停止することにより、ウエハＷの表面が静止したメッキ液の膜により覆われた状態となる（メッキ液のパドルの形成）。
次いで、図１５Ｉに示すように、トッププレート９５０がウエハＷ１上のメッキ液の液膜の表面に近接する位置まで下降する。第２スピンチャック２００２に内蔵されたヒーター（これは図６の回転テーブル１００に設けられたヒーター１４２および補助ヒーター９００に相当する）により、ウエハＷ１およびメッキ液の液膜が、メッキ膜の形成に適した温度に加熱される。
このとき、トッププレート９５０に内蔵されたヒーター９５２は、ウエハＷ１およびメッキ液の液膜を保温する役割を果たす。また、ヒーター９５２によりトッププレート９５０の下面が加熱されているため、ウエハＷ１上で加熱されたメッキ液から生じた蒸気（水蒸気）がトッププレート９５０の下面上で結露しない。このため、メッキ液の液膜の表面とトッププレート９５０の下面との間の空間（隙間）の蒸気圧が維持されるため、メッキ液の蒸発が抑制され、メッキ液の濃度を所望の範囲内に維持することができる。
第２液処理部２０００内では、上記のようにウエハＷ１の表面が加熱されたメッキ液の液膜に覆われた状態が、予め定められた時間（例えば５分間）維持される。これにより、ウエハＷ１の表面（表面に形成された凹部（例えばビア）の内部の表面を含む）に所望の厚さのメッキ膜が形成される。なお、ヒーター１４２，９００に通電したままでメッキ処理の実行中にウエハＷ１を正転および逆転方向に半回転程度回転させることにより、ウエハＷ１上のメッキ液を撹拌してもよい。これにより、メッキ膜の成膜が促進され、また、メッキ膜の膜厚および品質の面内均一性が向上する。
第２液処理部２０００内でメッキ処理が開始されてから予め定められた時間が経過したら、シャッタ１６０３が開かれ、基板搬送装置１７の搬送アーム１７Ａが、２枚目の未処理のウエハＷ２を第１液処理部１０００内に搬入する（図１５Ｊを参照）。次いで、先にウエハＷ１に関連して説明した手順と同様の手順により、ウエハＷ２は、搬送アーム１７Ａからリフトピン１００４に渡され、次いで、第１スピンチャック１００２により保持される（図１５Ｋを参照）。次いで、ウエハＷ２に対して、先にウエハＷ１に関連して説明した手順と同様の手順により、第１液処理部１０００内で前処理が施される（図１５Ｌおよび図１５Ｍを参照）。前処理の終了後、ウエハＷ２の表面は乾燥している。
第２液処理部２０００内で所望の膜厚のメッキ膜が成膜されたら、図１５Ｍに示すように、トッププレート９５０を待機位置まで移動させ、次いで、ウエハＷ１を回転させる。これにより、ウエハＷ１の表面上にあるメッキ液の一部が除去される。これにより、ウエハＷ１の表面上に存在するメッキ液の液膜が薄くなる。このときのメッキ液の液膜の厚さは、ウエハＷ１をリフトピン２００４で持ち上げる時、あるいは、第２アーム３２００でウエハＷ１を第１液処理部１０００に向けて搬送する時に、ウエハＷ１からメッキ液がこぼれ落ちることが無いような厚さである。メッキ液の液膜の厚さの調節はウエハＷ１の回転速度を適当な値（比較的低い回転速度）に調節することにより行うことができる。なお、このとき、ウエハＷ１を乾燥させてしまうと、ウエハＷ１の表面上にあるパーティクルを除去することが不可能となる。ウエハＷ１の表面のメッキ液の液膜が適当な厚さまで減少したら、ウエハＷ１の回転を停止させる。以上により、第２液処理部２０００内における無電解メッキ処理が終了する。無電解メッキ処理の所要時間は、例えば５分である。この所要時間のほとんどは、上記保持時間である。
第１液処理部１０００内でウエハＷ２の前処理が終了し、第２液処理部２０００内でウエハＷ１の表面のメッキ液の液膜の厚さを適当な厚さまで減少させたら、ウエハＷ１とウエハＷ２との入れ替えが行われる。
すなわち、第１液処理部１０００内では、第１スピンチャック１００２によるウエハＷ２の把持が解除される。そして、ウエハＷ２は、リフトピン１００４により持ち上げられて、リフトピン１００４と第１アーム３１００との受け渡しに適した高さ位置に位置する。一方、第２液処理部２０００内では、第２スピンチャック２００２によるウエハＷ１の吸着が解除される。そして、ウエハＷ１は、リフトピン２００４により持ち上げられて、リフトピン２００４と第２アーム３２００との受け渡しに適した高さ位置に位置する。この状態が図１５Ｎに示されている。第１液処理部１０００内におけるウエハＷ２の上昇操作と、第２液処理部２０００内におけるウエハＷ１の上昇操作は、好ましくはほぼ同時に実行される。
次に、図１５Ｏに示すように、シャッタ４１０２，４２０２が開かれ、リフトピン１００４によって保持されているウエハＷ２の僅かに下方に第１アーム３１００のバキュームチャック３１０３が位置する。また、リフトピン２００４によって保持されているウエハＷ１の僅かに下方に第２アーム３２００のバキュームチャック３２０３が位置する。次いで、先に説明した方法により、リフトピン１００４から第１アーム３１００がウエハＷ２を受け取り、リフトピン２００４から第２アーム３２００がウエハＷ１を受け取る。その後、リフトピン１００４およびリフトピン２００４は、それぞれ、ウエハＷ１およびウエハＷ２を保持した第２アーム３２００および第１アーム３１００との間のウエハの受け渡しに適した高さ位置に下降および上昇する。
次に、図１５Ｐに示すように、第１アーム３１００および第２アーム３２００がほぼ同時に旋回する。これにより、第１アーム３１００がウエハＷ２を第２液処理部２０００に搬入し、第２スピンチャック２００２の真上に位置させる。また、第２アーム３２００がウエハＷ１を第１液処理部１０００に搬入し、第１スピンチャック１００２の真上に位置させる。つまり、第１液処理部１０００と第２液処理部２０００との間で、ウエハＷ１とウエハＷ２との入れ替えが行われる。
上記入れ替え操作のときに、第１アーム３１００が保持しているウエハＷ２は乾燥しており、第２アーム３２００が保持しているウエハＷ１は表面にメッキ液の薄い液膜が形成されている。上記入れ替え操作のときの第２アーム３２００の旋回軌跡（ウエハＷ１の移動軌跡）は、第１アーム３１００の旋回軌跡（ウエハＷ２の移動軌跡）よりも常に下方にあるので、ウエハＷ１上に存在するメッキ液がこぼれ落ちたとしても、メッキ液によりウエハＷ２が濡らされるおそれはない。
第１アーム３１００の旋回動作と第２アーム３２００の旋回動作は完全に同時に行われることが好ましいが、第１アーム３１００の旋回動作と第２アーム３２００の旋回のタイミングは多少ずれていてもよい。
次に、先に説明した方法により、ウエハＷ２は、第１アーム３１００からリフトピン２００４に渡され、次いでリフトピン２００４から第２スピンチャック２００２に渡されて第２スピンチャック２００２により保持される。また、ウエハＷ２は、第２アーム３２００からリフトピン１００４に渡され、次いでリフトピン１００４から第１スピンチャック１００２に渡されて第１スピンチャック１００２により保持される。この状態が、図１５Ｑに示されている。その後、リフトピン１００４，２００４は、第１スピンチャック１００２および第２スピンチャック２００２の回転を妨害しない位置まで下降する。第１アーム３１００および第２アーム３２００は、リフトピン２００４，１００４にウエハＷ２，Ｗ１を渡した後、アーム待機空間４０００に退避し、シャッタ４１０２，４２０２が閉じられる。この状態が、図１５Ｑに示されている。
次に、第１液処理部１０００においてウエハＷ１に対してメッキの後処理が実行され、第２液処理部２０００においてウエハＷ２に対して無電解メッキ処理が実行される。
第１液処理部１０００で行われるメッキの後処理には、ウエハＷ１の表面に対する後処理と、裏面に対する後処理とが含まれる。後処理は、第１スピンチャック１００２によりウエハＷ１を回転させながら行われる。
ウエハＷ１の表面に対する後処理は、後洗浄工程と、その後のリンス工程と、その後の乾燥工程と含む。後洗浄工程は、前述した前処理における前洗浄工程と、用いられる洗浄液が異なるのみであり（後洗浄用の洗浄液が用いられる）、他は前洗浄工程と実質的に同じである。後処理におけるリンス工程および乾燥工程は、前述した前処理における第１リンス工程および乾燥工程と実質的に同じである。
ウエハＷ１の裏面に対する後処理は、後洗浄工程と、その後のリンス工程と、その後の乾燥工程と含む。ウエハＷ１の裏面に対する後洗浄工程、リンス工程および乾燥工程は、ウエハＷ１の表面に対する後洗浄工程、リンス工程および乾燥工程とそれぞれ同じ期間に実行することができる。
ウエハＷ１の裏面の後洗浄工程は、処理流体供給部材１０２５の上端部（下ノズル）から後処理用の洗浄液（例えばリンゴ酸と過酸化水素水の混合液）を吐出することにより行うことができる。下ノズルから回転するウエハＷ１の裏面の中心部に供給された洗浄液は、遠心力によりウエハＷ１の表面の周縁部に向けて流れ、ウエハＷ１の外方に飛散する。このとき、ウエハＷ１の裏面の全体がリンス液の液膜に覆われる。ウエハＷ１の裏面上を流れる洗浄液により、ウエハＷ１の裏面に回り込んだメッキ液を除去することができる。ウエハＷ１の裏面のリンス工程も、処理流体供給部材１０２５の上端部からリンス液（例えばＤＩＷ）を吐出することにより行うことができる。以上につき、図１５Ｒを参照されたい。図１５Ｒにおいて参照符号ＰＬは処理液の液膜を示している。
ウエハＷ１の裏面の乾燥工程は、ウエハＷ１の回転を継続したまま、処理流体供給部材１０２５の上端部（下ノズル）からのリンス液の供給を停止することにより行うことができる（振り切り乾燥）。このとき、処理流体供給部材１０２５の上端部（下ノズル）から不活性ガス（窒素ガス）を供給することにより、乾燥を促進し、かつパーティクルの発生を抑制することができる。
なお、後処理においてウエハＷ１の裏面周縁部のみを洗浄するのであれば、第１液処理部１０００に設けられる第１スピンチャック１００２は、ウエハＷ１の下面（裏面）の中央部を吸着する（ウエハＷ１の下面の周縁部には接触しない）ように構成されたバキュームチャックであってもよい。この場合、バキュームチャックに保持されたウエハＷ１の下面の周縁部の下方に、当該周縁部に必要な処理流体を供給する１つ以上のノズルが設けられる。
ここで、前述したように、メッキの後処理の所要時間は例えば２分であり。無電解メッキ処理の所要時間は例えば５分であるので、後処理の終了後から無電解メッキ処理の終了まで３分程度時間があることに留意されたい。
第１液処理部１０００においてメッキの後処理が終了したら、リフトピン１００４が、第１スピンチャック１００２からウエハＷ１を受け取り、受け取ったウエハＷ１を搬送アーム１７Ａとの受け渡しに適した位置に持ち上げる。また、シャッタ１６０３が開かれる。次いで、空の搬送アーム１７Ａが第１液処理部１０００内に進入し、リフトピン１００４から１番目のウエハＷ１を受け取り、第１液処理部１０００から退出する。次いで、図１５Ｓに示すように、３番目のウエハＷ３を保持した搬送アーム１７Ａが第１液処理部１０００内に進入し、リフトピン１００４にウエハＷ３を渡し、第１液処理部１０００から退出する。次いでシャッタ１６０３が閉じられる。
好適な一実施形態において、基板搬送装置（モジュール外搬送装置）１７は２つの搬送アーム１７Ａを有しており、上記のウエハＷ１の搬出およびウエハＷ３の搬入は、ピックアンドプレース動作により行われる。つまり、一方の搬送アーム１７ＡがウエハＷ３を保持するとともに他方の搬送アーム１７Ａが空の状態で基板搬送装置１７を液処理モジュール１６と対面させ、次いで基板搬送装置１７のベース部分を移動させることなく搬送アーム１７Ａのみを移動させることによりウエハＷ１の搬出およびウエハＷ３の搬入が順次行われる。しかしながら、基板搬送装置１７が単一の搬送アーム１７Ａのみを有していてもよい。
次に、第１スピンチャック１００２が、リフトピン１００４からウエハＷ３を受け取り保持する（図１５Ｔ）。このとき、第１液処理部１０００および第２液処理部２０００の状態は、図１５Ｋに示した状態と同じ状態となる。その後、図１５Ｋ（図１５Ｔ）→図１５Ｌ→図１５Ｍ→図１５Ｎ→図１５Ｏ→図１５Ｐ→図１５Ｑ→図１５Ｒ→図１５Ｓ→図１５Ｋ（図１５Ｔ）というサイクルが繰り返し行われる。
上記実施形態では、第１液処理部１０００と第２液処理部２０００との間でウエハＷが搬送される時以外にはシャッタ４１０２，４２０２が閉じられているため、第１液処理部１０００と第２液処理部２０００との間でクロスコンタミネーションが生じるおそれはない。第１液処理部１０００と第２液処理部２０００との間でウエハＷが搬送される時以外には第１アーム３１００および第２アーム３２００がアーム待機空間４０００に退避しているため、第１アーム３１００および第２アーム３２００が第１液処理部１０００および第２液処理部２０００内の雰囲気により汚染され難い。
上記の記載より明らかなように、第２液処理部２０００内でＮ番目（Ｎは２以上の自然数である）のウエハに対して無電解メッキ処理が行われている間に、第１液処理部１０００内でＮ＋１番目のウエハに対する前処理と、Ｎ－１番目のウエハに対する後処理と、基板搬送装置１７によるＮ－１番目のウエハの第１液処理部１０００からの搬出およびＮ＋１番目のウエハの第１液処理部１０００への搬入と、が行われる。
無電解メッキ処理の所要時間は例えば５分であり、メッキの前処理の所要時間は例えば３分３０秒であり、メッキの後処理の所要時間は例えば２分である。つまり、第１液処理部１０００のサイクルタイムは第２液処理部２０００のサイクルタイムより概ね３０秒長い（サイクルタイムを調整しない場合）。サイクルタイムとは、各液処理部（１０００，２０００）がある状態になったときから次に同じ状態となるまでの時間を意味する。なお、実際には、第１液処理部１０００のサイクルタイムは、基板搬送装置１７による第１液処理部１０００に対するウエハＷの搬出入の所要時間分だけさらに長いのだが、ここでは無視する。
第１液処理部１０００と第２液処理部２０００との間でのクロスコンタミネーションを防止する観点からは、シャッタ４１０２，４２０２が開いている時間を可能な限り短くすることが好ましい。そのためには第１アーム３１００によるウエハＷ１の第１液処理部１０００から第２液処理部２０００への移動と、第２アーム３２００によるウエハＷ２の第２液処理部２０００から第１液処理部１０００への移動とが実質的に同時に行われることが好ましい。言い換えれば、ウエハＷ１とウエハＷ２との入れ替えが実質的に同時に行われることが好ましい。
上記目的のため、短い方のサイクルタイム（第２液処理部２０００のサイクルタイム）をサイクルタイムの差分（約３０秒）だけ長くすることが好ましい。つまり、サイクルタイムの短い液処理部で実行される工程のうち、プロセス結果に実質的に影響を及ぼさないような工程の時間を長くすればよい。
例えば、ウエハＷが乾燥した状態で放置する時間を設けることができる。具体的には例えば、前処理済みのウエハＷの第２液処理部２０００への搬入が完了した直後の状態（図１５Ｑの状態）でウエハＷを放置し、第１液処理部１０００で実行される１つのサイクルがある程度進行した時点で、第２液処理部２０００で無電解メッキ処理を開始するこができる。ウエハＷの放置は、図１５Ｑに示した状態の直前の状態、つまり、リフトピン２００４が第１アーム３１００からウエハＷを受け取り、第１アーム３１００がアーム待機空間４０００に退避し、シャッタ４１０２，４２０２が閉じられた直後の状態で行ってもよい。
第１液処理部１０００のサイクルタイムの方が短い場合には、ウエハＷに対する前処理の乾燥工程の終了後、ウエハＷに対する後処理の終了後、基板搬送装置１７による第１液処理部１０００へのウエハＷの搬入後に、そのウエハＷをそのまま放置してもよい。
所要時間が短いサイクルに含まれるリンス工程（ＤＩＷリンス）の時間、あるいはウエハＷの表面にＤＩＷのパドルを形成した状態での放置時間を長くすることなどにより、サイクルタイムを揃えることができる。ＤＩＷリンス工程の時間あるいはＤＩＷのパドルを形成した状態での放置時間は、全てのウエハＷで揃っていれば処理結果に実質的に問題は生じない。
次に、図１５Ｆの状態から図１５Ｏの状態に至るまでの第２回転式液処理ユニット２００１の動作について、図６も参照して説明する。
［ウエハＷ搬入工程］
第１アーム３１００が第２スピンチャック２００２としての回転テーブル１００（図６参照）の真上にウエハＷを位置させ、図１５Ｆを参照して説明した手法により図１５Ｆ中のリフトピン２００４に相当するリフトピン２１１（図６参照）にウエハＷを渡す。リフトピン２１１が処理位置まで下降し、その過程で、ウエハＷが吸着プレート１２０の上面１２０Ａに載る。以下の説明は図６の構成に基づいて行うこととする。
次いで、吸引装置１５４が作動し、吸着プレート１２０がホットプレート１４０に吸着され、また、ウエハＷが吸着プレート１２０に吸着される。その後、ウエハセンサ８６０によりウエハＷが吸着プレート１２０に適切に吸着されているかの検査が開始される。
パージガス供給装置１５５から吸着プレート１２０の上面の最も外側の凹領域１２５Ｇに常時パージガス（例えばＮ２ガス）が供給されている。これにより、ウエハＷの下面の周縁部と吸着プレート１２０の周縁部の接触面に隙間があっても、その隙間からウエハＷの周縁部と吸着プレート１２０の周縁部との間に処理液が浸入することはない。
第２液処理部２０００（図６に示した液処理ユニット）にウエハＷの搬入が開始される前の時点から、第２電極部１６１Ｂは上昇位置にあり、第１電極部１６１Ａの複数の第１電極１６４Ａと、第２電極部１６１Ｂの複数の第２電極１６４Ｂが互いに接触している。給電部３００からホットプレート１４０のヒーター１４２に給電され、ホットプレート１４０のヒーター１４２が予備加熱状態となっている。また、ホットプレート１４０は常時給電されている補助ヒーター９００によっても加熱されている。
一実施形態においては、給電部３００を介してヒーター（主ヒーター）１４２に供給される電力の方が、給電装置９０１を介して補助ヒーター９００に供給される電力よりも大きい。つまり、補助ヒーター９００の主たる役割は、ヒーター１４２による加熱が不可能な状況下において、ホットプレート１４０の温度低下を防止することである。しかしながら、補助ヒーター９００の発熱量がヒーター１４２の発熱量と概ね同レベルであってもよい。
［ウエハ昇温工程］
ウエハＷが吸着プレート１２０に吸着されたら、ホットプレート１４０の温度が予め定められた温度（吸着プレート１２０上のウエハＷがその後の処理に適した温度に加熱されるような温度）まで昇温するように、ホットプレート１４０のヒーター１４２への供給電力を調節する。
［無電解メッキ工程］
次いで、処理液供給部７００のノズルアームにより、メッキ液ノズル７０１が、ウエハＷの中心部の真上に位置する。この状態で、メッキ液ノズル７０１から温調されたメッキ液がウエハＷの表面（上面）に供給される。メッキ液の供給は、メッキ液の液面ＬＳがウエハＷの上面よりも十分に上に位置するまで続けられる。このとき、周縁カバー体１８０の上部１８１が堰として作用し、メッキ液が回転テーブル１００の外側にこぼれ落ちることを防止する。このときの状態は図１５Ｈに示した状態に概ね相当する。
ウエハＷの表面にメッキ液のパドルが形成されたら、メッキ液ノズル７０１がウエハＷの表面の上方から退避し、ヒーター９５２により少なくともその下面が加熱されているトッププレート９５０がウエハＷ上のメッキ液のパドルの表面に近接してウエハＷの表面を覆うカバー位置に位置する。このときの状態は図１５Ｉ～図１５Ｌに示した状態に概ね相当する。
パドルの形成後に、回転テーブル１００が低速で交互に正転及び逆転させてもよい（例えば１８０度程度ずつ）。これにより、メッキ液が撹拌され、ウエハＷ面内におけるウエハＷ表面と薬液との反応を均一化することができる。
一般に、液受けカップ内に引き込まれる気流の影響により、ウエハＷの周縁部の温度が低くなる傾向にある。ヒーター１４２の複数のヒーター要素１４２Ｅのうち、ウエハＷの周縁部領域（図３の加熱ゾーン１４３－１～１４３－４）の加熱を受け持つヒーター要素１４２Ｅへの供給電力を増大させてもよい。これにより、ウエハＷ面内におけるウエハＷの温度が均一化され、ウエハＷ面内におけるウエハＷ表面と薬液との反応を均一化することができる。
無電解メッキ工程が実行されている間、ヒーター１４２（および補助ヒーター９００）への供給電力の制御を、ホットプレート１４０に設けられた温度センサ１４６の検出値により行うことができる。トッププレート９５０が回転テーブル１００の上方から退避できる構成を採用している場合、トッププレート９５０が待機位置にあるときには、ヒーター１４２（および補助ヒーター９００）への供給電力の制御を、ウエハＷの表面温度を検出する赤外線温度計８７０の検出値に基づいて行ってもよい。
なお、一実施形態において、液処理モジュール１６（基板処理システム１）の稼働中は、補助ヒーター９００への供給電力は一定に維持され、ウエハＷの温度制御はヒーター１４２への供給電力を調節することにより行われる。しかしながら、補助ヒーター９００への供給電力を調節することにより、補助ヒーター９００をウエハＷの温度制御に関与させてもよい。
［メッキ液除去］
メッキ膜の形成が終了したら、まず、給電部３００からのヒーター１４２への給電を停止し、次いで、第２電極部１６１Ｂを下降位置に下降させる。先に給電を停止することにより、第２電極部１６１Ｂの下降時に電極間にスパークが生じることを防止することができる。
また、トッププレート９５０を待機位置に退避させる。
次いで、回転テーブル１００を回転させ、ウエハＷ上のメッキ液の一部を遠心力により外方に飛散させる。周縁カバー体１８０の上部１８１の内周面１８５が傾斜しているため、メッキ液は上部１８１をスムースに乗り越えて外方に飛散する。このとき回転テーブル１００の回転速度を適宜調節することにより、ウエハＷ上に存在するメッキ液の液膜を所望の薄い厚さに調節することができる。このときの状態は図１５Ｍに示した状態に概ね相当する。
飛散したメッキ液は、回転カップ１８８と周縁カバー体１８０との間の通路１９０を通って流下し、液受けカップ８００に回収される。なお、このとき、メッキ液を回収するための排出通路（第１排出通路８０６、第２排出通路８０７、第３排出通路８０８のいずれか１つ）に飛散したメッキ液が導かれるように、第１及び第２可動カップ要素８０２、８０３が適切な位置に位置している。
［第２液処理部からのウエハ搬出］
次に、切替装置（三方弁）１５６を切り替えて、吸引配管１５５Ｗの接続先を吸引装置１５７Ｗからパージガス供給装置１５９に変更する。これにより、プレート用の下面吸引流路溝１２１Ｐにパージガスを供給するとともに、基板用の下面吸引流路溝１２２Ｗを介して吸着プレート１２０の上面１２０Ａの凹領域１２５Ｗにパージガスを供給する。これにより、吸着プレート１２０に対するウエハＷの吸着が解除される。
上記の操作に伴い、ホットプレート１４０に対する吸着プレート１２０の吸着も解除される。１枚のウエハＷの処理が終了する毎にホットプレート１４０に対する吸着プレート１２０の吸着を解除しなくてもよいため、この吸着解除が行われないような配管系統に変更しても構わない。
次いで、リフトピン２１１を受け渡し位置まで上昇させる。このときの状態は図１５Ｎに示した状態に概ね相当する。上記のパージにより吸着プレート１２０に対するウエハＷの吸着が解除されているため、ウエハＷを吸着プレート１２０から容易に離すことができる。このため、ウエハＷの傷付きを防止することができる。
次いで、リフトピン２１１上に載っているウエハＷが、第２アーム３２００に渡される。このときの状態は図１５Ｏに示した状態に概ね相当する。その後、ウエハセンサ８６０により、吸着プレート１２０上にウエハＷが存在しないことの確認が行われる。以上により、第２液処理部２０００における１枚のウエハＷに対する一連の処理が終了する。
［前処理の変形実施形態］
処理対象のウエハＷの構成次第では、触媒付与工程は実施しなくてもよい。例えばウエハＷにビアが形成され、ビアの底部にＣｕ（銅）配線層が露出し、ビアをＣｏ（コバルト）無電解メッキにより埋める場合には、被メッキ面への触媒付与は必要無い。被メッキ面に触媒を付与しなくても、Ｃｕ配線層からＣｏメッキを成長させることができるからである。この場合、メッキの前処理は、前述した前洗浄工程、第１リンス工程および乾燥工程のみとしてもよい。
また、触媒付与を行わない場合には、無電解メッキ処理前にウエハＷが乾燥していなくてもよいので、メッキの前処理は、前述した前洗浄工程および第１リンス工程のみとしてもよい。但し、第１リンス工程の最後に、ウエハＷの回転数を適宜調整するとともにリンス液の供給を停止することにより、ウエハＷ上に薄い厚さのリンス液（ＤＩＷ）の液膜を残留させ、この状態でウエハＷを第１液処理部１０００から第２液処理部２０００に搬送してもよい。リンス液の液膜の厚さは、ウエハＷの搬送時に容易にウエハＷからこぼれ落ちることがなく、かつ、容易に乾燥しない程度の厚さとすればよい。なおこの場合、第２液処理部２０００において、ウエハＷが回転テーブル１００に保持された後であってかつ無電解メッキ処理（例えばウエハ昇温工程）を開始する前に、ウエハＷを回転させながら予め定められた時間ウエハＷにメッキ液を供給し、ウエハＷ上に残留しているリンス液（ＤＩＷ）をメッキ液に置換することが好ましい。
なお、例えばウエハＷにビアが形成され、その底部にＷ（タングステン）配線層が露出し、ビアをＣｏ（コバルト）無電解メッキにより埋める場合には、Ｃｏメッキを成長させるために触媒付与が必要となる。個々の事例における触媒付与の要否は当該技術分野において公知であるため、詳細な説明は省略する。
上記の実施形態によれば、１枚のウエハＷに対して順次実行される一連の液処理（無電解メッキ処理、前処理、後処理を含む）を効率良く行うことができる。
第１液処理部と第２液処理部とが分離された別々のモジュールである場合には、処理モジュール間の搬送に手間と時間がかかる。また、しかも、長時間の搬送中にウエハおよびウエハに形成された膜に問題となる酸化が発生するおそれもある。しかしながら、上記実施形態では、１つのモジュール（１６）内に第１液処理部（１０００）と第２液処理部（２０００）とが内装されているため、第１液処理部と第２液処理部との間の搬送時間を短縮することができ、長い搬送時間に起因する問題を解消することができる。なお、第１液処理部と第２液処理部の両方で同時に処理を行わない場合にも、上記の利点は得られる。
また、上記実施形態によれば、第１アーム３１００および第２アーム３２００により２枚のウエハを実質的に同時に入れ替えているため、第１液処理部１０００と第２液処理部２０００との間でのウエハ搬送の時間を大幅に短縮することができる。
また、上記実施形態によれば、第１液処理部１０００と第２液処理部２０００との間が隔壁４１００，４２００で仕切られているため、第１液処理部１０００と第２液処理部２０００との間でのクロスコンタミネーションを防止することができる。
また、上記実施形態によれば、第２液処理部２０００で無電解メッキ処理を行っている間に、第１液処理部１０００において前処理および後処理を行うことができる。これにより上記の一連の液処理を効率良く行うことができ、基板処理システム全体としてのスループットを向上させることができる。また、第１液処理部１０００および第２液処理部２０００の機器の実質的な稼働率も向上し、ハードウエア資源を有効利用することができる。
また、上記実施形態によれば、第２液処理部２０００では振り切り乾燥が行われないため、回転モータを高速回転させる必要がない。このため、第２液処理部２０００の回転モータのコストを削減することができる。
また、上記実施形態によれば、第１液処理部１０００が洗浄処理に適した構成を有し、第２液処理部２０００が無電解メッキ処理に適した構成を有している。特に、第２液処理部２０００は回転テーブル１００にヒーターを内蔵しているため、ウエハＷを効率良く加熱することができ、かつ、温度制御の精度も向上する。
［メッキ処理の変形実施形態］
第２液処理部２０００でウエハＷに（１回目の）メッキ処理を行った後であってかつ第１液処理部１０００で当該ウエハＷにメッキの後処理を行う前に、第２アーム３２００を用いて第１液処理部１０００に一旦ウエハＷを戻して第１液処理部１０００で中間洗浄処理を行い、その後、第１アーム３１００を用いて第２液処理部２０００に再びウエハＷを搬入して（２回目の）メッキ処理を行ってもよい。この場合、第２液処理部２０００内でＮ番目のウエハＷに対して２回目のメッキ処理を行っているときに、第１液処理部１０００内でＮ－１番目のウエハＷの後処理およびＮ＋１番目のウエハＷの前処理を行うことができる。
深いビアの底部にＣｕ（銅）配線層が露出し、ビアをＣｏ（コバルト）無電解メッキにより埋め込む場合には、中間洗浄処理を行うことにより１回目のメッキ処理で生じた異常な析出を除去し、その後に２回目のメッキ処理を行うことにより、高品質なメッキ層によりビアを埋め込むことができる。
［アームの変形実施形態］
第１アーム３１００と第２アーム３２００の構成は、前述したものに限定されるものではなく、図１６Ａ，１６Ｂに示したようなものとすることもできる。図１６Ａ，１６Ｂにおいて、上段が第１アーム３１００および第２アーム３２００の概略平面図、下段がこれらアームの概略側面図である。
図１６Ａの変形例では、第１アーム３１００と第２アーム３２００とが平面視で同じ回転軸線回りに回転するように設けられている。前述した実施形態と同様に、第１アーム３１００と第２アーム３２００とは異なる高さ位置に配置されている。
図１６Ｂの変形例では、第１アーム３１００と第２アーム３２００とは同じ高さ位置に配置されている。第１アーム３１００と第２アーム３２００とが平面視で同じ回転軸線回りに回転するように設けられている。第１アーム３１００と第２アーム３２００は回転軸線に関して点対称に配置されている。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
処理対象の基板は半導体ウエハに限定されるものでなく、ガラス基板、セラミック基板等の半導体装置の製造に用いられる他の種類の基板であってもよい。
Ｗ（Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３） 基板
１６ 液処理モジュール
１６０２ 基板の搬出入口
１７ モジュール外搬送装置
１０００ 第１液処理部
１００２ 第１保持部
２０００ 第２液処理部
２００２ 第２保持部
３０００（３１００，３２００） モジュール内搬送装置

Claims (20)

  1. 基板の搬出入口を有し、第１液処理部と、前記第１液処理部よりも前記搬出入口から遠い位置に設けられた第２液処理部と、が内装された液処理モジュールと、
    前記液処理モジュールに対して基板を搬出入するモジュール外搬送装置と、
    前記第１液処理部と前記第２液処理部との間に設けられ、前記第１液処理部と前記第２液処理部との間で基板を搬送するモジュール内搬送装置と、
    を備え、
    前記第１液処理部は、基板を保持する第１保持部を有し、
    前記第２液処理部は、基板を保持する第２保持部を有し、
    前記第２液処理部は、前記第２保持部により保持された基板にメッキ処理を施すように構成され、
    前記第１液処理部は、前記第１保持部により保持された基板に少なくとも前記メッキ処理後の後洗浄処理を施すように構成され,
    前記モジュール内搬送装置は、各々が基板を保持し得る第１アームおよび第２アームを有し、
    前記第１アームは第１旋回機構により水平面内を旋回可能であり、
    前記第２アームは第２旋回機構により水平面内を旋回可能であり、
    前記第１アームおよび前記第２アームは、同時に旋回させても互いに干渉しないように異なる高さ位置に配置されている、
    基板処理装置。
  2. 前記基板処理装置の動作を制御する制御部をさらに備え、
    前記制御部は、
    前記モジュール外搬送装置に、前記基板を前記第１液処理部に搬入させ、
    その後に、前記モジュール内搬送装置に、前記第１液処理部から前記第２液処理部へ前記基板を搬送させ、
    その後に、前記第２液処理部に、前記基板上にメッキ液を供給させるとともに当該メッキ液を加熱させることにより前記基板に対して前記メッキ処理を行わせ、
    その後に、前記モジュール内搬送装置に、前記第２液処理部から前記第１液処理部へ前記基板を搬送させ、
    その後に、前記第１液処理部に、前記基板に対して後洗浄処理を行わせ、
    その後に、前記モジュール外搬送装置に、前記基板を前記液処理モジュールから搬出させる、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記制御部は、前記モジュール外搬送装置により前記第１液処理部に前記基板が搬入された後であってかつ前記モジュール内搬送装置により前記第１液処理部から前記第２液処理部へ前記基板が搬送される前に、前記第１液処理部に、前記基板に対して前記メッキ処理前の前洗浄工程を含む前処理を行わせる、請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記基板処理装置の動作を制御する制御部をさらに備え、
    前記制御部は、
    前記モジュール外搬送装置に、前記基板を前記第１液処理部に搬入させ、
    その後に、前記第１液処理部に、前記基板に対して前記メッキ処理前の前洗浄工程を含む前処理を行わせ、
    その後に、前記モジュール内搬送装置に、前記基板を前記第１液処理部から前記第２液処理部へ搬送させ、
    その後に、前記第２液処理部に、前記基板上にメッキ液を供給させるとともに当該メッキ液を加熱させることにより前記基板に対して第１のメッキ処理を行わせ、
    その後に、前記モジュール内搬送装置に、前記基板を前記第２液処理部から前記第１液処理部へ搬送させ、
    その後に、前記第１液処理部に、前記基板に対して中間洗浄処理を行わせ、
    その後に、前記モジュール内搬送装置に、前記基板を前記第１液処理部から前記第２液処理部へ搬送させ、
    その後に、前記第２液処理部に、前記基板上にメッキ液を供給させるとともに当該メッキ液を加熱させることにより前記基板に対して第２のメッキ処理を行わせ、
    その後に、前記モジュール内搬送装置に、前記基板を前記第２液処理部から前記第１液処理部へ搬送させ、
    その後に、前記第１液処理部に、前記基板に対して後洗浄処理を行わせ、
    その後に、前記モジュール外搬送装置に、前記基板を前記液処理モジュールから搬出させる、請求項１に記載の基板処理装置。
  5. 前記前処理が、前記基板にパラジウムを付与するパラジウム付与工程を含む、請求項３または４に記載の基板処理装置。
  6. 前記第２液処理部の前記第２保持部にヒーターが設けられ、前記基板に対してメッキ処理が施されるときに、前記ヒーターを用いて前記基板および前記メッキ液が加熱される、請求項２から５のうちのいずれか一項に記載の基板処理装置。
  7. 前記第２液処理部は、トッププレートと、トッププレート移動機構とを有し、前記制御部は、前記基板に対してメッキ処理が施されるときに、前記第２保持部に保持されるとともに前記メッキ液が供給された前記基板が前記トッププレートに覆われるようにする、請求項２から６のうちのいずれか一項に記載の基板処理装置。
  8. 前記トッププレートにヒーターが設けられ、前記制御部は、前記基板に対してメッキ処理が施されるときに、前記ヒーターにより前記トッププレートの少なくとも下面が加熱されるようにする、請求項７に記載の基板処理装置。
  9. 前記トッププレートに不活性ガス供給部が設けられ、前記制御部は、前記基板に対してメッキ処理が施されるときに、前記不活性ガス供給部により、少なくとも前記トッププレートと前記基板との間の空間に不活性ガスを供給させる、請求項７に記載の基板処理装置。
  10. 前記第２液処理部の前記第２保持部の周縁部に不活性ガス供給部が設けられ、前記制御部は、前記基板に対してメッキ処理が施されるときに、前記不活性ガス供給部に、少なくとも前記トッププレートと前記基板との間の空間に不活性ガスを供給させる、請求項７に記載の基板処理装置。
  11. 前記第２液処理部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部をさらに備え、前記制御部は、少なくとも前記基板に対してメッキ処理が施されるときに、前記不活性ガス供給部に、前記第２液処理部内の空間に不活性ガスを供給させる、請求項７に記載の基板処理装置。
  12. 基板の搬出入口を有し、第１液処理部と、前記第１液処理部よりも前記搬出入口から遠い位置に設けられた第２液処理部と、が内装された液処理モジュールと、前記液処理モジュールに対して基板を搬出入するモジュール外搬送装置と、前記第１液処理部と前記第２液処理部との間に設けられるとともに前記第１液処理部と前記第２液処理部との間で基板を搬送するモジュール内搬送装置と、を備え、前記第１液処理部は、基板を保持する第１保持部を有し、前記第２液処理部は、基板を保持する第２保持部を有している基板処理装置を用意することと、
    前記モジュール外搬送装置により、前記基板を前記第１液処理部に搬入することと、
    その後に、前記モジュール内搬送装置により、前記第１液処理部から前記第２液処理部へ前記基板を搬送することと、
    その後に、前記第２液処理部により、前記基板上にメッキ液を供給するとともに当該メッキ液を加熱することにより前記基板に対してメッキ処理を行うことと、
    その後に、前記モジュール内搬送装置により、前記第２液処理部から前記第１液処理部へ前記基板を搬送することと、
    その後に、前記第１液処理部により、前記基板に対して後洗浄処理を行うことと、
    その後に、前記モジュール外搬送装置により、前記基板を前記液処理モジュールから搬出することと、
    を含む基板処理方法であって、
    前記モジュール内搬送装置は、各々が基板を保持し得る第１アームおよび第２アームを有し、
    前記第１アームは第１旋回機構により水平面内を旋回可能であり、
    前記第２アームは第２旋回機構により水平面内を旋回可能であり、
    前記第１アームおよび前記第２アームは、同時に旋回させても互いに干渉しないように異なる高さ位置に配置されており、
    前記モジュール内搬送装置により、前記第１液処理部から前記第２液処理部へ前記基板を搬送することが前記第１アームを用いて行われ、このときに、前記第２液処理部で先にメッキ処理が施された別の基板が、前記第２アームを用いて前記第２液処理部から前記第１液処理部へ搬送される、
    基板処理方法。
  13. 前記モジュール外搬送装置により前記第１液処理部に前記基板が搬入された後であってかつ前記モジュール内搬送装置により前記第１液処理部から前記第２液処理部へ前記基板が搬送される前に、前記第１液処理部により、前記基板に対して前記メッキ処理前の前洗浄工程を含む前処理を行う、請求項１２に記載の基板処理方法。
  14. 前記モジュール内搬送装置により、前記第２液処理部から前記第１液処理部へメッキ処理が施された前記基板を搬送することの後であってかつ前記基板に対して後洗浄処理を行うことの前に、
    前記第１液処理部により、前記基板に対して中間洗浄処理を行うことと、
    その後に、前記モジュール内搬送装置により、前記第１液処理部から前記第２液処理部へ前記基板を搬送することと、
    その後に、前記第２液処理部により、前記基板上にメッキ液を供給するとともに当該メッキ液を加熱することにより前記基板に対して２回目のメッキ処理を行うことと、
    をさらに含む、請求項１３に記載の基板処理方法。
  15. 前記前処理が、前記基板にパラジウムを付与することを含む、請求項１３または１４に記載の基板処理方法。
  16. 前記基板に対して前記メッキ処理が施されるときに、前記第２保持部に保持されるとともに前記メッキ液が供給された前記基板をトッププレートで覆うことをさらに含む、請求項１２から１５のうちのいずれか一項に記載の基板処理方法。
  17. 前記トッププレートが前記基板を覆うときに、前記トッププレートに設けられたヒーターにより前記トッププレートの少なくとも下面を加熱することをさらに含む、請求項１６に記載の基板処理方法。
  18. 前記トッププレートが前記基板を覆うときに、少なくとも前記トッププレートと前記基板との間の空間に不活性ガスを供給することをさらに含む、請求項１６に記載の基板処理方法。
  19. 前記不活性ガスは、前記トッププレートに設けられるか、あるいは前記第２保持部の周縁部に設けられた不活性ガス供給部から供給される、請求項１８に記載の基板処理方法。
  20. 少なくとも前記基板に対してメッキ処理が施されるときに、前記第２液処理部内の空間に不活性ガスを供給することをさらに含む、請求項１２に記載の基板処理方法。
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