JP5645516B2

JP5645516B2 - 基板液処理装置及び処理液生成方法並びに処理液生成プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体

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Publication number: JP5645516B2
Application number: JP2010159436A
Authority: JP
Inventors: 和善江嶋
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Priority date: 2009-09-11
Filing date: 2010-07-14
Publication date: 2014-12-24
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Description

本発明は、溶媒に気体を溶解させることで生成した所定濃度の処理液で基板の処理を行う基板液処理装置及び処理液生成方法並びに処理液生成プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に関するものである。

従来より、半導体部品やフラットディスプレイなどを製造する場合には、半導体ウエハや液晶基板などの基板を洗浄処理やエッチング処理するために基板液処理装置を用いて基板の各種処理を行っている。

この基板液処理装置では、基板の洗浄等に純水を用いた処理が広く行われているが、純
水の比抵抗値が高いために、純水での基板の処理中に静電気が発生し、その静電気によって基板の表面に静電破壊が発生したり基板の表面にパーティクルが付着したりしてしまうといった問題が生じていた。

そのため、基板液処理装置では、純水に炭酸ガスやアンモニアガスなどの気体を溶解さ
せることによって純水よりも比抵抗値を低減させた処理液を生成する処理液生成部を有し、この処理液生成部で生成した処理液を用いて基板の処理を行うようにしている。

そして、従来の基板液処理装置では、図５に示す構造の処理液生成部101を有しており、処理液生成部101は、純水を供給するための純水供給源102に気体溶解流路103とバイパス流路104とを並列接続し、気体溶解流路103の中途部に気体溶解器105を介設し、気体溶解器105に炭酸ガスやアンモニアガスなどの気体を供給するための気体供給源106を接続した構成となっている。

この処理液生成部101では、気体溶解器105によって気体溶解流路103を流れる純水に気体を溶解させた後に、バイパス流路104を流れる純水と混合して、所定の比抵抗値に低減させた処理液を生成するようにしている（たとえば、特許文献１参照。）。

この処理液生成部101では、気体溶解器105によって気体溶解流路103を流れる純水に気体を溶解させた後に、バイパス流路104を流れる純水と混合して、所定の比抵抗値に低減させた所定濃度の処理液を生成するようにしている。

このように、従来の基板液処理装置においては、純水等の溶媒に炭酸ガス等の気体を溶解させることで所定濃度に調整した（所定の物性値を有する）処理液を生成し、その処理液を用いて１又は２以上の基板処理部で同時に基板の液処理を行うようにしている。

特開２０００−１５９５０４号公報

ところが、上記従来の基板液処理装置では、複数設けた基板処理部のうち１又は２以上の基板処理部で同時に基板を処理するように構成しているために、同時に使用される処理液の流量、すなわち、処理液生成部101で生成する必要がある処理液の流量が、同時に使用される基板処理部の個数に応じて大幅に変動することがある。特に、使用する処理液の流量（処理液生成部101で生成する処理液の流量）が少なくなると、処理液生成部101によって所望の濃度（比抵抗値）の処理液を生成することができなくなるといった問題が生じていた。

そこで、本発明では、基板を処理液で処理する複数の基板処理部と、前記複数の基板処理部のうちの１又は２以上の基板処理部に同時に供給する前記処理液として溶媒に気体を溶解させることで所定濃度の前記処理液を生成する処理液生成部と、前記複数の基板処理部と処理液生成部とを制御する制御部を有する基板処理装置において、前記処理液生成部は、溶媒供給源に接続され前記溶媒を供給するための溶媒供給管と、溶媒供給管から供給される前記溶媒に前記気体を溶解させるための溶解流路と、前記溶解流路に並列接続して設けた前記溶媒を流すバイパス流路と、前記バイパス流路の流路抵抗を変更するための流路抵抗変更手段とを有し、前記制御部は、前記溶解流路を流れる前記溶媒の流量と前記バイパス流路を流れる前記溶媒の流量との比率が一定になるように流路抵抗変更手段を制御することにした。

また、前記基板液処理装置において、前記流路抵抗変更手段は、複数のバイパス流路構成管を並列接続して構成し、前記制御部は、生成する処理液の流量に応じて前記溶媒を流す１又は２以上の前記バイパス流路構成管を変更することで前記バイパス流路の流路抵抗を変更するように前記流路抵抗変更手段を制御することにした。

また、前記基板液処理装置において、前記複数のバイパス流路構成管は、流路抵抗がそれぞれ異なることにした。

また、前記基板液処理装置において、前記複数のバイパス流路構成管の少なくとも一つのバイパス流路構成管に流量調整器を備えることにした。

また、前記基板液処理装置において、前記流路抵抗変更手段は、バイパス流路に設けられた流量調整器であることにした。

また、前記基板液処理装置において、前記溶解流路は、処理液が飽和状態となるように前記溶媒に前記気体を溶解させるように構成することにした。

また、本発明では、複数の基板処理部のうちの１又は２以上の前記基板処理部で同時に基板を処理するための処理液として、溶媒に気体を溶解させることで所定濃度の前記処理液を生成する処理液の生成方法において、溶媒供給源から供給される前記溶媒を、気体溶解器を介して前記溶媒に前記気体を溶解させるための溶解流路と、前記溶解流路に並列接続したバイパス流路とに分岐して流し、前記溶解流路を流れる前記溶媒の流量と前記バイパス流路を流れる前記溶媒の流量との比率が一定になるように前記バイパス流路の流路抵抗を変更することにした。

また、前記処理液生成方法において、前記バイパス流路を、流路抵抗がそれぞれ異なる複数の並列接続したバイパス流路構成管で構成し、生成する処理液の流量に応じて前記１又は２以上のバイパス流路構成管に流すことにした。

また、前記処理液生成方法において、前記処理液が飽和状態となるように前記溶解流路で前記溶媒に前記気体を溶解させることにした。

また、前記処理液生成方法において、前記気体として炭酸ガスを用いることにした。

また、本発明では、複数の基板処理部のうちの１又は２以上の前記基板処理部で同時に基板を処理するための処理液として、溶媒に気体を溶解させることで所定濃度の前記処理液を生成する処理液を生成するための処理液生成プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体において、溶媒供給源から供給される前記溶媒を、気体溶解器を介して前記溶媒に前記気体を溶解させるための溶解流路と、前記溶解流路に並列接続したバイパス流路に分岐して流し、前記溶解流路を流れる前記溶媒の流量と前記バイパス流路を流れる前記溶媒の流量との比率が一定になるように前記バイパス流路の流路抵抗を制御することにした。

また、前記処理液生成プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体において、前記バイパス流路を、流路抵抗がそれぞれ異なる複数の並列接続したバイパス流路構成管で構成し、生成する処理液の流量に応じて前記１又は２以上のバイパス流路構成管に流すように制御することにした。

本発明では、基板処理部に供給する処理液の供給量にかかわらず、溶解流路を流れる溶媒の流量とバイパス流路を流れる溶媒の流量との比率が一定になるようにバイパス流路の流路抵抗を変更するための流路抵抗変更手段を制御しているために、常に所定濃度の処理液を生成して基板処理部に供給ができるので、複数の基板処理部において基板を均一に液処理することができる。

特に、生成する処理液の流量が小流量であっても所定濃度の処理液を生成することができる。

基板液処理装置を示す平面図。同ブロック図。変形例を示すブロック図。変形例を示すブロック図。従来の処理液生成部を示す説明図。

以下に、本発明に係る基板液処理装置及びこの基板液処理装置で用いる処理液生成方法並びに基板液処理装置に処理液の生成を行わせるための処理液生成プログラムの具体的な構成について図面を参照しながら説明する。

図１に示すように、基板液処理装置１は、前端部に基板２（ここでは、半導体ウエハ。）を複数枚（たとえば、25枚。）まとめてキャリア３で搬入及び搬出するための基板搬入出台４を形成するとともに、基板搬入出台４の後部にキャリア３に収容された基板２を１枚ずつ搬送するための基板搬送室５を形成し、基板搬送室５の後部に基板２の洗浄や乾燥などの各種の処理を施すための枚葉型の基板処理室６を形成している。

基板搬入出台４は、４個のキャリア３を基板搬送室５の前壁７に密着させた状態で左右に間隔をあけて載置できるように構成している。

基板搬送室５は、内部に基板搬送装置８と基板受渡台９とを収容しており、基板搬送装置８を用いて基板搬入出台４に載置されたいずれか１個のキャリア３と基板受渡台９との間で基板２を１枚ずつ搬送するように構成している。

基板処理室６は、中央部に基板搬送装置10を収容し、基板搬送装置10の左側に第１〜第６の基板処理部11〜16を前後に並べて収容するとともに、基板搬送装置10の右側に第７〜第12の基板処理部17〜22を前後に並べて収容している。

そして、基板処理室６は、基板搬送装置10を用いて基板搬送室５の基板受渡台９と各基板処理部11〜22との間で基板２を１枚ずつ搬送するとともに、各基板処理部11〜22を用いて基板２を１枚ずつ処理するようにしている。ここで、各基板処理部11〜22で処理される基板2は1枚であるが、1又は2以上の基板処理部11〜22を同時に駆動することで、基板処理室6（基板液処理装置1）としては、複数（ここでは、10個。）の基板処理部11〜22のうちの1又は2以上の基板処理部11〜22で基板2を同時に処理するようにしている。

この基板処理室６には、図２に示すように、第１〜第12の基板処理部11〜22で構成する基板処理機23と、基板処理機23に供給する処理液を生成する処理液生成部24と、これら基板処理機23と処理液生成部24とを制御する制御部25を収容している。なお、制御部25は、基板搬送装置8、10など基板液処理装置１の全体を制御するようになっている。また、処理液生成部24は、純水に気体を溶解させることによって比抵抗値を低減させた処理液を基板処理機23に供給する構成のみを図示しており、基板処理機23に薬液を供給する構成については図示を省略している。

基板処理機23は、処理液生成部24と連結する連結管26の先端部に共通供給管27を接続し、共通供給管27の先端部に排出管28を接続している。

ここで、共通供給管27は、各基板処理部11〜22の分岐管29に分岐して接続しており、処理液生成部24から供給される処理液を各基板処理部11〜22に分岐管29を介して供給するようになっている。

また排出管28は、流量調整器30を介して共通供給管27の先端部に接続しており、処理液生成部24から供給される処理液のうちで、メンテナンス等で基板処理部11〜22において使用されないまま共通配管内に滞留した処理液を排出可能になっている。なお、排出される処理液の流量は、制御部25によって流量調整器30で制御される。

また、各基板処理部11〜22には、基板２を回転支持するための基板支持装置31の上方に基板２の表面に向けて処理液を吐出するためのノズル32を設けており、各ノズル32に共通供給管27を分岐管29と流量調整器33を介して接続している。各ノズル32から吐出する処理液の流量（各基板処理部11〜22で使用される処理液の流量）は、制御部25によって各流量調整器33で制御される。したがって、各流量調整器33で調整される流量の合計が同時に使用される処理液の流量となり、処理液生成部24から基板処理機23に供給される処理液の供給量となる。

処理液生成部24は、溶媒を供給するための溶媒供給源34に溶媒供給管35を接続し、溶媒供給管35の先端に並列接続した溶解流路36とバイパス流路37とを介して混合器38を接続し、混合器38に処理液供給管39を接続し、処理液供給管39を基板処理機23の共通供給管27に連結管26を介して接続している。なお、溶媒としては、純水や過酸化水素水などの液体を用いることができる。ここでは溶媒として純水を用いている。

溶解流路36は、溶媒供給管35から分岐した分岐管40の中途部に溶解器41を介設し、溶解器41に気体を供給するための気体供給源42を、流量調整器43を介して接続している。なお、気体としては、液体状の溶媒に良好に溶解させることができる炭酸ガスやアンモニアガスや酸素ガスや水素ガスなどの気体が好ましい。ここでは、気体として、炭酸ガスを用い、溶媒として用いた純水に溶解させることで、純水の比抵抗値を軽減させている。

そして、溶解流路36は、気体供給源42から供給される気体を溶解器41で分岐管40を流れる溶媒に溶解するようにしている。なお、溶解させる気体の流量は、制御部25によって流量調整器43で制御され、ここでは、処理液が飽和状態となるように溶媒に溶解可能な最大量の気体を流量調整器43で溶解器41に供給し、溶解器41で溶媒に気体を処理液が飽和状態となるように溶解させている。

また、バイパス流路37は、溶媒供給管35から分岐した大流量用のバイパス流路構成管44と小流量用のバイパス流路構成管45とを溶解流路36に並列接続し、大流量用のバイパス流路構成管44の中途部に開閉バルブ46と流量調整器47とを介設するとともに、小流量用のバイパス流路構成管45の中途部に流量調整器48を介設している。ここで、大流量用のバイパス流路構成管44に設けた流量調整器47は、小流量用のバイパス流路構成管45に設けた流量調整器48よりも大流量の溶媒を調整できる構成のものを用いており、それぞれの流量調整器47,48の流量調整範囲を異ならせている。

このバイパス流路37は、大流量用のバイパス流路構成管44を小流量用のバイパス流路構成管45よりも大径として流路抵抗が小さくなるようにしている。このように、バイパス流路37は、流路抵抗の異なる２本のバイパス流路構成管44,45で構成している。なお、各バイパス流路構成管44,45の流量は、制御部25によって各流量調整器47,48で制御される。

また、バイパス流路37は、開閉バルブ46を開放した状態にすると、溶媒が両バイパス流路構成管44,45に同時に流れることになり、バイパス流路37の全体的な流路抵抗が小さくなり、一方、開閉バルブ46を閉塞した状態にすると、溶媒が小流量用のバイパス流路構成管45にだけ流れることになり、バイパス流路37の全体的な流路抵抗が大きくなるようになっている。なお、開閉バルブ46は、制御部25によって開閉が制御される。

したがって、開閉バルブ46は、開閉動作によってバイパス流路37を構成する内部の流路を変更することができる流路変更手段として機能しており、しかも、流路を切換えることでバイパス流路37の全体的な流路抵抗を変更させることができる流路抵抗変更手段としても機能している。なお、ここでは、大流量用のバイパス流路構成管44にだけ流路変更手段としての開閉バルブ46を設けているが、全てのバイパス流路構成管44,45に流路変更手段を設けてもよい。また、流路変更手段は、溶媒が流れる１又は複数のバイパス流路構成管44,45を変更することができればよく、複数本のバイパス流路構成管44,45に同時に溶媒が流れるように構成してもよく、いずれかのバイパス流路構成管44,45だけに純水が流れるように構成してもよい。

前記流量調整器47,48は、溶媒供給源35から溶解流路36及びバイパス流路37に供給される溶媒の総流量にかかわらず、溶解流路36を流れる流量とバイパス流路37を流れる流量との比率が一定を保った状態で分流できるものあればよく、例えば、フローコントローラ、オリフィス、ニードルバルブでも良い。

基板液処理装置１は、以上に説明したように構成しており、制御部25（コンピュータ）で読み取り可能な記録媒体49に記録した処理液生成プログラムにしたがって処理液生成部24で処理液を生成するとともに、制御部25（コンピュータ）で読み取り可能な記録媒体49に記録した基板処理プログラムにしたがって基板処理機23で基板２を処理する。なお、記録媒体49は、処理液生成プログラムや基板処理プログラムなどの各種プログラムを記録できる媒体であればよく、ＲＯＭやＲＡＭなどの半導体メモリー型の記録媒体であってもハードディスクやＣＤ−ＲＯＭなどのディスク型の記録媒体であってもよい。

上記基板液処理装置１では、基板搬送装置10が基板２を基板処理部11〜22へ搬入する際、基板２は、通常、基板処理部11〜22のそれぞれに順に搬送されていく。したがって、基板処理部11〜22へ基板２が持ち込まれるタイミングは互いに異なり、このため、基板処理部内での処理液を用いた基板２の処理は、通常、基板処理部11〜22で、一斉に開始されるものではなく順次開始されていく。

また、上記基板液処理装置１では、処理液生成プログラムによって、各基板処理部11〜22で使用する処理液を処理液生成部24で生成している。特に、上記基板液処理装置1では、1又は2以上の基板処理部11〜22で基板2を処理しているために、同時に使用する基板処理部11〜22の個数に応じて異なる量の処理液を処理液生成部24で生成しており、それに応じて処理液生成部24の溶解流路36及びバイパス流路37に溶媒供給源35から供給される溶媒の総流量も変動している。

そして、上記基板液処理装置1では、処理液生成プログラムによって、溶媒供給源35から溶解流路36及びバイパス流路37に供給される溶媒の総流量に応じて処理液生成部24のバイパス流路37の流路抵抗を変更する制御を行っている。しかも、その際に、上記基板の液処理装置1では、溶媒供給源35から溶解流路36及びバイパス流路37に供給される溶媒の総流量にかかわらず、溶解流路36を流れる流量とバイパス流路37を流れる流量との比率が常に一定となるようにバイパス流路37に設けた流量調整器47,48を調整する制御を行っている。

すなわち、処理液生成プログラムは、溶媒供給源35から溶解流路36及びバイパス流路37に供給される溶媒の総流量が予め設定した流量（たとえば、毎分２０リットル）以上の場合には、制御部25によって開閉バルブ46を開放した状態に制御して、溶媒をバイパス流路37の両バイパス流路構成管44,45に同時に流し、バイパス流路37の全体的な流路抵抗を小さくする。その際に、処理液生成プログラムは、両バイパス流路構成管44,45に設けた流量調整器47,48をそれぞれ制御して、溶解流路36を流れる流量とバイパス流路37だけを流れる流量との比率が常に予め設定した一定値（たとえば、5％）となるようにしている。

一方、処理液生成プログラムは、溶媒供給源35から溶解流路36及びバイパス流路37に供給される溶媒の総流量が予め設定した流量（たとえば、毎分２０リットル）未満の場合には、制御部25によって開閉バルブ46を閉塞した状態に制御して、溶媒をバイパス流路37の小流流用のバイパス流路構成管45だけに流し、バイパス流路37の全体的な流路抵抗を大きくする。その際に、処理液生成プログラムは、バイパス流路構成管45に設けた流量調整器48だけを制御して、溶解流路36を流れる流量とバイパス流路37だけを流れる流量との比率が常に予め設定した一定値（たとえば、5％）となるようにしている。

処理液生成部24では、気体溶解流路36に気体溶解器41を介設しているために流路抵抗が大きく、特に、処理液生成部24で生成して基板処理機23に供給する処理液の流量が小流量の場合に気体溶解流路36に溶媒が流れ込まなくなるおそれがあるが、上記処理液生成プログラムで制御するように、処理液生成部24で生成して基板処理機23に供給する処理液の流量が小流量の場合にバイパス流路37の全体的な流路抵抗を大きくすることで、気体溶解流路36にも溶媒が良好に流れ込み、その結果、処理液の流量が小流量であっても処理液生成部24から基板処理機23に所定の比抵抗値の処理液を供給することができる。

以上に説明したように、上記基板液処理装置１では、基板処理部11〜22に供給する処理液の供給量にかかわらず、溶解流路36を流れる流量とバイパス流路37を流れる溶媒の流量との比率が一定になるようにバイパス流路を流れる溶媒の流量を制御しているために、常に所定濃度の処理液を生成して基板を均一に液処理することができる。基板処理部11〜22に供給する処理液の供給量に応じて処理液生成部24のバイパス流路37の流路抵抗を変更するようにしているために、所定の比抵抗値の処理液を幅広い流量範囲で生成することができる。

特に、生成する処理液の流量が小流量であっても所定濃度（比抵抗値）の処理液を生成することができる。

さらに、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、変形の一例について説明する。

上述した実施の形態においては、流路抵抗の異なる２本のバイパス流路構成管44,45でバイパス流路37を構成している例を示したが、これに限られない。例えば図３に示すように、流路抵抗がそれぞれ異なる多数本（複数本）のバイパス流路構成管50,51,52でバイパス流路37を構成してもよい。ここでバイパス流路構成管50,51,52は管径がそれぞれ異なっている。また、バイパス流路構成管51,52には、開閉バルブ53,54を介設している。

そして、処理液生成プログラムは、処理液生成部24で生成して基板処理機23に供給する処理液の流量に応じ処理液を流すバイパス流路構成管50,51,52の本数を変更する。具体的には、処理液生成部24で生成して基板処理機23に供給する処理液の流量が、たとえば毎分２０リットル以上の場合には、バイパス流路構成管50,51,52に同時に流すように開閉バルブ53,54を開放した状態に制御し、毎分１０リットル以上２０リットル未満の場合には、処理液をバイパス流路構成管50,51に同時に流すように開閉バルブ53を開放した状態に制御するとともに開閉バルブ54を閉塞した状態に制御し、毎分１０リットル未満の場合には、処理液をバイパス流路構成管51のみに流すように開閉バルブ53,54を閉塞した状態に制御する。したがって、1又は2以上の流路を切換えることでバイパス流路37の全体的な流路抵抗を変更させることができるので、基板処理部11〜22に供給する処理液の供給量に応じて処理液生成部24のバイパス流路37の流路抵抗を変更することができる。

多数本（複数本）のバイパス流路構成管50,51,52の1又は2以上のバイパス流路構成管50,51,52の中途部に流量調整器を介設してもよい。

また、前記複数のバイパス流路構成管50,51,52の流路抵抗を同じにして基板処理部11〜22に供給する処理液の供給量に応じて１又は2以上のバイパス流路構成管50,51,52に処理液を流すことでバイパス流路37の流路抵抗を変更してもよい。

さらに、例えば図４に示すように、バイパス流路37に流量調整器55を設けて流路抵抗を変更してもよい。

そして、処理液生成プログラムは、溶媒供給源35から溶解流路36及びバイパス流路37に供給される溶媒の総流量が、たとえば、毎分２０リットル以上の場合には、制御部25によって流量調整器55を開放した状態に制御し、毎分２０リットル未満の場合には、制御部25によって流量調整器61を所定の流路抵抗になるように制御する。したがって、基板処理部11〜22に供給する処理液の供給量に応じて処理液生成部24のバイパス流路37の流路抵抗を変更することができる。

１基板液処理装置２基板
３キャリア４基板搬入出台
５基板搬送室６基板処理室
７前壁８基板搬送装置
９基板受渡台 10 基板搬送装置
11〜22 第1〜第12の基板処理部 23 基板処理機
24 処理液生成部 25 制御部
26 連結管 27 共通供給管
28 排出管 29 分岐管
30 流量調整器 31 基板支持装置
32 ノズル 33 流量調整器
34 溶媒供給源 35 溶媒供給管
36 溶解流路 37 バイパス流路
38 混合器 39 処理液供給管
40 分岐管 41 溶解器
42 気体供給源 43 流量調整器
44,45 バイパス流路構成管 46 開閉バルブ
47,48 流量調整器 49 記録媒体
50,51,52 バイパス流路構成管 53,54 開閉バルブ
55 流調調整器

Claims

基板を処理液で処理する複数の基板処理部と、
前記複数の基板処理部のうちの１又は２以上の基板処理部に同時に供給する前記処理液として溶媒に気体を溶解させることで所定濃度の前記処理液を生成する処理液生成部と、
前記複数の基板処理部と処理液生成部とを制御する制御部を有する基板処理装置において、
前記処理液生成部は、
溶媒供給源に接続され前記溶媒を供給するための溶媒供給管と、
溶媒供給管から供給される前記溶媒に前記気体を溶解させるための溶解流路と、
前記溶解流路に並列接続して設けた前記溶媒を流すバイパス流路と、
前記バイパス流路の流路抵抗を変更するための抵抗変更手段と、
を有し、
前記抵抗変更手段は、複数のバイパス流路構成管を並列接続して構成し、
前記制御部は、
生成する処理液の流量に応じて前記溶媒を流す１又は２以上の前記バイパス流路構成管を変更することで前記バイパス流路の流路抵抗を変更して、前記溶解流路を流れる前記溶媒の流量と前記バイパス流路を流れる前記溶媒の流量との比率が一定になるように抵抗変更手段を制御する、
ことを特徴とする基板液処理装置。
前記複数のバイパス流路構成管は、流路抵抗がそれぞれ異なることを特徴とする請求項１に記載の基板液処理装置。
前記複数のバイパス流路構成管の少なくとも一つのバイパス流路構成管に流量調整器を備えたことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板液処理装置。
前記抵抗変更手段は、バイパス流路に設けられた流量調整器であることを特徴とする請求項１に記載の基板液処理装置。
前記溶解流路は、処理液が飽和状態となるように前記溶媒に前記気体を溶解させるように構成したことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の基板液処理装置。
複数の基板処理部のうちの１又は２以上の前記基板処理部で同時に基板を処理するための処理液として、溶媒に気体を溶解させることで所定濃度の前記処理液を生成する処理液の生成方法において、
溶媒供給源から供給される前記溶媒を、気体溶解器を介して前記溶媒に前記気体を溶解させるための溶解流路と、前記溶解流路に並列接続したバイパス流路とに分岐して流し、
前記バイパス流路を、流路抵抗がそれぞれ異なる複数の並列接続したバイパス流路構成管で構成し、
生成する処理液の流量に応じて前記１又は２以上のバイパス流路構成管に流すことで前記溶解流路を流れる前記溶媒の流量と前記バイパス流路を流れる前記溶媒の流量との比率が一定になるように前記バイパス流路の流路抵抗を変更する、
ことを特徴とする処理液生成方法。
前記処理液が飽和状態となるように前記溶解流路で前記溶媒に前記気体を溶解させたことを特徴とする請求項６に記載の処理液生成方法。
前記気体として炭酸ガスを用いることを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の処理液生成方法。
複数の基板処理部のうちの１又は２以上の前記基板処理部で同時に基板を処理するための処理液として、溶媒に気体を溶解させることで所定濃度の前記処理液を生成する処理液を生成するための処理液生成プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体において、
溶媒供給源から供給される前記溶媒を、気体溶解器を介して前記溶媒に前記気体を溶解させるための溶解流路と、
前記溶解流路に並列接続したバイパス流路に分岐して流し、
前記バイパス流路を、流路抵抗がそれぞれ異なる複数の並列接続したバイパス流路構成管で構成し、生成する処理液の流量に応じて前記１又は２以上のバイパス流路構成管に流すことで前記溶解流路を流れる前記溶媒の流量と前記バイパス流路を流れる前記溶媒の流量との比率が一定になるように前記バイパス流路の流路抵抗を制御する、
ことを特徴とする処理液生成プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。