JP7189013B2 - 基板処理装置および基板処理装置の運転方法 - Google Patents

Description

本開示は、基板処理装置および基板処理装置の運転方法に関する。

半導体装置の製造においては、半導体ウエハ等の基板に対して、薬液洗浄処理、めっき処理、現像処理等の様々な液処理が施される。このような液処理を行う装置として、
複数の洗浄処理部を備えた基板処理装置が知られている（例えば特許文献１を参照）。

特許文献1の基板処理装置では、複数の枚葉式の洗浄処理部を用いて順次基板の処理が行われる。各洗浄処理部では、１枚の基板に対して、薬液処理、リンス処理及び乾燥処理が順に行われる。薬液は、一つの薬液貯留タンクから複数の洗浄処理部に供給される。

特開２００７－１２３３９３号公報

本開示は、処理液を貯留する貯留部から供給された処理液を用いて基板の液処理を実行する複数の処理部を備えた基板処理装置において、処理部の処理液供給要求を液供給部が満たせない状況に、柔軟に対応して基板処理装置の運転を継続することができる技術を提供する。

基板処理装置の一実施形態は、処理液を貯留する貯留部と、前記貯留部から供給される前記処理液を使用して基板を液処理する複数の処理部と、前記貯留部へ、前記処理液それ自体からなるか、あるいは、前記処理液を調合するための原料液からなる、第１液を少なくとも供給する液供給部と、前記液供給部から前記貯留部に供給される前記第１液の状態、または、前記液供給部から前記第１液が供給されることにより変化する前記貯留部にある前記処理液の状態を表す変数の値を検出する検出部と、前記複数の処理部に、同じ液処理を順次実行させる制御部と、を備え、前記制御部は、前記検出部による前記変数の値の検出結果に基づいて、前記処理部で要求される条件で前記貯留部から予め定められた数の前記処理部に前記処理液を同時に供給し続けることが可能か不可能かを判断し、不可能と判断した場合には、前記貯留部から供給された処理液によって液処理を同時に実行する処理部の数を前記予め定められた数よりも減少させる同時処理制限制御を実行する。

本開示によれば、処理部の処理液供給要求を液供給部が満たせない状況に、柔軟に対応して基板処理装置の運転を継続することができる。

一実施形態に係る基板処理装置の全体構成を示す概略平面図である。 図１の基板処理装置に含まれる薬液供給系の一例を示す配管系等図である。 基板処理装置の運転方法の第１実施形態を説明するためのフローチャートである。 基板処理装置の運転方法の第１実施形態を説明するためのタイムチャートである。 基板処理装置の運転方法の第２実施形態を説明するためのフローチャートである。

以下に添付図面を参照して基板処理装置（基板処理システム）の一実施形態について説明する。

図１は、一実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。

図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。

搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウエハ（以下ウエハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。

搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウエハＷを保持するウエハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウエハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウエハＷの搬送を行う。

処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。

搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウエハＷを保持するウエハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウエハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウエハＷの搬送を行う。

処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウエハＷに対して所定の基板処理を行う。

また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウエハＷを取り出し、取り出したウエハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウエハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。

処理ユニット１６へ搬入されたウエハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウエハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。

処理ユニット１６として、当該技術分野で周知の枚葉式の処理ユニットを用いることができる。図２に概略的に示されるように、処理ユニット１６は、例えば、チャンバ（ユニットハウジング）２０と、スピンチャック２２と、１つ以上の処理流体ノズル２４と、カップ２６とを有する。スピンチャック２２は、ウエハＷを水平姿勢で保持して鉛直軸線周りに回転させることができる。１つ以上の処理流体ノズル２４は、ウエハＷの処理に必要な様々な処理流体（例えば薬液、リンス液、乾燥促進液等の処理液、乾燥用ガス等の処理ガス）を供給する。カップ２６は、ウエハＷから飛散した処理液を回収する。

次に、図２を参照して、処理ユニット１６（基板を処理する処理部）に処理液を供給するための処理液供給系について説明する。基板処理装置は、処理ユニット１６に供給される処理液の種類に応じた数の処理液供給系を有している。図２には、処理液供給系を代表して、処理ユニット１６に処理液としての薬液を供給する薬液供給系３０について説明する。薬液としては、ＤＨＦ（希フッ酸）、ＳＣ－１液、ＳＣ－２液等が例示される。

薬液供給系３０は、タンク３２および循環ライン３４を有する。タンク３２には薬液が貯留される。循環ライン３４には、上流側から順に、ポンプ３６、温調器３８、フィルタ４０及び流量計４２が介設されている。

ポンプ３６は、液交換時あるいは基板処理装置のメンテナンス時等の特別な場合を除き、基板処理装置の運転中には常時稼働しており、これにより、タンク３２から循環ライン３４に流出し再びタンク３２に流入する薬液の循環流が形成されている。つまり、タンク３２及び循環ライン３４により循環系が形成されている。

温調器３８は、加熱機能及び冷却機能を有しており、循環ライン３４を流れる薬液を予め定められた目標温度（これは処理レシピで定義されている）に維持する。温調器３８が加熱機能及び冷却機能のうちの一方のみを有していてもよい。

循環ライン３４には接続エリア４４が設定され、接続エリア４４において、循環ライン３４から各処理ユニット１６に向けて分岐ライン４６が分岐している。分岐ライン４６は処理流体ノズル２４に接続されている。分岐ライン４６には、開閉弁、流量計、流量制御弁等の各種流量制御機器４８（１つのシンボルで概略的に示した）が介設されている。

タンク３２には、液位計５０が付設されている。液位計５０は、許容上限液位センサ５２と、通常上限液位センサ５４と、通常下限液位センサ５６と、許容下限液位センサ５８と、を有している。許容上限液位センサ５２は、タンク３２内にある薬液の液位が許容上限Ｈを越えたことを検出する。許容下限液位センサ５８は、タンク３２内にある薬液の液位が許容下限Ｌ未満となったことを検出する。

薬液供給系３０は、液供給部６０を有している。液供給部６０は、タンク３２に、調合済み薬液（第１液）のみを供給するか、あるいは、薬液を調合するための複数種類の原料液（第１液、第２液、・・・）を供給するように構成されている。図示された実施形態では、ウエハＷには、薬液（処理液）として、当該薬液の原液を希釈液としての純水（ＤＩＷ）で１００倍程度に希釈した希釈薬液（以下、単に「薬液」と称する）が供給される。つまり、図示された実施形態では、液供給部６０は２種類の原料液（第１液および第２液）を供給する。液供給部６０は、２種類の原料液のうちの第１液であるＤＩＷを供給するＤＩＷ供給源６０Ａと、第２液である薬液の原液を供給する原液供給源６０Ｂとに接続されている。

殆どの場合、ＤＩＷ供給源６０Ａは、基板処理装置が設置される半導体製造工場に設置された工場用力系の一部をなす。つまり、ＤＩＷ供給源６０Ａから供給されるＤＩＷの流量及び温度は、半導体製造工場の工場用力系の仕様および運転状態に依存している。

原液供給源６０Ｂは、多くの場合、基板処理装置が設置される半導体製造工場に設置された工場用力系の一部をなすが、基板処理装置に設けられた図示しない原液貯留タンクであってもよい。

ＤＩＷ供給源６０ＡにはＤＩＷ供給ライン６２Ａが接続されている。ＤＩＷ供給ライン６２Ａには、開閉弁、流量計６４Ａ、流量制御弁等の各種流量制御機器が介設されている。流量計６４Ａを除く各種流量制御機器は、参照符号６６Ａを付けた１つのシンボルで概略的に示した。ＤＩＷ供給ライン６２Ａには、ＤＩＷ供給ライン６２Ａを流れるＤＩＷの温度を測定する温度センサ６８Ａも設けられている。

原液供給源６０Ｂには原液供給ライン６２Ｂが接続されている。原液供給ライン６２Ｂには、開閉弁、流量計６４Ｂ、流量制御弁等の各種流量制御機器が介設されている。流量計６４Ｂを除く各種流量制御機器は、参照符号６６Ｂを付けた１つのシンボルで概略的に示した。

ＤＩＷ供給ライン６２Ａと原液供給ライン６２Ｂとは合流点６２Ｃで合流して、単一の薬液供給ライン６２Ｄとなる。薬液供給ライン６２Ｄはタンク３２内で終端している。ＤＩＷと原液との混合を促進するため、薬液供給ライン６２Ｄに図示しないインラインミキサーを設けてもよい。

なお、薬液（希釈薬液）を調合するにあたって、２種類以上の原液（第２液、第３液、・・・）が希釈液としてのＤＩＷ（第１液）に混合される場合もある。この場合、薬液の種類の数に応じた数の原液供給ライン６２Ｂが設けられ、これらが単一のＤＩＷ供給ライン６２Ａに接続される。具体的には例えば、薬液がＳＣ－２液であり、この場合、原液は塩酸及び過酸化水素水であり、２つの原液供給ライン６２Ｂ、すなわち塩酸供給ライン及び過酸化水素水供給ラインが設けられる。

また、本明細書において、「原液」とは、他の原料液（図示された実施形態では、希釈液としてのＤＩＷ）と混合される任意の液を意味しており、商業的に流通している最も高い濃度を有する薬液に限定されるものではない。具体的には例えば、既にＤＩＷで希釈された低濃度のＤＨＦが「原液」として原液供給源６０Ｂから供給され、この低濃度のＤＨＦをＤＩＷ供給源６０ＡからのＤＩＷで希釈することにより調合された超低濃度のＤＨＦを、「薬液（希釈薬液）」としてタンク３２に供給してもよい。

次に、基板処理装置の動作について説明する。なお、以下に説明する全ての動作は、図１に示した制御装置４（制御部）による制御の下で実行される。

基板処理装置は、複数例えば１２台の処理ユニット１６を有している。搬送部１５の基板搬送装置１７は、予め定められた搬送スケジュールに従って、受渡部１４に一時的に置かれているウエハＷを順次取り出し、複数の処理ユニット１６に順次搬送する（図１参照）。各処理ユニット１６内では、予め定められた処理レシピに従い、１枚のウエハＷに対して、各種工程（本例では、薬液洗浄工程、リンス工程、乾燥工程）が順に実行される。

薬液洗浄工程では、スピンチャック２２により水平姿勢で保持されたウエハＷが、鉛直軸線周りに予め定められた回転速度で回転させられる。この状態で、薬液供給系３０の循環ライン３４から、薬液（希釈薬液）が、処理ユニット１６に対応する分岐ライン４６及びそこに設けられた流量制御機器４８を介して、処理流体ノズル２４に送られ、処理流体ノズル２４からウエハＷに供給される。

リンス工程では、ウエハＷを回転させたまま、図示しないリンス液供給系から、リンス液例えば純水（ＤＩＷ）が、薬液洗浄工程で用いた処理流体ノズルまたは別の処理流体ノズル２４に送られ、そこからウエハに供給される。

乾燥工程では、ウエハＷを回転させたまま、リンス液の供給を停止し、ウエハＷの振り切り乾燥が行われる。リンス工程の後に、ウエハＷ上のリンス液をＩＰＡ等の高揮発性かつ低表面張力の有機溶剤に置換した後に、乾燥工程を行ってもよい。

複数（例えば１２台。図２には５台のみを示す。）の処理ユニット１６を備えた基板処理装置を効率良く運用するために、処理ユニット１６に対するウエハＷの搬入タイミングが予め定められた時間だけずらされている。このようにすることにより、同時に薬液を供給しなければならない処理ユニット１６の数を減らすことができ、薬液供給系３０の供給能力を過度に高くしなくてもよくなる。また、基板搬送装置１７の負担も軽減される。

１枚のウエハＷを処理するごとに予め定められた量の薬液が処理ユニット１６により消費されるため、時間経過とともに、タンク３２内に存在している薬液の量が徐々に減少してゆく。通常下限液位センサ５６によりタンク３２内の薬液の液位が通常下限液位Ｌ２未満となったことが検出されたら、液供給部６０は、薬液供給ライン６２Ｄを介してタンク３２に薬液（原液＋希釈液）を補充する。

液供給部６０は、予め定められた濃度（混合比）の薬液がタンク３２に供給されるように、流量制御機器６４Ａ，６６Ａ，６４Ｂ，６６Ｂにより、予め定められた流量比で原液とＤＩＷ（希釈液）とが供給されるようにする。そうすることにより、タンク３２に流入した時点において、薬液（希釈薬液）の濃度は、所望の濃度となっていることが保証される。しかしながら、原液供給ライン６２Ｂを介して供給される原液とＤＩＷ供給ライン６２Ａを介して供給されるＤＩＷとの流量比が、液供給部６０による薬液の補充期間の間ずっと予め定められた流量比に維持されていなくてもよく、ある程度の変動は許容される。

液供給部６０による薬液の補充レート（単位時間当たりに液供給部６０からタンク３２に供給される薬液の量）は、複数の処理ユニット１６による薬液の消費レート（単位時間当たりに複数の処理ユニット１６が消する薬液の総量）より大きく設定されている。従って、タンク３２内の薬液の液位は徐々に上昇してゆく。液供給部６０による薬液の補充が行われている時とそうでない時とで、複数の処理ユニット１６へのウエハＷの搬入スケジュール（つまり複数の処理ユニット１６の処理スケジュール）を変更する必要はない。

通常上限液位センサ５４によりタンク３２内の薬液の液位が通常上限液位Ｌ１に到達したことが検出されたら、薬液供給系３０の液供給部６０は、タンク３２への薬液（原液＋希釈液）の補充を停止する。

以上が、基板処理装置及び工場用力系が意図した通りに動作している場合の、基板処理装置の動作である。しかしながら、工場用力系に不具合が生じて基板処理装置が要求する用力供給を行うことができなくなる場合、あるいは、基板処理装置の要求が一時的に高くなり工場用力系の供給能力が一時的に不足する場合などがありうる。以下において、その場合の対処（基板処理装置の運転方法）について説明する。

［第１実施形態］
以下に、運転方法の第１実施形態について、図３のフローチャートおよび図４のタイムチャートも参照して説明する。運転方法の第１実施形態は、ＤＩＷ供給源６０Ａから供給されるＤＩＷの温度の変動への対応に関する。

第１実施形態の説明にあたり、以下の状況を想定する。すなわち、工場用力系に不具合が生じ、ＤＩＷ供給源６０Ａから供給されるＤＩＷの実際温度が目標温度よりも高くなってしまっている状況である。第１実施形態において、原液とＤＩＷとの混合比は、例えば１：１００程度であり（約１００倍の希釈率）、薬液（希釈薬液）の温度は、事実上、ＤＩＷ供給源６０Ａから供給されるＤＩＷの温度により決定される。従って、ＤＩＷの実際温度が目標温度よりも高くなれば、液供給部６０からタンク３２に供給される薬液の温度も目標温度（設定温度）より高くなる。そして、目標温度より高い温度の薬液がタンク３２に供給されると、タンク３２から循環ライン３４に流出する薬液の温度が高くなる。

なお、以下の説明は、循環系内には一回の希釈薬液の補充（液位をＬ２→Ｌ１とする補充）における補充量の数倍の薬液が存在しているため、処理ユニット１６に供給される薬液の温度が直ちに許容範囲を外れることはないということを、前提としてなされている。さらに、以下の説明は、ＤＩＷ供給源６０Ａから供給されるＤＩＷの実際温度が、処理ユニット１６に供給される薬液の温度を直ちに許容範囲を外れさせる程に、大きく変動することもないことも前提としてなされている。このような急激な温度変動が生じる状況下では、基板処理装置がアラームを発生し複数の処理ユニットによる処理が全部停止されることが一般的である。

タンク３２から循環ライン３４に流出する薬液の温度が高くなったことが、循環ライン３４に設けられている温度センサ３５Ａ（あるいは３５Ｂ、３５Ｃ）により検出されると、温調器３８は、温調器３８を通過する薬液を冷却することにより薬液の温度を目標温度に近づけるフィードバック制御を行う。

なお、ＤＩＷ供給源６０Ａから供給されるＤＩＷの実際温度が目標温度よりも低い場合には、温調器３８は、温調器３８を通過する薬液を加熱することにより薬液の温度を目標温度に近づけるフィードバック制御を行う。

ＤＩＷ供給源６０Ａから供給されるＤＩＷの実際温度の目標温度に対する偏差が比較的小さい場合には、温度変動は温調器３８の温調機能により吸収され、後述するような搬送（処理）スケジュールの変更は必要ない。

ＤＩＷ供給源６０Ａから供給されるＤＩＷの実際温度の目標温度に対する偏差が比較的大きくなると、温度変動を温調器３８の温調機能により吸収しきれなくなる。つまり、偏差が比較的小さい場合と同じ頻度で液供給部６０から薬液をタンク３２に供給し続けると、循環系内の薬液の温度が次第に上昇（または下降）してゆき、最終的に許容温度範囲から外れる。許容温度範囲外の薬液でウエハＷを処理すると、処理不良が生じるおそれがある。

以下に、上記の問題の解決手段の一例について説明する。

以下の説明の理解を助けるために、説明に先立ち、以下に本実施形態に係る基板処理装置の運用条件の一例を記す。
－ 液位Ｌ１のときにタンク３２内にある薬液は６０リットルである。
－ タンク３２内の液位をＬ２からＬ１にするのに必要な薬液は２０リットルである。
－ １つの処理ユニット１６が１枚のウエハＷを処理するときには、流量２Ｌ／min（リットル／毎分）でウエハＷに薬液を供給する。
－ 通常運転時には、５つの処理ユニットが同時にウエハＷに希釈薬液を供給している（但し供給開始のタイミングはずれている）。
上記のことから、比較的高頻度、例えば数分に一回の頻度で、タンク３２内の液位をＬ２からＬ１にするための薬液の補充が行われること、並びに、一回の薬液の補充時には、それまでにタンク３２内に存在していた薬液の総量の数１０％の薬液が追加されることがわかる。なお、上記の条件は個々の処理装置の仕様、実行される処理に応じて変化するもものであり、あくまで一例に過ぎないことを理解されたい。

基板処理装置の運転が開始されると（図３のステップ１０１）、基板処理装置は、処理ユニット１６に対するウエハＷの搬入タイミングを予め定められた時間だけずらしながら（図４も参照）、複数の処理ユニット１６によりウエハＷの処理を行う。

タンク３２内の初期液位はＬ１であり、運転開始からしばらくの間は、液供給部６０から薬液がタンク３２に補充されないため、タンク３２内の液位は徐々に低下してゆく。制御装置４は、通常下限液位センサ５６の状態を監視し続けている。

タンク３２内の液位がＬ２未満となったことが通常下限液位センサ５６により検出されたら（ステップ１０２のＹＥＳ）、タンク３２内の液位がＬ１に到達したことが通常上限液位センサ５４により検出されるまで、液供給部６０から薬液をタンク３２に供給（補充）する（ステップ１０３）。

液供給部６０から薬液がタンク３２に供給されている間（以下「薬液補充期間」とも呼ぶ）、制御装置４は、ＤＩＷ供給ライン６２Ａに設けられた温度センサ６８Ａにより、ＤＩＷ供給ライン６２Ａを通過するＤＩＷの温度を測定し続ける。そして、制御装置４は、薬液補充期間内における温度センサ６８Ａの検出値（検出温度）の平均値を求める。この平均値を「補充ＤＩＷ温度（ＴＤＡ）」とも呼ぶこととする。薬液補充期間内の１つの時点における温度センサ６８Ａの検出値（つまり代表値）、または薬液補充期間内のいくつかの時点における温度センサ６８Ａの検出値の平均値を、「補充ＤＩＷ温度（ＴＤＡ）」と見なしてもよい。なお、上記の補充ＤＩＷ温度（ＴＤＡ）は、液供給部６０からタンク３２（貯留部）に供給される第１液（ＤＩＷ）の状態を表す変数に該当する。

薬液補充期間内に、上記の補充ＤＩＷ温度を測定することに代えて、薬液供給ライン６２Ｄをタンク３２に向けて流れる薬液の温度を、図示しない温度センサにより測定してもよい。

また、薬液補充期間内に、上記の補充ＤＩＷ温度を測定することに加えて、原液供給ライン６２Ｂを通過する原液の温度を測定してもよい。しかしながら、本実施形態では、前述したように希釈率が高いため（例えば原液：ＤＩＷ＝１：１００）より、補充ＤＩＷ温度の測定を行えば十分であるとの考えに基づき、補充ＤＩＷ温度だけを測定することとしている。ＤＩＷ温度測定用のセンサには耐薬品性が求められないので低コストであるという利点もある。

上述した補充ＤＩＷ温度（ＴＤＡ）に基づいて、薬液補充期間にタンク３２に供給された薬液の平均温度（ＴＣＡ）（薬液補充期間中に供給された薬液を完全に混合（均質化）した場合の薬液の温度）を求めることができる。前述したように希釈率が高いため、補充ＤＩＷ温度（ＴＤＡ）を、薬液の（実際の）平均温度（ＴＣＡ）と見なして構わない。

次に、薬液の（実際の）平均温度（ＴＣＡ）と（補充ＤＩＷ温度の実際値（ＴＤＡ）で代用することができる）、薬液の目標温度（ＴＣＴ）（補充ＤＩＷ温度の目標値で代用することができる）に対する偏差（ＴＣＤ＝ＴＣＡ－ＴＣＴ）が求められる（以上ステップ１０４）。

温調器３８の温調能力は既知であるため、偏差（ＴＣＤ＝ＴＣＡ－ＴＣＴ）に応じて、薬液供給系３０の液供給部６０からタンク３２に薬液を補充する頻度の許容限界がわかる。なお、本実施形態では、一回の補充で供給される薬液の量は一定（タンク３２内の液位をＬ２からＬ１にするのに必要な量）であることを改めて確認されたい。

偏差（ＴＣＤ）の絶対値が温調器３８の温調能力に見合わない程に大きくなると、偏差（ＴＣＤ）の絶対値が小さい場合における補充頻度と同じ補充頻度で薬液の補充を行うと、循環系（タンク３２＋循環ライン３４）に存在する薬液の実際温度が目標温度から次第にずれてゆく。循環系内の薬液の実際温度が許容範囲外になると、処理ユニット１６での薬液処理不良が生じるおそれがある。

このような事象を防止するために、本実施形態では、偏差（ＴＣＤ＝ＴＣＡ－ＴＣＴ）に応じて、薬液の補充頻度を低下させ、薬液の目標温度に対する実際温度の偏差が増大することを少なくとも防止し、好ましくは偏差を減少させる。

薬液の補充頻度を減少させた場合、減少させない場合と同じペースで（複数の）処理ユニット１６が薬液を消費してゆくと、タンク３２内の薬液の液位をＬ２以上に維持することが不可能となる。つまり、処理ユニット１６での液処理を継続することが最終的に不可能となる。循環系（タンク３２＋循環ライン３４）内の薬液の状態（薬液の総量、温度等）の変動幅は小さく維持されていることが好ましい。すなわち、上述したようなタンク３２内の薬液の液位の過度の減少（Ｌ２を大きく下回る）は好ましくない。

本実施形態では、上記の偏差（ＴＣＤ＝ＴＣＡ－ＴＣＴ）に応じて、処理ユニット１６でのウエハＷの処理を制限し、薬液消費レート（複数の処理ユニット１６が単位時間当たりに消費する薬液の総量（Ｌ／min））を減少させている。具体的には、同時に、ウエハＷに薬液の供給を行っている処理ユニット１６の数を減少させることにより（例えば５台から４台に減少）、薬液消費レートを減少させる。この制御を「同時処理制限（同時処理制限制御）」とも呼ぶこととする。

以下に、第１実施形態における、同時処理制限制御の具体的な手順について説明する。この制御には、偏差（ＴＣＤ）に代えて、これと実質的に等価と見なすことができる、先に説明した補充ＤＩＷ温度（ＴＤＡ）とその目標値である目標ＤＩＷ温度（ＴＤＴ）との偏差（ＴＤＤ）を用いる。

制御装置４には、上述した偏差（ＴＤＤ）と、最大可能消費レート（ＭＣＡ）との関係を示した下記のテーブル（表１）が格納されている。「最大可能消費レート（ＭＣＡ）」とは、（複数の）処理ユニット１６でのウエハＷの処理に問題を生じさせない（複数の）処理ユニット１６による薬液消費レート（Ｌ／min）の最大値を意味している。「ウエハＷの処理に問題を生じさせない」とは、各処理ユニット１６において、如何なる時点においても、許容範囲内の温度を有する薬液が、ウエハＷに、予定されていた流量（許容範囲内の流量）で供給されることを意味する。最大可能消費レート（ＭＣＡ）は、当分の間（少なくとも数回のタンク３２への薬液の補充がされるまでの間）、ある偏差（ＴＤＤ）を有するＤＩＷがＤＩＷ供給源６０Ａから供給され続けると仮定して、算出されている。なお、下記のテーブルに記載の最大可能消費レート（ＭＣＡ）は、説明の便宜上仮に定めた値であり、基板処理装置を実際に運転する場合にこれらの値が使用されるとは限らない。

なお、図４において、偏差（ＴＤＤ）が＋１.５℃～＋２.０℃の場合の最大可能消費レート（ＭＣＡ）が８Ｌ／minであるのに対して、偏差（ＴＤＤ）が－１.５℃～－２.０℃の場合の最大可能消費レート（ＭＣＡ）が１０Ｌ／minである。この同一絶対値の偏差（ＴＤＤ）に対する最大可能消費レート（ＭＣＡ）の相違は、本実施形態で使用している温調器３８の有する加熱能力が冷却能力よりも高いことに起因している。従って、例えば、温調器３８の構成が変更された場合、あるいは処理液の目標温度と環境温度（例えば室温）との差が変化した場合には、上記の最大可能消費レート（ＭＣＡ）は変化する。

一回の薬液の補充が終了し、補充ＤＩＷ温度（ＴＤＡ）及び上記偏差（ＴＤＤ）が算出されたら（ステップ２０４）、制御装置４は、図４のテーブルを参照し、最大可能消費レート（ＭＣＡ）を求める（ステップ２０５）。ここで、例えば、偏差（ＴＤＤ）が＋１.５℃～＋２.０℃の範囲内にあったものとすると、これに対応する最大可能消費レート（ＭＣＡ）は８Ｌ／minである。

次いで、制御装置４は、求めた最大可能消費レート（ＭＣＡ）と、同時処理制限制御無しの処理スケジュール（搬送スケジュール）の下で複数の処理ユニット１６による消費されている薬液消費レート（ＡＣＭ）（単位時間当たりの複数の処理ユニット１６での薬液の供給流量の合計）と、を比較する。図４のタイムチャートに示す例では、常に５台の処理ユニット１６が同時に薬液洗浄工程を実行しており（つまり同時に希釈薬液をウエハＷに供給しているため）、基板処理装置は、１０（Ｌ／min）の薬液消費レートで薬液を消費していることになる。（前述したように、１台の処理ユニット１６のウエハへの薬液の供給流量は２（Ｌ／min）であるため。）

なお、処理スケジュール次第では、ある時点では５つの処理ユニット１６が同時に薬液洗浄工程を実行しており、別の時点では４つの処理ユニット１６が同時に薬液洗浄工程を実行しているという状況も考えられる。この場合には、薬液消費レートの最大値と最大可能消費レート（ＭＣＡ）とを比較することが好ましい。

上述したように、最大可能消費レート（ＭＣＡ）が８Ｌ／minであり、同時処理制限制御無しでの薬液消費レートが最大可能消費レート（ＭＣＡ）より大きい１０（Ｌ／min）であるならば、制御装置４は、同時処理制限制御無しでの薬液消費レート（ＡＣＭ）が最大可能消費レート（ＭＣＡ）より大であると判断する（ステップ１０６のＹＥＳ）。

次いで、制御装置４は、薬液消費レート（ＡＣＭ）が最大可能消費レート（ＭＣＡ）以下となるような、同時に薬液洗浄工程を実行する処理ユニット１６の台数を求める。上記の例では、同時に薬液洗浄工程を実行する処理ユニット１６の台数を５台から４台に減らせばよい。

制御装置４は、同時に薬液洗浄工程を実行している処理ユニット１６の台数を常に上記の求めた台数以下（好ましくは求めた台数と同じ台数）に維持しつつ、基板処理装置の運転を継続する（ステップ１０７）。ステップ１０６の判断がＮＯの場合は、制御装置４は同時処理制限制御を実行することなく、基板処理装置の運転を継続する（ステップ１０８）。

なお、一般的には、工場用力系の一部をなすＤＩＷ供給源６０Ａから供給されるＤＩＷの温度は、短時間の間に激しく変動するものではない。このため、同時処理制限制御が開始されたら、しばらくの間、同時に薬液洗浄工程を実行している処理ユニット１６の台数を４台に制限したまま、基板処理装置の運転が続けられることが一般的である。その後、偏差（ＴＤＤ）が減少したなら、同時に薬液洗浄工程を実行している処理ユニット１６の台数が増加させられるか元の台数に戻される。

上記のステップ１０４～ステップ１０９までのフローの具体的な運用例について、より詳細に説明する。図４のタイムチャートにおいて、左側から右側への移動が、時間経過を意味している。図４のタイムチャートにおいて、数字「１６」にハイフンと共に付けられた数字は個々の処理ユニットを区別するためのものであり、「（ｄ）」は後述する搬入遅延が行われた後であることを示している。

また、図４のタイムチャートにおいて、「ＬＤ」は、基板搬送装置１７が処理前のウエハＷを受渡部１４から取り出してから処理ユニット１６に搬入するまでの期間（搬入期間）を意味する。「ＣＨＭ」は、処理ユニット１６内でウエハＷに薬液が供給されている期間（薬液洗浄工程期間）を意味する。「Ｒ」は、処理ユニット１６内でウエハＷにリンス液（ＤＩＷ）が供給されている期間（リンス工程期間）を意味する。「ＤＲＹ」は、処理ユニット１６内でウエハＷの振り切り乾燥が行われている（ウエハＷに処理液は供給されていない）期間（乾燥工程期間）を意味する。「ＵＬ」は、基板搬送装置１７が処理済みのウエハＷを処理ユニット１６から取り出してから受渡部１４に搬入するまでの期間（搬出期間）を意味する。

（１）図４のタイムチャートの時点ｔ０において、タンク３２への薬液の補充が完了し、制御装置４が、ステップ１０４およびステップ１０５の測定および演算を終了したものとする。ここで、制御装置４により求められた最大可能消費レート（ＭＣＡ）は、上記と同じく８Ｌ／minであるものとする。

（２）次に、現時点ｔ０において薬液洗浄工程期間ＣＨＭとなっている（つまり、薬液をウエハＷに供給している）複数の処理ユニット１６のうち、最も早く薬液洗浄工程期間ＣＨＭが終了する予定となっている処理ユニット１６（この場合、図４のタイムチャートにおける処理ユニット１６－１）を特定する。

（３）次に、現時点ｔ０でウエハＷが搬入されていない複数の処理ユニット１６のうち、最も早くウエハＷが搬入される予定となっている処理ユニット１６（この場合、図４のタイムチャートにおける処理ユニット１６－６）を特定する。

（４）この特定された処理ユニット１６－６、並びにその後順次ウエハＷが搬入される予定となっている処理ユニット１６－７，１６－８，１６－９，１６－１０，・・・を予め定められた処理スケジュールで運転した場合に、薬液消費レート（ＡＣＭ）が最大可能消費レート（ＭＣＡ）より大きくなる時点があるか否かを制御装置４が判定する（ステップ１０６に相当）。

図４の例では、例えば時点ｔ２において、５台の処理ユニット１６が同時に薬液洗浄工程を実行することになるため、時点ｔ２における基板処理装置の薬液消費レート（ＡＣＭ）は２×５＝１０（Ｌ／min）である。従って、制御装置４は、薬液消費レート（ＡＣＭ）が最大可能消費レート（ＭＣＡ）より大きくなる時点が存在すると判断する。

（５）制御装置４がそのように判断した場合（ステップＳ１０６のＹＥＳに相当）、制御装置４は同時に薬液洗浄工程を実行する処理ユニット１６の台数が４以下（好ましくは４）となるように、各処理ユニット１６の処理スケジュールを変更する。

具体的には、制御装置４は、現時点ｔ０において搬入期間ＬＤになっていない処理ユニットであってかつ最も早く搬入期間ＬＤが到来する処理ユニット１６－６に対する搬入タイミングをある遅延時間ＴＤだけ遅らせる（１６－６（ｄ）を参照）。遅延時間ＴＤは、処理ユニット１６－６で薬液洗浄工程が実行されている時点ｔ３においても、同時に薬液を供給している処理ユニット１６の台数が４台と以下なるように設定される。図４に示した例では、遅延時間ＴＤは、処理ユニット１６－１における薬液洗浄工程期間ＣＨＭが終了すると同時またはその後に、処理ユニット１６－６における薬液洗浄工程期間ＣＨＭが開始されるように設定される。

同様に、同時に薬液洗浄工程を実行する処理ユニット１６の台数が４台以下（好ましくは４台丁度）となるように、処理ユニット１６－７，１６－８，１６－９，１６－１０，・・・についても、搬入タイミングを遅らせる。図４では、搬入タイミングが遅らされた処理ユニットの番号の後に「（ｄ）」が付けられている。

上記の遅らせた搬入タイミングによって、予め定められた搬入タイミングが上書きされ、その後、この上書きされた搬入タイミングが予め定められた搬入タイミングと見なされる。

一方で、薬液消費レート（ＡＣＭ）が最大可能消費レート（ＭＣＡ）より大きくなる時点が存在しない、と制御装置４が判定した場合（ステップＳ１０６のＮＯに相当）、処理ユニット１６－６，１６－７，１６－８，１６－９，１６－１０，・・・へのウエハＷの搬入タイミングはそのまま維持され、これらの処理ユニット１６での処理は予定通りに行われる。

（６）その後、タンク３２への薬液の補充が完了する毎に、上記（２）～（５）の手順が繰り返される。偏差（ＴＤＤ）が変化したら、その偏差（ＴＤＤ）に応じた最大可能消費レート（ＭＣＡ）に基づいて、上記（２）～（５）の手順が実行される。

なお、図４に示した例では、時点ｔ０の後の時点ｔ１でも、５台の処理ユニット１６が同時に薬液を消費することになる。また、時点ｔ０では、処理ユニット１６－５ではウエハＷの搬入が完了したがウエハＷの薬液洗浄工程が開始されていない。従って、処理ユニット１６－５でウエハＷの薬液洗浄工程の開始を遅延させることによっても、薬液消費レート（ＡＣＭ）を最大可能消費レート（ＭＣＡ）以下に制限することが可能である。しかし、処理ユニット１６内の清浄度は受渡部１４の清浄度より低いため、ウエハＷを滞留させておく場所としては受渡部１４の方が好ましい。従って、本実施形態においては、次に受渡部１４から搬出されるウエハＷが搬入される処理ユニット１６へのウエハＷの搬入タイミング（当該ウエハＷの処理スケジュール）を遅延させることとしている。また、受渡部１４から搬出された後であってかつ処理ユニット１６に搬入される前のウエハＷを受渡部１４に戻すことによっても、薬液消費レート（ＡＣＭ）を最大可能消費レート（ＭＣＡ）以下に制限することが可能である。しかしながら、このような搬送スケジュールの修正操作は煩雑である。この理由からも、本実施形態においては、次に受渡部１４から搬出されるウエハＷが搬入される処理ユニット１６へのウエハＷの搬入タイミング（当該ウエハＷの処理スケジュール）を遅延させることとしている。このようにしても、薬液消費レート（ＡＣＭ）が最大可能消費レート（ＭＣＡ）を上回っている時間はわずかであるため、基板処理装置の運用には問題は生じない。

ある時点ｔｓ（図示せず）において同時処理制限制御が実行されているときにタンク３２への薬液の補充が行われ、最大可能消費レート（ＭＣＡ）が新たに求められたとする。そして新たに求められた最大可能消費レート（ＭＣＡ）に基づいて求められた同時に薬液洗浄工程を実行しうる処理ユニット１６の台数が、現時点ｔｓにおいて同時に薬液洗浄工程を実行している処理ユニット１６の台数よりも大きくなったとする。この場合、現時点ｔｓにおいてウエハＷが搬入されていない複数の処理ユニット１６のうち、最も早く搬入期間ＬＤが到来する予定となっている処理ユニット１６へのウエハＷの搬入を直ちに行うことが、基板処理装置のスループット向上の観点から好ましい。

具体的には例えば、図４のタイムチャートの時点ｔｓ１において最大可能消費レート（ＭＣＡ）が新たに求められたとする。そして新たに求められた最大可能消費レート（ＭＣＡ）に基づいて求められた同時に薬液洗浄工程を実行しうる処理ユニット１６の台数（５台）が、現時点ｔｓ１に同時に薬液洗浄工程を実行している処理ユニット１６の台数（４台）よりも大きくなったとする。この場合、時点ｔｓ３になると基板搬送装置１７の使用が可能となるため、次にウエハＷが搬入されることが予定されている処理ユニット１６－１０（ｄ）へのウエハＷの搬入Ｌの開始時点ＴＬを、時点ｔｓ３まで早めることが好ましい。

また例えば、図４のタイムチャートの時点ｔｓ２において最大可能消費レート（ＭＣＡ）が新たに求められたとする。そして新たに求められた最大可能消費レート（ＭＣＡ）に基づいて求められた同時に薬液洗浄工程を実行しうる処理ユニット１６の台数（５台）が、現時点ｔｓ２に同時に薬液洗浄工程を実行している処理ユニット１６の台数（４台）よりも大きくなったとする。この場合、現時点ｔｓ２で基板搬送装置１７の使用が可能であるため、次にウエハＷが搬入されることが予定されている処理ユニット１６－１０（ｄ）へのウエハＷの搬入操作（具体的には、受渡部１４からの取り出し）を直ちに開始することが好ましい。つまり、ウエハＷの搬入期間ＬＤの開始時点ＴＬは、時点ｔｓ２まで早められる。

［第２実施形態］
次に運転方法の第２実施形態について、図５のフローチャートを参照して説明する。運転方法の第２実施形態は、（複数の）処理ユニット１６が要求する薬液（処理液）の供給レートを満足するように液供給部６０が薬液を供給できない事態への対応に関する。このような事態は、例えば、工場用力系のＤＩＷ供給源６０Ａから供給しうるＤＩＷの供給レート（流量）が一時的に減少していることが原因で生じうる。また例えば、基板処理装置で、一時的に、特定の１つまたは複数のロットのウエハＷに対して、薬液を大量に消費する処理を行ったことが原因で生じ得る。

なお、以下の説明では、処理ユニット１６が要求する薬液供給レートに対する液供給部６０で可能な薬液供給レートとの関係のみ考慮し、前述した第１実施形態で考慮したＤＩＷ供給源６０Ａから供給されるＤＩＷの温度の変動等の他の要因は考慮しないものとする。また、ＤＩＷ供給源６０Ａから供給されるＤＩＷの流量が減少している場合には、その減少にあわせて原液供給源６０Ｂからの薬液の供給量も減少させられ、混合比が適正値に維持されるものとする。

基板処理装置の運転が開始されると、基板処理装置は、処理ユニット１６に対するウエハＷの搬入タイミングを予め定められた時間だけずらしながら、複数の処理ユニット１６によりウエハＷの処理を行う（ステップ２０１）。この第２実施形態においても、第１実施形態と同様に、５つの処理ユニットが同時にウエハＷに薬液を供給しているものとする。

第１実施形態と同様に、通常下限液位センサ５６によりタンク３２内の薬液の液位が通常下限液位Ｌ２未満となったことが検出されたら（ステップ２０２のＹＥＳ）、液供給部６０は、タンク３２への薬液（原液＋希釈液）の補充を開始する（ステップ２０３）。なお、液位計５０により検出されるタンク３２内の薬液の液位は、液供給部６０から第１液（ＤＩＷまたは希釈薬液）が供給されることにより変化するタンク３２（貯留部）にある薬液の状態を表す変数に該当する。

制御装置４は、通常上限液位センサ５４の状態を監視しながら、制御装置４が有するタイマー機能を用いて薬液補充開始からの経過時間を計測する。通常上限液位センサ５４によりタンク３２内の液位が通常上限液位Ｌ１を越えたことが確認され、そのときの経過時間が予め定められた第１基準時間（例えば６０分）以下であったら（ステップ２０４のＹＥＳ）、基板処理装置は、搬入タイミング（処理スケジュール）を変更することなく、つまり同時処理制限制御を実行することなく、そのまま処理を継続する（ステップ２０５）。

薬液補充開始から６０分が経過してもタンク３２内の液位が通常上限液位Ｌ１に達しなかったら（ステップ２０４のＮＯ）、制御装置４は、第１実施形態と同様の手法で、同時処理制限制御を実行する（ステップ２０６）。また、制御装置４は、図示しないユーザインターフェイスを用いて、基板処理装置のオペレータに同時処理制限制御が実行されていることを通知する。

同時処理制限制御によるウエハＷの搬入の遅延を開始するタイミングは、第１実施形態と同様にすればよい。すなわち、ステップ２０４で「ＮＯ」の判断が下された時点において、未だ受渡部１４から搬出されておらず、かつ、次に受渡部１４から搬出されるウエハＷを処理する予定となっている処理ユニット１６についての搬入タイミング処理スケジュールを遅延させればよい。

その後、同時処理制限制御を実行した状態で、基板処理装置の運転が継続される。制御装置４は、通常上限液位センサ５４の状態を監視しながら、同時処理制限制御の開始からの経過時間を計測する。通常上限液位センサ５４によりタンク３２内の液位が通常上限液位Ｌ１を越えたことが確認され、そのときの経過時間が予め定められた第２基準時間（例えば１８０分）以下であったら（ステップ２０７のＹＥＳ）、同時処理制限制御を解除する。すなわち、薬液洗浄工程を同時に実行している処理ユニット１６の台数を４台から５台に戻す（ステップ２０８）。なお、第２基準時間のカウントの開始は、第１基準時間のカウントの開始と同じ時点であっても良い。

同時処理制限制御の開始から１８０分が経過してもタンク３２内の液位が通常上限液位Ｌ１に達しなかったら（ステップ２０６のＮＯ）、制御装置４は、アラームを発生させ、基板処理装置に異常が生じている旨をオペレータに通知するとともに、基板処理装置の運転を停止する（ステップ２０９）。上記のように、第２実施形態では、液位計５０により検出されたタンク３２内の液位の経時変化に基づいて同時処理制限制御を実行するか否かが決定されている。

上記の第１、第２実施形態においては、工場用力系の状態変動などに起因して液供給部６０が複数の処理ユニット１６で必要とされている量の処理液（希釈薬液）を供給することができない場合に、同時処理制限制御を実行している。このため、基板処理装置は、安定した運転を継続することができる。つまり、タンク３２から処理液が枯渇したことが原因で、１枚のウエハＷに対する処理が中断すること（そのウエハＷは高確率で不良となる）、あるいは、基板処理装置の連続運転を停止せざるを得なくなること、といった事態を防止することができる。タンク３２から処理液が枯渇したことが原因で基板処理装置の連続運転を停止した場合には、再起動を行うために多くの労力が必要となる場合もある。

上記の実施形態においては、タンク３２および循環ライン３４から循環系が形成され、循環ライン３４から処理ユニット１６へと処理液が供給されていたが、これには限定されない。タンク３２に接続された（循環ラインではない）主ライン（図示せず）から分岐する複数の分岐ライン（図示せず）をそれぞれ介して複数の処理ユニット１６へ処理液を供給してもよい。

図２に示す薬液供給系に、各処理ユニット１６でウエハＷに供給された薬液を回収してタンク３２に戻す薬液回収系が設けられていてもよい。この場合も、全ての薬液が再利用されるわけではなく、タンク３２に新しい薬液を定期的に補充する必要はあるため、上記の実施形態は有益である。

ＤＩＷ流量不足に対しては第１実施形態のように対処してもよい。すなわち、例えば、液供給部６０からタンク３２に薬液（原液＋ＤＩＷ）を補充している間に、流量計６４でＤＩＷの流量を検出し、薬液補充期間中におけるＤＩＷ平均流量を求める。そして、流量制御機器６６Ａの状態を最大可能な流量が得られるように設定したとしても、ＤＩＷ平均流量が目標値未満である場合には、目標値に対する偏差を求め、偏差に基づいて最大可能消費レートを求める。そして、最大可能消費レートに基づいて同時処理制限制御を実行するか否かを決定する。

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

Ｗ 基板
４ 制御部（制御装置）
１６ 処理部（処理ユニット）
３２ 貯留部（タンク）
６０ 液供給部
６８Ａ，５０ 検出部（温度センサ、液位計）

Claims (9)

1. 処理液を貯留する貯留部と、
   前記貯留部から供給される前記処理液を使用して基板を液処理する複数の処理部と、
   前記貯留部へ、前記処理液それ自体からなるか、あるいは、前記処理液を調合するための原料液からなる、第１液を少なくとも供給する液供給部と、
   前記液供給部から前記貯留部に供給される前記第１液の温度を検出する検出部と、
   前記複数の処理部に、同じ液処理を順次実行させる制御部と、
   を備え、
   前記制御部は、前記検出部により検出された前記第１液の実際温度の目標温度に対する偏差に基づいて、前記処理部で要求される条件で前記貯留部から予め定められた数の前記処理部に前記処理液を同時に供給し続けることが可能か不可能かを判断し、不可能と判断した場合には、前記貯留部から供給された処理液によって液処理を同時に実行する処理部の数を前記予め定められた数よりも減少させる同時処理制限制御を実行する、基板処理装置。
2. 前記制御部は、前記検出部により検出された前記第１液の実際温度の目標温度に対する偏差に基づいて、前記処理部で要求される処理液温度及び処理液流量で同時に前記処理液を供給しうる前記処理部の数を求め、求められた数まで液処理を同時に実行する処理部の数を減少させる、請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記液供給部は、前記第１液に加えて、前記第１液と異なる第２液を前記貯留部に供給し、前記第１液と前記第２液とが混合されることにより前記処理液が調合される、請求項１または２記載の基板処理装置。
4. 前記液供給部による前記貯留部への前記第１液の供給量が、前記第２液の供給量よりも多い、請求項３記載の基板処理装置。
5. 前記第２液が薬液成分を含み、前記第１液が前記第２液を希釈する希釈液である、請求項３記載の基板処理装置。
6. 前記制御部は、前記同時処理制限制御を、次に基板が搬入されることが予定されている処理部への基板の搬入を遅らせることにより開始する、請求項１から５のうちのいずれか一項に記載の基板処理装置。
7. 前記同時処理制限制御は、前記複数の処理部に順次搬入される複数の基板の搬入間隔を広げることを含む、請求項１から５のうちのいずれか一項に記載の基板処理装置。
8. 前記制御部は、前記同時処理制限制御の必要が無くなったと判断したときに、次に基板が搬入される予定となっている処理部への基板の搬入を直ちに開始する、請求項１から５のうちのいずれか一項に記載の基板処理装置。
9. 処理液を貯留する貯留部と、前記貯留部から供給される前記処理液を使用して基板を液処理する複数の処理部と、前記貯留部へ、前記処理液または前記処理液を調合するための原料液からなる第１液を少なくとも供給する液供給部と、を備えた基板処理装置の運転方法であって、
   前記複数の処理部に、同じ液処理を順次実行させることと、
   前記貯留部に貯留されている前記処理液の液位が減少したら、前記液供給部により前記貯留部に前記処理液を供給することと、
   前記液供給部から前記貯留部に供給される前記第１液の温度を検出することと、
   検出された前記第１液の実際温度の目標温度に対する偏差に基づいて、前記処理部で要求される条件で前記貯留部から予め定められた数の前記処理部に前記処理液を同時に供給し続けることが可能か不可能かを判断し、不可能と判断した場合には、前記貯留部から供給された処理液によって液処理を同時に実行する処理部の数を前記予め定められた数よりも減少させる同時処理制限制御を実行することと、
   を備えた基板処理装置の運転方法。

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