JP2009260171A

JP2009260171A - 基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記録媒体

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Publication number: JP2009260171A
Application number: JP2008110042A
Authority: JP
Inventors: Oumi Hara; 大海原; Hideaki Sato; 藤秀明佐; Takashi Nagai; 井高志永
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2008-04-21
Filing date: 2008-04-21
Publication date: 2009-11-05
Anticipated expiration: 2028-04-21
Also published as: JP4987793B2

Abstract

【課題】基板処理装置を長期間使用したときに加熱部における複数の加熱器または全ての加熱器が同時に使用することができなくなるというトラブルを抑制することができ、また加熱器に断線が生じてしまうことを防止することができる基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記録媒体を提供する。
【解決手段】基板処理装置１に設けられた制御部５０は、各加熱周期において加熱部２４における各加熱器２４ａを予め設定された加熱器オン時間分だけ交互にオンとするよう各加熱器２４ａのオンオフをそれぞれ制御する。この制御部５０は、処理液の温度が予め設定された所定の温度に維持されるようフィードバック制御を行うことにより０〜１の範囲内にある操作量を算出し、加熱器オン時間を操作量で割り算することにより加熱周期の期間を算出する。
【選択図】図２

Description

本発明は、基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記録媒体に関し、とりわけ、基板処理装置を長期間使用したときに加熱部における複数の加熱器または全ての加熱器が同時に使用することができなくなるというトラブルを抑制することができ、また加熱器に断線が生じてしまうことを防止することができる基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記録媒体に関する。

従来より、半導体ウエハやガラス基板等の基板（以下、単にウエハともいう）を純水や薬液等の処理液に浸漬することによってこのウエハを処理する基板処理装置が知られている。このような基板処理装置は、処理液を貯留し、貯留された処理液に例えば５０枚のウエハをまとめて浸漬することにより当該ウエハの処理を行う処理槽と、処理槽から処理液が送られるとともにこの処理液を処理槽内に戻す循環流路とを備えている。

処理槽に貯留される処理液は、ウエハに対する処理を適切に行うために、予め設定された所定の温度に維持されていることが好ましい。このため、循環流路には、当該循環流路で流される処理液の加熱を行う加熱ユニットが設けられており、この加熱ユニットにより循環流路で流される処理液の加熱を行うことによって、処理槽内の処理液を予め設定された所定の温度に維持するようになっている。また、処理槽には、当該処理槽に貯留された処理液の温度を測定する温度測定センサが設けられている。さらに、基板処理装置は、温度測定センサにより測定された処理液の温度に基づいて加熱ユニットを制御する制御部を備えている。この制御部は、温度測定センサにより測定される処理液の温度が予め設定された所定の温度に維持されるよう、加熱ユニットを制御してこの加熱ユニットによる処理液の加熱の度合いを調整するようになっている。

より具体的には、加熱ユニットは、並列に設けられた複数（例えば４つ）のヒーターを有しており、制御部により各ヒーターのオンオフの制御が行われることにより、加熱ユニットによる処理液の加熱の度合いを調整するようになっている。制御部による各ヒーターのオンオフの制御について図９を用いて説明する。図９に示すように、制御部は、各加熱周期において全てのヒーターを同時に一定時間オンとするよう、各ヒーターのオンオフを制御するようになっている。この際に、図９における各加熱周期の期間は予め設定されている。そして、制御部において、温度測定センサにより測定される処理液の温度が予め設定された所定の温度に維持されるよう例えばＰＩＤ制御等のフィードバック制御を行うことにより０〜１の範囲内にあるＭＶ値（操作量）を算出し、予め設定された加熱周期の期間にこのＭＶ値を掛け算することにより各ヒーターのヒーターオン時間（図９参照）を算出するようになっている。

なお、加熱ユニットが複数のヒーターを有するような基板処理装置としては、例えば特許文献１に示すようなものが知られている。

特許第３８６０３５３号

しかしながら、制御部が各ヒーターのオンオフの制御を行うにあたり、図９に示すように各加熱周期において全てのヒーターを同時に一定時間オンとする場合には、基板処理装置を長期間使用することによりヒーターの寿命に達した際に複数のヒーターまたは全てのヒーターが同時に使用することができなくなるおそれがある。複数のヒーターまたは全てのヒーターが同時に使用することができなくなると、加熱ユニットは循環流路で流される処理液の加熱を全く行うことができなくなったり、処理液に対する加熱効果が大幅に小さくなったりするという問題が生じる。

また、加熱ユニットの各ヒーターは、当該ヒーターの内部にあるタングステンが蒸発して消滅したときに断線が生じる。断線が生じるとこのヒーターは使用することができなくなる。ここで、タングステンを蒸発しにくくするためには、ヒーターの使用時に電流値を大きくするとともに、ヒーターのランプ内の温度を高くすることが有効である。ヒーターのランプ内の温度の上昇により、このランプ内の圧力が高まり、タングステンの蒸発を抑制することができる。

より具体的には、ヒーターの内部にあるタングステンの蒸発を抑制するためには、ヒーター内の温度を所定の範囲内の大きさ、具体的には例えば２５０℃〜４００℃の範囲内の大きさとする必要がある。ヒーター内の温度がこの所定の範囲内の大きさとなるためには、１回のヒーターオン時間を所定時間以上、具体的には例えば２秒以上にする必要がある。しかしながら、制御部が各ヒーターのオンオフの制御を行うにあたり、上述のように、まずＰＩＤ制御等のフィードバック制御を行うことにより０〜１の範囲内にあるＭＶ値（操作量）を算出し、予め設定された加熱周期の期間にこのＭＶ値を掛け算することにより各ヒーターのヒーターオン時間を算出した場合には、この算出されたヒーターオン時間が所定時間未満、具体的には例えば２秒未満となってしまうおそれがある。ヒーターオン時間が所定時間よりも短くなってしまう場合には、このヒーターの内部にあるタングステンが蒸発し、ヒーターに断線が生じて使用することができなくなるおそれがあるという問題がある。

本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、各加熱周期において加熱部における各加熱器を加熱器オン時間分だけ交互にオンとするよう各加熱器のオンオフをそれぞれ制御するようになっているので、基板処理装置を長期間使用したときに加熱部における複数の加熱器または全ての加熱器が同時に使用することができなくなるというトラブルを抑制することができ、しかも、加熱器オン時間が予め設定されており、この加熱器オン時間と操作量により加熱周期の期間を算出するようになっているので、加熱器オン時間が所定時間よりも短くなってしまい加熱器に断線が生じてしまうことを防止することができる基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記録媒体を提供することを目的とする。

本発明の基板処理装置は、処理液により基板の処理を行う処理槽と、前記処理槽から処理液が送られるとともにこの処理液を前記処理槽内に戻す循環流路と、前記循環流路に介設され、当該循環流路で流される処理液の加熱を行う加熱部であって、複数の加熱器を有するような加熱部と、前記処理槽における処理液の温度を測定する温度測定部と、前記加熱部の制御を行う制御部であって、各加熱周期において加熱部における各加熱器を予め設定された加熱器オン時間分だけ交互にオンとするよう各加熱器のオンオフをそれぞれ制御するようになっており、前記温度測定部により測定される処理液の温度が予め設定された所定の温度に維持されるようフィードバック制御を行うことにより０〜１の範囲内にある操作量を算出し、前記加熱器オン時間を前記操作量で割り算することにより前記加熱周期の期間を算出するような制御部と、を備えたことを特徴とする。

このような基板処理装置によれば、各加熱周期において加熱部における各加熱器を加熱器オン時間分だけ交互にオンとするよう各加熱器のオンオフをそれぞれ制御するようになっているので、基板処理装置を長期間使用したときに加熱部における複数の加熱器または全ての加熱器が同時に使用することができなくなるというトラブルを抑制することができる。また、加熱器オン時間が予め設定されており、この加熱器オン時間と操作量により加熱周期の期間を算出するようになっているので、加熱器オン時間が所定時間よりも短くなってしまい加熱器に断線が生じてしまうことを防止することができる。

本発明の基板処理装置においては、前記処理槽は、処理液を貯留し、貯留された処理液に基板を浸漬することにより当該基板の処理を行うものであることが好ましい。あるいは、前記処理槽は、当該処理槽に収容された基板の表面に処理液を供給することにより当該基板の処理を行うものであってもよい。

本発明の基板処理装置においては、前記制御部において、前記加熱周期の期間は、各々の加熱周期の完了時に算出されるようになっていてもよい。

本発明の基板処理装置においては、前記制御部において、前記加熱器オン時間は、前記加熱器が加熱器オン時間分だけオンとなったときに当該加熱器内の温度が所定の範囲内の大きさとなるよう、予め設定されていることが好ましい。このことにより、加熱器をオンとしたときに、当該加熱器の内部にあるタングステンが蒸発して消滅し、加熱器に断線が生じることを防止することができるようになる。

本発明の基板処理装置においては、前記制御部において、前記フィードバック制御はＰＩＤ制御であってもよい。

本発明の基板処理装置においては、前記制御部において、前記フィードバック制御を行っている間に外乱が発生したときに、前記加熱周期を一旦リセットするとともに前記制御部により既に算出されている前記加熱周期の期間をリセットし、この外乱の発生時において前記温度測定部により測定された処理液の温度に基づいて操作量を再び算出し、前記加熱器オン時間をこの再び算出された操作量で割り算することにより前記加熱周期の期間を再び算出し、新たな加熱周期の期間を用いて前記加熱周期を再び開始させることが好ましい。あるいは、前記制御部において、前記フィードバック制御を行っている間に外乱が発生したときに、前記加熱部における全ての前記加熱器を所定の時間分だけ同時にオンまたはオフとするよう各加熱器の制御を行うようになっていてもよい。このことにより、外乱の発生により処理槽内の処理液の温度が急激に大きくなったり小さくなったりした場合であっても、処理槽内の処理液の温度を早期に予め設定された所定の温度に戻すことができる。

この場合、前記温度測定部により測定される処理液の温度が予め設定された所定の範囲から外れたとき、あるいは前記制御部により算出される操作量が予め設定された所定の大きさを超えて乖離したときに、前記外乱が発生したと前記制御部により判断されるようになっていてもよい。

本発明の基板処理装置においては、前記制御部において、前記加熱部における複数の加熱器のうち一または複数の加熱器の故障が検出されたときに、前記加熱周期を一旦リセットし、故障が検出されていない残りの前記加熱器を用いて前記加熱周期を再び開始させることが好ましい。このことにより、加熱部における複数の加熱器のうち一または複数の加熱器に断線等による故障が発生した場合であっても、基板処理装置を一旦停止させることなく、引き続き処理槽に貯留される処理液の温度を予め設定された所定の温度に維持させることができる。

本発明の基板処理方法は、処理液により基板の処理を行う処理槽と、前記処理槽から処理液が送られるとともにこの処理液を前記処理槽内に戻す循環流路と、前記循環流路に介設され、当該循環流路で流される処理液の加熱を行う加熱部であって、複数の加熱器を有するような加熱部と、を備え、各加熱周期において加熱部における各加熱器を予め設定された加熱器オン時間分だけ交互にオンとするよう各加熱器のオンオフがそれぞれ制御されるようになっている基板処理装置による基板処理方法であって、処理液の温度が予め設定された所定の温度に維持されるようフィードバック制御を行うことにより０〜１の範囲内にある操作量を算出する工程と、前記加熱器オン時間を前記操作量で割り算することにより前記加熱周期の期間を算出する工程と、前記算出された期間を有する加熱周期において加熱部における各加熱器を予め設定された加熱器オン時間分だけ交互にオンとする工程と、を備えたことを特徴とする。

このような基板処理方法によれば、各加熱周期において加熱部における各加熱器を加熱器オン時間分だけ交互にオンとするよう各加熱器のオンオフをそれぞれ制御するようになっているので、基板処理装置を長期間使用したときに加熱部における複数の加熱器または全ての加熱器が同時に使用することができなくなるというトラブルを抑制することができる。また、加熱器オン時間が予め設定されており、この加熱器オン時間と操作量により加熱周期の期間を算出するようになっているので、加熱器オン時間が所定時間よりも短くなってしまい加熱器に断線が生じてしまうことを防止することができる。

本発明の基板処理方法においては、前記加熱周期の期間は、各々の加熱周期の完了時に算出されるようになっていてもよい。

本発明の基板処理方法においては、前記加熱器オン時間は、前記加熱器が加熱器オン時間分だけオンとなったときに当該加熱器内の温度が所定の範囲内の大きさとなるよう、予め設定されていることが好ましい。このことにより、加熱器をオンとしたときに、当該加熱器の内部にあるタングステンが蒸発して消滅し、加熱器に断線が生じることを防止することができるようになる。

本発明の基板処理方法においては、０〜１の範囲内にある操作量を算出する際に用いられるフィードバック制御はＰＩＤ制御であってもよい。

本発明の基板処理方法においては、前記フィードバック制御を行っている間に外乱が発生したときに、前記加熱周期を一旦リセットするとともに既に算出されている前記加熱周期の期間をリセットし、この外乱の発生時での処理液の温度に基づいて操作量を再び算出し、前記加熱器オン時間をこの再び算出された操作量で割り算することにより前記加熱周期の期間を再び算出し、新たな加熱周期の期間を用いて前記加熱周期を再び開始させることが好ましい。あるいは、前記フィードバック制御を行っている間に外乱が発生したときに、前記加熱部における全ての前記加熱器を所定の時間分だけ同時にオンまたはオフとしてもよい。このことにより、外乱の発生により処理槽内の処理液の温度が急激に大きくなったり小さくなったりした場合であっても、処理槽内の処理液の温度を早期に予め設定された所定の温度に戻すことができる。

この場合、処理液の温度が予め設定された所定の範囲から外れたとき、あるいは操作量が予め設定された所定の大きさを超えて乖離したときに、前記外乱が発生したと判断されるようにしてもよい。

本発明の基板処理方法においては、前記加熱部における複数の加熱器のうち一または複数の加熱器の故障が検出されたときに、前記加熱周期を一旦リセットし、故障が検出されていない残りの前記加熱器を用いて前記加熱周期を再び開始させることが好ましい。このことにより、加熱部における複数の加熱器のうち一または複数の加熱器に断線等による故障が発生した場合であっても、基板処理装置を一旦停止させることなく、引き続き処理槽に貯留される処理液の温度を予め設定された所定の温度に維持させることができる。

本発明のプログラムは、処理液により基板の処理を行う処理槽と、前記処理槽から処理液が送られるとともにこの処理液を前記処理槽内に戻す循環流路と、前記循環流路に介設され、当該循環流路で流される処理液の加熱を行う加熱部であって、複数の加熱器を有するような加熱部と、を備え、各加熱周期において加熱部における各加熱器を予め設定された加熱器オン時間分だけ交互にオンとするよう各加熱器のオンオフがそれぞれ制御されるようになっている基板処理装置の制御コンピュータにより実行することが可能なプログラムであって、当該プログラムを実行することにより、前記制御コンピュータが前記基板処理装置を制御して基板処理方法を実行させるものにおいて、前記基板処理方法が、処理液の温度が予め設定された所定の温度に維持されるようフィードバック制御を行うことにより０〜１の範囲内にある操作量を算出する工程と、前記加熱器オン時間を前記操作量で割り算することにより前記加熱周期の期間を算出する工程と、前記算出された期間を有する加熱周期において加熱部における各加熱器を予め設定された加熱器オン時間分だけ交互にオンとする工程と、を備えたものであることを特徴とする。

本発明の記録媒体は、処理液により基板の処理を行う処理槽と、前記処理槽から処理液が送られるとともにこの処理液を前記処理槽内に戻す循環流路と、前記循環流路に介設され、当該循環流路で流される処理液の加熱を行う加熱部であって、複数の加熱器を有するような加熱部と、を備え、各加熱周期において加熱部における各加熱器を予め設定された加熱器オン時間分だけ交互にオンとするよう各加熱器のオンオフがそれぞれ制御されるようになっている基板処理装置の制御コンピュータにより実行することが可能なプログラムが記録された記録媒体であって、当該プログラムを実行することにより、前記制御コンピュータが前記基板処理装置を制御して基板処理方法を実行させるものにおいて、前記基板処理方法が、処理液の温度が予め設定された所定の温度に維持されるようフィードバック制御を行うことにより０〜１の範囲内にある操作量を算出する工程と、前記加熱器オン時間を前記操作量で割り算することにより前記加熱周期の期間を算出する工程と、前記算出された期間を有する加熱周期において加熱部における各加熱器を予め設定された加熱器オン時間分だけ交互にオンとする工程と、を備えたものであることを特徴とする。

本発明の基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記録媒体によれば、基板処理装置を長期間使用したときに加熱部における複数の加熱器または全ての加熱器が同時に使用することができなくなるというトラブルを抑制することができ、また加熱器に断線が生じてしまうことを防止することができる。

以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。まず、図１により、本実施の形態におけるバッチ式の基板処理装置の全体の構成について説明する。

図１に示すように、バッチ式の基板処理装置１は、純水や薬液等の処理液を貯留し、貯留された処理液に例えば５０枚の半導体ウエハやガラス基板等の基板（以下、単にウエハともいう）Ｗをまとめて浸漬することにより当該ウエハＷの処理を行う処理槽１０と、処理槽１０から処理液が送られるとともにこの処理液を処理槽１０内に戻す循環流路２０とを備えている。また、基板処理装置１には、当該基板処理装置１の各構成要素の制御を行う制御部５０が設けられている。

処理槽１０の周囲にはオーバーフロー槽１２が設けられており、処理槽１０からあふれた処理液はオーバーフロー槽１２に送られるようになっている。図１に示すように、オーバーフロー槽１２に送られた処理液も循環流路２０に送られるようになっている。また、処理槽１０内には、当該処理槽１０内に処理液を供給するための例えば処理液供給ノズルからなる処理液供給部１４が設けられている。この処理液供給部１４は循環流路２０の下流端に接続されている。さらに、処理槽１０内には、当該処理槽１０に貯留された処理液の温度を測定する温度測定センサ１６が設けられている。この温度測定センサ１６による処理液の温度の測定結果は制御部５０に送られるようになっている。

循環流路２０には、循環ポンプ２２、加熱ユニット２４、フィルター２６、流量計２８がそれぞれ上流側から順に設けられている。循環ポンプ２２は、処理槽１０に貯留された処理液を引き抜くとともに、この処理液を循環流路２０内で搬送し、処理液供給部１４から処理液を再び処理槽１０内に戻すようになっている。この循環ポンプ２２は制御部５０によりその動作が制御されるようになっている。

加熱ユニット２４は、例えば４つの並列に設けられたヒーター２４ａを有しており、各ヒーター２４ａにより循環流路２０で流される処理液の加熱を行うようになっている。以下、これらの４つのヒーター２４ａを「ヒーター１」〜「ヒーター４」とする（図２等参照）。各ヒーター２４ａは制御部５０によりオンオフがそれぞれ他のヒーター２４ａから独立して制御されるようになっている。このような制御部５０による各ヒーター２４ａのオンオフの制御については後述する。

図１に示すように、循環流路２０には、２つのフィルター２６が並列に設けられており、循環流路２０で流れる処理液の濾過を行うようになっている。ここで、２つのフィルター２６が並列に設けられているので、一方のフィルター２６を交換する場合や、一方のフィルター２６に目詰まりが発生した場合において、他方のフィルター２６により循環流路２０で流れる処理液の濾過を行うことができるようになる。

流量計２８は、循環流路２０で流れる処理液の流量を測定するようになっている。この流量計２８による処理液の流量の測定結果は制御部５０に送られるようになっている。

また、基板処理装置１には、過酸化水素水（Ｈ_２Ｏ_２）を貯留する過酸化水素水貯留槽３０および当該過酸化水素水貯留槽３０から過酸化水素水をオーバーフロー槽１２に供給する供給管３２がそれぞれ設けられている。過酸化水素水貯留槽３０から供給管３２に送られた過酸化水素水はオーバーフロー槽１２内に送られるようになっている。オーバーフロー槽１２に供給された過酸化水素水は、循環流路２０を経て処理槽１０内に送られることとなる。また、この供給管３２は途中で分岐しており、供給管３２から分岐した分岐管３４は、流量計２８よりも下流側における循環流路２０に接続されている。ここで、分岐管３４には補充ポンプ３６が介設されており、この補充ポンプ３６は制御部５０によりその動作が制御されるようになっている。このような分岐管３４および補充ポンプ３６が設けられていることにより、過酸化水素水貯留槽３０から供給管３２に送られた過酸化水素水を、分岐管３４から、流量計２８よりも下流側における循環流路２０に送ることができるようになり、処理槽１０内への過酸化水素水の供給経路を短縮することができる。

また、基板処理装置１には、硫酸（Ｈ_２ＳＯ_４）を貯留する硫酸貯留槽４０および当該硫酸貯留槽４０から硫酸を処理槽１０に供給する供給管４２がそれぞれ設けられている。硫酸貯留槽４０から供給管４２に送られた硫酸は処理槽１０内に送られるようになっている。

制御部５０は、基板処理装置１の各構成要素に接続され、各構成要素の動作を制御するようになっている。具体的には、制御部５０には、温度測定センサ１６による処理槽１０内の処理液の温度の測定結果や、流量計２８による循環流路２０で流される処理液の流量の測定結果が送られるようになっている。また、制御部５０は、循環ポンプ２２、加熱ユニット２４の各ヒーター２４ａ、補充ポンプ３６の動作を制御するようになっている。更に具体的には、制御部５０は、温度測定センサ１６により測定される処理液の温度が予め設定された所定の温度に維持されるよう、加熱ユニット２４の各ヒーター２４ａのオンオフをそれぞれ制御するようになっている。

本実施の形態において、制御部５０は、ＣＰＵからなる制御コンピュータ５１と、この制御コンピュータ５１に接続された記録媒体５２とを有している。記録媒体５２には、後述するウエハＷの処理方法を実行するためのプログラムが、各種の設定データ等とともに格納されている。記録媒体５２は、ＲＯＭやＲＡＭなどのメモリー、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭなどのディスク状記録媒体、その他の公知な記録媒体から構成され得るが、記録媒体５２として、基板処理装置１の制御コンピュータ５１により実行することが可能なプログラムを記録することができるものであればどのような種類のものでも用いることができる。

次に、このような構成からなる基板処理装置１の動作について説明する。

まず、硫酸貯留槽４０から硫酸が供給管４２を介して処理槽１０内に送られる。また、過酸化水素水貯留槽３０から過酸化水素水が供給管３２を介してオーバーフロー槽１２内に送られる。これらの硫酸や過酸化水素水が処理液として用いられる。処理槽１０からあふれた処理液は、オーバーフロー槽１２に送られるようになっている。また、処理槽１０やオーバーフロー槽１２から処理液が循環流路２０に送られ、この処理液は循環ポンプ２２により循環流路２０内を搬送させられ、処理液供給部１４から再び処理槽１０内に戻される。この際に、循環流路２０を流れる処理液は加熱ユニット２４の各ヒーター２４ａにより加熱させられる。また、循環流路２０を流れる処理液はフィルター２６により濾過させられ、不純物が処理液から除去される。また、循環流路２０を流れる処理液は流量計２８によりその流量が測定される。

そして、処理槽１０に貯留された処理液に、例えば５０枚のウエハＷをまとめて浸漬することにより、これらのウエハＷの薬液処理を行う。この際に、処理液の温度が、予め設定された所定の温度が維持されていることが望ましい。

次に、処理槽１０における処理液の温度を予め設定された所定の温度に維持する方法について図２乃至図７を用いて以下に説明する。このような、処理槽１０における処理液の温度の調整は、前述のように、制御部５０が、温度測定センサ１６による処理液の温度の測定結果に基づいて加熱ユニット２４の各ヒーター２４ａのオンオフをそれぞれ制御することにより行われる。

図２に示すように、制御部５０は、各加熱周期において加熱ユニット２４における各ヒーター２４ａを予め設定された所定のヒーターオン時間分だけ交互にオンとするよう各ヒーター２４ａのオンオフを制御するようになっている。ここで、ヒーターオン時間は、ヒーター２４ａがヒーターオン時間分だけオンとなったときにこのヒーター２４ａ内の温度が所定の範囲内、具体的には例えば２５０℃〜４００℃の範囲内の大きさとなるよう、予め設定されている。

図２に示すように、各ヒーター２４ａのオンオフの制御における一の加熱周期において、まず「ヒーター１」がオンとされ、一定時間経過後に「ヒーター２」がオンとされ、さらに一定時間経過後に「ヒーター３」がオンとされ、さらに一定時間経過後に「ヒーター４」がオンとされる。一の加熱周期における「ヒーター１〜４」のヒーターオン時間は略同一となっている。そして、４つのヒーター２４ａのうち最後にオンとなった「ヒーター４」がオフとされる時間が、一の加熱周期の完了時と略一致している。図２に示すような、制御部５０による各ヒーター２４ａのオンオフの制御において、複数のヒーター２４ａがオンとされる期間ができるだけ重複しないよう、各ヒーター２４ａのオンオフが制御されるようになっている。

図２に示すような各ヒーター２４ａのオンオフの制御において、温度測定センサ１６により測定される処理液の温度が予め設定された所定の温度に維持されるよう、例えばＰＩＤ制御等のフィードバック制御を行うことにより０〜１の範囲内にあるＭＶ値（操作量）を算出する。そして、予め設定された所定のヒーターオン時間を、ＭＶ値で割り算することにより、加熱周期の期間を算出する。具体的には、図２に示すように、予め設定された所定のヒーターオン時間が２秒であり、フィードバック制御により算出されたＭＶ値が０．２５である場合には、加熱周期の期間は８秒となる。

ここで、制御部５０においてＭＶ値の算出は経時的（連続的）に行われるようになっている。一方、加熱周期の期間は、各々の加熱周期の完了時に算出されるようになっている。なお、加熱周期の期間の算出は、各々の加熱周期の完了時に限定されることはなく、各々の加熱周期の途中でこのような加熱周期の期間の算出を行うようになっていてもよい。また、後述のように、一の加熱周期が終了する前に、制御部５０により算出されたＭＶ値が予め設定された所定の大きさ（例えば、０．０５）を超えて乖離したときや、ヒーター２４ａの断線等による故障が検出されたときに、加熱周期の期間の算出を改めて行うようになっていてもよい。

温度測定センサ１６により測定された処理槽１０内の処理液の温度が予め設定された所定の温度よりも大きく、フィードバック制御により算出されたＭＶ値が０．２５よりも小さい例えば０．１２５となった場合には、図３に示すように、ヒーターオン時間Ｔａは一定（例えば２秒）であるが、加熱周期の期間は１６秒（＝２秒÷０．１２５）となる。このことにより、一のヒーター２４ａ（例えば「ヒーター１」）がオンとなってから次のヒーター２４ａ（例えば「ヒーター２」）がオンとなるまでの時間Ｔｂは４秒となり、一のヒーター２４ａ（例えば「ヒーター１」）がオフとなった後２秒間は全てのヒーター２４ａがオフとなっている。図３に示すような各ヒーター２４ａのオンオフの制御では、加熱ユニット２４による処理液に対する加熱の度合いが比較的小さくなるので、処理槽１０内の処理液の温度が下がることとなる。

一方、温度測定センサ１６により測定された処理槽１０内の処理液の温度が予め設定された所定の温度よりも小さく、フィードバック制御により算出されたＭＶ値が０．２５よりも大きい例えば０．６２５となった場合には、図４に示すように、ヒーターオン時間Ｔａは一定（例えば２秒）であるが、加熱周期の期間は３．２秒（＝２秒÷０．６２５）となる。このことにより、一のヒーター２４ａ（例えば「ヒーター１」）がオンとなってから次のヒーター２４ａ（例えば「ヒーター２」）がオンとなるまでの時間Ｔｂは０．４秒となり、複数のヒーター２４ａがオンとされる期間が重複することとなる。図４に示すような各ヒーター２４ａのオンオフの制御では、加熱ユニット２４による処理液に対する加熱の度合いが比較的大きくなるので、処理槽１０内の処理液の温度が上がることとなる。

次に、図５を用いて、加熱ユニット２４により処理液を加熱する前の状態から、この加熱ユニット２４により処理液を加熱して当該処理液の温度を予め設定された所定の温度に維持させたときの、処理槽１０内に貯留された処理液の温度の経時的な変化について説明する。図５のグラフにおいて、横軸は加熱ユニット２４により処理液を加熱し始めてからの時間を示し、縦軸は温度測定センサ１６により測定された処理槽１０内の処理液の温度を示す。

まず、制御部５０は、加熱ユニット２４により処理液を加熱し始める際に、全てのヒーター２４ａを予め設定された所定の時間分だけ同時にオンとするよう各ヒーター２４ａの制御を行う。このことにより、処理槽１０内の処理液の温度が急激に上昇する。そして、加熱ユニット２４により処理液を加熱し始めてから所定の時間が経過した後に、制御部５０により、各加熱周期において加熱ユニット２４における各ヒーター２４ａを交互にオンとするよう各ヒーター２４ａのオンオフが制御される。このことにより、図５に示すように、温度測定センサ１６により測定された処理槽１０内の処理液の温度が、予め設定された所定の温度Ｔに維持される。なお、加熱ユニット２４により処理液を加熱し始める際に、上述のような各ヒーター２４ａの制御を行う代わりに、加熱ユニット２４による処理液の加熱開始時から、制御部５０により、各加熱周期において加熱ユニット２４における各ヒーター２４ａを交互にオンとするよう各ヒーター２４ａのオンオフを制御してもよい。

その後、図５の符号Ａに示すように、外乱の発生により、温度測定センサ１６により測定された処理槽１０内の処理液の温度が大幅に低下する場合がある。このような外乱の発生は、処理槽１０やオーバーフロー槽１２に硫酸や過酸化水素水を新たに補充したり、処理槽１０に貯留された処理液に新たにウエハＷを浸漬させたりした場合に生じる。制御部５０において、このような外乱の発生は、温度測定センサ１６により測定される処理液の温度が予め設定された所定の範囲から外れることにより、あるいは制御部５０により算出されるＭＶ値が予め設定された所定の大きさ（例えば、０．０５）を超えて乖離することにより、判断されるようになっている。

制御部５０において、フィードバック制御を行っている間に外乱が発生したときに、図２に示すような加熱周期を一旦リセットするとともに制御部５０により既に算出されている加熱周期の期間をリセットするようになっている。そして、この外乱の発生時において温度測定センサ１６により測定された処理液の温度に基づいてＭＶ値を再び算出し、ヒーターオン時間をこの再び算出されたＭＶ値で割り算することにより加熱周期の期間を再び算出し、新たな加熱周期の期間を用いて図２に示すような加熱周期を再び開始させる。このことにより、外乱の発生により処理槽１０内の処理液の温度が急激に大きくなったり小さくなったりした場合であっても、外乱が発生した後の処理槽１０内の処理液の温度に基づいてＭＶ値およびヒーターオン時間を再び算出し、新たな加熱周期の期間を用いて加熱周期を再び開始させるので、処理槽１０内の処理液の温度を早期に予め設定された所定の温度（図５における温度Ｔ）に戻すことができる。

なお、フィードバック制御を行っている間に外乱が発生したときの、制御部５０による各ヒーター２４ａのオンオフの制御方法は上述のような方法に限定されることはない。例えば、制御部５０において、フィードバック制御を行っている間に外乱が発生したときに、加熱ユニット２４における全てのヒーター２４ａを所定の時間分だけ同時にオンまたはオフとするよう各ヒーター２４ａの制御を行ってもよい。具体的には、図５に示すように、処理槽１０内の処理液の温度が予め設定された所定の温度よりも急激に小さくなった場合には、全てのヒーター２４ａを所定の時間分だけ同時にオンとすることにより、処理槽１０内の処理液の温度を急激に上昇させてこの処理槽１０内の処理液の温度を早期に予め設定された所定の温度（図５における温度Ｔ）に戻すことができる。一方、処理槽１０内の処理液の温度が予め設定された所定の温度よりも急激に大きくなった場合には、全てのヒーター２４ａを所定の時間分だけ同時にオフとすることにより、処理槽１０内の処理液の温度を急激に低下させてこの処理槽１０内の処理液の温度を早期に予め設定された所定の温度（図５における温度Ｔ）に戻すことができる。

次に、加熱ユニット２４における複数のヒーター２４ａのうち一または複数のヒーター２４ａの断線等による故障が検出された場合について図６を用いて説明する。図６は、加熱周期の途中で「ヒーター３」が故障したときの各ヒーター２４ａのオンオフの制御を示す説明図である。このようなヒーター２４ａの故障の検出は、当該ヒーター２４ａに供給される電流値を測定し続け、この電流値に異常が生じたことを検出することにより行われる。

図６において、制御部５０により、各加熱周期において加熱ユニット２４における各ヒーター２４ａを予め設定された所定のヒーターオン時間分だけ交互にオンとするよう各ヒーター２４ａのオンオフが制御されている。ここで、図６の符号Ｂに示すように、加熱周期の途中で「ヒーター３」が故障したことが検出され、この情報が制御部５０に送られたときには、図６に示すように、この加熱周期を一旦リセットし、故障が検出されていない残りのヒーター２４ａ（すなわち、「ヒーター１、２、４」）を用いて加熱周期を再び開始させる。この際に、ヒーター２４ａの数が４つから３つになることにより、一のヒーター２４ａ（例えば「ヒーター１」）がオンとなってから次のヒーター２４ａ（例えば「ヒーター２」）がオンとなるまでの時間が例えば４秒から５．３秒となる。このような制御を行うことにより、加熱ユニット２４における複数のヒーター２４ａのうち一または複数のヒーター２４ａに断線等による故障が発生した場合であっても、基板処理装置１を一旦停止させることなく、引き続き処理槽１０に貯留される処理液の温度を予め設定された所定の温度に維持させることができる。

次に、制御部５０による各ヒーター２４ａのオンオフの制御の一例およびこの例におけるＭＶ値（操作量）の経時的な変化について図７を用いて説明する。図７の上段部分は、制御部５０による各ヒーター２４ａのオンオフの制御を示し、図７の下段部分は、制御部５０により算出されるＭＶ値の経時的な変化を示している。

図７において、制御部５０により、各加熱周期において加熱ユニット２４における各ヒーター２４ａを予め設定された所定のヒーターオン時間分だけ交互にオンとするよう各ヒーター２４ａのオンオフが制御されている。ここで、図７の符号Ｃに示すように、一の加熱周期において、処理槽１０に貯留される処理液の温度が急激に低下し、この加熱周期が終了する前に、制御部５０により算出されたＭＶ値が予め設定された所定の大きさ（例えば、０．０５）を超えて大きくなったときには、この加熱周期を一旦リセットするとともに制御部５０により既に算出されている加熱周期の期間（例えば、１６秒）をリセットする。そして、このリセット時において温度測定センサ１６により測定された処理液の温度に基づいてＭＶ値を再び算出し、ヒーターオン時間をこの再び算出されたＭＶ値で割り算することにより加熱周期の期間を再び算出し、新たな加熱周期の期間を用いて加熱周期を再び開始させる。図７に示すような場合、再び算出されたＭＶ値は０．３となり、加熱周期の期間は６．６７秒となる。

その後、図７の符号Ｄに示すように、再び、各加熱周期において加熱ユニット２４における各ヒーター２４ａを予め設定された所定のヒーターオン時間分だけ交互にオンとするよう各ヒーター２４ａのオンオフが制御されるようになる。この際に、処理槽１０に貯留される処理液の温度が徐々に上昇することにより、制御部５０により算出されるＭＶ値は徐々に小さくなる。

そして、図７の符号Ｅに示すように、加熱周期の途中で「ヒーター３」が故障したことが検出され、この情報が制御部５０に送られたときには、図７に示すように、この加熱周期を一旦リセットし、故障が検出されていない残りのヒーター２４ａ（すなわち、「ヒーター１、２、４」）を用いて加熱周期を再び開始させる。この際に、ヒーター２４ａの数が４つから３つになることにより、一のヒーター２４ａ（例えば「ヒーター１」）がオンとなってから次のヒーター２４ａ（例えば「ヒーター２」）がオンとなるまでの時間が例えば４秒から５．３秒となる。

その後、制御部５０が各ヒーター２４ａのオンオフを適切に制御することにより、処理槽１０に貯留された処理液の温度が再び予め設定された所定の温度に維持されるようになる。

以上のように本実施の形態の基板処理装置１および基板処理方法によれば、各加熱周期において加熱ユニット２４における各ヒーター２４ａをヒーターオン時間分だけ交互にオンとするよう各ヒーター２４ａのオンオフをそれぞれ制御するようになっているので、基板処理装置１を長期間使用したときに加熱ユニット２４における複数のヒーター２４ａまたは全てのヒーター２４ａが同時に使用することができなくなるというトラブルを抑制することができる。また、ヒーターオン時間が予め設定されており、このヒーターオン時間とＭＶ値（操作量）により加熱周期の期間を算出するようになっているので、ヒーターオン時間が所定時間よりも短くなってしまいヒーター２４ａに断線が生じてしまうことを防止することができる。

また、制御部５０において、ヒーターオン時間は、ヒーター２４ａがヒーターオン時間分だけオンとなったときに当該ヒーター２４ａ内の温度が所定の範囲内の大きさとなるよう、予め設定されている。このため、ヒーター２４ａをオンとしたときに、当該ヒーター２４ａの内部にあるタングステンが蒸発して消滅し、ヒーター２４ａに断線が生じることを防止することができるようになる。

また、制御部５０において、フィードバック制御を行っている間に外乱が発生したときに、加熱周期を一旦リセットするとともに制御部５０により既に算出されている加熱周期の期間をリセットし、この外乱の発生時において温度測定センサ１６により測定された処理液の温度に基づいてＭＶ値を再び算出し、ヒーターオン時間をこの再び算出されたＭＶ値で割り算することにより加熱周期の期間を再び算出し、新たな加熱周期の期間を用いて加熱周期を再び開始させるようになっている。あるいは、制御部５０において、フィードバック制御を行っている間に外乱が発生したときに、加熱ユニット２４における全てのヒーター２４ａを所定の時間分だけ同時にオンとするよう各ヒーター２４ａの制御を行うようになっている。このことにより、外乱の発生により処理槽１０内の処理液の温度が急激に大きくなったり小さくなったりした場合であっても、処理槽１０内の処理液の温度を早期に予め設定された所定の温度（図５における温度Ｔ）に戻すことができる。

また、制御部５０において、加熱ユニット２４における複数のヒーター２４ａのうち一または複数のヒーター２４ａの故障が検出されたときに、加熱周期を一旦リセットし、故障が検出されていない残りのヒーター２４ａを用いて加熱周期を再び開始させるようになっている。このことにより、加熱ユニット２４における複数のヒーター２４ａのうち一または複数のヒーター２４ａに断線等による故障が発生した場合であっても、基板処理装置１を一旦停止させることなく、引き続き処理槽１０に貯留される処理液の温度を予め設定された所定の温度に維持させることができる。

なお、本発明による基板処理装置および基板処理方法は、上記の態様に限定されるものではなく、様々の変更を加えることができる。例えば、基板処理装置として、図１に示すようなバッチ式のものを使用する代わりに、枚葉式の基板処理装置を用いてもよい。図８により、枚葉式の基板処理装置の全体の構成について説明する。なお、図８に示す基板処理装置６１において、図１に示す基板処理装置１と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。

図８に示すように、バッチ式の基板処理装置６１は、ウエハＷを１枚ずつ処理する処理槽７０を備えている。この処理槽７０は、ウエハチャック７０ａ上に略水平方向に載置されたウエハＷの表面に処理液を供給することにより当該ウエハＷの処理を行うようになっている。処理槽７０の内部には処理液供給ノズル７０ｂが設けられており、この処理液供給ノズル７０ｂからウエハＷの表面に処理液が供給されるようになっている。この処理液供給ノズル７０ｂは、循環流路２０の下流端に接続されている。また、図８に示すように、循環流路２０における流量計２８の下流側には、処理液を貯留する貯留槽７２が介設されている。そして、循環流路２０を流れる処理液は一旦貯留槽７２で貯留され、この貯留槽７２から処理液が処理液供給ノズル７０ｂに送られるようになっている。さらに、貯留槽７２内には、当該貯留槽７２に貯留された処理液の温度を測定する温度測定センサ７６が設けられている。この温度測定センサ７６による処理液の温度の測定結果は制御部８０に送られるようになっている。ここで、貯留槽７２に貯留される処理液の温度と、この貯留槽７２から処理液供給ノズル７０ｂを介してウエハＷの表面に供給される処理液の温度とは略同一となっているので、温度測定センサ７６によって貯留槽７２に貯留された処理液の温度を測定することにより、処理槽７０における処理液の温度を測定することができる。

循環ポンプ２２は、処理槽１０に貯留された処理液を引き抜くとともに、この処理液を循環流路２０内で搬送し、貯留槽７２を経て処理液供給ノズル７０ｂに処理液を送るようになっている。この循環ポンプ２２は制御部８０によりその動作が制御されるようになっている。

制御部８０は、基板処理装置６１の各構成要素に接続され、各構成要素の動作を制御するようになっている。具体的には、制御部８０には、温度測定センサ７６による、貯留槽７２内の処理液の温度の測定結果が送られるようになっている。また、制御部８０は、温度測定センサ７６により測定される処理液の温度が予め設定された所定の温度に維持されるよう、加熱ユニット２４の各ヒーター２４ａのオンオフをそれぞれ制御するようになっている。制御部８０による各ヒーター２４ａのオンオフの制御方法は、前述のような図１に示す制御部５０による各ヒーター２４ａのオンオフの制御方法と同一となっている。

図８に示すような基板処理装置６１においても、各加熱周期において加熱ユニット２４における各ヒーター２４ａを交互にオンとするよう各ヒーター２４ａのオンオフをそれぞれ制御することにより、基板処理装置６１を長期間使用したときに加熱ユニット２４における複数のヒーター２４ａまたは全てのヒーター２４ａが同時に使用することができなくなるというトラブルを抑制することができる。また、ヒーターオン時間を予め設定し、このヒーターオン時間とＭＶ値（操作量）により加熱周期の期間を算出することにより、ヒーターオン時間が所定時間よりも短くなってしまいヒーター２４ａに断線が生じてしまうことを防止することができる。

本発明による基板処理装置の全体の構成を示す概略構成図である。図１に示す基板処理装置における、制御部による各ヒーターのオンオフの制御を示す説明図であり、ＭＶ値（操作量）が０．２５であるときの各ヒーターのオンオフの制御を示す説明図である。図１に示す基板処理装置における、制御部による各ヒーターの他のオンオフの制御を示す説明図であり、ＭＶ値（操作量）が０．１２５であるときの各ヒーターのオンオフの制御を示す説明図である。図１に示す基板処理装置における、制御部による各ヒーターの更に他のオンオフの制御を示す説明図であり、ＭＶ値（操作量）が０．６２５であるときの各ヒーターのオンオフの制御を示す説明図である。図１に示す基板処理装置における、処理槽内に貯留された処理液の温度の経時的な変化を示すグラフである。図１に示す基板処理装置における、制御部による各ヒーターのオンオフの制御を示す説明図であって、加熱周期の途中で「ヒーター３」が故障したときの各ヒーターのオンオフの制御を示す説明図である。図１に示す基板処理装置における、制御部による各ヒーターのオンオフの制御の一例およびこの例におけるＭＶ値（操作量）の経時的な変化を示す説明図である。本発明による他の基板処理装置の全体の構成を示す概略構成図である。従来の基板処理装置における、制御部による各ヒーターのオンオフの制御を示す説明図である。

符号の説明

１基板処理装置
１０処理槽
１２オーバーフロー槽
１４処理液供給部
１６温度測定センサ
２０循環流路
２２循環ポンプ
２４加熱ユニット
２４ａヒーター
２６フィルター
２８流量計
３０過酸化水素水貯留槽
３２供給管
３４分岐管
３６補充ポンプ
４０硫酸貯留槽
４２供給管
５０制御部
５１制御コンピュータ
５２記録媒体
６１基板処理装置
７０処理槽
７０ａウエハチャック
７０ｂ処理液供給ノズル
７２貯留槽
７６温度測定センサ
８０制御部

Claims

処理液により基板の処理を行う処理槽と、
前記処理槽から処理液が送られるとともにこの処理液を前記処理槽内に戻す循環流路と、
前記循環流路に介設され、当該循環流路で流される処理液の加熱を行う加熱部であって、複数の加熱器を有するような加熱部と、
前記処理槽における処理液の温度を測定する温度測定部と、
前記加熱部の制御を行う制御部であって、各加熱周期において加熱部における各加熱器を予め設定された加熱器オン時間分だけ交互にオンとするよう各加熱器のオンオフをそれぞれ制御するようになっており、前記温度測定部により測定される処理液の温度が予め設定された所定の温度に維持されるようフィードバック制御を行うことにより０〜１の範囲内にある操作量を算出し、前記加熱器オン時間を前記操作量で割り算することにより前記加熱周期の期間を算出するような制御部と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
前記処理槽は、処理液を貯留し、貯留された処理液に基板を浸漬することにより当該基板の処理を行うものであることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
前記処理槽は、当該処理槽に収容された基板の表面に処理液を供給することにより当該基板の処理を行うものであることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
前記制御部において、前記加熱周期の期間は、各々の加熱周期の完了時に算出されるようになっていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記制御部において、前記加熱器オン時間は、前記加熱器が加熱器オン時間分だけオンとなったときに当該加熱器内の温度が所定の範囲内の大きさとなるよう、予め設定されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記制御部において、前記フィードバック制御はＰＩＤ制御であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記制御部において、前記フィードバック制御を行っている間に外乱が発生したときに、前記加熱周期を一旦リセットするとともに前記制御部により既に算出されている前記加熱周期の期間をリセットし、この外乱の発生時において前記温度測定部により測定された処理液の温度に基づいて操作量を再び算出し、前記加熱器オン時間をこの再び算出された操作量で割り算することにより前記加熱周期の期間を再び算出し、新たな加熱周期の期間を用いて前記加熱周期を再び開始させることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記制御部において、前記フィードバック制御を行っている間に外乱が発生したときに、前記加熱部における全ての前記加熱器を所定の時間分だけ同時にオンまたはオフとするよう各加熱器の制御を行うことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記温度測定部により測定される処理液の温度が予め設定された所定の範囲から外れたとき、あるいは前記制御部により算出される操作量が予め設定された所定の大きさを超えて乖離したときに、前記外乱が発生したと前記制御部により判断されるようになっていることを特徴とする請求項７または８記載の基板処理装置。
前記制御部において、前記加熱部における複数の加熱器のうち一または複数の加熱器の故障が検出されたときに、前記加熱周期を一旦リセットし、故障が検出されていない残りの前記加熱器を用いて前記加熱周期を再び開始させることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
処理液により基板の処理を行う処理槽と、前記処理槽から処理液が送られるとともにこの処理液を前記処理槽内に戻す循環流路と、前記循環流路に介設され、当該循環流路で流される処理液の加熱を行う加熱部であって、複数の加熱器を有するような加熱部と、を備え、各加熱周期において加熱部における各加熱器を予め設定された加熱器オン時間分だけ交互にオンとするよう各加熱器のオンオフがそれぞれ制御されるようになっている基板処理装置による基板処理方法であって、
処理液の温度が予め設定された所定の温度に維持されるようフィードバック制御を行うことにより０〜１の範囲内にある操作量を算出する工程と、
前記加熱器オン時間を前記操作量で割り算することにより前記加熱周期の期間を算出する工程と、
前記算出された期間を有する加熱周期において加熱部における各加熱器を予め設定された加熱器オン時間分だけ交互にオンとする工程と、
を備えたことを特徴とする基板処理方法。
前記加熱周期の期間は、各々の加熱周期の完了時に算出されることを特徴とする請求項１１記載の基板処理方法。
前記加熱器オン時間は、前記加熱器が加熱器オン時間分だけオンとなったときに当該加熱器内の温度が所定の範囲内の大きさとなるよう、予め設定されていることを特徴とする請求項１１または１２に記載の基板処理方法。
０〜１の範囲内にある操作量を算出する際に用いられるフィードバック制御はＰＩＤ制御であることを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
前記フィードバック制御を行っている間に外乱が発生したときに、前記加熱周期を一旦リセットするとともに既に算出されている前記加熱周期の期間をリセットし、この外乱の発生時での処理液の温度に基づいて操作量を再び算出し、前記加熱器オン時間をこの再び算出された操作量で割り算することにより前記加熱周期の期間を再び算出し、新たな加熱周期の期間を用いて前記加熱周期を再び開始させることを特徴とする請求項１１乃至１４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
前記フィードバック制御を行っている間に外乱が発生したときに、前記加熱部における全ての前記加熱器を所定の時間分だけ同時にオンまたはオフとすることを特徴とする請求項１１乃至１４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
処理液の温度が予め設定された所定の範囲から外れたとき、あるいは操作量が予め設定された所定の大きさを超えて乖離したときに、前記外乱が発生したと判断されることを特徴とする請求項１５または１６記載の基板処理方法。
前記加熱部における複数の加熱器のうち一または複数の加熱器の故障が検出されたときに、前記加熱周期を一旦リセットし、故障が検出されていない残りの前記加熱器を用いて前記加熱周期を再び開始させることを特徴とする請求項１１乃至１７のいずれか一項に記載の基板処理方法。
処理液により基板の処理を行う処理槽と、前記処理槽から処理液が送られるとともにこの処理液を前記処理槽内に戻す循環流路と、前記循環流路に介設され、当該循環流路で流される処理液の加熱を行う加熱部であって、複数の加熱器を有するような加熱部と、を備え、各加熱周期において加熱部における各加熱器を予め設定された加熱器オン時間分だけ交互にオンとするよう各加熱器のオンオフがそれぞれ制御されるようになっている基板処理装置の制御コンピュータにより実行することが可能なプログラムであって、当該プログラムを実行することにより、前記制御コンピュータが前記基板処理装置を制御して基板処理方法を実行させるものにおいて、
前記基板処理方法が、
処理液の温度が予め設定された所定の温度に維持されるようフィードバック制御を行うことにより０〜１の範囲内にある操作量を算出する工程と、
前記加熱器オン時間を前記操作量で割り算することにより前記加熱周期の期間を算出する工程と、
前記算出された期間を有する加熱周期において加熱部における各加熱器を予め設定された加熱器オン時間分だけ交互にオンとする工程と、
を備えたものであることを特徴とするプログラム。
処理液により基板の処理を行う処理槽と、前記処理槽から処理液が送られるとともにこの処理液を前記処理槽内に戻す循環流路と、前記循環流路に介設され、当該循環流路で流される処理液の加熱を行う加熱部であって、複数の加熱器を有するような加熱部と、を備え、各加熱周期において加熱部における各加熱器を予め設定された加熱器オン時間分だけ交互にオンとするよう各加熱器のオンオフがそれぞれ制御されるようになっている基板処理装置の制御コンピュータにより実行することが可能なプログラムが記録された記録媒体であって、当該プログラムを実行することにより、前記制御コンピュータが前記基板処理装置を制御して基板処理方法を実行させるものにおいて、
前記基板処理方法が、
処理液の温度が予め設定された所定の温度に維持されるようフィードバック制御を行うことにより０〜１の範囲内にある操作量を算出する工程と、
前記加熱器オン時間を前記操作量で割り算することにより前記加熱周期の期間を算出する工程と、
前記算出された期間を有する加熱周期において加熱部における各加熱器を予め設定された加熱器オン時間分だけ交互にオンとする工程と、
を備えたものであることを特徴とする記録媒体。