KR20170017806A - 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기억 매체 - Google Patents

기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기억 매체 Download PDF

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

의도하는 효과에 따른 양태로 과산화수소 공급을 행한다.
기판 액처리 장치는, 황산과 과산화수소수의 혼합액이 저류되고, 저류된 혼합액에 기판이 침지되어 기판의 처리가 행해지는 처리조와, 상기 처리조로부터 유출된 혼합액을 받는 외부조와, 상기 외부조 내의 혼합액을 상기 처리조에 복귀시키는 순환 라인과, 상기 혼합액 중에 황산을 공급하는 황산 공급부와, 상기 외부조 내의 혼합액에 과산화수소수를 공급하는 제1 과산화수소수 공급부와, 상기 순환 라인의 하류측 부분을 흐르는 혼합액에 과산화수소수를 공급하는 제2 과산화수소수 공급부를 구비한다.

Description

기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기억 매체{SUBSTRATE LIQUID PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE LIQUID PROCESSING METHOD, AND STORAGE MEDIUM}
본 발명은 처리조 내에 저류된 황산과 과산화수소수의 혼합액인 SPM액에 기판을 침지(浸漬)하여 처리를 행하는 데 있어서, SPM액에 약액 성분(과산화수소수)을 보충하는 기술에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼 등의 기판에 회로 패턴을 형성하기 위해 포토리소그래피 기술이 이용된다. 원하는 회로 패턴이 형성된 후, 레지스트막은 SPM액[Sulfuric acid hydrogen Peroxide Mixture(황산과 과산화수소수의 혼합액)]을 이용하여 기판으로부터 제거된다. 이 레지스트 제거 처리는, 예컨대, 복수매(예컨대 50장)의 기판을, 웨이퍼 보트 등으로 불리는 기판 유지구에 유지시킨 상태로, 처리조 내에 저류된 SPM액 중에 침지함으로써 행해진다. SPM액 중에는 황산과 과산화수소수가 반응함으로써 생성된 카로산이 포함되어 있고, 레지스트막은 카로산에 의해 산화됨으로써 제거된다(예컨대 특허문헌 1을 참조).
특허문헌 1에 기재된 기판 처리 장치는, SPM액을 저류하는 처리조와, 처리조로부터 오버 플로우되는 SPM액을 받는 외부조와, 외부조와 처리조 내에 마련된 노즐을 접속하는 순환 라인으로 이루어지는 순환계를 가지고 있다. 순환 라인에는, 상류측으로부터 순서대로, 상기 순환계 내에 SPM액의 순환류를 형성하는 펌프와, SPM액을 가열하는 히터와, SPM액 중의 고형 불순물을 제거하는 필터가 순차 개재되어 설치되어 있다. 상기 순환계에 과산화수소를 보충하기 위한 과산화수소 공급 라인이, 순환 라인의 노즐에 가까운 노즐보다 상류측의 위치에 접속되어 있다.
특허문헌 1에 기재되어 있는 것 같은 형식의 배치식의 기판 처리 장치에서는, 기판으로부터 레지스트막을 제거하는 데 충분한 농도 및 양의 카로산이 생성되어 기판으로부터 레지스트막이 제거되었을 때, 기판으로부터 제거된 레지스트막이 SPM액 중에 완전히 녹지 않고 SPM액 중에 소편의 형태로 분산되는 경우가 있다. 미용해(未溶解)의 레지스트막의 소편(小片)이, 순환 라인에 마련된 펌프나 필터 등의 기기에 유입되면, 이들 기기에 부착하여 악영향을 끼치는 경우가 있다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2011-134899호 공보
본 발명은 의도하는 효과에 따른 양태로 과산화수소 공급을 행할 수 있는 기술을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명의 일실시형태에 따르면, 황산과 과산화수소수의 혼합액이 저류되고, 저류된 혼합액에 기판이 침지되어 기판의 처리가 행해지는 처리조와, 상기 처리조로부터 유출된 혼합액을 받는 외부조와, 상기 외부조 내의 혼합액을 상기 처리조에 복귀시키는 순환 라인과, 상기 혼합액 중에 황산을 공급하는 황산 공급부와, 상기 외부조 내의 혼합액에 과산화수소수를 공급하는 제1 과산화수소수 공급부와, 상기 순환 라인의 하류측 부분을 흐르는 혼합액에 과산화수소수를 공급하는 제2 과산화수소수 공급부를 구비한 기판 액처리 장치가 제공된다.
본 발명의 다른 실시형태에 따르면, 황산과 과산화수소수의 혼합액이 저류되고, 저류된 혼합액에 기판이 침지되어 기판의 처리가 행해지는 처리조와, 상기 처리조로부터 유출된 혼합액을 받는 외부조와, 상기 외부조 내의 혼합액을 상기 처리조에 복귀시키는 순환 라인과, 상기 혼합액 중에 황산을 공급하는 황산 공급부와, 상기 순환 라인에 마련된 기기와, 상기 처리조, 상기 외부조 및 상기 순환 라인으로 이루어지는 순환계 내에 있는 혼합액에 과산화수소수를 공급하는 제1 과산화수소수 공급부와, 상기 순환계 내에 있는 혼합액에 과산화수소수를 공급하는 제2 과산화수소수 공급부를 구비하고, 상기 기기는, 상기 혼합액 중의 고형 불순물을 제거하는 필터 또는 상기 순환계 내에 상기 혼합액의 순환류를 형성하는 펌프이며, 상기 제1 과산화수소수 공급부는, 상기 외부조에, 또는 상기 기기보다 상류측의 위치에서 상기 순환 라인에, 과산화수소수를 공급하도록 마련되고, 상기 제2 과산화수소수 공급부는, 상기 기기보다 하류측의 위치에서 상기 순환 라인에 과산화수소수를 공급하도록 마련되어 있는, 기판 액처리 장치가 제공된다.
본 발명의 또 다른 실시형태에 따르면, 황산과 과산화수소수의 혼합액이 저류되고, 저류된 혼합액에 기판이 침지되어 기판의 처리가 행해지는 처리조와, 상기 처리조로부터 유출된 혼합액을 받는 외부조와, 상기 외부조 내의 혼합액을 상기 처리조에 복귀시키는 순환 라인과, 상기 혼합액 중에 황산을 공급하는 황산 공급부와, 상기 외부조 내의 혼합액에 과산화수소수를 공급하는 제1 과산화수소수 공급부와, 상기 순환 라인의 하류측 부분을 흐르는 혼합액에 과산화수소수를 공급하는 제2 과산화수소수 공급부를 구비한 기판 액처리 장치를 이용하는 기판 액처리 방법에 있어서, 기판이 상기 처리조에 투입된 후의 제1 기간에서 상기 제2 과산화수소수 공급부로부터 공급되는 과산화수소수의 공급량을, 상기 제1 과산화수소수 공급부로부터 공급되는 과산화수소수의 공급량보다 크게 하고, 상기 제1 기간 후의 제2 기간에서 상기 제1 과산화수소수 공급부로부터 공급되는 과산화수소수의 공급량을, 상기 제2 과산화수소수 공급부로부터 공급되는 과산화수소수의 공급량보다 크게 하는, 기판 액처리 방법이 제공된다.
본 발명의 또 다른 실시형태에 따르면, 황산과 과산화수소수의 혼합액이 저류되고, 저류된 혼합액에 기판이 침지되어 기판의 처리가 행해지는 처리조와, 상기 처리조로부터 유출된 혼합액을 받는 외부조와, 상기 외부조 내의 혼합액을 상기 처리조에 복귀시키는 순환 라인과, 상기 혼합액 중에 황산을 공급하는 황산 공급부와, 상기 순환 라인에 마련된 기기와, 상기 처리조, 상기 외부조 및 상기 순환 라인으로 이루어지는 순환계 내에 있는 혼합액에 과산화수소수를 공급하는 제1 과산화수소수 공급부와, 상기 순환계 내에 있는 혼합액에 과산화수소수를 공급하는 제2 과산화수소수 공급부를 구비하고, 상기 기기는, 상기 혼합액 중의 고형 불순물을 제거하는 필터 또는 상기 순환계 내에 상기 혼합액의 순환류를 형성하는 펌프이며, 상기 제1 과산화수소수 공급부는, 상기 외부조에, 또는 상기 기기보다 상류측의 위치에서 상기 순환 라인에, 과산화수소수를 공급하도록 마련되고, 상기 제2 과산화수소수 공급부는, 상기 기기보다 하류측의 위치에서 상기 순환 라인에 과산화수소수를 공급하도록 마련되어 있는, 기판 액처리 장치를 이용하는 기판 액처리 방법에 있어서, 기판이 상기 처리조에 투입된 후의 제1 기간에서 상기 제2 과산화수소수 공급부로부터 공급되는 과산화수소수의 공급량을, 상기 제1 과산화수소수 공급부로부터 공급되는 과산화수소수의 공급량보다 크게 하며, 상기 제1 기간 후의 제2 기간에서 상기 제1 과산화수소수 공급부로부터 공급되는 과산화수소수의 공급량을, 상기 제2 과산화수소수 공급부로부터 공급되는 과산화수소수의 공급량보다 크게 하는, 기판 액처리 방법이 제공된다.
본 발명의 또 다른 실시형태에 따르면, 기판 액처리 장치의 동작을 제어하기 위한 컴퓨터에 의해 실행되었을 때에, 상기 컴퓨터가 상기 기판 액처리 장치를 제어하여 상기 기판 액처리 방법을 실행시키는 프로그램이 기록된 기억 매체가 제공된다.
본 발명에 따르면, 제1 과산화수소수 공급부에 의해 과산화수소수를 공급함으로써 처리조 내의 과산화수소 농도가 조속하게 높아지기 때문에 처리조 내에서의 기판의 처리를 촉진시킬 수 있고, 제2 과산화수소수 공급부에 의해 과산화수소수를 공급함으로써 외부조 내 혹은 그 하류측의 순환 라인 내의 과산화수소 농도가 조속하게 높아지기 때문에 처리조로부터 유출된 미용해 물질의 혼합액 중에의 용해를 촉진시킬 수 있다. 제1 과산화수소수 공급부와 제2 과산화수소수 공급부를 적절하게 구별지어 사용함으로써, 액처리 장치의 효율적인 운용을 행할 수 있다.
도 1은 발명의 일실시형태에 따른 SPM 처리 장치를 구비한 기판 처리 시스템의 전체 구성을 나타내는 평면도이다.
도 2는 SPM 처리 장치의 구성을 설명하기 위한, 처리조의 종단면도를 포함하는 배관도이다.
도 3은 선취 보충에 대해서 설명하는 타임 차트이다.
처음에, 기판 액처리 장치의 일실시형태인 SPM 처리 장치(2)를 구비한 웨이퍼 처리 시스템(1)에 대해서 도 1 및 도 2를 참조하면서 간단하게 설명한다. 웨이퍼 처리 시스템(1)은, FOUP(6)의 반입출이 행해지는 반입출부(11)와, 웨이퍼(W)의 배열 및 자세의 변환을 행하는 인터페이스부(12)와, 웨이퍼(W)를 건조하는 2개의 건조 처리부(13)와, SPM 처리를 행하는 2개의 SPM 처리부(14)를 갖는다.
반입출부(11)에는, 외부의 반송 장치와의 사이에서 FOUP(6)의 받기 및 내보내기를 행하기 위한 배치대(111)와, 반입출부(11) 내에서 FOUP(6)를 반송하는 제1 반송 아암(112)과, FOUP(6)에 대한 웨이퍼(W)의 반출입 작업을 위해 FOUP(6)를 배치하기 위한 전달대(113)와, 웨이퍼(W)를 취출한 후의 FOUP(6)를 일시적으로 보관하기 위한 보관 선반(114)이 마련되어 있다.
제1 반송 아암(112)은, 배치대(111), 전달대(113) 및 각 보관 선반(114) 사이에서 FOUP(6)를 반송할 수 있다. 전달대(113)는, 반입출부(11)와 인터페이스부(12)를 칸막이하는 칸막이벽(115)에 고정되어 있다. 칸막이벽(115)에는, FOUP(6)의 전방면에 마련된 덮개를 착탈하는 기능을 갖는 도어(121)가 마련되어 있다.
인터페이스부(12)에는, 전달대(113) 상에 배치된 FOUP(6)에 대하여 웨이퍼(W)의 취출 및 수납을 행하는 2개의 전달 아암(122)과, 웨이퍼(W)의 자세 변환을 행하는 자세 변환 장치(124)와, 인터페이스부(12), 건조 처리부(13) 및 SPM 처리부(14) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하는 제2 반송 아암(125)이 마련되어 있다.
전달 아암(122)은 회전 가능한 아암대(123) 상에 마련되어 있다. 전달 아암(122)은, 복수의 웨이퍼(W)를 수평 자세로 상하 방향으로 배열하여 유지할 수 있다. 자세 변환 장치(124)는, 유지한 복수의 웨이퍼(W)를 모아서 회전시킴으로써, 웨이퍼(W)가 수평 자세로 상하 방향으로 배열되어 있는 상태, 또는, 웨이퍼(W)가 수직 자세로 수평 방향으로 배열되어 있는 상태로 할 수 있다. 제2 반송 아암(125)은, 수직 자세로 수평 방향으로 배열되어 있는 50장의 웨이퍼(W)를 웨이퍼 지지부(126)에 의해 유지한 상태로, 인터페이스부(12), 건조 처리부(13) 및 SPM 처리부(14) 사이를 수평 이동할 수 있다.
각 건조 처리부(13)에는, 제2 반송 아암(125)의 웨이퍼 지지부(126)를 세정하는 아암 세정 유닛(132)과, 세정 후의 웨이퍼(W) 및 웨이퍼 지지부(126)의 건조 처리를 행하는 웨이퍼 건조 유닛(131)이 마련되어 있다.
각 SPM 처리부(14)에는, SPM액을 저류하는 SPM 처리조(21)와, SPM 처리 후의 웨이퍼(W)의 린스 처리를 위한 린스액, 예컨대 순수(純水)를 저류하는 린스조(141)가 마련되어 있다. SPM 처리조(21) 및 린스조(141)에는, 웨이퍼 보트(3) 및 그 승강 기구(31)가 마련되어 있다. 웨이퍼 보트(3)는, 제2 반송 아암(125)이 웨이퍼(W)를 유지할 때와 동일한 자세 및 배열로, 복수의 웨이퍼(W)를 유지할 수 있다. 승강 기구(31)는, 웨이퍼 보트(3)를, 웨이퍼 보트(3)와 제2 반송 아암(125) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달이 행해지는 전달 위치와, 웨이퍼 보트(3)에 유지된 웨이퍼(W)가 SPM 처리조(21) 내의 SPM액 중에 침지되는 처리 위치 사이에서 승강시킨다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 보트(3)는, 지면 연직 방향으로 연장되는 4개의 봉형의 웨이퍼 지지부(32)를 갖는다. 각 웨이퍼 지지부(32)에는, 그 길이 방향을 따라 간격을 두고 복수(50개∼52개 정도)의 웨이퍼 유지홈(도시하지 않음)이 형성되어 있다. 웨이퍼 지지부(32)는, 승강 기구(31)에 의해 승강하는 베이스(도시하지 않음)에 고정되어 있다.
SPM 처리조(21)는, 석영 또는 폴리프로필렌으로 제조되어 있다. 외부조(212)가, SPM 처리조(21)의 상단부의 전체 둘레를 둘러싸고 있으며, SPM 처리조(21)로부터 오버 플로우한 SPM액을 받는다. SPM 처리조(21)의 상측 가장자리부에는, V자형의 복수의 절결(切欠)(211)이 형성되어 있다. 이러한 절결(211)을 마련함으로써, SPM 처리조(21)의 상단으로부터 SPM액이 원활하게 유출된다.
SPM 처리조(21) 내의 바닥부에는, SPM 처리조(21) 내에 SPM액을 공급하기 위한 2개의 봉형의 SPM 공급 노즐(22)이 마련되어 있다. 각 SPM 공급 노즐(22)에는 길이 방향으로 간격을 두고 다수의 토출 구멍(221)이 마련되어 있다. SPM 공급 노즐(22)은, 웨이퍼 보트(3)에 연직 자세로 수평 방향(도 2의 지면 연직 방향)으로 간격을 두고 유지된 상태로 SPM 처리조(21) 내의 SPM액 중에 침지된 웨이퍼(W)를 향하여, 경사 상방으로 SPM액을 토출한다.
외부조(212)의 바닥벽에 순환 라인(410)의 일단이 접속되어 있다. 순환 라인(410)의 타단측은 SPM 공급 노즐(22)에 접속되어 있다. 순환 라인(410)에는, 순환 라인(410) 내에 외부조(212)로부터 SPM 처리조(21)[SPM 처리조(21) 내의 SPM 공급 노즐(22)]를 향하는 SPM액의 흐름을 형성하는 펌프(411)와, SPM액을 가열하는 히터(412)와, SPM액 중의 고형 불순물을 제거하는 필터(413)가, 이 순서로 개재되어 설치되어 있다. SPM 처리 장치(2)의 통상 운전 시에는, 펌프(411)는 항상 가동하고 있으며, SPM 처리조(21)로부터 외부조(212)로 오버 플로우한 SPM액은, 순환 라인(410) 및 SPM 공급 노즐(22)을 지나 재차 SPM 처리조(21) 내에 복귀된다.
SPM 처리조(21) 내에 마련된 온도 센서(25)에 의해 검출된 SPM액의 온도에 기초하여, SPM 처리조(21) 내의 SPM액의 온도가 미리 정해진 온도 예컨대 100℃∼130℃의 범위 내의 온도가 되도록, 히터(412)에의 공급 전력이 제어된다.
펌프(411)의 하류측에 있어서, 순환 라인(410)으로부터 약액 성분 농도 감시용의 샘플링 라인(440)이 분기하고 있다. 샘플링 라인(440)에는, SPM액 중에 포함되는 약액 성분의 농도(즉, 과산화수소 농도 및 황산 농도)를 감시하기 위한 농도 측정기(441)가 개재되어 설치되어 있다. 샘플링 라인(440)의 하류단은 외부조(212)에 접속되어 있고, 순환 라인(410)으로부터 샘플링 라인(440)에 유입된 SPM액은 외부조(212)에 복귀된다.
SPM 처리 장치(2)는, 외부조(212) 및 순환 라인(410) 중 어느 한쪽에 과산화수소수를 공급하기 위한 과산화수소수 공급부(42), 즉 제1 약액 성분 공급부를 가지고 있다. 과산화수소수 공급부(42)는, 과산화수소수 탱크(421)와, 이것에 접속된 과산화수소수 공급 라인(420)과, 과산화수소수 공급 라인(420)에 개재하여 설치된 과산화수소수 공급 펌프(422) 및 개폐 밸브(423)를 가지고 있다. 과산화수소수 공급 라인(420)은, 개폐 밸브(423)의 하류측의 분기점(420d)에 있어서, 제1 분기 공급 라인(420a)과 제2 분기 공급 라인(420b)으로 분기된다.
제1 분기 공급 라인(420a)은 외부조(212)에 접속되어 있다. 제2 분기 공급 라인(420b)은, 순환 라인(410)의 하류측 부분, 구체적으로는 순환 라인(410)의 필터(413)의 하류측 혹은 펌프(411)의 하류측[바람직하게는, 순환 라인(410) 내에 있어서 보다 하류측에 있는 기기인 필터(413)의 하류측]으로서, 되도록이면 SPM 공급 노즐(22)에 가까운 위치에 접속되어 있다. 제1 분기 공급 라인(420a) 및 제2 분기 공급 라인(420b)에는, 개폐 밸브(424a 및 424b)가 각각 개재되어 설치되어 있다. 개폐 밸브(424a, 424b)를 전환함으로써, 제1 분기 공급 라인(420a) 및 제2 분기 공급 라인(420b)의 한쪽을 과산화수소수 공급 라인(420)과 연통시킬 수 있다.
이하, 본 명세서에 있어서, 설명의 편의상, 과산화수소수 탱크(421), 과산화수소수 공급 라인(420)과, 과산화수소수 공급 펌프(422), 개폐 밸브(423) 및 제1 분기 공급 라인(420a)을 「제1 과산화수소수 공급부(42a)」, 과산화수소수 탱크(421), 과산화수소수 공급 라인(420)과, 과산화수소수 공급 펌프(422), 개폐 밸브(423) 및 제2 분기 공급 라인(420b)을 「제2 과산화수소수 공급부(42b)」라고 부르는 것으로 한다. 도시예에서는, 제1 과산화수소수 공급부(42a)와 제2 과산화수소수 공급부(42b)가, 분기점(420d)보다 상류측의 구성 요소를 공용하고 있지만, 이에 한정되는 것이 아니다. 제1 과산화수소수 공급부(42a)와 제2 과산화수소수 공급부(42b)가, 서로 완전하게 독립된 액 공급부여도 좋고, 또한, 과산화수소수 탱크(421)만을 공용하고 있어도 좋다.
외부조(212)에는, 또한, 황산 공급 라인(430)을 통해 황산 탱크(431)가 접속되어 있다. 황산 공급 라인(430)에는, 황산 공급 펌프(432), 개폐 밸브(433)가 순차 개재되어 설치되어 있다. 황산 탱크(431), 황산 공급 펌프(432) 및 개폐 밸브(433)는, 황산 공급부(43), 즉 제2 약액 성분 공급부를 구성한다.
제1 분기 공급 라인(420a)을 구성하는 배관은, 외부조(212)의 바닥벽 부근의 높이 위치에서 개구하고 있다. 황산 공급 라인(430)을 구성하는 배관은, 외부조(212) 내의 비교적 높은 높이 위치에서 개구하고 있다. 이와 같이 함으로써, 비중이 작은 과산화수소수가, SPM액에 충분히 혼합된다. 또한, 과산화수소수 공급 라인(420)을 구성하는 배관은, 외부조(212)의 바닥벽에 마련된 배출구[이 배출구에는 순환 라인(410)이 접속됨]의 내부에 삽입되고, 그 배관의 선단(개구단), 즉 제1 분기 공급 라인(420a)으로부터의 과산화수소수의 공급 포인트는 배출구의 입구로부터 예컨대 1 ㎝ 정도 하방에 위치시키는 것이 바람직하다. 또한, 제1 분기 공급 라인(420a)으로부터의 과산화수소수의 공급 포인트를, 순환 라인(410)의 필터(413)의 상류측 혹은 펌프(411)의 상류측의 위치[바람직하게는, 순환 라인(410) 내에 있어서 보다 상류측에 있는 기기인 펌프(411)의 상류측]로 설정하여도 좋다. 이 경우, 과산화수소수의 공급 포인트는, 공급된 과산화수소수가 필터(413) 또는 펌프(411)에 도달하기 전에 순환 라인(410) 내를 흐르는 SPM액과 충분히 혼합되도록, 순환 라인(410)의 되도록이면 상류측에 마련하는 것이 바람직하다.
외부조(212)는, SPM 처리조(21)와 마찬가지로 석영이나 폴리프로필렌 등의 투명한 부재에 의해 형성되어 있다. 예컨대 광학식의 액면 센서(24)가, 외부조(212) 내의 액위가 미리 정해진 높이 이상으로 되어 있는지의 여부를 검출하기 위해 마련되어 있다. 액위가 낮은 경우에는, 후술하는 약액 성분 농도의 피드백 제어와는 무관하게, 과산화수소수 공급부(42) 및 황산 공급부(43)에 의해 미리 정해진 비율로 약액 성분이 보충된다.
후드부(231)가 SPM 처리조(21) 및 외부조(212)를 덮고 있다. 후드부(231)는, SPM 처리조(21) 및 외부조(212)로부터 증발한 SPM의 증기가 확산됨으로써 웨이퍼 처리 시스템(1) 내를 오염시키는 것을 방지한다. 후드부(231) 내의 분위기는, 후드부(231)의 하부 측벽에 접속된 배기로(233)를 통해, 공장 배기계에 배출된다. 후드부(231)의 상면에는 덮개부(232)가 마련되어 있다. 웨이퍼(W)의 반출입 시에는, 덮개부(232)가 개방되어, 웨이퍼(W)를 유지한 웨이퍼 보트(3)의 승강이 가능해진다.
또한, 웨이퍼 처리 시스템은, 제어 장치(5)를 구비한다. 제어 장치(5)는, 예컨대 컴퓨터이며, 제어부(5A)와 기억부(5B)를 구비한다. 기억부(5B)에는, 웨이퍼 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(5A)는, 기억부(5B)에 기억된 프로그램을 읽어내어 실행함으로써 SPM 처리 장치(2)를 포함하는 웨이퍼 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다.
또한, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로서, 그 기억 매체로부터 제어 장치(5)의 기억부(5B)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예컨대 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
웨이퍼 처리 시스템(1)의 작용에 대해서 이하에 설명한다. 웨이퍼(W)를 25장씩 수납한 FOUP(6)가 외부 반송 로보트에 의해 배치대(111)에 반입된다. 이 FOUP(6)를 제1 반송 아암(112)이 전달대(113)로 이동시킨다.
덮개 착탈 기능을 갖는 도어(121)가, FOUP(6)의 덮개를 제거한다. FOUP(6) 내에 2개의 전달 아암(122) 중 어느 하나가 진입하여, 웨이퍼(W)를 취출한다. 빈 FOUP(6)에 덮개가 부착되고, 제1 반송 아암(112)이 이 FOUP(6)를 보관 선반(114)으로 이동시킨다.
아암대(123)가 회전하여, 전달 아암(122)이 자세 변환 장치(124)에 대향한다. 웨이퍼(W)가, 전달 아암(122)으로부터 자세 변환 장치(124)에 전해진다.
자세 변환 장치(124)는, 웨이퍼(W)의 간격 조정 및 자세 변환을 행하고, 그 후, 인터페이스부(12) 내에 위치하는 제2 반송 아암(125)에 웨이퍼(W)를 전한다. 상기와 동일한 조작이 다른 FOUP(6)로부터 취출된 25장의 웨이퍼(W)에 대해서도 행해져, 제2 반송 아암(125)이 50장의 웨이퍼(W)를 유지하게 된다. 그렇게 되면, 제2 반송 아암(125)은, 2개의 SPM 처리부(14) 중 어느 하나에 웨이퍼(W)를 반입한다. 즉, 제2 반송 아암(125)으로부터 상승 위치에 있는 웨이퍼 보트(3)에 웨이퍼(W)가 전해진다.
이어서, 웨이퍼 보트(3)가 강하하여 SPM 처리조(21) 내의 SPM액 중에 웨이퍼(W)가 침지되며, 후드부(231)의 덮개부(232)가 폐쇄된다. 웨이퍼(W)가 미리 정해진 시간(예컨대 10분∼15분간) SPM액 중에 침지됨으로써, 웨이퍼(W)의 표면 상에 있는 레지스트막이 제거된다. 이 레지스트막의 제거 처리(SPM 처리) 및 SPM액의 농도 관리에 대해서는 후술한다.
이어서, 덮개부(232)를 개방하여 웨이퍼 보트(3)를 상승시키고, 제2 반송 아암(125)이 SPM 처리가 끝난 웨이퍼(W)를 웨이퍼 보트(3)로 수취한다. 그 후, 덮개부(232)가 폐쇄된다. 제2 반송 아암(125)은 웨이퍼(W)를 린스조(141)에 반입하고, 거기서 웨이퍼(W)의 순수 린스가 행해진다. 이어서 웨이퍼(W)는 건조 처리부(13)로 반송되고, 거기서 IPA 증기를 이용한 웨이퍼(W)의 건조 처리가 행해진다. 웨이퍼(W)가 제2 반송 아암(125)에 의해 인터페이스부(12)로 반송된다.
그 후, 50장의 웨이퍼(W)는, 전술한 순서와 반대의 순서에 따라, 자세 변환 장치(124)에 의해 자세 변환이 된 후에, 전달 아암(122)에 의해 25장씩 원래의 FOUP(6)로 복귀된다. 처리가 끝난 웨이퍼(W)를 수납한 FOUP(6)는, 제1 반송 아암(112)에 의해 배치대(111) 상으로 이동된다.
이하에 SPM 처리조(21)에서 행해지는 SPM 처리 및 SPM의 농도 관리에 대해서 상세하게 설명한다.
SPM액에 관련되는 주요한 화학 반응은 이하와 같다.
H2O2 자기 분해 반응: H2O2→H2O+1/2O2
산화 환원 반응: H2SO4+H2O2→H2SO5+H2O→H2SO4+H2O+1/2O2
레지스트 산화 반응: H2SO5+C(resist)→H2SO4+CO2
따라서, SPM액 중의 H2O2(과산화수소) 및 H2SO4(황산)의 증감은 이하와 같아진다.
H2O2(과산화수소)는 레지스트 산화 반응에 기여하는 카로산(H2SO5)을 생성하는 반응에 의해, 또한, 자기 분해 반응에 의해 물로 변한다. 따라서, SPM액 중에 포함되는 과산화수소의 총량 및 농도는 시간 경과와 함께 감소해 간다.
SPM액 중의 황산의 총량은, 상기 화학 반응에 따라서는 시간 경과와 함께 감소하는 일은 없다. 그러나, 상기 화학 반응에 의해 과산화수소에 유래하는 꽤 많은 양의 물이 생성됨으로써, SPM액 중에 포함되는 황산의 농도는 시간과 함께 감소해 간다.
또한, 상기에 더하여, SPM액 중에 레지스트를 갖는 웨이퍼(W)가 침지되어 있을 때에는, 레지스트 산화 반응이 생기고, 이에 따라 산화 환원 반응이 촉진되기 때문에, SPM액 중의 과산화수소 농도가 급격하게 감소한다. 또한, 과산화수소 농도 유래의 물이 증가하기 때문에, 황산 농도도 저하한다.
상기 이외의 과산화수소 및 황산 농도의 변화에 영향을 부여하는 요인으로서는, 비교적 고온(예컨대 100℃∼130℃)으로 가열되고 있는 SPM액 중에 포함되는 물이 증발하는 것, 처리가 끝난 웨이퍼(W)가 SPM 처리조(21)로부터 린스조(141)에 반송될 때에, 웨이퍼(W)와 함께 SPM액이 SPM 처리조(21)로부터 반출되는 것 등이 있다. 그러나, 이들 요인은, 상기 화학 반응과 비교하면 영향은 작다.
레지스트를 갖는 웨이퍼(W)를 적절하게 처리하기 위해서는, SPM액 중의 카로산 농도가 적정 범위로 유지되어 있을 필요가 있고, 이를 위해서는 과산화수소 농도 및 황산 농도가 적정 범위로 유지되어 있을 필요가 있다.
이 때문에, SPM액 중의 과산화수소 농도 및 황산 농도는, 샘플링 라인(440)에 마련된 농도 측정기(441)에 의해 항상 감시되고 있다. 농도 측정기(441)에 의해 검출된 과산화수소 농도가 미리 정해진 허용 하한값(관리값)을 하회하였을 때에는, 피드백 제어에 의해, 제1 과산화수소수 공급부(42a)에 의해 SPM액 중에 과산화수소수가 공급된다. 과산화수소수의 공급은, 개폐 밸브(423, 424a)를 개방하고, 과산화수소수 공급 펌프(422)를 구동시킴으로써 행할 수 있다. 농도 측정기(441)에 의해 검출된 황산 농도가 미리 정해진 하한값(관리값)을 하회하였을 때에는, 피드백 제어에 의해, 황산 공급부(43)에 의해 SPM액 중에 황산이 공급된다. 황산의 공급은, 개폐 밸브(433)를 개방하고, 황산 공급 펌프(432)를 구동시킴으로써 행할 수 있다. 또한, 이 피드백 제어에 의해 SPM액 중에 과산화수소수를 보충할 때에 제2 과산화수소수 공급부(42b)를 이용하여도 좋다.
처리조(21) 내에 존재하는 황산 농도 및 과산화수소 농도가 저하한 SPM액이 샘플링 라인(440)을 지나 농도 측정기(441)에 도달할 때까지 어느 정도의 시간이 걸리는 것 및 황산 및 과산화수소수가 공급부로부터 공급되고 나서 공급 라인으로부터 처리조(21)에 도달할 때까지 어느 정도의 시간이 걸리는 것 등의 이유에 의해, 상기 피드백 제어의 응답 속도를 높게 하는 것은 곤란하다. 이 때문에, 과산화수소 농도의 피드백 제어는, 예컨대 이하와 같이 하여 행해진다. 즉, 농도 측정기(441)에 의해 과산화수소 농도가 미리 정해진 하한값을 하회한 것이 검출되었다면, 미리 정해진 일정량의 과산화수소를 과산화수소수 공급부(42)로부터 SPM액 중에 공급한다. 이러한 공급을 위해, 과산화수소수 공급 펌프(422)로서, 정량 펌프 예컨대 다이어프램 펌프를 이용할 수 있다. 이 일정량의 과산화수소의 공급 후에 미리 정해진 시간이 경과한 후에 있어서도 과산화수소 농도가 여전히 하한값을 하회하고 있다면, 전술한 일정량의 과산화수소를 SPM액 중에 더 공급한다. 황산 농도의 피드백 제어도, 동일하게 하여 행할 수 있다. 즉, 황산 공급 펌프(432)도 다이어프램 펌프 등의 정량 펌프를 이용할 수 있다. 또한, 정량 펌프로부터의 공급량에 대해서는, 정량 펌프의 예컨대 피스톤의 왕복 운동의 횟수를 바꿈으로써 공급량을 바꿀 수 있다. 또한, 정량 펌프로부터의 공급 속도에 대해서는, 정량 펌프의 예컨대 피스톤의 동작 속도를 바꿈으로써 공급 속도를 바꿀 수 있다.
그런데, 배치 처리 장치에 있어서는, 한번에 다수(최근의 일반적인 배치 처리 장치에서는 50장 정도)의 웨이퍼가 동시에 처리된다. 따라서, SPM 처리조(21)에 다수의 웨이퍼(W)를 투입하면, SPM액 중의 약액 성분이 급격하게 소비되어, 약액 성분 농도가 급격하게 저하한다. 이때, 전술한 바와 같이 피드백 제어의 응답 속도를 올리기 어렵기 때문에, 웨이퍼(W) 투입 직후에 급격하게 저하한 약액 성분 농도가 원래로 돌아갈 때까지 어느 정도의 시간이 걸린다. 약액 성분 농도가 원래로 돌아가기까지의 동안, 낮은 카로산 농도의 SPM액으로 웨이퍼(W)가 처리되게 되고, 그 결과, 레지스트를 완전히 박리하기 위해 필요한 시간이 길어진다.
이 문제를 해결하기 위해, 본 실시형태에서는, 투입한 웨이퍼(W)와 SPM액의 반응에 기인하여 웨이퍼(W) 투입 후에 생기는 SPM액 중의 약액 성분 농도의 저하를 추정하고, 이 추정된 약액 성분 농도의 저하를 상쇄시키기 위해 필요한 양(혹은 이 필요한 양과 대략 같은 양)의 약액 성분을, SPM액 중에의 웨이퍼(W)의 투입 직전부터 직후에 걸친 미리 정해진 기간 내[예컨대 웨이퍼(W)의 투입 1분 전부터 투입 1분 후]에, 과산화수소수 공급부(42) 및 황산 공급부(43)로부터 SPM액 중에 미리 정해진 양의 약액 성분을 공급(선취 보충)하고 있다. 이 웨이퍼(W) 투입 시의 약액 성분의 선취 보충 시에는 전술한 피드백 제어가 무효가 되고, 약액 성분의 선취 보충이 종료한 후에 전술한 피드백 제어가 재차 유효해진다.
약액 성분 농도의 저하를 상쇄시키기 위해 필요한 양은 계산(시뮬레이션)에 의해 구하여도 좋고, 실험에 의해 구하여도 좋으며, 실험과 계산을 병용하여 구하여도 좋다. 실험에 의해 구하는 경우는, 예컨대, 통상의 피드백 제어만을 행하고 있는 경우에 있어서, 웨이퍼(W)가 SPM 처리조(21) 내에 투입되고 나서 취출되기까지의 동안에 과산화수소수 공급부(42)[또는 황산 공급부(43)]로부터 SPM액 중에 공급된 과산화수소수(또는 황산)의 양을 측정하고, 이 양을 약액 성분 농도의 저하를 상쇄시키기 위해 필요한 양이라고 간주할 수 있다.
웨이퍼(W)의 처리에 기인하는 SPM액 중의 약액 성분 농도의 저하는, 한번에 처리되는 웨이퍼(W)의 매수(배치 사이즈), 웨이퍼 표면 상에 존재하는 레지스트막의 두께, 총면적 또는 총체적, 레지스트의 종류, 레지스트에 대한 부가적 처리(이온 주입, 애싱)의 유무 또는 정도(예컨대 이온 주입에 있어서의 이온 주입량) 등의 각종 조건(이하, 「피처리체 파라미터」라고도 부름)에 의해 영향을 받는다. 따라서, 피처리체 파라미터를 고려하여, 약액 성분 농도의 저하를 상쇄시키기 위해 필요한 약액 성분의 공급량(이하, 「필요 보충량」이라고도 부름)을 구하는 것이 바람직하다. 여러 가지 피처리체 파라미터의 조합에 대응하는 필요 보충량은, 제어 장치(5)의 기억부(5B)에 저장해 둘 수 있다. 이 경우, 제어 장치(5)는, SPM 처리 장치(2)에서 이제부터 처리하려고 하고 있는 웨이퍼(W)에 관한 피처리체 파라미터를 파악하고, 파악한 피처리체 파라미터에 대응하는 필요 보충량을 기억부(5B)로부터 인출할 수 있다. 이제부터 처리하려고 하고 있는 웨이퍼(W)에 관한 피처리체 파라미터는, 예컨대, 기억부(5B)에 저장된 프로세스 레시피를 참조함으로써, 혹은, 반도체 제조 공장에 마련된 여러 가지 처리 시스템의 동작을 관리하는 호스트 컴퓨터로부터 정보를 수신함으로써, 파악할 수 있다.
상기와 같은 제어 순서를 이용하지 않고, 제어 장치(5)의 기억부(5b)에 저장되어 있는 프로세스 레시피로 상기 선취 보충에 대해서 미리 규정해 두어도 좋다. 즉, 예컨대, 프로세스 레시피에, 「미처리 웨이퍼(W)를 SPM 처리조(21) 내에 저류된 SPM액에 침지하기 위해 웨이퍼 보트(3)를 처리 위치에 하강시킨다」라고 하는 동작을 행하기 Z1초 전에 「제1 과산화수소수 공급부(42a)로부터 매초 X1 리터의 유량으로 Y1초간 과산화수소수를 외부조(212)에 공급한다」라고 하는 동작 및 「황산 공급부(43)로부터 매초 X2 리터의 유량으로 Y2초간 과산화수소수를 공급한다」라고 하는 동작에 대응하는 지령값과, 「미처리 웨이퍼(W)를 SPM 처리조(21) 내에 저류된 SPM액에 침지하기 위해 웨이퍼 보트(3)를 처리 위치로 하강시킨다」라고 하는 동작을 행한 Z1'초 후에 「제2 과산화수소수 공급부(42b)로부터 매초 X1' 리터의 유량으로 Y1'초간 과산화수소수를 공급한다」라고 하는 동작 및 「황산 공급부(43)로부터 매초 X2' 리터의 유량으로 Y2'초간 과산화수소수를 공급한다」라고 하는 동작에 대응하는 지령값을 프로세스 레시피에 편입시켜 두어도 좋다.
또한, 통상, 웨이퍼 처리 시스템(1)에서는, 전달대(113)에 FOUP(6)가 놓여져 FOUP(6)의 덮개가 제거된 후로서 또한 전달 아암(122)이 FOUP(6)로부터 웨이퍼(W)를 취출하기 전에, FOUP(6) 내의 웨이퍼(W)의 수납 상태를 확인하는 맵핑이라고 하는 조작이 행해진다. 이 맵핑 조작을 위해 인터페이스부(12)에 광학식의 맵핑 센서(도시하지 않음)가 마련된다. 맵핑 시에 검출된 FOUP(6) 내에 수납되어 있는 웨이퍼(W)의 매수의 데이터를, 상기 피처리체 파라미터의 하나로서 이용할 수도 있다. 전술한 바와 같이, 프로세스 레시피에 의해 웨이퍼(W) 투입 전의 약액 보충에 대해서 규정해 두는 경우에는, 맵핑 시에 검출된 웨이퍼의 데이터에 따라, 프로세스 레시피로 규정된 약액 성분의 공급 시간을 변경하여도 좋다. 즉, 예컨대, 1회의 처리로 50장의 웨이퍼(W)가 처리되는 경우(즉 배치 사이즈가 50)에 있어서, 하나의 처리 로트의 마지막에 처리되는 웨이퍼(W)의 배치 사이즈가 30일 때에는, 웨이퍼(W) 투입 전의 약액 성분의 보충량을 프로세스 레시피로 규정된 양의 예컨대 3/5으로 하는 보정을 행하여도 좋다. 상기 웨이퍼 맵핑의 데이터를 이용하는 대신에, FOUP(6)로부터 SPM 처리조(21)까지의 웨이퍼(W)의 반송 경로에 웨이퍼 카운터(도시하지 않음)를 마련하고, 이 웨이퍼 카운터에 의해 측정된 웨이퍼(W)의 매수에 기초하여, 처리조(21) 내에서 한번에 처리되는 웨이퍼(W)의 매수를 파악하여도 좋다.
본 실시형태에서는, 상기 선취 보충을 행하는 데 있어서, 상기한 바와 같이 하여 정해진 과산화수소수의 총보충량의 일부가 제1 과산화수소수 공급부(42a)로부터 공급되고, 나머지 부분이 제2 과산화수소수 공급부(42b)로부터 공급된다.
제1 과산화수소수 공급부(42a)와 제2 과산화수소수 공급부(42b)의 사용 편의의 일례를 도 3의 타임 차트를 참조하여 이하에 서술한다. 도 3의 타임 차트에 있어서, 상단의 라인이 제1 과산화수소수 공급부(42a)로부터의 과산화수소수 공급의 ON/OFF, 중단의 라인이 제2 과산화수소수 공급부(42b)로부터의 과산화수소수 공급의 ON/OFF, 하단의 라인이 농도 측정기(441)의 검출값에 기초하여 행해지는 피드백 제어의 ON/OFF를 나타내고 있다. 피드백 제어는, 선취 보충이 행해지는 웨이퍼(W)의 투입 시점(WAFER IN)의 20초 전부터 50초 후까지의 기간은 무효(OFF)로 되어 있다.
먼저, 웨이퍼(W)의 투입 시점의 20초 전부터 10초 전까지의 동안에, 과산화수소수 공급 펌프(422)를 동작시키며 개폐 밸브(424a)를 개방하고, 또한 개폐 밸브(424b)를 폐쇄 상태로 유지하며, 제1 과산화수소수 공급부(42a)에 의해 외부조(212)에 30 ㎖의 과산화수소수를 공급한다. 정량 펌프로서 형성된 과산화수소수 공급 펌프(422)는, 30 ㎖의 과산화수소수를 송출하였다면 동작을 정지한다. 또한, 개폐 밸브(424a, 424b)도 폐쇄된다(이상, 제1 보충 단계). 이 제1 보충 단계는, 웨이퍼(W)의 투입 전에, 순환계 내에 존재하는 SPM액 중의 과산화수소 농도를 전체적으로 높여 두는 것을 목적으로 하여 행해진다. 제1 보충 단계는, 제2 과산화수소수 공급부(42b)를 이용하여 실행하여도 상관없다.
다음에, 웨이퍼(W)의 투입 시점의 20초 후부터 40초 후까지의 동안에, 과산화수소수 공급 펌프(422)를 동작시키며 개폐 밸브(424b)를 개방하고, 제2 과산화수소수 공급부(42b)에 의해 순환 라인(410)에 60 ㎖의 과산화수소수를 공급한다(이상, 제2 보충 단계). 이 제2 보충 단계가 실행되는 시간대에서는, SPM 처리조(21) 내에서 웨이퍼(W) 표면의 레지스트와의 반응이 급속하게 진행되어, SPM 처리조(21) 내에서의 SPM액 중앙 과산화수소 및 카로산의 농도가 급격하게 감소한다. 그래서, SPM액의 순환 경로 내의 SPM 처리조(21)의 바로 상류측의 위치에 과산화수소수를 공급하여, SPM 처리조(21) 내의 SPM액의 과산화수소 농도를 조속하게 상승시키도록 하고 있다. 이에 의해, SPM 처리조(21) 내의 SPM액 중의 카로산 농도도 조속하게 상승하기 때문에, 레지스트막의 박리 시간이 길어지는 것을 방지 또는 억제할 수 있다.
다음에, 웨이퍼(W)의 투입 시점의 40초 후에, 과산화수소수 공급 펌프(422)를 계속해서 동작시킨 채로, 개폐 밸브(424b)를 폐쇄하며 개폐 밸브(424a)를 개방하고, 웨이퍼(W)의 투입 시점의 50초 후까지의 동안에, 제1 과산화수소수 공급부(42a)에 의해 외부조(212)에 30 ㎖의 과산화수소수를 공급한다(이상, 제3 보충 단계). 이 제3 보충 단계가 실행되는 시간대는, 처리조(21)로부터 외부조(212)에 웨이퍼(W)로부터 박리한 미용해의 레지스트막의 소편이 가장 많이 유출되는 시간대이다. 미용해의 레지스트막의 소편은 필터(413)의 눈 막힘 혹은 펌프(411)의 동작 불량의 원인이 될 수 있다. 외부조(212)에 과산화수소수를 공급함으로써, 순환 라인(410) 내의 SPM액의 과산화수소 농도를 조속하게 상승시키도록 하고 있다. 이에 의해, 순환 라인(410) 내의 SPM액 중의 카로산 농도도 조속하게 상승하기 때문에, 외부조(212) 내에 있는 레지스트막의 소편의 SPM 중에의 용해가 촉진되어, 필터(413) 및 펌프(411)의 문제점을 방지할 수 있다.
상기 실시형태에 따르면, 과산화수소수를 SPM액에 보충할 때에, 과산화수소수의 공급 포인트를 변경 가능하게 함으로써, 과산화수소의 농도가 가장 높아지는 부위를 상황에 따라 변경할 수 있다. SPM액 중의 과산화수소는 전술한 반응에 의해 비교적 빠르게 소실되기 때문에, 과산화수소의 농도가 가장 높아지는 부위를 변경할 수 있는 것은 액처리 장치의 효율적인 운전을 위해 유익하다.
상기 실시형태에서는, 제1 및 제2 과산화수소수 공급부(42a, 42b) 중 한쪽이 과산화수소수를 공급하고 있을 때에는, 다른쪽은 과산화수소수를 공급하지 않는다. 즉 개폐 밸브(424a) 및 개폐 밸브(424b) 중 한쪽이 개방 상태일 때는 다른쪽은 폐쇄 상태로 되어 있다. 그러나, 이에 한정되는 것이 아니며, 제1 및 제2 과산화수소수 공급부(42a, 42b)의 양방으로부터 과산화수소수를 공급하면서, 제1 및 제2 과산화수소수 공급부(42a, 42b) 중 한쪽으로부터의 공급량을 상대적으로 크게 하고, 다른쪽부터의 공급량을 상대적으로 작게 하여도 좋다. 구체적으로는 예컨대, 도 3의 타임 차트를 참조하여 설명한 운용예에 있어서, 공급을 정지하고 있던 한쪽의 과산화수소수 공급부(예컨대 42a)로부터도 제1 양(비교적 소량)의 과산화수소수를 공급하고, 공급을 행하고 있던 다른쪽의 과산화수소수 공급부(예컨대 42b)로부터 제1 양보다 큰 제2 양의 과산화수소수를 공급하여도 좋다.
또한, 상기 실시형태에 있어서의 전술한 제2 보충 단계에 있어서, 제2 과산화수소수 공급부(42b)로부터 공급되는 과산화수소수의 공급 속도를, 다른 보충 단계에 있어서의 제2 과산화수소수 공급부(42b)로부터 공급되는 과산화수소수의 공급 속도보다 느리게 하여도 좋다. 이에 의해, SPM 처리조(21) 내에서 웨이퍼(W) 표면의 레지스트와의 반응 속도를 내려, SPM 처리조(21)로부터 외부조(212)에 웨이퍼(W)로부터 박리한 미용해의 레지스트막의 소편의 유출을 저감할 수 있다.
상기 실시형태에서는, 선취 보충을 기초로 설명하였지만, 이에 한정되지 않고, 항상 피드백 제어가 행해져 적절하게 보충되는 형태에도 적용 가능하다. 예컨대, 웨이퍼를 SPM 처리조(21) 내에 투입한 후의 소정 기간은 제1 과산화수소수 공급부(42a)보다 제2 과산화수소수 공급부(42b)로부터의 보충을 많게 하고, 소정 기간 경과 후는, 제2 과산화수소수 공급부(42b)보다 제1 과산화수소수 공급부(42a)로부터의 보충을 많게 하도록 보충을 제어함으로써, 웨이퍼(W)를 단시간에 제거하고, 또한, SPM액 중에 유출된 미용해의 레지스트막의 소편을 단시간에 용해시킬 수 있다.
상기 실시형태에서는, 제1 과산화수소수 공급부(42a)와 제2 과산화수소수 공급부(42b)는 동일한 과산화수소수 탱크(421)로부터 과산화수소수를 공급하도록 하였지만, 이에 한정되지 않고, 제1 과산화수소수 공급부(42a)와 제2 과산화수소수 공급부(42b)는 각각에 과산화수소수 탱크를 가지며, 각각의 과산화수소수 탱크로부터 과산화수소수를 공급하여도 좋다.
처리 대상의 기판은, 반도체 웨이퍼(W)에 한정되는 것이 아니며, 유리 기판, 세라믹 기판 등의 다른 종류의 기판이어도 좋다.
W 기판(웨이퍼)
5 제어부
21 처리조
212 외부조
410 순환 라인
42a 제1 과산화수소수 공급부
42b 제2 과산화수소수 공급부
53 황산 공급부

Claims (13)

  1. 황산과 과산화수소수의 혼합액이 저류되고, 저류된 혼합액에 기판이 침지(浸漬)되어 기판의 처리가 행해지는 처리조와,
    상기 처리조로부터 유출된 혼합액을 받는 외부조와,
    상기 외부조 내의 혼합액을 상기 처리조에 복귀시키는 순환 라인과,
    상기 혼합액 중에 황산을 공급하는 황산 공급부와,
    상기 외부조 내의 혼합액에 과산화수소수를 공급하는 제1 과산화수소수 공급부와,
    상기 순환 라인의 하류측 부분을 흐르는 혼합액에 과산화수소수를 공급하는 제2 과산화수소수 공급부
    를 구비한 기판 액처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 과산화수소수 공급부와 상기 제2 과산화수소수 공급부의 동작을 제어하는 제어부를 더 구비하고, 상기 제어부는, 상기 제1 과산화수소수 공급부 및 상기 제2 과산화수소수 공급부 중 한쪽으로부터 공급되는 과산화수소수의 공급량을, 다른쪽으로부터 공급되는 과산화수소수의 공급량보다 크게 하는 것인, 기판 액처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제어부는, 기판이 상기 처리조에 투입된 후의 제1 기간에서 상기 제2 과산화수소수 공급부로부터 공급되는 과산화수소수의 공급량을, 상기 제1 과산화수소수 공급부로부터 공급되는 과산화수소수의 공급량보다 크게 하고, 상기 제1 기간 후의 제2 기간에서 상기 제1 과산화수소수 공급부로부터 공급되는 과산화수소수의 공급량을, 상기 제2 과산화수소수 공급부로부터 공급되는 과산화수소수의 공급량보다 크게 하는 것인, 기판 액처리 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제어부는, 기판이 상기 처리조에 투입되기 전의 제3 기간에서, 상기 제1 과산화수소수 공급부로부터 공급되는 과산화수소수의 공급량을, 상기 제2 과산화수소수 공급부로부터 공급되는 과산화수소수의 공급량보다 크게 하는 것인, 기판 액처리 장치.
  5. 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 제1 기간에 있어서의 상기 제2 과산화수소수 공급부로부터 공급되는 과산화수소수의 공급 속도를, 다른 기간에 있어서의 상기 제2 과산화수소수 공급부로부터 공급되는 과산화수소수의 공급 속도보다 느리게 하는 것인, 기판 액처리 장치.
  6. 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 제1 기간에 있어서의 상기 제1 과산화수소수 공급부로부터 공급되는 과산화수소수의 공급량은 제로이고, 상기 제2 기간에 있어서의 상기 제2 과산화수소수 공급부로부터 공급되는 과산화수소수의 공급량은 제로인 것인, 기판 액처리 장치.
  7. 황산과 과산화수소수의 혼합액이 저류되고, 저류된 혼합액에 기판이 침지되어 기판의 처리가 행해지는 처리조와, 상기 처리조로부터 유출된 혼합액을 받는 외부조와, 상기 외부조 내의 혼합액을 상기 처리조에 복귀시키는 순환 라인과, 상기 혼합액 중에 황산을 공급하는 황산 공급부와, 상기 외부조 내의 혼합액에 과산화수소수를 공급하는 제1 과산화수소수 공급부와, 상기 순환 라인의 하류측 부분을 흐르는 혼합액에 과산화수소수를 공급하는 제2 과산화수소수 공급부
    를 구비한 기판 액처리 장치를 이용하는 기판 액처리 방법에 있어서,
    기판이 상기 처리조에 투입된 후의 제1 기간에서 상기 제2 과산화수소수 공급부로부터 공급되는 과산화수소수의 공급량을, 상기 제1 과산화수소수 공급부로부터 공급되는 과산화수소수의 공급량보다 크게 하고, 상기 제1 기간 후의 제2 기간에서 상기 제1 과산화수소수 공급부로부터 공급되는 과산화수소수의 공급량을, 상기 제2 과산화수소수 공급부로부터 공급되는 과산화수소수의 공급량보다 크게 하는 것인, 기판 액처리 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 기판이 상기 처리조에 투입되기 전의 제3 기간에서, 상기 제1 과산화수소수 공급부로부터 공급되는 과산화수소수의 공급량을, 상기 제2 과산화수소수 공급부로부터 공급되는 과산화수소수의 공급량보다 크게 하는 것인, 기판 액처리 방법.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 제2 기간에 있어서의 상기 제1 과산화수소수 공급부로부터 공급되는 과산화수소수의 공급 속도를, 다른 기간에 있어서의 상기 제1 과산화수소수 공급부로부터 공급되는 과산화수소수의 공급 속도보다 크게 하는 것인, 기판 액처리 방법.
  10. 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 제1 기간에 있어서의 상기 제1 과산화수소수 공급부로부터 공급되는 과산화수소수의 공급량은 제로이고, 상기 제2 기간에 있어서의 상기 제2 과산화수소수 공급부로부터 공급되는 과산화수소수의 공급량은 제로인 것인, 기판 액처리 방법.
  11. 황산과 과산화수소수의 혼합액이 저류되고, 저류된 혼합액에 기판이 침지되어 기판의 처리가 행해지는 처리조와,
    상기 처리조로부터 유출된 혼합액을 받는 외부조와,
    상기 외부조 내의 혼합액을 상기 처리조에 복귀시키는 순환 라인과,
    상기 혼합액 중에 황산을 공급하는 황산 공급부와,
    상기 순환 라인에 마련된 기기와,
    상기 처리조, 상기 외부조 및 상기 순환 라인으로 이루어지는 순환계 내에 있는 혼합액에 과산화수소수를 공급하는 제1 과산화수소수 공급부와,
    상기 순환계 내에 있는 혼합액에 과산화수소수를 공급하는 제2 과산화수소수 공급부
    를 구비하고,
    상기 기기는, 상기 혼합액 중의 고형 불순물을 제거하는 필터 또는 상기 순환계 내에 상기 혼합액의 순환류를 형성하는 펌프이며,
    상기 제1 과산화수소수 공급부는, 상기 외부조에, 또는 상기 기기보다 상류측의 위치에서 상기 순환 라인에, 과산화수소수를 공급하도록 마련되고,
    상기 제2 과산화수소수 공급부는, 상기 기기보다 하류측의 위치에서 상기 순환 라인에 과산화수소수를 공급하도록 마련되어 있는 것인, 기판 액처리 장치.
  12. 황산과 과산화수소수의 혼합액이 저류되고, 저류된 혼합액에 기판이 침지되어 기판의 처리가 행해지는 처리조와, 상기 처리조로부터 유출된 혼합액을 받는 외부조와, 상기 외부조 내의 혼합액을 상기 처리조에 복귀시키는 순환 라인과, 상기 혼합액 중에 황산을 공급하는 황산 공급부와, 상기 순환 라인에 마련된 기기와, 상기 처리조, 상기 외부조 및 상기 순환 라인으로 이루어지는 순환계 내에 있는 혼합액에 과산화수소수를 공급하는 제1 과산화수소수 공급부와, 상기 순환계 내에 있는 혼합액에 과산화수소수를 공급하는 제2 과산화수소수 공급부를 구비하고, 상기 기기는, 상기 혼합액 중의 고형 불순물을 제거하는 필터 또는 상기 순환계 내에 상기 혼합액의 순환류를 형성하는 펌프이며, 상기 제1 과산화수소수 공급부는, 상기 외부조에, 또는 상기 기기보다 상류측의 위치에서 상기 순환 라인에, 과산화수소수를 공급하도록 마련되고, 상기 제2 과산화수소수 공급부는, 상기 기기보다 하류측의 위치에서 상기 순환 라인에 과산화수소수를 공급하도록 마련되어 있는, 기판 액처리 장치를 이용하는 기판 액처리 방법에 있어서,
    기판이 상기 처리조에 투입된 후의 제1 기간에서 상기 제2 과산화수소수 공급부로부터 공급되는 과산화수소수의 공급량을, 상기 제1 과산화수소수 공급부로부터 공급되는 과산화수소수의 공급량보다 크게 하며, 상기 제1 기간 후의 제2 기간에서 상기 제1 과산화수소수 공급부로부터 공급되는 과산화수소수의 공급량을, 상기 제2 과산화수소수 공급부로부터 공급되는 과산화수소수의 공급량보다 크게 하는 것인, 기판 액처리 방법.
  13. 기판 액처리 장치의 동작을 제어하기 위한 컴퓨터에 의해 실행되었을 때에, 상기 컴퓨터가 상기 기판 액처리 장치를 제어하여 제7항 또는 제8항 또는 제12항 중 어느 한 항에 기재된 기판 액처리 방법을 실행시키는 프로그램이 기록된 기억 매체.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7055467B2 (ja) * 2017-09-08 2022-04-18 エーシーエム リサーチ （シャンハイ） インコーポレーテッド 半導体ウェハの洗浄方法及び洗浄装置
JP7222995B2 (ja) * 2018-06-18 2023-02-15 株式会社カネカ パターン印刷用レジスト組成物及びそれを用いた回路パターンの製造方法
JP7339044B2 (ja) * 2019-07-19 2023-09-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、基板処理システム及び基板処理方法
US20210384049A1 (en) * 2020-06-04 2021-12-09 Tokyo Electron Limited System and Method for Wet Chemical Etching in Semiconductor Processing

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5820689A (en) * 1996-12-04 1998-10-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wet chemical treatment system and method for cleaning such system
JP2009076662A (ja) * 2007-09-20 2009-04-09 Fujitsu Microelectronics Ltd 半導体製造装置の洗浄方法
JP2009081248A (ja) * 2007-09-26 2009-04-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2009260171A (ja) * 2008-04-21 2009-11-05 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記録媒体
JP2011114305A (ja) * 2009-11-30 2011-06-09 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP2011134899A (ja) 2009-12-24 2011-07-07 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP2011210976A (ja) * 2010-03-30 2011-10-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置の供給異常検知方法及びそれを用いた基板処理装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6241827B1 (en) * 1998-02-17 2001-06-05 Tokyo Electron Limited Method for cleaning a workpiece
JP2004248505A (ja) * 2001-09-21 2004-09-09 Norio Nakatsuji 移植抗原の一部または全てを欠除したｅｓ細胞由来の未分化な体細胞融合細胞およびその製造
JP2005101037A (ja) * 2003-09-22 2005-04-14 Nec Kansai Ltd 洗浄装置
KR20070004609A (ko) * 2003-12-30 2007-01-09 아크리온 엘엘씨 기판을 처리하는 동안 실리콘 질화물을 선택적으로에칭하는 시스템 및 방법
KR101124049B1 (ko) * 2005-06-22 2012-03-26 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법과 컴퓨터 판독 가능한기억 매체
JP2007049022A (ja) 2005-08-11 2007-02-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法及びその装置
JP4695494B2 (ja) * 2005-11-01 2011-06-08 株式会社東芝 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
JP2008016620A (ja) * 2006-07-05 2008-01-24 Toshiba Corp 半導体製造装置及び半導体製造方法
JP5180263B2 (ja) * 2010-07-23 2013-04-10 倉敷紡績株式会社 基板処理装置
US9146547B2 (en) * 2011-07-20 2015-09-29 Nec Laboratories America, Inc. Optimal energy management of a rural microgrid system using multi-objective optimization
US8940103B2 (en) * 2012-03-06 2015-01-27 Tokyo Electron Limited Sequential stage mixing for single substrate strip processing
JP6472726B2 (ja) * 2015-07-22 2019-02-20 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5820689A (en) * 1996-12-04 1998-10-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wet chemical treatment system and method for cleaning such system
JP2009076662A (ja) * 2007-09-20 2009-04-09 Fujitsu Microelectronics Ltd 半導体製造装置の洗浄方法
JP2009081248A (ja) * 2007-09-26 2009-04-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2009260171A (ja) * 2008-04-21 2009-11-05 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記録媒体
JP2011114305A (ja) * 2009-11-30 2011-06-09 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP2011134899A (ja) 2009-12-24 2011-07-07 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP2011210976A (ja) * 2010-03-30 2011-10-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置の供給異常検知方法及びそれを用いた基板処理装置

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