JP5454108B2 - 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 - Google Patents
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Description
この処理槽内の混合液を循環させるための循環路と、
この循環路に設けられ、前記混合液を加熱するための加熱部と、
前記混合液に硫酸を補充供給するための硫酸供給部と、
前記循環路における前記加熱部の下流側であって、前記被処理基板を汚染する汚染物質の除去に有効な成分である過酸化水素水、及び過酸化水素水と硫酸との反応により生成するカロ酸の分解を抑制した状態で前記混合液を処理槽に供給するための位置である、当該循環路の出口の直前位置にて混合液に過酸化水素水を補充供給するための過酸化水素水供給部と、
前記処理槽内の混合液の温度を検出するための液温検出部と、
前記処理槽内の混合液の温度を135℃〜170℃の範囲の設定温度にするために前記液温検出部の温度検出値に基づいて加熱部の出力を調節するステップと、前記処理槽に被処理基板を浸漬するステップと、次いで、前記過酸化水素水供給部より過酸化水素水を補充供給し、前記被処理基板が浸漬された処理槽に当該過酸化水素水が補充供給された混合液を供給するステップと、しかる後、処理を終えた基板を前記処理槽から搬出するステップと、加熱によって蒸発した混合液を補充するために、前記硫酸供給部より硫酸を補充供給するステップと、を実行するように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする。
(a)前記過酸化水素水を補充供給する位置から処理槽までの循環路における過酸化水素水及びカロ酸の分解を抑制するために、当該循環路における混合液の流量が20リットル/分以上、50リットル/分以下の範囲であること。
(b)前記被処理基板の処理は、前記処理槽の混合液内に新たな被処理基板を浸漬するステップと、処理を終えた被処理基板を当該処理槽から取り出すステップとが繰り返して行われ、前記制御部は、処理を終えた被処理基板を処理槽から取り出した後、次の被処理基板が混合液に浸漬される前のタイミング毎に硫酸を補充供給するように硫酸供給部を制御すること。
(c)前記処理槽から溢流した混合液を受ける共に、前記循環路の上流側に設けられた外槽と、この外槽内の混合液の液面の高さを検出する液面検出部とを備え、前記制御部は、前記液面検出部にて検出した液面の高さが予め設定した高さを下回ったときに混合液に硫酸を補充供給するように硫酸供給部を制御すること。
(e)前記過酸化水素水を補充供給する位置から処理槽までの循環路における過酸化水素水及びカロ酸の分解を抑制するために、当該過酸化水素水を補充供給する位置は、当該循環路の出口より上流側50cm以内の位置であること。
しかしながら、カロ酸や過酸化水素は熱的に不安定な物質であるため、温度を高くすると分解してしまい、逆に汚染物質の除去能が低下してしまうおそれがある。
図5に示すSPM処理装置2を用い、図6(a)〜図7(b)にて説明した要領でウエハWの処理を繰り返し実行し、SPM温度を変化させたことによるSPM液(初濃度:硫酸95重量%、過酸化水素水5重量%)中の硫酸濃度及び水分濃度の経時変化を測定した。各実験においては、1ロットで50枚のウエハWに対する処理を行った。本実験では、硫酸の濃度が80重量%に到達する時点をSPM液の全量交換タイミングに設定している。
(実施例)
SPM液の温度:140℃、
過酸化水素水の供給:ウエハW処理開始前毎に3秒間で150mLを供給、
硫酸の供給:ウエハW処理開始後毎に150mLを供給、
循環ライン410におけるSPM液の循環量:40L/分
(比較例)
SPM液の温度:120℃、
過酸化水素水の供給:ウエハW処理開始前毎に3秒間で150mLを供給、
硫酸の供給:液面センサ24による液レベル管理。ウエハWの処終了後に外槽212の液レベルが設定値を下回っていたら、当該液レベルを回復するまで硫酸を供給。
循環ライン410におけるSPM液の循環量:40L/分
実施例、比較例におけるSPM液中の硫酸濃度及び過酸化水素水濃度の変化を示すグラフを図8に示す。図8において横軸は時間[分]、左側の縦軸は硫酸濃度[重量%]、右側の縦軸は過酸化水素水中に含まれる水分濃度[重量%]を示している。図中、実施例は実線、比較例は破線で示してある。なお、実際に計測された濃度は、過酸化水素水や硫酸の供給などの影響を受けて小刻みに変動しているが、図8には平滑化した結果を示してある。
1 ウエハ処理システム
11 搬入出部
12 インターフェース部
13 乾燥処理部
14 SPM処理部
2 SPM処理装置
21 SPM処理槽
212 外槽
22 SPM供給ノズル
221 吐出孔
24 液面センサ
3 ウエハボート
410 循環ライン
420 過酸化水素水供給ライン
430 硫酸供給ライン
5 制御部
6 FOUP
Claims (13)
- 被処理基板を、硫酸と過酸化水素水との混合液に浸漬し処理するための処理槽と、
この処理槽内の混合液を循環させるための循環路と、
この循環路に設けられ、前記混合液を加熱するための加熱部と、
前記混合液に硫酸を補充供給するための硫酸供給部と、
前記循環路における前記加熱部の下流側であって、前記被処理基板を汚染する汚染物質の除去に有効な成分である過酸化水素水、及び過酸化水素水と硫酸との反応により生成するカロ酸の分解を抑制した状態で前記混合液を処理槽に供給するための位置である、当該循環路の出口の直前位置にて混合液に過酸化水素水を補充供給するための過酸化水素水供給部と、
前記処理槽内の混合液の温度を検出するための液温検出部と、
前記処理槽内の混合液の温度を135℃〜170℃の範囲の設定温度にするために前記液温検出部の温度検出値に基づいて加熱部の出力を調節するステップと、前記処理槽に被処理基板を浸漬するステップと、次いで、前記過酸化水素水供給部より過酸化水素水を補充供給し、前記被処理基板が浸漬された処理槽に当該過酸化水素水が補充供給された混合液を供給するステップと、しかる後、処理を終えた基板を前記処理槽から搬出するステップと、加熱によって蒸発した混合液を補充するために、前記硫酸供給部より硫酸を補充供給するステップと、を実行するように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 前記過酸化水素水を補充供給する位置から処理槽までの循環路における過酸化水素水及びカロ酸の分解を抑制するために、当該循環路における混合液の流量が20リットル/分以上、50リットル/分以下の範囲であることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記被処理基板の処理は、前記処理槽の混合液内に新たな被処理基板を浸漬するステップと、処理を終えた被処理基板を当該処理槽から取り出すステップとが繰り返して行われ、
前記制御部は、処理を終えた被処理基板を処理槽から取り出した後、次の被処理基板が混合液に浸漬される前のタイミング毎に硫酸を補充供給するように硫酸供給部を制御することを特徴とする請求項1または2に記載の基板処理装置。 - 前記処理槽から溢流した混合液を受ける共に、前記循環路の上流側に設けられた外槽と、この外槽内の混合液の液面の高さを検出する液面検出部とを備え、
前記制御部は、前記液面検出部にて検出した液面の高さが予め設定した高さを下回ったときに混合液に硫酸を補充供給するように硫酸供給部を制御することを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載の基板処理装置。 - 前記過酸化水素水を補充供給する位置から処理槽までの循環路における過酸化水素水及びカロ酸の分解を抑制するために、当該過酸化水素水を補充供給する位置は、混合液が当該位置から処理槽に流入されるまでの時間が5秒以内となる位置であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の基板処理装置。
- 前記過酸化水素水を補充供給する位置から処理槽までの循環路における過酸化水素水及びカロ酸の分解を抑制するために、当該過酸化水素水を補充供給する位置は、当該循環路の出口より上流側50cm以内の位置であることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一つに記載の基板処理装置。
- 処理槽内の硫酸と過酸化水素水との混合液に被処理基板を浸漬して処理を行う工程と、
前記処理槽内の混合液を循環路に循環させる工程と、
この循環路内にて混合液を加熱することにより、前記処理槽内の混合液の温度を135℃〜170℃の範囲の設定温度に調節する工程と、
前記処理槽に被処理基板を浸漬する工程と、
次いで、前記循環路における混合液の加熱位置よりも下流側であって、前記被処理基板を汚染する汚染物質の除去に有効な成分である過酸化水素水、及び過酸化水素水と硫酸との反応により生成するカロ酸の分解を抑制した状態で前記混合液を処理槽に供給するための位置である当該循環路の出口の直前位置にて混合液に過酸化水素水を補充供給し、前記被処理基板が浸漬された処理槽に当該過酸化水素水が補充供給された混合液を供給する工程と、
しかる後、処理を終えた基板を前記処理槽から搬出する工程と、
加熱により蒸発した混合液を補充するために、当該混合液に硫酸を補充供給する工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 前記過酸化水素水を補充供給する位置から処理槽までの循環路における過酸化水素水及びカロ酸の分解を抑制するために、前記循環路における混合液の流量が20リットル/分以上、50リットル/分以下の範囲であることを特徴とする請求項7に記載の基板処理方法。
- 処理槽の混合液内に新たな被処理基板を浸漬する工程と、処理を終えた被処理基板を当該処理槽から取り出す工程とが繰り返して行われ、
処理を終えた被処理基板を処理槽から取り出した後、次の被処理基板が混合液に浸漬される前のタイミング毎に、前記硫酸を補充供給する工程を実行することを特徴とする請求項7または8に記載の基板処理方法。 - 前記処理槽から溢流した混合液を外槽にて受け止め、受け止められた混合液を前記循環路に流す工程と、
この外槽内の混合液の液面の高さを検出する工程と、を含み、
前記工程で検出された液面の高さが予め設定された高さを下回ったときに、前記混合液に硫酸を補充供給する工程を実行することを特徴とする請求項7ないし9のいずれか一つに記載の基板処理方法。 - 前記過酸化水素水を補充供給する位置から処理槽までの循環路における過酸化水素水及びカロ酸の分解を抑制するために、当該過酸化水素水を補充供給する位置は、混合液が当該位置から処理槽に流入されるまでの時間が5秒以内となる位置であることを特徴とする請求項7ないし10のいずれか一つに記載の基板処理方法。
- 前記過酸化水素水を補充供給する位置から処理槽までの循環路における過酸化水素水及びカロ酸の分解を抑制するために、当該過酸化水素水を補充供給する位置は、当該循環路の出口より上流側50cm以内の位置であることを特徴とする請求項7ないし11のいずれか一つに記載の基板処理方法。
- 被処理基板を、硫酸と過酸化水素水との混合液に浸漬し処理する基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記プログラムは請求項7ないし12のいずれか一つに記載された基板処理方法を実行するためにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。
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