KR100238234B1 - 반도체소자용 인-시튜 세정장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 세정방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 건식 세정 수단, 습식 세정 수단 및 이들을 연결하는 공통 세정조를 포함하는 반도체 소자용 세정장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 세정방법에 관한 것이다. 본 발명의 세정장치는 건식 세정수단과 습식 세정수단이 공통 세정조를 통하여 서로 연결된 구조를 갖는다. 따라서, 본 발명의 세정 장치를 이용하면 건식 세정 이후에 반도체 소자가 대기중에 방치되는 일이 없이 바로 습식 세정될 수 있기 때문에 자연 산화막 등과 같은 이차 오염 발생을 최대한 방지할 수 있을 뿐 아니라, 건식 세정이나 습식 세정만으로는 얻을 수 없는 탁월한 세정 효과, 즉 입자상 물질, 폴리머, 금속성 오염물질 등 대부분의 오염물질에 대하여 탁월한 세정 효과를 갖는다.

Description

반도체 소자용 인-시튜 (in-situ) 세정 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 세정 방법{In-situ cleaning apparatus for semiconductor device and method for cleaning semiconductor device using the same}
본 발명은 반도체 소자용 인-시튜 (in-situ) 세정 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 세정 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 건식 세정과 습식 세정으로 이루어진 2단계 세정 공정을 연속적으로 실시할 수 있도록 만들어진 반도체 소자용 인-시튜 세정 장치 및 그를 이용한 세정 방법에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼 프로세서 중에서 세정공정이 갖는 의미는 매우 중요한 것이다. 실리콘 웨이퍼 표면이 오염되는 것은 반도체 웨이퍼 프로세서 개시부터 완료까지 모든 공정에 걸쳐서 일어나며 그 종류도 다양하다.
특히 반도체 소자의 집적도가 비약적으로 증가됨에 따라 회로 패턴이 극도로 미세해지고 있으므로 오염물질의 제거가 보다 세심하고 치밀하게 진행되어야 함은 물론이다.
반도체 소자의 오염물질을 세정 방법은 크게 습식 세정법과 건식 세정법으로 나뉠 수 있다.
이중, 습식 세정법은 세정 용액이 담겨있는 세정조에 웨이퍼를 침지시켜 표면상에 존재하는 각종 오염물을 제거하는 방법으로 일반적으로는 SC1(암모니아수, 과산화수소수 및 탈이온수를 포함하는 혼합액) 세정법, SC2 (진한 염산, 과산화수소수 및 탈이온수를 포함하는 혼합액) 세정법, SPM (진한 황산 및 과산화수소수를 포함하는 혼합액) 세정법 또는 DHF (진한 불산 및 탈이온수를 포함하는 혼합액) 세정법을 들 수 있다.
이러한 몇가지 습식 세정법 중에서, SC1 또는 SPM 세정법은 웨이퍼 표면에 잔류하는 각종 유기 물질 및 입자상 오염물질에 대한 제거력이 탁월한 반면, SC2 세정법은 금속성 오염물질에 대한 제거력이 탁월하다. 그러나, 이들 세가지의 세정법 모두는 세정 용액중에 포함된 과산화수소수가 실리콘 웨이퍼 표면과 반응하여 화학적 산화막을 형성하거나 세정 용액중의 금속 성분 또는 입자상 성분에 의해 실리콘 웨이퍼 상에 역오염 현상이 발생한다는 문제점이 있다. 따라서, 이러한 화학적 산화막 또는 역오염물질을 제거하기 위해서는, 예를 들면 플루오르화수소산 희석액을 사용하는 DHF 습식 세정을 추가로 실시하여야 한다는 문제점이 있다.
그러나, 이러한 추가의 습식 세정은 다음과 같은 문제점을 유발시킨다.
(1) 웨이퍼의 대구경화 추세에 따라 세정용액 및 탈이온수가 대량 사용되기 때문에 비용이 증가할 뿐 아니라 환경오염 문제가 발생한다.
(2) 추가의 습식 세정전에 웨이퍼가 대기중에 노출되는 일이 발생하면 웨이퍼 표면에 자연 산화막이 생길 수 있다;
(3) 최근들어 여러종류의 설비를 조합 (cluster)하는 추세인데, 습식 세정장치는 다른 설비들과 조합하기가 어렵다.
따라서, 이러한 습식 세정법을 대체하기 위한 방법으로서 제시되고 있는 방법이 건식 세정법인데, 그 일예가 무수 플루오르화수소 및 수증기를 이용한 기상세정법이며, 이를 더 개선한 방법이 무수 플루오르화수소 및 알콜 증기를 이용하는 방법이다.
이러한 건식 세정법은 상기 습식 세정법에 비해 유해 물질이 적게 배출되므로 환경적인 측면에서 유용하고, 이 건식 세정에 이용되는 세정장치는 반도체 공정에서 사용되는 다른 설비들과 조합 (cluster)하기 용이하며, 세정된 실리콘 웨이퍼가 대기 중에 노출되어 방치되는 일이 없기 때문에 자연산화막의 발생이 억제된다는 등의 여러 가지 잇점이 있다.
그러나, 건식 세정법에 의하면 전처리후 표면상에 존재하는 화학적 산화막에 대한 제거율은 우수하지만 금속성 오염물질에 대한 제거력은 불충분한 것으로 나타났다.
건식 세정법을 적용한 또 다른 예로서, 플루오르화수소 가스를 이용하여 실리콘 웨이퍼 표면 상에 존재하는 산화막을 제거하는 방법이 재시된 바 있다. (미합중국 특허 제4749440호)
그러나, 이 방법에 의하면 식각 균일성이 불량할 뿐아니라 세정후에도 실리콘 웨이퍼 상에 입자상 오염물질, 금속성 오염물질 등을 포함하는 각종 오염물질이 잔류한다는 문제점이 있다.
따라서, 건식 세정후에 잔류할 수 있는 금속성 오염물질, 입자상 오염물질 등을 제거하기 위한 여러 가지 연구가 계속되었다. 그 일예가 UV/Cl2세정법이다.
이 방법은 기판의 표면에 UV를 조사하면서 염소가스를 주입함으로써 표면상에 여기된 금속입자를 할로겐화시켜 제거하는 방법이다. 그러나, 이 방법에 의하면 철 입자를 제외한 다른 금속, 예들 들어 증기압이 낮은 할로겐화물을 형성하는 알루미늄이나 아연과 같은 금속입자에 대해서는 세정효과가 미미하다.
또 다른 예로서, 탈이온수를 이용하여 건식 세정된 반도체 소자를 세척하는 세정 방법 및 세정 장치가 개시된 바 있다(미합중국 특허 제5169408호).
그러나, 탈이온수를 이용한 후속의 세정에도 불구하고 금속성 오염물질은 제거되지 않는다.
따라서, 본 발명자들은 전술한 문제점들을 극복할 수 있는 세정방법에 대하여 지속적으로 연구한 결과, 금속성 오염물질은 물론 산화막, 폴리머, 입자상 오염물질 등을 효과적으로 세정할 수 있으며 공정 중에 반도체 소자가 대기 중에 방치되는 일이 없어 자연산화막의 발생을 막을 수 있는 반도체 소자용 인-시튜 세정장치 및 그를 이용한 세정방법을 완성하게 되었다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 반도체 소자를 대기중에 노출하지 않고 연속적으로 건식 및 습식 세정할 수 있는 반도체 소자용 인-시튜 세정장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 전술한 인-시튜 세정장치를 이용한 반도체 소자의 세정방법을 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 소자용 인-시튜 세정장치의 개략도이다.
도 2는 도 1에 도시된 반도체 소자용 인-시튜 세정장치 중 습식 세정수단 부분만 나타낸 개략도이다.
도 3은 건식 세정 전과 후의 금속성 오염물질 제거율을 비교하여 나타낸 그래프이다.
도 4는 본 발명에 따른 세정방법 (IPF 세정법) 및 DHF (탈이온수:플루오르화수소=100:1)를 이용하는 종래의 습식 세정방법 (DHF 세정법)으로 반도체 소자를 세정하기 전가 후의 금속성 오염물질 제거율을 비교하여 나타낸 그래프이다.
도 5는 본 발명에 따른 세정방법, 종래의 DHF 습식 세정법 및 종래의 SC1(암모니아수, 과산화수소수 및 탈이온수의 혼합액) 습식 세정법으로 반도체 소자를 세정하는 경우를 입자상 오염물지 제거율을 비교하여 나타낸 그래프이다.
도 6a는 폴리실리콘 건식 식각 중에 폴리머가 생성된 반도체 소자를 나타낸 사진이다.
도 6b는 종래의 DHF 습식 세정방법으로 도 6a의 반도체 소자를 세정하는 경우의 폴리머 제거상태를 나타낸 사진이다.
도 6c는 본 발명에 따른 인-시튜 세정방법으로 도 6a의 반도체 소자를 세정하는 경우의 폴리머 제거상태를 나타낸 사진이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1...제1 용액 저장조 2...제2 용액 저장조
3...세정액 혼합기 4...온도 조절기
5...공통 세정조 6...질소가스 저장조
7...플루오르화수소 가스 저장조
8...증기 저장조 9...가스 혼합기
a...탈이온수 공급 라인 a'...탈이온수 배출 라인
b...세정액 농도 감지 센서
c...열교환기 (heat exchanger) d...세정액 공급 라인
e... 가스 공급 라인 f...폐세정액 회수 라인
g...오염물질 정화필터
본 발명의 기술적 과제는 질소 가스 저장조, 플루오르화수소 가스 저장조, 알콜 증기, 수증기 및 이들의 혼합물중 하나를 저장하는 저장조, 및 한쪽 말단이 상기 각 저장조와 연결된 가스 혼합기를 포함하는 건식 세정수단;
제1 용액 저장조, 제2 용액 저장조 및 한쪽 말단이 상기 제1 용액 및 제2 용액 저장조와 연결된 세정액 혼합기를 포함하는 습식 세정수단; 및
상기 가스 혼합기와 상기 세정액 혼합기 사이에 위치하며, 양쪽 단부가 가스 공급 라인 및 세정액 공급 라인에 의해 상기 가스 혼합기 및 세정액 혼합기의 다른쪽 말단과 각각 연결된 공통 세정조로 이루어진 반도체 소자용 인-시튜 세정장치에 의하여 이루어질 수 있다.
본 발명의 다른 기술적 과제는,
실리콘 웨이퍼를 공통 세정조에 반입하는 단계;
상기 공통 세정조에 플루오르화수소 가스-함유 증기상 혼합물을 주입하여 반도체 소자를 세정하는 건식 세정단계; 및
상기 공통 세정조에 무수 플로오르화물, 알콜 및 탈이온수를 포함하는 세정액을 주입하여 반도체 소자를 세정하는 습식 세정단계를 포함하는 반도체 소자의 세정방법에 의해 이루어질 수 있다.
먼저, 본 발명에 따른 반도체 소자용 세정장치에 있어서, 상기 세정액 혼합기는 폴리테트라플루오로에틸렌 또는 세라믹으로 만들어지며, 혼합 세정액 온도 조절기, 혼합 세정액 농도 감지 센서를 구비하고 있다.
또한, 상기 세정액 혼합기에 혼합기 세척용 탈이온수 공급 라인 및 배출 라인을 더 장착할 수도 있다.
상기 공통 세정조는 양측 말단이 각각 가스 혼합기와 세정액 혼합기에 연결되어 있어서 하나의 세정조 내에서 건식 세정과 습식 세정이 순차적으로 이루어질 수 있도록 하기 위한 것이다.
한편, 공통 세정조와 세정액 혼합기 사이에 폐세정액 회수 라인이 설치되어 있을 수 있으며, 상기 폐세정액 회수 라인은 오염물질 정화 필터를 구비하고 있다.
도 1은 본 발명의 반도체 소자용 인-시튜 세정장치를 개략적으로 도시한 것이다.
도 1을 참조하여 보면 본 발명의 반도체 소자용 인-시튜 세정장치는,
질소가스 저장조(6), 플루오르화수소 가스 저장조(7), 알콜 증기, 수증기 또는 이들의 혼합물을 저장하는 저장조(8) 및 상기 각 저장조 (6,7 및 8)로부터 유입되는 가스를 혼합, 저장하는 가스 혼합기 (9)를 포함하는 건식 세정 수단;
플루오르화수소산 및 알콜 수용액이 각각 저장된 제1 용액 및 제2 용액 저장조 (1 및 2), 상기 제1 용액 및 제2 용액저장조로부터 용액을 공급받아 이를 혼합, 저장하는 세정액 혼합기(3)를 포함하는 습식 세정 수단; 및
세정액 공급 라인 (d)과 가스 공급 라인 (e)을 통하여 각각 세정액 혼합기(3)와 가스 혼합기(9)에 연결된 공통 세정조 (5)로 이루어져 있다.
본 발명에 따른 반도체 소자용 인-시튜 세정장치중 습식 세정수단만을 개략적으로 도시한 도 2를 참조하여 보면, 상기 세정액 혼합기(3)는 한쪽 말단은 제1 및 제2 저장조(1 및 2)가 연결되어 있으며, 다른쪽 말단은 공통 세정조(5)와 연결되어 있다.
이 세정액 혼합기(3)는 상기 제1용액 및 제2 용액 저장조 (1, 2)로부터 각각 플루오르화수소산 및 알콜 수용액을 공급받아 이를 혼합하여 혼합 세정액을 제조한 다음, 이 혼합 세정액을 저장하고 있다가 세정액 공급 라인(d)을 통해 공통 세정조(5)로 공급하는데, 이에 의하여 습식 세정공정이 개시된다.
이때, 상기 세정액 혼합기(3)는 온도 조절기(4)와 농도 감지 센서 (b)를 구비할 수 있는데, 상기 온도 조절기(4)는 습식 세정이 바람직하게 실시될 수 있는 세정액의 온도를 소정 온도, 예를 들면 상온-100℃의 온도로 유지시키며, 상기 농도 감지 센서 (b)는 세정액의 혼합비를 체크하여 세정액의 혼합 중량비가 소정의 범위로 유지되도록 상기 제1 용액 및 제2 용액 저장조(1 및 2)로부터의 세정액 유입량을 조절한다.
또한, 상기 세정액 혼합기(3)를 세척할 수 있도록 탈이온수 공급 라인 (a) 및 배출 라인 (a')을 더 구비할 수 있다.
상기 세정액 공급 라인(d)에 열교환기 (heat exchanger: c)를 장착하여 세정액이 공통 세정조(5)로 공급되는 중에 세정액의 온도가 소정의 범위를 유지할 수 있도록 온도를 보상할 수 있다.
습식 세정이 끝나면 각종 오염물질로 오염된 세정 용액은 폐세정액 회수라인(f)을 통해 다시 세정액 혼합기(3)으로 회수되는데, 이때 상기 폐세정액 회수 라인(f)에는 오염물질 정화 필터 (g)가 구비되어 있어서 폐세정액에 포함되어 있는 각종 각종 오염물질들을 여과, 정화한다.
이러한 폐세정액 공급라인을 이용하여 사용된 폐세정액을 회수 및 정화하여 재사용함으로써 세정액의 남용으로 인한 비용의 증가 및 환경 오염을 방지할 수 있다.
도 1을 참조하면서 본 발명의 세정방법을 설명해보면, 먼저, 가스 혼합기 (9)가 질소 가스 저장조(5), 플루오르화수소 가스 저장조(6), 및 알콜 증기, 수증기 저장조 또는 이들의 혼합물을 저장하는 증기 저장조(7)로부터 각각 가스를 공급받아 이들을 혼합한 다음, 가스 공급 라인(e)을 통해 공통 세정조(5)로 혼합 가스를 공급함으로써 공통 세정조(5) 내에 반입된 반도체 소자를 건식 세정한다. 상기 질소 가스는 건식 세정용 가스인 플루오르화수소 가스와 알콜증기를 운반하며 세정 분위기를 조성하기 위한 불활성 캐리어 가스이다.
이어서, 세정액 혼합기(3)는 제1 용액 및 제2 용액 저장조(1 및 2)로부터 각각 액상 플루오르화물과 알콜 수용액을 공급받아 이들을 혼합하여 혼합 세정액을 형성한 다음 저장한다. 저장된 혼합 세정액은 건식 세정 완료후 습식 세정이 개시되면 세정액 공급 라인(d)을 통해 공통 세정조(5)내로 분사되어 반도체 소자를 습식 세정하게 된다.
도 1에서 알 수 있듯이 건식 세정 수단과 습식 세정 수단 모두와 연결된 공통 세정조 통하여 건식 세정과 습식 세정이 연속적으로 실시되므로 건식 세정 또는 습식 세정만으로는 얻을 수 없는 우수한 세정효과를 얻을 수 있으며 반도체 소자가 대기 중에 방치되는 일이 없어 자연산화막이 발생되지 않는다는 잇점이 있다.
한편, 본 발명에 따른 세정장치를 이용하는 반도체 소자의 세정방법에 있어서, 상기 무수 플루오르화수소-함유 증기상 혼합물은 플루오르화수소 가스, 및 알콜증기, 수증기 및 이들의 혼합물중 하나를 포함하며, 상기 알콜 증기는 메탄올, 에탄올 또는 이소프로필알콜의 증기일 수 있다.
또한, 상기 세정액의 온도는 상온-100℃, 상기 세정액 중의 무수 풀루오르화물, 알콜 및 탈이온수의 함량은 세정액의 총량을 기준으로 하여 각각 0.01-20중량%, 60-99.99중량% 및 0-20중량%인 것이 바람직하다. 이때, 상기 플루오르화물로는 플루오르화수소산, 플루오르화붕소산 또는 암모늄플루오라이드가, 그리고 상기 알콜로는 메탄올, 에탄올 또는 이소프로필알콜이 바람직하다.
도 3은 건식 세정 전과 후의 금속성 오염물질 제거율을 비교하기 위한 그래프인데 건식 세정 이후에도 웨이퍼 표면상에 존재하는 금속성 오염물질의 잔류 농도는 감소되지 않았으며, 크롬의 경우에는 건식 세정 이후 오히려 증가하였음을 알 수 있다.
한편, 도 4는 본 발명에 따른 인-시튜 세정 (IPF 세정) 이전과 이후에 웨이퍼 표면상에 잔류하는 몇가지 금속성 오염물질의 제거율을 종래의 DHF 습식 세정 이전과 이후의 금속성 오염물질 제거율과 비교하기 위한 그래프이다.
도 4로부터 알 수 있듯이, DHF 세정의 경우에 세정 후 금속성 오염물질의 잔류 농도가 세정 전에 비해 상당히 낮게 나타났으며, 이로써 DHF 습식 세정도 금속성 오염물질을 제거하는데 어느정도 효과가 있음이 인정된다. 그러나, 본 발명에 따른 IPF 세정 이전과 이후의 금속성 오염물질 잔류 농도 차이를 살펴보면 종래의 DHF습식법에 비해 그 차이가 현저한 것으로 나타났다. 즉, 본 발명에 따른 IPF 세정방법의 금속성 오염물질 제거효과가 종래의 DHF 습식 세정법의 경우에 비해 탁월하다는 것을 알 수 있다.
또한, 도 5는 본 발명의 세정 방법에 따른 입자상 오염물질의 제거율을 종래의 SC1 습식 세정법 및 DHF 습식 세정법과 비교하기 위한 그래프이다.
도 5로부터 알 수 있듯이, 종래의 두가지 세정방법을 이용하는 경우보다 본 발명의 세정방법을 적용하였을 경우에 더욱 우수한 입자상 오염물질 제거력을 나타낸다는 것을 알 수 있다. 즉, 본 발명의 세정방법은 금속성 오염물질 뿐 아니라 입자상 오염물질에 대하여도 탁월하다는 것을 알 수 있다.
마지막으로, 도 6a 내지 6c는 본 발명의 세정방법이 폴리머의 제거에도 유옹하다는 것을 입중하기 위한 사진이다.
도 6a 내지 6c를 참조하여 보면, 폴리실리콘 건식 식각 이후에는 반도체 소자상에 폴리머가 다량 발생하게 된다. (도 6a). 이 반도체 소자를 종래의 DHF 습식세정법으로 세정하면 폴리머가 제거되기는 하나 바람직한 수준은 아닌 것을 알 수 있다(도6b). 이에 비하면, 본 발명에 다른 인-시튜 세정법으로 폴리머가 생성된 도 6a의 반도체 소자를 세정하면 폴리머 제거효과가 더 우수한 것을 알 수 있다 (도 6C).
상기 본 발명에 따른 반도체 세정방법은 먼저 기상세정에 의해 웨이퍼 표면상에 존재하는 각종 유기오염물 및 자연산화막을 제거한 다음, 후속의 습식세정을 실시하여 잔류하는 금속입자를 제거하는 2단계 세정방법인데, 이 방법에 의하면 건식 세정에 의해 제거될 수 없는 각종 금속성 오염물질 뿐 아니라 입자상 오염물질과 폴리머 등도 추가로 제거할 수 있으며, 웨이퍼 표면의 대기중 노출되는 일이 없어 자연산호막이 다시 발생하는 것을 막을 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 소자용 인-시튜 세정장치는 공통 세정조를 통하여 건식 세정 수단과 습식 세정 수단을 연결하여 일체화시킨 것으로서 하나의 세정조를 이용하여 건식 세정과 습식 세정을 연속적으로 실시할 수 있는 장치이다. 따라서, 본 발명의 세정장치를 이용하여 반도체 소자를 세정하면 건식 세정 또는 습식 세정만으로는 얻을 수 없는 탁월한 세정효과, 즉 자연산화막, 화학적 산화막, 폴리머, 입자상 오염물질 및 금속입자등에 대하여 우수한 세정효과를 얻을 수 있을 뿐 아니라 건식 세정후에 반도체 소자가 대기 중에 방치되는 일이 없이 곧바로 습식 세정되기 때문에 자연산화막의 발생과 같은 이차 오염 문제로부터도 벗어날 수 있다. 즉, 본 발명의 방법에 의하면 탁월한 세정효과와 함께 공정 운영상의 잇점도 얻을 수 있다.

Claims (15)

  1. 질소 가스 저장조, 플루오르화수소 가스 저장조, 알콜 증기, 수증기 및 이들의 혼합물중 하나를 저장하는 저장조, 및 한쪽 말단이 상기 각 저장조와 연결된 가스 혼합기를 포함하는 건식 세정수단;
    제1 용액 저장조, 제2 용액 저장조 및 한쪽 말단이 상기 제1 용액 및 제2 용액 저장조와 연결된 세정액 혼합기를 포함하는 습식 세정수단; 및
    상기 가스 혼합기와 상기 세정액 혼합기 사이에 위치하며, 양쪽 단부가 가스 공급 라인 및 세정액 공급 라인에 의해 상기 가스 혼합기 및 세정액 혼합기의 다른쪽 말단과 각각 연결된 공통 세정조로 이루어진 반도체 소자용 인-시튜 세정장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 세정액 혼합기가 폴리테트라플루오로에틸렌 또는 세라믹으로 만들어진 것임을 특징으로 하는 반도체 소자용 인-시튜 세정장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 세정액 혼합기의 내부에 온도 조절기가 구비된 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 인-시튜 세정장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 세정액 혼합기에 세정액 유입속도가 조절용 농도 조절 센서가 구비된 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 인-시튜 세정장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 세정액 혼합기가 혼합기 세척용 탈이온수 공급장치 및 배출 장치를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 인-시튜 세정장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 세정액 공급 라인에 세정액 온도 저하 보상용 열교환기가 장착된 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 인-시튜 세정 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 공통 세정조와 세정액 혼합기 사이에 폐세정액 회수 라인이 설치된 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 인-시튜 세정장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 폐세정액 회수 라인에 오염물질 정화필터이 구비된 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 인-시튜 세정장치.
  9. 실리콘 웨이퍼를 공통 세정조에 반입하는 단계;
    상기 공통 세정조에 플루오르화수소 가스-함유 증기상 혼합물을 주입하여 반도체 소자를 세정하는 건식 세정단계; 및
    상기 공통 세정조에 무수 플로오르화물, 알콜 및 탈이온수를 포함하는 세정액을 주입하여 반도체 소자를 세정하는 습식 세정단계를 포함하는 반도체 소자의 세정방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 플루오르화수소 가스-함유 증기상 혼합물이 플루오르화수소 가스, 및 알콜 증기, 수증기 또는 이들의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 세정방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 알콜 증기가 메탄올, 에탄올 또는 이소프로필알콜의 증기인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 세정방법
  12. 제9항에 있어서, 상기 세정액의 온도가 상온-100℃인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 세정방법.
  13. 제9항에 있어서, 상기 세정액 중의 무수 플루오르화물, 알콜 및 탈이온수의 함량이 세정액의 총량을 기준으로 하여 각각 0.1-20중량%, 60-99.99중량% 및 0-20중량%인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 세정방법.
  14. 제 13항에 있어서, 상기 플루오르화물이 플루오르화수소산, 플루오르화붕산 또는 암모늄플루오라이드인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 세정방법.
  15. 제13항에 있어서, 상기 알콜이 메탄올, 에탄올 또는 이소프로판올인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 세정방법.
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