JPH0969509A - 半導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置及びその使用方法 - Google Patents
半導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置及びその使用方法Info
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- JPH0969509A JPH0969509A JP7225249A JP22524995A JPH0969509A JP H0969509 A JPH0969509 A JP H0969509A JP 7225249 A JP7225249 A JP 7225249A JP 22524995 A JP22524995 A JP 22524995A JP H0969509 A JPH0969509 A JP H0969509A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ディップ式洗浄装置と同程度の洗浄効率を維
持しながら、薬液及び超純水の消費量を低減するととも
に、薬液からの再汚染及びしみの発生等を防止する。 【解決手段】 半導体ウェーハの洗浄、エッチング及び
乾燥を行うための装置である。密閉空間２内の温度をヒ
ーター３により加熱調整可能に構成されたプロセスチャ
ンバー１と、該チャンバー内の中央部に設置され、単数
又は複数の被洗浄ウェーハ５を支持するメッシュ４と、
チャンバー内の上部にライン状に配置された複数本のス
プレーノズル７と、チャンバー内の下部に配置された回
転式の吐出ノズル８とを備える。スプレーノズル７から
は薬液及び超純水を窒素ガスと共に噴霧状に噴出させ、
吐出ノズルからは薬液及び超純水を、公転アーム１２と
自転アーム１４との回転によりジェット水流として噴出
させる。
持しながら、薬液及び超純水の消費量を低減するととも
に、薬液からの再汚染及びしみの発生等を防止する。 【解決手段】 半導体ウェーハの洗浄、エッチング及び
乾燥を行うための装置である。密閉空間２内の温度をヒ
ーター３により加熱調整可能に構成されたプロセスチャ
ンバー１と、該チャンバー内の中央部に設置され、単数
又は複数の被洗浄ウェーハ５を支持するメッシュ４と、
チャンバー内の上部にライン状に配置された複数本のス
プレーノズル７と、チャンバー内の下部に配置された回
転式の吐出ノズル８とを備える。スプレーノズル７から
は薬液及び超純水を窒素ガスと共に噴霧状に噴出させ、
吐出ノズルからは薬液及び超純水を、公転アーム１２と
自転アーム１４との回転によりジェット水流として噴出
させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハの
洗浄・エッチング・乾燥装置及びその使用方法に関する
ものである。
洗浄・エッチング・乾燥装置及びその使用方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造工程にお
いては、鉄、銅、ニッケル、クロムを始めとする重金属
やアルミニウムを始めとする軽金属、ナトリウムやカリ
ウム、カルシウムなどのアルカリ金属、パーティクルは
製品の歩留まりを低下させるため、その低減が重要であ
る。そのため、半導体ウェーハの洗浄は非常に重要な工
程の一つである。このウェーハの洗浄には、薬液中にウ
ェーハを浸漬させるいわゆるディップ式洗浄装置が主流
となっており、洗浄に用いる薬液としてはＲＣＡレビュ
ー第３１巻１８７ページ（１９７０年）にＷ．カーンら
が提唱したＲＣＡ洗浄（アンモニア水と過酸化水素水と
超純水との混合液（ＳＣ１）、塩酸と過酸化水素水と超
純水との混合液（ＳＣ２）、及びふっ化水素酸と超純水
との混合液）が広く用いられている。特に、ＳＣ１洗浄
はパーティクル及び有機物の除去効果に優れているた
め、パーティクル除去の洗浄として用いられる。また、
ＳＣ２は重金属の除去効果に優れ、ＳＣ１との組合せで
も使用される。有機物の除去には硫酸と過酸化水素水と
の混合液が使用される。
いては、鉄、銅、ニッケル、クロムを始めとする重金属
やアルミニウムを始めとする軽金属、ナトリウムやカリ
ウム、カルシウムなどのアルカリ金属、パーティクルは
製品の歩留まりを低下させるため、その低減が重要であ
る。そのため、半導体ウェーハの洗浄は非常に重要な工
程の一つである。このウェーハの洗浄には、薬液中にウ
ェーハを浸漬させるいわゆるディップ式洗浄装置が主流
となっており、洗浄に用いる薬液としてはＲＣＡレビュ
ー第３１巻１８７ページ（１９７０年）にＷ．カーンら
が提唱したＲＣＡ洗浄（アンモニア水と過酸化水素水と
超純水との混合液（ＳＣ１）、塩酸と過酸化水素水と超
純水との混合液（ＳＣ２）、及びふっ化水素酸と超純水
との混合液）が広く用いられている。特に、ＳＣ１洗浄
はパーティクル及び有機物の除去効果に優れているた
め、パーティクル除去の洗浄として用いられる。また、
ＳＣ２は重金属の除去効果に優れ、ＳＣ１との組合せで
も使用される。有機物の除去には硫酸と過酸化水素水と
の混合液が使用される。
【０００３】ところで、従来のディップ式洗浄装置は、
例えば図８に示すように、石英やテフロン（ＰＦＡな
ど）の耐薬品性の容器である洗浄槽ａ内のメッシュｂ上
にテフロンカセットｃ内に入れた被洗浄ウェーハｄを配
置した後、薬液導入バルブｅを開き、薬液導入ラインｆ
を通して薬液を洗浄槽ａ内に導入し充満させることによ
り、ウェーハｄを洗浄槽ａ内で薬液に含浸させる構成に
なっている。この洗浄装置では、薬液の使用量を低減す
るために、洗浄槽ａの底部に設けた排液口から排液され
る薬液を、フィルターｇでろ過した後再び洗浄槽ａ内に
戻す薬液循還ラインｈを備えており、また、薬液処理後
に超純水導入バルブｉを開き、超純水導入ラインｊを通
して超純水を洗浄槽ａ内に導入し、ウェーハｄ表面から
薬液を洗い流すと共に洗浄槽ａ内からも薬液を洗い流す
ようになっている。尚、図８中、ｋ及びｌは薬液循還ラ
インｈ中に設けられた三方バルブである。
例えば図８に示すように、石英やテフロン（ＰＦＡな
ど）の耐薬品性の容器である洗浄槽ａ内のメッシュｂ上
にテフロンカセットｃ内に入れた被洗浄ウェーハｄを配
置した後、薬液導入バルブｅを開き、薬液導入ラインｆ
を通して薬液を洗浄槽ａ内に導入し充満させることによ
り、ウェーハｄを洗浄槽ａ内で薬液に含浸させる構成に
なっている。この洗浄装置では、薬液の使用量を低減す
るために、洗浄槽ａの底部に設けた排液口から排液され
る薬液を、フィルターｇでろ過した後再び洗浄槽ａ内に
戻す薬液循還ラインｈを備えており、また、薬液処理後
に超純水導入バルブｉを開き、超純水導入ラインｊを通
して超純水を洗浄槽ａ内に導入し、ウェーハｄ表面から
薬液を洗い流すと共に洗浄槽ａ内からも薬液を洗い流す
ようになっている。尚、図８中、ｋ及びｌは薬液循還ラ
インｈ中に設けられた三方バルブである。
【０００４】また、半導体ウェーハの洗浄から乾燥まで
の一連の作業手順としては、通常、図９に示すように、
前述の如きディップ式洗浄装置Ｄ1 で第１の薬液を用い
て洗浄した後、別の洗浄装置Ｄ2 で第２の薬液を用いて
同様に洗浄し、続いて超純水を満した水洗槽Ｅで洗浄
し、最後に遠心力を利用した回転式乾燥装置Ｆによる乾
燥やイソプロピルアルコールの高温蒸気を使用した有機
蒸気乾燥を行っている。
の一連の作業手順としては、通常、図９に示すように、
前述の如きディップ式洗浄装置Ｄ1 で第１の薬液を用い
て洗浄した後、別の洗浄装置Ｄ2 で第２の薬液を用いて
同様に洗浄し、続いて超純水を満した水洗槽Ｅで洗浄
し、最後に遠心力を利用した回転式乾燥装置Ｆによる乾
燥やイソプロピルアルコールの高温蒸気を使用した有機
蒸気乾燥を行っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記のディ
ップ式洗浄装置では、ウェーハｄを薬液中に浸漬させる
ため、パーティクルやウェーハ表面に付着した汚染物質
の除去能力が高いという利点があるものの、薬液や超純
水の使用量が非常に多いという問題があった。単純な計
算では２００ｍｍ径のウェーハｄを５０枚テフロンカセ
ットｃに入れて処理する場合、必要な薬液の容量は約６
５リッターにも達し、水洗工程にいたっては１分間当り
約４０リッターの超純水を必要としていた。薬液を少し
でも節減するために前述の如く薬液の循還、ろ過を一定
時間行い、薬液の再利用を行う方法がとられているが、
薬液中に溶出した不純物やパーティクルにより一旦汚染
された薬液はろ過を行っても、浄化されず、再びウェー
ハ表面を汚染するという問題がある。また、水洗用の超
純水については循環、ろ過は不可能である。さらに、従
来の洗浄から乾燥までの一連の作業では、複数の槽・装
置Ｄ1 ，Ｄ2 ，Ｅ，Ｆ間でウェーハｄを移し替える作業
が必要であり、作業性が悪いとともに、移し替えるとき
などにウェーハが空気中に暴露されるため、しみが発生
するなどの問題もある。
ップ式洗浄装置では、ウェーハｄを薬液中に浸漬させる
ため、パーティクルやウェーハ表面に付着した汚染物質
の除去能力が高いという利点があるものの、薬液や超純
水の使用量が非常に多いという問題があった。単純な計
算では２００ｍｍ径のウェーハｄを５０枚テフロンカセ
ットｃに入れて処理する場合、必要な薬液の容量は約６
５リッターにも達し、水洗工程にいたっては１分間当り
約４０リッターの超純水を必要としていた。薬液を少し
でも節減するために前述の如く薬液の循還、ろ過を一定
時間行い、薬液の再利用を行う方法がとられているが、
薬液中に溶出した不純物やパーティクルにより一旦汚染
された薬液はろ過を行っても、浄化されず、再びウェー
ハ表面を汚染するという問題がある。また、水洗用の超
純水については循環、ろ過は不可能である。さらに、従
来の洗浄から乾燥までの一連の作業では、複数の槽・装
置Ｄ1 ，Ｄ2 ，Ｅ，Ｆ間でウェーハｄを移し替える作業
が必要であり、作業性が悪いとともに、移し替えるとき
などにウェーハが空気中に暴露されるため、しみが発生
するなどの問題もある。
【０００６】一方、薬液及び超純水の消費量を削減する
ために、スプレーノズルから薬液及び超純水を噴霧させ
ながら、チャンバー内のウェーハを回転させて洗浄を行
ういわゆるスプレー式の洗浄装置が提案されている。こ
のスプレー式洗浄装置の利点は薬液を循環しないため、
薬液からの再汚染がなく、かつ薬液使用量は循環ろ過を
採用したディップ式洗浄装置と同等か、それ以下であ
る。また、超純水に関してもディップ式洗浄装置に比べ
て大幅に低減されている。
ために、スプレーノズルから薬液及び超純水を噴霧させ
ながら、チャンバー内のウェーハを回転させて洗浄を行
ういわゆるスプレー式の洗浄装置が提案されている。こ
のスプレー式洗浄装置の利点は薬液を循環しないため、
薬液からの再汚染がなく、かつ薬液使用量は循環ろ過を
採用したディップ式洗浄装置と同等か、それ以下であ
る。また、超純水に関してもディップ式洗浄装置に比べ
て大幅に低減されている。
【０００７】しかし、前記スプレー式洗浄装置の洗浄能
力に関してはディップ式洗浄装置のそれと比較して十分
ではなく、例えば最も重要なパーティクルの除去に関し
ては、電子情報通信学会トランスアクションズオンエレ
クトロニクス第Ｅ７７−Ｃ巻、第３号（１９９４年３
月）４９２頁で河原らが示しているように、パーティク
ル除去はＳＣ１洗浄液によるウェーハ表面のエッチング
量で決定されるため、薬液の温度が低い場合は洗浄に長
時間を要する。一般に、スプレー式洗浄装置では、薬液
の温度は６０〜８０℃程度が限界であり、また処理時間
は１〜２分程度であり、この程度の洗浄によるウェーハ
表面のエッチングはシリコン基板で０．５〜１ｎｍ程度
である。前述したように河原らの検討によれば、十分な
パーティクル除去を実現できるエッチング量はシリコン
基板上で４ｎｍであり、スプレー洗浄でこのようなエッ
チング量を得るのは容易ではない上、もしこのエッチン
グ量を実現すればスプレー洗浄の利点である薬液使用量
の低減を達成することは困難である。また、スプレー式
洗浄装置でも、ウェーハが外気に曝され、しみの発生な
どの問題がある。
力に関してはディップ式洗浄装置のそれと比較して十分
ではなく、例えば最も重要なパーティクルの除去に関し
ては、電子情報通信学会トランスアクションズオンエレ
クトロニクス第Ｅ７７−Ｃ巻、第３号（１９９４年３
月）４９２頁で河原らが示しているように、パーティク
ル除去はＳＣ１洗浄液によるウェーハ表面のエッチング
量で決定されるため、薬液の温度が低い場合は洗浄に長
時間を要する。一般に、スプレー式洗浄装置では、薬液
の温度は６０〜８０℃程度が限界であり、また処理時間
は１〜２分程度であり、この程度の洗浄によるウェーハ
表面のエッチングはシリコン基板で０．５〜１ｎｍ程度
である。前述したように河原らの検討によれば、十分な
パーティクル除去を実現できるエッチング量はシリコン
基板上で４ｎｍであり、スプレー洗浄でこのようなエッ
チング量を得るのは容易ではない上、もしこのエッチン
グ量を実現すればスプレー洗浄の利点である薬液使用量
の低減を達成することは困難である。また、スプレー式
洗浄装置でも、ウェーハが外気に曝され、しみの発生な
どの問題がある。
【０００８】本発明はかかる諸点に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、一つのチャンバー内
でウェーハの洗浄、エッチング及び乾燥を行うととも
に、効率よく洗浄を行うことにより、ディップ式洗浄装
置と同程度の洗浄効率を維持しながら、薬液及び超純水
の消費量を低減するとともに、薬液からの再汚染及びし
みの発生等を防止し得る半導体ウェーハの洗浄・エッチ
ング・乾燥装置及びその使用方法を提供するものであ
る。
であり、その目的とするところは、一つのチャンバー内
でウェーハの洗浄、エッチング及び乾燥を行うととも
に、効率よく洗浄を行うことにより、ディップ式洗浄装
置と同程度の洗浄効率を維持しながら、薬液及び超純水
の消費量を低減するとともに、薬液からの再汚染及びし
みの発生等を防止し得る半導体ウェーハの洗浄・エッチ
ング・乾燥装置及びその使用方法を提供するものであ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、請求項１に係る発明は、半導体ウェーハの洗浄、エ
ッチング及び乾燥を行うための装置として、密閉空間を
有し該空間内の温度をヒーターにより加熱調整可能に構
成されたプロセスチャンバーと、該プロセスチャンバー
内の中央部に設置され、単数又は複数の被洗浄ウェーハ
を支持する支持部材と、前記プロセスチャンバー内の上
部にライン状に配置された複数本のスプレーノズルと、
前記プロセスチャンバー内の下部に配置された回転式の
吐出ノズルとを備える構成とする。
め、請求項１に係る発明は、半導体ウェーハの洗浄、エ
ッチング及び乾燥を行うための装置として、密閉空間を
有し該空間内の温度をヒーターにより加熱調整可能に構
成されたプロセスチャンバーと、該プロセスチャンバー
内の中央部に設置され、単数又は複数の被洗浄ウェーハ
を支持する支持部材と、前記プロセスチャンバー内の上
部にライン状に配置された複数本のスプレーノズルと、
前記プロセスチャンバー内の下部に配置された回転式の
吐出ノズルとを備える構成とする。
【００１０】これにより、ヒーターによりプロセスチャ
ンバー内の温度を制御することができ、また該プロセス
チャンバー内の支持部材上に配置した被洗浄ウェーハに
対して、プロセスチャンバー内上部のスプレーノズルか
ら薬液及び超純水を順次噴出させるととともに、プロセ
スチャンバー内下部の回転式吐出ノズルから薬液及び超
純水を順次ジェット水流として噴出させることができる
ので、薬液及び超純水の消費量を抑制しながら、洗浄又
はエッチングを効率よく行うことができる。しかも、前
記スプレーノズル及び回転式吐出ノズルから噴出する流
体（薬液及び超純水の液体並びに窒素ガス等のガス）の
種類を変えることにより、一つのプロセスチャンバー内
でウェーハの洗浄及びエッチングから乾燥までの一連の
作業を行うことができるので、ウェーハが洗浄中に空気
中に曝されることはなく、しみの発生等が防止される。
ンバー内の温度を制御することができ、また該プロセス
チャンバー内の支持部材上に配置した被洗浄ウェーハに
対して、プロセスチャンバー内上部のスプレーノズルか
ら薬液及び超純水を順次噴出させるととともに、プロセ
スチャンバー内下部の回転式吐出ノズルから薬液及び超
純水を順次ジェット水流として噴出させることができる
ので、薬液及び超純水の消費量を抑制しながら、洗浄又
はエッチングを効率よく行うことができる。しかも、前
記スプレーノズル及び回転式吐出ノズルから噴出する流
体（薬液及び超純水の液体並びに窒素ガス等のガス）の
種類を変えることにより、一つのプロセスチャンバー内
でウェーハの洗浄及びエッチングから乾燥までの一連の
作業を行うことができるので、ウェーハが洗浄中に空気
中に曝されることはなく、しみの発生等が防止される。
【００１１】請求項２に係る発明は、請求項１記載の半
導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置において、
前記各スプレーノズルが、薬液及び超純水の噴出口と、
該薬液及び超純水を噴霧状にするためのアトマイズ用の
窒素ガス噴出口とを有し、これらの噴出口をノズルの延
設方向に等間隔で複数個設ける構成とする。これによ
り、スプレーノズルの噴出口から薬液又は超純水を噴出
させる際、その薬液又は超純水は、窒素ガス噴出口から
噴出されるアトマイズ用窒素ガスにより噴霧状にされ、
ウェーハの表面、側面及び裏面全てに等しく行き渡るの
で、ウェーハ全面が均一に洗浄されることになる。
導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置において、
前記各スプレーノズルが、薬液及び超純水の噴出口と、
該薬液及び超純水を噴霧状にするためのアトマイズ用の
窒素ガス噴出口とを有し、これらの噴出口をノズルの延
設方向に等間隔で複数個設ける構成とする。これによ
り、スプレーノズルの噴出口から薬液又は超純水を噴出
させる際、その薬液又は超純水は、窒素ガス噴出口から
噴出されるアトマイズ用窒素ガスにより噴霧状にされ、
ウェーハの表面、側面及び裏面全てに等しく行き渡るの
で、ウェーハ全面が均一に洗浄されることになる。
【００１２】請求項３に係る発明は、請求項１又は２記
載の半導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置にお
いて、前記回転式吐出ノズルが、回転軸の上端に中心部
が支持された水平方向に延びる第１のアームと、該第１
のアームの両端に設けられた回転軸の上端に各々中心部
が支持された水平方向に延びる二つの第２のアームと、
該各第２のアームの両端に各々鉛直線と所定角度傾いた
上向きに薬液及び超純水を噴出する噴出口とを有し、こ
れらの噴出口が前記第２のアームの回転軸を中心に自転
しながら、第１のアームの回転軸を中心に公転するよう
に構成するものである。これにより、回転式吐出ノズル
から噴出する薬液又は超純水のジェット水流は、自転と
公転との組み合わせによりウェーハ表面、側面及び裏面
を均一に洗浄することができ、ウェーハ全面は十分に薬
液等に接触した状態にあり、あたかも薬液中にディップ
したと同様の効果が期待できる。
載の半導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置にお
いて、前記回転式吐出ノズルが、回転軸の上端に中心部
が支持された水平方向に延びる第１のアームと、該第１
のアームの両端に設けられた回転軸の上端に各々中心部
が支持された水平方向に延びる二つの第２のアームと、
該各第２のアームの両端に各々鉛直線と所定角度傾いた
上向きに薬液及び超純水を噴出する噴出口とを有し、こ
れらの噴出口が前記第２のアームの回転軸を中心に自転
しながら、第１のアームの回転軸を中心に公転するよう
に構成するものである。これにより、回転式吐出ノズル
から噴出する薬液又は超純水のジェット水流は、自転と
公転との組み合わせによりウェーハ表面、側面及び裏面
を均一に洗浄することができ、ウェーハ全面は十分に薬
液等に接触した状態にあり、あたかも薬液中にディップ
したと同様の効果が期待できる。
【００１３】請求項４に係る発明は、請求項１〜３のい
ずれか一つに記載の半導体ウェーハの洗浄・エッチング
・乾燥装置において、更に、前記プロセスチャンバー下
部の排液口から排液された薬液を選択的に、薬液を加熱
するためのインラインヒーターと、薬液中の異物を除去
し、ろ過するためのフィルターとに送り、再び前記回転
式吐出ノズル又は前記スプレーノズルから噴出させる薬
液循還ラインを備える構成とする。この薬液循還ライン
により薬液を循還、ろ過して使用することができるの
で、薬液の消費量が大幅に低減されることになる。
ずれか一つに記載の半導体ウェーハの洗浄・エッチング
・乾燥装置において、更に、前記プロセスチャンバー下
部の排液口から排液された薬液を選択的に、薬液を加熱
するためのインラインヒーターと、薬液中の異物を除去
し、ろ過するためのフィルターとに送り、再び前記回転
式吐出ノズル又は前記スプレーノズルから噴出させる薬
液循還ラインを備える構成とする。この薬液循還ライン
により薬液を循還、ろ過して使用することができるの
で、薬液の消費量が大幅に低減されることになる。
【００１４】請求項５に係る発明は、請求項１〜４のい
ずれか一つに記載の半導体ウェーハの洗浄・エッチング
・乾燥装置において、更に、薬液又は超純水を選択的に
インラインヒーター及びフィルターに送給して加熱、ろ
過した後、前記回転式吐出ノズル又は前記スプレーノズ
ルから噴出させる薬液・超純水供給ラインを備える構成
とする。この供給ラインにより新しい薬液又は超純水を
所定温度に加熱、ろ過して洗浄に供することができるの
で、洗浄効果を高めることができるとともに、薬液から
の再汚染を防止することができる。
ずれか一つに記載の半導体ウェーハの洗浄・エッチング
・乾燥装置において、更に、薬液又は超純水を選択的に
インラインヒーター及びフィルターに送給して加熱、ろ
過した後、前記回転式吐出ノズル又は前記スプレーノズ
ルから噴出させる薬液・超純水供給ラインを備える構成
とする。この供給ラインにより新しい薬液又は超純水を
所定温度に加熱、ろ過して洗浄に供することができるの
で、洗浄効果を高めることができるとともに、薬液から
の再汚染を防止することができる。
【００１５】請求項６に係る発明は、請求項２記載の半
導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置において、
更に、前記スプレーノズルのアトマイズ用窒素ガス噴出
口に窒素ガスを送給するとともに、該窒素ガスを３００
℃まで加熱することができるインラインヒーターを有す
る窒素ガス供給ラインと、前記プロセスチャンバー内の
窒素ガスをプロセスチャンバー上部の排気口から排気す
る窒素ガス排気ラインとを備える構成とする。これによ
り、洗浄液としての薬液を回転式吐出ノズル及びスプレ
ーノズルから噴出させるに先立って、インラインヒータ
ーで窒素ガスを薬液の温度より１０℃高い温度にまで加
熱し、この窒素ガスを供給ラインを通してスプレーノズ
ルから噴出させてプロセスチャンバー内を窒素置換する
ことができる。この結果、洗浄効果をより高めることが
できるとともに、ウェーハが洗浄中に空気中に曝される
ことを確実に防止することができる。
導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置において、
更に、前記スプレーノズルのアトマイズ用窒素ガス噴出
口に窒素ガスを送給するとともに、該窒素ガスを３００
℃まで加熱することができるインラインヒーターを有す
る窒素ガス供給ラインと、前記プロセスチャンバー内の
窒素ガスをプロセスチャンバー上部の排気口から排気す
る窒素ガス排気ラインとを備える構成とする。これによ
り、洗浄液としての薬液を回転式吐出ノズル及びスプレ
ーノズルから噴出させるに先立って、インラインヒータ
ーで窒素ガスを薬液の温度より１０℃高い温度にまで加
熱し、この窒素ガスを供給ラインを通してスプレーノズ
ルから噴出させてプロセスチャンバー内を窒素置換する
ことができる。この結果、洗浄効果をより高めることが
できるとともに、ウェーハが洗浄中に空気中に曝される
ことを確実に防止することができる。
【００１６】請求項７に係る発明は、請求項１〜６のい
ずれか一つに記載の半導体ウェーハの洗浄・エッチング
・乾燥装置において、半導体ウェーハの洗浄、エッチン
グ又は乾燥に使用する薬液を特定したものである。すな
わち、洗浄液として、アンモニア水と過酸化水素水と超
純水との混合液、塩酸と過酸化水素水と超純水との混合
液、硫酸と過酸化水素水との混合液、ふっ化水素酸と超
純水との混合液、ふっ化水素酸とふっ化アンモンとの混
合液又はふっ化水素酸と過酸化水素水と超純水との混合
液を使用する。また、エッチング液として、塩酸と硝酸
との混合液、塩酸又は硝酸を使用する。乾燥液として、
イソプロピルアルコールをはじめとする有機溶剤を使用
し、ウェーハ表面の荒れ低減のために、オゾンを数ＰＰ
Ｍ〜１０数ＰＰＭ含有したオゾン化超純水を使用する。
このような薬液の使用により、半導体ウェーハの洗浄、
エッチング及び乾燥等が適切に行われることになる。
ずれか一つに記載の半導体ウェーハの洗浄・エッチング
・乾燥装置において、半導体ウェーハの洗浄、エッチン
グ又は乾燥に使用する薬液を特定したものである。すな
わち、洗浄液として、アンモニア水と過酸化水素水と超
純水との混合液、塩酸と過酸化水素水と超純水との混合
液、硫酸と過酸化水素水との混合液、ふっ化水素酸と超
純水との混合液、ふっ化水素酸とふっ化アンモンとの混
合液又はふっ化水素酸と過酸化水素水と超純水との混合
液を使用する。また、エッチング液として、塩酸と硝酸
との混合液、塩酸又は硝酸を使用する。乾燥液として、
イソプロピルアルコールをはじめとする有機溶剤を使用
し、ウェーハ表面の荒れ低減のために、オゾンを数ＰＰ
Ｍ〜１０数ＰＰＭ含有したオゾン化超純水を使用する。
このような薬液の使用により、半導体ウェーハの洗浄、
エッチング及び乾燥等が適切に行われることになる。
【００１７】請求項８に係る発明は、請求項６記載の半
導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置において、
更に、前記窒素ガス供給ラインに接続され、オゾンガ
ス、無水ふっ化水素ガス、ＨＦＡＣ（１，１，１，５，
５，５，−ヘキサフロロ−２，４−ペンタネディオン）
ガスなどのガスを、窒素ガス供給ライン及びスプレーノ
ズルを通してプロセスチャンバー内に送給するガスライ
ンを備える構成とする。これにより、オゾンガス、無水
ふっ化水素ガス、ＨＦＡＣなどのガスをスプレーノズル
からプロセスチャンバー内に送給して充満させることが
できるので、洗浄又はエッチングをしたウェーハ表面に
対し、更に重金属や自然酸化膜等を除去して清浄な表面
とすることができる。
導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置において、
更に、前記窒素ガス供給ラインに接続され、オゾンガ
ス、無水ふっ化水素ガス、ＨＦＡＣ（１，１，１，５，
５，５，−ヘキサフロロ−２，４−ペンタネディオン）
ガスなどのガスを、窒素ガス供給ライン及びスプレーノ
ズルを通してプロセスチャンバー内に送給するガスライ
ンを備える構成とする。これにより、オゾンガス、無水
ふっ化水素ガス、ＨＦＡＣなどのガスをスプレーノズル
からプロセスチャンバー内に送給して充満させることが
できるので、洗浄又はエッチングをしたウェーハ表面に
対し、更に重金属や自然酸化膜等を除去して清浄な表面
とすることができる。
【００１８】請求項９に係る発明は、請求項１記載の半
導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置を使用する
方法として、被洗浄ウェーハをプロセスチャンバー内の
支持部材上に配置した後、スプレーノズルから洗浄液の
温度より１０℃高温の窒素ガスを噴出させ、プロセスチ
ャンバー内を十分窒素置換する工程と、その後、所定温
度の洗浄液を回転式吐出ノズルに送り、所定時間噴出さ
せ、洗浄液ジェット水流によりウェーハを洗浄し、続い
て、所定温度の新しい洗浄液をスプレーノズルから所定
時間噴霧し、ウェーハ表面の最終洗浄を行う工程と、そ
の後、スプレーノズルから噴出させる窒素ガスの温度を
超純水と同じ温度とし、まず、回転式吐出ノズルから超
純水を噴出させ、所定時間水洗を行い、排水後スプレー
ノズルから超純水を噴霧状に所定時間噴出させ、水洗を
行う工程と、続いて、イソプロピルアルコール等の有機
溶剤をスプレーノズルに供給し、有機溶剤の沸点近くに
設定された高温窒素ガスにより高温の噴霧状として、ス
プレーノズルから所定時間噴出させた後、スプレーノズ
ルから高温の窒素のみを噴出させるとともに、プロセス
チャンバーのヒーターによりチャンバー内を高温に保つ
ことによりウェーハの乾燥を行う工程とを備える構成と
する。これにより、ウェーハを空気に曝すことなく、ま
た洗浄液及び超純水の消費量を抑制しながら、ウェーハ
の洗浄及び乾燥が効率よく行われる。
導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置を使用する
方法として、被洗浄ウェーハをプロセスチャンバー内の
支持部材上に配置した後、スプレーノズルから洗浄液の
温度より１０℃高温の窒素ガスを噴出させ、プロセスチ
ャンバー内を十分窒素置換する工程と、その後、所定温
度の洗浄液を回転式吐出ノズルに送り、所定時間噴出さ
せ、洗浄液ジェット水流によりウェーハを洗浄し、続い
て、所定温度の新しい洗浄液をスプレーノズルから所定
時間噴霧し、ウェーハ表面の最終洗浄を行う工程と、そ
の後、スプレーノズルから噴出させる窒素ガスの温度を
超純水と同じ温度とし、まず、回転式吐出ノズルから超
純水を噴出させ、所定時間水洗を行い、排水後スプレー
ノズルから超純水を噴霧状に所定時間噴出させ、水洗を
行う工程と、続いて、イソプロピルアルコール等の有機
溶剤をスプレーノズルに供給し、有機溶剤の沸点近くに
設定された高温窒素ガスにより高温の噴霧状として、ス
プレーノズルから所定時間噴出させた後、スプレーノズ
ルから高温の窒素のみを噴出させるとともに、プロセス
チャンバーのヒーターによりチャンバー内を高温に保つ
ことによりウェーハの乾燥を行う工程とを備える構成と
する。これにより、ウェーハを空気に曝すことなく、ま
た洗浄液及び超純水の消費量を抑制しながら、ウェーハ
の洗浄及び乾燥が効率よく行われる。
【００１９】請求項１０に係る発明は、請求項１記載の
半導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置を使用す
る方法として、被洗浄ウェーハをプロセスチャンバー内
の支持部材上に配置した後、スプレーノズルから第１の
洗浄液の温度より１０℃高温の窒素ガスを噴出させ、プ
ロセスチャンバー内を十分窒素置換する工程と、その
後、所定温度の第１の洗浄液を回転式吐出ノズルに送
り、所定時間噴出させ、洗浄液ジェット水流によりウェ
ーハを洗浄し、続いて、所定温度の新しい第１の洗浄液
をスプレーノズルから所定時間噴霧し、ウェーハ表面の
最終洗浄を行う工程と、その後、スプレーノズルから噴
出させる窒素ガスの温度を超純水と同じ温度とし、ま
ず、回転式吐出ノズルから超純水を噴出させ、所定時間
水洗を行い、排水後スプレーノズルから超純水を噴霧状
に所定時間噴出させ、水洗を行う工程と、洗浄の種類に
応じて、前記第１の洗浄液の代りにこれと異なる第２又
は第３の洗浄液を用いて、前記の窒素置換、洗浄及び水
洗を繰り返して行う工程と、続いて、イソプロピルアル
コール等の有機溶剤をスプレーノズルに供給し、有機溶
剤の沸点近くに設定された高温窒素ガスにより高温の噴
霧状として、スプレーノズルから所定時間噴出させた
後、スプレーノズルから高温の窒素のみを噴出させると
ともに、プロセスチャンバーのヒーターによりチャンバ
ー内を高温に保つことによりウェーハの乾燥を行う工程
とを備える構成とする。これにより、ウェーハを空気に
曝すことなく、また洗浄液及び超純水の消費量を抑制し
ながら、ウェーハの異なる種類の複数の洗浄（例えばパ
ーティクル除去のための洗浄と有機物除去のための洗浄
と重金属除去のための洗浄）及び乾燥が効率よく行われ
る。
半導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置を使用す
る方法として、被洗浄ウェーハをプロセスチャンバー内
の支持部材上に配置した後、スプレーノズルから第１の
洗浄液の温度より１０℃高温の窒素ガスを噴出させ、プ
ロセスチャンバー内を十分窒素置換する工程と、その
後、所定温度の第１の洗浄液を回転式吐出ノズルに送
り、所定時間噴出させ、洗浄液ジェット水流によりウェ
ーハを洗浄し、続いて、所定温度の新しい第１の洗浄液
をスプレーノズルから所定時間噴霧し、ウェーハ表面の
最終洗浄を行う工程と、その後、スプレーノズルから噴
出させる窒素ガスの温度を超純水と同じ温度とし、ま
ず、回転式吐出ノズルから超純水を噴出させ、所定時間
水洗を行い、排水後スプレーノズルから超純水を噴霧状
に所定時間噴出させ、水洗を行う工程と、洗浄の種類に
応じて、前記第１の洗浄液の代りにこれと異なる第２又
は第３の洗浄液を用いて、前記の窒素置換、洗浄及び水
洗を繰り返して行う工程と、続いて、イソプロピルアル
コール等の有機溶剤をスプレーノズルに供給し、有機溶
剤の沸点近くに設定された高温窒素ガスにより高温の噴
霧状として、スプレーノズルから所定時間噴出させた
後、スプレーノズルから高温の窒素のみを噴出させると
ともに、プロセスチャンバーのヒーターによりチャンバ
ー内を高温に保つことによりウェーハの乾燥を行う工程
とを備える構成とする。これにより、ウェーハを空気に
曝すことなく、また洗浄液及び超純水の消費量を抑制し
ながら、ウェーハの異なる種類の複数の洗浄（例えばパ
ーティクル除去のための洗浄と有機物除去のための洗浄
と重金属除去のための洗浄）及び乾燥が効率よく行われ
る。
【００２０】請求項１１に係る発明は、請求項９又は１
０記載の半導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置
の使用方法において、洗浄液の代りにエッチング液を用
い、エッチング又はポリマー除去を行う構成とする。こ
れにより、請求項９又は１０に係る発明におけるウェー
ハの洗浄の場合と同様に、ウェーハを空気に曝すことな
く、また洗浄液及び超純水の消費量を抑制しながら、ウ
ェーハのエッチング及び乾燥が効率よく行われる。
０記載の半導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置
の使用方法において、洗浄液の代りにエッチング液を用
い、エッチング又はポリマー除去を行う構成とする。こ
れにより、請求項９又は１０に係る発明におけるウェー
ハの洗浄の場合と同様に、ウェーハを空気に曝すことな
く、また洗浄液及び超純水の消費量を抑制しながら、ウ
ェーハのエッチング及び乾燥が効率よく行われる。
【００２１】請求項１２に係る発明は、請求項９〜１１
のいずれか一つに記載の半導体ウェーハの洗浄・エッチ
ング・乾燥装置の使用方法において、回転式吐出ノズル
から薬液を所定時間噴出させてウェーハの洗浄又はエッ
チングをする際、回転式吐出ノズルから吐出された薬液
をプロセスチャンバー下部の排液口から回収し、その薬
液を所定温度に加熱するとともに薬液中の異物を除去し
た後、再び前記回転式吐出ノズルから噴出させる構成と
する。この薬液の循還、再使用によりその消費量が大幅
に低減される。
のいずれか一つに記載の半導体ウェーハの洗浄・エッチ
ング・乾燥装置の使用方法において、回転式吐出ノズル
から薬液を所定時間噴出させてウェーハの洗浄又はエッ
チングをする際、回転式吐出ノズルから吐出された薬液
をプロセスチャンバー下部の排液口から回収し、その薬
液を所定温度に加熱するとともに薬液中の異物を除去し
た後、再び前記回転式吐出ノズルから噴出させる構成と
する。この薬液の循還、再使用によりその消費量が大幅
に低減される。
【００２２】請求項１３に係る発明は、請求項１記載の
半導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置を使用す
る方法として、被洗浄ウェーハをプロセスチャンバー内
の支持部材上に配置した後、ＨＦＡＣガスと２００〜２
５０℃に加熱した窒素ガスとの混合ガスをスプレーノズ
ルからプロセスチャンバー内に導入し、ウェーハ表面の
重金属を除去する工程と、その後、無水ふっ化水素ガス
を室温もしくは所定温度でスプレーノズルからプロセス
チャンバー内に導入し、ウェーハ表面の自然酸化膜を完
全に除去する工程と、その後、スプレーノズル又は回転
式吐出ノズルから超純水を噴出させ、所定時間水洗を行
う工程と、続いて、イソプロピルアルコール等の有機溶
剤をスプレーノズルに供給し、有機溶剤の沸点近くに設
定された高温窒素ガスにより高温の噴霧状として、スプ
レーノズルから所定時間噴出させた後、スプレーノズル
から高温の窒素のみを噴出させるとともに、プロセスチ
ャンバーのヒーターによりチャンバー内を高温に保つこ
とによりウェーハの乾燥を行う工程と、その後、ウェー
ハ表面に超清浄な薄い保護酸化膜を形成するために、オ
ゾンガスをスプレーノズルからプロセスチャンバー内に
導入する工程とを備える構成とする。これにより、ウェ
ーハを空気に曝すことなく、その表面の重金属及び自然
酸化膜を除去することができるとともに、ウェーハ表面
に薄い保護酸化膜を形成することができ、超清浄なウェ
ーハ表面を得ることができる。
半導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置を使用す
る方法として、被洗浄ウェーハをプロセスチャンバー内
の支持部材上に配置した後、ＨＦＡＣガスと２００〜２
５０℃に加熱した窒素ガスとの混合ガスをスプレーノズ
ルからプロセスチャンバー内に導入し、ウェーハ表面の
重金属を除去する工程と、その後、無水ふっ化水素ガス
を室温もしくは所定温度でスプレーノズルからプロセス
チャンバー内に導入し、ウェーハ表面の自然酸化膜を完
全に除去する工程と、その後、スプレーノズル又は回転
式吐出ノズルから超純水を噴出させ、所定時間水洗を行
う工程と、続いて、イソプロピルアルコール等の有機溶
剤をスプレーノズルに供給し、有機溶剤の沸点近くに設
定された高温窒素ガスにより高温の噴霧状として、スプ
レーノズルから所定時間噴出させた後、スプレーノズル
から高温の窒素のみを噴出させるとともに、プロセスチ
ャンバーのヒーターによりチャンバー内を高温に保つこ
とによりウェーハの乾燥を行う工程と、その後、ウェー
ハ表面に超清浄な薄い保護酸化膜を形成するために、オ
ゾンガスをスプレーノズルからプロセスチャンバー内に
導入する工程とを備える構成とする。これにより、ウェ
ーハを空気に曝すことなく、その表面の重金属及び自然
酸化膜を除去することができるとともに、ウェーハ表面
に薄い保護酸化膜を形成することができ、超清浄なウェ
ーハ表面を得ることができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
【００２４】図１は本発明の一実施形態に係る半導体ウ
ェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置を示し、１は密閉
空間２を有するプロセスチャンバーであって、該チャン
バー１は、石英表面をテフロンＰＦＡにてコーティング
したものを使用しており、チャンバー１の側面及び上面
にはそれぞれヒーター３，３，…が設置されていて、チ
ャンバー内空間２の温度制御、チャンバー１内面の乾燥
及び結露防止を行うようになっている。
ェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置を示し、１は密閉
空間２を有するプロセスチャンバーであって、該チャン
バー１は、石英表面をテフロンＰＦＡにてコーティング
したものを使用しており、チャンバー１の側面及び上面
にはそれぞれヒーター３，３，…が設置されていて、チ
ャンバー内空間２の温度制御、チャンバー１内面の乾燥
及び結露防止を行うようになっている。
【００２５】前記プロセスチャンバー１内の中央下部に
は支持部材としてのグレーティング又はメッシュ４が設
置され、該メッシュ４上の所定位置に、単数又は複数の
被洗浄ウェーハ５を収納したテフロン製のウェーハカセ
ット６が載置され、かつホルダー（図示せず）により固
定されるようになっている。また、プロセスチャンバー
１内の上部には互いに平行にかつライン状に延びる複数
本（図では３本）のスプレーノズル７，７，７が配置さ
れているとともに、プロセスチャンバー１内の下部には
回転式の吐出ノズル８が配置されている。
は支持部材としてのグレーティング又はメッシュ４が設
置され、該メッシュ４上の所定位置に、単数又は複数の
被洗浄ウェーハ５を収納したテフロン製のウェーハカセ
ット６が載置され、かつホルダー（図示せず）により固
定されるようになっている。また、プロセスチャンバー
１内の上部には互いに平行にかつライン状に延びる複数
本（図では３本）のスプレーノズル７，７，７が配置さ
れているとともに、プロセスチャンバー１内の下部には
回転式の吐出ノズル８が配置されている。
【００２６】前記回転式吐出ノズル８は、回転軸１１の
上端に中心部が支持された水平方向に延びる第１のアー
ム１２と、該第１のアーム１２の両端に設けられた回転
軸１３，１３の上端に各々中心部が支持された水平方向
に延びる二つの第２のアーム１４，１４と、該各第２の
アーム１４の両端に各々鉛直線と所定角度、例えば鉛直
線上方から時計回りに４５度及び３１５度各々傾いた上
向き二方向に薬液及び超純水を噴出する噴出口１５，１
５とを有している。前記第１のアーム１２は、その回転
軸１１回りに回転（公転）可能に設けられているととも
に、前記各第２のアーム１４は、その回転軸１３回りに
回転（自転）可能に設けられており、第１のアーム１２
の公転と第２のアーム１４の自転とを同時に行いなが
ら、各噴出口１５から薬液又は超純水を噴出するように
なっている。噴出する薬液、超純水の圧力は１〜５ｋｇ
／ｃｍ2 の範囲で制御可能である。公転アームである第
１のアーム１２は毎分１０〜１２０回転、自転アームで
ある第２のアーム１４は毎分１０〜１２０回転の間で制
御可能である。尚、第１及び第２のアーム１２，１４を
回転させる駆動装置としては、図示していないが、両ア
ーム１２，１４を各々別々のモータで回転させる形式の
もの、あるいは遊星歯車等を用いて両アーム１２，１４
を１つのモータで回転させる形式のもののいずれでもよ
い。
上端に中心部が支持された水平方向に延びる第１のアー
ム１２と、該第１のアーム１２の両端に設けられた回転
軸１３，１３の上端に各々中心部が支持された水平方向
に延びる二つの第２のアーム１４，１４と、該各第２の
アーム１４の両端に各々鉛直線と所定角度、例えば鉛直
線上方から時計回りに４５度及び３１５度各々傾いた上
向き二方向に薬液及び超純水を噴出する噴出口１５，１
５とを有している。前記第１のアーム１２は、その回転
軸１１回りに回転（公転）可能に設けられているととも
に、前記各第２のアーム１４は、その回転軸１３回りに
回転（自転）可能に設けられており、第１のアーム１２
の公転と第２のアーム１４の自転とを同時に行いなが
ら、各噴出口１５から薬液又は超純水を噴出するように
なっている。噴出する薬液、超純水の圧力は１〜５ｋｇ
／ｃｍ2 の範囲で制御可能である。公転アームである第
１のアーム１２は毎分１０〜１２０回転、自転アームで
ある第２のアーム１４は毎分１０〜１２０回転の間で制
御可能である。尚、第１及び第２のアーム１２，１４を
回転させる駆動装置としては、図示していないが、両ア
ーム１２，１４を各々別々のモータで回転させる形式の
もの、あるいは遊星歯車等を用いて両アーム１２，１４
を１つのモータで回転させる形式のもののいずれでもよ
い。
【００２７】また、前記スプレーノズル７は、テフロン
ＰＦＡ製のパイプからなる。またスプレーノズル７は、
図示していないが、薬液及び超純水の噴出口と、該薬液
及び超純水を噴霧状にするためのアトマイズ用の窒素ガ
ス噴出口とを有し、これらの噴出口がそれぞれスプレー
ノズル７の延設方向（図で紙面と直交する方向）に等間
隔で複数個設けられている。そして、薬液及び超純水の
噴出口には薬液・超純水供給ライン１６が、窒素ガス噴
出口には窒素ガス供給ライン１７がそれぞれ接続されて
いる。
ＰＦＡ製のパイプからなる。またスプレーノズル７は、
図示していないが、薬液及び超純水の噴出口と、該薬液
及び超純水を噴霧状にするためのアトマイズ用の窒素ガ
ス噴出口とを有し、これらの噴出口がそれぞれスプレー
ノズル７の延設方向（図で紙面と直交する方向）に等間
隔で複数個設けられている。そして、薬液及び超純水の
噴出口には薬液・超純水供給ライン１６が、窒素ガス噴
出口には窒素ガス供給ライン１７がそれぞれ接続されて
いる。
【００２８】前記薬液・超純水供給ライン１６は、その
上流側に新しい５種類の薬液及び超純水を各々加熱、ろ
過するためのインラインヒーター・フィルターブロック
２１，２２，２３，２４，２５，２６と、該各ブロック
２１〜２６に対応して設けられた開閉バルブ２７，２
８，２９，３０，３１，３２とを有している。ブロック
２１及び開閉バルブ２７は、アンモニア水と過酸化水素
水と超純水との混合液ＳＣ１（容積比＝１：１：１６）
を供給するためのものであり、ブロック２１はこの混合
液ＳＣ１を７０℃に加熱する。ブロック２２及び開閉バ
ルブ２８は、塩酸と過酸化水素水と超純水との混合液Ｓ
Ｃ２（容積比＝１：１：１６）を供給するためのもので
あり、ブロック２６はこの混合液ＳＣ２を８０℃に加熱
する。ブロック２３及び開閉バルブ２９は、硫酸と過酸
化水素水との混合液（容積比＝３：１）を供給するため
のものであり、ブロック２３はこの混合液を１３０℃に
加熱する。ブロック２４及び開閉バルブ３０は、ふっ化
水素酸と過酸化水素水と超純水との混合液（容積比＝
１：３：１００）を供給するためのものであり、ブロッ
ク２１はこの混合液を３０℃に加熱する。ブロック２５
及び開閉バルブ３１は、イソプロピルアルコールＩＰＡ
を供給するためのものであり、ブロック２５はこのＩＰ
Ａを２５℃又は１００℃に加熱する。更に、ブロック２
６及び開閉バルブ３２は、超純水を供給するためのもの
である。尚、各ブロック２１〜２６は、インラインヒー
ターとして、薬液又は超純水を１８０℃まで加熱できる
ものが使用されている。
上流側に新しい５種類の薬液及び超純水を各々加熱、ろ
過するためのインラインヒーター・フィルターブロック
２１，２２，２３，２４，２５，２６と、該各ブロック
２１〜２６に対応して設けられた開閉バルブ２７，２
８，２９，３０，３１，３２とを有している。ブロック
２１及び開閉バルブ２７は、アンモニア水と過酸化水素
水と超純水との混合液ＳＣ１（容積比＝１：１：１６）
を供給するためのものであり、ブロック２１はこの混合
液ＳＣ１を７０℃に加熱する。ブロック２２及び開閉バ
ルブ２８は、塩酸と過酸化水素水と超純水との混合液Ｓ
Ｃ２（容積比＝１：１：１６）を供給するためのもので
あり、ブロック２６はこの混合液ＳＣ２を８０℃に加熱
する。ブロック２３及び開閉バルブ２９は、硫酸と過酸
化水素水との混合液（容積比＝３：１）を供給するため
のものであり、ブロック２３はこの混合液を１３０℃に
加熱する。ブロック２４及び開閉バルブ３０は、ふっ化
水素酸と過酸化水素水と超純水との混合液（容積比＝
１：３：１００）を供給するためのものであり、ブロッ
ク２１はこの混合液を３０℃に加熱する。ブロック２５
及び開閉バルブ３１は、イソプロピルアルコールＩＰＡ
を供給するためのものであり、ブロック２５はこのＩＰ
Ａを２５℃又は１００℃に加熱する。更に、ブロック２
６及び開閉バルブ３２は、超純水を供給するためのもの
である。尚、各ブロック２１〜２６は、インラインヒー
ターとして、薬液又は超純水を１８０℃まで加熱できる
ものが使用されている。
【００２９】そして、薬液・超純水供給ライン１６は、
前記開閉バルブ２７〜３２の下流側に設けられた三方バ
ルブ３３及び開閉バルブ３４，３５，３６を介してスプ
レーノズル７に連通されているとともに、前記三方バル
ブ３３及びそれよりも下流側に設けられた別の三方バル
ブ３７を介して回転式吐出ノズル８に連通されている。
従って、開閉バルブ２７〜３２のいずれ一つのみを開く
ことなどによって、それに対応するインラインヒーター
・フィルターブロック２１〜２６で加熱、ろ過した薬液
又は超純水を選択的に、前記回転式吐出ノズル８又は前
記スプレーノズル７から噴出できるようになっている。
前記開閉バルブ２７〜３２の下流側に設けられた三方バ
ルブ３３及び開閉バルブ３４，３５，３６を介してスプ
レーノズル７に連通されているとともに、前記三方バル
ブ３３及びそれよりも下流側に設けられた別の三方バル
ブ３７を介して回転式吐出ノズル８に連通されている。
従って、開閉バルブ２７〜３２のいずれ一つのみを開く
ことなどによって、それに対応するインラインヒーター
・フィルターブロック２１〜２６で加熱、ろ過した薬液
又は超純水を選択的に、前記回転式吐出ノズル８又は前
記スプレーノズル７から噴出できるようになっている。
【００３０】一方、前記窒素ガス供給ライン１７は、窒
素ガスを加熱、ろ過するためのインラインヒーター・フ
ィルターブロック４１を有しており、該ブロック４１で
は窒素ガスを３００℃まで加熱することができる。そし
て、窒素ガス供給ライン１７は、前記インラインヒータ
ー・フィルターブロック４１の下流側に設けられたガス
開閉バルブ４２，４３，４４を介して各スプレーノズル
７に連通されていて、ブロック４１で加熱、ろ過した窒
素ガスを各スプレーノズル７のアトマイズ用窒素ガス噴
出口からプロセスチャンバー１内へ噴出させるようにな
っている。噴出する窒素ガスは、その噴出流量と圧力と
がスプレーノズル７からの薬液の噴出量に応じて調整さ
れ、薬液を噴霧化する。尚、スプレーノズル７からは窒
素ガスのみを噴出されることは可能であり、チャンバー
１内パージ、乾燥のために窒素ガスのみを噴出させる。
素ガスを加熱、ろ過するためのインラインヒーター・フ
ィルターブロック４１を有しており、該ブロック４１で
は窒素ガスを３００℃まで加熱することができる。そし
て、窒素ガス供給ライン１７は、前記インラインヒータ
ー・フィルターブロック４１の下流側に設けられたガス
開閉バルブ４２，４３，４４を介して各スプレーノズル
７に連通されていて、ブロック４１で加熱、ろ過した窒
素ガスを各スプレーノズル７のアトマイズ用窒素ガス噴
出口からプロセスチャンバー１内へ噴出させるようにな
っている。噴出する窒素ガスは、その噴出流量と圧力と
がスプレーノズル７からの薬液の噴出量に応じて調整さ
れ、薬液を噴霧化する。尚、スプレーノズル７からは窒
素ガスのみを噴出されることは可能であり、チャンバー
１内パージ、乾燥のために窒素ガスのみを噴出させる。
【００３１】前記プロセスチャンバー１内の窒素ガス
は、プロセスチャンバー１上部に設けられた排気口から
窒素ガス排気ライン４５を通して排気されるようになっ
ており、該排気ライン４５には排気バルブ４６とチャン
バー１内の圧力を調整するための自動圧力調整バルブ４
７とが設けられている。また、前記窒素ガス供給ライン
１７には、窒素ガスとは別のオゾンガス、無水ふっ化水
素ガス、ＨＦＡＣ（１，１，１，５，５，５，−ヘキサ
フロロ−２，４−ペンタネディオン）ガスなどのガス
を、窒素ガス供給ライン１７及びスプレーノズル７を通
してプロセスチャンバー１内に送給するガスライン４８
が接続され、該ガスライン４８にはガス開閉バルブ４９
と送給するガスを加熱、ろ過するためのインラインヒー
ター・フィルターブロック５０とが設けられている。
は、プロセスチャンバー１上部に設けられた排気口から
窒素ガス排気ライン４５を通して排気されるようになっ
ており、該排気ライン４５には排気バルブ４６とチャン
バー１内の圧力を調整するための自動圧力調整バルブ４
７とが設けられている。また、前記窒素ガス供給ライン
１７には、窒素ガスとは別のオゾンガス、無水ふっ化水
素ガス、ＨＦＡＣ（１，１，１，５，５，５，−ヘキサ
フロロ−２，４−ペンタネディオン）ガスなどのガス
を、窒素ガス供給ライン１７及びスプレーノズル７を通
してプロセスチャンバー１内に送給するガスライン４８
が接続され、該ガスライン４８にはガス開閉バルブ４９
と送給するガスを加熱、ろ過するためのインラインヒー
ター・フィルターブロック５０とが設けられている。
【００３２】さらに、６０は前記プロセスチャンバー１
下部の排液口から排液された薬液を、選択的に三方バル
ブ６１，６２，６３，６４，６５を介してインラインヒ
ーター・フィルターブロック６６，６７，６８，６９，
７０に送り、再び前記回転式吐出ノズル８又は前記スプ
レーノズル７から噴出させる薬液循還ラインであり、回
転式吐出ノズル８から薬液を噴出させるときにはインラ
インヒーター・フィルターブロック６６〜７０から薬液
を三方バルブ３７を通して吐出ノズル８に供給し、スプ
レーノズル７から薬液を噴出させるときにはインライン
ヒーター・フィルターブロック６６〜７０から薬液を三
方バルブ３７，３３及び開閉バルブ３４〜３６を介して
スプレーノズル７に供給する。ブロック６６及び三方バ
ルブ６１は、アンモニア水と過酸化水素水と超純水との
混合液ＳＣ１（容積比＝１：１：１６）を循還ろ過する
ためのものであり、ブロック６６はこの混合液ＳＣ１を
７０℃に加熱する。ブロック６７及び三方バルブ６２
は、塩酸と過酸化水素水と超純水との混合液ＳＣ２（容
積比＝１：１：１６）を循還ろ過するためのものであ
り、ブロック２６はこの混合液ＳＣ２を８０℃に加熱す
る。ブロック６８及び三方バルブ６３は、硫酸と過酸化
水素水との混合液（容積比＝３：１）を循還ろ過するた
めのものであり、ブロック６８はこの混合液を１３０℃
に加熱する。ブロック６９及び三方バルブ６４は、ふっ
化水素酸と過酸化水素水と超純水との混合液（容積比＝
１：３：１００）を循還ろ過するためのものであり、ブ
ロック６９はこの混合液を３０℃に加熱する。ブロック
７０及び三方バルブ６５は、イソプロピルアルコールＩ
ＰＡを循還ろ過するためのものであり、ブロック２５は
このＩＰＡを２５℃又は１００℃に加熱する。
下部の排液口から排液された薬液を、選択的に三方バル
ブ６１，６２，６３，６４，６５を介してインラインヒ
ーター・フィルターブロック６６，６７，６８，６９，
７０に送り、再び前記回転式吐出ノズル８又は前記スプ
レーノズル７から噴出させる薬液循還ラインであり、回
転式吐出ノズル８から薬液を噴出させるときにはインラ
インヒーター・フィルターブロック６６〜７０から薬液
を三方バルブ３７を通して吐出ノズル８に供給し、スプ
レーノズル７から薬液を噴出させるときにはインライン
ヒーター・フィルターブロック６６〜７０から薬液を三
方バルブ３７，３３及び開閉バルブ３４〜３６を介して
スプレーノズル７に供給する。ブロック６６及び三方バ
ルブ６１は、アンモニア水と過酸化水素水と超純水との
混合液ＳＣ１（容積比＝１：１：１６）を循還ろ過する
ためのものであり、ブロック６６はこの混合液ＳＣ１を
７０℃に加熱する。ブロック６７及び三方バルブ６２
は、塩酸と過酸化水素水と超純水との混合液ＳＣ２（容
積比＝１：１：１６）を循還ろ過するためのものであ
り、ブロック２６はこの混合液ＳＣ２を８０℃に加熱す
る。ブロック６８及び三方バルブ６３は、硫酸と過酸化
水素水との混合液（容積比＝３：１）を循還ろ過するた
めのものであり、ブロック６８はこの混合液を１３０℃
に加熱する。ブロック６９及び三方バルブ６４は、ふっ
化水素酸と過酸化水素水と超純水との混合液（容積比＝
１：３：１００）を循還ろ過するためのものであり、ブ
ロック６９はこの混合液を３０℃に加熱する。ブロック
７０及び三方バルブ６５は、イソプロピルアルコールＩ
ＰＡを循還ろ過するためのものであり、ブロック２５は
このＩＰＡを２５℃又は１００℃に加熱する。
【００３３】次に、本実施形態の装置を用いてシリコン
ウェーハ５の洗浄を行う場合の方法について、図２〜図
７に示すフローチャートを用いて説明する。
ウェーハ５の洗浄を行う場合の方法について、図２〜図
７に示すフローチャートを用いて説明する。
【００３４】図２はパーティクル除去を目的とした洗浄
方法を示したものである。最初にウェーハ５をウェーハ
カセット６にセットした後、プロセスチャンバー１内の
メッシュ４上の所定の位置に該ウェーハカセット６を設
置し、洗浄を開始する。まず、スプレーノズル７よりブ
ロック４１にて８０℃に加熱された窒素ガスを毎分６０
リッターで噴出し、１分間チャンバー１内部を窒素パー
ジする（ステップＳ1）。このとき、排気バルブ４６を
開とし、圧力調整弁４７にてチャンバー１内圧力を１３
００ｈＰａとする。この後、チャンバー１内圧力を保持
したまま窒素ガスの流量を毎分２０リッターとする。こ
のとき、チャンバー加熱用ヒーター３を８０℃に設定す
る。
方法を示したものである。最初にウェーハ５をウェーハ
カセット６にセットした後、プロセスチャンバー１内の
メッシュ４上の所定の位置に該ウェーハカセット６を設
置し、洗浄を開始する。まず、スプレーノズル７よりブ
ロック４１にて８０℃に加熱された窒素ガスを毎分６０
リッターで噴出し、１分間チャンバー１内部を窒素パー
ジする（ステップＳ1）。このとき、排気バルブ４６を
開とし、圧力調整弁４７にてチャンバー１内圧力を１３
００ｈＰａとする。この後、チャンバー１内圧力を保持
したまま窒素ガスの流量を毎分２０リッターとする。こ
のとき、チャンバー加熱用ヒーター３を８０℃に設定す
る。
【００３５】その後、アンモニア水と過酸化水素水と超
純水とを容積比で１：１：１６に調合した薬液をブロッ
ク２１で７０℃に加熱し、開閉バルブ２７及び三方バル
ブ３３，３７を介して回転式吐出ノズル８に供給する
（ステップＳ2 ）。このときの吐出圧力が３ｋｇ／ｃｍ
2 となるように流量及び供給圧力を調整する。回転式吐
出ノズル８の噴出口１５から噴出されたジェット水流
は、ノズル８の公転、自転回転により効率よくウェーハ
５表面、側面及び裏面を洗浄することができる。回転式
吐出ノズル８による洗浄時間は１０分間を設定してい
る。このとき、ウェーハ５のシリコン表面は約４．２ｎ
ｍエッチングされ、シリコン酸化膜表面は１．８ｎｍエ
ッチングされる。この洗浄によりシリコンウェーハ５表
面のパーティクル及び有機物を効果的に除去できる。こ
の洗浄中は薬液はチャンバー１下部の排液口から排液さ
れ、薬液循還ライン６０の三方バルブ６１を通してブロ
ック６６に送られ、該ブロック６６でろ過しかつ液温を
７０℃に保持しながら三方バルブ３７を通して回転式吐
出ノズル８に送られ、循環再利用される。洗浄後、三方
バルブ３７は閉となり、チャンバー１内の薬液はチャン
バー１下部の排液口から三方バルブ６１を経由してブロ
ック６６内に蓄えられる。尚、新液の供給は、薬液の循
環が十分行えるレベルになれば三方バルブ３３、３７を
閉じて中止され、循環に切り替えられる。
純水とを容積比で１：１：１６に調合した薬液をブロッ
ク２１で７０℃に加熱し、開閉バルブ２７及び三方バル
ブ３３，３７を介して回転式吐出ノズル８に供給する
（ステップＳ2 ）。このときの吐出圧力が３ｋｇ／ｃｍ
2 となるように流量及び供給圧力を調整する。回転式吐
出ノズル８の噴出口１５から噴出されたジェット水流
は、ノズル８の公転、自転回転により効率よくウェーハ
５表面、側面及び裏面を洗浄することができる。回転式
吐出ノズル８による洗浄時間は１０分間を設定してい
る。このとき、ウェーハ５のシリコン表面は約４．２ｎ
ｍエッチングされ、シリコン酸化膜表面は１．８ｎｍエ
ッチングされる。この洗浄によりシリコンウェーハ５表
面のパーティクル及び有機物を効果的に除去できる。こ
の洗浄中は薬液はチャンバー１下部の排液口から排液さ
れ、薬液循還ライン６０の三方バルブ６１を通してブロ
ック６６に送られ、該ブロック６６でろ過しかつ液温を
７０℃に保持しながら三方バルブ３７を通して回転式吐
出ノズル８に送られ、循環再利用される。洗浄後、三方
バルブ３７は閉となり、チャンバー１内の薬液はチャン
バー１下部の排液口から三方バルブ６１を経由してブロ
ック６６内に蓄えられる。尚、新液の供給は、薬液の循
環が十分行えるレベルになれば三方バルブ３３、３７を
閉じて中止され、循環に切り替えられる。
【００３６】続いて、ブロック２１から薬液（アンモニ
ア水と過酸化水素水と超純水との混合液）を開閉バルブ
２７、三方バルブ３３及び開閉バルブ３４，３５，３６
を通してスプレーノズル７に供給する。このとき既にス
プレーノズル７からは８０℃の高温窒素ガスが噴出して
おり、このアトマイズ用窒素ガスにより薬液は噴霧状に
なり、ウェーハ５をスプレー洗浄する（ステップＳ3
）。このとき、アトマイズにより薬液の温度は約１０
℃低下するが、アトマイズ用窒素ガスの温度とチャンバ
ーヒーター３により噴霧薬液の温度は７０℃に保持され
る。このときの洗浄液は新液であり、薬液からの汚染は
全く心配ない。また、この最終洗浄によりウェーハ６表
面の金属不純物の除去が可能となる。このとき、排液は
三方バルブ６１によりブロック６６内に貯蔵される。こ
のブロック６６内の薬液は循環使用開始時にスプレー洗
浄中に補充される容量分だけ三方バルブ６１により排液
される。スプレー洗浄時間は５分である。このため、循
環薬液は常に新液が少しづつ補充される。
ア水と過酸化水素水と超純水との混合液）を開閉バルブ
２７、三方バルブ３３及び開閉バルブ３４，３５，３６
を通してスプレーノズル７に供給する。このとき既にス
プレーノズル７からは８０℃の高温窒素ガスが噴出して
おり、このアトマイズ用窒素ガスにより薬液は噴霧状に
なり、ウェーハ５をスプレー洗浄する（ステップＳ3
）。このとき、アトマイズにより薬液の温度は約１０
℃低下するが、アトマイズ用窒素ガスの温度とチャンバ
ーヒーター３により噴霧薬液の温度は７０℃に保持され
る。このときの洗浄液は新液であり、薬液からの汚染は
全く心配ない。また、この最終洗浄によりウェーハ６表
面の金属不純物の除去が可能となる。このとき、排液は
三方バルブ６１によりブロック６６内に貯蔵される。こ
のブロック６６内の薬液は循環使用開始時にスプレー洗
浄中に補充される容量分だけ三方バルブ６１により排液
される。スプレー洗浄時間は５分である。このため、循
環薬液は常に新液が少しづつ補充される。
【００３７】その後、ウェーハ５表面を超純水でリンス
するシーケンスに入る。パージ用窒素ガスの温度は５０
℃に設定され、ブロック２６で超純水は４０℃に設定さ
れる。チャンバーヒーター３の設定値も５０℃となる。
まず、ブロック２６から超純水を開閉バルブ３２及び三
方バルブ３３，３７を介して回転式吐出ノズル８に送
り、薬液による洗浄と全く同様の処理で回転式吐出ノズ
ル８の噴出口１５からのジェット水流により５分間リン
スする（ステップＳ4 ）。このとき、排液は三方バルブ
６５により排液される。続いて、ブロック２６の温度設
定を２５℃に変更し、ブロック２６から超純水を開閉バ
ルブ３２、三方バルブ３３及び開閉バルブ３４，３５，
３６を介してスプレーノズル７に供給する。同時にブロ
ック４１の設定を２５℃とし、窒素ガスをスプレーノズ
ル７に継続して供給する。スプレーノズル７からは超純
水が噴霧状で噴出し、ウェーハ５の最終リンスを行う
（ステップＳ5 ）。スプレーリンス時間は５分間であ
る。
するシーケンスに入る。パージ用窒素ガスの温度は５０
℃に設定され、ブロック２６で超純水は４０℃に設定さ
れる。チャンバーヒーター３の設定値も５０℃となる。
まず、ブロック２６から超純水を開閉バルブ３２及び三
方バルブ３３，３７を介して回転式吐出ノズル８に送
り、薬液による洗浄と全く同様の処理で回転式吐出ノズ
ル８の噴出口１５からのジェット水流により５分間リン
スする（ステップＳ4 ）。このとき、排液は三方バルブ
６５により排液される。続いて、ブロック２６の温度設
定を２５℃に変更し、ブロック２６から超純水を開閉バ
ルブ３２、三方バルブ３３及び開閉バルブ３４，３５，
３６を介してスプレーノズル７に供給する。同時にブロ
ック４１の設定を２５℃とし、窒素ガスをスプレーノズ
ル７に継続して供給する。スプレーノズル７からは超純
水が噴霧状で噴出し、ウェーハ５の最終リンスを行う
（ステップＳ5 ）。スプレーリンス時間は５分間であ
る。
【００３８】続いて、ブロック２５でイソプロピルアル
コールＩＰＡを２５℃に加熱し、このイソプロピルアル
コールを開閉バルブ３１、三方バルブ３３及び開閉バル
ブ３４，３５，３６を介してスプレーノズル７に供給す
る。スプレーノズル７からは継続して２５℃の窒素ガス
が供給されているので、イソプロピルアルコールの噴霧
が供給され、ウェーハ５及びチャンバー１の水分を吸収
する（ステップＳ6 ）。イソプロピルアルコール噴霧開
始後１分よりブロック２５の設定温度を１００℃とする
とともに、ブロック４１の設定温度を１００℃とし、続
けて５分間噴霧を行う（ステップＳ7 ）。このとき、イ
ソプロピルアルコールはチャンバー排液口から三方バル
ブ６５によりブロック７０内に蓄積される。その後、ブ
ロック４１の設定温度を１００℃に保持したまま、さら
に５分間窒素ガスのみの噴出を行う（ステップＳ8 ）。
これによりウェーハ５を乾燥させる。超純水洗浄からＩ
ＰＡによるスプレー乾燥までウェーハ５表面は窒素パー
ジされているため、空気に接触することがなく、そのた
め、しみなどの発生を大幅に低減することができる。パ
ーティクル除去のみの目的であれば、この段階でウェー
ハ５を取り出し、洗浄工程は完了となる。
コールＩＰＡを２５℃に加熱し、このイソプロピルアル
コールを開閉バルブ３１、三方バルブ３３及び開閉バル
ブ３４，３５，３６を介してスプレーノズル７に供給す
る。スプレーノズル７からは継続して２５℃の窒素ガス
が供給されているので、イソプロピルアルコールの噴霧
が供給され、ウェーハ５及びチャンバー１の水分を吸収
する（ステップＳ6 ）。イソプロピルアルコール噴霧開
始後１分よりブロック２５の設定温度を１００℃とする
とともに、ブロック４１の設定温度を１００℃とし、続
けて５分間噴霧を行う（ステップＳ7 ）。このとき、イ
ソプロピルアルコールはチャンバー排液口から三方バル
ブ６５によりブロック７０内に蓄積される。その後、ブ
ロック４１の設定温度を１００℃に保持したまま、さら
に５分間窒素ガスのみの噴出を行う（ステップＳ8 ）。
これによりウェーハ５を乾燥させる。超純水洗浄からＩ
ＰＡによるスプレー乾燥までウェーハ５表面は窒素パー
ジされているため、空気に接触することがなく、そのた
め、しみなどの発生を大幅に低減することができる。パ
ーティクル除去のみの目的であれば、この段階でウェー
ハ５を取り出し、洗浄工程は完了となる。
【００３９】図３は有機物除去を目的とした洗浄方法を
示すものである。洗浄はその目的に応じ様々な薬液を使
用し、かつ薬液の種類に応じた温度で使用する。有機物
除去の場合は、薬液として、硫酸と過酸化水素水との混
合液（容積比＝３：１）を用い、この薬液を１３０℃で
使用する（ステップＳ12，Ｓ13）。薬液導入、超純水洗
浄及び乾燥の方法は、前述のパーティクル除去の場合と
同様である。但し、薬液洗浄後の超純水は温度８０℃の
温純水洗浄を行う（ステップＳ14）。これは粘性の高い
硫酸を効率よく除去するためである。
示すものである。洗浄はその目的に応じ様々な薬液を使
用し、かつ薬液の種類に応じた温度で使用する。有機物
除去の場合は、薬液として、硫酸と過酸化水素水との混
合液（容積比＝３：１）を用い、この薬液を１３０℃で
使用する（ステップＳ12，Ｓ13）。薬液導入、超純水洗
浄及び乾燥の方法は、前述のパーティクル除去の場合と
同様である。但し、薬液洗浄後の超純水は温度８０℃の
温純水洗浄を行う（ステップＳ14）。これは粘性の高い
硫酸を効率よく除去するためである。
【００４０】図４は鉄、銅、ニッケル、クロムを始めと
する重金属除去を目的とした洗浄方法を示すものであ
る。この場合、薬液として、塩酸と過酸化水素水と超純
水との混合液（容積比＝１：１：１６）を用い、この薬
液を８０℃で使用する（ステップＳ22，Ｓ23）。薬液導
入、超純水洗浄及び乾燥の方法は、前述のパーティクル
除去の場合と同様である。
する重金属除去を目的とした洗浄方法を示すものであ
る。この場合、薬液として、塩酸と過酸化水素水と超純
水との混合液（容積比＝１：１：１６）を用い、この薬
液を８０℃で使用する（ステップＳ22，Ｓ23）。薬液導
入、超純水洗浄及び乾燥の方法は、前述のパーティクル
除去の場合と同様である。
【００４１】自然酸化膜の除去の場合には、ふっ化水素
酸と過酸化水素水と超純水との混合水、又はふっ化水素
酸と超純水との混合液を用いる。また、以上のような単
独の洗浄を組み合わせた複合洗浄を行う場合には、第１
の薬液洗浄に続く超純水洗浄を行った後、乾燥工程を行
わずに第２の薬液洗浄を行う。さらに超純水洗浄後、第
３の薬液洗浄を行う。続く超純水洗浄後に乾燥を行う。
図５及び図６はこの複合洗浄の一例を示すものである。
酸と過酸化水素水と超純水との混合水、又はふっ化水素
酸と超純水との混合液を用いる。また、以上のような単
独の洗浄を組み合わせた複合洗浄を行う場合には、第１
の薬液洗浄に続く超純水洗浄を行った後、乾燥工程を行
わずに第２の薬液洗浄を行う。さらに超純水洗浄後、第
３の薬液洗浄を行う。続く超純水洗浄後に乾燥を行う。
図５及び図６はこの複合洗浄の一例を示すものである。
【００４２】すなわち、図５及び図６においては、ま
ず、被洗浄ウェーハ５をプロセスチャンバー１内のメッ
シュ４上に配置した後、スプレーノズル７から第１の薬
液の温度よりも１０℃高い１４０℃の高温窒素ガスを１
分間噴出させ、該チャンバー１内を十分窒素置換する
（ステップＳ31）。その後、第１の薬液として有機物の
除去を目的とした１３０℃の硫酸と過酸化水素との混合
液（容積比＝３：１）を循還ろ過によって回転式吐出ノ
ズル８から５分間噴出させ、洗浄液ジェット水流により
ウェーハ５を洗浄し（ステップＳ32）、続いて、１３０
℃の新しい前記混合液をスプレーノズル７から５分間噴
霧し、ウェーハ５表面のスプレー洗浄を行う（ステップ
Ｓ33）。その後、スプレーノズル７から噴出させる窒素
ガスの温度を超純水と同じ８０℃に変更し、この状態
で、まず回転式吐出ノズル８から８０℃の超純水を噴出
させ、５分間水洗を行い（ステップＳ34）、その排水後
スプレーノズル７から２５℃の超純水を５分間噴霧状に
噴出させ、最終洗浄を行う（ステップＳ35）。
ず、被洗浄ウェーハ５をプロセスチャンバー１内のメッ
シュ４上に配置した後、スプレーノズル７から第１の薬
液の温度よりも１０℃高い１４０℃の高温窒素ガスを１
分間噴出させ、該チャンバー１内を十分窒素置換する
（ステップＳ31）。その後、第１の薬液として有機物の
除去を目的とした１３０℃の硫酸と過酸化水素との混合
液（容積比＝３：１）を循還ろ過によって回転式吐出ノ
ズル８から５分間噴出させ、洗浄液ジェット水流により
ウェーハ５を洗浄し（ステップＳ32）、続いて、１３０
℃の新しい前記混合液をスプレーノズル７から５分間噴
霧し、ウェーハ５表面のスプレー洗浄を行う（ステップ
Ｓ33）。その後、スプレーノズル７から噴出させる窒素
ガスの温度を超純水と同じ８０℃に変更し、この状態
で、まず回転式吐出ノズル８から８０℃の超純水を噴出
させ、５分間水洗を行い（ステップＳ34）、その排水後
スプレーノズル７から２５℃の超純水を５分間噴霧状に
噴出させ、最終洗浄を行う（ステップＳ35）。
【００４３】そして、前記第１の薬液の代りに、第２の
薬液としてパーティクルの除去を目的にアンモニア水と
過酸化水素水と超純水との混合液（容積比＝１：１：１
６）を、第３の薬液として重金属除去を目的に塩酸と過
酸化水素水と超純水との混合液（容積比＝１：１：１
６）をそれぞれ用いて、第１の薬液の場合と同様に窒素
置換、薬液洗浄及び水洗を繰り返して行う（ステップＳ
36〜Ｓ45）。但し、アンモニア水と過酸化水素水と超純
水との混合液の温度は７０℃であり、塩酸と過酸化水素
水と超純水との混合液の温度は８０℃である。
薬液としてパーティクルの除去を目的にアンモニア水と
過酸化水素水と超純水との混合液（容積比＝１：１：１
６）を、第３の薬液として重金属除去を目的に塩酸と過
酸化水素水と超純水との混合液（容積比＝１：１：１
６）をそれぞれ用いて、第１の薬液の場合と同様に窒素
置換、薬液洗浄及び水洗を繰り返して行う（ステップＳ
36〜Ｓ45）。但し、アンモニア水と過酸化水素水と超純
水との混合液の温度は７０℃であり、塩酸と過酸化水素
水と超純水との混合液の温度は８０℃である。
【００４４】続いて、第４の薬液として自然酸化膜除去
を目的とした３０℃のふっ化水素酸と過酸化水素水と超
純水との混合液（容積比＝１：３：１００）を用い、こ
の薬液をスプレーノズル７から５分間噴霧状に噴出させ
た後（ステップＳ46）、２５℃の超純水を同じくスプレ
ーノズル７から５分間噴霧状に噴出させ、最終水洗を行
う（ステップＳ47）。最後に乾燥を行う。つまり、ま
ず、２５℃のイソプロピルアルコールＩＰＡをスプレー
ノズル７から１分間噴霧状に噴出させ、ウェーハ５及び
チャンバー１の水分を吸収した後（ステップＳ48）、そ
のＩＰＡの温度を１００℃とするとともに、アトマイズ
用窒素ガスの温度を１００℃として５分間噴霧を行う
（ステップＳ49）。そして、窒素ガスの温度を１００℃
に保持したまま、さらに５分間窒素ガスのみの噴出を行
う（ステップＳ50）。
を目的とした３０℃のふっ化水素酸と過酸化水素水と超
純水との混合液（容積比＝１：３：１００）を用い、こ
の薬液をスプレーノズル７から５分間噴霧状に噴出させ
た後（ステップＳ46）、２５℃の超純水を同じくスプレ
ーノズル７から５分間噴霧状に噴出させ、最終水洗を行
う（ステップＳ47）。最後に乾燥を行う。つまり、ま
ず、２５℃のイソプロピルアルコールＩＰＡをスプレー
ノズル７から１分間噴霧状に噴出させ、ウェーハ５及び
チャンバー１の水分を吸収した後（ステップＳ48）、そ
のＩＰＡの温度を１００℃とするとともに、アトマイズ
用窒素ガスの温度を１００℃として５分間噴霧を行う
（ステップＳ49）。そして、窒素ガスの温度を１００℃
に保持したまま、さらに５分間窒素ガスのみの噴出を行
う（ステップＳ50）。
【００４５】このように洗浄を行う目的により、複数の
洗浄液、リンス、乾燥の組合せが可能である。但し、本
装置のライン配管、チャンバーを浸食する洗浄液の使用
には注意が必要である。
洗浄液、リンス、乾燥の組合せが可能である。但し、本
装置のライン配管、チャンバーを浸食する洗浄液の使用
には注意が必要である。
【００４６】図２〜図６はいずれもウェーハの洗浄方法
に示すものであるが、薬液として、洗浄液の代りにエッ
チング液を用いることでウェーハのエッチング方法とし
ても適用することができる。例えばスプレーを行うエッ
チング液に緩衝ふっ化水素酸を用いれば酸化膜のエッチ
ングを行うことができ、ふっ化水素酸と硝酸との混合液
を用いれば多結晶シリコン及びシリコンのエッチングを
行うことができる。もちろん、前記のアンモニア、過酸
化水素系や硫酸、過酸化水素系の洗浄液もある種の金属
材料、たとえばＴｉなどに対しては選択的なエッチング
特性を持っており、エッチングを行うことができる。こ
こで、エッチング薬液として有機アミン系や他の有機系
のポリマー除去液を使用すればドライエッチング後など
に発生するポリマーを除去することができる。尚、有機
系薬液をポリマー除去やエッチングに用いる場合、超純
水によるリンスの前にＩＰＡなどの有機溶剤によるリン
スを行うことがある。有機系洗浄は作業者の健康上、環
境上の問題や安全性の問題が大きいが、本装置の如き完
全密閉構造の装置であれば、そのような問題が発生する
ことはない。
に示すものであるが、薬液として、洗浄液の代りにエッ
チング液を用いることでウェーハのエッチング方法とし
ても適用することができる。例えばスプレーを行うエッ
チング液に緩衝ふっ化水素酸を用いれば酸化膜のエッチ
ングを行うことができ、ふっ化水素酸と硝酸との混合液
を用いれば多結晶シリコン及びシリコンのエッチングを
行うことができる。もちろん、前記のアンモニア、過酸
化水素系や硫酸、過酸化水素系の洗浄液もある種の金属
材料、たとえばＴｉなどに対しては選択的なエッチング
特性を持っており、エッチングを行うことができる。こ
こで、エッチング薬液として有機アミン系や他の有機系
のポリマー除去液を使用すればドライエッチング後など
に発生するポリマーを除去することができる。尚、有機
系薬液をポリマー除去やエッチングに用いる場合、超純
水によるリンスの前にＩＰＡなどの有機溶剤によるリン
スを行うことがある。有機系洗浄は作業者の健康上、環
境上の問題や安全性の問題が大きいが、本装置の如き完
全密閉構造の装置であれば、そのような問題が発生する
ことはない。
【００４７】さらに、前述のような洗浄又はエッチング
直後にはウェーハ５表面はある程度清浄な表面が得られ
ている。しかし、薬液洗浄のみでは超清浄な表面を得る
のは難しく、さらに清浄な表面が要求される場合があ
る。図７は本装置においてガスを用いて表面の最終洗浄
の一例を示している。
直後にはウェーハ５表面はある程度清浄な表面が得られ
ている。しかし、薬液洗浄のみでは超清浄な表面を得る
のは難しく、さらに清浄な表面が要求される場合があ
る。図７は本装置においてガスを用いて表面の最終洗浄
の一例を示している。
【００４８】図７においては、前述した所定目的の洗浄
又はエッチング、及び乾燥が終了した後（ステップＳ6
1）、まず、ウェーハ５表面に残留している重金属を完
全に除去するために、ガスライン４８によりＨＦＡＣガ
スをブロック５０及びバルブ４９を通して窒素ガス供給
ライン１７に導入する。このとき、ブロック４１により
窒素ガスを２００℃に加熱して窒素ガス供給ライン１７
に導入し、ＨＦＡＣの濃度が５％になるように調整す
る。混合ガスはガスバルブ４２，４３，４４を通してス
プレーノズル７からチャンバー１内へ噴出導入される
（ステップＳ62）。このガスの導入時間は５分間とし、
これによりウェーハ５表面の重金属が除去される。尚、
時間経過後チャンバー１内のガスは排気ライン４５によ
り排気バルブ４６及び自動圧力調整バルブ４７を通して
排気される。
又はエッチング、及び乾燥が終了した後（ステップＳ6
1）、まず、ウェーハ５表面に残留している重金属を完
全に除去するために、ガスライン４８によりＨＦＡＣガ
スをブロック５０及びバルブ４９を通して窒素ガス供給
ライン１７に導入する。このとき、ブロック４１により
窒素ガスを２００℃に加熱して窒素ガス供給ライン１７
に導入し、ＨＦＡＣの濃度が５％になるように調整す
る。混合ガスはガスバルブ４２，４３，４４を通してス
プレーノズル７からチャンバー１内へ噴出導入される
（ステップＳ62）。このガスの導入時間は５分間とし、
これによりウェーハ５表面の重金属が除去される。尚、
時間経過後チャンバー１内のガスは排気ライン４５によ
り排気バルブ４６及び自動圧力調整バルブ４７を通して
排気される。
【００４９】続いて、自然酸化膜を完全に除去するため
に、ガスライン４８により無水ふっ化水素ガス（無水Ｈ
Ｆ）をブロック５０及びバルブ４９を通して窒素ガス供
給ライン１７に導入する。このときも窒素ガスと混合
し、無水ふっ化水素の濃度が１０％程度となるようにす
るが、温度は２５℃に制御する。この混合ガスはスプレ
ーノズル７からチャンバー１内へ噴出導入され、その導
入時間は自然酸化膜を除去できる時間で決まるが、本実
施例では３０秒とした（ステップＳ63）。
に、ガスライン４８により無水ふっ化水素ガス（無水Ｈ
Ｆ）をブロック５０及びバルブ４９を通して窒素ガス供
給ライン１７に導入する。このときも窒素ガスと混合
し、無水ふっ化水素の濃度が１０％程度となるようにす
るが、温度は２５℃に制御する。この混合ガスはスプレ
ーノズル７からチャンバー１内へ噴出導入され、その導
入時間は自然酸化膜を除去できる時間で決まるが、本実
施例では３０秒とした（ステップＳ63）。
【００５０】このように、ウェーハ５表面の重金属及び
自然酸化膜を完全に除去した後、該ウェーハ５表面はふ
っ素等により覆われているが、不安定である。このた
め、ガスライン４８によりオゾンガス１０％と酸素との
混合ガスをブロック５０及びバルブ４９を通して窒素ガ
ス供給ライン１７に導入し、さらにスプレーノズル７か
らチャンバー１内に導入する。このときの温度は常温か
ら３００℃程度であり、導入時間は３０秒である。これ
によりウェーハ５表面に超清浄な極薄酸化膜が形成さ
れ、この酸化膜が表面保護の役目を果たす。以上のよう
にして超清浄な表面を得ることができる。
自然酸化膜を完全に除去した後、該ウェーハ５表面はふ
っ素等により覆われているが、不安定である。このた
め、ガスライン４８によりオゾンガス１０％と酸素との
混合ガスをブロック５０及びバルブ４９を通して窒素ガ
ス供給ライン１７に導入し、さらにスプレーノズル７か
らチャンバー１内に導入する。このときの温度は常温か
ら３００℃程度であり、導入時間は３０秒である。これ
によりウェーハ５表面に超清浄な極薄酸化膜が形成さ
れ、この酸化膜が表面保護の役目を果たす。以上のよう
にして超清浄な表面を得ることができる。
【００５１】尚、ＨＦＡＣと無水ＨＦとの導入の順序は
前述の場合と逆でもよいが、その場合、無水ＨＦ処理後
に超純水によるリンスとウェーハ乾燥が必要な場合があ
る。無水ＨＦ等は酸化膜等のエッチングや、ポリマー除
去として単独に使用することも可能である。また、オゾ
ンについてはアンモニア水、過酸化水素水による洗浄中
に導入すれば、ウェーハ表面の荒れを低減することが可
能である。さらに、本装置ではＨＦＡＣ、無水ＨＦ、オ
ゾンを同一のガスライン４８から導入したが、もちろ
ん、単独の専用ガスラインを設置してもよい。
前述の場合と逆でもよいが、その場合、無水ＨＦ処理後
に超純水によるリンスとウェーハ乾燥が必要な場合があ
る。無水ＨＦ等は酸化膜等のエッチングや、ポリマー除
去として単独に使用することも可能である。また、オゾ
ンについてはアンモニア水、過酸化水素水による洗浄中
に導入すれば、ウェーハ表面の荒れを低減することが可
能である。さらに、本装置ではＨＦＡＣ、無水ＨＦ、オ
ゾンを同一のガスライン４８から導入したが、もちろ
ん、単独の専用ガスラインを設置してもよい。
【００５２】
【発明の効果】以上の如く、請求項１〜８に係る発明に
おける半導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置に
よれば、ウェーハを外気に曝すことなく、完全に雰囲気
制御及び温度制御されたプロセスチャンバー内で、上部
のスプレーノズルと下部の回転式吐出ノズルとから薬液
及び超純水を噴出させることで洗浄又はエッチングから
乾燥までを連続的に行うことができるので、超清浄な表
面を得ることができる。また、装置自体を非常にコンパ
クトにできるとともに、完全にクローズした装置である
ため、薬液ミストを装置外方に拡散させることはなく、
クリーンルーム内の化学汚染も低減することができる。
更に、自由な洗浄、エッチング、乾燥の組合せが可能で
あり、１台でほとんど全ての洗浄を行うことができ、非
常に実用性に優れたものである。
おける半導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置に
よれば、ウェーハを外気に曝すことなく、完全に雰囲気
制御及び温度制御されたプロセスチャンバー内で、上部
のスプレーノズルと下部の回転式吐出ノズルとから薬液
及び超純水を噴出させることで洗浄又はエッチングから
乾燥までを連続的に行うことができるので、超清浄な表
面を得ることができる。また、装置自体を非常にコンパ
クトにできるとともに、完全にクローズした装置である
ため、薬液ミストを装置外方に拡散させることはなく、
クリーンルーム内の化学汚染も低減することができる。
更に、自由な洗浄、エッチング、乾燥の組合せが可能で
あり、１台でほとんど全ての洗浄を行うことができ、非
常に実用性に優れたものである。
【００５３】特に、請求項２に係る発明によれば、スプ
レーノズルの噴出口から薬液又は超純水を噴出させる
際、その薬液又は超純水が、窒素ガス噴出口から噴出さ
れるアトマイズ用窒素ガスにより噴霧状にされ、ウェー
ハの表面、側面及び裏面全てに等しく行き渡るので、ウ
ェーハ全面を均一にかつ確実に洗浄又はエッチングする
ことができる。
レーノズルの噴出口から薬液又は超純水を噴出させる
際、その薬液又は超純水が、窒素ガス噴出口から噴出さ
れるアトマイズ用窒素ガスにより噴霧状にされ、ウェー
ハの表面、側面及び裏面全てに等しく行き渡るので、ウ
ェーハ全面を均一にかつ確実に洗浄又はエッチングする
ことができる。
【００５４】請求項３に係る発明によれば、回転式吐出
ノズルから噴出する薬液又は超純水のジェット水流が、
自転と公転との組み合わせによりウェーハ表面、側面及
び裏面を均一に洗浄することができ、洗浄効率を高める
ことができる。
ノズルから噴出する薬液又は超純水のジェット水流が、
自転と公転との組み合わせによりウェーハ表面、側面及
び裏面を均一に洗浄することができ、洗浄効率を高める
ことができる。
【００５５】請求項４に係る発明によれば、薬液を循
還、ろ過して使用することができるので、薬液の消費量
を大幅に低減することができる。
還、ろ過して使用することができるので、薬液の消費量
を大幅に低減することができる。
【００５６】請求項５に係る発明によれば、新しい薬液
又は超純水を所定温度に加熱、ろ過して洗浄に供するこ
とができるので、洗浄効果を高めることができるととも
に、薬液からの再汚染を防止することができる。
又は超純水を所定温度に加熱、ろ過して洗浄に供するこ
とができるので、洗浄効果を高めることができるととも
に、薬液からの再汚染を防止することができる。
【００５７】請求項６に係る発明によれば、洗浄液とし
ての薬液を回転式吐出ノズル及びスプレーノズルから噴
出するに先立って、所定温度に加熱した窒素ガスをスプ
レーノズルから噴出させてプロセスチャンバー内を窒素
置換されることができるので、洗浄効果をより高めるこ
とができるとともに、ウェーハが洗浄中に空気中に曝さ
れることを確実に防止することができ、染みの発生など
を防止できる。
ての薬液を回転式吐出ノズル及びスプレーノズルから噴
出するに先立って、所定温度に加熱した窒素ガスをスプ
レーノズルから噴出させてプロセスチャンバー内を窒素
置換されることができるので、洗浄効果をより高めるこ
とができるとともに、ウェーハが洗浄中に空気中に曝さ
れることを確実に防止することができ、染みの発生など
を防止できる。
【００５８】請求項７に係る発明によれば、所定の薬液
を使用することにより、半導体ウェーハの洗浄、エッチ
ング及び乾燥を適切に行うことができる。
を使用することにより、半導体ウェーハの洗浄、エッチ
ング及び乾燥を適切に行うことができる。
【００５９】請求項８に係る発明によれば、オゾンガ
ス、無水ふっ化水素ガス、ＨＦＡＣなどのガスをスプレ
ーノズルからプロセスチャンバー内に送給して充満させ
ることができるので、洗浄又はエッチングしたウェーハ
表面に対し、更に重金属や自然酸化膜等を除去して表面
の清浄化をより図ることができる。
ス、無水ふっ化水素ガス、ＨＦＡＣなどのガスをスプレ
ーノズルからプロセスチャンバー内に送給して充満させ
ることができるので、洗浄又はエッチングしたウェーハ
表面に対し、更に重金属や自然酸化膜等を除去して表面
の清浄化をより図ることができる。
【００６０】また、請求項９〜１２に係る発明における
半導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置の使用方
法によれば、請求項１記載の半導体ウェーハの洗浄・エ
ッチング・乾燥装置を適切に使用することにより、ウェ
ーハを空気に曝すことなく、また洗浄液及び超純水の消
費量を抑制しながら、ウェーハの洗浄又はエッチングか
ら乾燥までを効率よく行うことができる。
半導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置の使用方
法によれば、請求項１記載の半導体ウェーハの洗浄・エ
ッチング・乾燥装置を適切に使用することにより、ウェ
ーハを空気に曝すことなく、また洗浄液及び超純水の消
費量を抑制しながら、ウェーハの洗浄又はエッチングか
ら乾燥までを効率よく行うことができる。
【００６１】特に、請求項１２に係る発明によれば、薬
液の循還、再使用によりその消費量を大幅に低減できる
という効果を併有する。
液の循還、再使用によりその消費量を大幅に低減できる
という効果を併有する。
【００６２】更に、請求項１３に係る発明における半導
体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置の使用方法に
よれば、同じく請求項１記載の半導体ウェーハの洗浄・
エッチング・乾燥装置を適切に使用することにより、ウ
ェーハを空気に曝すことなく、その表面の重金属及び自
然酸化膜を除去することができるとともに、ウェーハ表
面に薄い保護酸化膜を形成することができ、超清浄なウ
ェーハ表面を得ることができる。
体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置の使用方法に
よれば、同じく請求項１記載の半導体ウェーハの洗浄・
エッチング・乾燥装置を適切に使用することにより、ウ
ェーハを空気に曝すことなく、その表面の重金属及び自
然酸化膜を除去することができるとともに、ウェーハ表
面に薄い保護酸化膜を形成することができ、超清浄なウ
ェーハ表面を得ることができる。
【図１】本発明の実施形態に係る半導体ウェーハの洗浄
・エッチング・乾燥装置の構成図である。
・エッチング・乾燥装置の構成図である。
【図２】パーティクル除去を目的とした洗浄方法を示す
フローチャート図である。
フローチャート図である。
【図３】有機物除去を目的とした洗浄方法を示すフロー
チャート図である。
チャート図である。
【図４】重金属除去を目的とした洗浄方法を示すフロー
チャート図である。
チャート図である。
【図５】複合洗浄の一例を示す洗浄方法の前半部を示す
フローチャート図である。
フローチャート図である。
【図６】同洗浄方法の後半部を示すフローチャート図で
ある。
ある。
【図７】ガスによる最終洗浄の方法を示すフローチャー
ト図である。
ト図である。
【図８】従来のディップ式洗浄装置の構成図である。
【図９】従来の半導体ウェーハの洗浄から乾燥までの作
業手順を説明するための説明図である。
業手順を説明するための説明図である。
１ プロセスチャンバー ２ 密閉空間 ３ チャンバーヒーター ４ メッシュ（支持部材） ５ 被洗浄ウェーハ ７ スプレーノズル ８ 回転式吐出ノズル １１ 第１のアームの回転軸 １２ 第１のアーム １３ 第２のアームの回転軸 １４ 第２のアーム １５ 噴出口 １６ 薬液・超純水供給ライン １７ 窒素ガス供給ライン ２１，２２，２３，２４，２５，２６ 薬液・超純水
供給ラインのインラインヒーター・フィルターブロック ４１ 窒素ガス供給ラインのインラインヒーター・フ
ィルターブロック ４５ 窒素ガス排気ライン ４８ ガスライン ６０ 薬液循環ライン ６６，６７，６８，６９，７０ 薬液循環ラインのイ
ンラインヒーター・フィルターブロック
供給ラインのインラインヒーター・フィルターブロック ４１ 窒素ガス供給ラインのインラインヒーター・フ
ィルターブロック ４５ 窒素ガス排気ライン ４８ ガスライン ６０ 薬液循環ライン ６６，６７，６８，６９，７０ 薬液循環ラインのイ
ンラインヒーター・フィルターブロック
Claims (13)
- 【請求項１】 半導体ウェーハの洗浄、エッチング及び
乾燥を行うための装置であって、 密閉空間を有し該空間内の温度をヒーターにより加熱調
整可能に構成されたプロセスチャンバーと、 該プロセスチャンバー内の中央部に設置され、単数又は
複数の被洗浄ウェーハを支持する支持部材と、 前記プロセスチャンバー内の上部にライン状に配置され
た複数本のスプレーノズルと、 前記プロセスチャンバー内の下部に配置された回転式の
吐出ノズルとを備えたことを特徴とする半導体ウェーハ
の洗浄・エッチング・乾燥装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体ウェーハの洗浄・
エッチング・乾燥装置において、 前記各スプレーノズルは、薬液及び超純水の噴出口と、
該薬液及び超純水を噴霧状にするためのアトマイズ用の
窒素ガス噴出口とを有し、これらの噴出口がノズルの延
設方向に等間隔で複数個設けられていることを特徴とす
る半導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の半導体ウェーハの
洗浄・エッチング・乾燥装置において、 前記回転式吐出ノズルは、回転軸の上端に中心部が支持
された水平方向に延びる第１のアームと、該第１のアー
ムの両端に設けられた回転軸の上端に各々中心部が支持
された水平方向に延びる二つの第２のアームと、該各第
２のアームの両端に各々鉛直線と所定角度傾いた上向き
に薬液及び超純水を噴出する噴出口とを有し、これらの
噴出口が前記第２のアームの回転軸を中心に自転しなが
ら、第１のアームの回転軸を中心に公転するように構成
されていることを特徴とする半導体ウェーハの洗浄・エ
ッチング・乾燥装置。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか一つに記載の半
導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置において、 前記プロセスチャンバー下部の排液口から排液された薬
液を選択的に、薬液を加熱するためのインラインヒータ
ーと、薬液中の異物を除去し、ろ過するためのフィルタ
ーとに送り、再び前記回転式吐出ノズル又は前記スプレ
ーノズルから噴出させる薬液循還ラインを備えたことを
特徴とする半導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装
置。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか一つに記載の半
導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置において、 薬液又は超純水を選択的にインラインヒーター及びフィ
ルターに送給して加熱、ろ過した後、前記回転式吐出ノ
ズル又は前記スプレーノズルから噴出させる薬液・超純
水供給ラインを備えたことを特徴とする半導体ウェーハ
の洗浄・エッチング・乾燥装置。 - 【請求項６】 請求項２記載の半導体ウェーハの洗浄・
エッチング・乾燥装置において、 前記スプレーノズルのアトマイズ用窒素ガス噴出口に窒
素ガスを送給するとともに、該窒素ガスを３００℃まで
加熱することができるインラインヒーターを有する窒素
ガス供給ラインと、 前記プロセスチャンバー内の窒素ガスをプロセスチャン
バー上部の排気口から排気する窒素ガス排気ラインとを
備えたことを特徴とする半導体ウェーハの洗浄・エッチ
ング・乾燥装置。 - 【請求項７】 請求項１〜６のいずれか一つに記載の半
導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置において、 半導体ウェーハの洗浄、エッチング又は乾燥に使用する
薬液は、アンモニア水と過酸化水素水と超純水との混合
液、塩酸と過酸化水素水と超純水との混合液、硫酸と過
酸化水素水との混合液、ふっ化水素酸と超純水との混合
液、ふっ化水素酸とふっ化アンモンとの混合液、ふっ化
水素酸と過酸化水素酸と超純水との混合液、塩酸と硝酸
との混合液、塩酸、硝酸、イソプロピルアルコールをは
じめとする有機溶剤、又はオゾンを数ＰＰＭ〜１０数Ｐ
ＰＭ含有したオゾン化超純水であることを特徴とする半
導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置。 - 【請求項８】 請求項６記載の半導体ウェーハの洗浄・
エッチング・乾燥装置において、 前記窒素ガス供給ラインに接続され、オゾンガス、無水
ふっ化水素ガス、ＨＦＡＣ（１，１，１，５，５，５，
−ヘキサフロロ−２，４−ペンタネディオン）ガスなど
のガスを、窒素ガス供給ライン及びスプレーノズルを通
してプロセスチャンバー内に送給するガスラインを備え
たことを特徴とする半導体ウェーハの洗浄・エッチング
・乾燥装置。 - 【請求項９】 請求項１記載の半導体ウェーハの洗浄・
エッチング・乾燥装置を使用する方法であって、 被洗浄ウェーハをプロセスチャンバー内の支持部材上に
配置した後、スプレーノズルから洗浄液の温度より１０
℃高温の窒素ガスを噴出させ、プロセスチャンバー内を
十分窒素置換する工程と、 その後、所定温度の洗浄液を回転式吐出ノズルに送り、
所定時間噴出させ、洗浄液ジェット水流によりウェーハ
を洗浄し、続いて、所定温度の新しい洗浄液をスプレー
ノズルから所定時間噴霧し、ウェーハ表面の最終洗浄を
行う工程と、 その後、スプレーノズルから噴出させる窒素ガスの温度
を超純水と同じ温度とし、まず、回転式吐出ノズルから
超純水を噴出させ、所定時間水洗を行い、排水後スプレ
ーノズルから超純水を噴霧状に所定時間噴出させ、水洗
を行う工程と、 続いて、イソプロピルアルコール等の有機溶剤をスプレ
ーノズルに供給し、有機溶剤の沸点近くに設定された高
温窒素ガスにより高温の噴霧状として、スプレーノズル
から所定時間噴出させた後、スプレーノズルから高温の
窒素のみを噴出させるとともに、プロセスチャンバーの
ヒーターによりチャンバー内を高温に保つことによりウ
ェーハの乾燥を行う工程とを備えたことを特徴とする半
導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置の使用方
法。 - 【請求項１０】 請求項１記載の半導体ウェーハの洗浄
・エッチング・乾燥装置を使用する方法であって、 被洗浄ウェーハをプロセスチャンバー内の支持部材上に
配置した後、スプレーノズルから第１の洗浄液の温度よ
り１０℃高温の窒素ガスを噴出させ、プロセスチャンバ
ー内を十分窒素置換する工程と、 その後、所定温度の第１の洗浄液を回転式吐出ノズルに
送り、所定時間噴出させ、洗浄液ジェット水流によりウ
ェーハを洗浄し、続いて、所定温度の新しい第１の洗浄
液をスプレーノズルから所定時間噴霧し、ウェーハ表面
の最終洗浄を行う工程と、 その後、スプレーノズルから噴出させる窒素ガスの温度
を超純水と同じ温度とし、まず、回転式吐出ノズルから
超純水を噴出させ、所定時間水洗を行い、排水後スプレ
ーノズルから超純水を噴霧状に所定時間噴出させ、水洗
を行う工程と、 洗浄の種類に応じて、前記第１の洗浄液の代りにこれと
異なる第２又は第３の洗浄液を用いて、前記の窒素置
換、洗浄及び水洗を繰り返して行う工程と、 続いて、イソプロピルアルコール等の有機溶剤をスプレ
ーノズルに供給し、有機溶剤の沸点近くに設定された高
温窒素ガスにより高温の噴霧状として、スプレーノズル
から所定時間噴出させた後、スプレーノズルから高温の
窒素のみを噴出させるとともに、プロセスチャンバーの
ヒーターによりチャンバー内を高温に保つことによりウ
ェーハの乾燥を行う工程とを備えたことを特徴とする半
導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置の使用方
法。 - 【請求項１１】 請求項９又は１０記載の半導体ウェー
ハの洗浄・エッチング・乾燥装置の使用方法において、 洗浄液の代りにエッチング液を用い、エッチング又はポ
リマー除去を行うことを特徴とする半導体ウェーハの洗
浄・エッチング・乾燥装置の使用方法。 - 【請求項１２】 請求項９〜１１のいずれか一つに記載
の半導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置の使用
方法において、 回転式吐出ノズルから薬液を所定時間噴出させてウェー
ハの洗浄又はエッチングをする際、回転式吐出ノズルか
ら吐出された薬液をプロセスチャンバー下部の排液口か
ら回収し、その薬液を所定温度に加熱するとともに薬液
中の異物を除去した後、再び前記回転式吐出ノズルから
噴出させることを特徴とする半導体ウェーハの洗浄・エ
ッチング・乾燥装置の使用方法。 - 【請求項１３】 請求項１記載の半導体ウェーハの洗浄
・エッチング・乾燥装置を使用する方法であって、 被洗浄ウェーハをプロセスチャンバー内の支持部材上に
配置した後、ＨＦＡＣガスと２００〜２５０℃に加熱し
た窒素ガスとの混合ガスをスプレーノズルからプロセス
チャンバー内に導入し、ウェーハ表面の重金属を除去す
る工程と、 その後、無水ふっ化水素ガスを室温もしくは所定温度で
スプレーノズルからプロセスチャンバー内に導入し、ウ
ェーハ表面の自然酸化膜を完全に除去する工程と、 その後、スプレーノズル又は回転式吐出ノズルから超純
水を噴出させ、所定時間水洗を行う工程と、 続いて、イソプロピルアルコール等の有機溶剤をスプレ
ーノズルに供給し、有機溶剤の沸点近くに設定された高
温窒素ガスにより高温の噴霧状として、スプレーノズル
から所定時間噴出させた後、スプレーノズルから高温の
窒素のみを噴出させるとともに、プロセスチャンバーの
ヒーターによりチャンバー内を高温に保つことによりウ
ェーハの乾燥を行う工程と、 その後、ウェーハ表面に超清浄な薄い保護酸化膜を形成
するために、オゾンガスをスプレーノズルからプロセス
チャンバー内に導入する工程とを備えたことを特徴とす
る半導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置の使用
方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7225249A JPH0969509A (ja) | 1995-09-01 | 1995-09-01 | 半導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置及びその使用方法 |
| KR1019960037042A KR100423771B1 (ko) | 1995-09-01 | 1996-08-30 | 반도체웨이퍼의세정,에칭,건조장치및그사용방법 |
| US08/706,087 US5896875A (en) | 1995-09-01 | 1996-08-30 | Equipment for cleaning, etching and drying semiconductor wafer and its using method |
| TW085110695A TW304277B (ja) | 1995-09-01 | 1996-09-02 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7225249A JPH0969509A (ja) | 1995-09-01 | 1995-09-01 | 半導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置及びその使用方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0969509A true JPH0969509A (ja) | 1997-03-11 |
Family
ID=16826351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7225249A Pending JPH0969509A (ja) | 1995-09-01 | 1995-09-01 | 半導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置及びその使用方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5896875A (ja) |
| JP (1) | JPH0969509A (ja) |
| KR (1) | KR100423771B1 (ja) |
| TW (1) | TW304277B (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6143637A (en) * | 1998-03-13 | 2000-11-07 | Nec Corporation | Process for production of semiconductor device and cleaning device used therein |
| JP2002176025A (ja) * | 2000-12-11 | 2002-06-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体基板の洗浄装置およびその装置を使用した半導体基板の洗浄方法 |
| JP2002217160A (ja) * | 2001-01-17 | 2002-08-02 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
| KR100450632B1 (ko) * | 2002-10-01 | 2004-10-01 | 주식회사 에이텍 | 반도체 웨이퍼 세정용 다층 세정장치 |
| JP2005039205A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-02-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 異物除去装置、基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2006270032A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-10-05 | Tokyo Electron Ltd | 基板の表面処理方法、基板の洗浄方法、及びプログラム |
| JP2007519222A (ja) * | 2003-07-11 | 2007-07-12 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 半導体デバイスを製造する方法およびその方法で使用するための装置 |
| JP2008034872A (ja) * | 2000-07-24 | 2008-02-14 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄処理方法および洗浄処理装置 |
| KR100864647B1 (ko) * | 2007-04-27 | 2008-10-23 | 세메스 주식회사 | 처리액 공급 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 |
| US7790625B2 (en) | 2007-03-13 | 2010-09-07 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| DE112011103790T5 (de) | 2010-12-16 | 2013-08-14 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Verfahren zum Reinigen von Halbleiterwafern |
| JP2014078630A (ja) * | 2012-10-11 | 2014-05-01 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置 |
| CN105290042A (zh) * | 2015-11-16 | 2016-02-03 | 耒阳新达微科技有限公司 | 一种用于轴承加工的清洗设备 |
| CN107123610A (zh) * | 2016-02-25 | 2017-09-01 | 芝浦机械电子株式会社 | 基板处理装置、基板处理方法及基板的制造方法 |
| JP2019105835A (ja) * | 2017-12-12 | 2019-06-27 | シャープ株式会社 | 基板処理装置 |
| CN111482428A (zh) * | 2020-04-12 | 2020-08-04 | 麦卡尼食品设备(中山)有限公司 | 一种自动清洗系统及其工作原理 |
Families Citing this family (95)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001026830A1 (en) * | 1999-10-12 | 2001-04-19 | Ferrell Gary W | Improvements in drying and cleaning objects using controlled aerosols and gases |
| KR100238234B1 (ko) | 1997-03-20 | 2000-01-15 | 윤종용 | 반도체소자용 인-시튜 세정장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 세정방법 |
| WO1999052654A1 (en) * | 1998-04-16 | 1999-10-21 | Semitool, Inc. | Process and apparatus for treating a workpiece such as a semiconductor wafer |
| US7163588B2 (en) | 1997-05-09 | 2007-01-16 | Semitool, Inc. | Processing a workpiece using water, a base, and ozone |
| US7264680B2 (en) * | 1997-05-09 | 2007-09-04 | Semitool, Inc. | Process and apparatus for treating a workpiece using ozone |
| US20050034745A1 (en) * | 1997-05-09 | 2005-02-17 | Semitool, Inc. | Processing a workpiece with ozone and a halogenated additive |
| US7404863B2 (en) * | 1997-05-09 | 2008-07-29 | Semitool, Inc. | Methods of thinning a silicon wafer using HF and ozone |
| US6240933B1 (en) * | 1997-05-09 | 2001-06-05 | Semitool, Inc. | Methods for cleaning semiconductor surfaces |
| US20020157686A1 (en) * | 1997-05-09 | 2002-10-31 | Semitool, Inc. | Process and apparatus for treating a workpiece such as a semiconductor wafer |
| US6869487B1 (en) | 1997-05-09 | 2005-03-22 | Semitool, Inc. | Process and apparatus for treating a workpiece such as a semiconductor wafer |
| US20050215063A1 (en) * | 1997-05-09 | 2005-09-29 | Bergman Eric J | System and methods for etching a silicon wafer using HF and ozone |
| US7378355B2 (en) * | 1997-05-09 | 2008-05-27 | Semitool, Inc. | System and methods for polishing a wafer |
| US6701941B1 (en) * | 1997-05-09 | 2004-03-09 | Semitool, Inc. | Method for treating the surface of a workpiece |
| US7416611B2 (en) * | 1997-05-09 | 2008-08-26 | Semitool, Inc. | Process and apparatus for treating a workpiece with gases |
| US6164297A (en) * | 1997-06-13 | 2000-12-26 | Tokyo Electron Limited | Cleaning and drying apparatus for objects to be processed |
| KR100707107B1 (ko) * | 1997-07-17 | 2007-12-27 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 세정.건조처리방법및장치 |
| US5971368A (en) | 1997-10-29 | 1999-10-26 | Fsi International, Inc. | System to increase the quantity of dissolved gas in a liquid and to maintain the increased quantity of dissolved gas in the liquid until utilized |
| KR100444840B1 (ko) * | 1997-11-20 | 2004-10-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래쉬 이이피롬 소자의 세정 방법 |
| US6332470B1 (en) * | 1997-12-30 | 2001-12-25 | Boris Fishkin | Aerosol substrate cleaner |
| DE19813757C2 (de) * | 1998-03-27 | 2000-12-14 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer mit Fluor belgten Halbleiteroberfläche |
| TW417182B (en) | 1998-06-02 | 2001-01-01 | Cfmt Inc | Wet processing methods for the manufacture of electronic components using liquids of varying temperature |
| US6235641B1 (en) | 1998-10-30 | 2001-05-22 | Fsi International Inc. | Method and system to control the concentration of dissolved gas in a liquid |
| US6592676B1 (en) * | 1999-01-08 | 2003-07-15 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum | Chemical solution and method for reducing the metal contamination on the surface of a semiconductor substrate |
| US6406551B1 (en) | 1999-05-14 | 2002-06-18 | Fsi International, Inc. | Method for treating a substrate with heat sensitive agents |
| US6516815B1 (en) * | 1999-07-09 | 2003-02-11 | Applied Materials, Inc. | Edge bead removal/spin rinse dry (EBR/SRD) module |
| EP1481741B1 (en) * | 1999-07-23 | 2010-10-20 | Semitool, Inc. | Process and system for treating a workpiece such as a semiconductor wafer |
| US6624086B1 (en) * | 1999-09-15 | 2003-09-23 | Texas Instruments Incorporated | Effective solution and process to wet-etch metal-alloy films in semiconductor processing |
| US6592433B2 (en) * | 1999-12-31 | 2003-07-15 | Intel Corporation | Method for defect reduction |
| US6340395B1 (en) * | 2000-01-18 | 2002-01-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Salsa clean process |
| US7364625B2 (en) * | 2000-05-30 | 2008-04-29 | Fsi International, Inc. | Rinsing processes and equipment |
| TWI229146B (en) * | 2000-08-02 | 2005-03-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Regenerating method for cleaning solution of metallic product |
| JP2002075950A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-03-15 | Nec Corp | 半導体ウエハーの乾燥方法 |
| US6951221B2 (en) * | 2000-09-22 | 2005-10-04 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| US6861007B2 (en) * | 2001-03-02 | 2005-03-01 | Micron Technology, Inc. | Method for removing organic material from a substrate and for oxidizing oxidizable material thereon |
| JP2002292346A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-08 | Sharp Corp | 付着膜回収装置および付着膜の回収方法 |
| JP2003059884A (ja) * | 2001-08-20 | 2003-02-28 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| US20090029560A1 (en) * | 2001-12-07 | 2009-01-29 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for single substrate processing |
| US20070272657A1 (en) * | 2001-12-07 | 2007-11-29 | Eric Hansen | Apparatus and method for single substrate processing |
| US20070079932A1 (en) * | 2001-12-07 | 2007-04-12 | Applied Materials, Inc. | Directed purge for contact free drying of wafers |
| US20080000495A1 (en) * | 2001-12-07 | 2008-01-03 | Eric Hansen | Apparatus and method for single substrate processing |
| US6726848B2 (en) * | 2001-12-07 | 2004-04-27 | Scp Global Technologies, Inc. | Apparatus and method for single substrate processing |
| FR2833753B1 (fr) * | 2001-12-18 | 2004-02-20 | Vaco Microtechnologies | Dispositif de gravure, de rincage, et de sechage de substrats en atmosphere ultra-propre |
| US6635590B2 (en) * | 2002-01-08 | 2003-10-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus and method for in-situ removal of polymer residue |
| US20030136429A1 (en) * | 2002-01-22 | 2003-07-24 | Semitool, Inc. | Vapor cleaning and liquid rinsing process vessel |
| TW554075B (en) * | 2002-04-17 | 2003-09-21 | Grand Plastic Technology Corp | Puddle etching method of thin film using spin processor |
| KR100467016B1 (ko) * | 2002-05-30 | 2005-01-24 | 삼성전자주식회사 | 반도체기판의 세정방법 |
| ATE353475T1 (de) * | 2002-10-11 | 2007-02-15 | Soitec Silicon On Insulator | Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer haftenden substratoberfläche |
| SG171468A1 (en) * | 2002-12-10 | 2011-06-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus and method for producing device |
| US20040216770A1 (en) * | 2003-04-29 | 2004-11-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Process for rinsing and drying substrates |
| KR20050011510A (ko) * | 2003-07-23 | 2005-01-29 | 동부전자 주식회사 | 반도체 공정의 폴리머 제거용 에천트 |
| JP3592702B1 (ja) | 2003-08-12 | 2004-11-24 | エス・イー・エス株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
| KR101001741B1 (ko) * | 2003-08-18 | 2010-12-15 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 커패시터 및 그 제조 방법과 커패시터를구비하는 메모리 장치 |
| JP4290075B2 (ja) * | 2003-08-19 | 2009-07-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板保持用チャックの洗浄・乾燥装置及び基板保持用チャックの洗浄・乾燥方法 |
| US7431040B2 (en) * | 2003-09-30 | 2008-10-07 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for dispensing a rinse solution on a substrate |
| KR100636035B1 (ko) * | 2003-11-08 | 2006-10-18 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼를 건조하기 위한 방법 및 장치, 그리고 웨이퍼 건조 장치를 포함하는 웨이퍼 처리 장치 |
| US7326305B2 (en) * | 2004-01-30 | 2008-02-05 | Intersil Americas, Inc. | System and method for decapsulating an encapsulated object |
| US7214978B2 (en) * | 2004-02-27 | 2007-05-08 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor fabrication that includes surface tension control |
| US7288489B2 (en) * | 2004-08-20 | 2007-10-30 | Semitool, Inc. | Process for thinning a semiconductor workpiece |
| US7193295B2 (en) * | 2004-08-20 | 2007-03-20 | Semitool, Inc. | Process and apparatus for thinning a semiconductor workpiece |
| US20060040111A1 (en) * | 2004-08-20 | 2006-02-23 | Dolechek Kert L | Process chamber and system for thinning a semiconductor workpiece |
| US20060046499A1 (en) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Dolechek Kert L | Apparatus for use in thinning a semiconductor workpiece |
| US7354649B2 (en) | 2004-08-20 | 2008-04-08 | Semitool, Inc. | Semiconductor workpiece |
| JP2006073747A (ja) * | 2004-09-01 | 2006-03-16 | Sumco Corp | 半導体ウェーハの処理方法およびその装置 |
| US20060113281A1 (en) * | 2004-11-26 | 2006-06-01 | Kuo-Lung Sung | Method of precise wafer etching |
| US20060196527A1 (en) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Tokyo Electron Limited | Method of surface processing substrate, method of cleaning substrate, and programs for implementing the methods |
| US8070884B2 (en) * | 2005-04-01 | 2011-12-06 | Fsi International, Inc. | Methods for rinsing microelectronic substrates utilizing cool rinse fluid within a gas enviroment including a drying enhancement substance |
| JP4986566B2 (ja) | 2005-10-14 | 2012-07-25 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP2007142335A (ja) * | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 高圧処理方法 |
| JP2007157898A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄方法、基板洗浄装置、制御プログラム、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
| JP4986565B2 (ja) * | 2005-12-02 | 2012-07-25 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
| US20070228011A1 (en) * | 2006-03-31 | 2007-10-04 | Buehler Mark F | Novel chemical composition to reduce defects |
| US20070261718A1 (en) * | 2006-05-10 | 2007-11-15 | Rubinder Randhawa | Method and apparatus for ozone-enhanced cleaning of flat objects with pulsed liquid jet |
| KR100812096B1 (ko) * | 2006-07-26 | 2008-03-12 | (주)에스티아이 | 글라스 식각장치 및 식각방법 |
| US20080053486A1 (en) * | 2006-08-10 | 2008-03-06 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate cleaning apparatus |
| US20080060682A1 (en) * | 2006-09-13 | 2008-03-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | High temperature spm treatment for photoresist stripping |
| US7775219B2 (en) * | 2006-12-29 | 2010-08-17 | Applied Materials, Inc. | Process chamber lid and controlled exhaust |
| WO2008090019A1 (en) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Sez Ag | Method for cleaning a surface |
| JP4863897B2 (ja) * | 2007-01-31 | 2012-01-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び基板洗浄プログラム |
| US20080236615A1 (en) * | 2007-03-28 | 2008-10-02 | Mimken Victor B | Method of processing wafers in a sequential fashion |
| JP4992981B2 (ja) * | 2007-12-07 | 2012-08-08 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | シリコンウェーハ洗浄方法 |
| JP5317529B2 (ja) * | 2008-05-02 | 2013-10-16 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 半導体ウェーハの処理方法及び処理装置 |
| KR101062176B1 (ko) | 2008-12-30 | 2011-09-05 | 에이펫(주) | 기판처리장치 |
| WO2010150547A1 (ja) * | 2009-06-26 | 2010-12-29 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの洗浄方法、およびその洗浄方法を用いたエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| US20120058258A1 (en) * | 2010-09-07 | 2012-03-08 | Molecular Imprints, Inc. | Methods of cleaning hard drive disk substrates for nanoimprint lithography |
| US20120260517A1 (en) * | 2011-04-18 | 2012-10-18 | Lam Research Corporation | Apparatus and Method for Reducing Substrate Pattern Collapse During Drying Operations |
| CN103177985B (zh) * | 2011-12-26 | 2016-08-03 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 半导体晶圆制造装置 |
| US9355835B2 (en) * | 2012-06-29 | 2016-05-31 | Semes Co., Ltd. | Method and apparatus for processing substrate |
| CN104091776B (zh) * | 2014-07-25 | 2017-12-08 | 上海华力微电子有限公司 | 一种消除连接孔刻蚀副产物凝结缺陷的晶圆净化设备 |
| KR20160004027U (ko) | 2015-05-15 | 2016-11-23 | (주)피에스엘 | 스크러버 트리 팩 필터 전용 세정 장치 |
| US20170028358A1 (en) * | 2015-07-31 | 2017-02-02 | Pall Corporation | Hydrophilizing ptfe membranes |
| US10864494B2 (en) | 2017-06-07 | 2020-12-15 | Chevron Phillips Chemical Company Lp | Rotary feeder with cleaning nozzles |
| KR102312385B1 (ko) * | 2018-08-27 | 2021-10-13 | 한양대학교 에리카산학협력단 | Euv 리소그래피용 펠리클 제조 방법 및 그 제조 장치 |
| JP7055219B2 (ja) * | 2018-10-31 | 2022-04-15 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置、およびプログラム |
| KR101999548B1 (ko) * | 2019-02-28 | 2019-07-12 | 제일유리 주식회사 | 유리표면 처리장치 |
| CN113035742B (zh) * | 2021-02-10 | 2022-03-11 | 江苏亚电科技有限公司 | 一种半导体制造用晶圆清洗回收装置 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH053185A (ja) * | 1991-06-26 | 1993-01-08 | Seiko Epson Corp | 半導体基板の洗浄方法 |
| JPH06310486A (ja) * | 1993-04-23 | 1994-11-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板乾燥方法および基板乾燥装置 |
| JPH078436A (ja) * | 1993-06-23 | 1995-01-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 食器洗浄機 |
| JPH0714812A (ja) * | 1993-06-25 | 1995-01-17 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | ウエハ湿式処理装置 |
| JPH0799177A (ja) * | 1993-08-06 | 1995-04-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の浸漬処理装置 |
| JPH07142438A (ja) * | 1993-11-22 | 1995-06-02 | Tadahiro Omi | 洗浄装置、半導体製造装置及び半導体製造ライン |
| JPH07153737A (ja) * | 1989-07-26 | 1995-06-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | シリコン自然酸化膜の選択的除去方法 |
| JPH07230976A (ja) * | 1993-12-24 | 1995-08-29 | Toshiba Corp | 半導体基板の洗浄方法、洗浄装置及び洗浄システム |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4982753A (en) * | 1983-07-26 | 1991-01-08 | National Semiconductor Corporation | Wafer etching, cleaning and stripping apparatus |
| US5186192A (en) * | 1990-12-14 | 1993-02-16 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Apparatus for cleaning silicon wafer |
-
1995
- 1995-09-01 JP JP7225249A patent/JPH0969509A/ja active Pending
-
1996
- 1996-08-30 KR KR1019960037042A patent/KR100423771B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-08-30 US US08/706,087 patent/US5896875A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-09-02 TW TW085110695A patent/TW304277B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07153737A (ja) * | 1989-07-26 | 1995-06-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | シリコン自然酸化膜の選択的除去方法 |
| JPH053185A (ja) * | 1991-06-26 | 1993-01-08 | Seiko Epson Corp | 半導体基板の洗浄方法 |
| JPH06310486A (ja) * | 1993-04-23 | 1994-11-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板乾燥方法および基板乾燥装置 |
| JPH078436A (ja) * | 1993-06-23 | 1995-01-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 食器洗浄機 |
| JPH0714812A (ja) * | 1993-06-25 | 1995-01-17 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | ウエハ湿式処理装置 |
| JPH0799177A (ja) * | 1993-08-06 | 1995-04-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の浸漬処理装置 |
| JPH07142438A (ja) * | 1993-11-22 | 1995-06-02 | Tadahiro Omi | 洗浄装置、半導体製造装置及び半導体製造ライン |
| JPH07230976A (ja) * | 1993-12-24 | 1995-08-29 | Toshiba Corp | 半導体基板の洗浄方法、洗浄装置及び洗浄システム |
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100362623B1 (ko) * | 1998-03-13 | 2002-11-27 | 닛폰 덴키(주) | 반도체 장치의 제조방법 및 이 방법에 사용되는 세정장치 |
| US6143637A (en) * | 1998-03-13 | 2000-11-07 | Nec Corporation | Process for production of semiconductor device and cleaning device used therein |
| JP2008034872A (ja) * | 2000-07-24 | 2008-02-14 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄処理方法および洗浄処理装置 |
| JP2002176025A (ja) * | 2000-12-11 | 2002-06-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体基板の洗浄装置およびその装置を使用した半導体基板の洗浄方法 |
| JP2002217160A (ja) * | 2001-01-17 | 2002-08-02 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
| JP4562109B2 (ja) * | 2001-01-17 | 2010-10-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
| KR100450632B1 (ko) * | 2002-10-01 | 2004-10-01 | 주식회사 에이텍 | 반도체 웨이퍼 세정용 다층 세정장치 |
| JP4494840B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2010-06-30 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 異物除去装置、基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2005039205A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-02-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 異物除去装置、基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2007519222A (ja) * | 2003-07-11 | 2007-07-12 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 半導体デバイスを製造する方法およびその方法で使用するための装置 |
| JP2006270032A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-10-05 | Tokyo Electron Ltd | 基板の表面処理方法、基板の洗浄方法、及びプログラム |
| US7790625B2 (en) | 2007-03-13 | 2010-09-07 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| KR100864647B1 (ko) * | 2007-04-27 | 2008-10-23 | 세메스 주식회사 | 처리액 공급 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 |
| DE112011103790T5 (de) | 2010-12-16 | 2013-08-14 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Verfahren zum Reinigen von Halbleiterwafern |
| JP2014078630A (ja) * | 2012-10-11 | 2014-05-01 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置 |
| CN105290042A (zh) * | 2015-11-16 | 2016-02-03 | 耒阳新达微科技有限公司 | 一种用于轴承加工的清洗设备 |
| CN107123610A (zh) * | 2016-02-25 | 2017-09-01 | 芝浦机械电子株式会社 | 基板处理装置、基板处理方法及基板的制造方法 |
| JP2019105835A (ja) * | 2017-12-12 | 2019-06-27 | シャープ株式会社 | 基板処理装置 |
| CN110007491A (zh) * | 2017-12-12 | 2019-07-12 | 夏普株式会社 | 基板处理装置 |
| CN111482428A (zh) * | 2020-04-12 | 2020-08-04 | 麦卡尼食品设备(中山)有限公司 | 一种自动清洗系统及其工作原理 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW304277B (ja) | 1997-05-01 |
| US5896875A (en) | 1999-04-27 |
| KR100423771B1 (ko) | 2004-06-30 |
| KR970018267A (ko) | 1997-04-30 |
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