JP3177736B2 - 処理装置 - Google Patents

処理装置

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JP3177736B2
JP3177736B2 JP26921397A JP26921397A JP3177736B2 JP 3177736 B2 JP3177736 B2 JP 3177736B2 JP 26921397 A JP26921397 A JP 26921397A JP 26921397 A JP26921397 A JP 26921397A JP 3177736 B2 JP3177736 B2 JP 3177736B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば半導体ウ
エハやLCD用ガラス基板等の被処理体を洗浄あるいは
乾燥する処理装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体製造装置の製造工程にお
いては、半導体ウエハやLCD用ガラス等の被処理体
(以下にウエハ等という)を例えばアンモニア水(NH
4OH)やフッ化水素酸(HF)等の薬液やリンス液
(純水)等の洗浄液が貯留された処理部例えば洗浄槽に
順次浸漬して洗浄を行う洗浄処理装置や洗浄後のウエハ
等を乾燥させる乾燥処理装置等の処理装置が広く採用さ
れている。
【0003】従来のこの種の洗浄処理装置としては、洗
浄液を貯留すると共に洗浄液中に被処理体を浸漬してそ
の表面を洗浄する処理部例えば洗浄槽と、純水供給源と
を接続する洗浄液供給管に、薬液を貯留する薬液貯留容
器を接続してなり、薬液貯留容器内の薬液に搬送用ガス
例えば窒素(N2)ガスを加圧して、洗浄液供給管内を
流れる純水中に薬液を注入して、所定の濃度の薬液を洗
浄槽内に供給して洗浄処理を行う構造のものが広く使用
されている。
【0004】また、従来の乾燥処理装置は、ウエハ等に
乾燥ガスを接触させて乾燥する処理部例えば乾燥容器
と、この乾燥容器と乾燥ガス用搬送ガス例えばN2ガス
の供給源とを接続するN2ガス供給管と、薬液例えばI
PA(イソプロピルアルコール)等の有機溶剤を貯留す
る薬液貯留容器と、N2ガス供給管に介設される乾燥ガ
ス生成部とを具備してなり、薬液貯留容器内のIPAを
搬送用ガス例えばN2ガスにて加圧して、乾燥ガス生成
部に注入して、所定濃度の乾燥ガスを乾燥容器内に供給
して乾燥処理を行なうものが広く使用されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の処理装置においては、薬液貯留容器内に貯留さ
れた薬液を不活性ガス例えばN2ガスにて加圧して薬液
を純水ライン中あるいは乾燥ガス生成部に注入する方式
であるため、純水あるいは乾燥用ガスの流量又は圧力の
変動に大きく左右され易く、薬液の定量性に劣るという
問題があった。そのため、薬液濃度が不安定となり、洗
浄効率あるいは乾燥効率が低下すると共に、歩留まりの
低下をきたすという問題もあった。
【0006】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、純水あるいは乾燥ガス用搬送ガス等の処理媒体の流
量又は圧力の変動に影響を受けることなく、所定量の薬
液を純水中や乾燥ガス生成部に注入して所定濃度の薬液
を洗浄あるいは乾燥等の処理に供せるようにした処理装
置を提供することを目的とするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は以下のように構成する。
【0008】(1)請求項1記載の処理装置は、洗浄液
を貯留すると共に洗浄液中に被処理体を浸漬してその表
面を洗浄する処理部と、 上記処理部と純水供給源とを
接続する供給管と、 薬液を貯留する薬液貯留容器と、
開閉切換手段を介して上記供給管と薬液貯留容器とを
接続する薬液供給管と、 上記薬液供給管に介設される
薬液供給手段とを具備してなり、 上記薬液供給手段
を、1又は互いに連動する複数のダイヤフラムを有する
空気圧式ダイヤフラムポンプにて形成し、 上記ダイヤ
フラムポンプの駆動部と駆動空気供給源とを接続する空
気供給管に、空気圧調整手段と管路開閉切換手段を介設
し、 上記ダイヤフラムポンプの吐出側に圧力検出手段
を設け、 予め設定された制御信号と圧力検出手段から
の検出信号を比較演算処理して、上記管路開閉切換手段
を制御可能に形成してなる、ことを特徴とする。
【0009】このように構成することにより、供給管中
を流れ純水の流量又は圧力の変動に左右されることな
、また、薬液の注入量を監視しつつ適量の薬液を純水
中に注入して、所定濃度の薬液を処理部内に供給するこ
とができる。したがって、洗浄効率の向上が図れると共
に、歩留まりの向上が図れる。
【0010】(2)請求項2記載の処理装置は、洗浄液
を貯留すると共に洗浄液中に被処理体を浸漬してその表
面を洗浄する処理部と、 上記処理部と純水供給源とを
接続する供給管と、 薬液を貯留する薬液貯留容器と、
開閉切換手段を介して上記供給管と薬液貯留容器とを
接続する薬液供給管と、 上記薬液供給管に介設される
薬液供給手段とを具備してなり、 上記薬液供給手段
を、往復駆動式ポンプにて形成し、 上記薬液供給管に
おける上記薬液供給手段の薬液吐出側と、上記薬液貯留
容器とに循環管路を接続すると共に、この循環管路に開
閉手段及びフィルタを介設してなる、ことを特徴とす
る。
【0011】このように構成することにより、供給管中
を流れ純水の流量又は圧力の変動に左右されることな
く所定量の薬液を純水中に注入して、所定濃度の薬液を
処理部内に供給することができる上、待機中の薬液を常
時循環すると共にフィルタリングして、薬液注入の円滑
化及び注入量の定量化を図ることができる。
【0012】(3)請求項3記載の処理装置は、被処理
体に乾燥ガスを接触させて乾燥する処理部と、 上記処
理部と乾燥ガス用搬送ガスの供給源とを接続する供給管
と、薬液を貯留する薬液貯留容器と、 上記供給管に介
設される乾燥ガス生成部と、 乾燥ガス生成部と薬液貯
留部とを接続する薬液供給管と、 上気薬液供給管に介
設される薬液供給手段とを具備してなり、 上記薬液供
給手段を、往復駆動式ポンプにて形成してなる、ことを
特徴とする。
【0013】このように構成することにより、乾燥ガス
生成部内に供給される搬送用ガスの流量又は圧力の変動
に左右されることなく所定量の薬液を搬送用ガス中に注
入(混入)して、所定濃度の薬液を処理部内に供給する
ことができる。したがって、乾燥効率の向上が図れると
共に、歩留まりの向上を図ることができる。
【0014】(4)請求項4記載の処理装置は、被処理
体に乾燥ガスを接触させて乾燥する処理部と、 上記処
理部と乾燥ガス用搬送ガスの供給源とを接続する供給管
と、薬液を貯留する薬液貯留容器と、 上記供給管に介
設される乾燥ガス生成部と、 乾燥ガス生成部と薬液貯
留部とを接続する薬液供給管と、 上気薬液供給管に介
設される薬液供給手段とを具備してなり、 上記薬液供
給手段を、往復駆動式ポンプにて形成し、 上記薬液供
給管における上記薬液供給手段の薬液吐出側と、上記薬
液貯留容器とに循環路を接続すると共に、この循環路に
開閉手段及びフィルタを介設してなる、ことを特徴とす
る。
【0015】このように構成することにより、乾燥ガス
生成部内に供給される搬送用ガスの流量又は圧力の変動
に左右されることなく所定量の薬液を搬送用ガス中に注
入(混入)して、所定濃度の薬液を処理部内に供給する
ことができる。したがって、乾燥効率の向上が図れると
共に、歩留まりの向上を図ることができる上、待機中の
薬液を常時循環すると共に、フィルタリングして、薬液
注入(混合)の円滑化及び注入量(混合比)の定量化を
図ることができる。
【0016】(5)請求項5記載の処理装置によれば、
請求項1ないし4のいずれかに記載の処理装置におい
て、 上記薬液供給管における薬液供給手段の薬液吐出
側に、フィルタを介設してなる、ことを特徴とする。こ
のように構成することにより、薬液注入時に薬液をフィ
ルタリングすることができ、薬液中に混入するパーティ
クル等の不純物を除去することができる。
【0017】(6)請求項6記載の処理装置は、請求項
ないし4のいずれかに記載の処理装置において、 上
記往復駆動式ポンプを、1又は互いに連動する複数のダ
イヤフラムを有する空気圧式ダイヤフラムポンプにて形
成し、 上記ダイヤフラムポンプの駆動部と駆動空気供
給源とを接続する空気供給管に、空気圧調整手段と管路
開閉切換手段を介設し、 上記管路開閉切換手段の切換
速度を制御可能に形成してなる、ことを特徴とする。こ
のように構成することにより、所定量の薬液を確実に純
水中あるいは乾燥ガス生成部に注入することができ、薬
液の濃度調整を容易にすることができる。
【0018】(7)請求項7記載の処理装置は、請求項
ないし4のいずれかに記載の処理装置において、 上
記往復駆動式ポンプを、1又は互いに連通する複数の電
動式べローズポンプにて形成してなる、ことを特徴とす
る。この場合、ベローズポンプの駆動部に例えばボール
ねじ機構を用いることができる。このように構成するこ
とにより、所定量の薬液を確実に純水中あるいは乾燥ガ
ス生成部に注入することができ、またベローズポンプの
ストロークを長くすることで、連続した薬液の注入を可
能にすることができる。
【0019】(8)請求項8記載の処理装置は、請求項
ないし4のいずれかに記載の処理装置において、 上
記往復駆動式ポンプを、互いに連通する複数の電動式ベ
ローズポンプにて形成すると共に、各ベローズポンプの
駆動に位相差をもたせるようにした、ことを特徴とす
る。このように構成することにより、一方のベローズポ
ンプが吸入工程の際に他方のベローズポンプを吐出工程
とすることができるので、薬液の連続注入を可能にする
ことができる。
【0020】(9)請求項9記載の処理装置は、請求項
ないし4のいずれかに記載の処理装置において、 上
記往復駆動式ポンプの吐出側に圧力検出手段を設け、こ
の圧力検出手段からの検出信号に基づいて薬液吐出量を
制御するように上記往復駆動式ポンプの駆動部を制御す
る、ことを特徴とする。このように構成することによ
り、薬液の注入量を監視しつつ適量の薬液を純水中ある
いは乾燥ガス生成部に注入することができる。
【0021】(10)請求項10記載の処理装置は、請
求項1又は2に記載の処理装置において、 上記処理部
を、被処理体を浸漬する内槽と、この内槽の開口部の外
方縁部を覆う外槽とで構成し、 上記外槽の底部と、上
記内槽内に配設される洗浄供給部とを、循環管路にて
接続し、 上記乾燥管路に、循環ポンプ,温度調整機構
及びフィルタを介設してなる、ことを特徴とする。この
ように構成することにより、処理部内に貯留された薬液
を所定温度に温度調整すると共に、フィルタリングしつ
つ循環供給することができる。したがって、薬液の消費
量の削減が図れると共に、薬液の有効利用が図れる。
【0022】(11)請求項11記載の処理装置は、請
求項1ないし4のいずれかに記載の処理装置において、
上記薬液供給管における薬液供給手段の吐出側に、脈
動緩衝手段を介設してなることを特徴とする。このよう
に構成することにより、薬液供給手段によって吐出され
る薬液の断続波形を連続的な波形に修正することがで
き、薬液の純水中あるいは乾燥ガス生成部への注入を円
滑にすることができる。
【0023】
【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施の形態を
図面に基づいて詳細に説明する。この実施形態では半導
体ウエハの洗浄処理システムに適用した場合について説
明する。
【0024】図1はこの発明に係る洗浄処理装置を適用
した洗浄処理システムの一例を示す概略平面図、図2は
図1の一部の概略側面図である。
【0025】上記洗浄処理システムは、被処理体である
半導体ウエハW(以下にウエハという)を水平状態に収
納する容器例えばキャリア1を搬入、搬出するための搬
送部2と、ウエハWを薬液、洗浄液等の液処理すると共
に乾燥処理する洗浄・乾燥処理部3と、搬送部2と洗浄
・乾燥処理部3との間に位置してウエハWの受渡し、位
置調整及び姿勢変換等を行うインターフェース部4とで
主に構成されている。
【0026】上記搬送部2は、洗浄処理システムの一側
端部に併設して設けられる搬入部5と搬出部6とで構成
されている。また、搬入部5は、上部搬送機構7からキ
ャリア1を受け取る受取り部5aと、この受取り部5a
から水平に搬送されるキャリア1を載置する受渡し部5
bとからなり、受渡し部5bには、キャリア1を上部位
置とインターフェース部4の搬入口(図示せず)との間
で搬送するキャリアリフタ8が配設されている。また、
搬出部6には、キャリア1をインターフェース部4の搬
出口(図示せず)と上部との間で搬送するキャリアリフ
タ8が配設され、これらキャリアリフタ8によって搬入
部5間又は搬出部6間でのキャリア1の搬送を行うこと
ができると共に、空のキャリア1をインターフェース部
4の上方に設けられたキャリア待機部9への受け渡し及
びキャリア待機部9からの受け取りを行うことができる
ように構成されている(図2参照)。
【0027】上記インターフェース部4は、区画壁4c
によって区画される搬送部2に隣接する第1の室4a
と、洗浄・乾燥処理部3に隣接する第2の室4bとで構
成されている。そして、第1の室4a内には、搬入部5
(具体的には受渡し部5b)のキャリア1から複数枚の
ウエハWを取り出して搬送する水平方向(X,Y方
向),垂直方向(Z方向)及び回転(θ方向)可能なウ
エハ取出しアーム10と、ウエハWに設けられたノッチ
を揃えるノッチアライナー11と、ウエハ取出しアーム
10によって取り出された複数枚のウエハWの間隔を調
整する間隔調整機構(図示せず)を具備すると共に、水
平状態のウエハWを垂直状態に変換する第1の姿勢変換
装置12が配設されている。
【0028】また、第2の室4b内には、処理済みの複
数枚のウエハWを洗浄・乾燥処理部3から垂直状態のま
ま搬送する後述するウエハ搬送チャック23から受け取
ったウエハWを垂直状態から水平状態に変換する第2の
姿勢変換装置13と、この第2の姿勢変換装置13によ
って水平状態に変換された複数枚のウエハWを受け取っ
てウエハ受取り部14に搬送された空のキャリア1内に
収納する水平方向(X,Y方向),垂直方向(Z方向)
及び回転(θ方向)可能なウエハ収納アーム15が配設
されている。なお、ウエハ受取り部14には、ウエハ受
取り部14とキャリア待機部9との間でキャリアを搬送
するキャリアリフタ8が配設されている。また、キャリ
ア待機部9には、ウエハ受渡し部5bによってウエハW
を受渡した後の空のキャリア1やウエハ受取り部14で
キャリア1内にウエハWを収容したキャリタ1を所定の
待機位置あるいはウエハ受取り部14からキャリア待機
部9に搬送されたウエハWを収納したキャリア1を搬出
部6の上方へ移動するキャリア搬送ロボット16が配設
されている。
【0029】一方、上記洗浄・乾燥処理部3には、ウエ
ハWに付着するパーティクルや有機物汚染を除去する第
1の処理ユニット19と、ウエハWに付着する金属汚染
を除去する第2の処理ユニット18と、ウエハWに付着
する酸化膜を除去する第3の処理ユニット17及びチャ
ック洗浄ユニット20が直線状に配列されている。な
お、第3の処理ユニット17の上方には乾燥処理ユニッ
ト21が配設されている。なおこの場合、第3の処理ユ
ニット17又は乾燥処理ユニット21にこの発明に係る
処理装置が適用されている。また、これら各ユニット1
7〜20と対向する位置から上記インターフェース部4
に延在して設けられた搬送路22に、X,Y方向(水平
方向)、Z方向(垂直方向)及び回転(θ)可能なウエ
ハ搬送チャック23が配設されている。
【0030】次に、この発明の洗浄処理装置について説
明する。 ◎第一実施形態 図3はこの発明の処理装置の第一実施形態を示す概略断
面図である。
【0031】上記処理装置17は、薬液例えばフッ化水
素酸(HF)の希釈液(DHF)やリンス液例えば純水
等の洗浄液を貯留すると共に洗浄液中に被処理体例えば
半導体ウエハW(以下にウエハという)を浸漬してその
表面を洗浄する処理部例えば洗浄槽30と、この洗浄槽
30と純水供給源31とを接続すべく洗浄槽30内に配
設される洗浄液供給ノズル32と純水供給源31とを接
続する洗浄液供給管33と、薬液例えばフッ化水素酸
(HF)を貯留する薬液貯留容器34と、注入開閉切換
弁35(開閉切換手段)を介して洗浄液供給管33と薬
液貯留容器34とを接続する薬液供給管36と、薬液供
給管36に介設される薬液供給手段例えば往復駆動式ポ
ンプ37とを具備してなる。なお、洗浄液供給管33に
おける純水供給源31の吐出側には開閉弁31Aが介設
されている。
【0032】また、薬液供給管36における往復駆動式
ポンプ37の吸入側及び吐出側にはそれぞれ逆止弁38
a,38bが介設されており、往復駆動式ポンプ37の
吐出側と薬液貯留容器34とに循環管路39が接続さ
れ、この循環管路39には、ポンプ吐出側から薬液貯留
容器側に向かって開閉弁40及びフィルタ41が介設さ
れている。このように、ポンプ吐出側と薬液貯留容器側
とを循環管路39にて接続し、この循環管路39に開閉
弁40とフィルタ41を介設することにより、薬液の純
水への注入を停止している待機状態において、薬液貯留
容器34内に貯留された薬液例えばHFを濾過(フィル
タリング)しつつ循環することができる。したがって、
待機中の薬液を常時循環すると共にフィルタリングし
て、薬液注入の円滑化及び注入量の定量化を図ることが
できる。
【0033】なおこの場合、図3に2点鎖線で示すよう
に、フィルタ41を薬液供給管36におけるポンプ37
の吐出側に介設してもよい。このように構成することに
より、待機中の薬液を常時循環すると共にフィルタリン
グして、薬液注入の円滑化及び注入量の定量化を図るこ
とができる上、薬液の注入時においてフィルタリングし
て薬液中に混入するパーティクル等を除去することがで
きる。
【0034】なお、薬液貯留容器34の外側には、容器
34内の薬液の液面を検出するレベルセンサ42が配設
されており、このレベルセンサ42によって検出された
信号は図示しない制御手段に伝達され、制御手段からの
制御信号に基づいて薬液供給用開閉弁43が開放されて
薬液供給源44から薬液が容器34内に供給されるよう
に構成されている。なお、薬液貯留容器34の頂部には
空気抜き孔が設けられ、この空気抜き孔を介して空気抜
き部34aに接続されている。
【0035】また、薬液供給管36におけるポンプ吐出
側には、脈動緩衝手段例えばダンパ80が介設されてお
り、このダンパ80によって往復駆動式ポンプ37から
断続的に吐出される薬液の流量波形を連続的な波形に修
正して、薬液の純水への注入を円滑に行えるようにして
いる。
【0036】一方、上記往復駆動式ポンプ37は、図4
に示すように、上記薬液貯留容器34側に接続する2つ
の吸入ポート45aと、洗浄液供給管33側に接続する
2つの吐出ポート45bとをそれぞれ連通する2つの通
路45を具備しており、各通路45に向かって進退移動
する一対のダイヤフラム46a,46bを連結ロッド4
7にて連結すると共に、各ダイヤフラム46a,46b
の通路45と反対側の室48内に駆動空気を供給すべく
空気供給ポート48aを設けた往復動式のダイヤフラム
ポンプにて構成されている。なお、連結ロッド47は、
両室48を連通する貫通孔48b内にOリング48cを
介して摺動自在に配設されている。
【0037】この場合、各空気吸入・排出ポート48a
と空気供給源49とを接続する空気供給管50には、管
路切換手段例えば4ポート2位置切換弁51(以下に切
換弁)と空気圧調整用のレギュレータ52が介設されて
おり、レギュレータ52によって所定の圧力に調整され
た駆動空気を切換弁51の切換動作によって各ダイヤフ
ラム46a,46bに加圧するように構成されている。
このように構成することにより、切換弁51を切換動作
させると、各ダイヤフラム46a,46bに交互に空気
が加圧されるので、ダイヤフラム46a,46bの往復
動作によって薬液貯留容器34内の薬液を断続的ではあ
るが、所定量を洗浄液供給管33中を流れる純水中に注
入することができる。なおこの場合、切換弁51は、例
えば中央演算処理装置53(CPU)で予め設定された
制御信号例えば吐出量選択信号,吐出動作信号等を記憶
したシーケンサ54からの信号に基づいて切換動作し得
るように構成されている。また、空気供給管50におけ
る切換弁51の流出・流入側には、それぞれファイバー
センサ90が介設されており、これらファイバーセンサ
90によってダイヤフラムポンプ37側から切換弁51
へ流入する薬液の逆流の有無が検知されるようになって
いる。
【0038】また、上記薬液供給管36におけるダイヤ
フラムポンプ37(往復駆動式ポンプ)の吸入ポート4
5a側及び吐出ポート45b側にはそれぞれ2つの逆止
弁38a,38a;38b,38bが介設されており、
ダイヤフラムポンプ37の動作時における薬液の逆流を
確実に阻止し得るように構成されている。また、ダイヤ
フラムポンプ37の吐出側における薬液供給管36に
は、圧力検出センサ56が介設されている。この圧力検
出センサ56によって検出された検出信号は、上記CP
U53に伝達され、CPU53に予め記憶された情報と
比較演算処理されて、上記シーケンサ54に伝達される
一方、ハード停止信号として切換弁51の駆動部に直接
伝達されるように構成されている。
【0039】上記のように構成される処理装置におい
て、開閉弁31Aを開放すると共に、注入開閉切換弁3
5を操作して、純水供給源31と洗浄槽30とを連通状
態にすることにより、純水供給源31から洗浄液供給管
33及び洗浄液供給ノズル32を介して純水が洗浄槽3
0内に貯留されると共に、オーバーフローして洗浄槽3
0内に収容される複数枚のウエハWの洗浄を行うことが
できる。
【0040】また、注入開閉切換弁35を操作して純水
供給源31からの純水を流通させた状態で薬液供給管3
6側を開放状態とし、この状態で、レギュレータ52を
作動すると共に、切換弁51を切換操作することによ
り、予めシュミレータによって設定された所定の圧力の
駆動空気がダイヤフラムポンプ37の各ダイヤフラム4
6a,46bに交互に加圧して、薬液貯留容器34内か
ら薬液例えばフッ化水素酸(HF)の所定量が薬液供給
管36を介して洗浄液供給管33内に流れ、純水によっ
て希釈されて所定濃度の薬液すなわち希釈フッ化水素酸
(DHF)が洗浄槽30内に供給される。これにより、
予めシュミレータによって設定された所定濃度のDHF
が洗浄槽30内に貯留されると共に、オーバーフローし
て洗浄槽30内に収容されたウエハWの表面に付着する
パーティクルや酸化膜等を除去することができる。
【0041】このようにして薬液処理を行った後、注入
開閉切換弁35を操作して、再び純水供給源31と洗浄
槽30とを連通状態にする一方、薬液供給管36との連
通を閉じて、洗浄槽30内に純水を供給してDHFを純
水に置換し、純水内にウエハWを浸漬すると共に、純水
をオーバーフローしてウエハWに付着する薬液すなわち
HFを除去することができる。
【0042】◎第二実施形態 図5はこの発明の処理装置の第二実施形態を示す概略断
面図である。
【0043】上記第一実施形態では、往復駆動式ポンプ
に復動式のダイヤフラムポンプ37を用いた場合につい
て説明したが、往復駆動式ポンプは必しも復動式ダイヤ
フラムポンプである必要はなく、単動式のダイヤフラム
ポンプを用いてもよい。すなわち、図5に示すように、
上記薬液貯留容器34側に接続する吸入ポート45a
と、洗浄液供給管36側に接続する吐出ポート45bと
を連通する通路45に向かって進退移動するダイヤフラ
ム46を具備し、ダイヤフラム46の通路45と反対側
の室48内に駆動空気を供給すべく空気供給ポート48
aを設けた単動式ダイヤフラムポンプ37Aを用いても
よい。この場合、空気供給管50には2ポート2位置切
換弁51A(管路切換手段)が介設されている。
【0044】なお、第二実施形態において、その他の部
分は上記第一実施形態と同じであるので、同一部分には
同一符号を付して、その説明は省略する。
【0045】◎第三実施形態 図6はこの発明の処理装置の第三実施形態を示す概略断
面図(a)及びその要部拡大断面図(b)である。
【0046】第三実施形態は、往復駆動式ポンプの駆動
時の慣性流を少なくするように配慮した場合である。す
なわち、図6に示すように、往復駆動式ポンプ例えばダ
イヤフラムポンプ37Bの吸入ポート45aをダイヤフ
ラム46の対向面に設けると共に、この吸入ポート45
aの外周側にOリング37bを嵌着し、空気圧によって
往復動するポンプシャフト37aによってダイヤフラム
46がOリング37bに圧接することにより、薬液の吐
出を終了すると共に、通路45を閉じるように構成した
場合である。なおこの場合、ダイヤフラムポンプ37B
の本体側に取り付けられた調整可能なストロークストッ
パ37cとポンプシャフト37aに突設されたストッパ
片37dとの係合によって吐出量が調整できるように構
成されている。
【0047】このように、吸入ポート45a部に設けら
れたOリング37bに直接ダイヤフラム46を圧接して
通路45を閉じることにより、吐出側に背圧をかけるこ
とができるので、慣性流現象を抑制することができ、ダ
イヤフラムポンプ37Bの吐出精度をより高くすること
ができる。ここで、慣性流現象とは、ポンプの吐出流量
を大きくしてゆくと、ポンプ室から吐出された薬液自信
の慣性力が大きくなってゆき、ダイヤフラム46が停止
しても、吐出の液流が停止しない現象をいう。
【0048】なお、上記説明では、単動式のダイヤフラ
ムポンプについて述べたが、第一実施形態の往復動式ダ
イヤフラムポンプにも適用できることは勿論である。な
お、第三実施形態において、その他の部分は上記第一及
び第二実施形態と同じであるので、同一部分には同一符
号を付して、その説明は省略する。
【0049】◎第四実施形態 図7はこの発明の処理装置の第四実施形態を示す概略断
面図である。
【0050】第四実施形態は、往復駆動式ポンプに電動
式ベローズポンプ37Cを用いた場合である。すなわ
ち、図7に示すように、べローズ57の一端に固設され
る側壁58aに、薬液貯留容器34側の薬液供給管36
に接続する吸入ポート59aと、洗浄液供給管33側の
薬液供給管36に接続する吐出ポート59bを設け、べ
ローズ57の他端に固設される可動壁58bに、ボール
ねじ機構60の可動子61に連結する操作部材62を連
結して、ボールねじ機構60のモータ63の正逆回転駆
動によりねじ軸64を回転させて、可動子61及び操作
部材62を介して可動壁58bを移動させて所定量の薬
液を純水中へ注入するようにした場合である。
【0051】この場合、薬液供給管36におけるべロー
ズポンプ37Bの吸入ポート59a側及び吐出ポート5
9b側にはそれぞれ逆止弁65が介設されており、ま
た、吐出側における薬液供給管36には、圧力検出セン
サ56が介設されている。この圧力検出センサ56によ
って検出された検出信号は、上記CPU53に伝達さ
れ、CPU53に予め記憶された情報と比較演算処理さ
れて、上記シーケンサ54に伝達され、ボールねじ機構
60のモータ63に伝達される一方、ハード停止信号と
してボールねじ機構60のモータ63に直接伝達される
ように構成されている。
【0052】なお、第四実施形態において、その他の部
分は上記第一実施形態ないし第三実施形態と同じである
ので、同一部分には同一符号を付して、その説明は省略
する。
【0053】上記のように構成される第四実施形態の処
理装置によれば、CPU53から予め設定された制御信
号(吐出量選択信号,吐出動作信号)を受けたシーケン
サ54からの操作信号によってモータ63が所定の回転
数で正逆回転することにより、ベローズ57を往復移動
させて、所定量の薬液を純水中へ注入することができ
る。したがって、上記第一実施形態ないし第三実施形態
に示したダイヤフラムポンプに比べて薬液の注入量及び
注入時間を多くすることができる。
【0054】◎第五実施形態 図8はこの発明の処理装置の第五実施形態を示す概略断
面図である。
【0055】上記第四実施形態では、1つのべローズポ
ンプ37Cを用いて薬液貯留容器34内の所定量の薬液
を洗浄液供給管33中を流れる純水中に注入する場合に
ついて説明したが、図8に示すように、複数(図面では
2つの場合を示す)のベローズポンプ37D,37Eを
互いに並列に連通させて設けるようにしてもよい。この
場合、一方のベローズポンプ37Dのボールねじ機構6
0のねじ軸64のねじの傾きに対して、他方のベローズ
ポンプ37Eのボールねじ機構60のねじ軸64のねじ
の傾きを反対にすることにより、各ベローズポンプ37
D,37Eの駆動に位相差をもたせることができる。つ
まり、一方のベローズポンプ37Dが薬液の吐出工程の
際に、他方のべローズポンプ37Eを吸入工程とするこ
とができ、両べローズポンプ37D,37Eを交互に駆
動させることによって連続した薬液の注入を行うことが
できる。
【0056】なお、第五実施形態において、その他の部
分は上記第一実施形態ないし第四実施形態と同じである
ので、同一部分には同一符号を付して、その説明は省略
する。
【0057】◎第六実施形態 図9はこの発明の処理装置の第六実施形態を示す概略断
面図である。
【0058】第六実施形態は、薬液の消費量を削減する
と共に、薬液の有効利用を図れるようにした場合であ
る。すなわち、上記洗浄槽30を構成する外槽30bの
底部に設けられた排出口と、洗浄槽30内に配設される
洗浄液供給ノズル32(洗浄液供給部)とを循環管路7
0にて接続すると共に、この循環管路70に、排出口側
から洗浄液供給ノズル32側に向かって順に、第1の開
閉弁71,循環ポンプ72,温度調整機構73,フィル
タ74及び第2の開閉弁75を介設して、洗浄槽30内
に貯留された薬液例えばDHF等を循環供給してウエハ
Wの表面に付着する金属汚染物や酸化膜を除去するよう
にした場合である。
【0059】上記第六実施形態において、その他の部分
は、上記第一実施形態と同じであるので、同一部分には
同一符号を付して、その説明は省略する。
【0060】上記のように構成される処理装置におい
て、洗浄槽30内に貯留される薬液例えばDHFをオー
バーフローして洗浄槽30内に収容されたウエハWの表
面に付着する金属汚染物や酸化膜等を除去した後、開閉
弁31Aを閉じて純水の供給を停止すると共に、注入開
閉切換弁35を閉じて、循環管路70の第1及び第2の
開閉弁71,75を開放すると共に、循環ポンプ72を
駆動することにより、洗浄槽30内に貯留されたDHF
を、温度調整機構73により所定温度に温調すると共
に、フィルタ74によってフィルタリングして循環供給
し、DHF中に浸漬されるウエハW表面に付着する金属
汚染物あるいは酸化膜の除去を続行する。
【0061】このようにして薬液処理を行った後、第1
及び第2の開閉弁71,75を閉じると共に、開閉弁3
1Aを開放して、再び純水供給源31と洗浄槽30とを
連通状態にする一方、注入開閉切換弁35を閉じたまま
にして、洗浄槽30内に純水を供給してDHFを純水に
置換し、純水内にウエハWを浸漬すると共に、純水をオ
ーバーフローしてウエハWに付着する薬液すなわちHF
を除去することができる。
【0062】上記のように、洗浄槽30で純水をオーバ
ーフローさせてウエハWを洗浄した後、洗浄槽30に連
続して供給される純水中に所定の濃度に希釈される薬液
例えばDHFをオーバーフローさせてウエハWを洗浄
し、その後、DHFの供給を停止して、洗浄槽30内に
貯留されたDHFを温調すると共にフィルタリングしつ
つ循環供給して洗浄し、再び洗浄槽30で純水をオーバ
ーフローさせてウエハWに付着するHFを洗浄すること
により、純水からDHFに置換される際にウエハWの面
内均一性が低下するが、再びDHFから純水に置換する
ことで、均一性が修復されるので、高いエッチング均一
性が得られ、洗浄効率の向上を図ることができる。ま
た、洗浄槽30内に貯留された薬液例えばDHFを温調
すると共にフィルタリングしつつ循環供給することで、
DHFの消費量を低減することができると共に、DHF
の有効利用を図ることができる。
【0063】◎第七実施形態 図10はこの発明の処理装置の第七実施形態を示す概略
断面図である。
【0064】第七実施形態は、この発明の処理装置を乾
燥処理ユニット21に適用した場合である。
【0065】この場合、上記処理装置は、薬液例えばI
PA(イソプロピルアルコール)等の有機溶剤の蒸気と
乾燥ガス用搬送ガス例えば不N2ガスとの混合ガスから
なる乾燥ガスを洗浄後のウエハWに接触して乾燥する処
理部例えば乾燥容器100と、この乾燥容器100と乾
燥ガス用搬送ガスの供給源例えばN2ガス供給源101
と、乾燥容器100とN2ガス供給源101とを接続す
るN2ガス供給管102に介設される乾燥ガス生成部1
03と、薬液例えばIPAを貯留する薬液貯留容器34
と、注入開閉切換弁35を介して乾燥ガス生成部103
と薬液貯留容器34とを接続する薬液供給管36とを具
備してなり、薬液供給管36に上記第一実施形態と同様
に構成される往復駆動式ポンプ37を介設した構造とな
っている。なお、N2ガス供給管102における乾燥ガ
ス生成部103の吐出側には開閉制御弁104及びフィ
ルタ105が介設され、またN2ガス供給管102にお
けるN2ガス供給源101の吐出側には、順に開閉弁1
06及びN2ガス用ヒータ107が介設されている。
【0066】なおこの場合、上記乾燥ガス生成部103
は、図11に示すように、蒸気媒体用の気体としてのN
2ガスの供給管102に接続する流入口111と流出口
112を有する例えばステンレス鋼製のパイプ状の中細
ノズル110を具備している。この中細ノズル110
は、内周面にN2ガスの流れ方向に沿って漸次狭小とな
る先細ノズル部113と、この先細ノズル部113の狭
小部(スロート部)114から流れ方向に沿って徐々に
拡開する末広ノズル部115とからなり、スロート部1
14近傍の流出口側(二次側)に衝撃波形成部116が
形成されている。
【0067】また、中細ノズル110のスロート部11
4近傍の末広ノズル部115には、被蒸発液としてのI
PAの供給口117が開設されており、この供給口11
7に薬液供給管36を介して薬液貯留容器34が接続さ
れている。また、末広ノズル部115の流出口112側
の中細ノズル110内に第1の加熱体である内筒ヒータ
118が挿入され、その外側には第2の加熱体である外
筒ヒータ119が配設されて、流れ方向に2段階以上の
加熱能力が発揮できるように構成されている。すなわ
ち、加熱能力がN2ガスの流れに沿って密から粗へ推移
するように構成されている。なおこの場合、衝撃波形成
部116及びIPA供給口117付近にヒータを設けて
もよい。
【0068】また、中細ノズル110の流入口111側
と流出口112側には分岐路120が接続され、この分
岐路120に圧力調整弁121が介設されており、この
圧力調整弁121の調節によって中細ノズル110に供
給されるN2ガスの供給圧力の変動に対応し得るように
構成されている。つまり、中細ノズル110のオリフィ
ス径は可変ではなく固定されているため、中細ノズル一
次側(流入口側)圧力に上限値を設けた場合、中細ノズ
ル110を通るN2ガスの流量にもおのずと上限値が設
定されることになる。しかし、プロセス条件より更に大
きなN2ガス流量が要求された場合、このような分岐路
120を設け、中細ノズル110下流側(流出口側)に
N2ガスを導入することにより、広範囲の流量を供給す
ることができる。この場合、分岐路120中に介設され
た圧力調整弁121によってN2ガスの補充流量を調整
することができる。また、圧力調整弁121の調節によ
って衝撃波の発生条件が適宜設定することができる。
【0069】また、前記IPAの供給口117に接続す
る薬液供給管36には冷却手段122が配設されてい
る。この冷却手段122は、例えば薬液供給管36を包
囲するジャケットに冷媒を循環供給するなどして薬液供
給管36内を流れるIPAを沸点以下に冷却し得るよう
に構成されている。このように、冷却手段122によっ
てIPAの温度を沸点温度以下に冷却することによっ
て、例えば微小量のIPAを供給する場合に、前記加熱
手段すなわち内筒ヒータ118及び外筒ヒータ119か
らの熱影響によってIPAが蒸発するのを防止すること
ができ、IPAを液体状態のまま確実に中細ノズル11
0の供給口117から供給することができる。
【0070】上記のように構成することにより、蒸気媒
体用の気体であるN2ガスが中細ノズル110の流入口
から流出口に向かって流れると、N2ガスは先細ノズル
部113によって加速され、スロート部114で音速に
到達した後、末広ノズル部115に入ってからも大きな
圧力差によって更に膨脹増速されて超音速の流れとな
り、音速以上の流速で噴出して衝撃波が発生する。この
ような状態下において供給口117からIPAを供給す
ると、突発的な衝撃波が発生し、この衝撃波のエネルギ
を利用してIPAが霧化される。この霧状となったIP
Aを内筒ヒータ118と外筒ヒータ119により加熱す
ることにより、IPAガス(蒸気)が生成される。この
際、内筒ヒータ118と外筒ヒータ119の加熱能力が
N2ガスの流れ方向に少なくとも2段階以上有し、かつ
加熱能力をN2ガスの流れ方向に沿って密から粗へ推移
させるようにすることにより、内筒ヒータ118及び外
筒ヒータ119の温度バランスを是正することができ、
ヒータ55,56の寿命の増大が図れる。
【0071】上記のように構成される処理装置によれ
ば、開閉弁106を開放すると共に、注入開閉切換弁3
5を開放した状態で、上述のように往復駆動式ポンプ3
7を駆動して、所定量の薬液例えばIPAを乾燥ガス生
成部103内に注入してN2ガスとIPAとを混合する
と共に、加熱して所定濃度の乾燥ガスを生成することが
できる。そして、生成された乾燥ガスを、乾燥容器10
0内に収容されたウエハWに対して供給してウエハWに
接触することにより、乾燥ガスの蒸気が凝縮あるいは吸
着されて、ウエハWの水分の除去及び乾燥を行なう。
【0072】なお、第七実施形態において、往復駆動式
ポンプ37として第一実施形態ないし第五実施形態のい
ずれのポンプを用いることができる。また、第七実施形
態において、その他の部分は上記第一実施形態と同じで
あるので、同一部分には同一符号を付して、その説明は
省略する。
【0073】◎その他の実施形態 上記第一実施形態ないし第六実施形態では、この発明の
処理装置が第3の処理ユニット17に適用される場合に
ついて説明したが、第1又は第2の処理ユニット19,
18にも適用できることは勿論である。
【0074】なお、上記実施形態では、この発明の処理
装置及び洗浄処理方法を半導体ウエハの洗浄処理システ
ムに適用した場合について説明したが、半導体ウエハ以
外のLCD用ガラス基板等にも適用できることは勿論で
ある。
【0075】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、上記のように構成されているので、以下のような優
れた効果が得られる。
【0076】(1)請求項1記載の発明によれば、供給
管中を流れ純水の流量又は圧力の変動に左右されるこ
となく、また、薬液の注入量を監視しつつ適量の薬液を
純水中に注入して、所定濃度の薬液を洗浄槽内に供給す
ることができるので、洗浄効率の向上が図れると共に、
歩留まりの向上が図れる。
【0077】(2)請求項2記載の発明によれば、上記
(1)に加えて待機中の薬液を常時循環すると共にフィ
ルタリングして、薬液注入の円滑化及び注入量の定量化
を図ることができる。
【0078】(3)請求項3記載の発明によれば、乾燥
ガス生成部内に供給される搬送用ガスの流量又は圧力の
変動に左右されることなく所定量の薬液を搬送用ガス中
に注入(混入)して、所定濃度の薬液を処理部内に供給
することができる。したがって、乾燥効率の向上が図れ
ると共に、歩留まりの向上を図ることができる。
【0079】(4)請求項4記載の発明によれば、上記
(3)に加えて待機中の薬液を常時循環すると共にフィ
ルタリングして、薬液注入の円滑化及び注入量の定量化
を図ることができる。
【0080】(5)請求項5記載の発明によれば、上記
(1)〜(4)に加えて薬液注入時に薬液をフィルタリ
ングすることができ、薬液中に混入するパーティクル等
の不純物を除去することができる。
【0081】(6)請求項6記載の発明によれば、往復
駆動式ポンプを、1又は互いに連動する複数のダイヤフ
ラムを有する空気圧式ダイヤフラムポンプにて形成し、
ダイヤフラムポンプの駆動部と駆動空気供給源とを接続
する空気供給管に、空気圧調整手段と管路開閉切換手段
を介設し、管路開閉切換手段の切換速度を制御可能に形
成するので、上記(1),(3)に加えて所定量の薬液
を確実に純水中あるいは乾燥ガス生成部に注入すること
ができ、薬液の濃度調整を容易にすることができる。
【0082】(7)請求項7記載の発明によれば、上記
(1),(3)に加えて所定量の薬液を確実に純水中あ
るいは乾燥ガス生成部に注入することができ、またベロ
ーズポンプのストロークを長くすることで、連続した薬
液の注入を可能にすることができる。
【0083】(8)請求項8記載の発明によれば、往復
駆動式ポンプを、互いに連通する複数の電動式ベローズ
ポンプにて形成すると共に、各ベローズポンプの駆動に
位相差をもたせるようにしたので、上記(1),(3)
に加えて一方のベローズポンプが吸入工程の際に他方の
ベローズポンプを吐出工程とすることができ、薬液の連
続注入を可能にすることができる。
【0084】(9)請求項9記載の発明によれば、往復
駆動式ポンプの吐出側に圧力検出手段を設け、この圧力
検出手段からの検出信号に基づいて薬液吐出量を制御す
るように往復駆動式ポンプの駆動部を制御するので、上
記(1),(3)に加えて薬液の注入量を監視しつつ適
量の薬液を純水中あるいは乾燥ガス生成部に注入するこ
とができる。
【0085】(10)請求項10記載の発明によれば、
処理部を、被処理体を浸漬する内槽と、この内槽の開口
部の外方縁部を覆う外槽とで構成し、外槽の底部と、内
槽内に配設される洗浄供給部とを、循環管路にて接続
し、乾燥管路に、循環ポンプ,温度調整機構及びフィル
タを介設してなるので、洗浄槽内に貯留された薬液を所
定温度に温度調整すると共に、フィルタリングしつつ循
環供給することができる。したがって、上記(1)に加
えて薬液の消費量の削減が図れると共に、薬液の有効利
用が図れる。
【0086】(11)請求項11記載の発明によれば、
薬液供給管における薬液供給手段の吐出側に、脈動緩衝
手段を介設してなるので、上記(1),(3)に加えて
薬液供給手段によって吐出される薬液の断続波形を連続
的な波形に修正することができ、薬液の純水中あるいは
乾燥ガス生成部への注入を円滑にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の処理装置を適用した洗浄処理システ
ムの概略平面図である。
【図2】上記洗浄処理システムの一部の概略側面図であ
る。
【図3】この発明の処理装置の第一実施形態を示す概略
断面図である。
【図4】第一実施形態の要部を示す概略断面図である。
【図5】この発明の処理装置の第二実施形態の要部を示
す概略断面図である。
【図6】この発明の処理装置の第三実施形態を示す概略
断面図(a)及びその要部拡大断面図(b)である。
【図7】この発明の処理装置の第四実施形態の要部を示
す概略断面図である。
【図8】この発明の処理装置の第五実施形態の要部を示
す概略断面図である。
【図9】この発明の処理装置の第六実施形態を示す概略
断面図である。
【図10】この発明の処理装置の第七実施形態を示す概
略断面図である。
【図11】第七実施形態における乾燥ガス生成部を示す
断面図である。
【符号の説明】
W 半導体ウエハ(被処理体) 30 洗浄槽(処理部) 30a 内槽 30b 外槽 31 純水供給源 33 洗浄液供給管 34 薬液貯留容器 35 注入開閉切換弁(開閉切換手段) 36 薬液供給管 37,37A,37B ダイヤフラムポンプ(往復駆動
式ポンプ) 37C〜37E べローズポンプ(往復駆動式ポンプ) 39 循環管路 40 開閉弁 41 フィルタ 49 空気供給源 51 4ポート2位置切換弁(管路切換手段) 52 レギュレータ(空気圧調整手段) 53 CPU 54 シーケンサ 56 圧力検出センサ(圧力検出手段) 60 ボールねじ機構 70 循環管路 71 開閉弁 72 循環ポンプ 73 温度調整機構 74 フィルタ 80 ダンパ(脈動緩衝手段) 100 乾燥容器(処理部) 101 N2ガス供給源(乾燥ガス用搬送ガス供給源) 102 N2ガス供給管 103 乾燥ガス生成部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−42531(JP,A) 特開 平4−342880(JP,A) 特開 平7−245289(JP,A) 特開 平6−177106(JP,A) 特開 平7−50282(JP,A) 特開 平8−148464(JP,A) 特開 平4−278530(JP,A) 特開 平9−64010(JP,A) 特開 平11−87295(JP,A) 特開 平10−22259(JP,A) 特開 平11−62838(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/304 648 H01L 21/304 651 B08B 3/00 - 3/04

Claims (11)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 洗浄液を貯留すると共に洗浄液中に被処
    理体を浸漬してその表面を洗浄する処理部と、 上記処理部と純水供給源とを接続する供給管と、 薬液を貯留する薬液貯留容器と、 開閉切換手段を介して上記供給管と薬液貯留容器とを接
    続する薬液供給管と、 上記薬液供給管に介設される薬液供給手段とを具備して
    なり、 上記薬液供給手段を、1又は互いに連動する複数のダイ
    ヤフラムを有する空気圧式ダイヤフラムポンプにて形成
    し、 上記ダイヤフラムポンプの駆動部と駆動空気供給源とを
    接続する空気供給管に、空気圧調整手段と管路開閉切換
    手段を介設し、 上記ダイヤフラムポンプの吐出側に圧力検出手段を設
    け、 予め設定された制御信号と圧力検出手段からの検出信号
    を比較演算処理して、上記管路開閉切換手段を制御可能
    に形成してなる 、ことを特徴とする処理装置。
  2. 【請求項2】 洗浄液を貯留すると共に洗浄液中に被処
    理体を浸漬してその表面を洗浄する処理部と、 上記処理部と純水供給源とを接続する供給管と、 薬液を貯留する薬液貯留容器と、 開閉切換手段を介して上記供給管と薬液貯留容器とを接
    続する薬液供給管と、 上記薬液供給管に介設される薬液供給手段とを具備して
    なり、 上記薬液供給手段を、往復駆動式ポンプにて形成し、 上記薬液供給管における上記薬液供給手段の薬液吐出側
    と、上記薬液貯留容器とに循環管路を接続すると共に、
    この循環管路に開閉手段及びフィルタを介設してなる、 ことを特徴とする処理装置。
  3. 【請求項3】 被処理体に乾燥ガスを接触させて乾燥す
    る処理部と、 上記処理部と乾燥ガス用搬送ガスの供給源とを接続する
    供給管と、 薬液を貯留する薬液貯留容器と、 上記供給管に介設される乾燥ガス生成部と、 乾燥ガス生成部と薬液貯留部とを接続する薬液供給管
    と、 上気薬液供給管に介設される薬液供給手段とを具備して
    なり、 上記薬液供給手段を、往復駆動式ポンプにて形成してな
    る、 ことを特徴とする処理装置。
  4. 【請求項4】 被処理体に乾燥ガスを接触させて乾燥す
    る処理部と、 上記処理部と乾燥ガス用搬送ガスの供給源とを接続する
    供給管と、 薬液を貯留する薬液貯留容器と、 上記供給管に介設される乾燥ガス生成部と、 乾燥ガス生成部と薬液貯留部とを接続する薬液供給管
    と、 上気薬液供給管に介設される薬液供給手段とを具備して
    なり、 上記薬液供給手段を、往復駆動式ポンプにて形成し、 上記薬液供給管における上記薬液供給手段の薬液吐出側
    と、上記薬液貯留容器とに循環路を接続すると共に、
    この循環路に開閉手段及びフィルタを介設してなる、
    ことを特徴とする処理装置。
  5. 【請求項5】 請求項1ないし4のいずれかに記載の処
    理装置において、 上記薬液供給管における薬液供給手段の薬液吐出側に、
    フィルタを介設してなる、ことを特徴とする処理装置。
  6. 【請求項6】 請求項ないし4のいずれかに記載の処
    理装置において、 上記往復駆動式ポンプを、1又は互いに連動する複数の
    ダイヤフラムを有する空気圧式ダイヤフラムポンプにて
    形成し、 上記ダイヤフラムポンプの駆動部と駆動空気供給源とを
    接続する空気供給管に、空気圧調整手段と管路開閉切換
    手段を介設し、 上記管路開閉切換手段の切換速度を制御可能に形成して
    なる、 ことを特徴とする処理装置。
  7. 【請求項7】 請求項ないし4のいずれかに記載の処
    理装置において、 上記往復駆動式ポンプを、1又は互いに連通する複数の
    電動式べローズポンプにて形成してなる、ことを特徴と
    する処理装置。
  8. 【請求項8】 請求項ないし4のいずれかに記載の処
    理装置において、 上記往復駆動式ポンプを、互いに連通する複数の電動式
    ベローズポンプにて形成すると共に、各ベローズポンプ
    の駆動に位相差をもたせるようにした、ことを特徴とす
    る処理装置。
  9. 【請求項9】 請求項ないし4のいずれかに記載の処
    理装置において、 上記往復駆動式ポンプの吐出側に圧力検出手段を設け、
    この圧力検出手段からの検出信号に基づいて薬液吐出量
    を制御するように上記往復駆動式ポンプの駆動部を制御
    する、ことを特徴とする処理装置。
  10. 【請求項10】 請求項1又は2に記載の処理装置にお
    いて、 上記処理部を、被処理体を浸漬する内槽と、この内槽の
    開口部の外方縁部を覆う外槽とで構成し、 上記外槽の底部と、上記内槽内に配設される洗浄供給
    部とを、循環管路にて接続し、 上記循環管路に、循環ポンプ,温度調整機構及びフィル
    タを介設してなる、 ことを特徴とする処理装置。
  11. 【請求項11】 請求項1ないし4のいずれかに記載の
    処理装置において、 上記薬液供給管における薬液供給手段の吐出側に、脈動
    緩衝手段を介設してなることを特徴とする処理装置。
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Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6241827B1 (en) * 1998-02-17 2001-06-05 Tokyo Electron Limited Method for cleaning a workpiece
JP2000265945A (ja) * 1998-11-10 2000-09-26 Uct Kk 薬液供給ポンプ、薬液供給装置、薬液供給システム、基板洗浄装置、薬液供給方法、及び基板洗浄方法
TW583734B (en) * 1999-04-28 2004-04-11 Winbond Electronics Corp Wafer cleaning equipment with function of preventing gas supply pipeline wall from being obstructed
US6495215B1 (en) * 1999-05-26 2002-12-17 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for processing substrate
JP3448613B2 (ja) * 1999-06-29 2003-09-22 オメガセミコン電子株式会社 乾燥装置
US6446644B1 (en) * 1999-07-06 2002-09-10 Semitool, Inc. Chemical solutions system for processing semiconductor materials
KR20010027028A (ko) * 1999-09-10 2001-04-06 이계안 공작물의 세정용 로보트 시스템
US6199298B1 (en) * 1999-10-06 2001-03-13 Semitool, Inc. Vapor assisted rotary drying method and apparatus
US6488039B1 (en) * 2000-09-27 2002-12-03 Chartered Semiconductor Manufacturing State of the art constant flow device
JP4602540B2 (ja) * 2000-12-12 2010-12-22 オメガセミコン電子株式会社 基板処理装置
KR20020082317A (ko) * 2001-04-20 2002-10-31 주식회사 윌비에스엔티 웨이퍼 세척 시 유체의 급속공급 및 급속회수 장치
US6564469B2 (en) * 2001-07-09 2003-05-20 Motorola, Inc. Device for performing surface treatment on semiconductor wafers
KR100766462B1 (ko) * 2001-12-11 2007-10-15 씨앤지하이테크 주식회사 반도체 웨이퍼 식각 또는 세정용 케미컬 혼합액 공급장치및 방법
KR100450668B1 (ko) * 2001-12-20 2004-10-01 삼성전자주식회사 반도체 클리닝 시스템 및 그 구동 방법
KR100585091B1 (ko) * 2003-06-12 2006-05-30 삼성전자주식회사 펌프 이상을 예측할 수 있는 웨이퍼 세정 장치 및 방법
US7244366B2 (en) * 2003-08-28 2007-07-17 Stone Industry Recycling, Inc. Water filtration and recycling for stone fabrication equipment for exterior and architectural stone
WO2005033376A2 (en) 2003-10-02 2005-04-14 Ebara Corporation Plating method and apparatus
JP4347156B2 (ja) * 2004-07-28 2009-10-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4472570B2 (ja) * 2005-03-29 2010-06-02 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4586660B2 (ja) * 2005-07-19 2010-11-24 旭硝子株式会社 円盤状ガラス基板の洗浄方法
CN100385618C (zh) * 2005-09-08 2008-04-30 联华电子股份有限公司 晶片洁净装置的晶片保护系统以及晶片清洗工艺
KR100737752B1 (ko) * 2005-12-01 2007-07-10 세메스 주식회사 처리액 공급장치 및 이를 이용한 처리액 공급방법
JP5189121B2 (ja) 2010-03-10 2013-04-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体
KR102407018B1 (ko) * 2014-07-31 2022-06-08 가부시키가이샤 시겐 가이하츠 겐큐죠 세정 장치
JP5960236B2 (ja) * 2014-12-15 2016-08-02 ファナック株式会社 ロボットによる洗浄システムを有する放電加工機
CN105041628A (zh) * 2015-07-24 2015-11-11 朱陈伟 油轮储油桶喷射清洗的方法
CN105041627A (zh) * 2015-07-24 2015-11-11 朱陈伟 油轮储油罐的防抖动平稳清洗的方法
PL238851B1 (pl) * 2017-02-17 2021-10-11 Domeracki Jerzy Otek Eng Sposób i urządzenie do czyszczenia kanałów przesyłowych oraz kanałów chłodzących wszelkiego typu urządzeń, maszyn, instalacji, narzędzi, zwłaszcza matryc formujących
CN110107811A (zh) * 2019-05-31 2019-08-09 惠州市鸿宇泰科技有限公司 一种碱性蚀刻液生产的管道系统

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2355882A (en) * 1943-03-23 1944-08-15 Malsbary Mfg Company Cleaning installation
US2619107A (en) * 1945-03-30 1952-11-25 Clifton B Graham Fluid flow control system
US2592885A (en) * 1946-05-29 1952-04-15 Hobart Mfg Co Method of and apparatus for washing dishes
US3276694A (en) * 1962-12-04 1966-10-04 John R Alexander Apparatus for cleaning the interior surfaces of enclosures
AT387712B (de) * 1987-08-07 1989-03-10 Oegussa Handgeraet zum reinigen und/oder desinfizieren und/oder schmieren von dentalen hand- oder winkelstuecken bzw. turbinenwinkelstuecken od.dgl.
JP2901705B2 (ja) * 1990-06-08 1999-06-07 株式会社東芝 半導体基板の洗浄方法
JP3131698B2 (ja) * 1991-05-17 2001-02-05 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置
JP2896268B2 (ja) * 1992-05-22 1999-05-31 三菱電機株式会社 半導体基板の表面処理装置及びその制御方法
US5383481A (en) * 1992-10-30 1995-01-24 Erik Waelput System for cleaning internal combustion engines
JP3347814B2 (ja) * 1993-05-17 2002-11-20 大日本スクリーン製造株式会社 基板の洗浄・乾燥処理方法並びにその処理装置
JPH0750282A (ja) * 1993-08-04 1995-02-21 Nec Yamagata Ltd 半導体製造装置
JPH07245289A (ja) * 1994-03-08 1995-09-19 Toshiba Corp 半導体ウエハ用ウエット処理装置
US5993174A (en) * 1994-08-23 1999-11-30 Nikkiso Co., Ltd. Pulsation free pump
US5699817A (en) * 1995-05-11 1997-12-23 Graco Inc Turbulent flow conduit cleaning apparatus
US5803983A (en) * 1996-06-26 1998-09-08 Lockheed Martin Energy Systems, Inc. Method for removing solid particulate material from within liquid fuel injector assemblies
US5922138A (en) * 1996-08-12 1999-07-13 Tokyo Electron Limited Liquid treatment method and apparatus

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