WO2006033186A1 - 基板処理装置 - Google Patents

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WO2006033186A1
WO2006033186A1 PCT/JP2005/009331 JP2005009331W WO2006033186A1 WO 2006033186 A1 WO2006033186 A1 WO 2006033186A1 JP 2005009331 W JP2005009331 W JP 2005009331W WO 2006033186 A1 WO2006033186 A1 WO 2006033186A1
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WO
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tank
processing
treatment
supply
pure water
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PCT/JP2005/009331
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Inventor
Katsuyoshi Nakatsukasa
Hiroshi Yamaguchi
Kazuhisa Ogasawara
Hiroshi Kizawa
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S.E.S. Co., Ltd.
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Publication date
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    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
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    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying

Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing apparatus for cleaning and drying various substrates such as semiconductor wafers and glass substrates for liquid crystals. More specifically, the substrate surface is subjected to the same treatment with various chemicals, water washing and drying.
  • the present invention relates to a substrate processing apparatus capable of processing in a processing tank.
  • This treatment apparatus is configured such that a chemical treatment with ammonia, sulfuric acid, hydrofluoric acid, etc., a water washing treatment with pure water, and a drying treatment with isopropyl alcohol (IPA) are performed on the wafer.
  • various chemical solutions for example, ammonia, sulfuric acid, hydrochloric acid, hydrofluoric acid, etc.
  • pure water and IPA are supplied to a plurality of processing tanks and drying chambers arranged in the order of processing, and a plurality of wafers are supplied to these processing tanks.
  • It is an apparatus that employs a batch processing method in which it is sequentially immersed and dried see, for example, Patent Documents 1 and 2 below).
  • FIG. 12 is a plan view showing a substrate processing apparatus adopting the batch processing method described in Patent Document 1 below
  • FIG. 13 is a schematic cross-sectional view showing one cleaning apparatus of FIG.
  • the substrate processing apparatus 100 includes a cleaning processing unit 101.
  • the cleaning processing unit 101 cleans and dries the wafer chuck of the wafer transfer device 103 in order from the loader unit 102 side.
  • a chemical cleaning tank 105 for treating impurities such as organic contaminants on the wafer surface, metal impurities, and particulates with chemicals
  • a water cleaning tank 106 for cleaning wafers treated in this chemical cleaning tank 105 with pure water 106
  • a chemical cleaning tank 107 for removing metal contamination on the wafer surface with another chemical solution, and a water cleaning process for cleaning the wafers cleaned in this chemical cleaning tank 107 with pure water.
  • the cleaning tank 109 for cleaning the surface of the wafer 108 and the wafer surface with a chemical solution as well as rinsing the cleaned wafer, washing it with water and further drying it, and further for the wafer transfer device 103
  • the chuck cleaning and drying processing tank 110 for cleaning and drying the wafer chuck is arranged.
  • the wafers are sequentially accommodated in the processing tanks 104 to 107, cleaned with chemicals and pure water, and then processed. Drying is performed in the apparatus 109 and the drying tank 110.
  • the cleaning device 109 stores a chemical solution and a rinsing liquid, and is disposed above the cleaning tank 111 and a cleaning tank 111 in which the wafer is immersed in the stored chemical liquid and rinsing liquid.
  • a cylindrical drying chamber 112 and a force for drying the wafer transferred from the washing tank 111 are also configured. Further, the cleaning tank 111 and the drying chamber 112 are combined to form an integral structure.
  • openings 113 and 114 for transferring wafers are provided in the upper and lower portions of the drying chamber 112, respectively, and a hermetic lid 115 is disposed in the upper opening 113, and the lower opening 114 is provided.
  • the door is equipped with a revolving door mechanism 116 or a sliding door mechanism (not shown) so that the woofer can be dried in this drying chamber!
  • FIG. 14 shows a substrate described in Patent Document 2 below. It is the schematic which shows the processing tank currently used for the processing apparatus.
  • This substrate processing apparatus 120 mixes a substrate processing unit 121 including a processing tank 122 for performing surface treatment by immersing wafers in a mixed processing liquid, pure water and a chemical solution, and the obtained mixed processing liquid is processed into the processing tank. And a setter (not shown) for setting a mixing condition for determining a concentration target value of the mixed processing solution.
  • the mixed processing liquid supply unit 123 includes a mixing unit 124 that mixes pure water and each chemical solution, a supply system 125 that supplies the mixed processing liquid mixed in the mixing unit 124 to the processing tank 122, and a mixing unit 124.
  • a pure water supply system 126 that supplies pure water, one or a plurality of chemical liquid supply systems 127 that supply each chemical solution individually to the mixing unit 124, and a mixing unit 124 according to a given pure water supply amount operation signal.
  • Chemical solution supply amount adjustment mechanism 128 for adjusting each chemical solution of pure water, concentration monitor 129 for monitoring the current concentration value of the mixed treatment liquid, the concentration target value of the mixed treatment liquid and the current concentration of the mixed treatment liquid
  • a control unit (not shown) is provided for supplying a chemical signal that cancels the value and concentration deviation to the chemical supply flow rate adjustment mechanism 128.
  • This control unit controls the chemical supply flow rate adjusting mechanism 128 by feedback control based on the current concentration value of the mixed processing liquid monitored by the concentration monitor 129 and supplies the mixed processing liquid having the target concentration value to the processing tank 122.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 10-209109 (FIG. 2, FIG. 3, paragraphs [0030] to [0035])
  • Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. 2000-21838 (FIG. 1, paragraph [0029] to [0031])
  • the substrate processing apparatus is also introduced in the above-mentioned Patent Documents 1 and 2, and various other types of apparatuses are known.
  • these processing apparatuses a series of various chemical solutions, water washing and drying are performed. It is extremely difficult to carry out the treatment in the same treatment tank, and it has not yet been put into practical use.
  • the chemical treatment, The washing and drying treatment is performed in a separate treatment tank to solve the above problem.
  • the size of the apparatus is increased, and wafers are sequentially transferred to the respective tanks. Therefore, the wafers may be exposed to air during this transfer, and an oxide film may be generated.
  • the cleaning device 109 since the cleaning tank 111 and the drying chamber 112 have a body structure, when the woofer is carried into the cleaning tank, it must pass through the drying chamber. In addition, the conveyance becomes troublesome and a separate drying tank 110 is also required.
  • the substrate processing apparatus described in Patent Document 2 has a limitation in replacement efficiency in view of the illustrated structure of the processing tank and the processing liquid supply system, and the processing liquid remains in the tank. There is a risk of the occurrence of precipitates as described above. In addition, if the amount of remaining processing solution is reduced, the processing time becomes longer and a large amount of processing solution is required. Furthermore, the drying process must be performed in a separate tank, and a series of treatments of chemical solution, water washing and drying in a single tank is not possible. More importantly, if the same amount is always supplied from the same place in the tank, itching will occur. Even if the direction of liquid supply is changed, the place where it is swallowed only changes, and itching does not go away. This stagnation has become a cause of particles, and it has become a component that the previous liquid can remain even in liquid replacement.
  • the present inventor has increased the efficiency of replacement of the treatment liquid in the treatment tank, in particular, the replacement efficiency of the rinse liquid, and the stagnation of the treatment liquid does not occur in the tank.
  • the remaining of the treatment liquid is extremely small, the productivity is increased by reducing the amount of the chemical solution, chemical treatment and water washing can be performed even in a single tank, and the strength and drying treatment are possible, and the present invention is completed. It has come to let you.
  • an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that can perform various chemical processing, water washing and drying processing in the same processing tank.
  • a substrate processing apparatus includes a box-shaped processing tank having an opening on the upper side, and a lid that covers the opening of the processing tank so as to be openable and closable.
  • the lid is formed with a drying chamber in which the substrate to be processed is accommodated and dried, and the processing tank supplies at least three processing liquids to each of the opposing side wall surfaces constituting the box shape.
  • Nozzle tubes are arranged horizontally at predetermined intervals, and these supply nozzle tubes are cut off. It is characterized in that the processing solution is supplied by alternately switching the opposing side wall forces connected to the structure.
  • one of the at least three supply nozzle pipes on each of the opposed side wall surfaces is preferably a supply nozzle pipe dedicated for pure water. ,.
  • the at least three supply nozzle tubes are hollow in which a plurality of injection holes are formed at a predetermined pitch in at least one row in the longitudinal direction. It is preferable that the at least three supply nozzle pipes are formed on a cylindrical body and are respectively attached to the opposing side walls toward the substrate to be processed arranged in the vertical direction.
  • the bottom wall of the processing tank is inclined at a predetermined angle with respect to the horizontal direction, and a discharge port is formed at the lower end of the inclined surface. I like it.
  • the treatment tank has an ultrasonic generator attached to an outer wall surface of a bottom wall thereof.
  • the drying chamber is provided with a plurality of spray nozzles, and these spray nozzles dry steam containing a submicron-sized organic solvent mist. It is preferable to connect to the dry steam supply device to be supplied.
  • the present invention can obtain the following effects. That is, according to one aspect of the present invention, since at least three supply nozzle tubes are attached to the opposing side wall surfaces of the processing tank, it is possible to eliminate stagnation of the processing liquid in the tank. Becomes possible.
  • the supply nozzle tube that is also used as the chemical solution Z pure water is usually connected to a processing liquid supply source with a mixing device for bringing the processing liquid to a predetermined concentration, and the processing device is fed into the tank from this mixing device. Since liquid is supplied, a large amount of pure water cannot be supplied from these supply nozzle tubes when the processing liquid is replaced.
  • a supply nozzle pipe dedicated to pure water as in the present invention, pure water can be supplied into the tank without using a mixing device, and other supply nozzle pipe forces also supply pure water. As a result, a large amount of pure water is supplied into the tank in a short time, and the substrate to be processed and the tank can be cleaned with the large amount of pure water.
  • the lid covers the opening of the processing tank so that it can be opened and closed, and the drying chamber is formed therein, the lid can be placed above the opening or in the lateral direction during substrate processing in the processing tank. It is possible to prevent the lid from being contaminated with a chemical solution.
  • the opening of the processing tank is covered with a lid, and the substrate to be processed is pulled up from the processing tank and dried in the drying chamber, so that it may be exposed to air while the substrate is moving. It prevents the formation of oxide film and the like, and enables high-quality drying.
  • pure water can be supplied efficiently by providing a pure water dedicated supply nozzle tube.
  • the supply nozzle tube that is also used as the chemical solution Z pure water is usually connected to the processing liquid supply source with a mixing device that brings the processing liquid to a predetermined concentration, and the processing liquid is supplied into the tank from this mixing device. Therefore, a large amount of pure water cannot be supplied from these supply nozzle tubes when the processing liquid is replaced.
  • the supply nozzle pipe dedicated to pure water can supply a large amount of pure water into the tank because it does not go through a mixing device. By supplying pure water from other supply nozzle pipes, a large amount of pure water is supplied into the tank in a short time, and these large quantities of pure water enable quick cleaning of the wafer and the tank. .
  • pure water or a chemical solution can be efficiently supplied to the substrate to be processed by a supply nozzle tube having a simple configuration, and the force is also reduced in the tank. Since a flow in a predetermined direction with a high flow rate can be formed, it is possible to eliminate the stagnation of the cleaning liquid in the tank and improve the replacement efficiency.
  • the bottom wall is inclined at a predetermined angle with respect to the horizontal direction, the ultrasonic wave transmission performance is improved and the lower end portion of the inclined surface is provided. Since a discharge port is formed in the tank, the sediment accumulated at the bottom of the tank flows down along the inclined bottom wall surface, and the discharge loca is easily discharged to the outside. Therefore, each time the treatment liquid is replaced, the sediment at the bottom of the tank is discharged out of the tank, and the inside of the tank can be kept clean at all times.
  • a drying gas containing an organic solvent mist of a submicron size is supplied into the drying chamber. Therefore, since the mist contained in the vapor of the organic solvent is minimized to a submicron size, the number of organic solvent mist particles can be increased without increasing the amount of organic solvent used. In addition, the surface area of each mist is reduced, while the total surface area, which is the sum of the surface areas of the individual mists, is increased by the increase in the number of grains. As a result, a large amount of submicron-sized mist can be sprayed onto the substrate surface, so that it is efficiently replaced by a large amount of submicron-sized organic solvent mist of the cleaning liquid adhering to the substrate.
  • FIG. 1 is a schematic plan layout view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a sectional view showing a processing apparatus
  • [FIG. 3] shows the treatment tank constituting the treatment apparatus of FIG. 2
  • FIG. 3A is a side sectional view as seen from the X direction of FIG. 2
  • FIG. 3B is a top view
  • FIG. 4 is a side view of the supply nozzle pipe disposed in the treatment tank of FIG. 3, FIG. 4B is a partially enlarged top view as seen from the Y direction of FIG. 4A, and FIG. 4C is the view of FIG. 4B.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing a processing process in the processing apparatus
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing a processing process in the processing apparatus
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing a processing process in the processing apparatus
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing a processing process in the processing apparatus.
  • FIG. 10 Explanatory diagram of processing process showing the supply timing of various processing liquids.
  • FIG. 11 Explanatory diagram of processing process showing various processing liquid supply timing
  • FIG. 12 is a plan view showing a conventional substrate processing apparatus
  • FIG. 13 is a cross-sectional view showing a cleaning apparatus constituting the substrate processing apparatus of FIG.
  • FIG. 14 is a schematic view showing a conventional substrate processing apparatus.
  • FIG. 1 is a schematic plan layout view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a sectional view showing the processing apparatus
  • FIG. 3 shows a processing tank constituting the processing apparatus of FIG. 3A is a side sectional view of the force in the X direction of FIG. 2
  • FIG. 3B is a top view
  • FIG. 3C is a sectional view of IIIC IIIC of FIG. 3A
  • FIG. 4 is a supply nozzle tube disposed in the processing tank of FIG. 4A is a side view
  • FIG. 4B is a partially enlarged top view as seen from the Y direction of FIG. 4A
  • FIG. 4C is a IVC-IVC sectional view of FIG. 4B
  • the substrate processing apparatus 1 performs a series of processes from surface treatment of various substrates such as a semiconductor wafer, a liquid crystal display substrate, a recording disk substrate, or a mask substrate to chemicals and cleaning.
  • a processing apparatus 10 that can be carried out in one tank is provided.
  • semiconductor wafers hereinafter referred to as “woofers” will be described on behalf of various substrates.
  • treatment liquid is used as a general term including a chemical solution for performing etching treatment on the wafer surface and a cleaning solution for washing chemical solution in the wafer surface and the treatment tank. To do.
  • vapor means “gas”, but in the technical field of substrate processing, those that contain “fine liquid particles (mist)” other than “gas”, such as dry gas, are also commonly used.
  • steam Wow! Since sushi is expressed as “vapor”, the term “vapor” also includes “fine liquid particles (mist)” in addition to “gas” in the present specification and claims. Let's represent.
  • the substrate processing apparatus 1 includes a processing apparatus 10 located substantially at the center 3 and a process for supplying various processing liquids to the processing apparatus 10 around the processing apparatus 10.
  • a liquid supply unit 4, a plumber rear 5 that connects the supply unit 4 and the processing device 10, and a transport unit 2 that loads and unloads the processing unit 10 are provided.
  • a plurality of woofers W for example, having a diameter of 300 mm are set as 25 sheets and stored in a plurality of storage containers, for example, two hoops (FOUP: Front Open Unified Pod) 6a and 6b. Is transferred to the HV unit 7 along the direction indicated by the arrow in the figure by the transfer robot 9, where the arrangement of the wafer W is changed from the horizontal direction to the vertical direction, and the vertical transfer machine including the wafer chuck unit Moved to 8 and carried into the processor 10. In addition, Uha W, which has been processed, is transported outside through the reverse route.
  • two hoops FOUP: Front Open Unified Pod
  • the chuck that grips the wafer W before processing will hold the processed wafer W, so that the chemical at the time of loading the wafer W adheres to the chuck! /, Since chemicals may also adhere to the treated wafer after passing through the wafer chuck, cleaning of the wafer is necessary during the wafer processing.
  • a known mechanism is used for the robot mechanism and the transport mechanism including the wafer chuck cleaning, a description thereof will be omitted.
  • the processing apparatus 10 has a predetermined number, for example, 50 sheets of the above-mentioned number.
  • a treatment tank 11 of a size that can accommodate the treatment liquid a lid 21 that covers the upper opening 12a ′ of the treatment tank 11 so as to be openable and closable, and an ultrasonic generator 30 attached to the bottom of the treatment tank.
  • These are housed in a box-shaped housing case 25.
  • a base 26a 26b is also provided with a floor plate force, and the processing tank 11 is supported and fixed by this base.
  • the lid 21 has a drying chamber 23 formed therein. The lid 21 is moved up and down by a moving mechanism (not shown) so that the opening 12a ′ of the processing tank can be opened and closed.
  • the treatment tank 11 has a substantially rectangular bottom wall 12a and a side wall 12b 12e in which the outer peripheral force of the bottom wall 12a is also erected, and is a box-type with an open top
  • the inner tub 12 is formed, and an outer tub 13 having a bottom wall 13a surrounded by side walls 13b 13e with a predetermined width is formed around the outer periphery of the inner tub 12.
  • the outer tank walls 13b and 13d are attached to the bases 26a and 26b. Attachment portions 13f and 13g to be attached are formed.
  • the bottom wall 12a of the inner tank 12 is inclined at a predetermined angle ⁇ , for example, 3 ° with respect to the horizontal direction.
  • ⁇ for example, 3 ° with respect to the horizontal direction.
  • V-shaped grooves (the grooves 12b 'and 12e' of the side walls 12b and 12e are shown in Fig. 3) are formed at the upper ends of the side walls 12b to 12e.
  • the discharge port 19 is formed to have a large diameter, for example, a diameter of 75 mm.
  • a discharge port 20 is also formed in the bottom wall 13 a of the outer tub 13. Its diameter is, for example, 50 mm.
  • the opposing side walls 12b and 12d are provided with a plurality of supply nozzle tubes 14a to 14c and 14a 'to 14c' (three in each side wall in the figure) that also have a hollow cylindrical body force. Mounted horizontally with a predetermined interval.
  • Each of the supply nozzle tubes 14a to 14c and 14a 'to 14c' has the same configuration, and one of them is shown in FIG.
  • the supply nozzle tube 14 is formed in a cylindrical body having a predetermined diameter D and a length in two rows with a predetermined interval D in the longitudinal direction, and each row has a plurality of holes 1 with a predetermined pitch D.
  • the injection ports 17 and 18 composed of 7a and 18a are formed.
  • D is for example 20mm, D is the angle below
  • Each of the injection ports 17 and 18 has a predetermined diameter ⁇ , and the center O force of the circular cylindrical body is also formed at a predetermined angle a.
  • the diameter ⁇ is lmm, for example, and the angle ⁇ is 30 °, for example.
  • the supply nozzle tubes 14a to 14c and 14a 'to 14c' are attached to the opposing side walls 12b and 12d so that the injection ports 17a and 18b face a predetermined direction. That is, on one side wall 12b, three supply nozzle pipes 14a to 14c are attached substantially horizontally to the upper, middle, and lower stages at predetermined intervals. At that time, the lower supply nozzle pipe 14c has an angle of the injection ports 17a and 18a of 60 ° upward with respect to the horizontal direction, the middle supply nozzle pipe 14b has an upward angle of 20 °, and the upper supply nozzle pipe 14a has Mounted at an angle of 45 ° downward. Also on the opposite side wall 12d surface Three supply nozzle tubes 14a 'to 14c' are attached so as to have the same angle. By setting these angles, when the wafer is accommodated in the tank, each injection rod is directed to the center of the wafer.
  • the upper supply nozzle tubes 14a, 14a are used exclusively for pure water supply, and the other supply nozzle tubes 14b, 14c, 14b ⁇ 14c 'are also used for chemical and pure water supply. .
  • the supply of this chemical solution is stopped, and first, three supply nozzle tubes 14 provided on either one of the side walls (for example, the left side wall 12b in FIG. 3C) 14 Only pure water a-14c is supplied with pure water, the chemical solution A in the inner tank 12 is purged for a predetermined time, and then the supply from the supply nozzle tubes 14a-14c is stopped, and the other side wall (for example, the right side in FIG.
  • the three supply nozzle pipes 14a 'to 14c' provided on the wall 1 2d) are also supplied with pure water, gradually changing the flow in the tank, and squeezing into the tank, and the prescribed chemical solution with sufficient force A is further expelled.Furthermore, pure water is supplied from all the supply nozzle pipes 14a to 14c and 14a 'to 14c' to increase the flow rate and increase the flow rate, thereby cleaning the wafer W and the inner tank 12 in a short time. I can do it. This is because the direction of the supply of treatment liquid changes at once, and the flow of power changes gradually without changing at a stretch, and the remaining chemical solution is discharged quickly by moving gradually through the stagnation site that was initially formed.
  • Subsequent treatment with chemical solution B also performs the same process 'cleaning and repeats such treatment' cleaning, thereby increasing the replacement speed of the chemical solution and the cleaning solution, and a series of treatments of chemical solution, cleaning and drying in the same tank. Is possible.
  • the supply nozzle pipe for supplying pure water is switched and supplied from one of the right side and the left side, but for example, the lower part (upper part) of the supply nozzle pipes 14a to 14c provided on the side wall 12b.
  • Supply nozzle pipes 14b, 14c (14a) located in the side wall and supply nozzle pipes 14a '(14b', 14c ') located in the upper part (lower part) of the supply nozzle pipes 14a' to 14c 'provided on the side wall 12d Can be used to form a vortex flow in the treatment tank 11, and the supply direction can be switched as necessary to make it difficult to stagnate in the treatment tank 11.
  • the number of supply nozzle pipes and the angle of the injection port at the time of attachment are the above-mentioned numbers and angles. It is not limited to degrees, and an arbitrary number and angle may be selected.
  • an ultrasonic generator 30 is attached to the bottom 12a of the treatment tank 11.
  • the ultrasonic device 30 includes an ultrasonic generator 32 and a shallow container 31 in which an ultrasonic transmission medium, for example, water is stored.
  • an oscillator that emits a predetermined frequency, for example, 10 KHz to several MHz is used.
  • the ultrasonic generator 30 By attaching the ultrasonic generator 30 to the bottom 12a of the treatment tank 11, the ultrasonic waves radiated from the transmitter are transmitted to the treatment liquid through water and the bottom 12a of the inner tank 12. .
  • This ultrasonic wave vibrates the treatment liquid, acts as a physical force on the surface of the wafer, and removes particles such as foreign substances and contaminants attached to the wafer surface.
  • the lid 21 has an opening 22a on the lower side, is closed from the upper side, and has a size that can accommodate a plurality of wafers W inside.
  • the inside of the container is used as the drying chamber 23.
  • the lid 21 can be moved vertically or horizontally by a moving mechanism (not shown).
  • the box-shaped container 22 has a substantially arched ceiling surface 25 formed on the top thereof, and a plurality of injection nozzles 24 to 24 for injecting dry gas to the ceiling surface 25 are arranged at approximately equal intervals. Are arranged side by side.
  • FIG. 5 shows a piping system diagram, which is roughly divided into a processing liquid supply system and a drainage processing system.
  • pure water supply sources 41 and 41a In this treatment liquid supply system, pure water supply sources 41 and 41a, various chemical solution supply sources 42 to 46, and inert gas supply sources 38 and 39 are disposed around the treatment apparatus 10.
  • the pure water supply sources 41 and 41a include a pure water supply source 41 that supplies pure water at room temperature and a warm pure water supply unit 41a that supplies pure water heated to a predetermined temperature of 25 to 65 ° C.
  • the chemical supply source is, for example, a chemical A supply source 42 for supplying HCL, and similarly a chemical B (for example, H 2 O) supply.
  • Each of the supply sources 41 to 46 is connected to the mixing device 40 through a pipe L. However, of these, the pure water supply sources 41 and 41a are directly connected via the valves V and V without passing the mixing device 40. It connects so that pure water may be supplied to the supply nozzle pipes 14a and 14a 'of the processing tank 11. With this connection, a large amount of pure water is supplied from the pure water supply sources 41 and 41a to the treatment tank without going through the mixing device 40.
  • the chemical liquid supply sources 42 to 46 are connected to the mixing device 40 by the pipe L.
  • the mixing device 40 is connected to the treatment tank 11 by the self-pipe L, and the drain pipes 14b, 14c, 14b ⁇ 14c Connected to '.
  • the chemical solution supplied from each of the chemical solution supply sources 42 to 46 is adjusted to a predetermined concentration by mixing the chemical solution alone or each chemical solution with pure water, and is supplied to the treatment tank 11.
  • the mixing ratio is as follows. In the chemicals used for various treatment processes (Figs. 11 and 12), the chemical APM has a mixing ratio of NH OH: HO: H 0 of 1: 2: 50 to 1: 1: 200, Chemical solution 011? Is 11?: 11 O
  • Inert gas supply sources 38 and 39 for supplying an inert gas, for example, nitrogen gas, respectively, are spray nozzles 24 to 24 provided in the lid 21 via a valve V, and a dry steam supply device. Connected to 35 via pipe L.
  • an inert gas for example, nitrogen gas
  • Each of the injection nozzles 24 to 24 has a conical shape as a whole, and an opening is formed at a tapered tip, and dry gas is injected from the opening.
  • Each of the injection nozzles 24 to 24 is provided with a heater (not shown). Since the injection nozzle itself is already known, detailed description thereof is omitted.
  • a heater (not shown) is attached to the outer peripheral wall surface of the pipe body in the pipe LH and each branch pipe in which this pipe force is also branched. As this heater, for example, a belt heater is used. These heaters are connected to a CPU (not shown) and controlled by this CPU.
  • the dry steam supply device 35 is supplied with an inert gas (carrier gas) from the inert gas supply sources 38 and 39 to the bottom of the steam generation tank 36, and is stored in the IPA liquid stored in the steam generation tank 36. Bubbles (pubbling) are generated in the IPA vapor to generate IPA vapor consisting of IPA gas and mist.
  • the steam derived from the steam generation tank 37 is connected to the pipe LH via a static mixer (not shown) and supplied from the steam generation tank 36 to the injection nozzles 24 to 24 as a mixed gas of carrier gas and IPA steam. Is done.
  • Static mixers (not shown) are used to promote and homogenize the degree of mixing of carrier gases such as carrier gas and IPA steam. Is provided.
  • a mixed gas of the IPA mist and an inert gas containing an IPA vapor that has a strength and a gas less than a saturated concentration is obtained, and the mixed gas is discharged into the injection nozzle. Since the temperature is controlled so that the temperature is the same or gradually increased, the IPA gradually evaporates from the surface of the IPA mist during movement, and the particle size of the mist becomes smaller. A dry gas containing mist is obtained.
  • the organic solvent is appropriately selected from the group consisting of organic compounds such as diacetone alcohol, 1-methoxy-2-propanol, ethyl glycol, 1-propanol, 2-propanol and tetrahydrofuran in addition to IPA.
  • nitrogen gas N is supplied to pipe LH as an inert gas.
  • This pipe LH is also controlled to a predetermined temperature by a belt heater.
  • This nitrogen gas N is only used for diluting the mixed gas of inert gas and organic solvent vapor from the steam generation tank 36.
  • nitrogen gas N argon, helium, or the like can be appropriately selected and used. Also in the figure
  • MFC is a flow meter.
  • This drainage treatment system includes a liquid treatment facility for treating a chemical solution and water, and a gas treatment facility for treating a gas such as a dry gas.
  • the liquid treatment facilities are a pure water treatment unit 53, an alkali treatment unit 54, an acid treatment unit 55, an HF treatment unit 56, an organic treatment unit 57, and an organic gas treatment unit 58.
  • the gas treatment equipment at the upper part of the tank is an organic matter treatment unit 50, an acid treatment unit 51, and an alkali treatment unit 52.
  • Each processing facility 50 to 58 is connected to the processing apparatus 10.
  • a chemical liquid A is supplied from a chemical liquid supply source, for example, the supply source 42, to the supply nozzle tubes 14b, 14c, 14b ⁇ 14c 'in the tank (FIG. 6B).
  • a chemical liquid supply source for example, the supply source 42
  • the wafer W is immersed in the chemical solution A for processing (FIG. 6C).
  • pure water is supplied from the pure water supply source 41 from the supply nozzle pipes 14a to 14c on one side wall surface, and is stopped after a predetermined time, and the supply to the other side wall is stopped. Pure water is supplied from the nozzle tubes 14a to 14c ′, and finally DIW is supplied all at once from the supply nozzle tubes 14a to 14c and 14a ′ to 14c ′ (FIG. 7A).
  • the chemical solution B is supplied from the chemical solution supply source, for example, the supply source 43, to the supply nozzle tubes 14b, 14c, 14b ⁇ 14c ', and the treatment with the chemical solution B is performed. Wash with pure water (Fig. 7C). Thereafter, similarly, use chemicals C and D as necessary.
  • wafer W is pulled up from processing tank 11 and accommodated in drying chamber 23 in lid body 21, and a dry gas containing IPA micromist is injected from injection ports 24 to 24 (Fig. 8A).
  • the discharge port 19 (see FIGS. 2 and 3) is fully opened, and the pure water in the inner tank 12 is rapidly discharged.
  • nitrogen gas (N) is dried from the inert gas supply sources 38 and 39.
  • the treatment process shown in Figure 10A is a process that removes organic dirt, particles, oxide films, metal impurities, etc. adhering to the wafer, and is usually called the RCA process.
  • DIW is supplied from the pure water supply source 41 to the inner tank 12, and the inside of the tank is cleaned.
  • wafer W is introduced, and at the time t, the supply of the chemical APM is started from the chemical supply sources 43 and 45 by the mixing device 40, and the pure water in the tank 12 is expelled while adjusting the supply amount. Replace with APM.
  • Wafer W is processed at a constant concentration. This process removes organic stains and adhering particles of Ueno and W.
  • Pure water DIW is started from the pure water supply sources 41 and 41a, and the inside of the inner tank 12 is replaced from the chemical APM to pure DIW. After cleaning with pure water from time t to t, stop supplying pure water at time t.
  • the metal impurities of woofer W are removed. Then, after the final cleaning with pure water DIW is completed, the drying process is performed.
  • the ultrasonic oscillation device 30 is operated at times T and T, and both the chemical solution and the washing solution are ultrasonic.
  • FIG. 10B and FIG. 11A show the etching process.
  • the processing process of FIG. 10B is based on chemical H 2 O, pure water DIW, chemical DHF, and chemical HPM. This process
  • the chemical solution DHF and the chemical solution HPM are mixed at a predetermined concentration of Xppm. This is a process that is possible because it is processed in the same processing tank.
  • the treatment process of FIG. 11A uses O water in which O is dissolved in pure water, and then a chemical solution.
  • FIG. 11B shows the final cleaning process for wafers, which are treated with chemical APM, DI water, chemical DHF and chemical HCL.
  • This processing process is performed by the processing apparatus shown in FIG. Since the processing procedure is the same as (1) above, its description is omitted. This process is characterized by O

Description

明 細 書
基板処理装置
技術分野
[0001] 本発明は、半導体ゥ ーハ、液晶用ガラス基板等の各種基板を洗浄'乾燥する基 板処理装置に係り、さらに詳しくは、基板表面を各種薬液、水洗及び乾燥処理を同 一の処理槽で処理可能にした基板処理装置に関する。
背景技術
[0002] 従来から半導体ゥ ーハ（以下、ゥ ーハと 、う）表面のパーティクル、有機汚染物 、金属不純物等のコンタミネーシヨンを除去するために様々なタイプの基板処理装置 が使用されている。その中でゥヱーハを処理液に浸漬して処理する、いわゆるゥエツ ト基板処理装置が上記のコンタミネーシヨンを効果的に除去でき、しかもバッチ処理 が可能でスループットが良好なため、幅広く普及して!/、る。
[0003] この処理装置は、ゥヱーハに対してアンモニア、硫酸、フッ酸等の薬液処理、及び 純水等を用 、た水洗処理、さらにイソプロピルアルコール (IPA)等による乾燥処理が 行われるように構成されている。例えば、処理順に配列された複数個の処理槽及び 乾燥室に、各種薬液 (例えばアンモニア、硫酸、塩酸、フッ酸等）、純水、 IPAを供給 し、複数枚のゥヱーハをこれらの処理槽に順次浸漬し、乾燥していくバッチ処理方式 を採用した装置となっている (例えば、下記特許文献 1、 2参照)。
[0004] 図 12は、下記特許文献 1に記載されたバッチ処理方式を採用した基板処理装置を 示す平面図、図 13は、図 12の一つの洗浄装置を示す概略断面図である。
この基板処理装置 100は、洗浄処理部 101を備えており、この洗浄処理部 101は、 ローダ部 102側から順に、ゥエーハ搬送装置 103のゥエーハチャックを洗浄、乾燥す るチャック洗浄 ·乾燥処理槽 104、ゥヱーハ表面の有機汚染物、金属不純物、パーテ イタル等の不純物を薬液によって処理する薬液洗浄処理槽 105、この薬液洗浄処理 槽 105で処理されたゥエーハを純水によって洗浄する水洗洗浄処理槽 106、ゥエー ハ表面の金属汚染除去を別の薬液によって処理する薬液洗浄処理槽 107、さらに、 この薬液洗浄処理槽 107で洗浄されたゥヱーハを純水によって洗浄する水洗洗浄処 理槽 108、さらにまた、ゥエーハ表面の酸ィ匕膜除去を薬液により洗浄するとともに、洗 浄されたゥヱーハを濯ぎ、水洗いしさらに乾燥処理する洗浄装置 109、さらにはゥヱ ーハ搬送装置 103のゥエーハチャックを洗浄、乾燥するチャック洗浄'乾燥処理槽 11 0が配置された構成を有し、ゥエーハは、各処理槽 104〜107に順次収容され、薬液 、純水で清浄され、その後、処理装置 109、乾燥処理槽 110で乾燥処理されるように なっている。
[0005] このうち洗浄装置 109は、図 13に示すように、薬液及びリンス液を貯留し、貯留した 薬液及びリンス液にゥエーハが浸漬される洗浄槽 111と、この洗浄槽の上方に配置さ れ、洗浄槽 111から移送されたゥ ーハの乾燥処理を行う円筒形状の乾燥室 112と 力も構成されている。また、洗浄槽 111と乾燥室 112とは結合され一体構造となって いる。
また、乾燥室 112の上部及び下部には、それぞれゥエーハの受け渡しを行うための 開口部 113、 114が設けられ、上部の開口部 113には密閉型の蓋 115が配置され、 下部の開口部 114には回転扉機構 116あるいはスライド扉機構（図示省略）が設けら れ、この乾燥室内でゥ ーハの乾燥処理がされるようになって!/、る。
[0006] また、単一槽で各種処理液による処理ができるようにした基板処理装置も既に紹介 されており（例えば、特許文献 2参照）、図 14は、下記特許文献 2に記載された基板 処理装置に使用されている処理槽を示す概略図である。
この基板処理装置 120は、混合処理液にゥエーハを浸漬して表面処理を行う処理 槽 122を備えた基板処理部 121と、純水と薬液とを混合し、得られた混合処理液を 処理槽 122に供給する混合処理液供給部 123と、混合処理液の濃度目標値を決め る混合条件を設定する設定器 (図示省略)とを備えている。
[0007] 混合処理液供給部 123は、純水と各薬液を混合する混合部 124と、混合部 124で 混合された混合処理液を処理槽 122に供給する供給系 125と、混合部 124に純水 を供給する純水供給系 126と、混合部 124に各薬液を個別に供給する 1又は複数の 薬液供給系 127と、与えられた純水供給量操作信号に応じて、混合部 124への純水 の各薬液を調節する薬液供給量調節機構 128と、混合処理液の濃度現在値を監視 するための濃度モニタ 129と、混合処理液の濃度目標値と混合処理液の濃度現在 値と濃度偏差を打ち消すような薬液信号を薬液供給流量調節機構 128に与える制 御部（図示省略)を備えている。この制御部は濃度モニタ 129で監視される混合処理 液の濃度現在値を基にフィードバック制御によって薬液供給流量調節機構 128を制 御して濃度目標値の混合処理液を処理槽 122に供給する機能を有して 、る。
[0008] 特許文献 1 :特開平 10— 209109号公報（図 2、図 3、段落〔0030〕〜〔0035〕） 特許文献 2 :特開 2000— 21838号公報（図 1、段落〔0029〕〜〔0031〕）
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0009] 基板処理装置は、上記特許文献 1、 2にも紹介され、その他にも様々なタイプの装 置が知られている力 これらの処理装置では、各種の薬液、水洗及び乾燥の一連の 処理を同一の処理槽で行うことが極めて難しく未だ実用化に至っていない。
その理由は、種々存在する力 その一つは、各種の薬液、水洗及び乾燥の一連の 処理を同一の処理槽で実施しょうとすると、単一槽では、各種処理液の入れ換え、す なわち置換スピードに限界があることが挙げられる。例えば、処理液 Aの処理が終了 し、槽内を処理液 Aカゝら処理液 Bに入れ換えようとすると、槽内に処理液 Aが残留し、 両処理液 A、 Bが混合される。このため、処理液 A、 Bの組合せにおいて化学反応が 起こり、不要な析出物が発生し、この析出物がゥエーハに付着しパーティクルの原因 となってしまう。また、このような析出物は処理槽の内壁にも付着して、以後の処理に おいて処理液に混入し、ゥエーハ及び槽壁に付着し、処理品質に悪影響を及ぼして しまうことや、近年、ゥエーハ表面には複雑な回路パターンが形成されるようになって きているため、このような回路パターンが施されていないゥエーノ、、いわゆるべアウエ ーハ又は回路パターンが少ないゥ ーハであれば、これまで特に問題視されなかつ たパーティクルでも、複雑ィ匕した回路パターンが施されたゥエーハでは、置換効率に 限界がある単一槽の処理に適合しないこと等が挙げられる。
[0010] 一方、これらの対策として処理液が槽内に残留しな 、ようにすると、処理液の交換 及び槽洗浄に長時間を要し、生産性が極めて悪くなり、実用化に適さず、また、大量 の処理液を必要とし処理コストの高騰を招来することになる。
[0011] この観点力 みると、上記特許文献 1に記載された基板処理装置では、薬液処理、 水洗及び乾燥処理は、個別の処理槽で行うようにして、上記の課題を解決している。 しかしながら、装置が大型化し、また、ゥエーハは、順次、各槽へ移送されるので、こ の移送の間にゥエーハが空気に晒され、酸ィ匕膜が生成されてしまうことがある。また、 洗浄装置 109では、洗浄槽 111と乾燥室 112がー体構造となっているため、洗浄槽 内にゥ ーハを搬入する際に 、ち 、ち乾燥室を通らなければならな 、ので、搬送が 面倒になり、また、別に乾燥処理槽 110をも必要としている。
[0012] また、上記特許文献 2に記載された基板処理装置は、図示された処理槽の構造及 び処理液供給系からみて、置換効率に限界があり、処理液が槽内に残留して上記の ような析出物が発生しまう恐れがある。また、処理液の残留を少なくしょうとすると、処 理時間が長くなり、し力も大量の処理液が必要になってしまう。さらに、乾燥処理は、 別槽で行わなければならず、単一槽での薬液、水洗及び乾燥の一連の処理ができる ようになっていない。さらに重要なことは、槽内に同じ場所から同じ量を常に供給する と、淀みが生じてしまう。液供給の向きを変えても淀む所が変わるだけで淀みはなくな らない。この淀みは、パーティクルの原因となり、液置換においても前の液が残りやす V、原因となって 、ることが分力つてきた。
[0013] このような課題に鑑み、本発明者は、処理槽での処理液の置換、特にリンス液の置 換効率を上げ、且つ槽内に処理液の淀みが発生しないようにすれば、処理液の残留 が極めて少なくなり、薬液量を少なくして生産性も上げられ、単一槽でも薬液処理及 び、水洗ができ、し力も乾燥処理も可能になることを見出し、本発明を完成させるに 至ったものである。
[0014] すなわち、本発明の目的は、各種の薬液処理、水洗及び乾燥処理を同一の処理 槽で処理できるようにした基板処理装置を提供することにある。
課題を解決するための手段
[0015] (1)本発明によれば、基板処理装置は、上方に開口部を有する箱型の処理槽と、 この処理槽の開口部を開閉自在に覆う蓋体とを備えた基板処理装置において、 前記蓋体は、その内部に被処理基板を収容して乾燥する乾燥室が形成され、前記 処理槽は、前記箱型を構成する対向各側壁面に、それぞれ少なくとも 3本の処理液 供給ノズル管が所定間隔をあけて水平に配設され、これらの供給ノズル管は切 構に接続されて対向する側壁側力 交互に切り換えて処理液が供給されるようにな つていることを特徴とする。
[0016] (2)また、係る（1)の態様においては、前記対向各側壁面の少なくとも 3本の供給ノ ズル管のうち、 1本は純水専用の供給ノズル管であることが好まし 、。
[0017] (3)また、係る（1)の態様においては、前記少なくとも 3本の供給ノズル管は、それ ぞれ長手方向に少なくとも 1列に所定ピッチで複数個の噴射穴が形成された中空筒 状体からなり、これらの少なくとも 3本の供給ノズル管は、前記各噴射穴を垂直方向に 配列される被処理基板に向けて前記対向する側壁にそれぞれ取付けられていること が好ましい。
[0018] (4)また、係る（1)の態様においては、前記処理槽は、その底壁が水平方向に対し て所定の角度傾斜され、その傾斜面の低端部に排出口が形成されていることが好ま しい。
[0019] (5)また、係る（1)〜(4)の態様においては、前記処理槽は、その底壁の外壁面に 超音波発生装置が取付けられて 、ることが好ま 、。
[0020] (6)また、係る（1)の態様においては、前記乾燥室は、複数個の噴射ノズルが配設 され、これらの噴射ノズルは、サブミクロンサイズの有機溶剤ミストを含む乾燥蒸気を 供給する乾燥蒸気供給装置に接続されて ヽることが好ま ヽ。
発明の効果
[0021] 本発明は上記構成を備えることにより、以下に示す効果を得ることができる。すなわ ち、本発明の一態様によれば、処理槽の対向する各側壁面に、それぞれ少なくとも 3 本の供給ノズル管が取付けられて 、るので、槽内で処理液の淀みをなくすることが可 會 になる。
[0022] 例えば、所定薬液 Aの処理が終了した後この薬液の供給を停止し、どちらか一方 の側壁に設けられた 3本の供給ノズル管のみ力 純水を供給して、薬液 Aを所定時 間追出し、続いて初めに供給した供給ノズル管力 の供給を止め、もう一方の側の 3 本の供給ノズル管力 純水を供給することで、徐々に槽内の流れを変えて、槽内に 淀んで追出しきれな力つた薬液 Aを追出し、さらに、全ての供給ノズル管から純水を 供給して流量を増大させるとともに流速を速めれば短時間で被処理基板及び槽内の 洗浄ができる。これは、供給の向きは一気に変わる力 流れは一気に変わらず徐々 に変わることで、初めにできた淀みの箇所を徐々に移動して、残った薬液を早く排出 するものである。続く、薬液 Bによる処理に際しても同様の処理'洗浄を行い、このよう な処理'洗浄を繰り返すことにより、薬液、洗浄液の入れ換えがスピードアップし、同 ー槽において薬液、洗浄及び乾燥の一連の処理が可能になる。
[0023] すなわち、薬液 Z純水兼用の供給ノズル管は、通常、処理液供給源との間に、処 理液を所定の濃度にする混合装置が接続され、この混合装置から槽内に処理液が 供給されるようになっているため、これらの供給ノズル管からは、処理液の入れ換え 時に大量の純水を供給することができない。しかし、本発明のように、純水専用の供 給ノズル管を設けることより、混合装置を介さずに純水を槽内へ供給でき、加えて他 の供給ノズル管力 も純水を供給することにより、短時間に大量の純水が槽内に供給 され、これら大量の純水で被処理基板及び槽内の洗浄が可能となる。
[0024] また、蓋体は、処理槽の開口部を開閉自在に覆い、且つその内部に乾燥室が形成 されているので、処理槽での基板処理時に蓋体を開口部の上方或いは横方向に移 動させておくことが可能になり、薬液による蓋体の汚染を回避できる。また、乾燥処理 時は、処理槽の開口部は蓋体で覆われ、被処理基板は処理槽から引き上げられ、乾 燥室で乾燥が行われるので、基板の移動中に空気に晒されることがなぐ酸化膜等 の生成を阻止し、高品質の乾燥処理が可能になる。
[0025] また、係る本発明の好ま 、態様によれば、純水専用供給ノズル管を設けることに より、効率よく純水を供給できる。
すなわち、薬液 Z純水兼用の供給ノズル管は、通常、処理液供給源との間に、処 理液を所定の濃度にする混合装置が接続され、この混合装置から槽内に処理液が 供給されるようになっているため、これらの供給ノズル管からは、処理液の入れ換え 時に大量の純水を供給することができない。しかし、本発明のように、純水専用の供 給ノズル管を設けることより、この純水専用の供給ノズル管は混合装置を介さないた めに純水を槽内へ大量に供給でき、加えて他の供給ノズル管からも純水を供給する ことにより、短時間に大量の純水が槽内に供給され、これら大量の純水によりゥ ー ハ及び槽内の早急な洗浄が可能となる。 [0026] また、係る本発明の好ま 、態様によれば、簡単な構成の供給ノズル管によって被 処理基板に対して効率よく純水や薬液を供給することができ、し力も、槽内で流量を 増やし流速の速い所定方向の流れを形成できるので、槽内での洗浄液の淀みをなく し、且つ置換効率を向上させることができる。
[0027] また、係る本発明の好ましい態様によれば、底壁が水平方向に対して所定の角度 に傾斜しているので、超音波の透過性能が向上し、かつ、傾斜面の低端部に排出口 が形成されて ヽるので、槽の底部に溜まる沈殿物は傾斜した底壁面に沿って流れ落 ち、排出ロカも外へ容易に排出される。したがって、処理液を交換する度に、槽底の 沈殿物等が槽外へ排出されて、常時槽内を清浄にしておくことが可能となる。
[0028] また、係る本発明の好ま 、態様によれば、被処理基板に対して処理液による化学 的処理に加えて、超音波振動による物理的な処理も可能になり、これらの処理を糸且 み合わせることにより、より高品質の処理ができる。
[0029] また、係る本発明の好ましい態様によれば、乾燥蒸気供給装置力もサブミクロンサ ィズの有機溶剤ミストを含む乾燥ガスが乾燥室内に供給される。したがって、この有 機溶剤の蒸気に含まれるミストは、サブミクロンサイズに極小化されているので、有機 溶剤の使用量を増やすことなぐ有機溶剤ミストの粒数を増大させることができる。ま た、個々のミストの表面積は小さくなる力 一方で粒数が多くなつた分だけ個々のミス トの表面積の総和である全体の表面積が増大される。その結果、サブミクロンサイズ のミストを大量に基板表面に噴射できるようになるので、基板に付着している洗浄液 力 の大量のサブミクロンサイズの有機溶剤ミストによって効率よく置換される。しかも 、多数の大径基板が処理槽内に挿入されていても、複数の噴射ノズルが配設されて いるために、サブミクロンサイズのミストは急速に基板間に浸入できるので、乾燥処理 効率が向上すると共に処理時間も短縮でき、基板表面のウォータマークの発生が極 めて少なぐ或いは殆ど零にできる。更に、パーティクルの付着もなくなり、し力も、乾 燥処理のスピードが速くなるのでパーティクルの再付着をも防止できる。
図面の簡単な説明
[0030] [図 1]本発明の一実施例に係る基板処理装置の概略平面レイアウト図、
[図 2]処理装置を示す断面図、 [図 3]図 2の処理装置を構成する処理槽を示し、図 3Aは図 2の X方向からみた側断 面図、図 3Bは上面図、図 3Cは図 3Aの IIIC IIIC断面図、
[図 4]図 3の処理槽内に配設される供給ノズル管を示し、図 4Aは側面図、図 4Bは図 4Aの Y方向から見た一部拡大上面図、図 4Cは図 4Bの IVC— IVC断面図、
[図 5]配管系統図、
[図 6]処理装置における処理プロセスを示す断面図、
[図 7]処理装置における処理プロセスを示す断面図、
[図 8]処理装置における処理プロセスを示す断面図、
[図 9]処理装置における処理プロセスを示す断面図、
[図 10]各種処理液供給タイミングを示した処理プロセス説明図、
[図 11]各種処理液供給タイミングを示した処理プロセス説明図、
[図 12]従来技術の基板処理装置を示す平面図、
[図 13]図 12の基板処理装置を構成する洗浄装置を示す断面図、
[図 14]従来技術の基板処理装置を示す概略図である。
符号の説明
1 基板処理装置
10 処理装置
11 処理槽
12 内槽
12a 底壁
12b〜12e 側壁
13 外槽
14、 14a〜14c、 14a'〜14c' 供給ノズル管
17、 18 噴射口
19、 20 排出口
21 蓋体
23 乾燥室
30 超音波発生装置 32 超音波発生器
35 乾燥蒸気供給装置
36 蒸気発生槽
40 混合装置
41、 41a 純水供給源
42-46 薬液供給源
38、 39 不活性ガス供給源
発明を実施するための最良の形態
[0032] 以下、図面を参照して本発明の最良の実施形態を説明する。但し、以下に示す実 施形態は、本発明の技術思想を具体ィ匕するための基板処理装置を例示するもので あって、本発明をこの基板処理装置に特定することを意図するものではなぐ特許請 求の範囲に含まれるその他の実施形態のものも等しく適応し得るものである。
実施例 1
[0033] 図 1は本発明の一実施例に係る基板処理装置の概略平面レイアウト図、図 2は処 理装置を示す断面図、図 3は図 2の処理装置を構成する処理槽を示し、図 3Aは図 2 の X方向力 みた側断面図、図 3Bは上面図、図 3Cは図 3Aの IIIC IIIC断面図、図 4は図 3の処理槽内に配設される供給ノズル管を示し、図 4Aは側面図、図 4Bは図 4 Aの Y方向から見た一部拡大上面図、図 4Cは図 4Bの IVC— IVC断面図、図 5は配 管系統図である。
[0034] 基板処理装置 1は、例えば半導体ゥ ーハ、液晶表示装置用基板、記録ディスク用 基板、或!、はマスク用基板等の各種基板の表面処理を薬液及び洗浄に至る一連の 処理を 1つの槽で行うことができる処理装置 10を備えている。以下、各種基板を代表 して、半導体ゥヱーハ（以下、ゥヱーハという）について説明する。
[0035] また、以下の説明で用語「処理液」は、ゥ ーハ表面のエッチング処理等を行う薬 液及びゥエーハ表面及び処理槽内の薬液の洗浄等を行う洗浄液を含んだ総称とし て使用する。
また、一般に「蒸気」とは「気体」のことを示すが、基板処理の技術分野においては 乾燥ガスのように「気体」以外に「微小な液体粒 (ミスト)」を含むものも慣用的に「蒸気 」な！ヽしは「ベーパ」と表現されて ヽるので、本願明細書及び特許請求の範囲にお!ヽ ても「気体」以外に「微小な液体粒 (ミスト)」を含むものも「蒸気」と表すこととする。
[0036] この基板処理装置 1は、図 1に示すように、ほぼ中央部 3に位置する処理装置 10と 、この処理装置 10の周囲にあって、処理装置 10に各種処理液を供給する処理液供 給部 4と、この供給部 4と処理装置 10とを接続する配管工リア 5と、ゥヱ Wを処理 装置 10 搬入'搬出する搬送部 2とを備えている。
[0037] 複数枚のゥヱーハ Wは、例えば、直径 300mmのものが 25枚セットにされて複数個 の収容容器、例えば 2個のフープ（FOUP : Front Open Unified Pod) 6a, 6bにそれ ぞれ収納され、搬送ロボット 9によって、図の矢印に示す方向に沿って、 HVユニット 7 に搬送され、ここでゥ ハ Wの配列が水平方向から垂直方向に変更され、ゥ ハ チャック部を含む垂直搬送機 8に移しかえられて処理装置 10に搬入される。また、処 理が終わったゥ ハ Wは、逆ルートで外へ搬出される。このとき、処理前にゥ ハ Wを把持したチャックで、処理後のゥ ハ Wを把持することになるので、チャックに はゥ ハ W投入時の薬液が付着して!/、ることから、処理後のゥ ハ Wにもゥ ハチャックを介して薬液が付着する可能性があるため、ゥ W処理中にゥ ハ チャック洗浄が必要になる。し力しながら、ロボット機構及びゥ ハチャック洗浄を 含む搬送機構は、公知のものを使用するので説明を省略する。
[0038] 処理装置 10は、図 2に示すように、所定枚数、例えば上記の枚数 50枚のゥヱ
W及び処理液を収容できる大きさの処理槽 11と、この処理槽 11の上方開口部 12a' を開閉自在に覆う蓋体 21と、処理槽の底部に装着された超音波発生装置 30を備え 、これらは箱型の収容ケース 25に収容されている。収容ケース 25内には、架台 26a 26bが床板力も立設され、この架台によって処理槽 11が支持固定される。蓋体 21 は、内部に乾燥室 23が形成されている。また、この蓋体 21は、移動機構（図示省略） により、上下に移動させ、処理槽の開口部 12a'を開閉自在になっている。
[0039] 処理槽 11は、図 3に示すように、ほぼ四角形の底壁 12aと、この底壁 12aの外周囲 力も立設された側壁部 12b 12eとを有し、上方が開口した箱型の内槽 12が形成さ れ、この内槽 12の外周囲に所定の幅をあけて側壁 13b 13eで囲まれ底壁 13aを 有した外槽 13が形成されている。そして外槽壁 13b 13dには、架台 26a 26bに取 付ける取付け部 13f、 13gが形成されている。
[0040] 内槽 12の底壁 12aは、図 3Aに示すように、水平方向に対して所定角度 Θ、例えば 3° 傾斜されている。底壁を傾斜させると、この底壁に後述する超音波発生装置 30 を取付けたとき、超音波洗浄を効率よく行うことが可能になる。また、排液をスムーズ に行えるようになる。
[0041] また、各側壁 12b〜12eの上方端部に V字状溝（図 3には、側壁 12b、 12eの溝 12 b'、 12e'が示されている）が形成される。この溝を設けることにより、内槽 12からォー バーフローする処理液が外槽 13へ片寄ることなく全周からスムーズに流れ落ちる。
[0042] 排液が必要なときに排液時間を短くするために、排出口 19は、大口径、例えば直 径 75mmに形成される。また、外槽 13の底壁 13aにも排出口 20が形成される。その 直径は、例えば 50mmである。
[0043] また、対向する側壁 12b、 12dには、その内側に中空筒状体力もなる複数本（図で は一側壁に 3本ずつ）の供給ノズル管 14a〜14c、 14a'〜14c'が所定の間隔をあけ 水平に取付けられる。
各供給ノズル管 14a〜14c、 14a'〜14c'は、同一構成を有しており、その 1本を図 4に図示している。この供給ノズル管 14は、所定の直径 D及び長さを有する筒状体 に、その長手方向に所定間隔 Dあけて 2列に、各列が所定ピッチ Dで複数個の穴 1
2 3
7a、 18aからなる噴射口 17、 18が形成される。 Dは、例えば 20mm、 Dは下記角度
1 2
aにきまる例えば 6. 8mm、 Dは例えば 5. Omm、また長さは、処理槽 10の槽幅より
3
若干長くなつている。
各噴射口 17、 18は、所定の直径 φを有し、円形状筒体の中心 O力も所定の角度 aの箇所に形成されている。直径 φは例えば lmm、角度 αは例えば 30° である。
[0044] 各供給ノズル管 14a〜14c、 14a'〜14c'は、対向する側壁 12b、 12d面に噴射口 1 7a、 18bが所定の方向を向くようにして取付けられる。すなわち、一方の側壁 12bに は、 3本の供給ノズル管 14a〜14cが所定の間隔で上、中、下段にほぼ水平に取付 けられる。その際、下段の供給ノズル管 14cは、噴射口 17a、 18aの角度が水平方向 に対して上方へ 60° 、中段の供給ノズル管 14bは上方へ 20° 、さらに上段の供給ノ ズル管 14aは下方へ 45° 傾けて取付けられる。また、対向する他の側壁 12d面にも 同様の角度になるようにして 3本の供給ノズル管 14a'〜14c'が取付けられる。これら の角度に設定することにより、槽内にゥヱーハが収容されたとき、各噴射ロはゥエー ハのほぼ中心に向くことになる。
各供給ノズル管のうち、上段の供給ノズル管 14a、 14aは、純水供給専用に使用さ れ、他の供給ノズル管 14b、 14c、 14b \ 14c'は、薬液及び純水供給に兼用される。
[0045] 各供給ノズル管 14a〜14c、 14a'〜14c'を対向する側壁 12b、 12dに装着すること により、槽内において所定方向の流路を形成できる。
たとえば、所定薬液 Aの処理が終了した後、この薬液の供給を停止し、先ず、どち らか一方の側壁 (例えば図 3C中の左側壁 12b)に設けられた 3本の供給ノズル管 14 a〜14cのみ力も純水を供給して、内槽 12内の薬液 Aを所定時間追出し、続いて供 給ノズル管 14a〜 14cからの供給を止め、もう一方の側壁（例えば図 3C中の右側壁 1 2d)に設けられた 3本の供給ノズル管 14a'〜14c'力も純水を供給することで、徐々に 槽内の流れを変えて、槽内に淀んで追出しきれな力つた所定薬液 Aを更に追出し、 さらに、全ての供給ノズル管 14a〜14c、 14a'〜14c'から純水を供給して流量を増 大させるとともに流速を速めることにより短時間でゥエーハ W及び内槽 12の洗浄がで きる。これは、処理液の供給の向きは一気に変わる力 流れは一気に変わらず徐々 に変わることで、初めにできた淀みの箇所を徐々に移動して、残った薬液を速く排出 するものである。続く、薬液 Bによる処理に際しても同様の処理'洗浄を行い、このよう な処理'洗浄を繰り返すことにより、薬液、洗浄液の入れ換えスピードがアップし、同 ー槽において薬液、洗浄及び乾燥の一連の処理が可能になる。
[0046] さらにまた、上述では純水を供給する供給ノズル管を右側あるいは左側の一方から 切換供給するようにしたが、例えば側壁 12bに設けられた供給ノズル管 14a〜14cの うち下部（上部）に位置する供給ノズル管 14b、 14c (14a)と側壁 12dに設けられた供 給ノズル管 14a'〜14c'のうち上部（下部）に位置する供給ノズル管 14a' (14b'、 14c ')とを同時に使用すれば、処理槽 11内に渦状の流れを形成することができ、この供 給方向を必要に応じて切換えて供給することにより処理槽 11内の淀みをよりできにく くすることちでさる。
なお、供給ノズル管の本数及び取付け時の噴射口の角度は、上記の本数及び角 度に限定されず、任意の本数及び角度を選択してもよい。
[0047] 処理槽 11の底部 12aには、図 2に示すように、超音波発生装置 30が装着される。こ の超音波装置 30は、超音波発生器 32と、超音波伝達媒体、例えば水が貯留される 浅底の容器 31で構成される。超音波発生器 32は、所定周波数、例えば 10KHz〜 数 MHzを発する発振器が使用される。
[0048] 処理槽 11の底部 12aに超音波発生器 30を装着することにより、発信器から放射さ れた超音波は、水及び内槽 12の底部 12aを透過して処理液へ伝達される。そして、 この超音波は、処理液を振動させ、ゥ ーハの表面へ物理的な力として作用し、ゥェ ーハ表面に付着して 、る異物、汚染物質等のパーティクルを除去する。
[0049] 蓋体 21は、図 2に示すように、下方に開口部 22aを有し、上方が閉鎖され内部に複 数枚のゥ ーハ Wを収納できる大きさを有する箱型容器 22からなり、容器内は乾燥 室 23として使用される。この蓋体 21は、移動機構（図示省略）により上下又は水平方 向へ移動できるようになって 、る。
[0050] また、この箱型容器 22は、その上部にほぼアーチ状の天井面 25が形成され、この 天井面 25に乾燥ガスを噴射する複数個の噴射ノズル 24 〜24がほぼ等間隔に四 方に整列して配設されている。
[0051] 次に、図 5を参照して、処理装置と各種処理液供給部との配管接続を説明する。図 5は配管系統図を示し、その系統は、処理液供給系と排液処理系に大別される。
[0052] (i)処理液供給系
この処理液供給系は、処理装置 10の周辺に純水供給源 41、 41a、各種の薬液供 給源 42〜46及び不活性ガス供給源 38、 39が配設される。
純水供給源 41、 41aは、常温の純水を供給する純水供給源 41と、所定の温度、 2 5〜65°Cに加熱された純水を供給する温純水供給部 41aとからなる。また、薬液供 給源は、例えば HCLを供給する薬液 A供給源 42、同様に薬液 B (例えば H O )供
2 2 給源 43、薬液 C (例えば HF)供給源 44、薬液 D (例えば NH O )供給源 45、薬液 E
4 4
(例えば O +純水)供給源 46とからなる。
3
[0053] 上記各供給源 41〜46は、それぞれ配管 Lにより混合装置 40に接続される。ただし 、このうち純水供給源 41、 41aは、バルブ V 、 Vを介し混合装置 40を通さずに直接 処理槽 11の供給ノズル管 14a、 14a'へ純水が供給されるように接続される。この接 続により、各純水供給源 41、 41aからは、純水が混合装置 40を介さずに、大量に処 理槽へ供給される。
[0054] また、薬液供給源 42〜46は、配管 Lにより混合装置 40に接続され、この混合装置 40は、酉己管 Lにより処理槽 11の供給ノス、ノレ管 14b、 14c、 14b \ 14c'に接続される。 そして、各薬液供給源 42〜46から供給される薬液は、純水に薬液単体又は各薬液 が混合されて、所定の濃度に調整され、処理槽 11へ供給される。その混合割合は、 後述する各種処理プロセス（図 11、図 12)に使用する薬液において、薬液 APMは、 NH OH :H O： H 0の混合割合が1 : 2 : 50〜1 : 1 : 200、薬液011?は、11? :11 O
4 2 2 2 2 の混合割合が 1： 100〜1： 1000、さらに薬液 HCLの混合割合が HCL :H 0= 1： 1
2
00〜1： 1000となるように混合され、また、 Oの濃度は、 0〜： LOppmである。
3
[0055] 不活性ガス、例えば窒素ガスを供給する不活性ガス供給源 38、 39は、それぞれバ ルブ Vを介して、蓋体 21に設けられた噴射ノズル 24〜24、及び乾燥蒸気供給装 置 35に配管 Lにより接続される。
[0056] 各噴射ノズル 24〜24は、全体形状が円錐状をなし先細の先端に開穴が形成さ れ、この開穴から乾燥ガスが噴射される。また、各噴射ノズル 24〜24には、ヒータ（ 図示省略)が付設されている。噴射ノズル自体は、既に公知であるので、詳細な説明 を省略する。更に、配管 LH及びこの管力も分岐された各分岐管には、管体の外周 壁面にヒータ（図示省略）が付設されている。このヒータには、例えばベルトヒータを使 用する。これらのヒータは、 CPU (図示省略）に接続され、この CPUによって制御され る。
[0057] 乾燥蒸気供給装置 35は、不活性ガス供給源 38、 39から蒸気発生槽 36の底部へ 不活性ガス (キャリアガス）が供給され、この蒸気発生槽 36に貯留されている IPA液 内に気泡 (パブリング)を発生させ、 IPA気体及びミストからなる IPA蒸気を生成させ る。また、この蒸気発生槽 37から導出された蒸気は、スタティックミキサ（図示省略)を 介して配管 LHに連結され、蒸気発生槽 36から噴射ノズル 24〜24へキャリアガス 及び IPA蒸気の混合ガスとして供給される。なお、スタティックミキサ（図示省略）はキ ャリアガス及び IPA蒸気カゝらなる混合ガスの混合度合いを促進して均質化させるため に設けられている。
[0058] 不活性ガスで IPA液をパブリングすることにより、 IPAミストと飽和濃度未満の気体と 力もなる IPA蒸気を含む不活性ガスとの混合ガスが得られ、その混合ガスは噴射ノズ ルカ 放出されるまでに同じ温度か或いは徐々に高くなるように温度制御されている ので、移動中に IPAミストの表面から徐々に IPAが気化してミストの粒径が小さくなり、 容易にサブミクロンサイズの IPAミストを含む乾燥ガスが得られる。有機溶剤は、 IPA の他、ジアセトンアルコール、 1ーメトキシー2—プロパノール、ェチル 'グリコール、 1 —プロパノール、 2—プロパノール、テトラヒドロフラン等の有機化合物力 なる群から 適宜選択して使用される。
[0059] この乾燥ガスを用いると、有機溶剤の蒸気に含まれるミストは、サブミクロンサイズに 極小化されているので、有機溶剤の使用量を増やすことなぐ有機溶剤のミストの粒 数を増大させることができる。そのため個々のミストの表面積は小さくなるものの、一 方で粒数が多くなつた分だけ個々のミストの表面積の総和である全体の表面積が増 大される。
また、サブミクロンサイズのミストを大量にゥエーハ表面に噴射できるようになるので 、ゥエーハに付着している洗浄液がこの大量のサブミクロンサイズの有機溶剤ミストに よって効率よく置換される。その結果、複数の供給ノズルとキャリア N量の調整も伴つ
2
て多数の大径ゥエーハが処理槽内に挿入されていても、サブミクロンサイズのミストは 急速に基板間に浸入できるので、乾燥処理効率が向上すると共に処理時間も短縮 でき、ゥ ーハ表面のウォータマークの発生が極めて少なぐ或いは殆ど零にできる。 さらに、パーティクルの付着もなくなり、し力も、乾燥処理のスピードが速くなるのでパ 一ティクルの再付着をも防止できるようになる。
[0060] 不活性ガス供給源 38、 39からは、配管 LHに不活性ガスとして窒素ガス Nが供給
2 される。この配管 LHもベルトヒータにより所定の温度に制御されている。この窒素ガ ス Nは、蒸気発生槽 36からの不活性ガスと有機溶剤蒸気との混合ガスの希釈だけ
2
でなぐ処理槽内のパージや仕上げ乾燥にも使用される。なお、不活性ガスとしては
、窒素ガス Nの他に、アルゴン、ヘリウム等を適宜選択して使用できる。また、図中の
2
MFCは流量計である。 [0061] (ii)排液処理系
この排液処理系は、薬液、水を処理する液体処理設備と、乾燥ガス等の気体を処 理する気体処理設備とがある。液体処理設備は、純水処理部 53、アルカリ処理部 54 、酸処理部 55、 HF処理部 56、有機処理部 57、有機ガス処理部 58である。また、槽 上部の気体処理設備は、有機物処理部 50、酸処理部 51、アルカリ処理部 52である 。そして、各処理設備 50〜58は、処理装置 10に接続されている。
[0062] 次に、この処理装置を用いたゥエーハの薬液、洗浄及び乾燥の一連の処理を図 5 〜図 9を用いて説明する。先ず、純水供給源 41から処理槽 11の内槽 12へ純水 DI Wを供給し、内槽を洗浄する。このとき蓋体 21は、処理槽 11の上方或いは上方側部 に待機させておく（図 6A)。
[0063] 槽内の洗浄後、純水 DIWを排出し、薬液供給源、例えば供給源 42から薬液 Aを槽 内の供給ノズル管 14b、 14c、 14b \ 14c'へ供給する（図 6B)。この薬液 Aが槽 12内 に貯留された後に、ゥエーハ Wを薬液 Aに浸漬して処理を行う（図 6C)。薬液 Aの処 理が終了した後に、純水供給源 41から、一方の側壁面の供給ノズル管 14a〜 14cか ら純水を供給し、所定時間の後これを止め、もう一方の側壁の供給ノズル管 14a〜1 4c'から純水を供給し、最後に純水 DIWを供給ノズル管 14a〜14c、 14a'〜 14c'か ら一斉に供給する（図 7A)。
[0064] この純水 DIWによる洗浄（図 7B)が終了した後、薬液供給源、例えば供給源 43か ら薬液 Bを供給ノズル管 14b、 14c、 14b \ 14c'へ供給し、薬液 Bによる処理及び純 水による洗浄を行う（図 7C)。以後、同様にして必要に応じて薬液 C及び Dを用いた 処理を行う。
[0065] 最後の薬液、例えば薬液 Dを用いた処理が終了した後に、純水供給源 41、 41bか ら全ての供給ノズル管 14a〜14c、 14a'〜14c，に純水を供給し、ゥエーハ Wの洗浄 を行う。
[0066] この洗浄が終了した後に、ゥエーハ Wを処理槽 11から引き上げ蓋体 21内の乾燥室 2 3へ収容し、 IPAのマイクロミストを含む乾燥ガスを噴射口 24 〜24から噴射する（図 8A)。
[0067] 次いで、排出口 19 (図 2、図 3参照）を全開にして、内槽 12内の純水を急速排出す る。この排出時には、マイクロミストを含む IPAの乾燥ガスを噴射口 S^ S^から供 給し続けて、ゥエーハ Wの乾燥を行う（図 8B、図 8C)。
[0068] この乾燥処理が終了した後に、不活性ガス供給源 38、 39から窒素ガス (N )を乾
2 燥室 23に供給し（図 9A)、その後、ゥエーハ Wを乾燥室 23から取出して処理を終了 する（図 9B)。
[0069] 上記の処理プロセスでは、一般的な薬液 A、 Bを用いた処理を説明した力 具体的 には以下の薬液処理プロセスを実行することができる。以下、代表的な処理プロセス について説明する。
[0070] (1)汚れ除去処理プロセス
図 10Aに示す処理プロセスは、ゥエーハに付着した有機性汚れ、パーティクル、酸 化膜、金属不純物等を除去するプロセスで通常に RCAプロセスと呼ばれている。ここ では純水 DIWにゥエーハを投入するプロセスにつ!/、て説明する。この処理プロセス では、先ず、純水供給源 41から内槽 12へ純水 DIWを供給し、槽内を洗浄する。この 洗浄の後、ゥエーハ Wを投入し、時点 tで薬液供給源 43、 45から混合装置 40により 、薬液 APMの供給を開始し、供給量を調整しつつ、槽 12内の純水を追い出し薬液 APMに入れ換える。この薬液を一定濃度にしてゥエーハ Wの処理を行う。この処理 により、ゥエーノ、 Wの有機性汚れ及び付着粒子等の除去がされる。
[0071] 薬液 APMの供給を時点 tまで継続した後、この薬液の供給を停止し、代わって再
2
び純水供給源 41、 41aから純水 DIWの供給を開始し、内槽 12内を薬液 APMから 純粋 DIWへ置換する。時点 t 〜tまで純水で洗浄した後、時点 tで純水の供給を停
3 4 4
止し、代わって薬液供給源 44から薬液 DHFの供給を開始し、槽内を薬液 DHFに置 換して、この薬液によるゥエーハの処理を時点 tまで継続する。この処理により、酸ィ匕
6
膜が除去される。し力しながら時点 t以前の時点 tにおいて薬液 DHFの供給を停止
6 5
すると同時に、純水 DIWの供給を開始し、槽内を再び純水により置換を開始してい る。置換後、純水による洗浄を行う。
[0072] 以後、同様の手順で薬液 HPM、純水 DIW及び薬液 Oの処理を行う。この処理に
3
より、ゥ ーハ Wの金属不純物が除去される。その後、最後の純水 DIWによる洗浄が 終了した後に、乾燥処理を行う。 また、この処理プロセスにおいて、薬液 APM処理、及び最後の洗浄処理において 、時間 T、 T、超音波発振装置 30を作動させて、薬液及び洗浄液との両方で超音
1 2
波処理を行う。
[0073] (2)エッチング処理プロセス
図 10B、図 11Aは、エッチング処理プロセスを示したもので、図 10Bの処理プロセ スは、薬液 H O、純水 DIW、薬液 DHF及び薬液 HPMによるものである。この処理
2 2
プロセスでは、薬液 DHFと薬液 HPMとが所定の濃度 Xppmで混合される。これは同 一の処理槽で処理しているため可能となったプロセスである。
[0074] また、図 11Aの処理プロセスは、 Oを純水に溶解した O水を使用し、次いで薬液
3 3
DHFで処理するものである。これらの処理プロセスは、図 5の処理装置で行われる。 処理手順は、上記（1)と同様なので説明を省略する。
[0075] (3)最終洗浄プロセス
図 11Bは、ゥエーハの最終洗浄プロセスを示し、薬液 APM、純水 DIW、薬液 DHF 及び薬液 HCLにより処理される。この処理プロセスは、図 5の処理装置で行われる。 処理手順は、上記（1)と同様なので説明を省略する。このプロセスの特徴は O
3水を 完全に止めずに少量流し続けるところにあり、これも同一の処理槽で処理しているた めに可能となったプロセスである。

Claims

請求の範囲
[1] 上方に開口部を有する箱型の処理槽と、この処理槽の開口部を開閉自在に覆う蓋 体とを備えた基板処理装置にぉ ヽて、
前記蓋体は、その内部に被処理基板を収容して乾燥する乾燥室が形成され、前記 処理槽は、前記箱型を構成する対向各側壁面に、それぞれ少なくとも 3本の処理液 供給ノズル管が所定間隔をあけて水平に配設され、これらの供給ノズル管は切 構に接続されて対向する側壁側力 交互に切り換えて処理液が供給されるようにな つて!/ヽることを特徴とする基板処理装置。
[2] 前記対向各側壁面の少なくとも 3本の供給ノズル管のうち、 1本は純水専用の供給 ノズル管であることを特徴とする請求項 1に記載の基板処理装置。
[3] 前記少なくとも 3本の供給ノズル管は、それぞれ長手方向に少なくとも 1列に所定ピ ツチで複数個の噴射穴が形成された中空筒状体力ゝらなり、これらの少なくとも 3本の 供給ノズル管は、前記各噴射穴を垂直方向に配列される被処理基板に向けて前記 対向する側壁にそれぞれ取付けられていることを特徴とする請求項 1に記載の基板 処理装置。
[4] 前記処理槽は、その底壁が水平方向に対して所定の角度傾斜され、その傾斜面の 低端部に排出口が形成されていることを特徴とする請求項 1に記載の基板処理装置
[5] 前記処理槽は、その底壁の外壁面に超音波発生装置が取付けられていることを特 徴とする請求項 1〜4のいずれかに記載の基板処理装置。
[6] 前記乾燥室は、複数個の噴射ノズルが配設され、これらの噴射ノズルは、サブミクロ ンサイズの有機溶剤ミストを含む乾燥蒸気を供給するための乾燥蒸気供給装置に接 続されて!ヽることを特徴とする請求項 1に記載の基板処理装置。
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