JP3321726B2 - 洗浄処理方法及びその装置 - Google Patents

洗浄処理方法及びその装置

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JP3321726B2 JP22736396A JP22736396A JP3321726B2 JP 3321726 B2 JP3321726 B2 JP 3321726B2 JP 22736396 A JP22736396 A JP 22736396A JP 22736396 A JP22736396 A JP 22736396A JP 3321726 B2 JP3321726 B2 JP 3321726B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば半導体ウ
エハやLCD用ガラス基板等の被処理体を薬液にて処理
した後、洗浄液にて洗浄する洗浄処理方法及びその装置
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体製造装置の製造工程にお
いては、半導体ウエハやLCD用ガラス基板等(以下に
ウエハ等という)の被処理体を薬液やリンス液(洗浄
液)等の処理液が貯留された処理槽に順次浸漬して洗浄
を行う洗浄処理方法が広く採用されている。
【0003】このような洗浄処理方法の一例として、処
理槽内に被処理体例えば半導体ウエハ(以下にウエハと
いう)を保持手段例えばウエハボートによって保持した
状態で収容し、薬液供給ノズル等から薬液例えばアンモ
ニア、塩酸あるいはフッ化水素酸等の薬液をウエハに供
給(噴出)すると共に、循環供給すなわち処理槽から外
槽にオーバーフローさせ、外槽から再び処理槽内に循環
して、ウエハに付着するパーティクルや金属イオン等の
汚染物を除去するか酸化膜の除去等を行った後、薬液を
排出し、その後、処理槽内に洗浄液例えば純水を急速供
給(給水)し、ウエハを浸漬すると共に、オーバーフロ
ーさせてウエハを洗浄処理する方法が採用されている。
【0004】また、別の洗浄処理方法として、処理槽内
に収容されたウエハの下方から純水を噴出してジェット
リンスする洗浄方法が知られている。更には、ジェット
リンスと同時あるいは単独にウエハに純水をシャワー状
に接触させてシャワーリンスする洗浄処理方法も知られ
ている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者す
なわち薬液処理後、処理槽に純水を急速供給(給水)す
る方法においては、処理槽内に薬液が残留するため、薬
液が純水に置換されて所定の比抵抗値になるまでに多く
の時間を要する。したがって、純水の消費量を多くして
純水の無駄が生じると共に、洗浄効率の低下をきたすと
いう問題があった。
【0006】また、後者すなわちウエハの下方から純水
を噴出して洗浄する方法においては、図17(a)に示
すように、処理槽a内に収容されるウエハWの下方に配
設される洗浄液供給手段例えばジェットノズルbからウ
エハWに向けて純水1を噴出すると、ジェットノズルb
から噴出された純水1が噴水状態となり、処理槽aの外
へ飛散し周囲を汚す虞れがあった。
【0007】この問題を解決する手段として、例えば図
17(b)に示すように、シャワーノズルcから純水1
を供給してジェットノズルbが純水1に完全に漬かった
後に、開閉弁dを開放してジェットノズルbから純水1
を噴出する方法が考えられる。しかし、この方法では、
シャワーノズルcから供給される純水1の量が少ないた
め、ジェットノズルbから純水1を噴出するまでに多く
の時間を要し、洗浄処理に多くの時間を要する。また、
ジェットノズルbから純水を噴出するタイミングすなわ
ち時間制御を正確に行うことができないという問題があ
る。
【0008】また、別の解決手段として、図17(c)
に示すように、純水供給ラインA又はBから処理槽a内
に純水1を供給し、ジェットノズルbが純水1に完全に
漬かった後にジェットノズルbから純水1を噴出する方
法も考えられる。しかし、この方法においては、純水供
給ラインA又はBを設ける必要があるため、装置の大型
化を招くと共に、コストが嵩むという問題がある。しか
も、図17(b)の方法と同様に、ジェットノズルbか
ら純水を噴出するタイミングすなわち時間制御を正確に
行うことができないという問題がある。
【0009】また、更に別の解決手段として、図17
(d)に示すように、純水供給ラインeに介設される開
閉弁に代えて節水付き開閉弁fを用い、処理槽aの清浄
性を保つために節水状態で純水1を供給(純水を約3〜
4リットル/分供給)して、ジェットノズルbが純水に
完全に漬かった後、ジェットノズルbから純水1を大流
量で供給するようにする方法も考えられるが、この方法
においても、ジェットノズルから純水を噴出するタイミ
ングすなわち時間制御を正確に行うことができないとい
う問題があり、また、節水流量が少ないためジェットノ
ズルから純水を吹き出すのに時間を要するという問題が
ある。
【0010】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、洗浄液の使用量を削減すると共に、洗浄効率の向上
を図れるようにした洗浄処理方法及びその装置を提供す
ることを目的とするものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1記載の発明は、被処理体に薬液を接触させ
て薬液処理を施し薬液を排液する工程と、その後に上記
被処理体を収容する処理槽内に洗浄液を供給して被処理
体を浸漬し洗浄処理する洗浄工程と、を有する洗浄処理
方法において、上記薬液処理を施して薬液を排液した後
又は排液中に、上記被処理体に上記洗浄液をシャワー状
に接触させて被処理体を予備洗浄し、その後、上記洗浄
工程を繰り返し行うことを特徴とする。
【0012】請求項2記載の発明は、請求項1記載の洗
浄処理方法において、上記処理槽内に不活性ガスを供給
して洗浄液中への二酸化炭素の溶け込みを防止すると共
に、供給手段から供給される洗浄液を処理槽からオーバ
ーフローさせて洗浄処理を行うようにしたことを特徴と
する。
【0013】請求項3記載の発明は、処理槽内に収容さ
れる被処理体の下方に配設される洗浄液供給手段から被
処理体に向けて洗浄液を噴出して被処理体を洗浄する洗
浄処理方法において、上記洗浄液供給手段から噴出され
る上記洗浄液により洗浄液供給手段が漬かった後、洗浄
液の吐出量を変化させて被処理体を洗浄することを特徴
とする。
【0014】請求項4記載の発明は、被処理体を収容す
る処理槽と、この処理槽内において上記被処理体より下
方に配設され、被処理体に向けて洗浄液を噴出する洗浄
液供給手段とを具備する洗浄処理装置において、上記洗
浄液供給手段に流量調整手段を介して洗浄液供給源を接
続し、上記流量調整手段を、上記処理槽内の洗浄液の液
量検出手段からの検出信号に基いて制御可能にした、こ
とを特徴とする。
【0015】請求項1記載の発明によれば、薬液処理を
施して薬液を排液した後又は排液中に、洗浄液を被処理
体にシャワー状に供給することにより、被処理体に付着
した残留薬液を除去することができる。また、洗浄工程
を繰り返し行うことにより、薬液処理後に残留する薬液
の除去及び洗浄液への置換の時間を短縮することができ
ると共に、洗浄液の所定の比抵抗値への回復時間を短縮
することができる。したがって、洗浄液の使用量の削減
が図れると共に、洗浄効率の向上を図ることができる。
また、洗浄液を急速供給することにより、スループット
の向上が図れる点で好ましい。
【0016】請求項記載の発明によれば、処理槽内に
不活性ガスを供給して洗浄液中への二酸化炭素の溶け込
みを防止すると共に、供給手段から供給される洗浄液を
処理槽からオーバーフローさせて洗浄処理を行うこと
で、洗浄液の所定の比抵抗値への回復時間を短縮するこ
とができる。したがって、洗浄効率の向上が図れる共
に、洗浄液の使用量の削減、洗浄時間の短縮化を図るこ
とができる。
【0017】請求項3又は4記載の発明によれば、洗浄
液供給手段から噴出される洗浄液により処理槽内の洗浄
液の深さによって洗浄液供給手段が漬かった後、洗浄液
の吐出量を変化例えば増大させて被処理体を洗浄するこ
とにより、洗浄液の処理槽外への飛散を防止することが
できる共に、洗浄液の供給時間の短縮を図ることができ
る。
【0018】
【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施の形態を
図面に基いて詳細に説明する。この実施形態では半導体
ウエハの洗浄処理装置に適用した場合について説明す
る。
【0019】◎第一実施形態 図1はこの発明に係る洗浄処理装置の第一実施形態を示
す概略断面図である。
【0020】上記洗浄処理装置は、被処理体である半導
体ウエハW(以下にウエハという)を収容する処理槽1
0と、この処理槽10の上端開口部に連接し、処理槽1
0からオーバーフローした薬液例えばアンモニア,塩酸
あるいはフッ化水素酸等の薬液や洗浄液例えば純水1を
受け止める外槽11と、処理槽10内において所定枚数
例えば50枚のウエハWを適宜間隔をおいて配列した状
態で保持する保持手段例えばウエハボート30と、処理
槽10内に急速供給される純水1を収容する純水収容タ
ンク20(以下に純水タンクという)と、純水1を処理
槽10内のウエハW及び外槽11に供給する洗浄液供給
手段例えばシャワーノズル40と、純水タンク20内の
純水1を処理槽10内のウエハW及び処理槽内に供給す
る供給ノズル28と、処理槽10の底部に配設されてウ
エハWに薬液又は純水1を供給する供給手段例えばジェ
ットノズル42を具備してなる。
【0021】上記処理槽10及び外槽11は、耐食性及
び耐薬品性に富む材質例えば石英にて形成されている。
また、処理槽10の底部には排液口10aが設けられ、
この排液口10aにドレン弁12を介してドレン管13
が接続されている。なお、排液口10aの上部にはメッ
シュ17が敷設されており、このメッシュ17によって
処理槽10から排出される薬液中のごみ等を回収し得る
ようになっている。なお、処理槽10の上部側例えば処
理槽10の上端から20〜40mmの位置には純水取出
管18が接続されており、この純水取出管18に接続さ
れる比抵抗値検出器19によって処理槽10内の純水の
比抵抗値が測定されるように構成されている。
【0022】また、外槽11の底部には排液口11aが
設けられており、この排液口11aと上記ジェットノズ
ル42とに循環管路43が接続されている。この循環管
路43には排液口11a側から順に、ポンプ44,ダン
パ45及びフィルタ46が介設されている。フィルタ4
6とジェットノズル42との間に切換弁47を介して純
水供給源48が接続されている。また、排液口11aと
ポンプ44との間には切換弁51を介してドレン管52
が接続され、また、切換弁49を介して薬液供給源50
が接続され、フィルタ46と切換弁47との間には、ド
レン弁53を介してドレン管54が分岐されている。
【0023】この場合、ジェットノズル42は、図2に
示すように、ウエハボート30にて保持されたウエハW
の下方両側に配設されるパイプ状のノズル本体42aの
長手方向に適宜間隔をおいて穿設される多数のノズル孔
42bを具備した構造となっている。
【0024】上記のように、ジェットノズル42と外槽
11の排液口11aとの間に循環配管系を設けることに
より、薬液供給源50からポンプ44により処理槽10
内に供給される薬液を処理槽10からオーバーフローさ
せ、薬液循環終了後、循環管路43を循環させてジェッ
トノズル42から再度ウエハWに供給させながらウエハ
Wの表面に付着するパーティクルや金属イオンや酸化膜
等を除去することができる。また、薬液を排液した後、
切換弁47を切り換えて純水供給源48から供給される
純水をジェットノズル42からウエハWに噴射してウエ
ハWに付着する薬液を除去することができる。なおこの
場合、処理槽10からオーバーフローした純水はドレン
管52を介して排出される。
【0025】一方、上記純水タンク20は、図1に示す
ように、密閉状のタンク本体21の上端に、処理槽10
に純水1を供給するための外気導入口22が設けられて
いる。また、タンク本体21内には、タンク内の純水1
の量を一定に維持するためのオーバーフロー管23が配
設されると共に、タンク本体21の外側近傍には、純水
1の液面の上限,下限及び適量を検出する上限センサ2
4a,下限センサ24b及び適量センサ24cが配設さ
れ、これらセンサによってタンク内に常時所定量の純水
1が収容されるようになっている。この場合、タンク内
の純水1の容量は少なくとも処理槽10内に急速供給さ
れる1回分の量例えば35リットル(l)以上である必
要があり、好ましくは2回分の急速供給量例えば70リ
ットル(l)収容する方がよい。なお、タンク本体21
の底部には例えば石英管内にヒーター線を貫挿したヒー
ター25が配設されており、タンク内の純水1を所定温
度例えば60〜80℃に加熱し得るようになっている。
なお、タンク内の純水1を60〜80℃に加熱する理由
は、純水1のリンス効率を高めるようにしたためであ
る。
【0026】上記のように構成される純水タンク20の
タンク本体21の底部に設けられた供給口(図示せず)
と供給ノズル28とは供給管26を介して接続されてお
り、供給管26に介設された供給弁27の開閉によって
純水タンク20内の純水1が供給ノズル28から処理槽
10内のウエハW及び外槽11に供給されるように構成
されている。
【0027】一方、上記シャワーノズル40は、開閉弁
29を介設する工場の純水供給配管26aと接続され図
1及び図2に示すように、処理槽10の対向する両側辺
の上方に配設されており、各シャワーノズル40は、パ
イプ状のノズル本体40aの下側の処理槽内側に適宜間
隔をおいて多数のウエハ洗浄用ノズル孔40bを穿設し
てなる。
【0028】このように構成されるシャワーノズル40
と上記ジェットノズル42から噴出される純水1が処理
槽10内に保持されるウエハWに向かって供給されるこ
とにより、ウエハWを予備洗浄することができ、その
後、供給ノズル28より純水タンク20内の純水が急速
に供給される。
【0029】上記ウエハボート30は、図2に示すよう
に、処理槽10の外側に配設される昇降機構31に連結
される取付部材32にボルト32aをもって固定される
一対の(図面では一方のみを示す)逆T字状の支持部材
33と、これら支持部材33の間の中央下端部に架設さ
れる1本の中央保持棒34と、支持部材33間の左右両
側端部に互いに平行に架設される2本の側部保持棒35
とで構成されており、昇降機構31の駆動によって処理
室12内を昇降し得るように構成されている。なおこの
場合、中央保持棒34及び側部保持棒35にはそれぞれ
長手方向に適宜間隔をおいて複数個例えば50個の保持
溝34a,35aが設けられている。これら保持棒3
4,35は、耐食性、耐熱性及び耐強度性に優れた材
質、例えばポリエーテルエーテルケトン(PEEK)製
あるいは石英製部材にて形成されている。
【0030】次に、上記第一実施形態の洗浄処理装置に
よるウエハWの薬液処理及び洗浄処理の手順について、
図3に示すタイムチャート及び図4ないし図9に示す概
略断面図を参照して説明する。まず、図示しないウエハ
チャックによって搬送される複数枚例えば50枚のウエ
ハWをウエハボート30にて受け取って処理槽10内に
配置した後、薬液供給源50から処理槽10内に薬液例
えばアンモニア,塩酸あるいはフッ化水素酸等の薬液2
を供給し、この薬液2を処理槽10からオーバーフロー
させると共に、循環管路43のポンプ44の駆動によっ
てオーバーフローされた薬液2をジェットノズル42か
らウエハWに向けて噴射してウエハWの表面に付着した
パーティクルや金属イオンや酸化膜等の除去を行う(薬
液循環処理;図4参照)。
【0031】薬液処理を所定時間行った後、薬液2の循
環供給を停止すると共に、処理槽10内の薬液2を排液
口10aに接続するドレン管13から排出する共に、循
環管路43中の薬液をドレン管52,54から排出する
(薬液排出;図5参照)。
【0032】次に、ポンプ44を停止し、切換弁47を
開放して純水供給源48から供給される純水1をジェッ
トノズル42からウエハWに向けて噴射してウエハWの
洗浄を行うと共に、切換弁29を開放して工場の純水ラ
インから供給される純水1をシャワーノズル40からウ
エハWに向けてシャワー状に供給してウエハWに付着す
る残留薬液を除去する(予備洗浄;ジェット/シャワー
リンス;図6参照)。なお、この予備洗浄は、薬液排液
中に行ってもよい。
【0033】次に、切換弁29とドレン弁12を閉じて
シャワーノズル40からの純水供給を停止し、供給弁2
7を開放して純水タンク20内の純水を供給ノズル28
から外槽11内に急速供給(給水)し、外槽11から処
理層10内に純水1を供給して、ウエハWの洗浄処理を
行う(第1回目の洗浄処理;図7参照)。この際、ジェ
ットノズル42からの純水1の供給は停止してもよく、
あるいは図3に想像線で示すように、ジェットノズル4
2から純水を供給し続けてもよい。なお、この純水1の
急速供給(給水)の際には、必ずシャワーノズル40か
ら純水1の供給は停止する必要がある。その理由は、シ
ャワーノズル40からシャワー状に純水1を供給するこ
とにより、純水1中に二酸化炭素(CO2)が混入し、
このCO2の混入により純水1の比抵抗値が低下して所
定の比抵抗値に達するまでに多くの時間を要するからで
ある。
【0034】所定量の純水1を急速供給(給水)した
後、供給弁27を閉じて純水タンク20からの純水1の
供給を停止すると共に、ドレン弁12と切換弁51を開
放して処理層10と外槽11内の純水1を排液する(排
液工程;図8参照)。このとき、ジェットノズル42か
らの純水1の供給を行っている場合には、切換弁49を
閉じてジェットノズル42からの純水1の供給を停止す
る。
【0035】次に、再度供給弁27を開放して純水タン
ク20内の純水を供給ノズル28から外槽11内に第2
回目の急速供給(給水)を行い、処理層10内に純水1
を供給する(第2回目の洗浄処理;図9参照)。この
際、切換弁47を開放して純水供給源48から供給され
る純水1をジェットノズル42から噴出し、処理層10
から外槽11にオーバーフローさせてウエハWの洗浄処
理を行う。
【0036】所定量の純水1を急速供給(給水)した
後、供給弁27を閉じて純水タンク20からの純水1の
供給を停止した後、比抵抗値測定器19によって処理層
10内の純水1の比抵抗値を測定し、処理槽10内の純
水1が所定の比抵抗値に達した時点で、ウエハWは図示
しないウエハチャックによって把持されて外部に取り出
される。
【0037】◎第二実施形態 図10はこの発明に係る洗浄処理装置の第二実施形態を
示す概略断面図、図11は第二実施形態の動作態様を説
明する概略断面図である。
【0038】第二実施形態は、ジェットノズル42から
噴出される純水1の流量を調整して処理層10の外部へ
の純水の飛散を防止するようにした場合である。すなわ
ち、ジェットノズル42と上記純水供給源48との間に
介設される切換弁47Aを小流量と大流量に切換可能な
開閉弁にて形成する一方、処理槽10の外側部における
ジェットノズル42の上端の高さ位置近くに液面検出手
段例えば液面センサ55を配設し、この液面センサ55
にて検出された信号を制御手段例えば中央演算処理装置
56(CPU)に送り、CPU56からの制御信号に基
いて切換弁47Aを操作すなわち開閉、小流量または大
流量に切換動作させるように構成した場合である。な
お、ここで、小流量とは、ジェットノズル42から噴出
される純水1が処理槽10の外部に飛散しない範囲の流
量を意味するが、処理槽10の外部に飛散しない範囲で
可及的に大流量である方が好ましい。
【0039】上記のように構成することにより、上述し
たように、薬液処理が施されて薬液が排液された後、純
水供給源48から供給される純水をジェットノズル42
からウエハWに向けて噴出するに当って、まず、切換弁
47Aを小流量の動作位置に切り換えてジェットノズル
42から純水1を噴出する(図11(a)参照)。この
状態では、ジェットノズル42から噴出される純水1は
処理槽10の外部に飛散されずに処理槽10内のウエハ
Wに向かって供給されてウエハWの洗浄処理(ジェット
リンス)が行われる。そして、処理槽10内に純水1が
貯留し、ジェットノズル42の上端まで純水1が達する
と液面センサ55によってその液面が検出されて、その
検出信号がCPU56に伝達され、CPU56において
予め記憶された情報と比較演算される。そして、CPU
56からの制御信号によって切換弁47Aが切り換え動
作し、大流量の純水1がジェットノズル42から噴出さ
れ、安全に素早く処理槽10内に純水1を供給すること
ができる(図11(b)参照)。したがって、別の供給
ラインを設ける必要がなくなるので、スペース面及びコ
スト面で有利となり、また、純水1が処理槽10外に飛
散するのを防止することができる。しかも、液面センサ
55によって処理槽10内の純水1の液面を管理してい
るため、最適な状態で純水1の流量を切り換えることが
できるので、スループットの向上を図ることができる。
【0040】なお、上記説明では、液面検出手段を液面
センサ56にて形成する場合について説明したが、液面
検出手段は必しも液面センサ55である必要はなく、例
えば図10に二点鎖線で示すように、処理槽10内に垂
直に挿入される検出管55aに例えばN2ガスを挿入し
て、その加圧状態によって液面を検出する検出手段を用
いてもよく、あるいは、ジェットノズル42が洗浄液に
漬かってしまう時間を予測(記憶)して時間でも管理す
ることができる。また、上記説明では、切換弁47Aが
小流量と大流量に切換可能な開閉弁にて形成される場合
について説明したが、図10(b)に示すように、小流
量と大流量とを切り換える切換弁47Bと開閉弁47C
とを直列に接続した弁機構であってもよく、あるいは、
図10(c)に示すように、大流量の開閉弁47Dと、
大流量と節水を切り換える節水機能付き切換弁47E
と、大流量と小流量とを切り換える切換弁47Fとを直
列に接続した弁機構であってもよい。
【0041】なお、第二実施形態において、その他の部
分は上記第一実施形態と同じであるので、ここでは同一
部分に同一符号を付して、その説明は省略する。
【0042】◎第三実施形態 図12はこの発明にかかる洗浄処理装置に第三実施形態
の概略断面図、図13はその要部の側面図である。
【0043】第三実施形態は、リンス工程時に、純水1
内にCO2が混入して純水1の比抵抗値が低下し、純水
の消費量の無駄が生じるのを防止すると共に、洗浄効率
の向上を図れるようにした場合である。すなわち、上記
ジェット/シャワーリンス時に処理槽10及び外槽11
の開口部を閉塞して、処理槽10内に不活性ガス例えば
N2ガスを供給することにより、純水1へのCO2の混入
を抑制するようにした場合である。
【0044】この場合、上記処理槽10及び外槽11の
開口部に、観音開き状に開閉する一対の蓋体60が装着
されており、図14及び図15に示すように、この蓋体
60の各々には、一端から他端に向かって二又状に延び
るN2供給ノズル61が配設されている。このN2供給ノ
ズル61には下方すなわち閉塞状態の処理槽側に適宜間
隔をおいて多数の噴出孔(図示せず)が設けられてお
り、また端部には図示しないN2供給源に接続するN2供
給管62が接続されている。
【0045】上記のように構成することにより、上記リ
ンス時に蓋体60が閉塞され、図示しないN2供給源か
ら供給されるN2ガスをN2供給ノズル61のノズル孔か
ら処理槽内に供給されると、処理槽10の上部雰囲気中
のCO2がN2に置換され、純水1中へのCO2の溶け込
みを防止することができる。したがって、純水1の比抵
抗値の低下を抑制することができ、純水1の消費量の削
減が図れると共に、洗浄効率の向上を図ることができる
と同時に、酸素(O2)の巻き込みによるウエハWへの
自然酸化膜の成膜も防げる。なお、処理槽10と蓋体6
0とが密閉状態でない場合は、蓋体60と処理槽10の
密閉性を上げるために、処理槽10にカバー63を取り
付けると、更に効果がある。
【0046】なお、第三実施形態において、その他の部
分は上記第一実施形態及び第二実施形態と同じであるの
で、同一部分には同一符号を付して、その説明は省略す
る。
【0047】◎その他の実施形態 上記のように構成される洗浄処理装置は単独の薬液・洗
浄処理装置として使用できる他、ウエハの洗浄・乾燥処
理システムに組み込んで使用することができる。上記ウ
エハの洗浄・乾燥処理システムは、例えば図16に示す
ように、未処理のウエハWを収容する搬入部70aと、
ウエハWの洗浄処理及び乾燥処理を行なう洗浄・乾燥処
理部71と、乾燥処理後のウエハWを収容する搬出部7
0bと、洗浄・乾燥処理部71の側方に配設されて所定
枚数例えば50枚のウエハWの搬送を行なう複数例えば
3基のウエハチャック80とで主要部が構成されてい
る。
【0048】上記洗浄・乾燥処理部71には、搬入部7
0aから搬出部70bに向かって直線状に順に、第1の
チャック洗浄・乾燥ユニット72、第1の薬液処理ユニ
ット73、第1の水洗処理ユニット74、上記洗浄処理
装置を具備する第2の薬液例えばアンモニア液処理ユニ
ット75、第3の薬液例えばフッ化水素酸(HF水溶
液)処理ユニット76、第2の水洗処理ユニット77、
第2のチャック洗浄・乾燥ユニット78及び乾燥処理ユ
ニット79が配設されている。
【0049】上記のように構成される洗浄・乾燥処理シ
ステムにおいて、未処理のウエハWは、ウエハチャック
80によって上記洗浄・乾燥処理部71の各処理ユニッ
ト73,74,75,76及び77に順次搬送されて、
所定の薬液処理及び洗浄処理が施された後、乾燥処理ユ
ニット79に搬送されて乾燥処理される。
【0050】なお、上記実施形態では、この発明の洗浄
処理装置を半導体ウエハの洗浄処理装置に適用した場合
について説明したが、半導体ウエハ以外のLCD用ガラ
ス基板等の被処理体の乾燥処理にも適用できることは勿
論である。
【0051】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、上記のように構成されているので、以下のような優
れた効果が得られる。
【0052】1)請求項1記載の発明によれば、薬液処
理を施して薬液を排液した後又は排液中に、洗浄液を被
処理体にシャワー状に供給することにより、被処理体に
付着した残留薬液を除去することができる。また、洗浄
工程を繰り返し行うことにより、薬液処理後に残留する
薬液の除去及び洗浄液への置換の時間を短縮することが
できると共に、洗浄液の所定の比抵抗値への回復時間を
短縮することができるので、洗浄液の使用量の削減が図
れると共に、洗浄効率の向上を図ることができる。
【0053】2)請求項記載の発明によれば、処理槽
内に不活性ガスを供給して洗浄液中への二酸化炭素の溶
け込みを防止すると共に、供給手段から供給される洗浄
液を処理槽からオーバーフローさせて洗浄処理を行うこ
とで、洗浄液の所定の比抵抗値への回復時間を短縮する
ことができる。したがって、洗浄効率の向上が図れる共
に、洗浄液の使用量の削減、洗浄時間の短縮化を図るこ
とができる。
【0054】3)請求項3又は4記載の発明によれば、
洗浄液供給手段から噴出される洗浄液により洗浄液供給
手段が漬かった後、洗浄液の吐出量を変化させて被処理
体を洗浄することにより、洗浄液の処理槽外への飛散を
防止することができる共に、洗浄液の供給時間の短縮を
図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明に係る洗浄処理装置の第一実施形態を
示す概略断面図である。
【図2】この発明における被処理体保持手段を示す斜視
図である。
【図3】第一実施形態の洗浄処理工程を説明するタイム
チャートである。
【図4】第一実施形態の薬液処理工程を説明する概略断
面図である。
【図5】第一実施形態の薬液排出工程を説明する概略断
面図である。
【図6】第一実施形態のジェット/シャワーリンス工程
を説明する概略断面図である。
【図7】第一実施形態の第1回目の急速供給工程を説明
する概略断面図である。
【図8】第一実施形態の洗浄液の排液工程を説明する概
略断面図である。
【図9】第一実施形態の第2回目の急速供給工程を説明
する概略断面図である。
【図10】この発明に係る洗浄処理装置の第二実施形態
を示す概略断面図である。
【図11】第二実施形態におけるジェットリンス工程を
説明する概略断面図である。
【図12】この発明に係る洗浄処理装置の第三実施形態
を示す概略断面図である。
【図13】第三実施形態の要部を示す側面図である。
【図14】図13の平面図である。
【図15】図14の側面図てある。
【図16】この発明に係る洗浄処理装置を組み込んだ洗
浄・乾燥処理システムの一例を示す概略平面図である。
【図17】従来の洗浄処理方法におけるジェット/シャ
ワーリンス工程の別の形態を示す概略断面図である。
【符号の説明】
W 半導体ウエハ(被処理体) 1 純水(洗浄液) 2 薬液(処理液) 10 処理槽 11 外槽 20 純水タンク(洗浄液収容タンク) 30 ウエハボート(被処理体保持手段) 40 シャワーノズル 42 ジェットノズル(供給ノズル;供給手段) 43 循環管路 47,47A,47B,47E,47F 切換弁 48 純水供給源 50 薬液供給源 55 液面センサ(液面検出手段) 56 CPU 60 蓋体 61 N2供給ノズル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上川 裕二 佐賀県鳥栖市西新町1375番地41 東京エ レクトロン九州株式会社佐賀事業所内 (56)参考文献 特開 平4−97525(JP,A) 特開 平8−102459(JP,A) 特開 平4−287321(JP,A) 特開 平8−148464(JP,A) 特開 平8−131977(JP,A) 特開 平4−18907(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/304 B08B 3/04

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被処理体に薬液を接触させて薬液処理を
    施し薬液を排液する工程と、その後に上記被処理体を収
    容する処理槽内に洗浄液を供給して被処理体を浸漬し洗
    浄処理する洗浄工程と、を有する洗浄処理方法におい
    て、 上記薬液処理を施して薬液を排液した後又は排液中に、
    上記被処理体に上記洗浄液をシャワー状に接触させて被
    処理体を予備洗浄し、その後、上記洗浄工程を繰り返し
    行うことを特徴とする洗浄処理方法。
  2. 【請求項2】 請求項記載の洗浄処理方法において、 上記処理槽内に不活性ガスを供給して洗浄液中への二酸
    化炭素の溶け込みを防止すると共に、供給手段から供給
    される洗浄液を処理槽からオーバーフローさせて洗浄処
    理を行うようにしたことを特徴とする洗浄処理方法。
  3. 【請求項3】 処理槽内に収容される被処理体の下方に
    配設される洗浄液供給手段から被処理体に向けて洗浄液
    を噴出して被処理体を洗浄する洗浄処理方法において、 上記洗浄液供給手段から噴出される上記洗浄液により洗
    浄液供給手段が漬かった後、洗浄液の吐出量を変化させ
    て被処理体を洗浄することを特徴とする洗浄処理方法。
  4. 【請求項4】 被処理体を収容する処理槽と、この処理
    槽内において上記被処理体より下方に配設され、被処理
    体に向けて洗浄液を噴出する洗浄液供給手段とを具備す
    る洗浄処理装置において、 上記洗浄液供給手段に流量調整手段を介して洗浄液供給
    源を接続し、 上記流量調整手段を、上記処理槽内の洗浄液の液量検出
    手段からの検出信号に基いて制御可能にした、ことを特
    徴とする洗浄処理装置。
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