JPH10335295A - 基板処理槽および基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理液の滞留個所をなくして薬液の置換やパ
ーティクルの追い出しを確実に行う。 【解決手段】 コントローラ２３は、各電空レギュレー
タ２４，２５をそれぞれ介して左右の空気調圧式レギュ
レータ１９，２０毎に空気圧がそれぞれ略サインカーブ
で経時的に交互に異なるように制御しており、空気調圧
式レギュレータ１９，２０をそれぞれ介して左右の処理
液吐出ノズル９から異なる流量の処理液が基板４の左右
下方側から中央部側に向けて供給される。これによっ
て、処理槽３内での処理液の対流方向および対流強さを
変化させて、処理槽３内の全ての位置で対流させること
ができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置用の半
導体ウエハや液晶表示器用のガラス基板などの基板を浸
漬させてその表面にエッチングや洗浄などの各種処理を
施す処理液を貯留する基板処理槽および、この基板処理
槽が基板処理部に用いられている基板処理装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体装置用の半導体ウエハや液
晶表示器用のガラス基板などを用いた精密電子基板の製
造プロセスにおいては、各種処理液をそれぞれ貯留した
複数の処理槽にわたって基板を順次浸漬させることによ
り基板に薬液処理や水洗処理などの一連の各種処理が施
されている。この一連の各種処理として、例えば窒化膜
除去処理があるが、これは、窒化膜除去用の薬液として
燐酸溶液を貯留した燐酸槽と、燐酸槽での処理後、基板
に燐酸が残っていると必要以上に窒化膜除去が進行する
ので、これを防止するために基板に残っている燐酸を純
水によって洗い流す機能水洗槽と、さらに精密に基板を
水洗する最終水洗槽と、最終水洗槽での処理を終えた基
板を乾燥させるスピンドライヤなどが用いられる。な
お、機能水洗槽では燐酸の付着した基板の収容後、貯留
していた純水を排出し、その後、基板を収容したまま新
たな純水を供給して基板をさらに水洗した後、再び水洗
に使用した純水を排出するという工程を幾度か繰り返し
て急速に基板に付着した燐酸を洗い流すものである。ま
た、最終水洗槽とは水洗に使用して排出された純水の比
抵抗を測定し、所定の比抵抗になるまで水洗することに
より基板を精密に水洗するものである。このような窒化
膜除去処理の他に、一連の各種処理として、レジスト剥
離処理、酸化膜エッチング処理、ライトエッチング処理
および拡散前洗浄処理などがある。

【０００３】また、このような多槽式の基板処理装置に
対して、単槽式の基板処理装置としては、処理槽に異な
る種類の処理液を順次供給し、例えば、エッチング処理
と水洗処理といった異なる処理を単一の処理槽を用いて
順次行っている。

【０００４】これらの多槽式の燐酸槽などの薬液槽、機
能水洗槽および最終水洗槽などの処理槽や、単槽式の処
理槽などでは、複数の基板をその主面同士を平行に対向
させて一列に整列させて収容している。そして、これら
複数の基板は処理槽内の基板保持部によって直接、また
はキャリアに収容された状態で保持されている。そし
て、前記処理槽内の底部には一対の管状の処理液吐出ノ
ズルがその長手方向を複数の基板の列と同じ方向に向け
た状態で配設されている。処理液吐出ノズルには処理液
を吐出する吐出口が開けられている。吐出口は基板に向
かって処理液を吐出するように処理液吐出ノズルの基板
に面する側に開けられたり、処理槽底面に向かって処理
液を吐出し、処理液を処理槽底面に一旦当てて緩やかに
上昇させるために処理槽底面に面する側に開けられたり
している。また、処理槽底面が２つの傾斜面からなる側
面視Ｖ字状の谷部を形成している場合、一対の処理液吐
出ノズルから吐出される処理液をそれぞれ傾斜面に沿っ
て吐出し、谷部の最深部にて処理液を合流させて上昇さ
せるために傾斜面の傾斜方向に吐出口を開けている場合
もある。

【０００５】以上のようにして供給された処理液は処理
槽上部の開口からオーバーフローする。このとき、処理
によって生じたパーティクルなどの汚染物質が処理液と
共に処理槽外に排出される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで上記従来の基
板処理槽では処理槽内の例えば基板保持部近辺や底面の
外周部分、すなわち底面と側面とがなす隅部などが処理
液の流れが遅い滞留個所となっており、これら滞留個所
では薬液と純水との置換や汚染物質の追い出しなどが妨
げられて基板品質に影響を及ぼしているという問題を有
していた。

【０００７】本発明は、上記従来の問題を解決するもの
で、処理液の滞留個所をなくして薬液と純水との置換や
汚染物質の追い出しなどを確実に行って基板品質を向上
させることができる基板処理槽および基板処理装置を提
供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
の基板処理槽は、処理液を貯留し、処理液内に基板を浸
漬して所定処理を施す基板処理槽において、基板処理槽
内に配された一対の処理液供給部と、一対の処理液供給
部の内の何れかに対する処理液の供給圧力および／また
は供給量を両側で経時的に異なるように制御する制御部
とを有したことを特徴とするものである。

【０００９】上記構成により、処理液供給部の供給圧力
または供給量が両側で経時的に異なるように制御するの
で、処理槽内で対流が起こると共にその対流が経時的に
変化することで、処理液の滞留個所が無くなり薬液の置
換や汚染物質の追い出しが確実に行われる。

【００１０】また、本発明の請求項２に記載の基板処理
槽における一対の処理液供給部はそれぞれ浸漬された基
板に向かって処理液を吐出する処理液供給管で構成さ
れ、制御部は処理液供給部からの処理液供給圧力および
／または供給量を両側で交互に異なるように制御するこ
とを特徴とするものである。

【００１１】上記構成により、処理液供給部の供給圧力
または供給量を両側で交互に異なるように制御するの
で、処理槽内での対流の方向が変化することで、処理槽
内の全ての位置で処理液の滞留個所が無くなり、薬液の
置換や汚染物質の追い出しが確実に行われる。

【００１２】さらに、本発明の請求項３に記載の基板処
理装置は、基板を処理液に浸漬させてその表面に各種処
理を施す基板処理部を有する基板処理装置において、基
板処理部に、請求項１または２のいずれかに記載の基板
処理槽が設けられたことを特徴とするものである。

【００１３】上記構成により、請求項１または２に記載
の基板処理槽は、基板処理装置に容易に適応可能であっ
て、基板に対して満遍なく薬液処理や洗浄処理をするこ
とが可能となり、品質の良い基板処理を行うことができ
る。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を参照して説明する。図１は本発明の一実施形態に
おける基板処理槽が適用されている基板処理装置の概略
構成を示す断面図である。ここでは、半導体ウエハを被
処理基板として、エッチング処理と水洗処理とを単一の
装置で行う単槽式の基板処理装置を例に説明する。

【００１５】図１において、基板処理装置１には、処理
液２を貯留するための処理槽３が設けられており、貯留
された、例えばフッ酸などの処理液２に基板４が浸漬さ
れることによりエッチングなどの各種処理が施されるよ
うになっている。この処理槽３は、例えば上部が開口し
横断面が矩形の箱型に形成され、そして、底面は２つの
傾斜面からなる側面視Ｖ字状の谷部を有している。そし
て、その全体は例えば石英またはＰＴＦＥ（ポリテトラ
フロロエチレン）、ＰＶＤＦ（フッ化ビニリデン）、Ｐ
ＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）、ＰＦＡ（４フ
ッ化エチレン−パーフロロアルキルビニルエーテル共重
合樹脂）などの耐化学薬品性（耐侵食性）を有する樹脂
材料から構成されている。

【００１６】また、この基板処理装置１には基板４を保
持して処理槽３に対して昇降することによって、基板４
を処理槽３内の処理液２に浸漬または、処理液２から露
出させるハンドリング装置５が設けられている。このハ
ンドリング装置５は背板６とこの背板６の下端において
背板６に対して、長手方向が垂直に配された３本のアー
ム部材７からなる基板保持部８を有している。これら３
本のアーム部材７の上面にはアーム部材７の長手方向に
対して直角方向に伸びる溝部が形成されており、各溝部
により基板４がそれぞれ保持されている。また、これら
の溝部はアーム部材７の長手方向に複数形成されてお
り、複数の溝部によって複数の基板４がそれぞれの主面
が平行になる状態で所定距離を置いて保持されている。

【００１７】さらに、このハンドリング装置５は処理槽
３に対して上昇した状態で図示しない搬送手段から基板
４を受け取り、基板処理時にはハンドリング装置５は降
下して基板４を処理槽３内の処理液２に浸漬するように
なっている。また、基板処理が終了するとハンドリング
装置５が上昇して基板４を処理液２から露出させ、この
状態で搬送手段が基板４を次工程へと搬送するようにな
っている。

【００１８】さらに、この処理槽３の底部には、処理槽
３内に処理液２を供給する一対の処理液吐出ノズル９が
備えられており、これらの処理液吐出ノズル９も上記処
理槽３と同様に石英またはＰＴＦＥなどの耐侵食性のあ
る樹脂材料から構成されている。なお、一対の処理液吐
出ノズル９のうち、図１左側に示されているものを第１
処理液吐出ノズル９１、右側に示されているものを第２
処理液吐出ノズル９２とする。この処理液吐出ノズル９
は、それぞれ吐出口１０を有する外管１１と、これに内
設され、吐出口１０と略反対側に開口する開口部１２を
有する内管１３とを備えた二重管構造となっている。こ
の内管１３は処理液供給システム１４に接続されてお
り、基板４の各種の処理時には、内管１３から外管１１
を通じて処理槽３内に処理液２が供給されるとともに、
このような処理液２の供給が継続的に行われることによ
り、処理液２が基板４から脱落したパーティクルなどの
汚染物質と共に処理槽３の上部開口部のオーバーフロー
面１５を越えてオーバーフローして排出されるようにな
っている。このとき、内管１３に供給された処理液２は
一旦外管１１の内周面に衝突し、その後、吐出口１０を
介して処理槽３内に噴出するため、処理槽３内では均一
な処理液２の対流が得られるようになっている。

【００１９】この処理液供給システム１４は、純水の供
給源から２方向に分岐して一対の処理液吐出ノズル９に
至る処理液供給管１６に、開閉バルブ１７を介して薬液
（フッ酸原液）の供給源に接続される薬液供給管１８が
接続された構成となっており、基板４の水洗処理時に
は、上記開閉バルブ１７が閉じられて純水のみが上記処
理槽３に供給され、エッチング処理時には、上記開閉バ
ルブ１７が開かれて薬液（フッ酸原液）が純水に混入さ
れることにより所定濃度の薬液が生成されて、処理液供
給管１６さらに一対の処理液吐出ノズル９を介して処理
槽３内に供給されるようになっている。この２方向に分
岐した各処理液供給管１６の途中にはそれぞれ、第１処
理液吐出ノズル９１に至る空気調圧式レギュレータ１
９、第２処理液吐出ノズル９２に至る空気調圧式レギュ
レータ２０が設けられており、各処理液供給管１６をそ
れぞれ通過する処理液の流れる圧力を可変可能に構成し
ている。これらの空気調圧式レギュレータ１９，２０に
はそれぞれ、各エアー配管２１，２２をそれぞれ介し
て、コントローラ２３で制御されてエアー圧力を可変可
能な電空レギュレータ２４，２５がそれぞれ接続されて
おり、各処理液供給管１６をそれぞれ通過する処理液の
供給圧力がコントローラ２３および電空レギュレータ２
４，２５で制御される空気圧によって、第１処理液吐出
ノズル９１、第２処理液吐出ノズル９２からの処理液供
給量が、経時的に交互に異なるようになっている。これ
らの電空レギュレータ２４，２５には開閉バルブ２６を
介して分岐したエアー配管２７が接続され、各電空レギ
ュレータ２４，２５にそれぞれエアーを供給している。

【００２０】このとき、コントローラ２３は、電空レギ
ュレータ２４，２５に対してそれぞれが出力する空気圧
が図２（ａ）に示すように略サインカーブで経時的に交
互に増減する空気圧に制御されている。図２（ａ）に示
すように空気圧が制御されると、これに同期して空気調
圧式レギュレータ１９，２０で処理液が流れる圧力が可
変されることになって、処理液供給管１６さらに第１処
理液吐出ノズル９１、第２処理液吐出ノズル９２を介し
て図２（ｂ）に示すような経時的に交互に異なる処理液
流量に制御されて、処理槽３内に供給されるようになっ
ている。

【００２１】上記構成により、以下、その動作を説明す
る。まず、純水の供給源から処理液供給管１６を介して
純水が供給され処理液吐出ノズル９から純水が供給され
る。このとき処理槽３のオーバーフロー面１５を越えて
処理槽３内の汚染物質が排出される。

【００２２】純水が処理槽３からオーバーフローする
と、上昇した状態において搬送手段から基板４を受け取
ったハンドリング装置５が降下し、基板４を純水に浸漬
する。その後、薬液の供給源に接続された開閉バルブ１
７を開けて所定濃度の薬液を処理液吐出ノズル９から吐
出し処理槽３内の純水を薬液に置換する。この実施形態
ではフッ酸を用いることによって基板４にエッチング処
理を施す場合を例に説明する。

【００２３】このとき、コントローラ２３は、各電空レ
ギュレータ２４，２５をそれぞれ介して左右の空気調圧
式レギュレータ１９，２０毎に空気圧がそれぞれ図２
（ａ）に示すように略サインカーブで経時的に交互に異
なるように制御されており、空気調圧式レギュレータ１
９，２０をそれぞれ介して一対の第１処理液吐出ノズル
９１、第２処理液吐出ノズル９２から図２（ｂ）に示す
ような経時的に交互に異なる流量の薬液が基板４の左右
下方の両側から中央部側に向けて供給される。例えば、
時間ｔ１では、電空レギュレータ２４が出力する空気圧
が最大であり、電空レギュレータ２５が出力する空気圧
が最小になるように制御されており、これに連動して、
第１処理液吐出ノズル９１に接続された空気調圧式レギ
ュレータ１９では薬液の流量が最大となり、かつ、第２
処理液吐出ノズル９２に接続された空気調圧式レギュレ
ータ２０では薬液の流量が最小となって、図１に示すよ
うに、第１処理液吐出ノズル９１から勢い良く薬液が吐
出され、第２処理液吐出ノズル９２からは薬液が少しし
か出ないことになる。このため、処理槽３内の薬液の流
れは大きく第１処理液吐出ノズル９１側から第２処理液
吐出ノズル９２側に旋回するように流れることになる。
さらに、時間が経過して、例えば、時間ｔ２では、電空
レギュレータ２４による空気圧と、電空レギュレータ２
５による空気圧とは同等であり、これに連動して、空気
調圧式レギュレータ１９による薬液の流量と、空気調圧
式レギュレータ２０による薬液の流量とにおいても同等
となるので、第１処理液吐出ノズル９１、第２処理液吐
出ノズル９２から吐出される薬液の量は等しくなる。よ
って、処理槽３内の薬液の流れは、図３に示すように、
保持されている基板４の下方中央部で当たって上昇する
ことになる。さらに、時間が経過して、例えば、時間ｔ
３では、電空レギュレータ２４に対して空気圧が最小と
なり、電空レギュレータ２５に対しては空気圧が最大に
なるように制御されており、これに連動して、空気調圧
式レギュレータ１９では薬液の流量が最小となり、か
つ、空気調圧式レギュレータ２０では薬液の流量が最大
となって、図４に示すように、第２処理液吐出ノズル９
２から勢い良く薬液が吐出され、第１処理液吐出ノズル
９１からは薬液が少ししか出ないことになり、処理槽３
内の薬液の流れは大きく第２処理液吐出ノズル９２側か
ら第１処理液吐出ノズル９１側に旋回するように流れる
ことになる。このように、一対の第１処理液吐出ノズル
９１と第２処理液吐出ノズル９２とから吐出される薬液
の量を経時的に交互に異なるように変化させるため、薬
液の流れは大きく第１処理液吐出ノズル９１側から第２
処理液吐出ノズル９２側へ旋回するように流れたり、ま
た、その逆に第２処理液吐出ノズル９２側から第１処理
液吐出ノズル９１側へ旋回するように流れたりして、処
理液の流れ方向（対流）および流れる強さが順次変化し
てスイングすることになる。このため、従来、滞留しや
すかった基板支持部や槽端部などの滞留個所において
も、処理液の流れが起こって滞留状態とはならず、これ
らの滞留個所での純水から薬液への置換や汚染物質の追
い出しも良好に行われることになる。このように、処理
液の流れ方向がスイングすることで処理槽３内の全ての
個所で満遍なく対流が起こるため、薬液によるエッチン
グ処理で生じた汚染物質は、その対流による上昇流と共
に効率良く表面に浮いてくる。さらに、薬液の供給が継
続して行われるため、薬液が、処理槽３のオーバーフロ
ー面１５を越えてオーバーフローすることで、汚染物質
は処理槽３の外部に薬液と共に排出されることになる。

【００２４】このようにして、一定時間エッチング処理
が施されると、次いで、上記処理液供給システム１４の
開閉バルブ１７が閉じられて処理槽３内に純水が供給さ
れる。純水が供給されると、処理槽３内の薬液がオーバ
ーフローに伴い処理槽３の外部に排出される一方、処理
槽３に純水が貯留され、これにより基板４に水洗処理が
施される。このときにもエッチング処理時と同様に、純
水の流れ方向がスイングするように純水が継続して供給
されることにより、処理槽３内の全ての個所で満遍なく
対流が起こるため、薬液から純水への置換やパーティク
ルなどの汚染物質の追い出しも良好に行われて、処理槽
３のオーバーフロー面１５から純水がオーバーフロー
し、水洗処理によって生じたパーティクルなどの汚染物
質が処理槽３の外部に純水と共に効率良く排出されるこ
とになる。

【００２５】このような水洗処理が終了すると、上記ハ
ンドリング装置５が上昇し、基板４が搬送手段によって
次工程へと搬送される。

【００２６】なお、本実施形態の基板処理装置１では、
本発明に係る基板処理槽３が適用される単槽式の基板処
理装置の一例であって、基板処理装置や処理槽の具体的
な構成は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可
能である。例えば、単槽式の基板処理装置だけではなく
多槽式の基板処理装置に対しても適用可能なことはいう
までもないことである。要は、本願発明の構成は、処理
液に基板４を浸漬させて処理を行うタイプの基板処理装
置であればよく、１種類または２種類以上の処理を行う
基板処理装置に対して容易に適用可能であることはいう
までもないことである。

【００２７】（第１変形例）図５は処理槽３の平面図で
ある。前記実施形態の基板処理装置１では、コントロー
ラ２３によって制御される各電空レギュレータ２４，２
５さらに空気調圧式レギュレータ１９，２０で処理液が
流れる圧力が変化させられて、第１処理液吐出ノズル９
１、第２処理液吐出ノズル９２からの処理液流量が交互
に経時的に異なるように制御することで、処理槽３の全
ての位置で対流させるべく対流方向を順次交互に変化さ
せたが、本第１変形例では、これらの各電空レギュレー
タ２４，２５および空気調圧式レギュレータ１９，２０
の代わりにポンプ３２，３３を用いる。図５に示すよう
にポンプ３２，３３は処理液の供給源に接続されてい
る。そして、さらにポンプ３２，３３はそれぞれ処理液
吐出ノズル９１ａ，９２ａに接続されており、処理液吐
出ノズル９１ａ，９２ａに処理液を供給する。また、ポ
ンプ３２，３３はコントローラ３１に接続されている。
コントローラ３１はポンプ３２，３３の処理液の送出量
を制御する。その制御は以下の通りである。すなわち、
ポンプ３２の処理液の送出量を増加させているときポン
プ３３の処理液の送出量を減少させ、また、一定時間が
経過したときは逆にポンプ３２の処理液の送出量を減少
させる一方、ポンプ３３の処理液の送出量を増加させ
る。そして、この制御を連続して行う。これによって、
処理液吐出ノズル９１ａ，９２ａからの処理液の吐出量
が交互に経時的に異なるように制御することができ、処
理槽３の全ての位置で対流させるべく対流方向を順次交
互に変化させることができる。なお、本変形例１ではポ
ンプ３２，３３の送出量を増減させたが、コントローラ
３１によってポンプ３２，３３を所定時間毎に交互にス
イッチングするように制御してもよい。

【００２８】（第２変形例）図６は処理槽３の平面図で
ある。本第２変形例では開閉バルブ群４２，４３が処理
液の供給源に接続されている。そして、さらに開閉バル
ブ群４２，４３はそれぞれ処理液吐出ノズル９１ａ，９
２ａに接続されている。開閉バルブ群４２，４３はそれ
ぞれ、同様の複数の開閉バルブ４２ａ，４２ｂ，４２ｃ
・・および、同様の複数の開閉バルブ４３ａ，４３ｂ，
４３ｃ・・が処理液吐出ノズル９１ａ，９２ａと処理液
の供給源との間で並列に接続されたものである。また、
開閉バルブ群４２，４３はコントローラ４１に接続され
ている。

【００２９】本第２変形例ではコントローラ４１によっ
て開閉バルブ群４２の内、開いている開閉バルブ数を増
加させる一方で開閉バルブ群４３の内、開いている開閉
バルブ数を減少させる。そして、一定時間が経過したと
きは逆に開閉バルブ群４２の内、開いている開閉バルブ
数を減少させる一方、開閉バルブ群４３の内、開いてい
る開閉バルブ数を増加させる。このような制御を連続し
て行うことによって、処理液吐出ノズル９１ａ，９２ａ
からの処理液の吐出量が交互に経時的に異なるように制
御することができる。なお、開閉バルブ４２ａ〜４２ｃ
・・が並列に接続された開閉バルブ群４２と、開閉バル
ブ４３ａ〜４３ｃ・・が並列に接続された開閉バルブ群
４３とを交互に開閉するようにしてもよい。

【００３０】（第３変形例）図７は第３変形例に係る基
板処理槽の要部拡大図である。本変形例の処理液供給管
１６ａは図１の処理液供給管１６途中にある空気調圧式
レギュレータ１９，２０を用いずに図１の処理液供給管
１６の分岐部分Ａにダンパ５１を設けたものである。該
ダンパ５１は駆動部５３によって図７の矢印Ｂのように
揺動する。そして、前記駆動部５３にはコントローラ５
２が接続されている。前記コントローラ５２は駆動部５
３を制御してダンパ５１を揺動させる。こうすることに
よって、第１処理液吐出ノズル９１、第２処理液吐出ノ
ズル９２からの処理液の吐出量が交互に経時的に異なる
ように制御することができ、処理槽３の全ての位置で対
流させるべく対流方向を順次交互に変化させることがで
きる。この場合、ダンパ５１による流路開口面積を順次
増加、減少させるようにしてもよいし、ダンパ５１によ
って、第１処理液吐出ノズル９１に至る流路と第２処理
液吐出ノズル９２に至る流路とを選択的に交互に開閉し
てもよい。

【００３１】（第４変形例）図８は第４変形例にかかる
基板処理槽の縦断面図である。本変形例では図６に示す
第２変形例のコントローラ４１で制御される開閉バルブ
群４２，４３のそれぞれに接続される処理液吐出ノズル
９１ａ，９２ａの代わりにコントローラ６１で制御され
る開閉バルブ６２，６３のそれぞれに接続される第１処
理液吐出ノズル９１ｂ、第２処理液吐出ノズル９２ｂお
よび、開閉バルブ６４，６５のそれぞれに接続される第
１処理液吐出ノズル９１ｃ、第２処理液吐出ノズル９２
ｃを上下に２対配設するようにしてもよい。この場合、
開閉バルブ６２，６４を一組とし、開閉バルブ６３，６
５を一組としてそれぞれ交互に開閉を行ってもよい。ま
た、こうすれば、第１処理液吐出ノズル９１ｂと第３処
理液吐出ノズル９１ｃとから吐出される処理液の量と第
２処理液吐出ノズル９２ｂと第４処理液吐出ノズル９２
ｃとから吐出される処理液の量とが交互に経時的に変化
する。

【００３２】また、最初、すべての開閉バルブ６２，６
３，６４，６５を開けた状態から、ある時点では開閉バ
ルブ６２，６４の何れかを開け、かつ開閉バルブ６３，
６５の両方を開け、また、一定時間経過後は、その逆
に、開閉バルブ６３，６５の何れかを開け、かつ開閉バ
ルブ６２，６４の両方を開けることで処理液の吐出量を
経時的に変化させてもよい。

【００３３】さらに、本実施形態では、処理槽３内の対
流方向を経時的に交互に変化させてスイングさせるべ
く、両側の処理液吐出ノズル９からの処理液吐出圧力
（処理液吐出量）を制御したが、この処理液吐出圧力の
制御方法の他にも、処理液吐出ノズル９の吐出口１０の
開口方向を上下所定角度範囲内で可変制御することによ
っても、処理槽３内の対流方向を経時的に交互に変化さ
せてスイングさせることができる。この場合には、左右
両側の各処理液吐出ノズル９を回動させる新たなる回動
機構が必要になると共に、回動部分と固定部分とのシー
ル性や、相互のこすれによるパーティクル対策など、そ
の構成が複雑なものとなる。

【００３４】

【発明の効果】請求項１の発明によれば、処理液供給部
の供給圧力または供給量を両側で経時的に異なるように
制御するため、処理槽内で満遍なく対流が起こって処理
液の滞留個所が無くなり純水と薬液との置換や汚染物質
の追い出しを確実に行うことができる。

【００３５】また、請求項２の発明によれば、処理液供
給部の供給圧力または供給量を両側で交互に異なるよう
に制御するため、処理槽内での対流の方向を変化させる
ことができて、処理槽内の全ての位置でより満遍なく対
流させて純水と薬液との置換や汚染物質の追い出しを確
実に行うことができる。

【００３６】さらに、請求項３の発明によれば、請求項
１または２に記載の基板処理槽を基板処理装置に容易に
適応させることができて、満遍なく薬液処理や洗浄処理
をすることができ、品質の良い基板処理を行うことがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態における基板処理槽が適用
されている基板処理装置の概略構成を示すと共に左対流
状態を示す縦断面図である。

【図２】（ａ）は図１のコントローラによる電空レギュ
レータの空気圧制御を示す図、（ｂ）は図１の電空レギ
ュレータによる空気調圧式レギュレータの処理液流量制
御を示す図である。

【図３】図１の基板処理装置の左右吐出量が同等の状態
を示す断面図である。

【図４】図１の基板処理装置の右対流状態を示す断面図
である。

【図５】図１の処理液スイング供給システムとは別の例
を模式的に示す平面図である。

【図６】図１および図５の処理液スイング供給システム
とはさらに別の例を模式的に示す平面図である。

【図７】図１および図５、図６の処理液スイング供給シ
ステムとはさらに別の例を模式的に示す平面図である。

【図８】図１および図５〜図７の処理液スイング供給シ
ステムとはさらに別の例を模式的に示す縦断面図であ
る。

【符号の説明】

１ 基板処理装置 ２ 処理液 ３ 処理槽 ４ 基板 ９，９ａ，９ｂ，９ｃ 処理液吐出ノズル １０ 吐出口 １１ 外管 １３ 内管 １４ 処理液供給システム １６，１６ａ 処理液供給管 １７，２６，４２ａ〜４２ｃ・・，４３ａ〜４３ｃ・
・，６２〜６５ 開閉バルブ １８ 薬液供給管 １９，２０ 空気調圧式レギュレータ ２１，２２，２７ エアー配管 ２３，３１，４１，５２，６１ コントローラ ２４，２５ 電空レギュレータ ３２，３３ ポンプ ４２，４３ 開閉バルブ群 ５１ ダンパ ５３ 駆動部 ９１ 第１処理液吐出ノズル ９２ 第２処理液吐出ノズル ９１ａ，９２ａ 処理液吐出ノズル ９１ｂ 第１処理液吐出ノズル ９１ｃ 第３処理液吐出ノズル ９２ｂ 第２処理液吐出ノズル ９２ｃ 第４処理液吐出ノズル

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理液を貯留し、該処理液内に基板を浸
   漬して所定処理を施す基板処理槽において、 基板処理槽内に配された一対の処理液供給部と、 一対の処理液供給部の内の何れかに対する処理液の供給
   圧力および／または供給量を両側で経時的に異なるよう
   に制御する制御部とを有したことを特徴とする基板処理
   槽。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理槽において、 前記一対の処理液供給部はそれぞれ浸漬された基板に向
   かって処理液を吐出する処理液供給管で構成され、前記
   制御部は前記処理液供給部からの処理液供給圧力および
   ／または供給量を両側で交互に異なるように制御するこ
   とを特徴とする基板処理槽。
3. 【請求項３】 基板を処理液に浸漬させてその表面に各
   種処理を施す基板処理部を有する基板処理装置におい
   て、 前記基板処理部に、請求項１または２のいずれかに記載
   の基板処理槽が設けられたことを特徴とする基板処理装
   置。