JPH11340176A - 浸漬型基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板処理の均一性を確保しつつ、純水置換に
かかる時間を短縮させる。 【解決手段】 基板処理装置は、基板処理槽１９と、層
流パイプ３０と、乱流パイプ４０とを備えている。基板
処理槽１９は、基板Ｗを収容して、貯留した処理液によ
って基板Ｗに対して処理を施す。この基板処理槽１９
は、処理液が溢れ流れる外槽２１を有している。層流パ
イプ３０は、基板処理槽１９内へ薬液を供給するもの
で、基板処理槽１９内に吹き出し口を有している。乱流
パイプ４０は、純水を、薬液よりも速い流速で基板処理
槽１９内へ供給するものであり、基板処理槽１９内に吹
き出し口を有している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、処理槽を備えた浸
漬型基板処理装置、特に、処理槽内に貯留された処理液
を他の処理液の処理槽内への供給によってオーバーフロ
ーさせて処理槽内を他の処理液に置換する処理を含む浸
漬型基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体ウエハや液晶用又はフォトマスク
用ガラス基板等の基板（以下、基板という。）を処理す
る基板処理装置のひとつに、１つの処理槽において一連
の処理を施すことのできる浸漬型基板処理装置がある。
この浸漬型基板処理装置では、基板を殆ど大気に触れさ
せずに一連の処理を施すことができるため、自然酸化や
パーティクルの付着による基板の汚染が抑えられるとい
う利点がある。

【０００３】上記のような浸漬型基板処理装置の一例
が、特開平７−１６１６７８号公報に開示されている。
この公報に記載されている浸漬型基板処理装置では、処
理液供給パイプから水平面よりも下方に向けて処理槽内
へ薬液を供給し、処理槽内において底部から上部に向か
う概ね均一の比較的緩やかな薬液の流れを生じさせ、基
板処理の均一化を図っている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】１つの処理槽において
一連の処理を施すことのできる浸漬型基板処理装置で
は、上記のように所定の薬液をゆっくりとした流速で処
理槽内へ供給して薬液をオーバーフローさせながら基板
に薬液処理を施す工程の他に、薬液処理後の水洗処理を
行うために処理液供給手段から純水を処理槽内へ送り込
んで処理槽内を純水に置換させる（以下、純水置換とい
う。）工程がある。この工程では処理槽内を速く薬液か
ら純水に置換することが求められるが、従来において
は、上記のように基板の均一処理に適した処理液の供給
を行う処理液供給パイプを使って純水を処理槽内へ供給
しているため、純水置換に長い時間がかかっている。こ
のため、基板処理を終えるまでに長い時間がかかってし
まうことに加え、必要以上に基板に薬液処理が施されて
しまって基板の処理品質が低下する恐れもある。

【０００５】一方、供給された純水の処理槽内での流れ
方向や流速が純水置換に適したものとなるように処理液
供給パイプを変更すると、反対に、薬液による基板処理
の均一性が悪化してしまう。本発明の課題は、基板処理
の均一性を確保しつつ、純水置換にかかる時間を短縮さ
せることにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】請求項１に係る浸漬型基
板処理装置は、処理槽と、第１処理液供給手段と、第２
処理液供給手段とを備えている。処理槽は、基板を収容
して、貯留した処理液によって基板に対して処理を施
す。この処理槽は、処理液が溢れ流れるオーバーフロー
部を有している。第１処理液供給手段は、処理槽内へ第
１処理液を供給するもので、処理槽内に吹き出し口を有
している。第２処理液供給手段は、第２処理液を、第１
処理液供給手段によって供給される第一処理液よりも速
い流速で処理槽内へ供給するものであり、処理槽内に吹
き出し口を有している。

【０００７】ここでは、第１処理液供給手段とは別個に
第２処理液供給手段を設けている。そして、第２処理液
供給手段による第２処理液の処理槽内での流速が第１処
理液供給手段による第１処理液の処理槽内での流速より
も速くなるように設定している。このため、処理槽内の
第１処理液を第２処理液に置換する際に、第２処理液を
第１処理液供給手段ではなく第２処理液供給手段によっ
て処理槽内に供給することによって、従来よりも早く置
換することができる。

【０００８】一方、第１処理液により基板処理を行う際
には、第１処理液供給手段により比較的ゆっくりとした
流速で第１処理液が処理槽内に供給されるため、基板処
理の均一性を従来通り確保することができる。このよう
に、処理槽内を第１処理液から第２処理液に置換するの
に適した第２処理液供給手段を新たに設置することによ
り、基板処理の均一性を確保しつつ、純水置換にかかる
時間を短縮させることができる。

【０００９】請求項２に係る浸漬型基板処理装置は、処
理槽と、第１処理液供給手段と、第２処理液供給手段と
を備えている。処理槽は、基板を収容して、貯留した処
理液によって基板に対して処理を施す。この処理槽は、
処理液が溢れ流れるオーバーフロー部を有している。第
１処理液供給手段は、処理槽内に吹き出し口を有してお
り、処理槽内へ第１処理液を供給する。第２処理液供給
手段は、処理槽内に吹き出し口を有しており、第１処理
液をオーバーフロー部に押し出す向きに、第２処理液を
処理槽内へ供給する。

【００１０】ここでは、第１処理液供給手段とは別個に
第２処理液供給手段を設けている。そして、第２処理液
供給手段による第２処理液の処理槽内での流れの方向
を、第１処理液をオーバーフロー部に押し出す向きに設
定している。このため、処理槽内の第１処理液を第２処
理液に置換する際に、第２処理液を第１処理液供給手段
ではなく第２処理液供給手段によって処理槽内に供給す
ることにより、第１処理液が第２処理液によって早くオ
ーバーフロー部に押し出され、従来よりも置換にかかる
時間が短縮される。

【００１１】一方、第１処理液供給手段によって供給さ
れる第１処理液の処理槽内での流れを基板の均一処理に
適するように、例えば、処理槽内において第１処理液の
流れが底部から上部に向かう概ね均一の流れとなるよう
に第１処理液供給手段を設定すれば、基板処理の均一性
を従来通り確保することができる。このように、処理槽
内を第１処理液から第２処理液に置換するのに適した第
２処理液供給手段を新たに設置することにより、基板処
理の均一性を確保しつつ、純水置換にかかる時間を短縮
させることができる。

【００１２】請求項３に係る浸漬型基板処理装置は、請
求項１又は２に記載の装置において、オーバーフロー部
は、処理槽の上部に設けられている。そして、第２処理
液供給手段は、第２処理液を、水平面よりも上方に向け
て処理槽内へ供給する。一方、第１処理液供給手段は、
第１処理液を、水平面よりも下方に向けて処理槽内へ供
給する。

【００１３】ここでは、第２処理液供給手段が第２処理
液を水平面よりも上方に向けて処理槽内に供給するた
め、処理槽内において、処理槽の上部にあるオーバーフ
ロー部に向かう第２処理液の流れが生じる。これによ
り、処理槽内の第１処理液を第２処理液に置換する際
に、第１処理液が第２処理液によって早くオーバーフロ
ー部に押し出され、従来よりも置換にかかる時間が短縮
される。

【００１４】一方、第１処理液供給手段が第１処理液を
水平面よりも下方に向けて処理槽内へ供給しているた
め、処理槽内での第１処理液の流れは、処理槽の底部か
ら上部に向かう流れとなる。このため、貯留されオーバ
ーフローしている第１処理液によって処理槽内の基板を
処理しているときには、基板処理の均一性が良好とな
る。

【００１５】請求項４に係る浸漬型基板処理装置は、請
求項３に記載の装置において、第２処理液供給手段の吹
き出し口は、処理槽内に収容された状態の基板の中央部
よりも下方にある。ここでは、第２処理液供給手段の吹
き出し口を基板の中央部よりも下方に配置しているた
め、処理槽内の第１処理液を第２処理液に置換する際
に、基板周辺の第１処理液が素早く第２処理液に置換さ
れる。このため、第１処理液による基板処理の過剰な進
行等の不具合をより抑えることができる。なお、基板周
辺の第１処理液を素早く置換する観点から、第２処理液
供給手段の吹き出し口は、基板の下部、あるいはそれよ
りも下方に配置されることが望ましい。

【００１６】請求項５に係る浸漬型基板処理装置は、請
求項４に記載の装置において、第２処理液供給手段は第
２処理液を基板に向けて供給する。ここでは、第２処理
液供給手段が第２処理液を基板に向けて供給するため、
処理槽内の第１処理液を第２処理液に置換する際に、基
板周辺の第１処理液が素早く第２処理液に置換される。
このため、第１処理液による基板処理の過剰な進行等の
不具合をより抑えることができる。

【００１７】請求項６に係る浸漬型基板処理装置は、請
求項３から５のいずれかに記載の装置において、制御部
をさらに備えている。第１処理液供給手段は、第１処理
液に代えて第２処理液を処理槽内へ供給することができ
る。そして、制御部は、処理槽内に貯留された第１処理
液をオーバーフロー部から排出して処理槽内を第２処理
液に入れ替える際に、まず第２処理液供給手段により処
理槽内へ第２処理液を供給した後に第１処理液供給手段
により処理槽内へ第２処理液を供給するように、第１及
び第２処理液供給手段を制御する。

【００１８】ここでは、処理槽内の第１処理液を第２処
理液に置換する際に、まず第２処理液供給手段により処
理槽内へ第２処理液を供給して、主として第２処理液供
給手段の吹き出し口よりも上方にある処理槽内の第１処
理液を素早くオーバーフロー部に押し出して第２処理液
に置換する。次に、第１処理液供給手段によって処理槽
内へ第２処理液を供給して、主として処理槽の底部付近
にある第１処理液を第２処理液に置換する。このよう
に、まず基板周辺の第１処理液を素早く第２処理液に置
換することで第１処理液による基板処理の過剰な進行等
の不具合を抑えつつ、次に処理槽の底部付近に残った第
１処理液を第１処理液供給手段から下方に供給される第
２処理液によって置換している。これにより、処理槽全
体の置換を早く行えるとともに、処理槽の底部付近に第
１処理液が十分に置換されずに残留する不都合も回避す
ることができる。

【００１９】請求項７に係る浸漬型基板処理装置は、請
求項１から６のいずれかに記載の装置において、処理槽
の底面あるいは側面下部には排出路が設けられており、
この排出路の開閉を行う開閉切替手段をさらに備えてい
る。この排出路は、第１処理液あるいは第２処理液を排
出するためのものである。ここでは、処理槽内の第１処
理液あるいは第２処理液を排出路から排出することによ
って、第１処理液あるいは第２処理液と次に処理槽内に
供給される他の処理液とが混合することが抑制され、処
理槽内の処理液の置換を早く行うことができる。

【００２０】請求項８に係る浸漬型基板処理装置は、請
求項７に記載の装置において、乾燥防止液供給手段をさ
らに備えている。乾燥防止液供給手段は、処理槽の上方
に配置される吹き出し口を有しており、処理槽内に収容
された基板に対して乾燥防止液を供給する。ここでは、
処理槽内の基板が大気中に露出しているとき、例えば、
処理槽内の第１処理液あるいは第２処理液が排出路から
排出されたときに、乾燥防止液を基板に供給することが
できる。これにより、基板が乾いて汚染物質が基板に強
固に付着するといった不具合を抑制することができる。

【００２１】

【発明の実施の形態】本発明の一実施形態における浸漬
型の基板処理装置の概略斜視図を図１に示す。この基板
処理装置１０は、主として、カセット搬出入ステージ１
１と、カセット搬送ロボット１２と、基板移載部１３
と、基板搬送ロボット１４と、３つの基板処理槽（処理
槽）１９と、基板乾燥部１５と、カセット洗浄器１６と
から構成されている。

【００２２】基板処理装置１０のカセット搬出入ステー
ジ１１に複数の基板を起立整列状態で収納したカセット
Ｃが搬入されてくると、このカセットＣはカセット搬送
ロボット１２により基板移載部１３に搬送される。２つ
のカセットＣが基板移載部１３にセットされると、これ
らのカセットＣ内に収納されている未処理基板Ｗａが、
基板搬送ロボット１４によって、いずれかの基板処理槽
１９上の搬送される。基板Ｗａは、この基板処理槽１９
上で基板搬送ロボット１４から基板リフト装置１７に受
け渡され、基板リフト装置１７によって基板処理槽１９
内に収容され、ここで各種の処理液による基板処理を施
される。

【００２３】処理を終えた基板Ｗは、基板リフト装置１
７から基板搬送ロボット１４に受け渡され、基板乾燥部
１５に搬送される。ここで乾燥処理を受けた基板Ｗは、
その後、基板移載部１３に搬送される。一方、先に基板
移載部１３において未処理基板Ｗａを取り出された空の
カセットＣは、カセット搬送ロボット１２でカセット洗
浄器１６へ搬送されて洗浄されている。そして、洗浄の
済んだカセットＣに処理を終えた基板Ｗが収納され、カ
セット搬出入ステージ１１から基板処理装置１０外に搬
出される。

【００２４】次に、各基板処理槽１９周辺の構成につい
て詳述する。なお、本基板処理装置１０には３つの基板
処理槽１９が設けられているが、いずれの基板処理槽１
９も同様の構成であり、単位時間当たりに処理すること
のできる処理能力を向上させるために３つ設けられてい
る。基板処理槽１９は、図２に示すように内槽２０及び
外槽２１から成る。内槽２０は、基板Ｗの直径よりもや
や広い幅を有しており、上部が外方に広がったテーパ形
状をしている。また、内槽２０の底部２０ｂは、中央部
分が端部よりも若干低くなっている。

【００２５】内槽２０の側方下部には、両側に１本ずつ
層流パイプ３０が通っており、それぞれ液漏れのない状
態で内槽２０の側面２０ｃに固着されている。この層流
パイプ３０は、図３の拡大断面図に示すように、外管３
１と、この外管３１内に同心に配置された内管３２とを
有する二重管構造を有している。外管３１には、内槽２
０の内部に向かって第１吹き出し口３１ａが開口してい
る。この第１吹き出し口３１ａは、スリット状の略長方
形の開口であり、図６に示すように基板Ｗの並設方向
（図６の左右方向）に長く延びている。内管３２には、
外管３１の第１吹き出し口３１ａ側と反対側に向かって
複数の円孔３２ａが設けられている。この層流パイプ３
０に供給される処理液は、まず内管３２に入り、内管３
２の複数の円孔３２ａから外管３１と内管３２との間に
吹き出される。そして処理液は、外管３１と内管３２と
の間を約半周回って、その後第１吹き出し口３１ａから
内槽２０内に吹き出される。このときの処理液の向き
は、水平面よりも下方に向かっている（図２、図３、及
び図５の矢印Ｆ１参照）。

【００２６】また、内槽２０の内部には、図２に示すよ
うに、各層流パイプ３０の斜め上方の空間に乱流パイプ
４０が配置されている。この乱流パイプ４０は、層流パ
イプ３０と同様に基板Ｗの並設方向に延びており、図６
に示すように内槽２０の両側端面２０ｄに固定されてい
る。この乱流パイプ４０は、単管構造であって、内槽２
０内に収容された状態の基板Ｗに向かって複数の第２吹
き出し口４０ａが開口している（図２参照）。この第２
吹き出し口４０ａは、第１吹き出し口３１ａの円周方向
に沿った長さよりもその径が小さい円形のものであっ
て、図６に示すように基板Ｗの並設方向に沿って複数個
設けられている。この第２吹き出し口４０ａは、基板Ｗ
の並設間隔と同じ間隔で配置されており、原則として基
板Ｗと基板Ｗとの間に配置されている。また、この第２
吹き出し口４０ａは、斜め４５゜上方に向かって開口し
ており、図２，図３，及び図５に示す矢印Ｆ２の向きに
処理液を吹き出す。この乱流パイプ４０から吹き出され
る処理液の流速は、層流パイプ３０から吹き出される処
理液の流速よりも速くなる。

【００２７】内槽２０の上部の外周部分には、外槽（オ
ーバーフロー部）２１が設けられている。この外槽２１
は、内槽２０の上縁部２０ａから溢れ出た処理液を受け
て、パイプ２２ａを介して装置外に排出する。また、内
槽２０の上縁部２０ａから溢れ出た処理液が流れる位置
には、図５に示すように比抵抗計２３が設置されてい
る。

【００２８】この外槽２１の上方には、シャワーパイプ
（乾燥防止液供給手段）５０が配備されている。このシ
ャワーパイプ５０は、基板Ｗの並設方向に延びている部
分に、複数の第３吹き出し口５０ａが開口している。こ
の第３吹き出し口５０ａは、図６に示すように基板Ｗの
並設方向に沿って、基板Ｗの並設間隔と同じ間隔で配置
されており、原則として基板Ｗと基板Ｗとの間に配置さ
れている。この第３吹き出し口５０ａからは、図２及び
図５に示すように、基板Ｗに向かって矢印Ｆ３の向きに
処理液がシャワー状に吹き出される。

【００２９】内槽２０の一方の側端面２０ｄの下部に
は、図６に示すように、排出路６０が接続されている。
この排出路６０は、開閉部材（開閉切替手段）６１を図
示しない駆動装置で移動させることによって開閉され
る。この排出路６０から排出された処理液は装置外に排
出される。基板リフト装置１７は、基板保持部材によっ
て基板Ｗを保持した状態で、この基板保持部材を内槽２
０内に降ろし、あるいは内槽２０から引き上げる。基板
保持部材は、図２及び図４に示すように、垂直板１７ａ
と、垂直板１７ａの下部中央から水平方向に延びる第１
保持部材１７ｂと、垂直板１７ａの下部両端から第１保
持部材１７ｂと同じ方向に延びる左右対称な第２及び第
３保持部材１７ｃ，１７ｄとから構成されている。第
１，第２，第３保持部材１７ｂ，１７ｃ，１７ｄには、
それぞれ基板保持溝１７ｅ，１７ｆ，１７ｇが形成され
ている。基板Ｗは、図４に示すように、これらの基板保
持溝１７ｅ，１７ｆ，１７ｇに係合した状態で保持され
る。

【００３０】次に、基板処理槽１９に対する処理液供給
配管について、図５を参照しながら説明する。まず、処
理液供給源として、３つの貯留タンク９０，９１，９２
が設置されている。これらの貯留タンク９０，９１，９
２には、ぞれぞれ純水、薬液１、及び薬液２が貯留され
ており、不活性の窒素ガスによって加圧状態とされてい
る。これらの貯留タンク９０，９１，９２は、自動切替
バルブである純水供給バルブ８０，薬液１供給バルブ８
１，薬液２供給バルブ８２を介して主管９３に接続され
ている。

【００３１】主管９３は、３つの支管９４，９５，９６
に分かれ、それぞれ、層流パイプ３０，乱流パイプ４
０，シャワーパイプ５０に接続されている。これらの支
管９４，９５，９６の途中には、自動切替バルブである
層流供給バルブ７１，乱流供給バルブ７２，シャワー供
給バルブ７３が設けられている。上記の各自動切替バル
ブ８０，８１，８２，７１，７２，７３は、図７に示す
制御部２５によって開閉が切り替えられる。

【００３２】次に、制御部２５の制御によって行われる
基板処理槽１９での基板の処理について説明する。制御
部２５は、比抵抗計２３や他の入出力部からの信号を受
け、図８に示すタイムチャートに従って、各自動切替バ
ルブ８０〜８２，７１〜７３、開閉部材６１を駆動する
駆動装置、及び基板リフト装置１７に対して指令を発す
る。

【００３３】図８に示すように、まず、基板Ｗは基板リ
フト装置１７によって基板処理槽１９の内槽２０内に降
下させられる（ステップＳ１）。そして、内槽２０内の
所定の位置に基板Ｗが保持されると、純水供給バルブ８
０，薬液１供給バルブ８１，及び層流供給バルブ７１が
開けられる。すると薬液１は、主管９３内で純水と混合
され、所定濃度になった後、層流パイプ３０から内槽２
０内に供給される。そして、内槽２０内に貯留され外槽
２１に薬液１がオーバーフローしている状態で、基板Ｗ
に薬液１による薬液処理が施される（ステップＳ２）。
所定時間の薬液１による薬液処理が終わると、薬液１供
給バルブ８１及び層流供給バルブ７１が閉められ、続い
て乱流供給バルブ７２が開けられる。これにより、純水
が乱流パイプ４０から内槽２０内に吹き出される（ステ
ップＳ３）。そして、所定時間後に乱流供給バルブ７２
が閉められて、代わりに層流供給バルブ７１が開けられ
る。これにより、純水が層流パイプ３０から内槽２０内
に供給される（ステップＳ４）。

【００３４】所定時間後、制御部２５は、層流供給バル
ブ７１を閉め、開閉部材６１を移動させて排出路６０を
開け、貯留されている純水を排出路６０から排出する
（ステップＳ５）。また、これと同時に、シャワー供給
バルブ７３が開けられ、純水がシャワーパイプ５０から
基板Ｗに対してシャワー状に供給される（ステップＳ
６）。そして、排出路６０からの純水の排出が完了する
と、開閉部材６１の移動により排出路６０が閉鎖され、
層流供給バルブ７１が開けられて内槽２０内に再び純水
が供給される（ステップＳ７）。層流パイプ３０からの
純水の供給によって内槽２０内に純水が貯留されオーバ
ーフローし始めるまでは、シャワーパイプ５０からの純
水の供給は続けられる。

【００３５】ステップＳ７の後半においては、内槽２０
内に貯留されオーバーフローしている純水によって、さ
らに基板Ｗの水洗処理が行われる。層流パイプ３０から
供給される純水は内槽２０内をくまなく流れ、内槽２０
内に残留した薬液１を全て内槽２０から排出し、また、
基板Ｗをむら無く水洗する。そして、比抵抗計２３の数
値が所定値以上となると、制御部２５は水洗処理が完了
したと判断する。その後、制御部２５は純水供給バルブ
８０及び層流供給バルブ７１を閉じる。そして、開閉部
材６１を移動させて排出路６０を開け、排出路６０から
貯留されている純水を排出する（ステップＳ８）。そし
て、水洗されて薬液１が除去された基板Ｗに対して、薬
液２が供給される（ステップＳ９）。このステップＳ９
では、開閉部材６１の移動によって排出路６０を閉鎖し
た後、純水供給バルブ８０，薬液２供給バルブ８２，及
び層流供給バルブ７１が開けられて内槽２０内に層流パ
イプ３０から所定濃度に調整された薬液２が供給され
る。そして、内槽２０内に貯留され外槽２１に薬液２が
オーバーフローしている状態で、基板Ｗに薬液２による
薬液処理が施される。所定時間の薬液２による薬液処理
が終わると、薬液２供給バルブ８２及び層流供給バルブ
７１が閉められ、続いて乱流供給バルブ７２が開けられ
る。これにより、純水が乱流パイプ４０から内槽２０内
に吹き出される（ステップＳ１０）。そして、所定時間
後に乱流供給バルブ７２が閉められて、代わりに層流供
給バルブ７１が開けられる。これにより、純水が層流パ
イプ３０から内槽２０内に供給される（ステップＳ１
１）。

【００３６】所定時間後、制御部２５は、層流供給バル
ブ７１を閉め、開閉部材６１を移動させて排出路６０を
開け、貯留されている純水を排出路６０から排出する
（ステップＳ１２）。また、これと同時に、シャワー供
給バルブ７３が開けられ、純水がシャワーパイプ５０か
ら基板Ｗに対してシャワー状に供給される（ステップＳ
１３）。そして、排出路６０からの純水の排出が完了す
ると、開閉部材６１の移動により排出路６０が閉鎖さ
れ、層流供給バルブ７１が開けられて内槽２０内に純水
が供給される（ステップＳ１４）。層流パイプ３０から
の純水の供給によって内槽２０内に純水が貯留されオー
バーフローし始めるまでは、シャワーパイプ５０からの
純水の供給は続けられる。

【００３７】ステップＳ１４の後半においては、内槽２
０内に貯留されオーバーフローしている純水によって、
さらに基板Ｗの水洗処理が行われる。層流パイプ３０か
ら供給される純水は内槽２０内をくまなく流れ、内槽２
０内に残留した薬液２を全て内槽２０から排出し、ま
た、基板Ｗをむら無く水洗する。そして、比抵抗計２３
の数値が所定値以上となると、制御部２５は水洗処理が
完了したと判断する。その後、内槽２０から純水がオー
バーフローしている状態で、制御部２５は、基板リフト
装置１７によって基板Ｗを上昇させる（ステップＳ１
５）。この後、純水供給バルブ８０及び層流供給バルブ
７１が閉められ、開閉部材６１の移動によって排出路６
０が開き、排出路６０から貯留されている純水が排出さ
れる（ステップＳ１６）。

【００３８】ここでは、層流パイプ３０とは別個に乱流
パイプ４０を設け、乱流パイプ４０による内槽２０内で
の処理液（純水）の流速が層流パイプ３０による内槽２
０内での処理液（薬液あるいは純水）の流速よりも速く
なるように設定している。そして、内槽２０内の薬液
（薬液１，薬液２）を純水に置換する際に、最初に純水
を層流パイプ３０ではなく乱流パイプ４０によって内槽
２０内に供給することで、純水置換の短時間化を図って
いる。一方、薬液により基板処理を行う際には、層流パ
イプ３０により比較的ゆっくりとした流速で薬液が内槽
２０内に供給されるため、基板処理の均一性が確保され
ている。

【００３９】また、乱流パイプ４０による純水の内槽２
０内での流れの方向を、薬液を外槽２１に押し出す向き
に、ここでは基板Ｗの中央部よりも下方に配置された乱
流パイプ４０から反対側の内槽２０の上縁部２０ａに向
けて斜め上向きになるように設定している（図２及び図
５参照）。そして、内槽２０内の純水置換の際に、まず
純水を乱流パイプ４０から内槽２０内に供給して、薬液
を純水によって素早く外槽２１に押し出している。これ
により、純水置換にかかる時間をより短縮させている。
一方、層流パイプ３０から供給される薬液の内槽２０内
における流れは、層流パイプ３０の第１吹き出し口３１
ａが水平面よりも下方に向いているため、図５に示す矢
印Ｆ１のような内槽２０の底部２０ｂから上部に向かう
概ね均一の流れとなる。このため、基板処理の均一性が
確保される。

【００４０】また、ここでは純水の内槽２０での流れの
方向を乱流パイプ４０から反対側の内槽２０の上縁部２
０ａに向けて設定しているが、乱流パイプ４０からの純
水の供給方向を基板Ｗの中央部へ向かわせても良い。こ
うすることによって、２本の乱流パイプ４０から供給さ
れた純水は基板Ｗの中央部でぶつかり水面に向かって上
昇する。そして、内槽２０の水面中央部に上昇してきた
純水は２つに分かれて、すなわち、図２及び図５におい
て内槽２０の上部中央で左右に分かれた後、水面に沿っ
て流れ、外槽２１に向かってオーバーフローしていく。
その結果、基板Ｗ付近の薬液をより迅速に純水に置換す
ることができる。

【００４１】また、ここでは、純水置換の際に、まず乱
流パイプ４０により内槽２０内へ純水を供給して、主と
して乱流パイプ４０の第２吹き出し口４０ａよりも上方
にある内槽２０内の薬液を素早く外槽２１に押し出して
純水に置換している。そして、次に、層流パイプ３０に
より内槽２０内へ純水を供給して、主として内槽２０の
底部２０ｂ付近にある薬液を純水に置換している。この
ように、まず基板Ｗ周辺の薬液を素早く純水に置換する
ことで薬液処理の過剰な進行等の不具合を抑えつつ、次
に内槽２０の底部２０ｂ付近に残った薬液を層流パイプ
３０から下方に向けて供給される純水によって置換して
いる。こうすることによって、内槽２０内をくまなく純
水に置換することができる。

【００４２】また、ここでは、内槽２０内の純水を排出
路６０から排出することによって、純水と次に内槽２０
内に供給される他の薬液とが混合することが抑制され、
次に行う薬液処理を早く行うことができている。また、
ここでは、薬液処理の後、内槽２０内の薬液を純水に置
換し、置換した純水を排出路６０から一旦排出し、排出
後再び内槽２０内に純水を供給して水洗処理を行ってい
る。このように、薬液が多く混入している純水を一旦排
出してから再び水洗処理を行っているので、純水を連続
的に供給して薬液を純水に置換して水洗するものに比べ
て水洗処理に要する時間を短縮することができる。

【００４３】また、ここでは、薬液を置換した純水を排
出路６０から排出するときに、乾燥防止液として純水を
シャワーパイプ５０から基板Ｗに供給しているため、基
板Ｗが乾いて汚染物質が基板に付着することが抑えられ
ている。 ［他の実施形態］ （Ａ）上記実施形態では、層流パイプ３０を二重管構造
に、乱流パイプ４０を単管構造にしているが、両方共を
単管構造とすることもできる。また、上記実施形態では
両パイプ３０，４０の中心位置が図２に示すように内槽
２０の幅方向にずれているが、例えば図５のように層流
パイプ３０を内槽２０の側面２０ｃの内側に配置して両
パイプ３０，４０の中心を幅方向に一致させてもよい。 （Ｂ）上記実施形態では、２種類の薬液（薬液１，薬液
２）による薬液処理を基板Ｗに施しているが、さらに他
の薬液処理を行わせることもある。この場合には、薬液
１や薬液２の供給及びその後の純水による処理（例え
ば、ステップＳ２〜ステップＳ８）と同様の他の薬液に
よる処理を追加すればよい。 （Ｃ）上記実施形態では、排出路６０が内槽２０の側端
面２０ｄの下部に接続されているが、内槽２０内の純水
を全て排出することのできる位置であれば、例えば内槽
２０の底部２０ｂに排出路６０が接続されていても良
い。

【００４４】

【発明の効果】本発明では、第１処理液供給手段とは別
個に第２処理液供給手段を設け、第２処理液供給手段に
よる第２処理液の処理槽内での流速が第１処理液供給手
段による第１処理液の処理槽内での流速よりも速くなる
ように設定している。このため、処理槽内の第１処理液
を第２処理液に置換する際に、第２処理液を第１処理液
供給手段ではなく第２処理液供給手段によって処理槽内
に供給することにより、従来よりも早く置換することが
可能となる。また、第１処理液により基板処理を行う際
には、第１処理液供給手段により比較的ゆっくりとした
流速で第１処理液を処理槽内に供給することができ、基
板処理の均一性を確保することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態における浸漬型基板処理装
置の斜視図。

【図２】基板処理槽の断面図。

【図３】層流及び乱流パイプの拡大断面図。

【図４】基板保持部材の斜視図。

【図５】処理液供給配管図。

【図６】図５のVI−VI矢視断面概略図。

【図７】制御系統図。

【図８】制御タイムチャート図。

【符号の説明】

１０ 基板処理装置（浸漬型基板処理装置） １９ 基板処理槽（処理槽） ２５ 制御部 ３０ 層流パイプ（第１処理液供給手段） ３１ａ 第１吹き出し口（第１処理液供給手段の吹き
出し口） ４０ 乱流パイプ（第２処理液供給手段） ４０ａ 第２吹き出し口（第２処理液供給手段の吹き
出し口） ６０ 排出路 ６１ 開閉部材（開閉切替手段） ５０ シャワーパイプ（乾燥防止液供給手段） ５０ａ 第３吹き出し口（乾燥防止液供給手段の吹き
出し口） Ｗ 基板

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】処理液が溢れ流れるオーバーフロー部を有
   し、貯留した処理液によって収容した基板に対して処理
   を施す処理槽と、 前記処理槽内に吹き出し口を有し、前記処理槽内へ第１
   処理液を供給する第１処理液供給手段と、 前記処理槽内に吹き出し口を有し、前記第１処理液供給
   手段から供給される第１処理液よりも速い流速で第２処
   理液を前記処理槽内へ供給する第２処理液供給手段と、
   を備えた浸漬型基板処理装置。
2. 【請求項２】処理液が溢れ流れるオーバーフロー部を有
   し、貯留した処理液によって収容した基板に対して処理
   を施す処理槽と、 前記処理槽内に吹き出し口を有し、前記処理槽内へ第１
   処理液を供給する第１処理液供給手段と、 前記処理槽内に吹き出し口を有し、前記第１処理液を前
   記オーバーフロー部に押し出す向きに前記処理槽内へ第
   ２処理液を供給する第２処理液供給手段と、を備えた浸
   漬型基板処理装置。
3. 【請求項３】前記オーバーフロー部は、前記処理槽の上
   部に設けられており、 前記第１処理液供給手段は、前記第１処理液を、水平面
   よりも下方に向けて前記処理槽内へ供給し、 前記第２処理液供給手段は、前記第２処理液を、水平面
   よりも上方に向けて前記処理槽内へ供給する、請求項１
   又は２に記載の浸漬型基板処理装置。
4. 【請求項４】前記第２処理液供給手段の吹き出し口は、
   前記処理槽内に収容された状態の基板の中央部よりも下
   方にある、請求項３に記載の浸漬型基板処理装置。
5. 【請求項５】前記第２処理液供給手段は第２処理液を基
   板に向けて供給する、請求項４に記載の浸漬型基板処理
   装置。
6. 【請求項６】前記第１処理液供給手段は、前記第１処理
   液に代えて前記第２処理液を前記処理槽内へ供給するこ
   とができ、 前記第１及び第２処理液供給手段を制御する制御部をさ
   らに備え、 前記制御部は、前記処理槽内に貯留された前記第１処理
   液を前記オーバーフロー部から排出して前記処理槽内を
   前記第２処理液に入れ替える際に、まず前記第２処理液
   供給手段により前記処理槽内へ前記第２処理液を供給し
   た後に前記第１処理液供給手段により前記処理槽内へ前
   記第２処理液を供給する制御を行う、請求項３から５の
   いずれかに記載の浸漬型基板処理装置。
7. 【請求項７】前記処理槽の底面あるいは側面下部には、
   前記第１処理液あるいは前記第２処理液を排出する排出
   路が設けられており、 前記排出路の開閉を行う開閉切替手段をさらに備えてい
   る、請求項１から６のいずれかに記載の浸漬型基板処理
   装置。
8. 【請求項８】前記処理槽の上方に配置される吹き出し口
   を有し、前記処理槽内に収容された基板に対して乾燥防
   止液を供給する乾燥防止液供給手段をさらに備えた、請
   求項７に記載の浸漬型基板処理装置。