JPH1126420A - 洗浄・乾燥処理方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 乾燥効率の向上及び乾燥ガスの消費量の低減
を図れるようにすること。 【解決手段】 洗浄槽２２内に供給される薬液等に被処
理体Ｗを接触して薬液処理した後、洗浄槽２２内にリン
ス液を供給すると共に、オーバーフローさせつつウエハ
Ｗを一次洗浄する。一次洗浄後、ウエハＷを乾燥室２３
内に移動し、乾燥ガスをウエハＷに接触させて予備乾燥
を行い、ウエハＷを再び洗浄槽２２内に移動し、純水を
オーバーフローさせつつウエハＷを二次洗浄する。二次
洗浄後、ウエハＷを再び乾燥室２３内に移動し、乾燥ガ
スをウエハＷに接触させ、凝縮させて乾燥する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、例えば半導体ウ
エハやＬＣＤ用ガラス基板等の被処理体を薬液やリンス
液等の洗浄液に浸漬して洗浄した後、乾燥する洗浄・乾
燥処理方法及びその装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体製造装置の製造工程にお
いては、半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス等の被処理体
（以下にウエハ等という）を薬液やリンス液（洗浄液）
等の処理液が貯留された処理槽に順次浸漬して洗浄を行
う洗浄処理方法が広く採用されている。また、このよう
な洗浄処理装置においては、洗浄後のウエハ等の表面に
例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等の揮発性を
有する有機溶剤の蒸気からなる乾燥ガスを接触させて、
乾燥ガスの蒸気を凝縮あるいは吸着させて、ウエハ等の
水分の除去及び乾燥を行う乾燥処理装置が装備されてい
る。

【０００３】従来のこの種の洗浄・乾燥処理方法とし
て、特開平２−２９１１２８号公報又は特公平６−１０
３６８６号公報に記載の技術が知られている。このう
ち、特開平２−２９１１２８号公報に記載の技術は、洗
浄液例えば純水をオーバーフローする処理槽内に被処理
体例えばウエハを浸漬して洗浄した後、チャック等の搬
送手段によってウエハを処理槽の上方にゆっくり引き上
げると共に、処理室内に例えばＩＰＡ等の揮発性を有す
る有機溶剤の蒸気からなる乾燥ガスを供給し、この乾燥
ガスを洗浄されたウエハ及び洗浄液表面に接触させるこ
とにより、マランゴニー効果によりウエハの水分の除去
及び乾燥を行うようにしたものである。また、特公平６
−１０３６８６号公報に記載の技術は、処理室内に洗浄
液例えば純水を供給してウエハを洗浄処理した後、乾燥
蒸気を供給して純水又は乾燥蒸気が液適の蒸気により実
質的に除去されないような、十分に遅い水洗流体の乾燥
蒸気による置換速度で純水をウエハの表面から直接除去
置換することによりウエハの水分の除去及び乾燥を行う
ようにしたものである。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の洗浄・乾燥処理方法においては、いずれも乾燥
ガスをウエハ等及び洗浄液表面に接触させることによ
り、マランゴニー効果や直接置換を利用してウエハ等の
水分を完全に除去し乾燥する方法であるため、純水、ウ
エハ等と乾燥ガスとの接触時間を長くする必要があっ
た。しかし、この方法では、乾燥処理に多くの時間を要
し乾燥効率の低下を招くという問題があり、また、多量
の乾燥ガスを消費するという問題がある。

【０００５】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、乾燥効率の向上及び乾燥ガスの消費量の低減を図れ
るようにした洗浄・乾燥処理方法及び装置を提供するこ
とを目的とするものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は以下のように構成する。

【０００７】（１）請求項１記載の洗浄・乾燥処理方法
は、洗浄室内に収容された被処理体に薬液を接触させる
薬液処理工程と、 上記洗浄室内でリンス液をオーバー
フローさせつつ上記被処理体を洗浄する一次洗浄処理工
程と、 上記被処理体を上方の乾燥室内に移動して、乾
燥室内に乾燥ガスを供給し、乾燥ガスを被処理体に接触
させる乾燥ガス接触処理工程と、 上記被処理体を再び
上記洗浄室内に移動して、洗浄室内でリンス液をオーバ
ーフローさせつつ上記被処理体を洗浄する二次洗浄処理
工程と、 上記被処理体を再び上記乾燥室内に移動し
て、乾燥室内に乾燥ガスを供給し、乾燥ガスを上記被処
理体に接触させて乾燥する乾燥処理工程とを有すること
を特徴とする。

【０００８】請求項１記載の洗浄・乾燥処理方法によれ
ば、薬液処理、洗浄処理後の被処理体を乾燥室へ移動し
て乾燥ガスを接触し、その後、被処理体を再び洗浄室へ
移動して洗浄処理の二次洗浄を行った後、乾燥室へ移動
して乾燥処理を行うことで、一連の洗浄・乾燥ガス接触
処理工程を終了後、再度、洗浄室において二次洗浄処理
を行うことにより、被処理体表面に残留した化学物質を
除去した後、再度洗浄を行うので、洗浄時間を短縮する
ことができる。また、残した化学物質が完全に除去され
た状態で乾燥されるため、乾燥ガスの使用量、使用時間
を少なくでき、洗浄・乾燥時間の短縮が図れると共に、
乾燥効率を向上させることができる。

【０００９】（２）請求項２記載の洗浄・乾燥処理方法
は、洗浄室内に収容された被処理体に薬液を接触させる
薬液処理工程と、 上記被処理体を上方の乾燥室内に移
動して、乾燥室内に乾燥ガスを供給し、乾燥ガスを被処
理体に接触させる乾燥ガス接触処理工程と、 上記洗浄
室内でリンス液をオーバーフローさせつつ上記被処理体
を洗浄する洗浄処理工程と、 上記被処理体を再び上記
乾燥室内に移動して、乾燥室内に乾燥ガスを供給し、乾
燥ガスを上記被処理体に接触させて乾燥する乾燥処理工
程と、を有することを特徴とする。

【００１０】請求項２記載の洗浄・乾燥処理方法によれ
ば、薬液処理後に、被処理体に乾燥ガスを接触させる乾
燥ガス接触処理を行うことにより、薬液処理後に被処理
体に残留した化学物質の除去を容易にすることができ、
更に上記化学物質の除去を確実にすることができる。ま
た、乾燥ガスの使用量及び使用時間を少なくでき、洗浄
・乾燥時間の短縮が図れると共に、乾燥効率を向上させ
ることができる。

【００１１】（３）請求項３記載の洗浄・乾燥処理方法
は、請求項１又は２記載の洗浄・乾燥処理方法におい
て、 上記被処理体を乾燥室内に移動して乾燥ガスを供
給する状態において、上記乾燥室を洗浄室と遮断するこ
とを特徴とする。請求項３記載の洗浄・乾燥処理方法に
よれば、被処理体を乾燥室内に移動して乾燥ガスを供給
する状態において、乾燥室を洗浄室と遮断することで、
薬液やリンス液等の雰囲気が乾燥室内部に入り込むこと
を防ぐことができる。また、乾燥室を遮断することで、
乾燥ガスの使用量を少なくすることができる。

【００１２】（４）請求項４記載の洗浄・乾燥処理方法
は、洗浄室内に収容された被処理体に薬液を接触させる
薬液処理工程と、 上記洗浄室内でリンス液をオーバー
フローさせつつ上記被処理体を洗浄する一次洗浄処理工
程と、 上記洗浄室内のリンス液を排出するリンス液排
出処理工程と、 上記洗浄室内に乾燥ガスを供給し、乾
燥ガスを被処理体に接触させる乾燥ガス接触処理工程
と、 リンス液を再び上記洗浄室内に供給して、洗浄室
内でリンス液をオーバーフローさせつつ上記被処理体を
洗浄する二次洗浄処理工程と、 二次洗浄処理後の上記
被処理体に対して乾燥ガスを供給し、乾燥ガスを上記被
処理体に接触させて乾燥する乾燥処理工程と、を有する
ことを特徴とする。

【００１３】請求項４記載の洗浄・乾燥処理方法によれ
ば、薬液処理、洗浄処理後の被処理体に洗浄室内で乾燥
ガスを接触し、その後、洗浄室内にリンス液を供給して
リンス液をオーバーフローさせつつ被処理体を二次洗浄
した後、乾燥室へ移動して乾燥処理を行うことで、洗浄
室内で一連の洗浄・乾燥ガスの接触処理を終了後、再
度、洗浄室において二次洗浄を行うことにより、被処理
体表面に残留した化学物質例えばフッ化水素酸を除去し
た後、再度洗浄を行うので、洗浄時間を短縮することが
できる。また、残した化学物質が完全に除去された状態
で乾燥されるため、乾燥ガスの使用量、使用時間を少な
くでき、洗浄・乾燥時間の短縮が図れると共に、乾燥効
率を向上させることができる。

【００１４】（５）請求項５記載の洗浄・乾燥処理方法
は、洗浄室内に収容された被処理体に薬液を接触させる
薬液処理工程と、 上記洗浄室内の薬液を排出する薬液
排出処理工程と、 上記洗浄室内に乾燥ガスを供給し、
乾燥ガスを被処理体に接触させる乾燥ガス接触処理工程
と、 上記洗浄室内でリンス液をオーバーフローさせつ
つ上記被処理体を洗浄する洗浄処理工程と、 洗浄処理
後の上記被処理体に対して乾燥ガスを供給し、乾燥ガス
を上記被処理体に接触させて乾燥する乾燥処理工程と、
を有することを特徴とする。

【００１５】請求項５記載の洗浄・乾燥処理方法によれ
ば、薬液処理後に、被処理体に乾燥ガスを接触させる乾
燥ガス接触処理を行うことにより、薬液処理後に被処理
体に残留した化学物質の除去を容易にすることができ、
更に上記化学物質の除去を確実にすることができる。ま
た、乾燥ガスの使用量及び使用時間を少なくでき、洗浄
・乾燥時間の短縮が図れると共に、乾燥効率を向上させ
ることができる。 （６）請求項６記載の洗浄・乾燥処理方法は、洗浄室内
に供給される薬液、リンス液等に被処理体を接触して洗
浄し、その後、上記被処理体を上記洗浄室の上方の乾燥
室内に移動して、乾燥室内で乾燥する洗浄・乾燥処理方
法において、上記洗浄室内に収容された上記被処理体に
薬液を接触させる薬液処理工程と、上記洗浄室内でリン
ス液をオーバーフローさせつつ上記被処理体を洗浄する
洗浄処理工程と、 上記洗浄室内の上記リンス液を下部
から排出すると共に、洗浄室の上部から洗浄室内に不活
性ガス（例えばＮ2ガス ）を供給する工程と、 上記被
処理体を上記乾燥室内に移動して、乾燥室内に乾燥ガス
を供給し、乾燥ガスを上記被処理体に接触させて乾燥す
る乾燥処理工程とを有することを特徴とする。

【００１６】請求項６記載の洗浄・乾燥処理方法によれ
ば、リンス液の排出と共に不活性ガスを供給することに
より、洗浄室外部からの空気の流入を防ぐことができる
ので、被処理体が空気に晒されることを防止でき、洗浄
処理中、又は処理後の被処理体へのパーティクル等の付
着を防止することができる。また、パーティクル等の付
着のない清浄化された被処理体を乾燥室内で乾燥するこ
とができる。

【００１７】（７）請求項８記載の洗浄・乾燥処理方法
は、請求項６記載の洗浄・乾燥処理方法において、上記
不活性ガスを供給する工程が終了した後、被処理体に対
して乾燥ガスを吹き付けることを特徴とする。請求項８
記載の洗浄・乾燥処理方法によれば、洗浄室内部におい
て又は被処理体を乾燥室へ移動する途中において、被処
理体に乾燥ガスを吹き付ける予備乾燥工程を設けること
により、乾燥の促進が図れると共に、薬液やリンス液等
の雰囲気が乾燥室内部に入り込むことを防ぐことができ
る。

【００１８】（８）請求項９記載の洗浄・乾燥処理方法
は、請求項１ないし６又は８のいずれかに記載の洗浄・
乾燥処理方法において、 上記乾燥ガスを、有機溶剤の
蒸気と、不活性ガスとからなるキャリアガスの混合物に
て形成し、被処理体の表面状態が疎水度が高いか親水度
が高いかに応じて上記有機溶剤の蒸気とキャリアガスの
混合比を変化させるようにしたことを特徴とする。

【００１９】請求項９記載の洗浄・乾燥処理方法によれ
ば、被処理体の表面状態が疎水度が高いか親水度が高い
かによって有機溶剤の蒸気とキャリアガスの混合比を変
えることができるので、乾燥ガスの成分である有機溶剤
の蒸気とキャリアガスの混合比を最適にすることができ
る。また、乾燥ガスを必要以上に多量に使用することが
なくなり、乾燥ガスの消費量を低減することができる。

【００２０】（９）請求項１０記載の洗浄乾燥処理装置
は、薬液及びリンス液の供給と、リンス液を貯留及びオ
ーバーフロー及び下部から排出する洗浄室と、 上記洗
浄室の上方に配置される乾燥室と、 上記洗浄室と乾燥
室の間で被処理体を移動する搬送手段と、 上記洗浄室
内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給ノズルと、上
記乾燥室内に配設される乾燥ガス供給ノズルと、 上記
不活性ガス供給ノズルと乾燥ガス供給ノズルの開閉動作
を制御する制御手段と、を具備することを特徴とする。

【００２１】請求項１０記載の洗浄・乾燥処理装置によ
れば、請求項６記載の洗浄・乾燥処理方法を具現化する
ことができる。また、不活性ガス供給ノズルと乾燥ガス
供給ノズルの開閉動作を制御する制御手段を具備するこ
とにより、洗浄処理中の洗浄室内への外部空気の流入を
阻止して被処理体へのパーティクル等の付着を防止する
ことができ、またパーティクル等の付着のない清浄化さ
れた被処理体に乾燥ガスを接触させて乾燥処理を施すこ
とができる。

【００２２】（１０）請求項１１記載の洗浄・乾燥処理
装置は、請求項１０記載の洗浄・乾燥処理装置におい
て、上記不活性ガス供給ノズルを乾燥ガス供給用に兼用
可能に形成してなることを特徴とする。請求項１１記載
の洗浄・乾燥処理装置によれば、不活性ガス供給ノズル
を乾燥ガス供給用にも兼用可能に形成することにより、
洗浄処理中の洗浄室内への空気の流入を阻止することが
できると共に、洗浄処理後の被処理体への乾燥ガスの吹
き付けを可能にすることができる。したがって、被処理
体の清浄化及び乾燥の促進が図れる。

【００２３】（１１）請求項１２記載の洗浄・乾燥処理
装置は、請求項１０記載の洗浄・乾燥処理装置におい
て、上記乾燥ガス供給ノズルを、開閉手段を介して乾燥
ガス発生器に接続し、上記乾燥ガス発生器にはそれぞれ
流量調整弁を介して乾燥ガス用有機溶剤供給源及びキャ
リアガス供給源を接続してなる、ことを特徴とする。請
求項１２記載の洗浄・乾燥処理装置によれば、乾燥ガス
発生器に供給する乾燥ガス用有機溶剤及びキャリアガス
の流量を流量調整弁により調節できるので、被処理体の
表面状態が疎水度が高いか親水度が高いかに応じて有機
溶剤の蒸気とキャリアガスの混合比を変えることができ
る。したがって、乾燥ガスの成分である有機溶剤の蒸気
とキャリアガスの混合比を最適にすることができ、ま
た、乾燥ガスを必要以上に多量に使用することがなくな
り、更に乾燥ガスの消費量を低減することができる。

【００２４】（１２）請求項１３記載の洗浄・乾燥処理
装置は、請求項１２記載の洗浄・乾燥処理装置におい
て、上記流量調整弁の流量調整動作を制御手段からの信
号に基づいて行うようにしたことを特徴とする。請求項
１３記載の洗浄・乾燥処理装置によれば、より正確に乾
燥ガス用有機溶剤及びキャリアガスの流量を調節できる
ので、乾燥ガスの成分である有機溶剤の蒸気とキャリア
ガスを有効に利用して乾燥処理を行うことができる。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施の形態を
図面に基づいて詳細に説明する。この実施形態では半導
体ウエハの洗浄処理システムに適用した場合について説
明する。

【００２６】図１はこの発明に係る洗浄・乾燥処理装置
を適用した洗浄処理システムの一例を示す概略平面図、
図２はその概略側面図である。

【００２７】上記洗浄処理システムは、被処理体である
半導体ウエハＷ（以下にウエハという）を水平状態に収
納する容器例えばキャリア１を搬入、搬出するための搬
送部２と、ウエハＷを薬液、洗浄液等の液処理すると共
に乾燥処理する処理部３と、搬送部２と処理部３との間
に位置してウエハＷの受渡し、位置調整及び姿勢変換等
を行うインターフェース部４とで主に構成されている。

【００２８】上記搬送部２は、洗浄処理システムの一側
端部に併設して設けられる搬入部５と搬出部６とで構成
されている。また、搬入部５及び搬出部６のキャリア１
の搬入口５ａ及び搬出口６ｂには、キャリア１を搬入部
５、搬出部６に出入れ自在のスライド式の載置テーブル
７が設けられている。また、搬入部５と搬出部６には、
それぞれキャリアリフタ８が配設され、このキャリアリ
フタ８によって搬入部間又は搬出部間でのキャリア１の
搬送を行うことができると共に、空のキャリア１を搬送
部２上方に設けられたキャリア待機部９への受け渡し及
びキャリア待機部９からの受け取りを行うことができる
ように構成されている（図２参照）。

【００２９】上記インターフェース部４は、区画壁４ｃ
によって搬入部５に隣接する第１の室４ａと、搬出部６
に隣接する第２の室４ｂとに区画されている。そして、
第１の室４ａ内には、搬入部５のキャリア１から複数枚
のウエハＷを取り出して搬送する水平方向（Ｘ，Ｙ方
向），垂直方向（Ｚ方向）及び回転（θ方向）可能なウ
エハ取出しアーム１０と、ウエハＷに設けられたノッチ
を検出するノッチアライナー１１と、ウエハ取出しアー
ム１０によって取り出された複数枚のウエハＷの間隔を
調整する間隔調整機構１２を具備すると共に、水平状態
のウエハＷを垂直状態に変換する第１の姿勢変換装置１
３が配設されている。

【００３０】また、第２の室４ｂ内には、処理済みの複
数枚のウエハＷを処理部３から垂直状態のまま受け取っ
て搬送するウエハ受渡しアーム１４と、ウエハ受渡しア
ーム１４から受け取ったウエハＷを垂直状態から水平状
態に変換する第２の姿勢変換装置１３Ａと、この第２の
姿勢変換装置１３Ａによって水平状態に変換された複数
枚のウエハＷを受け取って搬出部６に搬送された空のキ
ャリア１内に収納する水平方向（Ｘ，Ｙ方向），垂直方
向（Ｚ方向）及び回転（θ方向）可能なウエハ収納アー
ム１５が配設されている。なお、第２の室４ｂは外部か
ら密閉されており、図示しない不活性ガス例えば窒素
（Ｎ2）ガスの供給源から供給されるＮ2ガスによって室
内が置換されるように構成されている。

【００３１】一方、上記処理部３には、ウエハＷに付着
するパーティクルや有機物汚染を除去する第１の処理ユ
ニット１６と、ウエハＷに付着する金属汚染を除去する
第２の処理ユニット１７と、ウエハＷに付着する酸化膜
を除去すると共に乾燥処理する洗浄・乾燥処理ユニット
であるこの発明の洗浄・乾燥処理装置１８及びチャック
洗浄ユニット１９が直線状に配列されており、これら各
ユニット１６〜１９と対向する位置に設けられた搬送路
２０に、Ｘ，Ｙ方向（水平方向）、Ｚ方向（垂直方向）
及び回転（θ）可能なウエハ搬送アーム２１が配設され
ている。

【００３２】次に、この発明に係る洗浄・乾燥処理装置
について説明する。

【００３３】◎第一実施形態 図３はこの発明に係る洗浄・乾燥処理装置の第一実施形
態の断面図、図４はその要部の側断面図である。

【００３４】上記洗浄・乾燥処理装置１８は、例えばフ
ッ化水素酸（ＨＦ）やアンモニア水等の薬液や純水等の
洗浄液を貯留（収容）し、貯留したリンス液（洗浄液）
例えば純水にウエハＷを浸漬する洗浄槽２２（洗浄室）
と、洗浄槽２２の上部に位置する乾燥室２３と、複数例
えば５０枚のウエハＷを保持してこのウエハＷを洗浄槽
２２内及び乾燥室２３内に移動する移動手段例えばウエ
ハボート２４とで主に構成されている。

【００３５】この場合、洗浄槽２２は、例えば石英製部
材やポリプロピレンにて形成される内槽２２ａと、この
内槽２２ａの上端部外側に配設されて内槽２２ａからオ
ーバーフローした純水を受け止める外槽２２ｂとで構成
されている。また、内槽２２ａの下部両側には洗浄槽２
２内に位置するウエハＷに向かって薬液又は純水を噴射
する薬液・洗浄液供給ノズル２５（以下に供給ノズルと
いう）が配設され、この供給ノズル２５に接続する図示
しない薬液供給源及び純水供給源から切換弁によって薬
液又は純水が供給されて洗浄槽２２内に薬液又は純水が
貯留されるようになっている。また、内槽２２ａの底部
には排出口が設けられており、この排出口に排出バルブ
２６ａを介設するドレン管２６が接続されている。外槽
２２ｂの底部に設けられた排出口にも排出バルブ２７ａ
を介設するドレン管２７が接続されている。なお、外槽
２２ｂの外側には排気ボックス２８が配設されており、
この排気ボックス２８に設けられた排気口にバルブ２９
ａを介設する排気管２９が接続されている。

【００３６】上記のように構成される洗浄槽２２と排気
ボックス２８は、有底筒状のボックス３０内に配設され
ており、ボックス３０を水平に仕切る仕切板３１によっ
て洗浄槽側の上部室３２ａと内槽２２ａ及び外槽２２ｂ
に接続するドレン管２６，２７及び排気管２９の排液口
及び排気口側の下部室３２ｂとが区画されている。それ
によって、下部室３２ｂの雰囲気、排液の飛散が上部室
３２ａ内に入り込むことを防ぎ、上部室３２ａ内が清浄
に保たれる。なお、上部室３２ａの側壁には排気窓３３
が設けられ、下部室３２ｂの上部側壁に排気窓３４が、
下部側壁には排液口３５が設けられている。

【００３７】一方、上記乾燥室２３は、洗浄槽２２の開
口部２２ｃとの間にシャッタ３６を介して連通する開口
部２３ａを有する断面略逆Ｕ字状の石英製部材に形成さ
れており、その内方の上部両側に乾燥ガス供給ノズル３
７が配設されている。乾燥ガス供給ノズル３７は、供給
管３８を介して乾燥ガス発生器３９に接続されており、
乾燥ガス発生器３９には乾燥ガス用液体例えばＩＰＡ
（イソプロピルアルコール）の供給源７０とキャリアガ
ス例えば窒素（Ｎ2）ガスの供給源７１がそれぞれ流量
調節弁７２，７３を介して接続されている。また、供給
管３８には開閉弁４０（開閉手段）が介設されており、
開閉弁４０の開閉動作によって乾燥ガス発生器３９によ
って生成された乾燥ガス（ＩＰＡ＋Ｎ2）を乾燥ガス供
給ノズル３７から乾燥室２３内に供給し得るように構成
されている。なお、ＩＰＡの供給を停止することによっ
てＮ2ガスのみを乾燥ガス供給ノズル３７から乾燥室２
３内に供給することができる。なおこの場合、開閉弁４
０及び流量調節弁７２，７３は制御手段例えば中央演算
処理装置（ＣＰＵ）６０からの信号に基づいて開閉動
作、開度調整動作し得るように構成されている。

【００３８】このようにＣＰＵ６０からの信号に基づい
て流量調整弁７２，７３の開度を調整することによって
ＩＰＡの蒸気とＮ2ガスの比率を調整することができ
る。したがって、例えばウエハＷの表面状態が疎水度が
高いか親水度が高いかに応じてＩＰＡの蒸気とＮ2ガス
の混合比率を変えることができる。つまり、ウエハＷの
表面状態が疎水度が高い場合は、乾燥状態で水分が残っ
ていると問題が生じるので、過度に乾燥する必要があ
り、そのためにはＩＰＡの量を多くし、Ｎ2ガスを少な
くする。また、ウエハＷの表面状態が親水度が高い場合
は、乾燥状態で微量の水分が残っていても問題が生じな
いので、疎水度が高い場合とは逆にＩＰＡ量を少なく
し、Ｎ2ガスを多くする。よって、ウエハＷの表面状態
が疎水度が高いか親水度が高いかに応じて乾燥ガスの成
分であるＩＰＡの蒸気とＮ2ガスの混合比率を最適状態
にすることができ、乾燥ガスの消費量を低減することが
できる。なお、使用する乾燥ガスとしてはＩＰＡ等のア
ルコールケトン類、エーテル類、多価アルコール等の有
機溶剤を用いることができる。なお、乾燥ガスは、上記
有機溶剤の単独でもよく、あるいは、これら有機溶剤と
Ｎ2ガスの混合物であってもよい。

【００３９】上記シャッタ３６は、図４に示すように、
上部シャッタ体３６ａと下部シャッタ体３６ｂに分割さ
れており、両シャッタ体３６ａ，３６ｂ間に介設（内
蔵）される複数例えば８個のシリンダ５０によって接離
方向への間隔調節可能に形成されている。このようにシ
ャッタ３６を上部シャッタ体３６ａと下部シャッタ体３
６ｂとに分割し、シリンダ５０を介して接離方向の間隔
調節可能に形成することにより、シャッタ３６を閉じた
状態で洗浄槽２２と乾燥室２３に密接することができる
ので、洗浄槽２２と乾燥室２３の遮断性を確実にするこ
とができる。

【００４０】また、シャッタ３６の下部シャッタ体３６
ｂにおける開閉移動方向に沿う両側には断面略逆ハット
状の翼片５１が突設されており、その一方がシャッタ３
６の開閉駆動手段５２（以下に駆動手段という）と連結
されている。この場合、駆動手段５２は例えばボールね
じ機構にて形成されており、ボールねじ機構を収容する
ケーシング内に不活性ガス例えばＮ2ガスが供給されて
いる。また、両翼片５１の一部の屈曲部５１ａが洗浄槽
２２の上部に設けられた樋状槽５３内に貯留された水等
のシール用液体５４に浸漬された状態で移動可能に配設
されている。

【００４１】このようにシャッタ３６の両側に突出する
翼片５１の屈曲部５１ａを移動可能に収容すると樋状槽
５３と、この樋状槽５３内に貯留されて翼片５１の屈曲
部５１ａを浸漬するシール用液体５４とで液体シール機
構５５を形成する。このように形成される液体シール機
構５５によって洗浄槽２２と、洗浄槽２２の外部｛具体
的にはシャッタ３６の駆動手段５２及び洗浄槽２２に関
して駆動手段５２と反対側｝とを気水密にシールするこ
とができる。なお、図示しないが、樋状槽５３の下部に
設けられた供給口から常時シール用液体５４が供給され
ると共に、上部側部に設けられた排液口から常時排出し
て絶えず樋状槽５３内にシール用液体５４が充満されて
いる。

【００４２】また、洗浄槽２２と駆動手段５２は区画壁
５６によって区画されており、更に区画壁５６の下端部
が樋状槽５３内における翼片５１の屈曲部５１ａ内方で
シール用液体５４に浸漬されている。したがって、洗浄
槽２２側の処理部と駆動手段５２側との雰囲気を確実に
遮断することができる。

【００４３】なおこの場合、上記駆動手段５２及びシリ
ンダ５０は上記制御手段すなわちＣＰＵ６０からの信号
に基づいて駆動してシャッタ３６を開閉し得るように構
成されている。

【００４４】次に、上記洗浄・乾燥処理装置の実施例の
動作態様について図５ないし図１２を参照して説明す
る。

【００４５】薬液処理 図５（ａ）に示すように、シャッタ３６を開状態にし
て、洗浄槽２２内にウエハＷを収容した状態で薬液例え
ばＨＦを供給ノズル２５から噴出させるか、あるいは、
図５（ｂ）に示すように、シャッタ３６を閉状態にし
て、洗浄槽２２内にウエハＷを収容した状態で薬液例え
ばＨＦを供給ノズル２５から噴出させ、ウエハＷに接触
させてウエハ表面に付着する酸化膜を除去する。このよ
うにして薬液処理を行った後、洗浄槽２２内の薬液を排
出又は純水Ｌで置換する。

【００４６】この薬液処理において、シャッタ３６を閉
状態にして薬液処理を行うことにより、洗浄槽２２内の
薬液（ＨＦ）の乾燥室２３への飛散等を阻止することが
でき、また、乾燥室２３の内壁が薬液雰囲気によって汚
染されることを防止することができる。

【００４７】一次洗浄処理 次に、図６（ａ）に示すように、シャッタ３６を開状態
にして供給ノズル２５から純水Ｌを供給して洗浄槽２２
内に純水Ｌを充満させると共に、純水Ｌを内槽２２ａか
ら外槽２２ｂにオーバーフローさせる。これにより、洗
浄槽２２内のウエハＷは純水Ｌに浸漬されて一次洗浄処
理が施される。

【００４８】また、図６（ｂ）に示すように、シャッタ
３６を閉状態にして同様に供給ノズル２５から供給され
る純水ＬをオーバーフローさせてウエハＷを一次洗浄処
理する。このようにシャッタ３６を閉状態にして一次洗
浄処理を行うことにより、洗浄槽２２内の純水Ｌの乾燥
室２３への飛散等を阻止することができ、また、乾燥室
２３の内壁が水分雰囲気によって汚染されることを防止
することができる。

【００４９】乾燥ガス接触処理 洗浄処理の途中、図７に示すように、シャッタ３６を開
状態にして、図示しないウエハボートを上昇させてウエ
ハＷを乾燥室２３内に移動し、図８に示すようにウエハ
Ｗを乾燥室２３内に収容した状態で、シャッタ３６を閉
状態にして乾燥ガス供給ノズル３７から乾燥室２３内に
乾燥ガス（ＩＰＡ＋Ｎ2）を供給し、ウエハＷの表面に
残留する薬液（例えばＨＦ）の除去を行う。なお、この
乾燥ガスの接触中に洗浄槽２２内の洗浄液を交換するこ
とにより、以後の二次洗浄処理の開始終了時間を早める
ことができる。この乾燥ガス接触処理は、純水Ｌを排出
した後、乾燥室２３へ移動して行ってもよいし、洗浄槽
２２内からウエハＷをそのまま持ち上げてもよい。ま
た、ウエハＷを乾燥室２３内へ移動する前に乾燥室２３
内を予め乾燥ガス雰囲気にしてもよい。

【００５０】二次洗浄処理 ウエハＷに乾燥ガスを接触した後、図９に示すようにシ
ャッタ３６を開状態にして、図示しないウエハボートを
下降させて、ウエハＷを洗浄槽２２内に移動し、図１０
（ａ）に示すようにシャッタ３６を開状態のままで、洗
浄槽２２内にウエハＷを収容した状態で供給ノズル２５
から純水Ｌを供給させると共に、オーバーフローさせて
二次洗浄処理を行うか、あるいは、図１０（ｂ）に示す
ようにシャッタ３６を閉状態にして、同様に供給ノズル
２５から純水Ｌを供給させると共に、オーバーフローさ
せて二次洗浄処理を行う。

【００５１】乾燥処理 二次洗浄処理が完了した後、図１１に示すようにシャッ
タ３６を開状態にして、図示しないウエハボートを上昇
させてウエハＷを乾燥室２３内に移動し、図１２に示す
ようにウエハＷを乾燥室２３内に収容した状態で、シャ
ッタ３６を閉状態にし、乾燥ガス供給ノズル３７から乾
燥室２３内に乾燥ガス（ＩＰＡ＋Ｎ2）を供給し、ウエ
ハＷの表面に残留する純水Ｌと乾燥ガスの凝縮によりウ
エハＷに残留する水分の除去を行う。この一連の処理に
おいては、１回目の洗浄処理工程及び乾燥ガス接触処理
工程により薬液の残留物（ＨＦ等）の液化した残留物が
除去し易くなっているので、再洗浄・乾燥処理工程によ
り更に確実に残留物を除去することができる。また、こ
の乾燥処理工程の間に、洗浄槽２２内に薬液又は洗浄液
を供給することにより、以後の薬液処理又は洗浄処理の
開始時間を早めることができる。なお、この２回目の乾
燥後、乾燥ガス供給ノズルから乾燥室２３内にＮ2ガス
を供給して乾燥処理を完了する。

【００５２】上記説明では、図５ないし図１３に示すよ
うに、薬液処理→一次洗浄処理→乾燥ガス接触処
理→二次洗浄処理→乾燥処理の手順で洗浄・乾燥処
理を行う場合について説明したが、薬液処理後に、ウエ
ハＷを乾燥室２３内に移動してウエハＷに乾燥ガスを接
触させる工程（乾燥ガス接触工程）でもよい。すなわ
ち、図１４に示すように、薬液処理→乾燥ガス接触
処理→洗浄処理→乾燥処理の手順で洗浄・乾燥処理
を行ってもよい。

【００５３】このように薬液処理後に、ウエハＷに乾燥
ガスを接触させる乾燥ガス接触処理を行うことにより、
薬液処理後にウエハＷに残留した薬液（ＨＦ等の化学物
質）の除去を容易にすることができ、以後の洗浄処理と
相俟って薬液の除去を確実にすることができる。

【００５４】◎第二実施形態 図１５はこの発明に係る洗浄・乾燥処理装置の第二実施
形態を示す断面図である。

【００５５】上記第一実施形態では、洗浄槽２２の上方
に乾燥室２３を配設した場合について説明したが、必し
もこのような構造とする必要はなく、洗浄槽２２の上方
に乾燥部を設ける構造としてもよい。すなわち、洗浄槽
２２を収容する容器３０Ａ内に乾燥室２３Ａを一体に形
成し、乾燥室２３Ａ内に乾燥ガス供給ノズル３７を配設
してもよい。この場合、容器３０Ａの頂部には蓋３０Ｂ
が開閉可能に配設されており、容器３０Ａ内へのウエハ
Ｗの搬入・搬出時に蓋３０Ｂが開放し得るように構成さ
れている。なお、第二実施形態において、その他の部分
は上記第一実施形態と同じであるので、同一部分には同
一符号を付して、その説明は省略する。

【００５６】次に、第二実施形態における洗浄・乾燥処
理装置の動作態様について図１６ないし図２３を参照し
て説明する。

【００５７】薬液処理 図１６に示すように、洗浄槽２２内にウエハＷを収容し
た状態で薬液例えばＨＦを供給ノズル２５から噴出さ
せ、ウエハＷに接触させてウエハ表面に付着する酸化膜
を除去する。このようにして薬液処理を行った後、洗浄
槽２２内の薬液を排出又は純水Ｌで置換する。

【００５８】一次洗浄処理 次に、図１７に示すように、供給ノズル２５から純水Ｌ
を供給して洗浄槽２２内に純水Ｌを充満させると共に、
純水Ｌを内槽２２ａから外槽２２ｂにオーバーフローさ
せる。これにより、洗浄槽２２内のウエハＷは純水Ｌに
浸漬されて一次洗浄処理が施される。

【００５９】乾燥ガス接触処理 洗浄処理の途中、図１８に示すように、図示しないウエ
ハボートを上昇させてウエハＷを洗浄槽２２の上方の乾
燥室２３Ａ内に移動し、図１９に示すように、ウエハＷ
を乾燥室２３内に収容した状態で、乾燥ガス供給ノズル
３７から乾燥室２３Ａ内に乾燥ガス（ＩＰＡ＋Ｎ2）を
供給し、ウエハＷの表面に残留する薬液（例えばＨＦ）
の除去を行う。なお、この乾燥ガスの接触中に洗浄槽２
２内の洗浄液を交換することにより、以後の二次洗浄処
理の開始終了時間を早めることができる。この乾燥ガス
接触処理は、純水Ｌを排出した後、乾燥室２３へ移動し
て行ってもよいし、洗浄槽２２内からウエハＷをそのま
ま持ち上げてもよい。また、ウエハＷを乾燥室２３Ａ内
へ移動する前に乾燥室２３Ａ内を予め乾燥ガス雰囲気に
してもよい。

【００６０】二次洗浄処理 ウエハＷに乾燥ガスを接触した後、図２０に示すよう
に、図示しないウエハボートを下降させて、ウエハＷを
洗浄槽２２内に移動し、図２１に示すように、洗浄槽２
２内にウエハＷを収容した状態で供給ノズル２５から純
水Ｌを供給させると共に、オーバーフローさせて二次洗
浄処理を行う。

【００６１】乾燥処理 二次洗浄処理が完了した後、図２２に示すように、図示
しないウエハボートを上昇させてウエハＷを乾燥室２３
Ａ内に移動し、図２３に示すように，ウエハＷを乾燥室
２３内に収容した状態で、乾燥ガス供給ノズル３７から
乾燥室２３内に乾燥ガス（ＩＰＡ＋Ｎ2）を供給し、ウ
エハＷの表面に残留する純水Ｌと乾燥ガスの凝縮により
ウエハＷに残留する水分の除去を行う。この一連の処理
においては、１回目の洗浄処理工程及び乾燥ガス接触処
理工程により薬液の残留物（ＨＦ等）の液化した残留物
が除去し易くなっているので、再洗浄・乾燥処理工程に
より更に確実に残留物を除去することができる。なお、
この２回目の乾燥ガス供給後、乾燥ガス供給ノズルから
乾燥室２３Ａ内にＮ2ガスを供給して乾燥処理を完了す
る。

【００６２】第二実施形態においても、上記第一実施形
態と同様に、薬液処理後に、ウエハＷを乾燥室２３内に
移動してウエハＷに乾燥ガスを接触させる工程（乾燥ガ
ス接触工程）でもよい。すなわち、図１４に示すよう
に、薬液処理→乾燥ガス接触工程→洗浄処理→
乾燥処理の手順で洗浄・乾燥処理を行ってもよい。した
がって、薬液処理後にウエハＷに残留した薬液（ＨＦ等
の化学物質）の除去を容易にすることができ、以後の洗
浄処理と相俟って薬液の除去を確実にすることができ
る。

【００６３】◎第三実施形態 図２４はこの発明に係る洗浄・乾燥処理装置の第三実施
形態を示す断面図である。

【００６４】第三実施形態は、洗浄槽２２と別個に乾燥
室を設けずに洗浄処理と乾燥処理を行えるようにした場
合である。すなわち、図２４に示すように、洗浄槽２２
の上部開口部に蓋２２ｄを密閉及び開閉可能に装着する
と共に、蓋２２ｄの内方側に乾燥ガス供給ノズル３７を
配設した場合である。なお、第三実施形態において、そ
の他の部分は上記第一実施形態と同じであるので、同一
部分には同一符号を付して、その説明は省略する。

【００６５】次に、第三実施形態における洗浄・乾燥処
理装置の動作態様について図２５ないし図３０を参照し
て説明する。

【００６６】薬液処理 図２５に示すように、洗浄槽２２内にウエハＷを収容し
た状態で薬液例えばＨＦを供給ノズル２５から噴出さ
せ、ウエハＷに接触させてウエハ表面に付着する酸化膜
を除去する。

【００６７】一次洗浄処理 次に、図２６に示すように、供給ノズル２５からリンス
液例えば純水Ｌを供給して洗浄槽２２内に純水Ｌを充満
させると共に、純水Ｌを内槽２２ａから外槽２２ｂにオ
ーバーフローさせる。これにより、洗浄槽２２内のウエ
ハＷは純水Ｌに浸漬されて一次洗浄処理が施される。

【００６８】リンス液排出処理 一次洗浄処理後、図２７に示すように、洗浄槽２２の下
部からリンス液（純水）Ｌを排出（ドレン）する。

【００６９】乾燥ガス接触処理 リンス液（純水）Ｌを排出途中又は排出した後、図２８
に示すように、乾燥ガス供給ノズル３７から洗浄槽２２
内のウエハＷに対して乾燥ガス（ＩＰＡ＋Ｎ2）を供給
し、ウエハＷの表面に残留する薬液（例えばＨＦ）の除
去を行う。

【００７０】二次洗浄処理 ウエハＷに乾燥ガスを接触した後、図２９に示すよう
に、洗浄槽２２内にウエハＷを収容した状態で供給ノズ
ル２５から純水Ｌを供給させると共に、オーバーフロー
させて二次洗浄処理を行う。

【００７１】乾燥処理 二次洗浄処理途中又は完了した後、図３０に示すよう
に、乾燥ガス供給ノズル３７から洗浄槽２２内に乾燥ガ
ス（ＩＰＡ＋Ｎ2）を供給し、ウエハＷの表面に残留す
る水分の除去を行う。この一連の処理においては、１回
目の洗浄処理工程及び乾燥ガス接触処理工程により薬液
の残留物（ＨＦ等）の液化した残留物が除去し易くなっ
ているので、再洗浄・乾燥処理工程により更に確実に残
留物を除去することができる。なお、この２回目の乾燥
後、乾燥ガス供給ノズルから洗浄槽２２内にＮ2ガスを
供給して乾燥処理を完了する。

【００７２】上記説明では、図２５ないし図３０及び図
３６に示すように、薬液処理→一次洗浄処理→リ
ンス液排出処理→乾燥ガス接触処理→二次洗浄処理
→乾燥処理の手順で洗浄・乾燥処理を行う場合につい
て説明したが、薬液の除去を更に確実にするために、図
３１ないし図３５及び図３７に示すように、薬液処理
→薬液排出処理→乾燥ガス接触処理→洗浄処理→
乾燥処理の手順で洗浄・乾燥処理を行ってもよい。

【００７３】すなわち、 薬液処理 図３１に示すように、洗浄槽２２内にウエハＷを収容し
た状態で薬液例えばＨＦを供給ノズル２５から噴出さ
せ、ウエハＷに接触させてウエハ表面に付着する酸化膜
を除去する。

【００７４】薬液排出処理 薬液処理後、図３２に示すように、洗浄槽２２内の薬液
（ＨＦ）を下部から排出（ドレン）する。

【００７５】乾燥ガス接触処理 洗浄槽２２内の薬液（ＨＦ）の排出途中又は排出後、図
３３に示すように、洗浄槽２２内のウエハＷに対して乾
燥ガス供給ノズル３７から乾燥ガス（ＩＰＡ＋Ｎ2）を
供給し、ウエハＷの表面に残留する薬液（例えばＨＦ）
の除去を行う。

【００７６】洗浄処理 次に、図３４に示すように、供給ノズル２５からリンス
液例えば純水Ｌを供給して洗浄槽２２内に純水Ｌを充満
させると共に、純水Ｌを内槽２２ａから外槽２２ｂにオ
ーバーフローさせる。これにより、洗浄槽２２内のウエ
ハＷは純水Ｌに浸漬されて一次洗浄処理が施される。

【００７７】乾燥処理 洗浄処理が完了した後、洗浄液排出途中又は排出後、図
３５に示すように、乾燥ガス供給ノズル３７から洗浄槽
２２内に乾燥ガス（ＩＰＡ＋Ｎ2）を供給し、ウエハＷ
の表面に残留する純水Ｌと乾燥ガスの凝縮によりウエハ
Ｗに残留する水分の除去を行う。この乾燥処理において
は、乾燥ガス接触処理工程により薬液の残留物（ＨＦ
等）の液化した残留物が除去し易くなっているので、洗
浄・乾燥処理工程により更に確実に残留物を除去するこ
とができる。なお、この乾燥後、乾燥ガス供給ノズルか
ら洗浄槽２２内にＮ2ガスを供給して乾燥処理を完了す
る。

【００７８】このように薬液処理後に、ウエハＷに乾燥
ガスを接触させる乾燥ガス接触処理を行うことにより、
薬液処理後にウエハＷに残留した薬液（ＨＦ等の化学物
質）の除去を容易にすることができ、以後の洗浄処理と
相俟って更に薬液の除去を確実にすることができる。

【００７９】◎第四実施形態 図３８はこの発明に係る洗浄・乾燥処理装置の第四実施
形態の断面図である。

【００８０】第四実施形態は、更に乾燥効率の向上を図
れるようにした場合である。すなわち、洗浄槽２２の上
部の開口部２２ｃ内方に不活性ガス供給ノズル４２（以
下にガス供給ノズルという）を配設して、洗浄槽２２内
への不活性ガス例えばＮ2ガスの供給を上記乾燥ガス供
給ノズル３７とは別の供給系から供給するようにした場
合である。この場合、ガス供給ノズル４２は乾燥ガス供
給ノズル３７に接続する供給管３８から分岐された分岐
管４１及び乾燥ガス発生器３９と並行に配管されるバイ
パス管７４を介してＮ2ガス供給源７１に接続されてい
る。また、分岐管４１には開閉弁４３が介設されてお
り、この開閉弁４３は上記開閉弁４０と同様ＣＰＵ６０
からの信号に基づいて開閉動作し得るように構成されて
いる。

【００８１】上記のように構成することにより、ガス供
給ノズル４２から洗浄槽２２内のウエハＷに向かってＮ
2ガスを供給することができる。したがって、洗浄処理
後に洗浄槽２２内の純水を排出する際に、ガス供給ノズ
ル４２からウエハＷに向かってＮ2ガスを供給すること
により、洗浄槽２２内への空気の流入を阻止することが
でき、ウエハＷが空気に晒されるのを防止することがで
きる。このように洗浄処理後のウエハＷが空気に晒され
るのを防止することにより、パーティクル等の付着もな
く清浄化された状態でウエハＷを乾燥室２３へ移動する
ことができる。

【００８２】なお、上記ガス供給ノズル４２は分岐管４
１及び供給管３８を介して乾燥ガス発生器３９に接続さ
れており、供給管３８とバイパス管７４の分岐部に介設
された切換弁７５の切換操作によってガス供給ノズル４
２からＮ2ガスのみを供給するか、あるいは、乾燥ガス
（ＩＰＡ＋Ｎ2）を供給することができるように構成さ
れている。このように構成することにより、洗浄処理後
ウエハＷを乾燥室２３へ移動するときにガス供給ノズル
４２から乾燥ガスをウエハＷに向かって吹き付けること
ができる。したがって、ウエハＷの移動中に乾燥ガスを
接触させることにより乾燥の促進を図ることができる。

【００８３】なお、第四実施形態において、その他の部
分は上記第一実施形態と同じであるので、同一部分には
同一符号を付して、その説明は省略する。

【００８４】次に、第四実施形態における洗浄・乾燥処
理装置の動作態様について図３９ないし図４３を参照し
て説明する。

【００８５】薬液処理 図３９（ａ）に示すように、シャッタ３６を開状態にし
て、洗浄槽２２内にウハＷを収容した状態で薬液例えば
ＨＦを供給ノズル２５から噴出させるか、あるいは、図
３９（ｂ）に示すように、シャッタ３６を閉状態にし
て、洗浄槽２２内にウエハＷを収容した状態で薬液例え
ばＨＦを供給ノズル２５から噴出させ、ウエハＷに接触
させてウエハ表面に付着する酸化膜を除去する。このよ
うにして薬液処理を行った後、洗浄槽２２内の薬液を排
出又は純水Ｌで置換する。

【００８６】この薬液処理において、シャッタ３６を閉
状態にして薬液処理を行うことにより、洗浄槽２２内の
薬液（ＨＦ）の乾燥室２３への飛散等を阻止することが
でき、また、乾燥室２３の内壁が薬液雰囲気によって汚
染されることを防止することができる。

【００８７】洗浄処理 次に、図４０（ａ）に示すように、シャッタ３６を開状
態にして供給ノズル２５からリンス液例えば純水Ｌを供
給して洗浄槽２２内に純水Ｌを充満させると共に、純水
Ｌを内槽２２ａから外槽２２ｂにオーバーフローさせ
る。これにより、洗浄槽２２内のウエハＷは純水Ｌに浸
漬されて一次洗浄処理が施される。

【００８８】また、図４０（ｂ）に示すように、シャッ
タ３６を閉状態にして同様に供給ノズル２５から供給さ
れる純水ＬをオーバーフローさせてウエハＷを洗浄処理
する。このようにシャッタ３６を閉状態にして一次洗浄
処理を行うことにより、洗浄槽２２内の純水Ｌの乾燥室
２３への飛散等を阻止することができる。

【００８９】リンス液の排出 洗浄処理が完了した後、図４１（ａ）に示すように、シ
ャッタ３６を開状態にして、洗浄槽２２内の純水Ｌを洗
浄槽２２の下部から排出（ドレン）すると共に、ガス供
給ノズル４２から洗浄槽２２内にＮ2ガスを供給する。
このように洗浄槽２２内の純水Ｌを排出すると共に、ガ
ス供給ノズル４２からＮ2ガスを供給することにより、
洗浄槽22内への外部空気の流入を阻止することができ、
ウエハＷが空気に晒されてパーティクルなどが付着する
のを防ぐことができる。

【００９０】なお、図４１（ｂ）に示すように、シャッ
タ３６を閉状態にして、同様にガス供給ノズル４２から
Ｎ2ガスを供給することにより、洗浄槽２２内への空気
の流入を阻止することができると共に、乾燥室２３の内
壁が水分雰囲気によって汚染されるのを防止することが
できる。

【００９１】乾燥室への移動 洗浄液の排出後、シャッタ３６を開状態にし、以下の状
態で図示しないウエハボートを上昇させてウエハＷを乾
燥室２３へ移動する。例えば、図４２（ａ）に示すよう
に、乾燥ガス供給ノズル３７からもガス供給ノズル４２
からも乾燥ガス（ＩＰＡ＋Ｎ2）の供給をしない。図４
２（ｂ）に示すように、ガス供給ノズル４２から乾燥ガ
ス（ＩＰＡ＋Ｎ2）を供給して移動中のウエハＷに吹き
付けて予備乾燥を行う。図４２（ｃ）に示すように、ガ
ス供給ノズル４２を停止し，乾燥ガス供給ノズル３７か
ら乾燥室２３内に乾燥ガス（ＩＰＡ＋Ｎ2）を供給して
乾燥室２３内を乾燥ガス雰囲気下にすると共にウエハＷ
に乾燥ガスを吹き付けてウエハＷの移動中に予備乾燥を
行う。あるいは、図４２（ｄ）に示すように、ガス供給
ノズル４２から乾燥ガス（ＩＰＡ＋Ｎ2）を供給すると
共に、乾燥ガス供給ノズル３７から乾燥室２３内に乾燥
ガス（ＩＰＡ＋Ｎ2）を供給して、ウエハＷに乾燥ガス
を吹き付けてウエハＷの移動中に予備乾燥を行う。この
うち、図４２（ｃ）及び（ｄ）に示すように、乾燥室２
３内を乾燥ガス雰囲気におくことによって以後の乾燥処
理における乾燥ガスの供給量を少なくすることができる
と共に、乾燥時間の短縮を図ることができる。

【００９２】乾燥処理 ウエハＷを乾燥室２３内に移動した後、図４３に示すよ
うにシャッタ３６を閉状態にして乾燥ガス供給ノズル３
７から乾燥ガスを供給し、ウエハＷの表面に残留する純
水Ｌと乾燥ガスの凝縮によりウエハＷに残留する水分を
除去して乾燥処理を行う。この乾燥処理においては、移
動中に乾燥ガスを吹き付ける場合には更に余分な水分が
除去されているため、乾燥ガスの供給量は少なくできる
と共に、乾燥時間を短縮することができる。したがっ
て、乾燥効率の向上が図れると共に、乾燥ガスの消費量
を少なくすることができる。また、ウエハＷが疎水度が
高いか親水度が高いかに応じて流量調整弁（図示せず）
の開度を調整して、ＩＰＡの蒸気とＮ2ガスの混合比率
を変えることができる。なお、乾燥処理中に洗浄槽２２
内の洗浄液を交換することにより、以後の洗浄処理の開
始時間を早めることができる。また、乾燥処理後、乾燥
ガスに代えてＮ2ガスを供給して乾燥処理を完了する。

【００９３】なお、上記実施形態では、この発明の洗浄
・乾燥処理装置を半導体ウエハの洗浄処理システムに適
用した場合について説明したが、洗浄処理以外の処理シ
ステムにも適用できることは勿論であり、また、半導体
ウエハ以外のＬＣＤ用ガラス基板等にも適用できること
は勿論である。

【００９４】

【発明の効果】以上に説明したように、この発明の洗浄
・乾燥処理方法及び洗浄・乾燥処理装置によれば、上記
のように構成されているので、以下のような優れた効果
が得られる。

【００９５】（１）請求項１記載の発明によれば、薬液
処理、洗浄処理後の被処理体を乾燥室へ移動して乾燥ガ
スを接触し、その後、被処理体を再び洗浄室へ移動して
洗浄処理の二次洗浄を行った後、乾燥室へ移動して乾燥
処理を行うことで、一連の洗浄・乾燥ガス接触工程を終
了後、再度、洗浄室において二次洗浄処理を行うことに
より、被処理体表面に残留した化学物質（例えばフッ化
水素酸）を除去した後、再度洗浄を行うので、洗浄時間
を短縮することができる。また、残した化学物質が完全
に除去された状態で乾燥されるため、乾燥ガスの使用
量、使用時間を少なくでき、洗浄・乾燥時間の短縮が図
れると共に、乾燥効率を向上させることができる。

【００９６】したがって、一度に多量の乾燥ガスを使用
することなく少量の乾燥ガスを有効に利用することがで
きると共に、乾燥効率の向上を図ることができる。ま
た、被処理体上の不純物をより確実に除去できることに
より、製品の品質及び製品歩留まりの向上を図ることが
できる。

【００９７】（２）請求項２記載の発明によれば、薬液
処理後に、被処理体に乾燥ガスを接触させる乾燥ガス接
触処理を行うことにより、薬液処理後に被処理体に残留
した化学物質の除去を容易にすることができ、更に上記
化学物質の除去を確実にすることができる。また、乾燥
ガスの使用量及び使用時間を少なくでき、洗浄・乾燥時
間の短縮が図れると共に、乾燥効率を向上させることが
できる。

【００９８】（３）請求項３記載の発明によれば、被処
理体を乾燥室内に移動して乾燥ガスを供給する状態にお
いて、乾燥室を洗浄室と遮断するので、上記（１）又は
（２）に加えて薬液やリンス液等の雰囲気が乾燥室内部
に入り込むことを防ぐことができ、また、乾燥室内空間
に乾燥ガスを供給するため、乾燥ガスの使用量を少なく
することができる。

【００９９】（４）請求項４記載の発明によれば、薬液
処理、洗浄処理後の被処理体に洗浄室内で乾燥ガスを接
触し、その後、洗浄室内にリンス液を供給してリンス液
をオーバーフローさせつつ被処理体を二次洗浄した後、
乾燥処理を行うことで、洗浄室内で一連の洗浄・乾燥ガ
スの接触処理を終了後、再度、洗浄室において二次洗浄
を行うことにより、被処理体表面に残留した化学物質例
えばフッ化水素酸を除去した後、再度洗浄を行うので、
洗浄時間を短縮することができる。また、残した化学物
質が完全に除去された状態で乾燥されるため、乾燥ガス
の使用量、使用時間を少なくでき、洗浄・乾燥時間の短
縮が図れると共に、乾燥効率を向上させることができ
る。

【０１００】（５）請求項５記載の発明によれば、薬液
処理後に、被処理体に乾燥ガスを接触させる乾燥ガス接
触処理を行うことにより、薬液処理後に被処理体に残留
した化学物質の除去を容易にすることができ、更に上記
化学物質の除去を確実にすることができる。また、乾燥
ガスの使用量及び使用時間を少なくでき、洗浄・乾燥時
間の短縮が図れると共に、乾燥効率を向上させることが
できる。

【０１０１】（６）請求項６記載の発明によれば、リン
ス液の排出と共に不活性ガスを供給することにより、洗
浄室外部からの空気の流入を防ぐことができるので、被
処理体が空気に晒されることを防止でき、洗浄処理中、
又は処理後の被処理体へのパーティクル等の付着を防止
することができる。また、パーティクル等の付着のない
清浄化された被処理体を乾燥室内で乾燥することができ
る。

【０１０２】（７）請求項８記載の発明によれば、洗浄
室内部において又は被処理体を乾燥室へ移動する途中に
おいて、被処理体に乾燥ガスを吹き付ける予備乾燥工程
を設けることにより、乾燥の促進が図れると共に、薬液
やリンス液の雰囲気が乾燥室内部に入り込むことを防ぐ
ことができる。

【０１０３】（８）請求項９記載の発明によれば、被処
理体の表面状態が疎水度が高いか親水度が高いかによっ
て有機溶剤の蒸気とキャリアガスの混合比を変えること
ができるので、乾燥ガスの成分である有機溶剤の蒸気と
キャリアガスの混合比を最適にすることができる。ま
た、乾燥ガスを必要以上に多量に使用することがなくな
り、更に乾燥ガスの消費量を低減することができる。

【０１０４】（９）請求項１０記載の発明によれば、不
活性ガス供給ノズルと乾燥ガス供給ノズルの開閉動作を
制御する制御手段を具備することにより、洗浄処理中の
洗浄室内への外部空気の流入を阻止して被処理体へのパ
ーティクル等の付着を防止することができ、またパーテ
ィクル等の付着のない清浄化された被処理体に乾燥ガス
を接触させて乾燥処理を施すことができる。

【０１０５】（１０）請求項１１記載の発明によれば、
不活性ガス供給ノズルを乾燥ガス供給用にも兼用可能に
形成することにより、洗浄処理時の洗浄室内への空気の
流入を阻止することができると共に、洗浄処理後の被処
理体への乾燥ガスの吹き付けを可能にすることができ
る。したがって、被処理体の清浄化及び乾燥の促進が図
れる。

【０１０６】（１１）請求項１２記載の発明によれば、
乾燥ガス発生器に供給する乾燥ガス用有機溶剤及びキャ
リアガスの流量を流量調節弁により調節できるので、被
処理体の表面状体が疎水度が高いか親水度が高いかに応
じて有機溶剤の蒸気とキャリアガスの混合比を変えるこ
とができる。したがって、乾燥ガスの成分である有機溶
剤の蒸気とキャリアガスの混合比を最適にすることがで
き、また、乾燥ガスを必要以上に多量に使用することが
なくなり、更に乾燥ガスの消費量を低減することができ
る。

【０１０７】（１２）請求項１３記載の発明によれば、
乾燥ガス用有機溶剤及びキャリアガスの流量をより正確
に調節できるので、乾燥ガスの成分である有機溶剤の蒸
気とキャリアガスを有効に利用して乾燥処理を行うこと
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の洗浄・乾燥処理装置を適用した洗浄
処理システムの概略平面図である。

【図２】上記洗浄処理システムの概略側面図である。

【図３】この発明に係る洗浄・乾燥処理装置の第一実施
形態を示す断面図である。

【図４】図３の要部の側断面図である。

【図５】第一実施形態における薬液処理工程の２つの例
を示す概略断面図である。

【図６】第一実施形態における一次洗浄処理工程の２つ
の例を示す概略断面図である。

【図７】第一実施形態における乾燥室へのウエハの移動
工程を示す概略断面図である。

【図８】第一実施形態における乾燥ガス接触処理工程を
示す概略断面図である。

【図９】第一実施形態における乾燥ガス接触処理後のウ
エハの洗浄槽への移動工程を示す概略断面図である。

【図１０】第一実施形態における二次洗浄処理工程の２
つの例を示す概略断面図である。

【図１１】第一実施形態における二次洗浄処理後のウエ
ハの乾燥室への移動工程を示す概略断面図である。

【図１２】第一実施形態における乾燥処理工程を示す概
略断面図である。

【図１３】第一実施形態の洗浄・乾燥処理工程の手順を
示すフローチャートである。

【図１４】第一実施形態の洗浄・乾燥処理工程の別の手
順を示すフローチャートである。

【図１５】この発明に係る洗浄・乾燥処理装置の第二実
施形態を示す断面図である。

【図１６】第二実施形態における薬液処理工程を示す概
略断面図である。

【図１７】第二実施形態における一次洗浄処理工程を示
す概略断面図である。

【図１８】第二実施形態におけるウエハの移動工程を示
す概略断面図である。

【図１９】第二実施形態における乾燥ガス接触処理工程
を示す概略断面図である。

【図２０】第二実施形態における乾燥ガス接触処理後の
ウエハの洗浄槽への移動工程を示す概略断面図である。

【図２１】第二実施形態における二次洗浄処理工程を示
す概略断面図である。

【図２２】第二実施形態における二次洗浄処理後のウエ
ハの乾燥室への移動工程を示す概略断面図である。

【図２３】第二実施形態における乾燥処理工程を示す概
略断面図である。

【図２４】この発明に係る洗浄・乾燥処理装置の第三実
施形態を示す断面図である。

【図２５】第三実施形態における薬液処理工程を示す概
略断面図である。

【図２６】第三実施形態における一次洗浄処理工程を示
す概略断面図である。

【図２７】第三実施形態におけるリンス液排出処理工程
を示す概略断面図である。

【図２８】第三実施形態における乾燥ガス接触処理工程
を示す概略断面図である。

【図２９】第三実施形態における二次洗浄処理工程を示
す概略断面図である。

【図３０】第三実施形態における乾燥処理工程を示す概
略断面図である。

【図３１】第三実施形態における別の薬液処理工程を示
す概略断面図である。

【図３２】第三実施形態における薬液排出処理工程を示
す概略断面図である。

【図３３】第三実施形態における第１の乾燥ガス接触処
理工程を示す概略断面図である。

【図３４】第三実施形態における別の一次洗浄処理工程
を示す概略断面図である。

【図３５】第三実施形態における乾燥処理工程を示す概
略断面図である。

【図３６】第三実施形態における洗浄・乾燥処理工程の
手順を示すフローチャートである。

【図３７】第三実施形態における洗浄・乾燥処理工程の
別の手順を示すフローチャートである。

【図３８】この発明に係る洗浄・乾燥処理装置の第四実
施形態を示す概略断面図である。

【図３９】第四実施形態における薬液処理工程の２つの
例を示す概略断面図である。

【図４０】第四実施形態における洗浄処理工程の２つの
例を示す概略断面図である。

【図４１】第四実施形態における洗浄液の排出工程の２
つの例を示す概略断面図である。

【図４２】第四実施形態における洗浄槽から乾燥室への
ウエハの移動工程の４つの例を示す概略断面図である。

【図４３】第四実施形態における乾燥処理工程を示す概
略断面図である。

【符号の説明】

Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） ２２ 洗浄槽（洗浄室） ２３，２３Ａ 乾燥室 ２４ ウエハボート（移動手段） ２５ 供給ノズル（薬液・洗浄液供給ノズル） ３６ シャッタ（開閉手段） ３７ 乾燥ガス供給ノズル ４０，４３ 開閉弁 ４１ 分岐管 ４２ ガス供給ノズル（不活性ガス供給ノズル） ５２ 駆動手段（開閉駆動手段） ６０ ＣＰＵ（制御手段） ７０ ＩＰＡ供給源 ７１ Ｎ2ガス供給源 ７２，７３ 流量調節弁 ７４ バイパス管 ７５ 切換弁

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 洗浄室内に収容された被処理体に薬液を
   接触させる薬液処理工程と、 上記洗浄室内でリンス液をオーバーフローさせつつ上記
   被処理体を洗浄する一次洗浄処理工程と、 上記被処理体を上方の乾燥室内に移動して、乾燥室内に
   乾燥ガスを供給し、乾燥ガスを被処理体に接触させる乾
   燥ガス接触処理工程と、 上記被処理体を再び上記洗浄室内に移動して、洗浄室内
   でリンス液をオーバーフローさせつつ上記被処理体を洗
   浄する二次洗浄処理工程と、 上記被処理体を再び上記乾燥室内に移動して、乾燥室内
   に乾燥ガスを供給し、乾燥ガスを上記被処理体に接触さ
   せて乾燥する乾燥処理工程と、を有することを特徴とす
   る洗浄・乾燥処理方法。
2. 【請求項２】 洗浄室内に収容された被処理体に薬液を
   接触させる薬液処理工程と、 上記被処理体を上方の乾燥室内に移動して、乾燥室内に
   乾燥ガスを供給し、乾燥ガスを被処理体に接触させる乾
   燥ガス接触処理工程と、 上記洗浄室内でリンス液をオーバーフローさせつつ上記
   被処理体を洗浄する洗浄処理工程と、 上記被処理体を再び上記乾燥室内に移動して、乾燥室内
   に乾燥ガスを供給し、乾燥ガスを上記被処理体に接触さ
   せて乾燥する乾燥処理工程と、を有することを特徴とす
   る洗浄・乾燥処理方法。
3. 【請求項３】 請求項１又は２記載の洗浄・乾燥処理方
   法において、 上記被処理体を乾燥室内に移動して乾燥ガスを供給する
   状態において、上記乾燥室を洗浄室と遮断することを特
   徴とする洗浄・乾燥処理方法。
4. 【請求項４】 洗浄室内に収容された被処理体に薬液を
   接触させる薬液処理工程と、 上記洗浄室内でリンス液をオーバーフローさせつつ上記
   被処理体を洗浄する一次洗浄処理工程と、 上記洗浄室内のリンス液を排出するリンス液排出処理工
   程と、 上記洗浄室内に乾燥ガスを供給し、乾燥ガスを被処理体
   に接触させる乾燥ガス接触処理工程と、 リンス液を再び上記洗浄室内に供給して、洗浄室内でリ
   ンス液をオーバーフローさせつつ上記被処理体を洗浄す
   る二次洗浄処理工程と、 二次洗浄処理後の上記被処理体に対して乾燥ガスを供給
   し、乾燥ガスを上記被処理体に接触させて乾燥する乾燥
   処理工程と、を有することを特徴とする洗浄・乾燥処理
   方法。
5. 【請求項５】 洗浄室内に収容された被処理体に薬液を
   接触させる薬液処理工程と、 上記洗浄室内の薬液を排出する薬液排出処理工程と、 上記洗浄室内に乾燥ガスを供給し、乾燥ガスを被処理体
   に接触させる乾燥ガス接触処理工程と、 上記洗浄室内でリンス液をオーバーフローさせつつ上記
   被処理体を洗浄する洗浄処理工程と、 洗浄処理後の上記被処理体に対して乾燥ガスを供給し、
   乾燥ガスを上記被処理体に接触させて乾燥する乾燥処理
   工程と、を有することを特徴とする洗浄・乾燥処理方
   法。
6. 【請求項６】 洗浄室内に供給される薬液、リンス液等
   に被処理体を接触して洗浄し、その後、上記被処理体を
   上記洗浄室の上方の乾燥室内に移動して、乾燥室内で乾
   燥する洗浄・乾燥処理方法において、 上記洗浄室内に収容された上記被処理体に薬液を接触さ
   せる薬液処理工程と、上記洗浄室内でリンス液をオーバ
   ーフローさせつつ上記被処理体を洗浄する洗浄処理工程
   と、 上記洗浄室内の上記リンス液を下部から排出すると共
   に、洗浄室の上部から洗浄室内に不活性ガスを供給する
   工程と、 上記被処理体を上記乾燥室内に移動して、乾燥室内に乾
   燥ガスを供給し、乾燥ガスを上記被処理体に接触させて
   乾燥する乾燥処理工程と、を有することを特徴とする洗
   浄・乾燥処理方法。
7. 【請求項７】 請求項１ないし６のいずれかに記載の洗
   浄・乾燥処理方法において、 薬液がフッ化水素酸又はフッ化水素酸を含む溶液である
   ことを特徴とする洗浄・乾燥処理方法。
8. 【請求項８】 請求項６記載の洗浄・乾燥処理方法にお
   いて、 上記不活性ガスを供給する工程が終了した後、被処理体
   に対して乾燥ガスを吹き付けることを特徴とする洗浄・
   乾燥処理方法。
9. 【請求項９】 請求項１ないし６又は８のいずれかに記
   載の洗浄・乾燥処理方法において、 上記乾燥ガスを、有機溶剤の蒸気と、不活性ガスとから
   なるキャリアガスの混合物にて形成し、被処理体の表面
   状態が疎水度が高いか親水度が高いかに応じて上記有機
   溶剤の蒸気とキャリアガスの混合比を変化させるように
   したことを特徴とする洗浄・乾燥処理方法。
10. 【請求項１０】 薬液及びリンス液の供給と、リンス液
    を貯留及びオーバーフロー及び下部から排出する洗浄室
    と、 上記洗浄室の上方に配置される乾燥室と、 上記洗浄室と乾燥室の間で被処理体を移動する搬送手段
    と、 上記洗浄室内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給ノ
    ズルと、 上記乾燥室内に配設される乾燥ガス供給ノズルと、 上記不活性ガス供給ノズルと乾燥ガス供給ノズルの開閉
    動作を制御する制御手段と、を具備することを特徴とす
    る洗浄・乾燥処理装置。
11. 【請求項１１】 請求項１０記載の洗浄・乾燥処理装置
    において、 上記不活性ガス供給ノズルを乾燥ガス供給用に兼用可能
    に形成してなることを特徴とする洗浄・乾燥処理装置。
12. 【請求項１２】 請求項１０記載の洗浄・乾燥処理装置
    において、 上記乾燥ガス供給ノズルを、開閉手段を介して乾燥ガス
    発生器に接続し、上記乾燥ガス発生器にはそれぞれ流量
    調整弁を介して乾燥ガス用有機溶剤供給源及びキャリア
    ガス供給源を接続してなる、ことを特徴とする洗浄・乾
    燥処理装置。
13. 【請求項１３】 請求項１２記載の洗浄・乾燥処理装置
    において、 上記流量調整弁の流量調整動作を制御手段からの信号に
    基づいて行うようにしたことを特徴とする洗浄・乾燥処
    理装置。