JP2000308857A - 液処理方法及び液処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理液の組成変化を防止すると共に、温度を
所定温度に維持して洗浄等の処理性能の向上を図れるよ
うにすること。 【解決手段】 密閉された処理槽２１内に収容された半
導体ウエハＷに対して洗浄液Ｌをスプレー状に供給した
後、半導体ウエハＷに洗浄液Ｌをスプレー状に供給する
と同時に、半導体ウエハＷを洗浄液Ｌに浸漬してスプレ
ー・浸漬洗浄を行う。その後、半導体ウエハＷを洗浄液
Ｌに所定時間浸漬して浸漬洗浄を行った後、浸漬に供し
た洗浄液Ｌを排出すると同時に、半導体ウエハＷに対し
て洗浄液Ｌをスプレー状に供給してスプレー洗浄を行
い、その後、半導体ウエハＷに対して洗浄液Ｌをスプレ
ー状に供給してスプレー洗浄（仕上げ洗浄）を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、液処理方法及び
液処理装置に関するもので、更に詳細には、例えば半導
体ウエハやＬＣＤ用ガラス基板等の被処理体に処理液例
えば洗浄液を供給して洗浄等の処理をする液処理方法及
び液処理装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体製造装置の製造工程にお
いては、半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス等の被処理体
（以下にウエハ等という）に付着したレジストやポリマ
等を除去するために、例えば有機溶剤あるいは有機酸等
の洗浄液を用いる洗浄処理方法が広く採用されている。

【０００３】従来のこの種の洗浄処理方法として、密閉
度の低い処理槽に所定温度（例えば約７０℃）の洗浄液
を貯留し、この洗浄液に所定時間ウエハ等を浸漬して洗
浄する浸漬式洗浄方法や、密閉度の高い処理槽（処理
室）内に収容されたウエハ等に所定時間洗浄液をスプレ
ー状に供給して洗浄するスプレー式洗浄方法が知られて
いる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者す
なわち浸漬式洗浄方法においては、洗浄液の成分の蒸発
による組成変化が生じるため、安定したプロセス性能を
長時間維持することが難しいという問題があった。ま
た、複数枚例えば５０枚のウエハ等を洗浄液に浸漬して
洗浄すると、ウエハ等を洗浄液から取り出す際に、ウエ
ハ等から除去された異物がウエハ等に再付着して、洗浄
性能を低下させるという問題もあった。

【０００５】一方、後者すなわちスプレー式洗浄方法で
は、密閉度の高い処理槽（処理室）内で洗浄処理を行う
ため、洗浄液の成分の蒸発による組成変化の問題はない
が、このスプレー式洗浄方法においては、ウエハ等に洗
浄液が均一に供給されにくいため、洗浄むらが生じ易
く、また、スプレー供給により洗浄液の温度が低下する
ため、洗浄液の温度管理が難しいという問題もあった。

【０００６】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、処理液の組成変化を防止すると共に、温度を所定温
度に維持して洗浄等の処理性能の向上を図れるようにし
た液処理方法及び液処理装置を提供することを目的とす
るものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は以下のように構成する。

【０００８】請求項１記載の発明は、密閉された処理槽
内に収容された被処理体に対して処理液をスプレー状に
供給するスプレー処理工程と、 上記被処理体を処理液
に浸漬する浸漬処理工程とを有し、 上記スプレー処理
工程と浸漬処理工程をそれぞれ独立して行う工程と、同
時に行う工程を有することを特徴とする。

【０００９】請求項２記載の発明は、密閉された処理槽
内に収容された被処理体に対して処理液をスプレー状に
供給する第１のスプレー処理工程と、 上記被処理体を
処理液に所定時間浸漬する浸漬処理工程と、 上記浸漬
に供した処理液を排出すると同時に、被処理体に対して
処理液をスプレー状に供給する第２のスプレー処理工程
と、 上記被処理体に対して処理液をスプレー状に供給
する第３のスプレー処理工程と、を有することを特徴と
する。

【００１０】この発明の液処理方法において、上記被処
理体に処理液をスプレー状に供給すると同時に、被処理
体を処理液に浸漬するスプレー・浸漬処理工程を更に有
する方が好ましい（請求項３）。また、上記被処理体に
対して乾燥ガスを供給する乾燥工程を更に有する方が好
ましい（請求項４）。また、上記浸漬処理工程中の処理
液を温度調整及び濾過しつつ循環供給する方が好ましい
（請求項５）。

【００１１】また、上記請求項２ないし５のいずれかに
記載の液処理方法において、上記第３のスプレー処理工
程に新規処理液を使用する方が好ましい（請求項６）。

【００１２】また、この発明の液処理方法において、上
記被処理体に処理液をスプレー状に供給する工程中に、
被処理体と処理液供給部とを相対的に移動する方が好ま
しい（請求項７）。また、上記浸漬処理工程中に、処理
液に超音波を照射するようにしてもよい（請求項８）。

【００１３】請求項９記載の発明は、被処理体を収容す
る処理槽と、 上記処理槽を外部から密封する開閉可能
な蓋体と、 上記処理槽内の被処理体に対して処理液を
スプレー状に供給する第１の処理液供給手段と、 上記
洗浄槽内に処理液を供給する第２の処理液供給手段と、
上記処理槽内に貯留された処理液を排出する排出手段
と、を具備することを特徴とする。

【００１４】この発明の液処理装置において、上記第１
の処理液供給手段でスプレー処理後、第２の処理液供給
手段より処理槽内に処理液を供給し浸漬処理を行い、上
記処理槽内の処理液を排出手段より排出しながら上記第
１の処理液供給手段よりスプレー処理を行うよう、上記
第１の処理液供給手段、第２の処理液供給手段及び排出
手段を制御する方が好ましい（請求項１０）。この場
合、上記制御に、上記第２の処理液供給手段より処理槽
内に処理液を供給し浸漬処理を行うと同時に、第１の処
理液供給手段より処理液を供給する制御を含める方が好
ましい（請求項１１）。また、上記処理槽内に乾燥ガス
を供給する乾燥ガス供給手段を更に具備する方が好まし
い（請求項１２）。また、上記処理槽の下部と上部を接
続する循環管路を設けると共に、この循環管路に、ポン
プ、濾過手段及び温度調整手段を介設する方が好ましい
（請求項１３）。また、上記処理槽の底部に超音波発生
手段を配設することも可能である（請求項１４）。

【００１５】また、この発明の液処理装置において、上
記第１の処理液供給手段を、処理槽内の被処理体に対し
て移動可能に形成する方が好ましい（請求項１５）。ま
た、上記被処理体を保持する保持手段を具備すると共
に、この保持手段を蓋体に設けた貫通口に対して気水密
かつ摺動可能に貫通する方が好ましい（請求項１６）。
加えて、処理に供され、排出手段より排出された処理液
を貯留し、再度第１の処理液供給手段へ供給するための
タンクを具備する方が好ましい（請求項１７）。

【００１６】請求項１，２，９〜１１記載の発明によれ
ば、密閉処理槽内に収容された被処理体に処理液をスプ
レー状に供給して処理した後、浸漬処理を所定時間行っ
た後、処理槽内の処理液を排出すると同時に、被処理体
に対して処理液をスプレー状に供給して処理を行い、処
理槽内に貯留された処理液が完全に排出された後には、
処理液をスプレー状に供給して被処理体の仕上げ処理を
行うことができる。この場合、被処理体に処理液をスプ
レー状に供給すると同時に、被処理体を処理液に浸漬す
ることで、処理効率の向上を図ることができる（請求項
３）。また、仕上げ処理に新規な処理液を使用すること
で、更に処理精度の向上を図ることができる（請求項
６）。

【００１７】上記処理を行った後に、被処理体に乾燥ガ
ス例えばイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等の揮発性
を有する有機溶剤の蒸気、あるいは高温の窒素（Ｎ₂）
ガス等からなる乾燥ガスを供給することにより、被処理
体の乾燥を行うことができる（請求項４，１２）。

【００１８】また、上記浸漬処理工程中に、処理槽内に
貯留された処理液を所定の温度に温度調整及び濾過しつ
つ循環供給することにより、処理液を有効に利用するこ
とができる（請求項５，１３）。

【００１９】また、被処理体に処理液をスプレー状に供
給する工程中に、被処理体と処理液供給部とを相対的に
移動することで、被処理体に均一に処理液を供給するこ
とができる（請求項７，１５，１６）。

【００２０】また、浸漬処理工程中に、処理液に超音波
を照射することで、被処理体と処理液との接触を助長す
ることができる（請求項８，１４）。

【００２１】また、処理に供され、排出手段より排出さ
れた処理液を貯留し、再度第１の処理液供給手段へ供給
するためのタンクを具備することにより、処理液を有効
に利用することができる（請求項１７）。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施の形態を
図面に基づいて詳細に説明する。この実施形態では半導
体ウエハの洗浄処理システムに適用した場合について説
明する。

【００２３】図１はこの発明に係る液処理装置を適用し
た液処理システムの一例を示す概略平面図である。

【００２４】上記液処理システムは、被処理体である半
導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）を水平状態に収
納する容器例えばキャリア１を搬入、搬出するための搬
入・搬出部２と、ウエハＷを液処理すると共に乾燥処理
する処理部３と、搬入・搬出部２と処理部３との間に位
置してウエハＷの受渡し、位置調整及び姿勢変換等を行
うインターフェース部４とで主に構成されている。

【００２５】上記搬入・搬出部２は、液処理システムの
一側端部にはキャリア搬入部５ａとキャリア搬出部５ｂ
が併設されると共に、ウエハの受渡し部６が設けられて
いる。この場合、キャリア搬入部５ａとウエハ受渡し部
６との間には図示しない搬送機構が配設されており、こ
の搬送機構によってキャリア１がキャリア搬入部５ａか
らウエハ受渡し部６へ搬送されるように構成されてい
る。

【００２６】また、キャリア搬出部５ｂとウエハ受渡し
部６には、それぞれキャリアリフタ（図示せず）が配設
され、このキャリアリフタによって空のキャリア１を搬
入・搬出部２上方に設けられたキャリア待機部（図示せ
ず）への受け渡し及びキャリア待機部からの受け取りを
行うことができるように構成されている。この場合、キ
ャリア待機部には、水平方向（Ｘ，Ｙ方向）及び垂直方
向（Ｚ方向）に移動可能なキャリア搬送ロボット（図示
せず）が配設されており、このキャリア搬送ロボットに
よってウエハ受渡し部６から搬送された空のキャリア１
を整列すると共に、キャリア搬出部５ｂへ搬出し得るよ
うになっている。また、キャリア待機部には、空キャリ
アだけでなく、ウエハＷが収納された状態のキャリア１
を待機させておくことも可能である。

【００２７】上記ウエハ受渡し部６は、上記インターフ
ェース部４に開口しており、その開口部には蓋開閉装置
７が配設されている。この蓋開閉装置７によってキャリ
ア１の蓋体（図示せず）が開放あるいは閉塞されるよう
になっている。したがって、ウエハ受渡し部６に搬送さ
れた未処理のウエハＷを収納するキャリア１の蓋体を蓋
開閉装置７によって取り外してキャリア１内のウエハＷ
を搬出可能にし、全てのウエハＷが搬出された後、再び
蓋開閉装置７によって蓋体を閉塞することができる。ま
た、キャリア待機部からウエハ受渡し部６に搬送された
空のキャリア１の蓋体を蓋開閉装置７によって取り外し
てキャリア１内へのウエハＷを搬入可能にし、全てのウ
エハＷが搬入された後、再び蓋開閉装置７によって蓋体
を閉塞することができる。なお、ウエハ受渡し部６の開
口部近傍には、キャリア１内に収納されたウエハＷの枚
数を検出するマッピングセンサ９が配設されている。

【００２８】上記インターフェース部４には、複数枚例
えば２５枚のウエハＷを水平状態に保持すると共に、ウ
エハ受渡し部６のキャリア１との間でウエハＷを受け渡
す２つのアーム体８ａ，８ｂを具備する水平搬送手段例
えばウエハ搬送アーム８と、複数枚例えば５０枚のウエ
ハＷを所定間隔をおいて垂直状態に保持する図示しない
ピッチチェンジャと、ウエハ搬送アーム８とピッチチェ
ンジャとの間に位置して、複数枚例えば２５枚のウエハ
Ｗを水平状態と垂直状態とに変換する姿勢変換手段例え
ば姿勢変換装置１０と、垂直状態に姿勢変換されたウエ
ハＷに設けられたノッチ（図示せず）を検出する位置検
出手段例えばノッチアライナ１１が配設されている。ま
た、インターフェース部４には、処理部３と連なる搬送
路１２が設けられており、この搬送路１２にウエハ搬送
手段例えばウエハ搬送チャック１３が移動自在に配設さ
れている。

【００２９】一方、上記処理部３には、ウエハＷに付着
するレジストやポリマ等を除去するこの発明に係る液処
理装置２０が配設されている。以下に、この発明に係る
液処理装置について詳細に説明する。

【００３０】◎第一実施形態 上記液処理装置２０は、図２に示すように、ウエハＷを
収容する処理槽２１と、この処理槽２１内を密閉すべく
処理槽２１の開口部に開閉可能に被着される蓋体２２
と、処理槽２１内のウエハＷに対して例えば有機溶剤や
有機酸等の処理液（以下に洗浄液Ｌという）をスプレー
状に供給する第１の洗浄液供給手段３０（第１の処理液
供給手段）と、処理槽２１内に洗浄液Ｌを供給する第２
の洗浄液供給手段４０（第２の処理液供給手段）と、処
理槽２１内に貯留された洗浄液Ｌを排出する洗浄液排出
手段５０（処理液排出手段）とを具備してなる。また、
処理槽２１内の上部には、乾燥ガス例えばイソプロピル
アルコール（ＩＰＡ）の蒸気、ＩＰＡと不活性ガスの混
合気体又は不活性ガス等を噴射する乾燥ガス供給ノズル
６０（乾燥ガス供給手段）が配設されている。この乾燥
ガス供給ノズル６０は、開閉手段６１を介して乾燥ガス
発生手段６２に接続されている。

【００３１】この場合、上記処理槽２１は、複数枚例え
ば５０枚のウエハＷを収容すると共に、洗浄液Ｌを貯留
する内槽２１ａと、この内槽２１ａの開口部からオーバ
ーフローする洗浄液Ｌを受け止める外槽２１ｂとで構成
されている。このように構成される処理槽２１すなわち
内槽２１ａ及び外槽２１ｂは、例えば石英製部材にて形
成されている。

【００３２】また、内槽２１ａの底部には超音波発生手
段７０が配設されており、この超音波発生手段７０から
処理槽２１内に貯留される洗浄液Ｌに超音波が照射され
るように構成されている。この超音波発生手段７０は、
超音波電力を発生する発振器（図示せず）と、図示しな
い振動板を介して内槽２１ａの底部に配設される発振素
子（図示せず）とで主に構成されている。

【００３３】上記のように構成される処理槽２１の開口
部には、上記蓋体２２が図示しない昇降機構によって昇
降可能すなわち開閉可能に配設されており、この蓋体２
２が下降して処理槽２１の開口部に接した状態でシール
部材２３を介して処理槽２１内が外部から密閉されるよ
うに構成されている。この場合、シール部材２３は、例
えば図５（ａ）に示すように、処理槽２１の開口部（具
体的には外槽２１ｂの開口部）に周設された嵌合溝２４
内に嵌合される合成ゴム製のシールパッキン２３ａにて
形成されるか、あるいは、図５（ｂ）に示すように、処
理槽２１の外槽２１ｂの開口部の上端より若干突出する
ように外周面に固定ねじ２５をもって固定される合成ゴ
ム製のシールパッキン２３ｂにて形成されている。この
場合、図５（ｂ）に示すように、蓋体２２を、例えばス
テンレス製の本体２２ａと、この本体２２ａの表面に被
着される例えば合成ゴム製の被覆材２２ｂとで構成する
方がよい。なお、シール部材２３（シールパッキン２３
ａ，２３ｂ）を蓋体２２側に取り付けるようにしてもよ
く、あるいは、処理槽２１と蓋体２２の双方に取り付け
るようにしてもよい。

【００３４】また、ウエハＷは、処理槽２１に対して昇
降可能な保持手段例えばウエハボート２６に設けられた
３本の保持棒２６ａによって保持されると共に、昇降機
構２６Ａによって昇降するウエハボート２６の昇降によ
って、処理槽２１内に搬入（収容）され、処理槽２１か
ら搬出されるようになっている（図３参照）。

【００３５】また、ウエハボート２６は、ウエハＷを保
持する３本の保持棒２６ａを片持ち支持する垂直部材２
６ｂを具備しており、この垂直部材２６ｂが上記蓋体２
２に設けられた貫通口２７に対して気水密かつ摺動可能
に貫通している（図３参照）。この場合、図４に示すよ
うに、蓋体２２に設けられた貫通口２７には、図示しな
い空気供給源と排出部とに連通する例えば合成ゴム製の
可撓性中空パッキン２８が配設されており、空気供給源
から空気が供給されて膨張することによって垂直部材２
６ｂに密接して気水密を維持し得るように構成されてい
る（図４（ａ）参照）。また、貫通口２７の内周面に
は、図示しないＮ₂ ガス供給源に接続するＮ₂ ガス噴出
口２９が開口しており、上記中空パッキン２８内の空気
が排出されたときに、Ｎ₂ ガス供給源から供給されるＮ
₂ガスをＮ₂ ガス噴出口２９から処理槽２１内に向かっ
て噴射することにより、貫通口２７と垂直部材２６ｂと
の気水密性を維持しつつウエハボート２６の昇降を可能
にしている（図４（b）参照）。なお、Ｎ₂ ガス噴出口
２９から処理槽２１内に向かって噴射されたＮ₂ガス
は、蓋体２２の側面に設けられた排出口（図示せず）か
ら外部に排出されるようになっている。

【００３６】また、処理槽２１の内槽２１ａの底部に設
けられた供給口１００と、外槽２１ｂの底部に設けられ
た第１の排出口８２には、循環管路８０が接続されてお
り、この循環管路８０には、外槽２１ｂ側から順にポン
プ８３、フィルタ８４（濾過手段）及び温度調整手段で
あるヒータ８５が介設されている。この場合、ヒータ８
５は、処理槽２１内に配設される温度センサ（図示せ
ず）によって検出された検出信号に基づいて制御信号を
発する制御手段例えば中央演算処理装置（ＣＰＵ）｛図
示せず｝からの信号を受けて、洗浄液Ｌを所定の温度例
えば約７０℃に調整するようになっている。このよう
に、処理槽２１の下部と上部を接続する循環管路８０
に、ポンプ８３、フィルタ８４及びヒータ８５を介設す
ることにより、処理槽２１内に貯留された洗浄液Ｌを濾
過しつつ所定温度に温度調整して循環供給することがで
きる。なお、循環管路８０におけるヒータ８５の後に
は、ヒータ８５から供給口１００に向かって２つの開閉
弁１０１，１０２が介設されている。

【００３７】なおこの場合、循環管路８０の途中、例え
ば、外槽２１ｂの第１の排出口８２とポンプ８３との間
には、第１の洗浄液供給手段３０及び第２の洗浄液供給
手段４０の洗浄液供給源の一部を構成する洗浄液収容タ
ンク９０が介設されている。なお、この洗浄液収容タン
ク９０内には、このタンク９０内に貯留される洗浄液Ｌ
を所定の温度例えば約７０℃に温度調整するヒータ９０
ａが配設されている。また、洗浄液収容タンク９０の底
部に設けられた排出口９０ｂにはドレン弁９０ｃを介し
てドレン管９０ｄが接続されている。また、循環管路８
０における開閉弁１０１と１０２の間には後述する供給
管路３３を介して第１の洗浄液供給手段３０が接続され
ている。このように構成することにより、内槽２１ａか
ら外槽２１ｂにオーバーフローした洗浄液Ｌが洗浄液収
容タンク９０内に戻された後に再び、第１の洗浄液供給
手段３０又は第２の洗浄液供給手段４０へ供給され、洗
浄液Ｌが再利用される。

【００３８】一方、上記第１の洗浄液供給手段３０は、
処理槽２１の開口部の対向する２辺側に配設される２本
のスプレーノズルにて形成されている。この第１の洗浄
液供給手段すなわちスプレーノズル３０は、図６に示す
ように、先端が閉塞されたパイプ本体３０ａの側面に、
軸方向に沿って適宜間隔をおいて多数のノズル孔３０ｂ
を穿設してなり、基部側に回転可能に装着される手段例
えばベアリング３１に設けられた洗浄液供給口３２を介
して上記洗浄液収容タンク９０に接続されている。すな
わち、供給管路３３及びこの供給管路３３に接続する循
環管路８０を介して洗浄液収容タンク９０、第１の排出
口８２に接続されている。なお、供給管路３３には開閉
弁３３ａが介設されている。また、供給管路３３に切換
弁３４を介して洗浄液供給源３５が接続されており、上
記洗浄液収容タンク９０内の洗浄液Ｌ以外に、新規の洗
浄液Ｌをスプレーノズル３０及び供給口１００に供給す
ることができるように構成されている。洗浄液供給源３
５は、ヒータ３５ａを配設したタンクにて形成されてお
り、図示しない圧送手段により洗浄液Ｌが供給できるよ
うになっている。なおこの場合、図２に二点鎖線で示す
ように、供給管路３３に切換弁３４ａを介してリンス液
例えば純水の供給源３６を接続するようにしてもよい。
このように供給管路３３に純水供給源３６を接続するこ
とにより、洗浄処理時に純水を用いたリンス処理を行う
ことができる。

【００３９】また、処理槽２１の外部に突出するスプレ
ーノズル３０の基端部には正逆回転可能な機構例えばモ
ータ３７が連結されており、このモータ３７の駆動によ
ってスプレーノズル３０が処理槽２１内のウエハＷに対
していわゆる首振り移動して、洗浄液ＬをウエハＷ表面
に均一に供給し得るように構成されている。

【００４０】上記第２の洗浄液供給手段４０は、処理槽
２１の内槽２１ａの底部に設けられた上記供給口１００
にて形成されている。この供給口１００には、上記循環
管路８０を介して洗浄液収容タンク９０が接続されると
共に、供給管路３３を介して上記洗浄液供給源３５が接
続されている。したがって、第２の洗浄液供給手段４０
すなわち供給口１００を介して、洗浄液供給源３５から
の新規の洗浄液Ｌが処理槽２１内に供給され、また、処
理槽２１内に貯留され、内槽２１ａから外槽２１ｂにオ
ーバーフローした洗浄液Ｌを循環供給することができ
る。

【００４１】一方、上記排出手段５０は、上記処理槽２
１の内槽２１ａの底部に設けられた排出口８１に接続す
ると共に、外槽２１ｂの底部に設けられた第２の排出口
８２ａに接続する排出管路５１にて形成されている。こ
の場合、排出管路５１は、開閉弁８６を介設する主排出
管路５１ａと、この主排出管路５１ａと第２の排出口８
２ａとを接続する補助排出管路５１ｂとで構成されてい
る。

【００４２】なお、排出管路５１には、切換弁１０３を
介して上記洗浄液収容タンク９０が接続されて、洗浄に
供された洗浄液Ｌの再利用が可能になっている。すなわ
ち、排出管路５１の主排出管路５１ａにおける補助排出
管路５１ｂとの交流部の下流側に介設される切換弁１０
３と、上記洗浄液収容タンク９０の上部とを接続する戻
り管路１１０に、比較的大きな夾雑物を除去する第１の
フィルタ１１１と、微細な夾雑物を除去する第２のフィ
ルタ１１２を介設して、洗浄に供されて排出される洗浄
液Ｌをフィルタリングして再利用できるようになってい
る。

【００４３】次に、上記洗浄処理装置を用いた洗浄処理
の手順について、図７及び図８を参照して詳細に説明す
る。まず、上記ウエハ搬送チャック１３によって搬送さ
れた複数枚例えば５０枚のウエハＷをウエハボート２６
で受け取った後、ウエハボート２６を下降して、処理槽
２１内にウエハＷを搬入（収容）する。次に、図示しな
い昇降機構を駆動して蓋体２２を下降して処理槽２１の
開口部を閉塞すると共に、処理槽２１内を外部から密閉
する。

【００４４】処理槽２１内を密閉した状態で、ポンプ８
３を駆動すると共に、開閉弁１０１及び３３ａを開放す
ると共に、切換弁３４をタンク供給側に切り換えて、洗
浄液収容タンク９０内の洗浄液Ｌをスプレーノズル３０
から噴射してウエハＷをスプレー洗浄する｛第１のスプ
レー処理工程（図７（ａ）参照）｝。このスプレー洗浄
によりウエハＷ表面に付着するレジストの比較的大きな
粒子部分が除去（剥離）される。この際、ウエハボート
２６を昇降させてウエハＷを上下に移動することによ
り、ウエハＷの表面に満遍なく洗浄液Ｌを供給すること
ができる。また、ウエハボート２６の昇降に代えてスプ
レーノズル３０を首振り移動するか、あるいはウエハボ
ート２６の上下移動と同時に、スプレーノズル３０を首
振り移動させて、ウエハＷとスプレーノズル３０とを相
対移動させて洗浄を行うようにしてもよい。処理に供さ
れた洗浄液Ｌは、切換弁１０３の切換操作によって洗浄
液収容タンク９０に戻され、循環して再利用される。こ
の際、切換弁１０３の操作により洗浄液Ｌを洗浄液収容
タンク９０に戻すか、あるいは、排出するかを選択する
ことができる。

【００４５】次に、開閉弁８６を閉じて、スプレーノズ
ル３０からの洗浄液Ｌの供給と同時に、開閉弁１０２を
開放し、洗浄液収容タンク９０内の洗浄液Ｌを処理槽２
１内に供給して処理槽２１内に洗浄液Ｌを貯留する｛ス
プレー・浸漬処理工程（図７（ｂ）参照）｝。この場
合、スプレーノズル３０からの供給のみで洗浄液Ｌを貯
留してもよい。そして、処理槽２１の内槽２１ａ内に洗
浄液Ｌが貯留されてウエハＷが浸漬された時点で、開閉
弁３３ａを閉じてスプレーノズル３０からの供給を停止
する一方、ポンプ８３を駆動して処理槽２１内の洗浄液
Ｌを濾過及び温度調整しつつ循環供給すると共に、超音
波発生手段７０を駆動させて、処理槽２１内の洗浄液Ｌ
に超音波を照射させて浸漬洗浄を行う｛浸漬処理工程
（図７（ｃ）参照）｝。この浸漬洗浄によって、ウエハ
Ｗ表面に付着するレジストの細かい粒子部分が除去（剥
離）される。この浸漬洗浄を所定時間行った後、開閉弁
８６を開放して、処理槽２１内の洗浄液Ｌを排出すると
同時に、スプレーノズル３０から洗浄液Ｌを供給する
｛第２のスプレー処理工程（図７（ｄ）参照）｝。この
際、切換弁１０３の操作により洗浄液Ｌを洗浄液収容タ
ンク９０に戻すか、あるいは、排出するかを選択するこ
とができる。

【００４６】上記のようにして、スプレー・浸漬洗浄を
行い、処理槽２１内の洗浄液Ｌが排出し終わったらスプ
レーノズル３０のみから洗浄液Ｌを供給してスプレー洗
浄を行う。この際、切換弁３４を切り換えて洗浄液供給
源３５内の新規な洗浄液Ｌをスプレーノズル３０から噴
射して仕上げ洗浄を行う｛第３のスプレー処理工程（図
７（ｅ）参照）｝。仕上げ洗浄に供された洗浄液Ｌは、
処理後、洗浄液収容タンク９０内に貯留されて次の洗浄
処理に備える。また、再利用された洗浄液Ｌは、汚れた
場合にはドレン管９０ｄから排出される。

【００４７】なおこの後、洗浄液供給源３５内の新規な
洗浄液に代えて純水供給源３６内の純水をスプレーノズ
ル３０から噴射してリンス処理を行うようにしてもよ
い。

【００４８】上記のようにしてスプレー洗浄処理又はリ
ンス処理を行って、ウエハＷ表面に付着するレジスト等
を除去した後、開閉手段６１を開放して乾燥ガス発生手
段６２にて生成された乾燥ガスすなわちＩＰＡ蒸気を乾
燥ガス供給ノズル６０から処理槽２１内に噴射（供給）
して、ＩＰＡ蒸気をウエハＷ表面に接触させ、ＩＰＡ蒸
気を凝縮あるいは吸着させて、ウエハＷの水分の除去及
び乾燥を行って、処理を完了する（図７（ｆ）参照）。

【００４９】上記のようにして洗浄（乾燥）処理が終了
した後、蓋体２２を上昇して処理槽２１を開放すると共
に、ウエハボート２６を上昇してウエハＷを処理槽２１
の上方に移動して、ウエハ搬送チャック１３に受け渡
す。ウエハ搬送チャック１３はウエハＷを受け取った
後、ウエハＷをインターフェース部４に搬送し、インタ
ーフェース部４で垂直状態から水平状態に姿勢変換され
たウエハＷは搬入・搬出部２に搬送される。

【００５０】◎第二実施形態 図９はこの発明に係る液処理装置の第二実施形態の要部
を示す概略断面図である。

【００５１】第二実施形態に示す液処理装置２０Ａは、
上記第一実施形態の液処理装置２０における循環系を除
去し、スプレー洗浄部を増設した場合である。すなわ
ち、処理槽２１Ａ内の上部及び中間部の対向する部位に
４本のスプレーノズル３０を配設すると共に、これらス
プレーノズル３０と、洗浄液供給源例えば洗浄液供給タ
ンク３５Ａとを第１の供給管路３３Ａを介して接続し、
また、処理槽２１Ａの底部に設けられた供給口兼排出口
８１Ａに、排出管路５１Ａを兼用する第２の供給管路３
３Ｂを介して洗浄液供給タンク３５Ａを接続した場合で
ある。なお、第二実施形態において、上記供給口兼排出
口８１Ａは、第２の洗浄液供給手段４０の一部と、洗浄
液排出手段５０の一部を構成している。

【００５２】この場合、第１の供給管路３３Ａには、ポ
ンプ８３Ａと開閉弁３８Ａが介設されると共に、切換弁
３４Ａを介して第２の供給管路３３Ｂが接続されてい
る。また、第２の供給管路３３Ｂには切換弁３４Ｂを介
して排出管路５１Ａが接続されている。更に、洗浄液供
給タンク３５Ａ内には洗浄液Ｌの温度を所定温度例えば
約７０℃に設定するための温度調整手段例えばヒータ８
５Ａが配設されている。また、処理槽２１Ａの底部を構
成する両傾斜面２１ｃには、分割された超音波発生手段
７０Ａ，７０Ｂが配設されている。

【００５３】なお、第１の供給管路３３Ａにおける切換
弁３４Ａの後には、フィルタ１１３が介設されている。
また、第１の供給管路３３Ａの洗浄液供給タンク３５Ａ
とポンプ８３Ａとの間には、切換弁３４Ｃが介設される
と共に、この切換弁３４Ｃに接続する供給管路３３Ｃを
介して新規の洗浄液供給源３５Ｂが接続されている。な
お、供給管路３３Ｃには、上記第一実施形態と同様に、
切換弁３４ａを介してリンス液例えば純水の供給源３６
が接続されている。

【００５４】また、上記第一実施形態と同様に、排出管
路５１Ａには、切換弁１０３を介して洗浄液供給タンク
３５Ａが接続されて、洗浄に供された洗浄液Ｌの再利用
が可能になっている。すなわち、排出管路５１Ａに介設
される切換弁１０３と、洗浄液供給タンク３５Ａの上部
とを接続する戻り管路１１０に、比較的大きな夾雑物を
除去する第１のフィルタ１１１と、微細な夾雑物を除去
する第２のフィルタ１１２を介設して、洗浄に供されて
排出される洗浄液Ｌをフィルタリングして再利用できる
ようになっている。

【００５５】なお、第二実施形態において、その他の部
分は上記第一実施形態と同じであるので、同一部分には
同一符号を付して説明は省略する。

【００５６】次に、第二実施形態の洗浄処理装置を用い
た洗浄処理の手順について、図１０及び図１１を参照し
て説明する。まず、上記第一実施形態と同様に、上記ウ
エハ搬送チャック１３によって搬送された複数枚例えば
５０枚のウエハＷをウエハボート２６で受け取った後、
ウエハボート２６を下降して、処理槽２１内にウエハＷ
を搬入（収容）する。次に、図示しない昇降機構を駆動
して蓋体２２を下降して処理槽２１の開口部を閉塞する
と共に、処理槽２１内を外部から密閉する。

【００５７】処理槽２１内を密閉した状態で、ポンプ８
３Ａを駆動すると共に、切換弁３４Ａをスプレーノズル
３０側に切り換えて、洗浄液供給タンク３５Ａ内の洗浄
液Ｌをスプレーノズル３０から噴射してウエハＷをスプ
レー洗浄する｛第１のスプレー処理工程（図１０（ａ）
参照）｝。このスプレー洗浄によりウエハＷ表面に付着
するレジストの比較的大きな粒子部分が除去（剥離）さ
れる。この際、ウエハボート２６を昇降させてウエハＷ
を上下に移動することにより、ウエハＷの表面に満遍な
く洗浄液Ｌを供給することができる。また、ウエハボー
ト２６の昇降に代えてスプレーノズル３０を首振り移動
するか、あるいはウエハボート２６の上下移動と同時
に、スプレーノズル３０を首振り移動させて、ウエハＷ
とスプレーノズル３０とを相対移動させて洗浄を行うよ
うにしてもよい。処理に供された洗浄液Ｌは、切換弁１
０３の切換操作によって洗浄液供給タンク３５Ａに戻さ
れて、再利用される。

【００５８】次に、切換弁３４Ａをスプレーノズル３０
側と第２の洗浄液供給手段４０側つまり第２の供給管路
３３Ｂ側に切り換えると共に、切換弁３４Ｂを第２の洗
浄液供給手段４０側つまり供給口兼排出口８１Ａ側に切
り換えて、スプレーノズル３０からの洗浄液Ｌの供給と
同時に、洗浄液供給タンク３５Ａ内の洗浄液Ｌを処理槽
２１Ａ内に供給して処理槽２１Ａ内に洗浄液Ｌを貯留す
る｛第１のスプレー・浸漬処理工程（図１０（ｂ）参
照）｝。この場合、スプレーノズル３０からの供給のみ
で洗浄液Ｌを貯留してもよい。そして、処理槽２１Ａ内
に洗浄液Ｌが貯留されてウエハＷが浸漬された時点で、
切換弁３４Ａを切り換えてスプレーノズル３０からの供
給を停止する一方、超音波発生手段７０Ａ，７０Ｂを駆
動させて、処理槽２１Ａ内の洗浄液Ｌに超音波を照射さ
せて浸漬洗浄を行う｛浸漬処理工程（図１０（ｃ）参
照）｝。この浸漬洗浄によって、ウエハＷ表面に付着す
るレジストの細かい粒子部分が除去（剥離）される。こ
の浸漬洗浄を所定時間行った後、切換弁３４Ｂを排出側
に切り換えて、処理槽２１Ａ内の洗浄液Ｌを排出すると
同時に、スプレーノズル３０から洗浄液Ｌを供給する
｛第２のスプレー処理工程（図１０（ｄ）参照）｝。こ
の際、切換弁１０３の操作により洗浄液Ｌを洗浄液供給
タンク３５Ａに戻すか、あるいは、排出するかを選択す
ることができる。

【００５９】上記のようにして、スプレー・浸漬洗浄を
行い、処理槽２１Ａ内の洗浄液Ｌが排出し終わったらス
プレーノズル３０のみから洗浄液Ｌを供給してスプレー
洗浄を行う。この際、切換弁３４Ｃを切り換えて洗浄液
供給源３５Ｂ内の新規な洗浄液Ｌをスプレーノズル３０
から噴射して仕上げ洗浄を行う｛第３のスプレー処理工
程（図１０（ｅ）参照）｝。

【００６０】なおこの後、洗浄液供給源３５Ｂ内の新規
な洗浄液に代えて純水供給タンク３６内の純水をスプレ
ーノズル３０から噴射してリンス処理を行うようにして
もよい。

【００６１】上記のようにしてスプレー洗浄処理又はリ
ンス処理を行って、ウエハＷ表面に付着するレジスト等
を除去した後、開閉手段６１を開放して乾燥ガス発生手
段６２にて生成された乾燥ガスすなわちＩＰＡ蒸気を乾
燥ガス供給ノズル６０から処理槽２１内に噴射（供給）
して、ＩＰＡ蒸気をウエハＷ表面に接触させ、ＩＰＡ蒸
気を凝縮あるいは吸着させて、ウエハＷの水分の除去及
び乾燥を行って、処理を完了する（図１０（ｆ）参
照）。

【００６２】上記のようにして洗浄（乾燥）処理が終了
した後、蓋体２２を上昇して処理槽２１を開放すると共
に、ウエハボート２６を上昇してウエハＷを処理槽２１
の上方に移動して、ウエハ搬送チャック１３に受け渡
す。ウエハ搬送チャック１３はウエハＷを受け取った
後、ウエハＷをインターフェース部４に搬送し、インタ
ーフェース部４で垂直状態から水平状態に姿勢変換され
たウエハＷは搬入・搬出部２に搬送される。

【００６３】◎第三実施形態 図１２はこの発明に係る液処理装置の第三実施形態の要
部を示す概略断面図である。

【００６４】第三実施形態に示す液処理装置２０Ｂは、
上記第一実施形態の液処理装置２０に、有機溶剤あるい
は有機酸等のリンス液の供給手段を別途に設けて、この
リンス液によるリンス処理を行えるようにした場合であ
る。

【００６５】第三実施形態の液処理装置２０Ｂは、上記
第一実施形態における循環管路８０とは別にリンス液の
循環管路２００を具備すると共に、洗浄液供給管路３３
に接続する新規のリンス液供給源３００を具備するもの
である。

【００６６】この場合、上記循環管路２００は、上記循
環管路８０における洗浄液収容タンク９０の上流側すな
わち外槽２１ｂの第１の排出口８２側に切換弁２０１を
介して接続されると共に、循環管路８０に介設された開
閉弁１０１と１０２の間に開閉弁２０２を介して接続さ
れている。そして、上記洗浄液Ｌの循環系と同様に、第
１の排出口８２側から順に、リンス液収容タンク２０
３、ポンプ２０４、フィルタ２０５（濾過手段）及びリ
ンス液を所定温度に温度調整する温度調整手段としての
ヒータ２０６が介設されている。なお、リンス液収容タ
ンク２０３内にも、温度調整用のヒータ２０７が配設さ
れている。また、リンス液収容タンク２０３の底部には
排出口２０８が設けられており、この排出口２０８にド
レン弁２０９を介してドレン管２１０が接続されてい
る。したがって、処理槽２１内に供給されたリンス液が
外槽２１ｂからオーバーフローした後、再び循環供給が
可能となっている。

【００６７】なお、排出管路５１には、切換弁２１１を
介してリンス液収容タンク２０３が接続されて、リンス
処理に供されたリンス液の再利用が可能になっている。
すなわち、排出管路５１の主排出管路５１ａにおける補
助排出管路５１ｂとの交流部の下流側に介設される切換
弁２１１と、リンス液収容タンク２０３の上部とを接続
する戻り管路２１２に、比較的大きな夾雑物を除去する
第1のフィルタ２１３と、微細な夾雑物を除去する第２
のフィルタ２１４を介設して、リンス処理に供されて排
出されるリンス液をフィルタリングして再利用できるよ
うになっている。

【００６８】一方、洗浄液供給管路３３には、切換弁３
０１を介して新規のリンス液供給源３００が接続されて
いる。したがって、上記第一実施形態と同様に剥離液で
仕上げ洗浄を行った後、新規のリンス液を供給してリン
ス処理を行うことができる。なお、このリンス処理に供
されたリンス液は、上記循環系のリンス液収容タンク２
０３内に戻され、循環して再利用される。

【００６９】次に、第三実施形態の洗浄処理の手順につ
いて図７の一部、図１２及び図１３を参照して説明す
る。なお、ここでは、上記洗浄液に代えてレジストの剥
離液を使用するのであるが、説明を分かり易くするため
に、剥離液を洗浄液Ｌとして説明する。

【００７０】まず、上記第一実施形態と同様に、上記ウ
エハ搬送チャック１３によって搬送された複数枚例えば
５０枚のウエハＷをウエハボート２６で受け取った後、
ウエハボート２６を下降して、処理槽２１内にウエハＷ
を搬入（収容）する。次に、図示しない昇降機構を駆動
して蓋体２２を下降して処理槽２１の開口部を閉塞する
と共に、処理槽２１内を外部から密閉する。

【００７１】処理槽２１内を密閉した状態で、ポンプ８
３を駆動すると共に、開閉弁１０１及び３３ａを開放す
ると共に、切換弁３４をタンク供給側に切り換えて、洗
浄液収容タンク９０内のレジスト剥離液すなわち洗浄液
Ｌをスプレーノズル３０から噴射してウエハＷをスプレ
ー洗浄する｛第１のスプレー処理工程（図７（ａ）参
照）｝。このスプレー洗浄によりウエハＷ表面に付着す
るレジストの比較的大きな粒子部分が除去（剥離）され
る。この際、ウエハボート２６を昇降させてウエハＷを
上下に移動することにより、ウエハＷの表面に満遍なく
洗浄液Ｌを供給することができる。また、ウエハボート
２６の昇降に代えてスプレーノズル３０を首振り移動す
るか、あるいはウエハボート２６の上下移動と同時に、
スプレーノズル３０を首振り移動させて、ウエハＷとス
プレーノズル３０とを相対移動させて洗浄を行うように
してもよい。処理に供された洗浄液Ｌは、切換弁１０３
の切換操作によって洗浄液収容タンク９０に戻され、循
環して再利用される。

【００７２】次に、開閉弁８６を閉じて、スプレーノズ
ル３０からの洗浄液Ｌの供給と同時に、開閉弁１０２を
開放し、洗浄液収容タンク９０内の洗浄液Ｌを処理槽２
１内に供給して処理槽２１内に洗浄液Ｌを貯留する｛ス
プレー・浸漬処理工程（図７（ｂ）参照）｝。この場
合、スプレーノズル３０からの供給のみで洗浄液Ｌを貯
留してもよい。そして、処理槽２１の内槽２１ａ内に洗
浄液Ｌが貯留されてウエハＷが浸漬された時点で、開閉
弁３３ａを閉じてスプレーノズル３０からの供給を停止
する一方、ポンプ８３を駆動して処理槽２１内の洗浄液
Ｌを濾過及び温度調整しつつ循環供給すると共に、超音
波発生手段７０を駆動させて、処理槽２１内の洗浄液Ｌ
に超音波を照射させて浸漬洗浄を行う｛浸漬処理工程
（図７（ｃ）参照）｝。この浸漬洗浄によって、ウエハ
Ｗ表面に付着するレジストの細かい粒子部分が除去（剥
離）される。この浸漬洗浄を所定時間行った後、開閉弁
８６を開放して、処理槽２１内の洗浄液Ｌを排出すると
同時に、スプレーノズル３０から洗浄液Ｌを供給する
｛第２のスプレー処理工程（図７（ｄ）参照）｝。この
際、切換弁１０３の操作により洗浄液Ｌを洗浄液収容タ
ンク９０に戻すか、あるいは、排出するかを選択するこ
とができる。

【００７３】上記のようにして、スプレー・浸漬洗浄を
行い、処理槽２１内の洗浄液Ｌが排出し終わったらスプ
レーノズル３０のみから洗浄液Ｌを供給してスプレー洗
浄を行う。この際、洗浄液収容タンク９０内の洗浄液Ｌ
をスプレーノズル３０から噴射して仕上げ洗浄を行う
｛第３のスプレー処理工程（図７（ｅ）参照）｝。仕上
げ洗浄に供された洗浄液Ｌは、処理後、洗浄液収容タン
ク９０内に貯留されて次の洗浄処理に備える。また、再
利用された洗浄液Ｌは、汚れた場合にはドレン管９０ｄ
から排出される。

【００７４】上記のようにして洗浄を行った後、ウエハ
Ｗ表面に付着した洗浄液（剥離液）をリンス液にて除去
すべくリンス処理が施される。このリンス処理は、上記
洗浄液により洗浄処理と同様の手順で行われる。すなわ
ち、処理槽２１内を密閉した状態で、ポンプ２０４を駆
動すると共に、開閉弁２０２，３３ａを開放し、かつ、
切換弁３４をタンク供給側に切り換えて、リンス液収容
タンク２０３内のリンス液をスプレーノズル３０から噴
射してウエハＷをスプレーリンス処理する。｛第１のス
プレーリンス処理工程｝。このスプレーリンス処理によ
りウエハＷ表面に付着する洗浄液（剥離液）の比較的大
きな粒子部分が除去（剥離）される。この際、ウエハボ
ート２６を昇降させてウエハＷを上下に移動することに
より、ウエハＷ表面に満遍なくリンス液を供給すること
ができる。また、ウエハボート２６の昇降に代えてスプ
レーノズル３０を首振り移動するか、あるいはウエハボ
ート２６の上下移動と同時に、スプレーノズル３０を首
振り移動させて、ウエハＷとスプレーノズル３０とを相
対移動させてリンス処理を行うようにしてもよい。処理
に供されたリンス液は、切換弁２１１の切換操作によっ
てリンス液収容タンク２０３に戻され、循環して再利用
される。

【００７５】次に、開閉弁８６を閉じて、スプレーノズ
ル３０からのリンス液の供給と同時に、開閉弁１０２，
２０２を開放し、リンス液収容タンク２０３内のリンス
液を処理槽２１内に供給して処理槽２１内にリンス液を
貯留する｛スプレー・浸漬処理工程｝。この場合、スプ
レーノズル３０からの供給のみでリンス液を貯留しても
よい。そして、処理槽２１の内槽２１ａ内にリンス液が
貯留されてウエハＷが浸漬された時点で、開閉弁３３ａ
を閉じてスプレーノズル３０からの供給を停止する一
方、ポンプ２０４を駆動して処理槽２１内のリンス液を
濾過及び温度調整しつつ循環供給すると共に、超音波発
生手段７０を駆動させて、処理槽２１内のリンス液に超
音波を照射させて浸漬処理を行う｛浸漬処理工程｝。こ
の浸漬処理によって、ウエハＷ表面に付着する剥離液の
細かい粒子部分が除去（剥離）される。この浸漬処理を
所定時間行った後、開閉弁８６を開放して、処理槽２１
内のリンス液を排出すると同時に、スプレーノズル３０
からリンス液を供給する｛第２のスプレーリンス処理工
程｝。この際、切換弁２１１，１０３の操作によりリン
ス液をリンス液収容タンク２０３に戻すか、あるいは、
排出するかを選択することができる。

【００７６】上記のようにして、リンス液によるスプレ
ー・浸漬処理を行い、処理槽２１内のリンス液が排出し
終わったらスプレーノズル３０のみからリンス液を供給
してスプレー処理を行う。この際、切換弁３０１を切り
換えてリンス液供給源３００内の新規なリンス液をスプ
レーノズル３０から噴射して仕上げリンス処理を行う
｛第３のスプレーリンス処理工程｝。仕上げリンス処理
に供されたリンス液は、処理後、リンス液収容タンク２
０３に貯留されて次のリンス処理に備える。また、再利
用されたリンス液は、汚れた場合にはドレン管２１０か
ら排出される。

【００７７】上述のようにしてリンス液によりリンス処
理を行った後、純水供給源３６内の純水をスプレーノズ
ル３０から噴射して純水によるリンス処理を行う。

【００７８】上記のようにしてスプレー洗浄処理、リン
ス液によるリンス処理及び純水によるリンス処理を行っ
て、ウエハＷ表面に付着するレジストの剥離及び剥離液
を除去した後、開閉手段６１を開放して乾燥ガス発生手
段６２にて生成された乾燥ガスすなわちＩＰＡ蒸気を乾
燥ガス供給ノズル６０から処理槽２１内に噴射（供給）
して、ＩＰＡ蒸気をウエハＷ表面に接触させ、ＩＰＡ蒸
気を凝縮あるいは吸着させて、ウエハＷの水分の除去及
び乾燥を行って、処理を完了する。

【００７９】上記のようにして洗浄（乾燥）処理が終了
した後、蓋体２２を上昇して処理槽２１を開放すると共
に、ウエハボート２６を上昇してウエハＷを処理槽２１
の上方に移動して、ウエハ搬送チャック１３に受け渡
す。ウエハ搬送チャック１３はウエハＷを受け取った
後、ウエハＷをインターフェース部４に搬送し、インタ
ーフェース部４で垂直状態から水平状態に姿勢変換され
たウエハＷは搬入・搬出部２に搬送される。

【００８０】◎その他の実施形態 なお、上記実施形態では、この発明に係る液処理装置及
び洗浄処理方法を半導体ウエハの液処理システムに適用
した場合について説明したが、半導体ウエハ以外のＬＣ
Ｄ用ガラス基板等にも適用できることは勿論である。

【００８１】

【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、上記のように構成されているので、以下のような効
果が得られる。

【００８２】１）請求項１，２，９〜１１記載の発明に
よれば、密閉処理槽内に収容された被処理体に処理液を
スプレー状に供給して処理すると共に、被処理体を浸漬
処理することができるので、処理液の組成変化を防止す
ると共に、温度を所定温度に維持して処理性能の向上を
図ることができる。この場合、被処理体に処理液をスプ
レー状に供給すると同時に、被処理体を処理液に浸漬す
ることで、処理効率の向上を図ることができる（請求項
３）。また、仕上げ用のスプレー処理に新規な処理液を
使用することで、更に処理精度の向上を図ることができ
る（請求項６）。

【００８３】２）請求項４，１２記載の発明によれば、
処理を行った後に、被処理体に乾燥ガスを供給すること
により、被処理体の乾燥を行うことができるので、上記
１）に加えて１つの処理部で液処理と乾燥処理を行うこ
とができる。したがって、液・乾燥処理を迅速に行うこ
とができると共に、装置の小型化を図ることができる。

【００８４】３）請求項５，１３記載の発明によれば、
浸漬処理工程中に、処理槽内に貯留された処理液を所定
の温度に温度調整及び濾過しつつ循環供給するので、上
記１）に加えて処理液を有効に利用することができる。

【００８５】４）請求項７，１５，１６記載の発明によ
れば、被処理体に処理液をスプレー状に供給する工程中
に、被処理体と処理液供給部とを相対的に移動するの
で、上記１）に加えて被処理体に均一に処理液を供給す
ることができ、処理精度を更に向上させることができ
る。

【００８６】５）請求項８，１４記載の発明によれば、
浸漬処理工程中に、処理液に超音波を照射することで、
被処理体と処理液との接触を助長することができるの
で、上記１）に加えて更に処理精度の向上を図ることが
できる。

【００８７】６）請求項１７記載の発明によれば、処理
に供され、排出手段より排出された処理液を貯留し、再
度第１の処理液供給手段へ供給するので、上記１）に加
えて更に処理液の有効利用を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る液処理装置を適用した液処理シ
ステムの概略平面図である。

【図２】この発明に係る液処理装置の第一実施形態を示
す概略断面図である。

【図３】この発明における処理槽の概略側断面図であ
る。

【図４】この発明における蓋体とウエハボートの摺動部
を示す気水密状態の断面図（ａ）及び摺動状態の断面図
（ｂ）である。

【図５】この発明における処理槽と蓋体のシール部の別
の例を示す拡大断面図である。

【図６】この発明におけるスプレーノズルを示す斜視図
である。

【図７】第一実施形態の洗浄処理手順を示す説明図であ
る。

【図８】第一実施形態の洗浄処理手順を示すフローチャ
ートである。

【図９】この発明に係る液処理装置の第二実施形態を示
す概略断面図である。

【図１０】第二実施形態の洗浄処理手順を示す説明図で
ある。

【図１１】第二実施形態の洗浄処理手順を示すフローチ
ャートである。

【図１２】この発明に係る液処理装置の第三実施形態を
示す概略断面図である。

【図１３】第三実施形態の洗浄処理手順を示すフローチ
ャートである。

【符号の説明】

Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） Ｌ 洗浄液 ２０，２０Ａ 処理槽 ２２ 蓋体 ２３ シール部材 ２６ ウエハボート（保持手段） ２６Ａ 昇降機構 ２７ 貫通口 ３０ スプレーノズル｛第１の洗浄液供給手段（第１の
処理液供給手段）｝ ３３ 供給管路 ３３Ａ 第１の供給管路 ３３Ｂ 第２の供給管路 ３４，３４Ａ〜３４Ｃ 切換弁 ３５，３５Ａ，３５Ｂ 洗浄液供給タンク ４０ 第２の洗浄液供給手段（第２の処理液供給手段） ５０ 排出手段 ５１ 排出管路 ６０ 乾燥ガス供給ノズル（乾燥ガス供給手段） ７０，７０Ａ，７０Ｂ 超音波発生手段 ８０，２００ 循環管路 ８１ 排出口 ８１Ａ 供給口兼排出口 ８２ 第１の排出口 ８２ａ 第２の排出口 ８３，８３Ａ，２０４ ポンプ ８４，２０５ フィルタ（濾過手段） ８５，２０６ ヒータ（温度調整手段） ９０ 洗浄液収容タンク １００ 供給口 ２０３ リンス液収容タンク ３００ リンス液供給源

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3B201 AA03 AB24 AB44 BB04 BB23 BB33 BB85 BB93 BB95 BB96 CB12 CB21 CC01 CC12 CD22 CD33 CD36 CD42 CD43

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 密閉された処理槽内に収容された被処理
   体に対して処理液をスプレー状に供給するスプレー処理
   工程と、 上記被処理体を処理液に浸漬する浸漬処理工程とを有
   し、 上記スプレー処理工程と浸漬処理工程をそれぞれ独立し
   て行う工程と、同時に行う工程を、有することを特徴と
   する液処理方法。
2. 【請求項２】 密閉された処理槽内に収容された被処理
   体に対して処理液をスプレー状に供給する第１のスプレ
   ー処理工程と、 上記被処理体を処理液に所定時間浸漬する浸漬処理工程
   と、 上記浸漬に供した処理液を排出すると同時に、被処理体
   に対して処理液をスプレー状に供給する第２のスプレー
   処理工程と、 上記被処理体に対して処理液をスプレー状に供給する第
   ３のスプレー処理工程と、を有することを特徴とする液
   処理方法。
3. 【請求項３】 請求項２記載の液処理方法において、 上記被処理体に処理液をスプレー状に供給すると同時
   に、被処理体を処理液に浸漬するスプレー・浸漬処理工
   程を更に有する、ことを特徴とする液処理方法。
4. 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかに記載の液
   処理方法において、 上記被処理体に対して乾燥ガスを供給する乾燥工程を更
   に有することを特徴とする液処理方法。
5. 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれかに記載の液
   処理方法において、 上記浸漬処理工程中の処理液を温度調整及び濾過しつつ
   循環供給することを特徴とする液処理方法。
6. 【請求項６】 請求項２ないし５のいずれかに記載の液
   処理方法において、 上記第１のスプレー処理工程で一度処理に供された処理
   液を使用し、 上記第３のスプレー処理工程に新規処理液を使用するこ
   とを特徴とする液処理方法。
7. 【請求項７】 請求項１ないし５のいずれかに記載の液
   処理方法において、 上記被処理体に処理液をスプレー状に供給する工程中
   に、被処理体と処理液供給部とを相対的に移動すること
   を特徴とする液処理方法。
8. 【請求項８】 請求項１ないし６のいずれかに記載の液
   処理方法において、 上記浸漬処理工程中に、処理液に超音波を照射すること
   を特徴とする液処理方法。
9. 【請求項９】 被処理体を収容する処理槽と、 上記処理槽を外部から密封する開閉可能な蓋体と、 上記処理槽内の被処理体に対して処理液をスプレー状に
   供給する第１の処理液供給手段と、 上記洗浄槽内に処理液を供給する第２の処理液供給手段
   と、 上記処理槽内に貯留された処理液を排出する排出手段
   と、を具備することを特徴とする液処理装置。
10. 【請求項１０】 請求項９記載の液処理装置において、 上記第１の処理液供給手段でスプレー処理後、第２の処
    理液供給手段より処理槽内に処理液を供給し浸漬処理を
    行い、上記処理槽内の処理液を排出手段より排出しなが
    ら上記第１の処理液供給手段よりスプレー処理を行うよ
    う、上記第１の処理液供給手段、第２の処理液供給手段
    及び排出手段を制御することを特徴とする液処理装置。
11. 【請求項１１】 請求項１０記載の液処理装置におい
    て、 上記第２の処理液供給手段より処理槽内に処理液を供給
    し浸漬処理を行うと同時に、第１の処理液供給手段より
    処理液を供給する制御を含むことを特徴とする液処理装
    置。
12. 【請求項１２】 請求項９ないし１１のいずれかに記載
    の液処理装置において、 上記処理槽内に乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給手段を
    更に具備することを特徴とする液処理装置。
13. 【請求項１３】 請求項９ないし１２のいずれかに記載
    の液処理装置において、 上記処理槽の下部と上部を接続する循環管路を設けると
    共に、この循環管路に、ポンプ、濾過手段及び温度調整
    手段を介設することを特徴とする液処理装置。
14. 【請求項１４】 請求項９ないし１３のいずれかに記載
    の液処理装置において、 上記処理槽の底部に超音波発生手段を配設したことを特
    徴とする液処理装置。
15. 【請求項１５】 請求項９ないし１３のいずれかに記載
    の液処理装置において、 上記第１の処理液供給手段を、処理槽内の被処理体に対
    して移動可能に形成したことを特徴とする液処理装置。
16. 【請求項１６】 請求項９ないし１５のいずれかに記載
    の液処理装置において、 上記被処理体を保持する保持手段を具備すると共に、こ
    の保持手段を蓋体に設けた貫通口に対して気水密かつ摺
    動可能に貫通してなることを特徴とする液処理装置。
17. 【請求項１７】 請求項９ないし１６のいずれかに記載
    の液処理装置において、 処理に供され、排出手段より排出された処理液を貯留
    し、再度第１の処理液供給手段へ供給するためのタンク
    を具備することを特徴とする液処理装置。