JPH10209110A - 洗浄装置及び洗浄方法 - Google Patents

洗浄装置及び洗浄方法

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JPH10209110A
JPH10209110A JP9011553A JP1155397A JPH10209110A JP H10209110 A JPH10209110 A JP H10209110A JP 9011553 A JP9011553 A JP 9011553A JP 1155397 A JP1155397 A JP 1155397A JP H10209110 A JPH10209110 A JP H10209110A
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processing tank
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    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902—Semiconductor wafer

Abstract

(57)【要約】 【課題】 乾燥処理の際に薬液処理による悪影響を受け
ることがなく、また乾燥室の肉厚を薄くすることがで
き、減圧するために使用する真空ポンプ等の低出力化を
図ることができる洗浄装置及び洗浄方法の提供。 【解決手段】 乾燥室４２と洗浄槽４１とをそれぞれ上
下に分離すると共に、乾燥室４２の空間と洗浄槽４１の
空間とを窒素ガスカーテン５９ｃ及びスライド扉７２に
より遮蔽可能とし、洗浄槽４１での洗浄処理を窒素ガス
カーテン５９ｃで遮蔽して、乾燥室４２での乾燥処理を
スライド扉７２で密閉・遮蔽して行うように構成した。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハやＬＣＤ用ガラス基板等の被処理基板を薬液や濯ぎ液
等に浸漬して乾燥する洗浄装置及び洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えばＬＳＩ等の半導体デバイスの製造
工程における洗浄処理を例にとって説明すると、従来か
ら半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という。）表面のパ
ーティクル、有機汚染物、金属不純物等のコンタミネー
ションを除去するためには洗浄装置が使用されており、
その中でとりわけウエット洗浄装置は、上記のコンタミ
ネーションを効果的に除去できしかもバッチ処理が可能
でスループットが良好なため、幅広く普及している。
【０００３】かかるウエット洗浄装置においては、被洗
浄処理体であるウエハに対してアンモニア処理、フッ酸
処理、硫酸処理等の薬液洗浄処理、純水等による水洗洗
浄処理、イソプロピルアルコール（以下、「ＩＰＡ」い
う。）等による乾燥処理が行われるように構成されてお
り、例えば処理順に配列された処理槽、乾燥室にそれぞ
れ薬液、純水、ＩＰＡを供給するように構成し、例えば
５０枚単位でウエハを処理槽に順次浸漬し、乾燥してい
くバッチ処理方式が広く採用されている。
【０００４】しかしながら、各処理毎に処理槽や乾燥室
を設けることは、装置の大型化を招き、しかもウエハを
搬送する機会、すなわち大気に晒される機会が多いため
パーティクルが付着する可能性も高い。
【０００５】そのため、特開昭６４−８１２３０号公報
や特開平６−３２６０７３号公報等においては、処理槽
と乾燥室とを一体化して薬液処理等と乾燥処理とを同一
チャンバー内で行う洗浄装置が提唱されている。これら
の洗浄装置は、要するに図３１に示すようにチャンバー
２００の下部２０１において薬液２０２等を貯留してウ
エハＷを浸漬し、その後ウエハＷを引上げ、チャンバー
２００の上部２０３においてＩＰＡ等を使った乾燥処理
が行われるように構成されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成の洗浄装置においては、乾燥処理の際にチャンバーの
上部において薬液の雰囲気が残留し、ウエハＷに悪影響
を及ぼす恐れがあり、また液処理等と乾燥処理の要求仕
様を同時に満たす必要があるため、設計の自由度が制限
され、洗浄処理の高速化やチャンバーの小形化等を図る
ための様々な工夫を取り入れることが困難である、とい
う問題もある。さらに、上述したＩＰＡ等を使った乾燥
処理においては、通常真空ポンプ等を使った減圧が並行
して行われるが、上記構成の洗浄装置では、薬液処理等
と乾燥処理とを兼ねたチャンバー内をある程度大きな容
積とする必要があることから、チャンバーの肉厚を厚く
して耐圧性を高める必要があり、しかも大きなパワーの
真空ポンプが必要とされる、という問題がある。
【０００７】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、乾燥処理の際に薬液処理による悪影響を受けること
がない洗浄装置及び洗浄方法を提供することを目的とし
ている。 本発明の目的は、設計の自由度が高く、洗浄
処理の高速化や装置のさらなる小形化等を図ることがで
きる洗浄装置及び洗浄方法を提供することにある。
【０００８】本発明のさらなる目的は、チャンバー等の
容積を小さくして、チャンバー等の薄肉化及び真空ポン
プ等の低出力化を図ることができる洗浄装置及び洗浄方
法を提供することにある。
【０００９】本発明のさらに別の目的は、乾燥処理をよ
り効率良く行うことができる洗浄装置及び洗浄方法を提
供することにある。
【００１０】本発明のまた別の目的は、被処理基板表面
にウォータマークが発生することのない洗浄装置を提供
することにある。
【００１１】また、本発明の別の目的は、処理槽部と乾
燥室と分けることにより、処理液のミスト等が乾燥室に
入ることを防止し、安定的な乾燥性能が得られる洗浄装
置及び洗浄方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の洗浄装置は、請求項１に記載されるよう
に、処理液を貯溜し、貯溜した処理液に被処理基板が浸
漬される処理槽と、前記処理槽の上方に配置され、処理
槽との間で被処理基板を移送するための開口部が設けら
れた乾燥室と、前記開口部を介して前記処理槽と前記乾
燥室との間で被処理基板を移送する移送手段と、前記開
口部を不活性ガスの気流の層により遮蔽する遮蔽手段
と、前記乾燥室内を有機溶剤の雰囲気にする手段とを具
備することを特徴とする。
【００１３】本発明によれば、開口部を不活性ガスの気
流の層によって遮蔽する手段により、被処理基板の薬液
処理時に処理槽と乾燥室とを遮蔽でき、処理槽から乾燥
室への薬液の浸入を抑制することができる。また、乾燥
処理時に次の処理槽での処理のための準備ができ、スル
ープットの向上を図ることができる。また、乾燥室と処
理槽とをそれぞれ別個の条件下で設計することができる
ので、設計の自由度が高く、洗浄処理の高速化や装置の
さらなる小形化等を図ることができる。さらに、乾燥室
内の容積を小さくすることができるので、乾燥室内を有
機溶剤の雰囲気にする一方で減圧するような場合には、
乾燥室及び処理槽の肉厚を薄くすることができ、また減
圧するために使用される真空ポンプ等の低出力化を図る
ことができる。
【００１４】また、本発明の洗浄装置は、請求項２に記
載されるように、処理液を貯溜し、貯溜した処理液に被
処理基板が浸漬される処理槽と、前記処理槽の上方に配
置され、処理槽との間で被処理基板を移送するための開
口部が設けられた乾燥室と、前記開口部を介して前記処
理槽と前記乾燥室との間で被処理基板を移送する移送手
段と、前記乾燥室内から前記開口部に向かう不活性ガス
の気流を発生する気流発生手段と、前記乾燥室内を有機
溶剤の雰囲気にする手段とを具備することを特徴とす
る。
【００１５】本発明によれば、乾燥室内から開口部に向
かう不活性ガスの気流により、被処理基板の薬液処理時
に処理槽と乾燥室とを遮蔽でき、処理槽から乾燥室への
薬液の浸入を抑制することができる。
【００１６】さらに、本発明の洗浄装置は、請求項１ま
たは請求項２記載の浄装装置において、開口部を開閉す
る開閉手段をさらに設けてなるものである。
【００１７】本発明によれば、乾燥室の開口部を開閉す
る手段により、被処理基板の乾燥処理時に乾燥室と処理
槽とを遮断することができ、被処理基板の乾燥処理時に
処理槽の処理液（薬液）による悪影響を受け難くなる。
【００１８】さらに、本発明の洗浄装置は、請求項１ま
たは請求項２記載の浄装装置において、開口部を開閉し
て、閉時に乾燥室を密閉する開閉手段をさらに設けてな
るものである。
【００１９】本発明によれば、被処理基板の乾燥処理時
に乾燥室と処理槽とを気密に遮断することで、被処理基
板の乾燥処理時に処理槽の処理液（薬液）による悪影響
を受けなくなる。
【００２０】また、本発明の洗浄装置は、請求項５に記
載されるように、請求項１の洗浄装置において、乾燥室
内を有機溶剤の雰囲気にする手段が、乾燥室内に有機溶
剤を含むガスを吐出するノズルを有し、このノズルは、
径の異なる複数のパイプを互いの周面を離間させた状態
で嵌め合わせて成り、内側のパイプには複数のガス吐出
孔がパイプ軸方向に沿って所定の間隔を置いて設けら
れ、かつ外側のパイプには複数のガス吐出孔がパイプ軸
方向に沿ってこのパイプの１つ内側のパイプのガス吐出
孔の間隔よりも短い間隔を置いて設けられてなることを
特徴とする。
【００２１】ここで、外側のパイプに設けられたガス吐
出孔のサイズは、内側のパイプに設けられたガス吐出孔
のサイズよりも小さいことが望ましい。
【００２２】単にパイプの一端よりガスを導入してその
パイプにパイプ軸方向に沿って設けた各ガス吐出孔より
ガスを乾燥室内に吐出した場合、パイプの他端側のガス
吐出孔ほどガスの吐出量が少なくなり、また加熱したガ
スを吐出する場合にパイプの他端側のガス吐出孔ほど吐
出ガス温度が低くなりやすい。本発明では、内側のパイ
プの比較的少数のガス吐出孔より吐出されたガスが各パ
イプ間の空間を通じてつまり前記空間内で一旦合流して
外側のパイプの各ガス吐出孔より乾燥室内に吐出される
ので、ガス吐出孔間に生じるガス吐出量及びガス温度の
差をより小さくすることができる。
【００２３】また、本発明の洗浄方法は、請求項６に記
載されるように、（ａ）乾燥室側より支持された保持部
材により被処理基板を保持しつつ、乾燥室の開口部を介
してその下方に設けられた処理槽に移送する工程と、
（ｂ）前記被処理基板の移送前または移送後に前記処理
槽に処理液を貯溜し、前記被処理基板を浸漬する工程
と、（ｃ）前記被処理基板を前記処理槽から前記乾燥室
に移送する工程と、（ｄ）前記乾燥室を有機溶剤の雰囲
気にして被処理基板を乾燥する工程とを具備することを
特徴とする。
【００２４】本発明の洗浄方法では、乾燥室と処理槽と
を分割したことで、例えば乾燥処理時に次の処理槽での
処理のための準備ができるなど、スループットの向上を
図ることができる。また、乾燥室と処理槽とをそれぞれ
別個の条件下で設計することができるので、設計の自由
度が高く、洗浄処理の高速化や装置のさらなる小形化等
を図ることができる。さらに、乾燥室内の容積を小さく
することができるので、乾燥室内を有機溶剤の雰囲気に
する一方で減圧するような場合には、乾燥室及び処理槽
の肉厚を薄くすることができ、また減圧するために使用
される真空ポンプ等の低出力化を図ることができる。
【００２５】また、本発明の洗浄方法は、請求項７に記
載されるように、請求項６記載の洗浄方法において、前
記被処理基板を前記乾燥室に移送後、前記開口部を閉じ
る工程をさらに具備することを特徴とする。
【００２６】本発明では、被処理基板の乾燥処理時に乾
燥室と処理槽とを遮断することができ、被処理基板の乾
燥処理時に処理槽の処理液（薬液）による悪影響を受け
難くなる。
【００２７】また、本発明の洗浄方法は、請求項８に記
載されるように、外部から乾燥室内に被処理基板を搬入
する前に、前記乾燥室内を不活性ガスの雰囲気に置換す
る工程をさらに有することを特徴とするこのように外部
より乾燥室内に被処理基板を搬入する前に乾燥室内の雰
囲気を所定の不活性ガスで置換しておけば、前処理室か
ら本発明の洗浄装置まで被処理基板が移動する間の酸素
との接触を低減でき、自然酸化膜の成長を抑えることが
できる。また、被処理基板の洗浄処理の間に改めて行わ
れる乾燥室内の不活性ガス雰囲気への置換を、外気より
も酸素濃度の低い状態から開始することができ、乾燥室
内の酸素濃度が許容値まで低下させるのに要する時間を
大幅に短縮することができる。
【００２８】さらに、本発明の洗浄方法は、請求項９に
記載されるように、請求項６または請求項７記載の洗浄
方法において、外部から前記乾燥室内に被処理基板を搬
入する前に、前記乾燥室内を排気しつつ前記乾燥室内を
不活性ガスの雰囲気に置換する工程をさらに有すること
を特徴とする。
【００２９】本発明の洗浄方法は、請求項１０に記載さ
れるように、請求項６または請求項７記載の洗浄方法に
おいて、前記乾燥室を有機溶剤の雰囲気にする前に、乾
燥室内を排気しつつ乾燥室内に不活性ガスを供給して乾
燥室内を不活性ガスの雰囲気に置換する工程をさらに有
することを特徴とする。
【００３０】これら請求項９及び請求項１０の発明によ
れば、乾燥室内を排気しつつ乾燥室内に不活性ガスを供
給することによって、乾燥室内の雰囲気を不活性ガスに
置換する際の効率を高めることができる。
【００３１】さらに、本発明の洗浄方法は、請求項１１
に記載されるように、雰囲気を処理槽と乾燥室とで遮断
できる請求項６または請求項７の洗浄方法において、
（ｄ）工程の後、乾燥室内を排気減圧し、乾燥室内に不
活性ガスを導入して乾燥室内を略大気圧に戻す時、不活
性ガスの単位時間当たりの導入量を時間の経過に伴って
増大させるように制御することを特徴とする。
【００３２】本発明では、乾燥室の内壁に付着したパー
ティクルが、乾燥室内に導入された不活性ガスの気流に
より巻き上がって洗浄・乾燥後の被処理基板の表面に付
着することを防止できる。
【００３３】また、本発明の洗浄方法は、請求項１２に
記載されるように、請求項６または請求項７の洗浄方法
において、（ｂ）工程が、被処理基板の薬液洗浄を行う
工程と、被処理基板の水洗洗浄を行う工程と、水洗洗浄
後の被処理基板のオゾン洗浄を行う工程とを含むことを
特徴とする。
【００３４】本発明では、被処理基板の薬液洗浄、水洗
洗浄の後にオゾン洗浄を行い、被処理基板のシリコン面
に薄く純粋な酸化シリコンの膜を形成せしめることによ
って、被処理基板の表面にウォータマークが発生しなく
なる。
【００３５】また、請求項１３に記載されるように、請
求項１２記載の洗浄方法のオゾン洗浄の後に、オゾン洗
浄後の被処理基板の水洗洗浄を行ってオゾン水を洗浄除
去する工程を設けてもよい。
【００３６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明すると、本実施形態は半導体ウエハ（以
下、「ウエハ」という。）の洗浄処理装置において適用
された例であり、まずその洗浄処理装置について説明す
ると、この洗浄処理装置１全体は、図１及び図２に示し
たように、洗浄処理前のウエハをキャリア単位で収容す
る搬入部２と、ウエハの洗浄処理が行われる洗浄処理部
３と、洗浄処理後のウエハをカセット単位で取り出すた
めの搬出部４の、３つのゾーンによって構成される。
【００３７】前記搬入部２には、洗浄処理前のウエハが
所定枚数、例えば２５枚収容されたキャリア５を待機さ
せる待機部６と、キャリア５からのウエハの取り出し、
オリスラ合わせ及び枚数検出等を行うローダ部７が設け
られており、さらに外部から搬送ロボット等によって搬
入されるキャリア５の前記待機部６への搬送、及びこの
待機部６と前記ローダ部７との間で、キャリア５の搬送
を行うための搬送アーム８が設けられている。
【００３８】前記洗浄処理部３には、その前面側（図１
における手前側）に３つのウエハ搬送装置１１、１２、
１３が配置されており、またその背面側に隔壁を介して
薬液等の処理液を収容するタンクや各種の配管群等を収
容する配管領域１４が形成されている。
【００３９】一方、搬出部４には、洗浄処理部３で洗浄
処理されたウエハをキャリア５に収容するアンローダ部
１５と、洗浄処理後のウエハが収容されたキャリア５を
待機させる待機部１６と、アンローダ部１５と待機部１
６との間で、キャリア５の搬送を行うための搬送アーム
１７が設けられている。
【００４０】なお、洗浄処理装置１には、搬入部２で空
になったキャリア５を搬出部４に搬送するキャリア搬送
部１８が設けられている。キャリア搬送部１８は、洗浄
処理部３の上部に設けられたキャリアコンベア１９と、
搬入部２においてローダ部７から搬送アーム８によって
空のキャリア５を受け取りウエハの入ったキャリア及び
ウエハの入っていないキャリアをストックするキャリア
ストック部２０と、搬出部４においてキャリアコンベア
１９から搬送アーム１７によって空のキャリア５を受け
取りアンローダ部１５に受け渡すキャリア受け渡し部
（図示せず。）とを備える。
【００４１】洗浄処理部３には、ローダ部７側から順
に、ウエハ搬送装置１１のウエハチャック２１を洗浄、
乾燥するチャック洗浄・乾燥処理槽２２、ウエハ表面の
有機汚染物、金属不純物、パーティクル等の不純物を薬
液、例えばＮＨ4 ／Ｈ2 Ｏ2 ／Ｈ2 Ｏ混合液によって洗
浄処理する薬液洗浄処理槽２３、薬液洗浄処理槽２３で
洗浄されたウエハを例えば純水によって洗浄する水洗洗
浄処理槽２４、ウエハ表面の金属汚染除去を薬液、例え
ばＨＣｌ／Ｈ2 Ｏ2 ／Ｈ2 Ｏ混合液によって洗浄処理す
る薬液洗浄処理槽２５、薬液洗浄処理槽２５で洗浄され
たウエハを例えば純水によって洗浄する水洗洗浄処理槽
２６、ウエハ表面の酸化膜除去を薬液、例えばＨＦ／Ｈ
2 Ｏ混合液によって洗浄処理すると共に、洗浄されたウ
エハを濯ぎ液、例えば純水によって洗浄し、さらに濯ぎ
洗浄されたウエハの乾燥処理を行う本発明に係る洗浄装
置２７、ウエハ搬送装置１３のウエハチャック（図示せ
ず。）を洗浄、乾燥するチャック洗浄・乾燥処理槽２８
がそれぞれ配置されている。
【００４２】なお、ローダ部７とチャック洗浄・乾燥処
理槽２２との間、水洗洗浄処理槽２４と薬液洗浄処理槽
２５との間、水洗洗浄処理槽２６と洗浄装置２７との
間、チャック洗浄・乾燥処理槽２８とアンローダ部１５
との間には、それぞれこれらの間を仕切る仕切り板２
９、３０、３１、３２が設けられている。仕切る仕切り
板２９、３０、３１、３２は、例えばウエハ受け渡しの
際にそれぞれ図示を省略した駆動機構によって上下に開
閉するようになっている。これにより隣接する空間への
薬液の雰囲気の拡散を防止することができる。
【００４３】本発明に係る洗浄装置２７の構成を図３〜
図１３に基づいて説明すると、この洗浄装置２７は、処
理液、例えばＨＦ／Ｈ2 Ｏ混合液等の薬液や純水等の濯
ぎ液を貯留し、貯留した処理液に被処理基板としてのウ
エハＷが浸漬される処理槽としての洗浄槽４１と、前記
洗浄槽４１の上方に配置され、洗浄槽４１から移送され
たウエハＷの乾燥処理を行う円筒形状の乾燥室４２とを
備える。
【００４４】上記洗浄槽４１は、後述するウエハガイド
４３と共にウエハガイド４３に保持された例えば５０枚
のウエハＷを収容する。洗浄槽４１の底部の両側には、
収容した各ウエハＷに向けて処理液を噴射するノズル４
４、４５が設けられている。なお、ノズル４４、４５
は、それぞれウエハＷの配列方向に沿って例えば隣接す
るウエハＷ間の間隔と同一のピッチで設けられた噴出穴
を有するパイプにより構成することができる。ノズル４
４、４５には、切換弁４６ａ及び切換弁４６ｂの切換え
により図１及び図２に示した配管領域１４よりＨＦ／Ｈ
2 Ｏ混合液等の薬液、オゾン水、純水（ＤＩＷ：deioni
zed water ）等の濯ぎ液のうちいずれかが供給されるよ
うになっている。各切換弁４６ａ、４６ｂの切換制御
は、例えば図示を省略した制御部によって所定のタイミ
ングで行われる。なお、濯ぎ液としては、ウエハＷの酸
化防止のために、脱気したＤＩＷを用いた方がよい。
【００４５】また、上記洗浄槽４１の周囲には、洗浄槽
４１から溢れた処理液を回収するための回収槽４７が設
けられている。回収槽４７で回収された処理液は、切換
弁４８、ポンプ４９、フィルタ５０、切換弁５１を介し
てノズル４４、４５に循環されるようになっている。切
換弁４８は、回収槽４７で回収された処理液を上記の如
く循環させるか排出するかを切換える。切換弁５１は、
回収槽４７で回収された処理液を上記の如く循環させる
か冷却器５５で０℃〜常温、より好ましくは５℃程度の
温度に冷却されたＤＩＷをノズル４４、４５に供給する
かを切換える。なお、ポンプ４９とフィルタ５０との間
にはダンパー５２が設けられている。また洗浄槽４１の
最下部には、処理液を排出するための排出口５３が設け
られており、切換弁５４によって処理液を排出口５３よ
り排出するかどうかの切換が行われる。
【００４６】一方、乾燥室４２の上部及び下部には、そ
れぞれウエハＷの受け渡しを行うための例えば矩形の開
口部６１、６２が設けられており、上部の開口部６１に
は密閉型の蓋６３が配置され、下部の開口部６２には窒
素ガスカーテン開閉機構６０及びスライド扉機構６４が
設けられている。
【００４７】蓋６３はＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）やＰＰ
（ポリプロピレン）等の樹脂からなり、図５に示すよう
に内外共に円筒を縦方向に切断した形状をなしている。
これにより、蓋６３により塞がれた乾燥室４２の内側を
円筒形状とし、後述するウエハＷに吹き付けられる窒素
ガス等の気流が乱流になることを防止し、各ウエハＷに
対して均一に窒素ガス等が吹き付けられるようにしてい
る。また、図６に示すように、開口部６１の周囲に沿っ
てＯリング６５が配置され、さらに開口部６１の両側に
は開口部６１を塞いだ蓋６３を固定して押しつける蓋固
定機構５９が設けられ、開口部６１を蓋６３で塞いだ際
の密閉性が高められている。回転可能に配置されたロッ
ド５６の２か所の位置に開口部６１を塞いだ蓋６３に接
合する接合板５７が設けられ、前記ロッド５６を回転駆
動部５８によって回転することで接合板５７を蓋６３に
接合させ、これにより蓋６３が押しつけられるようにな
っている。
【００４８】また、乾燥室４２の近傍には、蓋６３を開
閉駆動する蓋駆動部６６が設けられている。蓋駆動部６
６は、図７に示すように、蓋６３を先端に固定する回転
アーム６７を回転駆動するシリンダ６８と、これらの蓋
６３及びこれらの回転機構を上下動するシリンダ６９と
を備える。蓋駆動部６６は、開口部６１を塞ぐ蓋６３を
まず上方向に移動し（図７）、この後蓋６３を開口部
６１より外れた位置に回転移動し（図７）、その蓋６
３を下方向に移動する（図７）。開口部６１を蓋６３
で塞ぐときにはこの逆の動作を行う（図７→→
）。
【００４９】窒素ガスカーテン開閉機構６０は、図８に
示すように、乾燥室４２の開口部６２の左右両端に対向
配置された窒素ガス吐き出し部５９ａと窒素ガス引き込
み部５９ｂとにより、開口部６２を遮蔽するための窒素
ガスによる気流の層５９ｃを形成するように構成されて
いる。
【００５０】スライド扉機構６４は、図９に示すように
洗浄槽４１と乾燥室４２との間に配置された矩形のフラ
ンジ７０と、フランジ７０に設けられた開口部７１より
挿抜されてフランジ７０内を開閉するスライド扉７２
と、スライド扉７２を挿抜駆動するシリンダ７３とを備
える。スライド扉７２は、蓋６３と同様にＰＶＣ（ポリ
塩化ビニル）やＰＰ（ポリプロピレン）等の樹脂からな
り、開口部６２とほぼ同じ形状の矩形をなしている。ま
た、図１０に示すようにスライド扉７２の表裏の外周に
沿ってそれぞれエアーグリップシール７２ａ、７２ｂが
配置され、一方乾燥室４２の下面であってエアーグリッ
プシール７２ａの内周側に沿ってＯリング７２ｃが配置
されている。Ｏリング７２ｃをエアーグリップシール７
２ａの外周側に沿って配置することも可能である。そし
て、スライド扉７２がフランジ７０内に収容された状態
からエアーグリップシール７２ａ，７２ｂを膨らますこ
とでエアーグリップシール７２ａが乾燥室４２の下面、
エアーグリップシール７２ｂがフランジ７０の底面とそ
れぞれ密着し、さらにＯリング７２ｃがスライド扉７２
の表面に密着し、これにより開口部６２が密閉される。
【００５１】ウエハガイド４３は、図１１に示すように
支持部材７４の下端に、例えば５０枚のウエハＷを保持
するウエハ保持部７５を設けてなる。ウエハ保持部７５
は、中央下端部に架設される中央保持棒７６と左右両側
端部に互いに平行に架設される２本の側部保持棒７７、
７８とをこれらの両端で固定してなるもので、一端は支
持部材７４の下端に固定され、他端は固定部部材７９で
固定される。中央保持棒７６及び側部保持棒７７、７８
には、それぞれ長手方向に所定の間隔をおいて複数個例
えば５０個のウエハ保持溝８０、８０…が設けられてい
る。ウエハガイド４３は、耐食性、耐熱性及び耐強度性
に優れた材質、例えばＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテル
ケトン）やＱｚ等からなる。
【００５２】また、ウエハガイド４３の上端部には、ガ
イド上下棒８１が固定されている。このガイド上下棒８
１は、図４及び図５に示すように乾燥室４２の上部に設
けられたグリップ機構８２に介して外側に上下動可能に
突き出ている。グリップ機構８２は、ガイド上下棒８１
を包囲するエアーグリップシール８２ａを有する。そし
て、ガイド上下棒８１を上下に駆動するときには、エア
ーグリップシール８２ａからエアーを抜き、乾燥室４２
を密閉するときにはエアーグリップシール８２ａを膨ら
ましている。また、ガイド上下棒８１の上端は、乾燥室
４２の背後に設けられたウエハガイドＺ軸機構８３に接
続されている。ウエハガイドＺ軸機構８３は、ガイド上
下棒８１を上下動することで下部の開口部６２を介し洗
浄槽４１と乾燥室４２との間でウエハガイド４３に保持
されたウエハＷを移送する。また、図４に示すようにこ
の洗浄装置２７の正面には、図２に示したウエハ搬送装
置１３が配置されている。ウエハ搬送装置１３に設けら
れたウエハチャック８４は、隣接する水洗洗浄処理槽２
６から例えば５０枚のウエハＷを受け取り、乾燥室４２
内のウエハガイド４３に受け渡し、また乾燥室４２内の
ウエハガイド４３から例えば５０枚のウエハＷを受け取
り、搬出部４のアンローダ部１５に受け渡す。 図３及
び図１２に示すように、乾燥室４２内の上部の両側に
は、乾燥室４２内でウエハガイド４３に保持されたウエ
ハＷに対して窒素ガス及び窒素とＩＰＡとの混合ガスを
ダウンフローに吹き付けるノズル８５、８６が設けられ
ている。ノズル８５、８６は各々、複数のガス噴出穴８
７ａをウエハＷの配列方向に沿って均等なピッチで設け
た内挿パイプ８８ａを、同じくガス噴出穴８７ｂをウエ
ハＷの配列方向に沿って、内挿パイプ８８ａより小さい
ピッチ例えば隣接するウエハＷ間のピッチで設けた外挿
パイプ８８ｂの中に配置して構成されている。すなわち
ノズル８５、８６は、内挿パイプ８８ａの少数のガス噴
出穴８７ａより噴出されたガスが各パイプの周面間の空
間を通じて外挿パイプ８８ｂの多数のガス噴出穴８７ｂ
より乾燥室４２内へ噴出される仕組みとされている。こ
れにより、内挿パイプ８８ａの一端よりガスを供給する
ようにした場合の、ノズル８５、８６の各位置のガス噴
出穴つまり外挿パイプ８８ｂの各ガス噴出穴８７ｂから
噴出されるガス量やガス温度のバラツキを抑制してい
る。
【００５３】また、ノズル８５、８６には、ＩＰＡ蒸発
器８９より制御弁９０及びフィルタ９１を介してＩＰＡ
と加熱した窒素との混合ガスが供給されるようになって
いる。ＩＰＡ蒸発器８９には、窒素加熱器９２及び制御
弁９３を介して加熱した窒素が供給され、ＩＰＡタンク
９４より制御弁９５を介してＩＰＡが供給されるように
なっている。ＩＰＡタンク９４には、制御弁９６を介し
て窒素が補充され、制御弁９７を介してＩＰＡが補充さ
れるようになっている。
【００５４】一方、図３及び図１２に示すように、乾燥
室４２内の下部の両側には、ノズル８５、８６より吹き
出された窒素ガス等を排出するための排出口９８、９９
が設けられている。排出口９８、９９が図示を省略した
排気ポンプに接続されている。また、排出口９８、９９
には、ノズル８５、８６より吹き出された窒素ガス等を
乾燥室４２内の下部の各部より均一に取り込むための複
数の取り込み口１００、１００…を有する整流手段とし
ての整流板１０１、１０２がそれぞれ連通している。こ
れにより、図１３に示すように、各ノズル８５、８６の
各噴出穴８７より吹き出された窒素ガス等は、同図点線
の如く各ウエハＷの表面を通り、各整流板１０１、１０
２の取り込み口１００より取り込まれる。すなわち、窒
素ガス等の流れに乱流が生じることがなくなる。なお、
乾燥室４２内の下部には、液体を排出するための排出口
（図示せず。）が設けられている。
【００５５】また、図３に示すように、乾燥室４２内の
中部両側には、一対のパネルヒータ１０３、１０４が設
けられている。これらのパネルヒータ１０３、１０４に
は、パネルヒータコントローラ１０５が接続され、温度
コントロールが行われるようになっている。これによ
り、乾燥室４２内は例えばＩＰＡが沸騰する程度の温度
にコントロールされる。
【００５６】また、図３に示すように、洗浄槽４１と乾
燥室４２との間、例えば洗浄槽４１の液面より上部の両
側には、洗浄槽４１から乾燥室４２へ移送されるウエハ
Ｗに対して窒素ガスを吹き付けるノズル１０６、１０７
が設けられている。これらのノズル１０６、１０７も上
述したノズル８５、８６とほぼ同様の構成とされてい
る。ノズル１０６、１０７には、窒素ガスを０℃〜常
温、より好ましくは５℃程度の温度に冷却する冷却器１
０８及び制御弁１０９を介して冷却された窒素ガスが供
給されるようになっている。
【００５７】次に、以上のように構成された洗浄装置２
７の動作を図１４に示す処理フローに基づき説明する。
なお、以下の動作制御は、例えば図示を省略した制御部
によって行われる。
【００５８】まず、外部より乾燥室４２内にウエハＷを
入れる前に乾燥室４２上部の蓋６３とスライド扉７２を
閉じた状態で（或いは開いて状態であってもよい）、乾
燥室４２内を排気しつつノズル８５、８６より窒素ガス
を吹き出して乾燥室４２内の雰囲気（或いは乾燥室４２
内と処理槽４１内の雰囲気）を窒素ガスで置換する（ス
テップ１４０１、図１５）。次に、乾燥室４２上部の蓋
６３を開け（ステップ１４０２、図１６）、ウエハチャ
ック８４を乾燥室４２内に降下し、乾燥室４２内のウエ
ハガイド４３にウエハＷを受け渡す（ステップ１４０
３、図１７）。次に、乾燥室４２上部の蓋６３を閉じ
て、乾燥室４２下部のスライド扉７２を開ける（ステッ
プ１４０４、図１８）。そして、ウエハＷが保持された
ウエハガイド４３を下降し、ウエハＷを洗浄槽４１内に
移送し（ステップ１４０５、図１９）、窒素ガスカーテ
ン開閉機構６０を起動して乾燥室４２下部の開口部６２
を窒素ガスカーテン５９ｃにより塞ぐ（ステップ１４０
６、図２０）。
【００５９】この後、洗浄槽４１内では、ＨＦ／Ｈ2 Ｏ
混合液をノズル４４、４５より噴出してＨＦ／Ｈ2 Ｏ混
合液を貯留し、貯留したＨＦ／Ｈ2 Ｏ混合液にウエハＷ
に浸漬して薬液による洗浄を行う（ステップ１４０７、
図２１）。ノズル４４、４５より噴出されたＨＦ／Ｈ2
Ｏ混合液は、洗浄槽４１内においてウエハＷに向かう対
流を形成し、薬液洗浄を促進する。次いで、ＨＦ／Ｈ2
Ｏ混合液を排出し、その後ＤＩＷをノズル４４、４５よ
り噴出し、濯ぎ処理を行う（ステップ１４０８、図２
１）。同様にノズル４４、４５より噴出されたＤＩＷ
は、洗浄槽４１内においてウエハＷに向かう対流を形成
し、濯ぎ処理を促進する。なお、ＨＦ／Ｈ2Ｏ混合液を
排出することなく、ＨＦ／Ｈ2 Ｏ混合液を貯留した状態
からそのままＤＩＷを噴出し、徐々にＨＦ／Ｈ2 Ｏ混合
液を薄くするようにしてもよい。次に、オゾン水をノズ
ル４４、４５より噴出して、ウエハＷのシリコン面に薄
く純粋な酸化シリコンの膜を形成する（ステップ１４０
９、図２１）。この後、必要に応じて、ＤＩＷをノズル
４４、４５より噴出し、ウエハＷの表面に付着したオゾ
ン水を除去洗浄するようにしてもよい。
【００６０】一方、このような洗浄処理が行われている
間に、乾燥室４２内では、乾燥室４２内を排気しつつノ
ズル８５、８６より窒素ガスを吹き出して乾燥室４２内
の雰囲気を窒素ガスで置換し（ステップ１４１０、図２
１）、その後ノズル８５、８６よりＩＰＡまたはＩＰＡ
と窒素との混合ガスを吹き出し、乾燥室４２内を予めＩ
ＰＡの雰囲気にしている（ステップ１４１１）。
【００６１】この後、窒素ガスカーテン開閉機構６０の
動作を停止して窒素ガスカーテン５９ｃを開き（ステッ
プ１４１２、図２２）、ウエハＷが保持されたウエハガ
イド４３を上昇させてウエハＷを乾燥室４２内に移送す
る（ステップ１４１３、図２３）。なお、ここで窒素ガ
スカーテン開閉機構６０の動作を停止せずに窒素ガスカ
ーテン５９ｃを閉じたままウエハＷを乾燥室４２内に移
送するようにしても構わない。このウエハＷの移送の
際、ノズル１０６、１０７から洗浄槽４１から乾燥室４
２へ移送されるウエハＷに対して冷却された窒素ガスが
吹き付けられる。次に、乾燥室４２下部のスライド扉７
２を閉じ（ステップ１４１４、図２４）、乾燥室４２内
のウエハＷに対してノズル８５、８６からＩＰＡまたは
ＩＰＡと窒素ガスの混合ガスがダウンフローに吹き付け
られる（ステップ１４１５、図２５）。この後、乾燥室
４２内を排気して減圧し（ステップ１４１６、図２
５）、乾燥室４２内の排気を停止した後、乾燥室４２内
にノズル８５、８６から窒素ガスを導入して乾燥室４２
内を大気圧に戻す（ステップ１４１７、図２５）。その
際、例えば図２９に示すように、窒素ガスの吹き付け量
を、最初は少なく、その後は徐々に或いは段階的に増や
して行くように制御弁９０がバルブコントローラ９９に
よって制御される。
【００６２】しかる後、乾燥室４２上部の蓋６３を開け
（ステップ１４１８、図２６）、ウエハチャック８４を
乾燥室４２内に降下して乾燥室４２内のウエハガイド４
３よりウエハＷを受け取り（ステップ１４１９、図２
７）、ウエハチャック８４を上昇させてウエハＷを乾燥
室４２の外側に搬出する（ステップ１４２０、図２
８）。 このように本実施形態に係る洗浄装置２７で
は、乾燥室４２と洗浄槽４１とをそれぞれ上下に分離す
ると共に、洗浄槽４１での洗浄処理時に乾燥室４２の開
口部６２を窒素ガスカーテン５９ｃで遮蔽し、乾燥室４
２での乾燥処理時に乾燥室４２の開口部６２をスライド
扉７２で閉じるように構成したので、洗浄槽４１の薬液
によるウエハＷの乾燥処理への悪影響を防止できる。ま
た、乾燥室４２と洗浄槽４１とをそれぞれ別個の条件下
で設計することができるので、設計の自由度が高く、洗
浄処理の高速化や装置のさらなる小形化等を図ることが
できる。例えば、乾燥室４２内にパネルヒータ１０３、
１０４を取り付けて乾燥室４２内を加熱して乾燥処理を
短時間で行うようにすることも可能であるし、洗浄槽４
２でウエハＷの洗浄を行っている際に乾燥室４２内をＩ
ＰＡで置換しておいて乾燥処理を短時間で行うようにす
ることも可能である。また、処理槽と乾燥室とが同一の
室内で行われていた従来の洗浄装置に比べ乾燥室４２を
小形にできるので、より効率良く乾燥処理を行うことが
できる。さらに、乾燥室４２内の容積を極力小さくする
ことができるので、乾燥室４２の耐圧性がそれ程要求さ
れない。よって、乾燥室４２の肉厚を薄くすることがで
き、また減圧するために使用する真空ポンプ１１０の低
出力化を図ることができる。
【００６３】また、本実施形態に係る洗浄装置２７で
は、ＨＦ／Ｈ2 Ｏ混合液によるウエハＷの薬液洗浄、水
洗洗浄の後にオゾン洗浄を行い、ウエハＷのシリコン面
に薄く純粋な酸化シリコンの膜を形成せしめることによ
って、ウエハＷ表面にウォータマークが発生しなくな
る。
【００６４】さらに、本実施形態に係る洗浄装置２７で
は、乾燥室４２内の雰囲気を窒素ガスに置換する各工程
において、乾燥室４２内を排気しつつノズル８５、８６
より窒素ガスを吹き出して乾燥室４２内の雰囲気を窒素
ガスで置換するようにしたことで、乾燥室内の雰囲気を
窒素ガスに置換する効率を高めることができる。
【００６５】また、本実施形態に係る洗浄装置２７で
は、外部より乾燥室４２内にウエハＷを入れる前に、乾
燥室４２内に窒素ガスを導入して乾燥室４２内の雰囲気
を窒素ガスで置換しておくことで、洗浄処理の間に行わ
れる乾燥室内の所要の窒素ガス雰囲気への置換に要する
時間を短縮でき、また、ウエハＷの洗浄処理の間に行わ
れる乾燥室４２内の窒素ガス雰囲気への置換を、外気よ
りも酸素濃度の低い状態から開始することができ、乾燥
室４２内の酸素濃度が許容値まで低下させるのに要する
時間を大幅に短縮することができる。
【００６６】さらに、本実施形態に係る洗浄装置２７で
は、乾燥室４２からのウエハＷの搬出前に、減圧状態か
ら乾燥室４２内に窒素ガスを導入して乾燥室４２内を大
気圧に戻す際に、窒素ガスの吹き付け量を最初は少な
く、その後は徐々に或いは段階的に増やして行くことに
よって、乾燥室４２の内壁に付着したパーティクルが、
乾燥室４２内に導入された窒素ガスの気流により巻き上
がって洗浄・乾燥後のウエハＷの表面に付着することを
防止できる。
【００６７】なお、本発明は上述した実施形態に限定さ
れることなく、その技術思想の範囲内で様々な変形が可
能である。
【００６８】例えば、上述した実施形態では、窒素ガス
カーテン開閉機構６０を設け、洗浄槽４１でのウエハＷ
の洗浄中は窒素ガスによる気流の層（窒素ガスカーテ
ン）５９ｃにより乾燥室４２の開口部６２を遮蔽するよ
うに構成したが、洗浄槽４１から乾燥室４２に侵入する
薬液ミストによる悪影響が許容される範囲で、窒素ガス
カーテン開閉機構６０を排除することも可能である。
【００６９】また、ウエハＷの洗浄中、ノズル８５、８
６から乾燥室４２内へ窒素ガスを導入して乾燥室４２内
の雰囲気を洗浄槽４１内に対して高圧の状態にすること
によっても、洗浄槽４１から乾燥室４２側への薬液ミス
トの浸入を防止することが可能である。
【００７０】また、洗浄槽４１でのウエハＷの洗浄中に
乾燥室４２の開口部６２を遮蔽する手段としては、図３
０に示すように、回転扉機構と窒素ガスカーテン開閉機
構を併用したものを用いることができる。回転扉機構
は、回転可能に配置された一対の回転扉１２１と、各回
転扉１２１を回転駆動する回転駆動部１２２とから構成
される。各回転扉１２１は各々、窒素ガスカーテン開閉
機構の窒素ガス吐き出し部５９ａと窒素ガス引き込み部
５９ｂの構造体を兼ねており、これら窒素ガス吐き出し
部５９ａと窒素ガス引き込み部５９ｂとの間を流れる窒
素ガスによる気流の層（窒素ガスカーテン）５９ｃによ
って閉時の各回転扉１２１の間の先端の隙間を遮蔽する
ようにしている。なお、各回転扉１２１と窒素ガスカー
テン５９ｃは同時に開閉されるようになっている。
【００７１】また、上述した実施形態では、不活性ガス
として窒素を用いていたが、アルゴンやヘリウム等の他
の不活性ガスを用いることも可能である。これらは、加
熱することで乾燥処理をより効果的に行うことが可能で
あるが、加熱しなくても勿論よい。
【００７２】また、上述した実施形態では、水溶性でか
つ被処理基板に対する純水の表面張力を低下させる作用
を有する有機溶剤としてＩＰＡを用いていたが、メタノ
ール等その他の一価アルコール、アセトン等のケトン
類、メチルアルコール等のエーテル類、エチレングリコ
ール等の多価アルコール等の有機溶剤を用いることが可
能である。
【００７３】また、上述した実施形態では、洗浄装置２
７においてＨＦ／Ｈ2 Ｏ混合液による薬液処理と純水に
よる濯ぎ処理と乾燥処理とを行うものであったが、少な
くとも乾燥処理とその他の１つ以上の処理を行うものが
本発明の技術的範囲に含まれるものである。その他の処
理とは、ＨＦ／Ｈ2 Ｏ混合液による薬液処理、純水によ
る濯ぎ処理、ＮＨ4 ／Ｈ2 Ｏ2 ／Ｈ2 Ｏ混合液による薬
液処理、ＨＣｌ／Ｈ2Ｏ2 ／Ｈ2 Ｏ混合液による薬液処
理等がある。従って、本発明に係る洗浄装置では、例え
ばＮＨ4 ／Ｈ2 Ｏ2 ／Ｈ2 Ｏ混合液による薬液処理とＨ
Ｃｌ／Ｈ2 Ｏ2／Ｈ2 Ｏ混合液による薬液処理とＨＦ／
Ｈ2 Ｏ混合液による薬液処理と純水による濯ぎ処理と乾
燥処理とを行うように構成しても勿論よい。
【００７４】また、上述した実施形態では、処理順に処
理槽を連接した洗浄処理装置に本発明に係る洗浄装置を
組み合わせた例を説明したが、本発明に係る洗浄装置を
スタンドアローンタイプの装置として用いることも可能
である。この場合、例えばローダ部とアンローダ部とを
兼ねた搬送部と本発明に係る洗浄装置とを連接して構成
することができる。
【００７５】また、被処理基板も半導体ウエハに限るも
のでなく、ＬＣＤ基板、ガラス基板、ＣＤ基板、フォト
マスク、プリント基板、セラミック基板等でも可能であ
る。
【００７６】
【発明の効果】以上詳述したように、請求項１の発明に
よれば、開口部を不活性ガスの気流の層によって遮蔽す
る手段により、被処理基板の薬液処理時に処理槽と乾燥
室とを遮蔽でき、処理槽から乾燥室への薬液の浸入を抑
制することができる。また、乾燥処理時に次の処理槽で
の処理のための準備ができ、スループットの向上を図る
ことができる。また、乾燥室と処理槽とをそれぞれ別個
の条件下で設計することができるので、設計の自由度が
高く、洗浄処理の高速化や装置のさらなる小形化等を図
ることができる。さらに、乾燥室内の容積を小さくする
ことができるので、乾燥室内を有機溶剤の雰囲気にする
一方で減圧するような場合には、乾燥室及び処理槽の肉
厚を薄くすることができ、また減圧するために使用され
る真空ポンプ等の低出力化を図ることができる。
【００７７】請求項２の発明によれば、乾燥室内に不活
性ガスを導入して乾燥室内の雰囲気を処理槽に対して高
圧の状態にすることによって、処理槽から乾燥室への薬
液の浸入を抑制することができる。
【００７８】請求項３の発明によれば、乾燥室の開口部
を開閉する手段により、被処理基板の乾燥処理時に乾燥
室と処理槽とを遮断することができ、被処理基板の乾燥
処理時に処理槽の処理液（薬液）による悪影響を受け難
くなる。
【００７９】請求項４の発明によれば、被処理基板の乾
燥処理時に乾燥室と処理槽とを気密に遮断することで、
被処理基板の乾燥処理時に処理槽の処理液（薬液）によ
る悪影響を受けなくなる。
【００８０】請求項５の発明によれば、内側のパイプの
比較的少数のガス吐出孔より吐出されたガスが各パイプ
間の空間を通じてつまり前記空間内で一旦合流して外側
のパイプの各ガス吐出孔より乾燥室内に吐出されるの
で、ガス吐出孔間に生じるガス吐出量及びガス温度の差
をより小さくすることができる。
【００８１】請求項６の発明によれば、乾燥室と処理槽
とを分割したことで、例えば乾燥処理時に次の処理槽で
の処理のための準備ができるなど、スループットの向上
を図ることができる。また、乾燥室と処理槽とをそれぞ
れ別個の条件下で設計することができるので、設計の自
由度が高く、洗浄処理の高速化や装置のさらなる小形化
等を図ることができる。さらに、乾燥室内の容積を小さ
くすることができるので、乾燥室内を有機溶剤の雰囲気
にする一方で減圧するような場合には、乾燥室及び処理
槽の肉厚を薄くすることができ、また減圧するために使
用される真空ポンプ等の低出力化を図ることができる。
【００８２】請求項７の発明によれば、被処理基板の乾
燥処理時に乾燥室と処理槽とを遮断することができ、被
処理基板の乾燥処理時に処理槽の処理液（薬液）による
悪影響を受け難くなる。
【００８３】請求項８の発明によれば、前処理室から本
発明の洗浄装置まで被処理基板が移動する間の酸素との
接触を低減でき、自然酸化膜の成長を抑えることができ
る。また、被処理基板の洗浄処理の間に改めて行われる
乾燥室内の不活性ガス雰囲気への置換を、外気よりも酸
素濃度の低い状態から開始することができ、乾燥室内の
酸素濃度が許容値まで低下させるのに要する時間を大幅
に短縮することができる。
【００８４】請求項９および請求項１０の発明によれ
ば、乾燥室内を排気しつつ乾燥室内に不活性ガスを供給
することによって、乾燥室内の雰囲気を不活性ガスに置
換する際の効率を高めることができる。
【００８５】請求項１１の発明によれば、乾燥室の内壁
に付着したパーティクルが、乾燥室内に導入された不活
性ガスの気流により巻き上がって洗浄・乾燥後の被処理
基板の表面に付着することを防止できる。
【００８６】請求項１２の発明によれば、被処理基板の
薬液洗浄、水洗洗浄の後にオゾン洗浄を行い、被処理基
板のシリコン面に薄く純粋な酸化シリコンの膜を形成せ
しめることによって、被処理基板の表面にウォータマー
クが発生しなくなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る本実施形態は半導体
ウエハの洗浄処理装置の斜視図である。
【図２】図１に示した洗浄処理装置の平面図である。
【図３】図１の示した洗浄処理装置おける洗浄装置の縦
断正面図である。
【図４】図３に示した洗浄装置の縦断側面図である。
【図５】図３に示した洗浄装置の斜視図である。
【図６】図３に示した洗浄装置の上部の蓋の近傍を示す
斜視図である。
【図７】図３に示した洗浄装置の蓋駆動部の概略構成を
示す図である。
【図８】図３に示した洗浄装置の窒素ガスカーテン開閉
機構の構成を示した斜視図である。
【図９】図３に示した洗浄装置のスライド扉機構を示す
斜視図である。
【図１０】図９に示したスライド扉機構を示す縦断正面
図である。
【図１１】図３に示した洗浄装置のウエハガイドを示す
斜視図である。
【図１２】図３に示した洗浄装置のノズルと排出口を示
す斜視図である。
【図１３】図３に示した洗浄装置の整流板の作用を説明
するための図である。
【図１４】図３に示した洗浄装置の動作を処理フローで
ある。
【図１５】図１４に示した処理フローのステップ１４０
１に対応する洗浄装置の動作を示す概略図である。
【図１６】図１４に示した処理フローのステップ１４０
２に対応する洗浄装置の動作を示す概略図である。
【図１７】図１４に示した処理フローのステップ１４０
３に対応する洗浄装置の動作を示す概略図である。
【図１８】図１４に示した処理フローのステップ１４０
４に対応する洗浄装置の動作を示す概略図である。
【図１９】図１４に示した処理フローのステップ１４０
５に対応する洗浄装置の動作を示す概略図である。
【図２０】図１４に示した処理フローのステップ１４０
６に対応する洗浄装置の動作を示す概略図である。
【図２１】図１４に示した処理フローのステップ１４０
７〜１４１１に対応する洗浄装置の動作を示す概略図で
ある。
【図２２】図１４に示した処理フローのステップ１４１
２に対応する洗浄装置の動作を示す概略図である。
【図２３】図１４に示した処理フローのステップ１４１
３に対応する洗浄装置の動作を示す概略図である。
【図２４】図１４に示した処理フローのステップ１４１
４に対応する洗浄装置の動作を示す概略図である。
【図２５】図１４に示した処理フローのステップ１４１
５〜１４１７に対応する洗浄装置の動作を示す概略図で
ある。
【図２６】図１４に示した処理フローのステップ１４１
８に対応する洗浄装置の動作を示す概略図である。
【図２７】図１４に示した処理フローのステップ１４１
９に対応する洗浄装置の動作を示す概略図である。
【図２８】図１４に示した処理フローのステップ１４２
０に対応する洗浄装置の動作を示す概略図である。
【図２９】図１４に示した処理フローのステップ１４１
７において乾燥室内を大気圧に戻す際の窒素ガス吹き付
け量と経過時間との関係を示す図である。
【図３０】図８に示した窒素ガスカーテン開閉機構の変
形例の構成を示す図である。
【図３１】従来の洗浄装置を示す概略図である。
【符号の説明】
２７……洗浄装置 ４１……洗浄槽 ４２……乾燥室 ４３……ウエハガイド ４４、４５……ノズル ６０……窒素ガスカーテン開閉機構 ６１……乾燥室上部の開口部 ６２……乾燥室下部の開口部 ６３……密閉型の蓋 ６４……スライド扉機構 ７２……スライド扉 ８５、８６……ノズル

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 処理液を貯溜し、貯溜した処理液に被処
    理基板が浸漬される処理槽と、 前記処理槽の上方に配置され、処理槽との間で被処理基
    板を移送するための開口部が設けられた乾燥室と、 前記開口部を介して前記処理槽と前記乾燥室との間で被
    処理基板を移送する移送手段と、 前記処理槽から前記乾燥室内への雰囲気の移動を阻止す
    べく前記乾燥室内に不活性ガスを導入する手段と、 前記乾燥室内を有機溶剤の雰囲気にする手段とを具備す
    ることを特徴とする洗浄装置。
  2. 【請求項２】 処理液を貯溜し、貯溜した処理液に被処
    理基板が浸漬される処理槽と、 前記処理槽の上方に配置され、処理槽との間で被処理基
    板を移送するための開口部が設けられた乾燥室と、 前記開口部を介して前記処理槽と前記乾燥室との間で被
    処理基板を移送する移送手段と、 前記開口部を不活性ガスの気流の層により遮蔽する遮蔽
    手段と、 前記乾燥室内を有機溶剤の雰囲気にする手段とを具備す
    ることを特徴とする洗浄装置。
  3. 【請求項３】 請求項１または請求項２記載の浄装装置
    において、 前記開口部を開閉する開閉手段をさらに具備することを
    特徴とする洗浄装置。
  4. 【請求項４】 請求項１または請求項２記載の浄装装置
    において、 前記開口部を開閉して、閉時に前記乾燥室を密閉する開
    閉手段をさらに具備することを特徴とする洗浄装置。
  5. 【請求項５】 請求項１または請求項２記載の洗浄装置
    において、 前記乾燥室内を有機溶剤の雰囲気にする手段が、前記乾
    燥室内に前記有機溶剤を含むガスを吐出するノズルを有
    し、このノズルは、径の異なる複数のパイプを互いの周
    面を離間させた状態で嵌め合わせて成り、内側のパイプ
    には複数のガス吐出孔がパイプ軸方向に沿って所定の間
    隔を置いて設けられ、かつ外側のパイプには複数のガス
    吐出孔がパイプ軸方向に沿ってこのパイプの１つ内側の
    パイプのガス吐出孔の間隔よりも短い間隔を置いて設け
    られてなることを特徴とする洗浄装置。
  6. 【請求項６】（ａ）乾燥室側より支持された保持部材に
    より被処理基板を保持しつつ、乾燥室の開口部を介して
    その下方に設けられた処理槽に移送する工程と、 （ｂ）前記被処理基板の移送前または移送後に前記処理
    槽に処理液を貯溜し、前記被処理基板を浸漬する工程
    と、 （ｃ）前記被処理基板を前記処理槽から前記乾燥室に移
    送する工程と、 （ｄ）前記乾燥室を有機溶剤の雰囲気にして被処理基板
    を乾燥する工程とを具備することを特徴とする洗浄方
    法。
  7. 【請求項７】 請求項６記載の洗浄方法において、 前記被処理基板を前記乾燥室に移送後、前記開口部を閉
    じる工程をさらに具備することを特徴とする洗浄方法。
  8. 【請求項８】 請求項６または請求項７記載の洗浄方法
    において、 外部から前記乾燥室内に被処理基板を搬入する前に、前
    記乾燥室内を不活性ガスの雰囲気に置換する工程をさら
    に有することを特徴とする洗浄方法。
  9. 【請求項９】 請求項６または請求項７記載の洗浄方法
    において、 外部から前記乾燥室内に被処理基板を搬入する前に、前
    記乾燥室内を排気しつつ前記乾燥室内を不活性ガスの雰
    囲気に置換する工程をさらに有することを特徴とする洗
    浄方法。
  10. 【請求項１０】 請求項６または請求項７記載の洗浄方
    法において、 前記乾燥室を有機溶剤の雰囲気にする前に、乾燥室内を
    排気しつつ乾燥室内に不活性ガスを供給して乾燥室内を
    不活性ガスの雰囲気に置換する工程をさらに有すること
    を特徴とする洗浄方法。
  11. 【請求項１１】 請求項６または請求項７の洗浄方法に
    おいて、 （ｄ）工程の後、前記乾燥室内を排気減圧し、乾燥室内
    に不活性ガスを導入して乾燥室内を略大気圧に戻す時、
    不活性ガスの単位時間当たりの導入量を時間の経過に伴
    って増大させるように制御することを特徴とする洗浄方
    法。
  12. 【請求項１２】 請求項６または請求項７の洗浄方法に
    おいて、 （ｂ）工程が、 被処理基板の薬液洗浄を行う工程と、 被処理基板の水洗洗浄を行う工程と、 水洗洗浄後の被処理基板のオゾン洗浄を行う工程とを含
    むことを特徴とする洗浄方法。
  13. 【請求項１３】 請求項１２記載の洗浄方法において、 オゾン洗浄後の被処理基板の水洗洗浄を行う工程をさら
    に含むことを特徴とする洗浄方法。
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