JP5710921B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 197
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 87
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 82
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 73
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 15
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 15
- 239000011295 pitch Substances 0.000 claims description 10
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 62
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 50
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 7
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
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- G—PHYSICS
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3063—Electrolytic etching
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Spray Control Apparatus (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Weting (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
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Description
前記複数のノズル部の前記吐出口から吐出される処理液は、エッチング液であることを特徴とする。
’では、鉛直線に対する角度を0°に、両端部付近で対向するノズル部24a’、24f’の吐出口26a’、26f’では、30°〜60°に設定される。その他のノズル部群によって形成される組の吐出口の対向角度も同様に基板搬送方向Xに沿う方向における中央部付近から両端部付近にかけて、鉛直線に対して漸次大きくなるように設定されている。
10 薬液処理室
12 薬液タンク
14、14’、14” スプレーノズル
16 送液ポンプ
18 薬液供給路
20 循環排水路
22、22’、22” スプレーパイプ部
24、24’、24”、100 ノズル部
26、26’、26” 吐出口
102 基板の表面
W 基板
Claims (4)
- 基板に対してウェット処理を行うウェット処理室と、
前記ウェット処理室内に配設されて基板を水平姿勢または水平面に対し基板搬送方向と直交する方向に傾斜させた姿勢で水平方向に往復移動して搬送する基板搬送手段と、
前記ウェット処理室内に配設される基板搬送手段によって搬送される基板の主面へ処理液を供給する処理液供給手段と、
を備えた基板処理装置において、
前記処理液供給手段は、
基板搬送方向に関して交差する方向に等ピッチに互いに平行に配置され処理液を基板の主面へ吐出する複数のスプレーノズルを備え、
各前記複数のスプレーノズルは、
前記基板搬送方向に沿う方向に静止して延在するスプレーパイプ部と、当該スプレーパイプ部の長手方向に一列に互いに近接して形設され処理液をその吐出口から基板の主面へ吐出する複数のノズル部から構成され、
前記複数のノズル部の前記吐出口からは等しい吐出量の処理液が吐出され、
基板の主面に対する前記複数のノズル部の前記吐出口の固定した対向角度を、水平姿勢で搬送される基板の主面の前記基板搬送方向に関して交差する方向における中央部付近から両端部付近にかけて、鉛直線に対して漸次大きくなるように、または傾斜させた姿勢で搬送される基板の主面の傾斜上端部付近から傾斜下端部付近にかけて、基板の主面の法線に対して漸次大きくなるように、前記複数のノズル部を前記複数のスプレーパイプ部に形設し、かつ、前記複数のノズル部を前記基板搬送方向に関して交差する方向において千鳥状に配置することにより、基板の主面上において吐出後の処理液の積極的な液流れを発生させることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記複数のノズル部の前記吐出口の前記固定した対向角度は、水平姿勢で搬送される基板の主面の前記基板搬送方向に関して交差する方向における中央部付近では、鉛直線に対して0°、両端部付近では鉛直線に対して30°乃至60°に設定されることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1または2に記載の基板処理装置において、
前記複数のノズル部の前記吐出口の前記固定した対向角度は、傾斜させた姿勢で搬送される基板の主面の傾斜上端部付近では、基板の主面の法線に対して0°乃至20°、傾斜下端部付近では、基板の主面の法線に対して30°乃至60°に設定されることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記複数のノズル部の前記吐出口から吐出される処理液は、エッチング液であることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010211716A JP5710921B2 (ja) | 2010-09-22 | 2010-09-22 | 基板処理装置 |
TW100122571A TWI441275B (zh) | 2010-09-22 | 2011-06-28 | Substrate processing device |
KR1020110071479A KR101217371B1 (ko) | 2010-09-22 | 2011-07-19 | 기판 처리 장치 |
CN201110219581.4A CN102412134B (zh) | 2010-09-22 | 2011-07-27 | 基板处理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010211716A JP5710921B2 (ja) | 2010-09-22 | 2010-09-22 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012066176A JP2012066176A (ja) | 2012-04-05 |
JP5710921B2 true JP5710921B2 (ja) | 2015-04-30 |
Family
ID=45914152
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010211716A Expired - Fee Related JP5710921B2 (ja) | 2010-09-22 | 2010-09-22 | 基板処理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5710921B2 (ja) |
KR (1) | KR101217371B1 (ja) |
CN (1) | CN102412134B (ja) |
TW (1) | TWI441275B (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6271304B2 (ja) | 2013-03-29 | 2018-01-31 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP6258892B2 (ja) * | 2014-05-13 | 2018-01-10 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
CN105185726B (zh) * | 2014-05-13 | 2018-09-21 | 芝浦机械电子株式会社 | 基板处理装置、基板处理方法、基板制造装置及基板制造方法 |
JP6240777B2 (ja) * | 2014-07-24 | 2017-11-29 | シャープ株式会社 | 洗浄装置 |
KR101697176B1 (ko) * | 2015-01-12 | 2017-01-17 | 주식회사 기가레인 | 코팅 장비용 노즐 블록 |
JP6509104B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2019-05-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置 |
WO2017164126A1 (ja) * | 2016-03-25 | 2017-09-28 | 東レ株式会社 | 現像装置及び回路基板の製造方法 |
JP7046773B2 (ja) * | 2018-10-01 | 2022-04-04 | 本田技研工業株式会社 | 塗装装置 |
JP7197376B2 (ja) * | 2019-01-17 | 2022-12-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
CN109887865B (zh) * | 2019-03-07 | 2021-08-20 | 上海华力微电子有限公司 | 一种晶圆清洗干燥装置、方法及化学机械研磨机台 |
JP7312738B2 (ja) * | 2020-12-11 | 2023-07-21 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01309981A (ja) * | 1988-06-07 | 1989-12-14 | Toshiba Corp | エッチング装置 |
JPH093661A (ja) * | 1995-06-19 | 1997-01-07 | Toppan Printing Co Ltd | エッチング装置 |
JP3323385B2 (ja) * | 1995-12-21 | 2002-09-09 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
JP3171807B2 (ja) * | 1997-01-24 | 2001-06-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
JP2002324481A (ja) | 2001-04-24 | 2002-11-08 | Dainippon Printing Co Ltd | レジスト剥離装置 |
JP4138504B2 (ja) | 2002-03-27 | 2008-08-27 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP3978065B2 (ja) * | 2002-03-28 | 2007-09-19 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板の処理装置及び処理方法 |
JP2006032802A (ja) * | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Pioneer Electronic Corp | ウェット装置、ディスプレイパネルの製造装置およびウェット処理方法 |
JP4483544B2 (ja) * | 2004-11-19 | 2010-06-16 | 凸版印刷株式会社 | エッチング装置及びそれを用いたシャドウマスクの製造方法 |
JP2006255556A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Sharp Corp | 液処理装置および液晶表示装置 |
KR100666352B1 (ko) * | 2005-05-26 | 2007-01-11 | 세메스 주식회사 | 기판 세정 건조 장치 및 방법 |
JP2009088384A (ja) * | 2007-10-02 | 2009-04-23 | Sokudo:Kk | 基板処理装置 |
JP2010232637A (ja) * | 2009-03-04 | 2010-10-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
-
2010
- 2010-09-22 JP JP2010211716A patent/JP5710921B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-06-28 TW TW100122571A patent/TWI441275B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-07-19 KR KR1020110071479A patent/KR101217371B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2011-07-27 CN CN201110219581.4A patent/CN102412134B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102412134A (zh) | 2012-04-11 |
CN102412134B (zh) | 2014-10-29 |
KR20120031117A (ko) | 2012-03-30 |
TWI441275B (zh) | 2014-06-11 |
JP2012066176A (ja) | 2012-04-05 |
TW201230225A (en) | 2012-07-16 |
KR101217371B1 (ko) | 2012-12-31 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130521 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140617 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140807 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |