JP3978065B2 - 基板の処理装置及び処理方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、たとえば液晶表示装置用などのガラス製の基板を処理液によって処理する基板の処理装置及び処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
液晶表示装置に用いられるガラス製の基板には回路パターンが形成される。基板に回路パターンを形成するにはリソグラフィープロセスが採用される。リソグラフィープロセスは周知のように上記基板にレジストを塗布し、このレジストに回路パターンが形成されたマスクを介して光を照射する。
【0003】
つぎに、レジストの光が照射されない部分或いは光が照射された部分を除去し、基板のレジストが除去された部分をエッチングするなどの一連の工程を複数回繰り返すことで、上記基板に回路パターンを形成する。
【0004】
このようなリソグラフィープロセスにおいては、上記基板にエッチング液或いはエッチング後にレジストを除去する剥離液、さらに除去後に基板を洗浄するための洗浄液などの処理液によって基板を処理する工程が必要となる。
【0005】
従来、基板の板面を処理液によって処理する場合、たとえば基板を搬送ローラにより所定方向に搬送するとともに、搬送の途中で基板の上方に位置するノズル体から上記処理液を噴射して基板を処理するということが行われている。
【0006】
上記ノズル体は、基板の搬送方向及び搬送方向に対して交差する方向に対しそれぞれ所定間隔で配置されている。そして、上記ノズル体からは、通常、処理液を円形パターンで噴射するとともに、処理液による処理の斑が生じることがないよう、隣り合う処理液の円形パターンをラップさせるということが行なわれている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、処理液をノズル体から円形パターンで噴射すると、基板の板面に対して処理液が噴射されない部分が生じないようにするためには、基板の幅方向およびこの幅方向に対して交差する搬送方向において隣り合う円形パターンのラップ代を大きく取らなければならない。
【0008】
隣り合う円形パターンのラップ代を大きくすると、基板の幅方向に配置されるノズル体の数を多くしなければならないから、その分、構成の複雑化や部品点数の増大を招くということになる。とくに、基板が矩形状の液晶表示装置用のガラス基板であると、円形パターンの場合には基板の幅方向両端部において処理液を均一に噴射し難いということがあるため、処理状態に斑が生じる虞がある。
【0009】
この発明は、基板に処理液を効率よく、しかも均一に噴射することができるようにした基板の処理装置および処理方法を提供することにある。
【0010】
請求項1の発明は、基板の板面に処理液を噴射してこの板面を処理する処理装置において、
上記基板を所定方向に沿って搬送する搬送手段と、
搬送される基板の上方で、この基板の搬送方向及びその搬送方向に対して交差する方向のうち、少なくとも上記搬送方向と交差する方向に所定間隔で配置され上記基板に対して処理液を矩形パターンで、かつ隣り合う矩形パターンの側辺部がラップするよう噴射する複数のノズル体と、
上記ノズル体の高さを変更し各ノズル体から噴射される処理液の隣り合う矩形パターンの側辺部のラップ代を調整する高さ調整機構と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置にある。
【0011】
請求項2の発明は、処理液の隣り合う矩形パターンのラップ代は、0パーセント以上で、30パーセント以下であることを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置にある。
【0012】
請求項3の発明は、上記搬送手段は、上記基板を上記ノズル体の下方で上記所定方向に沿って往復動させることを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置にある。
【0015】
請求項4の発明は、基板の板面に処理液を噴射してこの板面を処理する処理方法において、
上記基板を搬送する工程と、
所定位置に搬送された基板の板面に、この基板の搬送方向及びその搬送方向に対して交差する方向のうち、少なくとも上記搬送方向と交差する方向に沿って処理液を複数の矩形パターンで、かつ上記基板の板面上で隣り合う矩形パターンの側辺部がラップするよう噴射する工程と、
を具備し、
上記処理液の噴射高さを変えることで、上記基板上における処理液のラップ代を調整することを特徴とする基板の処理方法にある。
【0017】
この発明によれば、処理液を矩形パターンで噴射し、少なくとも基板の搬送方向と交差する方向において、隣り合う矩形パターンの側辺部をラップさせるようにしたため、少ない数のノズル体によって基板の板面に処理液をむらなく均一に噴射することができる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながらこの発明の一実施の形態を説明する。
【0019】
図1に示すこの発明の処理装置はチャンバ1を備えている。このチャンバ1は長手方向一端に搬入口2、他端に搬出口3が形成され、内部には長手方向に対して所定間隔で複数の搬送軸4が回転可能に設けられている。搬送軸4には複数の搬送ローラ5が軸方向に所定間隔で設けられている。
【0020】
図2と図3に示すように、各搬送軸4は両端部が軸受6によって回転可能に支持されている。複数の搬送軸の1本の一端部にはウオームホイール7が嵌着されている。この搬送軸4に設けられたウオームホイール7はウオームギヤ8に噛合している。ウオームギヤ8はチャンバ1の長手方向に沿って配置された従動軸9に嵌着されている。
【0021】
上記従動軸9には従動プーリ11が設けられ、この従動プーリ11と駆動源12の回転軸12aに嵌着された駆動プーリ13とにはチェーン14が張設されている。それによって、上記駆動プーリ13が駆動源12によって回転駆動されると、その回転に応じて上記ウオームホイール7が設けられた搬送軸4が従動軸9を介して回転駆動されるようになっている。
【0022】
各搬送軸4の一端部には図示しないスプロケットが設けられている。各スプロケットには図示しないチェーンが張設されている。それによって、ウオームホイール7が設けられた搬送軸4が回転駆動されると、その回転に他の搬送軸4が連動するようになっている。
【0023】
なお、上記駆動源12は図示しない制御装置によって駆動が制御され、上記駆動プーリ13の回転方向を正転方向、逆転方向及び正転方向と逆転方向とを交互に回転させることができるようになっている。
【0024】
上記チャンバ1の搬入口2からは液晶表示装置に用いられるガラス製の矩形状の基板Wが搬入される。チャンバ1内に搬入された基板Wは、下面を搬送軸4に設けられた搬送ローラ5に接触させて搬送される。
【0025】
上記搬送軸4の上方には、両端部が軸受17によって回転可能に支持された押え軸18が配置されている。この押え軸18の両端部には、上記搬送軸4の搬送ローラ5によって搬送される上記基板Wの幅方向の両端部の上面を押える押えローラ19が設けられている。つまり、基板Wは、幅方向両端部の下面と上面とが上記搬送ローラ5と押えローラ19とによって保持されて搬送されるようになっている。
【0026】
チャンバ1内を搬送される基板Wの上方には、この基板Wの上面に向けてエッチング液、レジストの剥離液、洗浄液などの処理液を噴射する多数のノズル体21が配置されている。
【0027】
すなわち、上記チャンバ1内の搬送ローラ5によって搬送される基板Wの上方には、図1に示すように基板Wの搬送方向に沿って杆状の複数の取付け部材22がピッチP1 で配置されている。各取付け部材22には図2に示すように複数の上記ノズル体21が長手方向にピッチP2 で取付けられている。ここで、P1 =P2 に設定されている。
【0028】
図5に示すように、基板Wの搬送方向において、隣り合う取付け部材22に設けられたノズル体21は、基板Wの幅方向に対してピッチP2 の2分の1ずれている。つまり、ノズル体21は基板Wの搬送方向において千鳥状に配置されている。
【0029】
図3に示すように、各ノズル体21はノズルチップ23を有し、このノズルチップ23には図4に示すように角錐状の噴射孔24が上記ノズルチップ23の下面に開口形成されている。噴射孔24の頂部には円柱状の供給孔24aが連通し、処理液はこの供給孔24aから噴射孔24に供給される。
【0030】
上記ノズル体21に供給された処理液は、上記ノズルチップ23の噴射孔24の形状に対応した矩形パタ−ンとなって基板Wの上面に噴射される。この実施の形態ではノズルチップ23の下面に開口した噴射孔24の形状は正方形になっている。したがって、処理液は基板Wの板面に正方形のパターンで噴射される。
【0031】
上記ノズル体21は、取付け部材22の両端部に設けられた高さ調整機構25によって基板Wの板面に対する高さ調整ができるようになっている。この高さ調整機構25は、図3に示すようマウントロッド27を有する。このマウントロッド27の一端は上記取付け部材22の両端に連結片26を介して取付けられている。マウントロッド27は軸線を上記取付け部材22の軸線と平行にして設けられている。
【0032】
上記チャンバ1内の幅方向両端にはガイド部材28がL字状のブラケット29を介して立設されている。このブラケット29の下端は上記チャンバ1の側壁下部に固定されている。上記ガイド部材28には上下方向に沿って細長いガイド孔31が上記ガイド部材28の厚さ方向に貫通して形成されている。
【0033】
上記ガイド孔31にはガイド部材28の厚さ方向一端から上記マウントロッド27の他端部がガイド孔31の長手方向に沿ってスライド可能に挿入されている。上記ガイド部材28の厚さ方向他端からは、上記マウントロッド27の端面に蝶ねじ32がワッシャ33を介して螺合されている。
【0034】
したがって、上記蝶ねじ32を緩めれば、上記取付け部材22をガイド部材28のガイド孔31に沿って上下方向にスライドさせることができ、上記蝶ねじ32を締め込めば、上記取付け部材22を所定の位置で固定できるようになっている。
【0035】
上記マウントロッド27にはアジャストねじ34が螺合されている。このアジャストねじ34は、上端部が上記ガイド部材28の上端に設けられた支持部材35に回転可能に挿通され、下端が上記ガイド部材28を取付けたブラケット29の上面に回転可能に支持されている。
【0036】
上記アジャストねじ34には、上記支持部材35の上面側と下面側とに位置するナット36が螺合されている。一対のナット36のどちらか一方と上記マウントロッド27に螺合された蝶ねじ32とを緩め、上記アジャストねじ34を回転させれば、上記マウントロッド27を介して上記取付け部材22の高さを上方或いは下方に微調整することができる。つまり、上記取付け部材22に取付けられたノズル体21は上記高さ調整機構25によって上記基板Wの板面に対する高さを調整できるようになっている。
【0037】
ノズル体21の高さを変えることで、各ノズル体21から噴射されて基板Wの上面に到達する処理液の正方形の面積を変えることができる。たとえば、基板Wの上面に対するノズル体21の距離、つまりノズル体21の高さを高くすれば、その高さに応じて基板Wの板面に到達する処理液の正方形のパターンF(図5に示す)が大きくなる。
【0038】
したがって、基板Wに到達する処理液の正方形のパターンFの大きさを変えることで、基板Wの幅方向及びこの幅方向と交差する搬送方向において、隣り合うパターンFのラップ代を調整できるようになっている。基板Wの幅方向及びこの幅方向と交差する搬送方向において隣り合うパターンFのラップ代は、0パーセント以上で、30パーセント以下になるよう設定される。この実施の形態では、ラップ代が20パーセントになるよう、ノズル体21の高さが設定される。つまり、ノズル体21は高さ調整機構25によって高さ調整できるようになっているから、高さ調整することで、基板Wの板面上における処理液の隣り合う正方形のパターンFのラップ代を変えることができる。
【0039】
つぎに、上記構成の処理装置によって基板Wを処理する手順を説明する。まず、駆動源12を作動させて基板Wをチャンバ1の搬入口2から内部に搬入する。それと同時に、チャンバ1内に設けられたノズル体21から処理液を基板Wの板面に向けて噴射する。
【0040】
上記基板Wがチャンバ1内のほぼ中央部まで搬送されたならば、この基板Wを搬送方向に沿って所定のストロークで往復動させる。つまり、基板Wを、図5にRで示すノズル体21から噴射される処理液の噴射領域から外れることのない範囲で往復動させる。
【0041】
基板Wを所定のストロークで往復動させると、基板Wの板面に噴射された処理液が流動し、処理液が基板Wの板面に均一に接触するから、基板Wの板面が処理液によって均一に処理されることになる。
【0042】
しかも、図5に示すように、基板Wの搬送方向において隣り合うパターンFのラップ部分nは、基板Wを往復動させることで、基板Wの移動方向に位置がずれ、さらに基板Wの幅方向において隣り合うパターンFのラップ部分mは、基板Wの搬送方向においてピッチP2 /2千鳥状に位置をずらしているから、このラップ部分mも基板Wを往復動させることで、基板Wの移動方向に位置がずれる。
【0043】
つまり、基板Wを往復動させることで、上記ラップ部分nとmとが基板Wの板面上の所定箇所だけに留まるのが防止される。そのため、処理液のパターンFをラップさせても、そのラップ部分n、mによって基板Wの処理が不均一になるのを防止できる。
【0044】
基板Wの板面に噴射される処理液は正方形のパターンで、基板Wの搬送方向及び搬送方向と交差する方向に対して隣り合うパターンFは、20パーセントのラップ代でラップしている。そのため、チャンバ1内で所定のストロークで往復駆動される基板Wには、その上面の全体にわたってむらなく処理液を供給することができるから、その供給状態に応じて基板Wを処理することができる。
【0045】
処理液の供給圧力や粘度が変動すると、基板Wの板面上におけるパターンFが小さくなり、隣り合うパターンFのラップ代が減少したり、ラップしなくなるということがある。
【0046】
しかしながら、基板Wの搬送方向及び搬送方向と交差する方向に対して隣り合うパターンFのラップ代を20パーセントに設定したから、処理液の供給圧力や粘度が変動して基板Wの板面上におけるパターンFが小さくなっても、ラップ代の減少はほとんどの場合20パーセント以内に収まるから、隣り合うパターンFがラップしなくなるということがない。
【0047】
そのため、基板Wには処理液の供給圧力や粘度の変動に係わらず、板面全体にわたって常にむらなく処理液を供給できるから、そのことによっても処理の均一化が図れる。
【0048】
ノズル体21から基板Wの板面に噴射される処理液のパターンFは正方形である。そのため、処理液の供給圧力や粘度に変動がないとすれば、基板Wの幅方向と長手方向において、隣り合うパターンFを0以上のラップ代でラップさせれば、板面全体に処理液をむらなく噴射することができる。
【0049】
つまり、処理液のパターンFを正方形とすることで、隣り合うパターンFのラップ代がわずかであっても、基板Wの板面に処理液をむらなく噴射することができるから、その分、ノズル体21の数を少なくすることができる。
【0050】
とくに、基板Wが矩形状であると、基板Wの幅方向両端部を正方形のパターンFによって確実にカバーできるから、そのことによっても基板Wの全面を均一に処理することが可能となる。
【0051】
なお、隣り合うパターンFのラップ代が30パーセント以上になると、ラップ部分における処理液が干渉し合い、処理状態が均一にならないことがある。したがって、隣り合うパターンFのラップ代は、0パーセント以上で、30パーセント以下がよく、とくに20パーセントとすることで、処理液の供給圧力や粘度などが変動しても、処理を均一に行なうことが可能となる。
【0052】
上記一実施の形態では、ノズル体21を基板Wの搬送方向と交差する方向及び搬送方向の両方向に沿って所定のピッチで配置したが、処理液の種類などによって基板Wをチャンバ1の搬入口2から搬入し、搬出口3から搬出する場合には、搬送方向と交差する方向にだけ所定のピッチでノズル体を配置するようにしてもよい。
【0053】
また、処理液のパターンは正方形だけでなく、長方形であってもよく、要は矩形パタン−ンであればよい。さらに、基板Wの処理時に、この基板Wを搬送方向に沿って所定のストロークで往復動させたが、それとともにノズル体21を基板Wの搬送方向と交差する方向に所定のストロークで揺動させるようにしてもよく、そのようにすれば基板Wの処理をより一層、均一化することができる。
【0054】
【発明の効果】
以上のようにこの発明によれば、処理液を矩形パターンで噴射し、少なくとも基板の搬送方向と交差する方向において、隣り合う矩形パターンの側辺部をラップさせるようにした。
【0055】
そのため、少ない数のノズル体によって基板の板面に処理液をむらなく均一に噴射することができるから、噴射状態に応じて基板の処理を均一に行なうことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施の形態に係る処理槽の長手方向に沿う概略的構成を示す断面図。
【図2】処理槽の幅方向に沿う拡大断面図。
【図3】処理槽の幅方向一端部の拡大図。
【図4】ノズル体のノズルチップの斜視図。
【図5】ノズル体から基板に処理液を正方形のパターンで噴射した状態を上方から見た説明図。
【符号の説明】
4…搬送軸
5…搬送ローラ
12…駆動源
21…ノズル体
25…高さ調整手段
W…基板
Claims (4)
- 基板の板面に処理液を噴射してこの板面を処理する処理装置において、
上記基板を所定方向に沿って搬送する搬送手段と、
搬送される基板の上方で、この基板の搬送方向及びその搬送方向に対して交差する方向のうち、少なくとも上記搬送方向と交差する方向に所定間隔で配置され上記基板に対して処理液を矩形パターンで、かつ隣り合う矩形パターンの側辺部がラップするよう噴射する複数のノズル体と、
上記ノズル体の高さを変更し各ノズル体から噴射される処理液の隣り合う矩形パターンの側辺部のラップ代を調整する高さ調整機構と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置。 - 処理液の隣り合う矩形パターンのラップ代は、0パーセント以上で、30パーセント以下であることを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置。
- 上記搬送手段は、上記基板を上記ノズル体の下方で上記所定方向に沿って往復動させることを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置。
- 基板の板面に処理液を噴射してこの板面を処理する処理方法において、
上記基板を搬送する工程と、
所定位置に搬送された基板の板面に、この基板の搬送方向及びその搬送方向に対して交差する方向のうち、少なくとも上記搬送方向と交差する方向に沿って処理液を複数の矩形パターンで、かつ上記基板の板面上で隣り合う矩形パターンの側辺部がラップするよう噴射する工程と、
を具備し、
上記処理液の噴射高さを変えることで、上記基板上における処理液のラップ代を調整することを特徴とする基板の処理方法。
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