JP3715171B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、液晶表示パネルやプラズマ表示パネル用のガラス基板、フォトマスク、半導体ウエハ等の各種基板の表面にエッチング液を供給することによりエッチング処理する基板処理装置および基板処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
フォトリソ工程のために表面にフォトレジストのパターンを形成した基板をエッチング液によりエッチング処理する場合においては、従来、基板の表面にエッチング液をスプレーするスプレー方式と、基板をエッチング液中に浸漬するディップ方式とが採用されている。
【0003】
前者のスプレー方式においては、エッチングの面内均一性を良好にでき、エッチング処理に要する時間が短いという利点を有する反面、エッチング後の配線パターンのテーパ形状の制御が困難であるという欠点を有する。一方、後者のディップ方式においては、配線パターンのテーパ形状の制御は比較的容易であるが、エッチングの面内均一性が悪く、また、エッチング処理に要する時間も長いという欠点を有する。
【0004】
このため、例えば、特開平9−276773号公報においては、基板をその表面が傾斜した状態で支持し、その表面に沿って水平方向に搬送する搬送機構と、この搬送機構により搬送される基板の表面の上端部付近にエッチング液を吐出することにより、基板の表面にカーテン状にエッチング液を供給するためのエッチング液吐出部と、を備えた基板処理装置が提案されている。
【0005】
この特開平9−276773号公報に記載されたような基板処理装置は、配線パターンのテーパ形状の制御が比較的容易であり、また、少量のエッチング液を利用して比較的迅速にエッチング処理を行うことができるという利点を有する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した特開平9−276773号公報に記載されたような基板処理装置においては、エッチング液を基板の上部一カ所のみに連続して供給し続けて、その表面に沿って流下させる構成であることから、そのエッチング液吐出部の吐出口近傍部分だけエッチングが速く進行し、処理ムラが生じるおそれがある。また、基板表面に常時新しいエッチング液が供給され続ける状態であるから、フォトレジストパターンの下の薄膜は等方向にエッチングされるため、エッチングにより形成される薄膜パターンのテーパの形状を制御することは困難であった。このため、基板を完全に均一性良く且つテーパ形状を制御して処理することはできないという問題が生ずる。
【0007】
この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、基板を均一かつ迅速にエッチング処理でき且つテーパ形状を制御することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明は、基板の表面にエッチング液を供給することにより基板をエッチング処理する基板処理装置であって、基板をその表面が傾斜した状態で支持し、前記表面に沿って水平方向に搬送する搬送機構と、前記搬送機構により搬送される基板の表面にエッチング液を吐出することにより、基板の表面にエッチング液を供給するためのエッチング液吐出部と、前記エッチング液吐出部からエッチング液を吐出させる供給動作と、前記エッチング液吐出部からのエッチング液の吐出を停止させる停止動作とを交互に実行するエッチング液供給機構とを備え、前記エッチング液吐出部におけるエッチング液吐出口の基板の搬送方向の長さは、基板におけるその搬送方向の長さよりも大きくなっており、前記搬送機構は、前記基板の表面へのエッチング液の供給動作中において、前記基板を前記エッチング液吐出部の下方の領域内で水平方向に往復移動させることを特徴とする。
【0009】
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記エッチング液吐出部は、前記搬送機構により搬送される基板の表面の上端部付近にエッチング液を吐出することにより、基板の表面にカーテン状にエッチング液を供給する。
【0010】
請求項3に記載の発明は、請求項1または請求項2いずれかに記載の発明において、前記エッチング液供給機構は、前記停止動作を前記吐出動作の3乃至10倍の時間実行する。
【0011】
請求項4に記載の発明は、基板の表面にエッチング液を供給することにより基板をエッチング処理する基板処理方法であって、基板をその表面が傾斜した状態で支持し、前記表面に沿って水平方向に搬送する基板搬送行程と、基板の表面に、その基板の搬送方向の長さが基板におけるその搬送方向の長さよりも大きい吐出口からエッチング液を吐出することにより、基板の表面にエッチング液を供給する第1供給行程と、基板の表面へのエッチング液の供給を停止する第1停止行程と、基板の表面にエッチング液を吐出することにより、基板の表面にエッチング液を供給する第2供給行程と、基板の表面へのエッチング液の供給を停止する第2停止行程と、前記第1供給工程および前記第2供給工程において前記基板の表面にエッチング液を供給する間、前記基板を前記エッチング液の吐出口の下方の領域内で水平方向に往復移動させる往復移動工程とを備えたことを特徴とする。
【0012】
請求項5に記載の発明は、請求項4に記載の基板処理装置において、前記第1、第2停止行程は前記第1、第2供給行程の3乃至10倍の時間である。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図1はこの発明に係る基板処理装置を模式的に示す説明図であり、図2はその側面図である。
【0014】
この基板処理装置は、角形の液晶表示パネル用ガラス基板(以下単に「基板」という)1の表面にエッチング液を供給することにより、この基板1をエッチング処理するためのものである。より詳細には、この基板処理装置は、基板1に対してゲートラインやソース・ドレインを形成するためのエッチング処理を行うためのものであって、ガラス基板1の表面には配線パターンとなる金属薄膜が形成されており、且つ薄膜の上にはフォトレジストのパターンが形成されている。この金属薄膜が被エッチング部材である。
【0015】
この基板処理装置は、基板1を搬送する搬送機構2と、この搬送機構2により搬送される基板1の表面にエッチング液を吐出する一対のエッチング液吐出部3、4と、これらのエッチング液吐出部3、4へエッチング液を供給するためのエッチング液供給部5、6と、搬送機構2により搬送される基板1の表面に水洗水を吐出する水洗水吐出部7と、この水洗水吐出部7に水洗水を供給するための水洗水供給部8と、基板1の表面に残留する水洗水を除去するためのエアナイフ機構9と、エッチング液供給部5、6および水洗水供給部8を制御するための制御部10とを備える。
【0016】
搬送機構2は、基板1をその表面が傾斜した状態で支持し、この表面に沿って水平方向に搬送するためのものである。この搬送機構2は、図2に示すように、図示しないモータの駆動により回転する駆動軸21に一定ピッチで配設され、基板1をその裏面から支持する複数の支持ローラ22と、支軸23により回転自在に支持され、基板1をその下方の端面と当接することにより案内する案内ローラ24とを備える。基板1は、これらの支持ローラ22および案内ローラ24に支持、案内された状態で、図1に示す左方向から右方向に搬送される。なお、基板の傾斜角度は水平面に対し約5°〜15°程度である。
【0017】
エッチング液吐出部3は、搬送機構2により搬送される基板1の表面全域にエッチング液を吐出するためのものであり、基板1の搬送方向と直交する方向(図1に示す上下方向)に延びるスリット状のエッチング液吐出口(図示せず)を備える。
【0018】
一方、エッチング液吐出部4は、搬送機構2により搬送される基板1の表面の上端部付近にエッチング液を吐出することにより、基板1の表面にカーテン状にエッチング液を供給するためのものであり、基板1の搬送方向に延びるスリット状のエッチング液吐出口(図示せず)を備える。なお、このエッチング液吐出部4におけるエッチング液吐出口の基板1の搬送方向の長さは、基板1におけるその搬送方向の長さより大きくなっている。
【0019】
エッチング液供給部5、6は、エッチング液吐出部3、4にエッチング液を供給することにより、エッチング液吐出部3、4からエッチング液を吐出させるためのものである。これらのエッチング液供給部5、6は、定量のエッチング液を送液するためのポンプ等から構成される。これらのエッチング液供給部3、4によるエッチング液の送液動作は、制御部10により制御される。
【0020】
水洗水吐出部7は、搬送機構2により搬送される基板1の表面の上端部付近に水洗水を吐出することにより、基板1の表面にカーテン状に水洗水を供給するためのものであり、基板1の搬送方向に延びるスリット状の水洗水吐出口(図示せず)を備える。なお、この水洗水吐出部7における水洗水吐出口の基板1の搬送方向の長さも、基板1におけるその搬送方向の長さより大きくなっている。
【0021】
水洗水供給部8は、水洗水吐出部7に水洗水を供給することにより、水洗水吐出部7から水洗水を吐出させるためのものである。この水洗水供給部8は、定量の水洗水を送液するためのポンプ等から構成される。この水洗水供給部8による水洗水の送液動作は、制御部10により制御される。
【0022】
制御部10は、エッチング液供給部5、6および水洗水供給部8による送液動作を制御するためのものであり、制御に必要な動作プログラムが格納されたROM11と、制御時にデータ等が一時的にストアされるRAM12と、論理演算を実行するCPU13とを備える。この制御部10は、インターフェース14を介して、エッチング液供給部5、6および水洗水供給部8と接続されている。
【0023】
次に、上述した基板処理装置による基板1の処理動作について説明する。
【0024】
前段の処理工程から搬送機構2により搬送された基板は、最初に、エッチング液吐出部3の下方を通過することにより、その表面全域に短時間でエッチング液を供給された後、エッチング液吐出部4から吐出されるエッチング液によりエッチング処理される。
【0025】
図3は、この基板処理装置による基板1のエッチング処理動作を示すフローチャートである。
【0026】
基板1がエッチング液吐出部3を通過してエッチング液吐出部4の下方の位置に進入すると、先ず、カウンタに[n=1]がセットされる(ステップS2)。
【0027】
そして、エッチング液供給部6によりエッチング液吐出部4にエッチング液が供給され、エッチング液吐出部4から、搬送機構2により搬送される基板1の表面の上端部付近にエッチング液が吐出される(ステップS3)。このエッチング液は、基板1の表面にカーテン状に広がり、基板1の表面を流下する。このエッチング液の供給時間は、例えば、数秒乃至十秒程度の時間である。
【0028】
なお、このエッチング液の供給動作中においては、基板1は搬送機構によりエッチング液吐出部4の下方の領域内で水平方向に往復移動されている。この基板1の往復移動は、エッチング処理が終了するまで継続される。
【0029】
次に、エッチング液の供給が停止される(ステップS4)。この間においても、基板1は搬送機構によりエッチング液吐出部の下方の領域内で水平方向に往復移動されている。そして、このエッチング液の供給停止時間中においても、基板1は付着しているエッチング液によりエッチング処理される。
【0030】
このエッチング液の供給停止時間(ステップS4)は、エッチング液の供給時間(ステップS3)の3乃至10倍程度の時間とすることが好ましい。
【0031】
所望のエッチング液の供給停止時間が経過すれば、[n]を[n+1]とした上で(ステップS5)、[n=m]であるか否かが判断される(ステップS)ここで、[m]は、上述したエッチング液の供給と供給停止とを繰り返す回数であり、2以上の整数である。
【0032】
そして、[n=m]となっていない場合には、上記ステップS3およびステップS4が繰り返される。一方、[n=m]となった場合には、エッチング処理が完了したものと判断され、基板1は水洗処理のために搬出される(ステップS7)。
【0033】
ここで、供給停止時間中においては、基板1の表面にはエッチング液が付着してその薄膜が形成され、基板1の表面における配線パターンのための薄膜はこのエッチング液の薄膜によりエッチングされる。このとき、基板1に付着しているエッチング液の薄膜は、被エッチング部材に対してディップ方式に近いソフトな接液状態となり、基板面に対して横方向へのエッチング速度を制御するいわゆる異方性エッチングが可能で、被エッチング部材のエッチング面のテーパ形状を制御することができる。
【0034】
具体的には、エッチング液供給停止時間が供給時間と比べて比較的短い場合には、図4(a)に示すようにエッチング面が比較的立ち上がり、θ1 が大きな形状となり、供給停止時間が比較的長い場合には、図4(b)に示すように横方向へのエッチングが進み、θ2 が小さな形状に制御できる。ここでRはフォトレジスト、Mは被エッチング部材としての金属薄膜である。しかも、基板1に付着しているエッチング液の薄膜は、基板1がゆるやかに傾斜しているが故に、徐々に下流側に流れてゆくので、エッチング液が一カ所に滞留することがなく、面内全体に均一にエッチングが進行する。
【0035】
また、エッチング液の供給停止中においては、基板1はその表面に付着したエッチング液の薄膜によりエッチングされることから、エッチング液吐出部4から連続してエッチング液を吐出し続ける場合と比べて、エッチング液吐出部4の液吐出口近傍の部分だけがエッチングが速く進行してしまうという不都合は軽減されている。
【0036】
しかも、エッチング液の供給は傾斜状態の基板1に対して間欠的に行われるから、エッチング液供給によるエッチング作用は十分に行われると共に、疲労したエッチング液はすみやかに下流側に流されて新しいエッチング液と置換されることと相まって、間欠的な液供給であるといえども、エッチングの処理速度は十分に迅速である。しかも、エッチング液は基板1の傾斜にそって流れるから、面内全体に均一にエッチングが進行する。
【0037】
ここで、上述した実施形態における基板処理装置においては、基板1の表面にカーテン状にエッチング液を供給して流下させる方式であることから、従来のスプレー方式等とは異なり、複数のスプレーノズルの間の位置において基板1へのエッチング液の当たりムラが生じたりすることはない。そして、このように傾斜状態の基板1に対してエッチング液を間欠的に供給することで、配線パターンのテーパ形状の制御が容易であり、基板1に対してゲートラインやソース・ドレインを形成するためのエッチング処理を行う場合においても、ヒロックの発生等を有効に防止することが可能となる。
【0038】
エッチング処理が終了した基板1は、搬送機構2により水洗水吐出部7の下方位置まで搬送される。この状態で、水洗水供給部8により水洗水吐出部7に水洗水が供給され、水洗水吐出部7から、搬送機構2により搬送される基板1の表面の上端部付近に水洗水が吐出される。この水洗水は、基板1の表面にカーテン状に広がり、基板1の表面を流下する。
【0039】
この水洗水の供給動作中においては、基板1は搬送機構により水洗水吐出部7の下方の領域内で水平方向に往復移動されている。この基板1の往復移動は、水洗処理が終了するまで継続される。
【0040】
そして、水洗処理が終了した基板1は、搬送機構2により搬送され、エアナイフ機構9の下方を通過することによりその表面に付着した水洗水を除去された後、後段の処理工程に向けて搬送される。
【0041】
なお、上述した実施形態においては、エッチング液の供給停止時間(ステップS4)を、エッチング液の供給時間(ステップS3)の3乃至10倍程度の時間としている。これらのエッチング液の供給時間(以下、この時間をAとする)と停止時間(以下、この時間をBとする)とは、例えば、次のようにして求めることができる。
【0042】
すなわち、エッチング液により基板1を連続的にエッチングしてレジスト膜が解けきるまでの時間Tを求める。
【0043】
そして、この時間Tを上述したエッチング液の供給時間Aと停止時間Bとに振り分ける。より具体的には、最初はA=B=[T/2]として実験的にエッチングを行った後、エッチング後の基板1の表面のパターンのテーパ形状等を測定しながら順次Aの値を小さく(Bの値を大きく)していき、最適なエッチング結果が得られるAおよびBの値を決定するのである。
【0044】
なお、このエッチング液の供給時間Aは、アルミニュウムやクロムを使用してゲートラインやソース・ドレインを形成するためのエッチング処理を行う場合には、例えば数秒乃至十秒程度であり、また、停止時間Bは、エッチング液の供給時間Aの3乃至10倍程度の時間であることが実験的に確認されている。
【0045】
また、上記実施形態では、傾斜した基板1の上辺側からカーテン状にエッチング液を供給しており、これが望ましい実施形態であるが、このエッチング液吐出部4にかえて、またはこのエッチング液吐出部4と併用して、周知のスプレーノズルによるエッチング液供給を行ってもよい。また、これは水洗水吐出部7に関しても同様である。なお、水洗部7における基板1の往復移動は、短時間で十分に水洗できる場合には必ずしも必要ではない。
【0046】
【発明の効果】
請求項1乃至請求項5に記載の発明によれば、傾斜状態で搬送される基板の表面に対して、エッチング液を供給するためのエッチング液吐出部からエッチング液を吐出させる供給動作と、このエッチング液吐出部からのエッチング液の吐出を停止させる停止動作とを交互に実行することから、基板を均一に処理することができ、且つテーパ形状を制御できる。また、エッチング液の薄膜を利用して基板をエッチング処理することになるので、基板を迅速にエッチング処理することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明に係る基板処理装置を模式的に示す説明図である。
【図2】この発明に係る基板処理装置の側面図である。
【図3】基板処理装置による基板1のエッチング処理動作を示すフローチャートである。
【図4】基板処理装置による基板1のエッチングの状態を示す断面図である。
【符号の説明】
1 基板
2 搬送機構
4 エッチング液吐出部
6 エッチング液供給部
7 水洗水吐出部
8 水洗水供給部
9 エアナイフ機構
10 制御部
22 支持ローラ
24 案内ローラ
Claims (5)
- 基板の表面にエッチング液を供給することにより基板をエッチング処理する基板処理装置であって、
基板をその表面が傾斜した状態で支持し、前記表面に沿って水平方向に搬送する搬送機構と、
前記搬送機構により搬送される基板の表面にエッチング液を吐出することにより、基板の表面にエッチング液を供給するためのエッチング液吐出部と、
前記エッチング液吐出部からエッチング液を吐出させる供給動作と、前記エッチング液吐出部からのエッチング液の吐出を停止させる停止動作とを交互に実行するエッチング液供給機構と、
を備え、
前記エッチング液吐出部におけるエッチング液吐出口の基板の搬送方向の長さは、基板におけるその搬送方向の長さよりも大きくなっており、
前記搬送機構は、前記基板の表面へのエッチング液の供給動作中において、前記基板を前記エッチング液吐出部の下方の領域内で水平方向に往復移動させることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記エッチング液吐出部は、前記搬送機構により搬送される基板の表面の上端部付近にエッチング液を吐出することにより、基板の表面にカーテン状にエッチング液を供給する基板処理装置。 - 請求項1または請求項2いずれかに記載の基板処理装置において、
前記エッチング液供給機構は、前記停止動作を前記吐出動作の3乃至10倍の時間実行する基板処理装置。 - 基板の表面にエッチング液を供給することにより基板をエッチング処理する基板処理方法であって、
基板をその表面が傾斜した状態で支持し、前記表面に沿って水平方向に搬送する基板搬送行程と、
基板の表面に、その基板の搬送方向の長さが基板におけるその搬送方向の長さよりも大きい吐出口からエッチング液を吐出することにより、基板の表面にエッチング液を供給する第1供給行程と、
基板の表面へのエッチング液の供給を停止する第1停止行程と、
基板の表面にエッチング液を吐出することにより、基板の表面にエッチング液を供給する第2供給行程と、
基板の表面へのエッチング液の供給を停止する第2停止行程と、
前記第1供給工程および前記第2供給工程において前記基板の表面にエッチング液を供給する間、前記基板を前記エッチング液の吐出口の下方の領域内で水平方向に往復移動させる往復移動工程と、
を備えたことを特徴とする基板処理方法。 - 請求項4に記載の基板処理装置において、
前記第1、第2停止行程は前記第1、第2供給行程の3乃至10倍の時間である基板処理方法。
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