JPH0649956B2 - 基板の表面処理方法 - Google Patents
基板の表面処理方法Info
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- JPH0649956B2 JPH0649956B2 JP63157404A JP15740488A JPH0649956B2 JP H0649956 B2 JPH0649956 B2 JP H0649956B2 JP 63157404 A JP63157404 A JP 63157404A JP 15740488 A JP15740488 A JP 15740488A JP H0649956 B2 JPH0649956 B2 JP H0649956B2
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- substrate
- surface treatment
- liquid
- treatment liquid
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0085—Apparatus for treatments of printed circuits with liquids not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46; conveyors and holding means therefor
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体基板、液晶用ガラス基板、プリント
回路基板、リードフレーム等の薄板状基板（以下、「基
板」という）の現像処理、エッチング処理等の表面処理
方法に関する。
回路基板、リードフレーム等の薄板状基板（以下、「基
板」という）の現像処理、エッチング処理等の表面処理
方法に関する。
従来、シャワーノズルにより表面処理液を基板表面に散
布して表面処理する方法はよく知られている。
布して表面処理する方法はよく知られている。
この場合、処理液の飛沫が多く発生し、その飛沫が付着
した個所は他の個所よりも早く表面処理が進行し、表面
処理状態にムラが発生して品質不良を来たすことがあっ
た。
した個所は他の個所よりも早く表面処理が進行し、表面
処理状態にムラが発生して品質不良を来たすことがあっ
た。
そこで、例えば特公昭６２−３３７３６号公報（発明の
名称「半導体ウエーハの処理装置」）において、あらか
じめ処理液をウエハ表面に棒状にまとまって流下させ、
ウエハ表面を処理液で瞬時に覆うようにした棒状ノズル
と、この棒状ノズルの、ウエハ進行方向の前方位置に棒
状ノズルと所定の距離をあけて、処理液を扇状横広がり
のシャワー状に噴出するシャワーノズルとを備えた半導
体ウエハの処理装置が開示されている。
名称「半導体ウエーハの処理装置」）において、あらか
じめ処理液をウエハ表面に棒状にまとまって流下させ、
ウエハ表面を処理液で瞬時に覆うようにした棒状ノズル
と、この棒状ノズルの、ウエハ進行方向の前方位置に棒
状ノズルと所定の距離をあけて、処理液を扇状横広がり
のシャワー状に噴出するシャワーノズルとを備えた半導
体ウエハの処理装置が開示されている。
この装置は、第５図にその側面概要図を示すように、ウ
エハ１を水平搬送するベルトコンベア７の上方に、第１
ノズル４、第２ノズル５、およびその第２ノズル５と距
離Ｄだけ離された第３ノズル５′をそれぞれ吊設して構
成されている。この装置において、第１ノズル４は、棒
状に流下させるに十分な量の処理液３をウエハ１の表面
に供給し、第２ノズル５は、シャワー状に処理液６をウ
エハ１の表面に供給して、ウエハ表面に処理液の液層２
を全面に均一に形成するようにする。そして、距離Ｄの
間をウエハ１が水平搬送され、その搬送中にウエハ１の
表面の液層２内において次第にウエハ１の表面処理が進
行し、第３ノズル５′によりシャワー状に処理液６′を
供給して処理を完了する。
エハ１を水平搬送するベルトコンベア７の上方に、第１
ノズル４、第２ノズル５、およびその第２ノズル５と距
離Ｄだけ離された第３ノズル５′をそれぞれ吊設して構
成されている。この装置において、第１ノズル４は、棒
状に流下させるに十分な量の処理液３をウエハ１の表面
に供給し、第２ノズル５は、シャワー状に処理液６をウ
エハ１の表面に供給して、ウエハ表面に処理液の液層２
を全面に均一に形成するようにする。そして、距離Ｄの
間をウエハ１が水平搬送され、その搬送中にウエハ１の
表面の液層２内において次第にウエハ１の表面処理が進
行し、第３ノズル５′によりシャワー状に処理液６′を
供給して処理を完了する。
従来の、例えば特公昭６２−３３７３６号公報に記載の
ウエハ処理装置においては、ウエハ１の進行方向におけ
る距離Ｄ間に処理液供給ノズルがなく、ウエハ１表面の
液層２とウエハ１とが同時に水平搬送されるため、一種
の浸漬静止表面処理を行なっていることになり、表面処
理の進行速度が遅いという問題があった。
ウエハ処理装置においては、ウエハ１の進行方向におけ
る距離Ｄ間に処理液供給ノズルがなく、ウエハ１表面の
液層２とウエハ１とが同時に水平搬送されるため、一種
の浸漬静止表面処理を行なっていることになり、表面処
理の進行速度が遅いという問題があった。
この発明は、従来の表面処理方法における上記問題点を
解決するためにされたものであり、基板１枚当りの処理
液供給量を少なくすませるとともに表面処理を速やか
に、かつ、むらなく行なわせるようにすることを課題と
する。
解決するためにされたものであり、基板１枚当りの処理
液供給量を少なくすませるとともに表面処理を速やか
に、かつ、むらなく行なわせるようにすることを課題と
する。
この第１の発明は、上記課題を達成するための技術的手
段として、水平姿勢に保持されて水平方向へ搬送される
基板の表面に表面処理液をカーテン状に供給してその基
板の表面全体に表面処理液の液層を形成する第１の工程
と、その第１の工程に続いて、表面に表面処理液の液層
が形成された前記基板を水平方向に往復動させて、前記
液層を形成する表面処理液を撹拌する第２の工程とを経
ることにより、基板の表面処理を行なうようにしたこと
を要旨とする。
段として、水平姿勢に保持されて水平方向へ搬送される
基板の表面に表面処理液をカーテン状に供給してその基
板の表面全体に表面処理液の液層を形成する第１の工程
と、その第１の工程に続いて、表面に表面処理液の液層
が形成された前記基板を水平方向に往復動させて、前記
液層を形成する表面処理液を撹拌する第２の工程とを経
ることにより、基板の表面処理を行なうようにしたこと
を要旨とする。
また、第２の発明は、水平姿勢に保持されて水平方向へ
搬送される基板の表面に表面処理液をカーテン状に供給
してその基板の表面全体に表面処理液の液層を形成する
第１の工程と、表面に表面処理液の液層が形成された前
記基板を表面処理液内に浸漬させた状態で水平方向に往
復動させて、基板表面付近の表面処理液を撹拌する第２
の工程とを経ることにより、基板の表面処理を行なうよ
うにしたことを要旨とする。
搬送される基板の表面に表面処理液をカーテン状に供給
してその基板の表面全体に表面処理液の液層を形成する
第１の工程と、表面に表面処理液の液層が形成された前
記基板を表面処理液内に浸漬させた状態で水平方向に往
復動させて、基板表面付近の表面処理液を撹拌する第２
の工程とを経ることにより、基板の表面処理を行なうよ
うにしたことを要旨とする。
上記構成の表面処理方法によると、第１の発明では、第
１の工程において、水平姿勢に保持されて水平方向へ搬
送される基板の表面にカーテン状に表面処理液が供給さ
れる。従って、シャワーノズルからシャワー状に表面処
理液が基板の表面に供給される場合のように処理液の飛
沫が多く発生することはなく、カーテン状に基板表面に
供給された表面処理液が基板の表面全体に液層を形成す
る。この後、第１の発明では、基板表面に処理液層を形
成した状態で、その基板を水平方向に往復動させるた
め、基板表面は、水平移送過程で静止表面処理が行なわ
れ、基板の移送方向が逆になる際に、液層の慣性力によ
って表面処理液の撹拌作用が起こり、基板表面における
液の更新が行なわれて、表面処理が速やかかつ均一に進
行する。
１の工程において、水平姿勢に保持されて水平方向へ搬
送される基板の表面にカーテン状に表面処理液が供給さ
れる。従って、シャワーノズルからシャワー状に表面処
理液が基板の表面に供給される場合のように処理液の飛
沫が多く発生することはなく、カーテン状に基板表面に
供給された表面処理液が基板の表面全体に液層を形成す
る。この後、第１の発明では、基板表面に処理液層を形
成した状態で、その基板を水平方向に往復動させるた
め、基板表面は、水平移送過程で静止表面処理が行なわ
れ、基板の移送方向が逆になる際に、液層の慣性力によ
って表面処理液の撹拌作用が起こり、基板表面における
液の更新が行なわれて、表面処理が速やかかつ均一に進
行する。
また、第２の発明では、水平姿勢に保持されて水平方向
へ搬送される基板の表面に表面処理液をカーテン状に供
給する第１の工程によって、基板表面への表面処理液の
接触が、基板表面のどの位置でも処理液と接触する状況
にて開始することとなり、全面均一な表面処理に寄与す
る。これは、基板表面が表面処理液と接触する初期にお
いては、表面処理の進行が急激であって不安定な傾向が
あって、表面処理液のかすかなむらが表面処理の均一さ
を低下する大きな要因の一つであるが、かかる要因を解
消するからである。つづいて、この第１の工程の後、す
なわち、基板表面の表面処理液との接触が一旦完了した
後、第２の工程によって、表面処理を続行するのである
から、かかる第２の工程における浸漬状態での表面処理
は、表面処理液中で基板を水平方向に往復動させながら
行なうので、基板表面付近では表面処理液が撹拌され、
基板表面が常に新しい処理液と接触することとなり、均
一かつ速く表面処理が達成される。
へ搬送される基板の表面に表面処理液をカーテン状に供
給する第１の工程によって、基板表面への表面処理液の
接触が、基板表面のどの位置でも処理液と接触する状況
にて開始することとなり、全面均一な表面処理に寄与す
る。これは、基板表面が表面処理液と接触する初期にお
いては、表面処理の進行が急激であって不安定な傾向が
あって、表面処理液のかすかなむらが表面処理の均一さ
を低下する大きな要因の一つであるが、かかる要因を解
消するからである。つづいて、この第１の工程の後、す
なわち、基板表面の表面処理液との接触が一旦完了した
後、第２の工程によって、表面処理を続行するのである
から、かかる第２の工程における浸漬状態での表面処理
は、表面処理液中で基板を水平方向に往復動させながら
行なうので、基板表面付近では表面処理液が撹拌され、
基板表面が常に新しい処理液と接触することとなり、均
一かつ速く表面処理が達成される。
以下、この発明の好適な実施例を図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は、この発明に係る方法を実施するための基板の
表面処理装置の概略構成を示す側断面図である。
表面処理装置の概略構成を示す側断面図である。
第１図に示した装置において、基板Ｗを水平方向に搬送
する搬送ローラR1が複数個、回転自在に軸支され、列設
されており、その搬送ローラR1の上方に、水平搬送され
る基板Ｗの表面にカーテン状に処理液を供給し、液層10
を形成するための処理液供給手段12、および基板の有無
を検知する検知センサーS1がそれぞれ吊設されている。
する搬送ローラR1が複数個、回転自在に軸支され、列設
されており、その搬送ローラR1の上方に、水平搬送され
る基板Ｗの表面にカーテン状に処理液を供給し、液層10
を形成するための処理液供給手段12、および基板の有無
を検知する検知センサーS1がそれぞれ吊設されている。
処理液供給手段12には、ポンプＰを介装して表面処理液
受槽T1が流路接続しており、表面処理液受槽T1内の処理
液をポンプＰによって処理液供給手段12へ送液するよう
になっている。第２図に、処理液供給手段12の１例を示
す。この処理液供給手段12は、処理しようとする基板Ｗ
の幅に対応した長さのスリット状の吐出口14を下端面に
有し、内部に、その吐出口14に連通する液流路16が形設
され、その液流路16に連通路18を介して送液用配管20が
接続されて構成されている。
受槽T1が流路接続しており、表面処理液受槽T1内の処理
液をポンプＰによって処理液供給手段12へ送液するよう
になっている。第２図に、処理液供給手段12の１例を示
す。この処理液供給手段12は、処理しようとする基板Ｗ
の幅に対応した長さのスリット状の吐出口14を下端面に
有し、内部に、その吐出口14に連通する液流路16が形設
され、その液流路16に連通路18を介して送液用配管20が
接続されて構成されている。
複数個の搬送ローラR1に続いて、一定距離D1間に、正・
逆回転可能な移送ローラR2が列設されており、その最前
部および最後尾のそれぞれの上方に一対のセンサーS2、
S3が吊設されている。さらに、複数個の移送ローラR2に
続いて、搬送ローラR3が配設され、最後尾の移送ローラ
R2と搬送ローラR3との間にエアーナイフ22、22′が少な
くとも一対配設されている。そして、これら搬送ローラ
R1、移送ローラR2、エアーナイフ22、22′および搬送ロ
ーラR3が処理槽T2内に配置されており、その処理槽T
2は、ドレン管を介して表面処理液受槽T1に接続してい
て、受槽T1内の処理液は、処理液供給手段12および処理
槽T2を介して循環使用できるようになっている。
逆回転可能な移送ローラR2が列設されており、その最前
部および最後尾のそれぞれの上方に一対のセンサーS2、
S3が吊設されている。さらに、複数個の移送ローラR2に
続いて、搬送ローラR3が配設され、最後尾の移送ローラ
R2と搬送ローラR3との間にエアーナイフ22、22′が少な
くとも一対配設されている。そして、これら搬送ローラ
R1、移送ローラR2、エアーナイフ22、22′および搬送ロ
ーラR3が処理槽T2内に配置されており、その処理槽T
2は、ドレン管を介して表面処理液受槽T1に接続してい
て、受槽T1内の処理液は、処理液供給手段12および処理
槽T2を介して循環使用できるようになっている。
また、処理槽T2に続いて、洗浄槽T3が配設されており、
その洗浄槽T3の上方には洗浄液吐出ノズル24が配設され
ていて、処理槽T2での表面処理を終えた基板Ｗは、搬送
ローラR4に移載されて洗浄槽T3内を搬送される間に洗浄
される。尚、図示していないが、洗浄槽T3に続いて、乾
燥槽および基板収納手段が連設されている。
その洗浄槽T3の上方には洗浄液吐出ノズル24が配設され
ていて、処理槽T2での表面処理を終えた基板Ｗは、搬送
ローラR4に移載されて洗浄槽T3内を搬送される間に洗浄
される。尚、図示していないが、洗浄槽T3に続いて、乾
燥槽および基板収納手段が連設されている。
搬送ローラR1、R3、R4および移送ローラR2はいずれも基
板Ｗの両側端部にのみ当接し、基板Ｗ下面の有効部と当
接しない構造である方が基板Ｗ裏面有効部に塵埃を付着
させないので好ましい。
板Ｗの両側端部にのみ当接し、基板Ｗ下面の有効部と当
接しない構造である方が基板Ｗ裏面有効部に塵埃を付着
させないので好ましい。
上記構成の装置における動作は、次の通りである。
まず、図示していない基板供給手段（ローダー）により
基板Ｗが１枚ずつこの装置へ供給され、搬送ローラR1に
載置されて搬送される。そして、基板Ｗが検知センサー
S1の直下位置に水平搬送されてきた時に、検知センサー
S1からの出力信号によりポンプＰが作動して、表面処理
液受槽T1内の処理液が処理液供給手段12へ送られ、その
処理液供給手段12のスリット状吐出口14から処理液がカ
ーテン状に基板Ｗの表面へ供給される。この際、基板Ｗ
は搬送ローラR1により所要の高速度、例えば８ｍ／分の
速度で水平搬送され、表面処理液は基板Ｗの表面上に速
やかに液層10を形成する。そして、基板Ｗが処理液供給
手段12の下方を通過してから所定時間経過後、ポンプＰ
が停止する。また、基板Ｗからオーバーフローした処理
液は、処理槽T2のドレン管を通って受槽T1へ戻される。
基板Ｗが１枚ずつこの装置へ供給され、搬送ローラR1に
載置されて搬送される。そして、基板Ｗが検知センサー
S1の直下位置に水平搬送されてきた時に、検知センサー
S1からの出力信号によりポンプＰが作動して、表面処理
液受槽T1内の処理液が処理液供給手段12へ送られ、その
処理液供給手段12のスリット状吐出口14から処理液がカ
ーテン状に基板Ｗの表面へ供給される。この際、基板Ｗ
は搬送ローラR1により所要の高速度、例えば８ｍ／分の
速度で水平搬送され、表面処理液は基板Ｗの表面上に速
やかに液層10を形成する。そして、基板Ｗが処理液供給
手段12の下方を通過してから所定時間経過後、ポンプＰ
が停止する。また、基板Ｗからオーバーフローした処理
液は、処理槽T2のドレン管を通って受槽T1へ戻される。
次に、基板ＷがセンサーS2の直下位置を通過すると、基
板Ｗは移送ローラR2に移載され、搬送ローラR1に比べて
低速度、例えば３ｍ／分の速度で水平移送される。ここ
で、搬送ローラR1と移送ローラR2との各搬送速度が違っ
ているため、移送ローラR2のうちのセンサーS2に近い側
の複数個のローラを回転自在のフリーローラとして、基
板Ｗの搬送速度の変化に対し、基板Ｗとローラ間のスリ
ップを防ぐようにしている。尚、基板ＷがセンサーS2の
位置を通過した後、移送ローラR2の速度を高速から低速
に切り換えるようにしてもよい。
板Ｗは移送ローラR2に移載され、搬送ローラR1に比べて
低速度、例えば３ｍ／分の速度で水平移送される。ここ
で、搬送ローラR1と移送ローラR2との各搬送速度が違っ
ているため、移送ローラR2のうちのセンサーS2に近い側
の複数個のローラを回転自在のフリーローラとして、基
板Ｗの搬送速度の変化に対し、基板Ｗとローラ間のスリ
ップを防ぐようにしている。尚、基板ＷがセンサーS2の
位置を通過した後、移送ローラR2の速度を高速から低速
に切り換えるようにしてもよい。
そして、基板Ｗが距離D1だけ移送されてセンサーS3の直
下位置まで到達すると、そのセンサーS3からの出力信号
により移送ローラR2が逆回転され、基板Ｗは移送方向を
反転する。この時、基板Ｗに形成された液層10の慣性力
によって処理液の撹拌作用が起こり、基板Ｗの表面に接
触する処理液の更新が行なわれる。次いで、基板Ｗが距
離D1だけセンサーS2の方向へ移送され、センサーS2の直
下位置まで到達すると、そのセンサーS2からの出力信号
により移送ローラR2が元のように正回転され、基板Ｗは
再び移送方向を反転し、この時に、基板Ｗ上の液層10の
処理液は再び撹拌作用を受ける。このようにして、基板
Ｗが移送ローラR2によって所定距離D1間を往復移送され
る間に、基板Ｗは、水平移動中は表面処理液の液層10に
よって静止型浸漬処理を受け、方向転換する瞬間、液層
10の慣性力と基板Ｗの逆方向への動きとの相対的作用に
より液層10に撹拌作用が生じることにより、表面処理が
速やかに行なわれる。尚、この方法によると、基板表面
に形成された液層分のみで基板の表面処理が行なわれる
ことから、処理液量が必要最少限でよく、高価な表面処
理液を節約することができる。
下位置まで到達すると、そのセンサーS3からの出力信号
により移送ローラR2が逆回転され、基板Ｗは移送方向を
反転する。この時、基板Ｗに形成された液層10の慣性力
によって処理液の撹拌作用が起こり、基板Ｗの表面に接
触する処理液の更新が行なわれる。次いで、基板Ｗが距
離D1だけセンサーS2の方向へ移送され、センサーS2の直
下位置まで到達すると、そのセンサーS2からの出力信号
により移送ローラR2が元のように正回転され、基板Ｗは
再び移送方向を反転し、この時に、基板Ｗ上の液層10の
処理液は再び撹拌作用を受ける。このようにして、基板
Ｗが移送ローラR2によって所定距離D1間を往復移送され
る間に、基板Ｗは、水平移動中は表面処理液の液層10に
よって静止型浸漬処理を受け、方向転換する瞬間、液層
10の慣性力と基板Ｗの逆方向への動きとの相対的作用に
より液層10に撹拌作用が生じることにより、表面処理が
速やかに行なわれる。尚、この方法によると、基板表面
に形成された液層分のみで基板の表面処理が行なわれる
ことから、処理液量が必要最少限でよく、高価な表面処
理液を節約することができる。
基板Ｗが処理時間内、往復水平移動しながら表面処理さ
れて、基板Ｗの表面処理が終了すると、基板Ｗはセンサ
ーS3の下方を通過し、一対のエアーナイフ22、22′間を
通り、その間に液層10の処理液はエアーの力で吹き飛ば
され、基板Ｗの表面から液切りされる。
れて、基板Ｗの表面処理が終了すると、基板Ｗはセンサ
ーS3の下方を通過し、一対のエアーナイフ22、22′間を
通り、その間に液層10の処理液はエアーの力で吹き飛ば
され、基板Ｗの表面から液切りされる。
続いて、洗浄槽T3において、基板Ｗは、洗浄液吐出ノズ
ル24等により洗浄液を供給され、洗浄された後、図示し
ていない乾燥手段により乾燥され、基板収納器に収納さ
れる。
ル24等により洗浄液を供給され、洗浄された後、図示し
ていない乾燥手段により乾燥され、基板収納器に収納さ
れる。
次に、第２の発明に係る基板の表面処理方法について第
３図に示した装置にて説明する。
３図に示した装置にて説明する。
第３図に示した装置において、基板Ｗを水平搬送する搬
送ローラR5が回転自在に複数個軸支されている。搬送ロ
ーラR5の上方には、基板Ｗの有無を検知する検知センサ
ーS4、表面処理液流下手段32、およびこの表面処理液流
下手段32に処理液を供給する供給口N1がそれぞれ配設さ
れている。供給口N1へは、表面処理液受槽T4より、表面
処理液がポンプP1によって供給される。表面処理液流下
手段32の越流部は、水平搬送される基板Ｗの表面より所
定の高さＨに保持されている。また、表面処理液流下手
段32の、図示されていない越流部の幅は、ほぼ基板Ｗの
幅に相当するようにしている。そして、流下手段32より
流下した処理液の一部は、処理槽T5に入り、次に受槽T4
へ流下するようになっている。
送ローラR5が回転自在に複数個軸支されている。搬送ロ
ーラR5の上方には、基板Ｗの有無を検知する検知センサ
ーS4、表面処理液流下手段32、およびこの表面処理液流
下手段32に処理液を供給する供給口N1がそれぞれ配設さ
れている。供給口N1へは、表面処理液受槽T4より、表面
処理液がポンプP1によって供給される。表面処理液流下
手段32の越流部は、水平搬送される基板Ｗの表面より所
定の高さＨに保持されている。また、表面処理液流下手
段32の、図示されていない越流部の幅は、ほぼ基板Ｗの
幅に相当するようにしている。そして、流下手段32より
流下した処理液の一部は、処理槽T5に入り、次に受槽T4
へ流下するようになっている。
表面処理液流下手段32に隣接して、搬送ローラR5に挾持
ローラR6、R6′を回転自在に配設した浸漬槽T6を設けて
いる。この浸漬槽T6内には、ポンプP2により受槽T4から
処理液が供給され、挾持ローラR6、R6′の上面まで処理
液で充たし、基板Ｗをその処理液内に浸漬させながら水
平移送できるようにしている。尚、浸漬槽T6内の移送ロ
ーラR7は正・逆回転自在となっている。
ローラR6、R6′を回転自在に配設した浸漬槽T6を設けて
いる。この浸漬槽T6内には、ポンプP2により受槽T4から
処理液が供給され、挾持ローラR6、R6′の上面まで処理
液で充たし、基板Ｗをその処理液内に浸漬させながら水
平移送できるようにしている。尚、浸漬槽T6内の移送ロ
ーラR7は正・逆回転自在となっている。
浸漬槽T6は、その周囲を処理槽T5で囲まれており、挾持
ローラR6の上部を、あるいは浸漬槽T6の側壁を越流した
処理液が処理槽T5へ流下し、再び受槽T4へ戻るようにな
っている。また、浸漬槽T6内には一対のセンサーS5、S6
が所定距離D2だけ離して配設されており、それぞれ基板
Ｗの存在を検知している。そして、浸漬槽T6上方には、
スプレーノズルN2を複数個吊設し、そのスプレーノズル
N2へポンプP2より処理液が送られるようになっている。
ローラR6の上部を、あるいは浸漬槽T6の側壁を越流した
処理液が処理槽T5へ流下し、再び受槽T4へ戻るようにな
っている。また、浸漬槽T6内には一対のセンサーS5、S6
が所定距離D2だけ離して配設されており、それぞれ基板
Ｗの存在を検知している。そして、浸漬槽T6上方には、
スプレーノズルN2を複数個吊設し、そのスプレーノズル
N2へポンプP2より処理液が送られるようになっている。
尚、第３図に示した装置において、挾持ローラR6、R6′
を搬送ローラR5、R5より基板Ｗの厚さ以上にスキマを形
成した状態に設置して処理液がそのスキマより流出する
ようにし、かつ、挾持ローラR6、R6′間まで処理液面が
達する高さまでポンプP2による処理液循環量を調整し、
基板Ｗ表面有効部がローラR6、R6′と当接しないように
してもよい。また挾持ローラR6、R6′の代わりに、シャ
ッター機構を浸漬槽T6の入口および出口に設けるように
してもよい。また、スプレーノズルN2を浸漬槽T6の液面
上方に配設しているが、基板Ｗの表面と処理液面との高
さｈを高くし、その間の処理液内にノズルを配設するこ
ともできる。
を搬送ローラR5、R5より基板Ｗの厚さ以上にスキマを形
成した状態に設置して処理液がそのスキマより流出する
ようにし、かつ、挾持ローラR6、R6′間まで処理液面が
達する高さまでポンプP2による処理液循環量を調整し、
基板Ｗ表面有効部がローラR6、R6′と当接しないように
してもよい。また挾持ローラR6、R6′の代わりに、シャ
ッター機構を浸漬槽T6の入口および出口に設けるように
してもよい。また、スプレーノズルN2を浸漬槽T6の液面
上方に配設しているが、基板Ｗの表面と処理液面との高
さｈを高くし、その間の処理液内にノズルを配設するこ
ともできる。
次に、上記装置の動作について説明する。
図示されていないローダーより基板Ｗが１枚ずつ水平搬
送されてくる。そして、検知センサーS4が、搬送ローラ
R6により水平搬送されてきた基板Ｗを検知した時、ポン
プP1を一定時間作動させ、供給口N1から処理液を表面処
理液流下手段32に供給し、あらかじめ設定した高さＨよ
り処理液を基板Ｗの表面に、その自重により層流状に流
下させる。この表面処理液流下手段32の下方を搬送ロー
ラR5によって水平搬送される基板Ｗの速度は、例えば８
ｍ／分に設定される。
送されてくる。そして、検知センサーS4が、搬送ローラ
R6により水平搬送されてきた基板Ｗを検知した時、ポン
プP1を一定時間作動させ、供給口N1から処理液を表面処
理液流下手段32に供給し、あらかじめ設定した高さＨよ
り処理液を基板Ｗの表面に、その自重により層流状に流
下させる。この表面処理液流下手段32の下方を搬送ロー
ラR5によって水平搬送される基板Ｗの速度は、例えば８
ｍ／分に設定される。
基板Ｗは、その表面に液層30を形成した状態で、あるい
は、その表面の液層30が流れ去った状態で、浸漬槽T6に
搬送ローラR5によって移送され、あらかじめポンプP2を
運転して処理液を充満させておいた浸漬槽T6内に、搬送
ローラR5と挾持ローラR6との間を通って挿入される。
は、その表面の液層30が流れ去った状態で、浸漬槽T6に
搬送ローラR5によって移送され、あらかじめポンプP2を
運転して処理液を充満させておいた浸漬槽T6内に、搬送
ローラR5と挾持ローラR6との間を通って挿入される。
浸漬槽T6内では、基板ＷがセンサーS5とセンサーS6との
間の所定距離D2間を往復移動するように、浸漬槽T6内の
移送ローラR7が正・逆回転駆動される。その間、上方の
ノズルN2より処理液が噴射され、基板Ｗ上の深さｈの液
層部分を撹拌する。基板Ｗは、往復水平移送されながら
表面処理され、その表面処理の終了を光センサーS7、
S7′によって検知され、それに伴ってドレンバルブＡV1
を開き、自動弁ＡV2を閉じて、浸漬槽T6内の処理液を排
出させて浸漬処理を終了し、引き続いてスプレー処理の
み一定時間行なってから、表面処理を完了する。処理槽
T5内の移送ローラR7による基板Ｗの移送速度は、例えば
３ｍ／分より相当速くするようにしている。
間の所定距離D2間を往復移動するように、浸漬槽T6内の
移送ローラR7が正・逆回転駆動される。その間、上方の
ノズルN2より処理液が噴射され、基板Ｗ上の深さｈの液
層部分を撹拌する。基板Ｗは、往復水平移送されながら
表面処理され、その表面処理の終了を光センサーS7、
S7′によって検知され、それに伴ってドレンバルブＡV1
を開き、自動弁ＡV2を閉じて、浸漬槽T6内の処理液を排
出させて浸漬処理を終了し、引き続いてスプレー処理の
み一定時間行なってから、表面処理を完了する。処理槽
T5内の移送ローラR7による基板Ｗの移送速度は、例えば
３ｍ／分より相当速くするようにしている。
続いて、基板Ｗは、図示していない洗浄、乾燥装置へ水
平移送される。
平移送される。
尚、上記装置において、ポンプP1を省略し、自動弁ＡV2
とは別の自動弁をポンプP2と供給口N1との間に設けるよ
うにしてもよい。また、表面処理液流下手段32の代わり
に、第４図に示すように、第１図に示した装置と同様
に、処理液をカーテン状に基板Ｗの表面へ供給するノズ
ル34を吊設するようにしてもよい。さらにまた、第１図
及び第３図に示した装置において、基板を搬送するロー
ラは、基板裏面と接触してもよい場合搬送ベルトであっ
てもよい。
とは別の自動弁をポンプP2と供給口N1との間に設けるよ
うにしてもよい。また、表面処理液流下手段32の代わり
に、第４図に示すように、第１図に示した装置と同様
に、処理液をカーテン状に基板Ｗの表面へ供給するノズ
ル34を吊設するようにしてもよい。さらにまた、第１図
及び第３図に示した装置において、基板を搬送するロー
ラは、基板裏面と接触してもよい場合搬送ベルトであっ
てもよい。
この発明は以上説明したように構成されかつ作用するの
で、この発明に係る方法により、半導体基板、液晶用ガ
ラス基板、プリント回路基板等の各種薄板状基板に現像
処理、エッチング処理等の表面処理を施すときは、第１
の発明では、第１の工程にて基板の表面に表面処理液を
カーテン状に供給することから、表面処理液をシャワー
状に供給する場合のように処理液の飛沫が多く発生して
その飛沫が基板表面に局所的に付着するといったことが
ないため、基板表面の表面処理液との接触の開始時点に
おいて表面処理液の局所的付着による処理ムラの発生が
なくなり、均一な表面処理を行なうことができ、品質の
安定を確保することができる。特に大型基板の表面処理
に効果が大きい。また、第２の工程にて基板を往復移動
させることから、基板表面に形成された表面処理液の液
層内において、基板が移動する向きが変わる時点での液
層の慣性力により処理液は静止せずに撹拌作用を受け
て、基板表面に接する処理液の更新が行なわれ、表面処
理が速やかに進行するため、基板の表面処理の生産性が
向上する。
で、この発明に係る方法により、半導体基板、液晶用ガ
ラス基板、プリント回路基板等の各種薄板状基板に現像
処理、エッチング処理等の表面処理を施すときは、第１
の発明では、第１の工程にて基板の表面に表面処理液を
カーテン状に供給することから、表面処理液をシャワー
状に供給する場合のように処理液の飛沫が多く発生して
その飛沫が基板表面に局所的に付着するといったことが
ないため、基板表面の表面処理液との接触の開始時点に
おいて表面処理液の局所的付着による処理ムラの発生が
なくなり、均一な表面処理を行なうことができ、品質の
安定を確保することができる。特に大型基板の表面処理
に効果が大きい。また、第２の工程にて基板を往復移動
させることから、基板表面に形成された表面処理液の液
層内において、基板が移動する向きが変わる時点での液
層の慣性力により処理液は静止せずに撹拌作用を受け
て、基板表面に接する処理液の更新が行なわれ、表面処
理が速やかに進行するため、基板の表面処理の生産性が
向上する。
また、第２の発明では、上記第１の発明と同様に、第１
の工程にて基板の表面に表面処理液をカーテン状に供給
することから、基板表面の表面処理液と接触の開始時点
において表面処理液の局所的付着による処理ムラの発生
がなくなり、均一な表面処理を行なうことができ、品質
の安定を確保することができる。特に大型基板の表面処
理に効果が大きい。また、第２の工程にて基板を往復移
動させることから、基板を浸漬している表面処理液内に
おいて、処理液中を基板が往復移動することに伴って基
板表面付近の処理液は静止せずに撹拌作用を受けて、基
板表面が常に新鮮な処理液と接触することになり、表面
処理が速やかに進行するため、基板の表面処理の生産性
が向上する。
の工程にて基板の表面に表面処理液をカーテン状に供給
することから、基板表面の表面処理液と接触の開始時点
において表面処理液の局所的付着による処理ムラの発生
がなくなり、均一な表面処理を行なうことができ、品質
の安定を確保することができる。特に大型基板の表面処
理に効果が大きい。また、第２の工程にて基板を往復移
動させることから、基板を浸漬している表面処理液内に
おいて、処理液中を基板が往復移動することに伴って基
板表面付近の処理液は静止せずに撹拌作用を受けて、基
板表面が常に新鮮な処理液と接触することになり、表面
処理が速やかに進行するため、基板の表面処理の生産性
が向上する。
第１図は、この発明に係る基板の表面処理方法を実施す
るための装置の１例の概略構成を示す側断面図、第２図
は、上記装置に使用される処理液供給手段の１例を示す
一部破断斜視図、第３図は、この発明に係る表面処理方
法を実施する装置の別の例を示す側断面概要図、第４図
は、第３図に示した装置に使用される表面処理液供給手
段の別の例を示す要部概要図、第５図は、従来の基板の
表面処理装置の１例を示す側面概要図である。 Ｗ…基板、10、30…液層、 12、34…処理液供給手段、 32…表面処理液流下手段、 R1、R5…搬送ローラ、R2、R7…移送ローラ、 T1、T4…表面処理液受槽、 T6…浸漬槽、 Ｐ、P1、P2…ポンプ、N1…処理液供給口。
るための装置の１例の概略構成を示す側断面図、第２図
は、上記装置に使用される処理液供給手段の１例を示す
一部破断斜視図、第３図は、この発明に係る表面処理方
法を実施する装置の別の例を示す側断面概要図、第４図
は、第３図に示した装置に使用される表面処理液供給手
段の別の例を示す要部概要図、第５図は、従来の基板の
表面処理装置の１例を示す側面概要図である。 Ｗ…基板、10、30…液層、 12、34…処理液供給手段、 32…表面処理液流下手段、 R1、R5…搬送ローラ、R2、R7…移送ローラ、 T1、T4…表面処理液受槽、 T6…浸漬槽、 Ｐ、P1、P2…ポンプ、N1…処理液供給口。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｒ 9278−4Ｍ Ｈ０５Ｋ 3/06 Ａ 6921−4Ｅ (72)発明者 島治 克己 滋賀県彦根市高宮町480番地の１ 大日本 スクリーン製造株式会社彦根地区事業所内 (56)参考文献 実開 平１−147257（ＪＰ，Ｕ) 特公 昭62−33736（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (2)
- 【請求項１】水平姿勢に保持されて水平方向へ搬送され
る基板の表面に表面処理液をカーテン状に供給してその
基板の表面全体に表面処理液の液層を形成する第１の工
程と、 表面に表面処理液の液層が形成された前記基板を水平方
向に往復動させて、前記液層を形成する表面処理液を撹
拌する第２の工程と、 からなる基板の表面処理方法。 - 【請求項２】水平姿勢に保持されて水平方向へ搬送され
る基板の表面に表面処理液をカーテン状に供給してその
基板の表面全体に表面処理液の液層を形成する第１の工
程と、 表面に表面処理液の液層が形成された前記基板を表面処
理液内に浸漬させた状態で水平方向に往復動させて、基
板表面付近の表面処理液を撹拌する第２の工程と、 からなる基板の表面処理方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63157404A JPH0649956B2 (ja) | 1987-10-31 | 1988-06-25 | 基板の表面処理方法 |
| KR1019890008512A KR920009981B1 (ko) | 1988-06-25 | 1989-06-20 | 기판의 표면처리방법 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27646287 | 1987-10-31 | ||
| JP62-276462 | 1987-10-31 | ||
| JP63157404A JPH0649956B2 (ja) | 1987-10-31 | 1988-06-25 | 基板の表面処理方法 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34771793A Division JPH073474A (ja) | 1987-10-31 | 1993-12-24 | 基板の表面処理方法及び装置 |
| JP7183596A Division JP2824031B2 (ja) | 1987-10-31 | 1995-06-26 | 基板の表面処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH024986A JPH024986A (ja) | 1990-01-09 |
| JPH0649956B2 true JPH0649956B2 (ja) | 1994-06-29 |
Family
ID=26484872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63157404A Expired - Lifetime JPH0649956B2 (ja) | 1987-10-31 | 1988-06-25 | 基板の表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0649956B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2824031B2 (ja) * | 1987-10-31 | 1998-11-11 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板の表面処理装置 |
| JPH05267275A (ja) * | 1992-03-17 | 1993-10-15 | Chuo Riken:Kk | ウェット処理装置 |
| JP4030604B2 (ja) * | 1995-11-30 | 2008-01-09 | 凸版印刷株式会社 | シャドウマスクの製造方法 |
| JP4652250B2 (ja) * | 2006-02-24 | 2011-03-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理装置、現像処理方法、コンピュータ読取可能な記憶媒体 |
| JP5202400B2 (ja) * | 2009-03-16 | 2013-06-05 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5422777A (en) * | 1977-07-22 | 1979-02-20 | Hitachi Ltd | Invertible processing device |
| JPS5846170B2 (ja) * | 1979-09-20 | 1983-10-14 | 株式会社東芝 | 半導体ウェファ−の搬送方法および搬送装置 |
| JPS5655047A (en) * | 1979-10-11 | 1981-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Developing method and device therefor |
| JPS57192955A (en) * | 1981-05-25 | 1982-11-27 | Toppan Printing Co Ltd | Developing method |
-
1988
- 1988-06-25 JP JP63157404A patent/JPH0649956B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH024986A (ja) | 1990-01-09 |
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Legal Events
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