JP2824031B2 - 基板の表面処理装置 - Google Patents

基板の表面処理装置

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JP2824031B2
JP2824031B2 JP7183596A JP18359695A JP2824031B2 JP 2824031 B2 JP2824031 B2 JP 2824031B2 JP 7183596 A JP7183596 A JP 7183596A JP 18359695 A JP18359695 A JP 18359695A JP 2824031 B2 JP2824031 B2 JP 2824031B2
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    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0085Apparatus for treatments of printed circuits with liquids not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46; conveyors and holding means therefor

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  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体基板、液晶用
ガラス基板、プリント回路基板、リードフレーム等の薄
板状基板(以下、「基板」という)に対し現像処理、エ
ッチング処理等の各種の表面処理を施すのに使用される
基板の表面処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、シャワーノズルにより表面処理液
を基板の表面に散布して、基板を表面処理する方法は良
く知られている。この方法では、処理液の飛沫が多く発
生し、その飛沫が付着した個所は他の個所よりも早く表
面処理が進行し、表面処理状態にむらが発生して品質不
良を来たすことがあった。
【0003】そこで、例えば特公昭62−33736号
公報(発明の名称「半導体ウエーハの処理装置」)に
は、予め処理液をウエハ表面に棒状にまとまって流下さ
せ、ウエハ表面を処理液で瞬時に覆うようにした棒状ノ
ズルと、この棒状ノズルの、ウエハ進行方向の前方位置
に棒状ノズルと所定の距離をあけて、処理液を扇状横広
がりのシャワー状に噴出するシャワーノズルとを備えた
半導体ウエハの処理装置が開示されている。
【0004】この装置は、図5に側面概要図を示すよう
に、ウエハ1を水平搬送するベルトコンベア7の上方
に、第1ノズル4、第2ノズル5、及び第2ノズル5と
距離Dだけ離された第3ノズル5’をそれぞれ吊設して
構成されている。この装置において、第1ノズル4は、
棒状に流下させるに十分な量の処理液3をウエハ1の表
面に供給し、第2ノズル5は、シャワー状に処理液6を
ウエハ1の表面に供給して、ウエハ表面に処理液の液層
2を全面に均一に形成するようにする。そして、距離D
の間をウエハ1が水平搬送され、その搬送中に、ウエハ
1の表面の液層2内において次第にウエハ1の表面処理
が進行し、第3ノズル5’によりシャワー状に処理液
6’を供給して処理を完了する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来の、例えば特公昭
62−33736号公報に記載のウエハ処理装置におい
ては、ウエハ1の進行方向における距離D間に処理液供
給ノズルが無く、ウエハ1表面の液層2とウエハ1とが
同時に水平搬送されるため、一種の浸漬静止表面処理を
行なっていることになり、表面処理の進行速度が遅い、
という問題があった。
【0006】この発明は、従来の表面処理装置における
上記問題点を解決するためになされたものであり、基板
の表面処理を速やかに、かつ、むらなく行なわせること
ができる基板の表面処理装置を提供することを目的とす
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】請求項1に係る発明は、
基板を水平姿勢に保持して水平方向へ搬送する基板搬送
手段と、この基板搬送手段の上方に配設され、基板搬送
手段によって搬送される基板の表面に表面処理液を供給
してその基板の表面全体に表面処理液の液層を形成する
処理液供給手段と、前記基板搬送手段に連続して配設さ
れ、基板搬送手段から移載された基板を水平姿勢に保持
して水平方向へ直線的に往復移動させる基板移送手段
と、前記基板搬送手段から前記基板移送手段へ移載され
た基板が所定距離だけ離間した2つの位置間を処理時間
内繰り返し往復移動しながら基板移送手段に保持される
ように、前記2つの位置のそれぞれに基板が到達した時
点で基板移送手段の基板移送方向を反転させる方向切換
え手段と、前記基板移送手段の下方に配設された処理槽
とを有して基板の表面処理装置を構成した。
【0008】請求項2に記載された発明では、請求項1
に記載の基板の表面処理装置において、上記方向切換え
手段を、所定の距離だけ離間した2つの位置のそれぞれ
に配設されて基板の有無を検知する一対の検知センサを
含むように構成したことを特徴とする。
【0009】請求項3に記載された発明では、請求項1
又は請求項2記載の基板の表面処理装置において、上記
処理液供給手段を、処理しようとする基板の幅に対応し
た長さのスリット状の吐出口を下端面に有し内部に前記
吐出口に連通する液流路が形設された構成としたことを
特徴とする。
【0010】請求項4に係る発明は、基板を水平姿勢に
保持して水平方向へ搬送する基板搬送手段と、この基板
搬送手段の上方に配設され、基板搬送手段によって搬送
される基板の表面に表面処理液を供給してその基板の表
面全体に表面処理液の液層を形成する処理液供給手段
と、前記基板搬送手段に連続して配設され、基板搬送手
段から移載された基板を水平姿勢に保持して水平方向へ
直線的に往復移動させる基板移送手段と、前記基板搬送
手段から前記基板移送手段へ移載された基板が所定距離
だけ離間した2つの位置間を処理時間内繰り返し往復移
動しながら基板移送手段に保持されるように、前記2つ
の位置のそれぞれに基板が到達した時点で基板移送手段
の基板移送方向を反転させる方向切換え手段と、前記基
板移送手段に保持されて水平方向へ往復移動させられる
基板を表面処理液中に浸漬させるための浸漬槽と、この
浸漬槽に表面処理液を供給する第2の処理液供給手段と
を有して基板の表面処理装置を構成した。
【0011】
【作用】請求項1に係る発明の基板の表面処理装置で
は、基板搬送手段により水平姿勢に保持されて水平方向
へ搬送される基板の表面に、処理液供給手段によって表
面処理液が供給され、基板表面に供給された表面処理液
は、基板の表面全体に液層を形成する。この後、基板搬
送手段から基板移送手段へ基板が移載され、基板移送手
段へ移載された基板は、処理時間内基板移送手段に水平
姿勢に保持された状態で、方向切換え手段により、所定
距離だけ離間した2つの位置のそれぞれに到達した時点
で移送方向を反転させながら、その2つの位置間を繰り
返し水平方向へ直線的に往復移動する。この基板の往復
移動の間に基板上から流下した表面処理液は、処理槽内
に回収される。そして、表面に処理液層を形成した状態
の基板が水平方向に往復移動することにより、基板の表
面は、水平移送過程で静止表面処理が行なわれ、基板の
移送方向が逆になる際に、液層の慣性力によって表面処
理液の撹拌作用が起こり、基板表面における液の更新が
行なわれて、表面処理が速やかかつ均一に進行する。
【0012】請求項2に記載された発明の表面処理装置
では、基板は、所定距離だけ離間した2つの位置のそれ
ぞれに到達する毎に、その各位置に設置された検知セン
サにより検知され、その検知信号に基づいて基板移送手
段が制御されて、基板移送方向が反転させられる。
【0013】請求項3に記載された発明の表面処理装置
では、処理液供給手段に供給された表面処理液は、処理
液供給手段の内部に形設された液流路を通って、下端面
のスリット状の吐出口から流出し、基板の表面にその幅
方向全体にわたってカーテン状に供給される。このた
め、シャワーノズルからシャワー状に表面処理液が基板
の表面に供給される場合のように、処理液供給時に処理
液の飛沫が多く発生することはない。
【0014】請求項4に係る発明の基板の表面処理装置
では、基板搬送手段により水平姿勢に保持されて水平方
向へ搬送される基板の表面に、処理液供給手段によって
表面処理液が供給され、基板表面に供給された表面処理
液は、基板の表面全体に液層を形成する。この後、基板
搬送手段から基板移送手段へ基板が移載される。浸漬槽
には、第2の処理液供給手段によって表面処理液が供給
されており、基板移送手段に保持された基板は、浸漬槽
内の表面処理液中に浸漬させられた状態で水平方向へ
線的に往復移動させられるので、基板の表面付近におい
て表面処理液が撹拌され、基板表面が常に新しい処理液
と接触することとなり、均一かつ速やかに基板の表面処
理が行なわれる。
【0015】
【実施例】以下、この発明の好適な実施例について図面
を参照しながら説明する。
【0016】図1は、この発明の1実施例に係る基板の
表面処理装置の概略構成を示す側断面図である。図1に
示した装置において、基板Wを水平方向に搬送する搬送
ローラR1が複数個、回転自在に軸支され、列設されて
おり、その搬送ローラR1の上方に、水平搬送される基
板Wの表面にカーテン状に処理液を供給し、液層10を
形成するための処理液供給手段12、及び、基板Wの有
無を検知する検知センサS1がそれぞれ吊設されてい
る。
【0017】処理液供給手段12には、ポンプPを介挿
して表面処理液受槽T1が流路接続しており、表面処理
液受槽T1内の処理液をポンプPによって処理液供給手
段12へ送液するようになっている。図2に、処理液供
給手段12の1例を示す。この処理液供給手段12は、
処理しようとする基板Wの幅に対応した長さのスリット
状の吐出口14を下端面に有し、内部に、その吐出口1
4に連通する液流路16が形設され、その液流路16に
連通路18を介して送液用配管20が接続されて構成さ
れている。
【0018】複数個の搬送ローラR1に続いて、一定距
離D1間に、正・逆回転可能な移送ローラR2が列設され
ており、その最前部及び最後尾のそれぞれの上方に一対
の検知センサS2、S3が吊設されている。さらに、複数
個の移送ローラR2に続いて、搬送ローラR3が配設さ
れ、最後尾の移送ローラR2と搬送ローラR3との間にエ
アーナイフ22、22’が少なくとも一対配設されてい
る。そして、これら搬送ローラR1、移送ローラR2、エ
アーナイフ22、22’及び搬送ローラR3が処理槽T2
内に配置されており、その処理槽T2内は、ドレン管を
介して表面処理液受槽T1に接続していて、受槽T1内の
処理液は、処理液供給手段12及び処理槽T2を介して
循環使用できるようになっている。
【0019】また、処理槽T2に続いて、洗浄槽T3が配
設されており、その洗浄槽T3の上方には洗浄液吐出ノ
ズル24が配設されていて、処理槽T2での表面処理を
終えた基板Wは、搬送ローラR4に移載されて洗浄槽T3
内を搬送される間に洗浄される。尚、図示してしない
が、洗浄槽T3に続いて、乾燥槽及び基板収納手段が連
設されている。
【0020】搬送ローラR1、R3、R4及び移送ローラ
2は、いずれも基板Wの両側端部にのみ当接し、基板
W下面の有効部と当接しない構造である方が、基板W裏
面の有効部に塵埃を付着させないので好ましい。
【0021】上記構成の装置における動作は、次の通り
である。
【0022】まず、図示していない基板供給手段(ロー
ダー)により基板Wが1枚ずつこの装置へ供給され、搬
送ローラR1に載置されて搬送される。そして、基板W
が検知センサS1の直下位置に水平搬送されてきた時
に、検知センサS1からの出力信号によりポンプPが作
動して、表面処理液受槽T1内の処理液が処理液供給手
段12へ送られ、その処理液供給手段12のスリット状
吐出口14から処理液がカーテン状に基板Wの表面へ供
給される。この際、基板Wは搬送ローラR1により所要
の高速度、例えば8m/分の速度で水平搬送され、表面
処理液は基板Wの表面上に速やかに液層10を形成す
る。そして、基板Wが処理液供給手段12の下方を通過
してから所定時間経過後、ポンプPが停止する。また、
基板Wからオーバーフローした処理液は、処理槽T2
ドレン管を通って受槽T1へ戻される。
【0023】次に、基板Wが検知センサS2の直下位置
を通過すると、基板Wは移送ローラR2に移載され、搬
送ローラR1に比べて低速度、例えば3m/分の速度で
水平移送される。ここで、搬送ローラR1と移送ローラ
2との各搬送速度が違っているため、移送ローラR2
うちの検知センサS2に近い側の複数個のローラを回転
自在のフリーローラとして、基板Wの搬送速度の変化に
対し、基板Wとローラ間のスリップを防ぐようにしてい
る。尚、基板Wが検知センサS2の位置を通過した後、
移送ローラR2の速度を高速から低速に切り換えるよう
にしてもよい。
【0024】そして、基板Wが距離D1だけ移送されて
検知センサS3の直下位置まで到達すると、その検知セ
ンサS3からの出力信号により移送ローラR2が逆回転さ
れ、基板Wは移送方向を反転する。この時、基板Wに形
成された液層10の慣性力によって処理液の撹拌作用が
起こり、基板Wの表面に接触する処理液の更新が行なわ
れる。次いで、基板Wが距離D1だけ検知センサS2の方
向へ移送され、検知センサS2の直下位置まで到達する
と、その検知センサS2からの出力信号により移送ロー
ラR2が元のように正回転され、基板Wは再び移送方向
を反転し、この時に、基板W上の液層10の処理液は再
び撹拌作用を受ける。このようにして、基板Wが移送ロ
ーラR2によって所定距離D1間を往復移送される間に、
基板Wは、水平移動中は表面処理液の液層10によって
静止型浸漬処理を受け、方向転換する瞬間、液層10の
慣性力と基板Wの逆方向への動きとの相対的作用により
液層10に撹拌作用が生じることにより、表面処理が速
やかに行なわれる。尚、この方法によると、基板表面に
形成された液層分のみで基板の表面処理が行なわれるこ
とから、処理液量が必要最少限でよく、高価な表面処理
液を節約することができる。
【0025】基板Wが処理時間内、往復水平移動しなが
ら表面処理されて、基板Wの表面処理が終了すると、基
板Wは検知センサS3の下方を通過し、一対のエアーナ
イフ22、22’間を通り、その間に液層10の処理液
はエアーの力で吹き飛ばされ、基板Wの表面から液切り
される。
【0026】続いて、洗浄槽T3において、基板Wは、
洗浄液吐出ノズル24等により洗浄液を供給され、洗浄
された後、図示していない乾燥手段により乾燥され、基
板収納器に収納される。
【0027】次に、この発明の別の実施例を、図3に示
した装置により説明する。
【0028】図3に示した装置において、基板Wを水平
搬送する搬送ローラR5が回転自在に複数個軸支されて
いる。搬送ローラR5の上方には、基板Wの有無を検知
する検知センサS4、表面処理液流下手段32、及び、
この表面処理液流下手段32に処理液を供給する供給口
1がそれぞれ配設されている。供給口N1へは、表面処
理液受槽T4より、表面処理液がポンプP1によって供給
される。表面処理液流下手段32の越流部は、水平搬送
される基板Wの表面より所定の高さHに保持されてい
る。また、表面処理液流下手段32の、図示されていな
い越流部の幅は、ほぼ基板Wの幅に相当するようにして
いる。そして、表面処理液流下手段32により流下した
処理液の一部は、処理槽T5に入り、次に受槽T4へ流下
するようになっている。
【0029】表面処理液流下手段32に隣接して、搬送
ローラR5に挾持ローラR6、R6’を回転自在に配設し
た浸漬槽T6を設けている。この浸漬槽T6内には、ポン
プP2により受槽T4から処理液が供給され、挾持ローラ
6、R6’の上面まで処理液で満たし、基板Wをその処
理液内に浸漬させながら水平移送できるようにしてい
る。尚、浸漬槽T6内の移送ローラR7は、正・逆回転自
在となっている。
【0030】浸漬槽T6は、その周囲を処理槽T5で囲ま
れており、挾持ローラR6の上部を、或いは浸漬槽T6
側壁を越流した処理液が処理槽T5へ流下し、再び受槽
4へ戻るようになっている。また、浸漬槽T6内には、
一対の検知センサS5、S6が所定距離D2だけ離して配
設されており、それぞれ基板Wの存在を検知している。
そして、浸漬槽T6上方には、スプレーノズルN2を複数
個吊設し、そのスプレーノズルN2へポンプP2より処理
液が送られるようになっている。
【0031】尚、図3に示した装置において、挾持ロー
ラR6、R6’を、搬送ローラR5、R5より基板Wの厚さ
以上に隙間を形成した状態に設置して、処理液がその隙
間より流出するようにし、かつ、挾持ローラR6、R6
間まで処理液面が達する高さにポンプP2による処理液
循環量を調整し、基板W表面有効部が挾持ローラR6
6’と当接しないようにしてもよい。また、挾持ロー
ラR6、R6’の代わりに、シャッター機構を浸漬槽T6
の入口及び出口に設けるようにしてもよい。また、スプ
レーノズルN2を浸漬槽T6の液面上方に配設している
が、基板Wの表面と処理液面との間の高さhを高くし、
その間の処理液内にノズルを配設することもできる。
【0032】次に、図3に示した上記装置の動作につい
て説明する。
【0033】図示されていないローダーより基板Wが1
枚ずつ水平搬送されてくる。そして、検知センサS
4が、搬送ローラR6により水平搬送されてきた基板Wを
検知した時、ポンプP1を一定時間作動させ、供給口N1
から処理液を表面処理液流下手段32に供給し、予め設
定した高さHの位置から処理液を基板Wの表面に、その
自重により層流状に流下させる。この表面処理液流下手
段32の下方を搬送ローラR5によって水平搬送される
基板Wの速度は、例えば8m/分に設定される。
【0034】基板Wは、その表面に液層30を形成した
状態で、或いは、その表面の液層30が流れ去った状態
で、浸漬槽T6へ搬送ローラR5によって移送され、予め
ポンプP2を運転させて処理液を充満させておいた浸漬
槽T6内に、搬送ローラR5と挾持ローラR6との間を通
って挿入される。
【0035】浸漬槽T6内では、基板Wが検知センサS5
と検知センサS6との間の所定距離D2間を往復移動する
ように、浸漬槽T6内の移送ローラR7が正・逆回転駆動
される。その間、上方のノズルN2より処理液が噴射さ
れ、基板W上の深さhの液層部分を撹拌する。基板W
は、往復水平移送されながら表面処理され、その表面処
理の終了を光センサS7、S7’によって検知され、それ
に伴ってドレンバルブAV1を開き、自動弁AV2を閉じ
て、浸漬槽T6内の処理液を排出させて浸漬処理を終了
し、引き続いてスプレー処理のみ一定時間行なってか
ら、表面処理を完了する。処理槽T5内の移送ローラR7
による基板Wの移送速度は、例えば3m/分より相当速
くするようにしている。
【0036】続いて、基板Wは、図示していない洗浄、
乾燥装置へ水平移送される。
【0037】尚、上記装置において、ポンプP1を省略
し、自動弁AV2とは別の自動弁をポンプP2と供給口N
1との間に設けるようにしてもよい。また、表面処理液
流下手段32の代わりに、図4に示すように、図1に示
した装置と同様に、処理液をカーテン状に基板Wの表面
へ供給する処理液供給ノズル34を吊設するようにして
もよい。さらにまた、図1及び図3に示した装置におい
て、基板を搬送するローラは、基板裏面と接触してもよ
い場合には搬送ベルトであってもよい。
【0038】
【発明の効果】請求項1に係る発明の基板の表面処理装
置を使用して半導体基板、液晶用ガラス基板、プリント
回路基板等の各種薄板状基板に現像処理、エッチング処
理等の表面処理を施すようにしたときは、基板表面に形
成された表面処理液の液層内において、基板が移動する
向きが変わる時点での液層の慣性力により処理液は静止
せずに撹拌作用を受けて、基板表面に接する処理液の更
新が行なわれ、表面処理が速やかに進行するため、基板
の表面処理の生産性が向上する。
【0039】請求項2に記載された構成の表面処理装置
では、所定距離だけ離間した2つの位置のそれぞれに設
置された検知センサによって基板が検知され、その検知
信号に基づいて基板移送手段が制御されて、基板移送方
向が反転させられ、基板移送手段による基板の往復移動
動作が確実に行なわれるため、上記効果が達成される。
【0040】請求項3に記載された構成の表面処理装置
では、処理液供給手段から表面処理液が基板の表面へカ
ーテン状に供給されるため、シャワーノズルからシャワ
ー状に表面処理液が基板の表面に供給される場合のよう
に、処理液供給時に処理液の飛沫が多く発生してその飛
沫が基板表面に局所的に付着する、といったことがない
ので、基板表面と表面処理液との接触の開始時点におい
て、表面処理液の局所的付着による処理むらの発生が無
くなり、均一な表面処理を行なうことができ、品質の安
定を確保することができる。特に大型基板の表面処理に
効果が大きい。
【0041】請求項4に記載された構成の表面処理装置
では、基板移送手段に保持された基板が浸漬槽内の表面
処理液中に浸漬させられた状態で水平方向へ往復移動さ
せられ、基板の表面付近の表面処理液は静止せずに撹拌
作用を受けて、基板表面が常に新しい処理液と接触する
こととなり、表面処理が速やかに進行するため、基板の
表面処理の生産性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の1実施例に係る基板の表面処理装置
の概略構成を示す側断面図である。
【図2】図1に示した装置において使用される処理液供
給手段の1例を示す一部破断斜視図である。
【図3】この発明の別の実施例に係る基板の表面処理装
置の概略構成を示す側断面図である。
【図4】図3に示した装置に使用される表面処理液供給
手段の別の例を示す要部概要図である。
【図5】従来の基板の表面処理装置の1例を示す側面概
要図である。
【符号の説明】
10、30 液層 12 処理液供給手段 14 処理液供給手段のスリット状の吐出口 16 処理液供給手段の液流路 32 表面処理液流下手段 34 処理液供給ノズル R1、R5 搬送ローラ R2、R7 移送ローラ S2、S3、S5、S6 検知センサ T6 浸漬槽 W 基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 21/304 642 H01L 21/304 643B 643 21/30 569D 21/306 21/306 J (72)発明者 清水 憲一 滋賀県彦根市高宮町480番地の1 大日 本スクリーン製造株式会社 彦根地区事 業所内 (72)発明者 嶋治 克己 滋賀県彦根市高宮町480番地の1 大日 本スクリーン製造株式会社 彦根地区事 業所内 (56)参考文献 特開 昭56−45017(JP,A) 特開 昭54−22777(JP,A) 特開 昭61−164225(JP,A) 特開 昭57−192955(JP,A) 特開 昭56−55047(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/68 H01L 21/02 - 21/033 H01L 21/304 - 21/306 C23F 1/00 - 1/08 104 G03F 7/30 501

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板を水平姿勢に保持して水平方向へ搬
    送する基板搬送手段と、 この基板搬送手段の上方に配設され、基板搬送手段によ
    って搬送される基板の表面に表面処理液を供給してその
    基板の表面全体に表面処理液の液層を形成する処理液供
    給手段と、 前記基板搬送手段に連続して配設され、基板搬送手段か
    ら移載された基板を水平姿勢に保持して水平方向へ直線
    的に往復移動させる基板移送手段と、 前記基板搬送手段から前記基板移送手段へ移載された基
    板が所定距離だけ離間した2つの位置間を処理時間内繰
    り返し往復移動しながら基板移送手段に保持されるよう
    に、前記2つの位置のそれぞれに基板が到達した時点で
    基板移送手段の基板移送方向を反転させる方向切換え手
    段と、 前記基板移送手段の下方に配設された処理槽と、 を有することを特徴とする基板の表面処理装置。
  2. 【請求項2】 方向切換え手段は、 所定の距離だけ離間した2つの位置のそれぞれに配設さ
    れて基板の有無を検知する一対の検知センサを含む請求
    項1記載の基板の表面処理装置。
  3. 【請求項3】 処理液供給手段は、 処理しようとする基板の幅に対応した長さのスリット状
    の吐出口を下端面に有し、内部に前記吐出口に連通する
    液流路が形設された構成を有する請求項1又は請求項2
    記載の基板の表面処理装置。
  4. 【請求項4】 基板を水平姿勢に保持して水平方向へ搬
    送する基板搬送手段と、 この基板搬送手段の上方に配設され、基板搬送手段によ
    って搬送される基板の表面に表面処理液を供給してその
    基板の表面全体に表面処理液の液層を形成する処理液供
    給手段と、 前記基板搬送手段に連続して配設され、基板搬送手段か
    ら移載された基板を水平姿勢に保持して水平方向へ直線
    的に往復移動させる基板移送手段と、 前記基板搬送手段から前記基板移送手段へ移載された基
    板が所定距離だけ離間した2つの位置間を処理時間内繰
    り返し往復移動しながら基板移送手段に保持されるよう
    に、前記2つの位置のそれぞれに基板が到達した時点で
    基板移送手段の基板移送方向を反転させる方向切換え手
    段と、 前記基板移送手段に保持されて水平方向へ往復移動させ
    られる基板を表面処理液中に浸漬させるための浸漬槽
    と、 この浸漬槽に表面処理液を供給する第2の処理液供給手
    段と、 を有することを特徴とする基板の表面処理装置。
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