JP4309782B2 - 液処理装置および液処理方法 - Google Patents
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Description
例えば、特開平11−87210号公報(特許文献1)には、水平姿勢で一方向へ搬送される基板の表面に現像液を塗布して基板上に液層を形成し(以後、これを液盛りと称す)、所定時間保持することで現像反応を進行させ、その後、基板の搬送方向と直交する方向の端面の一方を持ち上げて基板を傾斜姿勢に変換して現像液を流し落とし、さらに、基板を傾斜姿勢で搬送しながらリンス液を基板に供給する処理方法及び処理装置が提供されている。
この開示された方法は、図6に概略的に示すように、略水平姿勢に保持された基板Gを矢印方向Xに沿って第1、第2現像液供給ゾーンから液切り/リンスゾーンへと搬送し、基板Gに現像液供給ゾーンでノズル1で搬送方向の前方X1から後方X2へと移動させて液盛りし、液盛り完了後に液切り/リンスゾーンに搬送し、該ゾーンにおいて基板Gの前端を持ち上げて傾斜姿勢として現像液を自然流下で流れ落として液切りし、その後、リンス液吐出ノズル2を傾斜姿勢に保持された基板1に対して上方端から下方端へ移動させながらリンス液を基板へ供給している。
即ち、基板Gへの現像液Q1の液盛り開始位置と同じ側の傾斜姿勢の上端側からリンス液Q2の吐出がなされ、現像液供給方向とリンス液供給方向とを同一としている。
また、前記(a)の液盛り開始から(b)の液盛り完了までに要する時間は約5secとされ、基板を傾斜姿勢で行う(c)の液切り開始から(e)の水洗完了までに要する時間は約6secとされ、リンス液Q1の基板上端から下端までの移動に要する時間は約2secとされている。
即ち、現像処理時間とは、現像液が残渣も含めて実際に基板に接触している間も含まれ、基板から現像液を自然流下で流し落とても、その時に基板上に現像液の残渣が存在していれば、現像液の残渣で現像が進行し、現像処理は停止していない。その後、リンス液によって残渣が洗い流される時に始めて現像処理は停止する。なお、現像液が残渣なく流れ落ちて現像処理を終了させることをストップ水洗と称す。
実際には、レジスト、現像液の粘度や基板の表面状態に応じて多少変化するが、基板を傾斜させて現像液を自然流下させることで現像液の90〜95%程度は流し落とせるが、10〜5%程度は残渣として基板上に残りやすく、このように残渣が残ると現像処理は進行する。よって、リンス液を基板の全面に塗布して現像液の残渣を洗い落とした時点で基板全面の現像を終了させることができる。
しかしながら、基板の傾斜姿勢を、その搬送方向の前方端を持ち上げ、リンス液吐出ノズルを基板の上方端から下方端へと移動させ、リンス液を基板の上方端から下方端へと供給させた場合、上方で供給されたリンス液は自重による自然流下する。よって、図7(d)に示すように、基板Gの上方でリンス液吐出ノズル2から供給されたリンス液Q2がノズル2が下方へ達するより先に、下方の現像液は上方から自然流下してくるリンス液で洗い落と流されることとなり、基板の搬送方向の後方端がストップ水洗されることとなる。
即ち、液盛り工程において、基板の前方より後に現像液が液盛りされた基板の後方が、上方から自然流下してくるリンス液により先にストップ洗浄されることになる。よって、基板の搬送方向後方側X2では、現像液が基板に接触している時間が短くなり。基板の前方端から後方端にかけて現像タイムラグが発生し、形成される画像のパターン線幅の均一性が悪化する問題が生じる。
しかしながら、リンス液の吐出速度を単に高速化しても、現像液の液盛り速度との関係で、現像液の基板への接触時間にタイムラグがより発生しやすくなり、形成される回路パターンの線幅均一性の悪化につながる。
基板に第一処理液を液盛りする第一液供給手段を備えた第一液処理部と、
前記基板から第一処理液を液切りするために、前記基板の搬送を停止して傾斜させる基板傾斜手段と第二液供給手段を備えた第二液処理部と、
前記第一液処理部から第二液処理部へと前記基板を略水平姿勢で搬送する基板搬送手段を備え、
前記第一液処理部の第一液供給手段は、第一液供給ノズルと、該第一液供給ノズルを前記基板表面に沿って基板搬送方向の基板前方から後方に移動あるいは基板後方から前方に移動させる第一ノズル移動手段を備え、
前記第二液処理部の第二液供給手段は、第二液供給ノズルと、第二ノズル移動手段を備え、前記基板傾斜手段により傾斜されて前記第一処理液が自然流下で液切りされた前記基板に対して、前記第二液供給ノズルを第二ノズル移動手段により、傾斜された前記基板の下方端から上方端に向けて斜め移動させながら第二処理液を供給して、該基板上の第一処理液の残渣を流し出してストップ水洗を行う構成とし、かつ、
前記第一ノズル移動手段と、前記第二ノズル移動手段とは、その移動速度を略同一速度に設定していることを特徴とする液処理装置を提供している。
即ち、前記特許文献2では傾斜させた基板に対して上端側から下端側に向けてリンス液等の第二処理液を供給しているのに対して、本発明では、逆方向の下端側から上端側に向けて第二処理液を供給している。
これに対して、本発明では、第二処理液を傾斜させた基板の下端側から上端側に向けて供給していくため、第二処理液を基板に対して供給した部位に予定通り接触させることができ、第二処理液が自然流下して基板に接触しても、当該部分は既に第二処理液を基板に供給して第一処理液の残渣を洗い落とした部分となる。よって、第一処理液の基板への接触時間を均一化させるために設定した第二処理液の基板への接触を予定時間通りに正確に実行させることができ、その結果、第一処理液の基板への接触時間を基板全体で均一に保持できる。
例えば、前記第二液供給ノズルを先端に取り付けた供給管をシリンダ等からなるノズル移動手段により傾斜された基板の下方端から上方端へと移動させている。
前記方法に代えて、前記基板搬送手段による略水平姿勢として搬送されてくる基板を第一液処理部で搬送を停止して、第一液供給手段により基板表面に第一処理液を液盛りしてもよい。
この場合、基板を停止して略水平姿勢で安定保持した状態で、第一液吐出ノズルを移動させて液盛りするため、第一処理液の液盛り厚さ等を基板全面に対して精度良く管理できることによる。
いずれの手法を採用するかは、装置寸法やスペースを考慮した上で選択される。
このように、第一処理液の液盛り速度と該第一処理液を洗い落とすストップ水洗速度とを略同一としているため、第一処理液の液盛り速度を第二処理液の供給速度に合わせれば良い為、第一処理液の供給速度を早くすることは必ずしも必要ない。よって、ある程度ゆっくりした液盛りも可能である為、第二処理液の供給速度に合わせて基板を高速搬送する必要はなく、液処理装置への負荷等は小さくなる。この観点については、装置のスループットを考慮した上で、最適な手法を採用すればよい。
なお、第一液処理部で第一液供給手段により基板搬送方向の後方から前方にむけて第一処理液を液盛りし、第二液処理部で、基板搬送方向の前端を押し上げて傾斜姿勢として基板後端を下端として良く、此の場合も第一処理液の液盛り開始位置を液切り開始位置とすることができる。
このように、第二液処理部で基板の高速搬送を停止して、液切り処理および第一処理液を洗い流す第二処理液を供給しているため、処理時における安全性が高められ、基板の破損や損傷が抑制される。かつ、基板の搬送を停止する際に必要なスペースも広くならない。 前記特許文献1では、基板への第二処理液であるリンス液の供給時に、基板を傾斜姿勢で搬送しながらリンス液を供給しているため、基板が大型のLCD基板等の場合には搬送手段に対する負荷が大きくなり、搬送手段の支持強度を高める必要がある等、装置が大型化、重量化する等の問題があったが、この問題を本発明では解消することができる。
液切り工程の終了直後から、基板の傾斜姿勢を保持したまま、液盛りが開始された下端位置から第二処理液に基板に供給され、第一処理液による基板への処理が停止され始め、所謂ストップ水洗が始まる。
このように、第一処理液と第二処理液の液処理方向が、第一処理液が基板に滞在する時間が均一となるように設定し、かつ、基板に対する第一ノズル移動手段と第二ノズル移動手段の移動速度を略同一にすることによって、第一処理液が基板に接している時間を基板全体で均一化でき、第一の処理液による基板の均一な処理を行うことが出来る。
前記構成とすると、第一処理液に第二処理液とが混入するのを防止でき、各処理液のリサイクルが可能となる等、排水処理を効率良く行うことができる。
前記第一処理液の基板への接触時間の調節は前記基板搬送手段の速度調整により調整することは可能であるが、第一処理液の粘性等の特性に応じて微調整が必要な場合には、前記のように第一液処理部から第二液処理部への搬送領域で微調整できる構成とすると、容易に時間調整を実施できる。また、基板上に液盛りされた第一処理液は静止状態よりも振動および撹拌をした方が現像処理上において好適であるため、前記構成とすると、時間調整と第一処理液の振動、撹拌の両方を行うことができる。
具体的には、基板傾斜角度は、第一処理液を自然流下させる際の基板傾斜角度θ1と、第二処理液を基板に吐出する際の基板傾斜角度θ2との関係を、θ2<θ1とすることが好ましい。
前記のように、第一処理液を自然流下させる場合には、迅速に液切りさせるためには傾斜角度が大きい方が好ましい一方、第二処理液で第一処理液の残渣を洗い流すには、第二処理液が基板表面に付着する時間を長くして水洗作用を高めるためには傾斜角度を小さくする方が好ましい。
具体的には、13゜<θ1<18゜とし、8゜<θ2<13゜が好ましく、特に、θ1は約15゜、θ2は約10゜とするのが好ましい。
基板搬送手段は、具体的には、例えば、基板の搬送領域に沿って設置した搬送ローラからなり、該搬送ローラの上面に略水平姿勢で搭載した状態で基板を搬送方向に順送りしている。該基板搬送手段は第一液処理部、第二液処理部等の各処理部で分離させて、独立して搬送、停止、及び搬送速度の調節を行えるようにしている。
詳細には、露光処理が施された基板に対して現像処理を施す現像処理装置は、
略水平姿勢の基板に現像液を液盛りする第一液処理部と、現像液が盛られた基板から現像液を除去する第二液処理部と、第一液処理部から第二液処理部へ基板を略水平姿勢で一方向に搬送する基板搬送機構と、を具備し、
第二液処理部は現像液が盛られた基板の搬送方向後方側を持ち上げて基板を傾斜姿勢に変換することによって基板に盛られた現像液を流し落とす基板傾斜機構と、
現像液を洗い流すリンス液を吐出するリンスノズルと、該リンス液が基板傾斜機構によって傾斜姿勢に保持された基板の下方端から上方端へと第二の処理液の供給位置を移動させながら基板に吐出されるように、前記リンスノズルを基板の表面に沿って斜めに所定速度で移動させるリンスノズル移動機構と、を有することを特徴としている。
前記表示基板の製造装置より、LCD基板からなる表示基板の製造装置として最も好適に用いられ、第一処理液からなる現像液を液盛りした後、所定時間後に液切りし、該液切り直後にリンス液を供給して現像液の残渣を洗い落し、フォトリソ方法により基板に所定のパターンを形成している。形成したパターンは基板全面において現像処理のタイムラグをほぼゼロとしているため、パターンの線幅が均一な高精密なLCD基板を得ることができる。
上記表示基板の製造装置は、液晶表示装置のLCDガラス基板の製造に最も適した製造装置となる。
具体的には、略水平姿勢で一方向に搬送される基板に所定の液処理を施す液処理方法であって、
基板に第一処理液を液盛りする第一液処理部へ基板を略水平姿勢で搬送する第一工程と、
前記基板に第一処理液を液盛りする第二工程と、
前記第一処理液が盛られた基板を前記基板から第一処理液を除去する第二液処理部へ略水平姿勢で搬送する第三工程と、
前記基板の搬送方向後方側を持ち上げて前記基板を所定角度傾斜させることによって前記基板から前記第一処理液を流し落とす第四工程と、
前記基板を所定角度傾斜した状態に保持して、前記基板から前記第一処理液を流し出す第二処理液を前記基板の下方端から上方端へと第二処理液の供給位置を移動させながら前記基板に供給する第五工程とからなる。
前記表示基板の現像処理方法、特に、液晶表示装置に用いられるLCDガラス基板の現像処理方法としても最も好適に用いられる。
基板に現像液を液盛りする第一液処理部へ基板を略水平姿勢で搬送する第一工程と、
前記基板に現像液を液盛りする第二工程と、
前記現像液が盛られた基板を前記基板から現像液を除去する第二液処理部へ略水平姿勢で搬送する第三工程と、
前記基板の搬送方向後方側を持ち上げて前記基板を所定角度傾斜させることによって前記基板から前記現像液を流し落とす第四工程と、
前記基板を所定角度傾斜した状態に保持して、前記基板から前記現像液を洗い流すリンス液を前記基板の下方端から上方端へと前記リンス液の供給位置を移動させながら前記基板に供給する第五工程とからなる。
また、本発明の現像処理方法及び現像装置を従来技術に導入することによって、高精細の製造と高スループットの両立をも実現可能とできる。
本実施形態は、レジスト膜の形成から現像処理までを連続して行うレジスト塗布、現像処理システム(一般的にコータデベロッパと言われている)において、露光処理が施されたLCD基板の現像処理を行う現像処理ユニット(DEV)に適用した実施形態である。
前記導入ゾーンZaは、DEVの前に設置されるユニット(露光装置、露光後ベーク処理など)と現像液供給ゾーンZbとの間の緩衝領域として設けられており、DEV前のユニットに現像液が飛散する等して、前記DEVより上流側のユニットが現像液で汚染されるのを防止する役割を果たし、かつ、現像液供給ゾーンZbへの基板Gの搬送速度を一定にする役割も果たす。
後者を選択する場合を考慮して、現像液吐出ノズル2を先端に取り付けた配管9を第一ノズル移動手段3によって、所定速度で基板Gの上面に沿って搬送方向前方X1から後方X2に向けて移動可能としている。前記第一ノズル移動手段3の具体的構成は図示していないが、ノズル2を先端に取り付けた配管9をガイドレールに沿って走行するスライダに固定し、該スライダをモータ駆動されるベルトに固定して移動させている。なお、該移動手段としては周知の適宜は機構が採用できる。
現像液吐出ノズル2は基板Gの幅方向(搬送方向Xと直交方向)に長尺なスリットノズルとし、該ノズルの吐出方向を基板Gに対して鉛直方向よりも若干基板搬送方向の後方に傾けた形状として、該現像液吐出ノズル2から現像液Q1が基板Gの全面に亙って均一な塗布量となるよう比較的低速な所定速度で移動させる構成としている。
基板Gでは、現像液供給ゾーンZbで現像液Q1が基板Cに接触する現像開始時から液切り/ストップ水洗ゾーンZdでリンス液Q2を吐出して現像液Q2を洗い落とす終了時までが現像処理時間となる。よって、現像処理の大半は実質的に搬送ゾーンZcで行われることとなり、搬送ゾーンが現像反応ゾーンとなる。
よって、搬送ゾーンZcの通過時間が現像反応に要する所定時間に調整され、それに対応して基板Gの搬送速度が設定される。
現像処理時には、基板Gを停止させた状態で現像処理をするより、現像液に適宜な振動を与えることが好ましい。
そのため、所定の現像処理時間を経過する前に液切り/ストップ水洗ゾーンZdに基板Gが搬送されてくる場合を配慮して、前記したように、搬送ゾーンZc〜Zd内の搬送ローラ1は正逆回転可能とし、搬送ローラ1の正逆回転を繰り返させることにより、基板Gを搬送方向の前後に移動させ、時間調節と現像液に対する振動および撹拌が同時に行える構成としている。
第二ノズル移動手段5は第一ノズル移動手段と同様で、傾斜姿勢となる基板の上方に平行に設置するガイドレールに沿って、リンス液吐出ノズル4の配管16を取り付けたスライダをモータ駆動されるベルトに固定して移動させている。
なお、該移動手段としては周知の適宜は機構が採用できる。
また、リンス液吐出ノズル4は基板Gの幅方向に間隔をあけて複数個配置し、現像液の吐出圧力よりも強い吐出圧力でリンス液が基板全面に亙って均一に吐出される設定としている。これら複数個のノズル4を共通管に取り付け、該共通管からなる配管16を第二ノズル移動手段5で移動している。
処理液受容ボックス18の底壁には現像液排出管19とリンス液排出管20とを分岐した状態で連接し、これら分岐位置に開閉弁21を取り付けている。該開閉弁21を動作制御して、いずれか一方を開弁すると、いずれか他方を閉弁する構成としている。
前記現像液排出管19の先端には現像液回収タンク22を配置していると共に、リンス液排出管20の先端にはリンス液回収タンク23を配置している。
一方、リンス液回収時には、開閉弁21で現像液排出管19を閉じて、リンス液が混入した濃度の薄い現像液やリンス液が現像液回収タンク22に混入されないようにしている。一方、リンス液排出管20を開き、リンス液排出管20を通してリンス液とリンス時に共に流れ出す現像液残渣等をリンス液回収タンク23に集めている。該リンス液回収タンク23に回収されたリンス液および現像液の残渣分は廃液ラインを通じて廃棄され、若しくはリサイクル処理にまわしている。
前記乾燥ゾーンZfに続くファイナル洗浄ゾーンZeで、吹き付けられたリンス液Q3を発散させて基板Gを乾燥処理している。
前記ファイナルゾーンZeで基板Gの一連の現像処理は終了となり、次工程(UV処理やポストベーク処理など)のユニットへ基板Gは搬送される構成としている。
ここでは、基板Gを所定位置で停止させた状態として、現像液吐出ノズル2を所定速度x(mm/sec)で基板搬送方向の前方から後方へ向けて移動させながら基板Gの表面に液盛りする場合(Case−1)と、基板Gを所定速度x(mm/sec)で搬送させながら、所定位置に固定した現像液吐出ノズル2から現像液を吐出して基板Gへ液盛りする場合(Case−2)のいずれかを選択して行う。
図5(b)は液盛り完了状態を示す。
なお、液切り/ストップ水洗ゾーンZdに到達する時点が所要の現像処理時間に到達していない場合には、液切り/ストップ水洗ゾーンZdに近接した位置で、搬送ローラ1を正逆回転させて、基板Gを搬送方向に対して前後に振動させ、現像液Q1を振動させる。 この搬送ゾーンZcで所要の時間が経過した後、液切り/ストップ水洗ゾーンZdに基板Gを搬入する。
基板Gを約15゜の傾斜姿勢として、その表面から盛られた現像液Q1が自重で自然流下して、現像液Q1の液切り処理がなされる。
現像液Q1は下方の処理液受容ボックス18に流れ込み、開閉弁21が開放位置にある現像液排出管19を通して現像液回収タンク22に回収され、リサイクル処理される。
其の際、リンス液Q2の吐出圧力を現像液Q1の吐出圧力よりも大として、基板Gの表面に付着している現像液Q1の残渣が基板Gより離脱させて洗い流して、ストップ水洗処理を行っている。
図5(e)に示すように、リンス液Q2が基板Gの上端まで塗布した位置でストップ水洗が完了する。
ファイナル洗浄ゾーンZeでは、基板Gを搬送ローラ1により所定速度で搬送しながら基板Gの表面、裏面の両方に洗浄液吐出ノズル25から洗浄液(超純水)を吐出して、基板Gに付着している残留している現像液Q1の徹底除去と基板Gの水洗を行う。
なお、装置スループットやフットプリントの都合上、このファイナル洗浄ゾーンZeの中で基板Gを洗浄しながら搬送方向に対して前後に振動させる場合もある。
また、前記実施形態では現像処理を例にとって説明したが、他の液処理(ウエットエッチングなどが考えられる)にも適用可能である。
さらに、本発明により製造される液晶ディスプレイは、例えば、CGシリコン等のシステム液晶パネルにおいて、次世代向けの高精細パネルとして携帯電話などに搭載され得るものである。
Zb 現像液供給ゾーン
Zc 搬送ゾーン
Zd 液切り/ストップ水洗ゾーン
Ze ファイナル洗浄ゾーン
Zf 乾燥ゾーン
2 現像液吐出ノズル
3 第一ノズル移動手段
4 リンス液吐出ノズル
5 第二ノズル移動手段
6 基板傾斜手段
G LCD基板
Claims (10)
- 基板に第一処理液を液盛りする第一液供給手段を備えた第一液処理部と、
前記基板から第一処理液を液切りするために、前記基板の搬送を停止して傾斜させる基板傾斜手段と第二液供給手段を備えた第二液処理部と、
前記第一液処理部から第二液処理部へと前記基板を略水平姿勢で搬送する基板搬送手段を備え、
前記第一液処理部の第一液供給手段は、第一液供給ノズルと、該第一液供給ノズルを前記基板表面に沿って基板搬送方向の基板前方から後方に移動あるいは基板後方から前方に移動させる第一ノズル移動手段を備え、
前記第二液処理部の第二液供給手段は、第二液供給ノズルと、第二ノズル移動手段を備え、前記基板傾斜手段により傾斜されて前記第一処理液が自然流下で液切りされた前記基板に対して、前記第二液供給ノズルを第二ノズル移動手段により、傾斜された前記基板の下方端から上方端に向けて斜め移動させながら第二処理液を供給して、該基板上の第一処理液の残渣を流し出してストップ水洗を行う構成とし、かつ、
前記第一ノズル移動手段と、前記第二ノズル移動手段とは、その移動速度を略同一速度に設定していることを特徴とする液処理装置。 - 前記第一液処理部では、前記基板と前記第一液供給手段のいずれか一方を移動すると共にいずれか他方の移動を停止する構成とし、かつ、前記第二液処理部では前記基板搬送手段による基板の搬送を停止して前記基板傾斜手段で基板を傾斜させる構成としている請求項1に記載の液処理装置。
- 前記第一液処理部では前記第一液供給手段で前記第一処理液を基板搬送方向の基板前方から後方に移動させる設定とし、前記第二液処理部の前記基板傾斜手段は、基板の搬送方向の後端を持ち上げて傾斜させる構成としている請求項1または請求項2に記載の液処理装置。
- 前記第一液処理部と第二液処理部との間の基板搬送領域において、前記基板搬送手段は搬送方向の前後進を繰り返し可能とし、前記第一処理液の基板への接触時間調節と該基板上の第一処理液を振動・撹拌が出来る構成としている請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の液処理装置。
- 前記第二液処理部に配置する前記基板傾斜手段は、前記第一処理液を自然流下させる際の基板傾斜角度と、前記第二処理液を基板に吐出する際の基板傾斜角度とを可変できる構成としている請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の液処理装置。
- 前記基板傾斜角度は、第一処理液を自然流下させる際の基板傾斜角度θ1と、第二処理液を基板に吐出する際の基板傾斜角度θ2との関係を、θ2<θ1としている請求項5に記載の液処理装置。
- 前記第一処理液として現像液を用い、前記第二処理液として現像液を洗い流すリンス液を用い、露光処理が施された基板の現像処理装置としている請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の液処理装置。
- 前記基板が、表示装置の基板である請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の液処理装置を備えた表示基板の製造装置。
- 請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の液処理装置を用いて、基板に対する液処理を施している液処理方法。
- 請求項9に記載の液処理方法を用い、前記基板が表示装置に用いられる基板で、前記第一処理液として現像液を用い、前記第二処理液として現像液を洗い流すリンス液を用い、露光処理が施された基板に対して前記現像液を液盛りして現像処理を施し、前記現像液を第二液処理部で基板を傾斜姿勢として液切りした直後に前記リンス液を基板に吐出して基板表面の現像液の残渣を流し落とし、フォトリソ方法により基板に所定の回路パターンを形成している表示基板の現像処理方法。
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