JP3935333B2 - 液処理装置および液処理方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、例えば液晶表示装置（ＬＣＤ）に用いられるガラス基板等に対して現像処理等の所定の液処理を施すために用いられる液処理装置と液処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＣＤの製造においては、ＬＣＤガラス基板（以下「ＬＣＤ基板」という）にレジスト膜を形成した後に、回路パターンに対応してこのレジスト膜を露光し、さらにこれを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィー技術を用いてＬＣＤ基板に所定の回路パターンを形成している。ここで、例えば、現像処理については、基板を水平姿勢で水平方向に搬送しながら、基板の表面に現像液を塗布して基板上に現像液パドルを形成し、この状態で所定時間保持することで現像反応を進行させ、その後に基板を傾斜姿勢に変換して現像液を流し出し、続いてリンス液を基板に供給して現像液残渣を除去する洗浄（リンス）処理を行う方法が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、一辺の長さが１ｍにも及ぶような大型のＬＣＤ基板を水平姿勢から傾斜姿勢に変換する際には、その傾斜角度を大きくすることは困難である。このためにＬＣＤ基板から現像液が流れ落ちて、その殆どがＬＣＤ基板から除去されるまでの時間が長くなり、現像反応がＬＣＤ基板面内で不均一になるという問題がある。
【０００４】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、基板に塗布された処理液を短時間で基板上から流し出すことができる液処理装置および液処理方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の観点によれば、基板を略水平姿勢で略水平方向に搬送する基板搬送機構と、前記基板搬送機構によって搬送される基板に所定の処理液を塗布する処理液供給機構と、前記処理液が塗布されて前記基板搬送機構によって搬送される基板を急停止させる基板停止機構と、を具備し、前記処理液の塗布された基板を前記基板停止機構を動作させて急停止させることによって、前記基板上の処理液が慣性力によって前記基板から流し出されるように構成され、前記基板停止機構は、前記基板搬送機構によって搬送される基板の周縁を所定位置で上下から挟み込む把持部材と、前記把持部材を上下方向に駆動する駆動機構と、を有し、前記把持部材の基板と接触する部分に、処理液を外部へ逃がすための溝が設けられていることを特徴とする液処理装置、が提供される。
【０００６】
本発明の第２の観点によれば、基板を略水平姿勢で略水平方向に搬送する基板搬送機構と、前記基板搬送機構によって搬送される基板に所定の処理液を塗布する処理液供給機構と、前記基板搬送機構によって搬送される前記処理液の塗布された基板を停止させる基板停止機構と、前記基板停止機構によって停止した基板を保持する基板保持機構と、前記基板保持機構に保持された基板を水平面内において揺動する基板揺動機構と、を具備し、前記処理液の塗布された基板を前記基板揺動機構によって揺動させることで前記基板上の処理液が流し出されることを特徴とする液処理装置、が提供される。
【０００７】
本発明の第３の観点によれば、基板に所定の処理液を塗布する処理液塗布部と、前記処理液の塗布された基板上から処理液を除去する処理液除去部と、前記処理液塗布部から前記処理液除去部へ基板を略水平姿勢で略水平方向に搬送する基板搬送機構と、を具備し、前記処理液除去部は、前記基板搬送機構によって搬送される基板をその高さが前記基板搬送機構による基板搬送方向においては後方から前方へ向けて徐々に高くなるようにかつ前記基板搬送方向に垂直な水平方向においては端部から中心部に向けて徐々に高くなるように撓ませて支持する基板支持機構を有し、前記基板支持機構によって基板を撓ませることで前記基板に塗布された処理液が前記基板から流し出されることを特徴とする液処理装置、が提供される。
【０００８】
本発明の第４の観点によれば、基板に所定の液処理を施す液処理方法であって、略水平姿勢の基板の表面に処理液を塗布してパドルを形成する第１工程と、前記パドルの形成された基板を略水平方向に所定位置まで搬送する第２工程と、前記所定位置において前記基板を保持する第３工程と、前記パドルの処理液が前記基板の表面から流れ落ちるように前記保持された基板を水平面内において揺動する第４工程と、を有することを特徴とする液処理方法、が提供される。
【０００９】
本発明の第５の観点によれば、基板に所定の液処理を施す液処理方法であって、略水平姿勢の基板の表面に処理液を塗布してパドルを形成する第１工程と、前記パドルの形成された基板を略水平方向に所定位置まで搬送する第２工程と、前記所定位置においては、前記パドルの処理液が前記基板の表面から流れ落ちるように、前記基板の高さが基板の搬送方向においては後方から前方へ向けて徐々に高くなるように、かつ、基板の搬送方向に垂直な水平方向においては端部から中心部に向けて徐々に高くなるように、前記基板を略山型に撓ませながら移動させる第３工程と、を有することを特徴とする液処理方法、が提供される。
【００１０】
本発明の第６の観点によれば、基板に所定の液処理を行う液処理装置であって、複数のコロを回転させて前記コロに接した基板を略水平姿勢で略水平方向へ搬送するコロ搬送機構と、前記コロ搬送機構によって搬送される基板に所定の処理液を塗布する処理液供給機構と、基板の裏面を保持し、保持した基板を揺動させる揺動機構と、前記揺動機構を昇降させる昇降機構と、前記コロ搬送機構の動作を停止させ、かつ、前記揺動機構を上昇させて、基板の裏面が前記コロから離れた位置で前記揺動機構を揺動させるように、前記コロ搬送機構および前記揺動機構ならびに前記昇降機構を制御する制御部と、を具備し、前記揺動機構は、前記コロの回転軸方向に揺動し、処理液が塗布された基板を前記揺動機構によって揺動させることで前記基板上の処理液が流し出されることを特徴とする液処理装置、が提供される。
また、本発明の第７の観点によれば、基板に所定の液処理を行う液処理装置であって、複数のコロを回転させて前記コロに接した基板を略水平姿勢で略水平方向へ搬送するコロ搬送機構と、前記コロ搬送機構によって搬送される基板に所定の処理液を塗布する処理液供給機構と、基板の裏面を保持し、保持した基板を揺動させる揺動機構と、前記揺動機構を昇降させる昇降機構と、前記コロ搬送機構の動作を停止させ、かつ、前記揺動機構を上昇させて、基板の裏面が前記コロから離れた位置で前記揺動機構を揺動させるように、前記コロ搬送機構および前記揺動機構ならびに前記昇降機構を制御する制御部と、を具備し、前記揺動機構は、互いに直交する、基板の搬送方向、前記コロの回転軸方向、鉛直方向のいくつかの組み合わせで基板を揺動させ、処理液が塗布された基板を前記揺動機構によって揺動させることで前記基板上の処理液が流し出されることを特徴とする液処理装置、が提供される。
【００１１】
本発明の第８の観点によれば、基板に所定の液処理を行う液処理装置であって、複数のコロを回転させて前記コロに接した基板を略水平姿勢で略水平方向へ搬送するコロ搬送機構と、前記コロ搬送機構によって搬送される基板に所定の処理液を塗布する処理液供給機構と、基板の裏面を保持し、保持した基板を揺動させる揺動機構と、前記揺動機構を昇降させる昇降機構と、前記コロ搬送機構の動作を停止させ、かつ、前記揺動機構を上昇させて、基板の裏面が前記コロから離れた位置で前記揺動機構を揺動させるように、前記コロ搬送機構および前記揺動機構ならびに前記昇降機構を制御する制御部と、を具備し、前記揺動機構は、基板を吸着保持して揺動させ、処理液が塗布された基板を前記揺動機構によって揺動させることで前記基板上の処理液が流し出されることを特徴とする液処理装置、が提供される。
また、本発明の第９の観点によれば、基板に所定の液処理を行う液処理装置であって、複数のコロを回転させて前記コロに接した基板を略水平姿勢で略水平方向へ搬送するコロ搬送機構と、前記コロ搬送機構によって搬送される基板に所定の処理液を塗布する処理液供給機構と、基板の裏面を保持し、保持した基板を揺動させる揺動機構と、前記揺動機構を昇降させる昇降機構と、前記コロ搬送機構の動作を停止させ、かつ、前記揺動機構を上昇させて、基板の裏面が前記コロから離れた位置で前記揺動機構を揺動させるように、前記コロ搬送機構および前記揺動機構ならびに前記昇降機構を制御する制御部と、を具備し、前記揺動機構は、基板の端面に当接する基板位置決め手段が設けられた複数のプレートで前記基板を保持して揺動させ、処理液が塗布された基板を前記揺動機構によって揺動させることで前記基板上の処理液が流し出されることを特徴とする液処理装置、が提供される。
【００１２】
これらの液処理装置および液処理方法によれば、基板に塗布された処理液を短時間で除去することができることから、基板の液処理状態を基板全体で均一なものとすることができる。これにより基板の品質を高めることができる。また、液処理時間が短縮されるために、スループットを向上させることが可能となる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。ここでは、ＬＣＤ基板に対してレジスト膜の形成から現像までの処理を連続して行うレジスト塗布・現像処理システムを例に説明することとする。図１はレジスト塗布・現像処理システム１００の概略構成を示す平面図である。
【００１４】
このレジスト塗布・現像処理システム１００は、複数のＬＣＤ基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーション（搬入出部）１と、ＬＣＤ基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理ステーション（処理部）２と、露光装置４との間でＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイスステーション（インターフェイス部）３とを備えており、処理ステーション２の両端にそれぞれカセットステーション１およびインターフェイスステーション３が配置されている。なお、図１において、レジスト塗布・現像処理システム１００の長手方向をＸ方向、平面上においてＸ方向と直交する方向をＹ方向とする。
【００１５】
カセットステーション１は、カセットＣをＹ方向に並べて載置できる載置台９と、処理ステーション２との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出を行うための搬送装置１１を備えており、この載置台９と外部との間でカセットＣの搬送が行われる。また、搬送装置１１は搬送アーム１１ａを有し、カセットＣの配列方向であるＹ方向に沿って設けられた搬送路１０上を移動可能であり、搬送アーム１１ａによりカセットＣと処理ステーション２との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出が行われる。
【００１６】
処理ステーション２は、基本的にＸ方向に伸びるＬＣＤ基板Ｇ搬送用の平行な２列の搬送ラインＡ・Ｂを有しており、搬送ラインＡに沿ってカセットステーション１側からインターフェイスステーション３に向けてスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１、第１の熱的処理ユニットセクション２６、レジスト処理ユニット２３および第２の熱的処理ユニットセクション２７が配列されている。また、搬送ラインＢに沿ってインターフェイスステーション３側からカセットステーション１に向けて第２の熱的処理ユニットセクション２７、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５および第３の熱的処理ユニットセクション２８が配列されている。スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１の上の一部にはエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２が設けられている。なお、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２はスクラバ洗浄に先立ってＬＣＤ基板Ｇの有機物を除去するために設けられ、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５は現像の脱色処理を行うために設けられる。
【００１７】
上記スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１は、その中でＬＣＤ基板Ｇが略水平姿勢で搬送されつつ洗浄処理および乾燥処理が行われるようになっている。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４も、後に詳細に説明するように、ＬＣＤ基板Ｇが略水平に搬送されつつ現像液塗布、現像後の洗浄処理および乾燥処理が行われるようになっている。これらスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１および現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、ＬＣＤ基板Ｇの搬送は、例えば、コロ搬送またはベルト搬送により行われ、ＬＣＤ基板Ｇの搬入口および搬出口は相対向する短辺に設けられている。また、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５へのＬＣＤ基板Ｇの搬送は、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の搬送機構と同様の機構により連続して行われる。
【００１８】
レジスト処理ユニット２３には、略水平に保持されたＬＣＤ基板Ｇにレジスト液を滴下させて、ＬＣＤ基板Ｇを所定の回転数で回転させることによってレジスト液をＬＣＤ基板Ｇ全体に拡げ、レジスト膜を形成するレジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａと、ＬＣＤ基板Ｇ上に形成されたレジスト膜を減圧乾燥する減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂと、ＬＣＤ基板Ｇの四辺をスキャン可能な溶剤吐出ヘッドによりＬＣＤ基板Ｇの周縁に付着した余分なレジストを除去する周縁レジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃとがその順に配置されている。レジスト処理ユニット２３内には、これらレジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａ、減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂ、周縁レジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃの間でＬＣＤ基板Ｇを搬送する搬送アームが設けられている。
【００１９】
図２は第１の熱的処理ユニットセクション２６の側面図であり、第１の熱的処理ユニットセクション２６は、ＬＣＤ基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１・３２を有している。熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１はスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２はレジスト処理ユニット２３側に設けられており、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１・３２の間に第１の搬送装置３３が設けられている。
【００２０】
熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６１、ＬＣＤ基板Ｇに対して脱水ベーク処理を行う２つの脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６２・６３、ＬＣＤ基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６４が４段に積層された構成を有している。また、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６５、ＬＣＤ基板Ｇを冷却する２つのクーリングユニット（ＣＯＬ）６６・６７、ＬＣＤ基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６８が４段に積層されて構成を有している。
【００２１】
第１の搬送装置３３は、パスユニット（ＰＡＳＳ）６１を介してのスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１からのＬＣＤ基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間のＬＣＤ基板Ｇの搬入出、およびパスユニット（ＰＡＳＳ）６５を介してのレジスト処理ユニット２３へのＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行う。
【００２２】
第１の搬送装置３３は、上下に延びるガイドレール９１と、ガイドレールに沿って昇降する昇降部材９２と、昇降部材９２上を旋回可能に設けられたベース部材９３と、ベース部材９３上を前進後退可能に設けられ、ＬＣＤ基板Ｇを保持する基板保持アーム９４とを有している。そして、昇降部材９２の昇降はモータ９５によって行われ、ベース部材９３の旋回はモータ９６によって行われ、基板保持アーム９４の前後動はモータ９７によって行われる。このように第１の搬送装置３３は、上下動、前後動、旋回動可能であり、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１・３２のいずれのユニットにもアクセスすることができる。
【００２３】
第２の熱的処理ユニットセクション２７は、ＬＣＤ基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４・３５を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４はレジスト処理ユニット２３側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４・３５の間に第２の搬送装置３６が設けられている。
【００２４】
図３は第２の熱的処理ユニットセクション２７の側面図であり、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６９とＬＣＤ基板Ｇに対してプリベーク処理を行う３つのプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７０・７１・７２が４段に積層された構成となっている。また、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）７３、ＬＣＤ基板Ｇを冷却するクーリングユニット（ＣＯＬ）７４、ＬＣＤ基板Ｇに対してプリベーク処理を行う２つのプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７５・７６が４段に積層された構成となっている。
【００２５】
第２の搬送装置３６は、パスユニット（ＰＡＳＳ）６９を介してのレジスト処理ユニット２３からのＬＣＤ基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間のＬＣＤ基板Ｇの搬入出、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３を介しての現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へのＬＣＤ基板Ｇの受け渡し、および後述するインターフェイスステーション３の基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４に対するＬＣＤ基板Ｇの受け渡しおよび受け取りを行う。なお、第２の搬送装置３６は、第１の搬送装置３３と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４・３５のいずれのユニットにもアクセス可能である。
【００２６】
第３の熱的処理ユニットセクション２８は、ＬＣＤ基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７・３８を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８はカセットステーション１側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７・３８の間に第３の搬送装置３９が設けられている。
【００２７】
図４は第３の熱的処理ユニットセクション２８の側面図であり、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７は、下から順に、ＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）７７、ＬＣＤ基板Ｇに対してポストベーク処理を行う３つのポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）７８・７９・８０が４段に積層された構成を有している。また、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８は、下から順に、ポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８１、ＬＣＤ基板Ｇの受け渡しおよび冷却を行うパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２、ＬＣＤ基板Ｇに対してポストベーク処理を行う２つのポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８３・８４が４段に積層された構成を有している。
【００２８】
第３の搬送装置３９は、パスユニット（ＰＡＳＳ）７７を介してのｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５からのＬＣＤ基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間のＬＣＤ基板Ｇの搬入出、パス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２を介してのカセットステーション１へのＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行う。なお、第３の搬送装置３９も第１の搬送装置３３と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７・３８のいずれのユニットにもアクセス可能である。
【００２９】
処理ステーション２では、以上のように２列の搬送ラインＡ・Ｂを構成するように、かつ基本的に処理の順になるように各処理ユニットおよび搬送装置が配置されており、これら搬送ラインＡ・Ｂ間には空間４０が設けられている。そして、この空間４０を往復動可能にシャトル（基板載置部材）４１が設けられている。このシャトル４１はＬＣＤ基板Ｇを保持可能に構成されており、シャトル４１を介して搬送ラインＡ・Ｂ間でＬＣＤ基板Ｇの受け渡しが行われる。シャトル４１に対するＬＣＤ基板Ｇの受け渡しは、上記第１から第３の搬送装置３３・３６・３９によって行われる。
【００３０】
インターフェイスステーション３は、処理ステーション２と露光装置４との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出を行う搬送装置４２と、バッファーカセットを配置するバッファーステージ（ＢＵＦ）４３と、冷却機能を備えた基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４とを有しており、タイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とが上下に積層された外部装置ブロック４５が搬送装置４２に隣接して設けられている。搬送装置４２は搬送アーム４２ａを備え、この搬送アーム４２ａにより処理ステーション２と露光装置４との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出が行われる。
【００３１】
このように構成されたレジスト塗布・現像処理システム１００においては、まず、カセットステーション１の載置台９に配置されたカセットＣ内のＬＣＤ基板Ｇが、搬送装置１１により処理ステーション２のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２に直接搬入され、スクラブ前処理が行われる。次いで、搬送装置１１により、ＬＣＤ基板Ｇがスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１に搬入され、スクラブ洗浄される。スクラブ洗浄処理後、ＬＣＤ基板Ｇは例えばコロ搬送により第１の熱的処理ユニットセクション２６に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のパスユニット（ＰＡＳＳ）６１に搬出される。
【００３２】
パスユニット（ＰＡＳＳ）６１に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、最初に、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１の脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６２・６３のいずれかに搬送されて加熱処理され、次いで熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のクーリングユニット（ＣＯＬ）６６・６７のいずれかに搬送されて冷却された後、レジストの定着性を高めるために熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６４、および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６８のいずれかに搬送され、そこでＨＭＤＳによりアドヒージョン処理（疎水化処理）される。その後、ＬＣＤ基板Ｇは、クーリングユニット（ＣＯＬ）６６・６７のいずれかに搬送されて冷却され、さらに熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニット（ＰＡＳＳ）６５に搬送される。このような一連の処理を行う際のＬＣＤ基板Ｇの搬送処理は、全て第１の搬送装置３３によって行われる。
【００３３】
パスユニット（ＰＡＳＳ）６５に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、レジスト処理ユニット２３の搬送アームによりレジスト処理ユニット２３内へ搬入される。ＬＣＤ基板Ｇは、レジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａにおいてレジスト液がスピン塗布された後に減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂに搬送されて減圧乾燥され、さらに周縁レジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃに搬送されてＬＣＤ基板Ｇ周縁の余分なレジストが除去される。そして、周縁レジスト除去終了後、ＬＣＤ基板Ｇは搬送アームによりレジスト処理ユニット２３から、第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のパスユニット（ＰＡＳＳ）６９に受け渡される。
【００３４】
パスユニット（ＰＡＳＳ）６９に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、第２の搬送装置３６により、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７０・７１・７２および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７５・７６のいずれかに搬送されてプリベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のクーリングユニット（ＣＯＬ）７４に搬送されて所定温度に冷却される。そして、第２の搬送装置３６により、さらに熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３に搬送される。
【００３５】
その後、ＬＣＤ基板Ｇは第２の搬送装置３６によりインターフェイスステーション３のエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４へ搬送され、インターフェイスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４５の周辺露光装置（ＥＥ）に搬送されて周辺レジスト除去のための露光が行われ、次いで搬送装置４２により露光装置４に搬送されてそこでＬＣＤ基板Ｇ上のレジスト膜が露光されて所定のパターンが形成される。場合によってはバッファーステージ（ＢＵＦ）４３上のバッファカセットにＬＣＤ基板Ｇを収容してから露光装置４に搬送される。
【００３６】
露光終了後、ＬＣＤ基板Ｇはインターフェイスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４５の上段のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入されてＬＣＤ基板Ｇに所定の情報が記された後、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４に載置される。ＬＣＤ基板Ｇは、第２の搬送装置３６により、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４から第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３へ搬送される。
【００３７】
パスユニット（ＰＡＳＳ）７３から現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４まで延長されている例えばコロ搬送機構を作用させることにより、ＬＣＤ基板Ｇはパスユニット（ＰＡＳＳ）７３から現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へ搬入され、そこで現像処理が施される。この現像処理工程については後に詳細に説明することとする。
【００３８】
現像処理終了後、ＬＣＤ基板Ｇは現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４から連続する搬送機構、例えばコロ搬送によりｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に搬送され、ＬＣＤ基板Ｇに対して脱色処理が施される。その後、ＬＣＤ基板Ｇはｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５内のコロ搬送機構により第３の熱的処理ユニットセクション２８に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のパスユニット（ＰＡＳＳ）７７に搬出される。
【００３９】
パスユニット（ＰＡＳＳ）７７に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、第３の搬送装置３９により熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）７８・７９・８０および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８１・８３・８４のいずれかに搬送されてポストベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２に搬送されて所定温度に冷却された後、カセットステーション１の搬送装置１１によって、カセットステーション１に配置されている所定のカセットＣに収容される。
【００４０】
次に、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の構造について詳細に説明する。図５は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の概略構造を示す側面図であり、図６は概略平面図である。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４は、導入ゾーン２４ａ、第１の現像液供給ゾーン２４ｂ、第２の現像液供給ゾーン２４ｃ、液切り／リンスゾーン２４ｄ、第１リンスゾーン２４ｅ、第２リンスゾーン２４ｆ、乾燥ゾーン２４ｇから構成されており、導入ゾーン２４ａは熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３に隣接し、乾燥ゾーン２４ｇはｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に隣接している。
【００４１】
パスユニット（ＰＡＳＳ）７３とｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５の間には、コロ（車輪）１７の中心をＹ方向に延在する軸部材１３が貫通し、モータ等を駆動してこの軸部材１３を回転させることによってコロ１７を回転させてコロ１７に接したＬＣＤ基板Ｇを所定方向（Ｘ方向）へ搬送するコロ搬送機構１４が設けられている。コロ１７はＬＣＤ基板Ｇに撓み等が生じ難いように、ＬＣＤ基板Ｇの搬送方向およびこの搬送方向に垂直な方向に所定数設けられている。
【００４２】
なお、図６にはコロ搬送機構１４は図示していない。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、コロ搬送機構１４をＬＣＤ基板Ｇの搬送速度が異なる領域に分割して設け、その領域ごとに独立して駆動してもよい。例えば、ＬＣＤ基板Ｇは、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３と導入ゾーン２４ａでは駆動源である例えば第１のモータの駆動によって搬送され、第１の現像液供給ゾーン２４ｂと液切り／リンスゾーン２４ｄの間では第２のモータの駆動によって搬送され、第１リンスゾーン２４ｅから乾燥ゾーン２４ｇの間では第３のモータの駆動によって搬送されるようにすることができる。このようなコロ搬送機構１４の分割駆動は、例えば、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４を構成するゾーンごとに行うこともできる。なお、駆動源はそれぞれ図示しない制御部によって制御され、基板Ｇを所定の搬送速度および加速度で搬送可能である。
【００４３】
パスユニット（ＰＡＳＳ）７３は昇降自在な昇降ピン１６を具備している。ＬＣＤ基板Ｇを保持した第２の搬送装置３６の基板保持アーム９４がパスユニット（ＰＡＳＳ）７３内に進入した状態で昇降ピン１６を上昇させると、ＬＣＤ基板Ｇは基板保持アーム９４から昇降ピン１６に受け渡される。続いて、基板保持アーム９４をパスユニット（ＰＡＳＳ）７３から退出させた後に昇降ピン１６を降下させると、ＬＣＤ基板Ｇはパスユニット（ＰＡＳＳ）７３内のコロ１７上に載置される。コロ搬送機構１４を動作させることによって、ＬＣＤ基板Ｇはパスユニット（ＰＡＳＳ）７３から導入ゾーン２４ａへ搬出される。
【００４４】
導入ゾーン２４ａは、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３と第１の現像液供給ゾーン２４ｂとの間の緩衝領域として設けられているものであり、この導入ゾーン２４ａは、第１の現像液供給ゾーン２４ｂからパスユニット（ＰＡＳＳ）７３へ現像液が飛散する等して、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３が汚染されるのを防止する。
【００４５】
第１の現像液供給ゾーン２４ｂは、導入ゾーン２４ａから搬送されてきたＬＣＤ基板Ｇに最初の現像液の液盛り（パドル形成）を行うゾーンであり、ＬＣＤ基板Ｇに対して現像液を塗布する主現像液吐出ノズル５１ａと副現像液吐出ノズル５１ｂ（以下「現像ノズル５１ａ・５１ｂ」という）の２本のノズルと、Ｘ方向に延在するガイドレール５９と、ガイドレール５９と嵌合しているスライドアーム５８と、スライドアーム５８をガイドレール５９に沿ってＸ方向へ移動させる図示しない駆動機構と、スライドアーム５８に取り付けられた図示しない昇降機構とを有しており、現像ノズル５１ａ・５１ｂはこの昇降機構に取り付けられて昇降自在となっている。
【００４６】
現像ノズル５１ａ・５１ｂには図示しない現像液供給源から現像液が供給されるようになっており、例えば、昇降機構によって現像ノズル５１ａ・５１ｂとＬＣＤ基板Ｇとの間隔を調整した後に、ＬＣＤ基板Ｇの搬送方向とは逆の方向に現像ノズル５１ａ・５１ｂを移動させながら現像ノズル５１ａ・５１ｂから現像液をＬＣＤ基板Ｇに吐出することで、ＬＣＤ基板Ｇに現像液を塗布することができる。このとき、ＬＣＤ基板Ｇ上に現像液のパドルを安定して形成するためには、ＬＣＤ基板Ｇはコロ搬送機構１４の動作を停止して静止させた状態とすることが好ましい。
【００４７】
現像ノズル５１ａ・５１ｂとしては、ＬＣＤ基板Ｇの幅方向（Ｙ方向）に長く（図６参照）、その下端には長手方向に沿ってスリット状の吐出口が形成され、そのスリット状の吐出口から略帯状に現像液を吐出することができる構造のものが好適に用いられる。現像ノズル５１ａ・５１ｂには、スリット状の吐出口に代えて複数の円形吐出口が所定間隔で複数形成されているものを用いることもできる。
【００４８】
第１の現像液供給ゾーン２４ｂで現像液が液盛りされたＬＣＤ基板Ｇを液切り／リンスゾーン２４ｄへ搬送する間に、ＬＣＤ基板Ｇ上から現像液がこぼれ落ちる場合がある。第２の現像液供給ゾーン２４ｃでは、こうしてＬＣＤ基板の搬送途中にＬＣＤ基板Ｇからこぼれ落ちる現像液によって現像反応が進まなくなることを防止するために、新たにＬＣＤ基板Ｇに現像液を補充するように現像液を塗布する。
【００４９】
第２の現像液供給ゾーン２４ｃには、現像ノズル５１ａ・５１ｂと同様の構造を有する現像液補充ノズル５１ｃが、その長手方向がＹ方向となるとなるように固定して設けられている。現像液補充ノズル５１ｃからは、コロ搬送機構１４によって搬送されるＬＣＤ基板Ｇ上に所定量の現像液が略帯状に吐出される。なお、この第２の現像液供給ゾーン２４ｃは必須なものではない。
【００５０】
ＬＣＤ基板Ｇの現像反応は、第１の現像液供給ゾーン２４ｂから液切り／リンスゾーン２４ｄに搬送される間に行われる。液切り／リンスゾーン２４ｄにおいては、ＬＣＤ基板Ｇ上の現像液を流し出し、さらにＬＣＤ基板Ｇの表面に純水等のリンス液を吐出して、ＬＣＤ基板Ｇ上の現像液を洗い流す。
【００５１】
このような処理を行うために、液切り／リンスゾーン２４ｄには、コロ搬送機構１４によって搬送されるＬＣＤ基板Ｇを停止させる基板停止機構として、ＬＣＤ基板ＧのＹ方向端部を上下方向から挟み込んでＬＣＤ基板Ｇを停止させるブレーキ部材１５が所定位置に設けられている。一定の速度で搬送されてくるＬＣＤ基板Ｇが所定位置に到達したときに、このブレーキ部材１５を動作させてＬＣＤ基板Ｇを急停止させると、ＬＣＤ基板Ｇの表面に液盛りされた現像液は慣性力によって前方へ押し出されて、ＬＣＤ基板Ｇから流れ落ちる。こうしてＬＣＤ基板Ｇ上の現像液の多くを短時間でＬＣＤ基板Ｇの表面から除去することができる。
【００５２】
ブレーキ部材１５においてＬＣＤ基板Ｇと接触する部分は、現像液に濡れた状態においても、ＬＣＤ基板Ｇとの間で大きな摩擦力を維持できる材料、例えば、ゴム材料等が好適に用いられる。また、このゴム材料の表面に所定の溝加工を施す等して、ゴム材料がＬＣＤ基板Ｇを挟み込んだときに現像液を外部へ逃がしやすい構造とすることが好ましい。
【００５３】
液切り／リンスゾーン２４ｄには、急停止されたＬＣＤ基板Ｇの表面に残っている現像液を洗い流すリンス液（純水）を供給するリンスノズル５２と、リンスノズル５２を保持するリンスノズルアーム８７と、リンスノズルアーム８７と嵌合し、ＬＣＤ基板Ｇの搬送方向に延在するように設けられたガイドレール８６と、ガイドレール８６に沿ってリンスノズルアーム８７を移動させる駆動機構８８とが設けられている。ＬＣＤ基板Ｇの表面に沿ってリンスノズル５２をＬＣＤ基板Ｇの前方端と後方端との間で移動させながら、リンスノズル５２からリンス液をＬＣＤ基板Ｇに吐出することによって、ＬＣＤ基板Ｇに残っている現像液を洗い流す。リンスノズル５２の移動は高速、例えば、５００ｍｍ／秒で行うことができ、こうしてＬＣＤ基板Ｇの現像液除去を短時間で行うことができる。
【００５４】
リンスノズル５２の１回の移動でＬＣＤ基板Ｇ全体にリンス液が行き渡るように、リンスノズル５２はＬＣＤ基板Ｇの幅方向（Ｙ方向）に長く、略帯状にリンス液を吐出するものを用いることが好ましい。リンスノズル５２からはスプレー状にリンス液を吐出させてもよい。
【００５５】
液切り／リンスゾーン２４ｄにおける現像液の除去処理では現像液の除去は完全ではなく、このために第１リンスゾーン２４ｅと第２リンスゾーン２４ｆにおいて、ＬＣＤ基板Ｇを搬送しながらさらにＬＣＤ基板Ｇにリンス液を供給して徹底的に現像液を除去する。
【００５６】
第１リンスゾーン２４ｅには２組のリンスノズル５３ａ・５３ｂが設けられ、第２リンスゾーンにも２組のリンスノズル５３ｃ・５３ｄが設けられている。リンスノズル５３ａ〜５３ｄは、それぞれＬＣＤ基板Ｇの表面側に２本設けられ、裏面側に１本設けられている。リンスノズル５３ａ〜５３ｄとしては、搬送されるＬＣＤ基板Ｇ全体にリンス液を吐出できるように、ＬＣＤ基板Ｇの幅方向（Ｙ方向）に長く、略帯状にリンス液を吐出するものを用いることが好ましい。なお、第１リンスゾーン２４ｅと第２リンスゾーン２４ｆは、１箇所のリンスゾーンとして構成することが可能である。
【００５７】
第２リンスゾーン２４ｆを通過したＬＣＤ基板Ｇが搬送される乾燥ゾーン２４ｇには、所定の風圧で窒素ガス等の乾燥ガスを噴射するエアーノズル（エアーナイフ）５４が設けられている。乾燥ゾーン２４ｇにおいては、ＬＣＤ基板Ｇを所定速度で搬送しながらＬＣＤ基板Ｇの表面と裏面に乾燥ガスを噴射して、ＬＣＤ基板Ｇに付着したリンス液を吹き飛ばしてＬＣＤ基板Ｇを乾燥する。エアーノズル５４は、ＬＣＤ基板Ｇの幅よりも長い形状を有しており、ＬＣＤ基板Ｇの幅方向全体に乾燥ガスを吐出することができるようになっている。乾燥処理が終了したＬＣＤ基板Ｇは、コロ搬送機構１４によりｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に搬送される。
【００５８】
次に、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４における現像処理工程について説明する。図７は現像処理工程の概略を示す説明図（フローチャート）である。先ずコロ搬送機構１４を動作させて、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３に搬入されたＬＣＤ基板Ｇを導入ゾーン２４ａを通過させて第１の現像液供給ゾーン２４ｂに搬入する（ステップ１）。このパスユニット（ＰＡＳＳ）７３から第１の現像液供給ゾーン２４ｂへのＬＣＤ基板Ｇの搬送速度は、例えば６５ｍｍ／秒とする。
【００５９】
第１の現像液供給ゾーン２４ｂにおいては、ＬＣＤ基板Ｇを所定位置で停止させて静止状態に保持し（ステップ２）、現像ノズル５１ａ・５１ｂを、例えば、２４０ｍｍ／秒という高速で基板搬送方向の前方から後方へ向けて移動させながらＬＣＤ基板Ｇの表面に現像液を塗布する（ステップ３）。ＬＣＤ基板Ｇを停止させた状態とすることで、現像ノズル５１ａ・５１ｂの駆動制御が容易となる。また、安定して現像液をＬＣＤ基板上に液盛りすることができる。
【００６０】
コロ搬送機構１４を動作させて、第１の現像液供給ゾーン２４ｂにおける液盛りが終了したＬＣＤ基板Ｇを、例えば、４６ｍｍ／秒の搬送速度で第２の現像液供給ゾーン２４ｃへ搬送する（ステップ４）。ＬＣＤ基板Ｇが第２の現像液供給ゾーン２４ｃを通過する際には、現像液補充ノズル５１ｃからＬＣＤ基板Ｇ上に現像液が補充され、ＬＣＤ基板Ｇの搬送時にＬＣＤ基板Ｇからこぼれ落ちる現像液が補充される（ステップ５）。
【００６１】
引き続いて、コロ搬送機構１４により、第２の現像液供給ゾーン２４ｃに搬送されたＬＣＤ基板Ｇを液切り／リンスゾーン２４ｄに搬送する（ステップ６）。ＬＣＤ基板Ｇが液切り／リンスゾーン２４ｄの所定位置に到達したときに、ブレーキ部材１５を動作させてＬＣＤ基板Ｇを上下から挟み込み、かつ、コロ搬送機構１４の動作を停止させて、ＬＣＤ基板Ｇを急停止させる（ステップ７）。こうして、ＬＣＤ基板Ｇ上の現像液とレジスト膜が溶解することによって生成する反応物（溶解生成物）は、慣性力によってＬＣＤ基板Ｇの表面から流れ落ちる。
【００６２】
ＬＣＤ基板Ｇを急停止させて現像液を流し出すとほぼ同時に、リンスノズル５２から所定のリンス液をＬＣＤ基板Ｇに向けて吐出させながら、リンスノズルアーム８７をＬＣＤ基板Ｇの表面に沿って、例えば５００ｍｍ／秒の速度で移動させ、ＬＣＤ基板Ｇの表面に残った現像液と溶解生成物を洗い流す（ステップ８）。
【００６３】
続いて、ＬＣＤ基板Ｇを、例えば４６ｍｍ／秒の搬送速度で第１リンスゾーン２４ｅに搬送する（ステップ９）。このとき、静止状態にあるＬＣＤ基板Ｇを、例えば、５０ｍｍ／秒以上の加速度で急加速させて搬送することで、ＬＣＤ基板Ｇ上のリンス液を流し出すことができる。第１リンスゾーン２４ｅでは、ＬＣＤ基板Ｇをこの搬送速度で搬送しながらＬＣＤ基板Ｇの表面と裏面にリンス液を吐出して、ＬＣＤ基板Ｇに残っている現像液と溶解生成物の除去（リンス処理）を行う（ステップ１０）。
【００６４】
第１リンスゾーン２４ｅを通過したＬＣＤ基板Ｇは第２リンスゾーン２４ｆに搬入される（ステップ１１）。第２リンスゾーン２４ｆにおいては第１リンスゾーン２４ｅと同様のリンス処理が行われ（ステップ１２）、現像液や溶解生成物が完全に除去される。このステップ１２においては、ＬＣＤ基板Ｇの搬送速度を、例えば、３６ｍｍ／秒と、先の第１リンスゾーン２４ｅにおける搬送速度よりも遅くして、より精密なリンス処理を行うことが好ましい。
【００６５】
第２リンスゾーン２４ｆを通過したＬＣＤ基板Ｇは乾燥ゾーン２４ｇに搬入される（ステップ１３）。乾燥ゾーン２４ｇでは、例えば４６ｍｍ／秒の搬送速度でＬＣＤ基板Ｇを搬送しながら、エアーノズル５４による乾燥処理が行われる（ステップ１４）。乾燥処理が終了したＬＣＤ基板Ｇは、コロ搬送機構１４によりｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に搬送され（ステップ１５）、そこで所定の紫外線照射処理が施される。
【００６６】
次に、液切り／リンスゾーン２４ｄにおいてＬＣＤ基板Ｇ上の現像液を流し出す別の方法と、その方法に用いる装置について説明する。図８は液切り／リンスゾーン２４ｄの別の実施形態（以下、「液切り／リンスゾーン２４ｄ´」とする）を示す平面図（ａ）と側面図（ｂ）である。液切り／リンスゾーン２４ｄ´には、ＬＣＤ基板Ｇの裏面を吸着保持し、吸着保持したＬＣＤ基板ＧをＹ方向に揺動する吸着揺動機構１８が複数箇所に配置されている。この吸着揺動機構１８は、例えば、ＬＣＤ基板Ｇを真空吸引して保持することができ、また、図示しない昇降機構により昇降自在であって、Ｙ方向に全ての吸着揺動機構１８が同時に往復スライドするように揺動自在となっている。なお、吸着揺動機構１８も図示しない制御部によって制御される。
【００６７】
ＬＣＤ基板Ｇが液切り／リンスゾーン２４ｄ´に搬送される際には、吸着揺動機構１８の上端は、ＬＣＤ基板Ｇの裏面よりも下の位置に待機させた状態に保持する。ＬＣＤ基板Ｇが液切り／リンスゾーン２４ｄ´の所定位置に到達したときに、コロ搬送機構１４の動作を停止させ、次に吸着揺動機構１８を上昇させてＬＣＤ基板Ｇを吸着し、ＬＣＤ基板Ｇの裏面がコロ１７から離れた位置でＬＣＤ基板Ｇを保持する。図８（ｂ）には吸着揺動機構１８がＬＣＤ基板Ｇを所定高さに持ち上げた状態が示されており、この状態においてＬＣＤ基板ＧをＹ方向に揺動することで、ＬＣＤ基板Ｇ上に液盛りされた現像液をＬＣＤ基板Ｇから流し出すことができる。ＬＣＤ基板Ｇへのリンスノズル５２からのリンス液の吐出は、ＬＣＤ基板ＧをＹ方向に揺動させた状態で行うと、リンス液等をＬＣＤ基板Ｇに滞留させずに流し出すことができる。
【００６８】
図９は液切り／リンスゾーン２４ｄのさらに別の実施形態（以下、「液切り／リンスゾーン２４ｄ″」とする）を示す平面図（ａ）と、液切り／リンスゾーン２４ｄ″の概略斜視図（ｂ）である。液切り／リンスゾーン２４ｄ″には、ＬＣＤ基板Ｇを搬送するコロとして、Ｘ方向においては基板搬送方向の後方から前方へ向けて徐々に直径が大きくなり、かつ、Ｙ方向においては端部から中心部に向けて徐々に直径が大きくなるように、直径を変化させたコロ１７´が配置されている。このために、ＬＣＤ基板Ｇは、その高さがＸ方向においては後方から前方へ向けて徐々に高くなり、かつ、Ｙ方向においては端部から中心部に向けて徐々に高くなるように、略山型に撓む。なお、Ｙ方向の端部に取り付けられたコロ１７´については、その直径を一定としてもよい。
【００６９】
このように液切り／リンスゾーン２４ｄ″においては、コロ搬送機構１４は、ＬＣＤ基板Ｇを所定位置へ搬送しつつ、ＬＣＤ基板Ｇを略山形に撓ませて、ＬＣＤ基板Ｇの表面から自然に現像液を流し出すことができるようになっている。このようにＬＣＤ基板Ｇが撓んだ状態でリンス液をＬＣＤ基板Ｇへ吐出すると、リンス液はＬＣＤ基板Ｇの変形した形に沿ってＬＣＤ基板Ｇから流れ落ちるため、リンス液のＬＣＤ基板Ｇ上での滞留を防止することができる。
【００７０】
液切り／リンスゾーン２４ｄ″において略山型に撓ませたＬＣＤ基板Ｇを、元の略水平姿勢に戻しながら第１リンスゾーン２４ｅと第２リンスゾーン２４ｆへ搬送するために、例えば、第１リンスゾーン２４ｅには、液切り／リンスゾーン２４ｄ″とは反対に、ＬＣＤ基板Ｇの高さがＸ方向においては後方から前方へ向けて徐々に低くなり、かつ、Ｙ方向においては端部から中心部に向けて徐々に低くなって略水平姿勢に戻るように直径を変化させたコロを配置することが好ましい。こうしてＬＣＤ基板Ｇに急激な変形が起こることが防止される。
【００７１】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。例えば、第１の現像液供給ゾーン２４ｂにおいては、現像ノズル５１ａ・５１ｂを長手方向をＸ方向に一致させて、Ｙ方向にスライドさせてもよい。同様に、液切り／リンスゾーン２４ｄ・２４ｄ´・２４ｄ″においても、リンスノズル５２の長手方向をＸ方向に一致させて、Ｙ方向にスライドさせてもよい。
【００７２】
また、基板停止機構として、ブレーキ部材１５を設ける代わりに、基板Ｇを挟んで少なくとも１つのコロ１７に対向するように別のコロを設け、両方のコロの回転を制御してＬＣＤ基板Ｇを急停止させてもよい。また、逆に同じ構造では、両方のコロをＬＣＤ基板Ｇを急加速させる基板加速機構として用いることもできる。さらに、基板停止機構として、ブレーキ部材１５を設ける代わりに、コロ１７自体をＬＣＤ基板Ｇと接触する部位に大きな摩擦力が生じる構造にして、ＬＣＤ基板Ｇを急停止または急加速してもよい。例えば、コロ１７の周囲にゴム材料を取り付けたり、またはコロ１７の周囲に吸盤を取り付けたり、あるいはコロ１７の周囲に吸引孔を設けてコロ１７の上側に位置する吸引孔のみコロ１７の内側に向かって吸引する構造にしてもよい。
【００７３】
吸着揺動機構１８はＸ方向に往復スライドするように揺動させてもよく、Ｘ方向とＹ方向の双方に揺動させてもよい。また、吸着揺動機構１８でＬＣＤ基板Ｇを保持する際に、ＬＣＤ基板Ｇが傾斜した状態で保持されるように吸着揺動機構１８の高さを制御し、その後にＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向のいずれかまたはそのいくつかの組合せで所定の方向に揺動させてもよい。さらに、ＬＣＤ基板Ｇを保持して揺動させる機構として真空吸着を用いた吸着揺動機構１８を示したが、このような吸着保持の手法を用いずに、例えば、ＬＣＤ基板Ｇの端面に当接するガイドピン等の基板位置決め治具が設けられた複数のプレートでＬＣＤ基板Ｇを保持し、このような複数のプレートを同時に揺動させることで、ＬＣＤ基板Ｇ上の現像液を流し出すことも可能である。本発明はＬＣＤ基板Ｇに限定して適用されるものではなく、ＬＣＤ以外の他の用途に用いられるガラス基板や、半導体ウエハ、その他のセラミックス基板等の液処理にも適用することができる。
【００７４】
【発明の効果】
上述の通り、本発明によれば、基板を急停止させることで基板上の塗布液に掛かる慣性力を利用して、または基板を揺動させることにより、または基板を搬送しながら撓ませることにより、基板上に塗布された処理液を短時間で除去することができる。これによって、基板の液処理状態を基板全体で均一なものとすることができ、基板の品質が高められるという効果が得られる。また、本発明によれば、液処理時間の短縮が可能であり、スループットを向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の液処理装置の一実施形態である現像処理ユニットを具備するレジスト塗布・現像処理システムの概略平面図。
【図２】 図１に示したレジスト塗布・現像処理システムの第１の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。
【図３】 図１に示したレジスト塗布・現像処理システムの第２の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。
【図４】 図１に示したレジスト塗布・現像処理システムの第３の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。
【図５】 本発明の一実施形態である現像処理ユニットの概略構造を示す側面図。
【図６】 本発明の一実施形態である現像処理ユニットの概略構造を示す平面図。
【図７】 現像処理工程の概略を示す説明図（フローチャート）。
【図８】 現像処理ユニットにおける液切り／リンスゾーンの別の実施形態を示す平面図と側面図。
【図９】 現像処理ユニットにおける液切り／リンスゾーンのさらに別の実施形態を示す平面図と概略斜視図。
【符号の説明】
１；カセットステーション
２；処理ステーション
３；インターフェイスステーション
１５；ブレーキ部材
１７・１７´；コロ
１８；吸着揺動機構
２４；現像処理ユニット（ＤＥＶ）
２４ａ；導入ゾーン
２４ｂ；第１の現像液供給ゾーン
２４ｃ；第２の現像液供給ゾーン
２４ｄ・２４ｄ´・２４ｄ″；液切り／リンスゾーン
２４ｅ；第１リンスゾーン
２４ｆ；第２リンスゾーン
２４ｇ；乾燥ゾーン
Ｇ……ＬＣＤ基板
【発明が属する技術分野】
本発明は、例えば液晶表示装置（ＬＣＤ）に用いられるガラス基板等に対して現像処理等の所定の液処理を施すために用いられる液処理装置と液処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＣＤの製造においては、ＬＣＤガラス基板（以下「ＬＣＤ基板」という）にレジスト膜を形成した後に、回路パターンに対応してこのレジスト膜を露光し、さらにこれを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィー技術を用いてＬＣＤ基板に所定の回路パターンを形成している。ここで、例えば、現像処理については、基板を水平姿勢で水平方向に搬送しながら、基板の表面に現像液を塗布して基板上に現像液パドルを形成し、この状態で所定時間保持することで現像反応を進行させ、その後に基板を傾斜姿勢に変換して現像液を流し出し、続いてリンス液を基板に供給して現像液残渣を除去する洗浄（リンス）処理を行う方法が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、一辺の長さが１ｍにも及ぶような大型のＬＣＤ基板を水平姿勢から傾斜姿勢に変換する際には、その傾斜角度を大きくすることは困難である。このためにＬＣＤ基板から現像液が流れ落ちて、その殆どがＬＣＤ基板から除去されるまでの時間が長くなり、現像反応がＬＣＤ基板面内で不均一になるという問題がある。
【０００４】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、基板に塗布された処理液を短時間で基板上から流し出すことができる液処理装置および液処理方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の観点によれば、基板を略水平姿勢で略水平方向に搬送する基板搬送機構と、前記基板搬送機構によって搬送される基板に所定の処理液を塗布する処理液供給機構と、前記処理液が塗布されて前記基板搬送機構によって搬送される基板を急停止させる基板停止機構と、を具備し、前記処理液の塗布された基板を前記基板停止機構を動作させて急停止させることによって、前記基板上の処理液が慣性力によって前記基板から流し出されるように構成され、前記基板停止機構は、前記基板搬送機構によって搬送される基板の周縁を所定位置で上下から挟み込む把持部材と、前記把持部材を上下方向に駆動する駆動機構と、を有し、前記把持部材の基板と接触する部分に、処理液を外部へ逃がすための溝が設けられていることを特徴とする液処理装置、が提供される。
【０００６】
本発明の第２の観点によれば、基板を略水平姿勢で略水平方向に搬送する基板搬送機構と、前記基板搬送機構によって搬送される基板に所定の処理液を塗布する処理液供給機構と、前記基板搬送機構によって搬送される前記処理液の塗布された基板を停止させる基板停止機構と、前記基板停止機構によって停止した基板を保持する基板保持機構と、前記基板保持機構に保持された基板を水平面内において揺動する基板揺動機構と、を具備し、前記処理液の塗布された基板を前記基板揺動機構によって揺動させることで前記基板上の処理液が流し出されることを特徴とする液処理装置、が提供される。
【０００７】
本発明の第３の観点によれば、基板に所定の処理液を塗布する処理液塗布部と、前記処理液の塗布された基板上から処理液を除去する処理液除去部と、前記処理液塗布部から前記処理液除去部へ基板を略水平姿勢で略水平方向に搬送する基板搬送機構と、を具備し、前記処理液除去部は、前記基板搬送機構によって搬送される基板をその高さが前記基板搬送機構による基板搬送方向においては後方から前方へ向けて徐々に高くなるようにかつ前記基板搬送方向に垂直な水平方向においては端部から中心部に向けて徐々に高くなるように撓ませて支持する基板支持機構を有し、前記基板支持機構によって基板を撓ませることで前記基板に塗布された処理液が前記基板から流し出されることを特徴とする液処理装置、が提供される。
【０００８】
本発明の第４の観点によれば、基板に所定の液処理を施す液処理方法であって、略水平姿勢の基板の表面に処理液を塗布してパドルを形成する第１工程と、前記パドルの形成された基板を略水平方向に所定位置まで搬送する第２工程と、前記所定位置において前記基板を保持する第３工程と、前記パドルの処理液が前記基板の表面から流れ落ちるように前記保持された基板を水平面内において揺動する第４工程と、を有することを特徴とする液処理方法、が提供される。
【０００９】
本発明の第５の観点によれば、基板に所定の液処理を施す液処理方法であって、略水平姿勢の基板の表面に処理液を塗布してパドルを形成する第１工程と、前記パドルの形成された基板を略水平方向に所定位置まで搬送する第２工程と、前記所定位置においては、前記パドルの処理液が前記基板の表面から流れ落ちるように、前記基板の高さが基板の搬送方向においては後方から前方へ向けて徐々に高くなるように、かつ、基板の搬送方向に垂直な水平方向においては端部から中心部に向けて徐々に高くなるように、前記基板を略山型に撓ませながら移動させる第３工程と、を有することを特徴とする液処理方法、が提供される。
【００１０】
本発明の第６の観点によれば、基板に所定の液処理を行う液処理装置であって、複数のコロを回転させて前記コロに接した基板を略水平姿勢で略水平方向へ搬送するコロ搬送機構と、前記コロ搬送機構によって搬送される基板に所定の処理液を塗布する処理液供給機構と、基板の裏面を保持し、保持した基板を揺動させる揺動機構と、前記揺動機構を昇降させる昇降機構と、前記コロ搬送機構の動作を停止させ、かつ、前記揺動機構を上昇させて、基板の裏面が前記コロから離れた位置で前記揺動機構を揺動させるように、前記コロ搬送機構および前記揺動機構ならびに前記昇降機構を制御する制御部と、を具備し、前記揺動機構は、前記コロの回転軸方向に揺動し、処理液が塗布された基板を前記揺動機構によって揺動させることで前記基板上の処理液が流し出されることを特徴とする液処理装置、が提供される。
また、本発明の第７の観点によれば、基板に所定の液処理を行う液処理装置であって、複数のコロを回転させて前記コロに接した基板を略水平姿勢で略水平方向へ搬送するコロ搬送機構と、前記コロ搬送機構によって搬送される基板に所定の処理液を塗布する処理液供給機構と、基板の裏面を保持し、保持した基板を揺動させる揺動機構と、前記揺動機構を昇降させる昇降機構と、前記コロ搬送機構の動作を停止させ、かつ、前記揺動機構を上昇させて、基板の裏面が前記コロから離れた位置で前記揺動機構を揺動させるように、前記コロ搬送機構および前記揺動機構ならびに前記昇降機構を制御する制御部と、を具備し、前記揺動機構は、互いに直交する、基板の搬送方向、前記コロの回転軸方向、鉛直方向のいくつかの組み合わせで基板を揺動させ、処理液が塗布された基板を前記揺動機構によって揺動させることで前記基板上の処理液が流し出されることを特徴とする液処理装置、が提供される。
【００１１】
本発明の第８の観点によれば、基板に所定の液処理を行う液処理装置であって、複数のコロを回転させて前記コロに接した基板を略水平姿勢で略水平方向へ搬送するコロ搬送機構と、前記コロ搬送機構によって搬送される基板に所定の処理液を塗布する処理液供給機構と、基板の裏面を保持し、保持した基板を揺動させる揺動機構と、前記揺動機構を昇降させる昇降機構と、前記コロ搬送機構の動作を停止させ、かつ、前記揺動機構を上昇させて、基板の裏面が前記コロから離れた位置で前記揺動機構を揺動させるように、前記コロ搬送機構および前記揺動機構ならびに前記昇降機構を制御する制御部と、を具備し、前記揺動機構は、基板を吸着保持して揺動させ、処理液が塗布された基板を前記揺動機構によって揺動させることで前記基板上の処理液が流し出されることを特徴とする液処理装置、が提供される。
また、本発明の第９の観点によれば、基板に所定の液処理を行う液処理装置であって、複数のコロを回転させて前記コロに接した基板を略水平姿勢で略水平方向へ搬送するコロ搬送機構と、前記コロ搬送機構によって搬送される基板に所定の処理液を塗布する処理液供給機構と、基板の裏面を保持し、保持した基板を揺動させる揺動機構と、前記揺動機構を昇降させる昇降機構と、前記コロ搬送機構の動作を停止させ、かつ、前記揺動機構を上昇させて、基板の裏面が前記コロから離れた位置で前記揺動機構を揺動させるように、前記コロ搬送機構および前記揺動機構ならびに前記昇降機構を制御する制御部と、を具備し、前記揺動機構は、基板の端面に当接する基板位置決め手段が設けられた複数のプレートで前記基板を保持して揺動させ、処理液が塗布された基板を前記揺動機構によって揺動させることで前記基板上の処理液が流し出されることを特徴とする液処理装置、が提供される。
【００１２】
これらの液処理装置および液処理方法によれば、基板に塗布された処理液を短時間で除去することができることから、基板の液処理状態を基板全体で均一なものとすることができる。これにより基板の品質を高めることができる。また、液処理時間が短縮されるために、スループットを向上させることが可能となる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。ここでは、ＬＣＤ基板に対してレジスト膜の形成から現像までの処理を連続して行うレジスト塗布・現像処理システムを例に説明することとする。図１はレジスト塗布・現像処理システム１００の概略構成を示す平面図である。
【００１４】
このレジスト塗布・現像処理システム１００は、複数のＬＣＤ基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーション（搬入出部）１と、ＬＣＤ基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理ステーション（処理部）２と、露光装置４との間でＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイスステーション（インターフェイス部）３とを備えており、処理ステーション２の両端にそれぞれカセットステーション１およびインターフェイスステーション３が配置されている。なお、図１において、レジスト塗布・現像処理システム１００の長手方向をＸ方向、平面上においてＸ方向と直交する方向をＹ方向とする。
【００１５】
カセットステーション１は、カセットＣをＹ方向に並べて載置できる載置台９と、処理ステーション２との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出を行うための搬送装置１１を備えており、この載置台９と外部との間でカセットＣの搬送が行われる。また、搬送装置１１は搬送アーム１１ａを有し、カセットＣの配列方向であるＹ方向に沿って設けられた搬送路１０上を移動可能であり、搬送アーム１１ａによりカセットＣと処理ステーション２との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出が行われる。
【００１６】
処理ステーション２は、基本的にＸ方向に伸びるＬＣＤ基板Ｇ搬送用の平行な２列の搬送ラインＡ・Ｂを有しており、搬送ラインＡに沿ってカセットステーション１側からインターフェイスステーション３に向けてスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１、第１の熱的処理ユニットセクション２６、レジスト処理ユニット２３および第２の熱的処理ユニットセクション２７が配列されている。また、搬送ラインＢに沿ってインターフェイスステーション３側からカセットステーション１に向けて第２の熱的処理ユニットセクション２７、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５および第３の熱的処理ユニットセクション２８が配列されている。スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１の上の一部にはエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２が設けられている。なお、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２はスクラバ洗浄に先立ってＬＣＤ基板Ｇの有機物を除去するために設けられ、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５は現像の脱色処理を行うために設けられる。
【００１７】
上記スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１は、その中でＬＣＤ基板Ｇが略水平姿勢で搬送されつつ洗浄処理および乾燥処理が行われるようになっている。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４も、後に詳細に説明するように、ＬＣＤ基板Ｇが略水平に搬送されつつ現像液塗布、現像後の洗浄処理および乾燥処理が行われるようになっている。これらスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１および現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、ＬＣＤ基板Ｇの搬送は、例えば、コロ搬送またはベルト搬送により行われ、ＬＣＤ基板Ｇの搬入口および搬出口は相対向する短辺に設けられている。また、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５へのＬＣＤ基板Ｇの搬送は、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の搬送機構と同様の機構により連続して行われる。
【００１８】
レジスト処理ユニット２３には、略水平に保持されたＬＣＤ基板Ｇにレジスト液を滴下させて、ＬＣＤ基板Ｇを所定の回転数で回転させることによってレジスト液をＬＣＤ基板Ｇ全体に拡げ、レジスト膜を形成するレジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａと、ＬＣＤ基板Ｇ上に形成されたレジスト膜を減圧乾燥する減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂと、ＬＣＤ基板Ｇの四辺をスキャン可能な溶剤吐出ヘッドによりＬＣＤ基板Ｇの周縁に付着した余分なレジストを除去する周縁レジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃとがその順に配置されている。レジスト処理ユニット２３内には、これらレジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａ、減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂ、周縁レジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃの間でＬＣＤ基板Ｇを搬送する搬送アームが設けられている。
【００１９】
図２は第１の熱的処理ユニットセクション２６の側面図であり、第１の熱的処理ユニットセクション２６は、ＬＣＤ基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１・３２を有している。熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１はスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２はレジスト処理ユニット２３側に設けられており、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１・３２の間に第１の搬送装置３３が設けられている。
【００２０】
熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６１、ＬＣＤ基板Ｇに対して脱水ベーク処理を行う２つの脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６２・６３、ＬＣＤ基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６４が４段に積層された構成を有している。また、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６５、ＬＣＤ基板Ｇを冷却する２つのクーリングユニット（ＣＯＬ）６６・６７、ＬＣＤ基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６８が４段に積層されて構成を有している。
【００２１】
第１の搬送装置３３は、パスユニット（ＰＡＳＳ）６１を介してのスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１からのＬＣＤ基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間のＬＣＤ基板Ｇの搬入出、およびパスユニット（ＰＡＳＳ）６５を介してのレジスト処理ユニット２３へのＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行う。
【００２２】
第１の搬送装置３３は、上下に延びるガイドレール９１と、ガイドレールに沿って昇降する昇降部材９２と、昇降部材９２上を旋回可能に設けられたベース部材９３と、ベース部材９３上を前進後退可能に設けられ、ＬＣＤ基板Ｇを保持する基板保持アーム９４とを有している。そして、昇降部材９２の昇降はモータ９５によって行われ、ベース部材９３の旋回はモータ９６によって行われ、基板保持アーム９４の前後動はモータ９７によって行われる。このように第１の搬送装置３３は、上下動、前後動、旋回動可能であり、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１・３２のいずれのユニットにもアクセスすることができる。
【００２３】
第２の熱的処理ユニットセクション２７は、ＬＣＤ基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４・３５を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４はレジスト処理ユニット２３側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４・３５の間に第２の搬送装置３６が設けられている。
【００２４】
図３は第２の熱的処理ユニットセクション２７の側面図であり、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６９とＬＣＤ基板Ｇに対してプリベーク処理を行う３つのプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７０・７１・７２が４段に積層された構成となっている。また、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）７３、ＬＣＤ基板Ｇを冷却するクーリングユニット（ＣＯＬ）７４、ＬＣＤ基板Ｇに対してプリベーク処理を行う２つのプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７５・７６が４段に積層された構成となっている。
【００２５】
第２の搬送装置３６は、パスユニット（ＰＡＳＳ）６９を介してのレジスト処理ユニット２３からのＬＣＤ基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間のＬＣＤ基板Ｇの搬入出、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３を介しての現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へのＬＣＤ基板Ｇの受け渡し、および後述するインターフェイスステーション３の基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４に対するＬＣＤ基板Ｇの受け渡しおよび受け取りを行う。なお、第２の搬送装置３６は、第１の搬送装置３３と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４・３５のいずれのユニットにもアクセス可能である。
【００２６】
第３の熱的処理ユニットセクション２８は、ＬＣＤ基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７・３８を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８はカセットステーション１側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７・３８の間に第３の搬送装置３９が設けられている。
【００２７】
図４は第３の熱的処理ユニットセクション２８の側面図であり、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７は、下から順に、ＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）７７、ＬＣＤ基板Ｇに対してポストベーク処理を行う３つのポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）７８・７９・８０が４段に積層された構成を有している。また、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８は、下から順に、ポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８１、ＬＣＤ基板Ｇの受け渡しおよび冷却を行うパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２、ＬＣＤ基板Ｇに対してポストベーク処理を行う２つのポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８３・８４が４段に積層された構成を有している。
【００２８】
第３の搬送装置３９は、パスユニット（ＰＡＳＳ）７７を介してのｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５からのＬＣＤ基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間のＬＣＤ基板Ｇの搬入出、パス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２を介してのカセットステーション１へのＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行う。なお、第３の搬送装置３９も第１の搬送装置３３と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７・３８のいずれのユニットにもアクセス可能である。
【００２９】
処理ステーション２では、以上のように２列の搬送ラインＡ・Ｂを構成するように、かつ基本的に処理の順になるように各処理ユニットおよび搬送装置が配置されており、これら搬送ラインＡ・Ｂ間には空間４０が設けられている。そして、この空間４０を往復動可能にシャトル（基板載置部材）４１が設けられている。このシャトル４１はＬＣＤ基板Ｇを保持可能に構成されており、シャトル４１を介して搬送ラインＡ・Ｂ間でＬＣＤ基板Ｇの受け渡しが行われる。シャトル４１に対するＬＣＤ基板Ｇの受け渡しは、上記第１から第３の搬送装置３３・３６・３９によって行われる。
【００３０】
インターフェイスステーション３は、処理ステーション２と露光装置４との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出を行う搬送装置４２と、バッファーカセットを配置するバッファーステージ（ＢＵＦ）４３と、冷却機能を備えた基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４とを有しており、タイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とが上下に積層された外部装置ブロック４５が搬送装置４２に隣接して設けられている。搬送装置４２は搬送アーム４２ａを備え、この搬送アーム４２ａにより処理ステーション２と露光装置４との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出が行われる。
【００３１】
このように構成されたレジスト塗布・現像処理システム１００においては、まず、カセットステーション１の載置台９に配置されたカセットＣ内のＬＣＤ基板Ｇが、搬送装置１１により処理ステーション２のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２に直接搬入され、スクラブ前処理が行われる。次いで、搬送装置１１により、ＬＣＤ基板Ｇがスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１に搬入され、スクラブ洗浄される。スクラブ洗浄処理後、ＬＣＤ基板Ｇは例えばコロ搬送により第１の熱的処理ユニットセクション２６に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のパスユニット（ＰＡＳＳ）６１に搬出される。
【００３２】
パスユニット（ＰＡＳＳ）６１に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、最初に、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１の脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６２・６３のいずれかに搬送されて加熱処理され、次いで熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のクーリングユニット（ＣＯＬ）６６・６７のいずれかに搬送されて冷却された後、レジストの定着性を高めるために熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６４、および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６８のいずれかに搬送され、そこでＨＭＤＳによりアドヒージョン処理（疎水化処理）される。その後、ＬＣＤ基板Ｇは、クーリングユニット（ＣＯＬ）６６・６７のいずれかに搬送されて冷却され、さらに熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニット（ＰＡＳＳ）６５に搬送される。このような一連の処理を行う際のＬＣＤ基板Ｇの搬送処理は、全て第１の搬送装置３３によって行われる。
【００３３】
パスユニット（ＰＡＳＳ）６５に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、レジスト処理ユニット２３の搬送アームによりレジスト処理ユニット２３内へ搬入される。ＬＣＤ基板Ｇは、レジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａにおいてレジスト液がスピン塗布された後に減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂに搬送されて減圧乾燥され、さらに周縁レジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃに搬送されてＬＣＤ基板Ｇ周縁の余分なレジストが除去される。そして、周縁レジスト除去終了後、ＬＣＤ基板Ｇは搬送アームによりレジスト処理ユニット２３から、第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のパスユニット（ＰＡＳＳ）６９に受け渡される。
【００３４】
パスユニット（ＰＡＳＳ）６９に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、第２の搬送装置３６により、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７０・７１・７２および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７５・７６のいずれかに搬送されてプリベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のクーリングユニット（ＣＯＬ）７４に搬送されて所定温度に冷却される。そして、第２の搬送装置３６により、さらに熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３に搬送される。
【００３５】
その後、ＬＣＤ基板Ｇは第２の搬送装置３６によりインターフェイスステーション３のエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４へ搬送され、インターフェイスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４５の周辺露光装置（ＥＥ）に搬送されて周辺レジスト除去のための露光が行われ、次いで搬送装置４２により露光装置４に搬送されてそこでＬＣＤ基板Ｇ上のレジスト膜が露光されて所定のパターンが形成される。場合によってはバッファーステージ（ＢＵＦ）４３上のバッファカセットにＬＣＤ基板Ｇを収容してから露光装置４に搬送される。
【００３６】
露光終了後、ＬＣＤ基板Ｇはインターフェイスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４５の上段のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入されてＬＣＤ基板Ｇに所定の情報が記された後、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４に載置される。ＬＣＤ基板Ｇは、第２の搬送装置３６により、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４から第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３へ搬送される。
【００３７】
パスユニット（ＰＡＳＳ）７３から現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４まで延長されている例えばコロ搬送機構を作用させることにより、ＬＣＤ基板Ｇはパスユニット（ＰＡＳＳ）７３から現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へ搬入され、そこで現像処理が施される。この現像処理工程については後に詳細に説明することとする。
【００３８】
現像処理終了後、ＬＣＤ基板Ｇは現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４から連続する搬送機構、例えばコロ搬送によりｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に搬送され、ＬＣＤ基板Ｇに対して脱色処理が施される。その後、ＬＣＤ基板Ｇはｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５内のコロ搬送機構により第３の熱的処理ユニットセクション２８に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のパスユニット（ＰＡＳＳ）７７に搬出される。
【００３９】
パスユニット（ＰＡＳＳ）７７に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、第３の搬送装置３９により熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）７８・７９・８０および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８１・８３・８４のいずれかに搬送されてポストベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２に搬送されて所定温度に冷却された後、カセットステーション１の搬送装置１１によって、カセットステーション１に配置されている所定のカセットＣに収容される。
【００４０】
次に、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の構造について詳細に説明する。図５は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の概略構造を示す側面図であり、図６は概略平面図である。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４は、導入ゾーン２４ａ、第１の現像液供給ゾーン２４ｂ、第２の現像液供給ゾーン２４ｃ、液切り／リンスゾーン２４ｄ、第１リンスゾーン２４ｅ、第２リンスゾーン２４ｆ、乾燥ゾーン２４ｇから構成されており、導入ゾーン２４ａは熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３に隣接し、乾燥ゾーン２４ｇはｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に隣接している。
【００４１】
パスユニット（ＰＡＳＳ）７３とｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５の間には、コロ（車輪）１７の中心をＹ方向に延在する軸部材１３が貫通し、モータ等を駆動してこの軸部材１３を回転させることによってコロ１７を回転させてコロ１７に接したＬＣＤ基板Ｇを所定方向（Ｘ方向）へ搬送するコロ搬送機構１４が設けられている。コロ１７はＬＣＤ基板Ｇに撓み等が生じ難いように、ＬＣＤ基板Ｇの搬送方向およびこの搬送方向に垂直な方向に所定数設けられている。
【００４２】
なお、図６にはコロ搬送機構１４は図示していない。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、コロ搬送機構１４をＬＣＤ基板Ｇの搬送速度が異なる領域に分割して設け、その領域ごとに独立して駆動してもよい。例えば、ＬＣＤ基板Ｇは、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３と導入ゾーン２４ａでは駆動源である例えば第１のモータの駆動によって搬送され、第１の現像液供給ゾーン２４ｂと液切り／リンスゾーン２４ｄの間では第２のモータの駆動によって搬送され、第１リンスゾーン２４ｅから乾燥ゾーン２４ｇの間では第３のモータの駆動によって搬送されるようにすることができる。このようなコロ搬送機構１４の分割駆動は、例えば、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４を構成するゾーンごとに行うこともできる。なお、駆動源はそれぞれ図示しない制御部によって制御され、基板Ｇを所定の搬送速度および加速度で搬送可能である。
【００４３】
パスユニット（ＰＡＳＳ）７３は昇降自在な昇降ピン１６を具備している。ＬＣＤ基板Ｇを保持した第２の搬送装置３６の基板保持アーム９４がパスユニット（ＰＡＳＳ）７３内に進入した状態で昇降ピン１６を上昇させると、ＬＣＤ基板Ｇは基板保持アーム９４から昇降ピン１６に受け渡される。続いて、基板保持アーム９４をパスユニット（ＰＡＳＳ）７３から退出させた後に昇降ピン１６を降下させると、ＬＣＤ基板Ｇはパスユニット（ＰＡＳＳ）７３内のコロ１７上に載置される。コロ搬送機構１４を動作させることによって、ＬＣＤ基板Ｇはパスユニット（ＰＡＳＳ）７３から導入ゾーン２４ａへ搬出される。
【００４４】
導入ゾーン２４ａは、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３と第１の現像液供給ゾーン２４ｂとの間の緩衝領域として設けられているものであり、この導入ゾーン２４ａは、第１の現像液供給ゾーン２４ｂからパスユニット（ＰＡＳＳ）７３へ現像液が飛散する等して、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３が汚染されるのを防止する。
【００４５】
第１の現像液供給ゾーン２４ｂは、導入ゾーン２４ａから搬送されてきたＬＣＤ基板Ｇに最初の現像液の液盛り（パドル形成）を行うゾーンであり、ＬＣＤ基板Ｇに対して現像液を塗布する主現像液吐出ノズル５１ａと副現像液吐出ノズル５１ｂ（以下「現像ノズル５１ａ・５１ｂ」という）の２本のノズルと、Ｘ方向に延在するガイドレール５９と、ガイドレール５９と嵌合しているスライドアーム５８と、スライドアーム５８をガイドレール５９に沿ってＸ方向へ移動させる図示しない駆動機構と、スライドアーム５８に取り付けられた図示しない昇降機構とを有しており、現像ノズル５１ａ・５１ｂはこの昇降機構に取り付けられて昇降自在となっている。
【００４６】
現像ノズル５１ａ・５１ｂには図示しない現像液供給源から現像液が供給されるようになっており、例えば、昇降機構によって現像ノズル５１ａ・５１ｂとＬＣＤ基板Ｇとの間隔を調整した後に、ＬＣＤ基板Ｇの搬送方向とは逆の方向に現像ノズル５１ａ・５１ｂを移動させながら現像ノズル５１ａ・５１ｂから現像液をＬＣＤ基板Ｇに吐出することで、ＬＣＤ基板Ｇに現像液を塗布することができる。このとき、ＬＣＤ基板Ｇ上に現像液のパドルを安定して形成するためには、ＬＣＤ基板Ｇはコロ搬送機構１４の動作を停止して静止させた状態とすることが好ましい。
【００４７】
現像ノズル５１ａ・５１ｂとしては、ＬＣＤ基板Ｇの幅方向（Ｙ方向）に長く（図６参照）、その下端には長手方向に沿ってスリット状の吐出口が形成され、そのスリット状の吐出口から略帯状に現像液を吐出することができる構造のものが好適に用いられる。現像ノズル５１ａ・５１ｂには、スリット状の吐出口に代えて複数の円形吐出口が所定間隔で複数形成されているものを用いることもできる。
【００４８】
第１の現像液供給ゾーン２４ｂで現像液が液盛りされたＬＣＤ基板Ｇを液切り／リンスゾーン２４ｄへ搬送する間に、ＬＣＤ基板Ｇ上から現像液がこぼれ落ちる場合がある。第２の現像液供給ゾーン２４ｃでは、こうしてＬＣＤ基板の搬送途中にＬＣＤ基板Ｇからこぼれ落ちる現像液によって現像反応が進まなくなることを防止するために、新たにＬＣＤ基板Ｇに現像液を補充するように現像液を塗布する。
【００４９】
第２の現像液供給ゾーン２４ｃには、現像ノズル５１ａ・５１ｂと同様の構造を有する現像液補充ノズル５１ｃが、その長手方向がＹ方向となるとなるように固定して設けられている。現像液補充ノズル５１ｃからは、コロ搬送機構１４によって搬送されるＬＣＤ基板Ｇ上に所定量の現像液が略帯状に吐出される。なお、この第２の現像液供給ゾーン２４ｃは必須なものではない。
【００５０】
ＬＣＤ基板Ｇの現像反応は、第１の現像液供給ゾーン２４ｂから液切り／リンスゾーン２４ｄに搬送される間に行われる。液切り／リンスゾーン２４ｄにおいては、ＬＣＤ基板Ｇ上の現像液を流し出し、さらにＬＣＤ基板Ｇの表面に純水等のリンス液を吐出して、ＬＣＤ基板Ｇ上の現像液を洗い流す。
【００５１】
このような処理を行うために、液切り／リンスゾーン２４ｄには、コロ搬送機構１４によって搬送されるＬＣＤ基板Ｇを停止させる基板停止機構として、ＬＣＤ基板ＧのＹ方向端部を上下方向から挟み込んでＬＣＤ基板Ｇを停止させるブレーキ部材１５が所定位置に設けられている。一定の速度で搬送されてくるＬＣＤ基板Ｇが所定位置に到達したときに、このブレーキ部材１５を動作させてＬＣＤ基板Ｇを急停止させると、ＬＣＤ基板Ｇの表面に液盛りされた現像液は慣性力によって前方へ押し出されて、ＬＣＤ基板Ｇから流れ落ちる。こうしてＬＣＤ基板Ｇ上の現像液の多くを短時間でＬＣＤ基板Ｇの表面から除去することができる。
【００５２】
ブレーキ部材１５においてＬＣＤ基板Ｇと接触する部分は、現像液に濡れた状態においても、ＬＣＤ基板Ｇとの間で大きな摩擦力を維持できる材料、例えば、ゴム材料等が好適に用いられる。また、このゴム材料の表面に所定の溝加工を施す等して、ゴム材料がＬＣＤ基板Ｇを挟み込んだときに現像液を外部へ逃がしやすい構造とすることが好ましい。
【００５３】
液切り／リンスゾーン２４ｄには、急停止されたＬＣＤ基板Ｇの表面に残っている現像液を洗い流すリンス液（純水）を供給するリンスノズル５２と、リンスノズル５２を保持するリンスノズルアーム８７と、リンスノズルアーム８７と嵌合し、ＬＣＤ基板Ｇの搬送方向に延在するように設けられたガイドレール８６と、ガイドレール８６に沿ってリンスノズルアーム８７を移動させる駆動機構８８とが設けられている。ＬＣＤ基板Ｇの表面に沿ってリンスノズル５２をＬＣＤ基板Ｇの前方端と後方端との間で移動させながら、リンスノズル５２からリンス液をＬＣＤ基板Ｇに吐出することによって、ＬＣＤ基板Ｇに残っている現像液を洗い流す。リンスノズル５２の移動は高速、例えば、５００ｍｍ／秒で行うことができ、こうしてＬＣＤ基板Ｇの現像液除去を短時間で行うことができる。
【００５４】
リンスノズル５２の１回の移動でＬＣＤ基板Ｇ全体にリンス液が行き渡るように、リンスノズル５２はＬＣＤ基板Ｇの幅方向（Ｙ方向）に長く、略帯状にリンス液を吐出するものを用いることが好ましい。リンスノズル５２からはスプレー状にリンス液を吐出させてもよい。
【００５５】
液切り／リンスゾーン２４ｄにおける現像液の除去処理では現像液の除去は完全ではなく、このために第１リンスゾーン２４ｅと第２リンスゾーン２４ｆにおいて、ＬＣＤ基板Ｇを搬送しながらさらにＬＣＤ基板Ｇにリンス液を供給して徹底的に現像液を除去する。
【００５６】
第１リンスゾーン２４ｅには２組のリンスノズル５３ａ・５３ｂが設けられ、第２リンスゾーンにも２組のリンスノズル５３ｃ・５３ｄが設けられている。リンスノズル５３ａ〜５３ｄは、それぞれＬＣＤ基板Ｇの表面側に２本設けられ、裏面側に１本設けられている。リンスノズル５３ａ〜５３ｄとしては、搬送されるＬＣＤ基板Ｇ全体にリンス液を吐出できるように、ＬＣＤ基板Ｇの幅方向（Ｙ方向）に長く、略帯状にリンス液を吐出するものを用いることが好ましい。なお、第１リンスゾーン２４ｅと第２リンスゾーン２４ｆは、１箇所のリンスゾーンとして構成することが可能である。
【００５７】
第２リンスゾーン２４ｆを通過したＬＣＤ基板Ｇが搬送される乾燥ゾーン２４ｇには、所定の風圧で窒素ガス等の乾燥ガスを噴射するエアーノズル（エアーナイフ）５４が設けられている。乾燥ゾーン２４ｇにおいては、ＬＣＤ基板Ｇを所定速度で搬送しながらＬＣＤ基板Ｇの表面と裏面に乾燥ガスを噴射して、ＬＣＤ基板Ｇに付着したリンス液を吹き飛ばしてＬＣＤ基板Ｇを乾燥する。エアーノズル５４は、ＬＣＤ基板Ｇの幅よりも長い形状を有しており、ＬＣＤ基板Ｇの幅方向全体に乾燥ガスを吐出することができるようになっている。乾燥処理が終了したＬＣＤ基板Ｇは、コロ搬送機構１４によりｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に搬送される。
【００５８】
次に、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４における現像処理工程について説明する。図７は現像処理工程の概略を示す説明図（フローチャート）である。先ずコロ搬送機構１４を動作させて、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３に搬入されたＬＣＤ基板Ｇを導入ゾーン２４ａを通過させて第１の現像液供給ゾーン２４ｂに搬入する（ステップ１）。このパスユニット（ＰＡＳＳ）７３から第１の現像液供給ゾーン２４ｂへのＬＣＤ基板Ｇの搬送速度は、例えば６５ｍｍ／秒とする。
【００５９】
第１の現像液供給ゾーン２４ｂにおいては、ＬＣＤ基板Ｇを所定位置で停止させて静止状態に保持し（ステップ２）、現像ノズル５１ａ・５１ｂを、例えば、２４０ｍｍ／秒という高速で基板搬送方向の前方から後方へ向けて移動させながらＬＣＤ基板Ｇの表面に現像液を塗布する（ステップ３）。ＬＣＤ基板Ｇを停止させた状態とすることで、現像ノズル５１ａ・５１ｂの駆動制御が容易となる。また、安定して現像液をＬＣＤ基板上に液盛りすることができる。
【００６０】
コロ搬送機構１４を動作させて、第１の現像液供給ゾーン２４ｂにおける液盛りが終了したＬＣＤ基板Ｇを、例えば、４６ｍｍ／秒の搬送速度で第２の現像液供給ゾーン２４ｃへ搬送する（ステップ４）。ＬＣＤ基板Ｇが第２の現像液供給ゾーン２４ｃを通過する際には、現像液補充ノズル５１ｃからＬＣＤ基板Ｇ上に現像液が補充され、ＬＣＤ基板Ｇの搬送時にＬＣＤ基板Ｇからこぼれ落ちる現像液が補充される（ステップ５）。
【００６１】
引き続いて、コロ搬送機構１４により、第２の現像液供給ゾーン２４ｃに搬送されたＬＣＤ基板Ｇを液切り／リンスゾーン２４ｄに搬送する（ステップ６）。ＬＣＤ基板Ｇが液切り／リンスゾーン２４ｄの所定位置に到達したときに、ブレーキ部材１５を動作させてＬＣＤ基板Ｇを上下から挟み込み、かつ、コロ搬送機構１４の動作を停止させて、ＬＣＤ基板Ｇを急停止させる（ステップ７）。こうして、ＬＣＤ基板Ｇ上の現像液とレジスト膜が溶解することによって生成する反応物（溶解生成物）は、慣性力によってＬＣＤ基板Ｇの表面から流れ落ちる。
【００６２】
ＬＣＤ基板Ｇを急停止させて現像液を流し出すとほぼ同時に、リンスノズル５２から所定のリンス液をＬＣＤ基板Ｇに向けて吐出させながら、リンスノズルアーム８７をＬＣＤ基板Ｇの表面に沿って、例えば５００ｍｍ／秒の速度で移動させ、ＬＣＤ基板Ｇの表面に残った現像液と溶解生成物を洗い流す（ステップ８）。
【００６３】
続いて、ＬＣＤ基板Ｇを、例えば４６ｍｍ／秒の搬送速度で第１リンスゾーン２４ｅに搬送する（ステップ９）。このとき、静止状態にあるＬＣＤ基板Ｇを、例えば、５０ｍｍ／秒以上の加速度で急加速させて搬送することで、ＬＣＤ基板Ｇ上のリンス液を流し出すことができる。第１リンスゾーン２４ｅでは、ＬＣＤ基板Ｇをこの搬送速度で搬送しながらＬＣＤ基板Ｇの表面と裏面にリンス液を吐出して、ＬＣＤ基板Ｇに残っている現像液と溶解生成物の除去（リンス処理）を行う（ステップ１０）。
【００６４】
第１リンスゾーン２４ｅを通過したＬＣＤ基板Ｇは第２リンスゾーン２４ｆに搬入される（ステップ１１）。第２リンスゾーン２４ｆにおいては第１リンスゾーン２４ｅと同様のリンス処理が行われ（ステップ１２）、現像液や溶解生成物が完全に除去される。このステップ１２においては、ＬＣＤ基板Ｇの搬送速度を、例えば、３６ｍｍ／秒と、先の第１リンスゾーン２４ｅにおける搬送速度よりも遅くして、より精密なリンス処理を行うことが好ましい。
【００６５】
第２リンスゾーン２４ｆを通過したＬＣＤ基板Ｇは乾燥ゾーン２４ｇに搬入される（ステップ１３）。乾燥ゾーン２４ｇでは、例えば４６ｍｍ／秒の搬送速度でＬＣＤ基板Ｇを搬送しながら、エアーノズル５４による乾燥処理が行われる（ステップ１４）。乾燥処理が終了したＬＣＤ基板Ｇは、コロ搬送機構１４によりｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に搬送され（ステップ１５）、そこで所定の紫外線照射処理が施される。
【００６６】
次に、液切り／リンスゾーン２４ｄにおいてＬＣＤ基板Ｇ上の現像液を流し出す別の方法と、その方法に用いる装置について説明する。図８は液切り／リンスゾーン２４ｄの別の実施形態（以下、「液切り／リンスゾーン２４ｄ´」とする）を示す平面図（ａ）と側面図（ｂ）である。液切り／リンスゾーン２４ｄ´には、ＬＣＤ基板Ｇの裏面を吸着保持し、吸着保持したＬＣＤ基板ＧをＹ方向に揺動する吸着揺動機構１８が複数箇所に配置されている。この吸着揺動機構１８は、例えば、ＬＣＤ基板Ｇを真空吸引して保持することができ、また、図示しない昇降機構により昇降自在であって、Ｙ方向に全ての吸着揺動機構１８が同時に往復スライドするように揺動自在となっている。なお、吸着揺動機構１８も図示しない制御部によって制御される。
【００６７】
ＬＣＤ基板Ｇが液切り／リンスゾーン２４ｄ´に搬送される際には、吸着揺動機構１８の上端は、ＬＣＤ基板Ｇの裏面よりも下の位置に待機させた状態に保持する。ＬＣＤ基板Ｇが液切り／リンスゾーン２４ｄ´の所定位置に到達したときに、コロ搬送機構１４の動作を停止させ、次に吸着揺動機構１８を上昇させてＬＣＤ基板Ｇを吸着し、ＬＣＤ基板Ｇの裏面がコロ１７から離れた位置でＬＣＤ基板Ｇを保持する。図８（ｂ）には吸着揺動機構１８がＬＣＤ基板Ｇを所定高さに持ち上げた状態が示されており、この状態においてＬＣＤ基板ＧをＹ方向に揺動することで、ＬＣＤ基板Ｇ上に液盛りされた現像液をＬＣＤ基板Ｇから流し出すことができる。ＬＣＤ基板Ｇへのリンスノズル５２からのリンス液の吐出は、ＬＣＤ基板ＧをＹ方向に揺動させた状態で行うと、リンス液等をＬＣＤ基板Ｇに滞留させずに流し出すことができる。
【００６８】
図９は液切り／リンスゾーン２４ｄのさらに別の実施形態（以下、「液切り／リンスゾーン２４ｄ″」とする）を示す平面図（ａ）と、液切り／リンスゾーン２４ｄ″の概略斜視図（ｂ）である。液切り／リンスゾーン２４ｄ″には、ＬＣＤ基板Ｇを搬送するコロとして、Ｘ方向においては基板搬送方向の後方から前方へ向けて徐々に直径が大きくなり、かつ、Ｙ方向においては端部から中心部に向けて徐々に直径が大きくなるように、直径を変化させたコロ１７´が配置されている。このために、ＬＣＤ基板Ｇは、その高さがＸ方向においては後方から前方へ向けて徐々に高くなり、かつ、Ｙ方向においては端部から中心部に向けて徐々に高くなるように、略山型に撓む。なお、Ｙ方向の端部に取り付けられたコロ１７´については、その直径を一定としてもよい。
【００６９】
このように液切り／リンスゾーン２４ｄ″においては、コロ搬送機構１４は、ＬＣＤ基板Ｇを所定位置へ搬送しつつ、ＬＣＤ基板Ｇを略山形に撓ませて、ＬＣＤ基板Ｇの表面から自然に現像液を流し出すことができるようになっている。このようにＬＣＤ基板Ｇが撓んだ状態でリンス液をＬＣＤ基板Ｇへ吐出すると、リンス液はＬＣＤ基板Ｇの変形した形に沿ってＬＣＤ基板Ｇから流れ落ちるため、リンス液のＬＣＤ基板Ｇ上での滞留を防止することができる。
【００７０】
液切り／リンスゾーン２４ｄ″において略山型に撓ませたＬＣＤ基板Ｇを、元の略水平姿勢に戻しながら第１リンスゾーン２４ｅと第２リンスゾーン２４ｆへ搬送するために、例えば、第１リンスゾーン２４ｅには、液切り／リンスゾーン２４ｄ″とは反対に、ＬＣＤ基板Ｇの高さがＸ方向においては後方から前方へ向けて徐々に低くなり、かつ、Ｙ方向においては端部から中心部に向けて徐々に低くなって略水平姿勢に戻るように直径を変化させたコロを配置することが好ましい。こうしてＬＣＤ基板Ｇに急激な変形が起こることが防止される。
【００７１】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。例えば、第１の現像液供給ゾーン２４ｂにおいては、現像ノズル５１ａ・５１ｂを長手方向をＸ方向に一致させて、Ｙ方向にスライドさせてもよい。同様に、液切り／リンスゾーン２４ｄ・２４ｄ´・２４ｄ″においても、リンスノズル５２の長手方向をＸ方向に一致させて、Ｙ方向にスライドさせてもよい。
【００７２】
また、基板停止機構として、ブレーキ部材１５を設ける代わりに、基板Ｇを挟んで少なくとも１つのコロ１７に対向するように別のコロを設け、両方のコロの回転を制御してＬＣＤ基板Ｇを急停止させてもよい。また、逆に同じ構造では、両方のコロをＬＣＤ基板Ｇを急加速させる基板加速機構として用いることもできる。さらに、基板停止機構として、ブレーキ部材１５を設ける代わりに、コロ１７自体をＬＣＤ基板Ｇと接触する部位に大きな摩擦力が生じる構造にして、ＬＣＤ基板Ｇを急停止または急加速してもよい。例えば、コロ１７の周囲にゴム材料を取り付けたり、またはコロ１７の周囲に吸盤を取り付けたり、あるいはコロ１７の周囲に吸引孔を設けてコロ１７の上側に位置する吸引孔のみコロ１７の内側に向かって吸引する構造にしてもよい。
【００７３】
吸着揺動機構１８はＸ方向に往復スライドするように揺動させてもよく、Ｘ方向とＹ方向の双方に揺動させてもよい。また、吸着揺動機構１８でＬＣＤ基板Ｇを保持する際に、ＬＣＤ基板Ｇが傾斜した状態で保持されるように吸着揺動機構１８の高さを制御し、その後にＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向のいずれかまたはそのいくつかの組合せで所定の方向に揺動させてもよい。さらに、ＬＣＤ基板Ｇを保持して揺動させる機構として真空吸着を用いた吸着揺動機構１８を示したが、このような吸着保持の手法を用いずに、例えば、ＬＣＤ基板Ｇの端面に当接するガイドピン等の基板位置決め治具が設けられた複数のプレートでＬＣＤ基板Ｇを保持し、このような複数のプレートを同時に揺動させることで、ＬＣＤ基板Ｇ上の現像液を流し出すことも可能である。本発明はＬＣＤ基板Ｇに限定して適用されるものではなく、ＬＣＤ以外の他の用途に用いられるガラス基板や、半導体ウエハ、その他のセラミックス基板等の液処理にも適用することができる。
【００７４】
【発明の効果】
上述の通り、本発明によれば、基板を急停止させることで基板上の塗布液に掛かる慣性力を利用して、または基板を揺動させることにより、または基板を搬送しながら撓ませることにより、基板上に塗布された処理液を短時間で除去することができる。これによって、基板の液処理状態を基板全体で均一なものとすることができ、基板の品質が高められるという効果が得られる。また、本発明によれば、液処理時間の短縮が可能であり、スループットを向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の液処理装置の一実施形態である現像処理ユニットを具備するレジスト塗布・現像処理システムの概略平面図。
【図２】 図１に示したレジスト塗布・現像処理システムの第１の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。
【図３】 図１に示したレジスト塗布・現像処理システムの第２の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。
【図４】 図１に示したレジスト塗布・現像処理システムの第３の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。
【図５】 本発明の一実施形態である現像処理ユニットの概略構造を示す側面図。
【図６】 本発明の一実施形態である現像処理ユニットの概略構造を示す平面図。
【図７】 現像処理工程の概略を示す説明図（フローチャート）。
【図８】 現像処理ユニットにおける液切り／リンスゾーンの別の実施形態を示す平面図と側面図。
【図９】 現像処理ユニットにおける液切り／リンスゾーンのさらに別の実施形態を示す平面図と概略斜視図。
【符号の説明】
１；カセットステーション
２；処理ステーション
３；インターフェイスステーション
１５；ブレーキ部材
１７・１７´；コロ
１８；吸着揺動機構
２４；現像処理ユニット（ＤＥＶ）
２４ａ；導入ゾーン
２４ｂ；第１の現像液供給ゾーン
２４ｃ；第２の現像液供給ゾーン
２４ｄ・２４ｄ´・２４ｄ″；液切り／リンスゾーン
２４ｅ；第１リンスゾーン
２４ｆ；第２リンスゾーン
２４ｇ；乾燥ゾーン
Ｇ……ＬＣＤ基板
Claims (13)
- 基板を略水平姿勢で略水平方向に搬送する基板搬送機構と、
前記基板搬送機構によって搬送される基板に所定の処理液を塗布する処理液供給機構と、
前記処理液が塗布されて前記基板搬送機構によって搬送される基板を急停止させる基板停止機構と、
を具備し、
前記処理液の塗布された基板を前記基板停止機構を動作させて急停止させることによって、前記基板上の処理液が慣性力によって前記基板から流し出されるように構成され、
前記基板停止機構は、
前記基板搬送機構によって搬送される基板の周縁を所定位置で上下から挟み込む把持部材と、
前記把持部材を上下方向に駆動する駆動機構と、
を有し、
前記把持部材の基板と接触する部分に、処理液を外部へ逃がすための溝が設けられていることを特徴とする液処理装置。 - 基板に残っている処理液を洗い流すリンス液を基板に供給するリンスノズルと、
前記リンスノズルを基板の表面に沿って移動させる機構と、
をさらに具備し、
基板を急停止させて現像液を流し出すとほぼ同時に前記リンスノズルからリンス液を前記基板に向かって吐出させながら、前記リンスノズルを前記基板の表面に沿って移動させることにより前記基板表面に残った処理液を洗い流し、続いて前記基板搬送機構により基板を急加速させて搬送し、前記基板上のリンス液を流し出すことを特徴とする請求項１に記載の液処理装置。 - 基板を略水平姿勢で略水平方向に搬送する基板搬送機構と、
前記基板搬送機構によって搬送される基板に所定の処理液を塗布する処理液供給機構と、
前記基板搬送機構によって搬送される前記処理液の塗布された基板を停止させる基板停止機構と、
前記基板停止機構によって停止した基板を保持する基板保持機構と、
前記基板保持機構に保持された基板を水平面内において揺動する基板揺動機構と、
を具備し、
前記処理液の塗布された基板を前記基板揺動機構によって揺動させることで前記基板上の処理液が流し出されることを特徴とする液処理装置。 - 基板に所定の処理液を塗布する処理液塗布部と、
前記処理液の塗布された基板上から処理液を除去する処理液除去部と、
前記処理液塗布部から前記処理液除去部へ基板を略水平姿勢で略水平方向に搬送する基板搬送機構と、
を具備し、
前記処理液除去部は、
前記基板搬送機構によって搬送される基板をその高さが前記基板搬送機構による基板搬送方向においては後方から前方へ向けて徐々に高くなるようにかつ前記基板搬送方向に垂直な水平方向においては端部から中心部に向けて徐々に高くなるように撓ませて支持する基板支持機構を有し、
前記基板支持機構によって基板を撓ませることで前記基板に塗布された処理液が前記基板から流し出されることを特徴とする液処理装置。 - 前記基板支持機構は、
長手方向が前記基板搬送方向に垂直な方向となるようにして前記基板搬送方向に略平行に所定間隔で並べられた複数の軸部材と、
前記軸部材のそれぞれについて、前記軸部材を貫通し、前記軸部材の長手方向においては中心から端部へ向けて直径が短くなるように、かつ、前記基板搬送方向については前記基板搬送方向の後方から前方に向けて直径が長くなるように設けられた円盤状の複数のコロと、
を有することを特徴とする請求項４に記載の液処理装置。 - 基板に所定の液処理を施す液処理方法であって、
略水平姿勢の基板の表面に処理液を塗布してパドルを形成する第１工程と、
前記パドルの形成された基板を略水平方向に所定位置まで搬送する第２工程と、
前記所定位置において前記基板を保持する第３工程と、
前記パドルの処理液が前記基板の表面から流れ落ちるように前記保持された基板を水平面内において揺動する第４工程と、
を有することを特徴とする液処理方法。 - 基板に所定の液処理を施す液処理方法であって、
略水平姿勢の基板の表面に処理液を塗布してパドルを形成する第１工程と、
前記パドルの形成された基板を略水平方向に所定位置まで搬送する第２工程と、
前記所定位置においては、前記パドルの処理液が前記基板の表面から流れ落ちるように、前記基板の高さが基板の搬送方向においては後方から前方へ向けて徐々に高くなるように、かつ、基板の搬送方向に垂直な水平方向においては端部から中心部に向けて徐々に高くなるように、前記基板を略山型に撓ませながら移動させる第３工程と、
を有することを特徴とする液処理方法。 - 基板に所定の液処理を行う液処理装置であって、
複数のコロを回転させて前記コロに接した基板を略水平姿勢で略水平方向へ搬送するコロ搬送機構と、
前記コロ搬送機構によって搬送される基板に所定の処理液を塗布する処理液供給機構と、
基板の裏面を保持し、保持した基板を揺動させる揺動機構と、
前記揺動機構を昇降させる昇降機構と、
前記コロ搬送機構の動作を停止させ、かつ、前記揺動機構を上昇させて、基板の裏面が前記コロから離れた位置で前記揺動機構を揺動させるように、前記コロ搬送機構および前記揺動機構ならびに前記昇降機構を制御する制御部と、
を具備し、
前記揺動機構は、前記コロの回転軸方向に揺動し、
処理液が塗布された基板を前記揺動機構によって揺動させることで前記基板上の処理液が流し出されることを特徴とする液処理装置。 - 基板に所定の液処理を行う液処理装置であって、
複数のコロを回転させて前記コロに接した基板を略水平姿勢で略水平方向へ搬送するコロ搬送機構と、
前記コロ搬送機構によって搬送される基板に所定の処理液を塗布する処理液供給機構と、
基板の裏面を保持し、保持した基板を揺動させる揺動機構と、
前記揺動機構を昇降させる昇降機構と、
前記コロ搬送機構の動作を停止させ、かつ、前記揺動機構を上昇させて、基板の裏面が前記コロから離れた位置で前記揺動機構を揺動させるように、前記コロ搬送機構および前記揺動機構ならびに前記昇降機構を制御する制御部と、
を具備し、
前記揺動機構は、互いに直交する、基板の搬送方向、前記コロの回転軸方向、鉛直方向のいくつかの組み合わせで基板を揺動させ、
処理液が塗布された基板を前記揺動機構によって揺動させることで前記基板上の処理液が流し出されることを特徴とする液処理装置。 - 基板に所定の液処理を行う液処理装置であって、
複数のコロを回転させて前記コロに接した基板を略水平姿勢で略水平方向へ搬送するコロ搬送機構と、
前記コロ搬送機構によって搬送される基板に所定の処理液を塗布する処理液供給機構と、
基板の裏面を保持し、保持した基板を揺動させる揺動機構と、
前記揺動機構を昇降させる昇降機構と、
前記コロ搬送機構の動作を停止させ、かつ、前記揺動機構を上昇させて、基板の裏面が前記コロから離れた位置で前記揺動機構を揺動させるように、前記コロ搬送機構および前記揺動機構ならびに前記昇降機構を制御する制御部と、
を具備し、
前記揺動機構は、基板を吸着保持して揺動させ、
処理液が塗布された基板を前記揺動機構によって揺動させることで前記基板上の処理液が流し出されることを特徴とする液処理装置。 - 基板に所定の液処理を行う液処理装置であって、
複数のコロを回転させて前記コロに接した基板を略水平姿勢で略水平方向へ搬送するコロ搬送機構と、
前記コロ搬送機構によって搬送される基板に所定の処理液を塗布する処理液供給機構と、
基板の裏面を保持し、保持した基板を揺動させる揺動機構と、
前記揺動機構を昇降させる昇降機構と、
前記コロ搬送機構の動作を停止させ、かつ、前記揺動機構を上昇させて、基板の裏面が前記コロから離れた位置で前記揺動機構を揺動させるように、前記コロ搬送機構および前記揺動機構ならびに前記昇降機構を制御する制御部と、
を具備し、
前記揺動機構は、基板の端面に当接する基板位置決め手段が設けられた複数のプレートで前記基板を保持して揺動させ、
処理液が塗布された基板を前記揺動機構によって揺動させることで前記基板上の処理液が流し出されることを特徴とする液処理装置。 - 前記揺動機構で基板を保持する際に、前記基板は傾斜した状態で保持されることを特徴とする請求項８から請求項１１のいずれか１項に記載の液処理装置。
- 前記揺動機構で基板を保持する際に前記基板が傾斜した状態で保持されるように、前記揺動機構の高さが制御されることを特徴とする請求項８から請求項１１のいずれか１項に記載の液処理装置。
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