JP4539938B2

JP4539938B2 - 塗布装置

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Publication number: JP4539938B2
Application number: JP2000246743A
Authority: JP
Inventors: 清久立山; 公男元田
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2000-08-16
Filing date: 2000-08-16
Publication date: 2010-09-08
Anticipated expiration: 2020-08-16
Also published as: JP2002059058A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば液晶ディスプレイ（Liquid Crystal Display：ＬＣＤ）に使われるガラス基板上にレジスト液を塗布する塗布装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＣＤの製造工程においては、被処理体であるＬＣＤ用のガラス基板上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の薄膜や電極パターンを形成するために、半導体デバイスの製造に用いられるものと同様のフォトリソグラフィ技術が利用される。フォトリソグラフィ技術では、フォトレジストをガラス基板に塗布し、これを露光し、さらに現像する。レジスト液の塗布方法としては、ガラス基板を回転させながらその中心にレジスト液を滴下し、遠心力を利用してレジスト液を拡散して塗布するスピンコーティング法と、基板を保持する保持部材を回転させずに、レジスト液の供給ノズルを縦横方向に、あるいは円周方向に移動するように走査し、レジスト液を細径の線状にしてガラス基板上に塗布していく手段（スピンレス法）とがある。
【０００３】
スピンレス法の場合におけるレジストの塗布方法の１つとして、レジスト液の供給ノズルの吐出口を一定間隔で複数にして、その複数の吐出口から同時にレジストを吐出させる方式がある。この方式によれば、供給ノズルのガラス基板上を走査する回数を減らして塗布処理のタクトを短縮させることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながらこの複数の吐出口から吐出させる方式の場合、供給ノズルの吐出口は一定間隔で複数形成されているので、ガラス基板の周縁部におけるレジスト膜厚の微細な制御が困難となり、周縁部の塗膜厚の均一性が失われ、これにより塗布処理後の工程におけるパーティクル発生の原因ともなる。
【０００５】
特に、レジスト液塗布処理工程において、転写跡の生起を防止するためにレジスト液塗布直後のガラス基板Ｇを減圧乾燥させる場合があるが、この場合基板Ｇ上のレジスト液は図１４に示すように、塗膜厚が不均一な部分１００ａの近傍に窪み１００ｂが生じ、基板周縁部における塗膜厚の不均一の問題が更に深刻なものとなる。
【０００６】
本発明は上記した事情に鑑みてなされたもので、被処理体の周縁部領域における塗膜厚の制御を精細に行うことができ、塗膜厚の均一性を向上させることができる塗布装置を提供することを目的とする。
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明は、被処理体を保持する保持部材と、少なくとも１つの吐出口が形成された第１のノズル及び前記第１のノズルの吐出口の数より多い吐出口が形成された第２のノズルを有し、前記保持部材に対して前記第１及び第２のノズルが一体として相対的に縦横方向に移動しながら前記被処理体上に塗布液を供給する塗布液供給ノズルと、前記被処理体の周縁部領域に前記第１のノズルで前記塗布液を供給し、前記被処理体の周縁部領域以外の領域または前記被処理体の全面に前記第２のノズルで前記塗布液を供給するように、前記第１のノズルと前記第２のノズルとを切り替えて前記塗布液の供給を制御する手段とを具備することを特徴とする。
【０００８】
これにより、被処理体の周縁部領域における塗膜厚の制御を精細に行うことができるので、該周縁部領域で生じる窪みを防止して、塗布液の膜厚の均一性を向上させることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
【００１０】
図１は、本発明が適用されるＬＣＤ基板のレジスト塗布・現像処理システムを示す平面図である。
【００１１】
この塗布・現像処理システムは、複数の基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーション１と、基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部２と、露光装置（図示せず）との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイス部３とを備えており、処理部２の両端にそれぞれカセットステーション１およびインターフェイス部３が配置されている。
【００１２】
カセットステーション１は、カセットＣと処理部２との間でＬＣＤ基板の搬送を行うための搬送機構１０を備えている。そして、カセットステーション１においてカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機構１０はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路１０ａ上を移動可能な搬送アーム１１を備え、この搬送アーム１１によりカセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬送が行われる。
【００１３】
処理部２は、前段部２ａと中段部２ｂと後段部２ｃとに分かれており、それぞれ中央に搬送路１２、１３、１４を有し、これら搬送路の両側に各処理ユニットが配設されている。そして、これらの間には中継部１５、１６が設けられている。
【００１４】
前段部２ａは、搬送路１２に沿って移動可能な主搬送装置１７を備えており、搬送路１２の一方側には、２つの洗浄装置（ＳＣＲ）２１ａ、２１ｂが配置されており、搬送路１２の他方側には紫外線照射装置（ＵＶ）および冷却装置（ＣＯＬ）が上下に重ねられてなる紫外線照射／冷却ユニット２５、２つの加熱処理装置（ＨＰ）が上下に重ねられてなる加熱処理ユニット２６、および２つの冷却装置（ＣＯＬ）が上下に重ねられてなる冷却ユニット２７が配置されている。
【００１５】
また、中段部２ｂは、搬送路１３に沿って移動可能な主搬送装置１８を備えており、搬送路１３の一方側には、レジスト塗布装置（ＣＴ）２２、減圧乾燥装置（ＶＤ）４０および基板Ｇの周縁部のレジストを除去するエッジリムーバ（ＥＲ）２３が一体的に設けられて配置され、塗布系ユニット群５０を構成している。この塗布系処理ユニット群５０では、レジスト塗布装置（ＣＴ）２２で基板Ｇにレジストが塗布された後、基板Ｇが減圧乾燥装置（ＶＤ）４０に搬送されて乾燥処理され、その後、エッジリムーバ（ＥＲ）２３により周縁部レジスト除去処理が行われるようになっている。搬送路１３の他方側には、２つの加熱装置（ＨＰ）が上下に重ねられてなる加熱処理ユニット２８、加熱処理装置（ＨＰ）と冷却処理装置（ＣＯＬ）が上下に重ねられてなる加熱処理／冷却ユニット２９、およびアドヒージョン処理装置（ＡＤ）と冷却装置（ＣＯＬ）とが上下に積層されてなるアドヒージョン処理／冷却ユニット３０が配置されている。
【００１６】
さらに、後段部２ｃは、搬送路１４に沿って移動可能な主搬送装置１９を備えており、搬送路１４の一方側には、３つの現像処理装置（ＤＥＶ）２４ａ、２４ｂ、２４ｃが配置されており、搬送路１４の他方側には２つの加熱処理装置（ＨＰ）が上下に重ねられてなる加熱処理ユニット３１、および加熱処理装置（ＨＰ）と冷却装置（ＣＯＬ）が上下に積層されてなる２つの加熱処理／冷却ユニット３２、３３が配置されている。
【００１７】
上記主搬送装置１７，１８，１９は、それぞれ水平面内の２方向のＸ軸駆動機構、Ｙ軸駆動機構、および垂直方向のＺ軸駆動機構を備えており、さらにＺ軸を中心に回転する回転駆動機構を備えており、それぞれ基板Ｇを支持するアーム１７ａ，１８ａ，１９ａを有している。
【００１８】
なお、処理部２は、搬送路を挟んで一方の側に洗浄処理装置２１ａ、２１ｂ、レジスト塗布装置（ＣＴ）２２、現像処理装置２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、のようなスピナー系ユニットのみを配置しており、他方の側に加熱処理ユニットや冷却処理ユニット等の熱系処理ユニットのみを配置する構造となっている。
【００１９】
また、中継部１５、１６のスピナー系ユニット配置側の部分には、薬液供給装置３４が配置されており、さらにメンテナンスが可能なスペース３５が設けられている。
【００２０】
インターフェイス部３は、処理部２との間で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエクステンション３６と、さらにその両側に設けられた、バッファカセットを配置する２つのバッファステージ３７と、これらと露光装置（図示せず）との間の基板Ｇの搬入出を行う搬送機構３８とを備えている。搬送機構３８はエクステンション３６およびバッファステージ３７の配列方向に沿って設けられた搬送路３８ａ上を移動可能な搬送アーム３９を備え、この搬送アーム３９により処理部２と露光装置との間で基板Ｇの搬送が行われる。
【００２１】
図２および図３は、塗布系処理装置群５０を示す概略平面図および概略側面図である。これらレジスト塗布装置（ＣＴ）２２、減圧乾燥装置（ＶＤ）４０、およびエッジリムーバ（ＥＲ）２３は、図示するように同一のステージに一体的に並列されている。
【００２２】
減圧乾燥装置（ＶＤ）４０は、下部チャンバ６１と、その上を覆うように設けられ、その内部の処理空間を気密に維持する上部チャンバ６２とを有している。下部チャンバ６１には、基板Ｇを載置するためのステージ６３が設けられ、下部チャンバ６１の各コーナー部には、４個の排気口６４が設けられ、この排気口６４に連通された排気管６５がターボ分子排気ポンプ等の排気ポンプ（図示略）に接続されている。そして、下部チャンバ６１と上部チャンバ６２とが密着した状態でその中の処理空間を排気することにより、所定の真空度に減圧されるように構成されている。
【００２３】
またエッジリムーバ（ＥＲ）２３は、ガラス基板Ｇを載置させるためのステージ９１が設けられ、ガラス基板Ｇの四辺には、それぞれ、ガラス基板Ｇの四辺のエッジから余分なレジストを除去するための四個のリムーバヘッド９３が設けられている。各リムーバヘッド９３は、内部からシンナを吐出するように断面略Ｕ字状を有し、基板Ｇの四辺に沿って挟み込むかたちで移動機構（図示略）によって移動されるようになっている。これにより、各リムーバヘッド９３は、基板Ｇの各辺に沿って移動してシンナを吐出しながら、基板Ｇの四辺のエッジに付着した余分なレジストを取り除くことができる。
【００２４】
次に本発明に係るレジスト塗布装置（ＣＴ）２２について説明する。図４はレジスト塗布装置（ＣＴ）２２の概略構成を示す一部断面図、図５はその平面図である。
【００２５】
これらの図に示すように、レジスト塗布装置（ＣＴ）２２のほぼ中央には、有底円筒状のフレーム７１ａが配置され、フレーム７１ａ内にはガラス基板Ｇを固定保持するための保持部材である基板吸着テーブル５８が配置されている。フレーム７１ａの上部には、ガラス基板Ｇを出し入れするための開口部７１ｃが設けられている。
【００２６】
また、基板吸着テーブル５８の外周側下面には、シール部材７７が取り付けられており、基板吸着テーブル５８を下降させて、シール部材７７をフレーム７１ａの底部に当接させると、気密な処理スペース７８が形成されるようになっている。
【００２７】
基板吸着テーブル５８には、ガラス基板Ｇを真空吸着保持するための真空吸着装置７２が接続されている。また、この基板吸着テーブル５８は、ロッド７５を介して昇降シリンダ７３によって上下方向に昇降可能になっている。なお、この昇降シリンダ７３は、ＣＰＵ７４によって、その動作が制御される。具体的には、ロッド７５の下部側が図示しない筒体内に配設されており、この筒体内においてロッド７５はバキュームシール部７６を介して昇降シリンダ７３の駆動によって上下方向に移動し得るようになっている。
【００２８】
フレーム７１ａの両側には、搬送レール６６、６６が配置されており、搬送レール６６、６６間には、スキャン機構が設けられている。このスキャン機構は、搬送レール６６、６６間に掛け渡され、この搬送レール６６、６６に沿ってＹ方向に移動する第１のスライダ６７と、この第１のスライダ６７に付設され、第１のスライダ６７の長手方向に沿ってＸ方向に移動可能で、塗布液供給ノズルとしてのレジスト供給ノズル４６が固定された第２のスライダ４３とを有して構成される。搬送レール６６の一方の走行端付近には、ＣＰＵ７４の指令により、該搬送レール６６に沿って第１のスライダ６７を移動させると共に、第２のスライダ４３を第１のスライダ６７に沿って移動させる駆動部４８が設けられている。
【００２９】
図６は、図５においてガラス基板Ｇ側から（下方から）見たレジスト供給ノズル４６の部分の斜視図である。このレジスト供給ノズル４６は、１つの吐出口５１ａが形成された第１ノズル５１、及び複数の吐出口５２ａが形成された第２ノズル５２から成る。本実施形態においては、第１ノズルの吐出口５１ａの直径は５０〜１００μｍとし、一方、第２ノズルの吐出口５２ａの直径は１００〜１５０μｍとして吐出口５１ａより大とし、吐出口５２ａの数は２０個としている。
【００３０】
以上のように構成されるレジスト塗布・現像処理システムの作用を説明する。
【００３１】
図１を参照して、カセットＣ内の基板Ｇが、処理部２に搬送され、処理部２では、まず、前段部２ａの紫外線照射／冷却ユニット２５の紫外線照射装置（ＵＶ）で表面改質・洗浄処理が行われ、その後そのユニットの冷却装置（ＣＯＬ）で冷却された後、洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ，２１ｂでスクラバー洗浄が施され、前段部２ａに配置された加熱処理装置（ＨＰ）の一つで加熱乾燥された後、冷却ユニット２７のいずれかの冷却装置（ＣＯＬ）で冷却される。
【００３２】
その後、基板Ｇは中段部２ｂに搬送され、レジストの定着性を高めるために、ユニット３０の上段のアドヒージョン処理装置（ＡＤ）にて疎水化処理（ＨＭＤＳ処理）され、下段の冷却装置（ＣＯＬ）で冷却後、塗布系処理ユニット群５０に搬入される。
【００３３】
そしてこの塗布系処理ユニット群５０では、まず、図３及び図４に示す基板吸着テーブル５８がフレーム７１ａの開口部７１ｃより上方に上昇している状態で、主搬送装置１８によりこの基板吸着テーブル５８上にガラス基板Ｇが移載され、真空吸着保持される。次に、昇降シリンダ７３の駆動により基板吸着テーブル５８が下降され、ガラス基板Ｇが開口部７１ｃを通過してフレーム７１ａ内に搬入される。
【００３４】
ここで図７を参照して、このガラス基板Ｇの周縁部の領域をそれぞれＧ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４とし、これら周縁部以外の領域をＧ５とする。
【００３５】
図５を参照して、ガラス基板Ｇの大きさに応じてＣＰＵ７４の指令により、駆動部４８が第１のスライダ６７を搬送レール６６に沿ってＹ方向に移動させるとともに、第２のスライダ４３を第１のスライダ６７に沿ってＸ方向に移動させる。これにより第２スライダ４３に固定されているレジスト供給ノズル４６が、図７に示すように所定の吐出開始点Ｓまで、すなわちガラス基板Ｇにおける周縁部領域Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４の１つである領域Ｇ１の外側まで移動する。
【００３６】
次に第１のスライダ６７をＹ方向に移動させることにより、吐出開始点Ｓからまず領域Ｇ１の長手方向に沿って領域Ｇ４に向かってレジストを吐出していくわけであるが、このときＣＰＵ７４は、レジスト供給ノズル４６が基板Ｇ上の外周縁部の領域Ｇ１上に位置していることを判断しており、この場合は図６に示す第１ノズル５１の吐出口５１ａのみからレジストが塗布される。
【００３７】
図８（Ａ）を参照して、ノズル４６が領域Ｇ４側まで達して更にガラス基板Ｇを越え外側まで達すると、第２のスライダ４３を領域Ｇ３に向かってＸ方向に僅かに移動した後、第１のスライダを領域Ｇ２に向かってＹ方向に移動していく。ここで図８（Ａ）においてレジストＲの列間隔は模式的に示したが、実際には図１０に示すように、ノズル４６を領域Ｇ３に向かってＸ方向に僅かに移動させる際の距離ｄは、吐出口５１ａの直径よりも短い距離（通常は約半分程度）である。この領域Ｇ１における塗布処理の途中、図８（Ｂ）に示すように、塗布直後の減圧乾燥により本来窪みＲｃ（一点鎖線で示す）が生ずると予測される予測領域Ｇｃ上（不均一性が生起しやすい部分Ｒａの内側）にノズル４６が位置しているときは、ＣＰＵ７４からの指令に基づき第２のスライダ４３をＸ方向には移動させずにノズル４６を往復させてレジストＲを所定量上塗りする。すなわち予測領域Ｇｃにおいてはレジストの塗布量を予測領域Ｇｃ以外の領域の塗布量よりも多くして、符号Ｒｂに示すような状態にする。この予測領域Ｇｃの所定量の塗布処理が終了し、次いで領域Ｇ１においてノズル４６が領域Ｇ２側まで達して領域Ｇ１の塗布処理が終了すると、今度は第２のスライダ４３をＸ方向に移動させることにより領域Ｇ２上を領域Ｇ３に向かって第１ノズル５１のみにより塗布処理を行っていく。
【００３８】
そしてノズル４６が領域Ｇ３まで達して更にガラス基板Ｇを越えると、第１のスライダ６７をＹ方向に領域Ｇ４に向かって僅かに移動した後、第２のスライダ４３を領域Ｇ１に向かってＸ方向に移動していく。この領域Ｇ２における塗布処理の途中、領域Ｇ１と同様に、塗布直後の減圧乾燥により本来窪みＲｃが生ずると予測される予測領域Ｇｃ上にノズル４６が位置しているときは、ＣＰＵ７４からの指令に基づき第１のスライダ６７をＹ方向には移動させずにノズル４６を往復させ、レジストの塗布量を予測領域Ｇｃ以外の領域の塗布量よりも多くする。この予測領域Ｇｃの所定量の塗布処理が終了し、次いで領域Ｇ２においてノズル４６が領域Ｇ３側まで達して領域Ｇ２の塗布処理が終了すると、第１のスライダ６７をＹ方向に移動させることにより領域Ｇ３上を領域Ｇ４に向かって第１ノズル５１のみにより塗布処理を行っていく。
【００３９】
領域Ｇ３及び領域Ｇ４においても以上のような領域Ｇ１及び領域Ｇ２における塗布処理と同様な動作で、第１ノズルのみの吐出により塗布処理が行われる。
【００４０】
領域Ｇ４の塗布処理が終了すると、続いて図９（Ａ）に示すように、ノズル４６が領域Ｇ５上に位置しているときは、ＣＰＵ７４からの指令に基づき、第２ノズル５２のみにより複数の吐出口５２ａからレジストが塗布される。この領域Ｇ５はまず第１のスライダ６７をＹ方向に領域Ｇ２に向かって移動させて塗布し、ノズル４６が領域Ｇ５と領域Ｇ２との境界まで達するとレジストの供給を中止して、そのままノズルはＹ方向に僅かに移動する。次いで第２のスライダ４３を領域Ｇ３に向かってＸ方向にノズル４６の幅Ｌの分だけ移動させ、第１のスライダ６７を領域Ｇ４に向かってＹ方向に移動させながら再び領域Ｇ５から第２ノズル５２により塗布処理をする。
【００４１】
領域Ｇ５全面の塗布処理が終了すると、レジストＲは図９（Ｂ）に示すような状態に塗布されることになり、その後、減圧乾燥装置（ＤＰ）４０（図３）により乾燥処理された場合、図１１に示すように予測領域Ｇｃに所定量上塗りされたレジストＲｂが減圧乾燥によりへこみ、残った不均一性が生起しやすい部分Ｒａを図２に示すエッジリムーバ（ＥＲ）２３により鎖線８１の位置で除去する。これにより、レジスト液膜厚をガラス基板Ｇの全面に亘って均一にすることができる。
【００４２】
その後、基板Ｇは、中段部２ｂに配置された加熱処理装置（ＨＰ）の一つでプリベーク処理され、ユニット２９または３０の下段の冷却装置（ＣＯＬ）で冷却され、中継部１６から主搬送装置１９によりインターフェイス部３を介して図示しない露光装置に搬送されてそこで所定のパターンが露光される。そして、基板Ｇは再びインターフェイス部３を介して搬入され、必要に応じて後段部２ｃのいずれかの加熱処理装置（ＨＰ）でポストエクスポージャベーク処理を行った後、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ，２４ｂ，２４ｃのいずれかで現像処理される。現像処理が行われた後、処理された基板Ｇは、後段部２ｃのいずれかの加熱処理装置（ＨＰ）にてポストベーク処理が施された後に冷却装置（ＣＯＬ）にて冷却され、主搬送装置１９，１８，１７及び搬送機構１０によってカセットステーション１上の所定のカセットに収容される。
【００４３】
以上説明したように、塗膜厚の均一性を保つ制御が困難なガラス基板Ｇの周縁部の領域Ｇ１〜Ｇ４においては、１つの吐出口５１ａを有する第１ノズル５１により塗布処理を行うこととしたので、特に予測領域Ｇｃのような微細な領域における塗膜厚の制御を容易かつ精密に行うことができる。
【００４４】
また不均一性が生起しやすい部分Ｒａは、特にガラス基板Ｇの周縁部においてレジスト液が表面張力により盛り上がる現象による場合もあり、この場合も盛り上がる部分の内側の、窪みが生じる可能性が高い領域において１つの吐出口５１ａを有する第１ノズル５１により塗布処理を行うこととしたので、塗膜厚の制御を容易かつ精密に行うことができる。
【００４５】
また、吐出口５１ａの径を第２ノズル５２の吐出口５２ａの径よりも小としたことにより、領域Ｇ１〜Ｇ４においては領域Ｇ５における塗布処理よりも更に精密な膜厚制御が可能となる。
【００４６】
図１２（Ａ）、（Ｂ）は本発明の第２の実施形態を示しており、この第２の実施形態において第１の実施形態における構成要素と同一の部分については同一の符号を付すものとする。
【００４７】
図１２（Ａ）を参照して、第１の実施形態と同様にＣＰＵ７４の制御により、第１スライダ６７及び第２スライダ４３によりノズル４６を領域Ｇ１の外側（所定の吐出開始点Ｓ´）まで移動させる。そして第２ノズル５２のみにより吐出開始点Ｓ´から領域Ｇ４に向かってレジストＲを吐出していき、領域Ｇ４に達して更に基板Ｇを越えると、ノズル４６の幅ＬだけＸ方向に移動し、続いてＧ２に向かってＹ方向に移動しながら塗布処理を行っていく。この場合、周縁部の領域Ｇ１〜Ｇ４と周縁部以外の領域Ｇ５との区別は判断せずに基板Ｇ全面に塗布を行う。
【００４８】
続いて図１２（Ｂ）に示すように領域Ｇ１において、不均一部分Ｒａの内側における窪み生起の予測領域Ｇｃ上に、第１ノズル５１のみにより上塗りし、所定量の塗布Ｒｂを行う。この所定量の塗布Ｒｂを各領域Ｇ２〜Ｇ４についても同様に行う。
【００４９】
これにより本実施形態においては第１の実施形態と同様に、予測領域Ｇｃのような微細な領域における塗膜厚の制御を容易かつ精密に行うことができる。また、最初に基板Ｇの全面に第２ノズル５２により塗布処理を行ってから、予測領域Ｇｃのみに第１ノズル５１により塗布処理を行うこととしたので、塗布処理のタクトを短縮させることができる。
【００５０】
図１３は本発明の第３の実施形態を示しており、上記第１及び第２の実施形態と同様の構成要素については同一の符号を付すものとする。
【００５１】
まず窪み生起の予測領域Ｇｃ上に、第１ノズル５１（図示せず）により所定量の塗布Ｒｂを行い、その後第２ノズル５２（図示せず）のみにより図１２Ａで示した第２の実施形態と同様な塗布処理を行う。これにより予測領域ＧｃにおけるレジストＲの表面は、上記所定量の塗布Ｒｂの塗布量に応じて盛り上がりＲｂ´が形成されるので、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００５２】
なお本実施形態においては、図１３に示す塗布処理の終了状態から更に第１ノズル５１のみにより周縁部の領域Ｇ１〜Ｇ４に塗布処理を行って、精密かつ念入りに塗膜厚の制御を行うようにしてもよい。
【００５３】
なお、本発明は以上説明した各実施形態には限定されない。
【００５４】
例えば、第１、第２、第３の各実施形態においては、ガラス基板Ｇの周縁部で盛り上がる場合について述べたが、レジストの種類によってはガラス基板Ｇの周縁部において盛り上がることはなく、逆にその周縁部の塗膜厚が周縁部分以外（Ｇ５）よりも薄くなる場合があるので、この場合についても周縁部領域が均一になるように、その塗膜厚に応じて各第１〜第３の実施形態における第１ノズル５１により塗布量を制御してもよい。
【００５５】
また、第１、第２、第３の各実施形態において、レジスト供給ノズル４６の移動速度を可変として、ＣＰＵ７４の制御により周縁部の領域Ｇ１〜Ｇ４に塗布するときのノズル４６の移動速度を領域Ｇ５に塗布するときの移動速度よりも遅くし、塗膜厚の均一性を保つ制御が困難な領域Ｇ１〜Ｇ４にはより精密かつ念入りに塗布処理を行うようにしてもよい。
【００５６】
また、減圧乾燥による生ずる窪みがかなり微細なものであるときは、予測領域Ｇｃ上の上記移動速度を比較的速くして塗布量を少なく制御する、というように予測される窪みの大きさに応じて塗布処理を制御するようにしてもよい。
【００５７】
更に、上記の移動速度制御に加えて各第１ノズル５１及び第２ノズル５２からのレジストの吐出量を更に制御できるようにして、各領域Ｇ１〜Ｇ５に応じて単位時間当たりの吐出量を変化させて、より精密な塗膜厚の制御を行うようにしてもよい。
【００５８】
【発明の効果】
以上説明したように、基板の周縁部領域における塗膜厚を精細に制御することができ、塗布液の膜厚の均一性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明が適用されるＬＣＤ基板の塗布・現像処理システムを示す平面図である。
【図２】図１に示したレジスト塗布装置（ＣＴ）、減圧乾燥装置（ＶＤ）、及びエッジリムーバ（ＥＲ）からなる塗布系処理ユニット群の概略平面図である。
【図３】図２に示す塗布系処理ユニット群の概略側面図である。
【図４】図３に示した本発明の一実施形態であるレジスト塗布装置（ＣＴ）の概略構成を示す一部断面図である。
【図５】図４に示したレジスト塗布装置（ＣＴ）の平面図である。
【図６】図５に示したレジスト供給ノズル部分における下方からの拡大斜視図である。
【図７】レジスト塗布処理前のガラス基板を示す斜視図である。
【図８】本発明の第１の実施形態に係るガラス基板の周縁部領域の塗布処理工程を示す図で、（Ａ）はその斜視図、（Ｂ）はその拡大断面図である。
【図９】図８において、ガラス基板の周縁部領域以外の塗布処理工程を示す図である。
【図１０】図８において、塗布処理の実際の列間隔を示す断面図である。
【図１１】本発明の第１の実施形態に係る塗布処理工程が終了した後、ガラス基板を減圧乾燥させた場合の状態を示す断面図である。
【図１２】本発明の第２の実施形態に係る塗布処理工程を示す図で、（Ａ）はその斜視図、（Ｂ）はその断面図である
【図１３】本発明の第３の実施形態に係る塗布処理工程を示す断面図である。
【図１４】従来の塗布処理における問題点を示すための断面図である。
【符号の説明】
Ｇ…ガラス基板
Ｓ…吐出開始点
Ｒ…レジスト
Ｇｃ…予測領域
Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４…周縁部の領域
Ｒｂ…所定量の塗布
２２…レジスト塗布装置（ＣＴ）
５１…第１ノズル
５２…第２ノズル
５１ａ、５２ａ…吐出口
５８…基板吸着テーブル
７４…ＣＰＵ

Claims

被処理体を保持する保持部材と、
少なくとも１つの吐出口が形成された第１のノズル及び前記第１のノズルの吐出口の数より多い吐出口が形成された第２のノズルを有し、前記保持部材に対して前記第１及び第２のノズルが一体として相対的に縦横方向に移動しながら前記被処理体上に塗布液を供給する塗布液供給ノズルと、
前記被処理体の周縁部領域に前記第１のノズルで前記塗布液を供給し、前記被処理体の周縁部領域以外の領域または前記被処理体の全面に前記第２のノズルで前記塗布液を供給するように、前記第１のノズルと前記第２のノズルとを切り替えて前記塗布液の供給を制御する手段と
を具備することを特徴とする塗布装置。
請求項１に記載の塗布装置であって、
前記制御手段は前記第１のノズルにより前記被処理体の周縁部領域に塗布液を供給し、前記第２のノズルにより前記周縁部領域以外の領域に塗布液を供給するように、前記第１のノズルと前記第２のノズルとを切り替えて前記塗布液の供給をするものであることを特徴とする塗布装置。
請求項１に記載の塗布装置であって、
前記制御手段は前記第２のノズルにより前記被処理体の全面に塗布液を供給した後に、前記第１のノズルにより前記被処理体の周縁部領域に塗布液を供給するように、前記第１のノズルと前記第２のノズルとを切り替えて前記塗布液の供給をするものであることを特徴とする塗布装置。
請求項１に記載の塗布装置であって、
前記制御手段は前記第１のノズルにより前記周縁部領域に塗布液を供給した後に、前記第２のノズルにより前記被処理体の全面に塗布液を供給するように、前記第１のノズルと前記第２のノズルとを切り替えて前記塗布液の供給をするものであることを特徴とする塗布装置。
請求項１から請求項４のうちいずれか一項に記載の塗布装置であって、
前記第１のノズルによる前記周縁部領域への塗布液の供給は塗布後の減圧乾燥により当該周縁部領域内で窪みができると予測される領域に前記第１のノズルにより塗布液を供給して前記塗布液の塗布量が前記予測される領域以外の領域より多くなるようにするものであることを特徴とする塗布装置。
請求項１から請求項５のうちいずれか一項に記載の塗布装置であって、
前記第１のノズルの吐出口の径を前記第２のノズルの吐出口の径より小としたことを特徴とする塗布装置。
請求項１から請求項６のうちいずれか一項に記載の塗布装置であって、
前記塗布液供給ノズルの移動速度を可変に制御する手段を更に具備することを特徴とする塗布装置。
請求項１から請求項７のうちいずれか一項に記載の塗布装置であって、
前記被処理体の周縁部領域における前記塗布液供給ノズルの移動速度を、前記周縁部領域以外における前記塗布液供給ノズルの移動速度よりも小さく制御する手段を更に具備することを特徴とする塗布装置。
請求項７又は請求項８に記載の塗布装置であって、
前記塗布液の吐出量を前記被処理体上の領域に応じて可変に制御する手段を更に具備することを特徴とする塗布装置。