JP2000077326A - 成膜装置及び成膜方法 - Google Patents
成膜装置及び成膜方法Info
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Abstract
被処理基板の所望の箇所に液体を均一に塗布できる成膜
装置を提供する。 【解決手段】 ウエハ1を保持するウエハ保持体6と、
このウエハ保持体6に対向配置され、前記ウエハ1上に
レジスト液を細径の線状に吐出できる吐出孔40aを有
するノズルユニット2とを有し、ウエハ保持体6とノズ
ルユニット2を相対的に駆動し、ノズルユニット2から
レジスト液を細径の線状に吐出しながら前記ウエハ1の
回路形成領域1aにレジスト液を塗布させることを特徴
とする。
Description
エハ、LCD基板や露光マスク等の被処理基板上に樹脂
等を溶解させたものからなる液体、特にレジスト液を塗
布し、この液体の膜を形成する成膜装置に関するもので
ある。
プロセスにおいては、微細な回路パターンがフォトリソ
グラフィーの技術を利用して形成される。
D基板や半導体ウエハ等の被処理基板の表面にレジスト
液を塗布・成膜した後、これを所定のパターンに露光
し、さらに現像処理・エッチング処理することにより所
定の回路パターンを形成する。
膜するための方法としてはスピンコーティング法が主流
をなしている。このスピンコーティング法によれば、被
処理基板の中心部にレジスト液を滴下した後、この基板
を高速で回転させる。このことで、レジスト液を回転遠
心力によって基板全体に拡散させ、基板の全面に亘って
略均一なレジスト液膜を形成することができる。
術によって形成するべき回路パターンの線幅がますます
微細化する傾向にあり、これに伴いレジスト膜の薄膜化
が厳しく要求されている。すなわち、形成される回路の
線幅は、このレジスト液の膜厚と露光波長とに比例する
ことから、レジスト液の膜厚はできる限り薄くすること
が好ましい。
を高速化することによりレジスト膜厚を薄くすることが
できる。このため、例えば8インチのウエハの場合、2
000〜4000rpmと、かなりの高速で回転させる
ようにしている。
ンコーティングによるレジスト液塗布方法によれば、以
下に説明するような解決すべき課題がある。
被処理基板を大型化するとその外周部での周速度が速く
なり、これにより空気の乱流が引き起こされ、この乱流
によりレジスト膜の膜厚が変動しやすくなる。そして、
これが原因で露光解像度が低下するという問題がある。
成する上で致命的な障害であり、従来スピンコート法で
は0.4μm以下の膜厚では一定の塗膜を得ることは困
難であるため、数ギガ程度以上の半導体を製造するには
自ずと限界がある。
ば、レジスト液が被処理基板の中心位置から周縁部に向
けて拡散していく過程において、レジスト液に含まれる
溶剤が順次蒸発していく。このために、拡散方向に沿っ
てレジスト液の粘度が異ってしまい、中心部と周辺部と
で形成されたレジスト膜の厚さが異なるおそれがある。
被処理基板を高速で回転させるため、ウエハの周縁部か
ら飛散し無駄になるレジスト液の量が多い。一例によれ
ば、ウエハ上に供給されたレジスト液のうち10%以下
の量しかレジスト液膜の形成に寄与していない。
は、飛散するレジスト液を受け止めるため、ウエハをカ
ップ内で回転させる必要があるが、このカップに付着し
たレジスト液がパーティクルとなって被処理基板を汚染
する恐れがある。このため、このカップを頻繁に洗浄す
る必要がある。
被処理基板の周縁部等の回路形成に寄与しない領域にも
レジスト液が塗布されてしまう欠点がある。この部分に
塗布されたレジスト液は、通常、レジスト液塗布工程の
直後にエッジリムーバと称される専用の装置によって除
去するようにしている。
情に鑑みてなされたものであって、その主たる目的は、
成膜に要する液体の歩留まりが高く、かつ、被処理基板
の所望の箇所のみに前記液体を均一に塗布できる成膜装
置を提供することにある。
よれば、成膜装置であって、被処理基板を保持する基板
保持部と、前記基板保持部に対向配置され、この基板保
持部によって保持された基板の表面に成膜用の液体を細
径の線状に連続吐出できる吐出孔を有するノズルユニッ
トと、前記基板保持部とノズルユニットを相対的に駆動
し、前記液体を、このノズルユニットから細径の線状に
吐出しながら前記被処理基板の表面に塗布することによ
って膜を形成する駆動機構とを有するものが提供され
る。
きの要領で、レジスト液のような液体を塗布することが
できるので、成膜に要する液体の歩留まりが向上する。
ここで、液体成膜の薄膜化及び膜厚均一化を図るために
は、液体の線径をできるだけ小さくして高圧で吐出し、
かつ高速でノズルユニットを移動させながら塗布を行な
う必要がある。この場合、細径線状の液体流が切れてし
まうことを有効に防止する必要があるが、このために
は、ノズルユニットからの前記液体が吐出される空間を
所定濃度の溶剤雰囲気にコントロールする雰囲気制御機
構を設けることが好ましい。
理基板を収容する本体と、この本体に設けられ、液温及
び液面高さコントロールされた溶剤を貯溜する液溜めチ
ャンネルと、この本体の上方に設けられ前記液体が吐出
される空間を区画する天板部材とから構成することがで
きる。この場合、前記天板部材には、ノズルユニットが
挿通される挿通部を設けるようにする。
記液体が吐出される空間を加熱すると共にノズルユニッ
トを加熱するようにすれば、溶剤雰囲気をより良好にコ
ントロールできると共に前記液体の粘度を好ましい状態
に制御することができる。
の線状に吐出するための液体吐出ノズルと、この液体吐
出ノズルから吐出された液体の周囲に溶剤を流通させる
溶剤供給ノズルとを有するものであることが望ましい。
から吐出された直後の液体から例えば溶剤が揮発してこ
の液体の粘度が変動してしまうことを有効に防止でき、
吐出された細径の液体流の切れを防ぐことができる。
要塗布量、吐出時間及び塗布範囲に基づいてノズルと被
処理基板の相対移動速度及び塗布経路を設定するように
することで、基板上に薄厚でかつ均一な厚さの液膜を形
成することができる。
採用することが可能である。例えばジグザグ状の経路の
他、螺旋状の経路であっても良い。
被処理基板とノズルユニットの相対速度を一定に保つ必
要がある。これを実現するため、被処理基板の必要塗布
領域の外側を覆い隠すマスク部材を設け、このマスク部
材上で、減速・折り返し・加速を行なうようにして塗布
領域内では一定の相対速度に保つようにすることが好ま
しい。
する開口を有する板部材であっても良いし、一対の液体
の受け部材を有し、この受け部材の対向間隔を、成膜領
域の幅に対応して制御する受け部材駆動機構を有するも
のであっても良い。
絶縁材料、低誘電体材料、強誘電体材料、配線材料、有
機金属材料、金属ペースト等のうちいずれかひとつの液
体を用いることができる。
処理基板の表面に成膜するための成膜方法であって、前
記被処理基板を保持する工程と、成膜用の液体を細径の
線状に連続吐出しながら、前記基板保持部とノズルユニ
ットを相対的に駆動し、前記被処理基板に塗布させるこ
とで被処理基板の表面に膜を形成する工程とを有する方
法が提供される。
きの要領で、レジスト液のような液体を塗布することが
できるので、成膜に要する液体の歩留まりが向上する。
の部分をマスク部材で覆う工程を有することが好まし
い。
液体の膜の表面を平坦化するアジテーション工程を有す
ることが望ましい。
〜図11(d)を参照して説明する。
体ウエハ(被処理基板)にレジスト液(成膜用の液体)
を塗布するレジスト液塗布装置を例にとって説明する。
ング法のように半導体ウエハ1を高速で回転させてレジ
スト液の塗布を行うのではなく、図3に示すように、レ
ジスト液塗布ノズルユニット2とウエハ1とを相対的に
XY方向に移動させ、いわゆる一筆書きの要領で、ウエ
ハ1上の回路形成領域1aのみにレジスト液3の塗布を
行っていくことにある。
路形成領域1a以外の周縁部を覆うマスク部材4を被
せ、前記塗布ノズルユニット2をY方向に所定ピッチづ
つ間欠送りしながらX方向に往復させることで、前記回
路形成領域1aのみにレジスト液を塗布するようにして
いる。
トリソグラフィー技術に適用されるレジスト塗布装置に
おいて、このような一筆書きによるレジスト液塗布を可
能とするため、以下に説明するような種々の工夫を図っ
ている。
スト液塗布装置の縦断面図を示すものであり、図2は、
その平面図を示すものである。
5と、このフレーム5内にY方向に移動可能に保持され
前記半導体ウエハ1を保持するウエハ保持体6(この発
明の基板保持部)と、前記フレーム5に固定されこのウ
エハ保持体6の上方を覆う温度調節機能付きの天板7
と、この天板7に設けられたスリット7a(この発明の
挿通部)を通してウエハ1と対向しかつこのウエハ1に
対してX方向に駆動される塗布ノズルユニット2とを有
する。
すように、上方に開放するチャンネル状に形成された部
材である。また、このフレーム5は、図2に示すように
Y方向に長尺に形成され、Y方向一端側をレジスト液の
塗布が行われるレジスト液塗布部R、他端側をウエハの
受け渡しを行なうウエハロード・アンロード部Lとして
いる。そして、このフレーム5上には、前記ウエハ保持
体6をY方向に移動自在に保持するための一対のYレー
ル9が前記レジスト液塗布部Rとウエハロード・アンロ
ード部Lとに亘って延設されている。
保持体6をY方向に位置決め駆動するためのY方向駆動
用ボールねじ機構である。このY方向駆動用ボールねじ
機構10は、前記フレーム5のY方向両端部の壁部5
a、5bによって回転自在に保持されたボールねじ11
と、このボールねじ11を回転駆動するためのY駆動モ
ータ12とを有する。
保持体6は、前記Yレール9上にYスライダ13を介し
てY方向に移動自在に保持されていると共に、下面には
ナット14が固定され、このナット14には前記ボール
ねじ11が螺着されている。したがって、前記Y駆動モ
ータ12を作動させ前記ボールねじ11を回転させるこ
とで、前記ナット14を介して前記ウエハ保持体6をY
方向に位置決め自在に駆動できるようになっている。
形成された本体16と、前記ウエハ1を保持するウエハ
吸着テーブル17とを有する。前記本体16は、前記ウ
エハ1の下面に対向する位置に溶剤(シンナー溶液)を
貯流するための液溜めチャンネル18を有する。この液
溜めチャンネル18内には、液温及び液面高さコントロ
ールされた溶剤が満たされ、この溶剤を蒸発させること
によってウエハ1の周囲を所定濃度の溶剤雰囲気に保つ
ようになっている。
給、液温コントロール及び液面高さコントロールを行な
うための溶剤液温制御部20及び溶剤供給部21が接続
されている。前記溶剤液温制御部20は、前記チャンネ
ル18内に予め温度コントロールされた溶剤を供給する
ものであっても良いし、前記本体16にヒータ(この発
明の加熱手段)を設けこのヒータを制御することで前記
液溜めチャンネル18内に満たされた溶剤を直接温度コ
ントロールするものであっても良い。
ンネル18内の液面高さを監視する手段、例えば圧力管
を有し、これにより液面を監視しながら溶剤を供給する
機能を有する。なお、溶剤の供給方式としては、前記チ
ャンネル18からの蒸発分のみを補う方式であっても良
いし、この溶剤供給部21とチャンネル18との間で溶
剤を循環させる方式であっても良い。
吸着テーブル17(ウエハ1)を囲む四隅には、この本
体16内の気流を制御するための4つの強制排気口19
a〜19dが設けられている。各排気口19a〜19d
は排気流量制御弁70a〜70dを介して図示しない排
気装置に接続されている。そして、各流量制御弁70a
〜70dは排気制御部71に接続されている。この排気
制御部71は、各流量制御弁70a〜70dを各別に制
御し、例えば、2つの排気口19a、19bのみから排
気を行わせることにより、本体16中に一方向に偏った
微弱な気流を生じさせる。このことにより、塗布したレ
ジスト液から揮発した溶剤の流れを制御し、これによ
り、後で説明するように溶剤の過度の揮発を防止する。
ウエハ1を保持する保持部23と、この保持部23をZ
θ方向に駆動するZθ駆動機構24とを有する。前記保
持部23には図示しない真空装置が接続されており、上
面に保持したウエハ1を真空チャッキングできるように
なっている。また、Zθ駆動機構24は、図1に示すよ
うに、Z位置決め・ノッチ合わせ部25に接続されてい
る。このZ位置決め・ノッチ合わせ部25は、前記ウエ
ハ保持体6が、前記ウエハロード・アンロード部Lに移
動した際に前記Zθ駆動機構24を作動させ、ウエハ1
の受け渡しを行なうためのZ方向動作と、ノッチ合わせ
を行なうためのθ動作を行なわせる。
吸着保持したウエハ1を振動させるための超音波振動子
73が固定されている。この超音波振動子73は、図に
74で示すアジテーション発生部に接続されている。こ
のアジテーション発生部74は、レジスト液が塗布され
た後で、ウエハ1に振動を印可する。このことで、塗布
されたレジスト液膜にアジテーションを加え、表面を平
坦化する。特に一筆書き方式のレジスト液塗布方法にお
いては、スピンコーティング法と異なり、塗布後のレジ
スト液膜の表面が平坦でないことが多いことから非常に
有効である。
スク部材4をウエハ1の直上で保持すると共に、このマ
スク部材4を図2に矢印Aで示す方向(X方向)に駆動
し、このウエハ保持体6内から挿脱するためのマスク部
材駆動機構27が設けられている。前記マスク部材4
は、図3に示すように、ウエハ1の回路形成領域1a以
外の領域を覆い、レジスト液がウエハ1の周縁部に塗布
されてしまうのを防止する。前記マスク部材駆動機構2
7は、レジスト液で汚れたマスク部材4を図2に矢印A
出示すように前記ウエハ保持体6及びフレーム5に設け
られた挿脱通路38,39を通してこのレジスト塗布装
置から取出し、この図に42で示すマスク部材洗浄装置
に搬送する。
洗浄機構を有すると共に交換用のマスク部材4’を保持
している。このマスク部材洗浄装置42は、前記レジス
ト液塗布装置からレジスト液で汚れたマスク部材4が搬
送されてきたならば、既洗浄済みのマスク部材4’を前
記レジスト塗布装置に対して送出する。前記マスク部材
駆動機構27は、この洗浄済みのマスク部材4を受け取
って前記ウエハに対して位置決めする。
述したように前記ウエハ保持体6の上方を覆うものであ
って、例えば図1に示すように線状のヒータ26が埋設
され所定の温度で発熱するように構成されている。これ
によって、この天板7は以下の2つの機能を主に奏す
る。
された溶剤雰囲気を維持・コントロールする機能であ
る。すなわち、いわゆる一筆書きの要領でレジスト液を
塗布する場合、後で説明するように、前記レジスト液は
細径に成型されて吐出されるためこのレジスト液に含ま
れている溶剤が揮発しやすいということがある。したが
って、ノズルユニット2の周囲及びウエハ1の上面は常
に一定の濃度の溶剤雰囲気にコントロールされている必
要がある。
前記溶剤雰囲気中の溶剤が凝固することを防止し、特
に、この天板7の下面に溶剤が結露することを防止す
る。このことによって、溶剤雰囲気の濃度コントロール
を行なう。
熱し、このノズルユニット2の目詰まりや吐出されたレ
ジスト液流の「切れ」を防止する機能である。後で詳し
く説明するように、このノズルユニット2は、レジスト
液を細径の線状に成形してかつ切れ目なく吐出する必要
があるため、その吐出孔の径が従来のレジスト液吐出ノ
ズルと比較して非常に小さい。したがって、吐出孔の目
詰まりを有効に防止する必要がある。
端部に近接して設けられ、ノズルユニット2を加熱保温
することで、吐出孔の目詰まりを有効に防止する。
ト2の周囲が所定の溶剤雰囲気にコントロールされるか
ら、レジスト液吐出直後の溶剤の揮発を有効に防止して
目詰まりを防ぐことができると共に、レジスト液の粘度
が一定に保たれ「切れ」が防止される。
ジスト液塗布部Rの部分のみに設けられ、前記ウエハ保
持体6を覆っている。この天板7の寸法は、レジスト液
の塗布時に前記ウエハ保持体6をY方向に最大限移動さ
せた場合であっても、前記ウエハ保持体6を覆い続けら
れる程度である必要がある。
述したように、前記ノズルユニット2のX方向移動を許
容するためのスリット7aが設けられている。このスリ
ット7aは、ウエハ1の幅に対応する長さでかつ前記ノ
ズルユニット2の挿通を許容する幅で設けられている。
ータ26は天板温度調節部28に接続されており、この
天板温度調節部28によって制御されるようになってい
る。
すように、前記フレーム5の上端部にX方向沿って架設
されたリニアスライド機構29によって保持されてい
る。このリニアスライド機構29は、Xレール30と、
このXレール30にスライド自在に設けれたスライダ3
1と、このスライダ31を駆動するためのボールねじ3
2と、このボールねじ32を回転駆動するX駆動モータ
33とを有する。
1によって、前記天板7のスリット7aに対応する位置
に保持され、その下端部をこのスリット7aを通してウ
エハ保持体6内に延出させている。ここで、前記スライ
ダ31に前記ノズルユニット2をZ方向に駆動できるZ
駆動機構(図示せず)を設け、ノズルユニット2をスリ
ットから退出させて定期的に洗浄することが好ましい。
のX駆動モータ33及び前記ウエハ1をY駆動するため
のY駆動モータ12は、ノズル・ウエハ駆動部34に接
続されている。このノズル・ウエハ駆動部34は、前記
X駆動モータ33とY駆動モータ12とを同期をとって
作動させることで、前記ノズルユニット2を前記ウエハ
1の所定の経路に対向させつつ移動させる。
5で示す中央制御部に設けられた塗布経路・速度設定部
36によって設定された塗布経路及び相対移動速度に基
いて作動する。なお、この塗布経路・速度設定部36
は、塗布条件設定ファイル37に格納されたウエハ寸法
(回路形成領域1aの寸法)、塗布経路基本パターン、
必要塗布量等に基いて塗布経路を決定する。
インチ、12インチ等がある。また、塗布経路基本パタ
ーンとしては、図3に示したジグザグ経路の他、渦巻き
経路等がある。また、レジスト液の塗布量は、この装置
の場合歩留まりが略100パーセントであるから、必要
膜厚及び塗布面積から決定される。さらに相対移動速度
は、塗布量と液吐出時間とによって決定されるが、膜厚
の形成に大きく関係するため非常に重要である。
自動で設定するようにしても良いし、オペレータが選択
してこの塗布経路・速度設定部36に入力するようにし
ても良い。
されている構成の他、図示されていない構成を含め、こ
のレジスト液塗布装置の全ての制御を中央集約的に司る
コンピュータシステムである。
4に示すように構成されている。このノズルユニット2
は2重管構造をなしており、内管部が前記レジスト液を
細径線状に供給するためのレジスト液供給ノズル40、
外管部がこのレジスト液供給ノズル40の周囲を通して
ミスト状の溶剤を供給する溶剤供給ノズル41となって
いる。
ステンレス材で形成され、吐出孔40aは10μm〜2
00μmと、きわめて細径に形成されている。ここでレ
ジスト液はこの分野で通常使用さているように溶剤が混
入されているものであるが、前記吐出孔40aの径が極
めて小さいために、その体積に対する表面積比が大きく
なり、溶剤が揮発し、目詰まりを起こしやすくなる。
0aの長さ寸法は、レジスト液線径が安定するのに必要
な長さに止め、その直前までは例えば直径約2mmと比
較的大径なる供給孔40bによってレジスト液を供給す
るようになっている。
ズル40は、レジスト液温制御部44を介してレジスト
液供給部45に接続されている。一筆書きでレジスト液
を供給する際に重要なことは、薄膜化及び膜厚の均一化
を図るためにできるだけ細径で、かつ前記レジスト液を
途切れることなく一定の線幅で連続的に吐出することで
ある。
0aの水頭圧で定まるが、その最大吐出速度が得られる
ような大圧力で吐出を行なうようにするため、前記レジ
スト液供給部45は例えばシリンダ等容積型のポンプを
用いてレジスト液を押し出し式に吐出できるように構成
されている。
はその粘度に応じて一定の広がりを生じる。これにより
Y方向の送りピッチを定めることができるから、塗布経
路が決定される。塗布経路が定まると、前記レジスト液
の吐出時間(吐出速度と吐出量とから求める)から、ノ
ズルユニット2の相対駆動速度が決定される。この装置
においては、吐出速度(例えば2m/s)と比較してノ
ズルユニット2の相対駆動速度(例えば500mm/s
〜1m/s)は遅くなる。
ニット2を駆動する場合、線状のレジスト液流が切れて
しまう恐れがあるので注意する必要がある。この発明で
は、レジスト液流の切れを防止するため、前記レジスト
液温制御部44でレジスト液温の制御を行なうと共に前
記天板7によって吐出直前でも温度コントロールを行な
っている。なお、レジスト液温制御部44は、例えば所
定の温度に調節された温調水を使用するウォータジャケ
ットである。
46で示す溶剤温度調節供給部に接続されている。この
溶剤温度調節・供給部46は、前記溶剤供給ノズル41
から所定の温度に制御されたミスト状の溶剤を吐出する
ことで、図4に示すように、吐出直後のレジスト液流の
周囲を溶剤雰囲気でシールさせる。このことによって、
レジスト液流からの溶剤の揮発を抑制して粘度を一定に
保ち、液流の切れを防止している。
一定の雰囲気が保たれているから、ウエハ1上に供給さ
れたレジスト液の粘度が急激に低下することがなく、ウ
エハ上での液流の切れが防止されると共に、レジスト液
の広がりも促進される。
前記液溜めチャンネル18からの溶剤の蒸発、天板7に
よる温度制御、及び前記溶剤ミスト吐出ノズル41から
の溶剤の噴出によって総合的に制御される(この発明の
雰囲気制御機構)。この雰囲気制御は、前記中央制御部
35に設けられた雰囲気管理部47によって管理される
ようになっている。
スト液塗布工程を説明する。 (1)まず、半導体ウエハ1をレジスト液塗布装置にロ
ードする。
12が作動することによって前記フレーム5の他端部に
設けたウエハロード・アンロード部Lに位置決めされ
る。
インアームに保持された状態で、前記ウエハロード・ア
ンロード部Lに搬入され、前記ウエハ吸着テーブル17
は、前記Zθ駆動機構24を作動させ、ウエハ保持部2
3を上下させることによってウエハ1を受け取る。つい
で、図示しない吸着機構を作動させることで、このウエ
ハ1を吸着保持する。
チ合わせ部25によってノッチ合わせが行われる。すな
わち、このフレーム5の所定位置には図示しない発光部
及び受光センサがウエハ1の周縁部に対向して設けられ
ており、前記Zθ駆動機構24によってウエハ1を回転
させ前記ノッチ1b(図3参照)が検出された角度で停
止させる。このことでノッチ合わせが行われたならば、
前記ウエハ保持部23は下降駆動され、ウエハ1を保持
体6内に収容する。この状態でウエハ1は回転しないよ
うにロックされる。
ことで、前記ウエハ保持体6は駆動され、前記レジスト
液塗布部Rに位置決めされる。ウエハ保持体6がレジス
ト液塗布部Rに位置決めされたならば、前記マスク部材
駆動機構27は、前記マスク部材洗浄部42からマスク
部材4を受け取ってウエハ1上で保持する。
も、前記中央制御部35に設けられた雰囲気管理部47
は溶剤雰囲気の管理を継続的に行なっている。すなわ
ち、前記ウエハ保持体6の溶剤保持チャンネル18内の
溶剤はすでに液温及び液面コントロールされている。ま
た、前記天板7も所定の温度に加熱されてノズルユニッ
ト2の予熱を行なっていると共に、前記溶剤供給ノズル
41からは溶剤が噴出され、レジスト液供給ノズル40
の吐出孔40aが乾燥して目詰まりの原因となるのを防
止している。 (3) 前記ウエハ1がレジスト液塗布部Rに位置決め
されたならば、前記制御部35は、前記塗布経路・速度
設定部36により設定された経路、相対移動速度その他
の条件に基いてノズルユニット2とウエハ1とを相対移
動させながら前記レジスト液を塗布する。
ット2を移動させる場合、X方向両端の折り返し部分で
はノズルユニット2を減速及び加速する必要があるか
ら、レジスト液の膜厚にばらつきが生じる恐れがある。
このため、前記ノズルユニット2の折り返しは、前記マ
スク部材4上、すなわち回路形成領域1aの外側で行な
うようにする。そして、回路形成領域1a上では、ノズ
ルユニット2を一定の速度で移動させる。
スト液膜の厚さは、前記レジスト液の線径、吐出速度、
ノズルユニット2の相対移動速度、及びウエハ1上での
レジスト液の広がりで調節され、ウエハ上の回路形成領
域1aには均一な液膜が形成される。
動し、ウエハ1の周辺の気流を制御し、塗布したレジス
ト液からの溶剤の揮発を規制する。すなわち、例えば、
ノズルユニット2のY方向の送りを、図2の紙面に向か
って左側から右側に行うとすると、前記排気口19a〜
19dのうち、Y方向送り方向の上流側の排気口19
a、19bのみから排気を行う。このことで、レジスト
液から蒸発する溶剤は、既に塗布済みのレジスト液の方
向に案内されるから、レジスト液の直上を溶剤雰囲気で
覆うことができる。したがって、塗布済みのレジスト液
からの溶剤の過度の揮発を防止できる効果がある。
ば、前記アジテーション発生部74は、前記ウエハ吸着
テーブル17に取着された超音波振動子73を作動さ
せ、ウエハ1に対して超音波帯域での振動を印加する。
このことで、塗布されたレジスト液膜にアジテーション
が加えられ、液膜の表面を平坦化することができる。
スト液が付着したマスク部材4をマスク部材洗浄装置4
2側へ排出する。ついで、前記ウエハ保持体6をレジス
ト液塗布部Rから退出させ、前記ウエハロード・アンロ
ード部Lに移動させる。この位置で、前記保持部23を
上下させることで図示しない主アームに半導体ウエハ1
を受け渡す。
ることができる。
筆書きの要領でレジスト液を塗布することでレジスト液
を供給できるから、レジスト液の歩留まりを飛躍的に向
上させることができ、場合によっては略100%とする
ことができる効果がある。
般的に採用されているスピンコーティング法では、ウエ
ハを高速で回転させるため、ウエハの周縁部から飛散し
無駄になるレジスト液の量が多い。一例によれば、ウエ
ハ上に供給されたレジスト液のうち10%以下の量しか
レジスト液膜の形成に寄与していない。
路形成に寄与しない領域にもレジスト液が塗布されてし
まう欠点がある。この部分に塗布されたレジスト液は、
通常、レジスト液塗布工程の直後にエッジリムーバと称
される専用の装置によって除去しなければならない。
装置によれば、レジスト液の歩留まりが飛躍的に向上す
るから、後でレジスト液を除去する必要はない。
薄厚でかつ均一な液膜を形成することができる効果があ
る。
塗布する場合、液膜の薄膜化及び均一化を図るために、
できるだけ細径の液流で塗布を行い、しかも液流が切れ
ることを有効に防止する必要がある。また、吐出中に液
流の粘度が変化すると液流が切れる可能性が高い。ま
た、塗布ノズルが目詰まりを起こす可能性が高いため、
これも有効に防止する必要がある。
に、レジスト液流の周囲の溶剤雰囲気の濃度管理を高精
度に行なうことができるから、細径の液流であっても、
液流の粘度を常に一定に保つことができ、液流の切れを
防止できる。
ユニット2に一体的に溶剤供給ノズル41を設けること
で溶剤の揮発を防止でき、粘度の変化を防止できる。ま
た、天板7を設け、この天板7で溶剤雰囲気の濃度コン
トロール及びノズルユニットの加熱を精度良く行なうこ
とができ、このことによっても液流の切れを防止でき
る。
ら、パーティクルが発生することを有効に防止できる効
果がある。
散するレジスト液を受け止めるため、ウエハをカップ内
で回転させる必要があるが、このカップに付着したレジ
スト液がパーティクルとなってウエハを汚染する恐れが
あるため、このカップを頻繁に洗浄する必要がある。
装置によれば、一度に供給されるレジスト液の線径を非
常に小さくできるから飛び散ることが防止され、また、
ウエハ1を回転させないから飛散はほとんどない。従っ
て、このようなカップを設ける必要はなく、洗浄も不要
となる。
覆うようにし、このマスク部材4上でレジスト液塗布の
開始、折り返し、塗布終了等を行なうようにした。この
ことで、回路形成領域1a上ではノズルユニット2の加
減速を行うことなく一定の速度で移動させることができ
るから、レジスト液膜厚の均一化を行なうことができ
る。
スト液で汚れることとなるが、このレジスト液塗布装置
の側方にマスク部材洗浄装置42を設けたのでこのマス
ク部材4の洗浄を行なえる。また、このマスク部材洗浄
装置42は、洗浄済みのマスク部材4’を待機させ、汚
れたマスク部材4と交換的に送出するようになっている
から、レジスト液塗布のスループットを低下させること
はない。
領域1aの全面に亘って確実に塗布できるから、レジス
ト液を塗布する前のプリウエット工程(ウエハ1の表面
にシンナ等の溶剤を塗布しておくこと)を必ずしも設け
る必要がない。このため、成膜工程が簡略化する効果が
ある。 (塗布現像処理システム)なお、このレジスト液塗布装
置は、図5〜図7に示す塗布現像処理システムに適用さ
れることが好ましい。
テムは、ウエハ1が収容されたカセットCRからウエハ
1を順次取り出すカセット部50と、カセット部50に
よって取り出されたウエハ1に対しレジスト液塗布及び
現像のプロセス処理を行なうプロセス処理部51と、レ
ジスト液が塗布されたウエハ1を図示しない露光装置に
受け渡すインタフェース部52とを備えている。
位置決め保持するための4つの突起部60aと、この突
起部60aによって保持されたカセット内からウエハ1
を取り出す第1のサブアーム機構61とが設けられてい
る。このサブアーム機構61は、ウエハ1を取り出した
ならば、θ方向に回転して向きを変え、このウエハ1を
前記プロセス処理部51に設けられたメインアーム機構
62に受け渡すことができるようになっている。
のウエハ1の受け渡しは第3の処理ユニット群G3を介
して行われる。この第3の処理ユニット群G3は、図7
に示すように複数のプロセス処理ユニットを縦形に積み
上げて構成したものである。すなわち、この処理ユニッ
ト群G3は、ウエハ1を冷却処理するクーリングユニッ
ト(COL)、ウエハ1に対するレジスト液の定着性を
高める疎水化処理を行なうアドヒージョンユニット(A
D)、ウエハ1の位置合わせをするアライメントユニッ
ト(ALIM)、ウエハ1を待機させておくためのエク
ステンションユニット(EXT)、露光処理前の加熱処
理を行なう2つプリベーキングユニット(PREBAK
E)、及び露光処理後の加熱処理を行なう2つポストベ
ーキングユニット(POBAKE)を順次下から上へと
積み上げて構成されている。
受け渡しは、前記エクステンションユニット(EXT)
及びアライメントユニット(ALIM)を介して行われ
る。
ム機構62の周囲には、前記第3の処理ユニット群G3
を含む第1〜第5の処理ユニット群G1〜G5がこのメ
インアーム機構62を囲むように設けられている。前述
した第3の処理ユニット群G3と同様に、他の処理ユニ
ット群G1,G2,G4,G5も各種の処理ユニットを
上下方向に積み上げ的に構成されている。
は、図6に示すように、前記第1、第2の処理ユニット
群G1、G2に設けられている。この第1、第2の処理
ユニット群G1,G2は、レジスト塗布装置(COT)
と現像処理装置(DEV)とを上下方向に積み上げ構成
したものである。
に示すように、上下方向に延接された筒状のガイド69
と、ガイド69に沿って上下駆動されるメインアーム6
8を備えている。また、このメインアーム68は平面方
向に回転し、かつ進退駆動されるように構成されてい
る。したがって、このメインアーム68を、上下方向に
駆動することで、ウエハ1を前記各処理ユニット群G1
〜G5の各処理ユニットに対して任意にアクセスさせる
ことができるようになっている。
ト群G3のエクステンションユニット(EXT)を介し
てウエハ1を受け取ったメインアーム機構62は、先
ず、このウエハ1を第3の処理ユニット群G3のアドヒ
ージョンユニット(AD)に搬入し、疎水化処理を行な
う。ついで、アドヒージョンユニット(AD)からウエ
ハ1を搬出し、クーリングユニット(COL)で冷却処
理する。
ーム機構62によって前記第1の処理ユニット群G1
(若しくは第2の処理ユニット群G2)のレジスト液塗
布装置(COT)に対向位置決めされ、搬入される。こ
のことで、ウエハ1をこの発明のレジスト液塗布装置の
前記ウエハロード・アンロード部Lに対してロードする
ことができる。
ト液が塗布されたウエハ1は、前記ウエハロード・アン
ロード部Lからメインアーム機構によってアンロードさ
れ、第4の処理ユニット群G4を介してインタフェース
部52に受け渡される。
示すように、クーリングユニット(COL)、イクステ
ンション・クーリングユニット(EXT・COL)、イ
クステンションユニット(EXT)、クーリングユニッ
ト(COL)、2つのプリベーキングユニット(PRE
BAKE)、及び2つのポストベーキングユニット(P
OBAKE)を下から上へと順次積み上げて構成したも
のである。
り出されたウエハ1は、先ず、プリベーキングユニット
(PREBAKE)に挿入され、レジスト液から溶剤
(シンナー)を飛ばして乾燥される。なお、この乾燥は
例えば、減圧法によるものであっても良い。すなわち、
ウエハ1をプリベーキングユニット(PREBAKE)
若しくはこれとは別に設けられたチャンバ内に挿入し、
ウエハ1周辺を減圧することで溶剤を除去(レジスト液
を乾燥)する方法であっても良い。また、このポストベ
ーキングユニットはレジスト液塗布装置(COT)と別
に設置しても良いし、レジスト液塗布装置内に設置され
ていても良い。
(COL)で冷却された後、エクステンションユニット
(EXT)を介して前記インタフェース部52に設けら
れた第2のサブアーム機構54に受け渡される。
構54は、受け取ったウエハ1を順次カセットCR内に
収納する。このインターフェース部は、前記ウエハ1を
カセットCRに収納した状態で図示しない露光装置に受
け渡し、露光処理後のウエハ1が収納されたカセットC
Rを受け取る。
逆に第4の処理ユニット群G4を介してメインアーム機
構62に受け渡され、このメインアーム機構62は、こ
の露光後のウエハ1を必要であればポストベーキングユ
ニット(POBAKE)に挿入した後、現像装置(DE
V)に挿入し現像処理を行なわせる。現像処理後のウエ
ハ1は、いずれかのベーキングユニットに搬送され、加
熱乾燥した後、この第3の処理ユニット群G3のエクス
テンションユニット(EXT)を介してカセット部50
に排出される。
選択的に設けられるもので、この例では前記第4の処理
ユニット群G4と同様に構成されている。また、この第
5の処理ユニット群G5はレール55によって移動可能
に保持され、前記メインアーム機構62及び前記第1〜
第4の処理ユニット群G1〜G4に対するメンテナンス
処理を容易に行ない得るようになっている。
た塗布現像ユニットに適用した場合、複数のウエハの並
行処理が容易に行なえるから、ウエハ1の塗布現像処理
工程を非常に効率的に行なうことができる。また、各処
理ユニットが上下に積上げ式に構成されているから装置
の設置面積を著しく減少させることができる。
うな塗布現像ユニット以外の装置にも適用可能であるこ
とはもちろんである。また、その他発明の要旨を変更し
ない範囲で種々変形可能である。
に示した構成に限定されるものではなく、例えば図8に
示した構成のものも採用することが可能である。なお、
図4と同様の構成部分には同一の符号を付している。
ユニット2と同様に、レジスト液吐出ノズル40を内管
とし、溶剤供給ノズル41を外管とする二重管構造を採
っている。ただし、溶剤供給ノズル41の下端部には溶
剤を溜める液溜め部70が区画されている。
ニット2と同様の効果を得ることができる他、液溜め部
70を設けたことでこの周囲の雰囲気の変化を極力小さ
くすることができ、溶剤雰囲気が安定する。
実施形態のもの(図3)に限定されるものではなく、例
えば図9に示すように渦巻き状の径路としても良い。こ
の場合、前記ウエハ1を低速(例えば20〜30rp
m)で回転させつつノズルユニット2をこのウエハ1の
直径方向(例えばX方向)に移動させることで塗布を行
うようにすることが好ましい。
の相対速度を一定に保つことが重要である。例えばノズ
ルユニット2を一定の速度で移動させる場合には、この
ノズルユニット2がウエハ1の周縁部側に移動するにし
たがってウエハ1の回転速度を徐々に低下させる。一
方、ウエハ1を一定の速度で回転させる場合には、ノズ
ルユニット2の移動速度をウエハ1の周縁部に行くにし
たがって徐々に低下させるようにする。
るため、図10に示すように塗布方向を異ならせて2度
塗りを行うようにしても良い。この場合、塗布の開始点
(START)、方向変換点、終了点(END)はマス
ク部材4上に位置させるようにする。このことでウエハ
1上では常に一定の速度でノズルユニット2を移動させ
ることができ、膜厚の均一化を図ることができる。
ット2とウエハ1とを相対的に移動させる際に、ウエハ
1をY方向に間欠的にピッチ送りすると共にノズルユニ
ット2をX方向に往復駆動するようにしたが、この駆動
方法に限定されるものではない。例えばノズルユニット
2を固定してウエハ1をXY方向に駆動するようにして
も良い。この場合、前記天板7にスリット7aを設ける
必要がないから保温効果が向上する。
の具体的な駆動機構についても、前記一実施形態のもの
に限定されることなく、他の駆動方式、例えばベルト駆
動機構などを用いても良いことは勿論である。
る液体としてレジスト液を挙げたが、これに限定される
ものではない。他の液体としては、層間絶縁膜用の液
体、高導電性膜の液体、強誘電体の液体、銀ペースト等
が挙げられる。
して半導体ウエハ1を挙げたが、LCD基板や露光マス
クなどであっても良い。
は1つであったが、2以上並列に設けるようにしても良
い。このような構成によれば塗布時間を短縮することが
できる。
4を設けるようにしたが、これを設けなくても良い。こ
の場合、ウエハ1の下側に、カップ等、余剰レジスト液
の排出機構を設けるようにすれば良い。
ジスト液膜の表面の平坦化を行うために、ウエハ吸着テ
ーブル17に超音波振動子73を取り付けてウエハ1を
振動させてレジスト液膜のアジテーションを行うように
にしたが、これに限定されるものではない。
1をY方向にラチェット式に送ることで、その際の振動
によってアジテーションを行うようにしても良い。ま
た、それ以外の方法によるものであっても良い。
に対応する開口を有するマスク部材4をウエハ1に対し
て固定して用いていたが、ノズルユニット2と一緒にY
方向に移動するように構成しても良い。
の往復ストロークに応じて、開口部の大きさが変化する
ようなマスク部材を用いるようにする必要があり、この
ようなマスク部材としては、例えば、図11(a)に示
すような構造を採用することができる。
向に沿って離間して設けられた一対の受け部材81,8
1を有する。この受け部材81は、ノズルユニットのX
方向のストロークに応じてその間隔が変化するように駆
動され常にノズルの折り返し地点に位置するように構成
される。
X方向に沿って延出されたL字状のアーム83を介して
受け部材駆動機構32に接続されており、この駆動機構
32は、図1、図2に29で示すリニアスライド機構に
固定されており、このリニアスライド機構29と一体的
にY方向に移動するようになっている。受け部材駆動機
構82としては、例えばステッピングモータ及び直線ギ
アが用いることができる。
中央制御部35に接続されており、前記塗布経路・速度
設定部36の設定に応じて作動する。すなわち、前記ノ
ズルユニット2のX方向のストローク、すなわち回路形
成領域1aのX方向の幅に略一致するように前記受け部
材81の対向間隔が制御されるようになっている。
(b)、11(c)に示すように構成されている。この
図は、この受け部材81の縦断面図及び正面図を示す概
略図である。
形状に形成されてなる本体85を有する。すなわち、こ
の本体85の上面には、Y方向に沿う両端に受け壁85
aが立設され側方へのレジスト液の液垂れを防止する。
一方、この本体85の上面の先端側には、このような受
け壁は設けられておらず、その先端面は、下方向に向か
って後端方向に傾斜する傾斜面85bに形成されてい
る。そして、この本体85には、この径斜面85bの中
途部に開口し、この径斜面85bを伝って垂れようとす
るレジスト液を吸引するための第1の吸引孔86が設け
られている。
って次第に高さが低くなるように緩やかに傾斜してい
る。そして、この本体85の後端部には、上面で受けら
れたレジスト液を吸引するための第2の吸引孔87が設
けられている。
この本体85から外側へ延出される廃液管88、89に
接続されており、受け部材81で受けたレジスト液を強
制的に排出するようになっている。
体16若しくはフレーム内でシンナー等の溶剤でリンス
することで行うようにすれば良い。
用いたマスク部材と比較してコンパクトであり、また、
マスク部材を装置の内部で洗浄することができるから、
装置全体の小型化に寄与する。
1(a)に示したものに限定されるものではない。例え
ば、図11(d)に示すように、前記ウエハ1の回路形
成領域1aの外縁と同形状を有する倣いカム91を有す
る案内板90を用い、前記カム91に前記受け部材81
から延出されたカムフォロア92を倣わすことで前記受
け部材81、81間の間隔を制御するようにしても良
い。
ば、成膜に要する液体の歩留まりが高く、かつ、被処理
基板の所望の箇所に液体を均一に塗布できる成膜装置を
提供できる効果がある。
す縦断面図。
の斜視図。
図。
た塗布現像処理装置の平面図。
ユニットの別の例を示す縦断面図。
面図。
示す斜視図。
部、G1〜G5…第1〜第5の処理ユニット群、1…半
導体ウエハ、1…ウエハ、1a…回路形成領域、1b…
ノッチ、2…ノズルユニット、3…レジスト液、4…マ
スク部材、5…フレーム、5a.5b…壁部、6…ウエ
ハ保持体、7…温度調節機能付き天板、7a…スリッ
ト、9…Yレール、10…機構、12…Y駆動モータ、
13…Yスライダ、14…ナット、16…本体、17…
ウエハ吸着テーブル、18…溶剤保持チャンネル、19
a〜19d…排気口、20…溶剤液温制御部、21…溶
剤供給部、23…ウエハ保持部、24…Zθ駆動機構、
25…ノッチ合わせ部、26…ヒータ、27…マスク部
材駆動機構、28…天板温度調節部、29…リニアスラ
イド機構、30…Xレール、31…スライダ、32…駆
動機構、33…X駆動モータ、34…ノズル・ウエハ駆
動部、35…中央制御部、36…塗布経路・速度設定
部、37…塗布条件設定ファイル、38.39…挿脱通
路、40a…吐出孔、40b…供給孔、40…レジスト
液吐出ノズル、41…溶剤供給ノズル、42…マスク部
材洗浄装置、44…レジスト液温制御部、45…レジス
ト液供給部、46…溶剤温度調節・供給部、47…雰囲
気管理部、50…カセット部、51…プロセス処理部、
52…インタフェース部、54…第2のサブアーム機
構、55…レール、60a…突起部、61…第1のサブ
アーム機構、62…メインアーム機構、68…メインア
ーム、69…ガイド、70a〜70d…排気流量制御
弁、71…排気制御部、73…超音波振動子、74…ア
ジテーション発生部、80…マスク部材、81…部材、
82…部材駆動機構、83…アーム、85…本体、85
a…壁、85b…傾斜面、86…第1の吸引孔、86.
87…第1.第2の吸引孔、87…第2の吸引孔、8
8.89…廃液管、90…案内板、91…カム、92…
カムフォロア
Claims (21)
- 【請求項1】 成膜装置であって、 被処理基板を保持する基板保持部と、 前記基板保持部に対向配置され、この基板保持部によっ
て保持された基板の表面に成膜用の液体を細径の線状に
連続吐出できる吐出孔を有するノズルユニットと、 前記基板保持部とノズルユニットを相対的に駆動し、前
記液体を、このノズルユニットから細径の線状に吐出し
ながら前記被処理基板の表面に塗布することによって膜
を形成する駆動機構とを有することを特徴とする成膜装
置。 - 【請求項2】 請求項2記載の成膜装置において、 前記基板保持機構は、 被処理基板の成膜を行う表面を上方に向けた状態で保持
するものであることを特徴とする成膜装置。 - 【請求項3】 請求項2記載の成膜装置において、 ノズルユニットから前記液体が吐出される空間の雰囲気
を、所定の濃度の溶剤雰囲気にコントロールする雰囲気
制御機構をさらに有することを特徴とする成膜装置。 - 【請求項4】 請求項3記載の成膜装置において、 前記雰囲気制御機構は、 前記被処理基板を収容する本体と、 この本体に設けられ、液温及び液面高さコントロールさ
れた溶剤を貯溜する液溜めチャンネルと、 この本体の上方に設けられ前記液体が吐出される空間を
区画する天板部材とを有することを特徴とする成膜装
置。 - 【請求項5】 請求項4記載の成膜装置において、 前記天板部材には、ノズルユニットが挿通される挿通部
が設けられていることを特徴とする成膜装置。 - 【請求項6】 請求項5記載の成膜装置において、 前記区画部材には、加熱手段が設けられ、前記液体が吐
出される空間を加熱すると共にノズルユニットを加熱す
ることを特徴とする成膜装置。 - 【請求項7】 請求項1記載の成膜装置において、 前記ノズルユニットは、前記液体を細径の線状に吐出す
るための液体吐出ノズルと、 この液体吐出ノズルから吐出された液体の周囲に溶剤を
流通させる溶剤供給ノズルとを有することを特徴とする
成膜装置。 - 【請求項8】 請求項1記載の成膜装置において、 被処理基板の成膜領域以外の部分を覆い、液体を受ける
マスク部材を有することを特徴とする成膜装置。 - 【請求項9】 請求項8記載の成膜装置において、 前記マスク部材は、 成膜領域に対応する開口を有する板部材であることを特
徴とする成膜装置。 - 【請求項10】 請求項8記載の成膜装置において、 前記マスク部材は、 一対の液体の受け部材と、 この受け部材の対向間隔を、成膜領域の幅に対応して制
御する受け部材駆動機構とを有することを特徴とする成
膜装置。 - 【請求項11】 請求項8記載の成膜装置において、 前記マスク部材は、 受けた液体を排出する排出機構を有することを特徴とす
る成膜装置。 - 【請求項12】 請求項8記載の成膜装置において、 前記マスク部材上で、減速・折り返し・加速を行ない、
前記塗布領域内では一定の相対速度に保つように前記ノ
ズルユニットと被処理基板の相対移動速度及び塗布経路
を設定する塗布経路・速度設定部を有することを特徴と
する成膜装置。 - 【請求項13】 請求項1記載の成膜装置において、 前記液体は、レジスト液、層間絶縁膜材料、低誘電体材
料、強誘電体材料、配線材料、有機金属材料、金属ペー
スト等であることを特徴とする成膜装置。 - 【請求項14】 請求項1記載の成膜装置において、 液体が塗布される被処理基板の表面の気流を制御する気
流制御機構をさらに有することを特徴とする成膜装置。 - 【請求項15】 請求項14記載の成膜装置において、 前記気流制御機構は、液体が塗布される被処理基板の表
面の気流を塗布方向の上流がわに向かうように制御する
ことを特徴とする成膜装置。 - 【請求項16】 請求項14記載の成膜装置において、 前記気流制御機構は、 排気機構を有し、 この排気機構を制御することで液体が塗布される被処理
基板の表面の気流を制御することを特徴とする成膜装
置。 - 【請求項17】 請求項1記載の成膜装置において、 液体が塗布された被処理基板を振動させ、塗布されたレ
ジスト液膜の表面の平坦化を行うアジテーション機構を
有することを特徴とする成膜装置。 - 【請求項18】 請求項1記載の成膜装置において、 前記ノズルユニットの吐出孔径は、10〜200μmで
あることを特徴とする成膜装置。 - 【請求項19】 被処理基板の表面に成膜するための成
膜方法であって、 前記被処理基板を保持する工程と、 成膜用の液体を細径の線状に連続吐出しながら、前記基
板保持部とノズルユニットを相対的に駆動し、前記被処
理基板に塗布させることで被処理基板の表面に膜を形成
する工程とを有することを特徴とする成膜方法。 - 【請求項20】 請求項22記載の成膜方法において、 成膜領域以外の部分をアスク部材で覆う工程を有するこ
とを特徴とする成膜方法。 - 【請求項21】 請求項22記載の成膜方法において、 被処理基板を振動させて塗布された液体の膜の表面を平
坦化するアジテーション工程を有することを特徴とする
成膜方法。
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