WO2005010959A1 - 現像処理装置及び現像処理方法 - Google Patents

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WO2005010959A1
WO2005010959A1 PCT/JP2004/010112 JP2004010112W WO2005010959A1 WO 2005010959 A1 WO2005010959 A1 WO 2005010959A1 JP 2004010112 W JP2004010112 W JP 2004010112W WO 2005010959 A1 WO2005010959 A1 WO 2005010959A1
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substrate
porous plate
developing solution
developer
housing
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PCT/JP2004/010112
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Inventor
Tetsuya Kitamura
Original Assignee
Tokyo Electron Limited
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • B05C5/02Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • B05C5/02Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
    • B05C5/027Coating heads with several outlets, e.g. aligned transversally to the moving direction of a web to be coated
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C9/00Apparatus or plant for applying liquid or other fluent material to surfaces by means not covered by any preceding group, or in which the means of applying the liquid or other fluent material is not important
    • B05C9/02Apparatus or plant for applying liquid or other fluent material to surfaces by means not covered by any preceding group, or in which the means of applying the liquid or other fluent material is not important for applying liquid or other fluent material to surfaces by single means not covered by groups B05C1/00 - B05C7/00, whether or not also using other means
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • B05C5/02Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
    • B05C5/0254Coating heads with slot-shaped outlet

Definitions

  • the present invention relates to a substrate development processing apparatus and a substrate development processing method.
  • a resist solution is applied to a wafer surface to form a resist film, and a wafer is exposed to a predetermined pattern of light to expose the wafer.
  • a developing solution is supplied to the wafer after processing and exposure, and developing processing is performed to develop the wafer.
  • the above-described development processing is usually performed in a development processing apparatus, and the development processing apparatus is provided with a developer discharge nozzle having a slit-shaped discharge port longer than the diameter of the wafer.
  • the developing solution is supplied to the wafer in the developing process by moving the developing solution discharge nozzle from one end to the other end of the wafer while discharging the developing solution from the discharge port. ing.
  • the developing solution reacts with a predetermined portion of the resist film, for example, the exposed portion, to develop the wafer.
  • Patent Document 1 JP 2003-100589 A
  • the present invention has been made in view of the power, and has been developed in order to prevent air bubbles from being mixed in the developer, to reduce the time required for the developer to flow on a substrate such as a wafer, and to prevent the developer from flowing on a substrate such as a wafer. It is an object of the present invention to provide a developing apparatus and a developing method capable of supplying a developing solution to a substrate.
  • the present invention relates to a developing apparatus for developing a substrate, comprising: a substrate holding member for horizontally holding the substrate; and a substrate holding member provided above the substrate held by the substrate holding member.
  • a housing that is disposed and forms a negative pressure chamber therein, a developer discharge nozzle that is provided in the housing and that discharges a developer, and moves the developer discharge nozzle in the housing.
  • a nozzle moving mechanism A discharge port is formed on a lower surface of the developer discharge nozzle over a distance longer than a dimension in one direction of the substrate. The nozzle moving mechanism moves the developer discharge nozzle in one direction of the substrate.
  • the housing can be moved at least a distance longer than the size of the substrate in the direction orthogonal to the substrate, and the lower surface of the housing is formed of a porous plate through which a developer can pass.
  • the discharge port is close to the upper surface of the porous plate, and the developer discharged from the discharge port is supplied to the substrate through the porous plate.
  • proximity includes not only the case where the gap is approached with a gap but also the case where the discharge port of the developer discharge nozzle is in contact with the porous plate.
  • the developer is discharged from the discharge port toward the porous plate while the developer discharge nozzle moves in the housing, and the developer is supplied to the substrate through the porous plate.
  • the developing solution passes through the porous plate, the flow rate of the developing solution is sufficiently reduced, and the developing solution is supplied onto the substrate after the speed direction is dispersed.
  • the developer The development of the substrate that does not flow thereon is performed evenly in the substrate plane.
  • the developing solution discharge nozzle moves on the porous plate, the developer is continuously supplied from the porous plate onto the substrate without interruption, so that bubbles are not mixed into the developer.
  • the moving speed of the liquid discharge nozzle can be increased. Therefore, development of the substrate can be performed in a short time.
  • a negative pressure chamber can be formed in the housing, for example, the developer is contained in the porous plate while the housing is kept under negative pressure, so that the developer does not drip from the porous plate. That can be S.
  • the developing solution in the porous plate By discharging the developing solution from the upper developing solution discharge nozzle to the porous plate containing the developing solution, the developing solution in the porous plate can be pushed out to the lower substrate side. In this case, since the developer is immediately pushed out from the lower surface of the porous plate to the substrate by discharging the developer from the discharge port, the supply of the developer can be performed in a short time. In addition, it is possible to prevent the developer in the porous plate from dripping to the substrate side by setting the inside of the housing to a negative pressure. Furthermore, since the developing solution can be spread by sandwiching the developing solution between the porous plate and the substrate surface, even if the surface of the substrate is hydrophobic or the amount of the developing solution is small, the developing solution can be spread. The developer can be spread over the entire surface. Therefore, the consumption of the developing solution can be reduced, and appropriate development can be performed on any substrate.
  • the porous plate of the housing may be formed in a rectangular shape that is at least larger than the substrate when viewed from a plane.
  • the development processing device may further include a housing elevating / lowering drive unit that moves the housing up and down. By using the housing lifting drive, the distance between the porous plate on the lower surface of the housing and the substrate can be adjusted, and the amount of developer supplied to the substrate can be strictly controlled. As a result, appropriate development can be performed with the minimum necessary amount of developer.
  • the nozzle moving mechanism may be provided in the housing. In this case, since the nozzle moving mechanism is inside the housing, it is easy to close the inside of the housing and apply a negative pressure to the inside of the housing.
  • the development processing apparatus further includes a receiving member provided outside the substrate held by the substrate holding member and receiving a developing solution that falls outside the substrate on the same plane as the substrate. You may. If the developer falling outside the substrate falls below the substrate without being caught, the developer near the end of the substrate connected to the falling developer is also dragged by the falling developer and the substrate drops. Spills from the end of the. As in the present invention, By catching the developer falling on the outside of the plate on the same plane as the substrate, the flow of the developer near the edge of the substrate is prevented, and the development near the edge of the substrate is the same as that on other substrates. It can be performed.
  • the outer shape of the receiving member is formed in a rectangular shape that is at least larger than the porous plate when viewed from above, and an opening slightly larger than the substrate when viewed from above is provided near the center of the receiving member. It may be formed. In this case, by disposing the substrate in the opening of the receiving member, it is possible to receive the developer falling outside the substrate on the same plane as the substrate.
  • the development processing device may further include a receiving member lifting / lowering drive unit that moves the receiving member up and down. In such a case, the receiving member is appropriately retracted from the same plane of the substrate to prevent the developer scattered from the substrate due to the rotation of the substrate during washing, for example, from colliding with the receiving member and causing a partition.
  • the discharge port of the developer discharge nozzle is formed at the lower end surface of the developer discharge nozzle, and a horizontal portion in contact with the porous plate is formed around the discharge port at the lower end surface of the developer discharge nozzle. It may be formed.
  • the horizontal portion around the discharge port prevents the developer discharged from the discharge port from leaking into the housing from between the lower end surface of the developer discharge nozzle and the porous plate. Therefore, the developing solution from the discharge port surely flows into the porous plate, and the wasteful developing solution is reduced, thereby saving the developing solution.
  • a plurality of developer discharge nozzles may be provided in the housing.
  • the developer can be supplied by a plurality of developer discharge nozzles, so that the developer can be supplied in a shorter time.
  • the porous plate may be formed such that the pore diameter decreases as approaching from the upper surface to the lower surface of the porous plate.
  • the porosity decreases toward the bottom of the porous plate, the speed of the developer is gradually reduced in the porous plate, and the speed drops sufficiently, and after the direction of the speed is sufficiently diffused, And a developer can be supplied onto the substrate.
  • a development processing method of the present invention is a development processing method for developing a substrate using a development processing apparatus.
  • the development processing apparatus has the following configuration.
  • a developing solution discharge nozzle for discharging a developing solution provided in the housing
  • a nozzle moving mechanism for moving the developing solution discharge nozzle in the housing; and forming a discharge outlet on a lower surface of the developing solution discharge nozzle over a distance longer than a dimension in one direction of the substrate.
  • the nozzle moving mechanism can move the developing solution discharge nozzle in a direction orthogonal to one direction of the substrate by at least a distance longer than a dimension of the substrate. Formed by a porous plate through which liquid can pass,
  • the discharge port of the developer discharge nozzle is close to the upper surface of the porous plate, and the developer discharged from the discharge port is supplied to the substrate through the porous plate.
  • the developing method of the present invention uses the developing apparatus having the above-described configuration to reduce the pressure in the negative pressure chamber to be lower than that of the outside of the housing and to include a developer in the porous plate. Bringing the porous plate of the housing close to the surface of the substrate;
  • the developing solution is discharged from the discharge port of the developing solution discharging nozzle toward the porous plate, and the developing solution discharging nozzle in a state where the developing solution is discharged is moved along the porous plate. Supplying a developing solution to the substrate through the porous plate.
  • the developer in the porous plate since the developer is contained in the porous plate in advance, when the developer is discharged from the discharge port to the porous plate in a later step, the developer in the porous plate is removed. It is extruded immediately and the developer can be supplied to the substrate quickly. Since the pressure in the negative pressure chamber is negative, the developer in the porous plate can be prevented from dripping on the substrate.
  • the developing solution supply step the developing solution is supplied to the substrate through the porous plate, so that the speed of the developing solution in the porous plate is sufficiently reduced. As a result, the developer is supplied onto the substrate at an extremely low speed, and the flow of the developer on the substrate can be prevented.
  • a continuous stream of the developer is supplied onto the substrate, so that bubbles are contained in the developer. Can be prevented from being mixed.
  • the substrate may be developed with a developer interposed between the porous plate and the substrate.
  • the developer since the state in which the developer is spread in the gap between the porous plate and the substrate is maintained, the developer can be surely brought into contact with the entire surface of the substrate. Therefore, the development of the substrate can be appropriately performed on the entire surface of the substrate.
  • the amount of the developing solution supplied to the substrate may be set by the gap between the porous plate and the substrate at the time of supplying the developing solution. In such a case, the supply amount of the developing solution to the substrate can be easily controlled.
  • the developer since the developer does not flow on the substrate, development is performed uniformly and stably on the substrate surface, and the yield is improved. Even if the developer discharge nozzle is moved at a high speed, no bubbles are mixed into the developer, so that the development processing time can be shortened and the throughput can be improved.
  • FIG. 1 is a plan view schematically showing a configuration of a coating and developing system equipped with a developing apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a front view of the coating and developing system of FIG. 1.
  • FIG. 3 is a rear view of the coating and developing processing system of FIG. 1.
  • FIG. 4 is an explanatory view of a longitudinal section showing a configuration of a developing apparatus.
  • FIG. 5 is an explanatory view of a cross section showing a configuration of a developing device.
  • FIG. 6 is a perspective view of a developer discharge nozzle.
  • FIG. 7 is a plan view of a receiving plate.
  • FIG. 8 is an explanatory view of a vertical cross section of a housing showing a state at the start of discharge of a developer.
  • FIG. 9 is an explanatory view of a longitudinal section of a housing showing a state at the time of discharging a developing solution.
  • FIG. 10 is an explanatory view of a vertical section of a housing showing a state at the time of termination of discharge of a developer.
  • FIG. 11 is an explanatory view showing a configuration of a developer discharge nozzle having a flat lower surface.
  • FIG. 12 is an explanatory view of a longitudinal section showing a configuration of a housing provided with two developer discharging nozzles.
  • FIG. 13 is an explanatory diagram showing a configuration of a porous plate having a three-layer structure.
  • FIG. 1 is a plan view schematically showing the configuration of a coating and developing system 1 equipped with the developing apparatus according to the present embodiment
  • FIG. 2 is a front view of the coating and developing system 1.
  • 3 is a rear view of the coating and developing system 1.
  • the coating and developing system 1 carries, for example, 25 wafers W into and out of the coating and developing system 1 from the outside in a cassette unit and the wafer C from the cassette C.
  • a cassette station 2 for loading and unloading W a processing station 3 in which various processing devices for performing predetermined processing in a single-wafer manner in the coating and developing process are arranged, and a processing station 3 adjacent to this processing station 3. It has a configuration in which an interface unit 4 for transferring a wafer W to and from an exposure apparatus (not shown) provided is integrally connected.
  • a plurality of cassettes C can be mounted at predetermined positions on a cassette mounting table 5 serving as a mounting portion in a line in the X direction (the vertical direction in FIG. 1).
  • the wafer carrier 7 that can be moved in the cassette arrangement direction (X direction) and the wafer arrangement direction of the wafers W stored in the cassette C (Z direction; vertical direction) is movable along the transfer path 8. , So that each cassette C can be selectively accessed.
  • the wafer carrier 7 has an alignment function for aligning the position of the wafer W.
  • This wafer carrier 7 belongs to a third processing unit group G3 on the processing station 3 side as described later.
  • the configuration is such that the user can also access the extension device 32 to be used.
  • a main transfer device 13 is provided at the center thereof, and various processing devices are arranged in multiple stages around the main transfer device 13 to form a processing device group.
  • this coating and developing system 1 four processing unit groups Gl, G2, G3 and G4 are arranged, and the first and second processing unit groups Gl and G2 are located on the front side of the coating and developing system 1.
  • the third processing unit group G3 is disposed adjacent to the cassette station 2, and the fourth processing unit group G4 is disposed adjacent to the interface unit 4.
  • a fifth processing unit group G5 indicated by a broken line as an option can be separately arranged on the back side.
  • the main transfer device 13 is capable of carrying in and out the wafers W to and from various processing devices described later arranged in these processing device groups Gl, G2, G3, G4, G5.
  • the number and arrangement of the processing equipment groups differ depending on the type of processing performed on the wafer W, and can be arbitrarily selected.
  • a resist coating device 17 for applying a resist solution to the wafer W to form a resist film on the wafer W for example, as shown in FIG. 2, a resist coating device 17 for applying a resist solution to the wafer W to form a resist film on the wafer W, and a current processing device according to the present embodiment.
  • the image processing devices 18 are arranged in two stages from the bottom.
  • a resist coating unit 19 and a development processing unit 20 are also arranged in two stages from the bottom.
  • a cooling device 30 for cooling the wafer W, an adhesion device 31 for improving the fixability between the resist solution and the wafer W, An extension device 32 for delivery, a pre-baking device 33, 34 for evaporating the solvent in the resist solution, and a post-baking device 35 for heating after the development process are, for example, 6 stages from the bottom. Are stacked.
  • a cooling device 40 for example, a cooling device 40, an extension for naturally cooling the placed wafer W, a cooling device 41, an extension device 42, a cooling device 43, and a post for performing a heating process after exposure.
  • Exposure baking devices 44 and 45 and a post baking device 46 are stacked, for example, in seven stages from the bottom.
  • a wafer carrier 50 is provided as shown in Fig. 1.
  • the wafer carrier 50 is configured to freely move in the X direction (vertical direction in FIG. 1), the Z direction (vertical direction), and the ⁇ direction (rotation direction about the Z axis).
  • the extension unit belonging to the fourth processing unit group G4 has access to the cooling device 41, the etastation device 42, the peripheral exposure device 51, and the exposure device (not shown) so that the wafer W can be transferred to each of them. It is configured.
  • a spin chuck 60 as a substrate holding member for holding the wafer W is provided at a central portion in the casing 18a of the developing device 18.
  • the spin chuck 60 has a horizontal upper surface, and on the upper surface, for example, a suction port (not shown) for sucking the wafer W is provided. The suction from the suction port allows the spin chuck 60 to horizontally hold the wafer W by suction.
  • the spin chuck 60 is provided with, for example, a chuck drive mechanism 61 for rotating and moving the spin chuck 60 up and down.
  • the chuck driving mechanism 61 includes, for example, a rotary driving unit (not shown) such as a motor for rotating the spin chuck 60 at a predetermined speed around a vertical axis, and a motor or a cylinder for raising and lowering the spin chuck 60 for a predetermined distance. (Not shown).
  • the chuck driving mechanism 61 can raise and lower the wafer W when loading and unloading the wafer W, and rotate the wafer W when cleaning the wafer W, for example.
  • a cup 62 for receiving and collecting the liquid scattered or dropped by the force of the wafer W.
  • the cup 62 surrounds, for example, the side of the spin chuck 60 and mainly receives the liquid scattered to the outside of the wafer W.
  • the side wall 63 covers the lower part of the wafer W, and mainly covers the liquid falling from the wafer W. It has a separate bottom 64 for receiving.
  • the side wall portion 63 is formed, for example, as shown in FIG. As shown in FIG. 4, the side wall 63 can be moved up and down by a lift drive unit 65 such as a cylinder.
  • a spin chuck 60 penetrates the bottom 64 at the center.
  • Around the spin chuck 60 there is provided an annular member 66 for blocking the flow of the liquid wrapping around from the front surface to the rear surface.
  • the annular member 66 has, for example, a top portion close to the back surface of the wafer W, and blocks the flow of the liquid at the top portion.
  • a discharge pipe 67 is connected to the bottom 64, and the liquid collected in the cup 62 can be discharged from the discharge pipe 67 to the outside of the developing device 18.
  • a housing 70 having a substantially rectangular parallelepiped outer shape is arranged above the spin chuck 60.
  • the housing 70 is configured to be hermetically sealed, and a negative pressure chamber S is formed in the housing 70.
  • the housing 70 is formed to be larger than the wafer W when viewed from above, and the lower surface of the housing 70 faces the wafer W held by the spin chuck 60 and covers the upper surface of the wafer W.
  • the lower surface of the housing 70 is formed of a porous plate 71 through which liquid can flow.
  • the material of the porous plate 71 is, for example, a resin such as Teflon (registered trademark of DuPont) or PP (polypropylene) or a metal such as stainless steel, alumina, titanium, or glass fiber, and has a porosity of 50% to 50%. They have a pore size of about 0.01-0.5 mm.
  • the thickness of the porous plate 71 is set to, for example, about 0.5-5 mm.
  • a developer discharge nozzle 72 is provided in the housing 70 and on the porous plate 71.
  • the developer discharge nozzle 72 has an elongated shape longer than the diameter of the wafer W in, for example, the X direction (the vertical direction in FIG. 5), and has a lower end surface as shown in FIG.
  • a slit-like discharge port 73 is formed along the longitudinal direction. As shown in FIG. 4, the discharge port 73 is close to the upper surface of the porous plate 71.
  • a developer supply pipe 75 communicating with a developer supply source 74 installed outside the image processing apparatus 18 is connected to an upper portion of the developer discharge nozzle 72. The developer supplied from the developer supply source 74 to the developer discharge nozzle 72 through the developer supply pipe 75 passes through the inside of the developer discharge nozzle 72 and is discharged into the porous plate 71 from the discharge port 73. .
  • a nozzle moving mechanism 80 for moving the developing solution discharge nozzle 72 is mounted on the upper surface inside the housing 70.
  • the nozzle moving mechanism 80 includes, for example, a renole 81 formed in a Y direction (horizontal direction in FIG. 4) orthogonal to a slit direction of the discharge port 73 (X direction: a depth direction in FIG. 4), and a developer discharge nozzle.
  • a nozzle drive unit 82 for moving 72 along the rail 81 is provided.
  • the rail 81 is formed, for example, from the vicinity of one end in the Y direction in the housing 70 to the vicinity of the other end. Therefore, the developer discharge nozzle 72 can reciprocate between the two side walls in the Y direction in the housing 70 with the discharge port 73 close to the porous plate 71.
  • An exhaust pipe 90 is connected to a side surface of the housing 70, for example.
  • the exhaust pipe 90 communicates with, for example, a negative pressure generating device 91 installed outside the image processing device 18 to exhaust gas in the housing 70 and reduce the pressure in the housing 70 to a predetermined pressure. be able to.
  • the housing 70 is supported by, for example, an arm 100 from above.
  • the arm 100 can be moved up and down by a housing elevating drive unit 101 such as a cylinder installed outside the cup 62, for example. Therefore, the housing 70 can be moved up and down on the spin chuck 60.
  • the operation of the housing lifting / lowering drive unit 101 is controlled by, for example, the gap control unit 102.
  • a gap D between the housing 70 and the wafer W which is determined based on the optimum supply amount of the developer to the wafer W, is set.
  • the height of the housing 70 can be adjusted based on the height.
  • a receiving plate 110 is provided as a receiving member for receiving a developing solution supplied to the outside of the wafer W held by the spin chuck 60.
  • the receiving plate 110 is formed in a rectangular shape larger than the porous plate 71 of the housing 70 when viewed from above as shown in FIG.
  • a circular opening 111 slightly larger than the shape of the wafer W as viewed from above is formed.
  • the radius of the opening 111 is formed to be larger than the radius of the wafer W by about 0.1 mm to lmm.
  • the receiving plate 110 is arranged such that the opening 111 coincides with the position of the wafer W on the spin chuck 60 when viewed from above. As shown in FIG.
  • the receiving plate 110 is provided with a receiving plate elevating drive unit 112 composed of a cylinder or the like, and the receiving plate 110 may be positioned on the same plane as the wafer W on the spin chuck 60 or may be mounted on the wafer. You can retreat to a position lower than W.
  • a rail 120 extending in the Y direction is formed outside the cup 62 in the positive X direction.
  • the renole 120 is formed, for example, from the outside of the cup 62 on the negative side in the Y direction (left direction in FIG. 5) to the vicinity of the center of the spin chuck 60.
  • a rinsing arm 122 that holds a cleaning liquid supply nozzle 121 is attached to the renole 120.
  • the rinse arm 122 can be moved along the rail 120 by the drive unit 123. Therefore, the cleaning liquid supply nozzle 121 can move up to the external force of the cup 62 and above the wafer W of the spin chuck 60.
  • one unprocessed wafer W is taken out of the cassette C by the wafer transfer body 7 and transferred to the extension device 32 belonging to the third processing device group G3.
  • wafer W The wafer W is carried into the adhesion device 31 by the main transfer device 13, and the wafer W is coated with, for example, HMDS for improving the adhesiveness of the resist solution.
  • the wafer W is transferred to the cooling device 30, cooled to a predetermined temperature, and then transferred to the resist coating device 17.
  • the wafer W on which the resist film is formed in the resist coating device 17 is sequentially transferred to the pre-baking device 33 and the extension cooling device 41 by the main transfer device 13, and further to the peripheral exposure device 51,
  • the wafers are sequentially conveyed to an exposure apparatus (not shown), and are subjected to predetermined processing in each apparatus.
  • the wafer W is transferred to the extension device 42 by the wafer carrier 50, and then subjected to predetermined processing by the post-exposure baking device 44 and the cooling device 43. It is conveyed and developed.
  • the wafer W that has been subjected to the development processing in the development processing device 18 is sequentially transferred to the post-baking device 46 and the cooling device 30 and subjected to predetermined processing in each device. Then, it is returned to cassette C, and a series of photolithography processes is completed.
  • the housing 70 Before the start of the coating and developing system 1, the housing 70 is waiting above the cup 62 by the housing lifting / lowering drive unit 101.
  • the atmosphere in the housing 70 is exhausted through the exhaust pipe 90, and the interior of the housing 70 is reduced to a negative pressure of, for example, about 10-10 OPa.
  • the pressure in the housing 70 becomes negative, the developing solution is discharged from the developing solution discharging nozzle 72, and the developing solution discharging nozzle 72 is the end of the porous plate 71 on the negative side in the Y direction (hereinafter referred to as “one end”).
  • the other end To the end on the positive side in the Y direction (hereinafter referred to as “the other end”). By doing so, the developer is supplied into the porous plate 71 in a dry state. The developer supplied to the porous plate 71 is maintained in the porous plate 71 without dripping from below by the negative pressure in the housing 70.
  • the processing of (c) W is started, and when the wafer W is transferred into the developing processing apparatus 18, first, the wafer W is moved to the spin chuck 60 which has been raised and waited beforehand. Will be retained. Subsequently, the spin chuck 60 is lowered, and the wafer W is stored in a predetermined position in the cup 62 as shown in FIG. After that, the housing 70 is lowered by the housing lifting / lowering drive unit 101, and the gap D between the porous plate 71 of the housing 70 and the wafer W becomes 0.5-3 as shown in FIG. Adjusted to about 0mm. The supply amount of the developer to be supplied to the wafer W later through the gap D is set by the gap D.
  • the receiving plate 110 is raised to the same plane as the wafer W by the receiving plate raising / lowering drive unit 112 as shown in FIG. Placed in
  • the developing solution discharge nozzle 72 in the housing 70 is connected to the discharge port at one end of the porous plate 71 as shown in FIG.
  • the developer is discharged from 73. Due to the discharge of the developer, the developer in the porous plate 71 corresponding to the discharge port 73 is pressurized, and the developer is pushed out from the lower surface of the porous plate 71.
  • the developer is applied onto the direction-side receiving plate 110 in a line. Thereafter, as shown in FIG. 9, the developer discharge nozzle 72 moves to the upper end of the porous plate 71 and to the upper end of the porous plate 71 with the developer discharged from the developer discharge nozzle 72.
  • the developing solution discharged from the developing solution discharge nozzle 72 pushes the developing solution into the porous plate 71, and a continuous developing solution is continuously supplied onto the wafer W.
  • the developing solution pushed out from the inside of the porous plate 71 is decelerated when passing through the inside of the porous plate 71, and is supplied to the wafer W extremely statically.
  • the developing solution discharge nozzle 72 moves to the other end of the porous plate 71 in this manner, the developing solution is filled between the wafer W and the porous plate 71 as shown in FIG. Of developer is supplied.
  • the developer supplied outside the wafer W is received by the receiving plate 110 and is sandwiched between the receiving plate 110 and the porous plate 71. Therefore, the flow of the developer is prevented even outside the wafer W.
  • the developer discharge nozzle 72 stops when it reaches the other end of the porous plate 71, and at that time, discharge from the discharge outlet 73 also stops. Thereafter, the wafer W is statically developed for a predetermined time with the developer interposed between the porous plate 71 and the wafer W.
  • the housing 70 rises above the cup 62 and the developer discharge nozzle 72 is returned to one end of the porous plate 71.
  • the receiving plate 110 is lowered to a position lower than ⁇ and W.
  • the cleaning liquid supply nozzle 121 Then, the side wall 63 of the cup 62 is moved up by the lifting drive unit 65.
  • the wafer W is rotated by the spin chuck 60, and the cleaning liquid is supplied to the center of the wafer W from the cleaning liquid supply nozzle 121 to clean the wafer W.
  • the negative pressure in the housing 70 is maintained even during this cleaning process, thereby preventing the developer in the porous plate 71 from dropping.
  • the rotation of the wafer W is maintained and the wafer W is shaken off and dried.
  • the rotation of the wafer W is stopped, the spin chuck 60 is raised, and the wafer W is delivered to the main transport device 13.
  • the wafer W is carried out of the developing device 18 by the main transfer device 13 and a series of developing processes is completed.
  • the developing solution discharged from the developing solution discharge nozzle 72 is supplied to the wafer W after being decelerated in the porous plate 71, so that the developing solution It does not flow.
  • the development of the wafer W is stabilized without being affected by the flow of the developer, and the development is performed evenly within the wafer surface. Since the developing solution supplied onto the wafer W is continuously extruded from the porous plate 71, it is possible to prevent development unevenness due to bubbles that do not mix with the developing solution. Since the developer is sandwiched between the porous plate 71 and the wafer W, even a small amount of the developer can be spread over the entire surface of the wafer W. Therefore, the consumption of the developer can be reduced.
  • the developing solution can be spread over the entire surface of the wafer W, so that development can be properly performed on any type of wafer. Further, since the developer passes through the fine porous plate 71, impurities contained in the developer can be removed from the porous plate 71.
  • the gap D between the porous plate 71 and the wafer W can be adjusted to control the supply amount of the developer to the wafer W. Since the exhaust pipe 90 is connected to the housing 70 and the inside of the housing 70 is made to have a negative pressure, the developer is held in the porous plate 71 and the dripping of the developer can be prevented. In addition, since the developing solution is contained in the porous plate 71 and the developing solution can be discharged from the discharge port 73, the developing solution is immediately extruded from the porous plate 71 and supplied to the wafer W. Can be done quickly.
  • the nozzle moving mechanism 80 Since the nozzle moving mechanism 80 is provided in the casing 70, the negative pressure chamber S is sealed and the casing is immediately closed. The inside of 70 can be easily maintained in a negative pressure state. Note that.
  • the nozzle moving mechanism 80 may be provided outside the housing 70. Since the receiving plate 110 is provided in the cup 62, the developer supplied to the outside of the wafer W is received on the same plane as the wafer W, and the flow of the developer at the edge of the wafer W is prevented. it can. As a result, the flow of the developer is prevented even at the end of the wafer W, and stable development is performed.
  • the receiving plate 110 is provided with the receiving plate raising / lowering drive unit 112, the receiving plate 110 can be retracted to a position lower than the wafer W during the cleaning process and the drying process other than the developing process. By doing so, it is possible to prevent the generation of particles caused by the liquid scattered from the rotated wafer W colliding with the receiving plate 110.
  • the developing solution discharge nozzle 72 of the developing device 18 described in the above embodiment has the lower end surface 131 of the developing solution discharge nozzle 130 formed flat, and the lower end surface
  • the discharge port 131a may be opened at the center and the horizontal part 131b may be formed around the discharge port 131a.
  • the horizontal portion 131b is formed to have a length, for example, about five times the diameter of the discharge port 131a.
  • the lower end surface 131 of the developing solution discharge nozzle 130, that is, the discharge port 131a and the horizontal portion 131b are close to the upper surface of the porous plate 71 as in the above embodiment.
  • the developing solution when supplying the developing solution to the wafer W, the developing solution is discharged from the discharge port 131a toward the porous plate 71 with the horizontal portion 131b close to the porous plate 71.
  • the developer discharged from the discharge port 131a is prevented from flowing out of the gap between the lower end surface 131 and the porous plate 71 into the housing 70, and the developer is efficiently discharged into the porous plate 71. Flows into. As a result, the amount of the developer that is accumulated in the housing 70 and is wasted is reduced, and the developer can be saved.
  • the horizontal portion 131b is close to the porous plate 71 in this example, it may be in contact with the porous plate 71.
  • one developer discharge nozzle 72 is provided in the housing 70.
  • FIG. 12 shows such an example, in which two first and second developer discharge nozzles 150 and 151 are provided in a housing 70.
  • the first and second developer ejection nozzles 150 and 151 are attached to a common rail 152 provided on the upper surface of the housing 70 along the Y direction, for example.
  • the first developer discharge nozzle 150 is provided on the negative side in the Y direction
  • the second developer discharge nozzle 151 is provided on the positive side in the Y direction.
  • the discharge port 155 of the first developing solution discharging nozzle 150 is formed, for example, on the positive side in the Y direction with respect to the vertical center axis of the first developing solution discharging nozzle 150.
  • the discharge port 156 of the second developer discharge nozzle 151 is formed, for example, on the negative side in the Y direction with respect to the vertical center axis of the second developer discharge nozzle 151.
  • the discharge port 155 and the discharge port 156 are close to each other.
  • the first and second developing solution discharge nozzles 150, 151 rotate at the center on the porous plate 71, that is, with the porous plate 71 interposed therebetween.
  • the chucks 60 are arranged close to each other at a position facing the center of the wafer W.
  • the developing solution is discharged from the first and second developing solution discharging nozzles 150 and 151.
  • the first developing solution discharging nozzle 150 extends from the center of the porous plate 71 to the end on the negative side in the Y direction.
  • the second developer discharge nozzle 151 moves from the center of the porous plate 71 to the end in the positive Y direction.
  • the developer is supplied to the entire surface of the wafer W below the porous plate 71.
  • the time of the developer supply step can be shortened, and the processing efficiency of the development process can be improved.
  • the number of developing solution discharge nozzles is not limited to two, but may be three or more.
  • the entire porous plate 71 is formed of a porous material having the same characteristics. However, a plurality of materials are used for the porous plate 71 so that the porous plate 71 extends from the upper surface to the lower surface.
  • the pore diameter may be reduced as approaching.
  • the porous plate 160 has a three-layer structure, and the upper layer 160a is made of a porous material having a pore diameter of about 0.5 mm and a porosity of about 50 Q / o.
  • a porous plate 160 may be formed by superposing a plurality of fine plate-like nets so that the positions of the holes are shifted. Further, a porous plate may be formed by combining a fine mesh, a mesh and a porous material.
  • the discharge port of the developer discharge nozzle has a slit shape.
  • the discharge port of the developer discharge nozzle has a circular shape, and a plurality of discharge ports are arranged in parallel on the lower surface of the developer discharge nozzle.
  • the present invention is applied to a developing apparatus for a wafer W, the present invention can also be applied to a developing apparatus for a substrate other than a wafer, such as an FPD substrate such as an LCD substrate and a glass substrate for a photomask. .
  • a developing apparatus for developing a substrate it is useful when supplying the developing solution to the substrate so as to prevent air bubbles from entering the developing solution and to prevent the flow of the developing solution on the substrate. Confuse.

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Abstract

 現像液供給時の現像液中への気泡の混入とウェハ上での現像液の流動を防止する。  現像処理装置のスピンチャックの上方に,筐体が設けられる。筐体には排気管が接続され,筐体内には陰圧室が形成される。筐体の下面部は多孔質板で形成される。筐体内には現像液吐出ノズルが設けられ,吐出口は多孔質板の上面に接触している。現像液吐出ノズルはノズル移動機構により筐体内を一定方向に移動できる。筐体内を陰圧にした状態で多孔質板内に現像液を含ませる。現像液吐出ノズルから現像液を吐出すると,多孔質板内の現像液がウェハWに押し出される。現像液吐出ノズルを移動させてウェハWの全面に現像液を供給する。現像液が多孔質板を介して供給されるので,気泡の混入と現像液の流動が防止される。

Description

明 細 書
現像処理装置及び現像処理方法
技術分野
[0001] 本発明は,基板の現像処理装置及び基板の現像処理方法に関する。
背景技術
[0002] 半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では,例えばゥェ ハ表面にレジスト液を塗布し,レジスト膜を形成するレジスト塗布処理,ウェハに所定 パターンの光を照射し,ウェハを露光する露光処理,露光後のウェハに現像液を供 給し, 当該ウェハを現像する現像処理等が行われている。
[0003] 上述の現像処理は,通常現像処理装置で行われ,現像処理装置には,ウェハの直 径よりも長いスリット状の吐出口を有する現像液吐出ノズノレが備えられている。そして 現像処理におけるウェハへの現像液の供給は,現像液吐出ノズルが吐出口から現 像液を吐出しながら,ウェハの一端部から他端部までウェハ上を移動することによつ て行われている。ウェハ上に現像液が供給されると,ウェハ上では,現像液とレジスト 膜の所定部分,例えば露光された部分が反応し,ウェハの現像が行われる。
[0004] し力、しながら,上述の現像処理のように現像液吐出ノズルを移動させながら現像液 を供給した場合,ウェハ上に供給された現像液に,例えばウェハの周縁部から内側 方向に向かう流れが生じ,その流れによってウェハ面内の現像が均一に行われない ことが指摘されていた。力、かる問題を解決するために,ウェハの表面上に,多数の通 流孔が形成された液流制御板を配置し,現像液吐出ノズルからの現像液を当該液 流制御板を介してウェハ表面に供給する現像装置が提案されている (特許文献 1)。 特許文献 1 :特開 2003 - 100589号公報
[0005] しかしながら,上記現像処理装置で現像処理を行った場合,各通流孔同士の間に 間隔があり,現像液が各通流孔から別個にウェハ上に供給される。このため,各通流 孔から供給される現像液同士の間に隙間ができ,現像液内に気泡が混入する恐れ があった。現像液内に気泡が混入すると, 当該気泡部分の現像が行われず,現像斑 ができる。この現像液内への気泡の混入を防止するために現像液吐出ノズルを低速 で移動させると,今度は現像液の供給に時間がかかり,処理効率が低下していた。さ らに,通流孔のある部分では,現像液吐出ノズルから吐出された現像液が直接ゥェ ハ表面に落下するので,ウェハ上に供給された現像液の流動を十分に抑制できなか つた。
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0006] 本発明は,力かる点に鑑みてなされたものであり,現像液内に気泡が混入しないよ うに,より短時間で,かつ現像液がウェハなどの基板上で流動しないように,基板に 現像液を供給できる現像処理装置及び現像処理方法を提供することをその目的とす る。
課題を解決するための手段
[0007] 上記目的を達成するために,本発明は,基板を現像処理する現像処理装置であつ て,基板を水平に保持する基板保持部材と,前記基板保持部材に保持された基板 の上方に配置され,内部に陰圧室を形成する筐体と,前記筐体内に設けられ,現像 液を吐出する現像液吐出ノズルと,前記筐体内にぉレ、て前記現像液吐出ノズルを移 動させるノズノレ移動機構とを備えている。そして前記現像液吐出ノズルの下面には, 基板の一方向の寸法よりも長い距離に渡って吐出口が形成され,前記ノズル移動機 構は,前記現像液吐出ノズルを,前記基板の一方向と直交する方向に向けて少なく とも基板の寸法よりも長い距離を移動させることができ,前記筐体の下面部は,現像 液が通過可能な多孔質板により形成され,前記現像液吐出ノズルの前記吐出口は, 前記多孔質板の上面に近接しており,前記吐出口から吐出される現像液は,前記多 孔質板を通じて基板に供給される。
なお上記「近接」には,隙間を空けて接近している場合のみならず,現像液吐出ノ ズルの吐出口が多孔質板に接触している場合も含まれる。
[0008] この発明によれば,現像液吐出ノズルが筐体内において移動しながら,吐出口から 多孔質板に向けて現像液を吐出して,現像液が多孔質板を通じて基板に供給される 。この場合,現像液が多孔質板を通過するので,現像液の流速が十分に低下し,そ の速度方向が分散した後に現像液が基板上に供給される。この結果,現像液が基板 上で流動することがなぐ基板の現像が基板面内において均等に行われる。また,現 像液吐出ノズルが多孔質板上を移動するにつれ,多孔質板から基板上に現像液が 途切れることなく連続的に供給されるので,現像液中に気泡が混入することがなぐ 現像液吐出ノズノレの移動速度を上げることができる。したがって,基板の現像を斑な <,短時間で行うことができる。さらに,筐体内に陰圧室が形成できるので,例えば筐 体内を陰圧にした状態で多孔質板中に現像液を含ませて,現像液が多孔質板から 垂れ落ちなレ、ようにすること力 Sできる。
そして,その現像液を含ませた多孔質板に対し,上方の現像液吐出ノズルから現 像液を吐出することにより,多孔質板中の現像液を下方の基板側に押し出すことが できる。この場合,吐出口からの現像液の吐出により,直ちに多孔質板の下面から基 板に現像液が押し出されるので,現像液の供給を短時間で行うことができる。また, 筐体内を陰圧にして,多孔質板中の現像液が基板側に垂れ落ちることを防止できる 。さらに,現像液を多孔質板と基板表面との間に挟み込んで現像液を広げることがで きるので,基板の表面が疎水性であっても,また現像液の液量が少なくても基板の表 面の全面に現像液を行き渡らせることができる。それ故,現像液の消費量を低減し, あらゆる基板に対しても適正に現像できる。
[0009] 前記筐体の多孔質板は,平面から見て少なくとも基板よりも大きい方形に形成され ていてもよい。また,前記現像処理装置は,前記筐体を上下動させる筐体昇降駆動 部をさらに備えていてもよい。この筐体昇降駆動部により,筐体の下面部の多孔質板 と基板との距離を調整し,基板に供給される現像液の量を厳密に制御することができ る。この結果,必要最小限の現像液で適正な現像を行うことができる。
[0010] 前記ノズル移動機構は,前記筐体内に設けられていてもよい。この場合,ノズル移 動機構が筐体内にあるので,筐体の内部を閉鎖し筐体内を陰圧にし易い。
[0011] 前記現像処理装置は,前記基板保持部材に保持された基板の外側に設けられ, 前記基板の外側に落下する現像液を前記基板と同一平面上で受ける受け部材をさ らに備えていてもよい。基板の外側に落下した現像液が,受け止められず基板の下 方に落下すると,前記落下する現像液と繋がっている基板の端部付近の現像液も当 該落下する現像液に引きずられて基板の端部からこぼれ落ちる。本発明のように基 板の外側に落下する現像液を基板と同一平面上で受け止めることにより,基板の端 部付近における現像液の流動が防止され,基板の端部付近においても他の基板上 の部分と同様の現像を行うことができる。
[0012] 前記受け部材の外形は,平面から見て少なくとも前記多孔質板よりも大きい方形に 形成され, 当該受け部材の中央部付近には,平面から見て基板よりも僅かに大きい 開口部が形成されていてもよい。この場合,前記受け部材の開口部内に基板を配置 させて,基板の外方に落ちる現像液を基板と同一平面上で受けることができる。前記 現像処理装置は,前記受け部材を昇降する受け部材昇降駆動部をさらに備えてい てもよレ、。かかる場合,受け部材を適宜基板の同一平面上から退避させて,例えば 洗浄時に基板の回転により基板から飛散する現像液が受け部材に衝突しパーテイク ルの原因となるのを防止できる。
[0013] 前記現像液吐出ノズルの吐出口は,現像液吐出ノズルの下端面に形成され, 当該 現像液吐出ノズルの下端面における吐出口の周辺部には,前記多孔質板に接する 水平部が形成されていてもよい。この吐出口の周辺部の水平部により,吐出口から吐 出された現像液が,現像液吐出ノズルの下端面と多孔質板との間から筐体内に漏れ ること力 S防止できる。したがって,吐出口からの現像液が確実に多孔質板内に流入し ,無駄になる現像液が減少して現像液の省液化が図られる。
[0014] 前記筐体内には,複数の現像液吐出ノズルが設けられていてもよい。かかる場合, 複数の現像液吐出ノズルで現像液の供給を行うことができるので,現像液の供給を より短時間で行うことができる。前記多孔質板は,多孔質板の上面から下面に近づく につれ気孔径が小さくなるように形成されていてもよい。この場合,多孔質板の上側 の気孔径が比較的大きいので,吐出口から吐出された現像液を滑らかに多孔質板 内に流入させること力 Sできる。また,多孔質板の下部に行くにつれ気孔率が小さくな るので,多孔質板内において現像液の速度を徐々に減速させて,速度が十分に落 ち,速度の方向が十分に拡散した後に,現像液を基板上に供給できる。
[0015] 本発明の現像処理方法は,現像処理装置を用いて基板を現像処理する現像処理 方法であって,前記現像処理装置は,次の構成を有している。基板を水平に保持す る基板保持部材と, 前記基板保持部材に保持された基板の上方に配置され, 内部に陰圧室を形成する 筐体と,
前記筐体内に設けられ,現像液を吐出する現像液吐出ノズルと,
前記筐体内にぉレ、て前記現像液吐出ノズルを移動させるノズル移動機構と,を備え 前記現像液吐出ノズルの下面には,基板の一方向の寸法よりも長い距離に渡って吐 出口が形成され,
前記ノズル移動機構は,前記現像液吐出ノズルを,前記基板の一方向と直交する方 向に向けて少なくとも基板の寸法よりも長い距離を移動させることができ, 前記筐体の下面部は,現像液が通過可能な多孔質板により形成され,
前記現像液吐出ノズルの前記吐出口は,前記多孔質板の上面に近接しており, 前記吐出口から吐出される現像液は,前記多孔質板を通じて基板に供給される。 そして本発明の現像処理方法は,以上の構成にかかる現像処理装置を用いて, 前記陰圧室内を筐体の外部よりも陰圧にし,多孔質板内に現像液を含ませる工程と その後,前記筐体の多孔質板を基板の表面に近接する工程と,
その後,現像液吐出ノズルの吐出口から前記多孔質板に向けて現像液を吐出し,そ の現像液を吐出した状態の前記現像液吐出ノズルを前記多孔質板に沿って移動さ せることによって,前記多孔質板を通じて基板に現像液を供給する工程と, を有している。
本発明の現像処理方法によれば,予め多孔質板内に現像液を含ませておくので, 後工程で吐出口から多孔質板に現像液を吐出した時に,多孔質板内の現像液が直 ちに押し出され,基板への現像液の供給を迅速に行うことができる。陰圧室内を陰圧 にするので,多孔質板内の現像液が基板に垂れ落ちることが防止できる。現像液の 供給工程では,多孔質板を通じて基板に現像液が供給されるので,多孔質板内に おいて現像液の速度が十分に落とされる。この結果,現像液が基板上に極めて低速 で供給され,基板上で現像液が流動することが防止できる。現像液が多孔質板を通 過することによって,基板上に一続きの現像液が供給されるので,現像液中に気泡 が混入することが防止できる。
[0017] 前記多孔質板と基板との隙間に現像液を介在した状態で基板を現像してもよい。
かかる場合,多孔質板と基板との隙間に現像液が広げられた状態が維持されるので ,現像液を確実に基板表面の全面に接触させておくことができる。したがって,基板 の現像を基板表面の全面において適正に行うことができる。なお,基板に供給される 現像液の量を,前記現像液の供給時における前記多孔質板と基板との隙間により設 定してもよレ、。かかる場合,基板への現像液の供給量を簡単に制御できる。
発明の効果
[0018] 本発明によれば,現像液が基板上で流動しないので,基板面内において均等に安 定した現像が行われ,歩留まりの向上が図られる。現像液吐出ノズルを高速で移動さ せても現像液中に気泡が混入しないので,現像処理時間を短縮し,スループットを 向上できる。
図面の簡単な説明
[0019] [図 1]本実施の形態に力、かる現像処理装置を搭載した塗布現像処理システムの構成 の概略を示す平面図である。
[図 2]図 1の塗布現像処理システムの正面図である。
[図 3]図 1の塗布現像処理システムの背面図である。
[図 4]現像処理装置の構成を示す縦断面の説明図である。
[図 5]現像処理装置の構成を示す横断面の説明図である。
[図 6]現像液吐出ノズノレの斜視図である。
[図 7]受け板の平面図である。
[図 8]現像液の吐出開始時の様子を示す筐体の縦断面の説明図である。
[図 9]現像液の吐出時の様子を示す筐体の縦断面の説明図である。
[図 10]現像液の吐出終了時の様子を示す筐体の縦断面の説明図である。
[図 11]下面が平坦な現像液吐出ノズルの構成を示す説明図である。
[図 12]二つの現像液吐出ノズルを備えた筐体の構成を示す縦断面の説明図である。
[図 13]三層構造を有する多孔質板の構成を示す説明図である。
符号の説明 [0020] 1 塗布現像処理、:
18
60
70
71 多孔質板
72 現像液吐出ノズノレ
80 ノズル移動機構
110 受け板
S
W ウェハ
発明を実施するための最良の形態
[0021] 以下,本発明の好ましい実施の形態について説明する。図 1は,本実施の形態に かかる現像処理装置が搭載された塗布現像処理システム 1の構成の概略を示す平 面図であり,図 2は,塗布現像処理システム 1の正面図であり,図 3は,塗布現像処理 システム 1の背面図である。
[0022] 塗布現像処理システム 1は,図 1に示すように,例えば 25枚のウェハ Wをカセット単 位で外部から塗布現像処理システム 1に対して搬入出したり,カセット Cに対してゥヱ ハ Wを搬入出したりするカセットステーション 2と,塗布現像処理工程の中で枚葉式 に所定の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステーション 3と,この処 理ステーション 3に隣接して設けられている図示しない露光装置との間でウェハ Wの 受け渡しをするインターフェイス部 4とを一体に接続した構成を有している。
[0023] カセットステーション 2では,載置部となるカセット載置台 5上の所定の位置に,複数 のカセット Cを X方向(図 1中の上下方向)に一列に載置自在となっている。そして,こ のカセット配列方向(X方向)とカセット Cに収容されたウェハ Wのウェハ配列方向(Z 方向;鉛直方向)に対して移送可能なウェハ搬送体 7が搬送路 8に沿って移動自在に 設けられており,各カセット Cに対して選択的にアクセスできるようになつている。
[0024] ウェハ搬送体 7は,ウェハ Wの位置合わせを行うァライメント機能を備えている。この ウェハ搬送体 7は,後述するように処理ステーション 3側の第 3の処理装置群 G3に属 するエクステンション装置 32に対してもアクセスできるように構成されている。
[0025] 処理ステーション 3では,その中心部に主搬送装置 13が設けられており,この主搬 送装置 13の周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を構成している 。この塗布現像処理システム 1においては, 4つの処理装置群 Gl, G2, G3, G4が配 置されており,第 1及び第 2の処理装置群 Gl, G2は塗布現像処理システム 1の正面 側に配置され,第 3の処理装置群 G3は,カセットステーション 2に隣接して配置され, 第 4の処理装置群 G4は,インターフェイス部 4に隣接して配置されている。さらにォプ シヨンとして破線で示した第 5の処理装置群 G5を背面側に別途配置可能となってい る。前記主搬送装置 13は,これらの処理装置群 Gl, G2, G3, G4, G5に配置されて いる後述する各種処理装置に対して,ウェハ Wを搬入出可能である。なお,処理装 置群の数や配置は,ウェハ Wに施される処理の種類によって異なり,任意に選択可 能である。
[0026] 第 1の処理装置群 G1では,例えば図 2に示すようにウェハ Wにレジスト液を塗布し, ウェハ W上にレジスト膜を形成するレジスト塗布装置 17と,本実施の形態にかかる現 像処理装置 18とが下から順に 2段に配置されている。第 2の処理装置群 G2にも同様 に,レジスト塗布装置 19と現像処理装置 20とが下から順に 2段に配置されている。
[0027] 第 3の処理装置群 G3では,例えば図 3に示すようにウェハ Wを冷却処理するクーリ ング装置 30,レジスト液とウェハ Wとの定着性を高めるためのアドヒージョン装置 31 , ウェハ Wの受け渡しを行うためのエクステンション装置 32,レジスト液中の溶剤を蒸 発させるためのプリべ一キング装置 33, 34,現像処理後の加熱処理を行うポストべ 一キング装置 35が下から順に例えば 6段に積み重ねられている。
[0028] 第 4の処理装置群 G4では,例えばクーリング装置 40,載置したウェハ Wを自然冷 却させるエクステンション 'クーリング装置 41 ,エクステンション装置 42,クーリング装 置 43,露光後の加熱処理を行うポストェクスポージャーべ一キング装置 44, 45,ポス トベーキング装置 46が下から順に例えば 7段に積み重ねられている。
[0029] インターフェイス部 4の中央部には,図 1に示すように例えばウェハ搬送体 50が設 けられている。このウェハ搬送体 50は X方向(図 1中の上下方向), Z方向(垂直方向 )の移動と Θ方向(Z軸を中心とする回転方向)の回転が自在にできるように構成され ており,第 4の処理装置群 G4に属するエクステンション 'クーリング装置 41 ,エタステ ンシヨン装置 42,周辺露光装置 51及び図示しない露光装置に対してアクセスして, 各々に対してウェハ Wを搬送できるように構成されている。
[0030] 次に,上述した現像処理装置 18の構成について詳しく説明する。図 4に示すように 現像処理装置 18のケーシング 18a内の中央部には,ウェハ Wを保持する基板保持 部材としてのスピンチャック 60が設けられている。スピンチャック 60は,水平の上面を 有し, 当該上面には,例えばウェハ Wを吸引する吸引口(図示せず)が設けられてい る。この吸引口からの吸引により,スピンチャック 60は,ウェハ Wを水平に吸着保持で きる。
[0031] スピンチャック 60には,例えばスピンチャック 60を回転及び昇降させるためのチヤッ ク駆動機構 61が設けられている。チャック駆動機構 61は,例えばスピンチャック 60を 鉛直方向の軸周りに所定速度で回転させるモータなどの回転駆動部(図示せず)や ,スピンチャック 60を所定距離昇降させるモータ又はシリンダなどの昇降駆動部(図 示せず)を備えている。このチャック駆動機構 61により,例えばウェハ Wの搬入出時 にウェハ Wを昇降させたり,ウェハ Wの洗浄時にウェハ Wを回転させたりできる。
[0032] スピンチャック 60の周囲には,ウェハ W力 飛散又は落下する液体を受け止め,回 収するカップ 62が設けられている。カップ 62は,例えばスピンチャック 60の側方を取 り囲み,主にウェハ Wの外方に飛散する液体を受け止める側壁部 63と,ウェハ Wの 下方を覆い,主にウェハ Wから落下する液体を受け止める底部 64とを別個に有して いる。
[0033] 側壁部 63は,例えば図 5に示すように平面から見て四角形の略筒状に形成されて いる。側壁部 63は,図 4に示すように例えばシリンダなどの昇降駆動部 65によって上 下動できる。底部 64には, 中央部にスピンチャック 60が貫通している。スピンチャック 60の周囲には,ゥヱハ Wの表面から裏面に回り込んだ液体の流れを遮断する環状 部材 66が設けられている。環状部材 66は,例えばウェハ Wの裏面に近接する頂上 部を備えており,その頂上部で液体の流れを遮断する。底部 64には,例えば排出管 67が接続されており,カップ 62において回収した液体は,排出管 67から現像処理 装置 18の外部に排出できる。 [0034] スピンチャック 60の上方には,外形が略直方体形状の筐体 70が配置されている。 筐体 70は,内部が密閉可能に構成されており,筐体 70内には,陰圧室 Sが形成され ている。筐体 70は,平面から見てウェハ Wよりも大きく形成され,筐体 70の下面部は ,スピンチャック 60に保持されたウェハ Wに対向し,ウェハ Wの上面を覆っている。
[0035] 筐体 70の下面部は,液体を通流できる多孔質板 71で形成されている。多孔質板 7 1の材質は,例えばテフロン(デュポン社の登録商標), PP (ポリプロピレン)などの樹 脂やステンレス鋼,アルミナ,チタン,グラスファイバーなどの金属であり,気孔率が 5 一 50%程度で,気孔径が 0. 01-0. 5mm程度のものが用いられている。多孔質板 71の厚みは,例えば 0. 5— 5mm程度に設定されている。
[0036] 筐体 70内であって,多孔質板 71上には,現像液吐出ノズル 72が設けられている。
図 5に示すように現像液吐出ノズル 72は,例えば X方向(図 5の上下方向)に向けて ウェハ Wの直径よりも長い細長形状を有し,その下端面には,図 6に示すように長手 方向に沿ったスリット状の吐出口 73が形成されている。図 4に示すように吐出口 73は ,多孔質板 71の上面に近接している。例えば現像液吐出ノズル 72の上部には,現 像処理装置 18の外部に設置された現像液供給源 74に連通する現像液供給管 75が 接続されてレヽる。現像液供給源 74から現像液供給管 75を通じて現像液吐出ノズル 72に供給された現像液は,現像液吐出ノズル 72の内部を通過して吐出口 73から多 孔質板 71内に吐出される。
[0037] 例えば筐体 70の内側の上面には,現像液吐出ノズル 72を移動させるノズル移動 機構 80が取り付けられている。ノズノレ移動機構 80は,例えば吐出口 73のスリット方 向(X方向:図 4の奥行き方向)と直交する Y方向(図 4の左右方向)に向けて形成され たレーノレ 81と,現像液吐出ノズル 72をレール 81に沿って移動させるノズル駆動部 8 2を備えている。レール 81は,例えば筐体 70内の Y方向の一端部付近から他端部付 近まで形成されている。したがって,現像液吐出ノズル 72は,吐出口 73を多孔質板 71に近接させた状態で,筐体 70内の Y方向の両側壁間を往復移動できる。
[0038] 筐体 70の側面には,例えば排気管 90が接続されている。排気管 90は,例えば現 像処理装置 18の外部に設置された負圧発生装置 91に連通しており,筐体 70内の 気体を排気して,筐体 70内を所定の圧力に減圧することができる。 [0039] 筐体 70は,例えば上方からアーム 100によって支持されている。アーム 100は,例 えばカップ 62の外部に設置されたシリンダなどの筐体昇降駆動部 101によって昇降 できる。したがって,筐体 70は,スピンチャック 60上で昇降できる。筐体昇降駆動部 1 01の動作は,例えば隙間制御部 102によって制御されている。隙間制御部 102には ,ウェハ Wへの現像液の最適供給量に基づいて求められた,筐体 70とウェハ Wとの 隙間 Dが設定されており,隙間制御部 102は,その設定隙間 Dに基づいて筐体 70の 高さを調整できる。
[0040] カップ 62内には,スピンチャック 60に保持されたウェハ Wの外側に供給される現像 液を受ける受け部材としての受け板 110が設けられている。受け板 110は,図 7に示 すように平面から見て筐体 70の多孔質板 71よりも大きい方形に形成されている。受 け板 110の中央部には,平面から見たウェハ Wの形状よりも僅かに大きい円形の開 口部 111が形成されている。例えば開口部 111の半径は,例えばウェハ Wの半径よ りも 0. 1mm— lmm程度大きく形成されている。受け板 110は, 当該開口部 111が 平面から見てスピンチャック 60上のウェハ Wの位置に一致するように配置されている 。受け板 110には,図 4に示すようにシリンダなどからなる受け板昇降駆動部 112が 取り付けられており,受け板 110は,スピンチャック 60上のウェハ Wと同一平面上に 位置したり,ウェハ Wよりも低い位置に退避したりすることができる。
[0041] 例えば図 5に示すように,カップ 62の X方向正方向側の外方には, Y方向に沿った レール 120が形成されている。レーノレ 120は,例えばカップ 62の Y方向負方向(図 5 の左方向)側の外方からスピンチャック 60の中央付近まで形成されている。レーノレ 12 0には,洗浄液供給ノズル 121を保持するリンスアーム 122が取り付けられている。リ ンスアーム 122は,駆動部 123によってレール 120に沿って移動できる。したがって, 洗浄液供給ノズル 121は,カップ 62の外方力、らスピンチャック 60のウェハ Wの上方ま で移動できる。
[0042] 次に,以上のように構成されている現像処理装置 18の作用を,塗布現像処理シス テム 1で行われるフォトリソグラフィー工程のプロセスと共に説明する。
[0043] 先ず,ウェハ搬送体 7によりカセット Cから未処理のウェハ Wが 1枚取り出され,第 3 の処理装置群 G3に属するエクステンション装置 32に搬送される。次にウェハ Wは, 主搬送装置 13によってアドヒージョン装置 31に搬入され,ウェハ Wに対し,レジスト 液の密着性を向上させる例えば HMDSが塗布される。次にウェハ Wは,クーリング装 置 30に搬送され,所定の温度に冷却された後,レジスド塗布装置 17に搬送される。 レジスト塗布装置 17においてレジスト膜が形成されたウェハ Wは,主搬送装置 13に よってプリべ一キング装置 33,エクステンション 'クーリング装置 41に順次搬送され, さらにウェハ搬送体 50によって,周辺露光装置 51 ,露光装置(図示せず)に順次搬 送され,各装置で所定の処理が施される。露光処理の終了したウェハ Wは,ウェハ搬 送体 50によりエクステンション装置 42に搬送され,その後ポストェクスポージャーべ 一キング装置 44,クーリング装置 43で所定の処理が施された後,現像処理装置 18 に搬送されて,現像処理が行われる。
[0044] 現像処理装置 18において現像処理の終了したウェハ Wは,ポストべ一キング装置 46,クーリング装置 30に順次搬送され,各装置において所定の処理が施され,その 後,エクステンション装置 32を介してカセット Cに戻されて,一連のフォトリソグラフィー 工程が終了する。
[0045] 次に,上述した現像処理装置 18で行われるウェハ Wの現像処理について詳しく説 明する。塗布現像処理システム 1の起動前には,筐体 70は,筐体昇降駆動部 101に よってカップ 62の上方で待機している。そして塗布現像処理システム 1が起動される と,排気管 90を通じて筐体 70内の雰囲気が排気され,筐体 70内が,例えば 10— 10 OPa程度の陰圧に減圧される。筐体 70内が陰圧になると,現像液吐出ノズノレ 72から 現像液が吐出され,現像液吐出ノズル 72が多孔質板 71の Y方向負方向側の端部( 以下「一端部」とする。)から Y方向正方向側の端部(以下, 「他端部」とする。)まで移 動する。こうすることによって,乾燥状態の多孔質板 71中に現像液が供給される。多 孔質板 71中に供給された現像液は,筐体 70内の陰圧によって,下から垂れ落ちるこ となく多孔質板 71内に維持される。
[0046] 塗布現像処理システム 1においてゥヱハ Wの処理が開始され,現像処理装置 18内 にウェハ Wが搬送されると,先ず,ウェハ Wは,予め上昇して待機していたスピンチヤ ック 60に保持される。続いてスピンチャック 60が下降し,ウェハ Wが図 4に示すように カップ 62内の所定位置に収容される。 [0047] その後,筐体 70は,筐体昇降駆動部 101によって下降し,図 8に示すように筐体 7 0の多孔質板 71とウェハ Wとの隙間 Dが, 0. 5— 3. 0mm程度に調整される。後にこ の隙間 Dに介在されてウェハ Wに供給される現像液の供給量は,この隙間 Dによつ て設定される。
[0048] 例えば筐体 70が下降するのに同期して,受け板 110は,図 4に示すように受け板 昇降駆動部 112によつてウェハ Wと同一平面上まで上昇し,ウェハ Wの外周に配置 される。
[0049] こうして筐体 70が下降し,受け板 110が上昇すると,続いて図 8に示すように筐体 7 0内の現像液吐出ノズル 72が例えば多孔質板 71の一端部上において吐出口 73か ら現像液を吐出する。この現像液の吐出によって,吐出口 73に対応する部分の多孔 質板 71中の現像液が加圧され,現像液が多孔質板 71の下面から押し出されて,例 えばウェハ Wの Y方向負方向側の受け板 110上に現像液が線上に塗布される。その 後,図 9に示すように現像液吐出ノズル 72から現像液を吐出した状態で,現像液吐 出ノズル 72が多孔質板 71の一端部上力 他端部上まで移動する。この際,現像液 吐出ノズル 72から吐出された現像液が多孔質板 71中に現像液を押し出して,一続 きに繋がった現像液がウェハ W上に連続的に供給される。この多孔質板 71内から押 し出される現像液は,多孔質板 71内を通る際に減速し,ウェハ W上には極めて静的 に供給される。こうして現像液吐出ノズル 72が多孔質板 71の他端部上まで移動する と,図 10に示すようにウェハ Wと多孔質板 71との間に現像液が満たされ,ウェハ Wの 全面に所望の量の現像液が供給される。なお,ウェハ Wの外側に供給された現像液 は,受け板 110で受けられ,受け板 110と多孔質板 71との間に挟まれる。したがって ,ウェハ Wの外方においても現像液の流動が防止される。
[0050] 現像液吐出ノズル 72は,多孔質板 71の他端部上に到達すると停止し,その時吐 出口 73からの吐出も停止される。その後,多孔質板 71とウェハ Wとの間に現像液を 介在した状態で,ウェハ Wは所定時間静止現像される。
[0051] 所定時間が経過し,静止現像が終了すると,筐体 70は,カップ 62の上方まで上昇 し,現像液吐出ノズル 72は,多孔質板 71の一端部側に戻される。受け板 110は,ゥ 、Wよりも低い位置に下げられる。その後,洗浄液供給ノズル 121がカップ 62の外 方からウェハ Wの中心部の上方まで移動し,カップ 62の側壁部 63が昇降駆動部 65 によって上昇される。ウェハ Wは,スピンチャック 60により回転され, 当該ウェハ Wの 中心部に洗浄液供給ノズル 121から洗浄液が供給されてウェハ Wが洗浄される。こ の洗浄工程時においても筐体 70内の陰圧は維持され,多孔質板 71中にある現像液 の落下を防止している。
[0052] 洗浄液供給ノズル 121からの洗浄液の供給が停止され,ウェハ Wの洗浄が終了す ると,ウェハ Wの回転が維持されて,ウェハ Wが振り切り乾燥される。ウェハ Wが乾燥 されると,ウェハ Wの回転が停止され,スピンチャック 60が上昇して,ウェハ Wが主搬 送装置 13に受け渡される。ウェハ Wは,主搬送装置 13により現像処理装置 18外に 搬出されて一連の現像処理が終了する。
[0053] 以上の実施の形態によれば,現像液吐出ノズル 72から吐出される現像液が多孔質 板 71内で減速してからウェハ W上に供給されるので,現像液がウェハ W上で流動す ることが無い。この結果,ウェハ Wの現像が現像液の流動の影響を受けずに安定し, ウェハ面内で均等に行われる。ウェハ W上に供給される現像液は,多孔質板 71から 連続的に押し出されるので,現像液中に気泡が混入することがなぐ気泡による現像 斑が防止できる。現像液が多孔質板 71とウェハ Wとの間に挟み込まれるので,少量 の現像液でもウェハ Wの全面に広げられる。それ故現像液の消費量を低減すること ができる。また,ウェハ表面が疎水性であっても,現像液をウェハ Wの全面に広げるこ とができるので,あらゆる種類のウェハであっても現像を適正に行うことができる。さら に,現像液は, 目の細かい多孔質板 71を通過するので,現像液中に含まれる不純 物を多孔質板 71において除去することもできる。
[0054] 筐体 70には,筐体昇降駆動部 101が設けられたので,多孔質板 71とウェハ Wとの 隙間 Dを調整してウェハ Wへの現像液の供給量を制御できる。筐体 70に排気管 90 を接続し,筐体 70内を陰圧にしたので,多孔質板 71中に現像液が保持され,現像 液の液垂れを防止できる。また,多孔質板 71中に現像液を含ませておいて,吐出口 73から現像液を吐出できるので,多孔質板 71から直ちに現像液が押し出され,ゥェ ハ Wへの現像液の供給を迅速に行うことができる。
[0055] ノズノレ移動機構 80が筐体 70内に設けられたので,陰圧室 Sの密閉しやすぐ筐体 70内を容易に陰圧状態に維持できる。なお。ノズル移動機構 80は,筐体 70の外側 に設けられてもよい。カップ 62内には,受け板 110が設けられたので,ウェハ Wの外 側に供給される現像液をウェハ Wと同一平面上で受け止め,ウェハ Wの端部におけ る現像液の流れを防止できる。この結果,ウェハ Wの端部においても現像液の流動 が防止され,安定した現像が行われる。受け板 110には,受け板昇降駆動部 112が 設けられたので,現像工程時以外の例えば洗浄工程,乾燥工程時に受け板 110は ウェハ Wよりも低い位置に退避できる。こうすることによって,回転されたウェハ Wから 飛散する液体が受け板 110に衝突して起こるパーティクルの発生を防止できる。
[0056] 以上の実施の形態で記載した現像処理装置 18の現像液吐出ノズル 72は,図 11 に示すように現像液吐出ノズル 130の下端面 131が平坦に形成され,その下端面 1 31の中央部に吐出口 131aが開口し,その周辺に水平部 131bが形成されていても よレ、。水平部 131bは,例えば吐出口 131aの径の 5倍程度の長さを有するように形 成される。現像液吐出ノズル 130の下端面 131 ,つまり吐出口 131aと水平部 131b は,上記実施の形態と同様に多孔質板 71の上面に近接している。そして,ウェハ W に現像液を供給する際には,水平部 131bを多孔質板 71に近接させた状態で,吐出 口 131aから多孔質板 71に向けて現像液が吐出される。こうすることによって,吐出 口 131aから吐出された現像液が下端面 131と多孔質板 71との隙間から筐体 70内 に流出することが防止され,現像液が効率的に多孔質板 71内に流入する。この結果 ,筐体 70内に溜まって無駄になる現像液が減少し,現像液の省液化が図られる。な お,この例において水平部 131bは多孔質板 71に近接していたが,接触していても よい。
[0057] 前記実施の形態では,筐体 70内に一つの現像液吐出ノズノレ 72が設けられていた
,筐体 70内に複数,例えば二つの現像液吐出ノズルが設けられていてもよレ、。図 12は,かかる一例を示すものであり,筐体 70内に二つの第 1及び第 2の現像液吐出 ノズノレ 150, 151が設けられている。第 1及び第 2の現像液吐出ノズノレ 150, 151は, 例えば筐体 70の上面に設けられた Y方向に沿った共通のレール 152に取り付けら れている。この例では,例えば第 1の現像液吐出ノズル 150が Y方向負方向側に設 けられ,第 2の現像液吐出ノズル 151が Y方向正方向側に設けられている。現像液 P土出ノズノレ 150, 151 ίま, ί歹 (J i 各馬区動咅 153, 154【こよりレーノレ 152ίこ f口、つて移動 できる。なお,この例におけるノズル移動機構は,レール 152と駆動部 153, 154によ つて構成されている。第 1の現像液吐出ノズル 150の吐出口 155は,例えば第 1の現 像液吐出ノズル 150の鉛直方向の中心軸よりも Y方向正方向側に形成され,第 2の 現像液吐出ノズノレ 151の吐出口 156は,例えば第 2の現像液吐出ノズル 151の鉛直 方向の中心軸よりも Y方向負方向側に形成されている。つまり,第 1の現像液吐出ノ ズル 150と第 2の現像液吐出ノズル 151が筐体 70の中央部に並列された時に,吐出 口 155と吐出口 156が近接するようになっている。
[0058] そして,ウェハ Wに現像液を供給する際には,第 1及び第 2の現像液吐出ノズル 15 0, 151が多孔質板 71上の中央部,つまり多孔質板 71を挟んでスピンチャック 60上 のウェハ Wの中央部に対向する位置に,互いに近接して配置される。そして,第 1及 び第 2の現像液吐出ノズル 150及び 151から現像液が吐出され,第 1の現像液吐出 ノズル 150は,多孔質板 71の中央部から Y方向負方向側の端部まで,第 2の現像液 吐出ノズル 151は,多孔質板 71の中央部から Y方向正方向側の端部まで移動する。 こうして,多孔質板 71の下方のウェハ Wの全面に現像液が供給される。かかる場合, 二つの第 1及び第 2の現像液吐出ノズル 150, 151を用いて現像液が供給されるの で,現像液の供給工程の時間が短縮され,現像処理の処理効率を向上できる。なお ,現像液吐出ノズルの数は, 2つに限られず, 3以上であってもよい。
[0059] 以上の実施の形態では,多孔質板 71の全体を同じ特性の多孔質材料で形成して いたが,多孔質板 71に複数の素材を用いて多孔質板 71の上面から下面に近づくに つれ気孔径が小さくなるようにしてもよい。例えば図 13に示すように多孔質板 160は ,三層構造を有し,上層 160aの素材に気孔径が 0. 5mm程度で気孔率が 50 Q/o程 度の多孔質材料を用い, 中層 160bの素材に気孔径が 0. 2mm程度で気孔率が 20 %程度の多孔質材料を用い,下層 160cの素材に気孔径が 0. 05mm程度で気孔率 が 10%程度の多孔質材料を用いるようにしてもよい。かかる場合,現像液吐出ノズル 72の吐出口 73から吐出された現像液の吐出圧が各層 160a, 160b, 160cを順に 通過するにつれて徐々に損失する。したがって,多孔質板 160の上層 160aに対して は,現像液が滑らかに流入し,流入した後の現像液は,多孔質板 160の中層 160b, 下層 160cにおいて徐々に速度が低下する。この結果,多孔質板 160の上面におい て現像液が跳ね返ることがなぐ無駄になる現像液の量を低減できる。また,多孔質 板 160の下面からは,速度が十分に低下した現像液がウェハ W上に供給されるので ,ウェハ W上の現像液の流動が防止される。なお,前記多孔質板 160の層の数は, 三層に限られず,任意に選択できる。また,前記多孔質板 160のように下面に近づく につれ気孔率が低下するようにしてもよい。さらに, 目の細かい板状の網を穴の位置 がずれるように複数重ね合わせて多孔質板を形成するようにしてもよい。また目の細 カ 、網と多孔質材料とを組み合わせて多孔質板を形成してもよい。
[0060] 以上,本発明の実施の形態の一例について説明したが,本発明はこの例に限らず 種々の態様を採りうるものである。例えば以上の実施の形態では,現像液吐出ノズノレ の吐出口がスリット状であつたが,本発明は,現像液吐出ノズルの吐出口が円形状で ,現像液吐出ノズノレの下面に複数並列されているものにも適用できる。また,本発明 をウェハ Wの現像処理装置に適用したものであつたが,本発明はウェハ以外の基板 例えば LCD基板などの FPD基板,フォトマスク用のガラス基板などの現像処理装置 にも適用できる。
産業上の利用可能性
[0061] 基板の現像処理を行う現像処理装置において,現像液内への気泡の混入を防止 し,基板上での現像液の流動を防止するように基板に現像液を供給する際に有用で める。

Claims

請求の範囲
[1] 基板を現像処理する現像処理装置であって,
基板を水平に保持する基板保持部材と,
前記基板保持部材に保持された基板の上方に配置され, 内部に陰圧室を形成する 筐体と,
前記筐体内に設けられ,現像液を吐出する現像液吐出ノズルと,
前記筐体内にぉレヽて前記現像液吐出ノズルを移動させるノズル移動機構と,を備え 前記現像液吐出ノズルの下面には,基板の一方向の寸法よりも長い距離に渡って吐 出口が形成され,
前記ノズル移動機構は,前記現像液吐出ノズルを,前記基板の一方向と直交する方 向に向けて少なくとも基板の寸法よりも長い距離を移動させることができ, 前記筐体の下面部は,現像液が通過可能な多孔質板により形成され,
前記現像液吐出ノズルの前記吐出口は,前記多孔質板の上面に近接しており, 前記吐出口から吐出される現像液は,前記多孔質板を通じて基板に供給される。
[2] 請求項 1に記載の現像処理装置において,
前記筐体の多孔質板は,平面から見て少なくとも基板よりも大きい方形に形成されて いる。
[3] 請求項 1に記載の現像処理装置において,
前記筐体を上下動させる筐体昇降駆動部をさらに備えている。
[4] 請求項 1に記載の現像処理装置において,
前記ノズル移動機構は,前記筐体内に設けられている。
[5] 請求項 1に記載の現像処理装置において,
前記基板保持部材に保持された基板の外側に設けられ,前記基板の外側に落下す る現像液を前記基板と同一平面上で受ける受け部材をさらに備えている。
[6] 請求項 5に記載の現像処理装置において,
前記受け部材の外形は,平面から見て少なくとも前記多孔質板よりも大きい方形に 形成され, 当該受け部材の中央部付近には,平面から見て基板よりも僅かに大きい開口部が形 成されている。
[7] 請求項 5に記載の現像処理装置において,
前記受け部材を昇降する受け部材昇降駆動部をさらに備えている。
[8] 請求項 1に記載の現像処理装置において,
前記現像液吐出ノズルの吐出口は,現像液吐出ノズルの下端面に形成され, 当該現像液吐出ノズルの下端面における前記吐出口の周辺部には,前記多孔質板 に接する水平部が形成されてレ、る。
[9] 請求項 1に記載の現像処理装置において,
前記筐体内には,複数の現像液吐出ノズルが設けられている。
[10] 請求項 1に記載の現像処理装置において,
前記多孔質板は,多孔質板の上面から下面に近づくにつれ気孔径が小さくなるよう に形成されている。
[11] 現像処理装置を用いて基板を現像処理する現像処理方法であって,
前記現像処理装置は,次の構成を有し,
基板を水平に保持する基板保持部材と,
前記基板保持部材に保持された基板の上方に配置され, 内部に陰圧室を形成する 筐体と,
前記筐体内に設けられ,現像液を吐出する現像液吐出ノズルと,
前記筐体内にぉレヽて前記現像液吐出ノズルを移動させるノズル移動機構と,を備え 前記現像液吐出ノズルの下面には,基板の一方向の寸法よりも長い距離に渡って吐 出口が形成され,
前記ノズル移動機構は,前記現像液吐出ノズルを,前記基板の一方向と直交する方 向に向けて少なくとも基板の寸法よりも長い距離を移動させることができ, 前記筐体の下面部は,現像液が通過可能な多孔質板により形成され,
前記現像液吐出ノズルの前記吐出口は,前記多孔質板の上面に近接しており, 前記吐出口から吐出される現像液は,前記多孔質板を通じて基板に供給される。 さらに前記陰圧室内を筐体の外部よりも陰圧にし,多孔質板内に現像液を含ませる 工程と,
その後,前記筐体の多孔質板を基板の表面に近接する工程と,
その後,現像液吐出ノズルの吐出口から前記多孔質板に向けて現像液を吐出し,そ の現像液を吐出した状態の前記現像液吐出ノズルを前記多孔質板に沿って移動さ せることによって,前記多孔質板を通じて基板に現像液を供給する工程と, を有する。
[12] 請求項 11に記載の現像処理方法にぉレ、て,
前記多孔質板と基板との隙間に現像液を介在した状態で基板を現像する。
[13] 請求項 11に記載の現像処理方法にぉレ、て,
基板に供給される現像液の量を,前記現像液の供給時における前記多孔質板と基 板との隙間により設定する。
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