JP5448373B2 - 基板処理装置及びその洗浄方法 - Google Patents
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Description
(第1の実施の形態)
(レジスト液塗布装置)
始めに、図1及び図2を参照し、本実施の形態に係るレジスト液塗布装置を説明する。
(容器洗浄用溶剤供給システム)
次に、図3を参照し、本実施の形態に係るレジスト液塗布装置の容器洗浄に関連する部分を説明する。
(容器洗浄基板格納ユニット及び容器洗浄基板)
次に、図2、図4乃至図8を参照し、容器洗浄基板格納ユニット及び容器洗浄基板について説明する。
(レジスト液塗布工程及び第1の容器洗浄工程)
次に、図8、図9、図10乃至図13を参照しながら、本実施の形態における第1の容器洗浄工程を含むレジスト液塗布工程について説明する。
(1)予備工程(ステップS1)
先ず、オペレータは、図3に示される入力部52を通じて塗布すべきレジスト液を選択する等、各種の設定を行う。この設定に基づいて、待機ユニット56からピックアップされるレジスト液吐出ノズル5(レジスト液供給系統)の種類が決定される。
(2)プリウェット工程(ステップS2〜S6、図11(a))
まず、メインアーム機構7によりウェハWをスピンチャック9上に載置させる(ステップS2)。一方、中央制御装置15は、データ格納部45からプリウェット条件46を取出す(ステップS3)。次に、溶剤吐出ノズル6をウェハWの中心部上に移動させ対向させる(ステップS4)。溶剤吐出ノズル6に接続された図示しない制御弁は、塗布するレジスト液に対応したプリウェット条件に基づいて制御され、ウェハW上に例えば2mlの溶剤を供給する(ステップS5、図11(a))。
(3)レジスト液塗布工程(ステップS7〜S11、図11(b)及び図11(c))
以上のプリウェット工程が終了すると、レジスト液吐出ノズル5をウェハWの中心部上に移動させてウェハに対向させ(ステップS7)、例えばウェハWを約4000rpmで回転させながら所定のレジスト液を滴下する(ステップS8、図11(b))。その後一旦ウェハWの回転数を例えば1500rpmまで低下させてレジスト膜に作用する遠心力を低減してレジスト膜がウェハWの周縁部において厚くなるのを防止する(ステップS9)。次いで、再びウェハWの回転数を例えば3000rpmに上昇させてレジスト膜を乾燥させる(ステップS10)。
(4)第1の判定工程(ステップS12及びS13)
次に、ステップS12で容器洗浄に備え、第2の基板温度制御機構であるペルチエ素子96をONにするかを判断する。この判断は、例えば、前回の容器洗浄工程の後、S7〜S11のレジスト液塗布工程の処理を行ったウェハWの処理枚数が何枚になったか、又は前回の容器洗浄工程の後、経過時間がどのくらいになったか、に基づいて判定を行う。
(5)第2の判定工程(ステップS14)
次に、ステップS14で容器洗浄を開始するかを判断する。この判断は、例えば、ステップS12における第1の判定工程の後、S7〜S11のレジスト液塗布工程の処理を行ったウェハWの処理枚数が何枚になったか、又は経過時間がどのくらいになったか、に基づいて判定を行う。
(6)容器洗浄工程(ステップS15〜S20、図11(d))
一方、処理枚数又は経過時間が、ステップS14で容器洗浄を開始すると判断するための所定の枚数又は時間に達した場合は、図9及び図10に示されるように、ステップS15〜S20を実行する。
(7)終了工程(ステップS21)
その後、レジスト液塗布工程を再開する場合は、図10及び図11に示されるように、ステップS2に戻る。また、容器洗浄工程も含めたレジスト液塗布工程を終了する場合は、容器洗浄基板格納ユニットWPの恒温水(第1の基板温度制御機構)の通水を停止する(ステップS21)。
(レジスト液塗布工程及び第2の容器洗浄工程)
次に、図14及び図15を参照しながら、本実施の形態における第2の容器洗浄工程を含むレジスト液塗布工程について説明する。
(1)予備工程(ステップS1)
先ず、オペレータは、図3に示される入力部52を通じて塗布すべきレジスト液を選択する等、各種の設定を行うものであり、第1の容器洗浄工程を含むレジスト液塗布工程と同一である。
(2)プリウェット工程(ステップS2〜S6、図11(a))
この工程は、第1の容器洗浄工程を含むプリウェット工程と同一である。
(3)レジスト液塗布工程(ステップS7〜S11、図11(b)及び図11(c))
この工程も、第1の容器洗浄工程を含むレジスト液塗布工程と同一である。
(4)第1の判定工程(ステップS12及S13)
次に、ステップS12で容器洗浄に備え、第2の基板温度制御機構をONにするかを判断すると共に、第1の基板温度制御機構をOFFにするかを判断する。この判断は、例えば、前回の容器洗浄工程の後、S7〜S11のレジスト液塗布工程の処理を行ったウェハWの処理枚数が何枚になったか、又は前回の容器洗浄工程の後、経過時間がどのくらいになったか、に基づいて判定を行う。
(5)第2の判定工程(ステップS14)
次に、ステップS14で容器洗浄を開始するかを判断する。この判断は、例えば、ステップS12における第1の判定工程の後、S7〜S11のレジスト液塗布工程の処理を行ったウェハWの処理枚数が何枚になったか、又は経過時間がどのくらいになったか、に基づいて判定を行う。
(6)容器洗浄工程(ステップS15〜S20、図11(d))
一方、処理枚数又は経過時間が、ステップS14で容器洗浄を開始すると判断するための所定の枚数又は時間に達した場合は、図14及び図15に示されるように、ステップS15〜S20を実行する。
(7)終了工程(ステップS21)
その後、レジスト液塗布工程を再開する場合は、図14及び図15に示されるように、ステップS1に戻り、第1の温度制御機構をONし、恒温水の通流を再開する。また、容器洗浄工程も含めたレジスト液塗布工程を終了する場合は、容器洗浄基板格納ユニットWPの恒温水(第1の基板温度制御機構)の通水を停止する(ステップS21)。
(第1の実施の形態の第1の変形例)
次に、図16を参照し、本発明の第1の実施の形態の第1の変形例に係るレジスト液塗布装置を説明する。
(第1の実施の形態の第2の変形例)
次に、図17を参照し、本発明の第1の実施の形態の第2の変形例に係るレジスト液塗布装置を説明する。
(第1の実施の形態の第3の変形例)
次に、図2、図18乃至図20を参照し、本発明の第1の実施の形態の第3の変形例に係るレジスト液塗布装置を説明する。
(第2の実施の形態)
次に、図21乃至図23を参照し、本発明の第2の実施の形態に係る塗布現像処理システムについて説明する。
G1〜G5 第1〜第5の処理ユニット群
DF ダウンフロー
WP 基板洗浄格納ユニット
2 ベース
3 スピンチャック機構
4 容器
5 レジスト液吐出ノズル
6 溶剤吐出ノズル
7 メインアーム機構
9 スピンチャック
10 モータ
11 真空チャック溝
12 バキューム装置
14 突起
15 中央制御装置
16 溶剤噴射ノズル
17 排液管
18 制御弁
19 溶剤供給源
20 内カップ
21 外カップ
22 傾斜部
23 分離板
24 外側壁部
25 排気口
26 排液口
28 気液流路
29 排気管
30 オートダンパ
32 アーム
33 ホルダ
35 供給管
36 レジスト液供給タンク
37 バルブ
38 ポンプ
39 エア源
45 データ格納部
46 プリウェット条件
47 容器洗浄条件
48 溶剤供給系制御部
49 雰囲気制御部
50 ウェハ駆動系制御部
51 ディスプレイ
52 入力部
54 Y駆動機構
55 Yレール
56 ノズル待機部
57 サイドリンスノズル
70 カセット部
71 プロセス処理部
72 インタフェース部
91 ユニットプレート
91a クーリングプレート
92 架台
93 容器洗浄基板ホルダ
94 容器洗浄基板
94a 中心部
94b 周縁部
95、95a、95c 恒温水配管
95b 冷却水配管
96、96a〜96c ペルチエ素子
Claims (7)
- 容器と、
基板を保持するスピンチャックを有し、前記容器内で前記基板を保持し回転させる基板回転機構と、
前記基板回転機構に保持された前記基板上に、該基板の表面を処理するための処理液を供給する処理液供給機構と、
前記処理液が付着した容器を洗浄する容器洗浄を行う際に、前記処理液で処理する処理基板に代え、容器洗浄に用いる容器洗浄基板を前記基板回転機構上に供給する基板供給機構と、
前記容器洗浄基板を常温に制御するための基板温度制御機構と
を備えることを特徴とする基板処理装置において、
前記基板温度制御機構は、
前記容器洗浄基板を載置する容器洗浄基板ホルダと、
前記容器洗浄基板ホルダの内部に、前記容器洗浄基板を常温に制御するための第1の基板温度制御機構と、
前記容器洗浄基板ホルダの内部に、前記容器洗浄基板を前記基板回転機構上に供給する直前に前記容器洗浄基板を常温より低い温度に制御するための第2の基板温度制御機構と
を備え、
前記容器洗浄基板ホルダは、該容器洗浄基板ホルダの上面の形状が前記スピンチャックの前記基板と接する部分の形状と略等しく、前記容器洗浄を行う際に前記第1の基板温度制御機構又は前記第2の基板温度制御機構を用いて該上面に載置した前記容器洗浄基板の中心部の温度を優先して制御する、
ことを特徴とする基板処理装置。 - 前記上面の形状は、略円形の形状であり、
前記略円形の直径は、前記スピンチャックの前記基板と接する部分の直径と略等しい、
ことを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。 - 前記容器洗浄基板ホルダは、前記第1の温度制御手段を用いて前記容器洗浄基板を常温に制御した後、前記基板保持機構に前記容器洗浄基板を供給する直前に、前記第2の温度制御手段を用いて前記容器洗浄基板を常温より低い温度に制御する、
ことを特徴とする請求項1又は2記載の基板処理装置。 - 前記第1の基板温度制御機構は、水を用い、
前記第2の基板温度制御機構は、ペルチエ素子を用いる、
ことを特徴とする請求項1乃至3何れか一項に記載の基板処理装置。 - 容器と、基板を保持するスピンチャックを有し、前記容器内で前記基板を保持し回転させる基板回転機構と、前記基板回転機構に保持された前記基板上に、該基板の表面を処理するための処理液を供給する処理液供給機構と、前記処理液が付着した容器を洗浄する容器洗浄を行う際に、前記処理液で処理する処理基板に代え、容器洗浄に用いる容器洗浄基板を前記基板回転機構上に供給する基板供給機構と、前記容器洗浄基板を常温に制御するための基板温度制御機構とを備え、
前記基板温度制御機構は、前記容器洗浄基板を載置する容器洗浄基板ホルダと、前記容器洗浄基板ホルダの内部に、前記容器洗浄基板を常温に制御するための第1の基板温度制御機構と、前記容器洗浄基板ホルダの内部に、前記容器洗浄基板を前記基板回転機構上に供給する直前に前記容器洗浄基板を常温より低い温度に制御するための第2の基板温度制御機構とを備える基板処理装置であって、
前記容器洗浄基板ホルダは、該容器洗浄基板ホルダの上面の形状が前記スピンチャックの前記基板と接する部分の形状と略等しく、前記容器洗浄を行う際に前記第1の基板温度制御機構又は前記第2の基板温度制御機構を用いて該上面に載置した前記容器洗浄基板の中心部の温度を優先して制御する前記基板処理装置の洗浄方法において、
前記基板供給機構を用いて、基板の表面を処理する前記容器内に設けられた前記基板回転機構に、前記容器を洗浄するための前記容器洗浄基板を供給する工程と、
前記処理液供給機構を用いて、前記容器洗浄基板に前記容器の洗浄を行うための容器洗浄溶剤を供給する工程と、
前記基板回転機構を用いて、前記容器洗浄基板を回転させ、回転遠心力によって前記容器洗浄基板に供給された前記容器洗浄溶剤を飛散させ、飛散した前記容器洗浄溶剤によって前記容器を洗浄する工程とを含み、
前記容器洗浄基板を供給する工程は、前記第1の温度制御手段を用いて前記容器洗浄基板を常温に制御した後、前記基板保持機構に前記容器洗浄基板を供給する直前に、前記第2の温度制御手段を用いて該容器洗浄基板ホルダの上面に載置した前記容器洗浄基板の中心部を常温より低い温度に制御する、
ことを特徴とする基板処理装置の洗浄方法。 - 前記第1の温度制御手段は、水であり、
前記第2の温度制御手段は、ペルチエ素子であることを特徴とする請求項5記載の基板処理装置の洗浄方法。 - 前記容器洗浄基板の前記基板保持機構に保持される部分の温度を直接制御することを特徴とする請求項5又は6に記載の基板処理装置の洗浄方法。
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