JP2010219168A - 基板処理装置、基板処理方法、塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】表面にレジストが塗布され、さらに露光された後の基板を加熱する加熱板と、前記レジストに供給する現像液の前記基板への濡れ性を高めるための表面処理液を霧化する表面処理液霧化手段と、前記加熱板により加熱された基板を冷却するための冷却手段と、前記加熱板による加熱が開始されてから前記冷却手段による冷却が終了するまでに、霧化した前記表面処理液を基板に供給する表面処理液供給手段と、を備えるように基板処理装置を構成する。
【選択図】図1
Description
前記レジストに供給する現像液の前記基板への濡れ性を高めるための表面処理液を霧化する表面処理液霧化手段と、
前記加熱板により加熱された基板を冷却するための冷却手段と、
前記加熱板による加熱が開始されてから前記冷却手段による冷却が終了するまでに、霧化した前記表面処理液を基板に供給する表面処理液供給手段と、
を備えたことを特徴とする。前記加熱板が基板を加熱しているときに前記基板に霧化した表面処理液を供給するように制御信号を出力する手段を有していてもよい。
複数枚の基板を収納するキャリアが搬入出されるキャリアブロックと、
前記キャリアから取り出された基板の表面にレジストを塗布する塗布処理部と、露光された前記レジストが塗布された基板を加熱する加熱処理部と、加熱された前記基板に現像液を供給して現像する現像処理部と、これら各処理部間で基板を搬送する基板搬送手段と、を含む処理ブロックと、
この処理ブロックと前記レジストを露光する露光装置との間で基板の受け渡しを行なうインターフェイスブロックと、
を備えた塗布、現像装置において、
前記加熱処理部として上記の基板処理装置が設けられ、前記現像処理部で現像液が供給された基板に洗浄液を供給して、当該基板に供給された前記現像液を除去する洗浄処理部が設けられたことを特徴とする。
現像液を霧化する現像液霧化手段と、
前記加熱板により加熱された基板を冷却するための冷却手段と、
前記加熱板による加熱が開始されてから前記冷却手段による冷却が終了するまでに、霧化した前記現像液を基板に供給する現像液供給手段と、
を備えたことを特徴とする。前記加熱板が基板を加熱しているときに前記基板に霧化した現像液を供給するように制御信号を出力する手段を有していてもよい。
前記基板保持機構は、加熱後の基板を加熱板の上方領域から退避させることにより基板を冷却する冷却手段としての機能を備えていてもよい。
複数枚の基板を収納するキャリアが搬入出されるキャリアブロックと、
前記キャリアから取り出された基板の表面にレジストを塗布する塗布処理部と、露光された前記レジストが塗布された基板を加熱する加熱処理部と、現像液が供給された基板に洗浄液を供給して、前記現像液を除去する洗浄処理部と、
これら各処理部間で基板を搬送する基板搬送手段と、を含む処理ブロックと、
この処理ブロックと前記レジストを露光する露光装置との間で基板の受け渡しを行なうインターフェイスブロックと、
を備えた塗布、現像装置において、
前記加熱処理部として上記の基板処理装置が設けられたことを特徴とする。さらにこの塗布、現像装置において、前記加熱処理部にて、基板に霧化した現像液を供給するステップと、次いで洗浄処理部にて基板に洗浄液を供給するステップとを繰り返し行うように制御信号を出力する手段が設けられていてもよい。
表面にレジストが塗布され、さらに露光された後の基板を加熱する工程と、
前記レジストに供給する現像液の前記基板への濡れ性を高めるための表面処理液を霧化する工程と、
加熱された前記基板を冷却手段により冷却する工程と、
前記加熱板による加熱が開始されてから前記冷却手段による冷却が終了するまでに、霧化した前記表面処理液を基板に供給する工程と、
を備えたことを特徴とする。前記基板を加熱する工程が行われているときに、基板に霧化した表面処理液を供給する工程が行われてもよい。
前記キャリアから取り出された基板の表面にレジストを塗布する塗布処理部と、露光された前記レジストが塗布された基板を加熱する加熱処理部と、加熱された前記基板に現像液を供給して現像する現像処理部と、これら各処理部間で基板を搬送する基板搬送手段と、を含む処理ブロックと、
この処理ブロックと前記レジストを露光する露光装置との間で基板の受け渡しを行なうインターフェイスブロックと、
を備えた塗布、現像装置を用いた塗布、現像方法において、
請求項7または8記載の基板処理方法と、
前記現像処理部で現像液が供給された基板に洗浄液を供給して当該基板に供給された前記現像液を除去する工程と、
を含むことを特徴とする。
表面にレジストが塗布され、さらに露光された後の基板を加熱する工程と、
現像液を霧化する工程と、
加熱された前記基板を冷却手段により冷却する工程と、
前記加熱板による加熱が開始されてから前記冷却手段による冷却が終了するまでに、霧化した前記現像液を基板に供給する工程と、
を備えたことを特徴とする。前記基板を加熱する工程が行われているときに、基板に霧化した現像液を供給する工程が行われてもよい。
複数枚の基板を収納するキャリアが搬入出されるキャリアブロックと、
前記キャリアから取り出された基板の表面にレジストを塗布する塗布処理部と、露光された前記レジストが塗布された基板を加熱する加熱処理部と、現像液が供給された基板に洗浄液を供給して、前記現像液を除去する洗浄処理部と、
これら各処理部間で基板を搬送する基板搬送手段と、を含む処理ブロックと、
この処理ブロックと前記レジストを露光する露光装置との間で基板の受け渡しを行なうインターフェイスブロックと、
を備えた塗布、現像装置を用いた塗布、現像方法において、
請求項9または10記載の基板処理方法を含むことを特徴とする。例えば基板に霧化した現像液を供給する工程と、次いで前記基板に洗浄液を供給する工程とが繰り返し行われる。
前記コンピュータプログラムは、上記の基板処理方法を実施するためのものであることを特徴とする
(ステップS1:ウエハWの搬入)
先ず不図示の基板搬送手段により既述のウエハWが加熱装置1に搬送されると、この基板搬送手段と昇降ピン21との協働作用によりウエハWは冷却プレート15の載置面15aに載置される。このとき、蓋体51は図1に示す上昇位置にある。また、筐体11内は排気手段47により所定の排気量で排気されており、筐体11内のパーティクルはその排気による排気流に乗って除去される。
加熱板41の温度が例えば100℃〜120℃に上昇してウエハWがその温度で加熱されると共に処理空間Sにガス供給管63,61を介してN2ガスが供給され、そのN2ガスは排気部41の排気口45を介して処理空間Sから除去されて、図中矢印で示すようにN2ガス流を形成する(図4(b))。そして、ウエハWは所定の時間、前記N2ガス流に曝されながら加熱処理され、加熱によりウエハWから生じた昇華物は、このN2ガス流に乗って処理空間Sから除去される。
所定の時間ウエハWが加熱されると、加熱板41の温度が例えば20℃〜40℃に下降し、排気手段47による処理空間Sの排気量が低下する。霧化部60で現像ミストが発生し、排気管63へのN2ガスの供給が停止すると共に、その霧化部60にN2ガスが供給され、そのN2ガスは霧化部60の現像ミストを下流側へ押し流す。続いてバルブV1が開かれ、処理空間SにN2ガスと共に現像ミストが供給される(図4(c))。ウエハWに供給された現像ミストは霧状、つまり小さな粒子状であることから、そのレジストに対する表面張力は液状のままの現像液に比べて低い。従って当該現像ミストはウエハWの面内のレジストにおいて濡れ性の高い箇所に凝集することが抑えられるため、ウエハW表面全体に高い均一性をもって供給され、ウエハW表面全体の濡れ性が高まる。
現像ミストの供給開始から所定の時間経過後、バルブV1が閉じられると共に霧化部60へのN2ガスの供給が停止し、ウエハWへの現像ミストの供給が停止する。また、排気手段47による排気量が上昇し、例えばステップS1、S2実行時の排気量に戻る。その後、蓋体51が上昇すると共に昇降ピン23が上昇してウエハWを加熱板41から浮くように支持する。その後、冷却プレート15が加熱板41上にウエハWの下方に潜り込むように移動し、昇降ピン23が下降してウエハWを冷却プレート15に受け渡し、ウエハWが冷却される(図5(d))。然る後、冷却プレート15が搬送口12へ向けて移動し、昇降ピン21によりウエハWは基板搬送手段に受け渡され、筐体11外に搬出される。ウエハWはその後、現像装置に搬送され、そのプリウエットされた表面に現像液が供給される。然る後、その現像液が洗い流されて、レジストパターンが形成される。
1 加熱装置
15 冷却プレート
31 加熱板
41 排気部
47 排気手段
51 蓋体
60 霧化部
8 塗布、現像装置
83 現像モジュール
9 加熱モジュール
Claims (17)
- 表面にレジストが塗布され、さらに露光された後の基板を加熱する加熱板と、
前記レジストに供給する現像液の前記基板への濡れ性を高めるための表面処理液を霧化する表面処理液霧化手段と、
前記加熱板により加熱された基板を冷却するための冷却手段と、
前記加熱板による加熱が開始されてから前記冷却手段による冷却が終了するまでに、霧化した前記表面処理液を基板に供給する表面処理液供給手段と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 前記加熱板が基板を加熱しているときに前記基板に霧化した表面処理液を供給するように制御信号を出力する手段を有することを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 表面にレジストが塗布され、さらに露光された後の基板を加熱する加熱板と、
現像液を霧化する現像液霧化手段と、
前記加熱板により加熱された基板を冷却するための冷却手段と、
前記加熱板による加熱が開始されてから前記冷却手段による冷却が終了するまでに、霧化した前記現像液を基板に供給する現像液供給手段と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 前記加熱板が基板を加熱しているときに前記基板に霧化した現像液を供給するように制御信号を出力する手段を有することを特徴とする請求項3記載の基板処理装置。
- 前記加熱板は、その上に基板が載置される載置台を兼用し、前記冷却手段は、加熱板の上方領域と、当該上方領域から退避した領域との間で移動自在な冷却板であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の基板処理装置。
- 前記基板を保持して、基板を加熱するために加熱板の上方領域に位置させると共に当該上方領域と、ここから退避した領域との間で基板を移動させる基板保持機構を備え、
前記基板保持機構は、加熱後の基板を加熱板の上方領域から退避させることにより基板を冷却する冷却手段としての機能を備えていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の基板処理装置。 - 表面にレジストが塗布され、さらに露光された後の基板を加熱する工程と、
前記レジストに供給する現像液の前記基板への濡れ性を高めるための表面処理液を霧化する工程と、
加熱された前記基板を冷却手段により冷却する工程と、
前記加熱板による加熱が開始されてから前記冷却手段による冷却が終了するまでに、霧化した前記表面処理液を基板に供給する工程と、
を備えたことを特徴とする基板処理方法。 - 前記基板を加熱する工程が行われているときに、基板に霧化した表面処理液を供給する工程が行われることを特徴とする請求項7記載の基板処理方法。
- 表面にレジストが塗布され、さらに露光された後の基板を加熱する工程と、
現像液を霧化する工程と、
加熱された前記基板を冷却手段により冷却する工程と、
前記加熱板による加熱が開始されてから前記冷却手段による冷却が終了するまでに、霧化した前記現像液を基板に供給する工程と、
を備えたことを特徴とする基板処理方法。 - 前記基板を加熱する工程が行われているときに、基板に霧化した現像液を供給する工程が行われることを特徴とする請求項9記載の基板処理方法。
- 複数枚の基板を収納するキャリアが搬入出されるキャリアブロックと、
前記キャリアから取り出された基板の表面にレジストを塗布する塗布処理部と、露光された前記レジストが塗布された基板を加熱する加熱処理部と、加熱された前記基板に現像液を供給して現像する現像処理部と、これら各処理部間で基板を搬送する基板搬送手段と、を含む処理ブロックと、
この処理ブロックと前記レジストを露光する露光装置との間で基板の受け渡しを行なうインターフェイスブロックと、
を備えた塗布、現像装置において、
前記加熱処理部として請求項1または2記載の基板処理装置が設けられ、前記現像処理部で現像液が供給された基板に洗浄液を供給して、当該基板に供給された前記現像液を除去する洗浄処理部が設けられたことを特徴とする塗布、現像装置。 - 複数枚の基板を収納するキャリアが搬入出されるキャリアブロックと、
前記キャリアから取り出された基板の表面にレジストを塗布する塗布処理部と、露光された前記レジストが塗布された基板を加熱する加熱処理部と、現像液が供給された基板に洗浄液を供給して、前記現像液を除去する洗浄処理部と、
これら各処理部間で基板を搬送する基板搬送手段と、を含む処理ブロックと、
この処理ブロックと前記レジストを露光する露光装置との間で基板の受け渡しを行なうインターフェイスブロックと、
を備えた塗布、現像装置において、
前記加熱処理部として請求項3または4記載の基板処理装置が設けられたことを特徴とする塗布、現像装置。 - 前記加熱処理部にて、基板に霧化した現像液を供給するステップと、次いで洗浄処理部にて基板に洗浄液を供給するステップとを繰り返し行うように制御信号を出力する手段を有する請求項12記載の塗布、現像装置。
- 複数枚の基板を収納するキャリアが搬入出されるキャリアブロックと、
前記キャリアから取り出された基板の表面にレジストを塗布する塗布処理部と、露光された前記レジストが塗布された基板を加熱する加熱処理部と、加熱された前記基板に現像液を供給して現像する現像処理部と、これら各処理部間で基板を搬送する基板搬送手段と、を含む処理ブロックと、
この処理ブロックと前記レジストを露光する露光装置との間で基板の受け渡しを行なうインターフェイスブロックと、
を備えた塗布、現像装置を用いた塗布、現像方法において、
請求項7または8記載の基板処理方法と、
前記現像処理部で現像液が供給された基板に洗浄液を供給して当該基板に供給された前記現像液を除去する工程と、
を含むことを特徴とする塗布、現像方法。 - 複数枚の基板を収納するキャリアが搬入出されるキャリアブロックと、
前記キャリアから取り出された基板の表面にレジストを塗布する塗布処理部と、露光された前記レジストが塗布された基板を加熱する加熱処理部と、現像液が供給された基板に洗浄液を供給して、前記現像液を除去する洗浄処理部と、
これら各処理部間で基板を搬送する基板搬送手段と、を含む処理ブロックと、
この処理ブロックと前記レジストを露光する露光装置との間で基板の受け渡しを行なうインターフェイスブロックと、
を備えた塗布、現像装置を用いた塗布、現像方法において、
請求項9または10記載の基板処理方法を含むことを特徴とする塗布、現像方法。 - 基板に霧化した現像液を供給する工程と、次いで前記基板に洗浄液を供給する工程とを繰り返し行うことを特徴とする請求項15記載の塗布、現像方法。
- 基板を加熱する基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項7ないし10のいずれか一つに記載の基板処理方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009062088A JP5099054B2 (ja) | 2009-03-13 | 2009-03-13 | 基板処理装置、基板処理方法、塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 |
US12/720,072 US20100233638A1 (en) | 2009-03-13 | 2010-03-09 | Substrate treatment apparatus, substrate treatment method, coating and developing apparatus, coating and developing method, and storage medium |
KR1020100022148A KR101522437B1 (ko) | 2009-03-13 | 2010-03-12 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 도포, 현상 장치, 도포, 현상 방법 및 기억 매체 |
TW099107294A TWI418955B (zh) | 2009-03-13 | 2010-03-12 | 基板處理裝置、基板處理方法、塗佈顯影裝置、塗佈顯影方法及記憶媒體 |
CN201010135521XA CN101840853B (zh) | 2009-03-13 | 2010-03-15 | 基板处理装置、基板处理方法、涂敷、显影装置、涂敷、显影方法和存储介质 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009062088A JP5099054B2 (ja) | 2009-03-13 | 2009-03-13 | 基板処理装置、基板処理方法、塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010219168A true JP2010219168A (ja) | 2010-09-30 |
JP5099054B2 JP5099054B2 (ja) | 2012-12-12 |
Family
ID=42731005
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009062088A Expired - Fee Related JP5099054B2 (ja) | 2009-03-13 | 2009-03-13 | 基板処理装置、基板処理方法、塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100233638A1 (ja) |
JP (1) | JP5099054B2 (ja) |
KR (1) | KR101522437B1 (ja) |
CN (1) | CN101840853B (ja) |
TW (1) | TWI418955B (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5566265B2 (ja) * | 2010-11-09 | 2014-08-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板の搬送方法 |
CN102566326A (zh) * | 2010-12-08 | 2012-07-11 | 无锡华润上华科技有限公司 | 显影装置 |
JP6532080B2 (ja) * | 2014-05-30 | 2019-06-19 | 東京化工機株式会社 | 基板材の現像装置 |
JP6792368B2 (ja) * | 2016-07-25 | 2020-11-25 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置、基板処理装置および熱処理方法 |
JP6439766B2 (ja) * | 2016-09-23 | 2018-12-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像方法及び塗布、現像装置 |
JP7009122B2 (ja) * | 2017-09-05 | 2022-01-25 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP7097759B2 (ja) * | 2018-06-22 | 2022-07-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR102243063B1 (ko) * | 2018-08-08 | 2021-04-22 | 세메스 주식회사 | 액 공급 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 방법 |
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- 2010-03-12 TW TW099107294A patent/TWI418955B/zh active
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR20100103413A (ko) | 2010-09-27 |
CN101840853B (zh) | 2012-05-30 |
KR101522437B1 (ko) | 2015-05-21 |
US20100233638A1 (en) | 2010-09-16 |
TWI418955B (zh) | 2013-12-11 |
CN101840853A (zh) | 2010-09-22 |
TW201033758A (en) | 2010-09-16 |
JP5099054B2 (ja) | 2012-12-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101203 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110407 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120910 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151005 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |