JP7232593B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

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Description

本開示は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
特許文献１には、第１搬送ラインに沿って基板を搬送しつつ、フォトレジスト膜を基板に形成し、基板が露光された後に第２搬送ラインに沿って基板を搬送しつつ、現像処理を基板に行うことが開示されている。
特開２００７－１５８２５３号公報
本開示は、基板処理装置の全長を短くする技術を提供する。
本開示の一態様による基板処理装置は、塗布ラインと、第１搬送部と、熱処理ラインと、第２搬送部とを備える。塗布ラインは、基板に処理液を塗布する。第１搬送部は、塗布ラインに基板を搬送する。熱処理ラインは、塗布ラインに対して並列に配置され、処理液が塗布された基板に熱処理を行う。第２搬送部は、塗布ラインから熱処理ラインに処理液が塗布された基板を搬送する。また、第１搬送部は、熱処理が行われた基板を熱処理ラインから搬出する。
本開示によれば、基板処理装置の全長を短くすることができる。
図１は、第１実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。 図２は、第１実施形態に係る基板処理装置の一部の概略構成を示す右側方図（その１）である。 図３は、第１実施形態に係る基板処理装置の一部の概略構成を示す右側方図（その２）である。 図４は、第１実施形態に係る基板処理を示すフローチャートである。 図５Ａは、第１実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その１）である。 図５Ｂは、第１実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その２）である。 図５Ｃは、第１実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その３）である。 図５Ｄは、第１実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その４）である。 図５Ｅは、第１実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その５）である。 図５Ｆは、第１実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その６）である。 図５Ｇは、第１実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その７）である。 図５Ｈは、第１実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その８）である。 図６は、第２実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。 図７は、第２実施形態に係る基板処理装置の一部の概略構成を示す右側方図である。 図８Ａは、第２実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その１）である。 図８Ｂは、第２実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その２）である。 図８Ｃは、第２実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その３）である。 図８Ｄは、第２実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その４）である。 図８Ｅは、第２実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その５）である。 図８Ｆは、第２実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その６）である。 図８Ｇは、第２実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その７）である。
以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理装置および基板処理方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態により開示される基板処理装置および基板処理方法が限定されるものではない。
以下参照する各図面では、説明を分かりやすくするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする直交座標系を示す。Ｘ軸方向、およびＹ軸方向を含む面方向は、水平方向である。
また、ここでは、Ｘ軸正方向を前方とし、Ｘ軸負方向を後方とする前後方向を規定し、Ｙ軸負方向を右方とし、Ｙ軸正方向を左方とする左右方向を規定する。また、Ｚ軸正方向を上方とし、Ｚ軸負方向を下方とする上下方向を規定する。
（第１実施形態）
＜全体構成＞
第１実施形態に係る基板処理装置１について図１～図３を参照し説明する。図１は、第１実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示す平面図である。図２は、第１実施形態に係る基板処理装置１の一部の概略構成を示す右側方図（その１）である。図３は、第１実施形態に係る基板処理装置１の一部の概略構成を示す右側方図（その２）である。
基板処理装置１は、カセットステーション２と、第１処理ライン３と、第２処理ライン４と、第３処理ライン５と、第４処理ライン６と、熱処理ユニット７と、第１搬送部８と、第２搬送部９と、第３搬送部１０と、制御装置１１とを備える。
カセットステーション２には、複数のガラス基板Ｓ（以下、「基板Ｓ」と称する。）を収容するカセットＣが載置される。カセットステーション２は、複数のカセットＣを載置可能な載置台１２と、カセットＣと第１処理ライン３との間、および後述する検査ユニット（ＩＰ）３３とカセットＣとの間で基板Ｓの搬送を行う搬送装置１３とを備える。
搬送装置１３は、搬送アーム１３ａを備える。搬送アーム１３ａは、水平方向（前後方向、および左右方向）および鉛直方向への移動が可能である。また、搬送装置１３は、鉛直軸を中心とする旋回が可能である。
第１処理ライン３（前処理ラインの一例）は、第２処理ライン４（塗布ラインの一例）に搬送される基板Ｓに前処理を行う。具体的には、第１処理ライン３には、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ－ＵＶ）２０と、スクラブ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１と、プレヒートユニット（ＰＨ）２２と、アドヒージョンユニット（ＡＤ）２３と、第１冷却ユニット（ＣＯＬ）２４とが含まれる。
第１処理ライン３では、ユニット２０～２４は、カセットステーション２から露光システム６０の露光装置６１に向かう方向に並んで配置される。具体的には、ユニット２０～２４は、エキシマＵＶ照射ユニット２０、スクラブ洗浄ユニット２１、プレヒートユニット２２、アドヒージョンユニット２３、および第１冷却ユニット２４の順にＸ軸正方向に沿って配置される。なお、第１処理ライン３（前処理ラインの一例）は、第４処理ライン６、および後述する周辺装置６２（外部装置の一例）の上方に配置される。
エキシマＵＶ照射ユニット２０は、紫外域光を発する紫外域光ランプから基板Ｓに対して紫外域光を照射し、基板Ｓ上に付着した有機物を除去する。
スクラブ洗浄ユニット２１は、有機物が除去された基板Ｓに、洗浄液（例えば、脱イオン水（ＤＩＷ））を供給しつつ、ブラシなどの洗浄部材によって基板Ｓの表面を洗浄する。またスクラブ洗浄ユニット２１は、ブロワーなどによって洗浄した基板Ｓを乾燥させる。
プレヒートユニット２２は、スクラブ洗浄ユニット２１によって乾燥された基板Ｓを加熱し、基板Ｓをさらに乾燥させる。
アドヒージョンユニット２３は、乾燥された基板Ｓにヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ）を吹き付けて、基板Ｓに疎水処理を行う。
第１冷却ユニット２４は、疎水処理が行われた基板Ｓに冷風を吹き付けて基板Ｓを冷却する。
第１処理ライン３では、基板ＳはＸ軸正方向に沿って平流し搬送される。例えば、基板Ｓは、コロ搬送機構１４によって搬送される。コロ搬送機構１４は、複数のコロ１４ａを駆動装置（不図示）で回転させることで、基板Ｓを搬送する。コロ搬送機構１４は、図２において一部を記載し、他は省略する。平流し搬送とは、基板Ｓが水平に保たれた状態で、所定の方向、例えば、Ｘ軸方向、またはＹ軸方向に沿って搬送されることである。なお、基板Ｓは、コンベア搬送機構などによって平流し搬送されてもよい。
第２処理ライン４（塗布ラインの一例）は、基板Ｓにフォトレジスト液（処理液の一例）を塗布し、フォトレジスト膜を形成する形成処理を行う。第２処理ライン４は、第１処理ライン３の右方に配置される。すなわち、第１処理ライン３、および第２処理ライン４は、左右方向に並んで配置される。第２処理ライン４には、第１処理ライン３の第１冷却ユニット２４によって冷却された基板Ｓが第１搬送部８によって搬入される。
第２処理ライン４には、フォトレジスト塗布ユニット（ＣＴ）２５が含まれる。フォトレジスト塗布ユニット２５は、基板Ｓ上にフォトレジスト液を供給し、基板Ｓ上にフォトレジスト膜を形成する。
第２処理ライン４では、基板ＳはＸ軸負方向に沿って平流し搬送される。例えば、基板Ｓは、浮上式の搬送機構（不図示）によって搬送される。浮上式の搬送機構は、例えば、左右方向の両端で基板Ｓを下方から支持し、基板Ｓに向けて下方から圧縮空気を吹き付けて基板Ｓを水平に保持しつつ、基板Ｓを移動させる。なお、第２処理ライン４では、フォトレジスト液を供給する箇所付近の基板Ｓの搬送に浮上式の搬送機構が用いられ、その他の箇所では基板Ｓの搬送に、例えば、コロ搬送機構１４が用いられてもよい。
第３処理ライン５は、フォトレジスト膜が形成された基板Ｓに第１熱処理を行う。第３処理ライン５は、第２処理ライン４に対して並列に配置される。第３処理ライン５は、第２処理ライン４の右方に配置される。すなわち、第１処理ライン３、第２処理ライン４、および第３処理ライン５は、左右方向に並んで配置され、左方から第１処理ライン３、第２処理ライン４、および第３処理ライン５の順に配置される。このように、第３処理ライン５は、第２処理ライン４（塗布ラインの一例）に対して並列に配置され、フォトレジスト液（処理液の一例）が塗布された基板Ｓに熱処理を行う。
第３処理ライン５には、減圧乾燥ユニット（ＤＰ）３０と、第１加熱ユニット（ＰＥ／ＢＡＫＥ）３１と、第２冷却ユニット（ＣＯＬ）３２とが含まれる。
第３処理ライン５では、減圧乾燥ユニット３０、および第２冷却ユニット３２の順にＸ軸正方向に沿って配置される。カセットステーション２と減圧乾燥ユニット３０との間には、検査ユニット（ＩＰ）３３が配置される。また、減圧乾燥ユニット３０と、第１加熱ユニット３１との間には、第２搬送部９が配置される。
第３処理ライン５には、第２処理ライン４によってフォトレジスト膜が形成された基板Ｓが第２搬送部９によって搬送される。
減圧乾燥ユニット３０は、フォトレジスト膜が形成された基板Ｓが第２搬送部９によって搬送され、基板Ｓ上に形成されたフォトレジスト膜を減圧雰囲気下で乾燥させる。なお、減圧乾燥ユニット３０は、上下方向に複数段配置されてもよい。
なお、減圧乾燥ユニット３０の上方には、第４処理ライン６によって現像処理が行われた基板Ｓが第３搬送部１０によって搬送され、載置される載置部３４が設けられる。載置部３４は、基板Ｓを検査ユニット３３に向けて、すなわちＸ軸負方向に沿って、例えば、コロ搬送機構１４によって平流し搬送する。
第１加熱ユニット３１（加熱部の一例）は、フォトレジスト液（処理液の一例）が塗布された基板Ｓ、すなわちフォトレジスト膜が形成された基板Ｓを加熱する。第１加熱ユニット３１は、上下方向に複数段配置される。第１加熱ユニット３１は、フォトレジスト膜が乾燥された基板Ｓが第２搬送部９によって減圧乾燥ユニット３０から搬送される。第１加熱ユニット３１は、基板Ｓを加熱し、フォトレジスト膜に含まれる溶剤などを除去する。第１加熱ユニット３１は、プレート式の加熱ユニットであり、基板Ｓがプレート（不図示）に載置された状態で、プレートを加熱することで基板Ｓを加熱する。
第２冷却ユニット３２（冷却部の一例）は、第１加熱ユニット３１（加熱部の一例）の下方に配置され、第１加熱ユニット３１によって加熱された基板Ｓを冷却する。第２冷却ユニット３２は、第２搬送部９によって第１加熱ユニット３１から搬送された基板Ｓに冷風を吹き付けて基板Ｓを冷却する。第２冷却ユニット３２では、基板ＳはＸ軸正方向に沿って平流し搬送される。例えば、基板Ｓは、コロ搬送機構１４によって搬送される。すなわち、第２冷却ユニット３２は、平流し搬送される基板Ｓを冷却する。冷却された基板Ｓは、露光システム６０の露光装置６１に搬送される。
検査ユニット３３は、フォトレジストパターン（ライン）の限界寸法（ＣＤ）の測定などの検査を行う。検査ユニット３３によって検査が行われた基板Ｓは、カセットステーション２に搬送される。
露光システム６０は、露光装置６１と、周辺装置（ＥＥ／ＴＩＴＬＥＲ）６２とを備える。
露光装置６１は、回路パターンに対応したパターンを有するフォトマスクを用いてフォトレジスト膜を露光する。
周辺装置６２は、第１処理ライン３の下方に配置される。周辺装置６２は、周辺露光装置（ＥＥ）とタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）とを備える。周辺露光装置は、基板Ｓの外周部のフォトレジスト膜を除去する。タイトラーは、露光装置６１で回路パターンに露光された基板Ｓに所定の情報を書き込む。
第４処理ライン６は、露光装置６１によって露光された基板Ｓに現像処理を行う。第４処理ライン６は、第１処理ライン３の下方に配置される。第４処理ライン６、および周辺装置６２は、Ｘ軸正方向に沿って配置される。第４処理ライン６は、周辺装置６２よりもＸ軸負方向側に配置される。すなわち、第４処理ライン６は、周辺装置６２とカセットステーション２との間に配置される。第４処理ライン６では、基板ＳはＸ軸負方向に沿って平流し搬送される。例えば、基板Ｓは、コロ搬送機構１４によって搬送される。すなわち、第４処理ライン６（現像処理ラインの一例）は、第１処理ライン（前処理ラインの一例）の下方に配置され、熱処理が行われた基板Ｓに現像処理を行う。
第４処理ライン６には、現像ユニット（ＤＥＶ）４０と、洗浄ユニット（ＲＩＮ）４１と、乾燥ユニット（ＤＲＹ）４２とが含まれる。第４処理ライン６では、ユニット４０～４２は、現像ユニット４０、洗浄ユニット４１、および乾燥ユニット４２の順にＸ軸負方向に沿って配置される。
現像ユニット４０は、周辺装置６２から搬送された基板Ｓに対し、露光されたフォトレジスト膜を現像液により現像する。洗浄ユニット４１は、フォトレジスト膜を現像した基板Ｓ上の現像液を洗浄液（例えば、脱イオン水（ＤＩＷ））によって洗い流す。乾燥ユニット４２は、洗浄液によって洗い流した基板Ｓ上の洗浄液を乾燥させる。
基板処理装置１では、第４処理ライン６は、第１処理ライン３の下方に配置されている。そのため、洗浄ユニット４１に供給される洗浄液と、第１処理ライン３のスクラブ洗浄ユニット２１に供給される洗浄液を共通の洗浄液タンク（不図示）から供給することができる。また、基板処理装置１は、洗浄ユニット４１、およびスクラブ洗浄ユニット２１と、洗浄液タンクとを接続する配管（不図示）を短くすることができる。
熱処理ユニット７は、現像処理が行われた基板Ｓに第２熱処理を行う。熱処理ユニット７は、第２加熱ユニット（ＰＯ／ＢＡＫＥ）５０と、第３冷却ユニット（ＣＯＬ）５１とを備える。
第２加熱ユニット５０（現像加熱部の一例）は、第１処理ライン（前処理ラインの一例）の上方に配置され、現像処理が行われた基板Ｓを加熱する。第２加熱ユニット５０は、第１処理ライン３の上方に複数段配置される。第２加熱ユニット５０には、第４処理ライン６によって現像処理が行われた基板Ｓが第３搬送部１０によって搬送される。第２加熱ユニット５０は、リンス液が乾燥された基板Ｓを加熱し、フォトレジスト膜に残る溶剤、およびリンス液を除去する。第２加熱ユニット５０は、第１加熱ユニット３１と同様に、プレート式の加熱ユニットである。
第３冷却ユニット５１（現像冷却部の一例）は、第２加熱ユニット５０（現像加熱部の一例）の下方であり、かつ第１処理ライン３（前処理ラインの一例）の上方に配置され、第２加熱ユニット５０によって加熱された基板Ｓを冷却する。第３冷却ユニット５１には、第２加熱ユニット５０によって溶剤、およびリンス液が除去された基板Ｓが、第３搬送部１０によって搬送される。第３冷却ユニット５１は、基板Ｓに冷風を吹き付けて基板Ｓを冷却する。
なお、第３冷却ユニット５１の下方には、カセットステーション２からエキシマＵＶ照射ユニット２０に基板Ｓを平流し搬送する搬送路２６が形成される。また、搬送路２６の下方には、乾燥ユニット４２から搬送された基板Ｓが第３搬送部１０に受け渡される受渡部４３が形成される。
第１搬送部８は、基板処理装置１の前端に配置される。具体的には、第１搬送部８は、前後方向において、第２処理ライン４のフォトレジスト塗布ユニット２５と露光装置６１との間に配置される。また、第１搬送部８は、左右方向において、第１処理ライン３（第４処理ライン６）と第３処理ライン５との間に配置される。
第１搬送部８は、前後方向、および左右方向に伸縮可能な搬送アーム（ＳＡ）８Ａを備える。また、第１搬送部８は、上下方向に沿った移動、および鉛直軸を中心とする旋回が可能である。
第１搬送部８は、第１処理ライン３から第２処理ライン４（塗布ラインの一例）に基板Ｓを搬送する。具体的には、第１搬送部８は、第１処理ライン３の第１冷却ユニット２４から、第２処理ライン４のフォトレジスト塗布ユニット２５に基板Ｓを搬送する。
また、第１搬送部８は、熱処理が行われた基板Ｓを第３処理ライン５（熱処理ラインの一例）から搬出する。第１搬送部８は、第３処理ライン５から露光システム６０に基板Ｓを搬送する。具体的には、第１搬送部８は、第３処理ライン５の第２冷却ユニット３２から、露光システム６０の露光装置６１に基板Ｓを搬送する。
また、第１搬送部８は、露光システム６０間で基板Ｓを搬送する。具体的には、第１搬送部８は、露光装置６１から周辺装置６２に基板Ｓを搬送する。すなわち、第１搬送部８は、基板Ｓを第１処理ライン（前処理ラインの一例）から第２処理ライン（塗布ラインの一例）に搬送するとともに、熱処理が行われた基板Ｓを露光装置６１（外部装置の一例）に搬送する。
第２搬送部９は、前後方向、および左右方向に伸縮可能な搬送アーム（ＳＡ）９Ａを備える。また、第２搬送部９は、上下方向に沿った移動、および鉛直軸を中心とする旋回が可能である。
第２搬送部９は、第２処理ライン４（塗布ラインの一例）から第３処理ライン５（熱処理ラインの一例）にフォトレジスト液（処理液の一例）が塗布された基板Ｓを搬送する。具体的には、第２搬送部９は、第２処理ライン４のフォトレジスト塗布ユニット２５から、第３処理ライン５の減圧乾燥ユニット３０に基板Ｓを搬送する。
また、第２搬送部９は、第３処理ライン５間で基板Ｓを搬送する。具体的には、第２搬送部９は、減圧乾燥ユニット３０から第１加熱ユニット３１に基板Ｓを搬送する。また、第２搬送部９は、第１加熱ユニット３１から第２冷却ユニット３２に基板Ｓを搬送する。
第３搬送部１０は、左右方向に伸縮可能な搬送アーム（ＳＡ）１０Ａを有している。また、第３搬送部１０は、上下方向、および前後方向に沿った移動、および鉛直軸を中心とする旋回が可能である。
制御装置１１は、例えば、コンピュータであり、制御部１１Ａと記憶部１１Ｂとを備える。記憶部１１Ｂは、例えば、ＲＡＭ（Random Access Memory）、フラッシュメモリ（Flash Memory）などの半導体メモリ素子、または、ハードディスク、光ディスクなどの記憶装置によって実現される。
制御部１１Ａは、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ、入出力ポート等を含むマイクロコンピュータや各種回路を含む。マイクロコンピュータのＣＰＵは、ＲＯＭに記憶されているプログラムを読み出して実行することにより、カセットステーション２や、各処理ライン３～６などの制御を実現する。
なお、プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されており、記憶媒体から制御装置１１の記憶部１１Ｂにインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
＜基板処理＞
次に、第１実施形態に係る基板処理について図４、および図５Ａ～図５Ｈを参照し説明する。図４は、第１実施形態に係る基板処理を示すフローチャートである。図５Ａ～図５Ｈは、第１実施形態に係る基板処理装置１における基板Ｓの搬送経路を示す図（その１～その８）である。なお、図５Ａ～図５Ｈは、説明のため、第１処理ライン３と第４処理ライン６とを並べて記載している。
基板処理装置１は、前処理を行う（Ｓ１０）。基板処理装置１は、図５Ａに示すように、カセットステーション２から第１処理ライン３に基板Ｓを搬送し、基板Ｓを平流し搬送しつつ、基板Ｓに前処理を行う。
基板処理装置１は、フォトレジスト膜の形成処理を行う（Ｓ１１）。具体的には、基板処理装置１は、図５Ｂに示すように、第１搬送部８によって基板Ｓを第１処理ライン３から第２処理ライン４に搬送する。そして、基板処理装置１は、基板Ｓを平流し搬送しつつ、フォトレジスト塗布ユニット２５によって基板Ｓにフォトレジスト液を塗布し、基板Ｓにフォトレジスト膜を形成する。
基板処理装置１は、第１熱処理を行う（Ｓ１２）。具体的には、基板処理装置１は、図５Ｃに示すように、第２搬送部９によって基板Ｓを第２処理ライン４から第３処理ライン５に搬送する。まず、基板処理装置１は、基板Ｓを第２搬送部９によって減圧乾燥ユニット３０に搬送し、減圧乾燥ユニット３０によって基板Ｓを減圧乾燥させる。そして、基板処理装置１は、減圧乾燥させた基板Ｓを第２搬送部９によって第１加熱ユニット３１に搬送し、第１加熱ユニット３１によって基板Ｓを加熱する。
さらに、基板処理装置１は、図５Ｄに示すように、第１加熱ユニット３１によって加熱した基板Ｓを、第２搬送部９によって第１加熱ユニット３１の下方に配置された第２冷却ユニット３２に搬送する。そして、基板処理装置１は、基板Ｓを平流し搬送しつつ、冷却する。
基板処理装置１は、第１搬送処理を行う（Ｓ１３）。具体的には、基板処理装置１は、図５Ｅに示すように、基板Ｓを第１搬送部８によって第３処理ライン５の第２冷却ユニット３２から露光システム６０の露光装置６１に搬送する。また、基板処理装置１は、基板Ｓを第１搬送部８によって露光装置６１から周辺装置６２に搬送する。
基板処理装置１は、現像処理を行う（Ｓ１４）。具体的には、基板処理装置１は、図５Ｆに示すように、基板Ｓを周辺装置６２から第４処理ライン６に搬送する。そして、基板処理装置１は、基板Ｓを平流し搬送しつつ、現像ユニット４０によって基板Ｓを現像する。また、基板処理装置１は、現像した基板Ｓを洗浄ユニット４１によって洗い流し、乾燥ユニット４２によって乾燥させる。
基板処理装置１は、第２熱処理を行う（Ｓ１５）。具体的には、基板処理装置１は、リンス液を乾燥させた基板Ｓを、図５Ｇに示すように、第３搬送部１０によって熱処理ユニット７に搬送する。まず、基板処理装置１は、基板Ｓを第２加熱ユニット５０に搬送し、基板Ｓを加熱する。そして、基板処理装置１は、加熱した基板Ｓを第３搬送部１０によって第２加熱ユニット５０の下方に配置された第３冷却ユニット５１に搬送し、基板Ｓを冷却する。
基板処理装置１は、第２搬送処理を行う（Ｓ１６）。具体的には、基板処理装置１は、図５Ｈに示すように、第３搬送部１０によって基板Ｓを第３冷却ユニット５１から載置部３４に搬送する。これにより、基板Ｓが載置部３４から検査ユニット３３に搬送される。基板処理装置は、検査が終了した基板Ｓをカセットステーション２に搬送する。なお、図５Ｈでは、説明のため、前後方向に移動する第３搬送部１０の搬送アーム１０ａを２つ記載している。
＜効果＞
基板処理装置１は、基板Ｓにフォトレジスト液（処理液の一例）を塗布する第２処理ライン４（塗布ラインの一例）と、第２処理ライン４に基板Ｓを搬送する第１搬送部８と、第２処理ライン４に対して並列に配置され、フォトレジスト液（処理液の一例）が塗布された基板Ｓに熱処理を行う第３処理ライン５（熱処理ライン）と、第２処理ライン４から第３処理ライン５にフォトレジスト液が塗布された基板Ｓを搬送する第２搬送部９とを備える。第１搬送部８は、熱処理が行われた基板Ｓを第３処理ライン５から搬出する。
換言すると、基板処理装置１は、基板処理方法として、基板Ｓにフォトレジスト液（処理液の一例）を塗布する第２処理ライン４（塗布ライン）に第１搬送部８によって基板Ｓを搬送する工程と、第２処理ライン４によってフォトレジスト液が塗布された基板Ｓを、第２処理ライン４から、第２処理ライン４に対して並列に配置された第３処理ライン５（熱処理ラインの一例）に第２搬送部９によって搬送する工程と、第３処理ライン５によって熱処理が行われた基板Ｓを第１搬送部８によって搬出する工程とを有する。
これにより、基板処理装置１は、フォトレジスト膜を形成する第２処理ライン４と、フォトレジスト膜が形成された基板Ｓに熱処理を行う第３処理ライン５とを左右方向に並べて配置することができる。そのため、基板処理装置１は、前後方向の長さ、すなわち、基板処理装置１の全長を短くすることができる。
また、基板処理装置１は、第２処理ライン４への基板Ｓの搬送と、第３処理ライン５からの基板Ｓの搬出とを第１搬送部８によって行うことができる。これにより、基板処理装置１は、同一の第１搬送部８によって第２処理ライン４に基板Ｓを搬送し、第３処理ライン５から基板Ｓを搬出することができる。そのため、基板処理装置１は、搬送部の数を少なくし、コストを削減することができる。また、基板処理装置１は、装置全体を小型化することができる。
また、基板処理装置１は、第２処理ライン４（塗布ラインの一例）に搬送される基板Ｓに前処理を行う第１処理ライン３（前処理ラインの一例）と、第１処理ライン３の下方に配置され、熱処理が行われた基板Ｓに現像処理を行う第４処理ライン６（現像処理ラインの一例）とを備える。
これにより、基板処理装置１は、第１処理ライン３と第４処理ライン６とを上下方向に積層して配置することができ、左右方向の長さが長くなることを抑制することができる。また、基板処理装置１は、例えば、第１処理ライン３のスクラブ洗浄ユニット２１と、第４処理ライン６の洗浄ユニット４１とに同じ洗浄液タンクから洗浄液を供給することができる。また、基板処理装置１は、各洗浄ユニット４１と、洗浄液タンクとを接続する配管を短くすることができる。すなわち、基板処理装置１は、共通の洗浄液タンクを使用しつつ、洗浄液タンクと各洗浄ユニット４１とを接続する配管を短くすることができる。
また、第１処理ライン３（前処理ラインの一例）は、周辺装置６２（外部装置の一例）の上方に配置される。
これにより、基板処理装置１は、周辺装置６２の上方の空間を有効に利用することができ、装置全体を小型化することができる。
また、第１搬送部８は、基板Ｓを第１処理ライン３（前処理ラインの一例）から第２処理ライン４（塗布ラインの一例）に搬送するとともに、熱処理が行われた基板Ｓを露光装置６１（外部装置の一例）に搬送する。
これにより、基板処理装置１は、第１搬送部８によって複数の搬送経路において基板Ｓを搬送することができ、搬送部の数を少なくし、コストを削減することができる。また、基板処理装置１は、装置全体を小型化することができる。
また、基板処理装置１は、第１処理ライン３（前処理ラインの一例）の上方に配置され、現像処理が行われた基板Ｓを加熱する第２加熱ユニット５０（現像加熱部の一例）と、第２加熱ユニット５０の下方であり、かつ第１処理ライン３の上方に配置され、第２加熱ユニット５０によって加熱された基板Ｓを冷却する第３冷却ユニット５１（現像冷却部の一例）とを備える。これにより、基板処理装置１は、前後方向の長さを短くすることができる。
また、第３処理ライン５（熱処理ラインの一例）は、フォトレジスト液（処理液の一例）が塗布された基板Ｓを加熱する第１加熱ユニット３１（加熱部の一例）と、第１加熱ユニット３１の下方に配置され、第１加熱ユニット３１によって加熱された基板Ｓを冷却する第２冷却ユニット３２（冷却部の一例）とを含む。これにより、基板処理装置１は、前後方向の長さを短くすることができる。
（第２実施形態）
＜全体構成＞
次に、第２実施形態に係る基板処理装置１について図６、および図７を参照し説明する。図６は、第２実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示す平面図である。図７は、第２実施形態に係る基板処理装置１の一部の概略構成を示す右側方図である。ここでは、第１実施形態とは異なる箇所を中心に説明し、第１実施形態と同じ構成については、第１実施形態と同じ符号を付し、説明は省略する。
基板処理装置１は、カセットステーション２と、第１処理ライン３と、第２処理ライン７０と、第３処理ライン７１と、第４処理ライン６と、第５処理ライン７２と、第１搬送部８と、第２搬送部７３と、第３搬送部（ＥＶ）７４と、制御装置１１とを備える。
第２処理ライン７０（塗布ラインの一例）には、フォトレジスト塗布ユニット２５と、減圧乾燥ユニット３０とが含まれる。第２処理ライン７０では、フォトレジスト塗布ユニット２５に対してＸ軸負方向に減圧乾燥ユニット３０が配置される。また、フォトレジスト塗布ユニット２５と減圧乾燥ユニット３０との間には、第２搬送部７３が配置される。
第３処理ライン７１（熱処理ラインの一例）には、第１加熱ユニット８０と、第２冷却ユニット８１とが含まれる。第１加熱ユニット８０、および第２冷却ユニット８１は、第１加熱ユニット８０、および第２冷却ユニット８１の順にＸ軸正方向に沿って配置される。第３処理ライン７１では、基板ＳはＸ軸正方向に沿って平流し搬送される。基板Ｓは、例えば、コロ搬送機構１４（図２参照）によって搬送される。
第１加熱ユニット８０（加熱部の一例）は、フォトレジスト液（処理液の一例）が塗布され、平流し搬送される基板Ｓを加熱する。第２冷却ユニット８１（冷却部の一例）は、第１加熱ユニット８０（加熱部の一例）によって加熱され、平流し搬送される基板Ｓを冷却する。
このように、第３処理ライン７１では、平流し搬送される基板Ｓに対して、第１加熱ユニット８０による加熱と、第２冷却ユニット８１による冷却とが連続して行われる。
なお、第１加熱ユニット８０と、検査ユニット３３との間には、載置部８３が設けられる。載置部８３は、第２搬送部７３によって基板Ｓが搬送され、載置される。載置部８３は、基板Ｓを第１加熱ユニット８０、または検査ユニット３３に向けて、例えば、コロ搬送機構１４によって搬送する。載置部８３は、第２搬送部７３によって搬送された基板Ｓを、第１加熱ユニット８０、または検査ユニット３３に振り分けて搬送する。
具体的には、載置部８３は、減圧乾燥ユニット３０から搬送された基板Ｓを第１加熱ユニット８０に向けて、すなわちＸ軸正方向に沿って搬送する。また、載置部８３は、第５処理ライン７２から搬送された基板Ｓを検査ユニット３３に向けて、すなわちＸ軸負方向に沿って搬送する。
第５処理ライン７２は、現像処理が行われた基板Ｓに第２熱処理を行う。第５処理ライン７２は、第１処理ライン３の上方に配置される。すなわち、第１処理ライン３、第４処理ライン６、および第５処理ライン７２は、上下方向に並んで配置される。第１処理ライン３、第４処理ライン６、および第５処理ライン７２は、第４処理ライン６、第１処理ライン３、第５処理ライン７２の順にＺ軸正方向に沿って配置される。このように、第５処理ライン７２（現像熱処理ラインの一例）は、第１処理ライン（前処理ラインの一例）の上方に配置され、現像処理が行われた基板Ｓに熱処理を行う。
第５処理ライン７２（現像熱処理ラインの一例）には、第２加熱ユニット９０と、第３冷却ユニット９１とが含まれる。第２加熱ユニット９０、および第３冷却ユニット９１は、第２加熱ユニット９０、および第３冷却ユニット９１の順にＸ軸正方向に沿って配置される。第５処理ライン７２では、基板ＳはＸ軸正方向に沿って平流し搬送される。基板Ｓは、例えば、コロ搬送機構１４（図２参照）によって搬送される。
第２加熱ユニット９０（現像加熱部の一例）は、平流し搬送される基板Ｓを加熱する。第３冷却ユニット９１（現像冷却部の一例）は、第２加熱ユニット９０（現像加熱部の一例）によって加熱され、平流し搬送される基板Ｓを冷却する。
このように、第５処理ライン７２では、第３処理ライン７１と同様に平流し搬送される基板Ｓに対して、第２加熱ユニット９０による加熱と、第３冷却ユニット９１による冷却とが連続して行われる。
第２搬送部７３は、第２処理ライン７０において、フォトレジスト塗布ユニット２５から減圧乾燥ユニット３０に基板Ｓを搬送する。また、第２搬送部７３は、第２処理ライン７０の減圧乾燥ユニット３０から載置部８３に基板Ｓを搬送する。
また、第２搬送部７３は、第５処理ライン７２の第３冷却ユニット９１（現像冷却部の一例）から基板Ｓを搬出する。具体的には、第２搬送部７３は、第５処理ライン７２の第３冷却ユニット９１から載置部８３に基板Ｓを搬送する。
第３搬送部７４は、第４処理ライン６から第５処理ライン７２に基板Ｓを搬送する。具体的には、第３搬送部７４は、第４処理ライン６の乾燥ユニット４２から、第５処理ライン７２の第２加熱ユニット９０に基板Ｓを搬送する。第３搬送部７４は、上下方向に沿って移動可能であり、左右方向に基板Ｓを搬送するコンベア搬送機構である。第３搬送部７４は、第４処理ライン６から基板Ｓを搬出した後に、上方に移動し、基板Ｓを第５処理ライン７２に搬入する。なお、第３搬送部７４は、搬送アームを有する搬送機構であってもよい。
＜基板処理＞
次に、第２実施形態に係る基板処理装置１における基板処理について図４、および図８Ａ～図８Ｇを参照し説明する。第２実施形態に係る基板処理装置１における基板処理のフローチャートは、第１実施形態と同様である。図８Ａ～図８Ｇは、第２実施形態に係る基板処理装置１における基板Ｓの搬送経路を示す図（その１～その７）である。なお、図８Ａ～図８Ｇは、説明のため、第１処理ライン３と第４処理ライン６と第５処理ライン７２とを並べて記載している。
基板処理装置１は、前処理を行う（Ｓ１０）。基板処理装置１は、図８Ａに示すように、カセットステーション２から第１処理ライン３に基板Ｓを搬入し、基板Ｓを平流し搬送しつつ、基板Ｓに前処理を行う。
基板処理装置１は、フォトレジスト膜の形成処理を行う（Ｓ１１）。具体的には、基板処理装置１は、図８Ｂに示すように、第１搬送部８によって基板Ｓを第１処理ライン３から第２処理ライン７０のフォトレジスト塗布ユニット２５に搬送する。そして、基板処理装置１は、フォトレジスト塗布ユニット２５によって基板Ｓにフォトレジスト液を塗布し、基板Ｓにフォトレジスト膜を形成する。
基板処理装置１は、第１熱処理を行う（Ｓ１２）。具体的には、基板処理装置１は、図８Ｃに示すように、第２搬送部７３によって基板Ｓをフォトレジスト塗布ユニット２５から減圧乾燥ユニット３０に搬送し、基板Ｓを減圧乾燥させる。そして、基板処理装置１は、減圧乾燥させた基板Ｓを減圧乾燥ユニット３０から載置部８３に搬送する。
そして、基板処理装置１は、基板Ｓを平流し搬送しつつ、第１加熱ユニット８０で基板Ｓを加熱し、加熱した基板Ｓを第２冷却ユニット８１で冷却する。すなわち、基板処理装置１は、フォトレジスト膜が形成された基板Ｓを第２処理ライン７０から第３処理ライン７１に搬送し、基板Ｓに熱処理を行う。
基板処理装置１は、第１搬送処理を行う（Ｓ１３）。具体的には、基板処理装置１は、図８Ｄに示すように、基板Ｓを第１搬送部８によって第３処理ライン７１の第２冷却ユニット８１から露光システム６０の露光装置６１に搬送する。そして、基板処理装置１は、基板Ｓを第１搬送部８によって露光装置６１から周辺装置６２に搬送する。
基板処理装置１は、現像処理を行う（Ｓ１４）。具体的には、基板処理装置１は、図８Ｅに示すように、基板Ｓを周辺装置６２から第４処理ライン６に搬送する。そして、基板処理装置１は、基板Ｓを平流し搬送しつつ、現像ユニット４０によって基板Ｓを現像する。また、基板処理装置１は、現像した基板Ｓを洗浄ユニット４１によって洗い流し、乾燥ユニット４２によって乾燥させる。
基板処理装置１は、第２熱処理を行う（Ｓ１５）。具体的には、基板処理装置１は、図８Ｆに示すように、第３搬送部７４によって、基板Ｓを第４処理ライン６から第５処理ライン７２に搬送する。そして、基板処理装置１は、基板Ｓを平流し搬送しつつ、第２加熱ユニット９０で基板Ｓを加熱し、加熱した基板Ｓを第３冷却ユニット９１で冷却する。
基板処理装置１は、第２搬送処理を行う（Ｓ１６）。具体的には、基板処理装置１は、図８Ｇに示すように、第２搬送部７３によって基板Ｓを第５処理ライン７２から載置部８３に搬送する。これにより、基板Ｓが載置部８３から検査ユニット３３に搬送され、検査が終了した基板Ｓが、カセットステーション２に搬送される。
＜効果＞
基板処理装置１は、第１処理ライン３（前処理ラインの一例）の上方に配置され、現像処理が行われた基板Ｓに熱処理を行う第５処理ライン７２（現像熱処理ラインの一例）を備える。第５処理ライン７２は、平流し搬送される基板Ｓを加熱する第２加熱ユニット９０（現像加熱部の一例）と、第２加熱ユニット９０によって加熱され、平流し搬送される基板Ｓを冷却する第３冷却ユニット９１（現像冷却部の一例）とを含む。
これにより、基板処理装置１は、上下方向の高さを抑制しつつ、前後方向の長さを短くすることができる。
また、第２処理ライン７０（熱処理ラインの一例）は、フォトレジスト液（処理液の一例）が塗布され、平流し搬送される基板Ｓを加熱する第１加熱ユニット８０（加熱部の一例）と、第１加熱ユニット８０によって加熱され、平流し搬送される基板Ｓを冷却する第２冷却ユニット８１（冷却部の一例）とを含む。
これにより、基板処理装置１は、上下方向の高さを抑制しつつ、前後方向の長さを短くすることができる。
＜変形例＞
次に、本実施形態の変形例について説明する。
変形例に係る基板処理装置１は、第２処理ライン４、７０において基板Ｓに複数回、処理液を塗布してもよい。例えば、変形例に係る基板処理装置１は、フォトレジスト膜を形成する前に、反射防止膜を形成してもよい。この場合、変形例に係る基板処理装置１は、フォトレジスト塗布ユニット２５に複数のノズルを備える。
変形例に係る基板処理装置１は、第１搬送部８によって第１処理ライン３から搬送された基板Ｓに、フォトレジスト塗布ユニット２５で反射防止膜を形成する。そして、変形例に係る基板処理装置１は、減圧乾燥ユニット３０、第１加熱ユニット３１、８０、および第２冷却ユニット３２、８１により各処理を行い、第１搬送部８によって基板Ｓを再びフォトレジスト塗布ユニット２５に搬入する。そして、変形例に係る基板処理装置１は、反射防止膜を形成した基板Ｓに、フォトレジスト塗布ユニット２５によってフォトレジスト膜を形成する。
このように、変形例に係る基板処理装置１は、第２処理ライン４、７０によって複数回の処理液の塗布を行うことができる。すなわち、変形例に係る基板処理装置１は、複数回の処理液の塗布を行う場合に、第１搬送部８によって基板Ｓを第３処理ライン５、７１から第２処理ライン４、７０に搬送することができる。そのため、変形例に係る基板処理装置１は、前後方向における装置の長さを短くすることができる。なお、変形例に係る基板処理装置１は、複数回の処理液を塗布するユニットを上下方向に積層してもよい。
また、変形例に係る基板処理装置１は、現像処理を行わない装置であってもよい。変形例に係る基板処理装置１は、第１処理ライン３によって基板Ｓを洗浄し、第２処理ライン４、７０によって処理液を複数回塗布した後に、カセットステーション２に基板Ｓを搬送してもよい。例えば、変形例に係る基板処理装置１は、基板Ｓに複数回の処理液の塗布を行い、基板Ｓに偏光膜を形成する装置であってもよい。
このように、変形例に係る基板処理装置１は、基板Ｓに複数回の処理液を塗布する装置における前後方向の長さを短くすることができる。
また、変形例に係る基板処理装置１は、基板Ｓを９０度回転させるロータリーステージを設けてもよい。例えば、変形例に係る基板処理装置１は、第２処理ライン４、７０の第２冷却ユニット３２、８１で冷却された基板Ｓの向きを９０度回転させた後に、第１搬送部８によって第２処理ライン４、７０から基板Ｓを搬出してもよい。これにより、変形例に係る基板処理装置１は、各処理における基板Ｓの向きを調整することができる。
なお、変形例に係る基板処理装置１は、ロータリーステージにおいて、基板Ｓの温度を調整する温調装置を設けてもよい。これにより、変形例に係る基板処理装置１は、例えば、露光装置６１に搬送される基板Ｓの温度を調整することができる。
また、変形例に係る基板処理装置１は、基板Ｓを一時的に載置するバッファ部（不図示）を設けてもよい。例えば、変形例に係る基板処理装置１は、フォトレジスト塗布ユニット２５において基板Ｓを搬出する箇所の上方にバッファ部を設けてもよい。これにより、例えば、検査ユニット３３において検査に遅延が生じた場合に、変形例に係る基板処理装置１は、現像処理が終了した基板Ｓをバッファ部に一時的に載置し、基板Ｓに対する処理、例えば、現像処理などを継続して行うことができる。
また、変形例に係る基板処理装置１は、例えば、第１搬送部８において複数の搬送アームを有し、複数の搬送アームによって基板Ｓを搬送してもよい。
また、変形例に係る基板処理装置１は、載置部８３を上下方向に積層し、複数段、例えば、２段設けてもよい。例えば、載置部８３は、減圧乾燥ユニット３０から搬送された基板Ｓを上段に載置し、上段から第３処理ライン７１の第１加熱ユニット８０に向けて基板Ｓを搬送する。また、載置部８３は、第５処理ライン７２から搬送された基板Ｓを下段に載置し、下段から検査ユニット３３に向けて基板Ｓを搬送する。なお、載置される基板Ｓの位置は、上下段逆であってもよい。
また、載置部８３は、各段において第１加熱ユニット８０、および検査ユニット３３に基板Ｓを搬送可能としてもよい。すなわち、変形例に係る基板処理装置１の載置部８３（振分部の一例）は、上下方向に複数段配置され、第２搬送部７３によって搬送された基板Ｓを第３処理ライン７１（熱処理ラインの一例）、または基板Ｓの検査を行う検査ユニット３３に振り分けて搬送する。
これにより、変形例に係る基板処理装置１は、第２搬送部７３によって搬送された基板Ｓを効率よく第１加熱ユニット８０、および検査ユニット３３に向けて搬送することができる。
なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
１ 基板処理装置
３ 第１処理ライン（前処理ライン）
４ 第２処理ライン（塗布ライン）
５ 第３処理ライン（熱処理ライン）
６ 第４処理ライン（現像処理ライン）
７ 熱処理ユニット
８ 第１搬送部
９ 第２搬送部
１０ 第３搬送部
２５ フォトレジスト塗布ユニット
３１ 第１加熱ユニット（加熱部）
３２ 第２冷却ユニット（冷却部）
５０ 第２加熱ユニット（現像加熱部）
５１ 第３冷却ユニット（現像冷却部）
６０ 露光システム
６１ 露光装置（外部装置）
６２ 周辺装置（外部装置）
７０ 第２処理ライン（塗布ライン）
７１ 第３処理ライン（熱処理ライン）
７２ 第５処理ライン（現像熱処理ライン）
７３ 第２搬送部
８０ 第１加熱ユニット（加熱部）
８１ 第２冷却ユニット（冷却部）
８３ 載置部（振分部）
９０ 第２加熱ユニット（現像加熱部）
９１ 第３冷却ユニット（現像冷却部）

Claims (9)

  1. 基板に処理液を塗布する塗布ラインと、
    前記塗布ラインに前記基板を搬送する第１搬送部と、
    前記塗布ラインに対して並列に配置され、前記処理液が塗布された前記基板に熱処理を行う熱処理ラインと、
    前記塗布ラインから前記熱処理ラインに前記処理液が塗布された前記基板を搬送する第２搬送部と
    を備え、
    前記第１搬送部は、
    前記熱処理が行われた前記基板を前記熱処理ラインから搬出する
    基板処理装置。
  2. 前記塗布ラインに搬送される前記基板に前処理を行う前処理ラインと、
    前記前処理ラインの下方に配置され、前記熱処理が行われた前記基板に現像処理を行う現像処理ラインと
    を備える請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記前処理ラインの上方に配置され、前記現像処理が行われた前記基板を加熱する現像加熱部と、
    前記現像加熱部の下方であり、かつ前記前処理ラインの上方に配置され、前記現像加熱部によって加熱された前記基板を冷却する現像冷却部と
    を備える請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記前処理ラインの上方に配置され、前記現像処理が行われた前記基板に熱処理を行う現像熱処理ライン
    を備え、
    前記現像熱処理ラインは、
    平流し搬送される前記基板を加熱する現像加熱部と、
    前記現像加熱部によって加熱され、平流し搬送される前記基板を冷却する現像冷却部と
    を含む請求項２または３に記載の基板処理装置。
  5. 前記第２搬送部は、
    前記現像冷却部から前記基板を搬出する
    請求項４に記載の基板処理装置。
  6. 上下方向に複数段配置され、前記第２搬送部によって搬送された前記基板を、前記熱処理ライン、または前記基板の検査を行う検査ユニットに振り分けて搬送する振分部
    を備える請求項１～５のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  7. 前記熱処理ラインは、
    前記処理液が塗布された前記基板を加熱する加熱部と、
    前記加熱部の下方に配置され、前記加熱部によって加熱された前記基板を冷却する冷却部と
    を含む請求項１～６のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  8. 前記熱処理ラインは、
    前記処理液が塗布され、平流し搬送される前記基板を加熱する加熱部と、
    前記加熱部によって加熱され、平流し搬送される前記基板を冷却する冷却部と
    を含む請求項１～６のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  9. 基板に処理液を塗布する塗布ラインに第１搬送部によって前記基板を搬送する工程と、
    前記塗布ラインによって前記処理液が塗布された前記基板を、前記塗布ラインから、前記塗布ラインに対して並列に配置された熱処理ラインに第２搬送部によって搬送する工程と、
    前記熱処理ラインによって熱処理が行われた前記基板を前記第１搬送部によって搬出する工程と
    を有する基板処理方法。
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