JP2023076278A - 基板処理装置、および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板処理装置のコストを抑制する技術を提供する。【解決手段】実施形態に係る基板処理装置は、第１処理群と、第２処理群と、受渡機構とを備える。第１処理群は、基板に処理を行う。第２処理群は、第１処理群によって処理が行われた基板に処理を行う。受渡機構は、第１処理群と第２処理群との間で基板の受け渡しを行う。第１処理群、および第２処理群の少なくとも一部は、上下方向に積層して設けられる。第１処理群、および第２処理群における少なくとも一部の処理部は、水平方向に搬送され、かつ処理部内で進行方向が９０度変更される基板に処理を行う。【選択図】図１

Description

本開示は、基板処理装置、および基板処理方法に関する。

特許文献１には、第１搬送ラインに沿って基板を搬送しつつ、フォトレジスト膜を基板に形成し、基板が露光された後に第２搬送ラインに沿って基板を搬送しつつ、現像処理を基板に行うことが開示されている。

特開２００７－１５８２５３号公報

本開示は、基板処理装置のコストを抑制する技術を提供する。

本開示の一態様による基板処理装置は、第１処理群と、第２処理群と、受渡機構とを備える。第１処理群は、基板に処理を行う。第２処理群は、第１処理群によって処理が行われた基板に処理を行う。受渡機構は、第１処理群と第２処理群との間で基板の受け渡しを行う。第１処理群、および第２処理群の少なくとも一部は、上下方向に積層して設けられる。第１処理群、および第２処理群における少なくとも一部の処理部は、水平方向に搬送され、かつ処理部内で進行方向が９０度変更される基板に処理を行う。

本開示によれば、基板処理装置のコストを抑制することができる。

図１は、実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。 図２は、実施形態に係るコロ搬送装置の模式図である。 図３は、実施形態に係る浮上搬送装置の模式図である。 図４は、実施形態に係る基板処理を説明するフローチャートである。

以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理装置および基板処理方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態により開示される基板処理装置および基板処理方法が限定されるものではない。

以下参照する各図面では、説明を分かりやすくするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする直交座標系を示すことがある。Ｘ軸方向、およびＹ軸方向は、水平方向である。

また、ここでは、Ｘ軸正方向を前方とし、Ｘ軸負方向を後方とする前後方向を規定し、Ｙ軸負方向を左方とし、Ｙ軸正方向を右方とする左右方向を規定する。また、Ｚ軸正方向を上方とし、Ｚ軸負方向を下方とする上下方向を規定する。

実施形態に係る基板処理装置１について図１を参照し説明する。図１は、実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示す平面図である。

基板処理装置１は、カセットステーション２と、第１処理群３と、第２処理群４と、受渡機構５と、搬送装置６（図２、図３参照）と、制御装置７とを備える。第２処理群４は、第１処理群３の上方に配置される。

カセットステーション２には、複数のガラス基板Ｓ（以下、「基板Ｓ」と称する。）を収容するカセットＣが載置される。カセットステーション２は、複数のカセットＣを載置可能な載置台１３と、カセットＣと、第１処理群３および第２処理群４との間で基板Ｓの搬送を行う搬送部１４とを備える。なお、基板Ｓは、矩形状である。また、カセットステーション２は、外部装置として設けられてもよい。すなわち、基板処理装置１は、カセットステーション２を含まない構成であってもよい。

搬送部１４は、搬送アーム１４ａを備える。搬送アーム１４ａは、水平方向（前後方向、および左右方向）および鉛直方向への移動が可能である。また、搬送部１４は、鉛直軸を中心とする旋回が可能である。

第１処理群３は、基板Ｓに処理を行う。第１処理群３は、第１処理ライン２０と、第２処理ライン３０と、第３処理ライン４０とを含む。

第１処理ライン２０は、Ｘ軸方向に延びるように設けられる。第１処理ライン２０は、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ－ＵＶ）２１と、スクラブ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２２と、アドヒージョンユニット（ＡＤ）２３と、第１冷却ユニット（ＣＯＬ）２４とを含む。

第１処理ライン２０では、ユニット２１～２４は、カセットステーション２からＸ軸正方向に並んで配置される。具体的には、ユニット２１～２４は、エキシマＵＶ照射ユニット２１、スクラブ洗浄ユニット、アドヒージョンユニット、および第１冷却ユニット２４の順にＸ軸正方向に沿って配置される。

エキシマＵＶ照射ユニット２１は、搬入部２５から搬送される紫外域光を発する紫外域光ランプから基板Ｓに対して紫外域光を照射し、基板Ｓ上に付着した有機物を除去する。搬入部２５は、カセットステーション２から基板Ｓが搬入される。搬入部２５は、カセットステーション２とエキシマＵＶ照射ユニット２１との間に設けられる。搬入部２５には、カセットステーション２から基板Ｓが搬入される。搬入部２５は、基板Ｓの向きを変更してもよい。

スクラブ洗浄ユニット２２は、有機物が除去された基板Ｓに、洗浄液（例えば、脱イオン水（ＤＩＷ））を供給しつつ、ブラシなどの洗浄部材によって基板Ｓの表面を洗浄する。またスクラブ洗浄ユニット２２は、ブロワーなどによって洗浄した基板Ｓを乾燥させる。

アドヒージョンユニット２３は、乾燥された基板Ｓにヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ）を吹き付けて、基板Ｓに疎水処理を行う。

第１冷却ユニット２４（少なくとも一部の処理部の一例）は、基板Ｓを冷却する。第１冷却ユニット２４は、疎水処理が行われた基板Ｓに冷風を吹き付けて基板Ｓを冷却する。

第１処理ライン２０では、エキシマＵＶ照射ユニット２１からアドヒージョンユニット２３まで、基板Ｓは搬送装置６のコロ搬送装置８０（図２参照）によって搬送される。

第１処理ライン２０では、第１冷却ユニット２４において、基板Ｓは、搬送装置６の浮上搬送装置９０（図３参照）によって搬送される。第１冷却ユニット２４（少なくとも一部の処理部の一例）は、浮上搬送装置９０によって搬送される基板Ｓに処理を行う。搬送装置６についての説明は、後述する。なお、アドヒージョンユニット２３から第１冷却ユニット２４への基板Ｓの移動は、基板Ｓを進行方向に押し出す押出機構によって行われる。

第２処理ライン３０は、Ｘ軸方向に延びるように設けられる。第２処理ライン３０は、第１処理ライン２０に対して、Ｙ軸方向に並んで配置される。第２処理ライン３０は、第１処理ライン２０に対し、Ｙ軸負方向側に配置される。

第２処理ライン３０は、第１冷却ユニット２４と、フォトレジスト塗布ユニット（ＣＴ）３１と、加熱乾燥ユニット（ＡＰＤＰ）３２とを含む。第２処理ライン３０は、第１冷却ユニット２４によって第１処理ライン２０に連続するように設けられる。すなわち、第１冷却ユニット２４は、第１処理ライン２０、および第２処理ライン３０に含まれる。第１冷却ユニット２４の少なくとも一部は、Ｙ軸方向に延びるように設けられる。第１冷却ユニット２４は、略Ｌ字状に形成される。

第２処理ライン３０では、ユニット２４、３１、３２は、第１冷却ユニット２４からＸ軸負方向に並んで配置される。具体的には、ユニット２４、３１、３２は、第１冷却ユニット２４、フォトレジスト塗布ユニット３１、および加熱乾燥ユニット３２の順にＸ軸負方向に沿って配置される。

第２処理ライン３０では、第１冷却ユニット２４とフォトレジスト塗布ユニット３１との間にエレベータバッファ３３が設けられる。

フォトレジスト塗布ユニット３１は、基板Ｓ上にフォトレジスト液を塗布し、基板Ｓ上にフォトレジスト膜を形成する。

加熱乾燥ユニット３２（少なくとも一部の処理部の一例）は、基板Ｓを加熱する。加熱乾燥ユニット３２は、基板Ｓを加熱することで基板Ｓを乾燥させる。

第２処理ライン３０では、第１冷却ユニット２４において、基板Ｓは、浮上搬送装置９０によって搬送される。

第１冷却ユニット２４では、基板Ｓは、まずＹ軸負方向に搬送される。第１冷却ユニット２４では、Ｙ軸負方向に沿って搬送された基板Ｓが、鉛直軸、すなわち上下方向の軸を中心に回転されることなく、進行方向が９０度変更されて、Ｘ軸負方向に沿って搬送される。第１冷却ユニット２４（第１処理群における少なくとも一部の処理部の一例）は、水平方向に搬送され、かつ第１冷却ユニット２４内で進行方向が９０度変更される基板Ｓに処理を行う。

第２処理ライン３０では、第１冷却ユニット２４からエレベータバッファ３３に搬入された基板Ｓがフォトレジスト塗布ユニット３１に搬入され、フォトレジスト膜が基板Ｓ上に形成される。フォトレジスト膜が形成された基板Ｓは、フォトレジスト塗布ユニット３１から加熱乾燥ユニット３２に搬入される。

第２処理ライン３０では、加熱乾燥ユニット３２において、基板Ｓは、浮上搬送装置９０によって搬送される。加熱乾燥ユニット３２（少なくとも一部の処理部の一例）は、浮上搬送装置９０によって搬送される基板Ｓに処理を行う。

第３処理ライン４０は、Ｘ軸方向に延びるように設けられる。第３処理ライン４０は、第２処理ライン３０に対して、Ｙ軸方向に並んで配置される。第３処理ライン４０は、第２処理ライン３０に対し、Ｙ軸負方向側に設けられる。

第３処理ライン４０は、加熱乾燥ユニット３２と、第１加熱ユニット（ＰＥ／ＢＡＫＥ）４１と、第２冷却ユニット（ＣＯＬ）４２とを含む。第３処理ライン４０は、加熱乾燥ユニット３２によって第２処理ライン３０に連続するように設けられる。すなわち、加熱乾燥ユニット３２は、第２処理ライン３０、および第３処理ライン４０に含まれる。加熱乾燥ユニット３２の少なくとも一部は、Ｙ軸方向に延びるように設けられる。加熱乾燥ユニット３２は、略Ｌ字状に形成される。

第３処理ライン４０では、第２冷却ユニット４２に対して、Ｘ軸正方向に隣接してバッファ４３が設けられる。

第３処理ライン４０では、ユニット３２、４１、４２は、加熱乾燥ユニット３２からＸ軸負方向に並んで配置される。具体的には、ユニット３２、４１、４２は、加熱乾燥ユニット３２、第１加熱ユニット４１、および第２冷却ユニット４２の順にＸ軸正方向に沿って配置される。

第１加熱ユニット４１は、フォトレジスト液が塗布された基板Ｓ、すなわちフォトレジスト膜が形成され、乾燥された基板Ｓをさらに加熱する。第１加熱ユニット４１は、基板Ｓを加熱し、フォトレジスト膜に含まれる溶剤などを除去する。

第２冷却ユニット４２は、第１加熱ユニット４１によって加熱された基板Ｓを冷却する。バッファ４３は、基板Ｓを回転させるロータリーステージを含んでもよい。バッファ４３は、基板Ｓの温度を調整する温調装置を含んでもよい。

第３処理ライン４０では、加熱乾燥ユニット３２からバッファ４３まで、基板Ｓは、浮上搬送装置９０によって搬送される。

加熱乾燥ユニット３２では、基板Ｓは、まずＹ軸負方向に搬送される。加熱乾燥ユニット３２では、Ｙ軸負方向に沿って搬送された基板Ｓが、鉛直軸を中心に回転されることなく、進行方向が９０度変更されて、Ｘ軸正方向に沿って搬送される。加熱乾燥ユニット３２（第１処理群における少なくとも一部の処理部の一例）は、水平方向に搬送され、かつ第１冷却ユニット２４内で進行方向が９０度変更される基板Ｓに処理を行う。

バッファ４３に搬送された基板Ｓは、受渡機構５の第１受渡部１００によって、露光装置１２０に搬送される。受渡機構５は、第１処理群３と第２処理群４との間で基板Ｓの受け渡しを行う。第１受渡部１００は、第２処理ライン３０に対し、Ｘ軸正方向に隣接するように配置される。第１受渡部１００は、第３処理ライン４０に対して、Ｙ軸正方向に隣接するように配置される。

第１受渡部１００は、水平方向に伸縮可能な搬送アーム（ＳＡ）を備える。また、第１受渡部１００は、上下方向に沿った移動、および鉛直軸を中心とする旋回が可能である。第１受渡部１００は、露光装置１２０によって露光された基板Ｓを周辺露光装置（ＥＥ）１２１に搬送する。

露光装置１２０は、第１受渡部１００に対し、Ｘ軸正方向に隣接するように配置される。露光装置１２０は、回路パターンに対応したパターンを有するフォトマスクを用いてフォトレジスト膜を露光する。

周辺露光装置１２１は、第１処理ライン２０に対して、Ｘ軸正方向に隣接するように配置される。周辺露光装置１２１は、第１受渡部１００に対して、Ｙ軸正方向に隣接するように配置される。周辺露光装置１２１は、基板Ｓの外周部のフォトレジスト膜を除去する。周辺露光装置１２１は、タイトラーを含んでもよい。タイトラーは、基板Ｓに管理用コードを書き込む。周辺露光装置１２１に搬送された基板Ｓは、第２処理群４に搬送される。

第２処理群４は、第１処理群３によって処理が行われた基板Ｓに処理を行う。第２処理群４は、第１処理群３の上方（Ｚ軸正方向）に設けられる。第１処理群３、および第２処理群４の少なくとも一部は、上下方向に積層して設けられる。第２処理群４は、第４処理ライン５０と、第５処理ライン６０と、第６処理ライン７０とを含む。

第４処理ライン５０は、Ｘ軸方向に延びるように設けられる。第４処理ライン５０は、第１処理ライン２０の上方に設けられる。第４処理ライン５０の少なくとも一部は、上下方向（Ｚ軸方向）において第１処理ライン２０に積層するように設けられる。

第４処理ライン５０は、現像ユニット（ＤＥＶ）５１と、洗浄ユニット（ＲＩＮ）５２と、乾燥ユニット（ＤＲＹ）５３とを含む。

第４処理ライン５０では、ユニット５１～５３は、周辺露光装置１２１からＸ軸負方向に並んで配置される。具体的には、ユニット５１～５３は、現像ユニット５１、洗浄ユニット５２、および乾燥ユニット５３の順にＸ軸負方向に沿って配置される。

現像ユニット５１は、周辺露光装置１２１から搬送された基板Ｓに対し、露光されたフォトレジスト膜を現像液により現像する。

洗浄ユニット５２は、フォトレジスト膜を現像した基板Ｓ上の現像液を洗浄液（例えば、脱イオン水（ＤＩＷ））によって洗い流す。

乾燥ユニット５３は、洗浄液によって洗い流した基板Ｓ上の洗浄液を乾燥させる。乾燥ユニット５３によって乾燥された基板Ｓは、乾燥ユニット５３に対してＸ軸負方向側に隣接して配置された搬出部５４に搬送される。なお、搬出部５４は、乾燥ユニット５３に含まれてもよい。

第４処理ライン５０では、現像ユニット５１から搬出部５４まで、基板Ｓは、コロ搬送装置８０によって搬送される。

搬出部５４に搬送された基板Ｓは、受渡機構５の第２受渡部１０１によって第５処理ライン６０に搬送される。第２受渡部１０１は、第２処理ライン３０に対して、Ｘ軸負方向に隣接するように配置される。第２受渡部１０１は、Ｘ軸方向において、第２処理ライン３０と、カセットステーション２との間に配置される。第２受渡部１０１は、第４処理ライン５０に対して、Ｙ軸負方向に隣接するように配置される。

第２受渡部１０１は、水平方向に伸縮可能な搬送アーム（ＳＡ）を備える。また、第２受渡部１０１は、上下方向に沿った移動、および鉛直軸を中心とする旋回が可能である。

第５処理ライン６０は、第４処理ライン５０に対して、Ｙ軸負方向に配置される。第５処理ライン６０は、第２処理ライン３０の上方に設けられる。第５処理ライン６０の少なくとも一部は、上下方向（Ｚ軸方向）において第２処理ライン３０に積層するように設けられる。

第５処理ライン６０は、第２加熱ユニット（ＰＯ／ＢＡＫＥ）６１を含む。第２加熱ユニット６１（少なくとも一部の処理部の一例）は、基板Ｓを加熱する。第２加熱ユニット６１は、現像処理が行われた基板Ｓを加熱する。第５処理ライン６０は、第２加熱ユニット６１に対してＸ軸負方向側に搬入部６２を備える。搬入部６２には、第２受渡部１０１によって基板Ｓが搬送される。

第５処理ライン６０では、基板Ｓは、浮上搬送装置９０によって搬送される。第２加熱ユニット６１では、Ｘ軸正方向に搬送される基板Ｓが、鉛直軸を中心に回転されることなく、進行方向が９０度変更されて、Ｙ軸負方向に沿って搬送される。第２加熱ユニット６１（少なくとも一部の処理部の一例）は、浮上搬送装置９０によって搬送される基板Ｓに処理を行う。

第６処理ライン７０は、第５処理ライン６０に対して、Ｙ軸負方向に配置される。第６処理ライン７０は、第３処理ライン４０の上方に配置される。第６処理ライン７０の少なくとも一部は、第３処理ライン４０に積層するように設けられる。

第６処理ライン７０は、第２加熱ユニット６１を含む。すなわち、第２加熱ユニット６１は、第５処理ライン６０、および第６処理ライン７０に含まれる。第２加熱ユニット６１の少なくとも一部は、Ｙ軸方向に延びるように設けられる。第２加熱ユニット６１は、略Ｌ字状に形成される。

第６処理ライン７０では、第２加熱ユニット６１に対して、Ｘ軸負方向に隣接してバッファ７１が設けられる。第２加熱ユニット６１によって加熱された基板Ｓは、バッファ７１に搬送される。バッファ７１は、複数の基板Ｓを載置可能である。バッファ７１は、基板Ｓを冷却する。基板Ｓは、バッファ７１内に所定時間載置されることで、冷却される。バッファ７１は、基板Ｓを冷却する冷却装置を備えてもよい。

第６処理ライン７０では、第２加熱ユニット６１からバッファ７１まで、基板Ｓは、浮上搬送装置９０によって搬送される。なお、第２加熱ユニット６１からバッファ７１への基板Ｓの移動は、基板Ｓを進行方向に押し出す押出機構によって行われてもよい。

第２加熱ユニット６１では、基板Ｓは、まずＹ軸負方向に搬送される。第２加熱ユニット６１では、Ｙ軸負方向に沿って搬送された基板Ｓが、鉛直軸を中心に回転されることなく、進行方向が９０度変更されて、Ｘ軸負方向に沿って搬送される。第２加熱ユニット６１（第２処理群における少なくとも一部の処理部の一例）は、水平方向に搬送され、かつ第２加熱ユニット６１内で進行方向が９０度変更される基板Ｓに処理を行う。

バッファ７１によって冷却された基板Ｓは、第２受渡部１０１によって搬出部７２に搬送される。搬出部７２は、バッファ７１の下方に設けられる。搬出部７２に搬送された基板Ｓは、カセットステーション２に搬送される。

ここで、搬送装置６について、図２、および図３を参照し説明する。搬送装置６は、基板Ｓを水平方向に移動させる。搬送装置６は、コロ搬送装置８０と、浮上搬送装置９０とを含む。図２は、実施形態に係るコロ搬送装置８０の模式図である。図３は、実施形態に係る浮上搬送装置９０の模式図である。

コロ搬送装置８０は、基板Ｓを水平方向に沿って平流し搬送する。コロ搬送装置８０は、図２に示すように、複数のコロ８１を駆動装置８２によって回転させることで、基板Ｓを搬送する。駆動装置８２は、例えば、チェーン、ギヤなどの伝達部、およびモータなどの駆動部を含む。

浮上搬送装置９０は、基板Ｓを水平方向に沿って平流し搬送する。浮上搬送装置９０は、基板Ｓを浮上させて搬送する。浮上搬送装置９０は、基板Ｓを超音波によって浮上させる。図３に示すように、浮上搬送装置９０は、振動板９１を超音波振動し、音響放射圧によって基板Ｓを浮上させる。振動板９１は、基板Ｓの搬送方向に沿って複数配置される。浮上搬送装置９０は、超音波によって基板Ｓを浮上させた状態で、基板Ｓを支持する支持ユニット９２を駆動部９３によって水平方向に移動させる。駆動部９３は、モータや、ガイドレールなどを含む。

浮上搬送装置９０は、基板Ｓを支持する支持ユニット９２を変更し、支持ユニット９２の移動方向を変更することで、基板Ｓの搬送方向を変更することができる。浮上搬送装置９０は、基板Ｓを鉛直軸回りに回転させずに基板Ｓの進行方向を９０度変更させる。支持ユニット９２は、基板ＳをＸ軸方向、またはＹ軸方向から挟みことによって基板Ｓを支持する。支持ユニット９２は、吸着パッドなどによって基板Ｓを支持してもよい。

図１に戻り、制御装置７は、たとえばコンピュータであり、制御部７ａと記憶部７ｂとを備える。記憶部７ｂには、基板処理装置１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部７ａは、記憶部７ｂに記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理装置１の動作を制御する。制御部７ａは、各ユニットにおいて各処理を実行させる。制御部７ａは、受渡機構５、および搬送装置６を制御し、基板Ｓを搬送させる。

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置７の記憶部７ｂにインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

次に、実施形態に係る基板処理について図４を参照し説明する。図４は、実施形態に係る基板処理を説明するフローチャートである。

基板処理装置１は、前処理を行う（Ｓ１０）。基板処理装置１は、カセットステーション２から第１処理ライン２０に基板Ｓを搬送し、基板Ｓに前処理を行う。具体的には、基板処理装置１は、エキシマＵＶ照射ユニット２１によって基板Ｓ上の有機物を除去し、スクラブ洗浄ユニット２２によって基板Ｓの表面を洗浄する。そして、基板処理装置１は、アドヒージョンユニット２３によって基板Ｓに疎水処理を行い、第１冷却ユニット２４によって基板Ｓを冷却する。

基板Ｓは、コロ搬送装置８０によって第１冷却ユニット２４までＸ軸正方向に沿って搬送された後、浮上搬送装置９０によって、第１冷却ユニット２４内をＹ軸負方向に沿って搬送される。そして、基板Ｓは、浮上搬送装置９０によって、第１冷却ユニット２４内をＸ軸負方向に沿って搬送される。基板Ｓは、第１冷却ユニット２４において、浮上搬送装置９０によって、進行方向が９０度変更されて搬送される。

基板処理装置１は、フォトレジスト膜の形成処理を行う（Ｓ１１）。基板処理装置１は、フォトレジスト塗布ユニット３１によって基板Ｓにフォトレジスト液を塗布し、基板Ｓにフォトレジスト膜を形成する。

基板処理装置１は、乾燥処理を行う（Ｓ１２）。基板処理装置１は、フォトレジスト膜が形成された基板Ｓを加熱乾燥ユニット３２によって、乾燥させる。

基板Ｓは、浮上搬送装置９０によって、加熱乾燥ユニット３２内をＹ軸負方向に沿って搬送される。そして、基板Ｓは、浮上搬送装置９０によって、加熱乾燥ユニット３２内をＸ軸正方向に沿って搬送される。基板Ｓは、加熱乾燥ユニット３２において、浮上搬送装置９０によって、進行方向が９０度変更されて搬送される。

基板処理装置１は、第１熱処理を行う（Ｓ１３）。基板処理装置１は、基板Ｓを第１加熱ユニット４１によって加熱した後に、第２冷却ユニット４２によって基板Ｓを冷却する。

基板処理装置１は、第１搬送処理を行う（Ｓ１４）。基板処理装置１は、第１受渡部１００によってバッファ４３から基板Ｓを露光装置１２０に搬送する。そして、基板処理装置１は、第１受渡部１００によって基板Ｓを露光装置１２０から周辺露光装置１２１に搬送する。

基板処理装置１は、現像処理を行う（Ｓ１５）。基板処理装置１は、周辺露光装置１２１から搬送される基板Ｓを現像ユニット５１によって現像する。また、基板処理装置１は、現像した基板Ｓを洗浄ユニット５２によって洗い流し、乾燥ユニット５３によって乾燥させる。

基板処理装置１は、第２搬送処理を行う（Ｓ１６）。基板処理装置１は、第２受渡部１０１によって基板Ｓを搬出部５４から搬入部６２に搬送する。

基板処理装置１は、第２熱処理を行う（Ｓ１７）。基板処理装置１は、基板Ｓを第２加熱ユニット６１によって加熱する。

基板Ｓは、浮上搬送装置９０によって、第２加熱ユニット６１内をＹ軸負方向に沿って搬送される。そして、基板Ｓは、浮上搬送装置９０によって、第２加熱ユニット６１内をＸ軸負方向に沿って搬送される。基板Ｓは、第２加熱ユニット６１において、浮上搬送装置９０によって、進行方向が９０度変更されて搬送される。

基板処理装置１は、第３搬送処理を行う（Ｓ１８）。基板処理装置１は、第２受渡部１０１によって基板Ｓをバッファ７１に搬送する。また、基板処理装置１は、バッファ７１によって冷却された基板Ｓを搬出部７２に搬送する。さらに、基板処理装置１は、搬出部７２からカセットステーション２に基板Ｓを搬送する。

基板処理装置１は、第１処理群３と、第２処理群４と、受渡機構５とを備える。第１処理群３は、基板Ｓに処理を行う。第２処理群４は、第１処理群３によって処理が行われた基板Ｓに処理を行う。受渡機構５は、第１処理群３と前記第２処理群４との間で基板Ｓの受け渡しを行う。第１処理群３、および第２処理群４の少なくとも一部は、上下方向に積層して設けられる。第１処理群３、および第２処理群４における少なくとも一部のユニット(処理部の一例)は、水平方向に搬送され、かつユニット内で進行方向が９０度変更される基板Ｓに処理を行う。

これにより、基板処理装置１は、基板Ｓの進む向きを変更しつつ、基板Ｓに処理を行うことができる。そのため、基板処理装置１は、ユニット間で基板Ｓを搬送する機構を少なくすることができる。従って、基板処理装置１は、コストを抑制することができる。また、基板処理装置１は、例えば、Ｘ軸方向に搬送される基板Ｓへの処理に加えて、Ｙ軸方向に基板Ｓを搬送しつつ、基板Ｓに処理を行うことができる。そのため、基板処理装置１は、Ｘ軸方向において処理を行うユニットの長さを短くすることができ、Ｘ軸方向における基板処理装置１の長さを短くすることができる。また、基板処理装置１は、各ユニットについてレイアウトの自由度を増加させることができる。例えば、基板処理装置１は、工場の大きさなどに応じて、或るユニットをＬ字状に配置することができる。また、基板処理装置１は、長さが長いユニットに対して基板Ｓが搬送される経路を曲げて配置することができる。そのため、基板処理装置１は、工場の大きさなどに合わせた配置を実現できる。また、基板処理装置１は、工場における基板処理装置１のフットプリントを小さくすることができる。

基板処理装置１は、搬送装置６を備える。搬送装置６は、基板Ｓを水平方向に移動させる。搬送装置６は、浮上搬送装置９０を含む。浮上搬送装置９０は、基板Ｓを浮上させて搬送する。第１処理群３、および第２処理群４における少なくとも一部のユニットは、浮上搬送装置９０によって搬送される基板Ｓに処理を行う。

これにより、基板処理装置１は、浮上搬送装置９０によって基板Ｓの進行方向を変更しつつ、基板Ｓに処理を行うことができる。

浮上搬送装置９０は、基板Ｓを超音波によって浮上させる。これにより、基板処理装置１は、浮上搬送装置９０によって搬送される基板Ｓに対する処理を精度よく行うことができる。

第１処理群３、および第２処理群４における少なくとも一部のユニットは、基板Ｓを加熱、または冷却する。

これにより、基板処理装置１は、基板Ｓを浮上搬送装置９０によって搬送しつつ、基板Ｓを加熱、または冷却することができる。そのため、基板処理装置１は、基板Ｓに対する加熱むら、および基板Ｓに対する冷却むらの発生を抑制することができる。

浮上搬送装置９０は、基板Ｓを鉛直軸回りに回転させずに基板Ｓの進行方向を９０度変更させる。

これにより、基板処理装置１は、基板Ｓを回転させる回転機構を設けずに、基板Ｓの進行方向を９０度変更することができる。そのため、基板処理装置１は、コストを抑制することができる。また、基板処理装置１は、工場における基板処理装置１のフットプリントを小さくすることができる。また、基板処理装置１は、基板Ｓを鉛直軸回りに回転させずに基板Ｓの進行方向を９０度変更させることで、進行方向に対する基板Ｓの向きを容易に管理できる。

浮上搬送装置９０は、基板Ｓに下方から噴射流体を吐出することによって基板Ｓを浮上させてもよい。噴射流体は、気体、および液体の少なくとも１つを含む。噴射流体は、空気、Ｎ２、およびリンス液の少なくとも１つを含む。噴射流体は、各ユニットにおける処理に応じて設定される。これによっても、基板処理装置１は、浮上搬送装置９０によって基板Ｓの進行方向を９０度変更しつつ、基板Ｓに処理を行うことができる。

なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

１ 基板処理装置
３ 第１処理群
４ 第２処理群
５ 受渡機構
６ 搬送装置
７ 制御装置
２４ 第１冷却ユニット（処理部の一例）
３２ 加熱乾燥ユニット（処理部の一例）
６１ 第２加熱ユニット（処理部の一例）
８０ コロ搬送装置
９０ 浮上搬送装置

Claims (7)

1. 基板に処理を行う第１処理群と、
   前記第１処理群によって処理が行われた前記基板に処理を行う第２処理群と、
   前記第１処理群と前記第２処理群との間で前記基板の受け渡しを行う受渡機構と
   を備え、
   前記第１処理群、および前記第２処理群の少なくとも一部は、上下方向に積層して設けられ、
   前記第１処理群、および前記第２処理群における少なくとも一部の処理部は、水平方向に搬送され、かつ前記処理部内で進行方向が９０度変更される前記基板に処理を行う、基板処理装置。
2. 前記基板を水平方向に移動させる搬送装置
   を備え、
   前記搬送装置は、前記基板を浮上させて搬送する浮上搬送装置を含み、
   前記少なくとも一部の処理部は、前記浮上搬送装置によって搬送される前記基板に処理を行う、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記浮上搬送装置は、前記基板を超音波によって浮上させる、請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記少なくとも一部の処理部は、前記基板を加熱、または冷却する、請求項３に記載の基板処理装置。
5. 前記浮上搬送装置は、前記基板に下方から噴射流体を吐出することによって前記基板を浮上させる、請求項２に記載の基板処理装置。
6. 前記浮上搬送装置は、前記基板を鉛直軸回りに回転させずに前記基板の進行方向を９０度変更させる、請求項２～５のいずれか１つに記載の基板処理装置。
7. 第１処理群によって基板に処理を行う工程と、
   前記第１処理群によって処理が行われた前記基板を、前記第１処理群に対して少なくとも一部が上下方向に積層して設けられる第２処理群によって処理を行う工程と、
   前記第１処理群と前記第２処理群との間で前記基板を受け渡す工程と
   を有し、
   前記第１処理群、および前記第２処理群における少なくとも一部の処理は、水平方向に搬送され、かつ進行方向が９０度変更される前記基板に対して行われる、基板処理方法。

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