TW201822896A - 周緣部處理裝置、基板處理裝置以及周緣部處理方法 - Google Patents

周緣部處理裝置、基板處理裝置以及周緣部處理方法 Download PDF

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Abstract

周緣部處理裝置係具備有：旋轉保持部，係吸附保持基板並使基板旋轉；基板支撐機構，係構成為可從旋轉保持部接取基板並在旋轉保持部的上方的位置支撐基板；以及周緣部處理機構，係對藉由旋轉保持部而旋轉的基板的周緣部的周方向的部分區域進行處理。在藉由基板支撐機構支撐基板的狀態下旋轉保持部係以一定角度旋轉，藉此以旋轉保持部相對於基板之旋轉方向的角度位置不同之方式，旋轉保持部所為之基板的保持狀態係被變更成複數個保持狀態。在各個保持狀態下一邊旋轉基板一邊藉由周緣部處理機構處理基板的周緣部的全周區域。

Description

周緣部處理裝置、基板處理裝置以及周緣部處理方法
本發明係有關於一種用以處理基板的一面的周緣部之周緣部處理裝置、基板處理裝置以及周緣部處理方法。
在基板處理裝置中，被自轉夾具(spin chuck)水平地支撐之基板係被旋轉。在此狀態下，從噴嘴對基板的表面的略中央部噴出處理液，藉此將處理液供給至基板的表面整體。之後，進行預定的熱處理，藉此於基板的表面形成有由處理液所構成的薄膜。在此，當於基板的周緣部形成有薄膜時，在用以搬運基板之搬運裝置把持基板的周緣部時膜會剝離而成為微粒(particle)。因此，在對基板的表面整體供給處理液後，進行用以去除基板的周緣部的處理液之處理(參照例如專利文獻1)。
在專利文獻1的塗布膜去除裝置中，藉由檢測機構檢測被自轉夾具保持的基板的周緣部的位置。在此狀態下，自轉夾具係360°旋轉，藉此取得自轉夾具的旋轉相位以及與自轉夾具的旋轉相位對應之基板的周緣部的位置。從清洗(rinse)液噴出噴嘴對旋轉中的基板的周緣部噴出清洗液， 藉此去除基板的周緣部的阻劑(resist)液。在噴出清洗液時，以補償伴隨著自轉夾具的旋轉之基板的周緣部的位置變動量之方式，藉由對準(alignment)機構調整自轉夾具的位置。在此情形中，對準機構係作動，藉此自轉夾具係朝一方向以及該一方向的相反方向往復移動，且自轉夾具係與基板一起旋轉並定位。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2001-110712號公報。
然而，為了以補償基板的周緣部的位置變動量之方式將自轉夾具正確地定位，需要使用昂貴的對準機構，且塗布膜去除裝置的構成會複雜化。再者，實際上難以藉由基板的旋轉速度以追隨基板的周緣部的位置變動之方式定位自轉夾具。
本發明的目的在於提供一種可抑制高成本化及構成的複雜化並容易高精度地進行基板的周緣部的處理之周緣部處理裝置、基板處理裝置以及周緣部處理方法。
(用以解決課題之技術手段)
(1)本發明的實施方式之一的周緣部處理裝置係用以對至少一部分具有圓形的外周部之基板的一面中之沿著外周部之環狀的周緣部進行處理，該周緣部處理裝置係具備有：旋轉保持部，係保持基板並使基板繞著於上下方向延伸的旋 轉軸旋轉；保持狀態變更部，係以旋轉保持部相對於基板之旋轉方向的角度位置不同之方式，將旋轉保持部所為之基板的保持狀態變更成複數個保持狀態；周緣部處理部，係對藉由旋轉保持部而旋轉的基板的周緣部的周方向的部分區域進行處理；以及控制部，在複數個保持狀態的各者中一邊藉由旋轉保持部使基板旋轉，一邊藉由周緣部處理部處理周緣部的全周區域。
在基板相對於與旋轉軸正交之面呈傾斜之情形中以及基板的中心從旋轉軸偏離之情形中，被周緣部處理部處理的部分區域的半徑方向的寬度係與旋轉保持部所為之基板的旋轉一起變化。藉此，被處理的基板的周緣部的全周區域係相對於基板的中心偏心。
在前述周緣部處理裝置中，以旋轉保持部相對於基板之旋轉方向的角度位置不同之方式，將旋轉保持部所為之基板的保持狀態變更成複數個保持狀態。在複數個保持狀態的各者中，藉由旋轉基板來處理基板的周緣部的全周區域。在此情形中，與各個保持狀態對應之基板的周緣部的全周區域係相對於基板的中心於與其他的保持狀態對應之基板的周緣部的全周區域不同的方向偏心。
依據上述構成，藉由將基板的保持狀態變更成複數個保持狀態，減少處理完畢的周緣部的內緣的偏差。因此，藉由將旋轉保持部所為之基板的保持狀態變更成複數個保持狀態這種簡單的方法，將處理完畢的周緣部的寬度均勻化。
結果，可抑制高成本化及構成的複雜化並容易高精度地進行基板的周緣部的處理。
(2)本發明的另一實施方式的周緣部處理裝置係用以對至少一部分具有圓形的外周部之基板的一面中之沿著外周部之環狀的周緣部進行處理，該周緣部處理裝置係具備有：旋轉保持部，係保持基板並使基板繞著於上下方向延伸的旋轉軸旋轉；基板中心算出部，係算出被旋轉保持部保持的基板的中心；保持位置移動部，係使旋轉保持部所為之基板的保持位置於與旋轉軸正交的一方向移動；周緣部處理部，係對藉由旋轉保持部而旋轉的基板的周緣部的周方向的部分區域進行處理；第一控制部，以基板中心算出部所算出的基板的中心位於與旋轉軸交叉的一方向的直線上之方式控制旋轉保持部；第二控制部，係在所算出的基板的中心位於直線上的狀態下，以藉由使旋轉保持部所為之基板的保持位置於一方向移動而使所算出的基板的中心位於旋轉軸上之方式控制保持位置移動部；以及第三控制部，係在所算出的基板的中心位於旋轉軸上的狀態下，一邊藉由旋轉保持部使基板旋轉一邊藉由周緣部處理部處理周緣部的全周區域。
在基板的中心從旋轉軸偏離之情形中，被周緣部處理部處理的部分區域的半徑方向的寬度係與旋轉保持部所為之基板的旋轉一起變化。藉此，被處理的基板的周緣部的全周區域係相對於基板的中心偏心。
在前述周緣部處理裝置中，算出被旋轉保持部保持的基板的中心，並以所算出的基板的中心位於與旋轉軸正交 並於一方向延伸的直線上之方式控制旋轉保持部。在此情形中，藉由旋轉基板使基板的中心於直線上移動。因此，無須另外設置用以使基板於與一方向正交且與旋轉軸正交之另一方向移動之構成，而是藉由旋轉保持部的旋轉消除該另一方向中的基板的中心與旋轉軸之間的偏離。因此，抑制高成本化及構成的複雜化。
在所算出的基板的中心位於朝一方向延伸的直線上的狀態下，以所算出的基板的中心位於旋轉軸上之方式，旋轉保持部所為之基板的保持位置係於一方向移動。
之後，在基板的中心位於旋轉軸上的狀態下，一邊藉由旋轉保持部旋轉基板一邊處理周緣部的全周區域。藉此，抑制基板的周緣部的全周區域相對於基板的中心偏心。
結果，可抑制高成本化及構成的複雜化並容易高精度地進行基板的周緣部的處理。
(3)周緣部處理裝置亦可進一步具備有：保持狀態變更部，係以旋轉保持部相對於基板之旋轉方向的角度位置不同之方式，將旋轉保持部所為之基板的保持狀態變更成複數個保持狀態；第三控制部係在所算出的基板的中心位於旋轉軸上的狀態下，藉由保持狀態變更部使基板的保持狀態變更成複數個保持狀態，並在複數個保持狀態的各者中一邊藉由旋轉保持部使基板旋轉一邊藉由周緣部處理部處理周緣部的全周區域。
在基板相對於與旋轉軸正交之面呈傾斜之情形中，被周緣部處理部處理的部分區域的半徑方向的寬度係與旋轉 保持部所為之基板的旋轉一起變化。藉此，被處理的基板的周緣部的全周區域係相對於基板的中心偏心。
在前述構成中，在所算出的基板的中心位於旋轉軸上的狀態下，以旋轉保持部相對於基板之旋轉方向的角度位置不同之方式，將旋轉保持部所為之基板的保持狀態變更成複數個保持狀態。在複數個保持狀態的各者中，藉由旋轉基板來處理基板的周緣部的全周區域。在此情形中，與各個保持狀態對應之基板的周緣部的全周區域係相對於基板的中心於與其他的保持狀態對應之基板的周緣部的全周區域不同的方向偏心。
依據上述構成，藉由將基板的保持狀態變更成複數個保持狀態，減少處理完畢的周緣部的內緣的偏差。因此，藉由將旋轉保持部所為之基板的保持狀態變更成複數個保持狀態這種簡單的方法，將處理完畢的周緣部的寬度均勻化。結果，可更容易高精度地進行基板的周緣部的處理。
(4)亦可於基板的一面形成有膜；周緣部處理部係去除形成於基板的周緣部的周方向的部分區域的膜而作為前述處理。
在此情形中，能容易高精度地去除形成於基板的一面上的膜中之周緣部的膜。
(5)亦可於基板的一面形成有感光性膜；周緣部處理部係將形成於基板的周緣部的周方向的部分區域之感光性膜予以曝光而作為前述處理。
在此情形中，能容易高精度地將形成於基板的一面上 的感光性膜中之周緣部的感光性膜予以曝光。
(6)在本發明另一實施形態的基板處理裝置係配置成與曝光裝置鄰接；該基板處理裝置係具備有：膜形成裝置，係於基板的一面形成感光性膜；前述周緣部處理裝置；顯像處理裝置，係對經過曝光裝置曝光後的基板進行感光性膜的顯像處理；以及搬運裝置，係在膜形成裝置、周緣部處理裝置、顯像處理裝置以及曝光裝置之間搬運基板；周緣部處理裝置係將藉由塗布裝置形成有感光性膜後且藉由曝光裝置進行曝光之前的基板的周緣部的感光性膜予以去除或曝光而作為前述處理。
在該基板處理裝置中，於基板的一面形成有感光性膜後，藉由前述周緣部處理裝置將形成於基板的一面上的感光性膜中之周緣部的感光性膜予以去除或曝光。之後，藉由曝光裝置將基板曝光，並將曝光後的基板顯像。在此情形中，於顯像處理後的基板的一面的周緣部未存在感光性膜。因此，抑制顯像處理後的基板的搬運時或基板的保管時感光性膜從基板的周緣部剝離導致產生基板的處理不良。
此外，依據前述周緣部處理裝置，抑制基板處理裝置的高成本化及構成的複雜化。
(7)本發明的另一實施方式的周緣部處理方法係用以對至少一部分具有圓形的外周部之基板的一面中之沿著外周部之環狀的周緣部進行處理，該周緣部處理方法係具備有：使用可保持基板並使基板繞著於上下方向延伸的旋轉軸旋 轉之旋轉保持部保持基板之步驟；以旋轉保持部相對於基板之旋轉方向的角度位置不同之方式，將旋轉保持部所為之基板的保持狀態變更成複數個保持狀態之步驟；以及在複數個保持狀態的各者中一邊藉由旋轉保持部使基板旋轉一邊對旋轉中的基板的周緣部的周方向的部分區域進行處理，藉此處理周緣部的全周區域之步驟。
在基板相對於與旋轉軸正交之面呈傾斜之情形中以及基板的中心從旋轉軸偏離之情形中，被處理的部分區域的半徑方向的寬度係與旋轉保持部所為之基板的旋轉一起變化。藉此，被處理的基板的周緣部的全周區域係相對於基板的中心偏心。
在前述周緣部處理方法中，以旋轉保持部相對於基板之旋轉方向的角度位置不同之方式，將旋轉保持部所為之基板的保持狀態變更成複數個保持狀態。在複數個保持狀態的各者中，藉由旋轉基板來處理基板的周緣部的全周區域。在此情形中，與各個保持狀態對應之基板的周緣部的全周區域係相對於基板的中心於與其他的保持狀態對應之基板的周緣部的全周區域不同的方向偏心。
依據上述方法，藉由將基板的保持狀態變更成複數個保持狀態，減少處理完畢的周緣部的內緣的偏差。因此，藉由將旋轉保持部所為之基板的保持狀態變更成複數個保持狀態這種簡單的方法，將處理完畢的周緣部的寬度均勻化。
結果，可抑制為了實施前述周緣部處理方法之構成的 高成本化及構成的複雜化並容易高精度地進行基板的周緣部的處理。
(8)本發明的另一實施方式的周緣部處理方法係用以對至少一部分具有圓形的外周部之基板的一面中之沿著外周部之環狀的周緣部進行處理，該周緣部處理方法係具備有：使用可保持基板並使基板繞著於上下方向延伸的旋轉軸旋轉之旋轉保持部保持基板之步驟；算出被旋轉保持部保持的基板的中心之步驟；以基板中心算出部所算出的基板的中心位於與旋轉軸正交的一方向延伸的直線上之方式控制旋轉保持部之步驟；在所算出的基板的中心位於直線上的狀態下，以使所算出的基板的中心位於旋轉軸上之方式使旋轉保持部所為之基板的保持位置於一方向移動之步驟；以及在所算出的基板的中心位於旋轉軸上的狀態下，一邊藉由旋轉保持部使基板旋轉一邊對旋轉中的基板的周緣部的周方向的部分區域進行處理，藉此處理周緣部的全周區域之步驟。
在基板的中心從旋轉軸偏離之情形中，被處理的部分區域的半徑方向的寬度係與旋轉保持部所為之基板的旋轉一起變化。藉此，被處理的基板的周緣部的全周區域係相對於基板的中心偏心。
在前述周緣部處理方法中，算出被旋轉保持部保持的基板的中心，並以所算出的基板的中心位於與旋轉軸正交並於一方向延伸的直線上之方式控制旋轉保持部。在此情形中，藉由旋轉基板使基板的中心於直線上移動。因此，無須另外設置用以使基板於與一方向正交且與旋轉軸正交 之另一方向移動之構成，而是藉由旋轉保持部的旋轉消除該另一方向中的基板的中心與旋轉軸之間的偏離。因此，抑制高成本化及構成的複雜化。
在所算出的基板的中心位於朝一方向延伸的直線上的狀態下，以所算出的基板的中心位於旋轉軸上之方式，旋轉保持部所為之基板的保持位置係於一方向移動。
之後，在基板的中心位於旋轉軸上的狀態下，一邊藉由旋轉保持部旋轉基板一邊處理周緣部的全周區域。藉此，抑制基板的周緣部的全周區域相對於基板的中心偏心。
結果，可抑制為了實施前述周緣部處理方法之構成的高成本化及構成的複雜化並容易高精度地進行基板的周緣部的處理。
(9)周緣部處理方法亦可進一步具備有：以旋轉保持部相對於基板之旋轉方向的角度位置不同之方式，將旋轉保持部所為之基板的保持狀態變更成複數個保持狀態之步驟；進行處理之步驟亦可包含有下述步驟：在算出的基板的中心位於旋轉軸上的狀態下，在複數個保持狀態的各者中一邊藉由旋轉保持部使基板旋轉一邊對旋轉中的基板的周緣部的周方向的部分區域進行處理，藉此處理周緣部的全周區域之步驟。
在基板相對於與旋轉軸正交之面呈傾斜之情形中，被處理的部分區域的半徑方向的寬度係與旋轉保持部所為之基板的旋轉一起變化。藉此，被處理的基板的周緣部的全周區域係相對於基板的中心偏心。
在前述構成中，在所算出的基板的中心位於旋轉軸上的狀態下，以旋轉保持部相對於基板之旋轉方向的角度位置不同之方式，將旋轉保持部所為之基板的保持狀態變更成複數個保持狀態。在複數個保持狀態的各者中，藉由旋轉基板來處理基板的周緣部的全周區域。在此情形中，與各個保持狀態對應之基板的周緣部的全周區域係相對於基板的中心於與其他的保持狀態對應之基板的周緣部的全周區域不同的方向偏心。
依據上述方法，藉由將基板的保持狀態變更成複數個保持狀態，減少處理完畢的周緣部的內緣的偏差。因此，藉由將旋轉保持部所為之基板的保持狀態變更成複數個保持狀態這種簡單的方法，將處理完畢的周緣部的寬度均勻化。結果，可更容易高精度地進行基板的周緣部的處理。
依據本發明，可抑制高成本化及構成的複雜化並容易高精度地進行基板的周緣部的處理。
11‧‧‧索引區塊
12‧‧‧第一處理區塊
13‧‧‧第二處理區塊
14A‧‧‧洗淨乾燥處理區塊
14B‧‧‧搬入搬出區塊
15‧‧‧曝光裝置
15a‧‧‧基板搬入部
15b‧‧‧基板搬出部
21、23、25、27‧‧‧周緣部去除室
22、24、26、28‧‧‧塗布處理室
29a‧‧‧基板旋轉機構
31、32、33、34‧‧‧顯像處理室
35‧‧‧基板旋轉機構
37、cp‧‧‧外罩
38‧‧‧顯像噴嘴
39‧‧‧移動機構
50、60‧‧‧流體箱部
81、82、83、84、91、92、93、94、95‧‧‧洗淨乾燥處理室
100‧‧‧基板處理裝置
111‧‧‧承載器載置部
112‧‧‧搬運部
113‧‧‧承載器
114‧‧‧主控制器
115、127、128、137、138、141、142、146‧‧‧搬運裝置
121A、121B‧‧‧塗布處理部
122、132、163‧‧‧搬運部
123、133‧‧‧熱處理部
125、135‧‧‧上段搬運室
126、136‧‧‧下段搬運室
131‧‧‧顯像處理部
139‧‧‧顯像處理單元
161、162‧‧‧洗淨乾燥處理部
301、303‧‧‧上段熱處理部
302、304‧‧‧下段熱處理部
700‧‧‧周緣部處理裝置
710‧‧‧基板旋轉機構
711‧‧‧旋轉驅動部
712‧‧‧旋轉軸
712c‧‧‧軸心
713‧‧‧旋轉保持部
714‧‧‧編碼器
720‧‧‧周緣部攝影機構
721‧‧‧照明部
722‧‧‧反射鏡
723‧‧‧CCD線感測器
730‧‧‧周緣部處理機構
731‧‧‧去除噴嘴
732‧‧‧光射出器
740‧‧‧基板支撐機構
741‧‧‧升降驅動部
742‧‧‧連結構件
743‧‧‧支撐銷
750‧‧‧周緣部處理控制器
750A‧‧‧記憶部
750B‧‧‧主控制部
751‧‧‧旋轉控制部
752‧‧‧吸附狀態切換部
753‧‧‧變更控制部
754‧‧‧基板中心算出部
759‧‧‧周緣部處理控制部
790‧‧‧移動機構
791‧‧‧線性滑軌
792‧‧‧移動驅動部
CP‧‧‧冷卻單元
CU‧‧‧塗布處理單元
EEW‧‧‧邊緣曝光單元
11‧‧‧實線
12‧‧‧一點鍊線
13‧‧‧二點鍊線
14‧‧‧虛線
PAHP‧‧‧密著強化處理單元
PHP‧‧‧熱處理裝置
RU‧‧‧周緣部去除單元
SD1、SD2‧‧‧洗淨乾燥處理單元
PA‧‧‧部分區域
PASS1至PASS9‧‧‧基板載置部
P-BF1、P-BF2‧‧‧載置兼緩衝部
P-CP‧‧‧載置兼冷卻部
pi‧‧‧一點
v1‧‧‧假想直線
W‧‧‧基板
WC‧‧‧中心
WE‧‧‧外周端部
△A、△B‧‧‧振幅
圖1中的(a)及(b)係用以顯示第一實施形態的周緣部處理裝置的基本構成之示意性的側視圖以及示意性的俯視圖。
圖2係圖1中的(a)及(b)的周緣部處理裝置的控制系統的方塊圖。
圖3中的(a)至(c)係用以顯示周緣部去除處理的精度降低之理由的一例之圖。
圖4中的(a)至(h)係用以說明第一實施形態的周緣部去除處理之圖。
圖5係用以說明藉由圖4中的(a)至(h)的周緣部去除處理所獲得的功效之圖。
圖6中的(a)及(b)係用以顯示第二實施形態的周緣部處理裝置的基本構成之示意性的側視圖以及示意性的俯視圖。
圖7係圖6中的(a)及(b)的周緣部處理裝置的控制系統的方塊圖。
圖8係用以顯示圖6中的(a)及(b)的周緣部處理裝置的動作之流程圖。
圖9中的(a)至(d)係顯示用以更詳細地說明圖8的部分的步驟S101至步驟S106的動作的具體例之圖。
圖10係具備有周緣部去除單元及邊緣曝光單元作為圖1中的(a)及(b)或圖6中的(a)及(b)的周緣部處理裝置之基板處理裝置的示意性的俯視圖。
圖11係主要用以顯示圖10的塗布處理部、顯像處理部以及洗淨乾燥處理部之基板處理裝置的示意性的側視圖。
圖12係主要用以顯示圖10的熱處理部以及洗淨乾燥處理部之基板處理裝置的示意性的側視圖。
圖13係主要用以顯示圖10的搬運部之側視圖。
以下使用圖式說明本發明的實施形態之一的周緣部處 理裝置、基板處理裝置以及周緣部處理方法。在以下的說明中，所謂基板係指半導體基板、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板或光罩用基板等。在本實施形態中所使用的基板係至少一部分具有圓形的外周部。例如，除了定位用的缺口(notch)之外周部係具有圓形。
此外，在以下的說明中，所謂基板的表面係指形成有感光性膜、反射防止膜、保護膜等各種膜之面(主面)，所謂基板的背面係指該面(主面)之相反側的面。所謂基板的周緣部係指基板W的圓形的外周部與距離該外周部預定距離內側的圓之間的環狀區域。
再者，在以下的說明中，所謂基板的周緣部處理係意指對基板的周緣部施予任意的處理。周緣部處理係含有例如周緣部去除處理以及邊緣曝光處理。周緣部去除處理係用以去除形成於基板的表面上的膜中之周緣部的膜之處理。邊緣曝光處理係用以將形成於基板的表面上的感光性膜中之周緣部的感光性膜予以曝光之處理。
[1]第一實施形態
(1)周緣部處理裝置的基本構成
圖1係用以顯示第一實施形態的周緣部處理裝置的基本構成之示意性的側視圖以及示意性的俯視圖。圖1中的(a)、(b)係分別顯示側視圖及俯視圖。本實施形態的周緣部處理裝置700係包含有基板旋轉機構710、周緣部處理機構730、基板支撐機構740以及周緣部處理控制器750。在 圖1中的(b)中，省略周緣部處理控制器750的圖示。
基板旋轉機構710係包含有旋轉驅動部711、旋轉軸712、旋轉保持部713以及編碼器714。旋轉驅動部711係例如電動馬達。旋轉軸712係設置成從旋轉驅動部711朝上方突出。於旋轉軸712的上端部連接有旋轉保持部713。
旋轉保持部713係構成為可切換成：吸附狀態，係用以吸附保持載置於旋轉保持部713上的基板W；以及支撐狀態，係不吸附地支撐載置於旋轉保持部713上的基板W。於旋轉保持部713連接有未圖示的吸引系統。於旋轉驅動部711設置有編碼器714。編碼器714係將與旋轉保持部713的旋轉角度對應之訊號輸出至周緣部處理控制器750。旋轉保持部713的旋轉角度係表示將旋轉保持部713的某種狀態定義成基準角度(0°)之情形中來自於旋轉保持部713的基準角度之旋轉角度。
於被基板旋轉機構710吸附保持之基板W的周緣部的附近設置有周緣部處理機構730。周緣部處理機構730係對藉由基板旋轉機構710而旋轉的基板W的周緣部的周方向的部分區域PA進行預先設定的處理。在圖1中的(a)、(b)中，以虛線及陰影線顯示部分區域PA。
基板支撐機構740係包含有升降驅動部741、連結構件742以及複數個(在本例子中為三個)支撐銷743。以圍繞旋轉驅動部711之方式設置有連結構件742。複數個支撐銷743係以於上下方向延伸之方式安裝至連結構件742。連結構件742係連接至升降驅動部741。升降驅動部741 係例如藉由汽缸(cylinder)所構成，且以可於上下方向升降之方式支撐連結構件742。藉由升降驅動部741，複數個支撐銷743係在上方位置與下方位置之間移動，該上方位置係複數個支撐銷743的上端部會位於比旋轉保持部713還上方之位置，該下方位置係複數個支撐銷743的上端部會位於比旋轉保持部713還下方之位置。
周緣部處理控制器750係包含有CPU(Central Processing Unit；中央處理器)(中央運算處理裝置)、ROM(Read Only Memory；唯讀記憶體)以及RAM(Random Access Memory；隨機存取記憶體)等。於ROM記憶有控制程式。CPU係使用RAM執行記憶於ROM的控制程式，藉此控制周緣部處理裝置700的各構件的動作。
(2)周緣部處理裝置的控制系統
圖2係圖1的周緣部處理裝置700的控制系統的方塊圖。於圖2顯示有周緣部處理控制器750的功能性的構成的一部分。如圖2所示，周緣部處理控制器750係包含有記憶部750A以及主控制部750B。記憶部750A係由ROM以及RAM的一部分所構成。此外，記憶部750A亦可由例如硬碟所構成。於記憶部750A記憶有用以控制基板旋轉機構710、周緣部處理機構730以及基板支撐機構740的動作之程式，並記憶有各種資料。此外，於記憶部750A記憶有周緣部處理的處理條件。於本實施形態的處理條件記憶有關於周緣部處理機構730的動作之各種資訊以及變更角度。變更角度係在後述的周緣部處理中於變更基板W的保持狀態時相對於基板W旋 轉之旋轉保持部713的旋轉角度。處理條件係藉由例如周緣部處理裝置700的使用者操作未圖示的操作部所產生。
主控制部750B係由CPU所構成，並包含有旋轉控制部751、吸附狀態切換部752、變更控制部753以及周緣部處理控制部759。這些各構件的功能係藉由主控制部750B執行記憶於記憶部750A的程式而實現。
旋轉控制部751係依據基板旋轉機構710的編碼器714的輸出訊號檢測旋轉保持部713的旋轉角度，並控制旋轉驅動部711的動作。
吸附狀態切換部752係控制連接於旋轉保持部713之未圖示的吸引系統，藉此在吸附狀態與支撐狀態之間切換旋轉保持部713。變更控制部753係依據記憶於記憶部750A的變更角度與編碼器714的輸出訊號，控制基板旋轉機構710的旋轉驅動部711、基板旋轉機構710的旋轉保持部713以及基板支撐機構740。藉此，以旋轉保持部713相對於基板W之旋轉方向的角度位置於每個變更角度皆不同之方式，將旋轉保持部713所為之基板W的保持狀態變更成複數個保持狀態。
周緣部處理控制部759係依據記憶於記憶部750A的處理條件控制周緣部處理機構730的動作。一邊藉由基板旋轉機構710旋轉基板W且周緣部處理機構730一邊動作，藉此對基板W的周緣部的全周區域進行處理。
(3)周緣部處理的精度降低的理由
在基板W的周緣部處理中，應施予處理之基板W的周 緣部的半徑方向的寬度係預先設定成一定的大小。然而，實際進行處理之基板W的周緣部的半徑方向的寬度係存在因為下述理由而在基板W的周方向中變得不均勻之情形。
圖3係用以顯示周緣部去除處理的精度降低之理由的一例之圖。圖3中的(a)係顯示用以吸附保持基板W之基板旋轉機構710的側視圖。在本例子中，構成為於被基板旋轉機構710吸附保持之基板W的表面形成有膜。此外，構成為使用去除噴嘴731作為圖1的周緣部處理機構730，該去除噴嘴731係用以對基板W的周緣部噴出用以去除基板W上的膜之去除液。
如圖3中的(a)所示，有根據基板旋轉機構710的各構成構件的尺寸精度及組裝精度而將旋轉保持部713傾斜地安裝至旋轉軸712之情形。在此情形中，在以基板W的中心WC位於旋轉軸712的軸心上之方式基板W被旋轉保持部713吸附保持的狀態下，基板W係相對於與旋轉軸712的軸心正交之面呈傾斜。
當在此狀態下旋轉基板W時，如圖3中的(b)中的粗箭頭所示，基板W的外周端部WE係以描繪出以基板W的中心WC為基準的圓弧之方式上下地振動。在此情形中，從去除噴嘴731噴出的去除液的行進方向與基板W的周緣部的振動方向係不同。因此，被供給有去除液之基板W的表面上的位置(以下稱為液體供給位置)與基板W的外周端部WE之間的距離係因應旋轉保持部713的旋轉角度而變動。
在圖3中的(b)的例子中，以去除液的行進方向朝向下方且朝向斜外方之方式，於基板W的上方配置有去除噴嘴731。在此情形中，基板W的周緣部愈接近去除噴嘴731，液體供給位置與基板W的外周端部WE之間的距離愈變大。藉此，由於對基板W的半徑方向中之比原本應被供給的區域還廣的區域供給去除液，因此膜被去除之部分區域PA的半徑方向的寬度係變大。另一方面，基板W的周緣部愈遠離去除噴嘴731，液體供給位置與基板W的外周端部WE之間的距離愈變小。藉此，由於對基板W的半徑方向中之比原本應被供給的區域還窄的區域供給去除液，因此膜被去除之部分區域PA的半徑方向的寬度係變小。結果，如圖3中的(c)中以陰影線所示，被處理之基板W的周緣部的全周區域係相對於基板W的中心WC偏心。
在上述例子中，雖然已說明旋轉保持部713傾斜地安裝至旋轉軸712的軸心之情形，但在旋轉軸712彎曲之情形中亦會因為與上述例子相同的理由降低處理精度。
此外，除了上述例子外，在基板W的中心WC已從旋轉軸712的軸心偏離的狀態下基板W被旋轉保持部713吸附保持之情形中，被處理之基板W的周緣部的全周區域亦相對於基板W的中心WC偏心。
此外，在圖3中的(a)、(b)中，為了容易理解說明，誇張地描繪旋轉保持部713已傾斜地安裝至旋轉軸712的軸心之構成。此外，在圖3中的(c)中，誇張地描繪被處理之基板W的周緣部的全周區域。
(4)周緣部處理
為了使周緣部處理的精度提升，在本實施形態的周緣部處理裝置700中係以下述方式執行周緣部處理。
作為周緣部處理的一例，與圖3的例子同樣地，說明對基板W進行周緣部去除處理之情形的例子。圖4係用以說明第一實施形態的周緣部去除處理之圖。於圖4中的(a)、(c)、(e)、(g)係顯示用以吸附保持基板W之基板旋轉機構710的側視圖。於圖4中的(b)、(d)、(f)、(h)係顯示基板W的俯視圖。於圖4中的(b)、(d)、(f)、(h)中，以粗的實線顯示基板W的外緣。在圖4中的(a)至(h)中，為了容易理解基板W的周方向的朝向，對基板W的外周端部WE中的一點附上元件符號pi(亦即基板W的外周端部WE中的一點pi)。此外，在本例子中，構成為在基板W的中心WC位於旋轉軸712上的狀態下基板W被旋轉保持部713吸附保持。
首先，如圖4中的(a)所示，在旋轉保持部713相對於基板W之旋轉方向的角度位置位於任意位置(將該角度位置稱為第一位置)的狀態下，藉由旋轉保持部713吸附保持基板W。此外，一邊使基板W旋轉一邊從去除噴嘴731對基板W的周緣部的部分區域PA噴出去除液，藉此去除周緣部的全周區域的膜。藉此，如圖4中的(b)中以實線11所示，從具有已從基板W的中心WC偏心至一方向(將該一方向稱為第一方向)的內緣之環狀的周緣部去除基板W上的膜。在圖4中的(b)中，以陰影線顯示基板W上的膜已 經被去除之處理完畢的周緣部。
接著，如圖4中的(c)所示，以旋轉保持部713相對於基板W之旋轉方向的角度位置成為與第一位置不同的角度位置(將該角度位置稱為第二位置)之方式，變更旋轉保持部713所為之基板W的保持狀態。具體而言，在圖4中的(a)、(b)所示的處理後，將旋轉保持部713從吸附狀態切換至支撐狀態，使圖1的基板支撐機構740的複數個支撐銷743從下方位置朝上方位置上升。藉此，旋轉保持部713上的基板W係被傳遞至複數個支撐銷743，且該基板W係在比旋轉保持部713還上方的位置被支撐。接著，使旋轉保持部713旋轉變更角度(在本例子中為90°)量後，使複數個支撐銷743從上方位置朝下方位置下降。藉此，複數個支撐銷743上的基板W係被傳遞至旋轉保持部713並載置於旋轉保持部713上。在此狀態下，將旋轉保持部713從支撐狀態切換至吸附狀態。
之後，一邊使基板W旋轉一邊從去除噴嘴731對基板W的周緣部的部分區域PA噴出去除液，藉此去除周緣部的全周區域的膜。藉此，如圖4中的(d)中以一點鍊線12所示，從具有已從基板W的中心WC偏心至與上述第一方向不同的方向(將此另一方向稱為第二方向)的內緣之環狀的周緣部去除基板W上的膜。在圖4中的(d)中，以陰影線顯示藉由旋轉保持部713相對於基板W之旋轉方向的角度位置位於第一位置及第二位置的狀態下的複數個處理使基板W上的膜消失的區域。
接著，如圖4中的(e)所示，以旋轉保持部713相對於基板W之旋轉方向的角度位置變成與第一位置及第二位置不同的角度位置(將該角度位置稱為第三位置)之方式，變更旋轉保持部713所為之基板W的保持狀態。此時的變更動作係與從圖4中的(a)的保持狀態朝圖4中的(b)的保持狀態變更時的動作相同。之後，一邊使基板W旋轉一邊從去除噴嘴731對基板W的周緣部的部分區域PA噴出去除液，藉此去除周緣部的全周區域的膜。藉此，如圖4中的(f)中以二點鍊線13所示，從具有已從基板W的中心WC偏心至與上述第一方向及第二方向不同的方向(將此另一方向稱為第三方向)的內緣之環狀的周緣部去除基板W上的膜。在圖4中的(f)中，以陰影線顯示藉由旋轉保持部713相對於基板W之旋轉方向的角度位置位於第一位置至第三位置的狀態下的複數個處理使基板W上的膜消失的區域。
接著，如圖4中的(g)所示，以旋轉保持部713相對於基板W之旋轉方向的角度位置變成與第一位置至第三位置不同的角度位置(將該角度位置稱為第四位置)之方式，變更旋轉保持部713所為之基板W的保持狀態。此時的變更動作係與從圖4中的(a)的保持狀態朝圖4中的(b)的保持狀態變更時的動作相同。之後，一邊使基板W旋轉一邊從去除噴嘴731對基板W的周緣部的部分區域PA噴出去除液，藉此去除周緣部的全周區域的膜。藉此，如圖4中的(h)中以虛線14所示，從具有已從基板W的中心WC偏心至與 上述第一方向至第三方向不同的方向(將此另一方向稱為第四方向)的內緣之環狀的周緣部去除基板W上的膜。在圖4中的(h)中，以陰影線顯示藉由旋轉保持部713相對於基板W之旋轉方向的角度位置位於第一位置至第四位置的狀態下的複數個處理使基板W上的膜消失的區域。
如上所述，直至旋轉保持部713相對於基板W之旋轉方向的角度位置旋轉360°的量為止，旋轉保持部713所為之基板W的保持狀態係被變更成複數個保持狀態，且在複數個保持狀態的各者中進行基板W的周緣部的全周區域的處理。
此外，在圖4中的(a)、(c)、(e)、(g)中，為了容易理解說明，誇張地描繪已將旋轉保持部713傾斜地安裝至旋轉軸712的軸心之構成。此外，在圖4中的(b)、(d)、(f)、(h)中，誇張地描繪被處理之基板W的周緣部的全周區域。
圖5係用以說明藉由圖4的周緣部去除處理所獲得的功效之圖。在圖5中顯示藉由周緣部去除處理對基板W供給去除液時之液體供給位置的變化。縱軸係表示外周部及其附近的基板W的半徑方向的位置，縱軸係表示基板W的旋轉角度。此外，圖5中的基板W的旋轉角度係用以表示基板W繞著通過基板W的中心WC之軸從任意的角度旋轉多少程度之角度。
在圖5的圖表中，以實線顯示與圖4中的(a)、(b)的處理對應之液體供給位置的變化。將該實線稱為第一曲線。以一點鍊線顯示與圖4中的(c)、(d)的處理對應之液體供給位置的變化。將該一點鍊線稱為第二曲線。以二點鍊線顯示與圖4 中的(e)、(f)的處理對應之液體供給位置的變化。將該二點鍊線稱為第三曲線。以虛線顯示與圖4中的(g)、(h)的處理對應之液體供給位置的變化。將該虛線稱為第四曲線。
在基板W的周緣部中之膜被去除的全周區域的內緣係藉由液體供給位置而設定。當液體供給位置的變化的振幅大時，膜被去除之區域的內緣係從基板W的中心WC大幅地偏心。此外，在此所使用的振幅係指全振幅(兩個振幅)，亦即指峰對峰(peak to peak)值。
如圖5的圖表所示，第一曲線至第四曲線各者的振幅△A係較大。因此，當在旋轉保持部713相對於基板W之旋轉方向位於第一位置至第四位置中的一個角度位置的狀態下去除基板W的周緣部的膜時，被處理之基板W的周緣部的全周區域係相對於基板W的中心WC大幅地偏心至一方向。
相對於此，如圖4的例子中所說明般，在本實施形態中，以旋轉保持部713相對於基板W之旋轉方向的角度位置不同之方式，基板W的保持狀態係變更至複數個保持狀態。在複數個保持狀態的各者中，基板W的周緣部的全周區域係一邊偏心至第一方向至第四方向一邊被處理。藉此，最後會如圖5中粗的實線所示般，未存在膜之周緣部的內緣的位置係成為第一曲線至第四曲線中之接近基板W的中心之位置。圖5的粗的實線的振幅△B係遠小於上述振幅△A。因此，如圖4中的(h)中的陰影線所示，降低處理完畢的周緣部的內緣的偏差。
(5)第一實施形態的功效
在本實施形態的周緣部處理裝置700中，以旋轉保持部713相對於基板W之旋轉方向的角度位置不同之方式，將旋轉保持部713所為之基板W的保持狀態變更成複數個保持狀態。在複數個保持狀態的各者中，藉由旋轉基板W來處理基板W的周緣部的全周區域。在此情形中，與各個保持狀態對應之基板W的周緣部的全周區域係相對於基板W的中心WC偏心至與其他的保持狀態對應的基板W的周緣部的全周區域不同的方向。
依據上述構成，將基板W的保持狀態變更成複數個保持狀態，藉此降低處理完畢的周緣部的內緣的偏差。因此，藉由將旋轉保持部713所為之基板W的保持狀態變更成複數個保持狀態這種簡單的方法，將處理完畢的周緣部的寬度均勻化。
結果，可抑制高成本化及構成的複雜化並容易高精度地進行基板W的周緣部的處理。
(6)第一實施形態的變化例
在上述例子中，雖然在變更角度已設定成90°的狀態下變更基板W的保持狀態，然而變更角度亦可設定成比90°還大的角度(例如120°)。在此情形中，由於減少用以處理基板W的周緣部的全周區域之次數，因此抑制降低基板W的處理的產能(throughput)。或者，變更角度亦可設定成比90°還小的角度(例如45°)。在此情形中，增加用以處理基板W的周緣部的全周區域之次數，藉此更降低處理完畢的周緣部的內緣的偏差。因此，能更高精度地處理基板W的周緣部。
此外，在上述例子中，作為用以變更基板W的保持狀態之條件，雖然於記憶部750A記憶有變更角度，但亦可於記憶部750A記憶有每一片的基板W的保持狀態的變更次數以取代變更角度。在此情形中，在保持狀態的變更次數設定成n(n為2以上的自然數)之情形中，圖2的變更控制部753亦可將變更角度作為(360/n)°予以算出，並依據算出結果控制保持狀態的變更動作。
[2]第二實施形態
說明第二實施形態的周緣部處理裝置與第一實施形態的周緣部處理裝置700的不同點。
(1)周緣部處理裝置的基本構成
圖6係用以顯示第二實施形態的周緣部處理裝置的基本構成之示意性的側視圖及示意性的俯視圖。圖6中的(a)、(b)係分別顯示側視圖以及俯視圖。本實施形態的周緣部處理裝置700除了第一實施形態的周緣部處理裝置700的構成之外還包含有周緣部攝影機構720以及移動機構790。此外，如圖6中的(a)、(b)所示，在該周緣部處理裝置700中，將在水平面內彼此正交的兩個方向定義成x方向及y方向，將鉛直方向定義成z方向。所謂x方向係指箭頭x的方向及其相反方向，所謂y方向係指箭頭y的方向及其相反方向，所謂z方向係指箭頭z的方向及其相反方向。
周緣部攝影機構720係包含有照明部721、反射鏡722以及CCD(Charge Coupled Device；電荷耦合元件)線感測器723。照明部721係配置於被旋轉保持部713吸附保持之基板W的 周緣部的上方。反射鏡722係以與照明部721相對向之方式配置於基板W的上方。於反射鏡722的上方配置有CCD線感測器723。CCD線感測器723係以像素排成一列之方式配置。
從照明部721產生帶狀的光(以下稱為照明光)。照明光係照射至基板W的周緣部。所照射的照明光係在基板W上被反射，並進一步在反射鏡722上被反射，且射入至CCD線感測器723。
藉此，攝影基板W的周緣部及其附近的區域(以下簡稱為周緣部區域)。用以顯示基板W的周緣部區域的影像之影像資料係從CCD線感測器723賦予至周緣部處理控制器750。
移動機構790係包含有線性滑軌(linear guide)791以及移動驅動部792。線性滑軌791係設置成在周緣部處理裝置700的設置面上於x方向平行地延伸。於移動驅動部792上設置有基板支撐機構740。移動驅動部792係例如包含有脈衝馬達(pulse motor)，並構成為可一邊保持基板支撐機構740一邊在線性滑軌791上於x方向移動。
(2)周緣部處理裝置的控制系統
圖7係圖6的周緣部處理裝置700的控制系統的方塊圖。圖7係顯示周緣部處理控制器750的功能性的構成的一部分。如圖7所示，與第一實施形態的周緣部處理控制器750同樣地，周緣部處理控制器750係包含有記憶部750A以及主控制部750B。
於記憶部750A記憶有用以控制基板旋轉機構710、周緣部攝影機構720、周緣部處理機構730、基板支撐機構740以及移動機構790的動作之程式，並記憶有各種資料。於各種資料包含有用以顯示後述之基板W的外周端部WE的位置之資訊以及後述之基板W的中心WC的位置資訊等。此外，於記憶部750A係記憶有周緣部處理的處理條件。
主控制部750B係由CPU所構成，並包含有旋轉控制部751、吸附狀態切換部752、變更控制部753、基板中心算出部754以及周緣部處理控制部759。這些各個構件的功能係藉由主控制部750B執行記憶於記憶部750A的程式而實現。
圖7的旋轉控制部751、吸附狀態切換部752以及周緣部處理控制部759係具有基本上與第一實施形態的圖2的旋轉控制部751、吸附狀態切換部752以及周緣部處理控制部759相同的功能。
基板中心算出部754係控制周緣部攝影機構720，藉此攝影被旋轉保持部713吸附保持之基板W的周緣部區域。此外，基板中心算出部754係依據從周緣部攝影機構720被賦予的影像資料與編碼器714的輸出訊號，針對旋轉保持部713的每個旋轉角度算出基板W的半徑方向中的基板W的外周端部WE的位置，並將用以顯示每個旋轉角度的基板W的外周端部WE的位置之資訊記憶至記憶部750A。再者，基板中心算出部754係依據用以顯示基板W的外周端部WE的位置之資訊算出基板W的中心WC的位置，並將用以顯示所算出的位置之位置資訊記憶至記憶部750A。
本例子的變更控制部753係依據記憶於記憶部750A之基板W的中心WC的位置資訊與編碼器714的輸出訊號，控制基板旋轉機構710的旋轉驅動部711、基板旋轉機構710的旋轉保持部713、基板支撐機構740以及移動機構790。藉此，以基板W的中心WC位於旋轉軸712的軸心上之方式變更旋轉保持部713所為之基板W的保持位置。
(3)周緣部處理
當在基板W的中心WC從旋轉軸712的軸心偏離的狀態下基板W被旋轉保持部713吸附保持時，旋轉保持部713旋轉時基板W係以已偏心的狀態旋轉。藉此，被周緣部處理機構730處理之基板W的周緣部的全周區域係相對於基板W的中心WC偏心，且周緣部處理的精度降低。因此，在本實施形態中，為了使周緣部處理的精度提升，係藉由旋轉保持部713暫時吸附保持搬入至周緣部處理裝置700的基板W後，在對該基板W的周緣部進行處理之前，變更旋轉保持部713所為之基板W的保持位置。
圖8係用以顯示圖6的周緣部處理裝置700的動作之流程圖，圖9係用以更詳細地說明圖8的一部分的步驟S101至步驟S106的動作之具體例之圖。圖9中的(a)至(d)係以俯視圖顯示圖6的基板旋轉機構710的旋轉軸712與旋轉保持部713以及被旋轉保持部713保持的基板W。此外，在圖9中的(a)至(d)中，以×符號顯示旋轉軸712的軸心712c。此外，為了容易理解基板W的周方向的朝向，於基板W的外周端部WE中的一點附上符號pi。以下，參照圖6至圖9說明圖 6的周緣部處理裝置700的動作。在初始狀態中，構成為於處於支撐狀態的旋轉保持部713上載置有已搬入至周緣部處理裝置700的基板W。
首先，周緣部處理控制器750係將旋轉保持部713從支撐狀態切換成吸附狀態。藉此，如圖9中的(a)所示，藉由旋轉保持部713吸附保持基板W的下表面中央部(步驟S101)。此時，基板W的中心WC係從旋轉保持部713的軸心712c偏離。
接著，周緣部處理控制器750係一邊使基板W旋轉一邊攝影基板W的周緣部區域，並算出基板W的外周端部WE的位置(步驟S102)。具體而言，如圖9中的(b)的粗的實線的箭頭所示，周緣部處理控制器750係藉由基板旋轉機構710使基板W旋轉360°，並藉由圖6的周緣部攝影機構720攝影旋轉中之基板W的周緣部區域。在圖9中的(b)中，以一點鍊線顯示藉由旋轉保持部713而旋轉之基板W的軌跡的外緣。依據基板旋轉機構710的編碼器714的輸出訊號以及攝影所獲得的影像資料，對旋轉保持部713的每個預定旋轉角度算出基板W的半徑方向中的外周端部WE的位置。用以顯示每個旋轉角度的基板W的外周端部WE的位置之資訊係記憶至圖7的記憶部750A。
在周緣部處理裝置700中，定義有固有的二次元座標系統，該二次元座標系統係具有分別與前述x方向及y方向平行的軸。在該二次元座標系統中，旋轉軸712的軸心712c的位置(座標)為已知。因此，周緣部處理控制器750係依據軸 心712c的位置(座標)以及用以顯示旋轉保持部713的旋轉角度與遍及基板W的全周之外周端部WE的位置(座標)之資訊，算出被旋轉保持部713保持之基板W的中心WC的位置(座標)(步驟S103)。用以顯示所算出的基板W的中心WC的位置之位置資訊係記憶於圖7的記憶部750A。
能依據基板W的中心WC的位置(座標)與旋轉保持部713的旋轉角度，求出旋轉保持部713旋轉時基板W的中心WC以何種路徑移動。
因此，如圖9中的(c)中的粗的實線的箭頭所示，周緣部處理控制器750係以所算出的基板W的中心WC位於與旋轉軸712的軸心712c交叉的x方向平行的假想直線v1上之方式，藉由基板旋轉機構710使基板W旋轉(步驟S104)。此時的基板W的中心WC的位置(座標)係能依據在步驟S103中所算出的基板W的中心WC的位置與步驟S104中基板W旋轉時的旋轉保持部713的旋轉角度而算出。在步驟S104的動作後，y方向中的基板W的中心WC與旋轉軸712的軸心712c之間的偏離量係成為零。
接著，周緣部處理控制器750係將旋轉保持部713從吸附狀態切換成支撐狀態。藉此，解除旋轉保持部713所為之基板W的吸附保持(步驟S105)。
接著，如圖9中的(d)中以粗的實線的箭頭所示，周緣部處理控制器750係以基板W的中心WC位於旋轉軸712的軸心712c上之方式，藉由圖6的基板支撐機構740以及移動機構790使基板W於x方向移動(步驟S106)。
具體而言，周緣部處理控制器750係使圖6的基板支撐機構740的複數個支撐銷743從下方位置上升至上方位置。藉此，基板W係從旋轉保持部713傳遞至圖6的複數個支撐銷743。在此狀態下，使圖6的移動驅動部792沿著線性滑軌791於x方向移動，直至基板W的中心WC位於旋轉軸712的軸心712c上。之後，使複數個支撐銷743從上方位置下降至下方位置。藉此，基板W係從複數個支撐銷743傳遞至旋轉保持部713。
接著，周緣部處理控制器750係將旋轉保持部713從支撐狀態切換至吸附狀態。藉此，藉由旋轉保持部713將載置於旋轉保持部713上的基板W再次吸附保持(步驟S107)。
之後，周緣部處理控制器750係一邊使基板W旋轉一邊控制圖6的周緣部處理機構730，藉此處理基板W的周緣部的全周區域(步驟S108)。
此外，在圖9中的(a)至(d)中，為了容易理解說明，誇張地描繪載置於旋轉保持部713上之基板W的中心WC與旋轉軸712的軸心712c之間的偏離。
(4)第二實施形態的功效
在本實施形態的周緣部處理裝置700中，算出被旋轉保持部713吸附保持之基板W的中心WC。此外，以所算出的基板W的中心WC位於與旋轉軸712的軸心712c正交並於x方向延伸的假想直線v1上之方式控制基板旋轉機構710。在此情形中，藉由旋轉基板W使基板W的中心WC於假想直線v1上移動。因此，無須另外設置用以使基板W朝與x方 向正交的y方向移動之構成，即可藉由旋轉保持部713的旋轉消除y方向中的基板W中心WC與旋轉軸712的軸心712c之間的偏離。因此，抑制周緣部處理裝置700的高成本化及構成的複雜化。
在算出的基板W的中心WC位於朝x方向延伸的假想直線v1上的狀態下，以所算出的基板W的中心WC位於旋轉軸712的軸心712c上之方式，旋轉保持部713所為之基板W的保持位置係於x方向移動。
之後，在基板W的中心WC位於旋轉軸712的軸心712c上的狀態下，一邊藉由基板旋轉機構710旋轉基板W一邊處理周緣部的全周區域。藉此，抑制被周緣部處理機構730處理之基板W的周緣部的全周區域相對於基板W的中心WC偏心。
這些結果，可抑制高成本化及構成的複雜化並容易高精度地進行基板W的周緣部的處理。
(5)第二實施形態的變化例
在本實施形態中，與第一實施形態同樣地，亦可於圖7的記憶部750A記憶有變更角度作為周緣部處理的處理條件。在此情形中，周緣部處理控制器750亦可在圖8的步驟S108的動作後，依據變更角度，以旋轉保持部713相對於基板W之旋轉方向的角度位置不同之方式將旋轉保持部713所為之基板W的保持狀態變更成複數個保持狀態，並在各個保持狀態下一邊使基板W旋轉一邊處理基板W的周緣部的全周區域。藉此，即使在基板W從與旋轉軸712的軸心712c正交 之面傾斜的狀態下被旋轉保持部713吸附保持之情形中，亦能減少處理完畢的周緣部的內緣的偏差。結果，可容易更高精度地進行基板W的周緣部的處理。
[3]第三實施形態
參照圖式說明第三實施形態的基板處理裝置。本實施形態的基板處理裝置係具備有用以進行周緣部去除處理之周緣部去除單元作為第一實施形態或第二實施形態的周緣部處理裝置700的一例。在周緣部去除單元中，使用用以對基板W的周緣部的周方向的部分區域PA噴出去除液之去除噴嘴作為圖1或圖6的周緣部處理機構730。依據此周緣部去除單元，能容易高精度地去除形成於基板W的表面上的膜中之周緣部的膜。
此外，本實施形態的基板處理裝置係具備有用以對基板W的周緣部的周方向的部分區域PA照射曝光光線之邊緣曝光單元作為第一實施形態或第二實施形態的周緣部處理裝置700的另一例。在邊緣曝光單元中，使用用以對形成於基板W的表面上的感光性膜中之周緣部的感光性膜照射曝光光線之光照射器作為圖1或圖6的周緣部處理機構730。依據該邊緣曝光單元，能容易高精度地將形成於基板W的表面上的感光性膜中之周緣部的感光性膜予以曝光。
(1)基板處理裝置的構成的概略
圖10係具備有周緣部去除單元以及邊緣曝光單元作為圖1或圖6的周緣部處理裝置700之基板處理裝置的示意性的俯視圖。於圖10以及後述之圖11至圖13中，為了明確地 表示位置關係，描繪有用以顯示彼此正交的X方向、Y方向以及Z方向之箭頭。X方向及Y方向係在水平面內彼此正交，Z方向係相當於鉛直方向。
如圖10所示，基板處理裝置100係具備有索引區塊11、第一處理區塊12、第二處理區塊13、洗淨乾燥處理區塊14A以及搬入搬出區塊14B。藉由洗淨乾燥處理區塊14A及搬入搬出區塊14B構成介面區塊14。以與搬入搬出區塊14B鄰接之方式配置有曝光裝置15。在曝光裝置15中，藉由液浸法對基板W進行曝光處理。
索引區塊11係包含有複數個承載器(carrier)載置部111以及搬運部112。於各個承載器載置部111載置有用以多階地收容複數個基板W之承載器113。
於搬運部112設置有主控制器114以及搬運裝置115。主控制器114係控制基板處理裝置100的各種構成要素。搬運裝置115係一邊保持基板W一邊搬運該基板W。
第一處理區塊12係包含有塗布處理部121A、121B、搬運部122以及熱處理部123。塗布處理部121A、121B係設置成於X方向排列且彼此相鄰。此外，塗布處理部121A、121B以及熱處理部123係設定成夾著搬運部122彼此相對向。於搬運部122與索引區塊11之間設置有用以載置基板W之基板載置部PASS1以及後述之基板載置部PASS2至PASS4(參照圖13)。於搬運部122設置有用以搬運基板W之搬運裝置127以及後述之搬運裝置128(參照圖13)。
第二處理區塊13係包含有顯像處理部131、搬運部132 以及熱處理部133。顯像處理部131及熱處理部133係設置成夾著搬運部132相對向。於搬運部132與搬運部122之間設置有用以載置基板W之基板載置部PASS5以及後述之基板載置部PASS6至PASS8(參照圖13)。於搬運部132設置有用以搬運基板W之搬運裝置137以及後述之搬運裝置138(參照圖13)。
洗淨乾燥處理區塊14A係包含有洗淨乾燥處理部161、162以及搬運部163。洗淨乾燥處理部161、162係設置成夾著搬運部163相對向。於搬運部163設置有搬運裝置141、142。
於搬運部163與搬運部132之間設置有載置兼緩衝部P-BF1以及後述之載置兼緩衝部P-BF2(參照圖13)。
此外，在搬運裝置141、142之間以與搬入搬出區塊14B鄰接之方式設置有基板載置部PASS9以及後述之載置兼冷卻部P-CP(參照圖13)。
於搬入搬出區塊14B設置有搬運裝置146。搬運裝置146係對曝光裝置15進行基板W的搬入及搬出。於曝光裝置15設置有用以搬入基板W之基板搬入部15a以及用以搬出基板W之基板搬出部15b。
(2)塗布處理部及塗布顯像處理部的構成
圖11係主要顯示圖10的塗布處理部121A、121B、顯像處理部131以及洗淨乾燥處理部161之基板處理裝置100的示意性的側視圖。
如圖11所示，於塗布處理部121A階層式地設置有周緣 部去除室21、23以及塗布處理室22、24。於塗布處理部121B階層式地設置有周緣部去除室25、27以及塗布處理室26、28。於周緣部去除室21、23、25、27各者設置有周緣部去除單元RU作為第一實施形態或第二實施形態的周緣部處理裝置700的一例。於塗布處理室22、24、26、28各者設置有塗布處理單元(旋轉塗布機(spin coater))CU。於顯像處理部131階層式地設置有顯像處理室31、32、33、34。於顯像處理室31、32、33、34各者設置有顯像處理單元(旋轉顯像機(spin developer))139。
各個塗布處理單元CU係具備有用以保持基板W並使基板W旋轉之基板旋轉機構29a以及用以覆蓋基板旋轉機構29a的周圍之外罩(cup)cp。基板旋轉機構29a係具有與上述基板旋轉機構710相同的構成。此外，各個塗布處理單元CU係具備有處理液噴嘴29b。在塗布處理單元CU中，從處理液噴嘴29b對藉由基板旋轉機構29a旋轉中的基板W噴出處理液。藉此，處理液被塗布至基板W上，並於基板W的表面形成有處理液的膜。
周緣部去除室21、23、25、27的周緣部去除單元RU係分別與塗布處理室22、24、26、28對應。各個周緣部去除單元RU係具有圖1或圖6的構成，並具備有以覆蓋基板旋轉機構710的周圍之方式所設置的外罩cp以及去除噴嘴731作為圖1或圖6的周緣部處理機構730。在圖10及圖11中，僅顯示周緣部去除單元RU中的部分的構成，並省略基板支撐機構740等的圖示。在周緣部去除單元RU中，藉由基板 旋轉機構710旋轉已藉由所對應的塗布處理單元CU形成有處理液的膜之基板W。從去除噴嘴731對旋轉中的基板W的周緣部噴出去除液(在本例子中為清洗液)。藉此，去除形成於基板W的周緣部的處理液的膜(周緣部去除處理)。
在塗布處理室22、24的塗布處理單元CU中，從處理液噴嘴29b對基板W供給反射防止膜用的處理液。在塗布處理室26、28的塗布處理單元CU中，從處理液噴嘴29b對基板W供給有屬於感光性膜的阻劑膜用的處理液。
在此，設置於塗布處理部121A、121B之複數個周緣部去除單元RU的周緣部處理控制器750亦可作為局部控制器(local controller)設置於塗布處理部121A、121B的上部。或者，圖10的主控制器114亦可執行藉由複數個周緣部去除單元RU的周緣部處理控制器750所執行的各種處理。
各種顯像處理單元139係具備有三個基板旋轉機構35以及分別與三個基板旋轉機構35對應之三個外罩37。此外，如圖10所示，顯像處理單元139係具備有用以噴出顯像液之兩個顯像噴嘴38以及用以使該顯像噴嘴38於X方向移動之移動機構39。
在顯像處理單元139中，藉由各個基板旋轉機構35旋轉基板W，且一方的顯像噴嘴38一邊於X方向移動一邊對各個基板W供給顯像液後，另一方的顯像噴嘴38一邊移動一邊對各個基板W供給顯像液。在此情形中，藉由對基板W供給顯像液來進行基板W的顯像處理。此外，在本實施形態中，從兩個顯像噴嘴38噴出彼此不同的顯像液。藉此，能對 各個基板W供給兩種類的顯像液。
於洗淨乾燥處理部161階層式地設置有洗淨乾燥處理室81、82、83、84。於洗淨乾燥處理室81至84各者設置有洗淨乾燥處理單元SD1。在洗淨乾燥處理單元SD1中，進行曝光處理前的基板W的洗淨及乾燥處理。
如圖10及圖11所示，在塗布處理部121B中以與顯像處理部131鄰接之方式設置有流體箱部50。同樣地，在顯像處理部131中以與洗淨乾燥處理區塊14A鄰接之方式設置有流體箱部60。於流體箱部50及流體箱部60內收容有流體關連機器，該流體關連機器係用以對周緣部去除單元RU、塗布處理單元CU以及顯像處理單元139供給去除液、處理液以及顯像液，並用以進行來自周緣部去除單元RU、塗布處理單元CU以及顯像處理單元139的排液以及排氣等。流體關連機器係包含有導管、接頭、閥、流量計、調節器(regulator)、泵(pump)以及溫度調節器等。
(3)熱處理部的構成
圖12係主要用以顯示圖10的熱處理部123、133以及洗淨乾燥處理部162之基板處理裝置100的示意性的側視圖。如圖12所示，熱處理部123係具備有設置於上方之上段熱處理部301以及設置於下方之下段熱處理部302。於上段熱處理部301及下段熱處理部302設置有複數個熱處理裝置PHP、複數個密著強化處理單元PAHP以及複數個冷卻單元CP。
在熱處理裝置PHP中，進行基板W的加熱處理。在密著強化處理單元PAHP中，進行用以使基板W與反射防止膜 之間的密著性提升之密著強化處理。具體而言，在密著強化處理單元PAHP中，對基板W塗布HMDS(hexamethyldisilazane；六甲基二矽氮烷)等密著性強化劑，並對基板W進行加熱處理。在冷卻單元CP中，進行基板W的冷卻處理。
熱處理部133係具備有設置於上方之上段熱處理部303以及設置於下方之下段熱處理部304。於上段熱處理部303及下段熱處理部304各者設置有冷卻單元CP、複數個熱處理裝置PHP以及作為第一實施形態或第二實施形態的周緣部處理裝置700的一例之邊緣曝光單元EEW。
邊緣曝光單元EEW係具有圖1或圖6的構成，並具備有光射出器732作為圖1或圖6的周緣部處理機構730。在圖12中，僅顯示邊緣曝光單元EEW中的部分的構成，並省略基板支撐機構740等的圖示。在邊緣曝光單元EEW中，藉由基板旋轉機構710旋轉已於表面形成有阻劑膜的基板W。從光射出器732對旋轉中的基板W的周緣部照射曝光光線(邊緣曝光處理)。
在上段熱處理部303及下段熱處理部304中，以與洗淨乾燥處理區塊14A彼此鄰接之方式所設置的熱處理裝置PHP係構成為可從洗淨乾燥處理區塊14A搬入基板W。
於洗淨乾燥處理部162階層式地設置有洗淨乾燥處理室91、92、93、94、95。於洗淨乾燥處理室91至95各者設置有洗淨乾燥處理單元SD2。洗淨乾燥處理單元SD2係具有與洗淨乾燥處理單元SD1相同的構成。在洗淨乾燥處理單元SD2中，進行曝光處理後的基板W的洗淨及乾燥處理。
(4)搬運部的構成
圖13係主要用以顯示圖10的搬運部122、132、163之側視圖。如圖13所示，搬運部122係具有上段搬運室125以及下段搬運室126。搬運部132係具有上段搬運室135以及下段搬運室136。於上段搬運室125設置有搬運裝置(搬運機器人)127，於下段搬運室126設置有搬運裝置128。此外，於上段搬運室135設置有搬運裝置137，於下段搬運室136設置有搬運裝置138。
於搬運部112與上段搬運室125之間設置有基板載置部PASS1、PASS2，於搬運部112與下段搬運室126之間設置有基板載置部PASS3、PASS4。於上段搬運室125與上段搬運室135之間設置有基板載置部PASS5、PASS6，於下段搬運室126與下段搬運室136之間設置有基板載置部PASS7、PASS8。
上段搬運室135與搬運部163之間設置有載置兼緩衝部P-BF1，於下段搬運室136與搬運部163之間設置有載置兼緩衝部P-BF2。在搬運部163中，以與搬入搬出區塊14B鄰接之方式設置有基板載置部PASS9以及複數個載置兼冷卻部P-CP。
搬運裝置127係構成為可在基板載置部PASS1、PASS2、PASS5、PASS6、周緣部去除室21、25(圖11)、塗布處理室22、26(圖11)以及上段熱處理部301(圖12)之間搬運基板W。搬運裝置128係構成為可在基板載置部PASS3、PASS4、PASS7、PASS8、周緣部去除室23、27(圖11)、塗布處理室24、28(圖 11)以及下段熱處理部302(圖12)之間搬運基板W。
搬運裝置137係構成為可在基板載置部PASS5、PASS6、載置兼緩衝部P-BF1、顯像處理室31、32(圖11)以及上段處熱理部303(圖12)之間搬運基板W。搬運裝置138係構成為可在基板載置部PASS7、PASS8、載置兼緩衝部P-BF2、顯像處理室33、34(圖11)以及下段熱處理部304(圖12)之間搬運基板W。
搬運部163的搬運裝置141(圖10)係構成為可在載置兼冷卻部P-CP、基板載置部PASS9、載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2以及洗淨乾燥處理部161(圖11)之間搬運基板W。
搬運部163的搬運裝置142(圖10)係構成為可在載置兼冷卻部P-CP、基板載置部PASS9、載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2、洗淨乾燥處理部162(圖12)、上段熱處理部303(圖12)以及下段熱處理部304(圖12)之間搬運基板W。
(5)基板處理裝置的動作
參照圖10至圖13說明基板處理裝置100的動作。此外，在本實施形態的基板處理裝置100中，在基板W的表面朝向上方的狀態下對基板W進行各種處理。
於索引區塊11的承載器載置部111(圖10)載置有收容了未處理的基板W之承載器113。搬運裝置115係從承載器113將未處理的基板W搬運至基板載置部PASS1、PASS3(圖13)。此外，搬運裝置115係將載置於基板載置部PASS2、PASS4(圖13)之處理完畢的基板W搬運至承載器113。
在第一處理區塊12中，搬運裝置127(圖13)係將載置於 基板載置部PASS1的基板W依序搬運至密著強化處理單元PAHP(圖12)、冷卻單元CP(圖12)以及塗布處理室22(圖11)。接著，搬運裝置127係將藉由塗布處理室22形成有反射防止膜的基板W依序搬運至周緣部去除室21(圖11)、熱處理裝置PHP(圖12)、冷卻單元CP(圖12)以及塗布處理室26(圖11)。接著，搬運裝置127係將藉由塗布處理室26形成有阻劑膜的基板W依序搬運至周緣部去除室25(圖11)、熱處理裝置PHP(圖12)以及基板載置部PASS5(圖13)。
在此情形中，在密著強化處理單元PAHP中對基板W進行密著強化處理後，在冷卻單元CP中將基板W冷卻至適合形成反射防止膜的溫度。接著，在塗布處理室22中，藉由塗布處理單元CU(圖11)於基板W上形成有反射防止膜。之後，在周緣部去除室21中，藉由周緣部去除單元RU的周緣部去除處理去除基板W的周緣部上的反射防止膜。接著，在熱處理裝置PHP中進行基板W的熱處理後，在冷卻單元CP中將基板W冷卻至適合形成阻劑膜的溫度。接著，在塗布處理室26中，藉由塗布處理單元CU(圖11)於基板W上形成有阻劑膜。之後，在周緣部去除室25中，藉由周緣部去除單元RU的周緣部去除處理去除基板W的周緣部上的阻劑膜。接著，在熱處理裝置PHP中，進行基板W的熱處理，並將該基板W載置於基板載置部PASS5。
此外，搬運裝置127係將載置於基板載置部PASS6(圖13)之顯像處理後的基板W搬運至基板載置部PASS2(圖13)。
搬運裝置128(圖13)係將載置於基板載置部PASS3的基 板W依序搬運至密著強化處理單元PAHP(圖12)、冷卻單元CP(圖12)以及塗布處理室24(圖11)。接著，搬運裝置128係將藉由塗布處理室24形成有反射防止膜之基板W依序搬運至周緣部去除室23(圖11)、熱處理裝置PHP(圖12)、冷卻單元CP(圖12)以及塗布處理室28(圖11)。接著，搬運裝置128係將藉由塗布處理室28形成有阻劑膜之基板W依序搬運至周緣部去除室27(圖11)、熱處理裝置PHP(圖12)以及基板載置部PASS7(圖13)。
此外，搬運裝置128(圖13)係將載置於基板載置部PASS8(圖13)之顯像處理後的基板W搬運至基板載置部PASS4(圖13)。塗布處理室24、28(圖11)、周緣部去除室23、27(圖11)以及下段熱處理部302(圖12)中的基板W的處理內容係與上述塗布處理室22、26(圖11)、周緣部去除室21、25(圖11)以及上段熱處理部301(圖12)中的基板W的處理內容同樣。
在第二處理區塊13中，搬運裝置137(圖13)係將載置於基板載置部PASS5之阻劑膜形成後的基板W依序搬運至邊緣曝光單元EEW(圖12)以及載置兼緩衝部P-BF1(圖13)。在此情形中，在邊緣曝光單元EEW中，對基板W進行邊緣曝光處理。邊緣曝光處理後的基板W係載置於載置兼緩衝部P-BF1。
此外，搬運裝置137(圖13)係從與洗淨乾燥處理區塊14A鄰接的熱處理裝置PHP(圖12)取出經過曝光裝置15進行曝光處理後且熱處理後的基板W。搬運裝置137係將該基板W依 序搬運至冷卻單元CP(圖12)、顯像處理室31、32(圖11)的任一者、熱處理裝置PHP(圖12)以及基板載置部PASS6(圖13)。
在此情形中，在冷卻單元CP中將基板W冷卻至適合顯像處理的溫度後，在顯像處理室31、32的任一者中藉由顯像處理單元139進行基板W的顯像處理。之後，在熱處理裝置PHP中進行基板W的熱處理，並將該基板W載置於基板載置部PASS6。
搬運裝置138(圖13)係將載置於基板載置部PASS7之阻劑膜形成後的基板W依序搬運至邊緣曝光單元EEW(圖12)以及載置兼緩衝部P-BF2(圖13)。
此外，搬運裝置138(圖13)係從與洗淨乾燥處理區塊14A鄰接的熱處理裝置PHP(圖12)取出經過曝光裝置15進行曝光處理後且熱處理後的基板W。搬運裝置138係將該基板W依序搬運至冷卻單元CP(圖12)、顯像處理室33、34(圖11)中的任一者、熱處理裝置PHP(圖12)以及基板載置部PASS8(圖13)。顯像處理室33、34以及下段熱處理部304中的基板W的處理內容係與上述顯像處理室31、32以及上段熱處理部303(圖12)中的基板W的處理內容同樣。
在洗淨乾燥處理區塊14A中，搬運裝置141(圖10)係將載置於載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2(圖13)的基板W搬運至洗淨乾燥處理部161的洗淨乾燥處理單元SD1(圖11)。接著，搬運裝置141係從洗淨乾燥處理單元SD1將基板W搬運至載置兼冷卻部P-CP(圖13)。在此情形中，在洗淨乾燥處理單元SD1中進行基板W的洗淨及乾燥處理後，在載置兼冷卻部 P-CP中將基板W冷卻至適合曝光裝置15(圖10)中的曝光處理的溫度。
搬運裝置142(圖10)係將載置於基板載置部PASS9(圖13)之曝光處理後的基板W搬運至洗淨乾燥處理部162的洗淨乾燥處理單元SD2(圖12)。此外，搬運裝置142係將洗淨及乾燥處理後的基板W從洗淨乾燥處理單元SD2搬運至上段熱處理部303的熱處理裝置PHP(圖12)或下段熱處理部304的熱處理裝置PHP(圖12)。在該熱處理裝置PHP中，進行曝光後烘烤(PEB；Post Exposure Bake)處理。
在搬入搬出區塊14B中，搬運裝置146(圖10)係將載置於載置兼冷卻部P-CP(圖13)之曝光處理前的基板W搬運至曝光裝置15的基板搬入部15a(圖10)。此外，搬運裝置146(圖10)係從曝光裝置15的基板搬出部15b(圖10)取出曝光處理後的基板W，並將該基板W搬運至基板載置部PASS9(圖13)。
此外，在曝光裝置15無法接受基板W之情形中，曝光處理前的基板W係被暫時地收容至載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2。此外，在第二處理區塊13的顯像處理單元139(圖11)無法接受曝光處理後的基板W之情形中，曝光處理後的基板W係被暫時性地收容於載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2。
在上述基板處理裝置100中，能並行地進行設置於上段之周緣部去除室21、25、塗布處理室22、26、顯像處理室31、32及上段熱處理部301、303中的基板W的處理、以及設置於下段之周緣部去除室23、27、塗布處理室24、28、顯像處理室33、34及下段熱處理部302、304中之基板W的處 理。藉此，無須增加底面積(footprint)且能提升產能。
(6)第三實施形態的功效
在本實施形態的基板處理裝置100中，於基板W的表面形成有反射防止膜後，藉由周緣部去除室21、23的周緣部去除單元RU去除形成於基板的表面上的反射防止膜中之周緣部的反射防止膜。
藉此，抑制反射防止膜形成後的基板W的搬運時或保管時反射防止膜從基板的周緣部剝離導致產生基板W的處理不良。
此外，於基板W的表面形成有阻劑膜後，藉由周緣部去除室25、27的周緣部去除單元RU去除形成於基板W的表面上的阻劑膜中之周緣部的阻劑膜。藉此，抑制阻劑膜形成後的基板W的搬運時或保管時阻劑膜從基板的周緣部剝離導致產生基板W的處理不良。
再者，在上述基板處理裝置100中，於基板W的表面形成有阻劑膜後，藉由邊緣曝光單元EEW曝光形成於基板W的表面上之阻劑膜中的周緣部的阻劑膜。之後，藉由曝光裝置15曝光基板W，並使曝光後的基板W顯像。在此情形中，於顯像處理後的基板W的表面的周緣部不存在阻劑膜。因此，抑制顯像處理後的基板W的搬運時或保管時阻劑膜從基板W的周緣部剝離導致產生基板W的處理不良。
此外，藉由上述周緣部去除單元RU及邊緣曝光單元EEW抑制基板處理裝置100的高成本化及構成的複雜化。
[4]其他實施形態
(1)在第一實施形態中，雖然在基板W被基板支撐機構740的複數個支撐銷743支撐的狀態下旋轉保持部713旋轉，藉此變更旋轉保持部713所為之基板W的保持狀態，但本發明並未限定於此。亦可在基板W被基板支撐機構740的複數個支撐銷743支撐的狀態下使複數個支撐銷743繞著旋轉軸712旋轉，以取代在基板W被基板支撐機構740的複數個支撐銷743支撐的狀態下使旋轉保持部713旋轉。在此情形中，基板W相對於旋轉保持部713旋轉，藉此變更旋轉保持部713相對於基板W之旋轉保持部713的旋轉方向的角度位置。
(2)在第二實施形態中，雖然在基板W被基板支撐機構740的複數個支撐銷743支撐的狀態下移動機構790於x方向移動，藉此移動旋轉保持部713所為之基板W的保持位置，但本發明並未限定於此。亦可將載置於處於支撐狀態的旋轉保持部713上之基板W的外周端部WE的一部分朝x方向賦予動能，藉此使旋轉保持部713所為之基板W的保持位置移動，以取代在基板W被基板支撐機構740的複數個支撐銷743支撐的狀態下移動機構790於x方向移動。在此情形中，變成無須基板支撐機構740，從而減少構件數量。
(3)在第二實施形態的周緣部處理裝置700中，移動機構790亦可取代基板支撐機構740以可於x方向移動之方式支撐基板旋轉機構710。在此情形中，在基板W被基板支撐機構740的複數個支撐銷743支撐的狀態下移動機構790係使基板旋轉機構710於x方向移動，藉此使旋轉保持部713所 為之基板W的保持位置移動。
(4)在上述實施形態中，作為周緣部處理的一例，雖然已說明於表面上形成有阻劑膜之基板W的周緣部去除處理以及於表面上形成有反射防止膜之基板W的周緣部去除處理，但是可藉由周緣部去除處理所去除的膜並未限定於上述例子。
作為可藉由周緣部去除處理去除的膜，除了上述阻劑膜及反射防止膜之外，還有藉由SOG(Spin On Glass；旋塗玻璃)形成於基板W的表面上之薄膜、藉由SOC(Spin On Carbon；旋塗碳)形成於基板W的表面上之薄膜、含有金屬之塗布膜及密著膜等。
(5)在上述實施形態中，作為周緣部處理的一例，雖然已說明周緣部去除處理以及邊緣曝光處理，但周緣部處理並未限定於上述例子。在周緣部處理裝置700中，作為周緣部處理，亦可進行用以於基板W的周緣部形成塗布液的膜之周緣部塗布處理。例如，有因為基板W的周緣部的表面粗糙使異物變得容易附著至基板W的周緣部之情形。在此種情形中，於基板W的周緣部形成塗布液的膜，藉此被覆基板W的周緣部。藉此，能防止異物附著至基板W的周緣部。或者，在周緣部處理裝置700中，作為周緣部處理，亦可進行用以研磨基板W的周緣部之周緣部研磨處理。
(6)在第三實施形態的基板處理裝置100中，雖然設置有用以藉由液浸法進行基板W的曝光處理之曝光裝置15作為基板處理裝置100的外部裝置，但本發明並未限定於此。亦 可設置有用以不使用液體地進行基板W的曝光處理之曝光裝置作為基板處理裝置100的外部裝置。
(7)雖然第三實施形態的基板處理裝置100為用以對基板W進行阻劑膜的塗布形成處理以及顯像處理之基板處理裝置(所謂塗布機(coater)/顯像機(developer))，但設置有周緣部處理裝置700之基板處理裝置並未限定於上述例子。本發明亦可應用於用以對基板W進行單一的處理之基板處理裝置。例如，本發明的實施形態之一的基板處理裝置亦可由包含有搬運裝置及基板載置部等之索引區塊以及一個或複數個周緣部處理裝置700所構成。
[5]請求項的各構成要素與實施形態的各要素之間的對應關係
以下雖然說明請求項的各構成要素與實施形態的各要素之間的對應的例子，但本發明並未限定於下述例子。
在上述實施形態中，基板W為基板的例子，基板W的表面為基板的一面的例子，周緣部處理裝置700、周緣部去除單元RU以及邊緣曝光單元EEW為周緣部處理裝置的例子，旋轉軸712的軸心為旋轉軸的例子，旋轉保持部713為旋轉保持部的例子，基板旋轉機構710的旋轉驅動部711以及基板支撐機構740為保持狀態變更部的例子，基板W的周緣部的周方向的局部區域PA為基板的周緣部的周方向的局部區域的例子，周緣部處理機構730為周緣部處理部的例子。
此外，周緣部處理控制器750為控制部、第一控制部、第二控制部以及第三控制部的例子，周緣部攝影機構720以 及周緣部處理控制器750的基板中心算出部754為基板中心算出部的例子，基板支撐機構740以及移動機構790為保持位置移動部的例子，反射防止膜以及阻劑膜為膜的例子，阻劑膜為感光性膜的例子，曝光裝置15為曝光裝置的例子，基板處理裝置100為基板處理裝置的例子，塗布處理單元CU為膜形成裝置的例子，顯像處理單元139為顯像處理裝置的例子，搬運裝置115、127、128、137、138、141、142、146為搬運裝置的例子。
作為請求項的各構成要素，亦可使用具有請求項所記載的構成或功能之其他各種要素。
(產業可利用性)
本發明係能有效地利用於基板的周緣部處理。

Claims (9)

  1. 一種周緣部處理裝置，係用以對至少一部分具有圓形的外周部之基板的一面中之沿著前述外周部之環狀的周緣部進行處理，該周緣部處理裝置係具備有：旋轉保持部，係保持基板並使基板繞著於上下方向延伸的旋轉軸旋轉；保持狀態變更部，係以前述旋轉保持部相對於基板之旋轉方向的角度位置不同之方式，將前述旋轉保持部所為之基板的保持狀態變更成複數個保持狀態；周緣部處理部，係對藉由前述旋轉保持部而旋轉的基板的前述周緣部的周方向的部分區域進行前述處理；以及控制部，在前述複數個保持狀態的各者中一邊藉由前述旋轉保持部使基板旋轉，一邊藉由前述周緣部處理部處理前述周緣部的全周區域。
  2. 一種周緣部處理裝置，係用以對至少一部分具有圓形的外周部之基板的一面中之沿著前述外周部之環狀的周緣部進行處理，該周緣部處理裝置係具備有：旋轉保持部，係保持基板並使基板繞著於上下方向延伸的旋轉軸旋轉；基板中心算出部，係算出被前述旋轉保持部保持的基板的中心；保持位置移動部，係使前述旋轉保持部所為之基板的保持位置於與前述旋轉軸正交的一方向移動； 周緣部處理部，係對藉由前述旋轉保持部而旋轉的基板的前述周緣部的周方向的部分區域進行前述處理；第一控制部，以前述基板中心算出部所算出的基板的中心位於與前述旋轉軸交叉的前述一方向的直線上之方式控制前述旋轉保持部；第二控制部，係在前述算出的基板的中心位於前述直線上的狀態下，以藉由使前述旋轉保持部所為之基板的保持位置於前述一方向移動而使前述算出的基板的中心位於前述旋轉軸上之方式控制前述保持位置移動部；以及第三控制部，係在前述算出的基板的中心位於前述旋轉軸上的狀態下，一邊藉由前述旋轉保持部使基板旋轉一邊藉由前述周緣部處理部處理前述周緣部的全周區域。
  3. 如請求項2所記載之周緣部處理裝置，其中進一步具備有：保持狀態變更部，係以前述旋轉保持部相對於基板之旋轉方向的角度位置不同之方式，將前述旋轉保持部所為之基板的保持狀態變更成複數個保持狀態；第三控制部係在前述算出的基板的中心位於前述旋轉軸上的狀態下，藉由前述保持狀態變更部使基板的保持狀態變更成複數個保持狀態，並在前述複數個保持狀態的各者中一邊藉由前述旋轉保持部使基板旋 轉一邊藉由前述周緣部處理部處理前述周緣部的全周區域。
  4. 如請求項1至3中任一項所記載之周緣部處理裝置，其中於基板的前述一面形成有膜；前述周緣部處理部係去除形成於基板的前述周緣部的周方向的部分區域的膜而作為前述處理。
  5. 如請求項1至3中任一項所記載之周緣部處理裝置，其中於基板的前述一面形成有感光性膜；前述周緣部處理部係將形成於基板的前述周緣部的周方向的部分區域之感光性膜予以曝光而作為前述處理。
  6. 一種基板處理裝置，係配置成與曝光裝置鄰接；前述基板處理裝置係具備有：膜形成裝置，係於基板的一面形成感光性膜；請求項1至3中任一項所記載之周緣部處理裝置；顯像處理裝置，係對經過前述曝光裝置曝光後的基板進行前述感光性膜的顯像處理；以及搬運裝置，係在前述膜形成裝置、前述周緣部處理裝置、前述顯像處理裝置以及前述曝光裝置之間搬運基板；前述周緣部處理裝置係將藉由前述塗布裝置形成有感光性膜後且藉由前述曝光裝置進行曝光之前的 基板的前述周緣部的感光性膜予以去除或曝光而作為前述處理。
  7. 一種周緣部處理方法，係用以對至少一部分具有圓形的外周部之基板的一面中之沿著前述外周部之環狀的周緣部進行處理；前述周緣部處理方法係具備有：使用可保持基板並使基板繞著於上下方向延伸的旋轉軸旋轉之旋轉保持部保持基板之步驟；以前述旋轉保持部相對於基板之旋轉方向的角度位置不同之方式，將前述旋轉保持部所為之基板的保持狀態變更成複數個保持狀態之步驟；以及在前述複數個保持狀態的各者中一邊藉由前述旋轉保持部使基板旋轉一邊對旋轉中的基板的前述周緣部的周方向的部分區域進行前述處理，藉此處理前述周緣部的全周區域之步驟。
  8. 一種周緣部處理方法，係用以對至少一部分具有圓形的外周部之基板的一面中之沿著前述外周部之環狀的周緣部進行處理；前述周緣部處理方法係具備有：使用可保持基板並使基板繞著於上下方向延伸的旋轉軸旋轉之旋轉保持部保持基板之步驟；算出被前述旋轉保持部保持的基板的中心之步驟； 以前述基板中心算出部所算出的基板的中心位於與前述旋轉軸正交並於一方向延伸的直線上之方式控制前述旋轉保持部之步驟；在前述算出的基板的中心位於前述直線上的狀態下，以使前述算出的基板的中心位於前述旋轉軸上之方式使前述旋轉保持部所為之基板的保持位置於前述一方向移動之步驟；以及在前述算出的基板的中心位於前述旋轉軸上的狀態下，一邊藉由前述旋轉保持部使基板旋轉一邊對旋轉中的基板的前述周緣部的周方向的部分區域進行前述處理，藉此處理前述周緣部的全周區域之步驟。
  9. 如請求項8所記載之周緣部處理方法，其中進一步包含有：以前述旋轉保持部相對於基板之旋轉方向的角度位置不同之方式，將前述旋轉保持部所為之基板的保持狀態變更成複數個保持狀態之步驟；進行前述處理之步驟係包含有下述步驟：在前述算出的基板的中心位於前述旋轉軸上的狀態下，在前述複數個保持狀態的各者中一邊藉由前述旋轉保持部使基板旋轉一邊對旋轉中的基板的前述周緣部的周方向的部分區域進行前述處理，藉此處理前述周緣部的全周區域之步驟。
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