WO2018055817A1

WO2018055817A1 - 周縁部処理装置、基板処理装置および周縁部処理方法

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Publication number: WO2018055817A1
Application number: PCT/JP2017/013872
Authority: WO
Inventors: 真人柏山; 清水　英樹; 丈二 ▲桑▼原
Original assignee: 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス
Priority date: 2016-09-21
Filing date: 2017-04-03
Publication date: 2018-03-29
Also published as: JP2018047419A; TWI654034B; TW201822896A

Abstract

周縁部処理装置は、基板を吸着保持するとともに回転させる回転保持部と、基板を回転保持部から受け取って回転保持部の上方の位置で支持可能に構成された基板支持機構と、回転保持部により回転される基板の周縁部の周方向の一部領域に処理を行う周縁部処理機構とを備える。基板支持機構により基板が支持された状態で回転保持部が一定角度回転されることにより、基板に対する回転保持部の回転方向の角度位置が異なるように、回転保持部による基板の保持状態が複数の保持状態に変更される。各保持状態で基板が回転されつつ周縁部処理機構により基板の周縁部の全周領域が処理される。

Description

周縁部処理装置、基板処理装置および周縁部処理方法

　本発明は、基板の一面の周縁部を処理する周縁部処理装置、基板処理装置および周縁部処理方法に関する。

　基板処理装置においては、スピンチャックにより水平に支持された基板が回転される。この状態で、基板の表面の略中央部にノズルから処理液が吐出されることにより、基板の表面全体に処理液が供給される。その後、所定の熱処理が行われることにより、基板の表面に処理液からなる薄膜が形成される。ここで、基板の周縁部に薄膜が形成されると、基板を搬送する搬送装置が基板の周縁部を把持した際に、膜が剥離してパーティクルとなる。そこで、基板の表面全体への処理液の供給後に基板の周縁部の処理液を除去する処理が行われる（例えば、特許文献１参照）。

　特許文献１の塗布膜除去装置においては、スピンチャックに保持された基板の周縁部の位置が検出機構により検出される。この状態で、スピンチャックが３６０°回転することにより、スピンチャックの回転位相とそれに対応する基板の周縁部の位置とが取得される。回転する基板の周縁部にリンス液吐出ノズルからリンス液が吐出されることにより、基板の周縁部のレジスト液が除去される。リンス液の吐出時には、スピンチャックの回転に伴う基板の周縁部の位置変動分が補償されるように、スピンチャックの位置がアライメント機構により調整される。この場合、アライメント機構が動作することによりスピンチャックが一方向およびその逆方向に往復動され、スピンチャックが基板の回転とともに位置決めされる。
特開２００１－１１０７１２号公報

　しかしながら、基板の周縁部の位置変動分が補償されるようにスピンチャックを正確に位置決めするためには、高価なアライメント機構を用いる必要があるとともに、塗布膜除去装置の構成が複雑化する。さらに、基板の回転速度によっては、基板の周縁部の位置変動に追従するようにスピンチャックを位置決めすることは実際には難しい。

　本発明の目的は、高コスト化および構成の複雑化を抑制しつつ基板の周縁部の処理を高い精度で容易に行うことが可能な周縁部処理装置、基板処理装置および周縁部処理方法を提供することである。

　（１）本発明の一局面に従う周縁部処理装置は、少なくとも一部が円形の外周部を有する基板の一面における外周部に沿った環状の周縁部に処理を行う周縁部処理装置であって、基板を保持するとともに上下方向に延びる回転軸の周りで回転させる回転保持部と、基板に対する回転保持部の回転方向の角度位置が異なるように、回転保持部による基板の保持状態を複数の保持状態に変更する保持状態変更部と、回転保持部により回転される基板の周縁部の周方向の一部領域に処理を行う周縁部処理部と、複数の保持状態の各々において回転保持部により基板を回転させつつ周縁部処理部により周縁部の全周領域を処理させる制御部とを備える。

　基板が回転軸に直交する面に対して傾斜している場合および基板の中心が回転軸からずれている場合には、周縁部処理部により処理される一部領域の半径方向の幅が回転保持部による基板の回転とともに変化する。それにより、処理される基板の周縁部の全周領域は、基板の中心に関して偏心する。

　上記の周縁部処理装置においては、基板に対する回転保持部の回転方向の角度位置が異なるように、回転保持部による基板の保持状態が複数の保持状態に変更される。複数の保持状態の各々で、基板が回転されることにより基板の周縁部の全周領域が処理される。この場合、各保持状態に対応する基板の周縁部の全周領域は、基板の中心に関して他の保持状態に対応する基板の周縁部の全周領域とは異なる方向に偏心する。

　上記の構成によれば、基板の保持状態が複数の保持状態に変更されることにより、処理済みの周縁部の内縁のばらつきが低減される。したがって、回転保持部による基板の保持状態を複数の保持状態に変更する簡単な方法により、処理済みの周縁部の幅が均一化される。

　その結果、高コスト化および構成の複雑化を抑制しつつ基板の周縁部の処理を高い精度で容易に行うことが可能となる。

　（２）本発明の他の局面に従う周縁部処理装置は、少なくとも一部が円形の外周部を有する基板の一面における外周部に沿った環状の周縁部に処理を行う周縁部処理装置であって、基板を保持するとともに上下方向に延びる回転軸の周りで回転させる回転保持部と、回転保持部により保持される基板の中心を算出する基板中心算出部と、回転保持部による基板の保持位置を回転軸に直交する一方向に移動させる保持位置移動部と、回転保持部により回転される基板の周縁部の周方向の一部領域に処理を行う周縁部処理部と、回転軸と交わる一方向の直線上に基板中心算出部により算出された基板の中心が位置するように回転保持部を制御する第１の制御部と、直線上に算出された基板の中心がある状態で、回転保持部による基板の保持位置を一方向に移動させることにより算出された基板の中心が回転軸上に位置するように保持位置移動部を制御する第２の制御部と、算出された基板の中心が回転軸上にある状態で、回転保持部により基板を回転させつつ周縁部処理部により周縁部の全周領域を処理させる第３の制御部とを備える。

　基板の中心が回転軸からずれている場合には、周縁部処理部により処理される一部領域の半径方向の幅が回転保持部による基板の回転とともに変化する。それにより、処理される基板の周縁部の全周領域は、基板の中心に関して偏心する。

　上記の周縁部処理装置においては、回転保持部により保持される基板の中心が算出され、回転軸に直交して一方向に延びる直線上に算出された基板の中心が位置するように回転保持部が制御される。この場合、基板が回転することにより基板の中心が直線上に移動する。そのため、基板を一方向に直交しかつ回転軸に直交する他方向に移動させる構成を別途設けることなく、その他方向における基板の中心と回転軸とのずれが回転保持部の回転により解消される。したがって、高コスト化および構成の複雑化が抑制される。

　一方向に延びる直線上に算出された基板の中心がある状態で、算出された基板の中心が回転軸上に位置するように回転保持部による基板の保持位置が一方向に移動される。

　その後、基板の中心が回転軸上にある状態で、回転保持部により基板が回転されつつ周縁部の全周領域が処理される。それにより、基板の周縁部の全周領域が基板の中心に関して偏心することが抑制される。

　これらの結果、高コスト化および構成の複雑化を抑制しつつ基板の周縁部の処理を高い精度で容易に行うことが可能となる。

　（３）周縁部処理装置は、基板に対する回転保持部の回転方向の角度位置が異なるように、回転保持部による基板の保持状態を複数の保持状態に変更する保持状態変更部をさらに備え、第３の制御部は、算出された基板の中心が回転軸上にある状態で、保持状態変更部により基板の保持状態を複数の保持状態に変更させるとともに、複数の保持状態の各々において回転保持部により基板を回転させつつ周縁部処理部により周縁部の全周領域を処理させてもよい。

　基板が回転軸に直交する面に対して傾斜している場合には、周縁部処理部により処理される一部領域の半径方向の幅が回転保持部による基板の回転とともに変化する。それにより、処理される基板の周縁部の全周領域は、基板の中心に関して偏心する。

　上記の構成においては、算出された基板の中心が回転軸上にある状態で、基板に対する回転保持部の回転方向の角度位置が異なるように、回転保持部による基板の保持状態が複数の保持状態に変更される。複数の保持状態の各々で、基板が回転されることにより基板の周縁部の全周領域が処理される。この場合、各保持状態に対応する基板の周縁部の全周領域は、基板の中心に関して他の保持状態に対応する基板の周縁部の全周領域とは異なる方向に偏心する。

　上記の構成によれば、基板の保持状態が複数の保持状態に変更されることにより、処理済みの周縁部の内縁のばらつきが低減される。したがって、回転保持部による基板の保持状態を複数の保持状態に変更する簡単な方法により、処理済みの周縁部の幅が均一化される。その結果、基板の周縁部の処理をより高い精度で容易に行うことが可能となる。

　（４）基板の一面には膜が形成され、周縁部処理部は、上記の処理として基板の周縁部の周方向の一部領域に形成された膜を除去してもよい。

　この場合、基板の一面上に形成された膜のうち周縁部の膜を高い精度で容易に除去することができる。

　（５）基板の一面には感光性膜が形成され、周縁部処理部は、上記の処理として基板の周縁部の周方向の一部領域に形成された感光性膜を露光してもよい。

　この場合、基板の一面上に形成された感光性膜のうち周縁部の感光性膜を高い精度で容易に露光することができる。

　（６）本発明のさらに他の局面に従う基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板の一面に感光性膜を形成する膜形成装置と、上記の周縁部処理装置と、露光装置による露光後の基板に感光性膜の現像処理を行う現像処理装置と、膜形成装置、周縁部処理装置、現像処理装置および露光装置の間で基板を搬送する搬送装置とを備え、周縁部処理装置は、上記の処理として、塗布装置により感光性膜が形成された後かつ露光装置による露光前の基板の周縁部の感光性膜を除去または露光してもよい。

　その基板処理装置においては、基板の一面に感光性膜が形成された後、上記の周縁部処理装置により、基板の一面上に形成された感光性膜のうち周縁部の感光性膜が除去または露光される。その後、露光装置により基板が露光され、露光後の基板が現像される。この場合、現像処理後の基板の一面の周縁部に感光性膜が存在しない。したがって、現像処理後の基板の搬送時または基板の保管時に基板の周縁部から感光性膜が剥離することに起因する基板の処理不良の発生が抑制される。

　また、上記の周縁部処理装置によれば、基板処理装置の高コスト化および構成の複雑化が抑制される。

　（７）本発明のさらに他の局面に従う周縁部処理方法は、少なくとも一部が円形の外周部を有する基板の一面における外周部に沿った環状の周縁部に処理を行う周縁部処理方法であって、基板を保持するとともに上下方向に延びる回転軸の周りで回転させることが可能な回転保持部を用いて基板を保持するステップと、基板に対する回転保持部の回転方向の角度位置が異なるように、回転保持部による基板の保持状態を複数の保持状態に変更するステップと、複数の保持状態の各々において、回転保持部により基板を回転させつつ回転される基板の周縁部の周方向の一部領域に処理を行うことにより周縁部の全周領域を処理するステップとを含む。

　基板が回転軸に直交する面に対して傾斜している場合および基板の中心が回転軸からずれている場合には、処理される一部領域の半径方向の幅が回転保持部による基板の回転とともに変化する。それにより、処理される基板の周縁部の全周領域は、基板の中心に関して偏心する。

　上記の周縁部処理方法においては、基板に対する回転保持部の回転方向の角度位置が異なるように、回転保持部による基板の保持状態が複数の保持状態に変更される。複数の保持状態の各々で、基板が回転されることにより基板の周縁部の全周領域が処理される。この場合、各保持状態に対応する基板の周縁部の全周領域は、基板の中心に関して他の保持状態に対応する基板の周縁部の全周領域とは異なる方向に偏心する。

　上記の方法によれば、基板の保持状態が複数の保持状態に変更されることにより、処理済みの周縁部の内縁のばらつきが低減される。したがって、回転保持部による基板の保持状態を複数の保持状態に変更する簡単な方法により、処理済みの周縁部の幅が均一化される。

　その結果、上記の周縁部処理方法を実施するための構成の高コスト化および構成の複雑化を抑制しつつ基板の周縁部の処理を高い精度で容易に行うことが可能となる。

　（８）本発明のさらに他の局面に従う周縁部処理方法は、少なくとも一部が円形の外周部を有する基板の一面における外周部に沿った環状の周縁部に処理を行う周縁部処理方法であって、基板を保持するとともに上下方向に延びる回転軸の周りで回転させることが可能な回転保持部を用いて基板を保持するステップと、回転保持部により保持される基板の中心を算出するステップと、回転軸に直交して一方向に延びる直線上に基板中心算出部により算出された基板の中心が位置するように回転保持部を制御するステップと、直線上に算出された基板の中心がある状態で、算出された基板の中心が回転軸上に位置するように回転保持部による基板の保持位置を一方向に移動させるステップと、算出された基板の中心が回転軸上にある状態で、回転保持部により基板を回転させつつ回転される基板の周縁部の周方向の一部領域に処理を行うことにより周縁部の全周領域を処理するステップとを含む。

　基板の中心が回転軸からずれている場合には、処理される一部領域の半径方向の幅が回転保持部による基板の回転とともに変化する。それにより、処理される基板の周縁部の全周領域は、基板の中心に関して偏心する。

　上記の周縁部処理方法においては、回転保持部により保持される基板の中心が算出され、回転軸に直交して一方向に延びる直線上に算出された基板の中心が位置するように回転保持部が制御される。この場合、基板を回転させることにより基板の中心を直線上に移動させることができる。そのため、基板を一方向に直交しかつ回転軸に直交する他方向に移動させる構成を別途設けることなく、その他方向における基板の中心と回転軸とのずれが回転保持部の回転により解消される。したがって、高コスト化および構成の複雑化が抑制される。

　これらの結果、上記の周縁部処理方法を実施するための構成の高コスト化および構成の複雑化を抑制しつつ基板の周縁部の処理を高い精度で容易に行うことが可能となる。

　（９）周縁部処理方法は、基板に対する回転保持部の回転方向の角度位置が異なるように、回転保持部による基板の保持状態を複数の保持状態に変更するステップをさらに含み、処理するステップは、算出された基板の中心が回転軸上にある状態で、複数の保持状態の各々において、回転保持部により基板を回転させつつ回転される基板の周縁部の周方向の一部領域に処理を行うことにより周縁部の全周領域を処理するステップを含んでもよい。

　基板が回転軸に直交する面に対して傾斜している場合には、処理される一部領域の半径方向の幅が回転保持部による基板の回転とともに変化する。それにより、処理される基板の周縁部の全周領域は、基板の中心に関して偏心する。

　上記の方法によれば、基板の保持状態が複数の保持状態に変更されることにより、処理済みの周縁部の内縁のばらつきが低減される。したがって、回転保持部による基板の保持状態を複数の保持状態に変更する簡単な方法により、処理済みの周縁部の幅が均一化される。その結果、基板の周縁部の処理をより高い精度で容易に行うことが可能となる。

　本発明によれば、高コスト化および構成の複雑化を抑制しつつ基板の周縁部の処理を高い精度で容易に行うことが可能になる。

図１は第１の実施の形態に係る周縁部処理装置の基本構成を示す模式的側面図および模式的平面図である。図２は図１の周縁部処理装置の制御系のブロック図である。図３は周縁部除去処理の精度が低下する理由の一例を示す図である。図４は第１の実施の形態に係る周縁部除去処理を説明するための図である。図５は図４の周縁部除去処理により得られる効果を説明するための図である。図６は第２の実施の形態に係る周縁部処理装置の基本構成を示す模式的側面図および模式的平面図である。図７は図６の周縁部処理装置の制御系のブロック図である。図８は図６の周縁部処理装置の動作を示すフローチャートである。図９は図８の一部のステップＳ１０１～Ｓ１０６の動作をより詳細に説明するための具体例を示す図である。図１０は図１または図６の周縁部処理装置として周縁部除去ユニットおよびエッジ露光ユニットを備える基板処理装置の模式的平面図である。図１１は主として図１０の塗布処理部、現像処理部および洗浄乾燥処理部を示す基板処理装置の模式的側面図である。図１２は主として図１０の熱処理部および洗浄乾燥処理部を示す基板処理装置の模式的側面図である。図１３は主として図１０の搬送部を示す側面図である。

　以下、本発明の一実施の形態に係る周縁部処理装置、基板処理装置および周縁部処理方法について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等をいう。本実施の形態で用いられる基板は、少なくとも一部が円形の外周部を有する。例えば、位置決め用のノッチを除く外周部が円形を有する。

　また、以下の説明においては、基板の表面とは感光性膜、反射防止膜、保護膜等の種々の膜が形成される面（主面）をいい、基板の裏面とはその反対側の面をいう。基板の周縁部とは、基板Ｗの円形の外周部とその外周部から所定距離内側の円との間の環状領域をいう。

　さらに、以下の説明においては、基板の周縁部処理とは、基板の周縁部に任意の処理が施されることを意味する。周縁部処理には、例えば周縁部除去処理およびエッジ露光処理が含まれる。周縁部除去処理は、基板の表面上に形成された膜のうち周縁部の膜を除去する処理である。エッジ露光処理は、基板の表面上に形成された感光性膜のうち周縁部の感光性膜を露光する処理である。

　［１］第１の実施の形態
　（１）周縁部処理装置の基本構成
　図１は、第１の実施の形態に係る周縁部処理装置の基本構成を示す模式的側面図および模式的平面図である。図１（ａ），（ｂ）にそれぞれ側面図および平面図が示される。本実施の形態に係る周縁部処理装置７００は、基板回転機構７１０、周縁部処理機構７３０、基板支持機構７４０および周縁部処理コントローラ７５０を含む。図１（ｂ）では、周縁部処理コントローラ７５０の図示が省略される。

　基板回転機構７１０は、回転駆動部７１１、回転軸７１２、回転保持部７１３およびエンコーダ７１４を含む。回転駆動部７１１は、例えば電動モータである。回転軸７１２は、回転駆動部７１１から上方に突出するように設けられる。回転軸７１２の上端部に回転保持部７１３が接続されている。

　回転保持部７１３は、回転保持部７１３上に載置された基板Ｗを吸着保持する吸着状態と、回転保持部７１３上に載置された基板Ｗを吸着することなく支持する支持状態とに切り替え可能に構成される。回転保持部７１３には、図示しない吸引系が接続されている。回転駆動部７１１にエンコーダ７１４が設けられている。エンコーダ７１４は、回転保持部７１３の回転角度に対応する信号を周縁部処理コントローラ７５０に出力する。回転保持部７１３の回転角度は、回転保持部７１３のある状態を基準角度（０°）と定義した場合の回転保持部７１３の基準角度からの回転角度を表す。

　基板回転機構７１０により吸着保持される基板Ｗの周縁部の近傍に周縁部処理機構７３０が設けられている。周縁部処理機構７３０は、基板回転機構７１０により回転される基板Ｗの周縁部の周方向の一部領域ＰＡに予め定められた処理を行う。図１（ａ），（ｂ）では、一部領域ＰＡが点線およびハッチングで示される。

　基板支持機構７４０は、昇降駆動部７４１、連結部材７４２および複数（本例では３つ）の支持ピン７４３を含む。回転駆動部７１１を取り囲むように連結部材７４２が設けられている。複数の支持ピン７４３は、上下方向に延びるように連結部材７４２に取り付けられている。連結部材７４２は、昇降駆動部７４１に接続される。昇降駆動部７４１は、例えばエアシリンダにより構成され、連結部材７４２を上下方向に昇降可能に支持する。昇降駆動部７４１により、複数の支持ピン７４３の上端部が回転保持部７１３よりも上方に位置する上方位置と、複数の支持ピン７４３の上端部が回転保持部７１３よりも下方に位置する下方位置との間で複数の支持ピン７４３が昇降動作する。

　周縁部処理コントローラ７５０は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）、ＲＯＭ（リードオンリメモリ）およびＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）等を含む。ＲＯＭには、制御プログラムが記憶される。ＣＰＵはＲＯＭに記憶された制御プログラムをＲＡＭを用いて実行することにより周縁部処理装置７００の各部の動作を制御する。

　（２）周縁部処理装置の制御系
　図２は、図１の周縁部処理装置７００の制御系のブロック図である。図２には、周縁部処理コントローラ７５０の機能的な構成の一部が示される。図２に示すように、周縁部処理コントローラ７５０は、記憶部７５０Ａおよび主制御部７５０Ｂを含む。記憶部７５０Ａは、ＲＯＭおよびＲＡＭの一部で構成される。なお、記憶部７５０Ａは、例えばハードディスクにより構成されてもよい。記憶部７５０Ａには、基板回転機構７１０、周縁部処理機構７３０および基板支持機構７４０の動作を制御するためのプログラムが記憶されるとともに、種々のデータが記憶される。また、記憶部７５０Ａには、周縁部処理の処理条件が記憶される。本実施の形態に係る処理条件には、周縁部処理機構７３０の動作に関する種々の情報とともに、変更角度が記憶される。変更角度は、後述する周縁部処理において、基板Ｗの保持状態を変更する際に基板Ｗに対して回転させる回転保持部７１３の回転角度である。処理条件は、例えば周縁部処理装置７００の使用者が図示しない操作部を操作することにより生成される。

　主制御部７５０Ｂは、ＣＰＵにより構成され、回転制御部７５１、吸着状態切替部７５２、変更制御部７５３および周縁部処理制御部７５９を含む。これら各部の機能は、主制御部７５０Ｂが記憶部７５０Ａに記憶されたプログラムを実行することにより実現される。

　回転制御部７５１は、基板回転機構７１０のエンコーダ７１４の出力信号に基づいて回転保持部７１３の回転角度を検出し、回転駆動部７１１の動作を制御する。

　吸着状態切替部７５２は、回転保持部７１３に接続される図示しない吸引系を制御することにより、回転保持部７１３を吸着状態と支持状態との間で切り替える。変更制御部７５３は、記憶部７５０Ａに記憶された変更角度とエンコーダ７１４の出力信号とに基づいて、基板回転機構７１０の回転駆動部７１１、基板回転機構７１０の回転保持部７１３および基板支持機構７４０を制御する。それにより、基板Ｗに対する回転保持部７１３の回転方向の角度位置が変更角度ずつ異なるように、回転保持部７１３による基板Ｗの保持状態を複数の保持状態に変更する。

　周縁部処理制御部７５９は、記憶部７５０Ａに記憶された処理条件に基づいて周縁部処理機構７３０の動作を制御する。基板回転機構７１０により基板Ｗが回転されつつ周縁部処理機構７３０が動作することにより、基板Ｗの周縁部の全周領域に処理が行われる。

　（３）周縁部処理の精度低下の理由
　基板Ｗの周縁部処理においては、処理が施されるべき基板Ｗの周縁部の半径方向の幅が予め一定の大きさに定められている。しかしながら、実際に処理される基板Ｗの周縁部の半径方向の幅は、以下の理由により基板Ｗの周方向で均一にならない場合がある。

　図３は、周縁部除去処理の精度が低下する理由の一例を示す図である。図３（ａ）に基板Ｗを吸着保持する基板回転機構７１０の側面図が示される。本例では、基板回転機構７１０により吸着保持される基板Ｗの表面に膜が形成されているものとする。また、図１の周縁部処理機構７３０として、基板Ｗの周縁部に基板Ｗ上の膜を除去する除去液を吐出する除去ノズル７３１が用いられるものとする。

　図３（ａ）に示すように、基板回転機構７１０の各構成部品の寸法精度および組み立て精度によっては、回転保持部７１３が回転軸７１２に対して傾斜して取り付けられる場合がある。この場合、基板Ｗの中心ＷＣが回転軸７１２の軸心上に位置するように基板Ｗが回転保持部７１３により吸着保持された状態で、基板Ｗは回転軸７１２の軸心に直交する面に対して傾斜することになる。

　この状態で基板Ｗが回転されると、図３（ｂ）に太い矢印で示すように、基板Ｗの外周端部ＷＥが基板Ｗの中心ＷＣを基準とする円弧を描くように上下に振動する。この場合、除去ノズル７３１から吐出される除去液の進行方向と基板Ｗの周縁部の振動方向とは異なる。そのため、除去液が供給される基板Ｗの表面上の位置（以下、液供給位置と呼ぶ。）と基板Ｗの外周端部ＷＥとの間の距離が、回転保持部７１３の回転角度に応じて変動する。

　図３（ｂ）の例では、除去液の進行方向が下方かつ斜め外方に向かうように、除去ノズル７３１が基板Ｗの上方に配置されている。この場合、基板Ｗの周縁部が除去ノズル７３１に近づくほど液供給位置と基板Ｗの外周端部ＷＥとの間の距離が大きくなる。それにより、基板Ｗの半径方向において本来供給されるべき領域よりも広い領域に除去液が供給されるので、膜が除去される一部領域ＰＡの半径方向の幅が大きくなる。一方、基板Ｗの周縁部が除去ノズル７３１から遠ざかるほど液供給位置と基板Ｗの外周端部ＷＥとの間の距離が小さくなる。それにより、基板Ｗの半径方向において本来供給されるべき領域よりも狭い領域に除去液が供給されるので、膜が除去される一部領域ＰＡの半径方向の幅が小さくなる。その結果、図３（ｃ）にハッチングで示すように、処理される基板Ｗの周縁部の全周領域は、基板Ｗの中心ＷＣに関して偏心する。

　上記の例では回転保持部７１３が回転軸７１２の軸心に対して傾斜して取り付けられる場合について説明したが、回転軸７１２が湾曲している場合にも上記の例と同じ理由で処理精度が低下する。

　また、上記の例の他、基板Ｗの中心ＷＣが回転軸７１２の軸心からずれた状態で基板Ｗが回転保持部７１３により吸着保持される場合にも、処理される基板Ｗの周縁部の全周領域は、基板Ｗの中心ＷＣに関して偏心する。

　なお、図３（ａ），（ｂ）では、説明の理解を容易にするために、回転保持部７１３が回転軸７１２の軸心に対して傾斜して取り付けられた構成が誇張して描かれている。また、図３（ｃ）では、処理される基板Ｗの周縁部の全周領域が誇張して描かれている。

　（４）周縁部処理
　周縁部処理の精度を向上させるために、本実施の形態に係る周縁部処理装置７００においては、以下のように周縁部処理が実行される。

　周縁部処理の一例として、図３の例と同様に、基板Ｗに周縁部除去処理が行われる場合の例を説明する。図４は、第１の実施の形態に係る周縁部除去処理を説明するための図である。図４（ａ），（ｃ），（ｅ），（ｇ）に基板Ｗを吸着保持する基板回転機構７１０の側面図が示される。図４（ｂ），（ｄ），（ｆ），（ｈ）に基板Ｗの平面図が示される。図４（ｂ），（ｄ），（ｆ），（ｈ）では、基板Ｗの外縁を太い実線で示している。図４（ａ）～（ｈ）では、基板Ｗの周方向の向きが理解しやすいように、基板Ｗの外周端部ＷＥのうちの一点に符号ｐｉを付している。なお、本例では、基板Ｗの中心ＷＣが回転軸７１２上に位置する状態で、基板Ｗが回転保持部７１３により吸着保持されるものとする。

　まず、図４（ａ）に示すように、基板Ｗに対する回転保持部７１３の回転方向の角度位置が任意の位置（この角度位置を第１の位置と呼ぶ。）にある状態で、回転保持部７１３により基板Ｗを吸着保持する。また、基板Ｗを回転させつつ除去ノズル７３１から基板Ｗの周縁部の一部領域ＰＡに除去液を吐出させることにより、周縁部の全周領域の膜を除去する。それにより、図４（ｂ）に実線ｌ１で示すように、基板Ｗの中心ＷＣから一方向（この一方向を第１の方向と呼ぶ。）に偏心した内縁を有する環状の周縁部から基板Ｗ上の膜が除去される。図４（ｂ）では、基板Ｗ上の膜が除去された処理済みの周縁部がハッチングで示される。

　次に、図４（ｃ）に示すように、基板Ｗに対する回転保持部７１３の回転方向の角度位置が第１の位置とは異なる角度位置（この角度位置を第２の位置と呼ぶ。）となるように、回転保持部７１３による基板Ｗの保持状態を変更する。具体的には、図４（ａ），（ｂ）に示される処理の後、回転保持部７１３を吸着状態から支持状態に切り替え、図１の基板支持機構７４０の複数の支持ピン７４３を下方位置から上方位置へ上昇させる。それにより、回転保持部７１３上の基板Ｗが複数の支持ピン７４３に渡され、その基板Ｗが回転保持部７１３よりも上方の位置で支持される。続いて、回転保持部７１３を変更角度（本例では９０°）分回転させた後、複数の支持ピン７４３を上方位置から下方位置へ下降させる。それにより、複数の支持ピン７４３上の基板Ｗが回転保持部７１３に渡され、回転保持部７１３上に載置される。この状態で、回転保持部７１３を支持状態から吸着状態に切り替える。

　その後、基板Ｗを回転させつつ除去ノズル７３１から基板Ｗの周縁部の一部領域ＰＡに除去液を吐出させることにより、周縁部の全周領域の膜を除去する。それにより、図４（ｄ）に一点鎖線ｌ２で示すように、基板Ｗの中心ＷＣから上記の第１の方向とは異なる方向（この他方向を第２の方向と呼ぶ。）に偏心した内縁を有する環状の周縁部から基板Ｗ上の膜が除去される。図４（ｄ）では、基板Ｗに対する回転保持部７１３の回転方向の角度位置が第１および第２の位置にある状態での複数の処理により基板Ｗ上の膜が存在しなくなった領域がハッチングで示される。

　次に、図４（ｅ）に示すように、基板Ｗに対する回転保持部７１３の回転方向の角度位置が第１および第２の位置とは異なる角度位置（この角度位置を第３の位置と呼ぶ。）となるように、回転保持部７１３による基板Ｗの保持状態を変更する。このときの変更動作は、図４（ａ）の保持状態から図４（ｂ）の保持状態への変更時の動作と同じである。その後、基板Ｗを回転させつつ除去ノズル７３１から基板Ｗの周縁部の一部領域ＰＡに除去液を吐出させることにより、周縁部の全周領域の膜を除去する。それにより、図４（ｆ）に二点鎖線ｌ３で示すように、基板Ｗの中心ＷＣから上記の第１および第２の方向とは異なる方向（この他方向を第３の方向と呼ぶ。）に偏心した内縁を有する環状の周縁部から基板Ｗ上の膜が除去される。図４（ｆ）では、基板Ｗに対する回転保持部７１３の回転方向の角度位置が第１～第３の位置にある状態での複数の処理により基板Ｗ上の膜が存在しなくなった領域がハッチングで示される。

　次に、図４（ｇ）に示すように、基板Ｗに対する回転保持部７１３の回転方向の角度位置が第１～第３の位置とは異なる角度位置（この角度位置を第４の位置と呼ぶ。）となるように、回転保持部７１３による基板Ｗの保持状態を変更する。このときの変更動作は、図４（ａ）の保持状態から図４（ｂ）の保持状態への変更時の動作と同じである。その後、基板Ｗを回転させつつ除去ノズル７３１から基板Ｗの周縁部の一部領域ＰＡに除去液を吐出させることにより、周縁部の全周領域の膜を除去する。それにより、図４（ｈ）に点線ｌ４で示すように、基板Ｗの中心ＷＣから上記の第１～第３の方向とは異なる方向（この他方向を第４の方向と呼ぶ。）に偏心した内縁を有する環状の周縁部から基板Ｗ上の膜が除去される。図４（ｈ）では、基板Ｗに対する回転保持部７１３の回転方向の角度位置が第１～第４の位置にある状態での複数の処理により基板Ｗ上の膜が存在しなくなった領域がハッチングで示される。

　上記のようにして、基板Ｗに対する回転保持部７１３の回転方向の角度位置が３６０°分回転するまで、回転保持部７１３による基板Ｗの保持状態が複数の保持状態に変更されるとともに、複数の保持状態の各々において基板Ｗの周縁部の全周領域の処理が行われる。

　なお、図４（ａ），（ｃ），（ｅ），（ｇ）では、説明の理解を容易にするために、回転保持部７１３が回転軸７１２の軸心に対して傾斜して取り付けられた構成が誇張して描かれている。また、図４（ｂ），（ｄ），（ｆ），（ｈ）では、処理される基板Ｗの周縁部の全周領域が誇張して描かれている。

　図５は、図４の周縁部除去処理により得られる効果を説明するための図である。図５においては、周縁部除去処理で基板Ｗに除去液が供給されるときの液供給位置の変化が示される。縦軸は外周部およびその近傍における基板Ｗの半径方向の位置を表し、横軸は基板Ｗの回転角度を表す。なお、図５における基板Ｗの回転角度は、基板Ｗがその中心ＷＣを通る軸の周りで任意の角度からどれだけ回転したかを表す角度である。

　図５のグラフでは、図４（ａ），（ｂ）の処理に対応する液供給位置の変化が実線で示される。この実線を第１曲線と呼ぶ。図４（ｃ），（ｄ）の処理に対応する液供給位置の変化が一点鎖線で示される。この一点鎖線を第２曲線と呼ぶ。図４（ｅ），（ｆ）の処理に対応する液供給位置の変化が二点鎖線で示される。この二点鎖線を第３曲線と呼ぶ。図４（ｇ），（ｈ）の処理に対応する液供給位置の変化が点線で示される。この点線を第４曲線と呼ぶ。

　基板Ｗの周縁部において膜が除去される全周領域の内縁は、液供給位置によって定まる。液供給位置の変化の振幅が大きいと、膜が除去される領域の内縁が基板Ｗの中心ＷＣから大きく偏心する。なお、ここで用いられる振幅とは、全振幅（両振幅）、すなわちピークトゥピーク値を意味する。

　図５のグラフに示されるように、第１～第４曲線の各々の振幅ΔＡは比較的大きい。そのため、基板Ｗに対する回転保持部７１３の回転方向が第１～第４の位置のうち一の角度位置にある状態で基板Ｗの周縁部の膜が除去されると、処理される基板Ｗの周縁部の全周領域は、基板Ｗの中心ＷＣに関して一方向に大きく偏心する。

　これに対して、図４の例で説明したように、本実施の形態では、基板Ｗに対する回転保持部７１３の回転方向の角度位置が異なるように、基板Ｗの保持状態が複数の保持状態に変更される。複数の保持状態の各々で基板Ｗの周縁部の全周領域が第１～第４の方向に偏心しつつ処理される。それにより、最終的には、図５に太い実線で示すように、膜が存在しない周縁部の内縁の位置が第１～第４曲線のうち基板Ｗの中心に近い位置となる。図５の太い実線の振幅ΔＢは上記の振幅ΔＡに比べて十分に小さい。したがって、図４（ｈ）にハッチングで示されるように、処理済みの周縁部の内縁のばらつきが低減される。

　（５）第１の実施の形態の効果
　本実施の形態に係る周縁部処理装置７００においては、基板Ｗに対する回転保持部７１３の回転方向の角度位置が異なるように、回転保持部７１３による基板Ｗの保持状態が複数の保持状態に変更される。複数の保持状態の各々で、基板Ｗが回転されることにより基板Ｗの周縁部の全周領域が処理される。この場合、各保持状態に対応する基板Ｗの周縁部の全周領域は、基板Ｗの中心ＷＣに関して他の保持状態に対応する基板Ｗの周縁部の全周領域とは異なる方向に偏心する。

　上記の構成によれば、基板Ｗの保持状態が複数の保持状態に変更されることにより、処理済みの周縁部の内縁のばらつきが低減される。したがって、回転保持部７１３による基板Ｗの保持状態を複数の保持状態に変更する簡単な方法により、処理済みの周縁部の幅が均一化される。

　その結果、高コスト化および構成の複雑化を抑制しつつ基板Ｗの周縁部の処理を高い精度で容易に行うことが可能となる。

　（６）第１の実施の形態における変形例
　上記の例では、変更角度が９０°に設定された状態で基板Ｗの保持状態を変更しているが、変更角度は、９０°よりも大きい角度（例えば１２０°）に設定されてもよい。この場合、基板Ｗの周縁部の全周領域を処理する回数が低減されるので、基板Ｗの処理のスループットの低下が抑制される。あるいは、変更角度は、９０°よりも小さい角度（例えば４５°）に設定されてもよい。この場合、基板Ｗの周縁部の全周領域を処理する回数が増加することにより、処理済みの周縁部の内縁のばらつきがより低減される。したがって、基板Ｗの周縁部をより高い精度で処理することが可能になる。

　また、上記の例では、基板Ｗの保持状態を変更するための条件として、変更角度が記憶部７５０Ａに記憶されるが、変更角度に代えて１枚の基板Ｗ当たりの保持状態の変更回数が記憶部７５０Ａに記憶されてもよい。この場合、保持状態の変更回数がｎ（ｎは２以上の自然数）と設定される場合に、図２の変更制御部７５３は、変更角度を（３６０／ｎ）°として算出し、算出結果に基づいて保持状態の変更動作を制御してもよい。

　［２］第２の実施の形態
　第２の実施の形態に係る周縁部処理装置について、第１の実施の形態に係る周縁部処理装置７００と異なる点を説明する。

　（１）周縁部処理装置の基本構成
　図６は、第２の実施の形態に係る周縁部処理装置の基本構成を示す模式的側面図および模式的平面図である。図６（ａ），（ｂ）にそれぞれ側面図および平面図が示される。本実施の形態に係る周縁部処理装置７００は、第１の実施の形態に係る周縁部処理装置７００の構成に加えて、周縁部撮像機構７２０および移動機構７９０を含む。また、この周縁部処理装置７００においては、図６（ａ），（ｂ）に示すように、水平面内で互いに直交する２つの方向をｘ方向およびｙ方向と定義し、鉛直方向をｚ方向と定義する。ｘ方向とは矢印ｘの方向またはその逆方向を意味し、ｙ方向とは矢印ｙの方向またはその逆方向を意味し、ｚ方向とは矢印ｚの方向またはその逆方向を意味する。

　周縁部撮像機構７２０は、照明部７２１、反射ミラー７２２およびＣＣＤ（電荷結合素子）ラインセンサ７２３を含む。照明部７２１は回転保持部７１３により吸着保持される基板Ｗの周縁部の上方に配置される。反射ミラー７２２は、照明部７２１と対向するように基板Ｗの上方に配置される。反射ミラー７２２の上方にＣＣＤラインセンサ７２３が配置される。ＣＣＤラインセンサ７２３は、画素が一列に並ぶように配置される。

　照明部７２１から帯状の光（以下、照明光と呼ぶ。）が発生される。照明光は、基板Ｗの周縁部に照射される。照射された照明光は、基板Ｗ上で反射され、さらに反射ミラー７２２上で反射され、ＣＣＤラインセンサ７２３に入射する。

　これにより、基板Ｗの周縁部およびその近傍の領域（以下、周縁部領域と略記する。）が撮像される。基板Ｗの周縁部領域の画像を示す画像データは、ＣＣＤラインセンサ７２３から周縁部処理コントローラ７５０に与えられる。

　移動機構７９０は、リニアガイド７９１および移動駆動部７９２を含む。リニアガイド７９１は、周縁部処理装置７００の設置面上でｘ方向に平行に延びるように設けられる。移動駆動部７９２上に基板支持機構７４０が設けられている。移動駆動部７９２は、例えばパルスモータを含み、基板支持機構７４０を保持しつつリニアガイド７９１上でｘ方向に移動可能に構成される。

　（２）周縁部処理装置の制御系
　図７は、図６の周縁部処理装置７００の制御系のブロック図である。図７には、周縁部処理コントローラ７５０の機能的な構成の一部が示される。図７に示すように、周縁部処理コントローラ７５０は、第１の実施の形態に係る周縁部処理コントローラ７５０と同様に、記憶部７５０Ａおよび主制御部７５０Ｂを含む。

　記憶部７５０Ａには、基板回転機構７１０、周縁部撮像機構７２０、周縁部処理機構７３０、基板支持機構７４０および移動機構７９０の動作を制御するためのプログラムが記憶されるとともに、種々のデータが記憶される。種々のデータには、後述する基板Ｗの外周端部ＷＥの位置を示す情報、および後述する基板Ｗの中心ＷＣの位置情報等が含まれる。また、記憶部７５０Ａには、周縁部処理の処理条件が記憶される。

　主制御部７５０Ｂは、ＣＰＵにより構成され、回転制御部７５１、吸着状態切替部７５２、変更制御部７５３、基板中心算出部７５４および周縁部処理制御部７５９を含む。これら各部の機能は、主制御部７５０Ｂが記憶部７５０Ａに記憶されたプログラムを実行することにより実現される。

　図７の回転制御部７５１、吸着状態切替部７５２および周縁部処理制御部７５９は、第１の実施の形態に係る図２の回転制御部７５１、吸着状態切替部７５２および周縁部処理制御部７５９と基本的に同じ機能を有する。

　基板中心算出部７５４は、周縁部撮像機構７２０を制御することにより、回転保持部７１３により吸着保持される基板Ｗの周縁部領域を撮像する。また、基板中心算出部７５４は、周縁部撮像機構７２０から与えられる画像データとエンコーダ７１４の出力信号とに基づいて基板Ｗの半径方向における基板Ｗの外周端部ＷＥの位置を回転保持部７１３の回転角度ごとに算出し、回転角度ごとの基板Ｗの外周端部ＷＥの位置を示す情報を記憶部７５０Ａに記憶する。さらに、基板中心算出部７５４は、基板Ｗの外周端部ＷＥの位置を示す情報に基づいて、基板Ｗの中心ＷＣの位置を算出し、算出された位置を示す位置情報を記憶部７５０Ａに記憶する。

　本例の変更制御部７５３は、記憶部７５０Ａに記憶された基板Ｗの中心ＷＣの位置情報とエンコーダ７１４の出力信号とに基づいて、基板回転機構７１０の回転駆動部７１１、基板回転機構７１０の回転保持部７１３、基板支持機構７４０および移動機構７９０を制御する。それにより、基板Ｗの中心ＷＣが回転軸７１２の軸心上に位置するように、回転保持部７１３による基板Ｗの保持位置を変更する。

　（３）周縁部処理
　基板Ｗの中心ＷＣが回転軸７１２の軸心からずれた状態で基板Ｗが回転保持部７１３により吸着保持されると、回転保持部７１３の回転時に基板Ｗが偏心した状態で回転する。それにより、周縁部処理機構７３０により処理される基板Ｗの周縁部の全周領域が基板Ｗの中心ＷＣに関して偏心し、周縁部処理の精度が低下する。そこで、本実施の形態では、周縁部処理の精度を向上させるために、周縁部処理装置７００に搬入された基板Ｗを回転保持部７１３により一旦吸着保持した後、当該基板Ｗの周縁部に処理を行う前に回転保持部７１３による基板Ｗの保持位置を変更する。

　図８は図６の周縁部処理装置７００の動作を示すフローチャートであり、図９は図８の一部のステップＳ１０１～Ｓ１０６の動作をより詳細に説明するための具体例を示す図である。図９（ａ）～（ｄ）に、図６の基板回転機構７１０の回転軸７１２および回転保持部７１３と、回転保持部７１３により保持される基板Ｗとが平面図で示される。なお、図９（ａ）～（ｄ）においては、回転軸７１２の軸心７１２ｃが×印で示される。また、基板Ｗの周方向の向きが理解しやすいように、基板Ｗの外周端部ＷＥのうちの一点に符号ｐｉを付している。以下、図６～図９を参照しながら図６の周縁部処理装置７００の動作を説明する。初期状態では、支持状態にある回転保持部７１３上に、周縁部処理装置７００に搬入された基板Ｗが載置されているものとする。

　まず、周縁部処理コントローラ７５０は、回転保持部７１３を支持状態から吸着状態に切り替える。それにより、図９（ａ）に示すように、基板Ｗの下面中央部を回転保持部７１３により吸着保持する（ステップＳ１０１）。このとき、基板Ｗの中心ＷＣは回転保持部７１３の軸心７１２ｃからずれているものとする。

　次に、周縁部処理コントローラ７５０は、基板Ｗを回転させつつ基板Ｗの周縁部領域を撮像し、基板Ｗの外周端部ＷＥの位置を算出する(ステップＳ１０２)。具体的には、周縁部処理コントローラ７５０は、図９（ｂ）に太い実線の矢印で示すように、基板回転機構７１０により基板Ｗを３６０°回転させるとともに回転する基板Ｗの周縁部領域を図６の周縁部撮像機構７２０により撮像する。図９（ｂ）では、回転保持部７１３により回転される基板Ｗの軌跡の外縁が一点鎖線で示される。基板回転機構７１０のエンコーダ７１４の出力信号と撮像により得られる画像データとに基づいて、基板Ｗの半径方向における外周端部ＷＥの位置を回転保持部７１３の所定の回転角度ごとに算出する。回転角度ごとの基板Ｗの外周端部ＷＥの位置を示す情報は、図７の記憶部７５０Ａに記憶される。

　周縁部処理装置７００においては、上記のｘ方向およびｙ方向にそれぞれ平行な軸を有する固有の二次元座標系が定義されている。この二次元座標系において回転軸７１２の軸心７１２ｃの位置（座標）は既知である。そこで、周縁部処理コントローラ７５０は、軸心７１２ｃの位置（座標）と、回転保持部７１３の回転角度と基板Ｗの全周に渡る外周端部ＷＥの位置（座標）を示す情報とに基づいて、回転保持部７１３により保持される基板Ｗの中心ＷＣの位置（座標）を算出する(ステップＳ１０３)。算出された基板Ｗの中心ＷＣの位置を示す位置情報は、図７の記憶部７５０Ａに記憶される。

　基板Ｗの中心ＷＣの位置（座標）と回転保持部７１３の回転角度とに基づいて、回転保持部７１３が回転するときに基板Ｗの中心ＷＣがどのような経路で移動するのかを求めることができる。

　そこで、周縁部処理コントローラ７５０は、図９（ｃ）に太い実線の矢印で示すように、算出された基板Ｗの中心ＷＣが回転軸７１２の軸心７１２ｃと交わるｘ方向に平行な仮想直線ｖｌ上に位置するように、基板回転機構７１０により基板Ｗを回転させる(ステップＳ１０４)。このときの基板Ｗの中心ＷＣの位置（座標）は、ステップＳ１０３で算出された基板Ｗの中心ＷＣの位置とステップＳ１０４で基板Ｗが回転されるときの回転保持部７１３の回転角度とに基づいて算出することができる。ステップＳ１０４の動作後、ｙ方向における基板Ｗの中心ＷＣと回転軸７１２の軸心７１２ｃとのずれ量は０となる。

　次に、周縁部処理コントローラ７５０は、回転保持部７１３を吸着状態から支持状態に切り替える。それにより、回転保持部７１３による基板Ｗの吸着保持が解除される（ステップＳ１０５）。

　続いて、周縁部処理コントローラ７５０は、図９（ｄ）に太い実線の矢印で示すように、基板Ｗの中心ＷＣが回転軸７１２の軸心７１２ｃ上に位置するように、図６の基板支持機構７４０および移動機構７９０により基板Ｗをｘ方向に移動させる(ステップＳ１０６)。

　具体的には、周縁部処理コントローラ７５０は、図６の基板支持機構７４０の複数の支持ピン７４３を下方位置から上方位置まで上昇させる。それにより、基板Ｗが回転保持部７１３から図６の複数の支持ピン７４３に渡される。この状態で、基板Ｗの中心ＷＣが回転軸７１２の軸心７１２ｃ上に位置するまで、図６の移動駆動部７９２をリニアガイド７９１に沿ってｘ方向に移動させる。その後、複数の支持ピン７４３を上方位置から下方位置まで下降させる。それにより、基板Ｗが複数の支持ピン７４３から回転保持部７１３に渡される。

　次に、周縁部処理コントローラ７５０は、回転保持部７１３を支持状態から吸着状態に切り替える。それにより、回転保持部７１３上に載置された基板Ｗを回転保持部７１３により再度吸着保持する（ステップＳ１０７）。

　その後、周縁部処理コントローラ７５０は、基板Ｗを回転させつつ図６の周縁部処理機構７３０を制御することにより、基板Ｗの周縁部の全周領域を処理する(ステップＳ１０８)。

　なお、図９（ａ）～（ｄ）では、説明の理解を容易にするために、回転保持部７１３上に載置される基板Ｗの中心ＷＣと回転軸７１２の軸心７１２ｃとのずれが誇張して描かれている。

　（４）第２の実施の形態の効果
　本実施の形態に係る周縁部処理装置７００においては、回転保持部７１３により吸着保持される基板Ｗの中心ＷＣが算出される。また、回転軸７１２の軸心７１２ｃに直交してｘ方向に延びる仮想直線ｖｌ上に算出された基板Ｗの中心ＷＣが位置するように基板回転機構７１０が制御される。この場合、基板Ｗが回転することにより基板Ｗの中心ＷＣが仮想直線ｖｌ上に移動する。そのため、基板Ｗをｘ方向に直交するｙ方向に移動させる構成を別途設けることなく、ｙ方向における基板Ｗの中心ＷＣと回転軸７１２の軸心７１２ｃとのずれが回転保持部７１３の回転により解消される。したがって、周縁部処理装置７００の高コスト化および構成の複雑化が抑制される。

　ｘ方向に延びる仮想直線ｖｌ上に算出された基板Ｗの中心ＷＣがある状態で、算出された基板Ｗの中心ＷＣが回転軸７１２の軸心７１２ｃ上に位置するように回転保持部７１３による基板Ｗの保持位置がｘ方向に移動される。

　その後、基板Ｗの中心ＷＣが回転軸７１２の軸心７１２ｃ上にある状態で、基板回転機構７１０により基板Ｗが回転されつつ周縁部の全周領域が処理される。それにより、周縁部処理機構７３０により処理される基板Ｗの周縁部の全周領域が基板Ｗの中心ＷＣに関して偏心することが抑制される。

　これらの結果、高コスト化および構成の複雑化を抑制しつつ基板Ｗの周縁部の処理を高い精度で容易に行うことが可能となる。

　（５）第２の実施の形態における変形例
　本実施の形態においては、第１の実施の形態と同様に、図７の記憶部７５０Ａに周縁部処理の処理条件として変更角度が記憶されてもよい。この場合、周縁部処理コントローラ７５０は、図８のステップＳ１０８の動作後、変更角度に基づいて、基板Ｗに対する回転保持部７１３の回転方向の角度位置が異なるように回転保持部７１３による基板Ｗの保持状態を複数の保持状態に変更し、各保持状態で基板Ｗを回転させつつ基板Ｗの周縁部の全周領域を処理してもよい。それにより、基板Ｗが回転軸７１２の軸心７１２ｃに直交する面から傾斜する状態で回転保持部７１３により吸着保持される場合でも、処理済みの周縁部の内縁のばらつきが低減される。その結果、基板Ｗの周縁部の処理をより高い精度で容易に行うことが可能になる。

　［３］第３の実施の形態
　第３の実施の形態に係る基板処理装置について図面を参照しつつ説明する。本実施の形態に係る基板処理装置は、第１または第２の実施の形態に係る周縁部処理装置７００の一例として、周縁部除去処理を行う周縁部除去ユニットを備える。周縁部除去ユニットでは、図１または図６の周縁部処理機構７３０として、基板Ｗの周縁部の周方向の一部領域ＰＡに除去液を吐出する除去ノズルが用いられる。この周縁部除去ユニットによれば、基板Ｗの表面上に形成される膜のうち周縁部の膜を高い精度で容易に除去することができる。

　また、本実施の形態に係る基板処理装置は、第１または第２の実施の形態に係る周縁部処理装置７００の他の例として、基板Ｗの周縁部の周方向の一部領域ＰＡに露光光を照射するエッジ露光ユニットとを備える。エッジ露光ユニットでは、図１または図６の周縁部処理機構７３０として、基板Ｗの表面上に形成される感光性膜のうち周縁部の感光性膜に露光光を照射する光照射器が用いられる。このエッジ露光ユニットによれば、基板Ｗの表面上に形成される感光性膜のうち周縁部の感光性膜を高い精度で容易に露光することができる。

　（１）基板処理装置の構成の概略
　図１０は、図１または図６の周縁部処理装置７００として周縁部除去ユニットおよびエッジ露光ユニットを備える基板処理装置の模式的平面図である。図１０および後述する図１１～図１３には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。

　図１０に示すように、基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、第１の処理ブロック１２、第２の処理ブロック１３、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂを備える。洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂにより、インターフェイスブロック１４が構成される。搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように露光装置１５が配置される。露光装置１５においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。

　インデクサブロック１１は、複数のキャリア載置部１１１および搬送部１１２を含む。各キャリア載置部１１１には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリア１１３が載置される。

　搬送部１１２には、メインコントローラ１１４および搬送装置１１５が設けられる。メインコントローラ１１４は、基板処理装置１００の種々の構成要素を制御する。搬送装置１１５は、基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。

　第１の処理ブロック１２は、塗布処理部１２１Ａ，１２１Ｂ、搬送部１２２および熱処理部１２３を含む。塗布処理部１２１Ａ，１２１Ｂは、Ｘ方向に並んで隣り合うように設けられる。また、塗布処理部１２１Ａ，１２１Ｂおよび熱処理部１２３は、搬送部１２２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１２２とインデクサブロック１１との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ１および後述する基板載置部ＰＡＳＳ２～ＰＡＳＳ４（図１３参照）が設けられる。搬送部１２２には、基板Ｗを搬送する搬送装置１２７および後述する搬送装置１２８（図１３参照）が設けられる。

　第２の処理ブロック１３は、現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３を含む。現像処理部１３１および熱処理部１３３は、搬送部１３２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１３２と搬送部１２２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ５および後述する基板載置部ＰＡＳＳ６～ＰＡＳＳ８（図１３参照）が設けられる。搬送部１３２には、基板Ｗを搬送する搬送装置１３７および後述する搬送装置１３８（図１３参照）が設けられる。

　洗浄乾燥処理ブロック１４Ａは、洗浄乾燥処理部１６１，１６２および搬送部１６３を含む。洗浄乾燥処理部１６１，１６２は、搬送部１６３を挟んで対向するように設けられる。搬送部１６３には、搬送装置１４１，１４２が設けられる。

　搬送部１６３と搬送部１３２との間には、載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ１および後述の載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ２（図１３参照）が設けられる。

　また、搬送装置１４１，１４２の間において、搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および後述の載置兼冷却部Ｐ－ＣＰ（図１３参照）が設けられる。

　搬入搬出ブロック１４Ｂには、搬送装置１４６が設けられる。搬送装置１４６は、露光装置１５に対する基板Ｗの搬入および搬出を行う。露光装置１５には、基板Ｗを搬入するための基板搬入部１５ａおよび基板Ｗを搬出するための基板搬出部１５ｂが設けられる。

　（２）塗布処理部および塗布現像処理部の構成
　図１１は、主として図１０の塗布処理部１２１Ａ，１２１Ｂ、現像処理部１３１および洗浄乾燥処理部１６１を示す基板処理装置１００の模式的側面図である。

　図１１に示すように、塗布処理部１２１Ａには、周縁部除去室２１，２３および塗布処理室２２，２４が階層的に設けられる。塗布処理部１２１Ｂには、周縁部除去室２５，２７および塗布処理室２６，２８が階層的に設けられる。周縁部除去室２１，２３，２５，２７の各々には、第１または第２の実施の形態に係る周縁部処理装置７００の一例として周縁部除去ユニットＲＵが設けられる。塗布処理室２２，２４，２６，２８の各々には、塗布処理ユニット（スピンコータ）ＣＵが設けられる。現像処理部１３１には、現像処理室３１，３２，３３，３４が階層的に設けられる。現像処理室３１，３２，３３，３４の各々には現像処理ユニット（スピンデベロッパ）１３９が設けられる。

　各塗布処理ユニットＣＵは、基板Ｗを保持して回転させる基板回転機構２９ａおよび基板回転機構２９ａの周囲を覆うように設けられるカップｃｐを備える。基板回転機構２９ａは、上記の基板回転機構７１０と同じ構成を有する。また、各塗布処理ユニットＣＵは、処理液ノズル２９ｂを備える。塗布処理ユニットＣＵにおいては、基板回転機構２９ａにより回転される基板Ｗに処理液ノズル２９ｂから処理液が吐出される。それにより、基板Ｗ上に処理液が塗布され、基板Ｗの表面に処理液の膜が形成される。

　周縁部除去室２１，２３，２５，２７の周縁部除去ユニットＲＵは、塗布処理室２２，２４，２６，２８にそれぞれ対応する。各周縁部除去ユニットＲＵは、図１または図６の構成を有するとともに基板回転機構７１０の周囲を覆うように設けられるカップｃｐを備え、図１または図６の周縁部処理機構７３０として除去ノズル７３１を備える。図１０および図１１では、周縁部除去ユニットＲＵのうち一部の構成のみが図示され、基板支持機構７４０等の図示は省略されている。周縁部除去ユニットＲＵにおいては、対応する塗布処理ユニットＣＵにより処理液の膜が形成された基板Ｗが基板回転機構７１０により回転される。回転される基板Ｗの周縁部に除去ノズル７３１から除去液（本例ではリンス液）が吐出される。それにより、基板Ｗの周縁部に形成された処理液の膜が除去される（周縁部除去処理）。

　塗布処理室２２，２４の塗布処理ユニットＣＵにおいては、反射防止膜用の処理液が処理液ノズル２９ｂから基板Ｗに供給される。塗布処理室２６，２８の塗布処理ユニットＣＵにおいては、感光性膜であるレジスト膜用の処理液が処理液ノズル２９ｂから基板Ｗに供給される。

　ここで、塗布処理部１２１Ａ，１２１Ｂに設けられる複数の周縁部除去ユニットＲＵの周縁部処理コントローラ７５０は、塗布処理部１２１Ａ，１２１Ｂの上部にローカルコントローラとして設けられてもよい。あるいは、図１０のメインコントローラ１１４が、複数の周縁部除去ユニットＲＵの周縁部処理コントローラ７５０により実行される各種処理を実行してもよい。

　各現像処理ユニット１３９は、３つの基板回転機構３５と３つの基板回転機構３５にそれぞれ対応する３つのカップ３７を備える。また、図１０に示すように、現像処理ユニット１３９は、現像液を吐出する２つの現像ノズル３８およびその現像ノズル３８をＸ方向に移動させる移動機構３９を備える。

　現像処理ユニット１３９においては、各基板回転機構３５により基板Ｗが回転されるとともに、一方の現像ノズル３８がＸ方向に移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給し、その後、他方の現像ノズル３８が移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。この場合、基板Ｗに現像液が供給されることにより、基板Ｗの現像処理が行われる。また、本実施の形態においては、２つの現像ノズル３８から互いに異なる現像液が吐出される。それにより、各基板Ｗに２種類の現像液を供給することができる。

　洗浄乾燥処理部１６１には、洗浄乾燥処理室８１，８２，８３，８４が階層的に設けられる。洗浄乾燥処理室８１～８４の各々には、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。

　図１０および図１１に示すように、塗布処理部１２１Ｂにおいて現像処理部１３１に隣接するように流体ボックス部５０が設けられる。同様に、現像処理部１３１において洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接するように流体ボックス部６０が設けられる。流体ボックス部５０および流体ボックス部６０内には、周縁部除去ユニットＲＵ、塗布処理ユニットＣＵおよび現像処理ユニット１３９への除去液、処理液および現像液の供給ならびに周縁部除去ユニットＲＵ、塗布処理ユニットＣＵおよび現像処理ユニット１３９からの排液および排気等に関する流体関連機器が収納される。流体関連機器は、導管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器等を含む。

　（３）熱処理部の構成
　図１２は、主として図１０の熱処理部１２３，１３３および洗浄乾燥処理部１６２を示す基板処理装置１００の模式的側面図である。図１２に示すように、熱処理部１２３は、上方に設けられる上段熱処理部３０１および下方に設けられる下段熱処理部３０２を有する。上段熱処理部３０１および下段熱処理部３０２には、複数の熱処理装置ＰＨＰ、複数の密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび複数の冷却ユニットＣＰが設けられる。

　熱処理装置ＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理が行われる。密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいては、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるための密着強化処理が行われる。具体的には、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板ＷにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）等の密着強化剤が塗布されるとともに、基板Ｗに加熱処理が行われる。冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの冷却処理が行われる。

　熱処理部１３３は、上方に設けられる上段熱処理部３０３および下方に設けられる下段熱処理部３０４を有する。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４の各々には、冷却ユニットＣＰおよび複数の熱処理装置ＰＨＰとともに、第１または第２の実施の形態に係る周縁部処理装置７００の一例としてエッジ露光ユニットＥＥＷが設けられる。

　エッジ露光ユニットＥＥＷは、図１または図６の構成を有し、図１または図６の周縁部処理機構７３０として光出射器７３２を備える。図１２では、エッジ露光ユニットＥＥＷのうち一部の構成のみが図示され、基板支持機構７４０等の図示は省略されている。エッジ露光ユニットＥＥＷにおいては、表面にレジスト膜が形成された基板Ｗが基板回転機構７１０により回転される。回転される基板Ｗの周縁部に光出射器７３２から露光光が照射される（エッジ露光処理）。

　上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４において、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣り合うように設けられる熱処理装置ＰＨＰは、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａからの基板Ｗの搬入が可能に構成される。

　洗浄乾燥処理部１６２には、洗浄乾燥処理室９１，９２，９３，９４，９５が階層的に設けられる。洗浄乾燥処理室９１～９５の各々には、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２は、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１と同じ構成を有する。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２においては、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。

　（４）搬送部の構成
　図１３は、主として図１０の搬送部１２２，１３２，１６３を示す側面図である。図１３に示すように、搬送部１２２は、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６を有する。搬送部１３２は、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６を有する。上段搬送室１２５には搬送装置（搬送ロボット）１２７が設けられ、下段搬送室１２６には搬送装置１２８が設けられる。また、上段搬送室１３５には搬送装置１３７が設けられ、下段搬送室１３６には搬送装置１３８が設けられる。

　搬送部１１２と上段搬送室１２５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が設けられ、搬送部１１２と下段搬送室１２６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が設けられる。上段搬送室１２５と上段搬送室１３５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が設けられ、下段搬送室１２６と下段搬送室１３６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が設けられる。

　上段搬送室１３５と搬送部１６３との間には、載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ１が設けられ、下段搬送室１３６と搬送部１６３との間には載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ２が設けられる。搬送部１６３において搬入搬出ブロック１４Ｂと隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および複数の載置兼冷却部Ｐ－ＣＰが設けられる。

　搬送装置１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６、周縁部除去室２１，２５（図１１）、塗布処理室２２，２６（図１１）および上段熱処理部３０１（図１２）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。搬送装置１２８は、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４，ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８、周縁部除去室２３，２７（図１１）、塗布処理室２４，２８（図１１）および下段熱処理部３０２（図１２）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。

　搬送装置１３７は、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６、載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ１、現像処理室３１，３２（図１１）および上段熱処理部３０３（図１２）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。搬送装置１３８は、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８、載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ２、現像処理室３３，３４（図１１）および下段熱処理部３０４（図１２）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。

　搬送部１６３の搬送装置１４１（図１０）は、載置兼冷却部Ｐ－ＣＰ、基板載置部ＰＡＳＳ９、載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ１，Ｐ－ＢＦ２および洗浄乾燥処理部１６１（図１１）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。

　搬送部１６３の搬送装置１４２（図１０）は、載置兼冷却部Ｐ－ＣＰ、基板載置部ＰＡＳＳ９、載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ１，Ｐ－ＢＦ２、洗浄乾燥処理部１６２（図１２）、上段熱処理部３０３（図１２）および下段熱処理部３０４（図１２）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。

　（５）基板処理装置の動作
　図１０～図１３を参照しながら基板処理装置１００の動作を説明する。なお、本実施の形態に係る基板処理装置１００では、基板Ｗの表面が上方に向けられた状態で、基板Ｗに各種処理が行われる。

　インデクサブロック１１のキャリア載置部１１１（図１０）に、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置される。搬送装置１１５は、キャリア１１３から基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３（図１３）に未処理の基板Ｗを搬送する。また、搬送装置１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４（図１３）に載置された処理済の基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。

　第１の処理ブロック１２において、搬送装置１２７（図１３）は、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図１２）、冷却ユニットＣＰ（図１２）および塗布処理室２２（図１１）に順に搬送する。次に、搬送装置１２７は、塗布処理室２２により反射防止膜が形成された基板Ｗを周縁部除去室２１（図１１）、熱処理装置ＰＨＰ（図１２）、冷却ユニットＣＰ（図１２）および塗布処理室２６（図１１）に順に搬送する。続いて、搬送装置１２７は、塗布処理室２６によりレジスト膜が形成された基板Ｗを、周縁部除去室２５（図１１）、熱処理装置ＰＨＰ（図１２）および基板載置部ＰＡＳＳ５（図１３）に順に搬送する。

　この場合、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板Ｗに密着強化処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、反射防止膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２２において、塗布処理ユニットＣＵ（図１１）により基板Ｗ上に反射防止膜が形成される。その後、周縁部除去室２１において、周縁部除去ユニットＲＵの周縁部除去処理により、基板Ｗの周縁部上の反射防止膜が除去される。続いて、熱処理装置ＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、レジスト膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２６において、塗布処理ユニットＣＵ（図１１）により、基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。その後、周縁部除去室２５において、周縁部除去ユニットＲＵの周縁部除去処理により、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が除去される。続いて、熱処理装置ＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。

　また、搬送装置１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ６（図１３）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２（図１３）に搬送する。

　搬送装置１２８（図１３）は、基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図１２）、冷却ユニットＣＰ（図１２）および塗布処理室２４（図１１）に順に搬送する。次に、搬送装置１２８は、塗布処理室２４により反射防止膜が形成された基板Ｗを周縁部除去室２３（図１１）、熱処理装置ＰＨＰ（図１２）、冷却ユニットＣＰ（図１２）および塗布処理室２８（図１１）に順に搬送する。続いて、搬送装置１２８は、塗布処理室２８によりレジスト膜が形成された基板Ｗを、周縁部除去室２７（図１１）、熱処理装置ＰＨＰ（図１２）および基板載置部ＰＡＳＳ７（図１３）に順に搬送する。

　また、搬送装置１２８（図１３）は、基板載置部ＰＡＳＳ８（図１３）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４（図１３）に搬送する。塗布処理室２４，２８（図１１）、周縁部除去室２３，２７（図１１）および下段熱処理部３０２（図１２）における基板Ｗの処理内容は、上記の塗布処理室２２，２６（図１１）、周縁部除去室２１，２５（図１１）および上段熱処理部３０１（図１２）における基板Ｗの処理内容と同様である。

　第２の処理ブロック１３において、搬送装置１３７（図１３）は、基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗをエッジ露光ユニットＥＥＷ（図１２）および載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ１（図１３）に順に搬送する。この場合、エッジ露光ユニットＥＥＷにおいて、基板Ｗにエッジ露光処理が行われる。エッジ露光処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ１に載置される。

　また、搬送装置１３７（図１３）は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接する熱処理装置ＰＨＰ（図１２）から露光装置１５による露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送装置１３７は、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図１２）、現像処理室３１，３２（図１１）のいずれか一方、熱処理装置ＰＨＰ（図１２）および基板載置部ＰＡＳＳ６（図１３）に順に搬送する。

　この場合、冷却ユニットＣＰにおいて、現像処理に適した温度に基板Ｗが冷却された後、現像処理室３１，３２のいずれか一方において、現像処理ユニット１３９により基板Ｗの現像処理が行われる。その後、熱処理装置ＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。

　搬送装置１３８（図１３）は、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗをエッジ露光ユニットＥＥＷ（図１２）および載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ２（図１３）に順に搬送する。

　また、搬送装置１３８（図１３）は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接する熱処理装置ＰＨＰ（図１２）から露光装置１５による露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送装置１３８は、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図１２）、現像処理室３３，３４（図１１）のいずれか一方、熱処理装置ＰＨＰ（図１２）および基板載置部ＰＡＳＳ８（図１３）に順に搬送する。現像処理室３３，３４および下段熱処理部３０４における基板Ｗの処理内容は、上記の現像処理室３１，３２および上段熱処理部３０３（図１２）における基板Ｗの処理内容と同様である。

　洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおいて、搬送装置１４１（図１０）は、載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ１，Ｐ－ＢＦ２（図１３）に載置された基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６１の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１（図１１）に搬送する。続いて、搬送装置１４１は、基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１から載置兼冷却部Ｐ－ＣＰ（図１３）に搬送する。この場合、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１において、基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われた後、載置兼冷却部Ｐ－ＣＰにおいて、露光装置１５（図１０）における露光処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。

　搬送装置１４２（図１０）は、基板載置部ＰＡＳＳ９（図１３）に載置された露光処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６２の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２（図１２）に搬送する。また、搬送装置１４２は、洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２から上段熱処理部３０３の熱処理装置ＰＨＰ（図１２）または下段熱処理部３０４の熱処理装置ＰＨＰ（図１２）に搬送する。この熱処理装置ＰＨＰにおいては、露光後ベーク（ＰＥＢ）処理が行われる。

　搬入搬出ブロック１４Ｂにおいて、搬送装置１４６（図１０）は、載置兼冷却部Ｐ－ＣＰ（図１３）に載置された露光処理前の基板Ｗを露光装置１５の基板搬入部１５ａ（図１０）に搬送する。また、搬送装置１４６（図１０）は、露光装置１５の基板搬出部１５ｂ（図１０）から露光処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９（図１３）に搬送する。

　なお、露光装置１５が基板Ｗの受け入れをできない場合、露光処理前の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ１，Ｐ－ＢＦ２に一時的に収容される。また、第２の処理ブロック１３の現像処理ユニット１３９（図１１）が露光処理後の基板Ｗの受け入れをできない場合、露光処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ１，Ｐ－ＢＦ２に一時的に収容される。

　上記の基板処理装置１００においては、上段に設けられた周縁部除去室２１，２５、塗布処理室２２，２６、現像処理室３１，３２および上段熱処理部３０１，３０３における基板Ｗの処理と、下段に設けられた周縁部除去室２３，２７、塗布処理室２４，２８、現像処理室３３，３４および下段熱処理部３０２，３０４における基板Ｗの処理とを並行して行うことができる。それにより、フットプリントを増加させることなく、スループットを向上させることができる。

　（６）第３の実施の形態の効果
　本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、基板Ｗの表面に反射防止膜が形成された後、周縁部除去室２１，２３の周縁部除去ユニットＲＵにより、基板の表面上に形成された反射防止膜のうち周縁部の反射防止膜が除去される。

　それにより、反射防止膜形成後の基板Ｗの搬送時または保管時に基板の周縁部から反射防止膜が剥離することに起因する基板Ｗの処理不良の発生が抑制される。

　また、基板Ｗの表面にレジスト膜が形成された後、周縁部除去室２５，２７の周縁部除去ユニットＲＵにより、基板Ｗの表面上に形成されたレジスト膜のうち周縁部のレジスト膜が除去される。それにより、レジスト膜形成後の基板Ｗの搬送時または保管時に基板の周縁部からレジスト膜が剥離することに起因する基板Ｗの処理不良の発生が抑制される。

　さらに、上記の基板処理装置１００においては、基板Ｗの表面にレジスト膜が形成された後、基板Ｗの表面上に形成されたレジスト膜のうち周縁部のレジスト膜がエッジ露光ユニットＥＥＷにより露光される。その後、露光装置１５により基板Ｗが露光され、露光後の基板Ｗが現像される。この場合、現像処理後の基板Ｗの表面の周縁部にレジスト膜が存在しない。したがって、現像処理後の基板Ｗの搬送時または保管時に基板Ｗの周縁部からレジスト膜が剥離することに起因する基板Ｗの処理不良の発生が抑制される。

　また、上記の周縁部除去ユニットＲＵおよびエッジ露光ユニットＥＥＷによれば、基板処理装置１００の高コスト化および構成の複雑化が抑制される。

　［４］他の実施の形態
　（１）第１の実施の形態では、基板Ｗが基板支持機構７４０の複数の支持ピン７４３により支持された状態で回転保持部７１３が回転することにより、回転保持部７１３による基板Ｗの保持状態が変更されるが、本発明はこれに限定されない。基板Ｗが基板支持機構７４０の複数の支持ピン７４３により支持された状態で回転保持部７１３を回転させる代わりに、基板Ｗが基板支持機構７４０の複数の支持ピン７４３により支持された状態で複数の支持ピン７４３を回転軸７１２の周りで回転させてもよい。この場合、回転保持部７１３に対して基板Ｗが回転することにより基板Ｗに対する回転保持部７１３の回転方向の角度位置が変更される。

　（２）第２の実施の形態では、基板Ｗが基板支持機構７４０の複数の支持ピン７４３により支持された状態で移動機構７９０がｘ方向に移動することにより、回転保持部７１３による基板Ｗの保持位置が移動されるが、本発明はこれに限定されない。基板Ｗが基板支持機構７４０の複数の支持ピン７４３により支持された状態で移動機構７９０がｘ方向に移動する代わりに、支持状態にある回転保持部７１３上に載置された基板Ｗの外周端部ＷＥの一部をｘ方向に付勢することにより、回転保持部７１３による基板Ｗの保持位置を移動させてもよい。この場合、基板支持機構７４０が不要となり、部品点数が低減される。

　（３）第２の実施の形態に係る周縁部処理装置７００においては、移動機構７９０は、基板支持機構７４０に代えて基板回転機構７１０をｘ方向に移動可能に支持してもよい。この場合、基板支持機構７４０の複数の支持ピン７４３により基板Ｗが支持された状態で、移動機構７９０が基板回転機構７１０をｘ方向に移動させることにより、回転保持部７１３による基板Ｗの保持位置が移動されてもよい。

　（４）上記実施の形態においては、周縁部処理の一例として、表面上にレジスト膜が形成された基板Ｗの周縁部除去処理と、表面上に反射防止膜が形成された基板Ｗの周縁部除去処理とを説明したが、周縁部除去処理により除去することが可能な膜は、上記の例に限定されない。

　周縁部除去処理により除去することが可能な膜としては、上記のレジスト膜および反射防止膜の他、ＳＯＧ（Spin On Glass）により基板Ｗの表面上に形成される薄膜、ＳＯＣ（Spin On Carbon）により基板Ｗの表面上に形成される薄膜、金属を含有する塗布膜および密着膜等がある。

　（５）上記実施の形態においては、周縁部処理の一例として周縁部除去処理およびエッジ露光処理を説明したが、周縁部処理は上記の例に限定されない。周縁部処理装置７００においては、周縁部処理として基板Ｗの周縁部に塗布液の膜を形成する周縁部塗布処理が行われてもよい。例えば、基板Ｗの周縁部の表面が粗いために基板Ｗの周縁部に異物が付着しやすくなることがある。このような場合、基板Ｗの周縁部に塗布液の膜を形成することにより、基板Ｗの周縁部が被覆される。これにより、基板Ｗの周縁部に異物が付着することを防止することができる。あるいは、周縁部処理装置７００においては、周縁部処理として基板Ｗの周縁部を研磨する周縁部研磨処理が行われてもよい。

　（６）第３の実施の形態に係る基板処理装置１００では、液浸法により基板Ｗの露光処理を行う露光装置１５が基板処理装置１００の外部装置として設けられるが、本発明はこれに限定されない。液体を用いずに基板Ｗの露光処理を行う露光装置が基板処理装置１００の外部装置として設けられてもよい。

　（７）第３の実施の形態に係る基板処理装置１００は、基板Ｗに対してレジスト膜の塗布形成処理および現像処理を行う基板処理装置（いわゆるコータ／デベロッパ）であるが、周縁部処理装置７００が設けられる基板処理装置は上記の例に限定されない。基板Ｗに単一の処理を行う基板処理装置に本発明が適用されてもよい。例えば、本発明の一局面に従う基板処理装置は、搬送装置および基板載置部等を含むインデクサブロックと１または複数の周縁部処理装置７００とで構成されてもよい。

　［５］請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応関係
　以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

　上記の実施の形態では、基板Ｗが基板の例であり、基板Ｗの表面が基板の一面の例であり、周縁部処理装置７００、周縁部除去ユニットＲＵおよびエッジ露光ユニットＥＥＷが周縁部処理装置の例であり、回転軸７１２の軸心が回転軸の例であり、回転保持部７１３が回転保持部の例であり、基板回転機構７１０の回転駆動部７１１および基板支持機構７４０が保持状態変更部の例であり、基板Ｗの周縁部の周方向の一部領域ＰＡが基板の周縁部の周方向の一部領域の例であり、周縁部処理機構７３０が周縁部処理部の例である。

　また、周縁部処理コントローラ７５０が制御部、第１の制御部、第２の制御部および第３の制御部の例であり、周縁部撮像機構７２０および周縁部処理コントローラ７５０の基板中心算出部７５４が基板中心算出部の例であり、基板支持機構７４０および移動機構７９０が保持位置移動部の例であり、反射防止膜およびレジスト膜が膜の例であり、レジスト膜が感光性膜の例であり、露光装置１５が露光装置の例であり、基板処理装置１００が基板処理装置の例であり、塗布処理ユニットＣＵが膜形成装置の例であり、現像処理ユニット１３９が現像処理装置の例であり、搬送装置１１５，１２７，１２８，１３７，１３８，１４１，１４２，１４６が搬送装置の例である。

　請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。

　本発明は、基板の周縁部処理に有効に利用することができる。

Claims

少なくとも一部が円形の外周部を有する基板の一面における前記外周部に沿った環状の周縁部に処理を行う周縁部処理装置であって、
　基板を保持するとともに上下方向に延びる回転軸の周りで回転させる回転保持部と、
　基板に対する前記回転保持部の回転方向の角度位置が異なるように、前記回転保持部による基板の保持状態を複数の保持状態に変更する保持状態変更部と、
　前記回転保持部により回転される基板の前記周縁部の周方向の一部領域に前記処理を行う周縁部処理部と、
　前記複数の保持状態の各々において前記回転保持部により基板を回転させつつ前記周縁部処理部により前記周縁部の全周領域を処理させる制御部とを備える、周縁部処理装置。
少なくとも一部が円形の外周部を有する基板の一面における前記外周部に沿った環状の周縁部に処理を行う周縁部処理装置であって、
　基板を保持するとともに上下方向に延びる回転軸の周りで回転させる回転保持部と、
　前記回転保持部により保持される基板の中心を算出する基板中心算出部と、
　前記回転保持部による基板の保持位置を前記回転軸に直交する一方向に移動させる保持位置移動部と、
　前記回転保持部により回転される基板の前記周縁部の周方向の一部領域に前記処理を行う周縁部処理部と、
　前記回転軸と交わる前記一方向の直線上に前記基板中心算出部により算出された基板の中心が位置するように前記回転保持部を制御する第１の制御部と、
　前記直線上に前記算出された基板の中心がある状態で、前記回転保持部による基板の保持位置を前記一方向に移動させることにより前記算出された基板の中心が前記回転軸上に位置するように前記保持位置移動部を制御する第２の制御部と、
　前記算出された基板の中心が前記回転軸上にある状態で、前記回転保持部により基板を回転させつつ前記周縁部処理部により前記周縁部の全周領域を処理させる第３の制御部とを備える、周縁部処理装置。
基板に対する前記回転保持部の回転方向の角度位置が異なるように、前記回転保持部による基板の保持状態を複数の保持状態に変更する保持状態変更部をさらに備え、
　前記第３の制御部は、前記算出された基板の中心が前記回転軸上にある状態で、前記保持状態変更部により基板の保持状態を複数の保持状態に変更させるとともに、前記複数の保持状態の各々において前記回転保持部により基板を回転させつつ前記周縁部処理部により前記周縁部の全周領域を処理させる、請求項２記載の周縁部処理装置。
基板の前記一面には膜が形成され、
　前記周縁部処理部は、前記処理として基板の前記周縁部の周方向の一部領域に形成された膜を除去する、請求項１～３のいずれか一項に記載の周縁部処理装置。
基板の前記一面には感光性膜が形成され、
　前記周縁部処理部は、前記処理として基板の前記周縁部の周方向の一部領域に形成された感光性膜を露光する、請求項１～３のいずれか一項に記載の周縁部処理装置。
露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
　基板の一面に感光性膜を形成する膜形成装置と、
　請求項１～３のいずれか一項に記載の周縁部処理装置と、
　前記露光装置による露光後の基板に前記感光性膜の現像処理を行う現像処理装置と、
　前記膜形成装置、前記周縁部処理装置、前記現像処理装置および前記露光装置の間で基板を搬送する搬送装置とを備え、
　前記周縁部処理装置は、前記処理として、前記塗布装置により感光性膜が形成された後かつ前記露光装置による露光前の基板の前記周縁部の感光性膜を除去または露光する、基板処理装置。
少なくとも一部が円形の外周部を有する基板の一面における前記外周部に沿った環状の周縁部に処理を行う周縁部処理方法であって、
　基板を保持するとともに上下方向に延びる回転軸の周りで回転させることが可能な回転保持部を用いて基板を保持するステップと、
　基板に対する前記回転保持部の回転方向の角度位置が異なるように、前記回転保持部による基板の保持状態を複数の保持状態に変更するステップと、
　前記複数の保持状態の各々において、前記回転保持部により基板を回転させつつ回転される基板の前記周縁部の周方向の一部領域に前記処理を行うことにより前記周縁部の全周領域を処理するステップとを含む、周縁部処理方法。
少なくとも一部が円形の外周部を有する基板の一面における前記外周部に沿った環状の周縁部に処理を行う周縁部処理方法であって、
　基板を保持するとともに上下方向に延びる回転軸の周りで回転させることが可能な回転保持部を用いて基板を保持するステップと、
　前記回転保持部により保持される基板の中心を算出するステップと、
　前記回転軸に直交して一方向に延びる直線上に前記基板中心算出部により算出された基板の中心が位置するように前記回転保持部を制御するステップと、
　前記直線上に前記算出された基板の中心がある状態で、前記算出された基板の中心が前記回転軸上に位置するように前記回転保持部による基板の保持位置を前記一方向に移動させるステップと、
　前記算出された基板の中心が前記回転軸上にある状態で、前記回転保持部により基板を回転させつつ回転される基板の前記周縁部の周方向の一部領域に前記処理を行うことにより前記周縁部の全周領域を処理するステップとを含む、周縁部処理方法。
基板に対する前記回転保持部の回転方向の角度位置が異なるように、前記回転保持部による基板の保持状態を複数の保持状態に変更するステップをさらに含み、
　前記処理するステップは、前記算出された基板の中心が前記回転軸上にある状態で、前記複数の保持状態の各々において、前記回転保持部により基板を回転させつつ回転される基板の前記周縁部の周方向の一部領域に前記処理を行うことにより前記周縁部の全周領域を処理するステップを含む、請求項８記載の周縁部処理方法。