JP2021125646A - ウエーハの中心検出方法及びウエーハの中心検出装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の実施形態1に係るウエーハの中心検出装置1及びウエーハの中心検出方法を図面に基づいて説明する。図1は、実施形態1に係るウエーハの中心検出装置1の構成例を示す斜視図である。ウエーハの中心検出装置1は、図1に示すように、保持テーブル10と、撮像ユニット20と、画像解析ユニット30と、を備える。
本発明の実施形態2に係る加工装置600,700,800を図面に基づいて説明する。図10は、実施形態2の第1例に係る加工装置600の構成例を示す斜視図である。図11は、実施形態2の第2例に係る加工装置700の構成例を示す斜視図である。図12は、実施形態2の第3例に係る加工装置800の構成例を示す斜視図である。図10から図12は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
10 保持テーブル
11 保持面
12 回転駆動部
20 撮像ユニット
21 撮像部
22 駆動部
30 画像解析ユニット
31 外縁検出ユニット
32 座標算出ユニット
33 中心座標算出ユニット
40 制御ユニット
41 撮像制御部
100 ウエーハ
110 外縁
Claims (6)
- ウエーハの中心検出方法であって、
ウエーハを保持テーブルに載せるウエーハ保持ステップと、
ウエーハの外縁が撮像されるように撮像ユニットと該保持テーブルとを位置付ける位置付けステップと、
該位置付けステップの後に、該保持テーブルを任意の角度の範囲で回転させながら、該撮像ユニットによって該外縁を撮像し、回転角度に関連付けて複数の画像を記録する撮像ステップと、
該撮像ステップに撮像された各画像における外縁の位置を検出する外縁検出ステップと、
各画像における外縁の位置と、画像撮像時の該保持テーブルの回転角度と、からウエーハの外縁の座標を取得する座標取得ステップと、
該座標取得ステップで取得された少なくとも3点以上の該外縁の座標から近似円を計算し、ウエーハの中心座標を取得する中心座標算出ステップと、
を含むことを特徴とするウエーハの中心検出方法。 - 該中心座標算出ステップにおいて、該近似円からしきい値以上外れる座標を誤認識と判断して除外後、再度近似円を計算し中心を算出することを特徴とする請求項1に記載のウエーハの中心検出方法。
- 該中心座標算出ステップおいて、ウエーハの外径をさらに求めることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のウエーハの中心検出方法。
- ウエーハの中心検出装置であって、
ウエーハを保持する回転可能な保持テーブルと、
該保持テーブルを任意の角度の範囲で回転させながら、回転角度に関連付けてウエーハの外縁の複数の画像を撮像する撮像ユニットと、
画像処理により各画像における外縁の位置を検出する外縁検出ユニットと、
各画像における外縁の位置と、画像取得時の該保持テーブルの回転角度と、からウエーハの外縁の座標を算出する座標算出ユニットと、
少なくとも3点以上の該外縁の該座標を通る近似円を計算し、ウエーハの中心座標を算出する中心座標算出ユニットと、
を備えることを特徴とするウエーハの中心検出装置。 - 該中心座標算出ユニットは、該近似円からしきい値以上外れる座標を誤認識と判断して除外後、再度近似円を計算し中心を算出することを特徴とする請求項4に記載のウエーハの中心検出装置。
- 該中心座標算出ユニットは、ウエーハの外径をさらに求めることを特徴とする請求項4または請求項5に記載のウエーハの中心検出装置。
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Cited By (2)
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---|---|---|---|---|
CN114628299A (zh) * | 2022-03-16 | 2022-06-14 | 江苏京创先进电子科技有限公司 | 晶圆对中确认方法及太鼓环切割方法 |
CN116423689A (zh) * | 2023-06-13 | 2023-07-14 | 江苏京创先进电子科技有限公司 | 太鼓晶圆对中确定方法及太鼓晶圆切割方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6457104A (en) * | 1987-08-28 | 1989-03-03 | Nikon Corp | Measuring apparatus of amount of positional deviation of circular substrate |
JPH07263518A (ja) * | 1994-03-18 | 1995-10-13 | Fujitsu Ltd | 半導体ウェハの搬送装置及び搬送方法並びに半導体ウェハ処理装置 |
JPH09186061A (ja) * | 1995-12-28 | 1997-07-15 | Nikon Corp | 位置決め方法 |
JP2009088184A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Yamatake Corp | 画像処理装置 |
JP2011163853A (ja) * | 2010-02-08 | 2011-08-25 | Sumco Corp | 画像データ処理方法および画像作成方法 |
WO2018055817A1 (ja) * | 2016-09-21 | 2018-03-29 | 株式会社Screenホールディングス | 周縁部処理装置、基板処理装置および周縁部処理方法 |
-
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6457104A (en) * | 1987-08-28 | 1989-03-03 | Nikon Corp | Measuring apparatus of amount of positional deviation of circular substrate |
JPH07263518A (ja) * | 1994-03-18 | 1995-10-13 | Fujitsu Ltd | 半導体ウェハの搬送装置及び搬送方法並びに半導体ウェハ処理装置 |
JPH09186061A (ja) * | 1995-12-28 | 1997-07-15 | Nikon Corp | 位置決め方法 |
JP2009088184A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Yamatake Corp | 画像処理装置 |
JP2011163853A (ja) * | 2010-02-08 | 2011-08-25 | Sumco Corp | 画像データ処理方法および画像作成方法 |
WO2018055817A1 (ja) * | 2016-09-21 | 2018-03-29 | 株式会社Screenホールディングス | 周縁部処理装置、基板処理装置および周縁部処理方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114628299A (zh) * | 2022-03-16 | 2022-06-14 | 江苏京创先进电子科技有限公司 | 晶圆对中确认方法及太鼓环切割方法 |
CN116423689A (zh) * | 2023-06-13 | 2023-07-14 | 江苏京创先进电子科技有限公司 | 太鼓晶圆对中确定方法及太鼓晶圆切割方法 |
CN116423689B (zh) * | 2023-06-13 | 2023-09-15 | 江苏京创先进电子科技有限公司 | 太鼓晶圆对中确定方法及太鼓晶圆切割方法 |
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