JP5022793B2 - 半導体ウエハの欠陥位置検出方法 - Google Patents
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半導体ウエハの外周形状を第1検出手段で検出する過程と、
前記第1検出手段の検出結果に基づいて半導体ウエハの中心位置を求める過程と、
前記半導体ウエハ面の外周領域に対して垂直に光を照射し、半導体ウエハ面から垂直に反射して戻る反射光を当該光路上に配備した光学部材で撮像手段に導いて検出する第2検出手段で受光する過程と、
前記第2検出手段の検出結果に基づいて位置決め部位を検出し、当該位置決め部位の位置を求める過程と、
前記第2検出手段の検出結果に基づいて欠陥を検出し、当該欠陥の位置を求める過程と
を備えたことを特徴とする。
前記欠陥の位置は、前記位置決め部位を基準位置とし、当該基準位置から半導体ウエハ周方向へのズレ量として求めることを特徴とする。
前記欠陥の位置情報に基づいて、前記半導体ウエハへの粘着テープの貼付け方向を決定する決定することを特徴とする。
前記半導体ウエハは、パターン形成面に保護テープが貼り付けられており、
前記欠陥の位置情報に基づいて、前記保護テープの剥離方向を決定することを特徴とする。
前記半導体ウエハの欠陥の位置情報を次工程に送ることを特徴とする。
CCDカメラ12の連続撮像によって得られた画像からノッチKと思われる候補が、面積比較によって一致する部分が選択される(ステップS11)。このとき利用される画像は、光源10から照射された光がウエハ裏面で反射して戻る反射光の略全量を受光して得られたものなので、ウエハ裏面の正常状態の部分は白く強調され、それ以外のウエハ外周端のノッチ、欠け、割れ、およびウエハ外周領域については黒く現れる。
CCDカメラ12の連続撮像によって得られた画像から欠けと思われる候補が、面積比較によって一致する部分が選択される(ステップS21)。
CCDカメラ12の連続撮像によって得られた画像から濃淡の変化によってウエハ割れが選択される(ステップS31)。このとき利用される画像は、光源10から照射された光がウエハ裏面で反射して戻る反射光の略全量を受光して得られたものなので、ウエハ裏面の正常状態の部分は白く強調され、それ以外のウエハ外周端のノッチ、欠け、割れ、およびウエハ外周領域については黒く現れる。すなわち、ウエハ裏面の性状に起因する乱反射の影響を除去し、白色表示されるウエハ裏面の画像上に微細な割れが鮮明に表示される。
6 … 第2検出手段(欠陥検出機構)
K … 位置決め部位(ノッチ)
PT … 保護テープ
W … 半導体ウエハ
Claims (5)
- 半導体ウエハの外周形状を第1検出手段で検出する過程と、
前記第1検出手段の検出結果に基づいて半導体ウエハの中心位置を求める過程と、
前記半導体ウエハ面の外周領域に対して垂直に光を照射し、半導体ウエハ面から垂直に反射して戻る反射光を当該光路上に配備した光学部材で撮像手段に導いて検出する第2検出手段で受光する過程と、
前記第2検出手段の検出結果に基づいて位置決め部位を検出し、当該位置決め部位の位置を求める過程と、
前記第2検出手段の検出結果に基づいて欠陥を検出し、当該欠陥の位置を求める過程と
を備えたことを特徴とする半導体ウエハの欠陥位置検出方法。 - 請求項1に記載の半導体ウエハの欠陥位置検出方法において、
前記欠陥の位置は、前記位置決め部位を基準位置とし、当該基準位置から半導体ウエハ周方向へのズレ量として求める、
ことを特徴とする半導体ウエハの欠陥位置検出方法。 - 請求項1または請求項2に記載の半導体ウエハの欠陥位置検出方法において、
前記欠陥の位置情報に基づいて、前記半導体ウエハへの粘着テープの貼付け方向を決定する、
ことを特徴とする半導体ウエハの欠陥位置検出方法。 - 請求項1または請求項2に記載の半導体ウエハの欠陥位置検出方法において、
前記半導体ウエハは、パターン形成面に保護テープが貼り付けられており、
前記欠陥の位置情報に基づいて、前記保護テープの剥離方向を決定する、
ことを特徴とする半導体ウエハの欠陥位置検出方法。 - 請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の半導体ウエハの欠陥位置検出方法において、
前記半導体ウエハの欠陥の位置情報を次工程に送る、
ことを特徴とする半導体ウエハの欠陥位置検出方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160112241A (ko) * | 2015-03-18 | 2016-09-28 | 세메스 주식회사 | 검사 방법 및 기판 처리 장치 |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4693817B2 (ja) * | 2007-07-02 | 2011-06-01 | 日東電工株式会社 | 半導体ウエハへの粘着テープ貼付け方法および保護テープの剥離方法 |
JP4918537B2 (ja) * | 2008-12-11 | 2012-04-18 | 日東電工株式会社 | 半導体ウエハの保護テープ剥離方法および保護テープ剥離装置 |
TWI386643B (zh) * | 2009-04-17 | 2013-02-21 | Chipmos Technologies Inc | 晶圓缺陷標示系統 |
WO2012132273A1 (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-04 | 東レエンジニアリング株式会社 | 外観検査方法およびその装置 |
KR101829676B1 (ko) * | 2011-12-29 | 2018-02-20 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 열 처리 방법 |
CN102937594B (zh) * | 2012-11-02 | 2015-01-21 | 上海华力微电子有限公司 | 一种缺陷检测系统及方法 |
CN103134427B (zh) * | 2013-03-07 | 2016-12-07 | 苏州吉视电子科技有限公司 | 圆环零件识别方法 |
CN103295930B (zh) * | 2013-06-04 | 2017-07-07 | 上海华力微电子有限公司 | 一种快速高效的晶背缺陷识别方法 |
TWI527085B (zh) * | 2013-08-27 | 2016-03-21 | Toshiba Kk | Inspection device and inspection method |
CN103489817B (zh) * | 2013-09-30 | 2016-01-27 | 上海华力微电子有限公司 | 缺陷检测系统及方法 |
CN103646895B (zh) * | 2013-11-29 | 2016-05-04 | 上海华力微电子有限公司 | 检测缺陷扫描程式灵敏度的方法 |
KR101507950B1 (ko) * | 2013-11-29 | 2015-04-07 | (주)넥스틴 | 웨이퍼 영상 검사 장치 |
CN103646889A (zh) * | 2013-11-29 | 2014-03-19 | 上海华力微电子有限公司 | 晶圆缺陷检测方法 |
US9886029B2 (en) | 2013-12-02 | 2018-02-06 | Daihen Corporation | Workpiece processing apparatus and workpiece transfer system |
TWI695441B (zh) * | 2013-12-02 | 2020-06-01 | 日商大亨股份有限公司 | 工件處理裝置、工件輸送系統 |
CN105603383B (zh) * | 2014-11-24 | 2017-12-29 | 中晟光电设备(上海)股份有限公司 | 托盘晶圆定位系统、方法及mocvd设备 |
CN106290390B (zh) * | 2015-05-24 | 2019-11-26 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 缺陷检测装置及方法 |
CN107664476B (zh) * | 2016-07-28 | 2020-06-05 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种用于半导体设备的光学检测装置和检测方法 |
CN107153065B (zh) * | 2017-05-31 | 2019-09-17 | 上海华力微电子有限公司 | 一种晶圆颗粒检测系统及方法 |
JP2019040919A (ja) * | 2017-08-22 | 2019-03-14 | 株式会社ディスコ | 切削装置及び溝検出方法 |
CN107907598B (zh) * | 2017-11-16 | 2021-01-26 | 马鞍山钢铁股份有限公司 | 一种防止钢板边部探伤跑偏的装置及方法 |
JP7071181B2 (ja) * | 2018-03-20 | 2022-05-18 | キヤノン株式会社 | 異物検査装置、成形装置および物品製造方法 |
CN110727247B (zh) * | 2018-07-17 | 2022-10-04 | 敖翔科技股份有限公司 | 半导体厂缺陷操作系统及装置 |
CN110857924A (zh) * | 2018-08-22 | 2020-03-03 | 皓琪科技股份有限公司 | 协助阵列排版的电路板辨识且记录缺陷位置的系统 |
CN110017970B (zh) * | 2019-05-21 | 2024-07-12 | 深圳市杰普特光电股份有限公司 | 激光巴条检测系统 |
CN113064251B (zh) * | 2021-03-24 | 2023-03-14 | 上海晨兴希姆通电子科技有限公司 | 透镜定位方法及其系统 |
US20230068016A1 (en) * | 2021-08-26 | 2023-03-02 | Kla Corporation | Systems and methods for rotational calibration of metrology tools |
CN113725109B (zh) * | 2021-08-26 | 2024-01-05 | 苏州新尚思自动化设备有限公司 | Pin Hole晶圆检查机 |
CN113538433B (zh) * | 2021-09-17 | 2021-11-26 | 海门市创睿机械有限公司 | 基于人工智能的机械铸件缺陷检测方法及系统 |
CN114002226B (zh) * | 2021-10-29 | 2024-01-26 | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 | 一种硅片检测方法 |
CN115561261B (zh) * | 2022-11-14 | 2023-02-03 | 昂坤视觉(北京)科技有限公司 | 侧边检测设备及其光学检测方法 |
CN115993368B (zh) * | 2023-03-24 | 2023-06-02 | 通威微电子有限公司 | 晶片贯穿型缺陷检测装置和方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6157837A (ja) * | 1984-08-30 | 1986-03-24 | Toshiba Corp | 外観検査装置 |
JP2949528B2 (ja) * | 1991-03-13 | 1999-09-13 | 東京エレクトロン株式会社 | ウエハの中心位置検出方法及びその装置 |
JP2876507B2 (ja) * | 1993-04-14 | 1999-03-31 | 日立電子エンジニアリング株式会社 | ウエハ異物検査装置 |
JP3820278B2 (ja) * | 1995-04-07 | 2006-09-13 | 日東電工株式会社 | 円板状体の中心決定装置 |
JPH1089904A (ja) * | 1996-09-17 | 1998-04-10 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | Vノッチウェハ位置決め装置 |
JP2001305071A (ja) * | 2000-04-21 | 2001-10-31 | Nikon Corp | 欠陥検査装置 |
KR100537684B1 (ko) * | 2001-09-19 | 2005-12-20 | 올림푸스 가부시키가이샤 | 반도체웨이퍼검사장치 |
JP2003090803A (ja) * | 2001-09-19 | 2003-03-28 | Mitsubishi Electric Corp | 被処理基板欠陥検査装置、これを用いた半導体製造装置、及び被処理基板欠陥検査方法 |
JP2003258062A (ja) | 2002-03-04 | 2003-09-12 | Nitto Denko Corp | 円板状体の位置合わせ装置およびその方法 |
JP2004165570A (ja) * | 2002-11-15 | 2004-06-10 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハからの保護テープ除去方法およびその装置 |
KR100516405B1 (ko) * | 2003-02-28 | 2005-09-22 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼의 에지 노광 영역 검사 장치 |
JP4520260B2 (ja) * | 2004-09-15 | 2010-08-04 | 川崎重工業株式会社 | ウェハの欠陥検出方法および装置 |
JP4803703B2 (ja) * | 2005-02-28 | 2011-10-26 | 日東電工株式会社 | 半導体ウエハの位置決定方法およびこれを用いた装置 |
JP2008064654A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-03-21 | Toyota Motor Corp | 測色装置と測色方法 |
JP2008098451A (ja) * | 2006-10-12 | 2008-04-24 | Nikon Corp | ウエハ検査装置 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160112241A (ko) * | 2015-03-18 | 2016-09-28 | 세메스 주식회사 | 검사 방법 및 기판 처리 장치 |
KR102000024B1 (ko) * | 2015-03-18 | 2019-07-17 | 세메스 주식회사 | 검사 방법 및 기판 처리 장치 |
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