JP2003090803A - 被処理基板欠陥検査装置、これを用いた半導体製造装置、及び被処理基板欠陥検査方法 - Google Patents
被処理基板欠陥検査装置、これを用いた半導体製造装置、及び被処理基板欠陥検査方法Info
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 129
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 230000002950 deficient Effects 0.000 title abstract description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 159
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 75
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 38
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 claims description 33
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims description 22
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 15
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 188
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 5
- 101100321669 Fagopyrum esculentum FA02 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
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- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェハ上の異物又は欠け等の欠陥がどのよう
な形状でウェハのいずれの位置にあるかについては、検
査を行うことができないという課題があった。 【解決手段】 ウェハ欠陥検査装置は、半導体製造プロ
セスにおいて、被処理基板であるウェハ１の位置決めを
行う位置決め装置に組み込まれる。真空保持台２に保持
されたウェハを、位置決めした位置から少なくとも一回
転させつつ光を照射して、その散乱光を受光する。演算
部１４及び制御部１５では散乱光の強度が予め規定され
た閾値以上であるとウェハに欠陥があると判定する。さ
らに、演算部及び制御部は欠陥の位置をウェハの回転角
度を示す角度情報として求める。この際、モニタ１６上
に回転角度及び散乱光強度で規定される座標系（横軸を
回転角度、縦軸を散乱光強度とする座標）を表示して、
座標系に被処理基板の回転角度に応じて散乱光強度を表
示するとともに閾値を表示する。
な形状でウェハのいずれの位置にあるかについては、検
査を行うことができないという課題があった。 【解決手段】 ウェハ欠陥検査装置は、半導体製造プロ
セスにおいて、被処理基板であるウェハ１の位置決めを
行う位置決め装置に組み込まれる。真空保持台２に保持
されたウェハを、位置決めした位置から少なくとも一回
転させつつ光を照射して、その散乱光を受光する。演算
部１４及び制御部１５では散乱光の強度が予め規定され
た閾値以上であるとウェハに欠陥があると判定する。さ
らに、演算部及び制御部は欠陥の位置をウェハの回転角
度を示す角度情報として求める。この際、モニタ１６上
に回転角度及び散乱光強度で規定される座標系（横軸を
回転角度、縦軸を散乱光強度とする座標）を表示して、
座標系に被処理基板の回転角度に応じて散乱光強度を表
示するとともに閾値を表示する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体製造プロセ
スにおいて被処理基板の欠陥を検査するための欠陥検査
装置に係り、特に被処理基板の位置決め装置において用
いられる被処理基板欠陥検査装置、これを用いた半導体
製造装置及び被処理基板欠陥検査方法に関するものであ
る。
スにおいて被処理基板の欠陥を検査するための欠陥検査
装置に係り、特に被処理基板の位置決め装置において用
いられる被処理基板欠陥検査装置、これを用いた半導体
製造装置及び被処理基板欠陥検査方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体製造プロセスは複数の工
程を有しており、半導体製造プロセスにおいて、被処理
基板である円形ウェハを複数の工程で処理して、半導体
装置（Ｈ半導体チップ）を製造している。半導体製造プ
ロセスにおいて、処理及び搬送過程で生じる欠陥を防止
・抑制する関係上、ウェハの位置ずれを防止する必要が
ある。このため、ウェハを高精度に位置決めする位置決
め装置が用いられている。
程を有しており、半導体製造プロセスにおいて、被処理
基板である円形ウェハを複数の工程で処理して、半導体
装置（Ｈ半導体チップ）を製造している。半導体製造プ
ロセスにおいて、処理及び搬送過程で生じる欠陥を防止
・抑制する関係上、ウェハの位置ずれを防止する必要が
ある。このため、ウェハを高精度に位置決めする位置決
め装置が用いられている。
【０００３】図８は従来の位置決め装置を示す図であ
る。図において、１は被処理基板であるウェハ、２は真
空保持台、３はシリンダ部、４はアクチュエータ、５は
位置合わせ部材、６は透過型センサ、７は制御部であ
り、位置合わせ部材５は第１の半径を有する第１の平坦
面５ａと、第１の平坦面５ａの周縁から予め定められた
角度で上昇するスロープ部５ｂと、スロープ部５ｂの上
端から径方向外側に延びる第２の半径を有する第２の平
坦面５ｃとを備えており、前述の第１の半径はウェハ１
の半径に等しい。制御部７は、半導体製造装置の制御部
（以下、本体制御部（図示せず）という）から与えられ
る制御信号に応じてアクチュエータ４及び透過型センサ
６を駆動・制御する。そして、シリンダ部３はアクチュ
エータ４によって予め規定された範囲（移動範囲）で上
下方向に駆動され、さらに、シリンダ部３はアクチュエ
ータ４によって回転駆動される。これによって、真空保
持台２は、前述の第１及び第２の平坦面５ａ及び５ｃで
規定される範囲で上下方向に移動するとともに、シリン
ダ部３を回転軸として回転することになる。ウェハ１
は、例えば円形であり、予めその周縁部に切り欠き部１
１１が形成されている。この切り欠き部１１１は、位置
決め検出のために用いられる。
る。図において、１は被処理基板であるウェハ、２は真
空保持台、３はシリンダ部、４はアクチュエータ、５は
位置合わせ部材、６は透過型センサ、７は制御部であ
り、位置合わせ部材５は第１の半径を有する第１の平坦
面５ａと、第１の平坦面５ａの周縁から予め定められた
角度で上昇するスロープ部５ｂと、スロープ部５ｂの上
端から径方向外側に延びる第２の半径を有する第２の平
坦面５ｃとを備えており、前述の第１の半径はウェハ１
の半径に等しい。制御部７は、半導体製造装置の制御部
（以下、本体制御部（図示せず）という）から与えられ
る制御信号に応じてアクチュエータ４及び透過型センサ
６を駆動・制御する。そして、シリンダ部３はアクチュ
エータ４によって予め規定された範囲（移動範囲）で上
下方向に駆動され、さらに、シリンダ部３はアクチュエ
ータ４によって回転駆動される。これによって、真空保
持台２は、前述の第１及び第２の平坦面５ａ及び５ｃで
規定される範囲で上下方向に移動するとともに、シリン
ダ部３を回転軸として回転することになる。ウェハ１
は、例えば円形であり、予めその周縁部に切り欠き部１
１１が形成されている。この切り欠き部１１１は、位置
決め検出のために用いられる。
【０００４】次に動作について説明する。半導体製造装
置（図示せず）には搬送用ロボット（図示せず）が付属
しており、搬送用ロボットによってウェハ１は真空保持
台２に搬送され、その主面（表面）が真空保持台２に当
接する状態で真空保持台２上に載置される。ウェハ１を
真空保持台２に載置するに当たっては、シリンダ部３
が、前述の移動範囲において最も上側の位置に駆動され
たとき、つまり、真空保持台２が最も上側の位置に位置
づけられたとき、ウェハ１は搬送用ロボットによって、
真空保持台２上に載置される。この際、ウェハ１の表面
は第２の平坦面５ｃよりも僅かに下側に位置する。
置（図示せず）には搬送用ロボット（図示せず）が付属
しており、搬送用ロボットによってウェハ１は真空保持
台２に搬送され、その主面（表面）が真空保持台２に当
接する状態で真空保持台２上に載置される。ウェハ１を
真空保持台２に載置するに当たっては、シリンダ部３
が、前述の移動範囲において最も上側の位置に駆動され
たとき、つまり、真空保持台２が最も上側の位置に位置
づけられたとき、ウェハ１は搬送用ロボットによって、
真空保持台２上に載置される。この際、ウェハ１の表面
は第２の平坦面５ｃよりも僅かに下側に位置する。
【０００５】上述のようにして、ウェハ１を真空保持台
２に載置した後、アクチュエータ４によってシリンダ部
３が図中下方向に駆動されて、真空保持台２、つまり、
ウェハ１を降下させる。真空保持台２を降下させると、
ウェハ１の周縁はスロープ部５ｂに沿って降下すること
となり、真空保持台２の表面が第１の平坦面５ａの位置
に達すると、ウェハ１の周縁は第１の平坦面５ａの周縁
に位置づけられることになる。つまり、ウェハ１がセン
タリングされることになる。
２に載置した後、アクチュエータ４によってシリンダ部
３が図中下方向に駆動されて、真空保持台２、つまり、
ウェハ１を降下させる。真空保持台２を降下させると、
ウェハ１の周縁はスロープ部５ｂに沿って降下すること
となり、真空保持台２の表面が第１の平坦面５ａの位置
に達すると、ウェハ１の周縁は第１の平坦面５ａの周縁
に位置づけられることになる。つまり、ウェハ１がセン
タリングされることになる。
【０００６】その後、真空保持台２によってウェハ１を
真空吸着した後、アクチュエータ４によってシリンダ部
３を上方に移動させて、真空保持台２、つまり、ウェハ
１を上昇させる。その後、アクチュエータ４によってシ
リンダ部３を回転駆動して、真空保持台２、つまり、ウ
ェハ１を、シリンダ部３を回転軸として、図中、実線矢
印で示す方向に回転させる。
真空吸着した後、アクチュエータ４によってシリンダ部
３を上方に移動させて、真空保持台２、つまり、ウェハ
１を上昇させる。その後、アクチュエータ４によってシ
リンダ部３を回転駆動して、真空保持台２、つまり、ウ
ェハ１を、シリンダ部３を回転軸として、図中、実線矢
印で示す方向に回転させる。
【０００７】透過型センサ６は、投光部６ａ及び受光部
６ｂを有しており、図示のように、投光部６ａ及び受光
部６ｂはウェハ１の周辺部を挟んで互いに対向する位置
に配置されている。制御部７では、投光部６ａを駆動し
て、光を照射する。前述のように、ウェハ１には切り欠
き部１１１が形成されているから、切り欠き部１１１が
透過型センサ６が配置された位置に達すると、投光部６
ａからの光は、切り欠き部１１１を通過して受光部６ｂ
で受光されることになる。つまり、受光部６ｂで投光部
６ａからの光が受光されるまで、ウェハ１が回転されて
角度調整が行われることになる。言い換えると、透過型
センサ６によって切り欠き部１１１が検出されるまで、
制御部７はウェハ１を回転させてその角度（ウェハ１の
位置）を調整することになる。
６ｂを有しており、図示のように、投光部６ａ及び受光
部６ｂはウェハ１の周辺部を挟んで互いに対向する位置
に配置されている。制御部７では、投光部６ａを駆動し
て、光を照射する。前述のように、ウェハ１には切り欠
き部１１１が形成されているから、切り欠き部１１１が
透過型センサ６が配置された位置に達すると、投光部６
ａからの光は、切り欠き部１１１を通過して受光部６ｂ
で受光されることになる。つまり、受光部６ｂで投光部
６ａからの光が受光されるまで、ウェハ１が回転されて
角度調整が行われることになる。言い換えると、透過型
センサ６によって切り欠き部１１１が検出されるまで、
制御部７はウェハ１を回転させてその角度（ウェハ１の
位置）を調整することになる。
【０００８】上述のようにして、ウェハ１の角度（位
置）調整した後、搬送用ロボットでウェハ１を受け取っ
て、半導体製造装置に付属する処理部（処理室）にウェ
ハ１を搬送する。
置）調整した後、搬送用ロボットでウェハ１を受け取っ
て、半導体製造装置に付属する処理部（処理室）にウェ
ハ１を搬送する。
【０００９】ところで、ウェハの処理過程及び搬送過程
においては、前述のように、ウェハの位置決めを行うと
ともに、異物付着及びウェハの割れ（ウェハ端面の欠
け）等の欠陥を検査する必要がある。ウェハの欠陥を検
査するための装置（検査装置）として、例えば特開平９
−１８６２０９号公報に記載されたものが知られている
（以下、従来例１と呼ぶ）。従来例１では、ウェハ位置
決め部にマクロ検査機能を付加して、ウェハの周縁に形
成された位置決め用切欠部を検出してウェハの位置決め
を行う際、ウェハを傾斜揺動させてマクロ観察を行うよ
うにしている。さらに、特開平１１−３２６２２９号公
報には、検査ステージにおいて、直接高精度位置決めを
行う際に欠陥検査を行う装置が記載されている（以下、
従来例２と呼ぶ）。つまり、従来例２では、ウェハ上の
検査領域（異物検出領域）にレーザビームを照射して、
その上方散乱光を検査テーブルの鉛直方向上部に設けら
れた検出光学系で受光して異物検出を行っている。この
際に、ウェハの中心座標を算出して、この算出中心座標
を異物検出におけるウェハ中心としている。
においては、前述のように、ウェハの位置決めを行うと
ともに、異物付着及びウェハの割れ（ウェハ端面の欠
け）等の欠陥を検査する必要がある。ウェハの欠陥を検
査するための装置（検査装置）として、例えば特開平９
−１８６２０９号公報に記載されたものが知られている
（以下、従来例１と呼ぶ）。従来例１では、ウェハ位置
決め部にマクロ検査機能を付加して、ウェハの周縁に形
成された位置決め用切欠部を検出してウェハの位置決め
を行う際、ウェハを傾斜揺動させてマクロ観察を行うよ
うにしている。さらに、特開平１１−３２６２２９号公
報には、検査ステージにおいて、直接高精度位置決めを
行う際に欠陥検査を行う装置が記載されている（以下、
従来例２と呼ぶ）。つまり、従来例２では、ウェハ上の
検査領域（異物検出領域）にレーザビームを照射して、
その上方散乱光を検査テーブルの鉛直方向上部に設けら
れた検出光学系で受光して異物検出を行っている。この
際に、ウェハの中心座標を算出して、この算出中心座標
を異物検出におけるウェハ中心としている。
【００１０】また、ウェハの位置決めとウェハ周縁部の
欠陥を検出するための装置として、例えば特開平５−１
６０２４５号公報がある（以下、従来例３と呼ぶ）。こ
の従来例３には、直交座標系の座標原点をほぼ中心とし
て微小回転可能な第１回転ステージと、第１回転ステー
ジ上に設けられて直交座標系内で２次元移動可能な直動
ステージと、直動ステージ上に設けられてウェハを保持
して１回転以上回転可能な第２回転ステージとが備えら
れている。この第２回転ステージの回転中に、ウェハの
周縁部分の回転中心からの変位量の変化を表す情報を非
接触で検出する第１の検出器からの出力情報を用いて、
ウェハの周縁部分の欠陥（欠け等）を検出している。
欠陥を検出するための装置として、例えば特開平５−１
６０２４５号公報がある（以下、従来例３と呼ぶ）。こ
の従来例３には、直交座標系の座標原点をほぼ中心とし
て微小回転可能な第１回転ステージと、第１回転ステー
ジ上に設けられて直交座標系内で２次元移動可能な直動
ステージと、直動ステージ上に設けられてウェハを保持
して１回転以上回転可能な第２回転ステージとが備えら
れている。この第２回転ステージの回転中に、ウェハの
周縁部分の回転中心からの変位量の変化を表す情報を非
接触で検出する第１の検出器からの出力情報を用いて、
ウェハの周縁部分の欠陥（欠け等）を検出している。
【００１１】加えて、特開平８−２２６４６０６号公報
には、ウェハの異物検査を行う際、ＸＹステージ上のウ
ェハを位置決めする装置が記載されている（以下、従来
例４と呼ぶ）。従来例４では、位置合わせの確認を、観
察−アライメント光学系を用いて行う。さらに、この観
察−アライメント光学系を用いて、検出した異物の目視
観察を行い、形状の観察の可否決定を行っている。
には、ウェハの異物検査を行う際、ＸＹステージ上のウ
ェハを位置決めする装置が記載されている（以下、従来
例４と呼ぶ）。従来例４では、位置合わせの確認を、観
察−アライメント光学系を用いて行う。さらに、この観
察−アライメント光学系を用いて、検出した異物の目視
観察を行い、形状の観察の可否決定を行っている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】従来の被処理基板欠陥
検査装置は以上のように構成されているので、従来例１
〜４のいずれにおいても、ウェハの位置決めの際に、ウ
ェハの検査を行うように構成されているものの、単に、
異物の存在等を目視又は検出光学系で検出しているにす
ぎず、ウェハ上の異物又は欠け等の欠陥がどのような形
状でウェハのいずれの位置にあるかについては、検査を
行うことができない。このような検査を行うためには、
例えば欠陥の存在が確認されたウェハ毎に顕微鏡などを
用いて詳しく検査しなければならないという課題があっ
た。
検査装置は以上のように構成されているので、従来例１
〜４のいずれにおいても、ウェハの位置決めの際に、ウ
ェハの検査を行うように構成されているものの、単に、
異物の存在等を目視又は検出光学系で検出しているにす
ぎず、ウェハ上の異物又は欠け等の欠陥がどのような形
状でウェハのいずれの位置にあるかについては、検査を
行うことができない。このような検査を行うためには、
例えば欠陥の存在が確認されたウェハ毎に顕微鏡などを
用いて詳しく検査しなければならないという課題があっ
た。
【００１３】このように、従来の被処理基板欠陥検査装
置では、ウェハ位置決めの際にその欠陥も精度よく検出
することが難しいという課題があった。
置では、ウェハ位置決めの際にその欠陥も精度よく検出
することが難しいという課題があった。
【００１４】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、被処理基板であるウェハの位置決
めの際に、ウェハの欠陥を精度よく検出することのでき
る被処理基板欠陥検査装置及び被処理基板欠陥検査方法
を得ることを目的とする。
めになされたもので、被処理基板であるウェハの位置決
めの際に、ウェハの欠陥を精度よく検出することのでき
る被処理基板欠陥検査装置及び被処理基板欠陥検査方法
を得ることを目的とする。
【００１５】また、この発明は、目視又は顕微鏡等によ
る検査を不要として、ウェハの異常を容易に検出するこ
とのできる被処理基板欠陥検査装置及び被処理基板欠陥
検査方法を得ることを目的とする。
る検査を不要として、ウェハの異常を容易に検出するこ
とのできる被処理基板欠陥検査装置及び被処理基板欠陥
検査方法を得ることを目的とする。
【００１６】さらに、この発明は、上述の被処理基板欠
陥検査装置を用いて半導体製造の生産性を向上すること
のできる半導体製造装置を得ることを目的とする。
陥検査装置を用いて半導体製造の生産性を向上すること
のできる半導体製造装置を得ることを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る被処理基
板欠陥検査装置は、半導体製造プロセスにおいて被処理
基板の位置決めを行う位置決め装置に組み込まれ、被処
理基板が位置決めされた後、該位置決めした位置から被
処理基板を少なくとも一回転させつつ被処理基板を検査
する検査手段と、被処理基板に欠陥があると欠陥の位置
を被処理基板の回転角度を示す角度情報として求める角
度情報算出手段とを有するものである。
板欠陥検査装置は、半導体製造プロセスにおいて被処理
基板の位置決めを行う位置決め装置に組み込まれ、被処
理基板が位置決めされた後、該位置決めした位置から被
処理基板を少なくとも一回転させつつ被処理基板を検査
する検査手段と、被処理基板に欠陥があると欠陥の位置
を被処理基板の回転角度を示す角度情報として求める角
度情報算出手段とを有するものである。
【００１８】この発明に係る被処理基板欠陥検査装置
は、検査手段が被処理基板に光を照射する照射手段と、
被処理基板で回析散乱した光を散乱光として受ける受光
手段と、散乱光の強度が予め規定された閾値以上である
と被処理基板に欠陥があると判定する判定手段とを有す
るものである。
は、検査手段が被処理基板に光を照射する照射手段と、
被処理基板で回析散乱した光を散乱光として受ける受光
手段と、散乱光の強度が予め規定された閾値以上である
と被処理基板に欠陥があると判定する判定手段とを有す
るものである。
【００１９】この発明に係る被処理基板欠陥検査装置
は、検査手段がモニタ上に回転角度及び散乱光強度で規
定される座標系を表示して、該座標系に被処理基板の回
転角度に応じて散乱光強度を表示するとともに閾値を表
示するものである。
は、検査手段がモニタ上に回転角度及び散乱光強度で規
定される座標系を表示して、該座標系に被処理基板の回
転角度に応じて散乱光強度を表示するとともに閾値を表
示するものである。
【００２０】この発明に係る被処理基板欠陥検査装置
は、判定手段が、被処理基板に欠陥があるとアラーム信
号を送出するものである。
は、判定手段が、被処理基板に欠陥があるとアラーム信
号を送出するものである。
【００２１】この発明に係る被処理基板欠陥検査装置
は、角度情報算出手段が被処理基板に対応付けて角度情
報を異常検出角度情報として保管する記憶装置を備える
ものである。
は、角度情報算出手段が被処理基板に対応付けて角度情
報を異常検出角度情報として保管する記憶装置を備える
ものである。
【００２２】この発明に係る被処理基板欠陥検査装置
は、角度情報算出手段が被処理基板の外形寸法を示す基
板情報を与えられると、該基板情報に基づいて被処理基
板を示す基板図形を表示するとともに該基板図形上に角
度情報に応じて欠陥位置を表示するものである。
は、角度情報算出手段が被処理基板の外形寸法を示す基
板情報を与えられると、該基板情報に基づいて被処理基
板を示す基板図形を表示するとともに該基板図形上に角
度情報に応じて欠陥位置を表示するものである。
【００２３】この発明に係る被処理基板欠陥検査装置
は、被処理基板の欠陥を撮影して異常画像を得る撮像手
段を有しており、角度情報算出手段が角度情報に対応づ
けて異常画像をモニタ上に表示するものである。
は、被処理基板の欠陥を撮影して異常画像を得る撮像手
段を有しており、角度情報算出手段が角度情報に対応づ
けて異常画像をモニタ上に表示するものである。
【００２４】この発明に係る被処理基板欠陥検査装置
は、角度情報算出手段が被処理基板に対応付けて角度情
報及び異常画像を保管する記憶装置を備えるものであ
る。
は、角度情報算出手段が被処理基板に対応付けて角度情
報及び異常画像を保管する記憶装置を備えるものであ
る。
【００２５】この発明に係る半導体製造装置は、上述の
被処理基板欠陥検査装置とともに用いられ、アラーム信
号を受けるとアラームを発して半導体製造プロセスを一
旦停止する手段を有するものである。
被処理基板欠陥検査装置とともに用いられ、アラーム信
号を受けるとアラームを発して半導体製造プロセスを一
旦停止する手段を有するものである。
【００２６】この発明に係る半導体製造装置は、上述の
被処理基板欠陥検査装置とともに用いられ、検査手段で
被処理基板に欠陥があると判定されると、当該被処理基
板を半導体製造プロセスから外す手段を有するものであ
る。
被処理基板欠陥検査装置とともに用いられ、検査手段で
被処理基板に欠陥があると判定されると、当該被処理基
板を半導体製造プロセスから外す手段を有するものであ
る。
【００２７】この発明に係る被処理基板欠陥検査方法
は、半導体製造プロセスにおいて被処理基板の位置決め
を行う際、該被処理基板の欠陥を検査する被処理基板欠
陥検査方法において、被処理基板が位置決めされた後、
該位置決めした位置から被処理基板を少なくとも一回転
させつつ被処理基板を検査する検査ステップと、被処理
基板に欠陥があると、欠陥の位置を被処理基板の回転角
度を示す角度情報として求める角度情報算出ステップと
を有するものである。
は、半導体製造プロセスにおいて被処理基板の位置決め
を行う際、該被処理基板の欠陥を検査する被処理基板欠
陥検査方法において、被処理基板が位置決めされた後、
該位置決めした位置から被処理基板を少なくとも一回転
させつつ被処理基板を検査する検査ステップと、被処理
基板に欠陥があると、欠陥の位置を被処理基板の回転角
度を示す角度情報として求める角度情報算出ステップと
を有するものである。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態を
説明する。 実施の形態１．図１において、図８に示す例と同一の構
成要素については、同一符号を付している。図１に示す
例では、位置合わせ部材５の外周部において、その一部
分に欠陥検査ブロック体１１が位置合わせ部材５と一体
に形成されている。この欠陥検査ブロック体１１には、
ウェハ１の外縁部が挿入される空洞部１１ａが形成され
ている。この空洞部１１ａにおいて、ウェハ１が挿入さ
れる開口端１１ｂは前述した第１及び第２の平坦面５ａ
及び５ｃ間の距離と同一の幅を有している。つまり、開
口端１１ｂを規定する下壁（下端）は第１の平坦面５ａ
と同一の位置にあり、開口端を規定する上壁（上端）は
第２の平坦面５ｃと同一の位置にある。この結果、搬送
用ロボットによって真空保持台２にウェハ１を載置する
際には、図１の紙面の裏側又は表側から、空洞部１１ａ
にウェハ１の外縁部が挿入されるようにして、ウェハ１
を真空保持台２に載置することになる。
説明する。 実施の形態１．図１において、図８に示す例と同一の構
成要素については、同一符号を付している。図１に示す
例では、位置合わせ部材５の外周部において、その一部
分に欠陥検査ブロック体１１が位置合わせ部材５と一体
に形成されている。この欠陥検査ブロック体１１には、
ウェハ１の外縁部が挿入される空洞部１１ａが形成され
ている。この空洞部１１ａにおいて、ウェハ１が挿入さ
れる開口端１１ｂは前述した第１及び第２の平坦面５ａ
及び５ｃ間の距離と同一の幅を有している。つまり、開
口端１１ｂを規定する下壁（下端）は第１の平坦面５ａ
と同一の位置にあり、開口端を規定する上壁（上端）は
第２の平坦面５ｃと同一の位置にある。この結果、搬送
用ロボットによって真空保持台２にウェハ１を載置する
際には、図１の紙面の裏側又は表側から、空洞部１１ａ
にウェハ１の外縁部が挿入されるようにして、ウェハ１
を真空保持台２に載置することになる。
【００２９】図１において、１２は光源、１３は散乱光
受光部、１４は演算部、１５は制御部、及び１６はモニ
タである。演算部１４は透過型センサ６（投光部６ａ及
び受光部６ｂ）、アクチュエータ４、光源１２、散乱光
受光部１３、制御部１５、モニタ１６に接続されるとと
もに、半導体製造装置の制御部（以下、本体制御部と呼
ぶ）に接続されている。演算部１４は制御部１５ととも
に、ウェハ１の位置決めを行うとともに、後述するよう
にして、欠陥の検査を行う。光源１２は欠陥検査ブロッ
ク体１１に取り付けられて空洞部１１ａ内に臨んでい
る。ウェハ１が真空保持台２に真空保持されると、光源
１２から出射された光は、ウェハ１の外周部に照射され
る。一方、図示のように、散乱光受光部１３は、ウェハ
１が位置決めされた後の状態でウェハ１の外周面と対向
する位置において欠陥検査ブロック体１１に取り付けら
れる。
受光部、１４は演算部、１５は制御部、及び１６はモニ
タである。演算部１４は透過型センサ６（投光部６ａ及
び受光部６ｂ）、アクチュエータ４、光源１２、散乱光
受光部１３、制御部１５、モニタ１６に接続されるとと
もに、半導体製造装置の制御部（以下、本体制御部と呼
ぶ）に接続されている。演算部１４は制御部１５ととも
に、ウェハ１の位置決めを行うとともに、後述するよう
にして、欠陥の検査を行う。光源１２は欠陥検査ブロッ
ク体１１に取り付けられて空洞部１１ａ内に臨んでい
る。ウェハ１が真空保持台２に真空保持されると、光源
１２から出射された光は、ウェハ１の外周部に照射され
る。一方、図示のように、散乱光受光部１３は、ウェハ
１が位置決めされた後の状態でウェハ１の外周面と対向
する位置において欠陥検査ブロック体１１に取り付けら
れる。
【００３０】次に動作について説明する。図８で説明し
たようにして、切り欠き部１１１が形成されたウェハ１
のセンタリングを行った後、切り欠き部１１１を検出し
て、ウェハ１の角度（位置）が調整される。この際、演
算部１４は本体制御部から与えられる制御信号に応じて
アクチュエータ４及び透過型センサ６を制御することに
なる。
たようにして、切り欠き部１１１が形成されたウェハ１
のセンタリングを行った後、切り欠き部１１１を検出し
て、ウェハ１の角度（位置）が調整される。この際、演
算部１４は本体制御部から与えられる制御信号に応じて
アクチュエータ４及び透過型センサ６を制御することに
なる。
【００３１】上述のようにして、ウェハ１の位置決めが
完了した後、つまり、ウェハ１の角度調整を行った後、
演算部１４では光源１２を駆動して、例えばレーザ光を
ウェハ１の外周部に照射する。このレーザ光は、ウェハ
１の外周部に照射されると、回析散乱する。この回析散
乱光は、散乱光受光部１３で受光されて、演算部１４に
検出信号として与えられることになる。そして、演算部
１４では、検出信号（つまり、回析散乱光）に応じてウ
ェハ１の欠陥を検査することになる。
完了した後、つまり、ウェハ１の角度調整を行った後、
演算部１４では光源１２を駆動して、例えばレーザ光を
ウェハ１の外周部に照射する。このレーザ光は、ウェハ
１の外周部に照射されると、回析散乱する。この回析散
乱光は、散乱光受光部１３で受光されて、演算部１４に
検出信号として与えられることになる。そして、演算部
１４では、検出信号（つまり、回析散乱光）に応じてウ
ェハ１の欠陥を検査することになる。
【００３２】ウェハ１の欠陥を検査する際には、前述の
ようにして、ウェハ１を位置決めした後、ウェハ１を、
シリンダ部３を回転軸として少なくとも一回転させる
（前述のようにして、位置決めされたウェハの位置（位
置決め位置）は演算部１４で保持されているから、演算
部１４は位置決め位置に基づいてウェハ１を一回転させ
ることになる）。例えば、演算部１４は、制御部１５で
設定されるサンプリング単位毎でウェハ１を一回転させ
る。このサンプリング単位は、例えば、０．１度であ
り、演算部１４は、ウェハ１を０．１度回転させるごと
に、前述のようにして、回析散乱光を得ることになる。
制御部１５から演算部１４には、予め設定された異常検
出散乱光強度が閾値として設定されている。演算部１４
は、図２に示すように、この閾値と検出信号の強度（検
出散乱光の強度）とをサンプリング単位（回転角度）に
応じてモニタ１６に表示する。図２に示す例では、閾値
レベルが３０００であり、ウェハ１の回転角度に応じて
検出散乱光が表示される。つまり、縦軸を散乱光強度、
横軸を角度（回転角度）として検出散乱光強度が連続的
にモニタ１６に閾値とともに表示される。これによっ
て、閾値以上の検出散乱光強度が一目で分かる。そし
て、閾値以上の検出散乱光強度が異常検出を示し、この
異常検出箇所に対応する横軸がウェハ１の角度情報を表
すことになる（図示の例では、異常検出箇所が３箇所あ
り、その角度情報はＡ、Ｂ、及びＣであることが分か
る。これら異常検出箇所に対応するウェハ角度をウェハ
異常検出角度とする）。
ようにして、ウェハ１を位置決めした後、ウェハ１を、
シリンダ部３を回転軸として少なくとも一回転させる
（前述のようにして、位置決めされたウェハの位置（位
置決め位置）は演算部１４で保持されているから、演算
部１４は位置決め位置に基づいてウェハ１を一回転させ
ることになる）。例えば、演算部１４は、制御部１５で
設定されるサンプリング単位毎でウェハ１を一回転させ
る。このサンプリング単位は、例えば、０．１度であ
り、演算部１４は、ウェハ１を０．１度回転させるごと
に、前述のようにして、回析散乱光を得ることになる。
制御部１５から演算部１４には、予め設定された異常検
出散乱光強度が閾値として設定されている。演算部１４
は、図２に示すように、この閾値と検出信号の強度（検
出散乱光の強度）とをサンプリング単位（回転角度）に
応じてモニタ１６に表示する。図２に示す例では、閾値
レベルが３０００であり、ウェハ１の回転角度に応じて
検出散乱光が表示される。つまり、縦軸を散乱光強度、
横軸を角度（回転角度）として検出散乱光強度が連続的
にモニタ１６に閾値とともに表示される。これによっ
て、閾値以上の検出散乱光強度が一目で分かる。そし
て、閾値以上の検出散乱光強度が異常検出を示し、この
異常検出箇所に対応する横軸がウェハ１の角度情報を表
すことになる（図示の例では、異常検出箇所が３箇所あ
り、その角度情報はＡ、Ｂ、及びＣであることが分か
る。これら異常検出箇所に対応するウェハ角度をウェハ
異常検出角度とする）。
【００３３】さらに、演算部１４では、サンプリング単
位毎に検出散乱光と閾値とを比較して、ウェハ１の欠陥
の有無を検査する。光源１２から出射されたレーザ光が
ウェハ１で回析散乱される割合は、ウェハ１上のきず等
の欠陥に左右される。つまり、ウェハ１上の欠陥が大き
い程、散乱される割合は大きくなる。従って、ウェハ１
上の欠陥が製品として無視できる上限の散乱光強度を測
定しておく。この散乱光強度を閾値とすれば、演算部１
４では前述のようにして、０．１度毎に得られる検出散
乱光の強度と閾値とを比較する。この検出散乱光強度が
閾値以上であると、その回転角度の位置においてウェハ
１には欠陥があると認定する。そして、演算部１４では
欠陥があると認定すると、異常検出信号を制御部１５に
送る。これによって、制御部１５では、当該ウェハ１に
欠陥があることを知り、当該ウェハ１についての処理を
中断するとともにオペレータに警報を発生する。なお、
前述の異常検出信号を本体制御部に与えて、当該ウェハ
１についての処理を中断するようにしてもよい。
位毎に検出散乱光と閾値とを比較して、ウェハ１の欠陥
の有無を検査する。光源１２から出射されたレーザ光が
ウェハ１で回析散乱される割合は、ウェハ１上のきず等
の欠陥に左右される。つまり、ウェハ１上の欠陥が大き
い程、散乱される割合は大きくなる。従って、ウェハ１
上の欠陥が製品として無視できる上限の散乱光強度を測
定しておく。この散乱光強度を閾値とすれば、演算部１
４では前述のようにして、０．１度毎に得られる検出散
乱光の強度と閾値とを比較する。この検出散乱光強度が
閾値以上であると、その回転角度の位置においてウェハ
１には欠陥があると認定する。そして、演算部１４では
欠陥があると認定すると、異常検出信号を制御部１５に
送る。これによって、制御部１５では、当該ウェハ１に
欠陥があることを知り、当該ウェハ１についての処理を
中断するとともにオペレータに警報を発生する。なお、
前述の異常検出信号を本体制御部に与えて、当該ウェハ
１についての処理を中断するようにしてもよい。
【００３４】上述の説明から容易に理解できるように、
演算部１４、制御部１５、光源１２、散乱光受光部１
３、アクチュエータ４、シリンダ部３、及び真空保持台
２は、検査手段として機能し、演算部１４及び制御部１
５は角度情報算出手段として機能する。
演算部１４、制御部１５、光源１２、散乱光受光部１
３、アクチュエータ４、シリンダ部３、及び真空保持台
２は、検査手段として機能し、演算部１４及び制御部１
５は角度情報算出手段として機能する。
【００３５】以上のように、この実施の形態１によれ
ば、モニタ１６に閾値を表示するとともに、ウェハ１の
角度情報に応じて検出散乱光強度を表示するようにした
から、閾値以上の検出散乱光強度が一目で分かり、さら
に、閾値以上の検出散乱光強度に対応するウェハ１の角
度情報も知ることができるという効果がある。つまり、
きず等の欠陥がウェハ１のいずれの角度位置にあるかが
一目で分かるという効果があり、この結果、オペレータ
は容易にウェハの異常判定を行うことができる。
ば、モニタ１６に閾値を表示するとともに、ウェハ１の
角度情報に応じて検出散乱光強度を表示するようにした
から、閾値以上の検出散乱光強度が一目で分かり、さら
に、閾値以上の検出散乱光強度に対応するウェハ１の角
度情報も知ることができるという効果がある。つまり、
きず等の欠陥がウェハ１のいずれの角度位置にあるかが
一目で分かるという効果があり、この結果、オペレータ
は容易にウェハの異常判定を行うことができる。
【００３６】さらに、ウェハ１にきず等の欠陥がある
と、処理を中断するとともに、オペレータに警報を発す
るようにすれば、半導体装置の製造の際、欠陥に対して
迅速な対応を行うことができ、未然に半導体製造装置の
トラブルを回避できる。その結果、半導体装置の生産性
を向上できるという効果がある。
と、処理を中断するとともに、オペレータに警報を発す
るようにすれば、半導体装置の製造の際、欠陥に対して
迅速な対応を行うことができ、未然に半導体製造装置の
トラブルを回避できる。その結果、半導体装置の生産性
を向上できるという効果がある。
【００３７】実施の形態２．この実施の形態２による欠
陥検査装置では、図１において、制御部１５に接続され
た入力装置（図示せず）からウェハ表面欠陥表示指令
（ウェハマップ表示指令）が与えられると、制御部１５
が演算部１４にウェハマップ表示演算を行わせる。この
際、制御部１５から演算部１４にウェハ１の中心点と半
径とを示すウェハ外周情報が与えられる。前述のよう
に、演算部１４では、ウェハの角度情報に対応してウェ
ハ異常検出を行っており、異常が検出されたウェハ角度
情報をウェハ異常検出角度情報とする。
陥検査装置では、図１において、制御部１５に接続され
た入力装置（図示せず）からウェハ表面欠陥表示指令
（ウェハマップ表示指令）が与えられると、制御部１５
が演算部１４にウェハマップ表示演算を行わせる。この
際、制御部１５から演算部１４にウェハ１の中心点と半
径とを示すウェハ外周情報が与えられる。前述のよう
に、演算部１４では、ウェハの角度情報に対応してウェ
ハ異常検出を行っており、異常が検出されたウェハ角度
情報をウェハ異常検出角度情報とする。
【００３８】図３を参照して、演算部１４では、ウェハ
外周情報に基づいてウェハの外形をウェハ図形２１とし
てモニタ１６上に表示するとともに、ウェハ異常角度情
報に応じて欠陥箇所（異常検出箇所）をウェハ図形２１
の外周上にプロットする。図２に示す例では、ウェハ異
常角度情報はＡ、Ｂ、及びＣであるから、演算部１４
は、ウェハ図形２１の外周上にウェハ異常角度はＡ、
Ｂ、及びＣに応じて欠陥箇所をプロットすることにな
る。
外周情報に基づいてウェハの外形をウェハ図形２１とし
てモニタ１６上に表示するとともに、ウェハ異常角度情
報に応じて欠陥箇所（異常検出箇所）をウェハ図形２１
の外周上にプロットする。図２に示す例では、ウェハ異
常角度情報はＡ、Ｂ、及びＣであるから、演算部１４
は、ウェハ図形２１の外周上にウェハ異常角度はＡ、
Ｂ、及びＣに応じて欠陥箇所をプロットすることにな
る。
【００３９】演算部１４では、これら欠陥箇所を始点と
し、ウェハ１の中心を終点とするようにして、直線成分
を描画する。この際、各直線成分の長さは、検出散乱光
強度を表すようにする。つまり、検出散乱光強度が弱い
と直線成分は短くなり、検出散乱光強度が強いと直線成
分は長くなり、欠陥の程度に応じて直線成分の長さが変
化することになる。さらに、直線成分の幅は当該欠陥に
ついて閾値以上となった角度範囲を示すことになり、欠
陥箇所がどの程度の角度範囲にわたっているかが直線成
分の幅によって表されることになる。
し、ウェハ１の中心を終点とするようにして、直線成分
を描画する。この際、各直線成分の長さは、検出散乱光
強度を表すようにする。つまり、検出散乱光強度が弱い
と直線成分は短くなり、検出散乱光強度が強いと直線成
分は長くなり、欠陥の程度に応じて直線成分の長さが変
化することになる。さらに、直線成分の幅は当該欠陥に
ついて閾値以上となった角度範囲を示すことになり、欠
陥箇所がどの程度の角度範囲にわたっているかが直線成
分の幅によって表されることになる。
【００４０】このようにして、演算部１４では、ウェハ
図形２１上に欠陥箇所を直線成分で表すウェハマップ表
示を行う。この際、欠陥の程度が直線成分の長さで表さ
れ、欠陥の範囲が直線成分の幅で表されることになる。
図形２１上に欠陥箇所を直線成分で表すウェハマップ表
示を行う。この際、欠陥の程度が直線成分の長さで表さ
れ、欠陥の範囲が直線成分の幅で表されることになる。
【００４１】以上のように、実施の形態２では、モニタ
１６上にウェハマップ表示を行って、ウェハ図形２１上
にきず等の欠陥箇所を直線成分で表示して、直線成分の
長さで欠陥の程度を示すとともに、直線成分の幅で欠陥
の範囲を示すようにしたので、ウェハ１上の欠陥箇所を
正確に把握できるばかりでなく、欠陥の程度及び範囲を
知ることができるという効果がある。この結果、ウェハ
１の欠陥箇所（異常箇所）を正確にしかも迅速に把握で
きることになる。
１６上にウェハマップ表示を行って、ウェハ図形２１上
にきず等の欠陥箇所を直線成分で表示して、直線成分の
長さで欠陥の程度を示すとともに、直線成分の幅で欠陥
の範囲を示すようにしたので、ウェハ１上の欠陥箇所を
正確に把握できるばかりでなく、欠陥の程度及び範囲を
知ることができるという効果がある。この結果、ウェハ
１の欠陥箇所（異常箇所）を正確にしかも迅速に把握で
きることになる。
【００４２】実施の形態３．この実施の形態３による欠
陥検査装置では、図１において、ウェハの欠陥を検査す
る都度、例えば演算部１４には、本体制御部から、当該
ウェハに関するナンバー（「ＩＤ」及び「Ｋｅｙ Ｎ
ｏ．」）、製造会社（Ｖｅｎｄ）、製造ライン（Ｌｉｎ
ｅ）、及び処理時間（ＴＩＭＥ）がウェハ処理情報とし
て与えられる。また、演算部１４では、異常検出角度情
報（Ａｎｇｌｅ）及びその際の検出散乱光強度（Ｌｅｖ
ｅｌ）を、ウェハ処理情報と対応付けてウェハ欠陥情報
を生成する。そして、ウェハ欠陥情報を制御部１５に渡
す。制御部１５は、このウェハ欠陥情報をウェハ欠陥情
報ファイルとして記憶装置（図示せず）に出力して保管
する。
陥検査装置では、図１において、ウェハの欠陥を検査す
る都度、例えば演算部１４には、本体制御部から、当該
ウェハに関するナンバー（「ＩＤ」及び「Ｋｅｙ Ｎ
ｏ．」）、製造会社（Ｖｅｎｄ）、製造ライン（Ｌｉｎ
ｅ）、及び処理時間（ＴＩＭＥ）がウェハ処理情報とし
て与えられる。また、演算部１４では、異常検出角度情
報（Ａｎｇｌｅ）及びその際の検出散乱光強度（Ｌｅｖ
ｅｌ）を、ウェハ処理情報と対応付けてウェハ欠陥情報
を生成する。そして、ウェハ欠陥情報を制御部１５に渡
す。制御部１５は、このウェハ欠陥情報をウェハ欠陥情
報ファイルとして記憶装置（図示せず）に出力して保管
する。
【００４３】図４は記憶装置に保管されたウェハ欠陥情
報ファイルの一例を示す図である。このウェハ欠陥情報
ファイルでは、「ＩＤ」、「Ｋｅｙ Ｎｏ．」、「Ｖｅ
ｎｄ」、及び「Ｌｉｎｅ」に対応して、異常検出角度情
報（Ａｎｇｌｅ）及び検出散乱光強度（Ｌｅｖｅｌ）が
記録されており、さらに、処理時間（ＴＩＭＥ）が付加
されている。
報ファイルの一例を示す図である。このウェハ欠陥情報
ファイルでは、「ＩＤ」、「Ｋｅｙ Ｎｏ．」、「Ｖｅ
ｎｄ」、及び「Ｌｉｎｅ」に対応して、異常検出角度情
報（Ａｎｇｌｅ）及び検出散乱光強度（Ｌｅｖｅｌ）が
記録されており、さらに、処理時間（ＴＩＭＥ）が付加
されている。
【００４４】ところで、上述のウェハ欠陥情報ファイル
には、図４に示すように、写真名（Ｐｈｏｔｏ Ｎａｍ
ｅ）欄を設けるようにしてもよい。この写真名欄は、き
ず等の欠陥を撮影した欠陥画像とリンクしており、写真
名欄を指定することによって、該当する欠陥画像が記憶
装置から呼び出されて、例えば、モニタ１６に表示され
る。
には、図４に示すように、写真名（Ｐｈｏｔｏ Ｎａｍ
ｅ）欄を設けるようにしてもよい。この写真名欄は、き
ず等の欠陥を撮影した欠陥画像とリンクしており、写真
名欄を指定することによって、該当する欠陥画像が記憶
装置から呼び出されて、例えば、モニタ１６に表示され
る。
【００４５】きず等の欠陥を撮影するには、例えば図５
に示す欠陥検査装置が用いられる。図５において、図１
に示す例と同一の構成要素については同一符号を付し、
説明を省略する。図５に示すように、散乱光受光部１３
に対向する位置に、光交換素子（例えば、ＣＣＤカメ
ラ：撮像手段）３１が配置される。つまり、図示の例で
は、光交換素子３１が散乱光受光部１３から１８０度の
角度離れた位置に配置されている（図５では、光交換素
子３１を散乱光受光部１３から１８０度の角度離れた位
置に配置しているが、光交換素子３１の位置は散乱光受
光部１３から１８０度離れた位置に配置する必要はな
く、光交換素子３１と散乱光受光部１３との位置関係が
わかっていればよい）。
に示す欠陥検査装置が用いられる。図５において、図１
に示す例と同一の構成要素については同一符号を付し、
説明を省略する。図５に示すように、散乱光受光部１３
に対向する位置に、光交換素子（例えば、ＣＣＤカメ
ラ：撮像手段）３１が配置される。つまり、図示の例で
は、光交換素子３１が散乱光受光部１３から１８０度の
角度離れた位置に配置されている（図５では、光交換素
子３１を散乱光受光部１３から１８０度の角度離れた位
置に配置しているが、光交換素子３１の位置は散乱光受
光部１３から１８０度離れた位置に配置する必要はな
く、光交換素子３１と散乱光受光部１３との位置関係が
わかっていればよい）。
【００４６】いま、サンプリング単位を、０．１度とし
て、ウェハ１の欠陥検査を行うと、演算部１４は、ウェ
ハ１を０．１度回転させる都度、検出散乱光を得ること
になる。そして、演算部１４では、検出散乱光強度と閾
値とを比較して、検出散乱光強度≧閾値であると、当該
検出散乱光強度に対応する角度を異常検出角度情報とす
ることになる。演算部１４には制御部１５から、散乱光
受光部１３と光交換素子３１との位置関係（図示の例で
は、１８０度）が与えられており、当該異常検出角度情
報から、散乱光受光部１３と光交換素子３１との位置関
係で示される角度だけウェハ１が回転した際、光交換素
子３１から与えられる画像を当該異常検出角度情報に対
応するウェハ欠陥画像とする（図６参照）。演算部１４
では、異常検出角度情報とウェハ欠陥画像とのペアを制
御部１５に与える。
て、ウェハ１の欠陥検査を行うと、演算部１４は、ウェ
ハ１を０．１度回転させる都度、検出散乱光を得ること
になる。そして、演算部１４では、検出散乱光強度と閾
値とを比較して、検出散乱光強度≧閾値であると、当該
検出散乱光強度に対応する角度を異常検出角度情報とす
ることになる。演算部１４には制御部１５から、散乱光
受光部１３と光交換素子３１との位置関係（図示の例で
は、１８０度）が与えられており、当該異常検出角度情
報から、散乱光受光部１３と光交換素子３１との位置関
係で示される角度だけウェハ１が回転した際、光交換素
子３１から与えられる画像を当該異常検出角度情報に対
応するウェハ欠陥画像とする（図６参照）。演算部１４
では、異常検出角度情報とウェハ欠陥画像とのペアを制
御部１５に与える。
【００４７】制御部１５では、ウェハ欠陥画像に写真名
を付加して、この写真名を、「ＩＤ」、「Ｋｅｙ Ｎ
ｏ．」、「Ｖｅｎｄ」、「Ｌｉｎｅ」、及び異常検出角
度情報（Ａｎｇｌｅ）に対応付けて、「Ｐｈｏｔｏ Ｎ
ａｍｅ」欄に記録するとともに、ウェハ欠陥画像（写真
名付き）を画像ファイルとして記憶装置に記録する。こ
のようにして、ウェハ欠陥画像を記録するようにすれ
ば、写真名（ＰｈｏｔｏＮａｍｅ）を指定するだけで、
「ＩＤ」、「Ｋｅｙ Ｎｏ．」、「Ｖｅｎｄ」、「Ｌｉ
ｎｅ」、及び異常検出角度情報（Ａｎｇｌｅ）に対応す
るウェハ欠陥画像を閲覧することができることになる。
を付加して、この写真名を、「ＩＤ」、「Ｋｅｙ Ｎ
ｏ．」、「Ｖｅｎｄ」、「Ｌｉｎｅ」、及び異常検出角
度情報（Ａｎｇｌｅ）に対応付けて、「Ｐｈｏｔｏ Ｎ
ａｍｅ」欄に記録するとともに、ウェハ欠陥画像（写真
名付き）を画像ファイルとして記憶装置に記録する。こ
のようにして、ウェハ欠陥画像を記録するようにすれ
ば、写真名（ＰｈｏｔｏＮａｍｅ）を指定するだけで、
「ＩＤ」、「Ｋｅｙ Ｎｏ．」、「Ｖｅｎｄ」、「Ｌｉ
ｎｅ」、及び異常検出角度情報（Ａｎｇｌｅ）に対応す
るウェハ欠陥画像を閲覧することができることになる。
【００４８】なお、演算部１４は、ウェハ欠陥画像をモ
ニタ１６に表示するようにしてもよい。つまり、演算部
１４では、異常検出角度情報を求めると、当該異常検出
角度情報から、散乱光受光部１３と光交換素子３１との
位置関係で示される角度だけウェハ１が回転した際、光
交換素子３１から与えられる画像を当該異常検出角度情
報に対応するウェハ欠陥画像として、図６に示すよう
に、モニタ１６に表示する（図６において、３２はウェ
ハ端面を示し、３３はウェハ欠陥（欠け）を示す）。こ
のようにすれば、オペレータはウェハの欠陥を直ちに画
像で認識することができることになる。
ニタ１６に表示するようにしてもよい。つまり、演算部
１４では、異常検出角度情報を求めると、当該異常検出
角度情報から、散乱光受光部１３と光交換素子３１との
位置関係で示される角度だけウェハ１が回転した際、光
交換素子３１から与えられる画像を当該異常検出角度情
報に対応するウェハ欠陥画像として、図６に示すよう
に、モニタ１６に表示する（図６において、３２はウェ
ハ端面を示し、３３はウェハ欠陥（欠け）を示す）。こ
のようにすれば、オペレータはウェハの欠陥を直ちに画
像で認識することができることになる。
【００４９】さらに、図４に示す例において、ＩＤ６で
示すように、オリエンテーションフラット（ＯＦ）欄に
チェックを入れるようにしてもよい。つまり、きず等の
欠陥でない場合であっても、光交換素子３１から得られ
る画像にオリエンテーションフラットがあると、例え
ば、マニュアルで当該ウェハ（図示の例では、ＩＤ６の
ウェハ）にオリエンテーションフラットがある旨記入し
（チェックし）その長さ（図示の例では２ｍｍ）を記入
するようにしてもよい。
示すように、オリエンテーションフラット（ＯＦ）欄に
チェックを入れるようにしてもよい。つまり、きず等の
欠陥でない場合であっても、光交換素子３１から得られ
る画像にオリエンテーションフラットがあると、例え
ば、マニュアルで当該ウェハ（図示の例では、ＩＤ６の
ウェハ）にオリエンテーションフラットがある旨記入し
（チェックし）その長さ（図示の例では２ｍｍ）を記入
するようにしてもよい。
【００５０】以上のように、実施の形態３によれば、ウ
ェハ処理情報とともにウェハ異常検出角度情報及びその
際の検出散乱光強度を保存しているから、後日ウェハの
欠陥を詳細に検討できるという効果がある。
ェハ処理情報とともにウェハ異常検出角度情報及びその
際の検出散乱光強度を保存しているから、後日ウェハの
欠陥を詳細に検討できるという効果がある。
【００５１】さらに、ウェハ異常検出角度情報に対応さ
せてウェハの欠陥を画像（ウェハ欠陥画像）で得るよう
にしたから、オペレータ等が欠陥の状態を正確に把握で
きるという効果がある。
せてウェハの欠陥を画像（ウェハ欠陥画像）で得るよう
にしたから、オペレータ等が欠陥の状態を正確に把握で
きるという効果がある。
【００５２】また、ウェハ欠陥情報ファイルを参照すれ
ば、製造会社及び製造ライン毎に異常ウェハの履歴を調
べることができるという効果もある。
ば、製造会社及び製造ライン毎に異常ウェハの履歴を調
べることができるという効果もある。
【００５３】実施の形態４．図７において、４１は図１
又は図５で説明した欠陥検査装置であり、この欠陥検査
装置４１は、半導体製造装置４２に備えられている。半
導体製造装置４２には、ウェハ投入カセット４３及び異
常（欠陥）ウェハ保管カセット４４が備えられており、
ウェハ投入カセット４３に多数のウェハが蓄えられてい
る。さらに、半導体製造装置４２には、搬送用ロボット
４５及び処理部（処理室）４６が備えられており、後述
するようにして、搬送用ロボット４５によってウェハ投
入カセット４３から欠陥検査装置４１にウェハ１が投入
される。そして、前述したようにして、位置決め・欠陥
検査が行われた後、正常であると、当該ウェハ１は、搬
送用ロボット４５によって処理室４６に搬送される。な
お、搬送用ロボット４５は本体制御部（図示せず）によ
って制御される。
又は図５で説明した欠陥検査装置であり、この欠陥検査
装置４１は、半導体製造装置４２に備えられている。半
導体製造装置４２には、ウェハ投入カセット４３及び異
常（欠陥）ウェハ保管カセット４４が備えられており、
ウェハ投入カセット４３に多数のウェハが蓄えられてい
る。さらに、半導体製造装置４２には、搬送用ロボット
４５及び処理部（処理室）４６が備えられており、後述
するようにして、搬送用ロボット４５によってウェハ投
入カセット４３から欠陥検査装置４１にウェハ１が投入
される。そして、前述したようにして、位置決め・欠陥
検査が行われた後、正常であると、当該ウェハ１は、搬
送用ロボット４５によって処理室４６に搬送される。な
お、搬送用ロボット４５は本体制御部（図示せず）によ
って制御される。
【００５４】次に動作について説明する。本体制御部の
制御下で、搬送用ロボット４５はウェハ投入カセット４
３からウェハ１を欠陥検査装置４１に搬送する。欠陥検
査装置４１では、図１又は図６で説明したようにして、
ウェハ１の位置決め及び欠陥検査（異常検出）を行う。
そして、欠陥検査装置４１は当該ウェハ１に異常がある
か否かを示す検査信号を本体制御部に送る。本体制御部
では検査信号が異常なしを示していると、搬送用ロボッ
ト４５によってウェハ１を欠陥検査装置４１から処理室
４６に搬送する。そして、処理室４６でウェハ１に対し
て所定の処理が行われて、処理済ウェハとされる。処理
が終了すると、本体制御部では搬送用ロボット４５を制
御して、搬送用ロボット４５によって処理済ウェハを処
理室４６からウェハ投入カセット４３に搬送し、処理済
ウェハをウェハ投入カセット４３に再投入する。
制御下で、搬送用ロボット４５はウェハ投入カセット４
３からウェハ１を欠陥検査装置４１に搬送する。欠陥検
査装置４１では、図１又は図６で説明したようにして、
ウェハ１の位置決め及び欠陥検査（異常検出）を行う。
そして、欠陥検査装置４１は当該ウェハ１に異常がある
か否かを示す検査信号を本体制御部に送る。本体制御部
では検査信号が異常なしを示していると、搬送用ロボッ
ト４５によってウェハ１を欠陥検査装置４１から処理室
４６に搬送する。そして、処理室４６でウェハ１に対し
て所定の処理が行われて、処理済ウェハとされる。処理
が終了すると、本体制御部では搬送用ロボット４５を制
御して、搬送用ロボット４５によって処理済ウェハを処
理室４６からウェハ投入カセット４３に搬送し、処理済
ウェハをウェハ投入カセット４３に再投入する。
【００５５】一方、検査信号が異常ありを示している
と、本体制御部では、搬送用ロボット４５によってウェ
ハ１を欠陥検査装置４１から異常ウェハ保管カセット４
４に搬送して、保管する。この際、前述のようにして、
ウェハ欠陥情報ファイルが生成されることになる。
と、本体制御部では、搬送用ロボット４５によってウェ
ハ１を欠陥検査装置４１から異常ウェハ保管カセット４
４に搬送して、保管する。この際、前述のようにして、
ウェハ欠陥情報ファイルが生成されることになる。
【００５６】以上のように、実施の形態４によれば、欠
陥検査装置で異常ありと判定されたウェハは自動的に異
常ウェハ保管カセットに保管され、この際、ウェハ欠陥
情報ファイルを生成するようにしたので、異常ウェハが
処理室に送られることがなく、未然にトラブルを防止す
ることができるという効果がある。さらに、後日、異常
ウェハ保管カセットに保管されたウェハとウェハ欠陥情
報ファイルとを対応づけて欠陥の調査を行うことができ
る。
陥検査装置で異常ありと判定されたウェハは自動的に異
常ウェハ保管カセットに保管され、この際、ウェハ欠陥
情報ファイルを生成するようにしたので、異常ウェハが
処理室に送られることがなく、未然にトラブルを防止す
ることができるという効果がある。さらに、後日、異常
ウェハ保管カセットに保管されたウェハとウェハ欠陥情
報ファイルとを対応づけて欠陥の調査を行うことができ
る。
【００５７】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、被処
理基板（ウェハ）を位置決めした後、位置決めした位置
から被処理基板を少なくとも一回転させつつ、被処理基
板を検査して、被処理基板に欠陥があると、欠陥の位置
を被処理基板の回転角度を示す角度情報として求めるよ
うにしたから、被処理基板の欠陥位置が角度情報として
得られ、その結果、被処理基板位置決めの際にウェハの
欠陥位置を精度よくしかも容易に検出することができる
という効果がある。これによって、半導体装置の製造の
際、欠陥に対して迅速な対応を行うことができ、半導体
装置の生産性を向上できるという効果がある。
理基板（ウェハ）を位置決めした後、位置決めした位置
から被処理基板を少なくとも一回転させつつ、被処理基
板を検査して、被処理基板に欠陥があると、欠陥の位置
を被処理基板の回転角度を示す角度情報として求めるよ
うにしたから、被処理基板の欠陥位置が角度情報として
得られ、その結果、被処理基板位置決めの際にウェハの
欠陥位置を精度よくしかも容易に検出することができる
という効果がある。これによって、半導体装置の製造の
際、欠陥に対して迅速な対応を行うことができ、半導体
装置の生産性を向上できるという効果がある。
【００５８】この発明によれば、モニタ上に被処理基板
の回転角度及び散乱光強度で規定される座標系を表示し
て、この座標系に被処理基板の回転角度に応じて散乱光
強度を表示するとともに閾値を表示するようにしたか
ら、閾値以上の散乱光強度が一目で分かり、しかも、欠
陥が被処理基板のいずれの位置にあるかが一目で分かる
という効果がある。
の回転角度及び散乱光強度で規定される座標系を表示し
て、この座標系に被処理基板の回転角度に応じて散乱光
強度を表示するとともに閾値を表示するようにしたか
ら、閾値以上の散乱光強度が一目で分かり、しかも、欠
陥が被処理基板のいずれの位置にあるかが一目で分かる
という効果がある。
【００５９】この発明によれば、被処理基板に欠陥があ
るとアラーム信号を送出するようにしたから、オペレー
タに対して注意を喚起できるという効果がある。
るとアラーム信号を送出するようにしたから、オペレー
タに対して注意を喚起できるという効果がある。
【００６０】この発明によれば、被処理基板に対応付け
て角度情報を異常検出角度情報として記憶装置に保管す
るようにしたから、後日、被処理基板の異常を詳細に検
討できるという効果がある。
て角度情報を異常検出角度情報として記憶装置に保管す
るようにしたから、後日、被処理基板の異常を詳細に検
討できるという効果がある。
【００６１】この発明によれば、被処理基板の外形寸法
を示す基板情報に基づいて被処理基板を示す基板図形を
表示するとともに、基板図形上に角度情報に応じて欠陥
位置を表示するようにしたから、被処理基板上の欠陥位
置を精度よく把握できるという効果がある。
を示す基板情報に基づいて被処理基板を示す基板図形を
表示するとともに、基板図形上に角度情報に応じて欠陥
位置を表示するようにしたから、被処理基板上の欠陥位
置を精度よく把握できるという効果がある。
【００６２】この発明によれば、被処理基板の欠陥を撮
影して異常画像を得て、角度情報に対応づけて異常画像
をモニタ上に表示するようにしたから、異常画像によっ
て欠陥を詳細に観察できるという効果がある。この際、
被処理基板に対応付けて角度情報及び異常画像を記憶装
置に保管するようにすれば、後日、被処理基板の異常を
詳細しかも精度よく検討できる。
影して異常画像を得て、角度情報に対応づけて異常画像
をモニタ上に表示するようにしたから、異常画像によっ
て欠陥を詳細に観察できるという効果がある。この際、
被処理基板に対応付けて角度情報及び異常画像を記憶装
置に保管するようにすれば、後日、被処理基板の異常を
詳細しかも精度よく検討できる。
【図１】 この発明の実施の形態１による被処理基板欠
陥検査装置を示す構成図である。
陥検査装置を示す構成図である。
【図２】 図１に示すモニタ上に表示される異常検出結
果の一例を示す図である。
果の一例を示す図である。
【図３】 この発明の実施の形態２による被処理基板欠
陥検査装置によってモニタ上に表示されるウェハ欠陥位
置を示す図である。
陥検査装置によってモニタ上に表示されるウェハ欠陥位
置を示す図である。
【図４】 異常検出角度情報ファイルの一例を示す図で
ある。
ある。
【図５】 この発明の実施の形態３による被処理基板欠
陥検査装置を示す構成図である。
陥検査装置を示す構成図である。
【図６】 図５に示す光変換素子で撮影された画像の一
例を示す図である。
例を示す図である。
【図７】 この発明の実施の形態４による半導体製造装
置を示す構成図である。
置を示す構成図である。
【図８】 従来の被処理基板位置決め装置を示す構成図
である。
である。
１ ウェハ、２ 真空保持台、３ シリンダ部、４ ア
クチュエータ、５ 位置合わせ部材、５ａ，５ｃ 平坦
面、５ｂ スロープ部、６ 透過型センサ、６ａ 投光
部、６ｂ 受光部、７ 制御部、１１ 欠陥検査ブロッ
ク体、１１ａ空洞部、１１ｂ 開口端、１２ 光源、１
３ 散乱光受光部、１４ 演算部、１５ 制御部、１６
モニタ、２１ ウェハ図形、３１ 光交換素子（ＣＣ
Ｄカメラ、撮像手段）、４１ 欠陥検査装置、４２ 半
導体製造装置、４３ ウェハ投入カセット、４４ 異常
ウェハ保管カセット、４５ 搬送用ロボット、４６ 処
理部（処理室）、１１１ 切り欠き部。
クチュエータ、５ 位置合わせ部材、５ａ，５ｃ 平坦
面、５ｂ スロープ部、６ 透過型センサ、６ａ 投光
部、６ｂ 受光部、７ 制御部、１１ 欠陥検査ブロッ
ク体、１１ａ空洞部、１１ｂ 開口端、１２ 光源、１
３ 散乱光受光部、１４ 演算部、１５ 制御部、１６
モニタ、２１ ウェハ図形、３１ 光交換素子（ＣＣ
Ｄカメラ、撮像手段）、４１ 欠陥検査装置、４２ 半
導体製造装置、４３ ウェハ投入カセット、４４ 異常
ウェハ保管カセット、４５ 搬送用ロボット、４６ 処
理部（処理室）、１１１ 切り欠き部。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 大野 俊樹
東京都千代田区大手町二丁目６番２号 三
菱電機エンジニアリング株式会社内
(72)発明者 木村 泰広
東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三
菱電機株式会社内
(72)発明者 米村 俊雄
東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三
菱電機株式会社内
(72)発明者 豊田 正人
東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三
菱電機株式会社内
(72)発明者 野口 利彦
東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三
菱電機株式会社内
Ｆターム(参考） 2F065 AA39 AA49 BB03 CC19 FF01
FF41 FF48 GG04 HH12 JJ03
JJ15 JJ26 MM04 QQ24
2G051 AA51 AB02 BA10 CA03 CB05
DA03 DA08 DA13 EA14 EB01
FA02 FA10
4M106 AA01 BA05 CA38 DB04 DJ05
DJ06
Claims (11)
- 【請求項１】 半導体製造プロセスにおいて被処理基板
の位置決めを行う位置決め装置に組み込まれ、該被処理
基板の欠陥を検査する被処理基板欠陥検査装置におい
て、 前記被処理基板が位置決めされた後、該位置決めした位
置から前記被処理基板を少なくとも一回転させつつ前記
被処理基板を検査する検査手段と、 前記被処理基板に欠陥があると、前記欠陥の位置を前記
被処理基板の回転角度を示す角度情報として求める角度
情報算出手段とを有することを特徴とする被処理基板欠
陥検査装置。 - 【請求項２】 検査手段は、被処理基板に光を照射する
照射手段と、前記被処理基板で回析散乱した光を散乱光
として受ける受光手段と、前記散乱光の強度が予め規定
された閾値以上であると、前記被処理基板に欠陥がある
と判定する判定手段とを有することを特徴とする請求項
１記載の被処理基板欠陥検査装置。 - 【請求項３】 検査手段は、モニタ上に回転角度及び散
乱光強度で規定される座標系を表示し、該座標系に被処
理基板の回転角度に応じて前記散乱光強度と閾値とを表
示することを特徴とする請求項２記載の被処理基板欠陥
検査装置。 - 【請求項４】 判定手段は、被処理基板に欠陥がある
と、アラーム信号を送出することを特徴とする請求項２
記載の被処理基板欠陥検査装置。 - 【請求項５】 角度情報算出手段が被処理基板に対応付
けて角度情報を異常検出角度情報として保管する記憶装
置を備えたことを特徴とする請求項１記載の被処理基板
欠陥検査装置。 - 【請求項６】 角度情報算出手段は、被処理基板の外形
寸法を示す基板情報が与えられ、該基板情報に基づいて
前記被処理基板を示す基板図形を表示すると共に、該基
板図形上に角度情報に応じて欠陥位置を表示することを
特徴とする請求項１記載の被処理基板欠陥検査装置。 - 【請求項７】 被処理基板の欠陥を撮影して異常画像を
得る撮像手段を有し、角度情報算出手段は、角度情報に
対応づけて前記異常画像をモニタ上に表示することを特
徴とする請求項１記載の被処理基板欠陥検査装置。 - 【請求項８】 角度情報算出手段が被処理基板に対応付
けて角度情報及び異常画像を保管する記憶装置を備えた
ことを特徴とする請求項１記載の被処理基板欠陥検査装
置。 - 【請求項９】 請求項４記載の被処理基板欠陥検査装置
と共に用いられ、アラーム信号を受けると、アラームを
発して半導体製造プロセスを一旦停止する手段を備えた
半導体製造装置。 - 【請求項１０】 請求項１記載の被処理基板欠陥検査装
置と共に用いられ、検査手段で被処理基板に欠陥がある
と判定されると、当該被処理基板を半導体製造プロセス
から外す手段を備えた半導体製造装置。 - 【請求項１１】 半導体製造プロセスにおいて被処理基
板の位置決めを行う際に、該被処理基板の欠陥を検査す
る被処理基板欠陥検査方法において、 前記被処理基板が位置決めされた後、該位置決めした位
置から前記被処理基板を少なくとも一回転させつつ前記
被処理基板を検査する検査ステップと、 前記被処理基板に欠陥があると、前記欠陥の位置を前記
被処理基板の回転角度を示す角度情報として求める角度
情報算出ステップとを有することを特徴とする被処理基
板欠陥検査方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001285527A JP2003090803A (ja) | 2001-09-19 | 2001-09-19 | 被処理基板欠陥検査装置、これを用いた半導体製造装置、及び被処理基板欠陥検査方法 |
| KR10-2002-0043331A KR100495323B1 (ko) | 2001-09-19 | 2002-07-23 | 피처리기판 결함 검사장치 |
| US10/219,292 US6768542B2 (en) | 2001-09-19 | 2002-08-16 | Defect inspecting device for substrate to be processed and method of manufacturing semiconductor device |
| DE10237540A DE10237540A1 (de) | 2001-09-19 | 2002-08-16 | Fehlerinspektionsvorrichtung und Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001285527A JP2003090803A (ja) | 2001-09-19 | 2001-09-19 | 被処理基板欠陥検査装置、これを用いた半導体製造装置、及び被処理基板欠陥検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003090803A true JP2003090803A (ja) | 2003-03-28 |
Family
ID=19108668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001285527A Withdrawn JP2003090803A (ja) | 2001-09-19 | 2001-09-19 | 被処理基板欠陥検査装置、これを用いた半導体製造装置、及び被処理基板欠陥検査方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6768542B2 (ja) |
| JP (1) | JP2003090803A (ja) |
| KR (1) | KR100495323B1 (ja) |
| DE (1) | DE10237540A1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006084294A (ja) * | 2004-09-15 | 2006-03-30 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | 半導体ウェハの欠陥検出装置 |
| US7426031B2 (en) | 2005-08-02 | 2008-09-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus for inspecting target defects on a wafer |
| JP2008298696A (ja) * | 2007-06-01 | 2008-12-11 | Yamanashi Gijutsu Kobo:Kk | ウェハ周縁端の異物検査方法、及び異物検査装置 |
| JP2009016437A (ja) * | 2007-07-02 | 2009-01-22 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハの欠陥位置検出方法 |
| JP2014175614A (ja) * | 2013-03-12 | 2014-09-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | 検出装置 |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1625388A1 (de) | 2003-05-19 | 2006-02-15 | Micro-Epsilon Messtechnik GmbH & Co. KG | Verfahren und vorrichtung zur optischen qualitätsprüfung von objekten mit vor-zugsweise kreisförmig umlaufendem rand |
| US7280200B2 (en) * | 2003-07-18 | 2007-10-09 | Ade Corporation | Detection of a wafer edge using collimated light |
| TW200509279A (en) * | 2003-08-29 | 2005-03-01 | Nanya Technology Corp | Method and apparatus for real-time detection of wafer defects |
| JP4391217B2 (ja) * | 2003-12-16 | 2009-12-24 | 株式会社トプコン | 表面検査装置 |
| JP4346537B2 (ja) * | 2004-09-10 | 2009-10-21 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 表面検査装置および表面検査方法 |
| KR100674440B1 (ko) * | 2005-08-12 | 2007-01-25 | 주식회사 파이컴 | 프로브 카드 제조 방법 및 장치 |
| TW200734629A (en) * | 2006-02-21 | 2007-09-16 | Dainippon Screen Mfg | Appratus for detecting crack of substrate and substrate processing appratus |
| CN101467023B (zh) * | 2006-04-03 | 2011-08-17 | 鲁道夫科技公司 | 晶片斜面检查机构 |
| CN101490538B (zh) * | 2006-08-02 | 2013-03-27 | 株式会社尼康 | 缺陷检测装置和缺陷检测方法 |
| US20080091249A1 (en) * | 2006-10-11 | 2008-04-17 | Bwt Property, Inc. | Photobiomodulation Apparatus with Enhanced Performance and Safety Features |
| US7656518B2 (en) * | 2007-03-30 | 2010-02-02 | Asml Netherlands B.V. | Method of measuring asymmetry in a scatterometer, a method of measuring an overlay error in a substrate and a metrology apparatus |
| JP5572293B2 (ja) * | 2008-07-07 | 2014-08-13 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
| US8871605B2 (en) * | 2012-04-18 | 2014-10-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Methods for fabricating and orienting semiconductor wafers |
| US20140064596A1 (en) * | 2012-08-29 | 2014-03-06 | Micron Technology, Inc. | Descriptor guided fast marching method for analyzing images and systems using the same |
| US9255894B2 (en) | 2012-11-09 | 2016-02-09 | Kla-Tencor Corporation | System and method for detecting cracks in a wafer |
| US9886029B2 (en) | 2013-12-02 | 2018-02-06 | Daihen Corporation | Workpiece processing apparatus and workpiece transfer system |
| JP6617050B2 (ja) * | 2016-02-22 | 2019-12-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板撮像装置 |
| CN106290396B (zh) * | 2016-10-25 | 2018-12-18 | 东方晶源微电子科技（北京）有限公司 | 样品缺陷检测装置 |
| US10720354B2 (en) * | 2018-08-28 | 2020-07-21 | Axcelis Technologies, Inc. | System and method for aligning light-transmitting birefringent workpieces |
| JP7132042B2 (ja) * | 2018-09-10 | 2022-09-06 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4342515A (en) * | 1978-01-27 | 1982-08-03 | Hitachi, Ltd. | Method of inspecting the surface of an object and apparatus therefor |
| JPS57161641A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-05 | Olympus Optical Co Ltd | Inspecting device for defect of surface |
| JP2611251B2 (ja) * | 1987-08-28 | 1997-05-21 | 株式会社ニコン | 基板搬送装置 |
| US5194743A (en) * | 1990-04-06 | 1993-03-16 | Nikon Corporation | Device for positioning circular semiconductor wafers |
| JPH05160245A (ja) | 1991-12-06 | 1993-06-25 | Nikon Corp | 円形基板の位置決め装置 |
| JP2760918B2 (ja) * | 1992-02-03 | 1998-06-04 | 大日本スクリーン製造株式会社 | ノッチ付ウエハの位置検出装置 |
| US5471066A (en) * | 1993-08-26 | 1995-11-28 | Nikon Corporation | Defect inspection apparatus of rotary type |
| JPH08264606A (ja) | 1995-03-27 | 1996-10-11 | Hitachi Ltd | 真空中処理基板検査装置 |
| US5602401A (en) * | 1995-07-10 | 1997-02-11 | Qc Optics, Inc. | Data processing system and method for a surface inspection apparatus |
| JPH1012709A (ja) * | 1996-06-25 | 1998-01-16 | Nikon Corp | 円形基板位置決め装置 |
| JP2915864B2 (ja) | 1997-01-10 | 1999-07-05 | オリンパス光学工業株式会社 | ウエハ検査装置 |
| JP2996193B2 (ja) * | 1997-01-17 | 1999-12-27 | 日本電気株式会社 | ウェハ検査方法および装置 |
| KR200177279Y1 (ko) * | 1997-09-02 | 2000-04-15 | 김영환 | 웨이퍼 부분파손 검출장치 |
| EP0930498A3 (en) * | 1997-12-26 | 1999-11-17 | Nidek Co., Ltd. | Inspection apparatus and method for detecting defects |
| JPH11326229A (ja) | 1998-05-21 | 1999-11-26 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | 異物検査装置 |
| KR20000060958A (ko) * | 1999-03-22 | 2000-10-16 | 윤종용 | 웨이퍼 결함 검사장치 및 이를 이용한 결함 검사방법 |
-
2001
- 2001-09-19 JP JP2001285527A patent/JP2003090803A/ja not_active Withdrawn
-
2002
- 2002-07-23 KR KR10-2002-0043331A patent/KR100495323B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-08-16 DE DE10237540A patent/DE10237540A1/de not_active Ceased
- 2002-08-16 US US10/219,292 patent/US6768542B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006084294A (ja) * | 2004-09-15 | 2006-03-30 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | 半導体ウェハの欠陥検出装置 |
| JP4520260B2 (ja) * | 2004-09-15 | 2010-08-04 | 川崎重工業株式会社 | ウェハの欠陥検出方法および装置 |
| US7426031B2 (en) | 2005-08-02 | 2008-09-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus for inspecting target defects on a wafer |
| JP2008298696A (ja) * | 2007-06-01 | 2008-12-11 | Yamanashi Gijutsu Kobo:Kk | ウェハ周縁端の異物検査方法、及び異物検査装置 |
| KR101440622B1 (ko) | 2007-06-01 | 2014-09-15 | 가부시끼가이샤 야마나시 기쥬쯔 고오보오 | 웨이퍼 주연 단부의 이물질 검사 방법 및 이물질 검사 장치 |
| JP2009016437A (ja) * | 2007-07-02 | 2009-01-22 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハの欠陥位置検出方法 |
| JP2014175614A (ja) * | 2013-03-12 | 2014-09-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | 検出装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030053046A1 (en) | 2003-03-20 |
| DE10237540A1 (de) | 2003-04-17 |
| KR100495323B1 (ko) | 2005-06-14 |
| KR20030025167A (ko) | 2003-03-28 |
| US6768542B2 (en) | 2004-07-27 |
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| A711 | Notification of change in applicant |
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|
| RD01 | Notification of change of attorney |
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