KR20090004608A

KR20090004608A - 반도체 웨이퍼의 결함 위치 검출 방법

Info

Publication number: KR20090004608A
Application number: KR1020080062226A
Authority: KR
Inventors: 마사유끼 야마모또; 사또시 이께다
Original assignee: 닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date: 2007-07-02
Filing date: 2008-06-30
Publication date: 2009-01-12
Also published as: US20090009755A1; KR101368157B1; TWI447383B; CN101339913B; US7876432B2; TW200909800A; JP2009016437A; JP5022793B2; CN101339913A

Abstract

반도체 웨이퍼의 외주 형상을 제1 검출 수단으로 검출하고, 제1 검출 수단의 검출 결과를 기초로 하여 웨이퍼의 중심 위치를 구한다. 또한, 웨이퍼면으로부터의 반사광을 제2 검출 수단으로 수광하고, 제2 검출 수단의 검출 결과를 기초로 하여 위치 결정 부위를 검출하여 당해 위치 결정 부위의 위치를 구한다. 또한, 제2 검출 수단의 검출 결과를 기초로 하여 결함을 검출하여 당해 결함의 위치를 구한다.

반도체 웨이퍼, 투광기, 수광기, 보호 테이프, 노치

Description

반도체 웨이퍼의 결함 위치 검출 방법{METHOD FOR DETECTING POSITION OF DEFECT ON SEMICONDUCTOR WAFER}

본 발명은 반도체 웨이퍼의 외주부에 발생한 흠이나 깨짐 등의 결함의 발생 위치를 검출하는 반도체 웨이퍼의 결함 위치 검출 방법에 관한 것이다.

반도체 웨이퍼의 중심 위치를 검출하는 방법으로서는, 웨이퍼 주연을 사이에 두고 대향 배치된 투광기와 수광기로 이루어지는 광투과식 검출 수단을 이용하고 있다. 구체적으로는, 웨이퍼 주연에 형성된 위치 결정 부위인 노치(notch)나 오리엔테이션 플랫(orientation flat) 등의 위치 결정 부위를 검출한다. 그 위치 검출을 기초로 하여 웨이퍼 중심 위치를 얻는 광투과식 검출 방법이 알려져 있다(예를 들어, 일본 특허출원공개 평8-279547호 공보를 참조).

또한, 광반사식 검출 방법이 알려져 있다. 예를 들어, 반도체 웨이퍼면에 광을 조사하여, 그 반사광을 촬상 카메라로 수광한다. 그때에 취득된 화상 데이터를 기초로 하여 노치의 위치를 결정한다(예를 들어, 일본 특허출원공개 제2003-258062호 공보를 참조).

그러나, 광투과식 검출 방법에 있어서는, 이하의 문제가 있다. 반도체 웨이퍼의 패턴 형성면에 보호 테이프가 부착되어 있는 경우, 전공정에 있어서 노치를 덮는 보호 테이프의 부분에 금속막이 증착되거나, 더스트가 부착되거나 한다. 그 결과, 노치 부분에서의 광 투과성이 저하되어 정확하게 노치를 검출할 수 없다.

또한, 광반사식 검출 방법에 있어서는, 이하의 문제가 있다. 반도체 웨이퍼면의 상태에 따라서 조사광이 난반사된다. 이 난반사의 영향으로 노치 부분의 화상이 흐려져 버려 정확한 검출이 곤란해진다. 특히, 종래의 방법에서는, 촬상한 화상 데이터는 반도체 웨이퍼의 부분이 검고, 다른 부분이 흰 농담으로 표시되어 있다.

따라서, 노치보다 작은 미세한 흠이나 웨이퍼면의 깨짐 등의 결함을 검출할 수 없는 등의 문제가 있다.

본 발명은 노치보다 작은 미세한 흠이나 반도체 웨이퍼면의 깨짐 등의 결함을 정밀도 좋게 검출할 수 있는 반도체 웨이퍼의 결함 위치 검출 방법을 제공하는 것을 주된 목적으로 한다.

본 발명은 이와 같은 목적을 달성하기 위해, 다음과 같은 구성을 채용한다.

반도체 웨이퍼의 외주 형상을 제1 검출 수단으로 검출하는 과정과,

상기 제1 검출 수단의 검출 결과를 기초로 하여 반도체 웨이퍼의 중심 위치를 구하는 과정과,

반도체 웨이퍼면으로부터의 반사광을 제2 검출 수단으로 수광하는 과정과,

상기 제2 검출 수단의 검출 결과를 기초로 하여 위치 결정 부위를 검출하여 당해 위치 결정 부위의 위치를 구하는 과정과,

상기 제2 검출 수단의 검출 결과를 기초로 하여 결함을 검출하여 당해 결함의 위치를 구하는 과정을 구비한다.

본 발명의 반도체 웨이퍼의 결함 위치 검출 방법에 따르면, 이하의 순서로 실시된다. 반도체 웨이퍼(이하, 적절하게 「웨이퍼」라고 함)의 외주 형상을 제1 검출 수단으로 검출한다. 웨이퍼의 외주에 구비된 노치나 오리엔테이션 플랫 등의 위치 결정 부위의 위치를 검출한다. 그 검출 결과를 기초로 하여 웨이퍼의 중심 위치를 구한다. 이 경우, 제1 검출 수단으로서는, 광투과식 혹은 광반사식 중 어느 것을 이용해도 좋다.

다음에, 웨이퍼의 패턴 형성면 또는 그 이면으로부터의 반사광을 제2 검출 수단으로 수광한다. 웨이퍼 외주의 위치 결정 부위를 검출하여 당해 위치 결정 부위의 위치를 구하는 동시에, 제2 검출 수단의 검출 결과를 기초로 하여 결함을 검출하여 당해 결함의 위치를 구한다.

이와 같이 하여 구해진 위치 정보를 메모리 등에 기억시킴으로써 이후의 처리 공정에 있어서의 반도체 웨이퍼를 처리 스테이지 상에 장전할 때의 위치 정렬이나 방향 설정의 정보로서 이용할 수 있다.

또한, 상기 방법에 있어서, 반사광을 수광하는 과정은, 예를 들어 반도체 웨이퍼에 대해 수직으로 광을 조사하고, 반도체 웨이퍼면으로부터 수직으로 반사되어 복귀되는 반사광을 당해 광로 상에 배치한 광학 부재로 촬상 수단으로 유도하여 검출하는 것이 바람직하다.

또한, 당해 방법에 있어서, 광학 부재는 빔 스플리터이고, 반도체 웨이퍼의 이면으로부터 전반사되어 조사 광로와 동일한 광로로 복귀되는 반사광을, 당해 반사광에 대해 직교 방향으로 배치한 촬상 수단으로 유도하는 것이 보다 바람직하다.

이 방법에 따르면, 반도체 웨이퍼에 대해 수직으로 광을 조사함으로써 웨이퍼면의 성상에 관계없이 난반사를 억제할 수 있다. 그 결과, 조사면의 미세한 깨짐 등을 고정밀도로 검출할 수 있다.

또한, 상기 방법에 있어서, 결함의 위치는 이하와 같이 하여 구할 수 있다.

예를 들어, 제1 방법으로, 위치 결정 부위를 기준 위치로 하여 당해 기준 위치로부터 반도체 웨이퍼 주위 방향으로의 어긋남량으로서 구한다.

제2 방법으로, 상기 촬상 수단에 의해 얻어진 상기 반도체 웨이퍼의 외주의 화상 데이터와 미리 취득한 기준 화상 데이터의 패턴 매칭에 의해 구한다.

제3 방법으로, 상기 촬상 수단에 의해 얻어진 상기 반도체 웨이퍼의 외주의 화상 데이터로부터 구해지는 면적과 미리 정한 기준 면적의 비교에 의해 결손 후보를 추정하고,

상기 촬상 장치에 의해 상기 추정 개소를 다시 촬상하여,

취득한 화상 데이터와 미리 취득한 기준 화상 데이터의 패턴 매칭에 의해 결손 위치를 특정한다.

상기 제1 내지 제3 방법에 따르면, 웨이퍼 주연에 발생하고 있는 흠이나 깨 짐을, 노치나 오리엔테이션 플랫 등의 위치 결정 부위로부터 웨이퍼 주위 방향으로의 어긋남량으로서 정밀도 좋게 구할 수 있다.

또한, 상기 방법에 있어서, 결함의 위치 정보를 기초로 하여 반도체 웨이퍼로의 점착 테이프의 부착 방향을 결정할 수 있다.

이 방법에 따르면, 반도체 웨이퍼를 따라서 부착 롤러를 구름 이동시켜 점착 테이프를 부착할 때에, 부착 롤러의 압박력 및 그 이동에 의해 결함으로부터 깨짐 등이 진행되지 않는 방향으로 점착 테이프를 부착해 가는 것이 가능해진다.

또한, 상기 방법에 있어서, 반도체 웨이퍼는 패턴 형성면에 보호 테이프가 부착되어 있고, 결함의 위치 정보를 기초로 하여 보호 테이프의 박리 방향을 결정할 수도 있다.

이 방법에 따르면, 반도체 웨이퍼를 따라서 박리 롤러나 엣지 부재를 구름 이동시켜 보호 테이프를 박리할 때에, 박리 롤러 등의 압박력 및 그 이동에 의해 결함으로부터 깨짐 등이 진행되지 않는 방향으로 보호 테이프를 박리하는 것이 가능해진다.

또한, 상기 방법에 있어서, 반도체 웨이퍼의 결함의 위치 정보를 다음 공정으로 보낼 수도 있다.

이 방법에 따르면, 반도체 웨이퍼의 결함의 위치 정보를 다음 공정에서 이용함으로써, 깨짐이 진행되지 않도록 취급하는 것이 가능해진다.

본 발명에 따르면, 노치보다 작은 미세한 흠이나 반도체 웨이퍼면의 깨짐 등 의 결함을 정밀도 좋게 검출할 수 있는 반도체 웨이퍼의 결함 위치 검출 방법을 제공할 수 있다.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예를 설명한다.

도1에 반도체 웨이퍼의 위치 결정에 이용되는 얼라이너의 주요부 사시도, 도2에 그 연계도가 각각 도시되어 있다. 또한, 도5에 처리되는 반도체 웨이퍼(이하, 단순히 「웨이퍼」라고 함)(W)의 이면측에서 본 사시도가, 도6에 웨이퍼(W)의 일부의 단면도가 도시되어 있다.

도5 및 도6에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)는 회로 패턴이 형성된 표면에 보호 테이프(PT)가 부착되어 있다. 이 상태에서 웨이퍼(W)의 이면을 연삭하고, 얇아진 그 이면에 금속층(M)이 증착되어 있다. 따라서, 웨이퍼(W)의 외주에 위치 결정 부위로서 형성된 노치(K)의 부분에서, 노출된 보호 테이프(PT)의 이면에도 금속층(M)이 증착되어 있다.

도1 및 도2에 도시한 바와 같이, 얼라이너는 펄스 모터 등의 회전 구동 기구(2)에 의해 종축심(P) 방향으로 회전 가능하게 되어 있다. 또한, X축 구동 기구(3) 및 Y축 구동 기구(4)에 의해 서로 직교하는 X축 방향 및 Y축 방향으로 수평 이동 가능한 얼라이너 스테이지(1)가 구비되어 있다. 얼라이너 스테이지(1)는 보호 테이프(PT)로 보호된 표면을 상방향으로 하여 반입된 웨이퍼(W)를 흡착 유지한다.

얼라이너 스테이지(1)의 주위 방향에 있어서의 소정 위치에 제1 검출 수단으 로서 광투과 형식의 주연 측정 기구(5)가 배치되는 동시에, 다른 소정 위치에 제2 검출 수단으로서 광반사식 결함 검출 기구(6)가 배치되어 있다.

주연 측정 기구(5)는 웨이퍼(W)에 상방으로부터 광을 조사하는 광원(7)과, 웨이퍼(W)의 하방에서 광원(7)에 마주 대하는 수광 센서(8)로 구성되어 있다. 수광 센서(8)는 다수의 수광 소자를 웨이퍼(W)의 반경 방향으로 직선 형상으로 배치한 CCD 라인 센서가 이용되어 있다. 이 수광 센서(8)에서의 검출 데이터는 마이크로 컴퓨터를 이용하는 컨트롤러(9)에 입력되도록 되어 있다.

결함 검출 기구(6)는 도면 중 하방으로부터 상방을 향해 웨이퍼 이면에 대해 수직으로 광을 조사하는 광원(10), 이 광원(10)으로부터의 광을 웨이퍼 이면에서 수직으로 전반사시켜 조사광과 동일 광로로 복귀시키고, 이 반사광을 직각의 도면 중 좌측 방향으로 변경하는 편광 빔 스플리터(11), 편광 빔 스플리터(11)로부터 횡방향으로 안내된 반사광을 받는 CCD 카메라(12)에 의해 구성되어 있다. CCD 카메라(12)로 촬영된 화상 데이터는 컨트롤러(9) 내의 메모리 등의 기억 수단에 기억되도록 되어 있다.

얼라이너는 이상과 같이 구성되어 있고, 이것을 이용한 웨이퍼(W)의 위치 정렬 처리와 결함 검출 처리를 도3 및 도4의 흐름도를 기초로 하여 설명한다.

우선, 웨이퍼(W)가 로봇 아암 등의 적절한 핸들링 수단에 의해 반입되어, 보호 테이프(PT)가 부착된 표면을 상방향으로 하여 얼라이너 스테이지(1)에 적재된다. 적재된 웨이퍼(W)는 진공 흡착에 의해 유지된다(스텝 S01).

다음에, 얼라이너 스테이지(1)가 회전 구동 기구(2)에 의해 소정의 속도로 소정의 방향으로 1회전된다(스텝 S02). 동시에 주연 측정 기구(5)의 수광 센서(CCD 라인 센서)(8)에 의한 외주 단부의 검출이 행해져, 각 회전 위상에서의 외주 단부 위치가 계측되어 기억된다(스텝 S03).

컨트롤러(9)는 기억된 계측 데이터를 기초로 하여 웨이퍼(W)의 중심 위치가 XY 좌표 상의 좌표 위치(중심 좌표)로서 산출된다(스텝 S04).

산출된 웨이퍼(W)의 중심 좌표와 얼라이너 스테이지(1)의 중심에 대한 편차가 XY 보정 이동량으로서 산출된다(스텝 S05). 이 보정 이동량은 컨트롤러(9) 내의 메모리 등의 기억 수단에 기억된다(스텝 S06).

다음에, 얼라이너 스테이지(1)가 소정의 속도로 회전된다(스텝 S07). 이때, 광원(10)으로부터 웨이퍼 외주 부분이 이면(하부면)을 향해 광이 조사되는 동시에, 웨이퍼 이면에서 전반사되어 조사광과 동일 광로로 복귀되는 반사광을 CCD 카메라(12)에 의해 연속적으로 촬상한다. 이 취득된 촬상 데이터가 컨트롤러(9) 내의 메모리 등에 기억된다(스텝 S08). 컨트롤러(9)의 연산 처리부가 취득된 촬상 데이터를 기초로 하여 노치 위치 산출 처리(스텝 S10), 웨이퍼 흠 위치 산출 처리(스텝 S20) 및 웨이퍼 깨짐 위치 산출 처리(스텝 S30)를 병행하여 실행한다. 이하에 각 연산 처리에 대해 도4의 흐름도를 기초로 하여 설명한다.

[노치 위치 산출 처리(스텝 S10)]

CCD 카메라(12)의 연속 촬상에 의해 얻어진 화상으로부터 노치(K)라고 판단되는 후보가, 면적 비교에 의해 일치하는 부분으로서 선택된다(스텝 S11). 이때 이용되는 화상은 광원(10)으로부터 조사된 광이 웨이퍼 이면에서 반사되어 복귀되 는 반사광의 대략 전량을 수광하여 얻을 수 있다. 따라서, 웨이퍼 이면의 정상 상태의 부분은 백색으로 강조된다. 그 이외의 웨이퍼 외주 단부의 노치, 흠, 깨짐 및 웨이퍼 외주 영역에 대해서는 흑색으로 나타난다.

계속해서, 촬상 개시 위치로부터 노치 후보의 위치까지의 어긋남량(회전 각도)이 산출된다(스텝 S12). 이 산출 결과를 기초로 하여 노치 후보가 촬상 위치로 오도록 얼라이너 스테이지(1)가 어긋남량만큼 회전 제어된다(스텝 S13).

촬상 위치에 노치 후보가 위치 정렬되면 노치 후보가 다시 촬상되어(스텝 S14), 미리 등록되어 있는 노치 형상과 패턴 매칭 등에 의해 비교되어 노치(K)가 판별된다(스텝 S15).

노치(K)가 판별되면, 그 위치의 좌표가 산출된다(스텝 S16). 이 좌표 데이터를 기초로 하여 노치(K)를 미리 설정한 기준 위치(회전 위상)로 이동시키기 위한 보정 이동량(θ)이 산출된다(스텝 S17). 이 보정 이동량(θ)은 컨트롤러(9) 내의 메모리 등에 기억된다(스텝 S18).

[웨이퍼 흠 위치 산출 처리(스텝 S20)]

CCD 카메라(12)의 연속 촬상에 의해 얻어진 화상으로부터 흠으로 판단되는 후보가 면적 비교에 의해 선택된다(스텝 S21).

계속해서, 촬상 개시 위치로부터 흠 후보의 위치까지의 어긋남량(회전 각도)이 산출된다(스텝 S22). 이 산출 결과를 기초로 하여 흠 후보가 촬상 위치로 오도록 얼라이너 스테이지(1)가 어긋남량만큼 회전 제어된다(스텝 S23).

촬상 위치에 흠 후보가 위치 정렬되면 흠 후보가 다시 촬상되어(스텝 S24), 미리 등록되어 있는 노치 형상과 패턴 매칭 등에 의해 비교되어 매칭의 유무에 의해 흠인지 여부가 판별된다(스텝 S25).

흠으로 판별되면, 그 위치의 좌표가 산출된다(스텝 S26). 그 좌표는 컨트롤러(9) 내의 메모리 등에 기억된다(스텝 S27).

[웨이퍼 깨짐 위치 산출 처리(스텝 S30)]

CCD 카메라(12)의 연속 촬상에 의해 얻어진 화상으로부터 농담의 변화에 의해 웨이퍼 깨짐이 선택된다(스텝 S31). 이때 이용되는 화상은 광원(10)으로부터 조사된 광이 웨이퍼 이면에서 반사되어 복귀되는 반사광의 대략 전량을 수광하여 얻어진 것이다. 따라서, 웨이퍼 이면의 정상 상태의 부분은 백색으로 강조된다. 그 이외의 웨이퍼 외주 단부의 노치, 흠, 깨짐 및 웨이퍼 외주 영역에 대해서는 흑색으로 나타난다. 즉, 웨이퍼 이면의 성상에 기인하는 난반사의 영향을 제거하여 백색 표시되는 웨이퍼 이면의 화상 상에 미세한 깨짐이 선명하게 표시된다.

웨이퍼(W)의 깨짐의 존재가 판별되면, 깨짐의 길이 및 그 좌표 위치가 산출된다(스텝 S32). 이 산출 결과는 컨트롤러(9) 내의 메모리 등에 기억된다(스텝 S33).

이상의 각 처리가 종료되면, 웨이퍼 위치 정렬 처리와 검출 정보의 전달 처리가 행해진다.

웨이퍼 위치 정렬 처리 공정에서는 메모리 등에 기억된 XY 보정 이동량을 기초로 하여 얼라이너 스테이지(1)가 도1에 도시하는 X-Y 평면 상에서 수평 이동된다. 동시에, 보정 이동량(θ)을 기초로 하여 얼라이너 스테이지(1)가 회전 이동되 어 있다. 그 결과, 웨이퍼(W)는 중심 위치가 기준 위치에 있고, 노치(K)가 기준 회전 위상을 향한 소정의 자세로 보정된다(스텝 S41). 그 후, 웨이퍼(W)는 얼라이너 스테이지(1)로부터 반출되어 다음 공정으로 반송된다(스텝 S42).

검출 정보의 전달 처리 공정에서는 노치 위치, 웨이퍼 흠 위치 및 웨이퍼 깨짐 위치의 검출 정보가 이후의 각 처리 공정의 각 컨트롤러 등에 네트워크나 기록 매체를 통해 전달되거나, 각 위치 정보가 기록된 2차원 또는 3차원으로 코드화된 라벨 등으로서 웨이퍼(W)에 부착되거나 한다(스텝 S51).

웨이퍼(W)에 흠이나 깨짐이 발생하여, 이것이 검출된 경우의 처리의 일례를 이하에 예시한다.

백그라인드 처리가 종료된 웨이퍼(W)를 링 프레임(f)에 다이싱 테이프(DT)를 통해 부착 유지하고, 도7에 도시한 바와 같은 마운트 프레임(MF)을 제작하는 경우, 전공정에서 얻어져 전달된 각 위치 정보가 이용된다.

패턴 외주의 영역에 흠이나 깨짐이 검출된 웨이퍼(W)에 대해 흠 등의 위치 정보가 각 공정의 컨트롤러에 의해 판독된다. 이 위치 정보를 기초로 하여 흠이나 깨짐 등이 없는 부분을 테이프 부착 방향으로서 설정한다. 예를 들어, 테이프 부착 종단부측에 흠이나 깨짐이 위치하도록 테이프 부착 방향(부착 롤러의 이동 방향)을 설정한다. 즉, 흠의 크기를 비교하여, 큰 것을 부착 종단부 위치에 우선하여 설정하거나, 깨짐의 길이 방향에 따르도록 테이프 부착 방향을 설정하거나 한다. 이와 같이 테이프 부착 방향을 설정함으로써, 웨이퍼(W)에 작용하는 테이프 부착 응력이 저감되어 흠이나 깨짐이 진행되는 것을 미연에 회피하는 것이 가능해 진다.

또한, 웨이퍼(W)를 링 프레임(f)에 다이싱 테이프(DT)를 통해 부착 유지한 후, 웨이퍼(W)의 표면에 부착되어 있는 보호 테이프(PT)를 박리하는 경우, 다음과 같이 하여 처리한다. 예를 들어, 도8에 도시한 바와 같이, 폭이 좁은 박리 테이프(ST)를 엣지 부재(14)를 통해 보호 테이프(PT)에 부착하면서 엣지 부재(14)의 선단부에서 박리 테이프(ST)를 되접어 회수한다. 이에 의해, 박리 테이프(ST)를 보호 테이프(PT)와 일체로 하여 웨이퍼 표면으로부터 박리할 수 있다.

이와 같은 박리 처리에 있어서, 흠이나 깨짐이 검출된 웨이퍼(W)에 대해서는, 다이싱 테이프(DT)의 부착과 마찬가지로 흠이나 깨짐 등이 없는 부분을 테이프 박리 방향으로서 설정한다. 즉, 테이프 부착 종단부측에 흠이나 깨짐이 위치하도록 박리 테이프(ST)의 부착 방향[엣지부(14)의 이동 방향]을 설정한다. 이와 같은 박리 테이프(ST)의 부착을 행함으로써, 웨이퍼(W)의 흠 등에 작용하는 테이프 박리 응력이나 엣지 부재(14)의 압박력이 저감되는 동시에, 박리 시에 작용하는 박리 응력(휘어짐량)이 저감된다.

예를 들어, 흠이 박리 종단부 위치에 있는 경우에는, 흠의 위치를 기점으로 박리 방향으로 휘어짐이 작용해도, 이후에 흠을 기점으로 파손되는 부분이 존재하지 않는다. 따라서, 박리 시에 웨이퍼(W)의 흠이나 깨짐이 진행되는 것을 미연에 회피하는 것이 가능해진다.

깨짐의 경우, 깨짐의 길이 방향과 박리 접점이 일치했을 때에, 박리 응력에 의해 그 부위로부터 웨이퍼(W)의 절곡이 조장되지만, 길이 방향을 따라서 보호 테 이프(PT)를 박리함으로써 그와 같은 현상을 미연에 회피할 수 있다. 또한, 깨짐의 길이 방향의 중심측을 기점으로 직경 방향(외측 방향)으로 박리함으로써 웨이퍼(W)의 박리 시의 휘어짐량을 저감시킬 수 있어, 깨짐의 진행을 미연에 회피하는 것이 가능해진다.

본 발명은 상술한 실시예의 것으로 한정되지 않고, 다음과 같이 변형 실시할 수도 있다.

(1) 상기 실시예에서는 CCD 라인 센서(8)를 이용한 제1 검출 수단(5)으로 웨이퍼 중심 위치를 구하고 있으나, CCD 카메라를 이용한 화상 처리로 웨이퍼 중심 위치를 구하는 것도 가능하다.

(2) 상기 실시예에서는 노치 위치 산출 처리, 웨이퍼 흠 위치 산출 처리 및 웨이퍼 깨짐 위치 산출 처리를 병행하여 행하는 경우를 나타냈으나, 이들을 순차적으로 행하는 것도 가능하다.

(3) 상기 실시예에서는 웨이퍼(W)의 이면으로부터 수직으로 광을 조사하고 있었으나, 패턴 형성면의 표면측으로부터 광을 조사하도록 해도 좋다.

본 발명은, 그 사상 또는 본질로부터 벗어나지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수도 있으며, 발명의 범위를 나타내는 것으로서, 이상의 설명이 아니라, 첨부된 청구 범위를 참조해야 한다.

도1은 얼라이너의 주요부를 도시하는 사시도.

도2는 얼라이너의 연계도.

도3은 반도체 웨이퍼의 전체의 처리 공정을 도시하는 흐름도.

도4는 처리 공정의 일부를 도시하는 흐름도.

도5는 반도체 웨이퍼를 이면측에서 본 사시도.

도6은 반도체 웨이퍼의 노치 부분에 있어서의 확대 단면도.

도7은 마운트 프레임의 사시도.

도8은 보호 테이프의 박리 처리 상태를 도시하는 사시도.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

1 : 얼라이너 스테이지

5 : 주연 측정 기구

6 : 결함 검출 기구

7 : 광원

8 : 수광 센서

11 : 편광 빔 스플리터

12 : CCD 카메라

W : 웨이퍼

Claims

반도체 웨이퍼의 결함 위치 검출 방법이며, 상기 방법은,

반도체 웨이퍼의 외주 형상을 제1 검출 수단으로 검출하는 과정과,

상기 제1 검출 수단의 검출 결과를 기초로 하여 반도체 웨이퍼의 중심 위치를 구하는 과정과,

반도체 웨이퍼의 면으로부터의 반사광을 제2 검출 수단으로 수광하는 과정과,

상기 제2 검출 수단의 검출 결과를 기초로 하여 위치 결정 부위를 검출하여, 당해 위치 결정 부위의 위치를 구하는 과정과,

상기 제2 검출 수단의 검출 결과를 기초로 하여 결함을 검출하여, 당해 결함의 위치를 구하는 과정을 포함하는 반도체 웨이퍼의 결함 위치 검출 방법.
제1항에 있어서, 반사광을 수광하는 과정은, 반도체 웨이퍼에 대해 수직으로 광을 조사하고, 반도체 웨이퍼면으로부터 수직으로 반사되어 복귀되는 반사광을 당해 광로 상에 배치한 광학 부재로 촬상 수단으로 유도하여 검출하는 반도체 웨이퍼의 결함 위치 검출 방법.
제2항에 있어서, 상기 광학 부재는, 빔 스플리터이고, 반도체 웨이퍼의 이면으로부터 전반사되어 조사 광로와 동일한 광로로 복귀되는 반사광을, 당해 반사광 에 대해 직교 방향으로 배치한 촬상 수단으로 유도하는 반도체 웨이퍼의 결함 위치 검출 방법.
제1항에 있어서, 상기 결함의 위치는, 상기 위치 결정 부위를 기준 위치로 하여, 당해 기준 위치로부터 반도체 웨이퍼 주위 방향으로의 어긋남량으로서 구하는 반도체 웨이퍼의 결함 위치 검출 방법.
제2항에 있어서, 상기 결함의 위치는, 상기 촬상 수단에 의해 얻어진 상기 반도체 웨이퍼의 외주의 화상 데이터와 미리 취득한 기준 화상 데이터의 패턴 매칭에 의해 구하는 반도체 웨이퍼의 결함 위치 검출 방법.
제5항에 있어서, 상기 결손의 위치는, 상기 촬상 수단에 의해 얻어진 상기 반도체 웨이퍼의 외주의 화상 데이터로부터 구해지는 면적과 미리 정한 기준 면적의 비교에 의해, 결손의 후보를 추정하고,

상기 촬상 장치에 의해 상기 추정 개소를 다시 촬상하고,

취득한 화상 데이터와 미리 취득한 기준 화상 데이터의 패턴 매칭에 의해 결손 위치를 특정하는 반도체 웨이퍼의 결함 위치 검출 방법.
제1항에 있어서, 상기 결함의 위치 정보를 기초로 하여, 상기 반도체 웨이퍼로의 점착 테이프의 부착 방향을 결정하는 반도체 웨이퍼의 결함 위치 검출 방법.
제1항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼는, 패턴 형성면에 보호 테이프가 부착되어 있고,

상기 결함의 위치 정보를 기초로 하여, 상기 보호 테이프의 박리 방향을 결정하는 반도체 웨이퍼의 결함 위치 검출 방법.
제1항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼의 결함의 위치 정보를 다음 공정으로 보내는 반도체 웨이퍼의 결함 위치 검출 방법.