JP2003203840A - 検査装置 - Google Patents

検査装置

Info

Publication number
JP2003203840A
JP2003203840A JP2002000246A JP2002000246A JP2003203840A JP 2003203840 A JP2003203840 A JP 2003203840A JP 2002000246 A JP2002000246 A JP 2002000246A JP 2002000246 A JP2002000246 A JP 2002000246A JP 2003203840 A JP2003203840 A JP 2003203840A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
stage
semiconductor wafer
substrate
wafer
center
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2002000246A
Other languages
English (en)
Inventor
Aomine Yamashita
青峰 山下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP2002000246A priority Critical patent/JP2003203840A/ja
Publication of JP2003203840A publication Critical patent/JP2003203840A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】 アライメントミスを防止してスループットを
向上させることができる検査装置を提供する。 【解決手段】 半導体ウエハ5が載置されるXYステー
ジ10と、このXYステージ10に設けられ、半導体ウ
エハ5を保持した状態で回転させるセンタアップ機構3
0とを備えている検査装置において、センタアップ機構
30によって所定角度回転した半導体ウエハ5のエッジ
を、半導体ウエハ5にオートフォーカス機構40を用い
て検出し、検出信号とXYステージ10の座標情報とに
基いて半導体ウエハ5の中心座標あるいは方向を演算処
理部50で演算するようにした。

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】この発明は検査装置に関し、
特に半導体の露光層の重ね合わせ測定に使用される検査
装置に関する。 【0002】 【従来の技術】重ね合わせ測定機は搬送ロボットとプリ
アライメント部とステージとローダ部とを備えている。 【0003】半導体ウエハの重ね合わせ測定は以下のよ
うに行われる。 【0004】まず、搬送ロボットによってローダ部から
取り出されたウエハは、プリアライメント部で、ウエハ
のノッチやオリエンテーションフラット(いわゆるオリ
フラ)に基いてラフアライメントを検出した後、測定の
ためステージに送られる。 【0005】ウエハは、ステージでグローバルアライメ
ントによって精密アライメントを行い、ウエハの位置決
めした状態でステージに設けられたセンタアップ機構に
よって保持される。 【0006】グローバルアライメントではウエハをステ
ージ上のウエハホルダに渡した後、ステージの移動方向
に対するチップの配列方向を合わせてアライメントを行
う。 【0007】更に、センタアップ機構の回転機構によっ
てウエハを180°回転させてTIS(Tool In
duced Shift)測定を行う。 【0008】TISは、ウエハの重ね合わせマークのず
れを検出するとき、測定機自体に起因する調整しきれな
い測定値のずれ量である。 【0009】TISは、ローディング機構からウエハホ
ルダに渡されたときに測定された重ね合わせずれ量と、
この状態からセンタアップ機構によってウエハを180
°回転させたときに測定された重ね合わせずれ量の差の
1/2として計算される。 【0010】 【発明が解決しようとする課題】ところで、TIS測定
では、まず、プリアライメント部でラフアライメントさ
れてステージに送られたウエハをグローバルアライメン
トして精密位置決めして最初のずれ量の測定が行われ
る。 【0011】その後、ウエハを180°回転させた位置
で再度ずれ量の測定が行われる。 【0012】その際、ウエハを180°回転させた位置
ではラフアライメントは改めて行われていないため、ウ
エハが検出範囲から外れ、グローバルアライメントによ
る精密位置決めができず、ずれ量の測定ができなくなる
場合がある。 【0013】この場合、以後の処理は中止される。その
ため、ウエハ検査のスループットが悪化する。 【0014】この発明はこのような事情に鑑みてなされ
たもので、その課題はアライメントミスを防止してスル
ープットを向上させることができる検査装置を提供する
ことである。 【0015】 【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
請求項1記載に発明は、基板が載置されるステージと、
このステージに設けられ、前記基板を保持した状態で回
転させる回転手段とを備えている検査装置において、前
記回転手段によって所定角度回転した前記基板のエッジ
を、前記基板に光学系の焦点を合わせるためのオートフ
ォーカス手段を用いて検出する検出手段と、この検出手
段の検出信号と前記ステージの座標情報とに基いて前記
基板の中心座標あるいは方向を演算する演算手段とを備
えている。 【0016】オートフォーカス手段を用いて検出された
所定角度回転した基板のエッジ位置情報とステージの座
標情報とに基いて基板の中心座標が演算され、基板のア
ライメントが行われるため、基板は検出範囲に収まり、
ずれ量を検出することができる。 【0017】 【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面に基づいて説明する。 【0018】図1はこの発明の一実施形態に係る検査装
置を示す斜視図である。 【0019】この検査装置は、半導体ウエハ(基板)の
製造工程において、2つの露光層の重ね合わせ精度を測
定するためのものである。 【0020】この検査装置は、XYステージ10と、ウ
エハ保持部20と、センタアップ機構(回転手段)30
と、オートフォーカス機構(オートフォーカス手段)4
0とを備えている。 【0021】XYステージ10は支持台15上にXY方
向へ移動可能に支持されている。 【0022】ウエハ保持部20はXYステージ10上に
載置され、半導体ウエハ5を保持している。 【0023】センタアップ機構30はXYステージ10
の中央に設けられ、半導体ウエハ5を上下方向へ移動さ
せることができるとともに、半導体ウエハ5を保持した
状態で回転させることができる。 【0024】オートフォーカス機構40は半導体ウエハ
5に光学系の焦点を合わせるためのものであり、ステー
ジ10の上方に配置されている。 【0025】オートフォーカス機構40は図示しない光
源と対物レンズ41と受光部を一次元に配置した、例え
ばCCDからなる検知部42とを備えている。 【0026】検知部42は対物レンズ41を透過したX
Yステージ10上の半導体ウエハ5又はウエハ保持部2
0からの反射光を検出し、後述する出力部45へ出力す
る。 【0027】図2はこの発明の一実施形態に係る検査装
置の制御系の概略構成を示すブロック図である。 【0028】この検査装置は、XYステージ10を駆動
するためのXYステージ駆動回路15と、センタアップ
機構30を駆動するためのセンタアップ駆動回路35
と、検知部42で検出された反射光の受光レベルに応じ
た信号を出力する出力部45と、演算処理部(演算手
段)50と、制御部(検出手段)60とを備えている。 【0029】出力部45は検知部42で検出した反射光
の受光レベルが予め設定した値に達したときには反射光
があることを示す例えばHレベルの信号を出力し、受光
レベルが予め設定した値に達しないときには反射光がな
いことを示す例えばLレベルの検知信号を出力する。 【0030】半導体ウエハ5の反射率は高いため、半導
体ウエハ5があるときにはHレベルの検知信号が出力さ
れる。 【0031】制御部60はXYステージ駆動回路15を
介してXYステージ10のXY方向の動作を制御し、セ
ンタアップ駆動回路35を介してセンタアップ機構30
の上下動及び回転動作を制御する。 【0032】この制御部60には出力部45から反射光
の有無を知らせる検知信号が入力される。制御部60は
反射光の有無によって半導体ウエハ5のエッジを検出
し、検出信号を出力する。 【0033】演算処理部(演算手段)50は検出信号と
XYステージ10の座標情報とに基いて半導体ウエハ5
の中心座標を演算する。 【0034】なお、座標情報は、例えばXYステージ1
0をX方向へ駆動するX方向駆動モータとXYステージ
10をY方向へ駆動するY方向駆動モータとのそれぞれ
の回転位置を検出することによって求められる。 【0035】次に、TIS測定のアライメントを図3及
び図4を用いて説明する。 【0036】図3及び図4はTIS測定のアライメント
を説明する図である。 【0037】なお、制御部60には予め半導体ウエハ5
の直径情報が入力されており、半導体ウエハ5のおおよ
その位置は判明している。 【0038】まず、図示しないプリアライメント部でラ
フアライメントされた状態でXYステージ10(図1参
照)に送られた半導体ウエハ5をグローバルアライメン
トによって精密位置決めを行う。 【0039】次に、図3(a)に示すように、半導体ウ
エハ5のノッチ部5aが上向きになった状態で本装置の
主機能である重ね合わせ測定が行われる。測定が終了し
た後、センタアップ機構30によって図3(a)の矢印
Aで示される方向に半導体ウエハ5が180度回転され
る。その結果、図3(b)に示すように、半導体ウエハ
5のノッチ部5aが下向きの状態となる。 【0040】図3(b)の状態になった後、XYステー
ジ10をY軸方向に駆動し、オートフォーカス機構40
の検知部42によって、点線Bで示すようにY軸に沿っ
た方向に走査し、半導体ウエハ5のエッジh1及びh2
を検出する。そして、エッジh1及びh2の座標情報に
基いて、エッジh1とエッジh2との間の距離hを演算
処理部50により算出する。半導体ウエハ5の半径rは
予め得られているので、2つのエッジh1,h2からそ
れぞれ半径rの位置を算出することによって、図3
(b)のように180度回転した状態の半導体ウエハ5
の中心座標が得られる。 【0041】次に、図3(b)の状態にある半導体ウエ
ハ5のノッチ部5a付近のエッジ検出を行う。図4
(a)に示すように、XYステージ10をX軸方向に移
動し、オートフォーカス機構40の検知部42によっ
て、ノッチ部5aを点線Cで示すようにX軸に沿った方
向に走査し、半導体ウエハ5のエッジJ1,J2,J3
及びJ4を検出する。これらのエッジJ1,J2,J3
及びJ4の座標情報に基いて、エッジJ1とエッジJ2
との間の距離m1及びエッジJ3とエッジJ4との間の
距離m2を演算処理部50で算出する。距離m1と距離
m2とが等しければ、半導体ウエハ5の向いている方向
はX軸及びY軸に対して傾いていない。ここで、半導体
ウエハ5の向いている方向とは、半導体ウエハ5の中心
座標とノッチ部5aとを結ぶ直線(中心線5b)の方向
である。図4(a)は、m1=m2の場合、すなわち半
導体ウエハ5の中心線5bがXYステージ10のX軸方
向及びY軸方向に対して傾いていない場合である。 【0042】これに対して、図4(b)は半導体ウエハ
5の中心線5bがXYステージ10のX軸(又はY軸)
に対して傾いている場合である。この場合には、図4
(b)に示すように、距離m1と距離m2とが異なる。
図4(b)では半導体ウエハ5の中心線5bが右方向に
傾いており、m1>m2の関係となっている。 【0043】距離m1と距離m2との比から半導体ウエ
ハ5の向いている方向(中心線5bのX軸(又はY軸)
に対する傾き)を算出し、算出された方向に基いて半導
体ウエハ5の角度補正を行うことができる。この角度補
正は、センタアップ機構30で半導体ウエハ5を回転さ
せることによって行ってもよいし、座標を補正すること
によって行ってもよい。 【0044】最後に、本来XYステージ10上で半導体
ウエハ5に対して行われる精密アライメント(グローバ
ルアライメント、TIS測定)が行われる。 【0045】この実施形態によれば、半導体ウエハ5の
アライメントミスがなくなるため、測定処理の途中にお
ける検査装置の停止を防止でき、半導体ウエハ5の検査
のスループットを向上させることができる。 【0046】また、検査装置が従来から有する機構を用
いるため、新たにアライメント機構を設ける必要がな
く、検査装置を安価に提供することができる。 【0047】なお、上記実施形態では、XYステージ1
0を移動させて半導体ウエハ5のエッジを検出したが、
この構成に限るものではなく、オートフォーカス機構部
40を移動させる構成としてもよい。 【0048】 【発明の効果】以上に説明したように請求項1に記載の
発明の検査装置によれば、基板のアライメントミスがな
くなるため、処理の途中で検査装置が停止することを防
止でき、基板検査のスループットを向上させることがで
きる。
【図面の簡単な説明】 【図1】図1はこの発明の一実施形態に係る検査装置を
示す斜視図である。 【図2】図2は検査装置のブロック構成図である。 【図3】図3はTIS測定の工程を用いたアライメント
を説明する図である。 【図4】図4はTIS測定の工程を用いたアライメント
を説明する図である。 【符号の説明】 5 半導体ウエハ(基板) 10 ステージ 30 センタアップ機構(回転手段) 40 オートフォーカス機構(オートフォーカス手段) 50 演算処理部(演算手段) 60 制御部(検出手段)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 基板が載置されるステージと、このステ
    ージに設けられ、前記基板を保持した状態で回転させる
    回転手段とを備えている検査装置において、 前記回転手段によって所定角度回転した前記基板のエッ
    ジを、前記基板に光学系の焦点を合わせるためのオート
    フォーカス手段を用いて検出する検出手段と、 この検出手段の検出信号と前記ステージの座標情報とに
    基いて前記基板の中心座標あるいは方向を演算する演算
    手段とを備えていることを特徴とする検査装置。
JP2002000246A 2002-01-07 2002-01-07 検査装置 Withdrawn JP2003203840A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002000246A JP2003203840A (ja) 2002-01-07 2002-01-07 検査装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002000246A JP2003203840A (ja) 2002-01-07 2002-01-07 検査装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003203840A true JP2003203840A (ja) 2003-07-18

Family

ID=27640694

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002000246A Withdrawn JP2003203840A (ja) 2002-01-07 2002-01-07 検査装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003203840A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102980742A (zh) * 2011-08-25 2013-03-20 日本麦可罗尼克斯股份有限公司 发光元件的检测装置及检测方法
KR101861957B1 (ko) 2017-03-07 2018-05-28 국방과학연구소 반사경과 가변축을 이용한 축정렬 오차 측정 장치 및 그 방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102980742A (zh) * 2011-08-25 2013-03-20 日本麦可罗尼克斯股份有限公司 发光元件的检测装置及检测方法
CN102980742B (zh) * 2011-08-25 2015-06-03 日本麦可罗尼克斯股份有限公司 发光元件的检测装置及检测方法
KR101861957B1 (ko) 2017-03-07 2018-05-28 국방과학연구소 반사경과 가변축을 이용한 축정렬 오차 측정 장치 및 그 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101484348B1 (ko) 기판접합장치 및 기판접합방법
JP2009135166A (ja) 露光方法及び装置、露光ユニット、並びにデバイス製造方法
US20100204820A1 (en) Apparatus and method for substrate handling
JP2004288792A (ja) アライメント装置及びアライメント方法
US8253928B2 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
JP4289961B2 (ja) 位置決め装置
US6952262B2 (en) Exposure apparatus and aligning method
JPH09186061A (ja) 位置決め方法
TWI543294B (zh) 半導體晶圓之對準方法
US7053393B2 (en) Alignment apparatus for object on stage
JPH0936202A (ja) 位置決め方法
JP2003203840A (ja) 検査装置
JP2000012455A (ja) 荷電粒子線転写露光装置及び荷電粒子線転写露光装置におけるマスクと感応基板の位置合わせ方法
JPH05160245A (ja) 円形基板の位置決め装置
JPH10247681A (ja) 位置ずれ検出方法及び装置、位置決め装置並びに露光装置
JP2010283157A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP4334917B2 (ja) アライメント装置
KR100411617B1 (ko) 씨씨디카메라에 의한 문자열 인식기능을 갖춘 반도체웨이퍼정렬장치
KR100818402B1 (ko) 노광장비의 웨이퍼 정렬장치 및 이를 이용한 방법
JPH05226459A (ja) 半導体ウェハの位置検出装置
JP2004108957A (ja) 基板検査装置
TWI546884B (zh) 判定旋轉軸位置的方法
JPH09266164A (ja) 位置合わせ方法および装置
JPH10163090A (ja) 回転制御方法及び該方法を使用するステージ装置
JPH04268746A (ja) オリフラ検知ステージ

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20050405