KR100818402B1 - 노광장비의 웨이퍼 정렬장치 및 이를 이용한 방법 - Google Patents

노광장비의 웨이퍼 정렬장치 및 이를 이용한 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100818402B1
KR100818402B1 KR1020060108376A KR20060108376A KR100818402B1 KR 100818402 B1 KR100818402 B1 KR 100818402B1 KR 1020060108376 A KR1020060108376 A KR 1020060108376A KR 20060108376 A KR20060108376 A KR 20060108376A KR 100818402 B1 KR100818402 B1 KR 100818402B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
reticle
alignment
exposure
aligned
Prior art date
Application number
KR1020060108376A
Other languages
English (en)
Inventor
박기준
Original Assignee
동부일렉트로닉스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동부일렉트로닉스 주식회사 filed Critical 동부일렉트로닉스 주식회사
Priority to KR1020060108376A priority Critical patent/KR100818402B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100818402B1 publication Critical patent/KR100818402B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073Alignment marks and their environment
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7088Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/682Mask-wafer alignment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 노광장비의 웨이퍼 정렬장치 및 이를 이용한 방법에 관한 것으로서, 노광장비에서 웨이퍼를 정렬시키는 장치에 있어서, 레티클을 전후 및 좌우로 이송시키는 레티클스테이지와, 레티클에 입사하여 반사되는 빔을 수신받음으로써 레티클에 마련되는 정렬마크를 감지하는 레티클정렬감지부와, 레티클을 통과한 노광용 빔의 경로상에 웨이퍼를 위치시키며, 웨이퍼를 전후 및 좌우로 이송시키는 웨이퍼스테이지와, 레티클스테이지상에서 노광용 빔의 경로에 정렬된 상태의 레티클에 정렬되는 빔을 웨이퍼로 입사시킴으로써 웨이퍼로부터 반사되는 빔을 수신받아 웨이퍼의 정렬마크를 감지하는 웨이퍼정렬감지부와, 레티클정렬감지부 및 웨이퍼정렬감지부로부터 감지신호를 각각 수신받으며, 레티클 및 웨이퍼 각각의 정렬마크 위치를 산출하여 레티클스테이지 및 웨이퍼스테이지를 각각 제어함으로써 노광용 빔의 경로에 레티클을 정렬시킴과 아울러 레티클에 이미 정렬된 웨이퍼정렬부감지부에 웨이퍼를 정렬시키는 제어부를 포함한다. 따라서, 본 발명은 노광용 빔의 경로에 미리 정렬된 레티클에 웨이퍼를 정렬되도록 함으로써 노광용 빔의 경로에 웨이퍼를 정확하게 정렬시킬 수 있도록 함은 물론 레티클과 웨이퍼간에도 정확하게 정렬되도록 하고, 웨이퍼의 정렬에 대한 오류 발생을 줄이며, 안정된 노광공정을 수행할 수 있도록 하는 효과를 가지고 있다.

Description

노광장비의 웨이퍼 정렬장치 및 이를 이용한 방법{SEMICONDUCTOR WAFER ALIGNER OF AN EXPOSING APPARATUS AND METHOD THEREOF}
도 1은 종래의 기술에 따른 노광장비의 웨이퍼 정렬장치를 도시한 개략도이고,
도 2는 본 발명에 따른 노광장비의 웨이퍼 정렬장치를 도시한 구성도이고,
도 3은 본 발명에 따른 노광장비의 웨이퍼 정렬방법을 도시한 흐름도이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
110 : 레티클스테이지 120 : 레티클정렬감지부
130 : 웨이퍼스테이지 140 : 웨이퍼정렬감지부
141 : 감지센서 142 : 반사미러
150 : 제어부 160 : 경통부감지부
본 발명은 노광장비의 웨이퍼 정렬장치 및 이를 이용한 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 노광용 빔의 경로에 미리 정렬된 레티클에 웨이퍼를 정렬되도록 함으로써 노광용 빔의 경로에 웨이퍼를 정확하게 정렬시킬 수 있도록 하는 노광 장비의 웨이퍼 정렬장치 및 이를 이용한 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자는 노광공정, 확산공정, 식각공정, 화학기상증착공정 등 다양한 단위공정을 실시함으로써 제조된다.
이러한 단위공정중에서 노광공정시 웨이퍼를 정렬하게 되는데, 이를 위해 노광공정을 실시하는 장비에 웨이퍼 정렬장치가 마련된다.
도 1은 종래의 기술에 따른 노광장비의 웨이퍼 정렬장치를 도시한 개략도이다. 도시된 바와 같이, 종래의 노광장비의 웨이퍼 정렬장치(10)는 노광을 위한 빔의 경로상에 레티클(R)을 위치시킴과 아울러 레티클(R)을 전후 및 좌우로 이송시키는 레티클스테이지(11)와, 레티클스테이지(11)의 레티클(R)을 통과한 빔의 경로상에 웨이퍼(W)를 위치시킴과 아울러 웨이퍼(W)를 전후 및 좌우로 이송시키는 웨이퍼스테이지(12)와, 레티클스테이지(11)의 일측에 마련되어 레티클(R)에 빔을 입사하여 레티클(R)로부터 반사되는 빔을 수신받아서 레티클(R)의 가장자리에 마련되는 정렬마크를 감지하는 레티클정렬감지수단(13)과, 웨이퍼스테이지(12)의 일측에 마련되어 웨이퍼(W)에 빔을 입사하여 웨이퍼(W)로부터 반사되는 빔을 수신받아서 웨이퍼(W)에 마련되는 정렬마크를 감지하는 웨이퍼정렬감지수단(14)을 포함한다.
한편, 레티클스테이지(11)와 웨이퍼스테이지(12)사이에 노광을 위한 빔이 통과하여 포커싱되도록 하는 경통부(20)가 마련된다.
이와 같은 종래의 노광장비의 웨이퍼 정렬장치(10)는 먼저 미리 계측되어진 경통부(20)의 렌즈 중심으로부터 웨이퍼정렬감지수단(14)의 중심위치를 측정하여 실제 노광 중심 위치를 산출하고, 레티클스테이지(11)상에 레이어(layer)용 레티 클(R)이 로딩되면 레티클정렬감지수단(13)이 레티클(R)의 좌우에서 레티클(R)에 마련되는 다수의 정렬마크를 검출해서 계측된 좌표로부터 레티클(R)의 이동좌표와 회전량을 구해 레티클(R)을 정렬시킨다.
레티클(R)이 정렬되면 웨이퍼정렬감지수단(14)이 웨이퍼(W)로 투사하여 반사되는 빔을 수신받음으로써 빔의 파장을 이용한 광학 측정에 의해 웨이퍼(W)상의 정렬마크에 대한 위치 및 좌표를 계측하여 이러한 정렬마크의 좌표를 보정함으로써 웨이퍼(W)를 정렬시킨다.
즉, 종래의 웨이퍼 보정방법은 웨이퍼스테이지(12)에 안착된 웨이퍼(W)에 웨이퍼정렬감지수단(14)에 마련되는 할로겐 램프를 통해 레이저 빔을 투사하여 웨이퍼(W)로부터 반사되는 회전빔을 웨이퍼정렬감지수단(14)에 마련되는 웨이퍼 얼라인 현미경을 통해 검출하여 검출된 신호를 통해서 웨이퍼스테이지(12)를 제어하는 방식에 의해서 이루어진다.
이와 같이, 종래의 노광장비의 웨이퍼 정렬장치(10)와 마찬가지로 웨이퍼(W)의 정렬마크로부터 검출된 좌표값과 이미 설정된 기본값과 비교하여 웨이퍼스테이지(12)를 제어하여 웨이퍼(W)를 정렬하는 방법은 웨이퍼(W)에 설정된 정렬마크상의 간격이 일정할 경우 시프트(shift)되어 상이 나타날 경우 에러를 감지하지 못하고 정상으로 잘못 인식할 수도 있으며, 초기에 셋팅된 정렬의 패턴인식 해당 좌표의 세팅 키(key)의 상태가 불량하거나 정렬 모드 자체에 문제가 발생하게 되면 웨이퍼(W)의 정렬에 오류를 발생시킨다. 따라서, 이러한 문제점을 개선하기 위하여 웨이퍼(W)의 정렬과정과 레티클(R)의 정렬과정을 별개로 실시하는 것과 달리 웨이 퍼(W)를 레티클(R)에 정렬되도록 함으로써 웨이퍼(W)의 정렬 오류를 방지할 필요성이 있다.
본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 노광용 빔의 경로에 미리 정렬된 레티클에 웨이퍼를 정렬되도록 함으로써 노광용 빔의 경로에 웨이퍼를 정확하게 정렬시킬 수 있도록 함은 물론 레티클과 웨이퍼간에도 정확하게 정렬되도록 하고, 웨이퍼의 정렬에 대한 오류 발생을 줄이며, 안정된 노광공정을 수행할 수 있도록 하는 노광장비의 웨이퍼 정렬장치 및 이를 이용한 방법을 제공하는데 있다.
이와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명은, 노광장비에서 웨이퍼를 정렬시키는 장치에 있어서, 레티클을 전후 및 좌우로 이송시키는 레티클스테이지와, 레티클에 입사하여 반사되는 빔을 수신받음으로써 레티클에 마련되는 정렬마크를 감지하는 레티클정렬감지부와, 레티클을 통과한 노광용 빔의 경로상에 웨이퍼를 위치시키며, 웨이퍼를 전후 및 좌우로 이송시키는 웨이퍼스테이지와, 레티클스테이지상에서 노광용 빔의 경로에 정렬된 상태의 레티클에 정렬되는 빔을 웨이퍼로 입사시킴으로써 웨이퍼로부터 반사되는 빔을 수신받아 웨이퍼의 정렬마크를 감지하는 웨이퍼정렬감지부와, 레티클정렬감지부 및 웨이퍼정렬감지부로부터 감지신호를 각각 수신받으며, 레티클 및 웨이퍼 각각의 정렬마크 위치를 산출하여 레티클스테이지 및 웨이퍼스테이지를 각각 제어함으로써 노광용 빔의 경로에 레티클을 정렬시킴과 아울러 레티클에 이미 정렬된 웨이퍼정렬부감지부에 웨이퍼를 정렬시키는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 노광공정에서 웨이퍼를 정렬시키는 방법에 있어서, 레티클을 노광용 빔의 경로에 정렬시키는 단계와, 레티클에 정렬된 감지용 빔을 웨이퍼에 입사하는 단계와, 웨이퍼를 전후 및 좌우로 이송시킴으로써 웨이퍼로부터 반사되는 감지용 빔을 입사받아 웨이퍼상에 마련되는 정렬마크를 감지하는 단계와, 웨이퍼의 정렬마크 감지단계에서 감지된 정렬마크의 좌표를 산출하는 단계와, 웨이퍼의 정렬마크 좌표가 웨이퍼를 감지용 빔의 경로에 정렬시키기 위하여 설정된 좌표의 허용 범위내에 위치하는지 판단하는 단계와, 웨이퍼의 정렬마크 좌표가 설정된 좌표의 허용 범위를 벗어나면 웨이퍼의 정렬마크가 설정된 좌표의 허용 범위내에 위치하도록 웨이퍼를 이동시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 더욱 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명에 따른 노광장비의 웨이퍼 정렬장치를 도시한 구성도이다. 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 노광장비의 웨이퍼 정렬장치(100)는 레티클스테이지(110)와, 레티클스테이지(110)상의 레티클(R)에 마련되는 정렬마크를 감지하는 레티클정렬감지부(120)와, 레티클스테이지(110)의 일측에 설치되는 웨이퍼스테이지(130)와, 레티클스테이지(110)상의 레티클(R)에 정렬되도록 설치됨으로써 레티클(R)에 정렬시킨 빔을 웨이퍼(W)로 입사하여 반사되는 빔을 수신받아서 웨이퍼(W) 의 정렬마크를 감지하는 웨이퍼정렬감지부(140)와, 레티클정렬감지부(120) 및 웨이퍼정렬감지부(140)의 감지신호를 수신받음과 아울러 레티클스테이지(110)와 웨이퍼스테이지(130)를 제어하는 제어부(150)를 포함한다.
레티클스테이지(110)는 로딩된 레이클(R)이 노광을 위하여 투사되는 빔의 경로상에 위치되도록 안착되는 공간을 제공하며, 회전모터 또는 리니어모터 등의 구동수단에 의해 레티클(R)을 전후 및 좌우로 이동시킨다.
레티클정렬감지부(120)는 레티클(R)에 입사하여 반사되는 빔을 수신받음으로써 레티클(R)에 마련되는 다수의 정렬마크를 감지하기 위해 레티클(R)의 가장자리측에 다수로 마련되는 광센서의 일종이다.
웨이퍼스테이지(130)는 레티클스테이지(110)상의 레티클(R)을 통과하여 노광을 위해서 투사되는 빔의 경로상에 웨이퍼(W)를 위치시키며, 안착된 웨이퍼(W)를 전후 및 좌우로 이동시키는데, 웨이퍼(W)를 전후 및 좌우로 이동시키기 위하여 회전모터나 리니어모터 등의 구동수단을 사용함으로써 웨이퍼를 이송시킨다.
웨이퍼정렬감지부(140)는 레티클스테이지(110)상에서 노광용 빔의 경로에 정렬된 상태의 레티클(R)에 정렬되도록 설치되고, 이러한 상태로 정렬된 레티클(R)에 정렬시킨 빔을 웨이퍼스테이지(120)상의 웨이퍼(W)로 입사시키며, 다시 웨이퍼(W)로부터 반사되는 빔을 수신받음으로써 빔의 파장변화를 통하여 웨이퍼(W)에 마련되는 다수의 정렬마크(미도시)를 감지한다.
웨이퍼정렬감지부(140)는 일정한 파장의 빔을 출력함과 아울러 반사되는 빔을 수신하여 감지신호를 출력하는 감지센서(141)와, 감지센서(141)의 빔을 레티 클(R)의 정해진 위치, 즉 노광용 빔에 정렬된 상태의 레티클(R)의 특정부분을 통과하여 웨이퍼(W)에 수직되게 입사되도록 하나 또는 다수의 반사미러(142)를 포함한다.
제어부(150)는 레티클정렬감지부(120) 및 웨이퍼정렬감지부(140)로부터 각각 출력되는 감지신호를 수신받아서 레티클(R)의 정렬마크 및 웨이퍼(W)의 정렬마크 위치를 각각 산출하며, 레티클스테이지(110) 및 웨이퍼스테이지(130)를 각각 제어하여 노광용 빔의 경로에 레티클(R)이 정렬되도록 레티클(R)의 정렬마크를 미리 설정된 좌표에 위치하도록 하고, 이러한 정렬된 상태의 레티클(R)에 이미 정렬된 웨이퍼정렬부감지부(140)에 웨이퍼(W)를 정렬시키도록 웨이퍼(W)의 정렬마크를 미리 설정된 좌표에 위치하도록 한다.
한편, 레티클(R)과 웨이퍼(W)사이에 노광을 위하여 입사되는 빔을 포커싱함과 아울러 회전모터나 리니어모터 등의 구동수단에 의하여 전후 및 좌우로 이동하는 경통부(200)가 마련되는데, 이러한 경통부(200)가 웨이퍼(W)에 정렬되도록 경통부감지부(160)가 경통부(200)에 마련된다.
경통부감지부(160)는 경통부(200)와 함께 전후 및 좌우로 이동하게 되고, 하방에 정렬을 마친 웨이퍼(W)로 빔을 입사함과 아울러 웨이퍼(W)로부터 반사되는 빔을 수신받아서 웨이퍼(W)의 다수의 정렬마크를 감지하여 이러한 감지신호를 제어부(150)로 출력한다. 이 때, 제어부(150)는 경통부감지부(160)의 감지신호를 통해서 경통부(200)가 웨이퍼(W)상에서 정해진 위치에 도달하여 웨이퍼(W)에 정렬되도록 경통부(200)의 이동을 제어한다.
이와 같은 구성을 가진 본 발명에 따른 노광장비의 웨이퍼 정렬장치(100)의 작용을 본 발명의 노광장비의 웨이퍼 정렬방법과 함께 상세히 설명하기로 하겠다.
도 3은 본 발명에 따른 노광장비의 웨이퍼 정렬방법을 도시한 흐름도이다. 본 발명에 따른 노광장비의 웨이퍼 정렬방법은 크게 레티클의 정렬 단계(S20)와, 레티클에 정렬된 감지용 빔을 웨이퍼에 입사하는 단계(S30)와, 웨이퍼로부터 반사되는 감지용 빔으로 웨이퍼의 정렬마크를 감지하는 단계(S40)와, 웨이퍼의 정렬마크의 좌표를 산출하는 단계(S50)와, 웨이퍼의 정렬마크 좌표가 설정된 좌표의 허용 범위내인지 판단하는 단계(S60)와, 웨이퍼의 정렬마크가 설정된 좌표의 허용 범위내에 위치하도록 웨이퍼를 이동시키는 단계(S70)를 포함한다.
레티클의 정렬 단계(S20) 이전에 레티클(R)을 로딩시키는 단계(S10)를 실시한다. 즉, 레티클(R)이 이송로봇에 의해 레티클스테이지(110)상에 장착됨으로써 로딩되면(S10), 레티클스테이지(110)의 구동에 의해 레티클(R)이 전후 및 좌우로 이동하게 되고, 이러한 레티클(R)에 마련되는 정렬마크를 일정한 파장의 감지용 빔을 출력하여 반사되는 빔의 파장 변화를 수신받는 레티클정렬감지부(120)를 통해서 감지하고, 레티클정렬감지부(120)의 감지신호를 제어부(150)가 수신받아서 레티클(R)의 정렬마크의 실제 좌표를 산출하여 이러한 정렬마크가 미리 설정된 좌표에 위치하도록 레티클스테이지(110)를 제어함으로써 레티클(R)이 노광을 위해 입사되는 빔의 경로에 정렬되도록 한다.
레티클(R)이 정렬되면(S20), 이러한 상태의 레티클(R)에 정렬되도록 위치하는 웨이퍼정렬감지부(140)가 레티클(R)에 정렬된 감지용 빔을 웨이퍼(W)를 향해 수 직되게 입사하게 되며(S30), 웨이퍼스테이지(130)의 구동에 따라 전후 및 좌우로 이송되는 웨이퍼(W)에 의해 다시 반사되는 감지용 빔을 웨이퍼정렬감지부(140)가 수신받아서 빔의 파장변화를 통해서 웨이퍼(W)상에 마련되는 다수의 정렬마크를 감지한다(S40).
제어부(150)는 웨이퍼정렬감지부(140)로부터 수신되는 감지신호에 의해 웨이퍼(W)의 정렬마크 감지단계(S40)에서 감지된 정렬마크의 좌표를 산출하며(S50), 이렇게 하여 산출된 웨이퍼(W)의 정렬마크 좌표가 웨이퍼(W)를 감지용 빔의 경로에 정렬시키기 위하여 설정된 좌표의 허용 범위내에 위치하는지 판단한다(S60).
제어부(150)는 웨이퍼(W)의 정렬마크 좌표가 설정된 좌표의 허용 범위를 벗어나면 웨이퍼(W)의 정렬마크가 설정된 좌표의 허용 범위내에 위치하도록 웨이퍼스테이지(130)를 제어하여 웨이퍼(W)를 이동시킨다(S70).
한편, 웨이퍼(W)의 정렬마크 좌표가 설정된 좌표의 허용 범위내에 위치하면 레티클(R)과 웨이퍼(W)사이에 위치하여 노광용 빔을 포커싱하는 경통부(200)를 웨이퍼(W)에 정렬시킨다(S80). 이를 위해 경통부(200)에 설치되는 경통부감지부(160)가 경통부(200)의 구동에 의해 경통부(200)와 함께 전후 및 좌우로 이동하면서 웨이퍼(W)에 일정한 파장의 감지용 빔을 입사하여 웨이퍼(W)로부터 반사되는 빔의 파장 변화를 통하여 웨이퍼(W)의 정렬마크를 감지하고, 이를 제어부(150)가 감지신호로 수신받아 경통부(200)의 좌표를 산출하고, 경통부(200)를 웨이퍼(W)의 정해진 위치에 정렬시키도록 경통부(200)의 이동을 제어한다.
이와 같이, 레티클(R)을 노광용 빔의 경로에 일치시킨 상태(S20)에서 이러한 레티클(R)에 정렬되는 감지용 빔을 사용하여 웨이퍼(W)의 정렬마크를 감지함으로써(S40) 웨이퍼정렬감지부(140)의 감지용 빔을 매개로 하여 노광용 빔의 경로에 정렬된 레티클(R)에 웨이퍼(W)를 정렬시키게 된다. 따라서, 웨이퍼(W)가 종국적으로 노광용 빔의 경로에 정렬되도록 함으로써 웨이퍼(W)를 노광용 빔의 경로에 정렬시 레티클(R)과도 정렬되도록 한다. 따라서, 노광공정의 패턴형성에 결정적인 영향을 미치는 웨이퍼 정렬 과정을 개선하여 종래 독립적으로 이루어지는 레티클(R)의 정렬과정과 웨이퍼(W)의 정렬과정으로 인한 레티클(R)과 웨이퍼(W)간의 정렬 오류 등의 문제점을 개선하여 웨이퍼(W) 정렬 오류에 따른 에러 발생을 감소시키고, 정확하고도 안정적인 노광공정이 이루어지도록 하여 생산성 및 수율향상에 기여하게 된다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 노광장비의 웨이퍼 정렬장치 및 이를 이용한 방법은 노광용 빔의 경로에 미리 정렬된 레티클에 웨이퍼를 정렬되도록 함으로써 노광용 빔의 경로에 웨이퍼를 정확하게 정렬시킬 수 있도록 함은 물론 레티클과 웨이퍼간에도 정확하게 정렬되도록 하고, 웨이퍼의 정렬에 대한 오류 발생을 줄이며, 안정된 노광공정을 수행할 수 있도록 하는 효과를 가지고 있다.
이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 노광장비의 웨이퍼 정렬장치 및 이를 이용한 방법을 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누 구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.

Claims (5)

  1. 노광장비에서 웨이퍼를 정렬시키는 장치에 있어서,
    레티클을 전후 및 좌우로 이송시키는 레티클스테이지와,
    상기 레티클에 입사하여 반사되는 빔을 수신받음으로써 상기 레티클에 마련되는 정렬마크를 감지하는 레티클정렬감지부와,
    상기 레티클을 통과한 노광용 빔의 경로상에 웨이퍼를 위치시키며, 상기 웨이퍼를 전후 및 좌우로 이송시키는 웨이퍼스테이지와,
    상기 레티클스테이지상에서 노광용 빔의 경로에 정렬된 상태의 레티클에 정렬되는 빔을 상기 웨이퍼로 입사시킴으로써 상기 웨이퍼로부터 반사되는 빔을 수신받아 상기 웨이퍼의 정렬마크를 감지하는 웨이퍼정렬감지부와,
    상기 레티클정렬감지부 및 상기 웨이퍼정렬감지부로부터 감지신호를 각각 수신받으며, 상기 레티클 및 상기 웨이퍼 각각의 정렬마크 위치를 산출하여 상기 레티클스테이지 및 상기 웨이퍼스테이지를 각각 제어함으로써 노광용 빔의 경로에 상기 레티클을 정렬시킴과 아울러 상기 레티클에 이미 정렬된 상기 웨이퍼정렬부감지부에 상기 웨이퍼를 정렬시키는 제어부를 포함하고,
    상기 웨이퍼정렬감지부는 일정한 파장의 빔을 출력함과 아울러 반사되는 빔을 수신하여 감지신호를 출력하는 감지센서와, 상기 감지센서의 빔을 상기 레티클의 정해진 위치를 통과하여 상기 웨이퍼에 수직되게 입사되도록 하는 하나 또는 다수의 반사미러를 포함하는 노광장비의 웨이퍼 정렬장치.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 레티클과 상기 웨이퍼사이에 노광을 위하여 입사되는 빔을 포커싱함과 아울러 전후 및 좌우로 이동하는 경통부가 마련되고,
    상기 웨이퍼로 빔을 입사함과 아울러 상기 웨이퍼로부터 반사되는 빔을 수신받아서 상기 웨이퍼의 정렬마크를 감지하는 경통부감지부가 상기 경통부에 마련되며,
    상기 경통부감지부로부터 상기 웨이퍼의 정렬마크에 대한 감지신호를 수신받은 상기 제어부가 상기 경통부를 정렬된 상기 웨이퍼에 정렬되도록 제어하는 것
    을 특징으로 하는 노광장비의 웨이퍼 정렬장치.
  4. 노광공정에서 웨이퍼를 정렬시키는 방법에 있어서,
    상기 레티클을 노광용 빔의 경로에 정렬시키는 단계와,
    상기 레티클에 정렬된 감지용 빔을 상기 웨이퍼에 입사하는 단계와,
    상기 웨이퍼를 전후 및 좌우로 이송시킴으로써 상기 웨이퍼로부터 반사되는 감지용 빔을 입사받아 상기 웨이퍼상에 마련되는 정렬마크를 감지하는 단계와,
    상기 웨이퍼의 정렬마크 감지단계에서 감지된 정렬마크의 좌표를 산출하는 단계와,
    상기 웨이퍼의 정렬마크 좌표가 상기 웨이퍼를 감지용 빔의 경로에 정렬시키기 위하여 설정된 좌표의 허용 범위내에 위치하는지 판단하는 단계와,
    상기 웨이퍼의 정렬마크 좌표가 상기 설정된 좌표의 허용 범위를 벗어나면 상기 웨이퍼의 정렬마크가 설정된 좌표의 허용 범위내에 위치하도록 상기 웨이퍼를 이동시키는 단계
    를 포함하는 노광장비의 웨이퍼 정렬방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 웨이퍼의 정렬마크 좌표가 상기 설정된 좌표의 허용 범위내에 위치하면, 상기 레티클과 상기 웨이퍼사이에 위치하여 노광용 빔을 포커싱하는 경통부를 상기 웨이퍼에 정렬시키는 단계
    를 더 포함하는 노광장비의 웨이퍼 정렬방법.
KR1020060108376A 2006-11-03 2006-11-03 노광장비의 웨이퍼 정렬장치 및 이를 이용한 방법 KR100818402B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060108376A KR100818402B1 (ko) 2006-11-03 2006-11-03 노광장비의 웨이퍼 정렬장치 및 이를 이용한 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060108376A KR100818402B1 (ko) 2006-11-03 2006-11-03 노광장비의 웨이퍼 정렬장치 및 이를 이용한 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100818402B1 true KR100818402B1 (ko) 2008-04-01

Family

ID=39533430

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060108376A KR100818402B1 (ko) 2006-11-03 2006-11-03 노광장비의 웨이퍼 정렬장치 및 이를 이용한 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100818402B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009146091A1 (en) * 2008-04-02 2009-12-03 Suss Microtec, Inc. Apparatus and method for semiconductor wafer alignment

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1048845A (ja) 1996-08-01 1998-02-20 Ushio Inc マスクとワークステージの位置合わせ方法および装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1048845A (ja) 1996-08-01 1998-02-20 Ushio Inc マスクとワークステージの位置合わせ方法および装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009146091A1 (en) * 2008-04-02 2009-12-03 Suss Microtec, Inc. Apparatus and method for semiconductor wafer alignment
JP2011517094A (ja) * 2008-04-02 2011-05-26 ズース マイクロテク,アイエヌシー. 半導体ウェーハアライメントのための装置及び方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7864308B2 (en) Position detection method, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR100915167B1 (ko) 표면 높이의 검출 방법, 노광 장치 및 디바이스의 제조방법
JP2785146B2 (ja) 自動焦点調整制御装置
KR100719367B1 (ko) 반도체 제조 장치 및 웨이퍼 가공 방법
US7474381B2 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
US6141108A (en) Position control method in exposure apparatus
JP2005101455A (ja) 位置決め装置
KR100818402B1 (ko) 노광장비의 웨이퍼 정렬장치 및 이를 이용한 방법
TWI411887B (zh) 判定曝光設定的方法、微影曝光裝置、電腦程式及資料載體
JPH051610B2 (ko)
JP2000012455A (ja) 荷電粒子線転写露光装置及び荷電粒子線転写露光装置におけるマスクと感応基板の位置合わせ方法
JPH01179318A (ja) 投影露光装置及びそのパターンオフセツト補正方法
JP3569962B2 (ja) 位置合わせ装置及び位置合わせ方法、それを用いた露光装置及び露光方法
JP2010283157A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005005444A (ja) アライメント装置、露光装置、アライメント方法、露光方法及び位置情報検出方法
KR100877259B1 (ko) 노광장치의 포커스 얼라인먼트 방법 및 장치
JPH09320920A (ja) 露光装置の調整方法
US20090284719A1 (en) Alignment method and apparatus of mask pattern
JPH1064808A (ja) マスクの位置合わせ方法及び投影露光方法
JPH07142346A (ja) 投影露光装置
JPH09199573A (ja) 位置決めステージ装置およびこれを用いた露光装置
US7394523B2 (en) Exposure apparatus and method of controlling exposure apparatus
JP2823227B2 (ja) 位置合わせ装置
KR20100073547A (ko) 노광장치의 포커스 멀티정렬방법
JP2003203840A (ja) 検査装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee