JP2001108637A

JP2001108637A - 欠陥検査装置及び欠陥検査方法

Info

Publication number: JP2001108637A
Application number: JP28426299A
Authority: JP
Inventors: Takeo Omori; 健雄大森
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1999-10-05
Filing date: 1999-10-05
Publication date: 2001-04-20

Abstract

(57)【要約】【課題】ウェハからの回折光のずれがあっても、良好
に検査可能な欠陥検査装置を提供する。【解決手段】照明された基板から射出した回折光を受
光する受光光学系と、受光光学系で受光された回折光に
よる基板の像を撮像する撮像手段と、撮像手段からの出
力に基づいて画像を処理し基板の欠陥を検出する画像処
理装置と、載置した基板を回転させる回転手段と、出力
が最大となるよう回転手段を制御する制御手段とを備え
たことを特徴とする、欠陥検査装置とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子等の製
造過程における、基板表面のムラ、傷、等の欠陥を検出
する欠陥検査装置、及び欠陥検査方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ICウェハや液晶基板表面のムラ、傷等の
欠陥に関し、人手による目視検査が行われている。ま
た、自動的に欠陥を検査するものとして、近年、種々の
欠陥検査装置が提案されている。例えば、図６に示す従
来の欠陥検査装置３１は、ステージＳＴＧ’上に載置さ
れた半導体ウェハＷ’に照明光Ｌ１’を照射し、半導体
ウェハＷ’上の繰り返しパターン（図６に不図示）から
発生する回折光Ｌ２’による基板の画像を撮像素子４８
に取り込み、画像処理装置４９によって画像処理を行い
基板表面の欠陥を検出するものである。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】以上のような欠陥検査
装置３１によれば、ウェハＷ’のいわゆるオリフラやノ
ッチの外形基準と、ウェハＷ’上の繰り返しパターンと
の位置関係のずれにより起こるプリアライメントの際の
ウェハＷ’の位置ずれによる回折光のずれ(1)、プリア
ライメントステージから検査ステージにウェハＷ’を載
置する場合のウェハＷ’の回転により起こるウェハＷ’
の位置ずれにより回折光Ｌ２’のずれ(2)、繰り返しパ
ターンピッチの製造誤差による回折光Ｌ２’のずれ(3)
等が生ずるため、集光された回折光Ｌ２’のスポットが
受光レンズ４７の有効径から外れてしまい、撮像素子４
８に入る光量が減少し、正確な像を形成できず検査に不
具合が生じる場合があった。

【０００４】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、プリアライメントの際のウェハの位置ずれ、また
はプリアライメントステージから検査ステージにウェハ
を載置する場合のウェハの回転によるウェハの位置ず
れ、またはウェハ上の繰り返しパターンピッチの製造誤
差による回折光のずれがあっても、良好に検査可能な欠
陥検査装置、及び欠陥検査方法を提供することを目的と
する。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
に、請求項１にかかる発明による欠陥検査装置は、例え
ば図１に示すように、照明光束により照明された基板Ｗ
から射出した回折光Ｌ２を受光する受光光学系３と；受
光光学系３で受光された回折光Ｌ２による基板Ｗの像を
撮像する撮像手段１８と；撮像手段１８からの出力に基
づいて画像を処理し基板Ｗの欠陥を検出する画像処理装
置１９と；基板Ｗを、前記照明光束または受光光学系３
に対して、相対的に回転させる回転手段２０、２１と；
前記出力が最大となるよう回転手段２０、２１を制御す
る制御手段２２とを備えたことを特徴とする。

【０００６】典型的には、照明光束と受光光学系とを固
定して回転手段によってステージを回転させるが、照明
光束とステージとを固定して回転手段によって受光光学
系を回転させてもよい。また、照明光束を生じる照明光
学系を備えるときは、受光光学系とステージとを固定し
て回転手段によって該照明光束を回転させてもよい。

【０００７】このように構成すると、基板を照明光束ま
たは受光光学系に対して、相対的に回転させる回転手段
と、撮像手段の出力が最大となるように回転手段を制御
する制御手段とを備えるので、ウェハの相対的な回転の
ずれを調整しさらに回折光のずれを調整することがで
き、画像処理装置により処理される画像を鮮明なものと
することができるので、基板の欠陥検査を効率よく行い
欠陥を発見しやすくすることができる。

【０００８】この場合、請求項２に記載のように、前記
基板を載置するステージを備え；前記回転手段が、前記
ステージを、前記基板の表面に垂直な第１の軸線回りに
回転させるのが望ましい。

【０００９】このように構成すると、回転手段を制御装
置により制御し、回転手段によりステージを第１の軸線
回りに回転させ、よって該軸の回りに基板を回転させ
て、撮像手段の出力が最大となるようにし、画像処理装
置により処理される画像を鮮明なものとすることができ
る。

【００１０】この場合、請求項３に記載のように、前記
回転手段が、前記ステージを、さらに前記基板の表面内
で前記基板と交わる前記受光光学系の光軸に垂直である
第２の軸線回りに回転させるのが望ましい。

【００１１】このように構成すると、回転手段を制御装
置により制御し、回転手段によりステージをさらに第２
の軸線回りに回転させ、よって該軸の回りに基板を回転
させて、撮像手段の出力が最大となるようにし、画像処
理装置により処理される画像を鮮明なものとすることが
できる。

【００１２】上記目的を達成するために請求項４にかか
る発明による欠陥検査方法は、照明された基板から射出
した回折光を受光する工程と；前記受光した回折光によ
る前記基板の像を撮像する工程と；前記撮像により得ら
れた出力に基づいて画像を処理する工程と；前記照明さ
れた基板を、前記照明光束または前記受光光学系に対し
て、相対的に回転させる工程と；前記出力が最大となる
よう前記回転を制御する工程と；前記画像に基づいて前
記基板の欠陥を検出する工程とを備えたことを特徴とす
る。

【００１３】この場合、請求項５に記載のように、所定
の入射角度で前記基板に入射する照明光によって前記基
板を照明する工程を備え；前記基板が繰り返しパターン
を有し；前記制御が、前記繰り返しパターン固有の前記
基板への入射角度を基準にし、前記入射角度が僅かずつ
増加または減少するように、前記基板を回転することに
より行われる。

【００１４】繰り返しパターン固有の基板への入射角度
を基準にし、入射角度が僅かずつ増加または減少するよ
うに、基板を回転するので、撮像手段の出力が最大とな
る入射角度を効率よく見つけ、この入射角度になるよう
基板の角度を調整することができる。

【００１５】また、本発明は上記請求項１ないし請求項
５のいずれか１項に記載の発明に限ることなく、例え
ば、以下に記載した発明とすることも可能であることは
言うまでもない。但し、本発明は、以下に記載した発明
に限られるものでもない。

【００１６】（１）本発明の半導体デバイスの製造方法
は、半導体デバイスを製造する方法において、所定のパ
ターンを前記基板に形成する工程と、請求項１ないし請
求項３のいずれか１項に記載の欠陥検査装置を用いて前
記所定のパターンが形成された前記基板表面の状態を検
査する検査工程とを含むことを特徴としてもよい。

【００１７】（２）本発明の検査方法は、照明光学系を
用いて基板を照明する照明工程と、検出光学系を用いて
前記基板から光を受光し、前記基板に関する情報を光電
的に検出する検出工程と、前記検出工程の検出出力が最
大となるように、前記照明光学系と前記基板と前記検出
光学系とのうちの一方を移動させる移動工程とを含むこ
とを特徴としてもよい。

【００１８】ここで、検出光学系を用いて基板からの回
折光を受光することが望ましい。基板に関する情報とは
例えば基板の像である。また、移動させる移動工程で、
移動とは、平行移動、回転移動、平行移動し回転移動す
る移動を含む概念である。

【００１９】前述の（２）に記載の検査方法において、
前記移動工程は、前記照明光学系と前記検出光学系と前
記基板とのうちのいずれか一つを傾斜させることを特徴
としてもよい。

【００２０】前述の（２）に記載の検査方法において、
前記移動工程は、前記照明光学系と前記検出光学系と前
記基板とのうちのいずれか一つを前記基板表面と垂直な
軸線回りに回転させることを特徴としてもよい。

【００２１】（３）本発明の半導体デバイスの製造方法
は、半導体デバイスを製造する方法において；所定のパ
ターンを前記基板に形成する工程、前記所定のパターン
が形成された前記基板表面の状態を検査する検査工程を
含み；前記検査工程は、照明光学系を用いて基板を照明
する照明工程と；検出光学系を用いて前記基板から光を
受光し、前記基板に関する情報を光電的に検出する検出
工程と；前記検出工程の検出出力が最大となるように、
前記照明光学系と前記基板と；前記検出光学系とのうち
の一方を移動させる移動工程とを含むことを特徴として
もよい。

【００２２】なお、（イ）光学系と基板とのうちのどち
らか一方を、基板表面と垂直な軸線回りに回転させ、
（ロ）あるいは基板または光学系を、基板と交わる光学
系の光軸に垂直である線の回りに回転させることによ
り、基板に光学系に対する傾斜（姿勢の変化）を与える
ことができる。ここで、（イ）および（ロ）においてそ
れぞれ光学系は照明光学系であってもよいし、検出光学
系であってもよい。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態にかか
る欠陥検査装置について図面を用いて説明する。なお、
各図において互いに同一あるいは相当する部材には同一
符号を付し、重複した説明は省略する。

【００２４】図１は、本発明による欠陥検査装置１の実
施の形態を示す模式的斜視図である。図中、ランプハウ
ス１１が設けられ、ランプハウス１１からの光はライト
ガイド１２を通り、照明光Ｌ１として射出される。ラン
プハウス１１、ライトガイド１２に加え、凹面反射鏡１
３を含んで、照明光学系２が構成される。凹面反射鏡１
３は、射出された照明光Ｌ１をほぼ平行な光に変換して
ステージＳＴＧ上に載置されたウェハＷを照明する。ラ
ンプハウス１１内にはハロゲンランプやメタルハライド
ランプなどの光源と、波長選択フィルタが内蔵されてお
り、一部の波長の光のみが照明光Ｌ１として利用され
る。

【００２５】ウェハＷが照明されると、照明されたウェ
ハＷからは、回折光Ｌ２が生じる。生じた回折光Ｌ２は
凹面反射鏡１６、受光レンズ１７を含んで構成された受
光光学系（検出光学系）３で集光され、回折光Ｌ２によ
るウェハＷの像を本発明の撮像手段としての撮像素子１
８上に作る。画像処理装置１９は、撮像素子１８で取り
込んだ画像の画像処理を行う他に、画像の光量をモニタ
し、制御装置２２に撮像素子１８からの出力としての光
量データを送っている。

【００２６】ステージＳＴＧには、本発明の回転手段と
しての回転機構２０、並びに本発明の回転手段としての
チルト機構２１が設けられている。回転機構２０により
本発明の第１の軸線としての軸２０Ａを中心に、またチ
ルト機構２１により本発明の第２の軸線としての軸２１
Ａを中心に、それぞれステージＳＴＧを回転、チルトす
ることが可能である。また軸２０ＡはウェハＷの表面に
垂直であり、軸２１ＡはウェハＷの表面内でウェハＷと
交わる受光光学系の光軸に垂直である。以下、前述のよ
うに、軸２０Ａ回りの回転を回転、軸２１Ａ回りの回転
をチルトと称して区別する。回転機構２０及びチルト機
構２１のステージＳＴＧの回転、チルトは、制御装置２
２からの制御信号に基づいて行われる。

【００２７】次に、本発明の実施の形態にかかる欠陥検
査方法について図１を用いて説明する。ウェハＷに対し
て、不図示のプリアライメントステージでプリアライメ
ントが行われる。プリアライメントによって、照明光Ｌ
１が、ウェハＷ上の繰り返しパターン１４の直線方向に
対して、９０度の角度をなす（図２）ように、ウェハＷ
が回転される。

【００２８】プリアライメントは、ウェハＷのいわゆる
オリフラ（オリエンテーションフラット１５）やノッチ
等の外形基準を使って行われている。繰り返しパターン
１４の直線方向は、これら外形基準で決まるウェハＷの
座標軸と平行あるいは垂直が望ましいが、実際には平行
または垂直ではなく僅かではあるが製作誤差による角度
ずれを生じている。この角度ずれは、露光装置における
ファースト露光の際の、プリアライメント時のウェハ外
形基準で決まる座標系と、露光されたショットの座標系
との回転角度ずれ量と同じである。

【００２９】この回転角度ずれがあるため、外形基準に
よるウェハＷのプリアライメントを行うと、欠陥検査時
の照明光の照明方向がパターン１４の直線方向に対して
９０度の角度からずれている。したがって、繰り返しパ
ターン１４からの回折光Ｌ２の回折角度にも光軸に平行
な方向からのずれが生じる。この時の状態を図４に示す
（但し、簡単のため、凹面反射鏡１６のかわりに凸レン
ズで表してある。以下図４の説明においては凹面反射鏡
１６ではなくレンズ２３として記述する。）。図のよう
に、照明方向がパターン１４の直線方向に対して９０度
の角度からずれると、ステージＳＴＧの軸２１Ａと、受
光光学系のうちステージからレンズ２３に向かう光軸Ｌ
Ｘ２とが成す面（図では紙面）内で、点線で示したよう
に本来光軸ＬＸ２と平行に進むべき回折光Ｌ２が、実線
で示したように光軸ＬＸ２に対して傾いて進むようにな
る。その結果、レンズ２３で集光されたスポットが受光
レンズ１７の有効径から外れて、撮像素子１８に取り込
まれる光量が減少し、検査不具合が生じる場合がある。

【００３０】また、たとえ前述したウェハＷの座標系と
ショットパターンの座標系に回転誤差がほとんど無い場
合でも、プリアライメントステージから検査ステージに
ウェハＷを載せ変える際に、ウェハＷが僅かに回転する
場合があり、その結果、パターン１４の直線方向に対し
て照明光が９０度の角度からずれ、前述と同様に検査に
不具合が生じる。

【００３１】一方、チルト角度については検査するパタ
ーンピッチの設計値から計算で求めた値を使用するが、
実際は製造誤差でピッチが設計値よりずれる場合があ
り、検査に最適なチルト角度と計算で求めたチルト角度
との間にずれが生じる。このずれを製造工程ごとに予め
良品のウェハＷで求めてレシピにしておき、レシピに基
づいてチルト角度を設定する場合もある。しかしなが
ら、同一工程でも製造ロットごとにピッチにばらつきが
あり、設計値やレシピのチルト角度に対して、ロットご
とに最適なチルト角度が変動してしまう。

【００３２】この場合、図５のように（図４同様、凹面
反射鏡１６のかわりに凸レンズで表している。以下図５
の説明においてレンズ２３として記述する。）、繰り返
しパターン１４（図４）からの回折光Ｌ２の回折角度に
ずれが生じ、照明光学系のうち凹面反射鏡（図５に不図
示）からステージに向かう光軸ＬＸ１と、受光光学系の
うちステージからレンズ２３に向かう軸とが成す面（図
では紙面）内で、点線の様に本来受光光学系の光軸ＬＸ
２と平行に進むべき回折光Ｌ２が、実線の様に光軸ＬＸ
２に対して傾いて進むようになる。その結果、レンズ２
３で集光されたスポットが受光レンズ１７の有効径から
外れて光量が減少し、検査に不具合が生じる。

【００３３】すなわち前述の回転角度のずれ、チルト角
度のずれを修正するために回転機構２０（図１）、チル
ト機構２１（図１）により以下のごとく回転角度、チル
ト角度を調整し、最適の回転角度、チルト角度において
欠陥検査を行う。

【００３４】図１を参照し説明を続ける。プリアライメ
ント後、ウェハＷは、ステージＳＴＧ上に載せられる。
ウェハＷがステージＳＴＧに載せられた後、ステージＳ
ＴＧが制御装置２２に記憶させたレシピに基づく制御信
号により、光量が最大となると予想される所定のチルト
角度に位置するようにチルトされる。

【００３５】ここで該チルトの直前に、ウェハＷの照明
が開始され、照明されたウェハＷからは、回折光Ｌ２が
生じる。生じた回折光Ｌ２は凹面反射鏡１６、受光レン
ズ１７にて構成された受光光学系３で集光され、回折光
Ｌ２によるウェハＷの像が本発明の撮像手段としての撮
像素子１８上に作られる。

【００３６】画像処理装置１９は、撮像素子１８で取り
込んだ画像の画像処理を行う他に、画像の光量をモニタ
し、制御装置２２に対し撮像素子８からの出力としての
光量データを送っている。

【００３７】図３に示すように、ウェハＷ上のパターン
１４のピッチをp、照明光の波長をλ、回折次数をｍ、
ウェハが水平に保たれた時のウェハの法線を基準とし
て、ウェハと交わる照明光の角度をθi、同様にウェハ
と交わる回折光の角度をθd、また、チルト角をθt、と
すれば以下の式が成り立つ。 Sin（θd−θｔ）−Sin（θｉ＋θｔ）＝ｍλ／ｐよって、パターン１４のピッチｍ、照明光の波長ｐが決
まり、ウェハＷのチルト角θｔ、照明光の角度θiが決
まれば、回折光の角度θｄが決まる。

【００３８】照明光の角度θiは入射側に見込む角度方
向をプラス、反射側に見込む角度方向をマイナスとし、
回折光の角度θd、チルト角θtは、入射側に見込む角度
方向をマイナス、反射側に見込む角度方向をプラスとし
ている。また、回折次数mは基板への入射光の正反射光
を基準として入射側に見込む角度方向をマイナス、反射
側に見込む角度方向をプラスとしている。θiの範囲は0
度から９０度である。

【００３９】撮像素子１８に取り込まれた画像は、画像
処理装置１９によって光量測定され、光量データとして
制御装置２２に送られる。そして、制御装置２２は光量
を測定しながらステージＳＴＧをある範囲内で所定の角
度増分でもって徐々にさらにチルトさせるよう制御信号
を送り、光量が最大となるチルト角度を求めた後、欠陥
検査の実行のためにそのチルト角度に設定するよう、チ
ルト機構２１に制御信号を送る。

【００４０】次に、同様に光量を測定しながらステージ
ＳＴＧをある範囲内で所定の角度増分でもって徐々に回
転させ、光量が最大となる回転角を求める。この同じ光
量の測定を何回か繰り返し、光量が最大である回転角の
平均値を求めてもよい。前述の最大値または平均値を及
びこれらに対応する回転角を制御装置２２に記憶してお
き、次にチルト角を所定の値だけ変え、同様の光量の測
定を行う。さらにチルト角を所定の値だけ変え同様の光
量の測定を何回か繰り返し、より高い光量を示す回転
角、チルト角を求め、最も高い光量を示した回転角、チ
ルト角を最終的な検査ポジションとする。チルトや回転
などの操作を行っても、光量変化が無い場合は、レシピ
の値を最終的な値として用いる。チルト、回転の範囲
は、ピッチやパターン回転の誤差量を予め見積もってお
き、それらに対応する十分な量としている。

【００４１】最終的な検査ポジションが確定した後、画
像処理が行われる。画像処理装置１９は、欠陥検査中の
基板Ｗの像と、予め記憶させておいた良品基板の像との
パターンマッチングを行ったり、予め学習させておいた
良品基板の特徴と異なる部分があるかどうかをみる。パ
ターンを投影露光した際のデフォーカスによるムラなど
の欠陥がある場合はその部分の明暗差や、特徴の違いか
ら、その部分を欠陥として出力する。パターンマッチン
グの場合、最終検査ポジションでのチルトや回転角が、
基準画像のチルトや回転角と異なる場合があるので、最
終検査ポジションで得たウエハの画像の形状を、基準画
像のウエハの形状と同じになるよう、画像を補正してか
ら、比較検査（パターンマッチング）を行う。

【００４２】図１の欠陥検査装置１１では、ステージＳ
ＴＧをチルトさせることによって入射角の変更をしてい
たが、これに限らず、基板に対して照明光学系２を回転
させ、即ち照明光学系２全体を傾斜させて、照明光束を
基板Ｗに対して相対的に回転させてもよい。また、照明
光学系の一部例えばライトガイド１２の射出位置あるい
は凹面反射鏡１３を動かすことによって行ってもよい。
その場合、撮像されるウェハＷに形状の変化が無いの
で、パターンマッチングの画像処理では形状の補正の必
要が無くなる。

【００４３】なお、検査ポジションでの回転角度、オリ
エンテーション、波長等の各条件を前記式に代入すれ
ば、実際のパターンのピッチが求められる。これをモニ
タしておき、ロットによる差や製造ラインによる差等を
統計的に把握することで、製造工程の管理に役立てるこ
とができる。

【００４４】また、画像処理装置１９でウェハＷのオリ
フラ１５やノッチなどの位置を求めることによって、外
形基準に対するパターンの回転ずれ量を求めることが可
能となり、これをモニタすればパターンピッチのモニタ
と同様、製造工程の管理に役立てることができる。

【００４５】本実施の形態の欠陥検査装置、欠陥検査方
法によれば、画像情報を画像処理装置に取り込みなが
ら、基板を設計値を基準にして微少回転、微少チルトさ
せ、光量が最大となるところを検査ポジションとするの
で、光量低下による良品の誤検出を少なくできる。

【００４６】さらに、検査ポジションでのチルト角度、
回転角度がわかれば、パターンピッチの設計値に対する
ずれ量や、オリフラ１５やノッチなどの基準に対するパ
ターンの回転ずれ量がわかり、これらの値をモニタする
ことにより、製造工程の管理に役立てることができる。

【００４７】以上の本発明による実施の形態の検査装置
及び検査方法によれば基板（ウェハ等）の欠陥を精度良
く検査することができる。この結果、半導体デバイス
（半導体素子、液晶表示装置あるいは薄膜磁気ヘッド
等）を製造する際に、以上の本発明による実施の形態の
検査装置及び検査方法を用いれば、不良となる半導体デ
バイスを精度良く分別することができるため、良好なる
半導体デバイスを製造することができる。

【００４８】なお、半導体デバイスの製造工程は、露光
装置を用いて所定のパターン（回路パターン等）が形成
されたマスク（レチクル）を基板（感光性基板）に転写
（露光）する工程（パターン形成工程）と、検査装置を
用いてその転写（露光）されたパターンを有する基板を
検査する工程とを含んでいる。

【００４９】なお、照明光学系と基板とのうちのどちら
か一方を、または検出光学系と基板とのうちどちらか一
方を基板表面と垂直な軸線回りに回転させ、さらに基板
または照明光学系を、基板と交わる前記照明光学系の光
軸に垂直である線の回りに回転させ、若しくは基板また
は検出光学系を、基板と交わる検出光学系の光軸に垂直
である線の回りに回転させる。

【００５０】

【発明の効果】以上のように本発明の欠陥検査装置によ
れば、基板を回転する回転手段を制御する制御手段を備
え、撮像手段からの出力が最大となるよう基板の回転を
調整するので、プリアライメントの際の基板の位置ず
れ、またはプリアライメントステージから検査ステージ
に基板を載置する場合の基板の回転による基板の位置ず
れ、また基板上の繰り返しパターンピッチの製造誤差に
よる位置ずれによる撮像手段に対する回折光のずれがあ
っても、基板の角度を調整し、位置ずれすなわち回折光
のずれを調整し良好に基板の欠陥検査を行うことができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態にかかる欠陥検査装置の構
成を表した模式的斜視図である。

【図２】図１の欠陥検査装置の模式的部分平面図であ
る。

【図３】照明光角度、回折光角度、チルト角度の正負を
示した図である。

【図４】図１の欠陥検査装置において、基板の回転誤差
により回折光が外れる状態を示した模式図である。

【図５】図１の欠陥検査装置において、基板のチルト誤
差により回折光が外れる状態を示した模式図である。

【図６】従来の欠陥検査装置を表す模式的正面図であ
る。

【符号の説明】

１欠陥検査装置２照明光学系３受光光学系１１ランプハウス１２ライトガイド１３凹面反射鏡１４繰り返しパターン１５オリエンテーションフラット１６凹面反射鏡１７受光レンズ１８撮像素子１９画像処理装置２０回転機構２０Ａ軸２１チルト機構２１Ａ軸２２制御装置２３レンズＬ１照明光ＬＸ１光軸Ｌ２回折光ＬＸ２光軸ＳＴＧステージＷウェハ

フロントページの続きＦターム(参考） 2F065 AA49 BB02 CC00 CC19 CC25 DD05 DD09 FF01 FF04 FF48 GG02 GG24 HH03 JJ03 JJ19 JJ26 LL19 LL22 MM04 MM15 NN00 PP13 QQ25 QQ29 QQ31 QQ38 TT02 2G051 AA51 AB07 BB11 BB17 BC07 CA04 CB06 DA08 EA16 ED22

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】照明光束により照明された基板から射出
した回折光を受光する受光光学系と；前記受光光学系で
受光された回折光による前記基板の像を撮像する撮像手
段と；前記撮像手段からの出力に基づいて画像を処理し
前記基板の欠陥を検出する画像処理装置と；前記基板
を、前記照明光束または前記受光光学系に対して、相対
的に回転させる回転手段と；前記出力が最大となるよう
前記回転手段を制御する制御手段とを備えたことを特徴
とする；欠陥検査装置。
【請求項２】前記基板を載置するステージを備え；前
記回転手段が、前記ステージを、前記基板の表面に垂直
な第１の軸線回りに回転させる；請求項１に記載の欠陥
検査装置。
【請求項３】前記回転手段が、前記ステージを、さら
に前記基板の表面内で前記基板と交わる前記受光光学系
の光軸に垂直である第２の軸線回りに回転させる；請求
項１または請求項２に記載の欠陥検査装置。
【請求項４】照明光束により照明された基板から射出
した回折光を受光する工程と；前記受光した回折光によ
る前記基板の像を撮像する工程と；前記撮像により得ら
れた出力に基づいて画像を処理する工程と；前記照明さ
れた基板を、前記照明光束または前記受光光学系に対し
て、相対的に回転させる工程と；前記出力が最大となる
よう前記回転を制御する工程と；前記画像に基づいて前
記基板の欠陥を検出する工程とを備えたことを特徴とす
る；欠陥検査方法。
【請求項５】所定の入射角度で前記基板に入射する照
明光によって前記基板を照明する工程を備え；前記基板
が繰り返しパターンを有し；前記制御が、前記繰り返し
パターン固有の前記基板への入射角度を基準にし、前記
入射角度が僅かずつ増加または減少するように、前記基
板を回転することにより行われる；請求項４に記載の欠
陥検査方法。