JP4148273B2 - 結晶方位測定方法及び結晶方位測定装置 - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 103
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 43
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 88
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 88
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 16
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 claims description 8
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 32
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 11
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 8
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
図1は、第1実施形態に係る結晶方位測定装置を模式的に示す平面図である。図2は、第1実施形態に係る結晶方位測定装置の一部を模式的に示す平面図である。図1及び図2には、x軸、y軸及びz軸からなる空間座標系が示されている。
図4は、第2実施形態に係る結晶方位測定装置を模式的に示す平面図である。図5は、図4に示されるV−V線に沿った断面図である。図4及び図5には、x軸、y軸及びz軸からなる空間座標系が示されている。
図7は、第3実施形態に係る結晶方位測定装置を模式的に示す平面図である。図7には、x軸、y軸及びz軸からなる空間座標系が示されている。
図8は、第4実施形態に係る結晶方位測定装置を模式的に示す平面図である。図9は、第4実施形態に係る結晶方位測定装置の一部を模式的に示す平面図である。図8及び図9には、x軸、y軸及びz軸からなる空間座標系が示されている。
図10は、他の形態に係る結晶方位測定装置を模式的に示す平面図である。図10には、x軸、y軸及びz軸からなる空間座標系が示されている。
VB法を用いて<511>方向に成長したGaAsインゴットを、内周刃でスライスしてウェハを作製した。エッチングによりウェハの加工ダメージを除去した後、オリエンテーションフラットを形成するために、ウェハの端面における(110)面を劈開して鏡面を作製した。続いて、図1に示されるような結晶方位測定装置を用いてウェハの結晶方位を測定した。
LEC法を用いて<100>方向に成長したInPインゴットを、ワイヤーソーでスライスして直径4インチのウェハを作製した。その後、オリエンテーションフラットを形成するために、ウェハの端面における(110)面を劈開した。その後、ウェハのエッジのうちオリエンテーションフラットが形成されていない部分を面取りした。このウェハをフロロウェア社製のキャリアに格納し、キャリアを図4に示される結晶方位測定装置にセットして、自動でX線回折測定を行った。
Claims (8)
- オリエンテーションフラットが設けられたIII−V族化合物半導体ウェハの主面の法線方向から見て、前記オリエンテーションフラット上の第1の点と当該ステージの表面における基準直線との第1の距離と、前記オリエンテーションフラット上の第2の点と前記基準直線との第2の距離とを測定する距離測定器が取り付けられたステージの前記表面上に前記III−V族化合物半導体ウェハを載置する工程と、
前記距離測定器を使用して前記第1の距離と前記第2の距離とを測定する工程と、
前記オリエンテーションフラットにX線を照射し、前記オリエンテーションフラットからの回折線によって前記III−V族化合物半導体ウェハの所定の結晶方位を測定する工程と、
を含む、結晶方位測定方法。 - 前記第1の距離及び前記第2の距離は、光学式の位置センサを用いて測定される、請求項1に記載の結晶方位測定方法。
- 前記第1の距離及び前記第2の距離は、接触式の位置センサを用いて測定される、請求項1に記載の結晶方位測定方法。
- 前記第1の距離及び前記第2の距離のデータを用いて、前記所定の結晶方位のデータを補正する工程を更に含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の結晶方位測定方法。
- 前記第1の距離及び前記第2の距離を測定する工程では、前記III−V族化合物半導体ウェハの主面の法線方向から見て、前記基準直線と前記オリエンテーションフラットの中点との第3の距離を算出し、
前記所定の結晶方位を測定する工程では、前記第3の距離が所定の基準値以下の場合に、前記オリエンテーションフラットの前記中点にX線を照射する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の結晶方位測定方法。 - オリエンテーションフラットが設けられたIII−V族化合物半導体ウェハの主面の法線方向から見て、前記オリエンテーションフラット上の第1の点と当該ステージの表面における基準直線との第1の距離を測定する距離測定器と、前記基準直線に対する前記オリエンテーションフラットの傾きを測定する角度測定器とが取り付けられたステージの前記表面上に前記III−V族化合物半導体ウェハを載置する工程と、
前記距離測定器及び前記角度測定器を使用して前記第1の距離と前記オリエンテーションフラットの傾きとを測定する工程と、
前記オリエンテーションフラットにX線を照射し、前記オリエンテーションフラットからの回折線によって前記III−V族化合物半導体ウェハの所定の結晶方位を測定する工程と、
を含む、結晶方位測定方法。 - オリエンテーションフラットが設けられたIII−V族化合物半導体ウェハを載置するための表面を有するステージと、
前記ステージに取り付けられ、前記III−V族化合物半導体ウェハの主面の法線方向から見て、前記オリエンテーションフラット上の第1の点と前記ステージの前記表面における基準直線との第1の距離と、前記オリエンテーションフラット上の第2の点と前記基準直線との第2の距離とを測定する距離測定器と、
前記オリエンテーションフラットにX線を照射するX線源と、
前記オリエンテーションフラットからの回折線を検出するX線検出器と、
を備える、結晶方位測定装置。 - オリエンテーションフラットが設けられたIII−V族化合物半導体ウェハを載置するための表面を有するステージと、
前記ステージに取り付けられ、前記III−V族化合物半導体ウェハの主面の法線方向から見て、前記オリエンテーションフラット上の第1の点と前記ステージの前記表面における基準直線との第1の距離を測定する距離測定器と、
前記ステージに取り付けられ、前記III−V族化合物半導体ウェハの主面の法線方向から見て、前記基準直線に対する前記オリエンテーションフラットの傾きを測定する角度測定器と、
前記オリエンテーションフラットにX線を照射するX線源と、
前記オリエンテーションフラットからの回折線を検出するX線検出器と、
を備える、結晶方位測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006107476A JP4148273B2 (ja) | 2006-04-10 | 2006-04-10 | 結晶方位測定方法及び結晶方位測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006107476A JP4148273B2 (ja) | 2006-04-10 | 2006-04-10 | 結晶方位測定方法及び結晶方位測定装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007278929A JP2007278929A (ja) | 2007-10-25 |
JP4148273B2 true JP4148273B2 (ja) | 2008-09-10 |
Family
ID=38680514
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006107476A Active JP4148273B2 (ja) | 2006-04-10 | 2006-04-10 | 結晶方位測定方法及び結晶方位測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4148273B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4996263B2 (ja) * | 2007-01-23 | 2012-08-08 | 東芝Itコントロールシステム株式会社 | 結晶方位測定装置 |
CN102721712B (zh) * | 2012-04-27 | 2014-07-02 | 中国航空工业集团公司北京航空材料研究院 | 一种用于测量金属管材织构的方法和装置 |
KR102296344B1 (ko) * | 2020-02-04 | 2021-09-01 | (주)한국아이티에스 | 반도체 단결정 잉곳의 노치 위치 판별 장치 |
-
2006
- 2006-04-10 JP JP2006107476A patent/JP4148273B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007278929A (ja) | 2007-10-25 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4148273 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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